JP2003287605A - 光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置 - Google Patents
光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置Info
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- JP2003287605A JP2003287605A JP2002089807A JP2002089807A JP2003287605A JP 2003287605 A JP2003287605 A JP 2003287605A JP 2002089807 A JP2002089807 A JP 2002089807A JP 2002089807 A JP2002089807 A JP 2002089807A JP 2003287605 A JP2003287605 A JP 2003287605A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光透過性基板の面上に薄膜パターンを効率良
く形成でき、基板の大面積化にも対応できる光学基板の
製造方法を目的とする。 【解決手段】 光透過性基板１０上に、ＳＡＭｓパター
ン２２を形成する工程と、ＳＡＭｓパターン２２上にブ
ラックマトリクス２４を形成する工程を有する光学基板
の製造方法であって、１枚の光透過性基板１０上に形成
されるＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パターンに分
割して、各部分パターンをマイクロコンタクトプリンテ
ィングによりそれぞれ形成する。
く形成でき、基板の大面積化にも対応できる光学基板の
製造方法を目的とする。 【解決手段】 光透過性基板１０上に、ＳＡＭｓパター
ン２２を形成する工程と、ＳＡＭｓパターン２２上にブ
ラックマトリクス２４を形成する工程を有する光学基板
の製造方法であって、１枚の光透過性基板１０上に形成
されるＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パターンに分
割して、各部分パターンをマイクロコンタクトプリンテ
ィングによりそれぞれ形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学基板、光学基
板の製造方法、光学基板の製造装置、および光学装置に
関する。
板の製造方法、光学基板の製造装置、および光学装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光透過性基板の面上にブラックマ
トリクス等の薄膜パターンを形成して光学基板を製造す
るには、フォトリソグラフィの技術を適用することが多
かった。フォトリソグラフィでは、薄膜の上にフォトレ
ジストの層を形成し、これを露光し、現像して、レジス
トパターンを形成する。そして、該レジストパターンを
エッチングマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパ
ターニングする。その後、レジストパターンを除去す
る。図１０（Ａ）〜（Ｅ）は、従来のブラックマトリク
スを形成する方法を例示した工程図である。この例で
は、まず図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マイクロ
レンズアレイ１２のレンズ面上に接着剤１４を介して光
透過性基板１０を取り付けた後、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、光透過性基板１０の全面にブラックマトリクスを
形成する材料からなる薄膜１３を形成する。次いで図１
０（Ｄ）に示すように、薄膜１３上にレジストパターン
１５を形成する。このレジストパターン１５の形成は、
前記薄膜１３上の全面にフォトレジスト層を形成し、そ
の上にフォトマスクを設けた状態で露光した後、現像す
ることによりフォトレジスト層をパターニングして行な
う。そして、レジストパターン１５をエッチングマスク
として薄膜１３をエッチングしてパターニングすること
により、図１０（Ｅ）に示すようにパターン化された薄
膜１３からなるブラックマトリクス１３ａが形成され
る。
トリクス等の薄膜パターンを形成して光学基板を製造す
るには、フォトリソグラフィの技術を適用することが多
かった。フォトリソグラフィでは、薄膜の上にフォトレ
ジストの層を形成し、これを露光し、現像して、レジス
トパターンを形成する。そして、該レジストパターンを
エッチングマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパ
ターニングする。その後、レジストパターンを除去す
る。図１０（Ａ）〜（Ｅ）は、従来のブラックマトリク
スを形成する方法を例示した工程図である。この例で
は、まず図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マイクロ
レンズアレイ１２のレンズ面上に接着剤１４を介して光
透過性基板１０を取り付けた後、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、光透過性基板１０の全面にブラックマトリクスを
形成する材料からなる薄膜１３を形成する。次いで図１
０（Ｄ）に示すように、薄膜１３上にレジストパターン
１５を形成する。このレジストパターン１５の形成は、
前記薄膜１３上の全面にフォトレジスト層を形成し、そ
の上にフォトマスクを設けた状態で露光した後、現像す
ることによりフォトレジスト層をパターニングして行な
う。そして、レジストパターン１５をエッチングマスク
として薄膜１３をエッチングしてパターニングすること
により、図１０（Ｅ）に示すようにパターン化された薄
膜１３からなるブラックマトリクス１３ａが形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のフ
ォトリソグラフィを用いた方法では多くの工程を必要と
し、製造するのに長い時間を必要とした。また、通常は
１枚の光透過性基板１０の面上にチップ複数個分の薄膜
パターンを形成し、最後に個々のチップ毎に切り分ける
方法が用いられるが、近年は、製造効率を上げるため
に、光透過性基板１０を大面積化して、１枚の光透過性
基板１０の面上に形成するチップの個数を増大させるこ
とが要望されている。本発明は上記事情に鑑みてなされ
たもので、光透過性基板の面上に薄膜パターンを効率良
く形成することができ、基板の大面積化にも対応できる
光学基板の製造方法および製造装置、ならびにその方法
により得られる光学基板および光学装置を提供すること
を目的とする。
ォトリソグラフィを用いた方法では多くの工程を必要と
し、製造するのに長い時間を必要とした。また、通常は
１枚の光透過性基板１０の面上にチップ複数個分の薄膜
パターンを形成し、最後に個々のチップ毎に切り分ける
方法が用いられるが、近年は、製造効率を上げるため
に、光透過性基板１０を大面積化して、１枚の光透過性
基板１０の面上に形成するチップの個数を増大させるこ
とが要望されている。本発明は上記事情に鑑みてなされ
たもので、光透過性基板の面上に薄膜パターンを効率良
く形成することができ、基板の大面積化にも対応できる
光学基板の製造方法および製造装置、ならびにその方法
により得られる光学基板および光学装置を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の光学基板
の製造方法は、光透過性基板上に、自己組織化単分子層
のパターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子層
のパターン上、または前記自己組織化単分子層のパター
ンが形成されていない領域の光透過性基板上のいずれか
に薄膜パターンを形成する工程を有する光学基板の製造
方法であって、１枚の光透過性基板上に形成される前記
自己組織化単分子層のパターンを複数の部分パターンに
分割して、各部分パターンをマイクロコンタクトプリン
ティングによりそれぞれ形成することを特徴とする。
の製造方法は、光透過性基板上に、自己組織化単分子層
のパターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子層
のパターン上、または前記自己組織化単分子層のパター
ンが形成されていない領域の光透過性基板上のいずれか
に薄膜パターンを形成する工程を有する光学基板の製造
方法であって、１枚の光透過性基板上に形成される前記
自己組織化単分子層のパターンを複数の部分パターンに
分割して、各部分パターンをマイクロコンタクトプリン
ティングによりそれぞれ形成することを特徴とする。
【０００５】この製造方法によれば、自己組織化単分子
層が、前記薄膜パターンを形成するための材料が優先的
に堆積される表面特性を有し、前記光透過性基板が、前
記自己組織化単分子層に比較して前記薄膜パターンを形
成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよう
に構成して、前記自己組織化単分子層のパターン上に薄
膜パターンを少ない工程で、簡単に効率良く形成するこ
とができる。または、光透過性基板が、前記薄膜パター
ンを形成するための材料が優先的に堆積される表面特性
を有し、前記自己組織化単分子層が、前記光透過性基板
に比較して前記薄膜パターンを形成するための材料が堆
積され難い表面特性を有するように構成して、前記自己
組織化単分子層のパターンが形成されていない領域の光
透過性基板上に薄膜パターンを少ない工程で、簡単に効
率良く形成することができる。また、１枚の光透過性基
板上に形成される前記自己組織化単分子層のパターンを
複数の部分パターンに分割して、各部分パターンをマイ
クロコンタクトプリンティングによりそれぞれ形成する
ことにより、光透過性基板に多少の反りが生じていて
も、形状精度に優れた自己組織化単分子層のパターン
を、再現性良く形成することができる。従って、面積が
大きい領域に対しても、薄膜パターンを精度良く製造す
ることができるので、信頼性に優れた光学基板が得られ
る。また、光透過性基板の面全体に対して一括的に、マ
イクロコンタクトプリンティングで自己組織化単分子層
を形成する場合に比べて、製造装置の小型化を達成する
ことができるほか、材料の無駄を少なくして材料の使用
効率を向上させることができ、コストの削減を図ること
ができる。
層が、前記薄膜パターンを形成するための材料が優先的
に堆積される表面特性を有し、前記光透過性基板が、前
記自己組織化単分子層に比較して前記薄膜パターンを形
成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよう
に構成して、前記自己組織化単分子層のパターン上に薄
膜パターンを少ない工程で、簡単に効率良く形成するこ
とができる。または、光透過性基板が、前記薄膜パター
ンを形成するための材料が優先的に堆積される表面特性
を有し、前記自己組織化単分子層が、前記光透過性基板
に比較して前記薄膜パターンを形成するための材料が堆
積され難い表面特性を有するように構成して、前記自己
組織化単分子層のパターンが形成されていない領域の光
透過性基板上に薄膜パターンを少ない工程で、簡単に効
率良く形成することができる。また、１枚の光透過性基
板上に形成される前記自己組織化単分子層のパターンを
複数の部分パターンに分割して、各部分パターンをマイ
クロコンタクトプリンティングによりそれぞれ形成する
ことにより、光透過性基板に多少の反りが生じていて
も、形状精度に優れた自己組織化単分子層のパターン
を、再現性良く形成することができる。従って、面積が
大きい領域に対しても、薄膜パターンを精度良く製造す
ることができるので、信頼性に優れた光学基板が得られ
る。また、光透過性基板の面全体に対して一括的に、マ
イクロコンタクトプリンティングで自己組織化単分子層
を形成する場合に比べて、製造装置の小型化を達成する
ことができるほか、材料の無駄を少なくして材料の使用
効率を向上させることができ、コストの削減を図ること
ができる。
【０００６】本発明の第２の光学基板の製造方法は、光
透過性基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に自
己組織化単分子層のパターンを形成する工程と、該自己
組織化単分子層のパターンをマスクとして前記薄膜をエ
ッチングする工程を有する光学基板の製造方法であっ
て、１枚の光透過性基板上に形成される前記自己組織化
単分子層のパターンを複数の部分パターンに分割して、
各部分パターンをマイクロコンタクトプリンティングに
よりそれぞれ形成することを特徴とする。
透過性基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に自
己組織化単分子層のパターンを形成する工程と、該自己
組織化単分子層のパターンをマスクとして前記薄膜をエ
ッチングする工程を有する光学基板の製造方法であっ
て、１枚の光透過性基板上に形成される前記自己組織化
単分子層のパターンを複数の部分パターンに分割して、
各部分パターンをマイクロコンタクトプリンティングに
よりそれぞれ形成することを特徴とする。
【０００７】この製造方法によれば、自己組織化単分子
層のパターンからなるエッチングマスクをマイクロコン
タクトプリンティングにより形成することにより、従来
のレジストパターンからなるエッチングマスクを形成す
るための露光、現像工程が不要となるので、薄膜パター
ンを少ない工程数で効率良く形成することができる。ま
た、前記第１の光学基板の製造方法と同様に、部分パタ
ーンをマイクロコンタクトプリンティングによりそれぞ
れ形成することにより、面積が大きい領域に対して、形
状精度の高い自己組織化単分子層のパターンを再現性良
く形成することができるので、薄膜パターンを精度良く
製造することができるとともに、製造装置の小型化、材
料の使用効率の向上、およびコストの削減を図ることが
できる。
層のパターンからなるエッチングマスクをマイクロコン
タクトプリンティングにより形成することにより、従来
のレジストパターンからなるエッチングマスクを形成す
るための露光、現像工程が不要となるので、薄膜パター
ンを少ない工程数で効率良く形成することができる。ま
た、前記第１の光学基板の製造方法と同様に、部分パタ
ーンをマイクロコンタクトプリンティングによりそれぞ
れ形成することにより、面積が大きい領域に対して、形
状精度の高い自己組織化単分子層のパターンを再現性良
く形成することができるので、薄膜パターンを精度良く
製造することができるとともに、製造装置の小型化、材
料の使用効率の向上、およびコストの削減を図ることが
できる。
【０００８】本発明の第３の光学基板の製造方法は、光
透過性基板上に、自己組織化単分子層のパターンを形成
する工程と、前記自己組織化単分子層のパターン上、ま
たは前記自己組織化単分子層のパターンが形成されてい
ない領域の光透過性基板上のいずれかに薄膜パターンを
形成する工程を有する光学基板の製造方法であって、前
記自己組織化単分子層のパターンを形成する工程におい
て、前記光透過性基板上に、放射線の照射によって前記
光透過性基板との結合が切れる性質を有する自己組織化
単分子層を形成した後、該自己組織化単分子層上にマス
クおよび放射線透過性を有する重し層を順に積層させた
状態で、前記自己組織化単分子層に対して放射線照射を
行なうことによって、該自己組織化単分子層をパターニ
ングするとともに、１枚の光透過性基板上に形成される
前記重し層を複数の部分重し層に分割して設け、該部分
重し層が設けられている領域に前記放射線の照射を行な
うことを特徴とする。
透過性基板上に、自己組織化単分子層のパターンを形成
する工程と、前記自己組織化単分子層のパターン上、ま
たは前記自己組織化単分子層のパターンが形成されてい
ない領域の光透過性基板上のいずれかに薄膜パターンを
形成する工程を有する光学基板の製造方法であって、前
記自己組織化単分子層のパターンを形成する工程におい
て、前記光透過性基板上に、放射線の照射によって前記
光透過性基板との結合が切れる性質を有する自己組織化
単分子層を形成した後、該自己組織化単分子層上にマス
クおよび放射線透過性を有する重し層を順に積層させた
状態で、前記自己組織化単分子層に対して放射線照射を
行なうことによって、該自己組織化単分子層をパターニ
ングするとともに、１枚の光透過性基板上に形成される
前記重し層を複数の部分重し層に分割して設け、該部分
重し層が設けられている領域に前記放射線の照射を行な
うことを特徴とする。
【０００９】この製造方法によれば、自己組織化単分子
層が、前記薄膜パターンを形成するための材料が優先的
に堆積される表面特性を有し、前記光透過性基板が、前
記自己組織化単分子層に比較して前記薄膜パターンを形
成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよう
に構成して、前記自己組織化単分子層のパターン上に薄
膜パターンを少ない工程で、簡単に効率良く形成するこ
とができる。または、光透過性基板が、前記薄膜パター
ンを形成するための材料が優先的に堆積される表面特性
を有し、前記自己組織化単分子層が、前記光透過性基板
に比較して前記薄膜パターンを形成するための材料が堆
積され難い表面特性を有するように構成して、前記自己
組織化単分子層のパターンが形成されていない領域の光
透過性基板上に薄膜パターンを少ない工程で、簡単に効
率良く形成することができる。また、自己組織化単分子
層をパターニングする際に、該自己組織化単分子層上に
マスクを積層させ、その上に、光透過性基板の面よりも
小面積の部分重し層を設けた状態で放射線照射を行なう
ことにより、光透過性基板の面全体と略同じ大きさの重
し層を用いる場合に比べて、マスクと自己組織化単分子
層との密着性が向上し、パターン形状の精度をより高め
ることができる。
層が、前記薄膜パターンを形成するための材料が優先的
に堆積される表面特性を有し、前記光透過性基板が、前
記自己組織化単分子層に比較して前記薄膜パターンを形
成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよう
に構成して、前記自己組織化単分子層のパターン上に薄
膜パターンを少ない工程で、簡単に効率良く形成するこ
とができる。または、光透過性基板が、前記薄膜パター
ンを形成するための材料が優先的に堆積される表面特性
を有し、前記自己組織化単分子層が、前記光透過性基板
に比較して前記薄膜パターンを形成するための材料が堆
積され難い表面特性を有するように構成して、前記自己
組織化単分子層のパターンが形成されていない領域の光
透過性基板上に薄膜パターンを少ない工程で、簡単に効
率良く形成することができる。また、自己組織化単分子
層をパターニングする際に、該自己組織化単分子層上に
マスクを積層させ、その上に、光透過性基板の面よりも
小面積の部分重し層を設けた状態で放射線照射を行なう
ことにより、光透過性基板の面全体と略同じ大きさの重
し層を用いる場合に比べて、マスクと自己組織化単分子
層との密着性が向上し、パターン形状の精度をより高め
ることができる。
【００１０】本発明の第１〜第３の光学基板の製造方法
は、前記薄膜パターンによりブラックマトリクスを形成
するのに好適である。
は、前記薄膜パターンによりブラックマトリクスを形成
するのに好適である。
【００１１】本発明の光学基板の製造装置は、光透過性
基板を保持する保持手段と、該保持手段に保持された前
記光透過性基板の面に対向して設けられた、前記光透過
性基板の面よりも面積が小さいパターン形状を有するス
タンプと、該スタンプを自己組織化単分子層を形成し得
る溶液で濡らす手段と、前記スタンプと前記光透過性基
板との相対位置を該光透過性基板の面に平行な方向に移
動させる手段と、前記スタンプを前記光透過性基板の面
に接触させる手段を具備することを特徴とする。
基板を保持する保持手段と、該保持手段に保持された前
記光透過性基板の面に対向して設けられた、前記光透過
性基板の面よりも面積が小さいパターン形状を有するス
タンプと、該スタンプを自己組織化単分子層を形成し得
る溶液で濡らす手段と、前記スタンプと前記光透過性基
板との相対位置を該光透過性基板の面に平行な方向に移
動させる手段と、前記スタンプを前記光透過性基板の面
に接触させる手段を具備することを特徴とする。
【００１２】この製造装置によれば、１枚の光透過性基
板上に形成される自己組織化単分子層のパターンを複数
の部分パターンに分割して、各部分パターンをマイクロ
コンタクトプリンティングによりそれぞれ形成する工程
を実施することができるので、面積が大きい領域に対し
て、形状精度に優れた自己組織化単分子層のパターンを
再現性良く形成することができる。また、スタンプの大
きさは、光透過性基板の面よりも小さくて済むので、装
置の小型化、材料の使用効率の向上、およびコストの削
減を図ることができる。
板上に形成される自己組織化単分子層のパターンを複数
の部分パターンに分割して、各部分パターンをマイクロ
コンタクトプリンティングによりそれぞれ形成する工程
を実施することができるので、面積が大きい領域に対し
て、形状精度に優れた自己組織化単分子層のパターンを
再現性良く形成することができる。また、スタンプの大
きさは、光透過性基板の面よりも小さくて済むので、装
置の小型化、材料の使用効率の向上、およびコストの削
減を図ることができる。
【００１３】また本発明は、本発明の製造方法により得
られる光学基板、およびその光学基板を用いてなる光学
装置を提供するものである。
られる光学基板、およびその光学基板を用いてなる光学
装置を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の
第１の実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に
説明する図である。図中符号１０は光透過性基板であ
る。光透過性基板１０は、少なくとも一方の面１０ａが
平坦面になっている。光透過性基板１０は、一方の面１
０ａを多数の領域に分け、各領域にそれぞれチップ構造
を形成した後、個々のチップ毎に切断されるものであ
る。例えば光透過性基板１０は直径１００ｍｍ〜３００
ｍｍの略円形で、１枚の光透過性基板１０から矩形のチ
ップが例えば５個〜３００個程度切り出される。
について図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の
第１の実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に
説明する図である。図中符号１０は光透過性基板であ
る。光透過性基板１０は、少なくとも一方の面１０ａが
平坦面になっている。光透過性基板１０は、一方の面１
０ａを多数の領域に分け、各領域にそれぞれチップ構造
を形成した後、個々のチップ毎に切断されるものであ
る。例えば光透過性基板１０は直径１００ｍｍ〜３００
ｍｍの略円形で、１枚の光透過性基板１０から矩形のチ
ップが例えば５個〜３００個程度切り出される。
【００１５】本実施の形態において、光透過性基板１０
は、後述する自己組織化単分子層のパターン２２に比較
して、後述するブラックマトリクス（薄膜パターン）２
４を形成するための材料が堆積されにくい表面特性を有
する。そのような表面特性を有する光透過性基板１０と
して、ガラス、石英、ポリカーボネート、アクリル、ポ
リオレフィンなどを使用することができる。また、光透
過性基板１０として、ＳｉＯ2等の酸化物を使用しても
よい。本実施の形態では、まず、図１（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、光透過性基板１０にマイクロレン
ズアレイ１２が取り付けられる。その取り付けには、接
着剤１４を使用することができる。本実施の形態では、
マイクロレンズアレイ１２のレンズ面を光透過性基板１
０に向けて取り付けられているが、変形例として、その
逆であってもよい。あるいは、光透過性基板１０の他方
の面に複数のレンズ面を形成してもよい。
は、後述する自己組織化単分子層のパターン２２に比較
して、後述するブラックマトリクス（薄膜パターン）２
４を形成するための材料が堆積されにくい表面特性を有
する。そのような表面特性を有する光透過性基板１０と
して、ガラス、石英、ポリカーボネート、アクリル、ポ
リオレフィンなどを使用することができる。また、光透
過性基板１０として、ＳｉＯ2等の酸化物を使用しても
よい。本実施の形態では、まず、図１（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、光透過性基板１０にマイクロレン
ズアレイ１２が取り付けられる。その取り付けには、接
着剤１４を使用することができる。本実施の形態では、
マイクロレンズアレイ１２のレンズ面を光透過性基板１
０に向けて取り付けられているが、変形例として、その
逆であってもよい。あるいは、光透過性基板１０の他方
の面に複数のレンズ面を形成してもよい。
【００１６】次いで、図１（Ｃ）に示すように、光透過
性基板１０の一方の面１０ａ上であってブラックマトリ
クス２４の形成領域（例えばマトリクス形状）１６に、
自己組織化単分子層（Self-Assembled Monolayers）の
パターン（以下、ＳＡＭｓパターンという）２２を形成
する。これにより、ＳＡＭｓパターン２２に囲まれた領
域１８は光透過性基板１０の一方の面１０ａが露出した
状態となる。なお、ブラックマトリクス２４は、液晶パ
ネルなどの表示装置において、隣同士の画素間に形成さ
れる遮光膜である。
性基板１０の一方の面１０ａ上であってブラックマトリ
クス２４の形成領域（例えばマトリクス形状）１６に、
自己組織化単分子層（Self-Assembled Monolayers）の
パターン（以下、ＳＡＭｓパターンという）２２を形成
する。これにより、ＳＡＭｓパターン２２に囲まれた領
域１８は光透過性基板１０の一方の面１０ａが露出した
状態となる。なお、ブラックマトリクス２４は、液晶パ
ネルなどの表示装置において、隣同士の画素間に形成さ
れる遮光膜である。
【００１７】ＳＡＭｓパターン２２は、後述するブラッ
クマトリクス２４を形成するための材料が優先的に堆積
される表面特性を有する。かかるＳＡＭｓパターン２２
を構成する物質として、アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロ
ピルジメチルエトキシシラン、アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシランな
どを使用することができる。
クマトリクス２４を形成するための材料が優先的に堆積
される表面特性を有する。かかるＳＡＭｓパターン２２
を構成する物質として、アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロ
ピルジメチルエトキシシラン、アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシランな
どを使用することができる。
【００１８】本実施の形態では、ＳＡＭｓパターン２２
は、マイクロコンタクトプリンティングにより形成され
る。マイクロコンタクトプリンティングを用いてＳＡＭ
ｓパターン２２を形成するには、ポリジメチルシロキサ
ンなどで形成されたスタンプ２０に、ＳＡＭｓパターン
２２を構成する物質を溶媒に溶かしてなる溶液をしみこ
ませた後、スタンプ２０を光透過性基板１０の一方の面
１０ａに接触させて、ＳＡＭｓパターン２２を構成する
物質を転写する。そして、ＳＡＭｓパターン２２を形成
する際には、図２に示すように、１枚の光透過性基板１
０上に形成すべきＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パ
ターン２２ａに分割し、１個のスタンプ２０には１つの
部分パターン２２ａに対応する形状の凸部を設けて、該
スタンプ２０を複数回、光透過性基板１０上の異なる領
域に接触させることにより該光透過性基板１０上にＳＡ
Ｍｓパターン２２を形成する。１枚の光透過性基板１０
に対して複数個のスタンプ２０を使用してもよい。１つ
の部分パターン２２ａは、１個〜複数個のチップに相当
するパターンとすれば、部分パターンと部分パターンと
の境目がチップ上に存在するのを避けることができるの
でより好ましい。１個のスタンプ２０で形成される１つ
の部分パターン２２ａの大きさ（面積）が大きすぎる
と、光透過性基板１０に反りが生じている場合などに部
分パターン２２ａの形状精度が悪くおそれがある。一
方、１つの部分パターン２２ａの大きさ（面積）が小さ
すぎると製造効率が悪くなるので、１ｃｍ2〜２０ｃｍ2
程度の面積とするのが好ましい。
は、マイクロコンタクトプリンティングにより形成され
る。マイクロコンタクトプリンティングを用いてＳＡＭ
ｓパターン２２を形成するには、ポリジメチルシロキサ
ンなどで形成されたスタンプ２０に、ＳＡＭｓパターン
２２を構成する物質を溶媒に溶かしてなる溶液をしみこ
ませた後、スタンプ２０を光透過性基板１０の一方の面
１０ａに接触させて、ＳＡＭｓパターン２２を構成する
物質を転写する。そして、ＳＡＭｓパターン２２を形成
する際には、図２に示すように、１枚の光透過性基板１
０上に形成すべきＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パ
ターン２２ａに分割し、１個のスタンプ２０には１つの
部分パターン２２ａに対応する形状の凸部を設けて、該
スタンプ２０を複数回、光透過性基板１０上の異なる領
域に接触させることにより該光透過性基板１０上にＳＡ
Ｍｓパターン２２を形成する。１枚の光透過性基板１０
に対して複数個のスタンプ２０を使用してもよい。１つ
の部分パターン２２ａは、１個〜複数個のチップに相当
するパターンとすれば、部分パターンと部分パターンと
の境目がチップ上に存在するのを避けることができるの
でより好ましい。１個のスタンプ２０で形成される１つ
の部分パターン２２ａの大きさ（面積）が大きすぎる
と、光透過性基板１０に反りが生じている場合などに部
分パターン２２ａの形状精度が悪くおそれがある。一
方、１つの部分パターン２２ａの大きさ（面積）が小さ
すぎると製造効率が悪くなるので、１ｃｍ2〜２０ｃｍ2
程度の面積とするのが好ましい。
【００１９】図３は、かかるＳＡＭｓパターン２２の形
成に好適に用いられる装置の例を示したものである。図
中符号２０はスタンプ、１０は光透過性基板を示す。光
透過性基板１０は保持手段２２０に保持されている。ス
タンプ２０は光透過性基板１０の一方の面１０ａに対向
するように設けられており、スタンプ位置制御機構２３
０により、光透過性基板１０の一方の面１０ａに垂直な
Ｚ方向と、該Ｚ方向に垂直なＸ方向およびＹ方向に移動
可能に構成されている。また、図示していないが、スタ
ンプ２０を、例えばディッピング法やスピンコート法な
どの適宜の塗布方法により、ＳＡＭｓパターン２２を構
成する物質を含む溶液で濡らす手段が設けられている。
成に好適に用いられる装置の例を示したものである。図
中符号２０はスタンプ、１０は光透過性基板を示す。光
透過性基板１０は保持手段２２０に保持されている。ス
タンプ２０は光透過性基板１０の一方の面１０ａに対向
するように設けられており、スタンプ位置制御機構２３
０により、光透過性基板１０の一方の面１０ａに垂直な
Ｚ方向と、該Ｚ方向に垂直なＸ方向およびＹ方向に移動
可能に構成されている。また、図示していないが、スタ
ンプ２０を、例えばディッピング法やスピンコート法な
どの適宜の塗布方法により、ＳＡＭｓパターン２２を構
成する物質を含む溶液で濡らす手段が設けられている。
【００２０】かかる構成の装置を用いて、マイクロコン
タクトプリンティングによりＳＡＭｓパターン２２を形
成するには、まず、スタンプ２０をＳＡＭｓパターン２
２を構成する物質を含む溶液で濡らした後、スタンプ位
置制御機構２３０により光透過性基板１０をＸ方向およ
び／またはＹ方向に移動させて、スタンプ位置の上方に
位置させ、次いでＺ方向に移動させてスタンプ２０を光
透過性基板１０に接触させる。さらに、スタンプ２０を
Ｘ方向および／またはＹ方向に移動させて他のスタンプ
位置の上方に位置させた後、Ｚ方向に移動させて光透過
性基板１０に接触させる動作を繰り返す。また、この例
では、スタンプ２０が２個設けられており、該２個のス
タンプ２０の移動がそれぞれ独立して制御されるように
構成されている。
タクトプリンティングによりＳＡＭｓパターン２２を形
成するには、まず、スタンプ２０をＳＡＭｓパターン２
２を構成する物質を含む溶液で濡らした後、スタンプ位
置制御機構２３０により光透過性基板１０をＸ方向およ
び／またはＹ方向に移動させて、スタンプ位置の上方に
位置させ、次いでＺ方向に移動させてスタンプ２０を光
透過性基板１０に接触させる。さらに、スタンプ２０を
Ｘ方向および／またはＹ方向に移動させて他のスタンプ
位置の上方に位置させた後、Ｚ方向に移動させて光透過
性基板１０に接触させる動作を繰り返す。また、この例
では、スタンプ２０が２個設けられており、該２個のス
タンプ２０の移動がそれぞれ独立して制御されるように
構成されている。
【００２１】こうして、光透過性基板１０上に形成され
たＳＡＭｓパターン２２は、光透過性基板１０の一方の
面１０ａに比べて、ブラックマトリクス２４を形成する
ための材料が優先的に堆積される表面特性を有するの
で、図１（Ｄ）に示すように、ＳＡＭｓパターン２２上
に、ブラックマトリクス２４を形成するための材料を選
択的に形成することができる。例えば、ブラックマトリ
クス２４を無電解メッキで形成する場合には、まず触媒
（例えばパラジウム）をＳＡＭｓパターン２２上に形成
する。そのために、ＳＡＭｓパターン２２は、該触媒が
優先的に堆積される表面特性を有し、光透過性基板１０
は、該触媒が堆積されにくい表面特性を有するように、
ＳＡＭｓパターン２２および光透過性基板１０の材料を
選択する。続いて、前記触媒を核として、メッキ材料
（例えばニッケル、クロム、白金、アルミニウム、銅、
金）を析出させて、ブラックマトリクス２４を形成す
る。また、変形例として、ブラックマトリクス２４の形
成には、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長
法又は液相法を適用してもよい。その場合、ＳＡＭｓパ
ターン２２は、ブラックマトリクス２４を構成する材料
（例えばニッケル、クロム、白金、アルミニウム、銅、
金）が優先的に堆積される表面特性を有し、光透過性基
板１０は、ブラックマトリクス２４を構成する材料が堆
積されにくい表面特性を有するように、ＳＡＭｓパター
ン２２および光透過性基板１０の材料を選択する。
たＳＡＭｓパターン２２は、光透過性基板１０の一方の
面１０ａに比べて、ブラックマトリクス２４を形成する
ための材料が優先的に堆積される表面特性を有するの
で、図１（Ｄ）に示すように、ＳＡＭｓパターン２２上
に、ブラックマトリクス２４を形成するための材料を選
択的に形成することができる。例えば、ブラックマトリ
クス２４を無電解メッキで形成する場合には、まず触媒
（例えばパラジウム）をＳＡＭｓパターン２２上に形成
する。そのために、ＳＡＭｓパターン２２は、該触媒が
優先的に堆積される表面特性を有し、光透過性基板１０
は、該触媒が堆積されにくい表面特性を有するように、
ＳＡＭｓパターン２２および光透過性基板１０の材料を
選択する。続いて、前記触媒を核として、メッキ材料
（例えばニッケル、クロム、白金、アルミニウム、銅、
金）を析出させて、ブラックマトリクス２４を形成す
る。また、変形例として、ブラックマトリクス２４の形
成には、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長
法又は液相法を適用してもよい。その場合、ＳＡＭｓパ
ターン２２は、ブラックマトリクス２４を構成する材料
（例えばニッケル、クロム、白金、アルミニウム、銅、
金）が優先的に堆積される表面特性を有し、光透過性基
板１０は、ブラックマトリクス２４を構成する材料が堆
積されにくい表面特性を有するように、ＳＡＭｓパター
ン２２および光透過性基板１０の材料を選択する。
【００２２】以上の工程によって、光透過性基板１０の
一方の面１０ａ上にブラックマトリクス２４が形成さ
れ、他方の面側にマイクロレンズアレイ１２が積層され
た光学基板が得られる。ブラックマトリクス２４は、Ｓ
ＡＭｓパターン２２上に形成されている。本実施の形態
の製造方法によれば、フォトリソグラフィやエッチング
の工程が不要であるため、簡単に効率良くブラックマト
リクス２４を形成することができる。また、１枚の光透
過性基板１０上に形成すべきＳＡＭｓパターン２２を複
数の部分パターン２２ａに分割し、各部分パターン２２
ａをマイクロコンタクトプリンティングによりそれぞれ
形成するので、ＳＡＭｓパターン２２を再現性良く、ま
た信頼性良く形成することができる。従って、該ＳＡＭ
ｓパターン２２上に形成されるブラックマトリクス２４
の形状精度が高くなる。さらに、比較的小面積の部分パ
ターン２２ａを備えたスタンプ２０を用いるので、仮に
光過性基板１０に多少の反りが生じている場合でも、ス
タンプ２０と光透過性基板１０との接触状態における面
内均一性が良好となり、ＳＡＭｓパターン２２の形状精
度に優れる。またスタンプ２０の面積が小さいほど、Ｓ
ＡＭｓパターン２２を構成する材料を含む溶液を無駄に
使用する量が少なくて済むので、材料の使用効率を向上
させることができ、コストの削減を図ることができる。
また、本実施の形態の製造装置によれば、スタンプ２０
の面積を小さくすることができるので、スタンプ２０に
ＳＡＭｓパターン２２を構成する物質を含む溶液で付与
するための手段も小さく構成することができ、製造装置
の小型化を図ることができる。
一方の面１０ａ上にブラックマトリクス２４が形成さ
れ、他方の面側にマイクロレンズアレイ１２が積層され
た光学基板が得られる。ブラックマトリクス２４は、Ｓ
ＡＭｓパターン２２上に形成されている。本実施の形態
の製造方法によれば、フォトリソグラフィやエッチング
の工程が不要であるため、簡単に効率良くブラックマト
リクス２４を形成することができる。また、１枚の光透
過性基板１０上に形成すべきＳＡＭｓパターン２２を複
数の部分パターン２２ａに分割し、各部分パターン２２
ａをマイクロコンタクトプリンティングによりそれぞれ
形成するので、ＳＡＭｓパターン２２を再現性良く、ま
た信頼性良く形成することができる。従って、該ＳＡＭ
ｓパターン２２上に形成されるブラックマトリクス２４
の形状精度が高くなる。さらに、比較的小面積の部分パ
ターン２２ａを備えたスタンプ２０を用いるので、仮に
光過性基板１０に多少の反りが生じている場合でも、ス
タンプ２０と光透過性基板１０との接触状態における面
内均一性が良好となり、ＳＡＭｓパターン２２の形状精
度に優れる。またスタンプ２０の面積が小さいほど、Ｓ
ＡＭｓパターン２２を構成する材料を含む溶液を無駄に
使用する量が少なくて済むので、材料の使用効率を向上
させることができ、コストの削減を図ることができる。
また、本実施の形態の製造装置によれば、スタンプ２０
の面積を小さくすることができるので、スタンプ２０に
ＳＡＭｓパターン２２を構成する物質を含む溶液で付与
するための手段も小さく構成することができ、製造装置
の小型化を図ることができる。
【００２３】次に、本発明の製造方法の第２の実施の形
態を説明する。図４（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の第２の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、光透過性基板３０が、後述するＳＡＭ
ｓパターン３２に比較して、ブラックマトリクス２４を
形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有
する点である。そのような表面特性を有する光透過性基
板３０としては、還元剤を含んだガラス、ＳｉＮなどを
使用することができる。その他の内容について、光透過
性基板３０には、第１の実施の形態で説明した光透過性
基板１０の内容が該当する。なお、図４において図１と
同じ構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
ることがある。
態を説明する。図４（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明の第２の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、光透過性基板３０が、後述するＳＡＭ
ｓパターン３２に比較して、ブラックマトリクス２４を
形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有
する点である。そのような表面特性を有する光透過性基
板３０としては、還元剤を含んだガラス、ＳｉＮなどを
使用することができる。その他の内容について、光透過
性基板３０には、第１の実施の形態で説明した光透過性
基板１０の内容が該当する。なお、図４において図１と
同じ構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
ることがある。
【００２４】本実施の形態では、前記第１の実施の形態
と同様にして、光透過性基板３０にマイクロレンズアレ
イ１２を取り付けた後、図４（Ａ）に示すように、光透
過性基板３０の一方の面３０ａ上であって、ブラックマ
トリクス２４の形成領域３４を除く領域にＳＡＭｓパタ
ーン３２を形成する。これにより、ブラックマトリクス
２４の形成領域３４は光透過性基板３０の一方の面３０
ａが露出した状態となる。
と同様にして、光透過性基板３０にマイクロレンズアレ
イ１２を取り付けた後、図４（Ａ）に示すように、光透
過性基板３０の一方の面３０ａ上であって、ブラックマ
トリクス２４の形成領域３４を除く領域にＳＡＭｓパタ
ーン３２を形成する。これにより、ブラックマトリクス
２４の形成領域３４は光透過性基板３０の一方の面３０
ａが露出した状態となる。
【００２５】本実施の形態のＳＡＭｓパターン３２は、
光透過性基板３０に比較して、ブラックマトリクス２４
を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有す
る。かかるＳＡＭｓパターン３２を構成する物質とし
て、フッ化アルキルシラン、オクタデシルトリクロロシ
ラン、オクチルトリメトキシシランなどを使用すること
ができる。本実施の形態においても、ＳＡＭｓパターン
３２はマイクロコンタクトプリンティングにより形成さ
れる。本実施の形態におけるマイクロコンタクトプリン
ティング工程は、前記実施の形態１と同様の装置を用
い、同様の手順で行うことができる。ただし、ＳＡＭｓ
パターン３２の形状および材料は上記の通りに変更す
る。
光透過性基板３０に比較して、ブラックマトリクス２４
を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有す
る。かかるＳＡＭｓパターン３２を構成する物質とし
て、フッ化アルキルシラン、オクタデシルトリクロロシ
ラン、オクチルトリメトキシシランなどを使用すること
ができる。本実施の形態においても、ＳＡＭｓパターン
３２はマイクロコンタクトプリンティングにより形成さ
れる。本実施の形態におけるマイクロコンタクトプリン
ティング工程は、前記実施の形態１と同様の装置を用
い、同様の手順で行うことができる。ただし、ＳＡＭｓ
パターン３２の形状および材料は上記の通りに変更す
る。
【００２６】こうして、光透過性基板３０上に形成され
たＳＡＭｓパターン３２は、該ＳＡＭｓパターン３２の
表面に比べて、光透過性基板３０の一方の面３０ａの方
が、ブラックマトリクス２４を形成するための材料が優
先的に堆積される表面特性を有するので、図４（Ｂ）に
示すように、ＳＡＭｓパターン３２が形成されていない
領域に、ブラックマトリクス２４を形成するための材料
を選択的に形成することができる。ブラックマトリクス
２４を形成する工程は、前記第１の実施の形態と同様の
手順で行うことができる。ただし、本実施の形態では、
ブラックマトリクス２４をＳＡＭｓパターン３２上に形
成せず、光透過性基板３０上に形成する。
たＳＡＭｓパターン３２は、該ＳＡＭｓパターン３２の
表面に比べて、光透過性基板３０の一方の面３０ａの方
が、ブラックマトリクス２４を形成するための材料が優
先的に堆積される表面特性を有するので、図４（Ｂ）に
示すように、ＳＡＭｓパターン３２が形成されていない
領域に、ブラックマトリクス２４を形成するための材料
を選択的に形成することができる。ブラックマトリクス
２４を形成する工程は、前記第１の実施の形態と同様の
手順で行うことができる。ただし、本実施の形態では、
ブラックマトリクス２４をＳＡＭｓパターン３２上に形
成せず、光透過性基板３０上に形成する。
【００２７】以上の工程によって、光透過性基板３０の
一方の面３０ａ上にブラックマトリクス２４が形成さ
れ、他方の面側にマイクロレンズアレイ１２が積層され
た光学基板が得られる。光透過性基板３０の一方の面３
０ａ上であってブラックマトリクス２４が形成されてい
ない領域にはＳＡＭｓパターン３２が形成されている。
このＳＡＭｓパターン３２は、ブラックマトリクス２４
形成後に除去してもよい。本実施の形態の製造方法によ
っても、フォトリソグラフィやエッチングの工程が不要
であるため、簡単に効率良くブラックマトリクス２４を
形成することができるなど、前記第１の実施の形態と同
様の作用効果が得られる。
一方の面３０ａ上にブラックマトリクス２４が形成さ
れ、他方の面側にマイクロレンズアレイ１２が積層され
た光学基板が得られる。光透過性基板３０の一方の面３
０ａ上であってブラックマトリクス２４が形成されてい
ない領域にはＳＡＭｓパターン３２が形成されている。
このＳＡＭｓパターン３２は、ブラックマトリクス２４
形成後に除去してもよい。本実施の形態の製造方法によ
っても、フォトリソグラフィやエッチングの工程が不要
であるため、簡単に効率良くブラックマトリクス２４を
形成することができるなど、前記第１の実施の形態と同
様の作用効果が得られる。
【００２８】次に、本発明の製造方法の第３の実施の形
態を説明する。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第３の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、ＳＡＭｓパターン２２の下層に、ブラ
ックマトリクス２４を形成する材料からなる薄膜２４ａ
を形成しておき、ＳＡＭｓパターン２２をエッチングマ
スクとして用いる点である。図５において図１と同じ構
成要素には同一の符号を付してその説明を省略すること
がある。
態を説明する。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第３の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、ＳＡＭｓパターン２２の下層に、ブラ
ックマトリクス２４を形成する材料からなる薄膜２４ａ
を形成しておき、ＳＡＭｓパターン２２をエッチングマ
スクとして用いる点である。図５において図１と同じ構
成要素には同一の符号を付してその説明を省略すること
がある。
【００２９】まず、前記第１の実施の形態と同様にし
て、光透過性基板１０にマイクロレンズアレイ１２を取
り付けた後、図５（Ａ）に示すように、光透過性基板１
０の一方の面の全面上に、ブラックマトリクス２４を形
成する材料からなる薄膜２４ａを形成する。この薄膜２
４ａの形成方法としては、スパッタリングや気相成長な
どを適用することができる。次に、図５（Ｂ）に示すよ
うに、薄膜２４ａ上に、前記第１の実施形態と同様のマ
イクロコンタクトプリンティングにより、ＳＡＭｓパタ
ーン２２を形成する。ＳＡＭｓパターン２２は、ブラッ
クマトリクス２４の形成領域に形成する。ＳＡＭｓパタ
ーン２２は、薄膜２４ａよりも高いエッチング耐性を有
することが必要である。そのため、ＳＡＭｓパターン２
２を構成する物質として、オクタデシルトリメトキシシ
ラン、オクタデシルトリクロロシラン、トリデカフルオ
ロテトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（フッ化ア
ルキルシラン）、フェニルトリクロロシランなどが使用
できる。
て、光透過性基板１０にマイクロレンズアレイ１２を取
り付けた後、図５（Ａ）に示すように、光透過性基板１
０の一方の面の全面上に、ブラックマトリクス２４を形
成する材料からなる薄膜２４ａを形成する。この薄膜２
４ａの形成方法としては、スパッタリングや気相成長な
どを適用することができる。次に、図５（Ｂ）に示すよ
うに、薄膜２４ａ上に、前記第１の実施形態と同様のマ
イクロコンタクトプリンティングにより、ＳＡＭｓパタ
ーン２２を形成する。ＳＡＭｓパターン２２は、ブラッ
クマトリクス２４の形成領域に形成する。ＳＡＭｓパタ
ーン２２は、薄膜２４ａよりも高いエッチング耐性を有
することが必要である。そのため、ＳＡＭｓパターン２
２を構成する物質として、オクタデシルトリメトキシシ
ラン、オクタデシルトリクロロシラン、トリデカフルオ
ロテトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（フッ化ア
ルキルシラン）、フェニルトリクロロシランなどが使用
できる。
【００３０】次いで、図５（Ｃ）に示すように、ＳＡＭ
ｓパターン２２をエッチングマスクとして、薄膜２４ａ
をエッチングしてパターニングすることにより、ブラッ
クマトリクス２４を形成する。薄膜２４ａのエッチング
は、ドライエッチングであってもウェットエッチングで
あってもよい。このようにして得られる光学基板におい
ては、ブラックマトリクス２４上にＳＡＭｓパターン２
２が形成されている。このＳＡＭｓパターン２２は、ブ
ラックマトリクス２４形成後に除去してもよい。
ｓパターン２２をエッチングマスクとして、薄膜２４ａ
をエッチングしてパターニングすることにより、ブラッ
クマトリクス２４を形成する。薄膜２４ａのエッチング
は、ドライエッチングであってもウェットエッチングで
あってもよい。このようにして得られる光学基板におい
ては、ブラックマトリクス２４上にＳＡＭｓパターン２
２が形成されている。このＳＡＭｓパターン２２は、ブ
ラックマトリクス２４形成後に除去してもよい。
【００３１】本実施の形態の製造方法によれば、エッチ
ングマスクを形成するのにフォトリソグラフィやエッチ
ングの工程が不要であるため、従来より少ない工程数
で、簡単に、効率良くブラックマトリクス２４を形成す
ることができる。また、１枚の光透過性基板１０上に形
成すべきＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パターン２
２ａに分割し、各部分パターン２２ａをマイクロコンタ
クトプリンティングによりそれぞれ形成するので、ＳＡ
Ｍｓパターン２２を再現性良く、また信頼性良く形成す
ることができる。従って、該ＳＡＭｓパターン２２上に
形成されるブラックマトリクス２４の形状精度が高くな
るなど、前記第１の実施の形態と同様の作用効果が得ら
れる。
ングマスクを形成するのにフォトリソグラフィやエッチ
ングの工程が不要であるため、従来より少ない工程数
で、簡単に、効率良くブラックマトリクス２４を形成す
ることができる。また、１枚の光透過性基板１０上に形
成すべきＳＡＭｓパターン２２を複数の部分パターン２
２ａに分割し、各部分パターン２２ａをマイクロコンタ
クトプリンティングによりそれぞれ形成するので、ＳＡ
Ｍｓパターン２２を再現性良く、また信頼性良く形成す
ることができる。従って、該ＳＡＭｓパターン２２上に
形成されるブラックマトリクス２４の形状精度が高くな
るなど、前記第１の実施の形態と同様の作用効果が得ら
れる。
【００３２】次に、本発明の製造方法の第４の実施の形
態を説明する。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第４の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、ＳＡＭｓパターン２２をマイクロコン
タクトプリンティングによらず、光透過性基板１０の全
面にＳＡＭｓ層を形成した後、これをパターニングする
ことによって形成する点である。図６において図１と同
じ構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
態を説明する。図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第４の
実施の形態に係る光学基板の製造方法を工程順に説明す
る図である。本実施の形態が前記第１の実施の形態と大
きく異なる点は、ＳＡＭｓパターン２２をマイクロコン
タクトプリンティングによらず、光透過性基板１０の全
面にＳＡＭｓ層を形成した後、これをパターニングする
ことによって形成する点である。図６において図１と同
じ構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００３３】まず、前記第１の実施の形態と同様にし
て、光透過性基板１０にマイクロレンズアレイ１２を取
り付けた後、図６（Ａ）に示すように、光透過性基板１
０の一方の面の全面上に、ＳＡＭｓパターン２２を形成
する材料からなるＳＡＭｓ層２２ｂを形成する。ＳＡＭ
ｓ層２２ｂを構成する材料は、紫外線などの放射線の照
射によって、光透過性基板１０との結合が切れる性質を
有するものが用いられる。そのようなＳＡＭｓ層２２ｂ
を構成する物質としては、アミノプロピルトリエトキシ
シラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプ
ロピルジメチルエトキシシラン、アミノプロピルメチル
ジエトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラ
ン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、フェニル
トリクロロシランなどが使用できる。
て、光透過性基板１０にマイクロレンズアレイ１２を取
り付けた後、図６（Ａ）に示すように、光透過性基板１
０の一方の面の全面上に、ＳＡＭｓパターン２２を形成
する材料からなるＳＡＭｓ層２２ｂを形成する。ＳＡＭ
ｓ層２２ｂを構成する材料は、紫外線などの放射線の照
射によって、光透過性基板１０との結合が切れる性質を
有するものが用いられる。そのようなＳＡＭｓ層２２ｂ
を構成する物質としては、アミノプロピルトリエトキシ
シラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプ
ロピルジメチルエトキシシラン、アミノプロピルメチル
ジエトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラ
ン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン、フェニル
トリクロロシランなどが使用できる。
【００３４】次いで、図６（Ｂ）に示すように、ＳＡＭ
ｓ層２２ｂ上に、フォトマスク４０および重し層４１を
順に積層させた状態で、ＳＡＭｓ層２２ｂに対して放射
線を照射することによってＳＡＭｓ層２２ｂをパターニ
ングする。この場合、レジストを使用しないので、レジ
スト剥離は不要である。なお、本発明は、フォトレジス
ト工程を適用してＳＡＭｓ層２２ｂをパターニングする
ことを除外するものではない。本実施の形態においてＳ
ＡＭｓ層２２ｂは、ブラックマトリクス２４を形成する
ための材料が優先的に堆積される表面特性を有するよう
に材料を選択する。そしてフォトマスク４０は、ブラッ
クマトリクス２４の形成領域以外の領域で放射線を透過
させるように構成し、放射線の照射により、ＳＡＭｓパ
ターン２２がブラックマトリクス２４の形成領域上に残
るようにパターニングする。図中符号４０ａは放射線を
透過させない非透過部を示している。あるいは、ＳＡＭ
ｓ層２２ｂが、光透過性基板１０に比較して、膜２４を
形成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよ
うに構成してもよく、この場合には、ＳＡＭｓパターン
２２がブラックマトリクス２４の形成領域を除く領域上
に残るようにフォトマスク４０の非透過部４０ａの形状
を変更する。この場合のＳＡＭｓ層２２ｂを構成する物
質としては、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルト
リエトキシシラン（フッ化アルキルシラン）、オクタデ
シルトリメトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラ
ンなどが使用できる。
ｓ層２２ｂ上に、フォトマスク４０および重し層４１を
順に積層させた状態で、ＳＡＭｓ層２２ｂに対して放射
線を照射することによってＳＡＭｓ層２２ｂをパターニ
ングする。この場合、レジストを使用しないので、レジ
スト剥離は不要である。なお、本発明は、フォトレジス
ト工程を適用してＳＡＭｓ層２２ｂをパターニングする
ことを除外するものではない。本実施の形態においてＳ
ＡＭｓ層２２ｂは、ブラックマトリクス２４を形成する
ための材料が優先的に堆積される表面特性を有するよう
に材料を選択する。そしてフォトマスク４０は、ブラッ
クマトリクス２４の形成領域以外の領域で放射線を透過
させるように構成し、放射線の照射により、ＳＡＭｓパ
ターン２２がブラックマトリクス２４の形成領域上に残
るようにパターニングする。図中符号４０ａは放射線を
透過させない非透過部を示している。あるいは、ＳＡＭ
ｓ層２２ｂが、光透過性基板１０に比較して、膜２４を
形成するための材料が堆積され難い表面特性を有するよ
うに構成してもよく、この場合には、ＳＡＭｓパターン
２２がブラックマトリクス２４の形成領域を除く領域上
に残るようにフォトマスク４０の非透過部４０ａの形状
を変更する。この場合のＳＡＭｓ層２２ｂを構成する物
質としては、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルト
リエトキシシラン（フッ化アルキルシラン）、オクタデ
シルトリメトキシシラン、オクタデシルトリクロロシラ
ンなどが使用できる。
【００３５】重し層４１は前記放射線を透過する材料で
構成され、例えばガラス板、石英等が用いられる。ま
た、フォトマスク４０上に重し層４１を設けて放射線を
照射する際には、図７に示すように、１枚の光透過性基
板１０を複数の領域に分割し、１つの領域に対応する部
分重し層４１ａを、フォトマスク４０上に１または複数
設けた状態で、該部分重し層４１ａが設けられている領
域に対して放射線を照射する。そして、部分重し層４１
ａを設ける位置を移動させて放射線を照射する操作を繰
り返すことにより、ＳＡＭｓ層２２ｂの全領域に対して
パターンニングを行なう。１つの部分重し層４１ａを設
ける領域を、１個〜複数個のチップが形成される領域と
すれば、部分重し層４１ａと部分重し層４１ａとの境目
がチップ上に存在するのを避けることができるのでより
好ましい。１つの部分重し層４１ａの大きさ（面積）
は、大きすぎると、光透過性基板１０に反りが生じてい
る場合などに、ＳＡＭｓ層２２ｂのパターニング精度が
悪くなるおそれがあり、小さすぎると製造効率が悪くな
るので、１ｃｍ2〜２０ｃｍ2程度とするのが好ましい。
構成され、例えばガラス板、石英等が用いられる。ま
た、フォトマスク４０上に重し層４１を設けて放射線を
照射する際には、図７に示すように、１枚の光透過性基
板１０を複数の領域に分割し、１つの領域に対応する部
分重し層４１ａを、フォトマスク４０上に１または複数
設けた状態で、該部分重し層４１ａが設けられている領
域に対して放射線を照射する。そして、部分重し層４１
ａを設ける位置を移動させて放射線を照射する操作を繰
り返すことにより、ＳＡＭｓ層２２ｂの全領域に対して
パターンニングを行なう。１つの部分重し層４１ａを設
ける領域を、１個〜複数個のチップが形成される領域と
すれば、部分重し層４１ａと部分重し層４１ａとの境目
がチップ上に存在するのを避けることができるのでより
好ましい。１つの部分重し層４１ａの大きさ（面積）
は、大きすぎると、光透過性基板１０に反りが生じてい
る場合などに、ＳＡＭｓ層２２ｂのパターニング精度が
悪くなるおそれがあり、小さすぎると製造効率が悪くな
るので、１ｃｍ2〜２０ｃｍ2程度とするのが好ましい。
【００３６】このようにして、光透過性基板１０上にＳ
ＡＭｓパターン２２を形成した後、図６（Ｃ）に示すよ
うに、該ＳＡＭｓパターン２２上に、前記第１の実施の
形態と同様にしてブラックマトリクス２４を形成する。
以上の工程によって、光透過性基板１０の一方の面１０
ａ上にブラックマトリクス２４が形成され、他方の面側
にマイクロレンズアレイ１２が積層された光学基板が得
られる。ブラックマトリクス２４は、ＳＡＭｓパターン
２２上に形成されている。本実施形態の製造方法によれ
ば、フォトレジストパターンからなるエッチングマスク
を用いてパターニングする従来の方法に比べて、ブラッ
クマトリクス２４を少ない工程数で、簡単に、効率良く
形成することができるほか、ＳＡＭｓ層２２ｂをパター
ニングする際には、光透過性基板１０よりも小面積の部
分重し層４１ａを用いることにより、大面積の重し層を
用いる場合に比べて、マスク４０とＳＡＭｓ層２２ｂと
の密着性を向上させることができる。これにより、ＳＡ
Ｍｓパターン２２の形状精度を向上させることができる
ので、ＳＡＭｓパターン２２上に形成されるブラックマ
トリクス２４の形状精度が良好となる。
ＡＭｓパターン２２を形成した後、図６（Ｃ）に示すよ
うに、該ＳＡＭｓパターン２２上に、前記第１の実施の
形態と同様にしてブラックマトリクス２４を形成する。
以上の工程によって、光透過性基板１０の一方の面１０
ａ上にブラックマトリクス２４が形成され、他方の面側
にマイクロレンズアレイ１２が積層された光学基板が得
られる。ブラックマトリクス２４は、ＳＡＭｓパターン
２２上に形成されている。本実施形態の製造方法によれ
ば、フォトレジストパターンからなるエッチングマスク
を用いてパターニングする従来の方法に比べて、ブラッ
クマトリクス２４を少ない工程数で、簡単に、効率良く
形成することができるほか、ＳＡＭｓ層２２ｂをパター
ニングする際には、光透過性基板１０よりも小面積の部
分重し層４１ａを用いることにより、大面積の重し層を
用いる場合に比べて、マスク４０とＳＡＭｓ層２２ｂと
の密着性を向上させることができる。これにより、ＳＡ
Ｍｓパターン２２の形状精度を向上させることができる
ので、ＳＡＭｓパターン２２上に形成されるブラックマ
トリクス２４の形状精度が良好となる。
【００３７】（光学装置）前記各実施の形態で得られた
光学基板は、必要に応じて、さらに透明電極等が形成さ
れ、各種の光学装置の構成に用いられる。図８は、本発
明に係る光学基板を有する光学装置の一例として液晶プ
ロジェクタの一部を示す図である。この液晶プロジェク
タは、光源としてのランプ７０と、上述した方法により
製造された光学基板を組み込んだライトバルブ８０とを
有する。光学基板は、光透過性基板８２と、ブラックマ
トリクス８６と、マイクロレンズアレイ８４を有する。
また図中符号８７は透明電極、８８は配向膜、８９は液
晶であり、９０は基板、９１は電極、９２はＴＦＴ、９
３は配向膜である。この液晶プロジェクタによれば、ラ
ンプ７０から照射された光が、各画素毎にマイクロレン
ズアレイにて集光するので、明るい画面を表示すること
ができる。
光学基板は、必要に応じて、さらに透明電極等が形成さ
れ、各種の光学装置の構成に用いられる。図８は、本発
明に係る光学基板を有する光学装置の一例として液晶プ
ロジェクタの一部を示す図である。この液晶プロジェク
タは、光源としてのランプ７０と、上述した方法により
製造された光学基板を組み込んだライトバルブ８０とを
有する。光学基板は、光透過性基板８２と、ブラックマ
トリクス８６と、マイクロレンズアレイ８４を有する。
また図中符号８７は透明電極、８８は配向膜、８９は液
晶であり、９０は基板、９１は電極、９２はＴＦＴ、９
３は配向膜である。この液晶プロジェクタによれば、ラ
ンプ７０から照射された光が、各画素毎にマイクロレン
ズアレイにて集光するので、明るい画面を表示すること
ができる。
【００３８】図９は、本発明を適用した他の光学装置を
示す図である。具体的には、この光学装置は撮像装置で
ある。撮像装置は、撮像素子（イメージセンサ）を有
し、撮像素子に光学基板が取り付けられている。光学基
板は、光透過性基板１００を有する。光透過性基板１０
０には、ブラックマトリクスとしての膜１１０が形成さ
れ、マイクロレンズアレイ１２０が取り付けられてい
る。撮像素子が２次元イメージセンサであれば、複数の
画素のそれぞれに対応して受光部（例えばフォトダイオ
ード）１４０が設けられている。撮像素子がＣＣＤ（Ch
arge Coupled Device）型の撮像素子であれば、転送部
１５０を有し、各画素の受光部１４０からの電荷を高速
で転送するようになっている。なお、対応しない画素か
ら受光部１４０に光が入射しないように遮光膜１６０を
形成してもよいし、層内レンズ１７０を形成してもよ
い。また、カラーの撮像素子には、カラーフィルタ１８
０を設ける。
示す図である。具体的には、この光学装置は撮像装置で
ある。撮像装置は、撮像素子（イメージセンサ）を有
し、撮像素子に光学基板が取り付けられている。光学基
板は、光透過性基板１００を有する。光透過性基板１０
０には、ブラックマトリクスとしての膜１１０が形成さ
れ、マイクロレンズアレイ１２０が取り付けられてい
る。撮像素子が２次元イメージセンサであれば、複数の
画素のそれぞれに対応して受光部（例えばフォトダイオ
ード）１４０が設けられている。撮像素子がＣＣＤ（Ch
arge Coupled Device）型の撮像素子であれば、転送部
１５０を有し、各画素の受光部１４０からの電荷を高速
で転送するようになっている。なお、対応しない画素か
ら受光部１４０に光が入射しないように遮光膜１６０を
形成してもよいし、層内レンズ１７０を形成してもよ
い。また、カラーの撮像素子には、カラーフィルタ１８
０を設ける。
【００３９】なお、本発明は、上述した実施の形態に限
定されるものではなく、種々の変形が可能である。例え
ば、上述した各実施の形態においては、光学基板にマイ
クロレンズアレイを設けたが、用途によっては、これを
設けない構成とすることもできる。また、上述した各実
施の形態においては、薄膜パターンの例としてブラック
マトリクスを挙げて説明したが、これに限らず、光透過
性基板上に形成される各種の薄膜パターンの形成に本発
明を適用することが可能である。
定されるものではなく、種々の変形が可能である。例え
ば、上述した各実施の形態においては、光学基板にマイ
クロレンズアレイを設けたが、用途によっては、これを
設けない構成とすることもできる。また、上述した各実
施の形態においては、薄膜パターンの例としてブラック
マトリクスを挙げて説明したが、これに限らず、光透過
性基板上に形成される各種の薄膜パターンの形成に本発
明を適用することが可能である。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、従来のフォトレジスト
パターンからなるエッチングマスクを用いて薄膜パター
ンを形成する方法に比べて、少ない工程数で、簡単に効
率良く光学基板を製造することができる。しかも、光透
過性基板に多少の反りが生じていても、良好な形状精度
で薄膜パターンを形成することができるので、光透過性
基板の大面積化にも対応することができ、信頼性の高い
光学基板および光学装置が得られる。
パターンからなるエッチングマスクを用いて薄膜パター
ンを形成する方法に比べて、少ない工程数で、簡単に効
率良く光学基板を製造することができる。しかも、光透
過性基板に多少の反りが生じていても、良好な形状精度
で薄膜パターンを形成することができるので、光透過性
基板の大面積化にも対応することができ、信頼性の高い
光学基板および光学装置が得られる。
【図１】 本発明の製造方法の第１の実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】 ＳＡＭｓパターンの形成工程を説明するた
めの概略平面図である。
めの概略平面図である。
【図３】 本発明の製造装置の一実施形態を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図４】 本発明の製造方法の第２の実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図５】 本発明の製造方法の第３の実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図６】 本発明の製造方法の第４の実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図７】 ＳＡＭｓパターンの形成工程を説明するた
めの概略平面図である。
めの概略平面図である。
【図８】 本発明の光学装置の第１の実施形態を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図９】 本発明の光学装置の第２の実施形態を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図１０】 従来の光学基板の製造方法を示す概略構
成図である。
成図である。
１０ 光透過性基板
１２ マイクロレンズアレイ
２２ 自己組織化単分子層パターン（ＳＡＭｓパター
ン） ２４ ブラックマトリクス（薄膜パターン）
ン） ２４ ブラックマトリクス（薄膜パターン）
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ
Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA26 BA04 BA12 BA15
BA20
2H048 BA02 BB02 BB10 BB24
2H091 FA35Y FC13 FC23 FC26
FD04 LA12
4M118 AB01 BA09 CA02 CA03 GB03
GB06 GB10 GB19 GB20 GC07
GD04
Claims (7)
- 【請求項１】 光透過性基板上に、自己組織化単分子層
のパターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子層
のパターン上、または前記自己組織化単分子層のパター
ンが形成されていない領域の光透過性基板上のいずれか
に薄膜パターンを形成する工程を有する光学基板の製造
方法であって、 １枚の光透過性基板上に形成される前記自己組織化単分
子層のパターンを複数の部分パターンに分割して、各部
分パターンをマイクロコンタクトプリンティングにより
それぞれ形成することを特徴とする光学基板の製造方
法。 - 【請求項２】 光透過性基板上に薄膜を形成する工程
と、前記薄膜上に自己組織化単分子層のパターンを形成
する工程と、該自己組織化単分子層のパターンをマスク
として前記薄膜をエッチングする工程を有する光学基板
の製造方法であって、 １枚の光透過性基板上に形成される前記自己組織化単分
子層のパターンを複数の部分パターンに分割して、各部
分パターンをマイクロコンタクトプリンティングにより
それぞれ形成することを特徴とする光学基板の製造方
法。 - 【請求項３】 光透過性基板上に、自己組織化単分子層
のパターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子層
のパターン上、または前記自己組織化単分子層のパター
ンが形成されていない領域の光透過性基板上のいずれか
に薄膜パターンを形成する工程を有する光学基板の製造
方法であって、 前記自己組織化単分子層のパターンを形成する工程にお
いて、前記光透過性基板上に、放射線の照射によって前
記光透過性基板との結合が切れる性質を有する自己組織
化単分子層を形成した後、該自己組織化単分子層上にマ
スクおよび放射性透過性を有する重し層を順に積層させ
た状態で、前記自己組織化単分子層に対して放射線照射
を行なうことによって、該自己組織化単分子層をパター
ニングするとともに、１枚の光透過性基板上に形成され
る前記重し層を複数の部分重し層に分割して設け、該部
分重し層が設けられている領域に前記放射線の照射を行
なうことを特徴とする光学基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記薄膜パターンによりブラックマトリ
クスを形成することを特徴とする請求項１〜３記載の光
学基板の製造方法。 - 【請求項５】 光透過性基板を保持する保持手段と、該
保持手段に保持された前記光透過性基板の面に対向して
設けられた、前記光透過性基板の面よりも面積が小さい
パターン形状を有するスタンプと、該スタンプを自己組
織化単分子層を形成し得る溶液で濡らす手段と、前記ス
タンプと前記光透過性基板との相対位置を該光透過性基
板の面に平行な方向に移動させる手段と、前記スタンプ
を前記光透過性基板の面に接触させる手段を具備するこ
とを特徴とする光学基板の製造装置。 - 【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法
により得られる光学基板。 - 【請求項７】請求項６記載の光学基板を用いた光学装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089807A JP2003287605A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089807A JP2003287605A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003287605A true JP2003287605A (ja) | 2003-10-10 |
Family
ID=29235292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002089807A Withdrawn JP2003287605A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003287605A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678537B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2007-02-02 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 박막 전이 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
| JP2009147380A (ja) * | 2004-12-23 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
| US8100684B2 (en) | 2005-12-21 | 2012-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2019003976A (ja) * | 2017-06-12 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、光学素子、撮像モジュール、撮像装置 |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002089807A patent/JP2003287605A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8131078B2 (en) | 2004-12-23 | 2012-03-06 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2012227555A (ja) * | 2004-12-23 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
| US7636475B2 (en) | 2004-12-23 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2010010708A (ja) * | 2004-12-23 | 2010-01-14 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
| US7676088B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2015128190A (ja) * | 2004-12-23 | 2015-07-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | インプリント・リソグラフィ |
| JP2009147380A (ja) * | 2004-12-23 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
| JP2012049569A (ja) * | 2004-12-23 | 2012-03-08 | Asml Netherlands Bv | インプリント・リソグラフィ |
| US8571318B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US8753557B2 (en) | 2005-12-21 | 2014-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US8100684B2 (en) | 2005-12-21 | 2012-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| US9610727B2 (en) | 2005-12-21 | 2017-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| KR100678537B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2007-02-02 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 박막 전이 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
| JP2019003976A (ja) * | 2017-06-12 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板、光学素子、撮像モジュール、撮像装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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