TWI395656B - 壓印微影方法及裝置 - Google Patents

壓印微影方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI395656B
TWI395656B TW098143713A TW98143713A TWI395656B TW I395656 B TWI395656 B TW I395656B TW 098143713 A TW098143713 A TW 098143713A TW 98143713 A TW98143713 A TW 98143713A TW I395656 B TWI395656 B TW I395656B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
imprint
droplets
configuration
substrate
embossing
Prior art date
Application number
TW098143713A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201032987A (en
Inventor
Sander Frederik Wuister
Johan Frederik Dijksman
Yvonne Wendela Kruijt-Stegeman
Jeroen Herman Lammers
Der Tempel Leendert Van
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201032987A publication Critical patent/TW201032987A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI395656B publication Critical patent/TWI395656B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

壓印微影方法及裝置
本發明係關於一種壓印微影方法及裝置。
在微影中,一直需要減少在微影圖案中特徵之大小,以便增加在給定基板區域上特徵之密度。在光微影中,針對更小特徵之推進已導致諸如浸沒微影及極紫外線(EUV)微影之技術的發展,然而,該等技術係成本相當高的。
已得到日益增加之關注的對更小特徵之成本潛在較低之辦法為所謂的壓印微影,其通常涉及使用「印模」(通常被稱為壓印模板)以將圖案轉印至基板上。壓印微影之優點在於:特徵之解析度不受(例如)輻射源之發射波長或投影系統之數值孔徑限制。實情為,解析度主要係限於壓印模板上之圖案密度。
壓印微影涉及將可壓印介質圖案化於待圖案化之基板之表面上。圖案化可涉及將壓印模板之經圖案化表面與可壓印介質層按壓在一起,使得可壓印介質流動至經圖案化表面之凹座中且係藉由經圖案化表面上之突起物推開。凹座界定壓印模板之經圖案化表面之圖案特徵。通常,在將經圖案化表面與可壓印介質按壓在一起時,可壓印介質可流動。在圖案化可壓印介質之後,使可壓印介質適當地進入不可流動或凍結狀態且使壓印模板之經圖案化表面與經圖案化可壓印介質分離。通常,接著進一步處理基板及經圖案化可壓印介質,以便圖案化或進一步圖案化基板。可壓印介質通常係藉由可壓印介質液滴形成於待圖案化之基板之表面上。
在壓印程序期間,可在形成於可壓印介質、壓印模板與基板之間的囊袋(pocket)中截獲氣體。高度擴散氣體(諸如氦氣)可用作進行壓印之氛圍。任何經截獲氣體囊袋可接著更快速地溶解至可壓印介質、基板或壓印模板中。
可由此方法引起之問題在於:甚至當使用諸如氦氣之氣體時,氣體之擴散及/或溶解亦為相對較緩慢過程。此可導致需要使壓印模板與可壓印介質保持按壓在一起持續數秒、數十秒或甚至數分鐘,以便減少對圖案化之氣體囊袋失真。此又可導致壓印微影程序之產出率之減少,因為擴散時間可為阻止壓印模板與經圖案化可壓印介質之早期分離的速率判定步驟。
氣體囊袋中之氣體將擴散(例如)至基板及/或壓印模板中(主要擴散至壓印模板中)。在基板及/或壓印模板中之此擴散之區中,氣體之濃度將高於周圍區中氣體之濃度。在後續壓印中,形成於先前所形成之氣體囊袋相對於壓印模板(及/或基板)之部位處的氣體囊袋將花費更長時間擴散至基板及/或壓印模板中。此係因為氣體將擴散所進入或通過的基板及/或壓印模板之區已經含有已自在先前壓印中所形成之氣體囊袋擴散至彼等區中的氣體。因此,此更長擴散時間可導致需要使壓印模板與可壓印介質保持按壓在一起持續增加之時段。
在壓印微影中,可將界面活性劑添加至可壓印介質及/或壓印模板以在自可壓印介質釋放壓印模板時減少可壓印介質及/或壓印模板上之力。在壓印程序期間形成於可壓印介質中之氣體囊袋之區中,界面活性劑濃度減少。因為界面活性劑濃度減少,所以在濃度減少之區(亦即,氣體囊袋之部位)中壓印模板及/或可壓印介質上之釋放力增加。該釋放力增加可導致(例如)提供於壓印模板上之釋放層之損壞,或形成於可壓印介質中之圖案中之缺陷。
在一些應用中,界面活性劑空乏可比截獲於氣體囊袋中之氣體之擴散速率之減少更成問題。
因此,需要(例如)提供一種排除或減輕本文所揭示之問題或一般而言為先前技術之問題中之至少一者的壓印微影方法及/或裝置。
根據一態樣,提供一種壓印微影方法,其包含:從事一第一壓印,該第一壓印包含針對具備呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;及從事一第二壓印,該第二壓印包含針對具備呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;其中可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
該方法可包含:在將一圖案壓印於該可壓印介質中之前,以第一控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈該第一組態之該等液滴,及以第二控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈該第二組態之該等液滴,該等第一控制指令與該等第二控制指令不同。
用於該第一壓印的該基板之該區域與用於該第二壓印的該基板之該區域可相同。或者,用於該第一壓印的該基板之該區域(亦即,一第一區域)可不同於用於該第二壓印的該基板之該區域(亦即,一第二區域)。一般而言,用於該第一壓印的該基板之該區域(亦即,該第一區域)將最可能不同於用於該第二壓印的該基板之該區域(亦即,該第二區域)。
該第一組態可不同於該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之大多數囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
該第一組態可不同於該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之所有囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
該方法可進一步包含從事一另外壓印,該等可壓印介質液滴之該組態係針對該另外壓印而改變,使得在該另外壓印期間所形成之囊袋與在一先前壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。在從事該第一壓印、該第二壓印及該另外壓印之後,該方法可包含從事一額外壓印,其中該等可壓印介質液滴具有實質上相同於在該第一壓印中所使用之組態的組態。
針對該第一壓印及/或該第二壓印,可以使得當該壓印模板最初接觸該基板時該壓印模板不平行於該基板而是與該基板成一角度之一方式將該壓印模板壓印至該可壓印介質中。此被稱為「在一角度下壓印」。
可壓印介質液滴之該第二組態可具有實質上相同於可壓印介質液滴之該第一組態之圖案的圖案,該第二組態不同於該第一組態之處在於:該圖案係在實質上平行於該基板之表面之一平面中移位。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:與該第一組態之一或多個液滴相比較,該第二組態之一或多個液滴具有一不同位置、大小、形狀或體積。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:與該第一組態相比較,該第二組態具有一不同圖案。該圖案可藉由改變該等液滴之間距而改變。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:與該第一組態相比較,該第二組態包含更多或更少液滴。
所有可壓印介質液滴之總體積針對該第一組態及該第二組態可實質上相等。
每一可壓印介質液滴之體積可在1pl至100pl或1pl至20pl之範圍內。
可在一氣體氛圍中從事該壓印微影方法,使得該等囊袋含有或包含氣體。該氣體氛圍可包含氦氣,使得該等囊袋含有或包含氦氣。
一釋放層可提供於該壓印模板上。
一界面活性劑可提供於該壓印模板上,及/或該可壓印介質中或該可壓印介質上。
可並行地及/或實質上同時地從事該第一壓印及該第二壓印(亦即,意圖係同時從事該第一壓印及該第二壓印)。
該方法可包含:在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第一組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,及/或在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第二組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上。
該壓印模板可由石英製成或包含石英。
根據一態樣,提供一種壓印微影裝置,其包含:一基板固持器,其係用以固持一基板;一可壓印介質施配器,其係用以將可壓印介質液滴施配至該基板上;一控制配置,其係用以控制該基板固持器及該可壓印介質施配器中之一者或兩者,以確保將可壓印介質液滴以一特定組態提供於該基板之一表面上;及一壓印模板固持器,其經組態以固持一壓印模板以將一圖案壓印至該可壓印介質中,其中針對一第一壓印,該控制配置經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第一組態,且針對一第二壓印,該控制配置經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第二組態,且該控制配置經組態以確保可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態,使得在該第二壓印期間形成於該壓印模板、該等可壓印介質液滴與該基板之間的囊袋與在該第一壓印期間形成於該壓印模板與該等可壓印介質液滴之間的囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
該可壓印介質施配器之該控制配置(控制器)可提供第一指令給該可壓印介質施配器或經配置以接收(例如,具備)第一控制指令,以提供呈該第一組態之該等液滴,且該可壓印介質施配器之該控制器可提供第二指令給該可壓印介質施配器提供或經配置以接收(例如,具備)第二控制指令,以提供呈該第二組態之該等液滴,該等第一控制指令與該等第二控制指令不同。
用於該第一壓印的該基板之該區域與用於該第二壓印的該基板之該區域可相同。或者,用於該第一壓印的該基板之該區域(亦即,一第一區域)可不同於用於該第二壓印的該基板之該區域(亦即,一第二區域)。一般而言,用於該第一壓印的該基板之該區域(亦即,該第一區域)將最可能不同於用於該第二壓印的該基板之該區域(亦即,該第二區域)。
該第一組態可不同於該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之大多數囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
該第一組態可不同於該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之所有囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
可從事一另外壓印,該控制配置經組態以確保該等可壓印介質液滴之該組態係針對該另外壓印而改變,使得在該另外壓印期間所形成之囊袋與在一先前壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。在從事該第一壓印、該第二壓印及該另外壓印之後,可從事一額外壓印。在該額外壓印中,該控制配置可經組態以確保該等可壓印介質液滴具有實質上相同於在該第一壓印中所使用之組態的組態。
針對該第一壓印及/或該第二壓印,可以使得當該壓印模板最初接觸該基板時該壓印模板不平行於該基板而是與該基板成一角度之一方式將該壓印模板壓印至該可壓印介質中。該控制配置可經組態以確保該角度最初存在於該壓印模板與該基板之間,及/或該控制配置可經組態以控制該角度之量值。此可藉由控制該基板及/或該壓印模板之位置及/或定向達成,例如,藉由適當地控制正固持該基板之一基板固持器及/或正固持該壓印模板之該壓印模板固持器達成。
可壓印介質液滴之該第二組態可具有實質上相同於可壓印介質液滴之該第一組態之圖案的圖案,該第二組態不同於該第一組態之處在於:該圖案係在實質上平行於該基板之該表面之一平面中移位。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:該第二組態之一或多個液滴與該第一組態之一或多個液滴相比較具有一不同位置、大小、形狀或體積。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:與該第一組態相比較,該第二組態具有一不同圖案。
可壓印介質液滴之該第二組態可不同於可壓印介質液滴之該第一組態之處在於:與該第一組態相比較,該第二組態包含更多或更少液滴。
所有可壓印介質液滴之總體積針對該第一組態及該第二組態可實質上相等。
每一可壓印介質液滴之體積可在1pl至100pl或1pl至20pl之範圍內。
可在一氣體氛圍中從事該等壓印,使得該等囊袋含有或包含氣體。該氣體氛圍可包含氦氣,使得該等囊袋含有或包含氦氣。
一釋放層可提供於該壓印模板上。
一界面活性劑可提供於該壓印模板上,及/或該可壓印介質中或該可壓印介質上。
可並行地及/或實質上同時地從事該第一壓印及該第二壓印,例如,藉由使用經控制以同時壓印至可壓印介質之各別區域中的兩個壓印模板,或藉由提供在某方面經實體地連接以確保可並行地及/或實質上同時地從事該第一壓印及該第二壓印的一或多個壓印模板。
可在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第一組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,及/或可在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第二組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上。
該壓印模板可由石英製成或包含石英。
根據一態樣,提供一種壓印微影方法,其包含:以第一控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴;從事一第一壓印,該第一壓印包含針對具備呈該第一組態之該等液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;以第二控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴,該等第一控制指令與該等第二控制指令不同;及從事一第二壓印,該第二壓印包含針對具備呈該第二組態之該等液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋,其中可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態,使得在該第二壓印期間所形成之囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
根據一態樣,提供一種壓印微影裝置,其包含:一基板固持器,其係用以固持一基板;一可壓印介質施配器,其係用以將可壓印介質液滴施配至該基板上;一控制配置,其係用以控制該基板固持器及該可壓印介質施配器中之一者或兩者,以確保將可壓印介質液滴以一特定組態提供於該基板之一表面上;及一壓印模板固持器,其經組態以固持一壓印模板以將一圖案壓印至該可壓印介質中,其中針對一第一壓印,該控制配置經組態以提供第一指令給該壓印介質施配器或經配置以接收第一指令,該等第一指令經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第一組態;且針對一第二壓印,該控制配置經組態以提供第二指令給該壓印介質施配器或經配置以接收第二指令,該等第二指令經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第二組態,其中該等指令及/或該控制配置經組態以確保可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態,使得在該第二壓印期間形成於該壓印模板、該等可壓印介質液滴與該基板之間的囊袋與在該第一壓印期間形成於該壓印模板、該等可壓印介質液滴與該基板之間的囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
根據一態樣,提供一種壓印微影方法,其包含:從事一第一壓印,該第一壓印包含針對具備呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中;及從事一第二壓印,該第二壓印包含針對具備呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,其中可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態。
根據一態樣,提供一種壓印微影裝置,其包含:一基板固持器,其係用以固持一基板;一可壓印介質施配器,其係用以將可壓印介質液滴施配至該基板上;一控制配置,其係用以控制該基板固持器及該可壓印介質施配器中之一者或兩者,以確保將可壓印介質液滴以一特定組態提供於該基板之一表面上;及一壓印模板固持器,其經組態以固持一壓印模板以將一圖案壓印至該可壓印介質中,其中針對一第一壓印,該控制配置經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第一組態,且針對一第二壓印,該控制配置經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第二組態,且該控制配置經組態以確保可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態。
根據一態樣,提供一種壓印微影方法,其包含:以第一控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴;從事一第一壓印,該第一壓印包含針對具備呈該第一組態之該等液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中;以第二控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴,該等第一控制指令與該等第二控制指令不同;及從事一第二壓印,該第二壓印包含針對具備呈該第二組態之該等液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,其中可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態。
根據一態樣,提供一種壓印微影裝置,其包含:一基板固持器,其係用以固持一基板;一可壓印介質施配器,其係用以將可壓印介質液滴施配至該基板上;一控制配置,其係用以控制該基板固持器及該可壓印介質施配器中之一者或兩者,以確保將可壓印介質液滴以一特定組態提供於該基板之一表面上;及一壓印模板固持器,其經組態以固持一壓印模板以將一圖案壓印至該可壓印介質中,其中針對一第一壓印,該控制配置經組態以提供第一指令給該可壓印介質施配器或經配置以接收第一指令,該等第一指令經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第一組態,針對一第二壓印,該控制配置經組態以提供第二指令給該可壓印介質施配器或經配置以接收第二指令,該等第二指令經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,該複數個可壓印介質液滴具有一第二組態,且該等指令及/或該控制配置經組態以確保可壓印介質液滴之該第一組態不同於可壓印介質液滴之該第二組態。
根據一態樣,提供一種壓印方法,其包含:在一基板上形成可壓印介質之一第一圖案且在一基板上形成可壓印介質之一第二圖案,該第一圖案與該第二圖案不同;及以同一模板來壓印該第一圖案及該第二圖案。
根據一態樣,提供一種壓印方法,其包含:指導一可壓印介質施配器在一基板上形成可壓印介質之一第一圖案且在一基板上形成可壓印介質之一第二圖案,其中用以指導該可壓印介質施配器形成該第一圖案之指令與用以指導該可壓印介質施配器形成該第二圖案之指令不同;及以同一模板來壓印該第一圖案及該第二圖案。
在可應用之情況下,本發明之該等態樣中之每一者可具有關於本發明之其他態樣中之任一者所描述的一或多個特徵。
將參看附圖來描述本發明之特定實施例。
圖1中示意性地描繪針對壓印微影之已知方法之實例。
圖1展示紫外線(UV)壓印微影之實例,其涉及使用對UV及作為可壓印介質之UV可固化液體透射之透明或半透明模板(為了便利起見而在此處使用術語「UV」,但應將其解釋為包括用於固化可壓印介質之任何適當光化輻射)。UV可固化液體之黏性通常低於在熱壓印微影中所使用之熱固性及熱塑性樹脂之黏性,且因此,UV可固化液體可更快速地移動以填充模板圖案特徵。
基板6具備平坦化及轉印層8。作為可壓印介質之UV可固化樹脂10係提供於平坦化及轉印層8上。石英模板12係接觸UV可固化樹脂10(例如,壓印至UV可固化樹脂10中)。由石英模板12之圖案特徵所形成之圖案係藉由以UV輻射14來固化UV可固化樹脂10而「凍結」,UV輻射14係通過石英模板12而施加至UV可固化樹脂10上。在模板12與UV可固化樹脂10之間斷開之後,蝕刻UV可固化樹脂10,使得將UV可固化樹脂10之更薄區域向下蝕刻至基板。經由UV壓印微影而圖案化基板之特定方式為所謂的步進快閃式壓印微影(step and flash imprint lithography,SFIL),其可用來以類似於通常在積體電路(IC)製造中所使用之光學步進器的方式按小步進來圖案化基板。針對關於UV壓印之更多資訊,見(例如)美國專利申請公開案第2004-0124566號、美國專利第6,334,960號、PCT專利申請公開案第WO 02/067055號,及J. Haisma之名為「Mold-assisted nanolithography: A process for reliable pattern replication」(J. Vac. Sci. Technol. B14(6),1996年11月/12月)之文章。
圖2a示意性地描繪基板6(例如,在圖1中所展示且參看圖1所描述之基板)之平面圖。基板6已劃分成複數個區域20。區域20可為或對應於個別晶粒,或者或另外,可對應於可在任一給定時間(例如,在步進重複式壓印微影程序中)加以壓印之區域。儘管圖2a展示區域20係藉由許多相交線界定,但該等線僅係藉由實例給出以強調不同區域20。實務上,該等線可能不存在於基板6上。基板6可藉由基板固持器(圖中未繪示)固持,且基板固持器可移動以移動基板6。
圖2b展示可壓印介質施配器22。可壓印介質施配器22可用以將可壓印介質提供於在圖2a中所展示且參看圖2a所描述之基板之一或多個區域上。基板及/或可壓印介質施配器22可相對於彼此移動,使得可壓印介質施配器22可相對於待提供有可壓印介質的基板之區域適當地定位。如以下將更詳細地所論述,可壓印介質係以液滴之形式加以提供。可壓印介質施配器22可為噴墨印表機、噴泡印表機或其類似者,或以類似於噴墨印表機、噴泡印表機或其類似者之方式進行操作。
在一實例中,在將壓印模板壓印至提供於基板之一或多個區域上之可壓印介質中(串行地或並行地)之前,可向基板之複數個區域(例如,所有區域)提供可壓印介質。然而,歸因於可壓印介質在已將壓印模板壓印至可壓印介質中之前蒸發之可能性,更普遍之方法係緊接地在以壓印模板來壓印基板之一區域上之可壓印介質之前向彼區域提供可壓印介質。此避免或減少可壓印介質蒸發之任何損失。
圖2c展示用以將圖案壓印至提供於基板之一或多個區域上之可壓印介質中的例示性壓印模板2(例如,在圖1中所展示且參看圖1所描述之壓印模板)。可提供壓印模板固持器以固持及/或移動壓印模板。壓印模板固持器可用以相對於基板來移動壓印模板(例如,在平行於及/或垂直於基板之方向上)。
圖3a示意性地描繪基板之區域20之平面圖。以上所描述之可壓印介質施配器已用以將複數個可壓印介質液滴24提供至基板之區域20上。可壓印介質液滴之組態(例如,數目、部位、分離度、分布及/或位置,及其類似者)可獨立於待藉由壓印模板壓印至可壓印介質中之圖案。然而,可壓印介質液滴之組態可取決於藉由壓印模板提供於可壓印介質中之圖案。舉例而言,若待壓印至可壓印介質中之圖案在基板之區域20之特定子區域中具有更高圖案密度(或特徵密度),則與在其他子區域中相比較可增加在彼子區域中液滴之密度或體積。或者,若待壓印至可壓印介質中之圖案在基板之區域20之特定子區域中具有更低圖案密度(或特徵密度),則與在其他子區域中相比較可減小在彼子區域中液滴之密度或體積。可壓印介質液滴之組態亦可經選擇以減少或消除可壓印介質自基板之一區域流動至基板之另一區域中之可能性。
一旦已將可壓印介質液滴提供於基板上,壓印模板即可接觸可壓印介質液滴且被推進至可壓印介質液滴中(藉由適當地移動壓印模板及/或基板)。圖3b展示當已將壓印模板推進至可壓印介質中時的可壓印介質液滴24(在此圖中未展示壓印模板)。將壓印模板推進至可壓印介質中會導致可壓印介質液滴24展開。可壓印介質液滴彼此接觸且至少在某種程度上開始聚結。如以上所論述,可在氣體氛圍中進行壓印程序。因此,隨著可壓印介質液滴24彼此接觸,氣體囊袋26(例如,氦氣囊袋)被截獲於液滴24、壓印模板與基板中間。需要允許氣體囊袋26擴散,使得可壓印介質液滴能夠更自由地在壓印模板之突起物周圍延伸且延伸至壓印模板之凹座中,因此採用壓印模板之圖案特徵。為了使此過程發生,需要時間來允許氣體囊袋26擴散(例如)至基板及/或壓印模板中。在氣體之擴散期間,在氣體擴散所進入的主體(例如,基板及/或壓印模板)之區中氣體之濃度增加。
圖3c示意性地描繪氣體囊袋相對於基板之區域20之部位28。
若在後續壓印程序期間使用可壓印介質液滴之相同組態,則氣體囊袋相對於壓印模板之部位亦將實質上相同。此意謂氣體囊袋之部位將實質上重合於已經存在一濃度之(先前所擴散之)氣體的壓印模板上之部位(例如,區)。針對後續壓印程序,在壓印模板中氣體之存在將導致氣體自氣體囊袋至壓印模板中之擴散速率減少。此導致使氣體自氣體囊袋擴散所花費及使壓印程序繼續所花費之時間的增加。此增加實施壓印程序所花費之總時間。在先前技術中尚未認識到此問題。需要(例如)減少或消除此問題。該問題在由石英製成或包含石英之壓印模板中係尤其普遍的,此係由於該模板通常係用於壓印微影中且特定氣體能夠擴散至該模板中。
一額外或替代問題係與在一或多個後續壓印中氣體囊袋位於相對於壓印模板之同一部位中相關聯。在壓印微影中,可在壓印模板上提供釋放層以減少當自可壓印介質釋放(例如,移除)壓印模板時出現之釋放力。釋放層可為(例如)全氟三氯矽烷自組裝單層。然而,此類型之釋放層遭受高黏著力及低耐久性。因此,此問題之替代或額外解決方案係將界面活性劑添加至壓印模板及/或添加至可壓印介質。界面活性劑為具有極性部分(親液性,例如,親水性)及非極性部分(疏液性,例如,疏水性)之分子。可使用具有親液性聚醚部分-(CH2 -CH2 -O)m -H及疏液性氟化部分(CF2 -CF2 )n -F之界面活性劑。此界面活性劑之商業名稱為來自DuPontTMFSO-100及來自3MTM 之FC-4432。將界面活性劑以較小量(<1%)添加至可壓印介質。界面活性劑理想地安定於可壓印介質與環境(例如,諸如空氣或氦氣之氣體)之間及/或可壓印介質與壓印模板之間的界面處。
在自可壓印介質釋放壓印模板期間,壓印模板上之界面活性劑可磨損。然而,當緊接著將壓印模板壓印至可壓印介質中時(例如,在後續壓印中),來自可壓印介質之界面活性劑轉移至模板以補充歸因於磨損而自壓印模板損失之界面活性劑。在展布可壓印介質期間,界面活性劑最初理想地存在於可壓印介質與環境之間的界面處以降低可壓印介質液滴之表面能。然而,歸因於液滴展布時之速度,在可壓印介質與環境之間的界面處界面活性劑之濃度變得空乏(亦即,小液滴之「前部」移動得太快以致於界面活性劑分子不能跟隨)。由於此原因,相鄰於氣體囊袋之部位的壓印模板之區或區域以及壓印模板之其他區或區域未被補充界面活性劑。由於壓印模板與可壓印介質之間的總接觸時間在氣體囊袋之部位處亦更短,故此效應增強。此意謂由於釋放層磨損之缺陷將很可能發生於氣體囊袋所在之方位。若在後續壓印中使用可壓印介質液滴之實質上相同組態,則由於氣體囊袋之部位將相同且因此界面活性劑之補充缺乏將相同,故此效應甚至進一步增強。在先前技術中尚未認識到此問題。需要(例如)減少或消除此問題。
在一些應用中,界面活性劑空乏可比截獲於氣體囊袋中之氣體之擴散速率之減少更成問題。
根據一實施例,以上所提及之問題中之一或多者可藉由在一或多個順次或後續壓印中改變可壓印介質液滴之組態加以排除或減輕。舉例而言,藉由針對後續壓印而改變可壓印介質液滴之組態,一或多個氣體囊袋之部位將不對應於在先前壓印中所形成之氣體囊袋之部位。藉由以此方式來改變組態,氣體囊袋中之氣體可更容易地擴散至(例如)基板及/或壓印模板中,此係由於在氣體囊袋之部位中將不存在原本充當對該擴散之障壁的增加濃度之氣體。或者或另外,藉由以此方式來改變液滴之組態,可在壓印模板及/或可壓印介質自身上招致更少磨損。此係因為:由於氣體囊袋將形成於不同部位處,故該磨損將不在同一部位處。舉例而言,藉由以此方式來改變液滴之組態,界面活性劑(若被使用)可更容易地補充壓印模板之區域,從而減少對壓印模板(例如,對壓印模板之釋放層)之磨損。
針對後續壓印,可能需要最小化或消除一或多個(例如,大多數或全部)氣體囊袋之部位之間的任何重疊,因此進一步改良氣體至壓印模板及/或基板中之擴散,及/或進一步減少對壓印模板之磨損。
圖4a示意性地描繪基板之區域20。可壓印介質液滴30已以第一組態提供於基板之區域20上。
圖4b展示當已將壓印模板推進至可壓印介質液滴30中時之可壓印介質液滴30。液滴30已展開且彼此接觸,從而將氣體截獲於液滴30、基板與壓印模板之間的氣體囊袋32中(如以上所描述)。
圖4c示意性地描繪在圖4b中所展示且參看圖4b所描述之氣體囊袋之部位34。
圖5a至圖5c展示在基板之區域20上之後續壓印程序。以實線黑區或以實線輪廓來展示圖5a至圖5c所示的在後續壓印中可壓印介質液滴之位置及氣體囊袋之部位。作為參考,在圖5a至圖5c中以虛線輪廓來展示如圖4a至圖4c所示的可壓印介質液滴之部位及氣體囊袋之部位。在該等圖中,相對於基板之區域20來展示可壓印介質液滴之位置及氣體囊袋之部位。然而,應瞭解,該等圖亦代表當壓印模板接觸可壓印介質液滴且被按壓至可壓印介質液滴中時相對於壓印模板的可壓印介質液滴之位置及氣體囊袋之部位。
圖5a展示可壓印介質液滴36已以第二組態提供於基板之區域20上。第一組態之液滴之圖案與第二組態之液滴之圖案實質上相同。然而,液滴36之第二組態不同於在圖4a中所展示且參看圖4a所描述之液滴之第一組態。差異在於:在第二組態中,液滴之圖案已相對於呈第一組態之液滴之位置移位。液滴之圖案已在平行於基板之表面之平面中移位。呈第一組態之液滴之分布、大小、中間空間(亦即,間距)及尺寸與呈第二組態之液滴之分布、大小、中間空間(亦即,間距)及尺寸實質上相同,但此等性質亦可改變以致使液滴之組態之改變,如以下更詳細地所描述。
圖5b展示當壓印模板已接觸呈第二組態之可壓印介質液滴36且被推進至液滴36中時的液滴36。液滴36已展開且彼此接觸,從而在液滴36、模板與基板中間形成氣體囊袋38。在圖5b中可見,歸因於液滴36係呈第二組態,液滴36在展開時亦係在位置方面相對於呈第一組態之液滴移位。因為液滴36已相對於呈第一組態之液滴移位,所以相對於第一組態中之氣體囊袋的氣體囊袋38之部位亦已移位。圖5c展示當如在圖5a中所展示且參看圖5a所描述的可壓印介質液滴已以第二組態加以提供時氣體囊袋之部位40。可見,針對呈第二組態之液滴的氣體囊袋之部位40係自針對呈在圖4a中所展示且參看圖4a所描述之第一組態時之液滴的氣體囊袋之部位34偏移且與部位34分離。此亦意謂針對呈第二組態之液滴的氣體囊袋相對於壓印模板之部位40係自針對呈在圖4a中所展示且參看圖4a所描述之第一組態時之液滴的氣體囊袋相對於壓印模板之部位34偏移且與部位34分離。
藉由如在圖4a至圖4c及圖5a至圖5c中所展示且參看圖4a至圖4c及圖5a至圖5c所描述來改變可壓印介質液滴之組態,針對兩個後續壓印,在氣體囊袋相對於壓印模板之部位之間(例如,在基板之不同區域上,或(儘管較不普遍)在基板之同一區域上)實質上不存在重疊。氣體自氣體囊袋至壓印模板中之擴散增加,且歸因於(例如)界面活性劑之濃度之減少的對壓印模板之磨損亦減少。
圖4a至圖4c及圖5a至圖5c展示圖案至提供於基板之區域(例如,不同區域或同一區域)上之可壓印介質層中的壓印。通常,在將壓印模板壓印至提供於基板之不同區域上之可壓印介質液滴中時,將從事步進重複式壓印微影程序。實務上,將因此更可能在基板之不同區域上而非在基板之同一區域上從事後續壓印。藉由以類似於圖4a至圖4c及圖5a至圖5c所示之方式的方式(但至基板之不同區域)來改變提供於不同區域上之可壓印介質液滴之組態,在兩次壓印中間氣體囊袋相對於壓印模板(及基板)之部位之間不存在重疊。氣體自氣體囊袋之擴散增加,且歸因於(例如)界面活性劑之濃度之減少的對壓印模板之磨損亦減少。
圖4a至圖4c及圖5a至圖5c展示可壓印介質液滴之組態可藉由移位液滴之整個圖案之位置針對後續壓印而改變。對組態之其他改變係可能的,以致使一或多個氣體囊袋相對於壓印模板及/或基板之部位的改變。舉例而言,圖6a展示:與在圖3a中所展示且參看圖3a所描述之液滴之組態相比較,液滴50之數目及/或密度及/或大小(例如,體積)可改變。圖6b展示:當壓印模板接觸呈在圖6a中所展示且參看圖6a所描述之組態時之液滴且被按壓至該等液滴中時,液滴50仍根據需要而填充基板之區域20。圖7a展示液滴60之另一組態,其中液滴之數目及/或密度及/或大小(例如,體積)已變化。圖7b展示當壓印模板接觸可壓印介質液滴且被按壓至可壓印介質液滴中時的液滴之對應組態。
圖8展示:在一理想實例中(例如,在可能許多理想實例中之一者中),可壓印介質液滴之第一組態70與可壓印介質液滴之第二組態80不同(例如,移位),使得在後續壓印中無任何氣體囊袋部位重疊。
圖8示意性地描繪當已將壓印模板按壓至呈第一組態之可壓印介質液滴70中時可壓印介質液滴之部位,及當已將壓印模板按壓至呈第二組態之可壓印介質液滴80中時可壓印介質液滴之部位,該等部位經展示成彼此疊置。第一組態及第二組態為許多實例中之一者,其中第一組態中之氣體囊袋72之部位不重疊於第二組態中之氣體囊袋82中之任一者。可使用其他組態,其中第一組態中之氣體囊袋之部位不重疊於第二組態中之氣體囊袋中之任一者。
可壓印介質液滴之組態之確切性質及減少或消除後續氣體囊袋相對於壓印模板之部位之重疊的彼組態之改變可針對不同圖案、針對不同氣體、針對不同可壓印介質黏度以及其他變數而變化。適當組態可尤其自試誤法、實驗法及/或模型化加以判定。
當判定不同組態時,應考慮可壓印介質液滴之體積。舉例而言,液滴或相鄰液滴群組之體積可對應於在彼部位處的待推進至可壓印介質中之壓印模板之局域圖案密度。甚至當變化組態時,在基板之一區域中可壓印介質之總量亦可保持恆定,以有助於確保在可壓印介質之覆蓋或(例如)當使用可壓印介質液滴之不同組態時所提供之圖案或圖案特徵之厚度方面無變化。此外,當變化液滴之大小(例如,體積)以改變組態時,若液滴過小,則其可過快地蒸發,且此係不利的。或者,若液滴過大,則可能花費更長時間來使更大液滴展布於提供於壓印模板中之突起物及凹座中以及其周圍,因此增加壓印程序時間。因此,可壓印介質液滴之適當體積可為1pl至20pl,具有該大小之液滴不過快地蒸發,或不花費過長時間來展布於提供於壓印模板中之突起物及凹座中以及其周圍。亦可能係適當的小液滴體積之更大範圍為1pl至100pl。
如以上所論述,需要變化氣體囊袋相對於壓印模板之部位以增加在後續壓印時氣體自彼等氣體囊袋之擴散速率,及/或減少在後續壓印中對壓印模板之(例如)釋放層之磨損及/或損壞(其係由界面活性劑空乏導致)。關於擴散,此問題可藉由使用不同壓印模板克服,此係由於不同壓印模板將不使殘餘量或濃度之氣體位於該等模板內。因此,本發明之一實施例提供一替代解決方案,此係由於其促進同一壓印模板之使用,因此增加程序速度。因此,本發明之一實施例尤其可應用於在後續壓印中使用同一壓印模板之壓印程序。在(例如)特定數目之壓印之後,在壓印模板內氣體之濃度可足夠低以允許可壓印介質液滴之組態返回至原始組態,而不具有對氣體至模板中之擴散及/或對壓印模板之磨損的任何效應(或任何效應中之許多)。或者或類似地,在(例如)特定數目之壓印之後,壓印模板上之界面活性劑可被充分地補充以允許可壓印介質液滴之組態返回至原始組態,而不遭遇以上所論述之界面活性劑空乏問題。
在以上所提及之實施例中,已將單一壓印模板描述為接觸可壓印介質液滴且被推進至可壓印介質液滴中以在彼可壓印介質中形成圖案。在另外實例中,可使複數個壓印模板串行地或並行地及/或實質上同時地接觸提供於基板之一或多個區域上之可壓印介質且按壓至可壓印介質中。當使壓印模板並行地(例如,同時地)接觸可壓印介質時,可使個別壓印模板之移動同步,或者,可將不同壓印模板附接至共同支撐件以允許該並行壓印。或者或另外,可提供單一壓印模板,且其經配置以在每次模板接觸提供於基板上之可壓印介質時壓印基板之複數個區域。
在(例如)在步進重複式程序中將圖案壓印至基板之一個以上區域上之可壓印介質中之前,基板之彼等區域可具備可壓印介質液滴。每一不同區域可具備具有不同組態之液滴以達成本文所論述之優點。若從事並行壓印,則針對並行壓印中之每一者的可壓印介質液滴之組態可相同。可壓印介質液滴之組態可接著針對後續並行壓印而改變,以有助於確保在後續並行壓印期間氣體囊袋形成於相對於壓印模板之不同部位處。
或者或另外,氣體囊袋可被稱作夾雜物、缺陷、包體、氣泡、氣體包體之方位,或氣泡或夾雜物之重心之位置或區。在一些狀況下,例如,在壓印程序中不使用氣體(例如,在抽空環境中從事程序)的情況下,囊袋可含有極少氣體或無氣體。
本文所論述之壓印方法可實施於壓印微影裝置中。裝置可包含:基板固持器,其係用以固持基板;可壓印介質施配器,其係用以將可壓印介質液滴施配至基板上;控制配置,其係用以控制基板固持器及可壓印介質施配器中之一者或兩者,以確保可壓印介質液滴以特定組態提供於基板之表面上;及壓印模板,其係用以將圖案壓印至可壓印介質中。可提供壓印模板固持器以固持及/或移動壓印模板。針對第一壓印,控制配置可經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於基板之一區域上,複數個可壓印介質液滴具有第一組態。此可藉由(例如)適當地移動基板(或基板固持器)及/或可壓印介質施配器達成,及/或藉由控制可壓印介質施配器之輸出(例如,液滴分布、液滴大小及其類似者)達成。針對第二後續壓印,控制配置可經組態以確保將複數個可壓印介質液滴提供於基板之一區域上,複數個可壓印介質液滴具有第二組態。此可藉由(例如)適當地移動基板(或基板固持器)及/或可壓印介質施配器達成,及/或藉由控制可壓印介質施配器之輸出(例如,液滴分布、液滴大小及其類似者)達成。控制配置可經組態以確保第一組態不同於第二組態,使得在第二壓印期間形成於壓印模板、可壓印介質液滴與基板之間的囊袋與在第一壓印期間形成於壓印模板、可壓印介質液滴與基板之間的囊袋形成於相對於壓印模板之不同部位處。用於第一壓印的基板之區域與用於第二壓印的基板之區域可相同(亦即,在第一壓印之上從事第二壓印),或用於第一壓印的基板之區域與用於第二壓印的基板之區域可不同(例如,可在基板上之不同部位處進行壓印)。
可提供一或多個可壓印介質施配器。可提供一或多個壓印模板及/或壓印模板固持器。控制配置可為(例如)任何適當配置。舉例而言,控制配置可為(例如)處理器、嵌入式處理器或電腦。
自以上描述應瞭解,可壓印介質液滴之第一組態不同於可壓印介質液滴之第二組態。第一組態與第二組態係有意地不同,亦即,在壓印時存在確保可壓印介質液滴之第一組態不同於可壓印介質液滴之第二組態的意圖。應瞭解,當重複地提供液滴之相同組態(此為先前技術中之狀況)時,不同重複可無意地提供不同液滴組態。舉例而言,可壓印介質施配器之噴嘴之堵塞可導致所提供的液滴之組態的異常,其將導致液滴之一組態無意地不同於液滴之另一組態。為了清楚起見,且為了區別本發明之一實施例與先前技術,可據說本發明之一實施例的方法包含以第一控制指令來控制可壓印介質施配器(例如,經由可壓印介質施配器之控制器)以提供呈第一組態之液滴,及以第二控制指令來控制可壓印介質施配器(例如,經由可壓印介質施配器之控制器)以提供呈第二組態之液滴,第一控制指令與第二控制指令不同。用以提供不同組態之不同指令的提供清楚地區別於液滴之組態的無意改變。
在以上所提及之實施例中,已將多次壓印展示為在單一基板上進行。實情為,可在複數個基板上從事複數次壓印。舉例而言,可在第一基板之一區域上從事第一壓印。可在第二基板上從事第二壓印。針對第一壓印的可壓印介質液滴之第一組態可不同於針對第二壓印的可壓印介質液滴之第二組態,使得在第二壓印期間所形成之囊袋與在第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於壓印模板之不同部位處。
以上所論述之壓印方法已展示或至少暗示以使得壓印模板保持實質上平行於基板之方式將壓印模板壓印至可壓印介質中。在一實例中,以使得當壓印模板最初接觸基板時壓印模板不平行於基板而是與基板成一角度之方式將壓印模板壓印至可壓印介質中。此後,允許(例如,移動)壓印模板採用平行於壓印模板之定向,使得壓印模板可將圖案壓印至基板上之可壓印介質中。此被稱為在一角度下壓印。在一角度下壓印可用以增加在壓印期間來自壓印模板與基板之間的氣體流動,從而使壓印程序更快。
本發明之一實施例可應用於以液滴之形式來提供(而非(例如)藉由旋塗至基板上來提供)可壓印介質之壓印方法。除了UV以外之輻射可用以「凍結」壓印圖案。可能不需要輻射,且可能藉由加熱或冷卻來凝固圖案。
本發明之一實施例係關於壓印微影裝置及方法。裝置及/或方法可用於製造器件(諸如電子器件及積體電路)或其他應用,諸如製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。器件可具有大約奈米之特徵或圖案大小。用以提供或製造此等器件特徵之壓印模板之圖案特徵亦可具有大約奈米之大小或尺寸。
在本說明書中,術語「基板」意謂包括形成基板之一部分或提供於另一基板上之任何表面層,諸如平坦化層或抗反射塗層,或先前所塗布之經圖案化或未經圖案化可壓印介質層。所描述及說明之實施例在特性方面應被視為說明性而非限制性的,應理解,僅展示及描述特定實施例,且希望保護在如申請專利範圍中所界定的本發明之範疇內的所有改變及修改。應理解,儘管在描述中諸如「較佳的」、「較佳地」、或「更佳的」之詞語的使用提出如此描述之特徵可能係所需的,然而,其可能不係必要的,且可能預期在如附加申請專利範圍中所界定的本發明之範疇內的缺乏該特徵之實施例。關於申請專利範圍,所意欲的係,當將諸如「一」、「至少一」或「至少一部分」之詞語用於一特徵的前面時,不存在將申請專利範圍僅限於一個該特徵的意圖,除非在申請專利範圍中加以特定相反地敍述。當使用語言「至少一部分」及/或「一部分」時,項目可包括一部分及/或整個項目,除非加以特定相反地敍述。
2...壓印模板
6...基板
8...平坦化及轉印層
10...UV可固化樹脂
12...石英模板
14...UV輻射
20...基板之區域
22...可壓印介質施配器
24...可壓印介質液滴
26...氣體囊袋
28...氣體囊袋相對於基板之區域之部位
30...可壓印介質液滴
32...氣體囊袋
34...氣體囊袋相對於壓印模板之部位
36...可壓印介質液滴
38...氣體囊袋
40...氣體囊袋相對於壓印模板之部位
50...液滴
60...液滴
70...可壓印介質液滴之第一組態/呈第一組態之可壓印介質液滴
72...第一組態中之氣體囊袋
80...可壓印介質液滴之第二組態/呈第二組態之可壓印介質液滴
82...第二組態中之氣體囊袋
圖1示意性地描繪UV壓印微影之實例;
圖2a示意性地描繪劃分成將使用壓印微影提供有一或多個圖案之複數個區域之基板;
圖2b示意性地描繪用以將可壓印介質安置至在圖2a中所展示且參看圖2a所描述之基板之一或多個區域上的配置;
圖2c示意性地描繪用以將一或多個圖案提供於可壓印介質中之壓印模板;
圖3a示意性地描繪已提供有複數個可壓印介質液滴的基板之區域;
圖3b示意性地描繪當將壓印模板按壓至可壓印介質液滴中時可壓印介質液滴之展布;
圖3c示意性地描繪截獲於可壓印介質液滴、壓印模板(模板圖中未繪示)與基板中間之氣體囊袋之部位;
圖4a示意性地描繪具備呈第一組態之可壓印介質液滴的基板之區域;
圖4b示意性地描繪當已將壓印模板按壓至呈第一組態之可壓印介質液滴中時的可壓印介質液滴;
圖4c示意性地描繪形成於呈第一組態之可壓印介質液滴、壓印模板(模板圖中未繪示)與基板中間之氣體囊袋之部位;
圖5a示意性地描繪具備呈第二組態之可壓印介質液滴的基板之區域;
圖5b示意性地描繪當已將壓印模板按壓至呈第二組態之可壓印介質液滴中時的可壓印介質液滴;
圖5c示意性地描繪形成於呈第二組態之可壓印介質液滴、壓印模板(模板圖中未繪示)與基板中間之氣體囊袋之部位;
圖6a示意性地描繪已提供有複數個可壓印介質液滴的基板之區域,該等液滴具有不同大小;
圖6b示意性地描繪當已將壓印模板按壓至在圖6a中所展示且參看圖6a所描述之可壓印介質液滴中時的可壓印介質液滴;
圖7a示意性地描繪已提供有複數個可壓印介質液滴的基板之區域,該等液滴具有不同大小;
圖7b示意性地描繪當已將壓印模板按壓至在圖7a中所展示且參看圖7a所描述之可壓印介質液滴中時的可壓印介質液滴;及
圖8示意性地描繪當已將壓印模板按壓至呈第一組態之可壓印介質液滴中時可壓印介質液滴之部位,及當已將壓印模板按壓至呈第二組態之可壓印介質液滴中時可壓印介質液滴之部位,該等部位經展示成彼此疊置。
70...可壓印介質液滴之第一組態/呈第一組態之可壓印介質液滴
72...第一組態中之氣體囊袋
80...可壓印介質液滴之第二組態/呈第二組態之可壓印介質液滴
82...第二組態中之氣體囊袋

Claims (19)

  1. 一種壓印微影方法,其包含:從事一第一壓印,該第一壓印包含:針對具備呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;及從事一第二壓印,該第二壓印包含:針對具備呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;其中可壓印介質液滴之該第二組態具有與可壓印介質液滴之該第一組態實質相同之圖案,且與相對應之該第一組態之一或多個液滴相比較,該第二組態之一或多個液滴具有一相異之大小或體積,使得在該第二壓印期間所形成之囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處,及其中從事該第一與第二壓印係於該基板上一相同層中之相異非重疊區域上進行。
  2. 如請求項1之方法,其包含:在將一圖案各別壓印於該可壓印介質中之前,以第一控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈該第一組態之該等液滴,及以第二控制指令來控制一可壓印介質施配器以提供呈該第二組態 之該等液滴,該等第一控制指令與該等第二控制指令不同。
  3. 如請求項1之方法,其中在該第二壓印期間所形成之大多數囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
  4. 如請求項1之方法,其中在該第二壓印期間所形成之所有囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
  5. 如請求項1之方法,其進一步包含從事一另外壓印,該等可壓印介質液滴之該組態係針對該另外壓印而改變,使得在該另外壓印期間所形成之囊袋與在一先前壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處。
  6. 如請求項5之方法,其進一步包含:在從事該第一壓印、該第二壓印及該另外壓印之後,從事一額外壓印,其中該等可壓印介質液滴具有實質上相同於在該第一壓印中所使用之組態的組態。
  7. 如請求項1之方法,其中針對該第一壓印及/或該第二壓印,以使得當該壓印模板最初接觸該基板時該壓印模板不平行於該基板而是與該基板成一角度之一方式將該壓印模板壓印至該可壓印介質中。
  8. 如請求項1之方法,其中就該第二組態相對於該第一組態而言,液滴之該圖案係在實質上平行於該基板之表面之一平面中移位。
  9. 如請求項1之方法,其中所有可壓印介質液滴之總體積針對該第一組態及該第二組態實質上相等。
  10. 如請求項1之方法,其中每一可壓印介質液滴之體積係在1 pl至100 pl之範圍內。
  11. 如請求項1之方法,在一氣體氛圍中從事該方法,使得該等囊袋含有或包含氣體。
  12. 如請求項11之方法,其中該氣體氛圍包含氦氣,使得該等囊袋含有或包含氦氣。
  13. 如請求項1之方法,其中該壓印模板具有一釋放層。
  14. 如請求項1之方法,其中一界面活性劑係在該壓印模板上,及/或在該可壓印介質中或在該可壓印介質上。
  15. 如請求項1之方法,其中並行地及/或實質上同時地從事該第一壓印及該第二壓印。
  16. 如請求項1之方法,其進一步包含:在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第一組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上,及/或在從事該第一壓印及/或該第二壓印之前將呈該第二組態之該複數個可壓印介質液滴提供於該基板之一區域上。
  17. 如請求項1之方法,其中該壓印模板係由石英製成或包含石英。
  18. 一種壓印微影方法,其包含:從事一第一壓印,該第一壓印包含:針對具備呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓 印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;及從事一第二壓印,該第二壓印包含:針對具備呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;其中與該第一組態相比較,該第二組態具有一相異之圖案,使得在該第二壓印期間所形成之囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處,及其中從事該第一與第二壓印係於該基板上一相同層中之相異非重疊區域上進行。
  19. 一種壓印微影方法,其包含:從事一第一壓印,該第一壓印包含:針對具備呈一第一組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋;及從事一第二壓印,該第二壓印包含:針對具備呈一第二組態之複數個可壓印介質液滴的一基板之一區域,使用該同一壓印模板將一圖案壓印於該可壓印介質中,在該圖案之該壓印期間於該可壓印介質之該等液滴、該壓印模板與該基板之間形成囊袋; 其中與該第一組態相比較,該第二組態具有較多或較少之液滴,使得在該第二壓印期間所形成之囊袋與在該第一壓印期間所形成之囊袋形成於相對於該壓印模板之不同部位處,及其中從事該第一與第二壓印係於該基板上一相同層中之相異非重疊區域上進行。
TW098143713A 2009-02-04 2009-12-18 壓印微影方法及裝置 TWI395656B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14986909P 2009-02-04 2009-02-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201032987A TW201032987A (en) 2010-09-16
TWI395656B true TWI395656B (zh) 2013-05-11

Family

ID=42397028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098143713A TWI395656B (zh) 2009-02-04 2009-12-18 壓印微影方法及裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8696969B2 (zh)
JP (1) JP5016070B2 (zh)
KR (1) KR101121653B1 (zh)
CN (1) CN101900937B (zh)
NL (1) NL2003875A (zh)
TW (1) TWI395656B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5460541B2 (ja) 2010-03-30 2014-04-02 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法、液滴配置パターン作成方法および基板の加工方法
JP5337776B2 (ja) * 2010-09-24 2013-11-06 富士フイルム株式会社 ナノインプリント方法およびそれを利用した基板の加工方法
US8619528B2 (en) * 2011-08-31 2013-12-31 Seagate Technology Llc Method and system for optical calibration
US20130143002A1 (en) * 2011-12-05 2013-06-06 Seagate Technology Llc Method and system for optical callibration discs
US20130337176A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Seagate Technology Llc Nano-scale void reduction
JP5960198B2 (ja) 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP6395352B2 (ja) * 2013-07-12 2018-09-26 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP6540089B2 (ja) * 2015-02-25 2019-07-10 大日本印刷株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置およびパターン形成用プログラム
KR102215539B1 (ko) * 2015-11-20 2021-02-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
SG10201709153VA (en) * 2016-12-12 2018-07-30 Canon Kk Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
CN110383168B (zh) * 2017-02-01 2023-04-28 分子印记公司 在压印光刻工艺中配置光学层
US10890843B2 (en) 2017-07-28 2021-01-12 Tokyo Electron Limited Fast imprint lithography
US10707070B2 (en) * 2017-09-29 2020-07-07 Tokyo Electron Limited Methods and systems for coating a substrate with a fluid
KR102527567B1 (ko) * 2018-02-23 2023-05-03 에스케이하이닉스 주식회사 파티클에 의한 템플레이트 손상을 억제하는 임프린트 패턴 형성 방법
JP7286400B2 (ja) * 2019-04-24 2023-06-05 キヤノン株式会社 成形装置、決定方法、および物品製造方法
JP2022161336A (ja) * 2021-04-08 2022-10-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、決定方法、およびプログラム
KR20230083672A (ko) 2021-12-03 2023-06-12 한온시스템 주식회사 차량용 난방장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070141271A1 (en) * 2004-09-23 2007-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for controlling distribution of fluid components on a body
US20070228589A1 (en) * 2002-11-13 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
TWI295227B (en) * 2002-07-11 2008-04-01 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography process
TWI304520B (en) * 2004-12-23 2008-12-21 Asml Netherlands Bv Imprint lithography

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
AU2001297642A1 (en) 2000-10-12 2002-09-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
JP2003080130A (ja) * 2001-09-11 2003-03-18 Shibaura Mechatronics Corp 塗布装置及び塗布方法
US7442336B2 (en) * 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
JP4627618B2 (ja) * 2003-06-09 2011-02-09 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR20060126967A (ko) * 2003-11-12 2006-12-11 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 고속 충전 및 처리량을 달성하기 위한 분배 구조 및 전도성주형
WO2005120834A2 (en) 2004-06-03 2005-12-22 Molecular Imprints, Inc. Fluid dispensing and drop-on-demand dispensing for nano-scale manufacturing
WO2006023297A1 (en) 2004-08-16 2006-03-02 Molecular Imprints, Inc. Method and composition to provide a layer with uniform etch characteristics
US8142703B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method
US20070138699A1 (en) 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US8001924B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4819577B2 (ja) * 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
US8707890B2 (en) 2006-07-18 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5002207B2 (ja) 2006-07-26 2012-08-15 キヤノン株式会社 パターンを有する構造体の製造方法
US8142702B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Solvent-assisted layer formation for imprint lithography
US20090014917A1 (en) * 2007-07-10 2009-01-15 Molecular Imprints, Inc. Drop Pattern Generation for Imprint Lithography
JP5173311B2 (ja) * 2007-08-09 2013-04-03 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および半導体製造方法
JP4908369B2 (ja) * 2007-10-02 2012-04-04 株式会社東芝 インプリント方法及びインプリントシステム
US20090166317A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing substrate by imprinting

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI295227B (en) * 2002-07-11 2008-04-01 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography process
US20070228589A1 (en) * 2002-11-13 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
US20070141271A1 (en) * 2004-09-23 2007-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for controlling distribution of fluid components on a body
TWI304520B (en) * 2004-12-23 2008-12-21 Asml Netherlands Bv Imprint lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100089792A (ko) 2010-08-12
TW201032987A (en) 2010-09-16
US20100193994A1 (en) 2010-08-05
NL2003875A (en) 2010-08-05
CN101900937A (zh) 2010-12-01
US8696969B2 (en) 2014-04-15
JP5016070B2 (ja) 2012-09-05
KR101121653B1 (ko) 2012-03-09
CN101900937B (zh) 2014-04-16
JP2010183076A (ja) 2010-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI395656B (zh) 壓印微影方法及裝置
JP5883527B2 (ja) インプリント・リソグラフィ
JP4526512B2 (ja) インプリント・リソグラフィ
US7363854B2 (en) System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
JP4679424B2 (ja) インプリント・リソグラフィ
JP4659726B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100855724B1 (ko) 임프린트 리소그래피
JP4398423B2 (ja) インプリント・リソグラフィ
US20070023976A1 (en) Imprint lithography