CN108493147B - 一种基板及其对位方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基板及其对位方法,根据每一标记组中的同一标记图形确定每一标记组对应的预对位位置,从而可以降低识别难度,降低识别错误与识别时间。并根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上,以降低预对位的时间。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位重叠时,可以确定掩膜版与基板精准对位。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位不重叠时,根据标记组中形成直角三角形的对位标记反复调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔重叠,以实现精准对位。
Description
技术领域
本发明涉及对位技术领域,特别涉及一种基板及其对位方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器具有低能耗、自发光、宽视角及响应速度快等优点,是当今显示器研究领域的热点之一,被认为是下一代显示技术。目前,采用蒸镀方式制备OLED显示器的像素单元中的发光层的成膜方式较为广泛。在采用蒸镀方式成膜时,一般通过掩膜版限制出像素单元的位置。其中,掩膜版的四角设置有对位孔,在基板的相应位置处设置有对位标记,一般通过电荷耦合元件(Charge-coupledDevice,CCD)识别基板的对位标记,将掩膜版设置在基板上,之后再通过对位标记判断掩膜版的对位孔与基板的对位标记是否准确对位,若不准确则分离掩膜版与基板,并移动掩膜版的位置,依次反复,直至进行较准确的对位。
由于目前对显示器的分辨率的要求越来越来高,使得在制作显示器时需要将待蒸镀的基板与掩膜版进行精确的对位,确保掩膜版和基板的相对位置没有偏差,以使蒸镀材料可以准确的蒸镀到对应的位置。如图1所示,目前一般设置于基板上的对位标记,通常由圆形10、十字形20或方形30中的两个以上组合而成。其中通过圆形标记10的圆心与掩膜版的对位孔对位,通过十字形标记20或方形标记30的横边与纵边建立直角坐标系,以判断掩膜版移动的方向和距离。然而在识别时,由于CCD距离基板的对位标记较远,导致难以达到很高分辨率。尤其是在制作柔性面板时,基板上的对位标记和CCD之间还会有聚酰亚胺基底层,使得对位标记产生折射,从而使对位标记的形状和大小发生变化,导致识别错误,例如将方形标记识别为圆形标记,从而增加识别难度,进而增加对位所需的时间。
发明内容
本发明实施例提供一种基板及其对位方法,用以降低识别错误与识别难度,以及减少对位所需的时间。
因此,本发明实施例提供了一种基板,包括:位于所述基板的非显示区中的至少2个标记组;其中,每个所述标记组包括至少3个对位标记,同一所述标记组中的对位标记的标记图形相同,并且同一所述标记组中的3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。
可选地,在本发明实施例中,每个所述标记组包括4个对位标记,同一所述标记组中的每3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。
可选地,在本发明实施例中,所述标记组为2个,所述2个标记组分别位于所述基板呈对角线的边角位置处;或,
所述标记组为4个,每一所述标记组分别位于所述基板的一个边角位置处。
可选地,在本发明实施例中,所述直角三角形的一个直角边与所述基板沿第一方向延伸的一边平行,另一个直角边与所述基板沿第二方向延伸的一边平行,其中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
可选地,在本发明实施例中,所述标记图形包括圆形、矩形、正多边形或十字形。
相应地,本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述任一种基板的对位方法,包括:
根据所述基板的每一所述标记组中的对位标记,确定每一所述标记组对应的预对位位置;
根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上;
针对每一所述标记组,判断所述标记组对应的预先设定的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔是否一一重叠;
若是,则确定所述掩膜版与所述基板精准对位;
若否,则根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记调整所述掩膜版的位置,直到所述标记组对应的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔一一重叠。
可选地,在本发明实施例中,所述调整所述掩膜版的位置,具体包括:
根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系;
根据确定出的所述直角坐标系,确定所述标记组对应的精准对位位置的坐标值以及所述掩膜版的对位孔的坐标值;
根据确定出的所述标记组对应的坐标值与所述对位孔的坐标值,确定在针对所述标记组时,所述掩膜版的移动方向与移动距离;
将所述掩膜版与所述基板分离,并根据确定出的所述移动方向与所述移动距离移动所述掩膜版后,将所述掩膜版放置在所述基板上。
可选地,在本发明实施例中,每个所述标记组包括4个对位标记;在所述根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系之前,还包括:
确定所述标记组中与预设阈值相差最大的一个对位标记;
根据所述标记组中且除与所述预设阈值相差最大的对位标记之外的3个对位标记的几何中心确定直角坐标系。
可选地,在本发明实施例中,所述确定每一所述标记组对应的预对位位置,具体包括:
根据每一所述标记组中的对位标记的几何中心依次相连形成的标记组图形,确定每一所述标记组对应的标记组图形的几何中心,并将每一所述标记组对应的几何中心确定为每一所述标记组对应的预对位位置。
可选地,在本发明实施例中,每一所述标记组对应的精准对位位置与对应的预对位位置为同一位置。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的基板及其对位方法,根据每一标记组中的同一标记图形确定每一标记组对应的预对位位置,从而可以降低识别难度,降低识别错误与识别时间。并根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上,以降低预对位的时间。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位重叠时,可以确定掩膜版与基板精准对位。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位不重叠时,根据标记组中形成直角三角形的对位标记反复调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔重叠,以实现精准对位。
附图说明
图1为现有技术中的对位标记的示意图;
图2为现有技术中的蒸镀设备的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的基板的结构示意图之一;
图4为本发明实施例提供的基板的结构示意图之二;
图5为本发明实施例提供的对位方法的流程图;
图6为本发明实施例提供的直角坐标系的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图,对本发明实施例提供的基板及其对位方法的具体实施方式进行详细地说明。应当理解,下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。并且,附图中各层薄膜厚度和形状不反映具体事物的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
目前,如图2所示,蒸镀设备一般包括真空蒸镀室100。其中,真空蒸镀室100内设置有蒸发源110、支撑柱120、与支撑柱120连接的冷却板130、用于承载待蒸镀的基板140的基板载具以及用于承载掩膜版150的掩膜版载具,冷却板130上安装有多个磁铁131,磁铁131用于将掩膜版150紧紧吸附在基板140上。并且,掩膜版150、待蒸镀基板140和冷却板130依次层叠设置在蒸发源110的上方。在采用蒸镀方式成膜时,将蒸镀材料设置于蒸发源110上,通过蒸发源110对蒸镀材料进行加热,使蒸镀材料的原子或分子从其表面气化形成蒸汽流,以入射到待蒸镀基板140表面,并凝结形成固态薄膜。
本发明实施例提供的一种基板,可以应用于采用蒸镀方式成膜的工艺中。具体地,如图3与图4所示,该基板具有显示区AA与非显示区BB;其中,显示区AA用于设置像素单元。并且,该基板包括:位于基板的非显示区BB中的至少2个标记组200_m(m为大于或等于1且小于或等于M的整数,M为标记组的总个数);其中,每个标记组200_m可以包括至少3个对位标记210_mn(n为大于或等于1且小于或等于N的整数,N为一个标记组中的对位标记的总个数),同一标记组200_m中的对位标记的标记图形相同,并且同一标记组200_m中的3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。
本发明实施例提供的基板,通过设置至少2个标记组,并使同一标记组中的对位标记的标记图形相同,可以通过简单同一标记图形确定每一标记组对应的预对位位置,从而可以降低识别难度,降低识别错误与识别时间。并且通过使同一标记组中的3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形,可以在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位不重叠时,根据标记组中形成直角三角形的对位标记反复调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔重叠,以实现精准对位。
在本发明实施例中,每一所述标记组对应的精准对位位置可以与对应的预对位位置为同一位置,从而进一步降低精准对位时间。
在本发明实施例中,每个标记组中可以包括3、4、5…个对位标记,其中同一标记组中的3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。可选地,在实际制备工艺中,由于制备误差的存在,为了避免制备误差对对位标记的准确度的影响,在本发明实施例中,如图3与图4所示,每个标记组200_m可以包括4个对位标记,并且同一标记组中的每3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。这样在这4个对位标记中若有一个与设计值差别较大或无法识别时,还可以采用其余3个对位标记进行对位识别。
在实际制备过程中,基板一般为矩形。在具体实施时,如图3与图4所示,同一标记组200_1中的对位标记的几何中心依次相连形成的三角形的一个直角边与基板沿第一方向延伸的一边平行,另一个直角边与基板沿第二方向延伸的一边平行,并且,第一方向与第二方向垂直。
在具体实施时,标记组可以位于基板的边角位置处。可选地,如图3所示,标记组可以为2个,即200_1与200_2,这2个标记组200_m分别位于基板呈对角线的边角位置处。当然,这2个标记组也可以分别位于基板的一个侧边的边角位置处。或者,如图4所示,标记组也可以为4个,即200_1~200_4,每一标记组200_m分别位于基板的一个边角位置处,即基板的1个边角位置处设置1个标记组。
在具体实施时,如图3与图4所示,标记图形可以包括圆形、矩形、正多边形或十字形。具体地,在标记组为2个时,其中1个标记组中的标记图形可以为圆形、矩形、正多边形和十字形中的一个图形,另1个标记组中的标记图形可以为圆形、矩形、正多边形和十字形中的一个图形。在标记组为3、4…个时,以此类推,在此不作赘述。当然,标记图形也可以选择其他形状,在此不作限定。
为了降低工艺制备难度,在具体实施时,如图3与图4所示,所有标记组200_m中的对位标记的标记图形相同。这样可以采用相同的制备工艺和参数在基板上形成对位标记,从而降低工艺制备难度。
在具体实施时,基板上的对位标记可以采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺制备得到,在此不作赘述。其中,干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀;湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述任一种基板的对位方法,如图5所示,该对位方法可以包括如下步骤:
S501、根据基板的每一标记组中的对位标记,确定每一标记组对应的预对位位置。
具体地,根据每一标记组中的对位标记的几何中心依次相连形成的标记组图形,确定每一标记组对应的标记组图形的几何中心,并将每一标记组对应的几何中心确定为每一标记组对应的预对位位置。当然,也可以将每一标记组中的对位标记的几何中心,确定为每一标记组对应的预对位位置。或者,也可以将每一标记组中的对位标记的几何中心依次相连形成的标记组图形,确定为每一标记组对应的预对位位置。其中,可以采用CCD识别每一标记组中的对位标记,由于同一标记组中的对位标记的图形相同,从而可以降低CDD的识别时间。
S502、根据确定出的预对位位置,将掩膜版放置在基板上。
具体地,在掩膜版与基板的标记组对应区域中设置有对位孔,从而根据预对位位置可以将掩膜版的对位孔直接移动到基板的预对位位置处,从而减少预对位的时间。
S503、针对每一标记组,判断该标记组对应的预先设定的精准对位位置与掩膜版的对位孔是否一一重叠。其中,若是,则执行S504。若否,则执行S505。
S504、则确定掩膜版与基板精准对位。
S505、则根据标记组中形成直角三角形的对位标记调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔一一重叠。
本发明实施例提供的对位方法,根据每一标记组中的同一标记图形确定每一标记组对应的预对位位置,从而可以降低识别难度,降低识别错误与识别时间。并根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上,以降低预对位的时间。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位重叠时,可以确定掩膜版与基板精准对位。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位不重叠时,根据标记组中形成直角三角形的对位标记反复调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔重叠,以实现精准对位。
在具体实施时,精准对位位置是预先设定的,其可以是任意预先设定的一点。具体地,为了降低对位时间,在本发明实施例中,可以使每一标记组对应的精准对位位置与对应的预对位位置设置为同一位置。从而在进行预对位时,可以直接将掩膜版的对位孔移动到基板的精准对位位置处,然后再通过判断以确定掩膜版与基板是否精准对位。
在具体实施时,在本发明实施例中,调整掩膜版的位置,具体可以包括:
根据标记组中形成直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系;
根据确定出的直角坐标系,确定标记组对应的精准对位位置的坐标值以及掩膜版的对位孔的坐标值;
根据确定出的标记组对应的坐标值与对位孔的坐标值,确定在针对该标记组时,掩膜版的移动方向与移动距离;
将掩膜版与基板分离,并根据确定出的移动方向与移动距离移动掩膜版后,将掩膜版放置在基板上。这样可以使掩膜版有方向性和目的性的移动,从而减少对位时间。
在实际制备对位标记时,由于刻蚀误差,使得对位标记的大小和设计值可能存在差别,因此,在具体实施时,每个标记组可以包括4个对位标记。在本发明实施例中,在根据标记组中形成直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系之前,还可以包括:
确定标记组中与预设阈值相差最大的一个对位标记;
根据标记组中且除与预设阈值相差最大的一个对位标记之外的3个对位标记的几何中心确定直角坐标系。其中,预设阈值可以为在制备对位标记时的工艺设计值。这样可以将标记组中与设计值相差最大的对位标记进行排除,以采用其余3个对位标记的几何中心确定直角坐标系,以提高精确度。具体地,工艺设计值可以包括对位标记的图形的大小与其几何中心中的之一或组合。当然,工艺设计值还可以包括直角三角形的斜边的中点的位置。在实际应用中,工艺设计值的具体实施方式可以根据实际应用环境来设计确定,在此不作限定。
下面以图3与图4中的标记组200_1包括的4个对位标记的几何中心依次相连形成正方形为例进行说明。但读者应知,其具体对位方法过程不局限于此。
本发明实施例提供的基板的对位方法可以包括如下步骤:
(1)根据每一标记组中的对位标记的几何中心依次相连形成的标记组图形,确定每一标记组对应的标记组图形的几何中心,并将每一标记组对应的几何中心确定为每一标记组对应的预对位位置。
具体地,下面仅以标记组200_1为例,其余标记组的实施方式可以参见标记组200_1的实施方式,在此不作赘述。如图6所示,根据标记组200_1中的对位标记210_11~210_14的几何中心依次相连形成的正方形,确定该正方形的几何中心A,并将该正方形的几何中心A确定为标记组200_1对应的预对位位置和精准对位位置。
(2)根据确定出的预对位位置A,将掩膜版放置在基板上。其中,B为掩膜版的对位孔所在位置。
(3)针对标记组200_1,判断标记组200_1对应的精准对位位置A与掩膜版的对位孔B是否一一重叠;其中,精准对位位置与预对位位置为同一位置。若否,则执行步骤(4)。若是,则执行步骤(9)。
(4)确定标记组200_1中与预设阈值相差最大的一个对位标记。
具体地,将识别标记组200_1中的对位标记210_11~210_14与其工艺设计值进行比较,计算出标记组200_1中与工艺设计值相差最大的一个对位标记,例如对位标记210_12为与其工艺设计值相差最大的对位标记。
(5)根据标记组200_1中的对位标记210_11、210_13以及210_14的几何中心确定直角坐标系。其中,对位标记210_14的几何中心为直角坐标系的原点O(0,0),对位标记210_14指向对位标记210_13的方向为x轴的方向,对位标记210_14指向对位标记210_11的方向为y轴的方向。
(6)根据确定出的直角坐标系,确定标记组200_1对应的精准对位位置A的坐标值以及掩膜版的对位孔B的坐标值。
具体地,由于对位标记210_11~210_14的几何中心依次相连形成正方形,以正方形的边长为a为例,则在直角坐标系中,对位标记210_13的几何中心的坐标值为(a,0);对位标记210_11的几何中心的坐标值为(0,a),则精准对位位置A的坐标值为(a/2,a/2)。确定的掩膜版的对位孔B的坐标值为(x0,y0)。
(7)根据确定出的标记组对应的坐标值(a/2,a/2)与对位孔B的坐标值(x0,y0),确定在针对标记组200_1时,掩膜版的移动方向与移动距离。
具体地,掩膜版的移动方向为由坐标值(x0,y0)指向坐标值(a/2,a/2)的方向;掩膜版的移动距离为坐标值(x0,y0)与坐标值(a/2,a/2)之间的距离。
(8)将掩膜版与基板分离,并根据确定出的移动方向与移动距离移动掩膜版后,将掩膜版放置在基板上。之后再执行步骤(3)~(8),直到标记组200_1对应的精准对位位置A与掩膜版的对位孔B一一重叠,从而完成精准对位过程。
(9)则确定掩膜版与基板精准对位,从而完成对位过程,降低对位时间。
本发明实施例提供的基板及其对位方法,根据每一标记组中的同一标记图形确定每一标记组对应的预对位位置,从而可以降低识别难度,降低识别错误与识别时间。并根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上,以降低预对位的时间。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位重叠时,可以确定掩膜版与基板精准对位。在基板的精准对位位置与掩膜版的对位孔对位不重叠时,根据标记组中形成直角三角形的对位标记反复调整掩膜版的位置,直到标记组对应的精准对位位置与掩膜版的对位孔重叠,以实现精准对位。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种基板,其特征在于,包括:位于所述基板的非显示区中的至少2个标记组;其中,每个所述标记组包括至少3个对位标记,同一所述标记组中的对位标记的标记图形相同,并且同一所述标记组中的3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形;
所述直角三角形的一个直角边与所述基板沿第一方向延伸的一边平行,另一个直角边与所述基板沿第二方向延伸的一边平行,其中,所述第一方向与所述第二方向垂直;
所述基板的制备方法包括:
根据所述基板的每一所述标记组中的对位标记,确定每一所述标记组对应的预对位位置;
根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上;
针对每一所述标记组,判断所述标记组对应的预先设定的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔是否一一重叠;
若是,则确定所述掩膜版与所述基板精准对位;
若否,则根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记调整所述掩膜版的位置,直到所述标记组对应的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔一一重叠。
2.如权利要求1所述的基板,其特征在于,每个所述标记组包括4个对位标记,同一所述标记组中的每3个对位标记的几何中心依次相连形成直角三角形。
3.如权利要求2所述的基板,其特征在于,所述标记组为2个,所述2个标记组分别位于所述基板呈对角线的边角位置处;或,
所述标记组为4个,每一所述标记组分别位于所述基板的一个边角位置处。
4.如权利要求1所述的基板,其特征在于,所述标记图形包括圆形、矩形、正多边形或十字形。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的基板的对位方法,其特征在于,包括:
根据所述基板的每一所述标记组中的对位标记,确定每一所述标记组对应的预对位位置;
根据确定出的所述预对位位置,将掩膜版放置在所述基板上;
针对每一所述标记组,判断所述标记组对应的预先设定的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔是否一一重叠;
若是,则确定所述掩膜版与所述基板精准对位;
若否,则根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记调整所述掩膜版的位置,直到所述标记组对应的精准对位位置与所述掩膜版的对位孔一一重叠。
6.如权利要求5所述的对位方法,其特征在于,所述调整所述掩膜版的位置,具体包括:
根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系;
根据确定出的所述直角坐标系,确定所述标记组对应的精准对位位置的坐标值以及所述掩膜版的对位孔的坐标值;
根据确定出的所述标记组对应的精准对位位置的坐标值与所述对位孔的坐标值,确定在针对所述标记组时,所述掩膜版的移动方向与移动距离;
将所述掩膜版与所述基板分离,并根据确定出的所述移动方向与所述移动距离移动所述掩膜版后,将所述掩膜版放置在所述基板上。
7.如权利要求6所述的对位方法,其特征在于,每个所述标记组包括4个对位标记;在所述根据所述标记组中形成所述直角三角形的对位标记的几何中心确定直角坐标系之前,还包括:
确定所述标记组中与预设阈值相差最大的一个对位标记;
根据所述标记组中且除与所述预设阈值相差最大的对位标记之外的3个对位标记的几何中心确定直角坐标系。
8.如权利要求5所述的对位方法,其特征在于,所述确定每一所述标记组对应的预对位位置,具体包括:
根据每一所述标记组中的对位标记的几何中心依次相连形成的标记组图形,确定每一所述标记组对应的标记组图形的几何中心,并将每一所述标记组对应的几何中心确定为每一所述标记组对应的预对位位置。
9.如权利要求5所述的对位方法,其特征在于,每一所述标记组对应的精准对位位置与对应的预对位位置为同一位置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810267221.3A CN108493147B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 一种基板及其对位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810267221.3A CN108493147B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 一种基板及其对位方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108493147A CN108493147A (zh) | 2018-09-04 |
CN108493147B true CN108493147B (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=63317134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810267221.3A Active CN108493147B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 一种基板及其对位方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108493147B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111354670B (zh) * | 2018-12-20 | 2023-05-26 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 对准方法、对准系统及计算机可读存储介质 |
CN109816729B (zh) * | 2019-04-02 | 2020-12-29 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于视觉对准的参考对准图案确定方法和装置 |
CN112662990B (zh) * | 2019-10-15 | 2023-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 金属薄膜预对准装置、金属薄膜预对准方法及张网设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105572939A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板的对位组立方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101104608B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2012-01-12 | 사천홍시현시기건유한공사 | 얼라인먼트 방법 |
JP2008124142A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 位置検出方法、位置検出装置、パターン描画装置及び被検出物 |
KR101116321B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2012-03-09 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 정렬 방법 |
CN202631948U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版 |
CN105870103B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种对位标记及其制备方法、基板、显示面板、显示装置 |
-
2018
- 2018-03-28 CN CN201810267221.3A patent/CN108493147B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105572939A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板的对位组立方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN108493147A (zh) | 2018-09-04 |
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PB01 | Publication | ||
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