JP2008068611A - インプリントリソグラフィ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インプリントテンプレートを作成する方法は、マスタインプリントテンプレートのパターン付き表面に硬化性材料を塗布し、硬化性材料を硬化し、それによってマスタインプリントテンプレートのパターン付き表面の逆であるパターン付き表面を有する第二インプリントテンプレートを形成し、マスタインプリントテンプレートから第二インプリントテンプレートを除去し、無機ゾルゲルを基板に塗布し、第二インプリントテンプレートで無機ゾルゲルにインプリントし、無機ゾルゲルを硬化させ、無機ゾルゲルがマスタインプリントテンプレートのパターン付き表面に対応するパターン付き表面を有する第三インプリントテンプレートを形成するように、硬化した無機ゾルゲルから第二インプリントテンプレートを除去する。
【選択図】図4
Description
Claims (20)
- マスタインプリントテンプレートのパターン付き表面に硬化性材料を塗布し、
前記硬化性材料を硬化し、それによって前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面の逆であるパターン付き表面を有する第二インプリントテンプレートを形成し、
前記マスタインプリントテンプレートから前記第二インプリントテンプレートを除去し、
無機ゾルゲルを基板に塗布し、
前記第二インプリントテンプレートで前記無機ゾルゲルにインプリントし、
前記無機ゾルゲルを硬化させ、
前記無機ゾルゲルが前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面に対応するパターン付き表面を有する第三インプリントテンプレートを形成するように、前記硬化した無機ゾルゲルから前記第二インプリントテンプレートを除去する、
ことを有する、インプリントリソグラフィテンプレートを作成する方法。 - 前記無機ゾルゲルが、溶剤と、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコン、酸化錫、酸化亜鉛および酸化ゲルマニウムのグループから選択された材料とを含む、請求項1記載の方法。
- 前記第三インプリントテンプレートがその後炉内で焼成することによって硬化される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板が石英、溶融シリカまたはケイ素から形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記ゾルゲルが塗布される前記基板は転写層を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記硬化性材料がポリジメチルシロキサン(PDMS)からなる、請求項1に記載の方法。
- 前記硬化性材料が、硬化せしめられた後にキャリア基板に保持される、請求項1に記載の方法。
- 前記硬化性材料は硬化せしめられる前にキャリア基板に接触させられる、請求項1に記載の方法。
- 前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面は剥離層を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記ゾルゲルおよび転写層を選択的にエッチングし、それによって前記無機ゾルゲルの前記パターンを前記基板に転写するために、反応性イオンエッチングが使用される、請求項5に記載の方法。
- 前記エッチングの後に、前記転写層が前記基板から除去される、請求項10に記載の方法。
- 前記第二インプリントテンプレートは、ゾルゲルを複数回インプリントし、それによって複数のインプリントテンプレートを作成可能にするために使用され、各インプリントテンプレートが前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面に対応するパターン付き表面を有する、請求項1に記載の方法。
- マスタインプリントテンプレートのパターン付き表面に硬化性材料を塗布し、
前記硬化性材料を硬化し、それによって前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面の逆であるパターン付き表面を有する第二インプリントテンプレートを形成し、
前記マスタインプリントテンプレートから前記第二インプリントテンプレートを除去し、
前記第二インプリントテンプレートの前記パターン付き表面に無機ゾルゲルを塗布し、
基板を無機ゾルゲルと接触させ、
前記無機ゾルゲルを硬化させ、
前記無機ゾルゲルが前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面に対応するパターン付き表面を有する第三インプリントテンプレートを形成するように、前記硬化した無機ゾルゲルから前記第二インプリントテンプレートを除去する、
ことからなるインプリントリソグラフィテンプレートを作成する方法。 - 前記無機ゾルゲルが、溶剤と、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコン、酸化錫、酸化亜鉛および酸化ゲルマニウムのグループから選択された材料とからなる、請求項13記載の方法。
- 前記硬化性材料がポリジメチルシロキサン(PDMS)からなる、請求項13に記載の方法。
- 前記ゾルゲルが塗布される前記基板は転写層を備える、請求項13に記載の方法。
- 前記ゾルゲルおよび転写層を選択的にエッチングし、それによって前記無機ゾルゲルの前記パターンを前記基板に転写するために、反応性イオンエッチングが使用される、請求項16に記載の方法。
- 前記エッチングの後に、前記転写層が前記基板から除去される、請求項18に記載の方法。
- 前記第二インプリントテンプレートは、ゾルゲルを複数回インプリントし、それによって複数のインプリントテンプレートを作成可能にするために使用され、各インプリントテンプレートが前記マスタインプリントテンプレートの前記パターン付き表面に対応するパターン付き表面を有する、請求項14に記載の方法。
- 基板と、パターンを担持する硬化した無機ゾルゲルとからなるインプリントテンプレート。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2010105091A2 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Applied Materials, Inc. | Large area dissolvable template lithography |
JP2011073444A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2011146522A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 基板の加工方法 |
US8101519B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
JP2012019076A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2013074239A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Toray Ind Inc | 凹凸膜付きウエハ、凹凸膜付きウエハの製造方法 |
WO2013065384A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
JP2013116622A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
JP2013121713A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
WO2014054678A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板 |
WO2014123093A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | サクションロールを用いたロール装置及び凹凸構造を有する部材の製造方法 |
JP5597263B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2014-10-01 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 微細構造積層体、微細構造積層体の作製方法及び微細構造体の製造方法 |
JP2015141986A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | 構造体の製造方法 |
JPWO2015147134A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-04-13 | Jxエネルギー株式会社 | エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子 |
KR101858225B1 (ko) | 2015-10-14 | 2018-05-16 | 케이티엑스 코포레이션 | 성형용 금형 및 그 제조 방법 |
JP2018157093A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレートの製造方法及びテンプレート母材 |
JP2021525456A (ja) * | 2018-05-30 | 2021-09-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 傾斜角光格子をインプリントする方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7998651B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8851442B2 (en) * | 2008-01-22 | 2014-10-07 | Honeywell International Inc. | Aerogel-bases mold for MEMS fabrication and formation thereof |
EP2109147A1 (en) | 2008-04-08 | 2009-10-14 | FOM Institute for Atomic and Molueculair Physics | Photovoltaic cell with surface plasmon resonance generating nano-structures |
JP2010049745A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体 |
RU2540092C2 (ru) * | 2009-02-18 | 2015-01-27 | Ролик Аг | Рельефные микроструктуры поверхности, соответствующие устройства и способ их изготовления |
JP2010218597A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | パターン転写用樹脂スタンパ、及びこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
CN101885216A (zh) * | 2009-05-14 | 2010-11-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 挠式模具的制造方法 |
KR101145867B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-05-15 | 고려대학교 산학협력단 | SOG(Spin-on glass)를 이용하여 기판에 나노패턴을 형성하는 방법 |
US20110132867A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-09 | Seagate Technology Llc | Method and system for imprint lithography |
EP2375452A1 (en) | 2010-04-06 | 2011-10-12 | FOM Institute for Atomic and Moleculair Physics | Nanoparticle antireflection layer |
US8293657B2 (en) | 2010-11-05 | 2012-10-23 | Honeywell International Inc. | Sacrificial layers made from aerogel for microelectromechanical systems (MEMS) device fabrication processes |
CZ2011555A3 (cs) * | 2011-09-06 | 2013-03-13 | Active Optix S.R.O. | Zpusob vytvárení výrobku s funkcním reliéfním povrchem s vysokým rozlisením |
EP2653903A1 (en) | 2012-04-20 | 2013-10-23 | FOM Institute for Atomic and Molecular Physics | Plasmonic microscopy |
CN105189108B (zh) * | 2013-04-26 | 2017-11-03 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 使用疏水性溶胶凝胶材料的具有凹凸结构的基板 |
TWI665078B (zh) | 2013-07-22 | 2019-07-11 | 皇家飛利浦有限公司 | 製造圖案化印模以圖案化輪廓表面之方法、供在壓印微影製程中使用之圖案化印模、壓印微影方法、包括圖案化輪廓表面之物件及圖案化印模用於壓印微影之用法 |
DE102014111781B4 (de) * | 2013-08-19 | 2022-08-11 | Korea Atomic Energy Research Institute | Verfahren zur elektrochemischen Herstellung einer Silizium-Schicht |
JP6183897B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-08-23 | 株式会社Nttドコモ | パターンの製造方法 |
BR112017013073A2 (pt) | 2014-12-22 | 2018-01-02 | Koninklijke Philips Nv | estampa para litografia de estampagem, método de fabricação de uma estampa, uso de uma estampa, e método de impressão |
JP6545401B2 (ja) | 2016-04-06 | 2019-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | インプリントリソグラフィースタンプの作製方法及び使用方法 |
CN105824190A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-03 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种纳米压印模板制备方法 |
WO2018019971A1 (en) | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Koninklijke Philips N.V. | Polyorganosiloxane-based stamp manufacturing method, polyorganosiloxane-based stamp, use of the same for a printing process, and an imprinting method using the same |
JP7053587B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2022-04-12 | イラミーナ インコーポレーテッド | インプリント基板 |
CN112993106B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-07-22 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 蓝宝石基底图案化方法及蓝宝石基底 |
CN112611861B (zh) * | 2020-11-23 | 2024-03-29 | 武汉世纪康敏生物科技有限公司 | 一种荧光免疫检测芯片及其制备方法 |
EP4272033A1 (en) * | 2020-12-31 | 2023-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus and method for structured replication and transfer |
US20230375759A1 (en) * | 2022-05-18 | 2023-11-23 | GE Precision Healthcare LLC | Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06242303A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 平板状レンズアレイおよびその製造方法 |
JP2001009843A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 成形型,成形型を用いたゾルゲル組成物およびゾルゲル組成物の製造方法 |
JP2004025656A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | マイクロレンズアレーの製造方法、それに用いる電解液およびマイクロレンズアレー樹脂材料、ならびに原盤製造装置 |
JP2005527110A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-09-08 | クラリアント・ゲーエムベーハー | ナノインプリントレジスト |
JP2006168147A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Aitesu:Kk | 有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4731155A (en) * | 1987-04-15 | 1988-03-15 | General Electric Company | Process for forming a lithographic mask |
JP2719052B2 (ja) * | 1991-02-21 | 1998-02-25 | 三菱電機株式会社 | マイクロコンピュータ |
US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
US5572736A (en) * | 1995-03-31 | 1996-11-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing bus noise and power consumption |
US6482742B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Stephen Y. Chou | Fluid pressure imprint lithography |
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US20030080471A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-01 | Chou Stephen Y. | Lithographic method for molding pattern with nanoscale features |
US20040036201A1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-02-26 | Princeton University | Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6518189B1 (en) * | 1995-11-15 | 2003-02-11 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for high density nanostructures |
JP3346999B2 (ja) * | 1996-01-08 | 2002-11-18 | 株式会社東芝 | 入出力装置 |
US6243779B1 (en) * | 1996-11-21 | 2001-06-05 | Integrated Device Technology, Inc. | Noise reduction system and method for reducing switching noise in an interface to a large width bus |
EP1003078A3 (en) * | 1998-11-17 | 2001-11-07 | Corning Incorporated | Replicating a nanoscale pattern |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
US6490703B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-12-03 | Intel Corporation | Bus power savings using selective inversion in an ECC system |
SE515607C2 (sv) * | 1999-12-10 | 2001-09-10 | Obducat Ab | Anordning och metod vid tillverkning av strukturer |
US6165911A (en) * | 1999-12-29 | 2000-12-26 | Calveley; Peter Braden | Method of patterning a metal layer |
ATE332517T1 (de) * | 2000-01-21 | 2006-07-15 | Obducat Ab | Form zur nanobedruckung |
SE515785C2 (sv) * | 2000-02-23 | 2001-10-08 | Obducat Ab | Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen |
SE515962C2 (sv) * | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
SE0001367L (sv) | 2000-04-13 | 2001-10-14 | Obducat Ab | Apparat och förfarande för elektrokemisk bearbetning av substrat |
SE0001368L (sv) | 2000-04-13 | 2001-10-14 | Obducat Ab | Apparat och förfarande för elektrokemisk bearbetning av substrat |
SE516194C2 (sv) * | 2000-04-18 | 2001-12-03 | Obducat Ab | Substrat för samt process vid tillverkning av strukturer |
US6365059B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-04-02 | Alexander Pechenik | Method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate |
SE516414C2 (sv) * | 2000-05-24 | 2002-01-15 | Obducat Ab | Metod vid tillverkning av en mall, samt mallen tillverkad därav |
EP2264522A3 (en) * | 2000-07-16 | 2011-12-14 | The Board of Regents of The University of Texas System | Method of forming a pattern on a substrate |
WO2002006902A2 (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
US7211214B2 (en) * | 2000-07-18 | 2007-05-01 | Princeton University | Laser assisted direct imprint lithography |
KR20030040378A (ko) * | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
SE519478C2 (sv) * | 2000-09-19 | 2003-03-04 | Obducat Ab | Etsförfarande, såväl som ramelement, mask och förtillverkat substratelement för användning i sådan etsning |
WO2002067055A2 (en) * | 2000-10-12 | 2002-08-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
US20020156953A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-10-24 | Beiley Mark A. | Dynamic bus inversion method |
US6938172B2 (en) * | 2001-03-21 | 2005-08-30 | Tektronix, Inc. | Data transformation for the reduction of power and noise in CMOS structures |
US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
US6847433B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-01-25 | Agere Systems, Inc. | Holder, system, and process for improving overlay in lithography |
SE519573C2 (sv) * | 2001-07-05 | 2003-03-11 | Obducat Ab | Stamp med antividhäftningsskikt samt sätt att framställa och sätt att reparera en sådan stamp |
US7549011B2 (en) * | 2001-08-30 | 2009-06-16 | Micron Technology, Inc. | Bit inversion in memory devices |
US6898648B2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Memory bus polarity indicator system and method for reducing the affects of simultaneous switching outputs (SSO) on memory bus timing |
CA2380114C (en) * | 2002-04-04 | 2010-01-19 | Obducat Aktiebolag | Imprint method and device |
US7252492B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-08-07 | Obducat Ab | Devices and methods for aligning a stamp and a substrate |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US6755984B2 (en) * | 2002-10-24 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-casted silicon carbide nano-imprinting stamp |
US6916511B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of hardening a nano-imprinting stamp |
WO2004086471A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization |
US20040209123A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Bajorek Christopher H. | Method of fabricating a discrete track recording disk using a bilayer resist for metal lift-off |
TW568349U (en) * | 2003-05-02 | 2003-12-21 | Ind Tech Res Inst | Parallelism adjusting device for nano-transferring |
TW570290U (en) * | 2003-05-02 | 2004-01-01 | Ind Tech Res Inst | Uniform pressing device for nanometer transfer-print |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
US20050230882A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography |
US7676088B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
ES2317159T3 (es) * | 2005-06-10 | 2009-04-16 | Obducat Ab | Replicacion de modelo con sello intermedio. |
US7419611B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-09-02 | International Business Machines Corporation | Processes and materials for step and flash imprint lithography |
-
2006
- 2006-06-30 US US11/478,305 patent/US8318253B2/en active Active
-
2007
- 2007-06-22 JP JP2007164950A patent/JP4842216B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06242303A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 平板状レンズアレイおよびその製造方法 |
JP2001009843A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 成形型,成形型を用いたゾルゲル組成物およびゾルゲル組成物の製造方法 |
JP2005527110A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-09-08 | クラリアント・ゲーエムベーハー | ナノインプリントレジスト |
JP2004025656A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | マイクロレンズアレーの製造方法、それに用いる電解液およびマイクロレンズアレー樹脂材料、ならびに原盤製造装置 |
JP2006168147A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Aitesu:Kk | 有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8101519B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mold, manufacturing method of mold, method for forming patterns using mold, and display substrate and display device manufactured by using method for forming patterns |
WO2010105091A2 (en) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Applied Materials, Inc. | Large area dissolvable template lithography |
WO2010105091A3 (en) * | 2009-03-12 | 2011-01-13 | Applied Materials, Inc. | Large area dissolvable template lithography |
JP2011073444A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
US9588422B2 (en) | 2009-09-29 | 2017-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP2011146522A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 基板の加工方法 |
JP2012019076A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP5597263B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2014-10-01 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 微細構造積層体、微細構造積層体の作製方法及び微細構造体の製造方法 |
JP2013074239A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Toray Ind Inc | 凹凸膜付きウエハ、凹凸膜付きウエハの製造方法 |
KR101604664B1 (ko) | 2011-10-31 | 2016-03-18 | 제이엑스 닛코닛세키 에네루기 가부시키가이샤 | 졸겔법을 이용한 요철 기판의 제조 방법, 이에 사용하는 졸 용액, 및 이를 사용한 유기 el 소자의 제조 방법과 이로부터 얻어진 유기 el 소자 |
US9221214B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-12-29 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Method for producing concave-convex substrate using sol-gel method, sol used in same, method for producing organic EL element using same, and organic EL element obtained thereby |
WO2013065384A1 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
JP2013116622A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-13 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
JP2013121713A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | ゾルゲル法を用いた凹凸基板の製造方法、それに用いるゾル溶液、及びそれを用いた有機el素子の製造方法並びにそれから得られた有機el素子 |
JPWO2014054678A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-25 | Jxエネルギー株式会社 | フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板 |
WO2014054678A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板 |
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WO2014123093A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | サクションロールを用いたロール装置及び凹凸構造を有する部材の製造方法 |
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