CN111830783A - 一种mmg掩模板的制作方法 - Google Patents

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CN111830783A CN202010714162.7A CN202010714162A CN111830783A CN 111830783 A CN111830783 A CN 111830783A CN 202010714162 A CN202010714162 A CN 202010714162A CN 111830783 A CN111830783 A CN 111830783A
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李春兰
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Hefei Qingyi Photoelectric Co ltd
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50

Abstract

本发明实施例涉及光刻技术领域，公开了一种MMG掩模板的制作方法，该方法通过制作MMG掩模板的数据；分析数据中像素间隔值，将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域；将同一曝光区域内所有panel设计到同一图层；设置每个曝光区域的曝光参数，并在设置好曝光参数后进行格式转换；投入MMG掩模板原材料，根据转换后的曝光参数，按照曝光参数，依序对每个同一图层进行曝光；之后依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板，本发明实施例提供的MMG掩模板的制作方法，在不需要通过光刻机设备自带收费软件功能，实现了MMG掩模板的制作，降低了生产成本。

Description

一种MMG掩模板的制作方法
技术领域
本发明实施例涉及光刻技术领域，特别是涉及一种MMG掩模板的制作方法。
背景技术
MMG掩模板(multi model on glass)作为生产TFT-LCD/AMOLED的一道关键材料之一，近年来对其在制作技术提高的方面也越来越受重视，尤其对在制作MMG布局设计的产品时。所谓MMG产品，是指TFT-LCD/AMOLED面板厂在同一张掩模板上同时设计几种类型规格的panel，而且要求每一种规格的panel均保证产品品质，保证产品品质是指条纹管控及线条精度均匀性控制等方面。对掩模板制作公司来说，通过对MMG这类布局掩模板产品技术的开发，不仅增加了这类订单的生产数量，同时也进步体现在掩模板制作行业内的竟争力提升。
普通掩模板产品，即掩模板上只布局一款panel或者对布局的很多规格panel不做品质要求管控的产品，如图1所示，对其曝光时，通常在设计环节不需要其他辅助设计方面的操作，只需在曝光参数设置该掩模板panel曝光参数，然后对其曝光格式转换，进步完成扫描曝光。既其制作过程为：掩模板制作数据、数据曝光前参数设置、曝光数据格式转换、掩模板原材料投入、曝光、显影、刻蚀、测量、检查、修补、贴膜、包装和出货。
目前对于如图2所示MMG掩模板制作方法是通过光刻机设备自带的软件功能，也能达到MMG方式产品的掩模板品质。其生产制作流程与普通掩模板生产流程大致相同，都是在设计环节不需要采取其他辅助设计，只需要在参数设置环节时，对需要控制品质不同区域的分界坐标点在曝光前参数设置界面设置上。在曝光时，光刻机镜头通过已经设置的坐标点进行曝光。每完成一个区域，镜头参照设置的坐标位置移动到下一个区域，在设置开始曝光点的位置开始曝光。然而这种功能是光刻机软件额外的服务项目，是需要向设备供应商额外付费购买这项服务功能。
因此，亟需一种不需要通过光刻机设备自带收费软件功能的MMG掩模板的制作方法，以完成MMG掩模板制作。
发明内容
本发明实施例主要解决的技术问题是提供一种MMG掩模板的制作方法，能够解决现有MMG掩模板制作需要通过光刻机设备自带收费软件功能，成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例采用的一个技术方案是：提供一种MMG掩模板的制作方法，所述方法包括：
制作MMG掩模板的数据，所述数据包括每个显示屏panel的X轴方向像素间隔值及Y轴方向像素间隔值；
分析所述数据中像素间隔值，将所述数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域；
将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层，或者设置每个所述曝光区域对应的遮盖图层；
设置每个所述曝光区域的曝光参数，并在所述曝光参数设置后进行格式转换；
投入MMG掩模板原材料，根据转换后的所述曝光参数，按照所述曝光参数，依序对每个同一图层进行曝光，或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光；
依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板。
进一步地，所述曝光区域的数量为任意多个，且大于1。
进一步地，所述曝光区域中panel的数量为任意多个，且大于等于1。
进一步地，所述将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层包括：
将同一所述曝光区域设置在对应的一个图层上，以便于每个所述曝光区域对应设置曝光参数。
进一步地，所述设置同一所述曝光区域对应的遮盖图层包括：
将第一曝光区域以外的其他曝光区域设置为第一曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第一曝光区域；
将第二曝光区域以外的其他曝光区域设置为第二曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第二曝光区域；
依照上述方法，逐步完成剩余未曝光的所述曝光区域对应的遮盖图层直至完成全部所述曝光区域的曝光。
进一步地，所述常规掩模板制作流程包括:
对曝光后的制作中MMG掩模板进行显影；
对显影后的制作中MMG掩模板进行刻蚀；
对刻蚀后的制作中MMG掩模板进行测量；
对测量后的制作中MMG掩模板进行检查；
对检查后的制作中MMG掩模板进行修补；
对修补后的制作中MMG掩模板进行贴膜；
对贴膜完成的MMG进行包装并出货。
进一步地，所述曝光工序中顺序可任意设置。
进一步地，曝光区域内的panel尺寸可相同或不同。
进一步地，所述panel内像素图像的大小、形状可相同或不同。
进一步地，所述掩模板原材料包括MMG掩模板原材料或普通掩模板原材料。
本发明实施例的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明实施例提供了一种MMG掩模板的制作方法，该方法通过制作MMG掩模板的数据；分析数据中像素间隔值，将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域；将同一曝光区域内所有panel设计到同一图层，或者设置每个曝光区域对应的遮盖图层；设置每个曝光区域的曝光参数，并将曝光参数进行格式转换；投入MMG掩模板原材料，根据转换后的曝光参数，按照曝光参数，对每个同一图层进行曝光，或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光；依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板，本发明实施例提供的MMG掩模板的制作方法，在不需要通过光刻机设备自带收费软件功能，实现了MMG掩模板的制作，降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明背景技术提供的普通掩模板的同一规格显示屏panel分布设计图；
图2是本发明背景技术提供的一种MMG掩模板的panel分布设计图；
图3是本发明实施例提供的一种MMG掩模板的制作方法的流程图；
图4是本发明实施例提供的同一曝光区域设计到同一图层的示意图；
图5是本发明实施例提供的对第一曝光区域(既A区域)曝光时的其他曝光区域遮挡示意图；
图6是本发明实施例提供的对第二曝光区域(既B区域)曝光时的其他曝光区域遮挡示意图；
图7是本发明实施例提供的对第三曝光区域(既C区域)曝光时的其他曝光区域遮挡示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本发明。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
请参见图3，其示出了一种MMG掩模板的制作方法的流程图，该方法包括但不限于以下步骤：
步骤11：制作MMG掩模板的数据，所述数据包括每个显示屏panel的X轴方向像素间隔值及Y轴方向像素间隔值。
在本发明实施例中，所述数据包括每个显示屏panel的X轴方向像素间隔值及Y轴方向像素间隔值，根据客户设计图制作MMG掩模板的数据，根据需要，统一MMG掩模板上所述panel中像素图像的大小可相同或不同，panel内像素图像的形状、大小可相同或不同；panel尺寸大小可相同或者不同。
步骤12：分析所述数据中像素间隔值，将所述数据中X轴方向像素间隔值(pixelpitch值)相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域。
在本发明实施例中，MMG掩模板的panel混杂排布，通过对MMG掩模板的所述数据进行数据分析，将所述数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域。如图2所示，排布后，第一曝光区域(即A区域)是由8个pixel pitch值像素间隔值相同的panel组成，第二曝光区域(即B区域)是由3个像素间隔值相同的panel组成，而第三曝光区域(即C区域)是由4个像素间隔值相同的panel组合成的一个新曝光区域。在曝光前先对MMG掩模板混杂排布的数据进行数据分析，将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域。目的是为了对一个曝光区域曝光时，对同一曝光区域对相同的曝光处理，防止被误曝光，起到了保护作用。
需要说明的是，像素间隔值相同的panel不一定是同一型号的panel，也就是说，像素间隔值相同的panel可以是2.2”的panel，可以是3.5”的panel，也可以是7.0”的panel，只要满足panel内的关键显示区域同一方向的像素间隔值相同，就可以整体看作成同一个曝光区域。
步骤13：将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层，或者设置每个所述曝光区域对应的遮盖图层。
在本发明实施例中，所述曝光区域的曝光顺序可任意设置。所述曝光区域的数量为任意多个，且大于1，所述曝光区域中panel的数量为任意多个，且大于等于1。所述掩模板数据曝光区域内的图形可不设计成panel图形。
一种优选方式是，所述将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层包括：
将同一所述曝光区域设置在对应的一个图层上，以便于每个所述曝光区域对应设置曝光参数。
在本发明实施例中，如图4所示，可采取将A区域、B区域、C区域曝光的图形更换图层，也就是在设计时，将A、B、C区域的图形放在不相同的图层中，可选择放在layerN、layerN+1、layerN+2。这样设置曝光参数时，分别对layerN、layerN+1、layerN+2进行曝光前参数设置，完成设备接受的曝光格式转换。这种方式也能达到MMG方式的产品掩模板品质需求。
一种优选方式是，所述设置每个所述曝光区域对应的遮盖图层包括：
将第一曝光区域以外的其他曝光区域设置为第一曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第一曝光区域；如图5所示,为了单独曝光A区域的图形，对B区域与C区域的图形采取遮挡的方式。
将第二曝光区域以外的其他曝光区域设置为第二曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第二曝光区域；如图6所示,为了单独曝光B区域的图形，对A区域与C区域的图形采取分段遮挡的方式。
依照上述方法，逐步完成剩余未曝光的所述曝光区域对应的遮盖图层直至完成全部所述曝光区域的曝光。如图7所示,为了单独曝光C区域的图形，对A区域与B区域的图形采取遮挡的方式。
总的来说，若开始对Pixel Pitch值相同的A区域图形曝光，就增加设计一块图形遮盖住B、C的图形；若曝光B区域的图形，增加设计出一块图形将A、C区域的图形遮住；同理，若曝光C区域的图形，增加设计一图形将A、B区域的图形遮住。再依次对A、B、C区域分别曝光参数设置。由于A、B、C区域的图形均放置在同一图层中，不必采取更换图层的繁琐操作，仅仅通过遮盖方式，在曝光参数设置界面，相应的增加两个B、C区域图形的设置界面。该方法可以采用不依顺序遮盖，只要在曝光参数设置界面，对应的设置好需要曝光区域图形参数，然后把非曝光的其他区域的图形遮上，不必考虑遮盖的顺序。曝光机就会按照设置参数的先后顺序曝光，不会存在落掉没被曝光的数据。该方法的曝光所需的时间很太长久。
为了说明方便，此处只是例举了三个曝光区域的情形，但是该方法同样使用更多曝光区域的情形。
步骤14：设置每个所述曝光区域的曝光参数，并将所述曝光参数进行格式转换。
在本发明实施例中，单独设置第一曝光区域、第二曝光区域和第三曝光区域的曝光参数，并将所述曝光参数进行格式转换，转化成为曝光设备接受的曝光数据格式。
步骤15：投入MMG掩模板原材料，根据转换后的所述曝光参数，按照所述曝光参数，对每个同一图层进行曝光，或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光。
在本实施例中，光刻机在曝光时，可分次对同一图层进行曝光。或对像素间隔值相同的A区域作为一个曝光区域开始曝光，依据对A区域设置的曝光参数完成曝光后，光刻机镜头重新定位，按照曝光前参数设置的先后顺序，进步把B区域图形作为一个新的曝光数据，开始对B区域图形曝光；在完成B区域图形的曝光后，曝光机重新定位到C区域，对C区域看作一个新的曝光数据。同理，对C区域的图形进行曝光。直至光刻机对整张MMG掩模板完成了曝光。
步骤16：之后依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板。
在本发明实施例中，所述常规掩模板制作流程包括以下子步骤:
子步骤151：对曝光后的制作中MMG掩模板进行显影。
子步骤152：对显影后的制作中MMG掩模板进行刻蚀。
子步骤153：对刻蚀后的制作中MMG掩模板进行测量。
子步骤154：对测量后的制作中MMG掩模板进行检查。
子步骤155：对检查后的制作中MMG掩模板进行修补。
子步骤156：对修补后的制作中MMG掩模板进行贴膜。
子步骤157：对贴膜完成的MMG进行包装并出货，MMG掩模板制作完成。
本发明实施例提供了一种MMG掩模板的制作方法，该方法通过制作MMG掩模板的数据；分析数据中像素间隔值，将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域；将同一曝光区域内所有panel设计到同一图层，或者设置每个曝光区域对应的遮盖图层；设置每个曝光区域的曝光参数，并将曝光参数进行格式转换；投入MMG掩模板原材料，根据转换后的曝光参数，按照曝光参数，对每个同一图层进行曝光，或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光；之后依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板，本发明实施例提供的MMG掩模板的制作方法，在不需要通过光刻机设备自带收费软件功能，实现了MMG掩模板的制作，降低了生产成本。
通过以上的实施方式的描述，本领域普通技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory,ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory,RAM)等。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
制作MMG掩模板的数据，所述数据包括每个显示屏panel的X轴方向像素间隔值及Y轴方向像素间隔值；
分析所述数据中像素间隔值，将所述数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域；
将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层，或者设置每个所述曝光区域对应的遮盖图层；
设置每个所述曝光区域的曝光参数，并在所述曝光参数设置后进行格式转换；
投入MMG掩模板原材料，根据转换后的所述曝光参数，按照所述曝光参数，依序对每个同一图层进行曝光，或者遮盖图层以外的曝光区域进行曝光；
依照常规掩模板制作流程进行生产，直至获得MMG掩模板。
2.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述曝光区域的数量为任意多个，且大于1。
3.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述曝光区域中panel的数量为任意多个，且大于等于1。
4.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述将同一所述曝光区域内所有panel设计到同一图层包括：
将同一所述曝光区域设置在对应的一个图层上，以便于每个所述曝光区域对应设置曝光参数。
5.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述设置同一所述曝光区域对应的遮盖图层包括：
将第一曝光区域以外的其他曝光区域设置为第一曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第一曝光区域；
将第二曝光区域以外的其他曝光区域设置为第二曝光区域对应的遮盖图层以便于完成单独曝光所述第二曝光区域；
依照上述方法，逐步完成剩余未曝光的所述曝光区域对应的遮盖图层直至完成全部所述曝光区域的曝光。
6.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述常规掩模板制作流程包括:
对曝光后的制作中MMG掩模板进行显影；
对显影后的制作中MMG掩模板进行刻蚀；
对刻蚀后的制作中MMG掩模板进行测量；
对测量后的制作中MMG掩模板进行检查；
对检查后的制作中MMG掩模板进行修补；
对修补后的制作中MMG掩模板进行贴膜；
对贴膜完成的MMG进行包装并出货。
7.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述曝光工序中顺序可任意设置。
8.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述曝光区域内的panel尺寸可相同或不同。
9.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述panel内像素图像的大小、形状可相同或不同。
10.根据权利要求1所述的MMG掩模板的制作方法，其特征在于，所述掩模板原材料包括MMG掩模板原材料或普通掩模板原材料。
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