CN114415476A - 标准片及其制备方法、机差校准方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及半导体技术领域，公开了一种标准片及其制备方法、机差校准方法；该标准片包括基板、第一图案层以及第二图案层；基板具有相对设置的第一面和第二面；第一图案层设于基板的第一面；第二图案层设于基板的第二面，第一图案层在基板上的正投影与第二图案层在基板上的正投影重合。在将标准片进行正面测试时，第一图案层位于测试侧，对第一图案层进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层位于测试侧，对第二图案层进行测试；因此，可以避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。

Description

标准片及其制备方法、机差校准方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种标准片及标准片的制备方法、使用该标准片的机差校准方法。

背景技术

TP(Total Pitch)是用来表征光刻形成图案位置精度的重要工程数据，TP测试设备会测量光刻形成的Mark(标记)在机台坐标系中的实际坐标，该坐标与理想坐标之间的偏差，即为该图案的位置精度。该位置精度可以表征Shot(曝光场)的缩放、移动等变化，供后续膜层或其他基板以此为参考进行相应的变更对位，保证相对位置的准确性。

但是，采用现有的标准片会增加TP测试设备的测试误差。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的会增加TP测试设备的测试误差的不足，提供一种不会增加TP测试设备的测试误差的标准片及标准片的制备方法、使用该标准片的机差校准方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种标准片，包括：

基板，具有相对设置的第一面和第二面；

第一图案层，设于所述基板的所述第一面；

第二图案层，设于所述基板的所述第二面，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一图案层以第一坐标轴为对称轴对称设置，所述第一图案层以第二坐标轴为对称轴对称设置，所述第一坐标轴与所述第二坐标轴垂直，且所述第一坐标轴与所述第一面平行，所述第二坐标轴与所述第一面平行。

在本公开的一种示例性实施例中，所述标准片还包括：

第一保护层，设于所述第一图案层远离所述基板的一侧；

第二保护层，设于所述第二图案层远离所述基板的一侧

根据本公开的另一个方面，提供了一种标准片的制备方法，包括：

提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；

在所述基板的所述第一面形成第一图案层；

在所述基板的所述第二面形成第二图案层，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二图案层的材质为不透明的光刻胶，以所述第一图案层为掩膜在所述基板的所述第二面形成第二图案层。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述基板的所述第二面形成第二图案层之前，所述制备方法还包括：在所述第一图案层远离所述基板的一侧形成第一保护层；

在所述基板的所述第二面形成第二图案层之后，所述制备方法还包括：在所述第二图案层远离所述基板的一侧形成第二保护层。

根据本公开的又一个方面，提供了一种机差校准方法，包括：

获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第一目标点的第一坐标，所述标准片为上述任意一项所述的标准片；

将所述标准片翻转，获取所述标准片的第二图案层上第二目标点的第二坐标，所述第二目标点与所述第一目标点对应；

根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值。

在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值，包括：

计算所述第一坐标与所述第二坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第一校准值。

根据本公开的再一个方面，提供了一种机差校准方法，包括：

获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第四目标点的第四坐标，所述第四目标点与所述机台上的第三目标点对应，所述标准片为上述任意一项所述的标准片；

将所述标准片翻转，获取所述第二图案层上第五目标点的第五坐标，所述第五目标点与所述机台上的第三目标点对应；

根据所述第四坐标和所述第五坐标获得第二校准值。

在本公开的一种示例性实施例中，根据所述第三坐标和所述第四坐标获得第二校准值，包括：

计算所述第四坐标与所述第五坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第二校准值。

本公开的标准片及其制备方法，基板的第一面设置有第一图案层，基板的第二面设置有第二图案层，第一图案层在基板上的正投影与第二图案层在基板上的正投影重合，即第一图案层与第二图案层完全一致；在将标准片进行正面测试时，第一图案层位于测试侧，对第一图案层进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层位于测试侧，对第二图案层进行测试；因此，相对于现有技术中的单面有图案层的标准片，翻转后可以避免光线的折射对TP测试设备校准造成的误差。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开标准片一示例实施方式的结构示意图。

图2为本公开标准片的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。

图3-图5为本公开标准片的制备方法中各个步骤的结构示意图。

图6为本公开机差校准方法一示例实施方式的流程示意框图。

图7为本公开校准方法形成图案与原校准方法形成图案以及理论设计图案对比示意图。

图8为本公开机差校准方法另一示例实施方式的流程示意框图。

图9为目前机台基准校准方法中标准板在机台上的相对位置与测试顺序示意图。

图10为实际生产中彩膜基板在机台上的位置与测试顺序示意图。

图11为同一张标准片原方法与本方法的测试结果Map(图案)对比示意图。

图12为校准前后的对合结果对比示意图。

附图标记说明：

1、基板；11、第一面；12、第二面；

21、第一图案材料层；22、第一图案层；

31、第二图案材料层；32、第二图案层；

4、第一保护层；5、第二保护层；6、光刻胶；

7、掩模板；71、遮光部；72、透光部。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

在半导体制造的光刻工艺中，一个曝光场(shot)内有若干个芯片(die)，一个曝光场对应一个掩膜板。

TP测试设备产生的误差主要有两类：1)测试误差，指TP测试设备状态不变同一Mark多次测试的数据重复性；2)机械误差，指TP测试设备机构变化(如机台平坦度、测试横梁的直角度等)产生的测试误差。针对第一类误差，一般使用多次测试，结果取均值的方法进行规避。针对第二类误差，TP测试设备生产商在设备开始使用前，会用自身的标准基准片对设备进行统一校准，标准基准片多为较厚透明石英片，其形状、尺寸不易因外界条件发生变化而改变。每张标准基准片都有生产商测试的标准坐标数据，设备安装完成后，生产商会依据标准坐标与实测结果对设备机械机构进行调整，调整至差异最小时，将标准值与实测值输入软件，生成G-Table参数。G-Table是软件对实测结果的修正参数，以点为单位。

在使用过程中，TP测试设备的机构会产生变化，从而产生第二类机械误差，因此，需要对TP测试设备进行定期的校准。但是，校准费用较高。

但是，不对TP测试设备进行定期的校准，会导致TP测试设备测试不准。一方面，在连续生产中，会依据TP测试设备的测试结果对曝光位置和形状进行调整，而TP测试设备的机械状态持续变化，长期生产后，光刻形成的图案的实际坐标与理想坐标的差异会越来越大。另一方面，光刻使用的掩膜板会依据工序间的TP变化进行缩放设计，TP测不准会直接影响掩膜板缩放比例的准确性。再一方面，曝光机作业前，TP测试设备会依据四角Mark生成坐标系(将四角Mark连线形成一四边形，四边形的重心定为原点，四边形两侧竖线取中点，两中点连线为水平中位线，矩形的话这条线一定通过重心，以这条线为X轴，从原点作X轴的垂线生成Y轴)，若四角Mark连线不能形成矩形，则整个坐标系会随之产生角度旋转，从而使光刻的图案旋转，图案位置和形状都是整边为单位调整的，图案带角度偏转，会直接造成TP位置精度低，且调整也无法优化。

目前，选取TP测试设备初始安装时，通过标准基准片测试结果最接近标准坐标的TP测试设备为基准设备，以自身生产的基准片为标准片，选取多张基准片分别进行多次测试，选取波动较小的基准片作为标准片，对其多次测试结果的每个单点求均值，作为标准数据；

其他TP测试设备均使用该标准片进行多次测试，将测试后结果与标准数据输入软件，生成新G-Table，使用新G-table再次测试，若测试结果与标准数据差异小于设定标准，则校准完成，使用该新G-Table作为量产修正参数；若测试结果与标准数据差异较大，则再次使用软件修正，直至差异达到设定标准。

定期通过上述方法对所有TP测试设备进行校准，同步导入量产。

但是，所有TP测试设备状态均会随生产时间的延长不断变化，上述校准方法参照的是动态变化的基准设备的测试数据，而TP测试设备机械状态变化不尽相同，也无法预估何时会到达设备极限，目前已出现多次校准仍不能达到管控标准的情况。上述校准方法无法反映标准片真实图案形状、位置精度等情况；而且，无法修正TP测试设备自身机械误差产生的影响；另外，上述校准方法为机台基准，即校准完成后，可达成不同机台的相同位置测试误差满足设定标准，若不同机台实际生产中测试位置或顺序不同，则该方案无法改善不同产品间的TP差异。

本公开示例实施方式提供了一种标准片，参照图1所示，该标准片可以包括基板1、第一图案层22以及第二图案层32；基板1具有相对设置的第一面11和第二面12；第一图案层22设于所述基板1的所述第一面11；第二图案层32设于所述基板1的所述第二面12，所述第一图案层22在所述基板1上的正投影与所述第二图案层32在所述基板1上的正投影重合。

本公开的标准片及其制备方法，在将标准片进行正面测试时，第一图案层22位于测试侧，对第一图案层22进行测试；在将标准片进行翻转测试时，第二图案层32位于测试侧，对第二图案层32进行测试；因此，可以避免光线的散射对TP测试设备校准造成的影响。

在本示例实施方式中，基板1具有相对设置的第一面11和第二面12；基板1的材质是透明刚性材料，包括但不限于二氧化硅(SiO₂)；基板1的材质还可以是其他的氧化硅、氮氧化硅等等。基板1的厚度可以大约为0.5mm，基板1的第一面11和第二面12的长宽可以大约为2.5m×2.2m。需要说明的是，上述尺寸只是举例说明，并不构成对本公开的限定，上述尺寸还可以是其他值。

在基板1的第一面11设置有第一图案层22，第一图案层22的材质为不透明材质，例如，第一图案层22的材质可以是金属或掺有碳的光刻胶6等等，金属可以是铝、铜等等。在基板1的第二面12设置有第二图案层32，第二图案层32的材质可以是不透光的光刻胶6。当然，在本公开的其他示例实施方式中，第一图案层22的材质和第二图案层32的材质还可以是其他材质，不同类的材质对应不同的制备方法，在后续的制备方法中进行详细说明。

第一图案层22在基板1上的正投影与第二图案层32在基板1上的正投影重合，即第一图案层22与第二图案层32完全一致。

在本公开的一些示例实施方式中，第一图案层22以第一坐标轴为对称轴对称设置，第一图案层22以第二坐标轴为对称轴对称设置；由于第一图案层22在基板1上的正投影与第二图案层32在基板1上的正投影重合，因此，第二图案层32以第一坐标轴为对称轴对称设置，第二图案层32以第二坐标轴为对称轴对称设置。第一坐标轴与第二坐标轴垂直，且第一坐标轴与第一面11平行，第二坐标轴与第一面11平行。如此设置，可以使得TP测试设备的机台同一位置，对应翻转前标准片的第一图案层22上的一点，且对应翻转后标准片的第二图案层32上的一点，而且上述第一图案层22上的一点与第二图案层32上的一点是相对的，从而消除标准片自身位置精度形成的角度旋转。

在本示例实施方式中，在第一图案层22远离基板1的一侧设置有第一保护层4，第一保护层4的材质可以是透明材料，包括但不限于氮化硅。第一保护层4能够对第一图案层22进行保护，避免在使用过程中的磨损。在第二图案层32远离基板1的一侧设置有第二保护层5，第二保护层5的材质可以是透明材料，包括但不限于氮化硅。第二保护层5能够对第二图案层32进行保护，避免在使用过程中的磨损。第一保护层4的材质和第二保护层5的材质还可以是氧化硅、氮氧化硅等等。

基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种标准片的制备方法，参照图2所示，可以包括以下步骤：

步骤S10，提供一基板1，所述基板1具有相对设置的第一面11和第二面12。

步骤S20，在所述基板1的所述第一面11形成第一图案层22.

步骤S30，在所述基板1的所述第二面12形成第二图案层32，所述第一图案层22在所述基板1上的正投影与所述第二图案层32在所述基板1上的正投影重合。

下面对该标准片的制备方法进行详细举例说明。

在本示例实施方式中，参照图3所示，提供一基板1，在基板1的第一面11通过沉积、溅射等工艺形成第一图案材料层21，并在第一图案材料层21远离基板1的一侧通过涂敷、旋涂等工艺形成光刻胶6层，在光刻胶6层远离基板1的一侧安放掩模板7，掩模板7可以包括透光部72和遮光部71；通过偏振光照射掩模板7；然后，对光刻胶6层进行显影，以去除被偏振光照射的光刻胶6层形成掩模图案；其次，以掩模图案为掩模对第一图案材料层21进行刻蚀形成第一图案层22；最后，去除掩模图案。

参照图4所示，在第一图案层22远离基板1的一侧通过沉积、溅射等工艺形成第一保护层4，第一保护层4将第一图案层22完全覆盖，对第一图案层22进行保护。

参照图5所示，在基板1的第一面11通过涂敷、旋涂等工艺形成第二图案材料层31，第二图案材料层31的材质为不透明的光刻胶6；由于基板1和第一保护层4均是透明的，而第一图案层22是不透明的，可以以第一图案层22为掩膜对第二图案材料层31进行光照，即光源设置在第一保护层4远离基板1的一侧，光线从第一保护层4射入。然后，对第二图案材料层31进行显影，以去除被偏振光照射的第二图案材料层31形成第二图案层32。采用第一图案层22为掩膜，可以减少一次掩模板7的使用，减少一次对位工艺，从而提高效率、减低成本；而且由于需要形成的第二图案层32在基板1上的正投影与第一图案层22在基板1上的正投影重合，采用掩模版进行对位无论如何都会有误差，因此，采用第一图案层22为掩膜，可以减少误差的引入、提高第二图案层32与用第一图案层22的重合精度，从而提高标准片的精度，进而提高机差校准的精。

当然，在本公开的其他示例实施方式中，第二图案材料层31的材质也可以是金属等等不透光材质，金属可以是铝、铜等等。这种情况下，对第二图案材料层31的刻蚀方法可以与对第一图案材料层21的刻蚀方法相同，具体为：在第二图案材料层31远离基板1的一侧通过涂敷、旋涂等工艺形成光刻胶6层，在光刻胶6层远离基板1的一侧安放掩模板7，掩模板7可以包括透光部72和遮光部71；通过偏振光照射掩模版；然后，对光刻胶6层进行显影，以去除被偏振光照射的光刻胶6层形成掩模图案；其次，以掩模图案为掩模对第二图案材料层31进行刻蚀形成第二图案层32；最后，去除掩模图案。

参照图1所示，在第二图案层32远离基板1的一侧通过沉积、溅射等工艺形成第二保护层5，第二保护层5将第二图案层32完全覆盖，对第二图案层32进行保护。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中标准片的制备方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种机差校准方法，参照图6所示，该机差校准方法可以包括一下步骤：

步骤S510，获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层22上第一目标点的第一坐标，所述标准片为上述任意一项所述的标准片。

步骤S520，将所述标准片翻转，获取所述标准片的第二图案层32上第二目标点的第二坐标，所述第二目标点与所述第一目标点对应。

步骤S530，根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值。

下面对该机差校准方法进行详细说明。

步骤S510，获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层22上第一目标点的第一坐标，所述标准片为上述任意一项所述的标准片。

在本示例实施方式中，在测试之前，将标准片放置在TP测试设备的机台上，并将第一图案层22作为检测面。标准片的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

然后，TP测试设备获取上述标准片的第一图案层22上第一目标点的第一坐标A1。

当然，在本公开的其他示例实施方式中，可以首先将第二图案层32作为检测面，这种情况下，TP测试设备首先获取上述标准片的第二图案层32上一目标点的坐标。

步骤S520，将所述标准片翻转，获取所述标准片的第二图案层32上第二目标点的第二坐标，所述第二目标点与所述第一目标点对应。

在本示例实施方式中，将标准片以第二坐标轴为中心转轴进行翻转，即使得第二图案层32作为检测面。TP测试设备获取上述标准片的第二图案层32上第二目标点的第二坐标A2，第二目标点与第一目标点对应，即第二目标点与第一目标点是相对设置的。

当然，在首先将第二图案层32作为检测面的情况下，在该步骤中，将第一图案层22作为检测面，TP测试设备获取上述标准片的第一图案层22上一目标点的坐标，该目标点与上述第二图案层32上的目标点相对设置。

步骤S530，根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值。

在本示例实施方式中，TP0为标准片上第一目标点和第二目标点的真实坐标(TP)，TP测试设备补正量及其他因素产生的测试偏差统称为误差，第一目标点的误差为W1，第二目标点的误差为W2，假设翻转前后各单点真实TP和误差不发生变化，则有以下：

A1＝TP0+W1；

A2＝TP0+W2；

设定第一校准值α＝0.5×(A1-A2)＝0.5×(W1-W2)，即第一坐标A1与第二坐标A2的差值的二分之一为第一校准值。

将第一坐标A1与第二坐标A2向差距减小的方向(第一目标点与第二目标点分别指向连线中点的方向)分别加上或减去第一校准值α，即将第一坐标A1和第二坐标A2中较大的一个减去第一校准值α，将第一坐标A1和第二坐标A2中较小的一个减去第一校准值α。

重复上述各个步骤，将所有目标点进行校准。

一方面，若第一坐标A1与第二坐标A2有差异，说明第一目标点和第二目标点连线非竖直或水平，图案就会有旋转，说明TP测试设备两位置误差形成的直线相对理想情况有一定角度旋转，TP测试设备状态需要校准。

另一方面，经过上述方法校准后，可消除该误差影响，即使误差不会变小，但经过上述方法校准后旋转的问题解决，即使彩膜基板按照原方案进行校准，对合后也不会因为两基板偏移方向相反使偏移量增大。

通过上述方法可以校准TP测试设备自身误差导致的测试图案旋转，参照图7所示，图中L1表示理论设计图案(Spec)，L2表示原量产校准方案生产实测数据形成的图案(Main)，L3表示本公开中上述方法校准后实测数据形成的图案(Test)，可以得到，现有校准方法(L2)与本公开的校准方法(L3)Y方向差异较小，X方向差异较大，本公开L3与原量产实测L2最大差异约为1um(图上一格为1un)；经过本公开的方法校准后，TP整体趋势较原来产生逆时针旋转。当然，图7只是举例说明，在不同的产品中会产生不同的趋势。

基于同一发明构思，本公开示例实施方式提供了一种机差校准方法，参照图8所示，该机差校准方法可以包括一下步骤：

步骤S810，获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层22上第四目标点的第四坐标，所述第四目标点与所述机台上的第三目标点对应，所述标准片为上述任意一项所述的标准片。

步骤S820，将所述标准片翻转，获取所述第二图案层32上第五目标点的第五坐标，所述第五目标点与所述机台上的第三目标点对应。

步骤S830，根据所述第四坐标和所述第五坐标获得第二校准值。

下面对该机差校准方法进行详细说明。

步骤S810，获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层22上第四目标点的第四坐标，所述第四目标点与所述机台上的第三目标点对应，所述标准片为上述任意一项所述的标准片。

在本示例实施方式中，在测试之前，将标准片放置在TP测试设备的机台上，并将第一图案层22作为检测面。标准片的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

然后，TP测试设备获取上述标准片的第一图案层22上第四目标点的第四坐标A4。第四目标点与机台上的第三目标点对应，即第三目标点是机台上的一点，第三目标点与第四目标点是相对设置的。

当然，在本公开的其他示例实施方式中，可以首先将第二图案层32作为检测面，这种情况下，TP测试设备首先获取上述标准片的第二图案层32上四目标点的坐标。

步骤S820，将所述标准片翻转，获取所述第二图案层32上第五目标点的第五坐标，所述第五目标点与所述机台上的第三目标点对应。

在本示例实施方式中，将标准片以第二坐标轴为中心转轴进行翻转，即使得第二图案层32作为检测面。TP测试设备获取上述标准片的第二图案层32上第五目标点的第五坐标A5，第五目标点也与机台上的第三目标点对应，即第五目标点也与机台上的第三目标点也是相对设置的。

当然，在首先将第二图案层32作为检测面的情况下，在该步骤中，将第一图案层22作为检测面，TP测试设备获取上述标准片的第一图案层22上一目标点的坐标，该目标点与上述第二图案层32上的目标点相对设置。

步骤S830，根据所述第四坐标和所述第五坐标获得第二校准值。

在本示例实施方式中，由于第三目标点是机台上的一点，第三目标点与第四目标点是相对设置的，第五目标点也与机台上的第三目标点也是相对设置的。因此，第四目标点的误差为W0，第二目标点的误差也为W0。则有以下：

A4＝TP4+W0；

A5＝TP5+W0；

第二校准值β＝0.5×(A4-A5)＝0.5×(TP4-TP5)，将第四坐标A4和第五坐标A5向差距减小的方向分别加上或减去β，即将第四坐标A4和第五坐标A5中较大的一个减去第一校准值β，将第四坐标A4和第五坐标A5中较小的一个减去第一校准值β。便可将原本呈一定角度的标准片校正为横平竖直的直线，即该校准方法主要目的在于消除标准片自身位置精度形成的角度旋转。

重复上述各个步骤，将所有目标点进行校准。

当然，上述两个校准方法可以在同一次校准方法中进行。

对于不同的TP测试设备机差校准方法：该方法特指生产过程与标准片测试不同的设备机差校准，对LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)而言，阵列基板与彩膜基板的TP测试设备校准。参照图9所示为目前机台基准校准方法中标准板在机台上的相对位置与测试顺序，图中箭头表示测试顺序，参照图10为实际生产中彩膜基板在机台上的位置与测试顺序，图中箭头表示测试顺序，可以看到，目前校准方法并不匹配当前的生产流程；对合精度是阵列基板与彩膜基板相对位置精度的差距，如果基准设备(多个TP测试设备的情况会选取其中一台TP测试设备作为基准设备，以其测试结果为标准，其他TP测试设备向这个测试结果校准)的测试结果相对于理想坐标呈一定角度旋转，对合后仅机差造成的偏移就会是基准测试结果的两倍以上，所以，针对这种情况的校准方法如下：(需沿长边翻转180°)

可以先选取目前阵列基板的某一TP测试设备为基准设备。

彩膜基板的校准方法：使用与阵列基板的TP测试设备相同标准片，将标准片沿长边翻转180°，即以X轴为中心轴翻转180°；测试坐标轴Y轴也翻转180°，校准目标为将相同坐标位置的精度校准至标准精度内。由于使用同一张标准片，真实TP是相同的，该方法按照实际对合状态，将对合后的两基板(阵列基板和彩膜基板)相同坐标间的位置精度控制在标准以内。参照图11所示的同一张标准片与本方法的测试结果Map(图案)对比，图中L4表示理论设计图案(Spec)，L5表示原校准方法生产实测数据形成的图案，L6表示本校准方法实测数据形成的图案，可见按本方法，测试结果会发生逆时针旋转，单点差异约1um(图中一小格为1um)。参照图12所示的校准前后的对合结果对比，图中L7表示理论设计Shot图案(Spec)，L8表示原校准方法生产实测数据形成的Shot图案，L9表示本公开校准方法实测数据形成的Shot图案，可以看到本公开的校准方法校准后的Shot图案旋转趋势有一定改善，尤其是左下和右上两个Shot。参照表一所示的原校准方法(Main)与本公开校准方法(Test)的Shot偏移最终统计结果对比表。

表一

从表中可以得到：本公开校准方法校准后生产的产品，X方向Cpk提升0.08，Cpk是工程能力的统计学表征，越接近1.33越好；Spec内百分比提升0.6％，Spec表示测试数据在规定精度范围内占比，越接近100％越好；Y方向差异较小。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种标准片，其特征在于，包括：

基板，具有相对设置的第一面和第二面；

第一图案层，设于所述基板的所述第一面；

第二图案层，设于所述基板的所述第二面，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。

2.根据权利要求1所述的标准片，其特征在于，所述第一图案层以第一坐标轴为对称轴对称设置，所述第一图案层以第二坐标轴为对称轴对称设置，所述第一坐标轴与所述第二坐标轴垂直，且所述第一坐标轴与所述第一面平行，所述第二坐标轴与所述第一面平行。

3.根据权利要求1所述的标准片，其特征在于，所述标准片还包括：

第一保护层，设于所述第一图案层远离所述基板的一侧；

第二保护层，设于所述第二图案层远离所述基板的一侧。

4.一种标准片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；

在所述基板的所述第一面形成第一图案层；

在所述基板的所述第二面形成第二图案层，所述第一图案层在所述基板上的正投影与所述第二图案层在所述基板上的正投影重合。

5.根据权利要求4所述的标准片的制备方法，其特征在于，所述第二图案层的材质为不透明的光刻胶，以所述第一图案层为掩膜在所述基板的所述第二面形成第二图案层。

6.根据权利要求4所述的标准片的制备方法，其特征在于，

在所述基板的所述第二面形成第二图案层之前，所述制备方法还包括：在所述第一图案层远离所述基板的一侧形成第一保护层；

在所述基板的所述第二面形成第二图案层之后，所述制备方法还包括：在所述第二图案层远离所述基板的一侧形成第二保护层。

7.一种机差校准方法，其特征在于，包括：

获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第一目标点的第一坐标，所述标准片为权利要求1～3任意一项所述的标准片；

将所述标准片翻转，获取所述标准片的第二图案层上第二目标点的第二坐标，所述第二目标点与所述第一目标点对应；

根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值。

8.根据权利要求7所述的机差校准方法，其特征在于，所述根据所述第一坐标和所述第二坐标获得第一校准值，包括：

计算所述第一坐标与所述第二坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第一校准值。

9.一种机差校准方法，其特征在于，包括：

获取TP测试设备的机台上的标准片的第一图案层上第四目标点的第四坐标，所述第四目标点与所述机台上的第三目标点对应，所述标准片为权利要求1～3任意一项所述的标准片；

将所述标准片翻转，获取所述第二图案层上第五目标点的第五坐标，所述第五目标点与所述机台上的第三目标点对应；

根据所述第四坐标和所述第五坐标获得第二校准值。

10.根据权利要求9所述的机差校准方法，其特征在于，根据所述第三坐标和所述第四坐标获得第二校准值，包括：

计算所述第四坐标与所述第五坐标的差值，所述差值的二分之一为所述第二校准值。

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