TWI304520B - Imprint lithography - Google Patents
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Description
1304520 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於壓印微影。 【先前技術】 微影裝置係一將所要圖案施加至一基板之目標部分上的 機器。微影裝置習知用於(例如)積體電路(ic)、平板顯示器 及其它涉及精細結構之設備的製造中。 需要減小微影圖案之特徵尺寸因為此允許在給定之基板 I 面積上具有更大之特徵密度。在光微影中,藉由使用短波 長之輻射可獲得增加的解析度。然而,存在伴隨此等減小 的問題。雖然開始採納使用193 nm波長輻射之微影裝置, 但是即使在此級,繞射限制亦成為一障礙。在較低波長處, 才又衫糸統材料之透明度不良。因此,能增強解析度之光學 、 微影技術將很可能要求複雜的光學器件及稀有材料且因此 很昂貴。 已知為壓印微影之印刷次100 nm特徵的替代性方法包含 • 藉由使用實體模具或模板將一圖案壓印至可壓印介質中而 將一圖案轉移至一基板。該可壓印介質可為一基板或一塗 佈於該基板之表面上的材料。可壓印介質係有作用的或可 用t,光罩”以將-圖案轉移至-底層表面。可提供(例如) 可壓印介質作為沉積於基板(諸如一半導體材料)上的抗蝕 劑,其中由模板界定之圖案將被轉移至該基板。因此,壓 印微影大體上係微米或奈米尺度的成形製程,其中模板 構形界定產生於基板上之圖案。如同光學微影製程一、2之 107248-960525.doc 1304520 可層化圖案以使得壓印微影可大體上用於諸如積體電路製 造的應用中。 壓印微影之解析度僅受模板製造製程之解析度限制。舉 例而言,壓印微影已用於產生具有良好解析度及線邊緣粗 链度之次50 nm範圍之特徵。另外,壓印製程不需要光學微 影製程通常所需要的昂貴的光學器件、高級的照明源或特 殊的抗钮劑材料。 【發明内容】 根據本發明之第一態樣,提供一種壓印方法,其包含為 一基板之的第一及第二間隔目標區域提供可壓印介質;將 該第一及第二間隔目標區域分別與第一及第二模板接觸以 在介質中形成個別第一及第二壓印;將第一及第二模板自 經壓印之介質分離;為該基板之第三及第四間隔目標區域 提供可壓印介f;自介質之第一區域以第—方向將第—模 板位移至介質之第三區域且自介質之第二區域以第二方向 將第二模板位移至介質之第四區域;及將第三及第四目榡 區域分別與第一及第二模板接觸以在介質中形成個別第三 及第四壓印。在-實施例中,壓印介質之分離之第—、第 二、第三及第四容積可提供於基板上以提供介質之間 標區域。 3 第方向可相對於第二方向採取任何理想定向。舉例而 第方向可自第二方向有角度地偏移任何適當角声 使以用於一仏a師β ^ Μ ^ 、 …疋壓印系統之光學方式壓印可壓印介質之各 區域在1施例中,第—方向大體上平行於第二方向。 107248-960525.doc 1304520 “例中’第一及第二模板可同時接觸介質,或者, ^-及第二模板可依序接觸介f。t依序接觸介質時,可 監控及/或㈣每-依序接觸步驟之間的時序以提供一最 佳製紅從而為特定基板壓印特定圖案。
根據本發明之第二態樣,提供—種壓印裝置,立包含一 經組態以固持基板之基板台;-經組態以支撐第-及第二 模板之模板支擇架,該模板支樓架經組態以引起第—及第 二模板分別與基板上可壓印介質之第—及第二間隔目標區 域接觸’從而在介質中形成個別第一及第二壓印並引起第 -及第二模板自經壓印之介質分離;及—經組態以提供可 壓p ;丨質之第谷積的第一分配器及一經組態以提供可壓 印介質之第二容積的第二分配器,從而提供第一及第二間 隔目標區域。 在一實施例中,第一及第二分配器分別與第一及第二模 板相關。第一及第二分配器可分別相對於第一及第二模板 而固定,或可獨立於第一及第二模板而移動。 在一實施例中,第一及第二分配器具備複數個孔徑。該 等複數個孔徑包含孔徑之二維陣列。或者,該等複數個孔 徑包含孔徑之單一列。分配器可與模板之兩個或兩個以上 側相關。 本發明之裝置及方法適用於視需要噴墨製程(例如,步進 快閃式壓印微影- SFIL)中的應用。因此,在一實施例中, 可提供致能此製程之方法及/或裝置。 適當地,分配器可經組態以在基板上提供可壓印介質之 107248-960525.doc I3〇452〇 從而提供第三及第四間隔目標區 分離之第三及第四容積 域。 二方向採取任何理想定向 大體上平行於第二方向。 但 雖然第一方向可相對於第 是在一實施例中,第一方向
模板而固定。或者,模板支撐架 相對於第二模板移動。 模板支撐架係可操作的以使得第—及第二模板同時接觸 "質之第-及第二區域’或者’模板支撐架係可操作的以 使得第一及第二模板依序接觸介質之第一及第二區域。 適當地,模板支撐架經組態以使得第一模板相對於第二 可經組態以使第一模板可 【實施方式】 存在兩種主要的壓印微影方法,其通常稱作熱壓印微影 技術及紫外線壓印微影技術。亦存在一稱作軟微影之第三 種"印刷"微影技術。此等之實例在圖la至圖1〇中加以說 明。 圖la示意性描繪軟微影製程,其包含自可撓性模板1〇(一 般由聚二甲基矽氧烷(PDMS)製造)將一分子層u(一般為諸 如硫醇之墨水)轉移至支撐於基板12及平坦化及轉移層12, 上的抗钱劑層13上。模板1〇在其表面上具有一特徵圖案, 分子層安置於該等特徵上。當模板壓在抗蝕劑層上時,分 子層11黏住抗蝕劑。在將模板自抗蝕劑移除之後,分子層 11則黏住抗蝕劑,抗蝕劑之剩餘層經蝕刻以使得抗蝕劑之 未由所轉移之分子層所覆蓋的區域被向下敍刻至基板處。 用於軟微影之模板容易變形且因為模板之變形可不利地 107248-960525.doc 1304520 影響所壓印之圖案,所以其不適於(例如)奈米尺度之高解析 度之應用。此外,當製造其中同一區域將經多次覆蓋的多 層結構時,軟壓印微影也許不提供奈米尺度的覆蓋精確度。 當用於奈米尺度時,熱壓印微影(或熱凸印)亦稱作奈米壓 印微影(NIL)。該製程使用由更耐磨損及耐變形之(例如)矽 或鎳製得之更硬質模板。例如美國專利第6,482,742號中描 述此且圖1 b中說明此。在一典型熱壓印製程中,固體模板 14被壓印至已鑄造於基板之表面上之熱固性或熱塑性聚合 物樹脂15中。該樹脂可(例如)旋塗並烘焙於基板表面上或更 一般地(如在所說明之實例中)至平坦化及轉移層12,上。應 瞭解描述壓印模板時之術語,,硬質"包括通常認為介於,,硬 質”與1’軟式”材料之間的材料,諸如,,硬質"橡膠。用作壓印 模板之特定材料的適用性由其應用要求來確定。 菖使用熱固性聚合物樹脂時,加熱樹脂至一溫度以使得 當與模板接觸時,該樹脂可充分流動從而流入界定於模板 上之圖案特徵中。隨後,增加樹脂之溫度以熱固化(例如, 父聯)树月曰以使得其凝固並不可逆轉地採用所要圖案。隨 後’可移除模板並冷卻經圖案化之樹脂。 用於熱壓印微影製程中之熱塑性聚合物樹脂的實例係聚 (甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸苯甲酯)或聚 (甲基丙烯酸環己酯)。加熱熱塑性樹脂以使得其處於可自由 流動狀態,緊接著將其與模板壓印。一般需要加熱熱塑性 樹脂至一顯著高於樹脂之玻璃轉變溫度的溫度。將模板擠 壓於可流動樹脂中,且施加足夠之壓力以確保樹脂流入界 107248-960525.doc 1304520 疋於模板上之所有圖案特徵中。隨後,將樹脂冷卻至其玻 璃轉變溫度之下,其中模板處於適當之位置’在該基板上 樹脂不可逆轉地採用所要圖案。該圖案將由來自樹脂之剩 餘層的明顯)特徵組成,隨後可藉由適當之蝕刻製程將剩餘 層移除以僅留下圖案特徵。 當將模板自凝固之樹脂移除之後,兩步驟蝕刻製程一般 如圖2a至圖2c中所說明的加以執行。基板2〇在其上直接具 有平士一化及轉移層21,如圖2a中所展示。平坦化及傳送層 之目的係雙重的。如以下將描述,其用以提供大體上平行 於模板之表面的表面,該表面有助於確保模板與樹脂之間 的接觸係平行的,且亦用以改良所印刷特徵之縱橫比。 在移除模板之後,凝固樹脂之剩餘層22遺留於平坦化及 轉移層21上,形成所要圖案。第—㈣係各向同性的並移 除剩餘層22之部分,從而導致不良之特徵縱橫比,其中li 係特徵23之高度,如圖孔中所展示。第二蝕刻係各向異性 的(或選擇性的)並改良縱橫比。各向異性蝕刻移除平坦化及 轉移層之未由凝固樹脂所覆蓋之彼等部分,從而將特徵 之縱铋比增加至(L2/D),如圖2c中所展示。若經壓印之 聚合例如)作為起離製程中一步驟係足夠耐久的,則蝕刻 之後这遠於基板上之所得聚合物厚度對比度可用作(例如) 光罩以用於乾式蝕刻。 熱壓印微影經受一劣勢在於不僅圖案傳遞必須以較高溫 度執仃’而且可能需要相對大的溫差以確保樹月旨在模板移 示之則充;7地凝固。需要介於35與1〇〇。〇的溫差。隨後,(例 107248-960525.doc 1304520 如)基板與模板之間的差異熱膨脹可導致所傳遞圖案失 真。歸因於可壓印材料之黏性,此可由壓印步驟所需要之 相對高的壓力惡化,其可誘發基板的機械變形,從而使得 圖案再次失真。 另一方面’ uv壓印微影既不涉及如此高的溫度及溫度變 化亦不需要此等黏性之可壓印材料。相反,UV壓印微影涉 及部分或完全使用透明模板及UV固化液體,該液體通常為 諸如丙烯酸酯或曱基丙烯酸脂的單體。通常,可使用任何 光聚合材料,諸如單體與引發劑的混合物。固化液體亦可 (例如)包括二曱基矽氧烧衍生物。此等材料之黏性小於用於 熱壓印微影中之熱固性及熱塑性樹脂,且因此移動更快以 填充模板圖案特徵。低溫度及低壓力操作亦給予較高產出 能力。 圖lc中說明UV壓印製程的實例。以類似於圖lb之製程的 方式將石英模板16施加至uv固化樹脂17。並非如使用熱固 性樹脂之熱壓印中的升高溫度或當使用熱塑性樹脂時之溫 度週期循環,將UV輻射經由石英模板施加至樹脂以將其聚 合且因此固化該聚合物。在模板移除之後,蝕刻抗蝕劑之 剩餘層的剩餘步驟等同於或類似於以上所描述之用於熱壓 印製程的步驟。通常所使用之UV固化樹脂較典型熱塑性樹 脂而言具有低得多的黏度,從而可使用較低壓印壓力。歸 因於較低壓力之減小的物理變形連同歸因於高溫度及溫度 變化而減小的變形使得uv壓印微影適於要求高覆蓋精確 度的應用。另外,與壓印同時,;;¥壓印模板之透明性可提 107248-960525.doc -11- 1304520 供光學對準技術。 雖然此類型之壓印微影主要使用UV固化材料且因此通 吊被稱作UV壓印微影,但是可使用其它波長之輕射以適當 固化所選擇之材料(例如,活化一聚合或交聯反應)。通常, 若可用適當可壓印材料,則可使用能起始該化學反應之任 何輻射。替代性”活化輻射,,可(例如)包括可見光、紅外線輻 射、X射線輻射及電子束輻射。在以上及以下之大體描述 中,對UV壓印微影之參考&uv輻射之使用並非意欲排除此 等及其它活化輻射可能性。 作為使用被維持在大體上平行於基板表面之平坦模板的 壓印系統的替代,已經開發滾筒壓印系統。已提出熱及uv 滾筒壓印系統兩者,其中模板係形成於滾筒上,但是除此 以外,壓印製程極其類似於使用平坦模板的壓印。除非文 本另有規定,對壓印模板之參考包括對滾筒模板之參考。 UV壓印技術存在一特定開發,其稱作步進快閃式壓印微 影(SFIL)並以類似於習知用於IC製造中之光學步進機之方 式以小步進圖案化基板。此涉及藉由將模板壓印至uv固化 樹脂中而印刷小面積之基板、”快閃,,uv輻射穿過模板以固 化模板下之樹脂、移除模板、步進基板之鄰近區域及重複 該操作。此步進之小範圍尺寸及重複製程有助於減小圖案 失真及CD變化,以使得SFIL可特定適於製造需要高覆蓋精 確度的I c及其它設備。 雖然原則上UV固化樹脂可(例如)藉由旋塗而塗覆至整個 基板表面,但是歸因於UV固化樹脂之揮發性,此為有問題 107248-960525.doc -12- 1304520 的0 一種處理此問題之方法係所謂的”視需要噴墨"製程,其 中將樹脂以小液滴分配於基板之目標部分上,其後緊接著 用模板將其壓印。控制該液體分配以使得預定:積之液體 沉積於基板之特定目標部分上。可以各種圖案分配液體且 可使用謹慎控制液體容積與圖案置放的組合以限制目標面 積之圖案化。 Λ
所提及之視需要分配樹脂並非無關緊要之事。謹慎控制 小液滴之尺寸及間隔以確保存在足夠樹脂來填充模:特 徵,而同時最小化可滾動而產生不良厚度或不均句剩餘層 的過多樹脂’因為-旦鄰近液滴觸碰樹脂,其將無處流/ 雖然以上已對將υν固化液體沉積至基板上作出參考,但 是液體亦可沉積於模板上且通常將應用相同技術及考慮。 圖3說明模板、可壓印材料(固化單體、熱固性樹脂、熱 塑性等)及基板之相對尺寸。基板之寬度D與固化樹脂層之 厚度t之比約為106。將瞭解,為避免自模板突出之特徵損壞 基板’尺寸t應大於模板上突出特徵的深度。 雖然壓印之後遺留之可壓印材料的剩餘層用於突出底層 基板,但是亦影響獲得高的解析度及/或覆蓋精確度。第一 ”突破”钱刻係各向同性的(非選擇性的)且因此將一定程度 侵蝕經壓印之特徵以及剩餘層。若剩餘層過厚及/或不均 勻’則此會受到惡化。 此韻刻了(例如)導致最終形成於底層基板上之特徵厚度 的變化(意即,臨界尺寸之變化)。在第二各向異性蝕刻中, 107248-960525.doc -13- 1304520 =於轉移層中之特徵厚度的均_性取決㈣脂中所遺留 :仏之形狀的縱橫比及完整性。若剩餘樹脂層係不均勻 :’則非選擇性第一蝕刻可為一些此等特徵遺留,,圓形的" 盍,以使得其未能經充分良好界定以確保第二及任何隨後 蝕刻製程中之特徵厚度的良妤均一性。
B雖然原則上藉由麵剩餘層盡可能地薄可減小以上問 通’但是此可需要應用不良地大的應力(可能增加基板變形) 及相對長的壓印時間(可能減小產出)。 所述模板表面上之特徵的解析度係印刷於基板上 之可獲得之特徵解析度的限制因子。用於熱及⑽壓印微影 之模板通常形成於兩階段製程令。初始地,所要圖案藉由 使用(例如)經寫入以在抗蝕劑中提供高解析度圖案之電子 束而得以寫入。隨後,將抗钱劑圖案轉移至一鉻的薄層中, 其形成用於最終的'各向異性蝕刻步驟的光罩以將圖案轉 移至模板之基底材料中。可使用諸如離子束微影、χ射線微 影、極紫外光微影、磊晶成長、薄膜沉積、化學蝕刻、電 漿蝕刻、離子蝕刻或離子研磨的其它技術。通常,因為模 板有效地為1χ光罩,其中所轉移之圖案的解析度受模板上 之圖案的解析度限制,所以需要一能獲得極高解析度之技 術0 模板之釋放特性亦需要考慮。模板可(例如)由一表面處理 材料來處理以在具有低的表面能量之模板上形成薄的釋放 層(一薄釋放層亦可沉積於基板上)。 在開發壓印微影時之另一考慮係模板的機械耐久性。該模 107248-960525.doc -14- 1304520 板在可壓印介質壓印期間經受大的力,且在熱壓印微影之狀 況下,其亦經受高壓及高溫。該力、壓力及/或溫度可引起 模板之磨損且可不利地影響壓印於基板上之圖案的形狀。 在熱壓印微影中,藉由使用與待圖案化基板相同或類似 之材料的模板可實現潛在優勢從而有助於減小兩者間之差 異熱膨脹。在uv壓印微影中,模板對活化輻射係至少部分 透明的,且因此使用石英模板。 雖然本文中特定參考1C之製造中壓印微影的使用,但是 Φ 應瞭解所描述之壓印裝置及方法可具有其它應用,諸如製 造積體光學系統、磁域記憶體之導引及偵測圖案、硬碟磁 性媒體、平板顯示器、薄膜磁頭等。 雖然以上描述中已特別參考壓印微影之使用以經由有效 充當抗餘劑之可壓印樹脂將模板圖案轉移至基板,但是在 一些情形中,可壓印材料自身可為一功能材料,例如具有 諸如傳導性、光學線性或非線性回應等的功能。舉例而言, _ 該功能材料可形成傳導層、半傳導層、介電層或具有另一 所要機械、電子或光學特性之層。一些有機物質亦可為適 當之功能材料。此等應用可在本發明之一或多個實施例之 範臂内。 壓印微影系統在減小的特徵寬度方面提供優於光學微影 之優勢。然而,用於壓印及固化基板上每一位置處之樹脂 的時間可限制壓印微影系統之產出且因此限制採用壓印微 影之可能的經濟優勢。 本發明之一實施例涉及使用位於相同壓印裝置、彼此平 107248-960525.doc -15- 1304520 行操作的複數個模板而非使用該裝置上之單一模板。 圖4說明大體上由可壓印介質覆蓋的基板4〇。第一模板41 及第二模板42彼此平行移動且彼此鄰近以將模板41、42所 界定之圖案分別壓印於可壓印介質中,隨後藉由一或多輪 餘刻在該基板中重複此製程以移除在壓印之後遺留於圖案 特徵之間的可壓印介質之剩餘層並隨後蝕刻在剩餘層下面 的基板之曝露區域。 在一實施例中,模板相對彼此而固定以使得其總印刷具有 | 固定空間分離之區域。根據替代性實施例,模板係相對於彼 此自由移動,以較好或最佳覆蓋待印刷之表面區域。此實施 例之改進方法涉及至少一個模板,該模板具有小於另一模板 (或其它模板)之面積的面積。在此系統中,較大模板可壓印 基板之主要面積而較小模板可環繞印刷區域之邊緣或在較 大模板所遺留之經印刷區域之間的間隙之間移動。 以上實施例自身可適用於在壓印之前其中將可壓印介質 施加至所需要基板而非分配於整個基板上的視需要喷墨製 t 程(例如,SFIL)的特殊應用中。圖5中說明此配置。基板5〇 之一部分藉由使用彼此反向平行移動且彼此鄰近的第一模 板51及第二模板52而圖案化。每一模板51、52具有相關分 配器53、54 ’其經組態以基於視需要喷墨來為直接在模板 51、52前面(意即’在接著待壓印之基板的目標部分上)的可 壓印介質55,、56配量容積。該視需要喷墨分配器可(例如) 經安裝以與個別模板一起移動。 圖6展示本發明之替代性實施例。基板6〇之部分(該等部 107248-960525.doc -16- 1304520 分由虛線描繪)藉由使用第一模板61及第二模板62而圖案 化。模板固持器63、64固持壓印模板61、62。壓印模板61、
62及模板固持器63、64彼此平行移動且彼此鄰近,如箭頭A 所指示。 每一模板61、62具有相關之複數個分配器65至68。當彼 等位於壓印模板61、62前面之分配器66、67以所指示方向 移動時,其經組態以在壓印模板之前配量可壓印介質容積 (未圖示)。此係在視需要喷墨基礎上得以完成。分配器66 ' 67係固定於模板固持器63、64,且與壓印模板61、62分離 一預定距離。此允許在沉積可壓印介質與將壓印模板施加 至可壓印介質之間設定固定時序以使得基板之所有部分具 有相同固定時序,從而為基板上之所有部分提供極均一製 私條件(其提供較好良率)。由於分配器靠近模板,故沉積可 壓印介質與將壓印模板施加至可壓印介質之間的固定時序 可極短,其可有利於產出並可降低在將壓印模板施加至可 壓印介質之前可壓印介質的蒸發量。 在一些情況下,可能需要在壓印之前以x方向(此包括乂方 向之反方向)移動壓印模板61、62。在完成此之處,可使用 提供於模板固持器63、64之適當側處的分配器65、68。將瞭 解需要時可將分配器提供於模板固持器63、64之其它側上。 分配器65至68各自包含複數個孔徑(此等(例如)可為噴墨 喷嘴),其經組態以將一可壓印介質之液滴陣列分配至基板 60上。該等複數個孔徑可(例如)為一二維陣列,如圖6中所 展示。該可壓印介質之液滴陣列可(例如)經配置以對應於壓 107248-960525.doc •17- 1304520 印模板61、62之尺寸。 圖7展示本發明之另一替代性實施例。圖7中所展示之實 施例對應於圖6中所展示之大部分,除了每一分配器71至74 包含一單一列孔徑而非每一分配器包含一孔徑陣列以用於 分配可壓印介質。該孔徑可例如為喷墨噴嘴。在使用此類 型之分配器處,當模板固持器63、64在壓印位置之間移動 時可分配可壓印介質。此允許在(例如)基板之待壓印部分上 分佈可壓印介質。 雖然在本發明之一些上述實施例中已提及附著至模板固 持器的分配器,但是將瞭解在一些情況下分配器係直接附 著於壓印模板。通常,分酉己器與壓印模板相關聯,且可認 為其係相對於壓印模板而固定。 藉由為每一模板在沉積可壓印介質與壓印之間設定時序 來改良或最佳化系統之產出,以使得壓印可同步或非同步 發生。藉由適當配置壓印及發生之時間,可為兩個模板系 統實現大約3 0至7 0 %之產出改良。 雖然以上已描述本發明之特殊實施例,但是將瞭解本發 明之實施方法亦可不同於所描述之實施方》去。該描述並非 意欲限制本發明。舉例而言,可使用具有任何適當尺寸及/ 或形狀之任何數目的模板以符合特定應用。此外,可監視 並控制模板環繞基板而移動之速度以提供良好或最佳壓印 速率以獲得特殊基板尺寸及圖案密度。 【圖式簡單說明】 圖la至lc分別說明習知之軟、熱&uv微影製程的實例; 107248-960525.doc -18 - 1304520 圖2說明當使用熱及uv壓印微影以圖案化抗蝕劑層時所 使用的兩個步驟蝕刻製程; 圖3說明與沉積於基板上之典型可壓印抗蝕劑層之厚度 相比的模板特徵的相對尺寸; 圖4說明根據本發明之一實施例之多壓印印刷配置; 圖5說明根據本發明之一實施例的替代性多壓印印刷配 置,其中藉由視需要喷墨提供可壓印介質;
圖6說明根據本發明之一實施例的另一替代性多壓印印 刷配置,其中藉由視需要喷墨提供可壓印介質;及 圖7說明根據本發明之一實施例的另一替代性多壓印印 刷配置,其中藉由視需要噴墨提供可壓印介質。 【主要元件符號說明】 1〇 可撓性模板 11 分子層 12 基板 12*平坦化及轉移層 13 抗蝕劑層 14 固體模板 15熱固性或熱塑性聚合物樹脂 16 石英模板 17 UV固化樹脂 20 基板 21 平坦化及轉移層 22 剩餘層 107248-960525.doc -19- 1304520
23 .特徵 40 基板 41 第一模板 42 第二模板 50 基板 51 第一模板 52 第二模板 53 分配器 54 分配器 55 可壓印介質 56 可壓印介質 60 基板 61 第一模板/壓印模板 62 第二模板/壓印模板 63 模板固持器 64 模板固持器 65 分配器 66 分配器 67 分配器 68 分配器 71 分配器 72 分配器 73 分配器 74 分配器 107248-960525.doc -20-
Claims (1)
- 公告本 十、申請蓴羽裏1^ 1304520 壓印方法,其包含 | ^ ^ X8^ 〜 六匕· 4基板之第一及第二間隔目標區域提供可壓印介 J 將該第一及續笛一 M 弟一間^目標區域分別與第一及第二模 板接觸:在該介質中形成個別第一及第二壓印; :第及邊第二模板與該經壓印之介質分離; :…基板之第二及第四間隔目標區域提供可壓印介 質; 、第方向將该第一模板自該介質之該第一區域移 至該介質之一唾一 、 第二區域並以一第二方向將該第二模板自 該"質之該第二區域移至該介質之-第四區域;及 將該第二;^分姑· 一 ^第四目標區域分別與該第一及該第二模 觸乂在邊介質中形成個別第三及第四壓印。 2.如請求項1之古 八、 法,其包含在該基板上提供該可壓印介質 々的第、第二、第三及第四容積以提供該介質之 該等間隔目標區域。 、 3 ·如請求項1 > f、、t # i 、 法’其中該第一方向大體上平行於該第二 方向。 4 ·如請求項1 >女 介質。、方法,其中該第一及該第二模板同時接觸該 介質"。、員丨之方法,其中該第一及該第二模板依序接觸該 6. -種壓印裝置,其包含: 107248-960525.doc 1304520 一經組態以固持一基板之基板台; 一經組態以支撐第一及第二模板之模板支撐架,該模 板支撐架經組態以引起該第一及該第二模板分別接觸該 土板上之了壓印介質的第一及第二間隔目標區域以在 該介質中形成個別第_及第二壓印並引起該第_及該第 二模板與該經壓印之介質分離;及 一經組態以提供該可壓印介質之一第一容積的第一分 配器及經組悲以提供該可壓印介質之一第二容積的第 一分配器,以提供該第一及該第二間隔目標區域。 7·如喷求項6之裝置,其中該第一及該第二分配器分別與該 第一及該第二模板相關聯。 8·如請求項7之裝置,其中該第一及該第二分配器分別相對 於該第一及該第二模板而固定。 9·如請求項7之裝置,其中該第一及該第二分配器具備複數 個孔徑。 1 〇·如明求項9之裝置,其中該等複數個孔徑包含孔徑之一個 二維陣列。 如明求項9之裝置,其中該等複數個孔徑包含孔徑之一個 單一列。 12·如请求項6之裝置,其中該等分配器係組態以在該基板上 提供该可壓印介質之分離的第三及第四容積以提供第三 及第四間隔目標區域。 13 ·如請灰q …月&項12之裝置,其中該模板支撐架係可操作的以使 仔在该第一及該第二模板與該經壓印介質之該第一及該 107248-960525.doc 1304520 第二區域分離之後,該第一模板自該介質之該第一區域 以一第一方向移至該介質之該第三區域且該第二模板自 孩介質之該第二區域以一第二方向移至該介質之該第四 區域’且該模板支撐架係可操作的以引起該第三及該第 四目標區域分別與該第一及該第二模板接觸以在該介質 中形成個別第三及第四壓印。 14·如明求項13之裝置,其中該第一方向大體上平行於該第 二方向。15·如明求項6之裝置,其中該模板支撐架係可操作的以使得 該第及該第二模板同時接觸該介質之該第一及該第二 區域。 16.如=求項6之震置’其中該模板支撐架係可操作的以使得 該第一及該第二模板依序接觸該介質之該第一及該第二 區域。 月求員6之政置,其中該模板支撐架經組態以使得該第 一模板相對於該第二模板而固定。 18·如et求項6之裝置’其中該模板支撐架經組態以使得該第 一模板可相對於該第二模板移動。 107248-960525.doc 1304520 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(4 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明·· 40 基板 41 第一 模板 42 第二 模板 • 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無)107248-960525.doc -4-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/019,521 US7676088B2 (en) | 2004-12-23 | 2004-12-23 | Imprint lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200632563A TW200632563A (en) | 2006-09-16 |
TWI304520B true TWI304520B (en) | 2008-12-21 |
Family
ID=36577410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094145957A TWI304520B (en) | 2004-12-23 | 2005-12-22 | Imprint lithography |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7676088B2 (zh) |
EP (1) | EP1688790B1 (zh) |
JP (7) | JP4384631B2 (zh) |
KR (1) | KR100674223B1 (zh) |
CN (3) | CN102540708B (zh) |
SG (1) | SG123748A1 (zh) |
TW (1) | TWI304520B (zh) |
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- 2005-12-12 EP EP20050257614 patent/EP1688790B1/en active Active
- 2005-12-16 US US11/303,026 patent/US7636475B2/en active Active
- 2005-12-21 JP JP2005367350A patent/JP4384631B2/ja active Active
- 2005-12-21 SG SG200508283A patent/SG123748A1/en unknown
- 2005-12-22 CN CN2012100362249A patent/CN102540708B/zh active Active
- 2005-12-22 CN CN2005101047203A patent/CN1800974B/zh active Active
- 2005-12-22 CN CN201210036222XA patent/CN102540707B/zh active Active
- 2005-12-22 TW TW094145957A patent/TWI304520B/zh active
- 2005-12-22 KR KR1020050127676A patent/KR100674223B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-24 JP JP2009072540A patent/JP2009147380A/ja active Pending
- 2009-10-08 JP JP2009234237A patent/JP2010010708A/ja active Pending
- 2009-11-10 US US12/615,505 patent/US8131078B2/en active Active
-
2011
- 2011-11-29 JP JP2011260273A patent/JP5539295B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-08 US US13/369,026 patent/US8571318B2/en active Active
- 2012-08-16 JP JP2012180407A patent/JP5427930B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-04 JP JP2014041529A patent/JP5753292B2/ja active Active
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- 2015-04-03 JP JP2015076523A patent/JP5883527B2/ja active Active
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JP5753292B2 (ja) | 2015-07-22 |
CN102540708B (zh) | 2013-10-16 |
CN102540707B (zh) | 2013-10-16 |
JP2006203183A (ja) | 2006-08-03 |
US20120133076A1 (en) | 2012-05-31 |
KR100674223B1 (ko) | 2007-01-25 |
JP2010010708A (ja) | 2010-01-14 |
JP2015128190A (ja) | 2015-07-09 |
TW200632563A (en) | 2006-09-16 |
US20060137555A1 (en) | 2006-06-29 |
KR20060073477A (ko) | 2006-06-28 |
JP5427930B2 (ja) | 2014-02-26 |
EP1688790B1 (en) | 2015-05-20 |
US7676088B2 (en) | 2010-03-09 |
JP5883527B2 (ja) | 2016-03-15 |
CN102540708A (zh) | 2012-07-04 |
EP1688790A2 (en) | 2006-08-09 |
JP2012049569A (ja) | 2012-03-08 |
JP4384631B2 (ja) | 2009-12-16 |
JP2014103421A (ja) | 2014-06-05 |
CN1800974B (zh) | 2012-04-25 |
JP2012227555A (ja) | 2012-11-15 |
US20100050893A1 (en) | 2010-03-04 |
US7636475B2 (en) | 2009-12-22 |
US8571318B2 (en) | 2013-10-29 |
CN1800974A (zh) | 2006-07-12 |
JP2009147380A (ja) | 2009-07-02 |
EP1688790A3 (en) | 2006-11-15 |
CN102540707A (zh) | 2012-07-04 |
US20060159305A1 (en) | 2006-07-20 |
SG123748A1 (en) | 2006-07-26 |
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