CN113189839A - 掩模板及掩模板使用方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种掩模板及掩模板使用方法。掩模板包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧；所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区，采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作，可以解决现有的掩模板利用效率低、掩模板使用数量多、研发和生产成本高的问题。

Description

掩模板及掩模板使用方法

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种掩模板及掩模板使用方法。

背景技术

当前平板显示行业，制作阵列基板(TFT基板)和彩膜基板(CF基板)时通常采用掩模板曝光方式得到特定设计的图案。通常来说每一道制程都需要制作特定掩模板，而且掩模板价格较为昂贵。当阵列基板(TFT基板)和彩膜基板(CF基板)的膜层数量或制程步骤较多时，高昂的掩模板费用无疑会大大增加研发和生产成本。因此，现有的掩模板利用效率低，掩模板使用数量多，研发和生产成本高。

发明内容

本申请实施例提供一种掩模板及掩模板使用方法。掩模板包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧；所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区，采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作，可以解决现有的掩模板利用效率低、掩模板使用数量多、研发和生产成本高的问题。

本申请实施例提供了一种掩模板，包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧；所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于不同膜层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于同一膜层的不同区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种，所述第二功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，还包括第三曝光区，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区均在不同时间段使用。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区沿同一方向排布。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区和所述第二曝光区沿一方向排布，所述第三曝光区位于与所述第一曝光区和所述第二曝光区相邻的一侧。

相应的，本申请实施例还提供了一种掩模板使用方法，使用上述任一项所述的掩模板，并包括以下步骤：

步骤S100：提供一基底，在所述基底上形成第一膜层，在所述第一膜层上形成第一光阻，使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第一功能膜层，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S200：在所述第一功能膜层上形成第二膜层，在所述第二膜层上形成第二光阻，使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第二功能膜层，此时所述第一曝光区为遮蔽态。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述基底包括第一区域和第二区域；所述步骤S100包括：

步骤S110：在所述第一区域和所述第二区域形成第一膜层、以及位于所述第一膜层上的所述第一光阻；

步骤S120：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S130：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第二区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S140：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第一功能膜层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤S200包括：

步骤S210：在所述第一区域和所述第二区域的所述第一功能膜层上形成第二膜层、以及位于所述第二膜层上的所述第二光阻；

步骤S220：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第一区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S230：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S240：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第二功能膜层。

本申请实施例中，供一种掩模板及掩模板使用方法。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区，采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作，提高了掩模板的利用效率，可以减少新产品研发过程中掩模板使用数量，进而降低研发和生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的第一种掩模板俯视示意图；

图2是本申请一实施例提供的功能膜层的截面示意图；

图3是本申请一实施例提供的又一功能膜层的截面示意图；

图4是本申请一实施例提供的第二种掩模板俯视示意图；

图5是本申请一实施例提供的第三种掩模板俯视示意图；

图6是本申请一实施例提供的掩模板使用方法的流程示意图；

图7是本申请一实施例提供的掩模板使用方法中步骤S100的流程示意图；

图8-11是本申请一实施例提供的掩模板使用方法的过程示意图；

图12是本申请一实施例提供的掩模板使用方法中步骤S200的流程示意图；

图13-17是本申请一实施例提供的掩模板使用方法的又一过程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种掩模板及掩模板使用方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的掩模板10的俯视图，掩模板10包括第一曝光区100和第二曝光区200，第二曝光区200位于第一曝光区100的任意侧；第一曝光区100设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，第二曝光区200设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，第一曝光区100与第二曝光区200在不同时间段工作。

在一些实施例中，请参阅图2，第一曝光区100先于第二曝光区200使用，第一功能膜层31与第二功能膜层32位于不同膜层。

具体的，如图2所示，在衬底30上通过第一曝光区100的第一预设图案形成第一功能膜层31后，再通过第二曝光区200的第二预设图案形成第二功能膜层32。第二功能膜层32可以与第一功能膜层31接触，第二功能膜层32可以不与第一功能膜层31接触，例如在第一功能膜层31和第二功能膜层32之间还存在其他膜层。

在一些实施例中，请参阅图3，第一曝光区100先于第二曝光区200使用，第一功能膜层31与第二功能膜层32位于同一膜层的不同区域。

具体的，如图3所示，在衬底30上通过第一曝光区100的第一预设图案形成第一功能膜层31后，再通过第二曝光区200的第二预设图案形成第二功能膜层32，第一功能膜层31和第二功能膜层32位于同一层。

在一些实施例中，第一功能膜层31为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种，第二功能膜层32为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种。

具体的，例如第一功能膜层31为金属膜层，第二功能膜层32为有机膜层。在液晶显示面板的阵列基板中，例如，第一功能膜层31为数据线层，第二功能膜层32为平坦层。虽然举例说明了第一功能膜层31和第二功能膜层32的材料，但不限于此。

具体的，请继续参阅图1，第一曝光区100和第二曝光区200还可以分别包括对位标记，第一曝光区100包括多个对位标记P1、P2、P3、P4、P5、P6，第二曝光区200包括多个对位标记T1、T2、T3、T4、T5、T6，对位标记的作用是在掩模板10使用过程中将掩模板10与机台或/和衬底等进行对位，以精准完成需求区域的曝光工艺。

具体的，利用掩模板10上的对位标记设计将掩模板10划分为两个区域，利用掩模板10曝光时，可以分步进行，每步曝光可以选用掩模板10的一个曝光区来进行。掩模板10的分区设计配合曝光机挡板的不同遮挡方式以及多步曝光方式可以实现在一张掩模板上不同区域设计一种产品的多道制程，多种产品的同一道制程或多种产品的多道制程，从而增强掩模板设计的产品多样性，提高掩模板的利用率，减少掩模板使用数量，降低研发和生产成本。

具体的，例如在阵列基板制造中，第一曝光区100对应数据线层的图案，第二曝光区200对应平坦层的图案，先用第一曝光区100的第一预设图案形成阵列基板的数据线层的图案，再用第二曝光区200的第二预设图案形成阵列基板的平坦层的图案，即通过一个掩膜板就可以完成阵列基板的数据线层的图案和平坦层的图案的制作，减少了掩模板使用数量，降低了研发和生产成本。

实施例二、

请参阅图4、5，图4、5分别为本申请实施例提供的另两种掩模板10的俯视图，掩模板10还包括第三曝光区300，第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300均在不同时间段使用。

具体的，第一曝光区100设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，第二曝光区200设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，第三曝光区300设置有用于形成第三功能膜层的第三预设图案，其中，第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300均在不同时间段使用。

在一些实施例中，请参阅图4，第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300沿同一方向排布。

在一些实施例中，请参阅图5，第一曝光区100和第二曝光区200沿一方向排布，第三曝光区300位于与第一曝光区100和第二曝光区200区相邻的一侧。

具体的，在一些实施例中，第一曝光区100先于第二曝光区200使用，第二曝光区200先于第三曝光区300使用，第一功能膜层、第二功能膜层、以及第三功能膜层可以位于不同膜层，也可以位于同一膜层，也可以其中两种位于同一膜层。

具体的，在一些实施例中，第一功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种，第二功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种，第三功能膜层可以为不同于第二功能膜层中的一种。

具体的，请继续参阅图4、5，第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300还可以分别包括对位标记，第一曝光区100包括多个对位标记P1、P2、P3、P4、P5、P6，第二曝光区200包括多个对位标记T1、T2、T3、T4、T5、T6，第三曝光区300包括多个对位标记H1、H2、H3、H4、H5、H6，对位标记的作用是在掩模板10使用过程中将掩模板10与机台或/和衬底等进行对位，以精准完成需求区域的曝光工艺。

通过使用本实施例中的掩模板10，可以减少阵列基板、彩膜基板等的制造过程中的掩模板使用数量，降低了研发和生产成本，原理与效果与实施例一相同，在此不再赘述。

虽然举例说明了掩模板10的第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300的排布方式，但不限于此。

虽然举例说明了掩模板10包括第一曝光区100、第二曝光区200和第三曝光区300，但不限于此，掩模板10还可以包括其他数量的掩模板。

实施例三、

请参阅图6，本申请实施例还提供一种上述任一种掩模板的使用方法，掩模板使用方法包括以下步骤：

步骤S100：提供一基底，在基底上形成第一膜层，在第一膜层上形成第一光阻，使用第一曝光区的第一预设图案对第一光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成第一功能膜层，此时第二曝光区为遮蔽态；

步骤S200：在第一功能膜层上形成第二膜层，在第二膜层上形成第二光阻，使用第二曝光区的第二预设图案对第二光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成第二功能膜层，此时第一曝光区为遮蔽态。

在一些实施例中，请参阅图7的掩模板使用步骤以及图8-11的掩模板使用过程示意图，基底20包括第一区域101和第二区域201，步骤S100包括如下步骤S110、S120、S130、S140。

步骤S110：如图8所示，在第一区域101和第二区域201形成第一膜层、以及位于第一膜层上的第一光阻。

步骤S120：如图9所示，使用第一曝光区100的第一预设图案对第一区域101的第一光阻进行曝光处理，此时第二曝光区200为遮蔽态。

具体的，第二曝光区200可以用挡板进行遮蔽处理。

步骤S130：如图10所示，使用第一曝光区100的第一预设图案对第二区域201的第一光阻进行曝光处理，此时第二曝光区200为遮蔽态。

步骤S140：如图11所示，对第一区域101和第二区域201同时进行显影和刻蚀形成第一功能膜层。

在一些实施例中，请参阅图12的掩模板使用步骤以及图8-11的掩模板使用过程示意图，基底20包括第一区域101和第二区域201，步骤S200包括如下步骤S210、S220、S230、S240。

步骤S210：如图8所示，在第一区域101和第二区域201的第一功能膜层上形成第二膜层、以及位于第二膜层上的第二光阻；

步骤S220：如图9所示，使用第二曝光区200的第二预设图案对第一区域101的第二光阻进行曝光处理，此时第一曝光区100为遮蔽态；

具体的，第一曝光区100可以用挡板进行遮蔽处理。

步骤S230：如图10所示，使用第二曝光区200的第二预设图案对第二区域201的第二光阻进行曝光处理，此时第一曝光区100为遮蔽态；

步骤S240：如图11所示，对第一区域101和第二区域201同时进行显影和刻蚀形成第二功能膜层。

利用掩模板10曝光时，可以分步进行，每步曝光可以选用掩模板10的一个曝光区来进行。掩模板10的分区设计配合曝光机挡板的不同遮挡方式以及多步曝光方式可以实现在一张掩模板上不同区域设计一种产品的多道制程，多种产品的同一道制程或多种产品的多道制程。从而增强掩模板设计的产品多样性，提高掩模板的利用率，减少掩模板使用数量，降低研发和生产成本。

具体的，例如在阵列基板制造中，第一曝光区100对应数据线层的图案，第二曝光区200对应平坦层的图案，先用第一曝光区100的第一预设图案形成阵列基板的数据线层的图案，再用第二曝光区200的第二预设图案形成阵列基板的平坦层的图案，即通过一个掩膜板就可以完成阵列基板的数据线层的图案和平坦层的图案的制作，减少了掩模板使用数量，降低了研发和生产成本。

实施例四、

请参阅图13-17，本申请实施例还提供一种实施例二的掩模板的使用方法，基底20包括第一区域101、第二区域201和第三区域301，掩模板使用方法包括以下步骤。

步骤S310：如图13所示，在第一区域101、第二区域201和第三区域301形成第一膜层，以及位于第一膜层上的第一光阻。

步骤S320：如图14所示，使用第一曝光区100的第一预设图案对第一区域101的第一光阻进行曝光处理，此时第二曝光区200和第三曝光区300为遮蔽态。

具体的，第二曝光区200和第三曝光区300可以用挡板进行遮蔽处理。

步骤S330：如图15所示，使用第一曝光区100的第一预设图案对第二区域201的第一光阻进行曝光处理，此时第二曝光区200和第三曝光区300为遮蔽态。

步骤S340：如图16所示，使用第一曝光区100的第一预设图案对第三区域301的第一光阻进行曝光处理，此时第二曝光区200和第三曝光区300为遮蔽态。

步骤S350：如图17所示，对第一区域101、第二区域201和第三区域301同时进行显影和刻蚀形成第一功能膜层。

在一些实施例中，掩膜板的使用方法还包括使用第二曝光区200的第二预设图案在基底20的第一区域101、第二区域201和第三区域301形成第二功能膜层，使用方法与第一曝光区100的使用方法相同或相似，在此不再赘述。

在一些实施例中，掩膜板的使用方法还包括使用第三曝光区300的第三预设图案在基底20的第一区域101、第二区域201和第三区域301形成第三功能膜层，使用方法与第一曝光区100的使用方法相同或相似，在此不再赘述。

本申请实施例的有益效果与上述实施例的有益效果相同，在此不再赘述。

以上对本申请实施例所提供的一种掩膜板及掩膜板使用方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种掩模板，其特征在于，包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧；所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。

2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于不同膜层。

3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于同一膜层的不同区域。

4.如权利要求2或3所述的掩模板，其特征在于，所述第一功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种，所述第二功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种。

5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，还包括第三曝光区，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区均在不同时间段使用。

6.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区沿同一方向排布。

7.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区和所述第二曝光区沿一方向排布，所述第三曝光区位于与所述第一曝光区和所述第二曝光区相邻的一侧。

8.一种掩模板使用方法，其特征在于，使用如权利要求1所述的掩模板，并包括以下步骤：

步骤S100：提供一基底，在所述基底上形成第一膜层，在所述第一膜层上形成第一光阻，使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第一功能膜层，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S200：在所述第一功能膜层上形成第二膜层，在所述第二膜层上形成第二光阻，使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第二功能膜层，此时所述第一曝光区为遮蔽态。

9.如权利要求8所述的掩模板使用方法，其特征在于，所述基底包括第一区域和第二区域；

所述步骤S100包括：

步骤S110：在所述第一区域和所述第二区域形成第一膜层、以及位于所述第一膜层上的所述第一光阻；

步骤S120：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S130：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第二区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S140：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第一功能膜层。

10.如权利要求9所述的掩模板使用方法，其特征在于，

所述步骤S200包括：

步骤S210：在所述第一区域和所述第二区域的所述第一功能膜层上形成第二膜层、以及位于所述第二膜层上的所述第二光阻；

步骤S220：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第一区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S230：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S240：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第二功能膜层。

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