TW201812433A

TW201812433A - 光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置

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Publication number: TW201812433A
Application number: TW106123942A
Authority: TW
Inventors: 寺田寿美
Original assignee: Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date: 2016-07-26
Filing date: 2017-07-18
Publication date: 2018-04-01
Also published as: JP2018017833A; KR102232151B1; KR20180012214A; CN107656420A; JP6556673B2; TWI705293B

Abstract

本發明之課題在於更有效率地提高光罩之製造中之座標精度。本發明之光罩之製造方法係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使薄膜圖案化之步驟；於描繪步驟中，準備表示描繪裝置帶給光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1與表示光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於描繪裝置固有資料M1及背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1而於光罩基板描繪轉印用圖案。

Description

光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置

本發明係關於一種適合製造半導體裝置或顯示裝置之光罩，尤其關於一種於製造以液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等為代表之FPD(flat panel display，平板顯示器)等顯示裝置時可有利地使用之光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置。

於光罩之領域，期待提高基於所設計之設計而於光罩基板形成之轉印用圖案之形成精度，進而期待提高所形成之轉印用圖案之檢查精度。於專利文獻1中記載有於使用形成有轉印用圖案之光罩將圖案轉印至被轉印體上時，可提高該圖案之座標精度之光罩之製造方法等。又，於專利文獻1中尤其記載有如下方法：於光罩之製造步驟中，即便將轉印用圖案之設計資料直接用作描繪資料進行描繪，描繪時之膜面(圖案形成面)之形狀亦與曝光時不同，故而為了消除於被轉印體上無法形成與設計一致之圖案之問題，而獲得經修正之描繪資料。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-134433號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於顯示裝置之製造中，大多利用具備基於欲獲得之器件之設計之轉印用圖案的光罩。對於作為器件之、以智慧型手機或平板終端為代表之液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置，要求明顯節省功率、動作速度快且解像度較高之優美之圖像。因此，對於用於上述用途之光罩，本發明者等人令新穎之技術課題明顯化。為了清晰地表現出微細圖像，必須提高像素密度，目前，產生進一步提高像素密度之要求。因此，光罩之轉印用圖案之設計傾向於微細化、高密度化。因此，包含顯示用器件之大部分電子器件係藉由形成有微細圖案之複數個層(Layer)之積層而立體地形成。因此，該等複數個層之座標精度之提高及相互之座標之對準成為關鍵。即，若各個層之圖案座標精度並未全部滿足特定位準，則所完成之器件會發生無法產生適當之動作等不良情況。因此，各層所要求之座標偏移之容許範圍傾向於逐漸縮小。即，用於製造各層之光罩之轉印用圖案所要求之座標精度之要求之傾向在於逐漸提高。於製造光罩時，使用於透明基板之第1主面(以下，亦稱為「膜面」)形成有薄膜與抗蝕劑膜之光罩基板。又，於光罩之製造步驟中，使透明基板上之薄膜圖案化而成為具有所需形狀之轉印用圖案。於本說明書中，所謂「光罩基板」，包含下述所列舉之透明基板、空白光罩、附抗蝕劑之空白光罩、光罩中間物或光罩。 (a)用以形成光罩之透明基板。 (b)於上述透明基板上形成有薄膜(係用以藉由圖案化形成轉印用圖案之光學膜，並且係作為遮光膜或半透光膜等發揮功能之膜)之空白光罩。 (c)於上述薄膜上形成有抗蝕劑膜之附抗蝕劑之空白光罩。 (d)已經具有薄膜圖案並用於進一步進行圖案化或用於進一步積層薄膜圖案之光罩中間物。 (e)已完成之光罩。又，於本說明書中，有時將光罩基板簡稱為「基板」。於光罩之製造步驟中，例如於使用描繪裝置於作為附抗蝕劑之空白光罩之光罩基板描繪圖案時，將光罩基板載置於水平之載置台上。此時，使光罩基板之膜面朝上。並且，對構成該膜面之抗蝕劑膜照射雷射束等能量束且使照射位置變化，藉此描繪所需之圖案。但是，若直接使用所需之轉印用圖案之設計資料作為描繪資料，則有時會產生不良情況。其原因在於，如圖11(a)、(b)所示，支持光罩基板51之描繪裝置之載置台50表面並不限定於理想之平面，又，光罩基板51亦並不限定於僅具有理想之平面。載置台50之表面及光罩基板51之2個主面雖均係經精密加工而成者，但就面之平坦度之觀點而言，存在會產生略微之凹凸之情況。又，存在會產生描繪裝置之載置台50表面之凹凸、因載置台50表面及與其相接之光罩基板51之第2主面(以下，亦稱為「背面」)之間夾帶異物所導致之基板之彎曲、光罩基板51之背面之凹凸、光罩基板51之厚度之差異等之情況。於此種情形時，如圖11(b)所示，載置於載置台50上之光罩基板51之上表面(即膜面)之形狀係具有該等變形因素累積所成之凹凸而形成。並且，描繪頭52根據設計描繪資料W1對該狀態之光罩基板51進行圖案描繪。再者，於圖11中，誇張地描繪出光罩基板或載置台之變形。其他相同之圖式亦同樣。另一方面，如圖11(c)所示，於將形成有轉印用圖案之光罩基板(光罩)51搭載於曝光裝置並將轉印用圖案轉印至被轉印體上之情形時，於使光罩基板51之膜面(圖中為塗滿黑色之部分)朝下並且藉由治具53僅支持光罩基板51之外緣部之狀態下將光罩基板51固定於曝光裝置。並且，將被轉印體(未圖示)配置於光罩基板51之下側，並從光罩基板51之上側(即從光罩基板51之背面側)照射曝光之光。如此，於光罩基板51之描繪時與曝光時，光罩基板51之膜面之方向上下顛倒。又，描繪時之基板膜面之上述變形因素之大部分於曝光時消失。因此，於描繪時與曝光時，光罩基板之膜面形狀不同。因此，於與用於描繪之圖案資料對應之圖案及轉印至被轉印體上之圖案中，圖案形狀會產生差異。具體而言，所設計之圖案之座標會產生與上述膜面形狀之變化對應之偏移，該偏移成為轉印圖像之座標偏移(參照圖11(c))。因此，考慮到預先推算起因於光罩基板之膜面形狀之變化之座標偏移量並使之反映於描繪資料。即，考慮到為了抵消假定之座標偏移量而預先對描繪資料或描繪條件進行修正之方法。本發明者提出如下方法：推算光罩基板之描繪步驟中之膜面之形狀與使用具有轉印用圖案之光罩基板進行曝光時之膜面之形狀之形狀變化量，並基於所推算之形狀變化量對用於描繪之設計描繪資料進行修正(專利文獻1)。即，係使用藉由於將膜面設為上側而將光罩基板載置於描繪裝置之載置台之狀態下測定光罩基板之上側之面之高度分佈而獲得之高度分佈資料與預先獲取之光罩基板之膜面形狀資料之差量資料，對設計描繪資料進行修正之方法。將該方法示於圖12。於上述方法中，對在描繪圖案之階段中存在之、來自光罩基板之膜面中之相對於理想平面之變形因素中曝光時亦殘留之因素與曝光時消失之因素進行區分，獲得僅使消失之因素反映於設計描繪資料並進行修正所得之描繪資料。具體而言，如圖12(a)所示，測定光罩基板61之膜面形狀，獲得膜面形狀資料。又，如圖12(b)所示，使膜面為上側而將光罩基板61載置於描繪裝置之載置台60，於該狀態下測定光罩基板61之上側之面之高度分佈，獲得高度分佈資料。並且，如圖12(c)所示，基於該等2個資料之差量資料對設計描繪資料進行修正，使用藉此而獲得之修正描繪資料進行描繪。藉由採用該方法，可提高形成於光罩基板之轉印用圖案之座標精度。但是，於上述方法中，必須使膜面為上側而將光罩基板載置於描繪裝置之載置台，並於該狀態下測定光罩基板之上側之面之高度分佈。因此，存在因光罩基板而導致描繪裝置所佔用之時間(以下，亦稱為「描繪裝置之佔用時間」)增加之缺點。顯示裝置製造用之光罩通常面積較大(例如，主面之一邊為300 mm以上之四邊形)，描繪需要長時間。尤其是於多用於移動終端之生產等之光罩(主要為，主面之一邊為800 mm以上)中，描繪時間會增加。另一方面，於專利文獻1所記載之方法中，於測定光罩基板之上側之面之高度分佈之情形時，於基板之面內以特定之間隔設定複數個測定點，於每個測定點測定高度並彙集高度資料，藉此求出高度分佈資料。因此，隨著上述大面積之基板之測定而令測定所需之時間亦變長，故而描繪裝置之佔用時間會增大。描繪裝置之佔用時間對光罩之生產效率或成本之影響較大。因此，本發明者著眼於存在改善描繪裝置之佔用時間之潛在性之技術課題。因此，本發明之目的在於提供一種可解決上述課題並提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度之光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置。 [解決問題之技術手段] (第1態樣) 本發明之第1態樣係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。 (第2態樣) 本發明之第2態樣係如上述第1態樣之光罩之製造方法，其特徵在於：於將與上述描繪裝置之載置台面平行之面設為XY平面，將與該XY平面垂直之軸設為Z軸時，上述座標偏移合成量D1係將基於上述描繪裝置固有資料M1與上述背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H1轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成者。 (第3態樣) 本發明之第3態樣係如上述第1或第2態樣之光罩之製造方法，其特徵在於：於上述描繪步驟中，為了使上述座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1，基於上述座標偏移合成量D1，對上述設計描繪資料W1進行修正以抵消上述座標偏移，從而求出修正描繪資料W2，並使用上述修正描繪資料W2進行描繪。 (第4態樣) 本發明之第4態樣係如上述第1或第2態樣之光罩之製造方法，其特徵在於：於上述描繪步驟中，為了使上述座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1，基於上述座標偏移合成量D1，對描繪裝置所具有之座標系統進行修正以抵消上述座標偏移，從而求出修正座標系統，並一併使用上述修正座標系統及上述設計描繪資料W1進行描繪。 (第5態樣) 本發明之第5態樣係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。 (第6態樣) 本發明之第6態樣係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。 (第7態樣) 本發明之第7態樣係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。 (第8態樣) 本發明之第8態樣係如上述第7態樣之描繪裝置，其特徵在於：上述記憶設備將上述描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式予以保有。 (第9態樣) 本發明之第9態樣係如上述第7態樣之描繪裝置，其特徵在於：上述記憶設備將上述描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式予以保有。 (第10態樣) 本發明之第10態樣係如上述第7至9中任一態樣之描繪裝置，其特徵在於：上述描繪裝置固有資料M1包含表示上述載置台之表面形狀之載置台平坦度資料。 (第11態樣) 本發明之第11態樣係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。 (第12態樣) 本發明之第12態樣係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm，上述描繪控制系統具備：輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。 (第13態樣) 本發明之第13態樣係一種顯示裝置之製造方法，其包括：準備藉由如上述第1至第6態樣中任一項之光罩之製造方法所製造之光罩之步驟；及使用曝光裝置對上述光罩進行曝光之步驟。 (第14態樣) 本發明之第14態樣係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 (第15態樣) 本發明之第15態樣係如上述第14態樣之光罩基板之檢查方法，其特徵在於：於上述判定步驟中，使上述座標偏移合成量D4反映於上述圖案檢查資料X1或上述設計描繪資料W1而進行上述判定。 (第16態樣) 本發明之第16態樣係如上述第14態樣之光罩基板之檢查方法，其特徵在於：於將與上述檢查裝置之載置台面平行之面設為XY平面，將與該XY平面垂直之軸設為Z軸時，上述座標偏移合成量D4係將基於上述檢查裝置固有資料M2與上述背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H2轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成者。 (第17態樣) 本發明之第17態樣係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 (第18態樣) 本發明之第18態樣係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm 時，於上述判定步驟中準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 (第19態樣) 本發明之第19態樣係一種光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含：記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 (第20態樣) 本發明之第20態樣係如上述第19態樣之光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：上述判定設備使上述座標偏移合成量D4反映於上述圖案檢查資料X1或上述設計描繪資料W1而進行上述判定。 (第21態樣) 本發明之第21態樣係如上述第19態樣之光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：上述記憶設備將上述檢查裝置固有資料M2以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式予以保有。 (第22態樣) 本發明之第22態樣係如上述第19態樣之光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：上述記憶設備將上述檢查裝置固有資料M2以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式予以保有。 (第23態樣) 本發明之第23態樣係如上述第19至22中任一態樣之光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：上述檢查裝置固有資料M2包含表示上述載置台之表面形狀之載置台平坦度資料。 (第24態樣) 本發明之第24態樣係一種光罩基板之檢查裝置，其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 (第25態樣) 本發明之第25態樣係一種光罩基板之檢查裝置，其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm，上述判定設備包含輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2之輸入設備，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1及上述設計描繪資料W1進行上述判定。 [發明之效果] 根據本發明，可更有效率地提高光罩之製造中之座標精度，藉此使生產性或成本更有利。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態詳細地進行說明。本發明包含光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置。以下，對各個實施形態進行說明。＜第1實施形態＞本發明之第1實施形態係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。於本實施形態中，使用圖1所示之光罩基板1作為一例。該光罩基板1係附抗蝕劑之空白光罩，具備透明基板2、作為薄膜之遮光膜3、及抗蝕劑膜4。透明基板2具有為正面及背面之關係之2個主面2a、2b。於透明基板2之第1主面2a依序積層有遮光膜3與抗蝕劑膜4。再者，於本實施形態中，將位於透明基板2之第1主面2a側之光罩基板1之主面亦稱為光罩基板1之第1主面、表面或膜面。又，將位於透明基板2之第2主面2b側之光罩基板1之主面亦稱為光罩基板1之第2主面或背面。作為透明基板2，可使用將石英玻璃等透明材料研磨得平坦且平滑而成者。作為用於顯示裝置製造用之光罩之透明基板，較佳為使用主表面係一邊為300～1800 mm之四邊形並且厚度為5～16 mm者。光罩基板1係藉由於透明基板2之第1主面2a成膜Cr(鉻)系之遮光膜3作為薄膜，進而於該遮光膜3上形成抗蝕劑膜4而獲得。此處，使用光阻作為抗蝕劑膜4之材料。光阻可為正型，亦可為負型，此處使用正型。薄膜之素材當然並不限定於上述，只要為可用作構成光罩之膜(遮光膜、半透光膜等)之素材，則可為任何素材。為了使用上述光罩基板1製造具有轉印用圖案之光罩，必須進行如下步驟，即：對光罩基板1進行描繪之描繪步驟及使遮光膜3圖案化之步驟(以下，稱為「圖案化步驟」)。其中，於描繪步驟中，對光罩基板1之抗蝕劑膜4照射雷射束等能量束且使照射位置變化，藉此描繪轉印用圖案。於其後之圖案化步驟中，使用顯影液等使抗蝕劑膜4顯影，而於光罩基板1之遮光膜3上形成抗蝕劑圖案。進而使用抗蝕劑圖案使遮光膜3圖案化。於如上所述般利用Cr系之材料形成遮光膜3之情形時，可使用Cr用蝕刻劑使遮光膜3圖案化。圖2係本發明之實施形態之光罩之製造方法所使用的描繪裝置之概念圖。作為描繪裝置，可應用EB(Electron Beam，電子束)描繪裝置、雷射描繪裝置等，此處使用FPD用之雷射描繪裝置。該描繪裝置具備載置台10、描繪設備11、高度測定設備12、及描繪控制係15。參照圖1、圖2，載置台10對於成為描繪對象之光罩基板1以水平地載置之狀態進行支持(固定)。此時，將形成有薄膜(於本實施形態中為遮光膜3)之透明基板2之第1主面2a朝上而配置光罩基板1。描繪設備11具有一面照射雷射束一面平行於XY平面而移動之描繪頭14(參照圖4)。可藉由該描繪頭14之移動而利用雷射束對光罩基板1之整個膜面進行掃描。但是，由於藉由雷射束而進行之掃描係藉由描繪頭14與載置台10之相對移動而進行，故而可藉由載置台10之移動代替描繪頭14之移動而進行掃描，亦可將描繪頭14之移動與載置台10之移動適當組合而進行掃描。此處，將於光罩基板1載置於描繪裝置之載置台10之狀態下與載置台10之表面或透明基板2之主面2a、2b實質上平行之平面設為XY平面(XY座標平面)，將與該XY平面正交之軸設為Z軸(將高度方向較高者設為正方向)。又，於XY平面內與Z軸正交之X軸及Y軸中之任一軸係與光罩基板1之長邊或短邊平行地配置。該條件於下述光罩基板之檢查裝置中亦相同。高度測定設備12具有測定成為測定對象之表面之高度之功能。例如於成為測定對象之表面以特定間隔(例如，於X軸方向及Y軸方向上分別以10 mm間隔)並以格子狀設定複數個測定點，於每個測定點測定表面之高度。藉此，獲得表示成為測定對象之表面之形狀之高度分佈資料。高度測定設備12可於將光罩基板1載置於載置台10之狀態下將光罩基板1之表面(膜面)作為測定對象進行高度測定，且可於未將光罩基板1載置於載置台10之狀態下將載置台10之表面作為測定對象進行高度測定。描繪控制系統15之詳細功能將於下文中進行敍述。於描繪步驟中，基於欲獲得之器件之設計製作設計描繪資料W1，並藉由描繪控制系統15所具備之輸入設備15b輸入該設計描繪資料W1。但是，若使用該設計描繪資料W1進行描繪，則存在因起因於光罩基板之形狀或描繪裝置之基板之變形因素而導致基於所製作之光罩之轉印圖像之座標精度產生問題之情況。因此，考慮到使用對設計描繪資料W1實施修正所得之修正描繪資料。設計描繪資料W1之修正可藉由如下方式進行，即：定量求出起因於將光罩基板1設置於描繪裝置之載置台10進行描繪時之膜面形狀與將光罩設置於曝光裝置進行曝光時之膜面形狀之差異的座標偏移量，並使座標偏移量反映於設計描繪資料以抵消該座標偏移量。亦即，只要將上述膜面形狀之差異、即轉印用圖案內之各座標位置上之高度之差異(Z軸方向之差異)轉換成X軸方向及Y軸方向(XY平面)之座標之偏移量(以下，亦稱為「XY轉換」)，並對設計描繪資料W1中之對應之位置施加消除該偏移之方向之修正即可。且說於描繪時光罩基板之膜面形狀變形之因素(以下，亦稱為「變形因素」)存在以下4個因素。 (1)描繪裝置之載置台表面之凹凸等描繪裝置所固有之變形因素。只要使用相同之描繪裝置則具有再現性。 (2)因於描繪裝置之載置台與光罩基板之背面之間夾帶有異物而產生之光罩基板之撓曲。於將光罩基板載置於載置台上時，因夾帶異物而產生之光罩基板之背面之撓曲會以與其為相反側之膜面之變形之形式顯現。 (3)成為光罩基板之第1主面之膜面之凹凸。其係於用於平坦化之精密研磨後進而殘留於第1主面者。 (4)成為光罩基板之第2主面之背面之凹凸。另一方面，於將形成有轉印用圖案之光罩基板(光罩)設置於曝光裝置時，利用治具等保持較形成有轉印用圖案之區域更靠外側之部分。此時，光罩基板產生因自重而導致之撓曲。但是，光罩基板之自重撓曲所導致之座標偏移之影響可藉由光罩基板之素材或形狀等已知之參數推算，又，有的曝光裝置中亦存在具備對此進行補償之機構。因此，於本發明中，著眼於因曝光時之光罩基板之自重撓曲所導致之變形以外之因素所導致之座標偏移。即，本發明中所言之描繪時與曝光時之光罩基板之形狀變化量不包含曝光裝置內之光罩基板之自重撓曲所導致之變化。又，關於上述4個變形因素中之(3)之光罩基板之膜面之凹凸，由於描繪時及曝光時均同樣地存在，故而不會產生差異。因此，考慮到對因(1)、(2)、(4)之變形因素而產生之座標偏移進行修正。因此，於專利文獻1所記載之方法中，如圖12(a)所示，獲取光罩基板61之膜面形狀資料，另一方面，如圖12(b)所示，於將光罩基板61載置於描繪裝置之載置台60之狀態下測定光罩基板61之上側之面之高度分佈而獲取高度分佈資料。又，如圖12(c)所示，使用膜面形狀資料與高度分佈資料之差量資料對設計描繪資料進行修正，藉此求出修正描繪資料。並且，如圖13(a)所示，於利用描繪頭62進行圖案描繪時，應用上述修正描繪資料於光罩基板61描繪圖案。藉此，如圖13(b)所示，於將光罩基板61設置於曝光裝置之治具63進行曝光時，轉印圖像不會產生座標偏移。又，於獲取光罩基板61之膜面形狀資料之情形時，以光罩基板61之膜面相對於水平面成為垂直之方式保持，藉此將光罩基板61之自重所導致之撓曲實質上排除，於該狀態下獲取光罩基板61之膜面形狀資料、即膜面之平坦度資料。該膜面形狀資料相當於上述(3)之光罩基板之膜面之凹凸。另一方面，於獲取光罩基板61之高度分佈資料之情形時，使光罩基板61之膜面為上側而將光罩基板61載置於描繪裝置之載置台60，並於該狀態下測定光罩基板61之上側之面(膜面)之高度分佈。具體而言，於載置於描繪裝置之載置台60上之光罩基板61之膜面設定複數個測定點，並測定各個測定點之膜面之高度分佈，藉此獲取整個膜面之高度分佈資料。該高度分佈資料表示將光罩基板61設置於描繪裝置之狀態下之膜面形狀，並且意指相對於理想平面之變形因素之合計、即上述4個變形因素所導致之膜面形狀之變形量之合計。根據上述專利文獻1所記載之方法，光罩基板61之膜面形狀資料包含上述(3)之變形因素，光罩基板61之膜面之高度分佈資料包含上述(1)、(2)、(3)、(4)之變形因素。因此，膜面形狀資料與高度分佈資料之差量資料包含上述(1)、(2)、(4)之變形因素。因此，於專利文獻1所記載之方法中，使用該差量資料對設計描繪資料進行修正。藉此，可對因描繪時與曝光時之膜面形狀之差異而產生之座標偏移進行修正。然而，於將光罩基板載置於描繪裝置之載置台而測定膜面之高度分佈之方法中，每次藉由描繪設備對光罩基板進行描繪時，必須預先對該光罩基板進行高度分佈之測定而獲取高度分佈資料。根據本發明者之進一步之研究，於光罩之生產中不可輕視為了獲取該高度分佈資料而需要之描繪裝置之佔用時間。因此，本發明者對於在對描繪時與曝光時之膜面形狀之差異所導致之座標偏移進行修正時不會增大描繪裝置之佔用時間之方法進行了研究。首先，如上所述，描繪時與曝光時之膜面形狀之差異所導致之座標偏移起因於上述(1)、(2)、(4)之變形因素。其中，即便未將光罩基板載置於描繪裝置，(1)之載置台表面之凹凸及(4)之光罩基板之背面之凹凸亦可分別藉由個別之測定來把握。相對於此，(2)之異物之夾帶所導致之基板之撓曲難以於將光罩基板載置於描繪裝置之前進行測定並把握。其原因在於(2)之變形因素係極其偶發性者，並且不存在再現性。但是，關於(2)之變形因素，可藉由對描繪裝置適當地進行管理而極力降低異物夾帶之發生概率，即便於發生夾帶之情形時，亦可減小基板之撓曲量，從而降低其影響程度。因此，於本實施形態中，求出因(1)與(4)之變形因素而產生之座標偏移。 (關於載置台表面之凹凸) 首先，測定因(1)之載置台表面之凹凸等描繪裝置固有之變形因素而產生之影響。參照圖1、圖2，例如於未將光罩基板1載置於載置台10之狀態下藉由高度測定設備12測定高度分佈。於該情形時，高度測定設備12係將載置台10之表面(供載置光罩基板1之面)作為被測定面進行高度測定，獲得反映出載置台10表面之形狀(平坦度)之高度分佈資料。該資料並不依賴於載置於該描繪裝置之光罩基板，且具有再現性。上述測定可於未將光罩基板1載置於載置台10之狀態下預先進行。又，藉由該測定而獲得之載置台10表面之高度分佈資料可預先保有於描繪控制系統15之記憶設備15a。載置台10表面之高度分佈資料成為表示描繪裝置帶給光罩基板1之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1。但是，若除載置台10表面之高度分佈資料以外還具有對光罩基板1之形狀造成影響之描繪裝置固有之因素，則亦可將其添加至描繪裝置固有資料M1中。即，若除載置台10表面之形狀以外還具有造成載置於該載置台10之光罩基板1之膜面變形之描繪裝置固有之因素，則亦可預先對該因素進行測定。並且，將該測定資料作為載置有光罩基板1時之賦予膜面高度分佈(即Z軸方向之變形量之分佈)之參數預先保有於描繪控制系統15之記憶設備15a中。因此，描繪裝置固有資料M1存在由載置台10表面之高度分佈資料構成之情形及由該高度分佈資料與其他因素資料構成之情形。於本實施形態中，作為一例，假定描繪裝置固有資料M1由載置台10表面之高度分佈資料構成之情形。再者，由於描繪裝置固有資料M1要換算成XY面內之座標偏移量，故而亦可預先以XY轉換後之值之形式保有。XY轉換之方法將於下文中進行敍述。又，描繪裝置固有資料M1可預先保有於描繪裝置所具備之描繪控制系統15之記憶設備(記憶體等)15a中。又，亦考慮到載置台10之表面形狀雖然短期內幾乎不會變化，但是長期來看會逐漸少量變化。因此，例如當光罩基板1之描繪處理片數達到預先決定之特定片數時，亦可使用高度測定設備12測定載置台10表面之高度分佈，並基於該測定結果對保有於描繪控制系統15之記憶設備15a中之描繪裝置固有資料M1進行更新。載置台以外之裝置固有之變形要素亦可同樣處理。描繪裝置固有資料M1例如可設為於載置台10之面內以特定間隔(例如10 mm間隔)並以格子狀設定複數個測定點，並於每個測定點進行高度測定而獲得之高度分佈資料。該高度分佈資料可預先以載置台10表面之平坦度圖之形式保存。此時，各個測定點之位置較佳為以與獲取下述光罩基板之膜面資料或背面資料時設定之測定點之位置對應之方式選擇。例如，測定點之間隔可設為與下述間距P相等。如上所述般於載置台10表面選擇測定點之位置，藉此，光罩基板之膜面形狀或背面形狀與載置台10之表面形狀同樣地，能以藉由特定間隔之複數個測定點所得之高度分佈(平坦度分佈、平坦度圖)之形式表現。因此，於將表示各者之面形狀之資料與各者之測定位置建立對應而進行處理之情形時較為方便。描繪裝置之載置台10表面之高度分佈之測定可藉由高度測定設備12進行。具體而言，例如從載置台10表面隔開一定距離配置高度測定設備12，並於該狀態下使高度測定設備12沿X軸方向及Y軸方向適當移動。此時，形成為以對應於載置台10之表面形狀所導致之高度之變化而使高度測定設備12之高度沿Z軸方向變化之方式支持高度測定設備12之機構。藉此，可測定高度測定設備12之高度之變化作為載置台10表面之高度之變化。再者，作為測定表面之高度之方法，例如可使用自動準直器等光學性角度測定器或Laser平面度測定器，並藉由於載置台10之面內、在以特定間隔設定之各個測定點進行角度測定而進行。並且，可藉由該測定獲得基於特定之測定間距所得之各位置之平坦度，並獲得平坦度圖。又，此外，例如亦可為使用用以將與高度測定設備12相同之構件維持在固定位置之空氣流量進行測定之方法、測定間隙間之靜電電容之方法、基於使用雷射之脈衝計數、光學性之聚焦之方法等，並不限定於特定之方法。 (關於光罩基板之背面之凹凸) 另一方面，上述(4)之光罩基板之背面之凹凸可藉由進行光罩基板1之背面之形狀測定而獲得。例如，將光罩基板1以其主面成為實質上與水平面垂直之方式保持，成為光罩基板1之因自重所導致之撓曲實質上不會影響正面及背面(兩主面)之形狀之狀態，並使用平坦度測定機等測定第2主面(背面)之形狀。該測定可藉由使用光學性之測定方法之平坦度測定機進行，作為測定裝置之例，例如可列舉黑田精工股份有限公司製造之平面度測定機FTT系列或日本專利特開2007-46946號公報記載者等。此時，可於光罩基板1之第2主面上，以等間隔(將間隔距離設為間距P)設定複數個沿X軸方向及Y軸方向描繪之格子之交點(格子點)，並將各個交點設為測定點。並且，可針對各測定點測定特定之基準面與上述各測定點之Z軸方向(與基準面垂直之方向)之距離。各測定點之間隔距離、即間距P例如可設定為10 mm。藉由該測定獲得表示光罩基板1之第2主面形狀(平坦度)之背面資料S2。於將如此而獲得之光罩基板1之背面資料S2與表示其他面形狀之資料進行運算(獲得和或差)之情形時，如下所述，必須注意座標之對應關係與座標軸之方向。例如，若考慮到將描繪裝置之載置台10之表面形狀與載置於載置台10之光罩基板1之背面形狀合成而成者會對光罩基板1之膜面之形狀造成影響，則求出將上述描繪裝置固有資料M1與背面資料S2合成而成之平坦度圖較為有用。再者，此處使用之平坦度測定機並不限定於獲取表示光罩基板1之背面形狀之背面資料S2，亦可利用於獲取表示背面形狀以外之面形狀之資料。例如，於獲取上述背面資料S2時，亦可藉由在光罩基板1之膜面與上述同樣地設定測定點，並進行相同之測定，而獲取表示光罩基板1之膜面形狀之膜面資料S1。又，亦可藉由光罩基板1之膜面資料S1與背面資料S2獲取對應之位置之各測定點之光罩基板1之厚度(對應之測定點之膜面至背面之距離)，並基於該獲取結果預先求出光罩基板1之板厚分佈資料T。光罩基板1之板厚分佈亦被稱為TTV(Total Thickness Variation，總厚度變化)。關於測定點之設定，就基於光罩基板1之基板尺寸之測定時間之觀點與修正精度之觀點而言，可決定各測定點之間隔距離P。該間隔距離P例如可設為5 mm≦P≦100 mm，更佳為10 mm≦P≦50 mm。又，光罩基板1之背面或膜面之形狀測定可於形成有於成為光罩時會剝離之抗蝕劑膜4之狀態下進行，亦可於形成抗蝕劑膜4之前進行。其原因在於，與上述(1)～(4)之變形因素對座標精度造成影響之影響相比，抗蝕劑膜4所造成之影響小至可以忽略。即，原因在於由於抗蝕劑膜4之膜厚極小(通常為600～1000 nm左右)，且其膜厚變動進而較小，故而即便從抗蝕劑膜4上測定光罩基板1之第1主面之形狀，亦不會產生故障。又，光罩基板1之主面之形狀測定可於在光罩基板1之第1主面形成有薄膜(遮光膜3)之狀態下進行，亦可於形成薄膜之前之透明基板2之狀態下進行。其原因在於薄膜對光罩基板1之主面之平坦度造成之影響極小。如上所述，作為於描繪時與曝光時膜面形狀產生差異之原因，有上述(1)、(2)、(4)之因素，關於其中之(2)，若考慮到可能因描繪裝置等之製造環境之管理降低產生概率，則描繪時與曝光時之膜面形狀之差異所導致之座標偏移之主因素成為上述(1)與(4)。因此，適當地修正描繪資料時，求出上述(1)與(4)之因素所導致之座標偏移之影響之和、即座標偏移合成量D1成為課題。所謂座標偏移之合成量，係指因複數個因素而相對於理想座標產生偏移且該偏移累積之情形時之座標偏移量之和。若考慮到描繪裝置之載置台10之表面與光罩基板1之背面於大部分之情形時均並非為理想之平面，則只要將從該等之實際面形狀產生之相對於理想座標之座標偏移累積，算出作為結果之座標偏移，並控制描繪以抵消該座標偏移即可。因此，於本實施形態中，於將膜面設為上側而將光罩基板1載置於描繪裝置之載置台10，並於描繪步驟中對該光罩基板1進行描繪時，如上所述般準備描繪裝置固有資料M1與背面資料S2，並求出起因於該等資料M1、資料S2之座標偏移合成量D1。並且，為了抵消上述座標偏移而使起因於描繪裝置固有資料M1及背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1，並控制描繪設備11所進行之圖案描繪。於該情形時，描繪裝置固有資料M1及背面資料S2均較佳為於將光罩基板1載置於描繪裝置之前預先獲取。描繪裝置固有資料M1可預先保有於描繪裝置之描繪控制系統15所具有之記憶設備15a中。又，背面資料S2可於決定成為描繪對象之光罩基板1後，藉由描繪裝置之描繪控制系統15所具有之輸入設備15b進行輸入。本發明中之所謂資料之準備，除藉由輸入設備15b輸入資料以外，亦包含來自記憶設備15a之讀入。使起因於描繪裝置固有資料M1及背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1以抵消座標偏移之製程可以如下方式進行。又，該製程中之運算處理可藉由描繪裝置之描繪控制系統15所具有之資料控制設備15c進行。使用圖3對該製程之概要進行說明。首先，如圖3(a)、(b)所示，準備光罩基板1之背面資料S2與描繪裝置固有資料M1。繼而，如圖3(c)所示，使用將光罩基板1之背面資料S2鏡面反轉(左右反轉)後之資料與描繪裝置固有資料M1求出光罩基板1之膜面之高度變動資料H1。繼而，如圖3(d)所示，將預先求出之高度變動資料H1轉換(XY轉換)成XY平面(X軸方向及Y軸方向)之座標之偏移量，求出座標偏移合成量D1。繼而，如圖3(e)所示，基於座標偏移合成量D1對設計描繪資料W1進行修正，藉此求出修正描繪資料W2。上述修正描繪資料W2被應用為用於如圖4(a)所示般將光罩基板1載置於載置台10並藉由描繪頭14進行圖案描繪之描繪資料。此時，描繪於光罩基板1之圖案係以相當於座標偏移合成量D1之量而與設計描繪資料W1所表示之圖案不同。但是，如圖4(b)所示，於將光罩基板1設置於曝光裝置之治具16進行曝光時，藉由上述座標偏移合成量D1而將座標偏移抵消，故而獲得與設計描繪資料W1所表示之圖案一致之轉印圖像。以下，對使起因於描繪裝置固有資料M1及背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1之製程詳細地進行說明。圖5(a)表示對光罩基板1之背面形狀進行測定所得之背面資料S2之一例。圖5(b)表示對描繪裝置之載置台10之表面形狀進行測定所得之描繪裝置固有資料M1之一例。於圖5(a)及圖5(b)中，例如將根據各個測定資料並藉由最小平方法求出之基準平面(最小平方平面)之高度設為零，以相對較淡之濃度表示高度高於該基準平面之部分(取正值之部分)，以相對較濃之濃度表示高度低於基準平面之部分(取負值之部分)。光罩基板1之背面資料S2只要於決定成為描繪之對象之光罩基板1後，從描繪裝置之描繪控制系統15所具有之輸入設備15b輸入即可。又，描繪裝置固有資料M1只要預先儲存於描繪裝置之描繪控制系統15所具有之記憶設備15a中即可。繼而，獲得將描繪裝置固有資料M1及背面資料S2累加而成之Z軸方向之高度變動資料H1。此時，於背面資料S2之X、Y座標之方向(XY平面中之X、Y軸之方向)與描繪裝置固有資料M1之X、Y座標之方向不一致之情形時，於將該等資料累加之前，必須使兩資料之XY座標之方向一致。例如，背面資料S2只要為從光罩基板1之背面側測定所得者，則可藉由將該背面資料S2如圖6(a)所示般進行鏡面反轉(例如，繞圖中一點鏈線所示之Y軸反轉)，而使XY軸之方向相對於描繪裝置固有資料M1一致。較佳為使光罩基板1之背面資料S2中所設定之各測定點之座標位置與測定描繪裝置固有資料M1時設定於載置台10之表面之各測定點之座標位置分別一致。或者，亦可使用於兩資料中之任一者中，從實際之測定點內插或外推所得之假性測定點之高度資料。又，亦可於兩資料之測定點中選擇複數個代表點，並使該等相互一致。但是，若如上所述般對背面資料S2進行鏡面反轉，則各測定點之高度(Z軸)之正負反轉。因此，於根據描繪裝置固有資料M1與背面資料S2之合計(和)對膜面之高度變動資料H1進行運算之情形時，如下所述般從描繪裝置固有資料M1中減去背面資料S2之鏡面反轉資料，藉此求出光罩基板1之膜面之高度變動資料H1(參照圖6(b))。 (高度變動資料H1)＝(描繪裝置固有資料M1)－(背面資料S2之鏡面反轉資料) 繼而，將上述高度變動資料H1轉換成XY平面(X軸方向及Y軸方向)之座標之偏移量，獲得座標偏移合成量D1。以下，例示XY轉換之具體之方法。 (XY轉換) 首先，如圖7所示，將為未變形之理想平面之情形時之光罩基板1之膜面假設為基準面21。該基準面21成為藉由上述運算而求出之膜面之高度變動資料H1為零之面。但是，藉由實際之運算而求出之高度變動資料H1之大部分取大於零之值或小於零之值。因此，例如於高度變動資料H1為零之測定點22-1與相對於該測定點22-1於X軸方向或Y軸方向上相鄰之測定點22-2之間，於Z軸方向上產生H之高度之差異之情形時，因該高度之差異而使光罩基板1之膜面與基準面21所成之角度Φ由 sinΦ＝H/Pitch・・・・・(式1) 表示。Pitch係鄰接之2個測定點之間隔(上述間距P)。於上述(式1)中，H/Pitch亦可認為是基板表面之高度方向之梯度。再者，若Φ之值充分小，則亦可與 Φ＝H/Pitch・・・・・(式1') 近似。但是，於以下之說明中使用(式1)。於上述情形時，若將2個測定點22-1、22-2設為例如於X軸方向上相鄰者，則關於起因於該等之高度之差異之測定點22-2之X軸方向之座標偏移d，當將光罩基板1之厚度設為t時，通常可利用 d＝sinΦ×t/2＝H×(t/2Pitch)・・・・・(式2) 求出。光罩基板1之厚度t可設為光罩基板1之平均厚度。再者，亦於上述中，若Φ充分小，則亦可與 d＝Φ×t/2＝H×(t/2Pitch)・・・・・(式2') 近似。關於此種起因於2個測定點之高度之差異之座標偏移，亦可針對於Y軸方向上相鄰之2個測定點，與上述同樣地求出。藉此，針對X軸方向及Y軸方向，可將與Pitch對應之高度變動資料H1轉換成各測定點之XY平面上之座標偏移，而獲得座標偏移合成量D1。即，可定量地把握因高度變動資料H1所表示之高度分佈而產生之座標偏移。並且，可基於該座標偏移合成量D1，預先朝抵消座標偏移之方向對設計描繪資料W1進行修正，藉此獲得修正描繪資料W2。圖8係表示設計描繪資料與修正描繪資料之描繪位置之關係之概念圖，圖中之黑色之圓表示設計描繪資料W1之描繪位置，灰色之圓表示修正描繪資料W2之描繪位置。返回至圖1、圖2，描繪裝置於對載置於載置台10之光罩基板1進行描繪之情形時，係使用上述修正描繪資料W2進行描繪。具體而言，描繪裝置之描繪控制系統15應用修正描繪資料W2控制描繪設備11，於載置台10上之光罩基板1描繪轉印用圖案。藉此，可使座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1而於光罩基板1描繪轉印用圖案。根據以上所述之方法，即便不將光罩基板1載置於描繪裝置之載置台10而測定高度分佈，亦可對起因於描繪時與曝光時之基板表面(膜面)形狀之差異之圖案之座標偏移進行修正。藉此，於提高形成於被轉印體上之圖案之座標精度時，可極力縮短描繪裝置之佔用時間。因此，可提高光罩之生產效率。再者，此處，為了使座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1，基於座標偏移合成量D1對設計描繪資料W1進行修正，並使用藉此而獲得之修正描繪資料W2對光罩基板1進行描繪，但本發明並不限定於此。例如，亦可代替對設計描繪資料W1進行修正，而基於上述座標偏移合成量D1對描繪裝置所具有之座標系統進行修正而求出修正座標系統，並一併使用該修正座標系統及設計描繪資料W1進行描繪。於該情形時，描繪裝置所具有之座標系統得以修正以抵消座標偏移，故而可藉由將設計描繪資料W1應用於該修正座標系統而進行圖案描繪，從而使座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1而於光罩基板1描繪轉印用圖案。又，關於光罩基板1上之X軸及Y軸，可分別將四邊形之基板主面之長邊方向設為X軸方向，將短邊方向設為Y軸方向，亦可與此相反，將基板主面之長邊方向設為Y軸方向，將短邊方向設為X軸方向。又，光罩基板1之背面資料S2亦可根據光罩基板1之板厚分佈資料T與膜面資料S1算出而求出。又，於本發明中，不言而喻，除上述運算順序以外，不排除即便將運算之前後順序交換亦可獲得相同結果之情形。即，只要可獲得本發明之效果，則交換步驟順序之態樣亦包含於本發明中。以上，對未於描繪裝置之載置台10上進行高度測定而進行設計描繪資料W1之修正或者描繪裝置之座標系統之修正之方法進行了敍述。於該方法中，即便不使用描繪裝置亦可獲得光罩基板1之背面資料S2，故而實質上不會增加描繪裝置之佔用時間。另一方面，為了獲得光罩基板1之背面資料S2，必須對一片一片之光罩基板進行上述光罩基板1之背面之形狀測定並保存背面資料S2，該步驟需要特定之工時及特定之時間，而於實現進一步之效率化之方面可能會成為新的課題。因此，對座標偏移之影響程度而言，想到選擇光罩基板1之主面(尤其是第2主面)之凹凸充分小者，藉此不進行用以獲取背面資料S2之測定之方法。即，係代替上述實施形態中之座標偏移合成量D1，而僅使用描繪裝置固有資料M1求出座標偏移量D2，並使該座標偏移量D2反映於設計描繪資料W1而於光罩基板1描繪轉印用圖案之方法。以下，將該方法作為本發明之第2實施形態進行說明。＜第2實施形態＞本發明之第2實施形態係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。該方法可較佳地用於使用平坦性較高之光罩基板之情形、尤其是光罩基板之背面(第2主面)之平坦度優異之情形。又，上述方法較佳為應用於預先明確光罩基板之背面之平坦度處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。即，於將光罩基板之厚度設為t1，將獲取光罩基板之背面之平坦度圖時所應用之測定間距(各測定點之間隔距離)設為p1，將於X軸方向或Y軸方向上相鄰之2個測定點之Z軸方向之高度之差設為h1時，光罩基板之背面之平坦度係數k1係由下述式定義。 k1＝(t1/2)×(h1/p1) 此處，t1可設為基板之平均厚度或標準之厚度。於較多之情形時，作為表示光罩基板製品之特徵之數值之主面(膜面、背面)之平坦度資訊係作為測定間距p1及各測定點之Z軸方向之高度資料且以平坦度圖等之形式附屬於該光罩基板製品。上述h1/p1意指起因於特定之測定點和與其相鄰之測定點之間之、Z軸方向之高度之差異而假定的座標偏移量。只要h1/p1遍及光罩基板之整個基板面內為100 nm以下，則該潛在性之座標偏移實質上不會對使用該光罩基板而製造之顯示裝置之性能造成影響。因此，平坦度係數k1之值較佳為-100 nm≦k1≦100 nm，更佳為-50 nm≦k1≦50 nm。又，測定間距p1之值較佳為5 mm≦p1≦100 mm，更佳為10 mm≦p1≦50 mm。因此，於本第2實施形態中，於光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足-100 nm≦k1≦100 nm(更佳為-50 nm≦k1≦50 nm)之情形時，應用描繪裝置固有資料M1代替上述第1實施形態中所使用之高度變動資料H1，並使用源自該描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2對座標偏移進行修正。此時之修正方法基本上與上述第1實施形態相同。即，若描繪裝置固有資料M1係表示Z軸方向之高度分佈資料者，則將該描繪裝置固有資料M1轉換成XY平面之座標之偏移量而獲得座標偏移量D2。並且，使該座標偏移量D2反映於設計描繪資料W1而於光罩基板1描繪轉印用圖案。具體而言，基於座標偏移量D2對設計描繪資料W1進行修正，並使用藉此而獲得之修正描繪資料對光罩基板1進行描繪。或者，代替對設計描繪資料W1進行修正，而基於上述座標偏移量D2對描繪裝置所具有之座標系統進行修正而求出修正座標系統，並一併使用該修正座標系統及設計描繪資料W1進行描繪。根據上述方法，於光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足特定條件時，於曝光步驟中，不使用光罩基板之背面資料S2，而是使起因於描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於設計描繪資料W1而於光罩基板描繪轉印用圖案。因此，無須對一片一片之光罩基板進行背面之形狀測定，從而進一步實現效率化。再者，此處對應用描繪裝置固有資料M1代替高度變動資料H1之情形進行了說明，亦可應用光罩基板之背面資料S2代替高度變動資料H1。以下，將該方法作為本發明之第3實施形態進行說明。＜第3實施形態＞本發明之第3實施形態係一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。該方法可應用於使用載置台10之平坦度較高之描繪裝置之情形。又，上述方法較佳為應用於預先明確描繪裝置固有資料M1處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。即，載置台10之平坦度係數k2係表示載置台10表面之平坦度之係數，並且於在描繪裝置中將獲取載置光罩基板之載置台之平坦度圖時所應用之測定間距(各測定點之間隔距離)設為p2，將於X軸方向或Y軸方向上相鄰之2個測定點之Z軸方向之高度之差設為h2時，載置台10之平坦度係數k2係由下述式定義。 k2＝(t2/2)×(h2/p2) 此處，考慮到處理之光罩基板之最大厚度，可將t2設為例如16 mm。上述h2/p2意指起因於特定之測定點和與其相鄰之測定點之間之、Z軸方向之高度之差異而假定之座標偏移量。只要h2/p2遍及載置台10之整個表面為100 nm以下，則該潛在性之座標偏移實質上不會對使用該光罩基板而製造之顯示裝置之性能造成影響。因此，載置台10之平坦度係數k2之值較佳為-100 nm≦k2≦100 nm，更佳為-50 nm≦k2≦50 nm。又，p2之值較佳為5 mm≦p2≦100 mm，更佳為10 mm≦p2≦50 mm。因此，於本第3實施形態中，於描繪裝置之載置台10之平坦度係數k2滿足-100 nm≦k2≦100 nm(更佳為-50 nm≦k2≦50 nm)之情形時，應用光罩基板之背面資料S2代替上述第1實施形態中所使用之高度變動資料H1，並使用源自該背面資料S2之座標偏移量D3對座標偏移進行修正。此時之修正方法基本上與上述第1實施形態相同。即，將光罩基板之背面資料S2轉換成XY平面之座標之偏移量而獲得座標偏移量D3。並且，使該座標偏移量D3反映於設計描繪資料W1而於光罩基板1描繪轉印用圖案。具體而言，基於座標偏移量D3對設計描繪資料W1進行修正，並使用藉此而獲得之修正描繪資料對光罩基板1進行描繪。或者，代替對設計描繪資料W1進行修正，而基於上述座標偏移量D3對描繪裝置所具有之座標系統進行修正而求出修正座標系統，並一併使用該修正座標系統及設計描繪資料W1進行描繪。再者，於上述第1～第3實施形態中，於描繪步驟結束之後，藉由顯影步驟使光罩基板上之抗蝕劑膜顯影而成為抗蝕劑圖案。並且，若將該抗蝕劑圖案用於光罩並藉由蝕刻使薄膜圖案化，則會形成轉印用圖案。薄膜之蝕刻可應用乾式蝕刻及濕式蝕刻之任一者，作為FPD用光罩而言，有效的是應用濕式蝕刻。又，於製造光罩之情形時，可視需要對相同之光罩基板重複進行藉由描繪、顯影、蝕刻之步驟實現之圖案化。進而，亦可包含成膜新薄膜之步驟。又，利用上述方法而製造之光罩之用途並無特別限制。轉印用圖案係基於欲獲得之器件之設計的光罩圖案。具有該轉印用圖案之光罩亦可為具有包含透光部與遮光部之二進制之圖案的所謂二元光罩。或者，亦可為具有三階以上之色調之多階光罩。或者，亦可為具有特定之透過率並且具有使曝光之光之相位反相之相位偏移功能的相位偏移光罩。就光罩基板所具有之薄膜而言，亦可製成應用具有相位偏移效果之材料或膜厚之半色調型相位偏移光罩。又，光罩之轉印用圖案較佳為為了製造顯示裝置而經圖案化之圖案。於該情形時，可藉由曝光裝置對利用本發明之製造方法所得之光罩進行曝光，而將該光罩所具有之轉印用圖案轉印至顯示面板基板等被轉印體。又，本發明包含包括如下步驟之顯示裝置之製造方法：準備應用上述第1實施形態、第2實施形態或第3實施形態之製造方法所製造之光罩之步驟；及使用曝光裝置對該光罩進行曝光之步驟。於該情形時，於對光罩進行曝光之步驟中，將利用上述製造方法而獲得之光罩搭載於曝光裝置，而將形成於該光罩之轉印用圖案轉印至被轉印體。又，作為上述顯示裝置之製造方法中所使用之曝光裝置，可較佳地使用已知之用於LCD(liquid Crystal Display，液晶顯示器)或者用於FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)之曝光裝置。作為此種曝光裝置，例如可使用具有如下等倍光學系統之投影曝光裝置，該等倍光學系統使用包含i射線、h射線、g射線之曝光之光，且數值孔徑(NA)為0.08～0.15、同調因子(σ)為0.7～0.9左右。當然，亦可使用近接曝光裝置。又，本發明不僅可作為光罩之製造方法實現，亦可作為用於製造光罩之描繪裝置實現。以下，對描繪裝置進行說明。＜第4實施形態＞本發明之第4實施形態係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算、控制；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。如圖2所示，本實施形態之描繪裝置具備載置台10、描繪設備11、高度測定設備12、及描繪控制係15。又，描繪控制系統15具備記憶設備15a、輸入設備15b、及資料控制設備15c。記憶設備15a係記憶並保有描繪所需之各種資料之設備。記憶設備15a所保有之資料中包含描繪裝置固有資料M1。輸入設備15b係用以於決定成為描繪對象之光罩基板或應描繪於該光罩基板之轉印用圖案後輸入所需之資訊之設備。經由輸入設備15b而輸入之資訊中包含設計描繪資料W1及光罩基板之背面資料S2。資料控制設備15c係對從輸入設備15b輸入之資訊適當地進行運算處理，並控制描繪設備11進行之描繪之設備。資料控制設備15c所進行之運算中包含用於描繪之圖案資料之運算或使座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1之運算等。描繪設備11係照射雷射束等能量束而對光罩基板進行描繪之設備。此處，較佳為於描繪裝置固有資料M1中包含例如表示描繪裝置之載置台10之表面形狀之載置台平坦度資料。又，可將於載置台10上保持光罩基板之治具等於每次進行描繪步驟時出現再現性之要素，設為描繪裝置固有資料M1。於本實施形態中，描繪裝置固有資料M1保有於描繪控制系統15之記憶設備15a中。可將描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式預先保有於記憶設備15a中。又，亦可將描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對描繪裝置所具有之座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式預先保有於記憶設備15a中。原因在於該等係只要使用相同之描繪裝置便會再現之修正要素。於描繪裝置中，於決定成為描繪對象之光罩基板後，藉由描繪控制系統15之輸入設備15b輸入其背面資料S2。相對於此，資料控制設備15c求出起因於保有於記憶設備15a中之描繪裝置固有資料M1與藉由輸入設備15b而輸入之背面資料S2之座標偏移合成量D1。座標偏移合成量D1之求出方法與上述第1實施形態相同。但是，座標偏移合成量D1之求出方法並不限定於此，例如亦可分別單獨地求出起因於描繪裝置固有資料M1之座標偏移量與起因於背面資料S2之座標偏移量後，將該等座標偏移量累加而求出座標偏移合成量D1。於該情形時，可先求出起因於描繪裝置固有資料M1之座標偏移量與起因於背面資料S2之座標偏移量之任一個。又，座標偏移量之運算只要與上述第1實施形態同樣地藉由XY轉換進行即可。若以如上方式求出座標偏移合成量D1，則資料控制設備15c會使該座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1，並控制描繪設備11進行之描繪。使座標偏移合成量D1反映於設計描繪資料W1之方法與上述第1實施形態相同。即，只要基於座標偏移合成量D1對設計描繪資料W1進行修正，並使用藉此而獲得之修正描繪資料W2控制描繪設備11進行之描繪即可。或者，亦可基於座標偏移合成量D1對描繪裝置所具有之座標系統進行修正而求出修正座標系統，並一併使用該修正座標系統及設計描繪資料W1控制描繪設備11進行之描繪。＜第5實施形態＞本發明之第5實施形態係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。上述構成之描繪裝置可於成為描繪對象之光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足下述條件時採用。 -100 nm≦k1≦100 nm 於進而較佳為滿足-50 nm≦k1≦50 nm之條件時，可較佳地使用上述構成之描繪裝置。上述平坦度係數k1與上述第2實施形態同樣地係由下述式定義。 k1＝(t1/2)×(h1/p1) 如上所述，於光罩基板之背面之平坦度較高且其平坦度處於實質上不會影響座標偏移之範圍內之情形時，可利用資料控制設備15c進行使源自描繪裝置固有資料W1之座標偏移量D2反映於設計描繪資料W1之運算，並基於其結果控制描繪設備11進行之描繪，藉此對圖案之座標偏移進行修正。＜第6實施形態＞本發明之第6實施形態係一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算、控制；上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm，上述描繪控制系統具備：輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。上述構成之描繪裝置可較佳地用於預先明確描繪裝置固有資料M1處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。於描繪裝置之載置台之平坦度係數k2進而較佳為滿足-50 nm≦k2≦50 nm之條件時，可較佳地使用上述構成之描繪裝置。上述平坦度係數k2與上述第3實施形態同樣地係由下述式定義。 k2＝(t2/2)×(h2/p2) 如上所述，於描繪裝置之載置台之平坦度較高且其平坦度處於實質上不會影響座標偏移之範圍內之情形時，可利用資料控制設備15c進行使源自光罩基板之背面資料S2之座標偏移量D3反映於設計描繪資料W1之運算，並基於其結果控制描繪設備11進行之描繪，藉此對圖案之座標偏移進行修正。以上所述之光罩之製造方法及描繪裝置亦可轉用於光罩基板之檢查方法及光罩基板之檢查裝置。其原因在於，於光罩基板之檢查步驟中，與描繪步驟之情形時同樣地，將具有轉印用圖案之面作為上側而將光罩基板載置於檢查裝置之載置台，並於該狀態下測定轉印用圖案之形狀。以下，對與光罩基板之檢查方法及光罩基板之檢查裝置相關之實施形態進行說明。＜第7實施形態＞本發明之第7實施形態係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。藉由描繪步驟、顯影步驟及蝕刻步驟完成圖案化後之光罩、或其中間物要經過作為確認圖案化之精度之方法之檢查步驟。例如，為了確認形成於光罩基板之轉印用圖案之形狀、尤其是座標精度，測定XY平面內之特定圖案之位置或特定圖案間之相對位置關係(例如距離或角度等)等。該測定可藉由檢查裝置所具有之測定設備(下述)進行。本發明之光罩基板之檢查裝置可包含測量轉印用圖案之圖案形狀之長度之測長裝置。於光罩基板之檢查步驟中，如圖9(a)所示，針對成為受檢體之光罩基板1，將第1主面(膜面)作為上側而載置於檢查裝置之載置台30，並於該狀態下藉由檢查裝置之測定設備31測定轉印用圖案之形狀，獲得圖案檢查資料X1。圖案檢查資料X包含被稱為所謂之測長資料者。於此情形時，因載置台30表面之凹凸或光罩基板1之背面之凹凸等，產生與上述描繪時相同之座標偏移要素。並且，可能會因該座標偏移要素而阻礙檢查結果之精度。因此，於檢查步驟中，必須使上述座標偏移要素反映於藉由檢查裝置而獲得之圖案檢查資料X1而進行正確之檢查判定。 (判定步驟) 因此，於判定步驟中，如圖9(b)所示，準備表示光罩基板1之第2主面形狀之背面資料S2。於在上述描繪步驟中進行描繪之前已經獲得背面資料S2之情形時，可直接應用該背面資料S2。又，於先於背面資料S2獲得光罩基板1之板厚分佈資料T與膜面資料S1之情形時，與上述描繪步驟同樣地，亦可根據光罩基板1之板厚分佈資料T與膜面資料S1算出背面資料S2而求出。又，於判定步驟中，如圖9(c)所示，準備表示檢查裝置帶給光罩基板1之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2。較佳為於該檢查裝置固有資料M2中包含例如檢查裝置之載置台30之平坦度資料。於該情形時，與上述描繪裝置之情形時同樣地，可將載置台30之表面(供載置光罩基板1之面)作為被測定面進行高度測定，並將藉此而獲得之高度分佈資料用作載置台30之平坦度資料。又，檢查裝置固有資料M2較佳為預先保有於檢查裝置所具有之記憶設備(下述)中。若以如上方式準備好檢查裝置固有資料M2與背面資料S2，則求出起因於該等資料M2、S2之座標偏移合成量D4。並且，使用該座標偏移合成量D4、圖案檢查資料X1、及設計描繪資料W1判定轉印用圖案之好壞。此時，座標偏移合成量D4可利用與上述第1實施形態相同之方法求出。即，可求出基於檢查裝置固有資料M2與背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H2，並將該高度變動資料H2轉換成XY平面之座標之偏移量，藉此求出座標偏移合成量D4。又，對檢查裝置固有資料M2與背面資料S2進行合計之方法可參照已於上述第1實施形態中記述之獲得描繪裝置固有資料M1與背面資料S2之合計之方法。即，較佳為進行任一資料之鏡面反轉及Z軸之正負之調整(參照圖9(d))。於該情形時，於藉由檢查裝置固有資料M2與背面資料S2之合計(和)對膜面之高度變動資料H2進行運算之情形時，可以應用下述式。 (高度變動資料H2)＝(檢查裝置固有資料M2)－(背面資料S2之鏡面反轉資料) 再者，於光罩基板之檢查裝置中，亦與上述描繪裝置之情形時同樣地，將與載置台之主面或水平地載置於該載置台之光罩基板之主面(尤其是第2主面)平行之面設為XY面，將與其垂直之軸設為Z軸(將高度較高者設為正方向)。又，於XY平面內與Z軸正交之X軸及Y軸中之任一軸可與光罩基板之長邊或短邊平行地配置。繼而，如圖9(e)所示，將上述高度變動資料H2轉換成X軸方向及Y軸方向之座標之偏移量，獲得座標偏移合成量D4。XY轉換之方法如上所述。繼而，如圖9(f)所示，使上述座標偏移合成量D4反映於圖案檢查資料X1，獲得比較用檢查資料X2以抵消檢查裝置中之座標偏移之影響。具體而言，基於座標偏移合成量D4，預先向抵消座標偏移之方向對圖案檢查資料X1進行修正，藉此獲得比較用檢查資料X2。該比較用檢查資料X2成為將起因於檢查裝置固有資料M2之座標偏移及起因於背面資料S2之座標偏移加入藉由轉印用圖案之形狀測定而獲得之圖案檢查資料X1中而成之圖案檢查資料。因此，將該比較用檢查資料X2與設計描繪資料W1進行比較，根據相對於設計描繪資料W1之比較用檢查資料X2之偏移是否處在預先規定之容許範圍內，來判定轉印用圖案之好壞。藉此，可反映出起因於檢查裝置固有資料M2及背面資料S2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。再者，此處係使座標偏移合成量D4反映於圖案檢查資料X1而進行上述判定，除此以外，亦可使座標偏移合成量D4反映於設計描繪資料W1而進行上述判定。於該情形時，使座標偏移合成量D4反映於設計描繪資料W1後形成比較用描繪資料W3，並將該比較用描繪資料W3與圖案檢查資料X1進行比較。並且，根據相對於比較用描繪資料W3之圖案檢查資料X1之偏移是否處在預先規定之容許範圍內，來判定轉印用圖案之好壞。或者，亦可藉由座標偏移合成量D4對檢查裝置所具有之座標系統進行修正，並藉由修正後之座標系統將設計描繪資料W1與圖案檢查資料X1進行比較。又，若藉由測定而獲得之圖案檢查資料X1係表示存在於例如轉印用圖案之特定部分(例如，光罩基板之四個角等)之特定圖案之位置的資料，則使座標偏移合成量D4反映於該圖案檢查資料X1而獲得之比較用檢查資料X2成為以基於座標偏移合成量D4之座標偏移量使特定圖案之位置偏移後之資料。因此，於比較用檢查資料X2與設計描繪資料W1之比較中，確認比較用檢查資料X2所示之特定圖案之位置相對於由設計描繪資料W1規定之特定圖案之位置而言偏移何種程度，若該偏移處於容許範圍內，則將轉印用圖案判定為「良」，若偏移處於容許範圍外，則判定為「不良」即可。相對於此，於使座標偏移合成量D4反映於設計描繪資料W1之情形時，藉此而獲得之比較用描繪資料W3成為以基於座標偏移合成量D4之座標偏移量使設計描繪資料W1之圖案位置偏移後之資料。因此，於比較用描繪資料W3與圖案檢查資料X1之比較中，確認圖案檢查資料X1所示之特定圖案之位置相對於由比較用描繪資料W3規定之特定圖案之位置而言偏移何種程度，若該偏移處於容許範圍內，則將轉印用圖案判定為「良」，若偏移處於容許範圍外，則判定為「不良」即可。＜第8實施形態＞本發明之第8實施形態係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。該方法可較佳地用於使用平坦性較高之光罩基板之情形、尤其是光罩基板之背面(第2主面)之平坦度較高之情形。又，上述方法較佳為應用於預先明確光罩基板之背面之平坦度處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。光罩基板之背面之平坦度係數k1係與上述第2實施形態同樣地規定(定義)之係數，並且較佳為-100 nm≦k1≦100 nm，更佳為-50 nm≦k1≦50 nm。又，若檢查裝置固有資料M2係表示Z軸方向之高度分佈資料者，則起因於檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5可藉由將該檢查裝置固有資料M2轉換成X軸方向及Y軸方向之座標之偏移量而獲得。之後，只要使座標偏移量D5代替上述第7實施形態中之座標偏移合成量D4而反映於圖案檢查資料X1或設計描繪資料W1來判斷轉印用圖案之好壞即可。藉此，可反映出起因於檢查裝置固有資料M2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。＜第9實施形態＞本發明之第9實施形態係一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm 時，於上述判定步驟中，準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。該方法可應用於使用載置台之平坦度較高之檢查裝置之情形。又，上述方法較佳為應用於預先明確檢查裝置固有資料M2中所出現之光罩基板之變形因素充分小且檢查裝置固有資料M2處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。檢查裝置之載置台之平坦度係數k3係與上述第3實施形態中之描繪裝置之載置台之平坦度係數k2同樣地規定(定義)之係數。即，於在檢查裝置中將獲取載置光罩基板之載置台之平坦度圖時應用之測定間距(各測定點之間隔距離)設為p3，將於X軸方向或Y軸方向上相鄰之2個測定點之Z軸方向之高度之差設為h3時，檢查裝置之載置台之平坦度係數k3係由下述式定義。 k3＝(t3/2)×(h3/p3) 此處，考慮到處理之光罩基板之最大厚度，將t3設為例如16 mm。載置台之平坦度係數k3較佳為-100 nm≦k3≦100 nm，更佳為-50 nm≦k3≦50 nm。又，起因於背面資料S2之座標偏移量D6係藉由將該背面資料S2轉換成X軸方向及Y軸方向之座標之偏移量而獲得。之後，只要使座標偏移量D6代替上述第7實施形態中之座標偏移合成量D4而反映於圖案檢查資料X1或設計描繪資料W1來判斷轉印用圖案之好壞即可。藉此，可反映出起因於背面資料S2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。＜第10實施形態＞本發明之第10實施形態係一種光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含：記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。此處，檢查裝置固有資料M2較佳為包含表示檢查裝置之載置台之表面形狀之載置台平坦度資料。如圖10所示，光罩基板之檢查裝置具備載置台30、測定設備31、及判定設備32。載置台30係對於成為檢查對象之光罩基板以水平載置之狀態進行支持(固定)者。於實際將光罩基板載置於載置台30之情形時，係將膜面作為上側而將光罩基板載置於載置台30。藉此，形成於光罩基板之轉印用圖案成為於Z軸方向上與測定設備31對向之狀態。又，光罩基板之背面成為與載置台30之表面(上表面)對向之狀態。測定設備31係藉由測定載置於載置台30之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1者。於測定設備31測定轉印用圖案之形狀之情形時，測定設備31及載置台30中之至少一者與XY平面平行地移動。判定設備32係判定光罩基板所具有之轉印用圖案之好壞者。該判定設備32包含：記憶設備32a，其記憶並保有檢查時所需之各種資料；及輸入設備32b，其用以輸入檢查時所需之資訊。記憶設備32a所保有之資料中包含檢查裝置固有資料M2。又，經由輸入設備32b而輸入之資訊中包含設計描繪資料W1及光罩基板之背面資料S2。判定設備32使用記憶設備32a所保有之資料或從輸入設備32b輸入之資訊判定轉印用圖案之好壞。即，判定設備32與上述第7實施形態同樣地求出基於檢查裝置固有資料M2與背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H2，並將該高度變動資料H2轉換成XY平面之座標之偏移量，藉此求出座標偏移合成量D4。進而，判定設備32使座標偏移合成量D4反映於圖案檢查資料X1或設計描繪資料W1而進行上述判定。具體而言，判定設備32使座標偏移合成量D4反映於圖案檢查資料X1而成為比較用檢查資料X2，並將該比較用檢查資料X2與設計描繪資料W1進行比較，藉此判定轉印用圖案之好壞。或者，判定設備32使座標偏移合成量D4反映於設計描繪資料W1而成為比較用描繪資料W3，並將該比較用描繪資料W3與圖案檢查資料X1進行比較，藉此判定轉印用圖案之好壞。藉此，可反映出起因於檢查裝置固有資料M2及背面資料S2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。再者，與上述第4實施形態中之描繪裝置之情形時同樣地，可將檢查裝置固有資料M2以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式預先保有於檢查裝置之記憶設備32a中。又，亦可將檢查裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對檢查裝置所具有之座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式預先保有於記憶設備32a中。＜第11實施形態＞本發明之第11實施形態係一種光罩基板之檢查裝置，其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含：記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。上述檢查裝置可較佳地用於使用平坦性較高之光罩基板之情形、尤其是光罩基板之背面(第2主面)之平坦度較高之情形。具體而言，可於成為檢查對象之光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足下述條件時採用上述檢查裝置。 -100 nm≦k1≦100 nm 於進而較佳為滿足-50 nm≦k1≦50 nm之條件時，可較佳地使用上述構成之檢查裝置。上述平坦度係數k1與上述第2實施形態同樣地係由下述式定義。 k1＝(t1/2)×(h1/p1) 如上所述，於光罩基板之背面之平坦度較高且其平坦度處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形時，使用源自檢查裝置固有資料W2之座標偏移量D5、圖案檢查資料X1、及設計描繪資料W1判定轉印用圖案之好壞。藉此，可反映出起因於檢查裝置固有資料W2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。＜第12實施形態＞本發明之第12實施形態係一種光罩基板之檢查裝置，其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm，上述判定設備包含輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2之輸入設備，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。上述檢查裝置較佳為應用於預先明確檢查裝置固有資料M2中所出現之光罩基板之變形因素充分小且檢查裝置固有資料M2處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形。檢查裝置之載置台之平坦度係數k3係與上述第3實施形態中之描繪裝置之載置台之平坦度係數k2同樣地規定(定義)之係數，並且較佳為-100 nm≦k3≦100 nm，更佳為-50 nm≦k3≦50 nm。如上所述，於檢查裝置之載置台之平坦度較高且反映出其平坦度之檢查裝置固有資料M2處於實質上不影響座標偏移之範圍內之情形時，使用起因於背面資料S2之座標偏移量D6、圖案檢查資料X1、及設計描繪資料W1判定轉印用圖案之好壞。藉此，可反映出起因於背面資料S2之座標偏移要素而進行正確之檢查判定。

1‧‧‧光罩基板

2‧‧‧透明基板

2a‧‧‧第1主面

2b‧‧‧第2主面

3‧‧‧遮光膜

4‧‧‧抗蝕劑膜

10‧‧‧載置台

11‧‧‧描繪設備

12‧‧‧高度測定設備

14‧‧‧描繪頭

15‧‧‧描繪控制系統

15a‧‧‧記憶設備

15b‧‧‧輸入設備

15c‧‧‧資料控制設備

16‧‧‧治具

21‧‧‧基準面

22-1‧‧‧測定點

22-2‧‧‧測定點

30‧‧‧載置台

31‧‧‧測定設備

32‧‧‧判定設備

32a‧‧‧記憶設備

32b‧‧‧輸入設備

50‧‧‧描繪裝置之載置台

51‧‧‧光罩基板

52‧‧‧描繪頭

53‧‧‧治具

60‧‧‧描繪裝置之載置台

61‧‧‧光罩基板

62‧‧‧描繪頭

63‧‧‧治具

d‧‧‧座標偏移

D1‧‧‧座標偏移合成量

D2‧‧‧座標偏移量

D3‧‧‧座標偏移量

D4‧‧‧座標偏移合成量

D5‧‧‧座標偏移量

D6‧‧‧座標偏移量

H‧‧‧高度之差異

H1‧‧‧高度變動資料

H2‧‧‧高度變動資料

M1‧‧‧描繪裝置固有資料

M2‧‧‧檢查裝置固有資料

S1‧‧‧膜面資料

S2‧‧‧背面資料

t‧‧‧光罩基板1之厚度

T‧‧‧板厚分佈資料

W1‧‧‧設計描繪資料

W2‧‧‧修正描繪資料

X1‧‧‧圖案檢查資料

X2‧‧‧比較用檢查資料

Φ‧‧‧角度

圖1係表示光罩基板之一例之剖視圖。圖2係表示本發明之實施形態之描繪裝置之構成例的概略圖。圖3係對本發明之實施形態之光罩基板之製造方法進行說明的圖，(a)係表示準備光罩基板之背面資料S2之階段之圖，(b)係表示準備描繪裝置固有資料M1之階段之圖，(c)係表示求出高度變動資料H1之階段之圖，(d)係表示求出座標偏移合成量D1之階段之圖，(e)係表示求出修正描繪資料W2之階段之圖。圖4係對本發明之實施形態之光罩基板之製造方法及顯示裝置之製造方法進行說明的圖，並且(a)係表示於光罩基板描繪圖案之階段的圖，(b)係表示對光罩基板進行曝光之階段的圖。圖5(a)係表示光罩基板之背面資料S2之一例之圖，圖5(b)係表示描繪裝置固有資料M1之一例之圖。圖6(a)係表示使光罩基板之背面資料S2鏡面反轉所得之資料之一例的圖，圖6(b)係表示高度變動資料H1之一例之圖。圖7係對XY轉換之一例進行說明之圖。圖8係表示設計描繪資料與修正描繪資料之描繪位置之關係之概念圖。圖9係對本發明之實施形態之光罩之檢查方法進行說明的圖，(a)係表示獲得圖案檢查資料X1之階段之圖，(b)係表示準備光罩基板之背面資料S2之階段之圖，(c)係表示準備檢查裝置固有資料M2之階段之圖，(d)係表示求出高度變動資料H2之階段之圖，(e)係表示求出座標偏移合成量D4之階段之圖，(f)係表示獲得比較用檢查資料X2並進行判定之階段之圖。圖10係表示本發明之實施形態之光罩基板之檢查裝置之構成例的概略圖。圖11係對利用先前之製造方法所得之光罩之一例進行說明的圖，(a)係表示光罩基板之狀態之圖，(b)係表示描繪之階段之圖，(c)係表示曝光之階段之圖。圖12係對利用先前之製造方法所得之光罩之另一例進行說明的圖，(a)係表示獲得光罩基板之膜面形狀資料之階段之圖，(b)係表示獲得載置台上之基板膜面之高度分佈資料之階段的圖，(c)係表示獲得修正描繪資料之階段之圖。圖13係對利用先前之製造方法所得之光罩之另一例進行說明的圖，(a)係表示於光罩基板描繪圖案之階段之圖，(b)係表示對光罩基板進行曝光之階段之圖。

Claims

一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。
如請求項1之光罩之製造方法，其中於將與上述描繪裝置之載置台面平行之面設為XY平面，將與該XY平面垂直之軸設為Z軸時，上述座標偏移合成量D1係將基於上述描繪裝置固有資料M1與上述背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H1轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成者。
如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，為了使上述座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1，基於上述座標偏移合成量D1，對上述設計描繪資料W1進行修正以抵消上述座標偏移，從而求出修正描繪資料W2，並使用上述修正描繪資料W2進行描繪。
如請求項1或2之光罩之製造方法，其中於上述描繪步驟中，為了使上述座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1，基於上述座標偏移合成量D1，對描繪裝置所具有之座標系統進行修正以抵消上述座標偏移，從而求出修正座標系統，並一併使用上述修正座標系統及上述設計描繪資料W1進行描繪。
一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1，並使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。
一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1之轉印用圖案的光罩之製造方法，並且包括：將於上述第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板載置於描繪裝置之載置台之步驟；對上述光罩基板進行描繪之描繪步驟；及使用使上述抗蝕劑膜顯影而形成之抗蝕劑圖案使上述薄膜圖案化之步驟；於上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm 時，於上述描繪步驟中，準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1而於上述光罩基板描繪轉印用圖案。
一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1及上述背面資料S2之座標偏移合成量D1反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。
如請求項7之描繪裝置，其中上述記憶設備將上述描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式予以保有。
如請求項7之描繪裝置，其中上述記憶設備將上述描繪裝置固有資料M1以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式予以保有。
如請求項7至9中任一項之描繪裝置，其中上述描繪裝置固有資料M1包含表示上述載置台之表面形狀之載置台平坦度資料。
一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪控制系統具備：記憶設備，其保有表示上述描繪裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之描繪裝置固有資料M1；輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；及資料控制設備，其進行使起因於上述描繪裝置固有資料M1之座標偏移量D2反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。
一種描繪裝置，其特徵在於：其係用以對在透明基板之第1主面積層有薄膜及抗蝕劑膜之光罩基板描繪基於設計描繪資料W1之轉印用圖案者，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；描繪設備，其對載置於上述載置台之狀態之光罩基板照射描繪用之能量束而進行描繪；及描繪控制系統，其對用於描繪之圖案資料進行運算，並控制描繪；上述描繪裝置之載置台之平坦度係數k2滿足 -100 nm≦k2≦100 nm，上述描繪控制系統具備：輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；及資料控制設備，其進行使起因於上述背面資料S2之座標偏移量D3反映於上述設計描繪資料W1之運算，並控制上述描繪設備進行之描繪。
一種顯示裝置之製造方法，其包括：準備藉由如請求項1至6中任一項之光罩之製造方法所製造之光罩之步驟；及使用曝光裝置對上述光罩進行曝光之步驟。
一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2、及表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。
如請求項14之光罩基板之檢查方法，其中於上述判定步驟中，使上述座標偏移合成量D4反映於上述圖案檢查資料X1或上述設計描繪資料W1而進行上述判定。
如請求項14之光罩基板之檢查方法，其中於將與上述檢查裝置之載置台面平行之面設為XY平面，將與該XY平面垂直之軸設為Z軸時，上述座標偏移合成量D4係將基於上述檢查裝置固有資料M2與上述背面資料S2之合計所得之Z軸方向之高度變動資料H2轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成者。
一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述光罩基板之背面之平坦度係數k1滿足 -100 nm≦k1≦100 nm 時，於上述判定步驟中，準備表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2，並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。
一種光罩基板之檢查方法，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查方法，並且包括：將上述光罩基板載置於檢查裝置之載置台之步驟；測定上述轉印用圖案之形狀而獲得圖案檢查資料X1之檢查資料獲取步驟；及判定上述轉印用圖案之好壞之判定步驟；於上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm 時，於上述判定步驟中，準備表示上述光罩基板之第2主面形狀之背面資料S2，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。
一種光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含：記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2及上述背面資料S2之座標偏移合成量D4、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。
如請求項19之光罩基板之檢查裝置，其中上述判定設備使上述座標偏移合成量D4反映於上述圖案檢查資料X1或上述設計描繪資料W1而進行上述判定。
如請求項19之光罩基板之檢查裝置，其中上述記憶設備將上述檢查裝置固有資料M2以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量而成之座標偏移修正量之形式予以保有。
如請求項19之光罩基板之檢查裝置，其中上述記憶設備將上述檢查裝置固有資料M2以轉換成X軸方向及Y軸方向之座標偏移量後對座標系統進行修正所得之修正座標系統之形式予以保有。
如請求項19至22中任一項之光罩基板之檢查裝置，其中上述檢查裝置固有資料M2包含表示上述載置台之表面形狀之載置台平坦度資料。
一種光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述判定設備包含：記憶設備，其保有表示上述檢查裝置帶給上述光罩基板之形狀之變形量之檢查裝置固有資料M2；及輸入設備，其輸入上述設計描繪資料W1；並使用起因於上述檢查裝置固有資料M2之座標偏移量D5、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。
一種光罩基板之檢查裝置，其特徵在於：其係於透明基板之第1主面具有基於設計描繪資料W1而形成之轉印用圖案的光罩基板之檢查裝置，並且具備：載置台，其供載置上述光罩基板；測定設備，其測定載置於上述載置台之狀態之光罩基板所具有之轉印用圖案之形狀而獲取圖案檢查資料X1；及判定設備，其判定上述轉印用圖案之好壞；上述檢查裝置之載置台之平坦度係數k3滿足 -100 nm≦k3≦100 nm，上述判定設備包含輸入上述設計描繪資料W1及表示上述光罩基板之背面形狀之背面資料S2之輸入設備，並使用起因於上述背面資料S2之座標偏移量D6、上述圖案檢查資料X1、及上述設計描繪資料W1進行上述判定。