CN107656420A - 光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及装置。在光掩模的制造方法中，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据的转印用图案，所述光掩模的制造方法包括以下工序：将在第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；描画工序，对光掩模基板进行描画；以及使用将抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案对薄膜进行图案形成，在描画工序中，准备表示描画装置对光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据、和表示光掩模基板的第2主面形状的背面数据，将起因于描画装置固有数据及背面数据的坐标偏差合成量反映在设计描画数据中，在光掩模基板上描画转印用图案。

Description

光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及 装置

技术领域

本发明涉及适合于半导体装置或显示装置的制造的光掩模，特别涉及在制造以液晶显示装置或有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置等为代表的FPD(flatpanel display)等的显示装置时适合使用的光掩模的制造方法、描画装置、显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法、及光掩模基板的检查装置。

背景技术

在光掩模的领域中，期望提高根据所设计的造型而形成于光掩模基板的转印用图案的形成精度，进一步提高所形成的转印用图案的检查精度。

在专利文献1中记载了这样的光掩模的制造方法等，在使用形成有转印用图案的光掩模在被转印体上转印图案时，能够提高该图案的坐标精度。并且，在专利文献1中记载了这样的方法，特别是在光掩模的制造工序中将转印用图案的设计数据直接用于描画数据进行描画时，描画时的膜面(图案形成面)的形状与曝光时不同，因而得到校正后的描画数据，以便消除不能在被转印体上形成所设计的图案的问题。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2010－134433号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在显示装置的制造中往往是利用具有基于想要得到的器件的设计的转印用图案的光掩模。作为器件，对于以智能电话或平板终端为代表的液晶显示装置和有机EL显示装置，要求明亮节能、动作速度快、而且析像度较高的美丽图像。因此，对于被用于上述用途的光掩模，新的技术课题对于本发明者们就更加突显了。

为了清晰地表现微细的图像，需要提高像素密度，现在又产生了进一步提高像素密度的需求。因此，光掩模的转印用图案的造型存在微细化、高密度化的倾向。然而，包括显示用器件在内的众多电子器件是通过形成有微细图案的多个层(Layer)的层叠而立体地形成的。因此，这多个层中的坐标精度的提高以及彼此坐标的整合极为重要。即，如果各个层的图案坐标精度不能满足所有规定的水准，将引发在所完成的器件中不产生适当的动作等问题。因此，存在对各个层要求的坐标偏差的允许范围日益减小的倾向。即，存在对为制造各个层而使用的光掩模的转印用图案所要求的坐标精度的要求日益提高的倾向。

在光掩模的制造中使用在透明基板的第1主面(以下也称为“膜面”)形成有薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板。另外，在光掩模的制造工序中对透明基板上的薄膜进行图案形成，作为具有期望的形状的转印用图案。

在本说明书中，“光掩模基板”是指以下列举的透明基板、包括光掩模坯体、带抗蚀剂光掩模坯体、光掩模中间体或者光掩模的基板。

(a)用于形成光掩模的透明基板。

(b)在上述透明基板上形成有薄膜(用于通过图案加工来形成转印用图案的光学膜，且作为遮光膜或半透光膜等发挥作用的膜)的光掩模坯体。

(c)在上述薄膜上形成有抗蚀剂膜的带抗蚀剂光掩模坯体。

(d)已经具有薄膜图案，进一步进行图案加工用的或者进一步层叠薄膜图案用的光掩模中间体。

(e)所完成的光掩模。

另外，在本说明书中，有时将光掩模基板简称为“基板”。

在光掩模的制造工序中，例如在使用描画装置在带抗蚀剂光掩模坯体即光掩模基板上描画图案时，将光掩模基板载置在水平的载台上。此时，使光掩模基板的膜面朝上。并且，对构成该膜面的抗蚀剂膜照射激光光束等能量束，而且使照射位置变化，由此描画期望的图案。

但是，在直接使用期望的转印用图案的设计数据作为描画数据时，有时会产生问题。其理由是如图11(a)、(b)所示，支撑光掩模基板51的描画装置的载台50的表面未必是理想的平面，并且光掩模基板51也未必仅具有理想的平面。载台50的表面及光掩模基板51的两个主面虽然都是精密加工的，但是在以面的平坦度的观点观察时，存在产生微小的凹凸的情况。另外，存在产生描画装置的载台50的表面的凹凸、由于载台50的表面和与其接触的光掩模基板51的第2主面(以下也称为“背面”)之间夹入异物而导致的基板的挠曲、光掩模基板51的背面的凹凸、光掩模基板51的厚度的偏差等情况。在这种情况下，如图11(b)所示，被载置在载台50上的光掩模基板51的上表面(即膜面)的形状形成为具有以上这些变形因素累积而成的凹凸。并且，描画头52按照设计描画数据W1对该状态的光掩模基板51进行图案描画。另外，在图11中夸张地描画出光掩模基板和载台的变形。这对于其它附图也一样。

另一方面，如图11(c)所示，在将形成有转印用图案的光掩模基板(光掩模)51载置在曝光装置上，并将转印用图案转印在被转印体上的情况下，在使光掩模基板51的膜面(在图中用黑色涂黑的部分)朝下、并且利用夹具53仅支撑光掩模基板51的外缘部的状态下，将光掩模基板51固定在曝光装置上。并且，在光掩模基板51的下侧配置被转印体(未图示)，从光掩模基板51的上侧(即，从光掩模基板51的背面侧)照射曝光光束。

这样，在光掩模基板51的描画时和曝光时，光掩模基板51的膜面的朝向上下反转。并且，在描画时的基板膜面的上述变形因素中，许多因素在曝光时消失。因此，在描画时和曝光时，光掩模基板的膜面形状不同。因此，在与用于描画的图案数据对应的图案和被转印在被转印体上的图案中，图案形状产生差异。具体地讲，所设计的图案的坐标产生与上述膜面形状的变化对应的偏差，该偏差成为转印像的坐标偏差(参照图11(c))。

因此，可以考虑预先计算因光掩模基板的膜面形状的变化而引起的坐标偏差量，并反映在描画数据中。即，可以考虑校正用于将假定的坐标偏差量抵消的描画数据或者描画条件的方法。

本发明者提出了这样的方法，计算光掩模基板的描画工序中的膜面的形状、与使用具有转印用图案的光掩模基板进行曝光时的膜面的形状之间的形状变化量，根据所计算的形状变化量校正用于描画的设计描画数据(专利文献1)。即，这样的方法：在使膜面朝上将光掩模基板载置在描画装置的载台上的状态下，使用通过测定光掩模基板的上侧的面的高度分布而得到的高度分布数据、与预先取得的光掩模基板的膜面形状数据的差分数据，校正设计描画数据。图12示出了该方法。

在上述方法中，对在描画图案的阶段存在的、光掩模基板的膜面的相对于理想平面的变形因素中在曝光时也残留的部分和在曝光时消失的部分加以区分，仅将消失的部分反映在设计描画数据中，得到校正后的描画数据。

具体地讲，如图12(a)所示，测定光掩模基板61的膜面形状，得到膜面形状数据。然后，如图12(b)所示，使膜面为上侧，将光掩模基板61载置在描画装置的载台60上，在该状态下测定光掩模基板61的上侧的面的高度分布，得到高度分布数据。然后，如图12(c)所示，根据这两个数据的差分数据校正设计描画数据，使用由此得到的校正描画数据进行描画。通过采用该方法，能够提高在光掩模基板形成的转印用图案的坐标精度。

然而，在上述方法中，需要使膜面朝上将光掩模基板载置在描画装置的载台上，在该状态下测定光掩模基板的上侧的面的高度分布。因此，具有根据光掩模基板使描画装置占用的时间(以下也称为“描画装置的占用时间”)增加的缺点。

制造显示装置用的光掩模通常面积较大(例如，主面的一条边为300mm以上的四边形)，描画需要较长时间。特别是在生产便携式终端等时多采用的光掩模(主要是主面的一条边为800mm以上)中，描画时间增加。另一方面，在专利文献1所记载的方法中，在测定光掩模基板的上侧的面的高度分布的情况下，在基板的面内以规定的间隔设定多个测定点，对每个测定点分别测定高度并累计高度数据，由此求出高度分布数据。因此，随着上述的较大面积的基板的测定，测定的所要时间也延长，因而导致描画装置的占用时间增加。描画装置的占用时间对光掩模的生产效率和成本的影响较大。因此，本发明者关注于改善该影响的潜在的技术问题。

因此，本发明的目的在于，提供解决上述问题的、能够提高在被转印体上形成的图案的坐标精度的光掩模的制造方法、描画装置、显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法、以及光掩模基板的检查装置。

用于解决问题的手段

(第1方式)

本发明的第1方式提供光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，将起因于所述描画装置固有数据M1及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

(第2方式)

本发明的第2方式是根据上述第1方式所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在将与所述描画装置的载台面平行的面设为XY平面、将与该XY平面垂直的轴设为Z轴时，所述坐标偏差合成量D1是将基于所述描画装置固有数据M1和所述背面数据S2之合计而得的Z轴方向的高度变动数据H1变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而成的。

(第3方式)

本发明的第3方式是根据上述第1或第2方式所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述描画工序中，根据所述坐标偏差合成量D1校正待抵消所述坐标偏差的所述设计描画数据W1而求出校正描画数据W2，使用所述校正描画数据W2进行描画，以将所述坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中。

(第4方式)

本发明的第4方式是根据上述第1或第2方式所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述描画工序中，根据所述坐标偏差合成量D1校正待抵消所述坐标偏差的描画装置所具有的坐标系而求出校正坐标系，使用所述校正坐标系以及所述设计描画数据W1进行描画，以将所述坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中。

(第5方式)

本发明的第5方式提供光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1，将起因于所述描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

(第6方式)

本发明的第6方式提供光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，将起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D3反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

(第7方式)

本发明的第7方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1；

输入单元，其输入所述设计描画数据W1及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据M1及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

(第8方式)

本发明的第8方式是根据上述第7方式所述的描画装置，其特征在于，所述存储单元把所述描画装置固有数据M1作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。

(第9方式)

本发明的第9方式是根据上述第7方式所述的描画装置，其特征在于，所述存储单元把所述描画装置固有数据M1作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量后对坐标系进行校正而得的校正坐标系而进行保存。

(第10方式)

本发明的第10方式是根据上述第7～第9方式中任意一种方式所述的描画装置，其特征在于，所述描画装置固有数据M1包括表示所述载台的表面形状的载台平坦度数据。

(第11方式)

本发明的第11方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1；

输入单元，其输入所述设计描画数据W1；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

(第12方式)

本发明的第12方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm，

所述描画控制系统具有：

输入单元，其输入所述设计描画数据W1和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D3反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

(第13方式)

本发明的第13方式提供显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置的制造方法包括以下工序：

准备利用上述第1～第6方式中任意一种方式所述的光掩模的制造方法制造的光掩模；

使用曝光装置对所述光掩模进行曝光。

(第14方式)

本发明的第14方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，使用起因于所述检查装置固有数据M2及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D4、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

(第15方式)

本发明的第15方式是根据上述第14方式所述的光掩模基板的检查方法，其特征在于，在所述判定工序中，将所述坐标偏差合成量D4反映在所述图案检查数据X1或者所述设计描画数据W1中，进行所述判定。

(第16方式)

本发明的第16方式是根据上述第14方式所述的光掩模基板的检查方法，其特征在于，在将与所述检查装置的载台面平行的面设为XY平面、将与该XY平面垂直的轴设为Z轴时，所述坐标偏差合成量D4是如下数据：将基于所述检查装置固有数据M2和所述背面数据S2之合计而得的Z轴方向的高度变动数据H2，变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而成的数据。

(第17方式)

本发明的第17方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2，使用起因于所述检查装置固有数据M2的坐标偏差量D5、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

(第18方式)

本发明的第18方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，使用起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D6、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

(第19方式)

本发明的第19方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据W1及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据M2及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D4、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

(第20方式)

本发明的第20方式是根据上述第19方式所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，所述判定单元将所述坐标偏差合成量D4反映在所述图案检查数据X1或者所述设计描画数据W1中，进行所述判定。

(第21方式)

本发明的第21方式是根据上述第19方式所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，所述存储单元把所述检查装置固有数据M2作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。

(第22方式)

本发明的第22方式是根据上述第19方式所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，所述存储单元把所述检查装置固有数据M2作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量后对校正坐标系进行校正而得的校正坐标系而进行保存。

(第23方式)

本发明的第23方式是根据上述第19～第22方式中任意一种方式所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，所述检查装置固有数据M2包括表示所述载台的表面形状的载台平坦度数据。

(第24方式)

本发明的第24方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据W1，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据M2的坐标偏差量D5、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

(第25方式)

本发明的第25方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm，

所述判定单元包括输入单元，该输入单元输入所述设计描画数据W1、和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2，

所述判定单元使用起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D6、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

发明效果

根据本发明，通过更有效地实现光掩模的制造中的坐标精度的提高，能够使生产性和成本更加有益。

附图说明

图1是示出光掩模基板的一例的剖视图。

图2是示出本发明的实施方式的描画装置的结构例的概略图。

图3是说明本发明的实施方式的光掩模基板的制造方法的图，(a)是示出准备光掩模基板的背面数据S2的阶段的图，(b)是示出准备描画装置固有数据M1的阶段的图，(c)是示出求出高度变动数据H1的阶段的图，(d)是示出求出坐标偏差合成量D1的阶段的图，(e)是示出求出校正描画数据W2的阶段的图。

图4是说明本发明的实施方式的光掩模基板的制造方法及显示装置的制造方法的图，(a)是示出在光掩模基板上描画图案的阶段的图，(b)是示出将光掩模基板曝光的阶段的图。

图5的(a)是示出光掩模基板的背面数据S2的一例的图，(b)是示出描画装置固有数据M1的一例的图。

图6的(a)是示出将光掩模基板的背面数据S2镜面反转得到的数据的一例的图，(b)是示出高度变动数据H1的一例的图。

图7是说明XY变换的一例的图。

图8是示出设计描画数据和校正描画数据的描画位置的关系的概念图。

图9是说明本发明的实施方式的光掩模的检查方法的图，(a)是示出得到图案检查数据X1的阶段的图，(b)是示出准备光掩模基板的背面数据S2的阶段的图，(c)是示出准备检查装置固有数据M2的阶段的图，(d)是示出求出高度变动数据H2的阶段的图，(e)是示出求出坐标偏差合成量D4的阶段的图，(f)是示出得到比较用检查数据X2并进行判定的阶段的图。

图10是示出本发明的实施方式的光掩模基板的检查装置的结构例的概略图。

图11是说明基于以往的制造方法的光掩模的一例的图，(a)是示出光掩模基板的状态的图，(b)是示出描画的阶段的图，(c)是示出曝光的阶段的图。

图12是说明基于以往的制造方法的光掩模的另一例的图，(a)是示出得到光掩模基板的膜面形状数据的阶段的图，(b)是示出得到载台上的基板膜面的高度分布数据的阶段的图，(c)是示出得到校正描画数据的阶段的图。

图13是说明基于以往的制造方法的光掩模的另一例的图，(a)是示出在光掩模基板上描画图案的阶段的图，(b)是示出将光掩模基板曝光的阶段的图。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。

本发明是包括光掩模的制造方法、描画装置、显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法、及光掩模基板的检查装置的发明。下面，对各个实施方式进行说明。

<第1实施方式>

本发明的第1实施方式涉及光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，将起因于所述描画装置固有数据M1及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

在本实施方式中，作为一例使用图1所示的光掩模基板1。该光掩模基板1是带抗蚀剂光掩模坯体，具有透明基板2、作为薄膜的遮光膜3、抗蚀剂膜4。透明基板2具有呈正面和背面的关系的两个主面2a、2b。在透明基板2的第1主面2a依次层叠有遮光膜3和抗蚀剂膜4。另外，在本实施方式中，将位于透明基板2的第1主面2a侧的光掩模基板1的主面，也称为光掩模基板1的第1主面、正面或者膜面。此外，将位于透明基板2的第2主面2b侧的光掩模基板1的主面，也称为光掩模基板1的第2主面或者背面。

透明基板2能够使用将石英玻璃等透明材料研磨成平坦且平滑状态的基板。作为制造显示装置用的光掩模所使用的透明基板，优选使用主表面呈一条边为300～1800mm的四边形、厚度为5～16mm的基板。在透明基板2的第1主面2a成膜Cr(铬)系列的遮光膜3作为薄膜，再在该遮光膜3上形成抗蚀剂膜4，由此得到光掩模基板1。在此，抗蚀剂膜4的材料使用光致抗蚀剂。光致抗蚀剂既可以是正型也可以是负型，在此是使用正型。薄膜的素材当然不限于上述材料，只要是作为构成光掩模的膜(遮光膜、半透光膜等)使用的素材，则可以是任何素材。

为了使用上述的光掩模基板1制造具有转印用图案的光掩模，需要执行对光掩模基板1进行描画的描画工序、和对遮光膜3进行图案形成的工序(以下称为“图案形成工序”)。其中，在描画工序中，向光掩模基板1的抗蚀剂膜4照射激光光束等能量束，而且使照射位置变化，由此描画转印用图案。在之后的图案形成工序中，使用显影液等将抗蚀剂膜4显影，在光掩模基板1的遮光膜3上形成抗蚀剂图案。再使用抗蚀剂图案对遮光膜3进行图案形成化。在如上所述利用Cr系列的材料形成遮光膜3的情况下，能够使用Cr用蚀刻剂对遮光膜3进行图案形成。

图2是在本发明的实施方式的光掩模的制造方法中使用的描画装置的概念图。

作为描画装置能够适用EB(Electron Beam，电子束)描画装置、激光描画装置等，在此使用FPD用的激光描画装置。该描画装置具有载台10、描画单元11、高度测定单元12、描画控制系统15。

参照图1、图2，载台10用于将作为描画的对象的光掩模基板1支撑(固定)为水平载置的状态。此时，使形成有薄膜(在本实施方式中是指遮光膜3)的透明基板2的第1主面2a朝上，配置光掩模基板1。

描画单元11具有照射激光光束并且与XY平面平行地移动的描画头14(参照图4)。通过该描画头14的移动，能够用激光光束扫描光掩模基板1的膜面整体。但是，激光光束的扫描是通过描画头14和载台10的相对移动来进行的，因而也可以通过载台10的移动替代描画头14的移动来进行扫描，还可以适当组合描画头14的移动和载台10的移动来进行扫描。

在此，在将光掩模基板1载置在描画装置的载台10上的状态下，将与载台10的表面或透明基板2的主面2a、2b实质上平行的平面作为XY平面(XY坐标平面)，将与该XY平面垂直的轴作为Z轴(设高度方向较高的一方为正方向)。并且，将在XY平面内与Z轴垂直的X轴及Y轴中任意一方的轴配置成与光掩模基板1的长边或者短边平行。该条件对于后述的光掩模基板的检查装置也一样。

高度测定单元12具有测定作为测定对象的表面的高度的功能。例如，在作为测定对象的表面以规定的间隔(例如，在X轴方向及Y轴方向分别以10mm间隔)呈网格状设定多个测定点，按照各个测定点分别测定表面的高度。由此，能够得到表示作为测定对象的表面的形状的高度分布数据。在光掩模基板1被载置在载台10的状态下，高度测定单元12能够将光掩模基板1的表面(膜面)作为测定对象进行高度测定，在光掩模基板1未载置在载台10的状态下，高度测定单元12能够将载台10的表面作为测定对象进行高度测定。

关于描画控制系统15的详细功能在后面进行说明。

在描画工序中，根据想要得到的器件的设计作成设计描画数据W1，通过描画控制系统15具有的输入单元15b输入该设计描画数据W1。但是，在使用该设计描画数据W1进行描画时，由于光掩模基板的形状和起因于描画装置的基板的变形因素，存在通过所制作的光掩模而形成的转印像的坐标精度产生问题的情况。因此，可以考虑使用对设计描画数据W1实施了校正的校正描画数据。

通过定量地求出由于在描画装置的载台10设置光掩模基板1进行描画时的膜面形状、和在曝光装置设置光掩模进行曝光时的膜面形状的差异而形成的坐标偏差量，使在设计描画数据中反映出坐标偏差量以便抵消该坐标偏差量，能够进行设计描画数据W1的校正。即，只要将上述膜面形状的差异即转印用图案内的各坐标位置的高度的差异(Z轴方向的差异)变换成X轴方向及Y轴方向(XY平面)的坐标的偏差量(以下也称为“XY变换”)，在设计描画数据W1中对应的位置实施用于消除该偏差的方向的校正即可。

另外，在描画时光掩模基板的膜面形状变形的因素(以下也称为“变形因素”)包括以下4个因素。

(1)描画装置的载台表面的凹凸等描画装置固有的变形因素。只要使用相同描画装置就具有再现性的因素。

(2)由于在描画装置的载台和光掩模基板的背面之间夹入异物而引起的光掩模基板的挠曲。在将光掩模基板载置在载台上时，因异物的夹入而形成的光掩模基板的背面的挠曲表现为与其相反侧的膜面的变形。

(3)成为光掩模基板的第1主面的膜面的凹凸。在用于平坦化的精密研磨后还残留于第1主面的凹凸。

(4)成为光掩模基板的第2主面的背面的凹凸。

另一方面，在将形成有转印用图案的光掩模基板(光掩模)设置在曝光装置上时，利用夹具等保持比形成有转印用图案的区域靠外侧的部分。此时，光掩模基板产生基于自重的挠曲。但是，基于光掩模基板的自重挠曲的对坐标偏差的影响能够根据光掩模基板的素材和形状等已知的参数进行计算，并且在曝光装置中也具有对此进行补偿的功能。因此，在本发明中关注于因基于曝光时的光掩模基板的自重挠曲的变形以外的因素而引起的坐标偏差。即，在本发明所讲的描画时和曝光时的光掩模基板的形状变化量中，不包含在曝光装置内基于光掩模基板的自重挠曲的变化。

另外，对于上述4个变形因素中、(3)的光掩模基板的膜面的凹凸，无论是描画时还是曝光时都同样存在，因而不会产生差异。因此，说明校正因(1)、(2)、(4)的变形因素而产生的坐标偏差的情况。

因此，在专利文献1所记载的方法中，如图12(a)所示取得光掩模基板61的膜面形状数据，另一方面，在如图12(b)所示将光掩模基板61载置在描画装置的载台60上的状态下，测定光掩模基板61的上侧的面的高度分布，取得高度分布数据。另外，如图12(c)所示，使用膜面形状数据和高度分布数据的差分数据校正设计描画数据，由此求出校正描画数据。此外，在如图13(a)所示用描画头62进行图案描画时，适用上述校正描画数据在光掩模基板61上描画图案。由此，如图13(b)所示，在将光掩模基板61设置在曝光装置的夹具63上进行曝光时，转印像不会产生坐标偏差。

另外，在取得光掩模基板61的膜面形状数据的情况下，通过将光掩模基板61保持成使其膜面与水平面垂直，实质上排除基于光掩模基板61的自重的挠曲，在该状态下取得光掩模基板61的膜面形状数据即膜面的平坦度数据。该膜面形状数据相当于上述(3)的光掩模基板的膜面的凹凸。

另一方面，在取得光掩模基板61的高度分布数据的情况下，使光掩模基板61的膜面为上侧，将光掩模基板61载置在描画装置的载台60上，在该状态下测定光掩模基板61的上侧的面(膜面)的高度分布。具体地讲，对载置在描画装置的载台60上的光掩模基板61的膜面设定多个测定点，测定各个测定点的膜面的高度分布，由此取得膜面整体的高度分布数据。该高度分布数据是示出将光掩模基板61设置于描画装置的状态下的膜面形状的数据，意味着相对于理想平面的变形因素的合计即基于上述4个变形因素的膜面形状的变形量的合计。

根据上述专利文献1所记载的方法，光掩模基板61的膜面形状数据包括上述(3)的变形因素，光掩模基板61的膜面的高度分布数据包括上述(1)、(2)、(3)、(4)的变形因素。因此，膜面形状数据和高度分布数据的差分数据包括上述(1)、(2)、(4)的变形因素。因此，在专利文献1所记载的方法中，使用该差分数据校正设计描画数据。由此，能够校正由于描画时和曝光时的膜面形状的差异而产生的坐标偏差。

但是，在将光掩模基板载置在描画装置的载台上测定膜面的高度分布的方法中，每当利用描画单元对光掩模基板进行描画时，需要对该光掩模基板预先进行高度分布的测定来取得高度分布数据。根据本发明者的进一步的研究，在生产光掩模时不能忽视为取得该高度分布数据所需要的描画装置的占用时间。因此，本发明者研究了这样的方法，在校正因描画时和曝光时的膜面形状的差异而形成的坐标偏差时，使不增加描画装置的占用时间。

首先，如上所述因描画时和曝光时的膜面形状的差异而形成的坐标偏差起因于上述(1)、(2)、(4)的变形因素。其中，关于(1)的载台表面的凹凸及(4)的光掩模基板的背面的凹凸，即使不将光掩模基板载置在描画装置上，也能够分别通过单独的测定进行掌握。与此相对，(2)的因异物夹入而形成的基板的挠曲难以在将光掩模基板载置于描画装置前进行测定并掌握。其理由是(2)的变形因素是极其偶发性的因素，没有再现性。但是，关于(2)的变形因素，通过适当管理描画装置，能够极力降低异物夹入的发生概率，假设发生了夹入的情况下也能够减小基板的挠曲量，降低其影响程度。因此，在本实施方式中，求出由于(1)和(4)的变形因素而产生的坐标偏差。

(关于载台表面的凹凸)

首先，测定基于(1)的载台表面的凹凸等描画装置固有的变形因素的影响。参照图1、图2，例如在不将光掩模基板1载置在载台10上的状态下，通过高度测定单元12测定高度分布。在这种情况下，高度测定单元12将载台10的表面(用于载置光掩模基板1的面)作为被测定面进行高度测定，得到反映了载台10表面的形状(平坦度)的高度分布数据。该数据不依赖于载置在该描画装置上的光掩模基板，具有再现性。

上述测定能够在不将光掩模基板1载置在载台10上的状态下预先进行。并且，通过该测定而得到的载台10表面的高度分布数据能够保存在描画控制系统15的存储单元15a中。载台10表面的高度分布数据成为表示描画装置对光掩模基板1的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1。

然而，除载台10表面的高度分布数据以外，如果存在对光掩模基板1的形状产生影响的描画装置固有的因素，则也可以将该因素追加在描画装置固有数据M1中。即，除载台10表面的形状以外，如果存在对载置在该载台上的光掩模基板1的膜面产生变形的描画装置固有的因素，则预先测定该因素。并且，将该测定数据作为载置了光掩模基板1时的影响到膜面高度分布(即Z轴方向的变形量的分布)的参数，保存在描画控制系统15的存储单元15a中。因此，存在描画装置固有数据M1由载台10表面的高度分布数据构成的情况、由该高度分布数据和其它的因素数据构成的情况。在本实施方式中，作为一例，假定描画装置固有数据M1由载台10表面的高度分布数据构成的情况。

另外，描画装置固有数据M1也可以保存为进行XY变换后的值，以换算为在XY面内的坐标偏差量。关于XY变换的方法在后面进行说明。另外，描画装置固有数据M1能够保存在设于描画装置的描画控制系统15的存储单元(存储器等)15a中。并且，载台10的表面形状虽然在短期内几乎不变，但是也要考虑到长期观察时一点儿一点儿地变化的情况。因此，例如可以在光掩模基板1的描画处理片数达到预先设定的规定的片数时，使用高度测定单元12测定载台10表面的高度分布，根据该测定结果更新在描画控制系统15的存储单元15a中保存的描画装置固有数据M1。对于除载台以外的装置固有的变形因素同样能够进行更新。

描画装置固有数据M1例如能够作为在载台10的面内以规定的间隔(例如10mm间隔)呈网格状设定多个测定点，对各个测定点分别进行高度测定得到的高度分布数据。该高度分布数据能够作为载台10表面的平坦度地图进行保存。此时，优选与在取得后述的光掩模基板的膜面数据和背面数据时设定的测定点的位置对应地选择各个测定点的位置。例如，测定点的间隔能够设为与后述的间距P相同。通过这样在载台10表面选择测定点的位置，光掩模基板的膜面形状和背面形状能够与载台10的表面形状一样地表现为基于规定间隔的多个测定点的高度分布(平坦度分布、平坦度地图)。因此，在将表示面形状的各个数据与各个测定位置相对应地处理时比较方便。

描画装置的载台10表面的高度分布的测定能够通过高度测定单元12进行。具体地讲，例如相对于载台10表面隔开规定的距离配置高度测定单元12，在该状态下使高度测定单元12沿X轴方向及Y轴方向适当移动。此时，以使高度测定单元12的高度对应因载台10的表面形状而形成的高度的变化沿Z轴方向变化的方式，形成支撑高度测定单元12的机构。由此，能够测定高度测定单元12的高度的变化作为载台10表面的高度的变化。

另外，作为测定表面的高度的方法，例如能够使用自动准直器等光学角度测定器或激光平面度测定器，通过在载台10的面内以规定的间隔设定的各个测定点的角度测定来进行。并且，通过该测定，能够得到基于规定的测定间距的各位置的平坦度，并得到平坦度地图。并且，也可以是除此以外的如下方法：例如使用将与高度测定单元12一样的部件维持在固定位置用的空气流量进行测定的方法、测定间隙间的静电容量的方法、使用了激光器的脉冲计数、基于光学聚焦的方法等，不限于特定的方法。

(关于光掩模基板的背面的凹凸)

另一方面，通过进行光掩模基板1的背面的形状测定，能够得到上述(4)的光掩模基板的背面的凹凸。例如，将光掩模基板1保持成使其主面实质上与水平面垂直，使成为基于光掩模基板1的自重的挠曲实质上不影响正面及背面(两个主面)的形状的状态，使用平坦度测定设备等测定第2主面(背面)的形状。该测定能够通过使用光学测定方法的平坦度测定设备来进行，作为测定装置的例子，例如能够举出黑田精工株式会社制造的平面度测定设备FTT系列和日本特开2007-46946号公报记载的设备等。此时，在光掩模基板1的第2主面上以相等间隔(设隔开距离为间距P)设定沿X轴方向及Y轴方向描画的网格的多个交点(网格点)，将各个交点作为测定点。并且，能够对各个测定点测定规定的基准面与上述各个测定点的Z轴方向(与基准面垂直的方向)的距离。各个测定点的隔开距离即间距P例如能够设定为10mm。通过该测定，能够得到表示光掩模基板1的第2主面形状(平坦度)的背面数据S2。

在将这样得到的光掩模基板1的背面数据S2与表示其它的面形状的数据进行运算(得到和或差)的情况下，如后面所述，需要注意坐标的对应关系和坐标轴的朝向。例如，考虑将描画装置的载台10的表面形状和载置在载台10上的光掩模基板1的背面形状合成后的形状对光掩模基板1的膜面的形状产生影响的情况，求出将上述的描画装置固有数据M1和背面数据S2进行合成的平坦度地图比较有用。

另外，此处使用的平坦度测定设备不限于取得表示光掩模基板1的背面形状的背面数据S2，也能够用于取得表示背面形状以外的面形状的数据。例如，在取得上述背面数据S2时，对于光掩模基板1的膜面，与上述情况一样地设定测定点并进行同样的测定，由此也能够取得表示光掩模基板1的膜面形状的膜面数据S1。并且，能够根据光掩模基板1的膜面数据S1和背面数据S2，取得对应位置的各测定点处的光掩模基板1的厚度(从对应的测定点处的膜面到背面的距离)，根据该取得结果求出光掩模基板1的板厚分布数据T。光掩模基板1的板厚分布也被称为TTV(Total Thickness Variation，总体厚度变化)。关于测定点的设定，能够根据基于光掩模基板1的基板尺寸的测定时间的观点和校正精度的观点，决定各测定点的隔开距离P。该隔开距离P能够设为例如5mm≤P≤100mm，更优选设为10mm≤P≤50mm。

另外，光掩模基板1的背面或者膜面的形状测定既可以在形成有当成为光掩模时被剥离掉的抗蚀剂膜4的状态下进行，也可以在形成抗蚀剂膜4之前进行。这是因为与上述(1)～(4)的变形因素对坐标精度产生影响的影响相比，抗蚀剂膜4产生的影响小至能够忽视的程度。即，抗蚀剂膜4的膜厚极小(通常约为600～1000nm)，其膜厚变动更小，因而即使从抗蚀剂膜4上测定光掩模基板1的第1主面的形状也不会产生妨碍。另外，光掩模基板1的主面的形状测定既可以在光掩模基板1的第1主面形成有薄膜(遮光膜3)的状态下进行，也可以在形成薄膜前的透明基板2的状态下进行。这是因为薄膜对光掩模基板1的主面的平坦度产生的影响极其微小。

如上所述，作为在描画时和曝光时膜面形状产生差异的原因可以举出上述(1)、(2)、(4)的因素，关于其中的(2)，考虑到通过对描画装置等的制造环境的管理能够降低发生概率，因描画时和曝光时的膜面形状的差异而形成的坐标偏差的主要因素是上述(1)和(4)。因此，为了适当校正描画数据，求出因上述(1)和(4)的因素而导致的坐标偏差的影响之和即坐标偏差合成量D1成为课题。

坐标偏差的合成量是指由于多个因素而相对于理想坐标产生偏差，将该偏差进行累计时的坐标偏差量之和。考虑到描画装置的载台10的表面和光掩模基板1的背面在多数情况下都不是理想的平面，可以将根据这些实际的面形状产生的相对于理想坐标的坐标偏差进行累计，计算作为结果的坐标偏差，并控制描画来将其抵消。

因此，在本实施方式中，将光掩模基板1以膜面为上侧载置在描画装置的载台10上，当在描画工序中对该光掩模基板1进行描画时，如上所述准备描画装置固有数据M1和背面数据S2，求出起因于这些数据M1、数据S2的坐标偏差合成量D1。并且，将起因于描画装置固有数据M1及背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在用于抵消上述坐标偏差的设计描画数据W1中，控制描画单元11进行的图案描画。在这种情况下，优选描画装置固有数据M1及背面数据S2都是在将光掩模基板1载置于描画装置之前取得的。描画装置固有数据M1能够保存在描画装置的描画控制系统15具有的存储单元15a中。并且，背面数据S2能够在决定了作为描画对象的光掩模基板1后，通过描画装置的描画控制系统15具有的输入单元15b进行输入。本发明中的数据的准备除通过输入单元15b输入数据以外，也包括从存储单元15a读取。

将起因于描画装置固有数据M1及背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在用于抵消坐标偏差的设计描画数据W1中的处理，能够按照以下所述来进行。此外，该处理中的运算处理能够通过描画装置的描画控制系统15具有的数据控制单元15c进行。使用图3说明该处理的概要。

首先，如图3(a)、(b)所示准备光掩模基板1的背面数据S2和描画装置固有数据M1。然后，如图3(c)所示，使用将光掩模基板1的背面数据S2进行镜面反转(左右反转)后的数据和描画装置固有数据M1，求出光掩模基板1的膜面的高度变动数据H1。然后，如图3(d)所示，将先求出的高度变动数据H1变换(XY变换)成XY平面(X轴方向及Y轴方向)的坐标的偏差量，求出坐标偏差合成量D1。然后，如图3(e)所示，根据坐标偏差合成量D1校正设计描画数据W1，由此求出校正描画数据W2。

上述的校正描画数据W2如图4(a)所示适用于将光掩模基板1载置于载台10并通过描画头14进行图案描画用的描画数据。此时，对光掩模基板1描画的图案是与设计描画数据W1所示出的图案相差了与坐标偏差合成量D1相当的部分的图案。但是，如图4(b)所示，在将光掩模基板1设置于曝光装置的夹具16进行曝光时，坐标偏差被上述坐标偏差合成量D1所抵消，因而能够得到如设计描画数据W1所示出的图案的转印像。

下面，对将起因于描画装置固有数据M1及背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中的处理进行详细说明。

图5(a)示出测定光掩模基板1的背面形状得到的背面数据S2的一例。图5(b)示出测定描画装置的载台10的表面形状得到的描画装置固有数据M1的一例。在图5(a)及图5(b)中，例如将根据各个测定数据利用最小平方法求出的基准平面(最小平方平面)的高度设为零，以相对较浅的浓度表示高度比该基准平面高的部分(取正值的部分)，以相对较深的浓度表示高度比基准平面低的部分(取负值的部分)。光掩模基板1的背面数据S2可以在决定了作为描画的对象的光掩模基板1之后，从描画装置的描画控制系统15具有的输入单元15b进行输入。另外，描画装置固有数据M1可以预先保存在描画装置的描画控制系统15具有的存储单元15a中。

然后，得到将描画装置固有数据M1和背面数据S2相加算出的Z轴方向的高度变动数据H1。此时，在背面数据S2的X、Y坐标的朝向(XY平面中的X、Y轴的朝向)与描画装置固有数据M1的X、Y坐标的朝向不一致的情况下，需要在将这些数据进行相加运算之前，使两个数据的XY坐标的朝向一致。例如，如果背面数据S2是从光掩模基板1的背面侧测定的数据，通过使该背面数据S2按照图6(a)所示进行镜面反转(例如，围绕图中用单点划线示出的Y轴反转)，能够使X、Y轴的朝向相对于描画装置固有数据M1一致。优选的是，使对光掩模基板1的背面数据S2设定的各测定点的坐标位置、和在测定描画装置固有数据M1时对载台10的表面设定的各测定点的坐标位置分别一致。或者，也可以是，在两个数据的任意一个数据中，使用相对于实际的测定点进行插补或者外插(補外)得到的准测定点的高度数据。另外，也可以在两个数据的测定点中选择多个代表点，使这些代表点相互一致。

但是，在如上所述使背面数据S2镜面反转时，各测定点的高度(Z轴)的正负也反转。因此，在根据描画装置固有数据M1和背面数据S2的合计(之和)运算膜面的高度变动数据H1的情况下，如下述的式子所示，从描画装置固有数据M1减去背面数据S2的镜面反转数据，由此求出光掩模基板1的膜面的高度变动数据H1(参照图6(b))。

(高度变动数据H1)＝(描画装置固有数据M1)-(背面数据S2的镜面反转数据)

然后，将上述的高度变动数据H1变换成XY平面(X轴方向及Y轴方向)的坐标的偏差量，得到坐标偏差合成量D1。下面，示例XY变换的具体方法。

(XY变换)

首先，如图7所示，将没有变形的理想平面时的光掩模基板1的膜面设为假想的基准面21。该基准面21成为通过上述的运算而求出的膜面的高度变动数据H1为零的面。但是，通过实际运算而求出的高度变动数据H1往往取大于零的值或小于零的值。因此，例如当在高度变动数据H1为零的测定点22-1、和在X轴方向或者Y轴方向与该测定点22-1相邻的测定点22-2之间，在Z轴方向产生了H的高度差的情况下，由于该高度差，由光掩模基板1的膜面和基准面21形成的角度φ用下式表示。

sinφ＝H/Pitch……(式1)

Pitch(间距)表示相邻的两个测定点的间隔(上述的间距P)。

在上述(式1)中，H/Pitch也能够理解为基板表面的高度方向的斜率。

另外，如果φ的值足够小，则也能够近似为下式。

φ＝H/Pitch……(式1’)

但是，在下面的说明中使用(式1)。

在上述的情况下，假设两个测定点22-1、22-1例如是在X轴方向相邻的点，在设光掩模基板1的厚度为t时，起因于这些测定点的高度差的测定点22-2的X轴方向的坐标偏差d通常能够用下式求出。

d＝sinφ×t/2＝H×(t/2Pitch)……(式2)

光掩模基板1的厚度t能够作为光掩模基板1的平均厚度。

另外，在上述式子中，如果φ足够小，则也能够近似为下式。

d＝φ×t/2＝H×(t/2Pitch)……(式2’)

关于在Y轴方向相邻的两个测定点，能够与上述情况一样地求出这种起因于两个测定点的高度差的坐标偏差。

因此，关于X轴方向及Y轴方向，能够将与间距(Pitch)对应的高度变动数据H1变换成各测定点的XY平面上的坐标偏差，得到坐标偏差合成量D1。即，能够定量地掌握因高度变动数据H1所示出的高度分布而产生的坐标偏差。并且，根据该坐标偏差合成量D1预先在抵消坐标偏差的方向校正设计描画数据W1，由此能够得到校正描画数据W2。图8是示出设计描画数据和校正描画数据的描画位置的关系的概念图，图中的黑色的圆点表示设计描画数据W1的描画位置，灰色的圆点表示校正描画数据W2的描画位置。

返回到图1、图2，描画装置在对载置在载台10上的光掩模基板1进行描画的情况下，使用上述校正描画数据W2进行描画。具体地讲，描画装置的描画控制系统15适用校正描画数据W2控制描画单元11，对载台10上的光掩模基板1描画转印用图案。由此，能够将坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中对光掩模基板1描画转印用图案。

根据以上叙述的方法，即使不将光掩模基板1载置在描画装置的载台10上测定高度分布，也能够校正因描画时和曝光时的基板表面(膜面)形状的差异而引起的图案的坐标偏差。由此，在提高形成于被转印体上的图案的坐标精度时，能够将描画装置的占用时间抑制为极短的时间。因此，能够提高光掩模的生产效率。

另外，在此根据坐标偏差合成量D1校正设计描画数据W1，使用由此得到的校正描画数据W2对光掩模基板1进行描画，以便将坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中，但本发明不限于此。例如，也可以替代校正设计描画数据W1，根据上述的坐标偏差合成量D1校正描画装置具有的坐标系并求出校正坐标系，使用该校正坐标系及设计描画数据W1进行描画。在这种情况下，以抵消坐标偏差的方式校正描画装置具有的坐标系，因而通过对该校正坐标系适用设计描画数据W1进行图案描画，能够将坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中，对光掩模基板1描画转印用图案。

另外，关于光掩模基板1上的X轴及Y轴，可以分别将四边形的基板主面的长边方向设为X轴方向，将短边方向设为Y轴方向，也可以与此相反，将基板主面的长边方向设为Y轴方向，将短边方向设为X轴方向。

另外，光掩模基板1的背面数据S2也可以根据光掩模基板1的板厚分布数据T和膜面数据S1进行计算而求出。

另外，在本发明中，除上述的运算顺序外，当然不能排除切换运算的前后顺序也能够得到相同结果的情况。即，只要能够得到本发明的效果，切换了工序的顺序的方式也包含在本发明中。

以上对不在描画装置的载台10上进行高度测定就进行设计描画数据W1的校正或者描画装置的坐标系的校正的方法进行了说明。在该方法中，即使不使用描画装置也能够得到光掩模基板1的背面数据S2，因而实质上不会增加描画装置的占用时间。另一方面，为了得到光掩模基板1的背面数据S2，需要对光掩模基板一片一片地进行上述的光掩模基板1的背面的形状测定并保存背面数据S2，这需要规定的工时及规定的时间，在实现进一步的效率化方面可能成为新的课题。

因此，针对坐标偏差的影响程度，可以考虑如下方法，选择光掩模基板1的主面(特别是第2主面)的凹凸足够小的光掩模基板，由此不进行用于取得背面数据S2的测定。即，这样的方法：替代上述实施方式中的坐标偏差合成量D1，而仅使用描画装置固有数据M1求出坐标偏差量D2，将该坐标偏差量D2反映在设计描画数据W1中，对光掩模基板1描画转印用图案。下面，将该方法作为本发明的第2实施方式进行说明。

<第2实施方式>

本发明的第2实施方式提供光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1，将起因于所述描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

该方法能够适用于使用平坦性较高的光掩模基板的情况，特别适合用于光掩模基板的背面(第2主面)的平坦度良好的情况。

另外，上述的方法优选适用于已预先明确光掩模基板的背面的平坦度在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。

即，在设光掩模基板的厚度为t1、设在取得光掩模基板的背面的平坦度地图时适用的测定间距(各测定点的隔开距离)为p1、设在X轴方向或者Y轴方向相邻的两个测定点的Z轴方向的高度差为h1时，用下述的式子定义光掩模基板的背面的平坦度系数k1。

k1＝(t1/2)×(h1/p1)

其中，t1能够设为基板的平均厚度或者规格上的厚度。

在许多情况下，对于光掩模基板产品，作为表示其特征的数值，主面(膜面、背面)的平坦度信息作为测定间距p1及各测定点的Z轴方向的高度数据，是以平坦度地图等的形式附加的。

上述的h1/p1意味着在规定的测定点和与其相邻的测定点之间由于Z轴方向的高度差异而假设的坐标偏差量。如果h1/p1在光掩模基板的基板面内整体上为100nm以下，则该潜在的坐标偏差对使用该光掩模基板制造的显示装置的性能不会产生实质性的影响。因此，平坦度系数k1的值优选-100nm≤k1≤100nm，更优选-50nm≤k1≤50nm。并且，测定间距p1的值优选5nm≤p1≤100nm，更优选10nm≤p1≤50nm。

因此，在本第2实施方式中，在光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm(更优选-50nm≤k1≤50nm)的情况下，适用描画装置固有数据M1替代在上述第1实施方式中使用的高度变动数据H1，使用源自于该描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2校正坐标偏差。此时的校正的方法基本上与上述第1实施方式相同。

即，在假设描画装置固有数据M1是表示Z轴方向的高度分布数据的数据时，将该描画装置固有数据M1变换成XY平面的坐标的偏差量，得到坐标偏差量D2。并且，将该坐标偏差量D2反映在设计描画数据W1中，在光掩模基板1上描画转印用图案。具体地讲，根据坐标偏差量D2校正设计描画数据W1，使用由此得到的校正描画数据对光掩模基板1进行描画。或者，替代校正设计描画数据W1，根据上述的坐标偏差量D2校正描画装置具有的坐标系并求出校正坐标系，使用该校正坐标系及设计描画数据W1进行描画。

根据上述的方法，在光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足规定的条件时，在曝光工序中不使用光掩模基板的背面数据S2，而将起因于描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在设计描画数据W1中，在光掩模基板上描画转印用图案。因此，不再需要对光掩模基板一片一片地进行背面的形状测定，能够进一步实现高效化。

另外，在此对适用描画装置固有数据M1替代高度变动数据H1的情况进行了说明，但也可以适用光掩模基板的背面数据S2替代高度变动数据H1。下面，将该方法作为本发明的第3实施方式进行说明。

<第3实施方式>

本发明的第3实施方式提供光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据W1的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，将起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D3反映在所述设计描画数据W1中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

该方法能够适用于载台10的平坦度较高的描画装置的情况。

并且，上述的方法优选适用于已预先明确描画装置固有数据M1在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。

即，载台10的平坦度系数k2是表示载台10表面的平坦度的系数，在描画装置中，当设在取得用于载置光掩模基板的载台的平坦度地图时适用的测定间距(各测定点的隔开距离)为p2、设在X轴方向或者Y轴方向相邻的两个测定点的Z轴方向的高度差为h2时，用下述的式子定义载台10的平坦度系数k2。

k2＝(t2/2)×(h2/p2)

其中，考虑到进行处理的光掩模基板的最大厚度，t2能够设为例如16mm。

上述的h2/p2意味着在规定的测定点和与其相邻的测定点之间由于Z轴方向的高度差异而假设的坐标偏差量。如果h2/p2在载台10的表面整体上为100nm以下，则该潜在的坐标偏差对使用该光掩模基板制造的显示装置的性能不会产生实质性的影响。因此，载台10的平坦度系数k2的值优选-100nm≤k2≤100nm，更优选-50nm≤k2≤50nm。并且，p2的值优选5mm≤p2≤100mm，更优选10mm≤p2≤50mm。

因此，在本第3实施方式中，在描画装置的载台10的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm(更优选-50nm≤k2≤50nm)的情况下，适用光掩模基板的背面数据S2替代在上述第1实施方式中使用的高度变动数据H1，使用源自于该背面数据S2的坐标偏差量D3校正坐标偏差。此时的校正的方法基本上与上述第1实施方式相同。

即，将光掩模基板的背面数据S2变换成XY平面的坐标的偏差量，得到坐标偏差量D3。并且，将该坐标偏差量D3反映在设计描画数据W1中，在光掩模基板1上描画转印用图案。具体地讲，根据坐标偏差量D3校正设计描画数据W1，使用由此得到的校正描画数据对光掩模基板1进行描画。或者，替代校正设计描画数据W1，根据上述的坐标偏差量D3校正描画装置具有的坐标系并求出校正坐标系，使用该校正坐标系及设计描画数据W1进行描画。

另外，在上述第1～第3实施方式中，在描画工序完成后，光掩模基板上的抗蚀剂膜通过显影工序被显影而成为抗蚀剂图案。并且，在将该抗蚀剂图案用于掩模并通过蚀刻对薄膜进行图案形成时，形成转印用图案。虽然干式蚀刻和湿式蚀刻都能够适用于薄膜的蚀刻，但是作为FPD用光掩模，适用湿式蚀刻比较有效。

另外，在制造光掩模的情况下，根据需要能够通过描画、显影、蚀刻的工序反复对同一光掩模基板进行图案加工。另外，也能够包括成膜新的薄膜的工序。

另外，对利用上述的方法制造的光掩模的意图没有特殊的制约。转印用图案是基于想要得到的器件的造型的掩模图案。具有该转印用图案的光掩模可以是具有由透光部和遮光部构成的2值的图案即所谓二进制掩模。或者，也可以是具有3种灰度以上的色调的多灰度光掩模。或者，也可以是具有规定的透射率、并且具有使曝光光束的相位反转的相移功能的相移掩模。光掩模基板具有的薄膜也能够作为适用了具有相移效果的材料和膜厚的半色调型相移掩模。

另外，光掩模的转印用图案优选是为了制造显示装置用而被图案形成的图案。在这种情况下，通过曝光装置对利用本发明的制造方法制造的光掩模进行曝光，将该光掩模具有的转印用图案转印在显示器平板基板等被转印体上。

此外，本发明包括包含如下工序的显示装置的制造方法：准备适用上述第1实施方式、第2实施方式或者第3实施方式的制造方法制造的光掩模；使用曝光装置将该光掩模曝光。在这种情况下，在将光掩模曝光的工序中，将利用上述的制造方法得到的光掩模搭载于曝光装置，将在该光掩模形成的转印用图案转印在被转印体上。

另外，作为在上述显示装置的制造方法中使用的曝光装置，适合使用作为LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)用或者FPD(Flat Panel Display：扁平面板显示器)用而公知的曝光装置。作为这种曝光装置例如能够使用投影仪曝光装置，该投影仪曝光装置使用包含i线、h线、g线的曝光光束，具有数值孔径(NA)为0.08～0.15、相干参数(σ)约为0.7～0.9的等倍光学系统。当然，也可以使用邻近曝光装置。

另外，本发明不仅作为光掩模的制造方法来实现，而且也能够作为在制造光掩模时使用的描画装置来实现。下面，对描画装置进行说明。

<第4实施方式>

本发明的第4实施方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并进行控制，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1；

输入单元，其输入所述设计描画数据W1及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据M1及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D1反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

本实施方式的描画装置如图2所示具有载台10、描画单元11、高度测定单元12、描画控制系统15。并且，描画控制系统15具有存储单元15a、输入单元15b、数据控制单元15c。存储单元15a是存储描画所需要的各种数据并进行保存的单元。在由存储单元15a保存的数据中包含描画装置固有数据M1。输入单元15b是在决定了成为描画的对象的光掩模基板、和应在该光掩模基板描画的转印用图案后输入必要的信息的单元。在通过输入单元15b输入的信息中包含设计描画数据W1及光掩模基板的背面数据S2。数据控制单元15c是对从输入单元15b输入的信息适当进行运算处理，并控制描画单元11的描画的单元。在由数据控制单元15c进行的运算中包含描画所使用的图案数据的运算、和将坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中的运算等。

描画单元11是射出激光光束等能量束而对光掩模基板进行描画的单元。

在此，优选描画装置固有数据M1包括例如表示描画装置的载台10的表面形状的载台平坦度数据。另外，能够将用于在载台10上保持光掩模基板的夹具等在每个描画工序中具有再现性地呈现出来的要素作为描画装置固有数据M1。

在本实施方式中，将描画装置固有数据M1保存在描画控制系统15的存储单元15a中。也可以在存储单元15a中把描画装置固有数据M1作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。另外，也可以在存储单元15a中把描画装置固有数据M1作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而校正描画装置具有的坐标系而得的校正坐标系。因为这些是只要使用同一个描画装置就会再现的校正要素而进行保存。

在描画装置中，在决定了成为描画对象的光掩模基板后，通过描画控制系统15的输入单元15b输入该光掩模基板的背面数据S2。对此，数据控制单元15c求出起因于在存储单元15a中保存的描画装置固有数据M1和通过输入单元15b输入的背面数据S2的坐标偏差合成量D1。坐标偏差合成量D1的求出方法与上述第1实施方式相同。然而，坐标偏差合成量D1的求出方法不限于此，例如也可以分别单独求出起因于描画装置固有数据M1的坐标偏差量和起因于背面数据S2的坐标偏差量，将这些坐标偏差量相加而求出坐标偏差合成量D1。在这种情况下，先求出起因于描画装置固有数据M1的坐标偏差量和起因于背面数据S2的坐标偏差量哪一方都可以。此外，坐标偏差量的运算可以与上述第1实施方式一样地通过XY变换来进行。

在这样求出坐标偏差合成量D1后，数据控制单元15c将该坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中，控制描画单元11进行的描画。将坐标偏差合成量D1反映在设计描画数据W1中的方法与上述第1实施方式相同。即，可以根据坐标偏差合成量D1校正设计描画数据W1，使用由此得到的校正描画数据W2控制描画单元11的描画。或者，也可以根据坐标偏差合成量D1校正描画装置具有的坐标系并求出校正坐标系，使用该校正坐标系及设计描画数据W1控制描画单元11进行的描画。

<第5实施方式>

本发明的第5实施方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据M1；

输入单元，其输入所述设计描画数据W1；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

上述结构的描画装置能够在成为描画对象的光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足下述条件时使用。

-100nm≤k1≤100nm

更优选的是，上述结构的描画装置能够适合在满足-50≤k1≤50nm的条件时使用。

上述的平坦度系数k1与上述第2实施方式一样用下述的式子定义。

k1＝(t1/2)×(h1/p1)

这样，在光掩模基板的背面的平坦度较高、其平坦度在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况下，在数据控制单元15c进行将源自于描画装置固有数据M1的坐标偏差量D2反映在设计描画数据W1中的运算，根据其结果控制描画单元11进行的描画，由此能够校正图案的坐标偏差。

<第6实施方式>

本发明的第6实施方式提供描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据W1的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并进行控制，

所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm，

所述描画控制系统具有：

输入单元，其输入所述设计描画数据W1和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D3反映在所述设计描画数据W1中的运算，控制所述描画单元的描画。

上述结构的描画装置能够适合用于已预先明确描画装置固有数据M1在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。更优选的是，在描画装置的载台的平坦度系数k2满足-50≤k2≤50nm的条件时，能够适合使用上述结构的描画装置。

上述的平坦度系数k2与上述第3实施方式一样用下述的式子定义。

k2＝(t2/2)×(h2/p2)

这样，在描画装置的载台的平坦度较高、其平坦度在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况下，在数据控制单元15c进行将源自于光掩模基板的背面数据S2的坐标偏差量D3反映在设计描画数据W1中的运算，根据其结果控制描画单元11的描画，由此能够校正图案的坐标偏差。

以下叙述的光掩模基板的制造方法及描画装置也能够转用于光掩模基板的检查方法及光掩模基板的检查装置。这是因为在光掩模基板的检查工序中，与描画工序的情况相同，将具有转印用图案的面设为上侧，将光掩模基板载置在检查装置的载台上，在该状态下测定转印用图案的形状。下面，说明有关光掩模基板的检查方法及光掩模基板的检查装置的实施方式。

<第7实施方式>

本发明的第7实施方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，使用起因于所述检查装置固有数据M2及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D4、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

通过描画工序、显影工序及蚀刻工序而完成了图案加工的光掩模或者其中间体，经过作为确认图案的精度的单元的检查工序。例如，测定XY平面中的特定图案的位置、特定图案间的相对的位置关系(例如距离和角度等)等，以便确认在光掩模基板形成的转印用图案的形状特别是坐标精度。该测定能够通过检查装置具有的测定单元(后述)来进行。本发明的光掩模基板的检查装置能够包括对转印用图案的图案形状进行测长的测长装置。

在光掩模基板的检查工序中，如图9(a)所示，将成为被检体的光掩模基板1以第1主面(膜面)为上侧载置在检查装置的载台30上，在该状态下通过检查装置的测定单元31测定转印用图案的形状，得到图案检查数据X1。图案检查数据X1包括被称为所谓测长数据的数据。在这种情况下，由于载台30表面的凹凸和光掩模基板1的背面的凹凸等，产生与上述描画时相同的坐标偏差因素。并且，由于该坐标偏差因素，产生妨碍检查结果的精度的可能性。因此，在检查工序中，需要使通过检查装置得到的图案检查数据X1反映出上述坐标偏差因素，并进行正确的检查判定。

(判定工序)

因此，在判定工序中，如图9(b)所示，准备表示光掩模基板1的第2主面形状的背面数据S2。当已经在通过上述描画工序进行描画之前得到背面数据S2的情况下，能够直接适用该背面数据S2。另外，在先于背面数据S2而能够得到光掩模基板1的板厚分布数据T和膜面数据S1的情况下，与上述描画工序相同，可以根据光掩模基板1的板厚分布数据T和膜面数据S1进行计算而求出背面数据S2。

另外，在判定工序中，如图9(c)所示，准备表示检查装置对光掩模基板1的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2。优选在该检查装置固有数据M2中包含例如检查装置的载台30的平坦度数据。在这种情况下，与上述描画装置的情况一样，将载台30的表面(用于载置光掩模基板1的面)作为被测定面进行高度测定，使用由此得到的高度分布数据作为载台30的平坦度数据。并且，优选将检查装置固有数据M2保存在检查装置具有的存储单元(后述)中。

在这样准备好检查装置固有数据M2和背面数据S2后，求出起因于这些数据M2、S2的坐标偏差合成量D4。并且，使用该坐标偏差合成量D4、图案检查数据X1和设计描画数据W1判定转印用图案的良好与否。

此时，坐标偏差合成量D4能够用与上述第1实施方式相同的方法求出。即，求出基于检查装置固有数据M2和背面数据S2之合计而得的Z轴方向的高度变动数据H2，将该高度变动数据H2变换成XY平面的坐标的偏差量，由此能够求出坐标偏差合成量D4。此外，将检查装置固有数据M2和背面数据S2进行合计的方法，能够参照在上述第1实施方式记述的得到描画装置固有数据M1和背面数据S2之合计的方法。即，优选进行任意数据的镜面反转及Z轴的正负的调整(参照图9(d))。在这种情况下，在根据检查装置固有数据M2和背面数据S2之合计(之和)来运算膜面的高度变动数据H2时，也能够适用下述的式子。

(高度变动数据H2)＝(检查装置固有数据M2)-(背面数据S2的镜面反转数据)

另外，在光掩模基板的检查装置中，与上述描画装置的情况相同，将与载台的主面或水平地载置在该主面上的光掩模基板的主面(特别是第2主面)平行的面作为XY平面，将与该XY平面垂直的轴作为Z轴(设高度较高的一方为正方向)。并且，将在XY平面内与Z轴垂直的X轴及Y轴中任意一方的轴配置成与光掩模基板的长边或者短边平行。

然后，如图9(e)所示，将上述的高度变动数据H2变换成X轴方向及Y轴方向的坐标的偏差量，得到坐标偏差合成量D4。XY变换的方法如已经叙述的那样。然后，如图9(f)所示，将上述坐标偏差合成量D4反映在图案检查数据X1中，得到用于抵消检查装置的坐标偏差的影响的比较用检查数据X2。具体地讲，根据坐标偏差合成量D4预先在抵消坐标偏差的方向校正图案检查数据X1，由此得到比较用检查数据X2。该比较用检查数据X2成为如下图案检查数据：针对通过转印用图案的形状测定而得到的图案检查数据X1，考虑了起因于检查装置固有数据M2的坐标偏差和起因于背面数据S2的坐标偏差的图案检查数据。因此，将该比较用检查数据X2与设计描画数据W1进行比较，根据比较用检查数据X2相对于设计描画数据W1的偏差是否在预先设定的允许范围内，判定转印用图案的良好与否。由此，能够反映出起因于检查装置固有数据M2和背面数据S2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

另外，在此是将坐标偏差合成量D4反映在图案检查数据X1中进行上述判定，但除此以外，也可以将坐标偏差合成量D4反映在设计描画数据W1中进行上述判定。在这种情况下，将坐标偏差合成量D4反映在设计描画数据W1中并作为比较用描画数据W3，将该比较用描画数据W3与图案检查数据X1进行比较。并且，根据图案检查数据X1相对于比较用描画数据W3的偏差是否在预先设定的允许范围内，判定转印用图案的良好与否。或者，也可以根据坐标偏差合成量D4校正检查装置具有的坐标系，利用校正后的坐标系将设计描画数据W1与图案检查数据X1进行比较。

另外，在通过测定而得到的图案检查数据X1是表示例如在转印用图案的特定的部分(例如光掩模基板的四个角部等)存在的特定图案的位置的数据时，使在该图案检查数据X1中反映出坐标偏差合成量D4而得到的比较用检查数据X2，成为使特定图案的位置移动了基于坐标偏差合成量D4的坐标偏差量的数据。因此，通过在比较用检查数据X2和设计描画数据W1的比较中，确认比较用检查数据X2所示出的特定图案的位置相对于利用设计描画数据W1规定的特定图案的位置偏差了何种程度，如果该偏差在允许范围内，则判定转印用图案“良好”，如果偏差在允许范围外，则判定转印用图案“不良”。与此相对，在将坐标偏差合成量D4反映在设计描画数据W1中的情况下，由此得到的比较用描画数据W3成为使设计描画数据W1的图案位置移动了基于坐标偏差合成量D4的坐标偏差量的数据。因此，通过在比较用描画数据W3和图案检查数据X1的比较中，确认图案检查数据X1所示出的特定图案的位置相对于利用比较用描画数据W3规定的特定图案的位置偏差了何种程度，如果该偏差在允许范围内，则判定转印用图案“良好”，如果偏差在允许范围外，则判定转印用图案“不良”。

<第8实施方式>

本发明的第8实施方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2，使用起因于所述检查装置固有数据M2的坐标偏差量D5、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

该方法能够适合用于使用平坦性较高的光掩模基板的情况，特别适合用于光掩模基板的背面(第2主面)的平坦度较高的情况。

另外，上述的方法优选适用于已预先明确光掩模基板的背面的平坦度在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。

光掩模基板的背面的平坦度系数k1是与上述第2实施方式一样地规定(定义)的系数，优选-100nm≤k1≤100nm，更优选-50nm≤k1≤50nm。

另外，在假设检查装置固有数据M2是表示Z轴方向的高度分布数据的数据时，通过将该检查装置固有数据M2变换成X轴方向及Y轴方向的坐标的偏差量，能够得到起因于检查装置固有数据M2的坐标偏差量D5。然后，替代上述第7实施方式中的坐标偏差合成量D4，将坐标偏差量D5反映在图案检查数据X1或者设计描画数据W1中，判定转印用图案的良好与否。由此，能够反映出起因于检查装置固有数据M2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

<第9实施方式>

本发明的第9实施方式提供光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据X1；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据S2，使用起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D6、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

该方法适用于使用载台的平坦度较高的检查装置的情况。

另外，上述的方法优选适用于如下情况：即已预先明确检查装置固有数据M2所表示的光掩模基板的变形因素足够小、检查装置固有数据M2在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。

检查装置的载台的平坦度系数k3是与上述第3实施方式的描画装置的载台的平坦度系数k2一样地规定(定义)的系数。即，在检查装置中，当设在取得用于载置光掩模基板的载台的平坦度地图时适用的测定间距(各测定点的隔开距离)为p3、设在X轴方向或者Y轴方向相邻的两个测定点的Z轴方向的高度差为h3时，用下述的式子定义检查装置的载台的平坦度系数k3。

k3＝(t3/2)×(h3/p3)

其中，考虑到进行处理的光掩模基板的最大厚度，t3能够设为例如16mm。

载台的平坦度系数k3优选-100nm≤k1≤100nm，更优选-50nm≤k1≤50nm。

另外，起因于背面数据S2的坐标偏差量D6是通过将该背面数据S2变换成X轴方向及Y轴方向的坐标的偏差量而得到的。然后，替代上述第7实施方式中的坐标偏差合成量D4，将坐标偏差量D6反映在图案检查数据X1或者设计描画数据W1中，判定转印用图案的良好与否。由此，能够反映出起因于背面数据S2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

<第10实施方式>

本发明的第10实施方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据W1及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据M2及所述背面数据S2的坐标偏差合成量D4、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

其中，优选检查装置固有数据M2包括表示检查装置的载台的表面形状的载台平坦度数据。

光掩模基板的检查装置如图10所示具有载台30、测定单元31、判定单元32。

载台30用于将作为检查的对象的光掩模基板支撑(固定)为水平载置的状态。在实际将光掩模基板载置于载台30的情况下，使膜面为上侧将光掩模基板载置于载台30。由此，在光掩模基板形成的转印用图案形成为在Z轴方向与测定单元31对置的状态。并且，光掩模基板的背面成为与载台30的表面(上面)对置的状态。

测定单元31通过测定被载置于载台30的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1。在测定单元31测定转印用图案的形状的情况下，测定单元31及载台30中至少一方与XY平面平行地移动。

判定单元32是判定光掩模基板具有的转印用图案的良好与否的单元。该判定单元32包括：存储单元32a，其存储检查所需要的各种数据并进行保存；输入单元32b，其输入检查所需要的信息。在存储单元32a保存的数据中包含检查装置固有数据M2。并且，在通过输入单元32b输入的信息中包含设计描画数据W1及光掩模基板的背面数据S2。

判定单元32使用由存储单元32a保存的数据和从输入单元32b输入的信息，判定转印用图案的良好与否。即，判定单元32与上述第7实施方式一样求出基于检查装置固有数据M2和背面数据S2之合计而得的Z轴方向的高度变动数据H2，将该高度变动数据H2变换成XY平面的坐标的偏差量，由此取得坐标偏差合成量D4。另外，判定单元32将坐标偏差合成量D4反映在图案检查数据X1或者设计描画数据W1中，并进行上述判定。具体地讲，判定单元32将坐标偏差合成量D4反映在图案检查数据X1中并作为比较用检查数据X2，将该比较用检查数据X2与设计描画数据W1进行比较，由此判定转印用图案的良好与否。或者，判定单元32将坐标偏差合成量D4反映在设计描画数据W1中并作为比较用描画数据W3，将该比较用描画数据W3与图案检查数据X1进行比较，由此判定转印用图案的良好与否。因此，能够反映出起因于检查装置固有数据M2和背面数据S2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

另外，与上述第4实施方式的描画装置的情况一样，也可以在检查装置的存储单元32a中把检查装置固有数据M2作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。另外，也可以在存储单元32a中把检查装置固有数据M1作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量并对检查装置具有的坐标系进行校正而得的校正坐标系而进行保存。

<第11实施方式>

本发明的第11实施方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据M2；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据W1，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据M2的坐标偏差量D5、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

上述的检查装置能够适合用于使用平坦性较高的光掩模基板的情况，特别适合用于光掩模基板的背面(第2主面)的平坦度较高的情况。具体地讲，能够在作为检查对象的光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足下述条件时采用。

-100nm≤k1≤100nm

更优选在满足-50nm≤k1≤50nm的条件时，能够适合使用上述结构的检查装置。

上述的平坦度系数k1与上述第2实施方式一样用下述的式子定义。

k1＝(t1/2)×(h1/p1)

这样，在光掩模基板的背面的平坦度较高、其平坦度在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况下，使用源自于检查装置固有数据W2的坐标偏差量D5、图案检测数据X1和设计描画数据W1，判定转印用图案的良好与否。由此，能够反映出起因于检查装置固有数据W2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

<第12实施方式>

本发明的第12实施方式提供光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据W1形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据X1；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm，

所述判定单元包括输入单元，该输入单元输入所述设计描画数据W1、和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据S2，

所述判定单元使用起因于所述背面数据S2的坐标偏差量D6、所述图案检查数据X1和所述设计描画数据W1，进行所述判定。

上述的检查装置优选适用于如下情况：即已预先明确检查装置固有数据M2所表示的光掩模基板的变形因素足够小、检查装置固有数据M2在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况。

检查装置的载台的平坦度系数k3是与上述第3实施方式的描画装置的载台的平坦度系数k2一样地规定(定义)的系数，优选-100nm≤k3≤100nm，更优选-50nm≤k3≤50nm。

这样，在检查装置的载台的平坦度较高、反映出该平坦度的检查装置固有数据M2在实质上不影响坐标偏差的范围内的情况下，使用起因于背面数据S2的坐标偏差量D6、图案检测数据X1和设计描画数据W1，判定转印用图案的良好与否。由此，能够反映出起因于背面数据S2的坐标偏差因素，进行正确的检查判定。

标号说明

1光掩模基板；2透明基板；3遮光膜；4抗蚀剂膜；10载台；11描画单元；12高度测定单元；15描画控制系统；15a存储单元；15b输入单元；15c数据控制单元；30载台；31测定单元；32判定单元；32a存储单元；32b输入单元。

Claims (25)

1.一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据(W1)的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据(M1)、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据(S2)，将起因于所述描画装置固有数据(M1)及所述背面数据(S2)的坐标偏差合成量(D1)反映在所述设计描画数据(W1)中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在将与所述描画装置的载台面平行的面设为XY平面、将与该XY平面垂直的轴设为Z轴时，

所述坐标偏差合成量(D1)是将基于所述描画装置固有数据(M1)和所述背面数据(S2)之合计而得的Z轴方向的高度变动数据(H1)变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而成的。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述描画工序中，根据所述坐标偏差合成量(D1)校正待抵消所述坐标偏差的所述设计描画数据(W1)而求出校正描画数据(W2)，使用所述校正描画数据(W2)进行描画，以将所述坐标偏差合成量(D1)反映在所述设计描画数据(W1)中。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述描画工序中，根据所述坐标偏差合成量(D1)校正待抵消所述坐标偏差的描画装置所具有的坐标系而求出校正坐标系，使用所述校正坐标系以及所述设计描画数据(W1)进行描画，以将所述坐标偏差合成量(D1)反映在所述设计描画数据(W1)中。

5.一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据(W1)的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据(M1)，将起因于所述描画装置固有数据(M1)的坐标偏差量(D2)反映在所述设计描画数据(W1)中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

6.一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据(W1)的转印用图案，其特征在于，所述光掩模的制造方法包括以下工序：

将在所述第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；

描画工序，对所述光掩模基板进行描画；以及

使用将所述抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案，对所述薄膜进行图案形成，

在所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm时，

在所述描画工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据(S2)，将起因于所述背面数据(S2)的坐标偏差量(D3)反映在所述设计描画数据(W1)中，在所述光掩模基板上描画转印用图案。

7.一种描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据(W1)的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据(M1)；

输入单元，其输入所述设计描画数据(W1)及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据(S2)；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据(M1)及所述背面数据(S2)的坐标偏差合成量(D1)反映在所述设计描画数据(W1)中的运算，控制所述描画单元的描画。

8.根据权利要求7所述的描画装置，其特征在于，

所述存储单元把所述描画装置固有数据(M1)作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。

9.根据权利要求7所述的描画装置，其特征在于，

所述存储单元把所述描画装置固有数据(M1)作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量后对坐标系进行校正而得的校正坐标系而进行保存。

10.根据权利要求7～9中任意一项所述的描画装置，其特征在于，

所述描画装置固有数据(M1)包括表示所述载台的表面形状的载台平坦度数据。

11.一种描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据(W1)的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画控制系统具有：

存储单元，其保存表示所述描画装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据(M1)；

输入单元，其输入所述设计描画数据(W1)；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述描画装置固有数据(M1)的坐标偏差量(D2)反映在所述设计描画数据(W1)中的运算，控制所述描画单元的描画。

12.一种描画装置，用于对光掩模基板描画基于设计描画数据(W1)的转印用图案，该光掩模基板是在透明基板的第1主面上层叠薄膜和抗蚀剂膜而成的，其特征在于，所述描画装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

描画单元，其对被载置在所述载台上的状态的光掩模基板照射描画用的能量束而进行描画；以及

描画控制系统，其运算描画所使用的图案数据并控制描画，

所述描画装置的载台的平坦度系数k2满足-100nm≤k2≤100nm，

所述描画控制系统具有：

输入单元，其输入所述设计描画数据(W1)和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据(S2)；以及

数据控制单元，其进行将起因于所述背面数据(S2)的坐标偏差量(D3)反映在所述设计描画数据(W1)中的运算，控制所述描画单元的描画。

13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示装置的制造方法包括以下工序：

准备利用权利要求1～6中任意一项所述的光掩模的制造方法制造的光掩模；

使用曝光装置对所述光掩模进行曝光。

14.一种光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据(X1)；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据(M2)、和表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据(S2)，使用起因于所述检查装置固有数据(M2)及所述背面数据(S2)的坐标偏差合成量(D4)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。

15.根据权利要求14所述的光掩模基板的检查方法，其特征在于，

在所述判定工序中，将所述坐标偏差合成量(D4)反映在所述图案检查数据(X1)或者所述设计描画数据(W1)中，进行所述判定。

16.根据权利要求14所述的光掩模基板的检查方法，其特征在于，

在将与所述检查装置的载台面平行的面设为XY平面、将与该XY平面垂直的轴设为Z轴时，

所述坐标偏差合成量D4是将基于所述检查装置固有数据(M2)和所述背面数据(S2)之合计而得的Z轴方向的高度变动数据(H2)变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而成的。

17.一种光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据(X1)；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述光掩模基板的背面的平坦度系数k1满足-100nm≤k1≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据(M2)，使用起因于所述检查装置固有数据(M2)的坐标偏差量(D5)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。

18.一种光掩模基板的检查方法，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查方法包括以下工序：

将所述光掩模基板载置在检查装置的载台上；

检查数据取得工序，测定所述转印用图案的形状，得到图案检查数据(X1)；以及

判定工序，判定所述转印用图案的良好与否，

在所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm时，

在所述判定工序中，准备表示所述光掩模基板的第2主面形状的背面数据(S2)，使用起因于所述背面数据(S2)的坐标偏差量(D6)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。

19.一种光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据(X1)；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据(M2)；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据(W1)及表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据(S2)，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据(M2)及所述背面数据(S2)的坐标偏差合成量(D4)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。

20.根据权利要求19所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，

所述判定单元将所述坐标偏差合成量(D4)反映在所述图案检查数据(X1)或者所述设计描画数据(W1)中，进行所述判定。

21.根据权利要求19所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，

所述存储单元把所述检查装置固有数据(M2)作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量而得的坐标偏差校正量而进行保存。

22.根据权利要求19所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，

所述存储单元把所述检查装置固有数据(M2)作为变换成X轴方向及Y轴方向的坐标偏差量后对校正坐标系进行校正而得的校正坐标系而进行保存。

23.根据权利要求19～22中任意一项所述的光掩模基板的检查装置，其特征在于，

所述检查装置固有数据(M2)包括表示所述载台的表面形状的载台平坦度数据。

24.一种光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据(X1)；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述判定单元具有：

存储单元，其保存表示所述检查装置对所述光掩模基板的形状带来的变形量的检查装置固有数据(M2)；以及

输入单元，其输入所述设计描画数据(W1)，

所述判定单元使用起因于所述检查装置固有数据(M2)的坐标偏差量(D5)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。

25.一种光掩模基板的检查装置，该光掩模基板在透明基板的第1主面具有根据设计描画数据(W1)形成的转印用图案，其特征在于，所述光掩模基板的检查装置具有：

载台，用于载置所述光掩模基板；

测定单元，其测定被载置在所述载台上的状态的光掩模基板具有的转印用图案的形状，取得图案检查数据(X1)；以及

判定单元，其判定所述转印用图案的良好与否，

所述检查装置的载台的平坦度系数k3满足-100nm≤k3≤100nm，

所述判定单元包括输入单元，该输入单元输入所述设计描画数据(W1)、和表示所述光掩模基板的背面形状的背面数据(S2)，

所述判定单元使用起因于所述背面数据(S2)的坐标偏差量(D6)、所述图案检查数据(X1)和所述设计描画数据(W1)，进行所述判定。