JP5173311B2 - インプリント方法、インプリント装置および半導体製造方法 - Google Patents
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Description
これらの技術は、数ナノメートルオーダーの分解能を持つためナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれている。
半導体に加え、フォトニッククリスタル等の光学素子、μ−TAS(Micro TotalAnalysis System)、バイオチップの製造技術として幅広い分野への応用が期待されている。
まず、基板(例えばシリコン基板)上に光硬化樹脂からなる層を形成する。
次に、樹脂層に所定の凹凸構造が形成されたモールドを押し当てる。
次に、UV光を照射することで光硬化樹脂を硬化させる。これにより樹脂層に凹凸構造が転写される。
この樹脂層をマスクとしてエッチング等を行い、基板へ凹凸構造が転写される。
更に、基板一枚に100個のチップの領域がある場合、1個のチップあたり1秒以下で処理を行わなければならない。
現在のインプリント装置では、1個のチップあたり数秒〜数十秒程度かかり、基板の一時間あたりの処理能力は数枚となっている。
Stephan Y.Chou et.al., Appl.Phys.Lett,Vol.67,Issue 21,pp.3114−3116(1995)
そのため、上記従来例のものでは位置合わせや、樹脂の塗布などに時間を要することとなる。
このような時間の短縮化を図るため、半導体の露光装置で活用されている、数個のチップの位置計測データを用いてステージ制御を行うグローバルアライメント方式を利用した位置合わせや、スピンコートなどの塗布方式を適用することも考えられる。
すなわち、モールドと基板とを数十ナノメートル〜数百ナノメートルの間隔にしてインプリントする必要があり、モールドと基板とを所定の間隔に位置合わせを行うために時間を要することとなる。
また、位置合わせされたモールドにより、基板に塗布された樹脂にインプリントする際に、樹脂を所定の厚さにするためには樹脂の拡散を待つ必要があり、そのため時間を要することとなる。
なお、今日では、一方において、低粘度の樹脂などが開発されてきているが、このような樹脂の特性を活用し、樹脂の充填時間を短縮することが可能となるインプリント方法の実現が希求されている。
本発明のインプリント方法は、基板上に設けられた未硬化樹脂を、モールドと該基板との間に充填して硬化させ、該モールドの加工面に形成されたパターンをインプリントするインプリント方法であって、
前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを、異なる間隔として前記モールドを前記基板に配置する第1の工程と、
前記モールドまたは/および前記基板を移動させることで、前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側から前記モールドと前記基板との間に流入させて前記モールドと前記基板の間に充填する第2の工程と、
前記モールドまたは/および前記基板の姿勢を制御し、前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを前記第1の工程により配置された間隔とは異なる間隔にする第3の工程と、
を有し、
前記第2の工程では、前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および前記基板を移動させることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、
前記第3の工程において、前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを等しくすることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記第1の工程が、前記第1の端部を前記モールドの前方の端部とし、前記第2の端部を前記モールドの前方の端部に対する後方の端部とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を、前記第2の端部と前記基板の間隔よりも狭い間隔として、前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記モールドが、前記移動させる際の進行方向側から見て、仰角となるように配置されていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記基板が、前記移動させる際の進行方向側から見て、伏角となるように配置されていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、
前記モールドの法線ベクトルを、
また、本発明のインプリント方法は、
前記第1の工程が、前記第1の端部を前記モールドの前方の端部と該モールドの前方の端部に対する後方の端部とを繋ぐ前記モールドにおける一方の横の辺とし、前記第2の端部を該一方の横の辺に対する他方の横の辺とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を、前記第2の端部と前記基板の間隔よりも狭い間隔として前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、
前記第1の工程が、前記第1の端部を前記横の辺と前記前方の端部とが交わる一方の点とし、第2の端部を該一方の点と対角にある他方の点とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を最も狭い間隔とし、前記第2の端部と前記基板の間隔を最も広い間隔として、前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記基板の複数の領域をインプリントするに際し、前記第1の端部を既にインプリントされた側とし、前記第2の端部を未硬化樹脂の側とすることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記第2の工程では、前記未硬化樹脂を塗布しながら前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および基板を移動させることで、
前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側から前記モールドと前記基板との間に流入させて、前記モールドと前記基板の間に充填することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記樹脂の塗布に際し、前記モールドと前記基板の相対的な位置変化におけるそれらの間に存在する空間の変化に伴い、前記樹脂の塗布量の制御を行うことを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記樹脂の塗布量の制御に際し、該樹脂の塗布量を、モールドの長さ、モールドと水平面の角度、基板と水平面の角度、モールドおよび基板の最短距離、モールドの速度、経過時間、に基づいて計算することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記第2の工程と前記第3の工程とが、同時に行われることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、基板上に設けられた未硬化樹脂を、モールドと該基板との間に充填して硬化させ、該モールドの加工面に形成されたパターンをインプリントするインプリント装置であって、
前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを、異なる間隔として前記モールドを前記基板に配置する姿勢制御機構と、
前記モールドおよび前記基板の姿勢および位置を計測する計測機構と、
前記モールドまたは/および前記基板を移動させることで、前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側からモールドと基板との間に流入させて前記モールドと前記基板の間に充填する充填機構と、
を有し、
前記充填機構は、前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および前記基板を移動させることを特徴とする。
また、本発明の半導体製造方法は、上記いずれかに記載のインプリント方法、または、上記インプリント装置、を用いてモールドのパターンを基板上の未硬化樹脂にインプリントする工程を有することを特徴とする。
本実施形態においては、本発明のインプリント方法の一例として、モールドが基板に対して平行でない状態を保ちながら、モールドや基板の面内方向の位置を変化させることによって、モールドと基板の間に樹脂を充填するインプリント方法について説明する。
本実施形態のインプリント方法は、つぎのように実施される。
(1)図1に示すように、まず、インプリントの工程を開始し、基板を基板保持部にロードする(S1−1)。なお、モールドは予め配置されている。
(2)次に、モールドに対する基板の位置計測を行なう(S1−2)。
以後の各工程においては、ここで計測した結果を元にステージの精度を利用してインプリントを行うグローバルアライメント方式を前提に説明する。
(3)まず、インプリントの第1の工程において、モールドおよび基板のステージを動かし、モールドを基板に対して所定の位置に配置する(S1−3)。
この時、モールドの第1の端部に対する基板の間隔が、第2の端部に対する基板の間隔と異なるように配置する。この状況では、モールドと基板の間には、硬化後の樹脂および気体が存在する。
(4)次に、インプリントの第2の工程において、前記基板上の未硬化樹脂が設けられた側に移動させ、その進行方向側から見て前記モールドの前方の端部より外側から、樹脂をモールドと基板の間に流入させる(S1−4)。
この過程において、モールドまたは/および基板を移動させる。これによりモールドまたは/および基板が相対的な位置変化をするとともにモールドと基板の間に樹脂が充填される。
(5)次に、インプリントの第3の工程において、モールドまたは/および基板を回転させ、第1の端部に対する基板の間隔が、第2の端部に対する基板の間隔を第1の工程により配置された間隔とは異なる間隔にする。例えば、モールドにおける第1の端部の基板に対する間隔と、モールドにおける第2の端部の基板に対する間隔とを等しくする(S1−5)。
(6)次の工程において、UV光を照射し、光硬化樹脂を硬化させる(S1−6)。
(7)次の工程において、モールドおよび基板のステージ制御によってモールドを基板から離す(S1−7)。
(8)次の工程において、基板上の全ての領域においてインプリントが終了しているかどうかを判断する(S1−8)。
ここで、終了している場合は、基板を次のエッチングなどの工程に移動するためにアンロードする(S1−9)。終了していない場合はS1−3に戻す。
但し、本発明はこのような構成例に限られるものではなく、例えば、進行方向に対する垂直な軸に対してモールドが傾いた状態に配置し、これにより特に未硬化の樹脂側を広くすることによって樹脂を出し易くしてインプリントするようにしてもよい。
図2において、201はモールド、202は硬化後の樹脂、203は基板、204は未硬化の樹脂、205は基準面、206はモールドの目標位置、207は対向する基板位置、208は前方端部、209は後方端部である。
ここでは、モールドを基板に対して動かす例について説明する。また、グローバルアライメント方式で、樹脂の塗布方法はスピン塗布とする。
基板上には、硬化後の樹脂202、未硬化の樹脂204が存在する。
図2(b)は、モールドを基板に対して垂直方向に退避させた離型後のS1−7の状態である。基準面205は基板表面から残膜層の厚さだけ高くなったところである。
ここでは、水平な面である。紙面に向かって左側に目標とするインプリント領域がある場合、進行方向は左側矢印、前方端部208、後方端部209は図のように定義する。
当然右側に目標とするインプリント領域がある場合、進行方向は右側矢印、前方端部、後方端部は逆になる。
この残膜はない方が良いが、ここでは、所定の厚さになるように制御することを前提として説明する。この残膜は例えば数十nm〜数μmである。従って、モールドおよび基板はこの厚さを考慮してステージの位置を決定する。次のモールドの目標位置206およびそれに対する基板の位置207とする。
モールドと基準面の成す角をδ(仰角)、基板と基準面の成す角をφ(伏角)となるように配置されている。
結果的に、モールドと基板の配置は、前のステップで硬化した時の前方端部の位置にてモールドおよび基板が回転したようになっている。δは0±5°以内、φは±5°以内が望ましい。
因に、□20mmのモールドを使って、δが0.1°の角度がある場合、両端部の高さの差は34.9μmである。
また、1°の角度がある場合の両端部の高さの差は349μmであり、5°の角度の場合の両端部の高さの差は1750μmである。
前方端部の位置および対向する基板の位置および角度は、装置構成、パターンのアスペクト、樹脂の性質などによって決める。
なお、図2(b)の離型工程を入れる理由は、モールドおよび基板を離すこと、垂直に離型することによりパターンの壊れることを低減すること、である。
特に、パターンのアスペクト比が高い場合に有効である。この離型工程を不要とした例については実施例2で説明する。
当然、モールドと基板の成す角δ+φ、樹脂の特性、表面処理によって、表面張力や毛細管力などの影響が変化し、モールドと基板の間の樹脂の充填のされ方が変わる。
例えば、モールドと基板の間を全て埋めるように充填される場合や、前方端部と基板の間隔で決まる厚さの膜が形成される場合などがある。
充填に必要な樹脂の量は、モールドと基板の間の残膜に相当する体積およびパターンの体積の総和とすることができる。
回転により樹脂が外に押し出される。なお、押し出された樹脂は、装置構成によってモールドより外側を露光しないようにする場合、チップの間隔を空けることによって硬化しても良いようにする場合など対処する。
また、吸引機構がある場合には吸引してもよい。
この図2(a)から図2(e)のプロセスを基板上の必要な個所に対して繰り返し行う。また、図2(d)および図2(e)の充填工程と回転工程は同時に行ってもよい。
(1)モールドおよび基板の並進運動を利用することによって、樹脂を強制的にモールドと基板の間に充填させることができる。これは、樹脂が拡散する速度に比べて早く制御できることがある。
(2)予め前方端部が基板と所定の間隔になるように制御を行っているため、必要以上の樹脂が入りにくい。
(3)モールドの進行方向に対して前方端部が後方端部より狭いことによって、前方端部が高圧、後方端部が低圧になりやすくなる。従って、樹脂が後方に拡散しやすくなる。
(4)φが伏角である場合には、重力によって樹脂がモールドと基板の間に流れやすくなる。なお、樹脂の特性に応じてこの角度は決める。
(5)回転によって樹脂を外側に押し出すことができる。
本実施例においては、本発明を適用したインプリント装置の構成例について説明する。
図3に、本実施例のインプリント装置の構成例を説明する図を示す。
図3において、301はモールド、302はモールド保持機構、303は基板、304は基板保持機構である。
305はモールド用zαβステージ、306はモールド用xyθステージ、307は基板用zαβステージ、308は基板用xyθステージである。
309は基板用干渉計、310は基板用ミラー、311はモールド用干渉計、312はモールド用ミラー、313は光学系、314は光学系用zαβステージ、315は光学系用xyθステージ、316は光源である。
モールドはモールド用xyθステージ306にて移動され、姿勢制御機構を構成するモールド用zαβステージ305にて姿勢制御することができる。
ステージ位置計測のために、計測機構を構成するモールド用干渉計311およびモールド用ミラー312が配置されている。
基板303は基板保持機構304に配置されている。基板は、基板用zαβステージ307により位置移動、基板用xyθステージ308にて姿勢制御を行うことができる。
ステージ位置計測のために基板用干渉計309、基板用ミラー310が配置されている。
ここには不図示であるが、当然各軸に対して計測することができる。
光源316、樹脂を塗布するための機構(不図示)を備えている。なお、モールドの範囲外の樹脂を硬化させないように遮光部材を備えている。
図4(a)において、モールドのzαβステージは、3つのz方向に移動する機構で構成されている。
面を規定するそれらの3点をそれぞれA,B,Cとし、モールドは□DEFGで表される。
なお、モールドの一辺の長さはLとする。点A,B,Cはそれぞれzのみが変数である。
当然xyθステージによりそれぞれの点におけるx,y,θに関する値を変更することができる。この平面は基準点P(0,0,zp)がz軸と平行に移動する。なお、ここでは簡単のため、xyθステージは固定した状態で説明する。
また、辺DE,EF,FG,GDの中点をそれぞれ点S,T,U,Vとすると、辺PSおよびPTの周りを回転することができる構成である。したがって、点Sはyz平面内を移動することができ、DEはPSと垂直である。
また、点Tはxz平面内を移動することができ、EFはPTと垂直である。
従ってモールドは辺PSを中心に回転する。図4(b)のように点Dのzdおよびxy平面との成す角δを決めれば□DEFGの位置が決まり、平面の数式が計算できる。
この数式に対して点A,B,Cのxおよびyの値を代入すれば、それぞれの点の所定のzの値が求まることになる。
前記モールドの法線ベクトルと前記基板の法線ベクトルに対して一次従属となるように、前記モールドと前記基板を制御する構成を採ることができる。
なお、図2では前方端部208を中心に回転させている。D、Gの位置および角度を決めることによってPの位置が計算できる。
回転運動と同時にxyθステージによる移動をさせることになる。
本実施例においては、本発明を適用した離型工程と配置工程が同時に行えるインプリント方法の構成例について説明する。
図5に、本実施例の構成例を説明する図を示す。
図5には、図2の本発明の実施形態で説明した構成と同じ構成には、同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図5(b)は、モールドと基板を離型すると同時にそれぞれを配置した状況である。
モールドは前方端部208、基板はモールドの目標位置206に対向する基板位置207をそれぞれ回転中心にしている。
ここでの前方端部とは図4のDGに相当する。なお、基板が前方端部208を回転中心にしない理由は、208部分付近が離型しない可能性があるからである。当然、モールドと基板の間には硬化した樹脂がある。
この時、モールドと基板の間には未硬化樹脂が前方端部より外側からモールドと基板の間に流入し、モールドと基板の間に充填される。
図5(d)は、モールドの目標位置206に到達した後、モールドおよび基板をそれぞれモールドの目標位置206、対向する基板の位置207を中心として回転させ、前方端部と後方端部におけるモールドと基板の間隔を同じにする。
この後、UV光を照射することによって光硬化樹脂を硬化させる。
この構成によれば、基板の複数の領域のインプリントにおいて、インプリントされる領域毎に回転運動と並進運動を繰り返してインプリントする際、実施例1の特徴に加え、離型工程と配置工程が同時に行えるため、時間を短縮することができる。
また、離型時にモールドと基板を垂直に上げた場合は大きな離型力を必要とする。
それに対して、回転による離型は、離型力を低減する効果もある。
本実施例においては、本発明を適用した進行方向に対する垂直な軸に対してモールドが傾いた状態に配置し、これにより特に未硬化の樹脂側を広くすることによって樹脂を出し易くしたインプリント方法の構成例について説明する。
本実施例においては、図1で説明した第1の端部を、モールドの前方の端部と該モールドの後方の端部とを繋ぐ該モールドにおける一方の横の辺とし、
前記第2の端部を前記一方の横の辺に対する他方の横の辺とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を、前記第2の端部と前記基板の間隔よりも狭い間隔として前記モールドを前記基板に配置する構成が採られる。
図6に、本実施例3における基板の複数の領域をインプリントする際の、モールドと基板の位置的関係の一例を説明する図を示す。
図6において、説明のためインプリント領域に番号1−16が振られている。
番号12−16は樹脂が未硬化の領域である。
この時のAA’,BB’の断面プロファイルを図6(b)、(c)に示す。なお、奥行き方向の情報は省略する。進行方向に対して番号6の側の端部(硬化後)が番号14の側(未硬化)の端部より狭くなっている場合である。
図4で示されるDGが前方の端部、本実施例における上記した第1の端部である一方の横の辺がDEに相当する。
また、図4で示されるGFが後方の端部、本実施例における上記した第2の端部がGFに相当する。
そして、この上記第1端部である一方の横の辺を既にインプリントされた側とし、その基板との間隔を、上記第2端部である一方の横の辺側における基板との間隔より狭くして、未硬化の樹脂側に樹脂を出し易くする構成が採られている。
その際、本実施例における上記第1の端部を、上記した横の辺と前方の端部とが交わる一方の点とし、第2の端部をこの一方の点と対角にある他方の点とすると共に、
上記した第1の端部と基板の間隔を最も狭い間隔とし、上記した第2の端部と基板の間隔を最も広い間隔として、前記モールドを前記基板に配置するようにしてもよい。
具体的に図4を用いて説明すれば、D点での位置におけるモールドと基板との間隔を最小とし、G点におけるモールドと基板との間隔を最大とし、樹脂を充填させるように構成してもよい。
一般に、樹脂が硬化している側は残膜およびパターンが存在し、樹脂が流れにくくなっている。
この構成によれば、樹脂の未硬化側を広くすることによって、この方向に樹脂の流動を促し、充填時間を短縮することができる。
本実施例においては、樹脂の塗布を行いながらモールドまたは基板を移動させる、すなわち充填工程と塗布工程とを同時に行なえるようにしたインプリント方法の構成例について説明する。
図7に、本実施例の構成例を説明する図を示す。
図7には、図2の本発明の実施形態で説明した構成と同じ構成には、同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図7において、701は塗布機構である。
樹脂を塗布するための塗布装置が配置されており、塗布機構701はモールドの動きに合わせて移動することができる。
図7(b)は、モールドおよび基板のステージによってモールドと基板を離型した状況である。
図7(c)は、モールドおよび基板を配置した状況である。この時、モールドと基準面の角度はδ、基板と基準面の角度はφである。モールドと基板の間には硬化後の樹脂が存在する。
図7(e)は、モールドの前方端部が目標位置に到達し、モールドおよび基板を回転させ、モールドと基板が所定の間隔になった状況である。
UV光を照射することによって光硬化樹脂を硬化させる。
所定のインプリント領域全てが終了している場合は、ステージを動かし、モールドと基板を離す。基板をアンロードする。終了していない場合は図7(a)に戻る。
樹脂はモールドと基板の間を全て満たしている場合や、所定の間隔で広がっている場合がある。
ここでは、モールドと基板の相対的な位置変化とともに、樹脂がモールドと基板の間を樹脂塗布機構側からすべて埋めていく場合について説明する。
モールドの端部208と基板の間隔がgであるとする。モールドが進み、樹脂が台形ABCDまで満たされているとする。
なお、ここでは図4の点Vが図8の点Aに相当する。モールドが速度vで時間t経過したときから、微小時間dtの間にvdt進むことによって、台形BEFCの面積変化dSが起こる。
具体的には、樹脂の塗布量を、モールドの長さ、モールドと水平面の角度、基板と水平面の角度、モールドおよび基板の最短距離、モールドの速度、経過時間、に基づいて計算する。
当然、モールドと基板の間隔によって塗布量が一定量を超えると塗布を止めても良い。
なお、インプリント終了後のはみ出した樹脂はそのまま放置してもよいし、吸引機構があるような場合は吸引してもよい。
本実施例の構成によれば、実施例1の特徴に加え、塗布工程と充填工程を同時にできるため時間が短縮できることである。
さらに、樹脂の塗布量を大きくすることによって強制的に流入させることができる。
202:硬化後の樹脂
203:基板
204:未硬化の樹脂
205:基準面
206:モールドの目標位置
207:対向する基板位置
208:前方端部
209:後方端部
301:モールド
302:モールド保持機構
303:基板
304:基板保持機構
305:モールド用zαβステージ
306:モールド用xyθステージ
307:基板用zαβステージ
308:基板用xyθステージ
309:基板用干渉計
310:基板用ミラー
311:モールド用干渉計
312:モールド用ミラー
313:光学系
314:光学系用zαβステージ
315:光学系用xyθステージ
316:光源
701:塗布機構
Claims (16)
- 基板上に設けられた未硬化樹脂を、モールドと該基板との間に充填して硬化させ、該モールドの加工面に形成されたパターンをインプリントするインプリント方法であって、
前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを、異なる間隔として前記モールドを前記基板に配置する第1の工程と、
前記モールドまたは/および前記基板を移動させることで、前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側から前記モールドと前記基板との間に流入させて前記モールドと前記基板の間に充填する第2の工程と、
前記モールドまたは/および前記基板の姿勢を制御し、前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを前記第1の工程により配置された間隔とは異なる間隔にする第3の工程と、
を有し、
前記第2の工程では、前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および前記基板を移動させることを特徴とするインプリント方法。 - 前記第3の工程において、前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを等しくすることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記第1の工程が、前記第1の端部を前記モールドの前方の端部とし、前記第2の端部を前記モールドの前方の端部に対する後方の端部とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を、前記第2の端部と前記基板の間隔よりも狭い間隔として、前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のインプリント方法。 - 前記モールドが、前記移動させる際の進行方向側から見て、仰角となるように配置されていることを特徴とする請求項3に記載のインプリント方法。
- 前記基板が、前記移動させる際の進行方向側から見て、伏角となるように配置されていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のインプリント方法。
- 前記基板の複数の領域をインプリントする際に、該インプリントされる領域毎に回転運動と並進運動を繰り返してインプリントすることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 前記第1の工程が、前記第1の端部を前記モールドの前方の端部と該モールドの前方の端部に対する後方の端部とを繋ぐ前記モールドにおける一方の横の辺とし、前記第2の端部を該一方の横の辺に対する他方の横の辺とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を、前記第2の端部と前記基板の間隔よりも狭い間隔として前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。 - 前記第1の工程が、前記第1の端部を前記横の辺と前記前方の端部とが交わる一方の点とし、第2の端部を該一方の点と対角にある他方の点とすると共に、
前記第1の端部と前記基板の間隔を最も狭い間隔とし、前記第2の端部と前記基板の間隔を最も広い間隔として、前記モールドを前記基板に配置する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。 - 前記基板の複数の領域をインプリントするに際し、前記第1の端部を既にインプリントされた側とし、前記第2の端部を未硬化樹脂の側とすることを特徴とする請求項8または請求項9に記載のインプリント方法。
- 前記第2の工程では、前記未硬化樹脂を塗布しながら前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および基板を移動させることで、
前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側から前記モールドと前記基板との間に流入させて、前記モールドと前記基板の間に充填することを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 前記樹脂の塗布に際し、前記モールドと前記基板の相対的な位置変化におけるそれらの間に存在する空間の変化に伴い、前記樹脂の塗布量の制御を行うことを特徴とする請求項11に記載のインプリント方法。
- 前記樹脂の塗布量の制御に際し、該樹脂の塗布量を、モールドの長さ、モールドと水平面の角度、基板と水平面の角度、モールドおよび基板の最短距離、モールドの速度、経過時間、に基づいて計算することを特徴とする請求項12に記載のインプリント方法。
- 前記第2の工程と前記第3の工程とが、同時に行われることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 基板上に設けられた未硬化樹脂を、モールドと該基板との間に充填して硬化させ、該モールドの加工面に形成されたパターンをインプリントするインプリント装置であって、
前記モールドにおける第1の端部の前記基板に対する間隔と、前記モールドにおける第2の端部の前記基板に対する間隔とを、異なる間隔として前記モールドを前記基板に配置する姿勢制御機構と、
前記モールドおよび前記基板の姿勢および位置を計測する計測機構と、
前記モールドまたは/および前記基板を移動させることで、前記未硬化樹脂を、前記モールドの前方の端部より外側からモールドと基板との間に流入させて前記モールドと前記基板の間に充填する充填機構と、
を有し、
前記充填機構は、前記モールドの前方の端部の少なくとも一部と前記未硬化樹脂とを接触させた状態で前記モールドまたは/および前記基板を移動させることを特徴とするインプリント装置。 - 請求項1乃至14のいずれか1項に記載のインプリント方法、または、請求項15に記載のインプリント装置、を用いてモールドのパターンを基板上の未硬化樹脂にインプリントする工程を有することを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208266A JP5173311B2 (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | インプリント方法、インプリント装置および半導体製造方法 |
US12/184,372 US7708927B2 (en) | 2007-08-09 | 2008-08-01 | Imprint method and imprint apparatus |
US12/726,375 US7985061B2 (en) | 2007-08-09 | 2010-03-18 | Imprint apparatus having attitude control |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208266A JP5173311B2 (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | インプリント方法、インプリント装置および半導体製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009043998A JP2009043998A (ja) | 2009-02-26 |
JP2009043998A5 JP2009043998A5 (ja) | 2010-09-16 |
JP5173311B2 true JP5173311B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=40345719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007208266A Expired - Fee Related JP5173311B2 (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | インプリント方法、インプリント装置および半導体製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7708927B2 (ja) |
JP (1) | JP5173311B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5289006B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびプログラム |
NL2003875A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
JP5443070B2 (ja) | 2009-06-19 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JP2011009362A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2011025220A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5060517B2 (ja) | 2009-06-24 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JPWO2011024700A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 成形型、光学素子及び成形型の製造方法 |
JP5296641B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリント方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びインプリント装置 |
WO2011040466A1 (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、及びコンピュータ記憶媒体 |
US8522712B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-09-03 | Tokyo Electron Limited | Template treatment method, program, computer storage medium, template treatment apparatus and imprint system |
JP5611112B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2014-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5618663B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | インプリント用のテンプレート及びパターン形成方法 |
JP5145397B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及びテンプレート処理装置 |
WO2014145360A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | Imprint lithography system and method for manufacturing |
WO2014145826A2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography |
JP6611450B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-11-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02113456A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | ディスク基板製造装置 |
TW401618B (en) * | 1998-09-23 | 2000-08-11 | Nat Science Council | Manufacture method of the dielectrics and the structure thereof |
US6873087B1 (en) * | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
US6696220B2 (en) * | 2000-10-12 | 2004-02-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography |
JP3588633B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2004-11-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | インプリントリソグラフィー用移動ステージ |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
US20050098534A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
JP4455093B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドを用いた加工装置及びモールドを用いた加工方法 |
JP4455092B2 (ja) | 2004-02-20 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
JP2007027361A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド |
-
2007
- 2007-08-09 JP JP2007208266A patent/JP5173311B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-01 US US12/184,372 patent/US7708927B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-18 US US12/726,375 patent/US7985061B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7708927B2 (en) | 2010-05-04 |
US20100173032A1 (en) | 2010-07-08 |
US20090039550A1 (en) | 2009-02-12 |
US7985061B2 (en) | 2011-07-26 |
JP2009043998A (ja) | 2009-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |