CN102692831A - 对位标识及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种对位标识,其包括N个对位标记,所述N个对位标记分别设于N个掩模板上,所述第一对位标记包括第一子标记和第二子标记,所述第一子标记和第二子标记设于第一掩模板上且关于第一掩模板上的一点形成中心对称;除第一掩模板外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同或相似,第i掩模板上的第i对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠。该对位标识能够有效地解决现有技术的曝光工艺中因对位图形或对位标记缺失而导致曝光机无法对位的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种对位标识以及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法,该对位标识特别适用于半导体元件的制作。
背景技术
目前,常用的平板显示器包括LCD(Liquid Crystal Display:液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示器。在成像过程中,LCD中每一液晶像素点都由集成在阵列基板(Array)上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:简称TFT)驱动,再配合外围驱动电路,实现图像显示;AMOLED(Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩阵驱动式OLED)显示器由TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素,再配合外围驱动电路,实现图像显示。在上述显示器中,TFT作为一种半导体元件,是控制发光的开关,它是实现LCD和OLED显示器进行高性能显示的关键部件。
在半导体元件的生产过程中,曝光工艺是其中重要的制作工艺之一,尤其是在阵列基板中制作TFT阵列时,由于TFT的对位精度要求非常高,曝光效果的好坏更是直接影响TFT的性能。目前常用的曝光机主要包括扫描式曝光机和步进式曝光机,相对于步进式曝光机,扫描式曝光机生产效率较高,为了保证生产效率,大多数TFT的制作均采用扫描式曝光机。
由于TFT中包括有多个层,因此在通过曝光工艺制作阵列基板时,一般需要在掩模板上设置对位标记以作为曝光机与基板之间、以及TFT中的多个不同层之间的自动对位的对位基准,以保证所制作的TFT结构的正确性以及性能。目前,扫描式曝光机进行自动对位所依据的对位标记主要包括SRC(Stage ReferenceControl)(粗对位)标记与ADC(Automatic Distortion Control)(精对位)标记。
图1所示为现有技术中设于第一掩模板上的对位标记的形状示意图,所述第一掩模板用于在曝光工艺中制作TFT的第一层图形。如图1所示,所述对位标记包括第一粗对位(预对位)标记1和第一精对位标记2。其中,第一粗对位标记1呈“田”字形,其包括外框和设于所述外框内的“十”字,第一精对位标记2包括平行设置的两横条以及平行设置的两竖条,所述两横条设置在两竖条的上方。在TFT的制作过程中,曝光机将第一掩模板上的第一粗对位标记1和第一精对位标记2一次性曝光形成到基板上,即形成如图3所示的基板粗对位图形5和基板精对位图形6,所形成的基板粗对位图形5和基板精对位图形6与所述第一粗对位标记1和第一精对位标记2形状和尺寸完全一致。图2所示为现有技术中设于第i掩模板(根据TFT结构以及掩模工艺的不同,i=2,3,4,5,6)上的第i掩模板对位标记的结构示意图,所述第i掩模板用于制作TFT的第i层图形。如图2所示,所述第i掩模板对位标记包括第i精对位标记4,第i精对位标记4呈分离的T字形,其包括一横条和一竖条,所述竖条与所述横条分离设置。在基板上形成第一粗对位标记1和第一精对位标记2后,曝光机根据预定的位置坐标,自动对位寻找到基板上的基板粗对位图形5,然后将基板粗对位图形5中“十”字中点作为对位基准,进行自动对位而使第i精对位标记4与基板精对位图形6对准。在实际制作过程中,所述第一掩模板上的对位标记以及第i掩模板上的掩模板对位标记在各掩模板上的位置和数量可以根据显示器的尺寸以及要求精度进行设计。
现有技术中采用扫描式曝光机制作TFT的制作方法包括如下步骤:
步骤1:将第一掩模板设置在空白基板上的适当位置,通过曝光机在基板上制作TFT的第一层图形,所形成的第一层图形中包括基板粗对位图形5和基板精对位图形6,如图3所示;
步骤2:以基板上的基板粗对位图形5为对位基准,曝光机完成预对位;
步骤3:根据曝光机的曝光精度要求,以基板上的基板精对位图形6为基准,将第二掩模板上的第二精对位标记4与所述基板精对位图形6进行校准并进行多次对位,直至达到预设的对位要求,即完成第一次精对位,然后根据曝光的角度与位置,曝光机曝光制作TFT的第二层图形;
步骤4:重复步骤2和步骤3,依次制作TFT的第三层图形、第四层图形……,直至TFT的各个层制作完成。
在实际的生产过程中,曝光机的自动对位步骤一般包括1次预对位和多次精对位(比如佳能曝光机分别在上中下三个位置各执行一次精对位,共计三次精对位)。在现有技术中,在进行TFT的第二层及其第二层以上的各层制作中,由于曝光机在进行上述多次精对位过程中,均需要与TFT的第一层图形中的基板精对位图形6进行校准,所以对形成在基板上的基板精对位图形6(pattern)的要求很高。但是,由于目前所采用的基板粗对位图形5采用面积较小、且形状较为复杂的封闭的田字形图形,一旦因为灰尘(particle)及其他杂质或因工艺不良,很容易使基板粗对位图形5出现异常甚至发生部分丢失等现象,从而影响曝光机对图形的识别,甚至导致曝光机因找不到对位图形而无法进行预对位,而致使曝光机自动报警并停机。在这种情况下,操作人员只能通过手动强制曝光机跳过预对位步骤,并采用手动寻找基板精对位图形6的方式来进行精对位步骤,然而在进行精对位步骤中必须使第i精对位标记4处于基板精对位图形6的范围内才能被曝光机识别,如图4所示,当曝光机识别到第i精对位标记4和基板精对位图形6的相对位置之间的距离为D1~D4(必须在20μm以内)后,将自动进行光学角度补偿,通过使|D1-D2|=0且|D3-D4|=0来确定曝光位置后才能进行曝光。然而在此过程中,如果第i精对位标记4或基板精对位图形6的图形出现异常,例如:当出现横条残缺,灰尘残留等现象时,同样会导致因曝光机无法识别对位标记位置而无法进行精对位曝光,此时如果强制曝光将导致整张TFT基板发生不良,导致产品良品率低。
可见,现有技术中的曝光工艺中曝光机在曝光过程中需要进行预对位和精对位,同时由于采用的对位标记面积较为微小且形状复杂,一旦对位标记或对位图形出现异常,不管进行自动对位还是手动强制对位操作,都存在因对位不准确而使曝光工艺制成的产品良品率低而造成生产成本浪费,设备长时间停机而造成生产效率低下等问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有的曝光工艺中的对位方法存在的上述不足,提供一种对位标识以及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法,该对位标识能够有效地解决现有技术的曝光工艺中因对位图形或对位标记缺失而导致曝光机无法对位的问题,采用该方法来制作工件,在保证对位精度从而能够有效提高产品良品率的同时,还能提高生产效率。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该对位标识,用于曝光工艺中制作具有N层图形的工件,其中N为正整数且N≥2,该对位标识包括N个对位标记,所述N个对位标记分别设于N个掩模板上,所述N个掩模板分别用于制作所述工件的N层图形,设定用于制作工件第一层图形的掩模板为第一掩模板,设于所述第一掩模板上的对位标记为第一对位标记,设定用于制作工件第i层图形的掩模板为第i掩模板,设于所述第i掩模板上的对位标记为第i对位标记,其中i的取值范围为2~N,其中,所述第一对位标记包括第一子标记和第二子标记,所述第一子标记和第二子标记设于第一掩模板上且关于第一掩模板上的一点形成中心对称;当N=2时,所述第二掩模板上的第二对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠;当N>2时,除第一掩模板外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同或相似,第i掩模板上的第i对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠。
优选的是,所述第一对位标记还包括第三子标记,所述第三子标记设于第一掩模板上并以第一子标记和第二子标记的对称中心为原点,与所述第一子标记关于Y轴或X轴对称,并与第二子标记关于X轴或Y轴对称,所述第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从第三子标记和第一子标记之间穿过而不与第三子标记和第一子标记重叠,或设置为能够从第三子标记和第二子标记之间穿过而不与第三子标记和第二子标记重叠。
进一步优选的是,所述第一对位标记还包括第四子标记,所述第四子标记在第一掩模板上以第一子标记和第二子标记的对称中心为原点,与所述第一子标记关于X轴或Y轴对称,并与第二子标记关于Y轴或X轴对称,同时与第三子标记以第一子标记和第二子标记的对称中心为中心而形成中心对称。
优选的是,所述第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记的形状为菱形或正方形或圆的四等分形状,且第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记之间的间距的形状为中空的十字形。
优选的是,当N>2时,除第一掩模板之外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同,且每个对位标记中,第五子标记和第六子标记的长度和宽度均相等;当N=2时,所述第二对位标记中,第五子标记和第六子标记的长度和宽度均相等。
更优选的是,所述第五子标记和第六子标记的长度为40~60μm,宽度为3~7μm;所述第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记之间的间距的长度小于或等于100μm,所述十字的宽度为10~20μm。
一种在曝光工艺中采用上述对位标识制作工件的方法,所述工件具有N层图形,其中,该方法包括以下步骤:制作工件的第一层图形以及与所述对位标识中第一掩模板上的第一对位标记对应的第一对位图形;当N=2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将第二掩模板上的第二对位标记与所述第一对位图形进行校准,校准完成后,再通过曝光机曝光以在工件的第一层图形上形成工件的第二层图形;当N>2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将其他掩模板上的各对位标记依次与所述第一对位图形进行校准,每完成一次校准后曝光机进行一次曝光,以在工件的第一层图形上依次形成工件的其他各层图形。
该方法具体包括:
步骤S1):将第一掩模板设置在基板上,通过曝光机曝光从而在基板上同时形成工件的第一层图形和第一对位图形;
步骤S2):以第一对位图形为基准,通过曝光机将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准,校准完成后,再通过曝光机曝光从而在工件的(i-1)层图形上形成工件的第i层图形;
步骤S3):如果工件的层数N=2,则制作结束,如果工件的层数N>2,则重复进行步骤S2),直至工件的最后一层图形制作完成。
优选的是,所述第一对位图形与第一对位标记对应,所述第一对位图形包括第一子标记图形和第二子标记图形,所述第一子标记图形与所述第一子标记对应,所述第二子标记图形与所述第二子标记对应,在步骤S2)中,判断校准完成的方法是:当将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准时,如果第五子标记和第二子标记图形之间的距离与第五子标记和第一子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,且第六子标记和第一子标记图形之间的距离与第六子标记和第二子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,则判断校准完成;当第一对位图形中还包括有第三子标记图形和第四子标记图形时,所述第三子标记图形与所述第三子标记对应,所述第四子标记图形与所述第四子标记对应,在步骤S2)中,判断校准完成的方法是:当将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准时,如果第六子标记和第一子标记图形之间的距离与第六子标记和第四子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,且第五子标记和第二子标记图形之间的距离与第五子标记和第四子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,则判断校准完成。
优选的是,所述曝光机采用扫描式曝光机。
本发明的有益效果是:采用该对位标识能有效解决曝光工艺中因对位图形或对位标记缺失而导致的无法对位和曝光的问题;并且在曝光工艺中采用该对位标识来制作工件,相比现有技术的制作方法而言,不仅可以有效地保证对位的精度,而且减少了一次预对位步骤,且不会出现因曝光机找不到对位图形而报警并停机的情况,提高了产品的良品率和生产效率,节约了生产成本。
附图说明
图1为现有技术中通过曝光工艺制作TFT的第一层图形所采用的第一掩模板上的对位标记的结构示意图;
图2为现有技术中通过曝光工艺制作TFT的第i层图形所采用的第i掩模板对位标记的结构示意图,其中i≥2;
图3为图1中所示的第一掩模板上的对位标记在基板上形成的与其对应的基板对位图形的结构示意图;
图4为将图2所示的第i掩模板对位标记与图3所示的基板对位图形进行对准的示意图;
图5为本发明实施例1中通过曝光工艺制作TFT的第一层图形所采用的第一掩模板上的第一对位标记的结构示意图;
图6为本发明实施例1中通过曝光工艺制作TFT的第i层图形所采用的第i对位标记的结构示意图;
图7为图5所示的第一对位标记在基板上形成的第一对位图形的结构示意图;
图8为将图6所示的第i对位标记与图7所示的第一对位图形进行对准的示意图;
图9为本发明实施例2中将第i对位标记与第一对位图形进行对准的示意图;
图10为本发明实施例3中将第i对位标记与第一对位图形进行对准的示意图。
图中:1-第一粗对位标记;2-第一精对位标记;4-第i精对位标记;5-基板粗对位图形;6-基板精对位图形;7-第一对位标记;8-第i对位标记;9-第一对位图形;11-第一子标记;12-第二子标记;13-第三子标记;14-第四子标记;15-第五子标记;16-第六子标记;17-第一子标记图形;18-第二子标记图形;19-第三子标记图形;20-第四子标记图形。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明对位标识以及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法作进一步详细描述。
一种对位标识,用于曝光工艺中制作具有N层图形的工件,其中N为正整数且N≥2,该对位标识包括N个对位标记,所述N个对位标记分别设于N个掩模板上,所述N个掩模板分别用于制作所述工件的N层图形,设定用于制作工件第一层图形的掩模板为第一掩模板,设于所述第一掩模板上的对位标记为第一对位标记,设定用于制作工件第i层图形的掩模板为第i掩模板,设于所述第i掩模板上的对位标记为第i对位标记,其中i的取值范围为2~N,所述第一对位标记包括第一子标记和第二子标记,所述第一子标记和第二子标记设于第一掩模板上且关于第一掩模板上的一点形成中心对称;当N=2时,所述第二掩模板上的第二对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠;当N>2时,除第一掩模板外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同或相似,第i掩模板上的第i对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠。
一种在曝光工艺中采用上述对位标识制作工件的方法,所述工件具有N层图形,该方法包括以下步骤:先制作工件的第一层图形以及与所述对位标识中第一掩模板上的第一对位标记对应的第一对位图形;当N=2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将第二掩模板上的第二对位标记与所述第一对位图形进行校准,校准完成后,通过曝光机曝光以在工件的第一层图形上形成工件的第二层图形;当N>2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将其他掩模板上的各对位标记依次与所述第一对位图形进行校准,每完成一次校准后曝光机进行一次曝光,以在工件的第一层图形上依次形成工件的其他各层图形。
实施例1
本实施例中,所制作的工件为半导体元件,该半导体元件具体为TFT器件,所述TFT器件包括有N层图形,其中N>2。TFT的第一层图形通过曝光机对第一掩模板曝光而制成,相应地,所述TFT的其他各层图形分别由曝光机对第i掩模板曝光而制成,所述第一掩模板上设置有第一对位标记7,所述第i掩模板上设置有第i对位标记8。本实施例中,所述曝光机采用扫描式曝光机。
如图5所示,第一掩模板上设置有第一对位标记7,本实施例中,第一对位标记7包括第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14,即所述第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14均设于第一掩模板上。本实施例中,所述第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14的形状完全相同,大小完全相等。
其中,第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14均为中心对称图形。第一子标记11和第二子标记12关于第一掩模板上的一点形成中心对称;第三子标记13和第四子标记14也关于该点形成中心对称,所述对称中心点指的是图5中AA′线和BB′线的交点。同时,第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14均为轴对称图形。以AA′线和BB′线的交点为原点,第一子标记11和第三子标记12关于Y轴对称,第二子标记12和第四子标记关于Y轴对称;第一子标记11和第四子标记14关于X轴对称,第二子标记12和第三子标记13关于X轴对称。也就是说,第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14关于AA′线和BB′线的交点上下左右均对称。
如图5所示,本实施例中,所述第一对位标记7中的第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14的图形为一直角三角形形状,其实质是将一个菱形图形沿其两对角线AA′线和BB′线平分为四等分(每一等分的形状为一直角三角形),并使被分割开的四个大小相等的直角三角形相对原菱形图形的中心沿两垂直对称轴线CC′线和DD′线(与两对角线AA′线和BB′线的夹角分别为45°)向外偏移相等的距离,使得第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13、以及第四子标记14之间的间距的形状为中空的十字形,即使得一个菱形图形被一个中空的十字均衡分割(十字均衡分割图形的特点是两条相交并相互垂直的直条将图形分割成大小相等的匀称的四部分子图形)。
第i掩模板上设置有第i对位标记8,如图6所示,本实施例中,所述第i对位标记8包括第五子标记15和第六子标记16,第五子标记15和第六子标记16均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记15和第六子标记16的长度和宽度均相等,且第五子标记15和第六子标记16的宽度设置为能够从第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14之间的十字形间距中穿过而不与第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14重叠(可以与第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14的边缘接触)。
其中,第i对位标记8中的第五子标记和第六子标记的长度为40-60μm,宽度为3-7μm;对于第一对位标记中四个子标记之间的十字形间距,所述十字形间距的长度小于或等于100μm,其宽度为10-20μm。本实施例中,优选所述第i对位标记中第五子标记和第六子标记的长度为50μm,宽度为5μm;十字形间距的长度小于或等于100μm,所述十字的宽度为13μm(即中空的十字形的宽度使得第五子标记15和第六子标记16分别与第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14之间的间隔距离为4μm)。
本实施例中采用上述对位标识由扫描式曝光机通过曝光工艺制作TFT器件,其具体的制作方法包括如下步骤:
步骤S1):将第一掩模板设置在基板上,通过曝光机曝光从而在基板上同时形成TFT的第一层图形和第一对位图形。
具体地,制作TFT时,首先将空白基板固定在曝光机的承载机台上,在该步骤中即可利用第一掩模板在空白基板上曝光形成TFT的第一层图形,在形成TFT的第一层图形的同时,根据第一掩模板中的第一对位标记7形成如图7所示的第一对位图形9,所述第一对位标记7与所述第一对位图形9形状和尺寸完全一致。
所述第一对位图形9包括第一子标记图形17、第二子标记图形18、第三子标记图形19和第四子标记图形20,其中,所述第一子标记图形17、第二子标记图形18、第三子标记图形19和第四子标记图形20分别与所述第一子标记11,第二子标记12、第三子标记13和第四子标记完全对应。
步骤S2):以第一对位图形为基准,通过曝光机将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形9进行校准,校准完成后,再通过曝光机曝光从而在工件的(i-1)层图形上形成工件的第i层图形。
在该步骤中,将第i掩模板中呈十字形的第i对位标记与第一对位图形9对准,如图8所示,即将第i对位标记置于第一对位图形9的中空的十字形区域内,只要曝光机的自动对位功能检测到第i对位标记与第一对位图形9的中空的十字形区域之间的间距并能在其误差补偿范围内进行匹配,最佳情况是第i对位标记的十字形图形的中心与第一对位图形9的对称中心重合,就能保证曝光机的对位与曝光作业。具体地,当将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准时,如果第六子标记16和第一子标记图形17之间的距离D1与第六子标记16和第四子标记图形20之间的距离D2相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,且第五子标记15和第二子标记图形18之间的距离D3与第五子标记15和第四子标记图形20之间的距离D4相等或差异在曝光机的误差补偿范围内(比如20μm以内),曝光机就可以自动进行光学角度补偿,即使得|D1-D2|=0且|D3-D4|=0来确定曝光位置后进行曝光,此时则可判断校准完成。
完成对位后,曝光机根据曝光的角度与位置,即开始曝光。以制作TFT的第i层图形。
在本实施例中,由于第一对位标记7相当于现有技术中的第一粗对位标记1和第一精对位标记2,因此第一对位标记7既充当预对位标记又充当精对位标记,即此时只需经过一个对位步骤即可同时完成预对位和精对位,与现有技术相比减少了一个预对位的步骤。
步骤S3):重复进行步骤S2),直至TFT的最后一层图形制作完成。
在本实施例中,由于第一对位标记7本身采用较为简单的图形制作,曝光机根据第一对位标记在基板上形成第一对位图形9后进行对位的时候不容易出现图形不良或图形异常的现象。当然,即使第一对位图形9因灰尘或其他工艺原因而产生部分图形异常时,只要其中的任意两个关于中心对称的子标记或任意三个子标记的轮廓存在,则依然能被曝光机识别,即依然可通过这些三角形的直角边来确定|D1-D2|与|D3-D4|的两组间距,从而保证曝光机完成精对位。例如:当第一对位图形9中左上角的第三子标记图形19完全丢失或者异常时,曝光机依然可以通过第一子标记图形17、第二在标记图形18以及第四子标记图形20的直角边与第i对位标记中第五子标记15和第六子标记16之间的间距进行补偿(|D1-D2|=0且|D3-D4|=0)计算,从而来完成精对位,然后进行曝光。同理,当第一对位图形9中第三子标记图形19和第四子标记图形20完全丢失或者异常时,曝光机可以通过第一子标记图形17和第二子标记图形18的互相垂直的直角边与第i对位标记中第五子标记15和第六子标记16之间的间距来进行补偿(|D1-D2|=0且|D3-D4|=0)计算,从而来完成精对位,然后进行曝光。
因此,第一对位标记7中可以只包括第一子标记11和第二子标记12,或者包括第一子标记11、第二子标记12和第三子标记13,或者包括第一子标记11、第二子标记12和第四子标记14。
同理,当第i掩模板中的第i对位标记8中的两个子标记中,当因为任一子标记的其中一半缺失而出现图形异常时,只要第i对位标记8与第一对位图形9之间的校准在误差补正范围内匹配,即可通过其他剩余的线条进行补偿计算,从而保证曝光机完成精对位并进行曝光。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于,第一掩模板中的第一对位标记7的形状与实施例1中不同。
本实施例中,如图9所示,第一子标记11,第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14的形状均为相同的正方形,其实质是将一个正方形平分为四等分(每一等分的形状为一正方形),且第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13、以及第四子标记14之间的间距的形状为中空的十字形,即采用十字分割正方形。
本实施例中,第i掩模板中的第i对位标记8的形状与实施例1相同。
本实施例中对位标识中的其他结构以及在曝光工艺中采用该对位标识制作TFT的方法均与实施例1相同,这里不再赘述。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于,第一掩模板中的第一对位标记7的形状与实施例1不同。
本实施例中,如图10所示,第一子标记11,第二子标记12、第三子标记13和第四子标记14的形状均为相同的扇形,其实质是将一个圆平分为四等分(每一等分的形状为一扇形),且第一子标记11、第二子标记12、第三子标记13、以及第四子标记14之间的间距的形状为中空的十字形,即采用十字分割圆形。
本实施例中,第i掩模板中的第i对位标记8的形状与实施例1相同。
本实施例中对位标识中的其他结构以及在曝光工艺中采用该对位标识制作TFT的方法均与实施例1相同,这里不再赘述。
可见,实施例1-3中的对位标识有效地解决了现有技术中在TFT曝光工艺中出现对位图形或对位标记缺失而导致无法对位的问题;并且在曝光工艺中采用该对位标识制作TFT的方法,相比现有技术的制作方法来说,减少了一次曝光对位步骤,同时有效地保证了对位过程中的精度,提高了产品良品率和生产效率,节约了生产成本。
这里应该理解的是,本发明所述对位标识以及制作TFT的方法除了可以应用于实施例1-3所述LCD和OLED显示器阵列基板(或彩膜基板)的TFT生产中,还适用于其他涉及到光刻工艺的半导体元件的生产制造中,并适用于扫描式对位曝光工艺以及其他模式的对位曝光工艺中。而且,本发明所述第一对位标识的图形也并不限定于实施例1-3所述的十字分割的菱形、正方形和圆形,满足相应条件的其他图形也视为包含在本发明的保护范围内。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种对位标识,用于曝光工艺中制作具有N层图形的工件,其中N为正整数且N≥2,该对位标识包括N个对位标记,所述N个对位标记分别设于N个掩模板上,所述N个掩模板分别用于制作所述工件的N层图形,设定用于制作工件第一层图形的掩模板为第一掩模板,设于所述第一掩模板上的对位标记为第一对位标记,设定用于制作工件第i层图形的掩模板为第i掩模板,设于所述第i掩模板上的对位标记为第i对位标记,其中i的取值范围为2~N,其特征在于,所述第一对位标记包括第一子标记和第二子标记,所述第一子标记和第二子标记设于第一掩模板上且关于第一掩模板上的一点形成中心对称;当N=2时,所述第二掩模板上的第二对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠;当N>2时,除第一掩模板外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同或相似,第i掩模板上的第i对位标记包括第五子标记和第六子标记,所述第五子标记和第六子标记均为条状,且垂直相交呈十字形,第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从所述第一子标记和第二子标记之间的间距中穿过而不与第一子标记和第二子标记重叠。
2.根据权利要求1所述的对位标识,其特征在于,所述第一对位标记还包括第三子标记,所述第三子标记设于第一掩模板上并以第一子标记和第二子标记的对称中心为原点,与所述第一子标记关于Y轴或X轴对称,并与第二子标记关于X轴或Y轴对称,所述第五子标记和第六子标记的宽度设置为能够从第三子标记和第一子标记之间穿过而不与第三子标记和第一子标记重叠,或设置为能够从第三子标记和第二子标记之间穿过而不与第三子标记和第二子标记重叠。
3.根据权利要求2所述的对位标识,其特征在于,所述第一对位标记还包括第四子标记,所述第四子标记在第一掩模板上以第一子标记和第二子标记的对称中心为原点,与所述第一子标记关于X轴或Y轴对称,并与第二子标记关于Y轴或X轴对称,同时与第三子标记以第一子标记和第二子标记的对称中心为中心形成中心对称。
4.根据权利要求3所述的对位标识,其特征在于,所述第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记的形状为菱形或正方形或圆的四等分形状,且第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记之间的间距的形状为中空的十字形。
5.根据权利要求4所述的对位标识,其特征在于,当N>2时,除第一掩模板之外的其他掩模板上的各个对位标记的形状均相同,且每个对位标记中,第五子标记和第六子标记的长度和宽度均相等;当N=2时,所述第二对位标记中,第五子标记和第六子标记的长度和宽度均相等。
6.根据权利要求5所述的对位标识,其特征在于,所述第五子标记和第六子标记的长度为40~60μm,宽度为3~7μm;所述第一子标记、第二子标记、第三子标记、以及第四子标记之间的间距的长度小于或等于100μm,所述十字的宽度为10~20μm。
7.一种在曝光工艺中采用权利要求1-6之一所述的对位标识制作工件的方法,所述工件具有N层图形,其特征在于,该方法包括以下步骤:先制作工件的第一层图形以及与所述对位标识中第一掩模板上的第一对位标记对应的第一对位图形;当N=2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将第二掩模板上的第二对位标记与所述第一对位图形进行校准,校准完成后,通过曝光机曝光以在工件的第一层图形上形成工件的第二层图形;当N>2时,再以所述第一对位图形为基准,通过曝光机将其他掩模板上的各对位标记依次与所述第一对位图形进行校准,每完成一次校准后曝光机进行一次曝光,以在工件的第一层图形上依次形成工件的其他各层图形。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,具体包括:
步骤S1):将第一掩模板设置在基板上,通过曝光机曝光从而在基板上同时形成工件的第一层图形和第一对位图形;
步骤S2):以第一对位图形为基准,通过曝光机将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准,校准完成后,再通过曝光机曝光从而在工件的(i-1)层图形上形成工件的第i层图形;
步骤S3):如果工件的层数N=2,则制作结束,如果工件的层数N>2,则重复进行步骤S2),直至工件的最后一层图形制作完成。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一对位图形与第一对位标记对应,第一对位图形包括第一子标记图形和第二子标记图形,其中,所述第一子标记图形与所述第一子标记对应,所述第二子标记图形与所述第二子标记对应,在步骤S2)中,判断校准完成的方法是:当将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准时,如果第五子标记和第二子标记图形之间的距离与第五子标记和第一子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,且第六子标记和第一子标记图形之间的距离与第六子标记和第二子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,则判断校准完成;当第一对位图形中还包括有第三子标记图形和第四子标记图形时,所述第三子标记图形与所述第三子标记对应,所述第四子标记图形与所述第四子标记对应,在步骤S2)中,判断校准完成的方法是:当将第i掩模板上的第i对位标记与所述第一对位图形进行校准时,如果第六子标记和第一子标记图形之间的距离与第六子标记和第四子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,且第五子标记和第二子标记图形之间的距离与第五子标记和第四子标记图形之间的距离相等或差异在曝光机的误差补偿范围内,则判断校准完成。
10.根据权利要求7-9之一所述的方法,其特征在于,所述曝光机采用扫描式曝光机。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20140326 |