JPWO2014054678A1 - フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板 - Google Patents

Abstract

光学基板の製造方法は、凹凸パターン面を有する長尺状のフィルム状モールドを用意する工程Ｓ０と、フィルム状モールドの前記凹凸パターン面にゾルゲル材料の塗布を形成する工程Ｓ２と、前記ゾルゲル材料の塗膜が形成された前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と基板を対向させて、押圧ロールを前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付けて前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜を前記基板に密着させる工程Ｓ３と、前記フィルム状モールドを前記塗膜から剥離する工程Ｓ４と、前記基板に密着した塗膜を硬化する工程Ｓ５とを有する。光の回折や散乱に用いられ、耐熱性及び耐候性を有する光学基板を高いスループットで製造することができる。

Description

本発明は、長尺のフィルム状モールドを用いて光の散乱や回折のための微細パターンを有する光学基板を製造するための製造方法及びその製造方法を実施するための装置に関する。

半導体集積回路のような微細パターンを形成する方法として、リソグラフィ法が知られている。リソグラフィ法で形成されるパターンの解像度は、光源の波長や光学系の開口数に依存しており、近年の微細化デバイスの需要に応えるために、より短波長の光源が要望されている。しかしながら、短波長光源は高価であり、その開発は容易ではなく、そのような短波長光を透過する光学材料の開発も必要である。また、従来のリソグラフィ法で大面積のパターンを製造することは、大型の光学素子を必要とし、技術的にも経済的な面でも困難を伴う。それゆえ、大面積を有する所望のパターンを形成する新規な方法が検討されていた。

従来のリソグラフィ装置を使わずに、微細パターンを形成する方法としてナノインプリント法が知られている。ナノインプリント法は、樹脂をモールド（型）と基板で挟み込むことでナノメートルオーダーのパターンを転写することができる技術であり、使用材料によって、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法などが検討されている。このうち、光ナノインプリント法は、ｉ）樹脂層の塗布、ｉｉ）モールドによるプレス、ｉｉｉ）光硬化及びｉｖ）離型の四工程からなり、このような単純なプロセスでナノサイズの加工を実現できる点で優れている。特に、樹脂層は、光照射により硬化する光硬化性樹脂を用いるためにパターン転写工程にかかる時間が短く、高スループットが期待できる。このため、半導体デバイスのみならず、有機ＥＬ素子やＬＥＤなどの光学部材、ＭＥＭＳ、バイオチップなど多くの分野で実用化が期待されている。

例えば、有機ＥＬ素子（有機発光ダイオード）では、正孔注入層から入った正孔と、電子注入層から入った電子が、それぞれ、発光層へ運ばれて、発光層内の有機分子上でそれらが再結合して有機分子を励起して、それにより光が放出される。それゆえ、有機ＥＬ素子を表示装置や照明装置として使用するには、発光層からの光を素子表面から効率よく取り出す必要があり、このために、回折格子基板を有機ＥＬ素子の光取り出し面に設けることが特許文献１で知られている。

特開２００６−２３６７４８ ＷＯ２０１１／００７８７８Ａ１

また、本出願人は、特許文献２において、有機ＥＬ素子用の回折格子基板の凹凸パターンを製造するために、所定の条件を満たすブロック共重合体を溶媒に溶解した溶液を基材上に塗布し、ブロック共重合体の自己組織化する現象を用いてブロック共重合体のミクロ相分離構造を形成することにより、微細で不規則な凹凸パターンが形成された母型（金属基板）を得る方法を開示している。得られた母型にシリコーン系ポリマーと硬化剤の混合液を滴下して硬化させてモールドとしての転写パターンを得た後、この転写パターンに硬化性樹脂を塗布したガラス基板を押しつけて紫外線により硬化性樹脂を硬化させることで、転写パターンが複製された回折格子が作製される。この回折格子上に、透明電極、有機層及び金属電極を積層することで有機ＥＬ素子が得られる。

しかし、上記のような有機ＥＬ素子用の回折格子を量産するには、モールドとしての転写パターンを用いて硬化性樹脂などの材料に効率良く転写を行う必要がある。

それゆえ、ナノインプリント法を用いて有機ＥＬ素子等に用いられる回折格子基板等の光学基板を高いスループットで量産する上で好適な転写プロセス及び転写装置が要望されていた。

ところで、上記のような光硬化性樹脂は一般に耐熱性が低く、高温で分解や黄変が発生する。したがって、後続する工程に高温処理があると微細パターンを有する膜が分解してしまう恐れがある。また、光硬化性樹脂はガラス基板への密着性が低く、さらには、パターン転写された樹脂層を有機ＥＬ素子などの素子に用いた場合、樹脂層から不純物が溶出して素子に悪影響を与える恐れがある。従って、ナノインプリント法を用いて有機ＥＬ素子用の回折格子基板などの光学基板を高いスループットで量産するために、ガラス基板上に凹凸パターンを形成するための材料やモールド材料を最適化する必要もある。

そこで、本発明の目的は、基板に対して高い密着性を有すると共に耐熱性及び耐候性を有する微細凹凸パターンを備えた光学基板を、高いスループットで量産することができる新規な製造方法及び製造装置並びにそれらから得られる新規な光学基板を提供することにある。

本発明の第１の態様に従えば、凹凸パターンを有する光学基板を製造する方法であって、
凹凸パターン面を有する長尺のフィルム状モールドを用意する工程と、
前記フィルム状モールドの凹凸パターン面にゾルゲル材料の塗膜を形成する工程と、
前記ゾルゲル材料の塗膜が形成されたフィルム状モールドの前記凹凸パターン面と基板を対向させて、押圧ロールをフィルム状モールドの前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付けて前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜を前記基板に密着させる工程と、
前記フィルム状モールドを塗膜から剥離する工程と、
前記基板に密着した塗膜を硬化する工程とを備えることを特徴とする光学基板を製造する方法が提供される。

前記光学基板を製造する方法において、前記長尺のフィルム状モールドを用意する工程は、長尺のフィルム状基材に凹凸形成材料を塗布することと、前記塗布された凹凸形成材料に、凹凸パターンを有する転写ロールを回転しながら押し付けて凹凸形成材料に前記凹凸パターンをロール転写することと、前記凹凸パターンがロール転写された凹凸形成材料を硬化することによりロール形態の前記長尺のフィルム状モールドを得ることを含んでいてもよい。また、前記硬化した凹凸形成材料を有するフィルム状基材をフィルム巻き取りロールにより巻き取ってもよく、及び／または、前記フィルム状基材を繰り出すフィルム繰り出しロールと巻き取るフィルム巻き取りロールを用いて、前記フィルム状基材を搬送させながら、前記転写ロールの凹凸パターンを転写してもよい。いずれの場合においても、前記フィルム巻き取りロールに巻き取られたロール形態の前記長尺のフィルム状モールドが前記押圧ロールに対して繰り出されて移動し得る。さらに、前記剥離された前記長尺のフィルム状モールドをモールド巻き取りロールで巻き取ってもよい。

前記光学基板を製造する方法において、前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜を加熱しながら、前記押圧ロールを前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付け得る。こうすることで、ゾルゲル材料の仮焼成も同時に行われ、凹凸パターンの形成を確実にすると共に押圧後の凹凸パターン面の塗膜からの剥離を容易にすることができる。また、前記密着工程と前記剥離工程の間または前記剥離工程において、前記押圧された塗膜を加熱して押圧後のパターン面の塗膜からの剥離を一層容易にすることができる。

前記光学基板を製造する方法において、前記長尺のフィルム状モールドに連続的にゾルゲル材料を塗布しながら前記フィルム状モールドを押圧ロールの下方に送り込むとともに、複数の基板を前記押圧ロールに搬送し、前記複数の基板に順次前記フィルム状モールドの凹凸パターン面に形成された塗膜を押圧ロールで押し付けてもよい。長尺のフィルム状モールドを用いているので、このような基板の連続処理が可能となり、基板製造のスループットを向上することができる。フィルム状モールドの長さは、１ロット分の光学基板、例えば、数百枚〜数千枚の光学基板を製造するのに足りる長さ、例えば数百メートルから数千メートルに調整することができる。

前記光学基板を製造する方法に用いる前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンは、例えば、不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、１００〜１５００ｎｍの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値が２０〜２００ｎｍの範囲にすることができ、前記基板はガラス基板にしてよい。ゾルゲル材料は無機材料から形成されているので、ガラス基板と屈折率が近いために好ましい。前記ゾルゲル材料はシリカ前駆体を含み得る。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の光学基板を製造する方法を用いて光学基板としての凹凸表面を有する回折格子基板を作製し、前記回折格子基板の凹凸表面上又は凹凸表面と反対側の面上に、透明電極、有機層及び金属電極を、順次積層して有機ＥＬ素子を製造することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、光学基板を製造する装置であって、
凹凸パターン面を有する長尺上のフィルム上モールドの凹凸パターン面上にゾルゲル材料の塗膜を形成する塗膜形成部と、
基板を所定位置に搬送する基板搬送部と、
フィルム状モールドを繰り出すモールド繰り出しロールを備え、前記繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すことで前記フィルム状モールドを所定位置に対して搬送するモールド搬送部と、
前記所定位置に設置され、前記モールド搬送部で前記所定位置に繰り出された前記長尺状のフィルム状モールドの凹凸パターン面に形成された塗膜の一部を、前記基板搬送部により前記所定位置に搬送された前記基板に押し付けるための押圧ロールとを備えることを特徴とする光学基板の製造装置が提供される。

前記光学基板の製造装置は、さらに、前記長尺状のフィルム状モールドの凹凸パターン面の一部を前記押圧ロールにより押し付けられた前記塗膜から剥離することを促進するために、剥離ロールを備え得る。

前記光学基板の製造装置において、前記モールド搬送部は、さらに、前記フィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロールを備えてもよい。前記モールド繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すと共に前記フィルム状モールドを前記モールド巻き取りロールで巻き取ることで前記フィルム状モールドを前記所定位置に対して搬送しうる。

前記光学基板の製造装置は、前記押圧ロールで前記基板に押し付けたフィルム状モールドの一部を切断するために、カッターを備えてもよい。

前記光学基板の製造装置は、さらに、前記基板に押つけられた前記塗膜を加熱する加熱手段を備えてよく、この加熱手段は前記押圧ロール内にヒータとして設けてもよい。さらに、前記フィルム状モールドが前記塗膜から剥離されるときに前記塗膜を加熱する加熱手段を備えてもよい。

前記光学基板の製造装置は、さらに、前記押圧ロールと対向する位置に設けられて基板を下側から支持する支持ロールを備えてよい。

前記光学基板の製造装置に用いる前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンは、例えば、光の回折または散乱のために用いられる不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、１００〜１５００ｎｍの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値が２０〜２００ｎｍの範囲であり得る。また、前記基板がガラス基板であり、前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含んでもよい。

前記光学基板の製造装置は、さらに、前記長尺状のフィルム状モールドを形成するロールプロセス装置を備えてよく、このロールプロセス装置は、基板フィルムを搬送する搬送系と、搬送中の基板フィルムに凹凸形成材料を塗布する塗布機と、塗布機の下流側に位置してパターンを転写する転写ロールと、前記基板フィルムに光を照射するための照射光源とを有することができる。前記搬送系は、前記基板フィルムを繰り出すフィルム繰り出しロールと、前記基板フィルムを前記転写ロールに付勢するニップロールと、前記基板フィルムの転写ロールからの剥離を促進する剥離ロールと、前記パターンが転写された基板フィルムを巻き取るフィルム巻き取りロールとを有し得る。この場合、前記基板フィルムを巻き取ったフィルム巻き取りロールが、前記フィルム状モールドを繰り出すモールド繰り出しロールとして使用されることができる。

本発明の第４の態様に従えば、基板と、
凹凸パターンを有するフィルム状モールドを用いて前記基板上に転写された凹凸パターンを有するゾルゲル材料層と、
前記フィルム状モールドの凹凸パターンが前記ゾルゲル材料層の凹凸パターンに嵌合したままで前記ゾルゲル材料層上に配置されている前記凹凸パターンを有するフィルム状モールドを備える光学基板が提供される。

本発明の光学基板を製造する方法においては、凹凸パターン形成材料としてゾルゲル材料を用い、このようなゾルゲル材料による凹凸パターン形成のために長尺のフィルム状モールドによるロールプロセスを用いることで、パターン転写を正確に且つ確実に行いつつも高いスループットで光学基板を製造することができる。本発明の製造方法により製造された光学基板の凹凸パターンはゾルゲル材料から形成されているので耐熱性、耐候性（耐光性を含む概念）及び耐食性に優れ、その光学基板を組み込んだ素子の製造プロセスにも耐性があり、また、それらの素子を長寿命化することができる。それゆえ、本発明の製造方法により得られた光学基板は、有機ＥＬ素子や太陽電池のなどの各種デバイスにきわめて有効となり、このようにして得られた光学基板を用いて耐熱性、耐候性及び耐食性に優れた有機ＥＬ素子を製造することができる。本発明の光学基板の製造方法を実施する上で、本発明の光学基板の製造装置は最適となる。

また、本発明では長尺のフィルム状モールドを用いているので次のような利点がある。金属や石英などから形成された硬質のモールドは、その凹凸パターンに欠陥が見つかった場合に、その欠陥部の洗浄やリペア（欠陥補修）が可能であり、それにより、欠陥部が基板へ転写されることによる不良を防ぐことができる。しかし、フィルム状モールドの場合は、そのような洗浄・リペアが容易ではない。一方で、金属や石英などのモールドはロール状であり、モールドが目詰まりなどで欠陥が生じた際、直ぐに転写装置を止めてモールドの交換を行わなければならない。これに対して、フィルム状モールドでは枚葉でガラス基板に対応させながら転写するので、目詰まりなどの不良がある箇所は検査段階でマークしておき、その不良箇所がガラス基板と塗膜が押圧される所定位置を通過するまでガラス基板側の搬送を待機させることができる。このため、全体的に見ると不良品の発生を低減でき、それによりスループットを向上させることができる。さらに、金属や石英などの硬質モールドから直接基板へ凹凸パターンを転写しようとすると、次に示すように種々の制限が生じ、所望の性能を十分に引き出せないことがある。例えば、基板としてガラスなどの硬質の基板を用いる場合、硬質同士のためモールドの押し圧を強めると基板が割れるなどのダメージが入り、逆に弱めると凹凸パターン転写が浅くなるなど押し圧の調整が難しい。そのため、基板に柔軟な材料を用いるか、モールドに柔軟な材料を用いることを強いられる。フィルム状モールド(ソフトモールド)を用いた場合、金属モールドから一旦、フィルム状モールドを作製する工程と、これを用いてゾルゲル側へ転写するという工程の二工程に分け、それぞれの工程に適した材料を選定することで、所望の基板に、所望の材料を使用することができ、必要特性のみならず、パターン欠陥がなく離形性が良好な転写が行える。

本発明では、予めゾルゲル材料の塗膜が形成されたフィルム状モールドの凹凸パターンを基板に押しつけて転写するため、塗膜を形成した基板上にモールドの凹凸パターンを押し付けて転写する場合と比べて次のような利点がある。第一の利点として、本発明では、より均一な塗膜を高スループットで形成することができる。均一な塗膜を形成するためには、塗膜の吐出中にゾルゲル材料を吐出するノズルの先端と塗布面の間の距離を一定にする必要がある。基板とノズルを相対移動させながら基板上に塗膜を形成する場合、ノズルや基板の移動の平行精度や基板を搬送する基板ステージの平滑性が十分でないと、ノズルの先端と塗布面の間の距離を一定に保つことができず、均一な塗膜を形成することができない。これに対してフィルム状モールドをノズルに相対移動させながらフィルム状モールドに塗膜を形成する場合、ノズルが固定できるため、ノズルとフィルム状モールドの塗布面間の距離の安定化が容易である。また、基板とノズルを相対移動させながら基板上に塗膜を形成する場合には、基板の端部に合わせてゾルゲル材料の吐出の開始・停止を行わなければならないが、フィルム状モールドに塗膜を形成する場合、フィルム状モールドをノズルに相対して連続移動させながらゾルゲル材料の連続吐出が可能であるため、吐出の開始・停止時にゾルゲル材料の吐出速度の変化による、ムラやスジ状の膜厚異常を避けることができ、更に加速・減速時間が無くなるため、塗膜を高スループットで形成することが可能である。

第二の利点として、本発明では装置構成が単純化できる。基板へ塗膜を形成する場合は塗工部をフィルムモールド搬送装置外に設けなければならないが、本発明では塗工部をフィルム状モールド搬送装置内に組み込むことができるため、装置構成が単純になる。第三の利点として、本発明では、モールドの凹凸パターンに忠実な凹凸パターンを基板に形成することができる。基板にゾルゲル材料の塗膜を形成してからモールドの凹凸パターンを基板に転写する場合、塗膜を形成してからモールドを密着させるまでの間に塗膜が乾燥し粘度が高くなる。そのため、モールドの凹凸パターンを忠実に塗膜に転写するためには、塗膜の乾燥状態を精密に制御し塗膜の粘度を一定に保つ必要がある。さらに、凹凸パターンと塗膜間へ空気が混入しパターン欠陥が発生する可能性がある。一方、本発明では、ノズルから吐出されたままのゾルゲル材料を直接モールドの凹凸パターン上に塗布するため、モールドに塗布するときの粘度は比較的低粘度で一定に保たれる。そのため凹部及び凸部を隙間なく覆うように塗布することができ、塗布後の乾燥状態に関わらずモールドの凹凸パターンを忠実に塗膜に転写することが可能である。特に毛管現象によって凹凸パターン内にゾルゲル材料が入り込んでいくため、フィルム状モールドと塗膜の間に空気が入り込みにくく、空気の入り込みによるパターン欠陥も抑制される。また、フィルム状モールドは帯電しやすいため、フィルム繰り出しロールから繰り出してから基板へ押圧するまでの間にフィルム状モールドに異物が付着しやすいが、本発明ではフィルム状モールドにゾルゲル材料を塗布することによりフィルムが帯電しにくくなり、異物の付着が抑制される。さらに、異物が付着した場合においても、基板にゾルゲル材料の塗膜を形成してからモールドの凹凸パターンを基板に転写する場合、フィルムと塗膜の間への空気入り込みなどによって、付着した異物よりも面積の大きいパターン欠陥ができる可能性があるが、本発明ではモールドに直接ゾルゲル材料を塗布するため、付着した異物が塗膜に包埋されて空気の入り込みが起きにくく、パターン欠陥の面積が小さくなる。

本発明の光学基板の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の光学基板の製造方法に用いるフィルム状モールドを製造するためのロールプロセス装置の概念図である。 フィルム状モールドを用いたロールプロセスを説明するための概念図である。 本発明の光学基板の製造方法を実施するための光学基板製造装置の概念図である。 剥離ロールを使用しない光学基板の製造装置の変形形態を示す概念図である。 フィルム状モールドの剥離方向を変更可能とした光学基板製造装置の変形形態を示す概念図である。 ゾルゲル材料層の加熱手段としてヒートゾーンを押圧部に設けた光学基板製造装置の変形形態を示す概念図である。 複数の押圧ロールを設けた光学基板製造装置の変形形態を示す概念図である。 フィルム状モールドを基板から剥離せずにカッターで切断する光学基板製造装置の変形形態を示す概念図である。 有機ＥＬ素子の断面構造を示す図である。 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の変形形態において、光学基板の凹凸表面と反対側の面上に透明電極、有機層及び金属電極を積層して製造された有機ＥＬ素子の断面構造を示す図である。

以下、本発明の光学基板の製造方法及び製造装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明の凹凸パターンを有する光学基板の製造方法は、図１に示すように、主に、フィルム状モールドを用意する工程Ｓ０、ゾルゲル材料を調製する調製工程Ｓ１、調製されたゾルゲル材料をフィルム上モールドの凹凸パターン上に塗布する塗布工程Ｓ２、塗布した塗膜に、基板を押圧ロールにより押し付ける密着工程Ｓ３、モールドを塗膜から剥離する剥離工程Ｓ４、及び塗膜を本焼成する本焼成工程Ｓ５を有する。以下、各工程について順に説明する。

［フィルム状モールドを用意する工程］
本発明の光学部材の製造に用いるフィルム状モールドは、長尺で可撓性のあるフィルムまたはシート状であり、表面に凹凸の転写パターンを有するモールドである。例えば、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレートのような有機材料などで形成される。また、凹凸パターンは、上記材料に直接形成されていてもよいし、上記材料を基材（基板シート）として、その上に被覆された被覆材料に形成されてもよい。被覆材料としては、光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が使用できる。

フィルム状モールドは、例えば、長さ１００ｍ以上の長尺なモールドであり、幅は、５０〜３０００ｍｍ、厚み１〜５００μｍにし得る。フィルム状モールドの寸法、特に長さは量産する光学基板の寸法や、１回の製造プロセスで連続的に製造する光学基板の数（ロット数）によって適宜設定することができる。基材と被覆材料の間には、密着性を高めるために表面処理や易接着処理を施してもよい。また、必要に応じて、それらの凹凸パターン面上に離型処理を施してもよい。凹凸パターンは、任意の形状を任意の方法で形成し得る。

フィルム状モールドの凹凸パターンは、最終的に得られる光学基板の用途により異なるが、任意の形状を任意の方法で形成し得る。例えば、マイクロレンズアレイ構造や光拡散や回折等の機能を有する構造など、任意のパターンにし得る。例えば、凹凸のピッチが均一ではなく、凹凸の向きに指向性がないような不規則な凹凸パターンにしてよい。凹凸の平均ピッチとしては、例えば、光学基板を可視光の回折や散乱の用途に用いる場合には、１００〜１５００ｎｍの範囲にすることができ、２００〜１２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸の平均ピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対してピッチが小さくなりすぎるため、凹凸による光の回折が不十分になる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折角が小さくなり、回折格子のような光学素子としての機能が失われてしまう傾向にある。同様な用途においては、凹凸の深さ分布の平均値は、２０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、３０〜１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸深さの標準偏差は、１０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１５〜７５ｎｍの範囲内であることがより好ましい。このような凹凸パターンから散乱及び／または回折される光は、単一のまたは狭い帯域の波長の光ではなく、比較的広域の波長帯を有し、散乱光及び／または回折される光は指向性がなく、あらゆる方向に向かう。

本願において、凹凸の平均ピッチとは、凹凸が形成されている表面における凹凸のピッチ（隣り合う凸部同士又は隣り合う凹部同士の間隔）を測定した場合において、凹凸のピッチの平均値のことをいう。このような凹凸のピッチの平均値は、走査型プローブ顕微鏡（例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の製品名「Ｅ−ｓｗｅｅｐ」等）を用いて、下記条件：
測定方式：カンチレバー断続的接触方式
カンチレバーの材質：シリコン
カンチレバーのレバー幅：４０μｍ
カンチレバーのチップ先端の直径：１０ｎｍ
により、表面の凹凸を解析して凹凸解析画像を測定した後、かかる凹凸解析画像中における、任意の隣り合う凸部同士又は隣り合う凹部同士の間隔を１００点以上測定し、その算術平均を求めることにより算出できる。

また、本願において、凹凸の深さ分布の平均値及び凹凸深さの標準偏差は以下のようにして算出できる。表面の凹凸の形状を、走査型プローブ顕微鏡（例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の製品名「Ｅ−ｓｗｅｅｐ」等）を用いて凹凸解析画像を測定する。凹凸解析の際、前述の条件で任意の３μｍ角（縦３μｍ、横３μｍ）または１０μｍ角（縦１０μｍ、横１０μｍ）の測定領域を測定して凹凸解析画像を求める。その際に測定領域内の１６３８４点（縦１２８点×横１２８点）以上の測定点における凹凸高さのデータをナノメートルスケールでそれぞれ求める。なお、このような測定点の数は、用いる測定装置の種類や設定によっても異なるものではあるが、例えば、測定装置として上述のエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の製品名「Ｅ−ｓｗｅｅｐ」を用いた場合には、３μｍ角または１０μｍ角の測定領域内において６５５３６点（縦２５６点×横２５６点）の測定（２５６×２５６ピクセルの解像度での測定）を行うことができる。そして、このようにして測定される凹凸高さ（単位：ｎｍ）に関して、先ず、全測定点のうち、透明支持基板の表面からの高さが最も高い測定点Ｐを求める。そして、かかる測定点Ｐを含み且つ透明支持基板の表面と平行な面を基準面（水平面）として、その基準面からの深さの値（測定点Ｐにおける透明支持基板からの高さの値から各測定点における透明支持基板からの高さを差し引いた差分）を凹凸深さのデータとして求める。なお、このような凹凸深さデータは、測定装置（例えばエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製の製品名「Ｅ−ｓｗｅｅｐ」）によっては測定装置中のソフト等により自動的に計算して求めることが可能でき、このような自動的に計算して求められた値を凹凸深さのデータとして利用できる。このようにして、各測定点における凹凸深さのデータを求めた後、その算術平均及び標準偏差を求めることにより算出できる値をそれぞれ凹凸の深さ分布の平均値及び凹凸深さの標準偏差として採用する。本明細書において、凹凸の平均ピッチ、凹凸の深さ分布の平均値及び凹凸深さの標準偏差は、凹凸が形成されている表面の材料に関わらず、上記のような測定方法を通じて求めることができる。

このような凹凸パターンから散乱及び／または回折される光は、単一のまたは狭い帯域の波長の光ではなく、比較的広域の波長帯を有し、散乱光及び／または回折される光は指向性がなく、あらゆる方向に向かう。但し、「不規則な凹凸パターン」には、表面の凹凸の形状を解析して得られる凹凸解析画像に２次元高速フーリエ変換処理を施して得られるフーリエ変換像が円もしくは円環状の模様を示すような、すなわち、上記凹凸の向きの指向性はないものの凹凸のピッチの分布は有するような疑似周期構造を含む。それゆえ、このような疑似周期構造を有する基板においては、その凹凸ピッチの分布が可視光線を回折する限り、有機ＥＬ素子のような面発光素子などに使用される回折基板や太陽電池の透明導電性基板など好適である。

本発明に用いる長尺状のフィルム状モールドの製造方法の一例について、図２を参照しながら説明する。図２に示したロールプロセス装置（第１ユニット）７０は、長尺の基板フィルムに被覆された被膜上に凹凸パターンを形成することによりフィルム状モールドを製造するための装置であり、基板フィルム(基材またはフィルム状基材)８０の搬送系８６と、搬送中の基板フィルム８０に凹凸形成材料を塗布するダイコータ８２と、ダイコータ８２の下流側に位置してパターンを転写する転写ロール（金属モールド）９０と、基板フィルム８０を挟んで転写ロール９０と対向して設けられ、基板フィルム８０にＵＶ光を照射するための照射光源８５とを主に備える。基板フィルム８０の搬送系８６は、基板フィルム８０を繰り出すフィルム繰り出しロール７２と、転写ロール９０の上流及び下流側にそれぞれ配置されて基板フィルムを転写ロール９０に付勢するニップロール７４及び剥離ロール７６と、パターンが転写された基板フィルム８０ａ（フィルム状モールド）を巻き取るフィルム巻き取りロール８７と、基板フィルム８０を搬送する複数の搬送ロール７８とを有する。

ロールプロセス装置７０を用いて、以下のような製造プロセスによってフィルム状モールドが製造される。予めフィルム繰り出しロール７２に巻き付けられている基板フィルム８０は、フィルム繰り出しロール７２及びフィルム巻き取りロール８７などの回転により下流側に繰り出される。基板フィルム８０がダイコータ８２を通過するときに、ダイコータ８２により凹凸形成材料８４が基板フィルム８０の一面に塗布されて所定の厚みの塗膜が形成される。次いで、基板フィルム８０の塗膜がニップロール７４にて転写ロール９０の外周面に押し付けられて、転写ロール９０の外周面のパターンが塗膜に転写される。それと同時またはその直後に照射光源８５からのＵＶ光が塗膜に照射されて凹凸形成材料８４が硬化する。ＵＶ光の波長は、凹凸形成材料８４により異なるが、一般に２００〜４５０ｎｍであり、照射量は１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５Ｊ／ｃｍ^２にし得る。硬化したパターンを有する凹凸形成材料付き基板フィルム８０は剥離ロール７６で転写ロール９０から引き離された後、フィルム巻き取りロール８７により巻き取られる。こうして、長尺のフィルム状モールド８０ａが得られる。このような長尺のフィルム状モールド８０ａは、ロール状に巻き取られた形態で得られるため、後述する押圧ロールを用いた光学基板の量産プロセスに好適であり、この押圧ロールを用いた光学基板の量産プロセスを行う装置への搬送にも好適な形状である。また、フィルム状モールドを作製して一旦ロール状に巻取ることで、保管、エージング処理ができる。

上記製造プロセスにおいて、基板フィルム８０は、例えば、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレート等の有機材料からなる基材が挙げられる。基板フィルムの厚みは、１〜５００μｍの範囲にし得る。

凹凸形成材料８４としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、メタクリル系、ビニルエーテル系、オキセタン系、ウレタン系、メラミン系、ウレア系、ポリエステル系、フェノール系、架橋型液晶系、フッ素系、シリコーン系等の各種ＵＶ硬化性樹脂のような硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂の厚みは０．５〜５００μｍの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、硬化樹脂層の表面に形成される凹凸の高さが不十分となり易く、前記上限を超えると、硬化時に生じる樹脂の体積変化の影響が大きくなり凹凸形状が良好に形成できなくなる可能性がある。

上記製造プロセスにおいては、凹凸形成材料８４を塗布するためにダイコータによるダイコート法を用いたが、これに代えて、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、滴下法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、カーテンコート法、インクジェット法、スパッタ法等の各種コート方法を採用することができる。さらに、硬化性樹脂のような凹凸形成材料８４を硬化させる条件としては、使用する樹脂の種類により異なるが、例えば、硬化温度が室温〜２５０℃の範囲であり、ＵＶ照射量が１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５Ｊ／ｃｍ^２の範囲であることが好ましい。また、ＵＶ光に代えて電子線のようなエネルギー線を照射することで硬化させてもよい。

上記製造プロセスで用いた転写ロール９０は、例えば、ロール表面に直接パターンが形成された転写ロールでも良いし、パターンを有する金属基板などの基板をロール上に巻き付け固定した転写ロールでも良いし、また、パターンを有する円筒状の基板を作製し、これをロールにはめ込んで固定した転写ロール等でも良い。なお、転写ロール９０は金属以外の硬質材料から形成されていてもよい。

ここで、転写ロール９０の表面に設けられる凹凸パターンの形成方法について説明する。凹凸パターンは、例えば、本出願人らによるＷＯ２０１２／０９６３６８Ａ１に記載されたブロック共重合体の自己組織化(ミクロ相分離)を利用する方法（以下、適宜「ＢＣＰ（Ｂｌｏｃｋ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）法」という）や、本出願人らによるＷＯ２０１１／００７８７８Ａ１に開示されたポリマー膜上の蒸着膜を加熱・冷却することにポリマー表面の皺による凹凸を形成する方法（以下、適宜「ＢＫＬ（Ｂｕｃｋｌｉｎｇ）法」という）を用いて形成することが好適である。ＢＣＰ法及びＢＫＬ法に代えて、フォトリソグラフィ法で形成してもよい。ＢＣＰ法でパターンを形成する場合、パターンを形成する材料は任意の材料を使用することができるが、ポリスチレンのようなスチレン系ポリマー、ポリメチルメタクリレートのようなポリアルキルメタクリレート、ポリエチレンオキシド、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリビニルピリジン、及びポリ乳酸からなる群から選択される２種の組合せからなるブロック共重合体が好適である。

パターンの凹凸のピッチ及び高さは、任意であるが、例えば、パターンを可視領域の光を散乱または回折する回折格子の用途に用いる場合には、凹凸の平均ピッチとしては、１００〜１５００ｎｍの範囲にあることが好ましく、２００〜１２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸の平均ピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対してピッチが小さくなりすぎるため、凹凸による光の回折が生じなくなる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折角が小さくなり、回折格子のような光学素子としての機能が失われてしまう傾向にある。凹凸の深さ分布の平均値は、２０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、３０〜１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸の深さ分布の平均値が前記下限未満では、可視光の波長に対して高さが低すぎるために必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、上限を超えると、回折光強度にむらが生じ、この結果、例えば、この凹凸パターンを有機ＥＬ素子の光取り出し用の光学素子として利用した場合に、ＥＬ層内部の電界分布が不均一となって特定の箇所に電界が集中することによってリークが生じ易くなったり、寿命が短くなる傾向にある。

パターンの母型をＢＣＰ法やＢＫＬ法により形成した後、以下のようにして電鋳法などにより、パターンをさらに転写したモールドを形成することができる。最初に、電鋳処理のための導電層となるシード層を、無電解めっき、スパッタまたは蒸着等により形成するパターンを有する母型上に形成することができる。シード層は、後続の電鋳工程における電流密度を均一にして後続の電鋳工程により堆積される金属層の厚みを一定にするために１０ｎｍ以上が好ましい。シード層の材料として、例えば、ニッケル、銅、金、銀、白金、チタン、コバルト、錫、亜鉛、クロム、金・コバルト合金、金・ニッケル合金、ホウ素・ニッケル合金、はんだ、銅・ニッケル・クロム合金、錫ニッケル合金、ニッケル・パラジウム合金、ニッケル・コバルト・リン合金、またはそれらの合金などを用いることができる。次に、シード層上に電鋳（電界めっき）により金属層を堆積させる。金属層の厚みは、例えば、シード層の厚みを含めて全体で１０〜３０００μｍの厚さにすることができる。電鋳により堆積させる金属層の材料として、シード層として用いることができる上記金属種のいずれかを用いることができる。金属基板のモールドとしての耐摩耗性や、剥離性などの観点からは、ニッケルが好ましく、この場合、シード層についてもニッケルを用いることが好ましい。形成した金属層は、後続のモールドの形成のための樹脂層の押し付け、剥離及び洗浄などの処理の容易性からすれば、適度な硬度及び厚みを有することが望ましい。

上記のようにして得られたシード層を含む金属層を、凹凸構造を有する母型から剥離して金属基板を得る。剥離方法は物理的に剥がしても構わないし、パターンを形成する材料を、それらを溶解する有機溶媒、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロホルムなどを用いて溶解して除去してもよい。金属基板を母型から剥離するときに、残留している材料成分を洗浄にて除去することができる。洗浄方法としては、界面活性剤などを用いた湿式洗浄や紫外線やプラズマを使用した乾式洗浄を用いることができる。また、例えば、粘着剤や接着剤を用いて残留している材料成分を付着除去するなどしてもよい。こうして母型からパターンが転写された金属基板が得られる。こうして得られた金属基板をロール体の表面に巻きつけることで凹凸パターンを有する転写ロール９０が得られる。この転写ロール９０を用いて前述のような製造プロセスでフィルム状モールドを形成することができる。なお、長尺状のフィルム状モールドは、自ら製造する必要がなく、フィルムメーカなどの製造業者に作製させたものを使用してもよいことは言うまでもない。また、フィルム状モールドを用意する工程は、後述する塗布工程Ｓ２の前であればよく、ゾルゲル材料調整工程（Ｓ１）の前に行う必要はない。

［ゾルゲル材料調製工程］
本発明の光学基板の製造方法において、ゾルゲル法によりパターンを転写する塗膜を形成するために用いるゾルゲル材料（ゾル溶液）を調製する（図１の工程Ｓ１）。例えば、基板上に、シリカをゾルゲル法で合成する場合は、金属アルコキシド（シリカ前駆体）のゾルゲル材料を調製する。シリカの前駆体として、テトラメトキシシラン（ＭＴＥＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−ブトキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン等のテトラアルコキシドモノマーや、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリプロポキシシラン、イソプロピルトリプロポキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、プロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、トリルトリエトキシシラン等のトリアルコキシドモノマー、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ-t-ブトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジプロピルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、ジプロピルジイソプロポキシシラン、ジプロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジプロピルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジプロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジプロピルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジプロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｔ−ブトキシシラン等のジアルコキシドモノマーや、これらモノマーを少量重合したポリマー、前記材料の一部に官能基やポリマーを導入したことを特徴とする複合材料などの金属アルコキシドが挙げられる。また、これらのアルキル基やフェニル基の一部あるいは全部がフッ素で置換されていてもよい。さらに、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート、オキシ塩化物、塩化物や、それらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。また、金属種としては、Ｓｉ以外にＴｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎなどや、これらの混合物などが挙げられるが、これらに限定されない。上記酸化金属の前駆体を適宜混合したものを用いることもできる。また、これらの表面に疎水化処理を行ってもよい。疎水化処理の方法は知られている方法を用いればよく、例えば、シリカ表面であれば、ジメチルジクロルシラン、トリメチルアルコキシシラン等で疎水化処理することもできるし、ヘキサメチルジシラザンなどのトリメチルシリル化剤とシリコーンオイルで疎水化処理する方法を用いてもよいし、超臨界二酸化炭素を用いた金属酸化物粉末の表面処理方法を用いてもよい。

ＴＥＯＳとＭＴＥＳの混合物を用いる場合には、それらの混合比は、例えばモル比で１：１にすることができる。このゾルゲル材料は、加水分解及び重縮合反応を行わせることによって非晶質シリカを生成する。合成条件として溶液のｐＨを調整するために、塩酸等の酸またはアンモニア等のアルカリを添加する。ｐＨは４以下もしくは１０以上が好ましい。また、加水分解を行うために水を加えてもよい。加える水の量は、金属アルコキシド種に対してモル比で１．５倍以上にすることができる。ゾルゲル材料としてシリカ以外の材料を用いることができ、例えばＴｉ系の材料やＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）系の材料、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ等を使用し得る。

ゾルゲル材料の溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ブタノール等のアルコール類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類、ブトキシエチルエーテル、ヘキシルオキシエチルアルコール、メトキシ−２−プロパノール、ベンジルオキシエタノール等のエーテルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類、フェノール、クロロフェノール等のフェノール類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、クロロホルム、塩化メチレン、テトラクロロエタン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、２硫化炭素等の含ヘテロ元素化合物、水、およびこれらの混合溶媒が挙げられる。特に、エタノールおよびイソプロピルアルコールが好ましく、またそれらに水を混合したものも好ましい。

ゾルゲル材料の添加物としては、粘度調整のためのポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルアルコールや、溶液安定剤であるトリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アセチルアセトンなどのβ−ジケトン、β−ケトエステル、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジオキサンなどを用いることが出来る。

なお、加熱による硬化するゾルゲル材料以外に光硬化性ゾルゲル材料を用いてもよい。この場合、例えば、光によって酸を発生する６フッ化リン系芳香族スルホニウム塩などの光酸発生剤を用いたり、アセチルアセトンに代表されるβジケトンをゾル液に添加することで、化学修飾（キレート化）させ、光照射によって化学修飾を外すなどの方法を用いることができる。

［塗布工程］
上記のように調製したゾルゲル材料を前述の工程Ｓ０で用意したフィルム状モールドの凹凸パターン上に塗布する（図１の工程Ｓ２）。例えば、図３に示すようにダイコータ３０の先端付近にフィルム状モールド８０ａを送り込み、ダイコータ３０からゾルゲル材料４１を吐出することで、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン上に塗膜（ゾルゲル材料層）４２を形成することができる。量産性の観点から、複数のフィルム状モールド８０ａを連続的に搬送させながら所定位置に設置したダイコータ３０でゾルゲル材料４１をフィルム状モールド８０ａに連続的に塗布することが好ましい。塗布方法として、バーコート法、スプレーコート法、ダイコート法、インクジェット法などの任意の塗布方法を使用することができるが、比較的大きな幅のフィルム状モールドにゾルゲル材料を均一に塗布可能であること、ゾルゲル材料がゲル化する前に素早く塗布を完了させることができることからすれば、ダイコート法が好ましい。

［密着工程］
前述の工程Ｓ２で塗布したフィルム状モールド上の塗膜を押圧ロール（ラミネートロール）により基板に押し付けることでフィルム状モールドの凹凸パターン上の塗膜を基板上に密着させる（図１の工程Ｓ３）。例えば、図３に示すように押圧ロール２２とその直下に搬送されている基板４０との間に塗膜４２を形成したフィルム状モールド８０ａを送り込むことでフィルム状モールド８０ａの凹凸パターン上の塗膜４２を基板４０に密着させることができる。すなわち、フィルム状モールド８０ａ上の塗膜４２を押圧ロール２２により基板４０に押し付ける際に、フィルム状モールド８０ａと基板４０を同期して搬送しながらフィルム状モールド８０ａ上の塗膜４２を基板４０の表面に被覆する。この際、押圧ロール２２をフィルム状モールド８０ａの裏面（凹凸パターンが形成された面と反対側の面）に押しつけることで、フィルム状モールド８０ａ上の塗膜４２と基板４０が進行しながら密着する。なお、長尺のフィルム状モールド８０ａを押圧ロール２２に向かって送り込むには、工程Ｓ０にて長尺のフィルム状モールド８０ａが巻き取られたフィルム巻き取りロール８７（図２参照）からそのままフィルム状モールド８０ａを繰り出して用いるのが有利である。

このような押圧ロールを用いたロールプロセスでは、プレス式と比較して以下のような利点がある。ｉ）ロールプロセスであるため生産性が向上し、さらに長尺のフィルム状モールドを用いることで生産性を一層向上することができる。ｉｉ）ゾルゲル材料中の溶媒の突沸によってパターン中にガスの気泡が発生したり、ガス痕が残ることを防止することができる。ｉｉｉ）基板と塗膜とが線接触するため、密着圧力及び剥離力を小さくでき、大面積化に対応し易い。ｉｖ）押圧時に気泡をかみ込むことがない。さらに、本発明の製造方法では、モールドとして可撓性のあるフィルム状モールドを用いているので、比較的硬質な基板４０にモールドの凹凸パターン上に形成されたゾルゲル材料層４２を密着させるときに、ゾルゲル材料層を基板全面に渡って均一に押圧することができる。これにより、ゾルゲル材料層が基板に均一に密着され、密着不良を抑制することができる。

この密着工程において、塗膜を加熱しながら塗膜を基板に押し付けてもよい。塗膜を加熱する方法として、例えば、加熱を押圧ロールを通じて行ってもよく、或いは、塗膜の加熱を直接あるいは基板側から行ってもよい。加熱を押圧ロールを通じて行う場合には、押圧ロール（密着ロール）の内部に加熱手段を設けてもよく、任意の加熱手段を使用することができる。押圧ロールの内部に加熱ヒータを備えるものが好適であるが、押圧ロールとは別体のヒータを備えていてもよい。いずれにしても塗膜を加熱しながら押圧が可能であれば、どのような押圧ロールを用いてもよい。押圧ロールは、表面に耐熱性のあるエチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）やシリコーンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、クロロプレンゴムなどの樹脂材料の被膜を有するロールが好ましい。また、押圧ロールで加えられた圧力に抗するために押圧ロールに対向して基板を挟むように支持ロールを設けてもよく、あるいは基板を支持する支持台を設置してもよい。

押圧の際の塗膜の加熱温度は、室温〜２００℃にすることができ、押圧ロールを用いて加熱する場合には押圧ロールの加熱温度は、同様に室温〜２００℃にすることができる。このように押圧ロールを加熱することにより、モールドにより押圧が行われた塗膜からモールドをすぐに剥離することができ、生産性を向上することができる。塗膜または押圧ロールの加熱温度が２００℃を超えると、樹脂材料からなるモールドの耐熱温度を超える恐れがある。また、塗膜を加熱しながら押圧することにより、後述するゾルゲル材料層の仮焼成と同様な効果が期待できる。

塗膜を基板に押し付けた後、塗膜を仮焼成してもよい。塗膜を加熱しないで押圧する場合には、仮焼成を行うことが好ましい。仮焼成することにより塗膜のゲル化（硬化）を進め、パターンを固化し、剥離の際に崩れにくくする。仮焼成を行う場合には、大気中で室温〜２００℃の温度で加熱することが好ましい。ゾルゲル材料層４２に光硬化性ゾルゲル材料を使用した場合、塗膜の加熱・焼成の代わりに光照射を行うことでゲル化（硬化）を進めてもよい。

基板としては、ガラスや石英、シリコン基板等の無機材料からなる基板やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレート等の樹脂基板を用い得る。基板は透明でも不透明でもよいが、この基板上にゾルゲル材料層が密着され、さらには光学基板がデバイスに組み込まれるときにさらにその上に機能層が形成されることからすれば、比較的硬質の基板が好ましい。また、この基板から得られた凹凸パターン基板を後述する有機ＥＬ素子の製造に用いるのであれば、基板は耐熱性、ＵＶ光等に対する耐候性を備える基板が望ましい。これらの点で、ガラスや石英、シリコン基板等の無機材料からなる基板がより好ましく、これらの無機材料からなる基板は、密着されるゾルゲル材料層が無機材料であることからすれば、基板とゾルゲル材料層との間で屈折率の差が少なく、光学基板内での意図しない屈折や反射を防止することができる点からも好ましい。基板と塗膜の密着性を向上させるために、基板上に表面処理や易接着層を設けるなどをしてもよいし、水分や酸素等の気体の浸入を防ぐ目的で、ガスバリア層を設けるなどしてもよい。なお、後の工程でゾルゲル材料層による所望の凹凸パターンが形成されるため基板表面（表面処理や易接着層がある場合にはそれらも含めて）は平坦でよく、この基板自体は所望の凹凸パターンを有さない。

［剥離工程］
転写工程または仮焼成工程後の塗膜（ゾルゲル材料層）からモールドを剥離する（工程Ｓ４）。前述のようにロールプロセスを使用するので、プレス式で用いるプレート状モールドに比べて剥離力は小さくてよく、塗膜がモールドに残留することなく容易にモールドを塗膜から剥離することができる。特に、塗膜を加熱しながら押圧するので反応が進行し易く、押圧直後にモールドは塗膜から剥離し易くなる。さらに、モールドの剥離性の向上のために、剥離ロールを使用してもよい。図３に示すように剥離ロール２３を押圧ロール２２の下流側に設け、剥離ロール２３によりフィルム状モールド８０ａを塗膜４２に付勢しながら回転支持することで、フィルム状モールド８０ａが塗膜に付着された状態を押圧ロール２２と剥離ロール２３の間の距離だけ（一定時間）維持することができる。そして、剥離ロール２３の下流側でフィルム状モールド８０ａを剥離ロール２３の上方に引き上げるようにフィルム状モールド８０ａの進路を変更することでフィルム状モールド８０ａが塗膜４２から引き剥がされる。なお、フィルム状モールド８０ａが塗膜に付着されている期間に前述の塗膜の仮焼成や加熱を行ってもよい。なお、剥離ロール２３を使用する場合には、例えば室温〜２００℃に加熱しながら剥離することにより塗膜の剥離を一層容易にすることができる。さらに、剥離ロールの加熱温度を押圧ロールの加熱温度や仮焼成温度よりも高温にしてもよい。その場合、高温に加熱しながら剥離することにより塗膜から発生するガスを逃がし、気泡の発生を防ぐことができる。ガラス基板４０に密着されなかった塗膜部分、すなわち、基板４０と続いて搬送される基板４０との間隔に相当する長さの塗膜についてはそのままフィルム状モールド８０ａに付いたままフィルム状モールド８０ａとともに搬送される。

［本焼成工程］
基板４０の塗膜４２からモールドが剥離された後、塗膜を本焼成する（図１の工程Ｓ５）。本焼成により塗膜を構成するシリカのようなゾルゲル材料層中に含まれている水酸基などが脱離して塗膜がより強固となる。本焼成は、２００〜１２００℃の温度で、５分〜６時間程度行うのが良い。こうして塗膜は硬化してモールドの凹凸パターンに対応する凹凸パターン膜を有する基板、すなわち、平坦な基板上に凹凸パターンを有するゾルゲル材料層が直接形成された基板が得られる。この時、ゾルゲル材料層がシリカである場合は、焼成温度、焼成時間に応じて非晶質または結晶質、または非晶質と結晶質の混合状態となる。この実施形態ではゾルゲル材料層を本焼成により硬化させるが、それ以外の方法で硬化させ得る。例えば、ゾルゲル材料層４２に光硬化性ゾルゲル材料を使用した場合、塗膜の焼成の代わりに光照射を行うことで塗膜を硬化させることができる。

［光学基板製造装置］
本発明の光学基板の製造方法を実施するために、例えば、図４に示すような光学基板を製造する光学基板製造装置(第２ユニット)１００を使用することができる。光学基板製造装置１００は、主に、基板を搬送する基板搬送部１３０と、フィルム状モールド８０ａを搬送するモールド搬送部１４０と、フィルム状モールド８０ａ上にゾルゲル材料４１を塗布する塗布部（塗膜形成部）１２０とを備え、モールド搬送部１４０には、フィルム状モールド８０ａ上の塗膜４２（図３参照）を基板４０に押圧密着させる押圧部１５０とフィルム状モールド８０ａを基板４０から剥離する剥離部１６０とが含まれる。

基板搬送部１３０は、搬送方向（図面左から右側）に沿って配列された複数の回転ロール３６を備え、回転ロールの回転駆動によりその上に載置された基板４０を搬送方向に搬送する。

モールド搬送部１４０は、主に、長尺のフィルム状モールド８０ａを繰り出すモールド繰り出しロール２１と、基板の搬送路上の所定位置に設けられ、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン面の反対側から、後述の塗布部（塗膜形成部）１２０でフィルム状モールド８０ａ上に形成された塗膜を基板４０に押し付ける押圧ロール２２と、押圧ロール２２の下流に設けられてフィルム状モールド８０ａ上の塗膜が基板４０に押し付けられた状態を所定距離だけ維持した後にフィルム状モールド８０ａを剥離する剥離ロール２３と、剥離ロールの下流に設けられてフィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロール２４と、フィルム状モールド８０ａを進行方向に搬送するための搬送ロール２９を有する。モールド繰り出しロール２１とモールド巻き取りロール２４は、それらを着脱可能にする支持台（不図示）に回転可能に取り付けられている。なお、モールド繰り出しロール２１は、ロールプロセス装置７０によって先に製造したフィルム状モールド８０ａが巻き取られたフィルム巻き取りロール８７（図２参照）を、この装置１００に適宜搬送してそのまま使用することが有利である。

押圧部１５０には、押圧ロール２２に対向して支持ロール２６が設けられ、支持ロール２６は押圧ロール２２とともにフィルム状モールド８０ａ及び基板４０を挟み込んで基板下側から基板４０を押圧するとともに回転駆動して基板４０を基板搬送方向の下流側に送り出す。押圧ロール２２の内部には加熱ヒータ２２ａが設けられている。支持ロール２６にも加熱ヒータを備えていてもよい。剥離部１６０には、フィルム状モールド８０ａの搬送路上に剥離ロール２３が設けられ、その下流の搬送ロール２９によりフィルム状モールド８０ａを上方に引き上げることにより、フィルム状モールド８０ａの基板４０からの剥離を促進する。押圧部１５０と剥離部１６０との間には加熱炉（ヒータ）２８が設けられている。加熱炉２８には、例えば赤外線ヒータや熱風加熱、ホットプレートを使用することができる。光学基板製造装置１００には、さらに、モールド繰り出しロール２１から繰り出されたフィルム状モールド８０ａ及びモールド巻き取りロール２４に巻き取られる前のフィルム状モールド８０ａをそれぞれ除電するための除電器１４２，１４４と、フィルム状モールド８０ａが剥離された基板４０を除電するための除電器１４６が設けられている。

塗布部１２０は、モールド搬送部１４０のモールド繰り出しロール２１の下流側かつ押圧部１５０の上流側に位置し、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン面にゾルゲル材料４１を塗布するダイコータ３０を備える。均一な塗膜を形成するためには、ダイコータ３０とフィルム状モールド８０ａの間隔が一定であることが求められる。このため、塗布部においてフィルム状モールド８０ａを保持する保持ロール２９ａが、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン面と反対側に接し、且つフィルム状モールド８０ａをダイコータ３０に向かって付勢するように設けられている。即ち、フィルム状モールド８０ａは保持ロール２９ａによって張力を与えられた状態で、保持ロール２９ａとダイコータ３０の先端の吐出口との間を通過するように移動する。ダイコータ３０とフィルム状モールド８０ａの塗布面との間の距離を安定させるため、保持ロールの回転振れを抑制することが望ましい。特に、ダイコータ３０とフィルム状モールドの間隔を１０〜５００μｍに維持することが望ましい。図４ではダイコータ３０の先端の吐出口から吐出されるゾルゲル材料４１の吐出方向は、基板搬送方向に対して平行になっているが、ゾルゲル材料４１の吐出方向は任意の向きにすることができる。また、図４ではフィルム状モールド８０ａが基板搬送方向に対して垂直になっている位置でゾルゲル材料４１の塗布を行っているが、ゾルゲル材料４１の塗布はフィルム状モールド８０ａの任意の向きまたは位置で行うことができる。

光学基板製造装置１００は、基板搬送部１３０、押圧部１５０及び剥離部１６０を含むモールド搬送部１４０、並びに塗布部１２０の各動作と装置全体の動作とを総括する制御部（不図示）を備える。この制御部は、特に、基板搬送部１３０により搬送される基板４０と、モールド搬送部１４０により搬送されるフィルム状モールド８０ａとが押圧部１５０で同期されて搬送されるように、基板搬送部１３０、モールド搬送部１４０及び押圧ロール２２の駆動速度を制御する。光学基板製造装置１００は、さらに、塗布部１２０で形成された塗膜の厚さや状態を観察する検査装置や、フィルム状モールド８０ａが剥離された後の塗膜の凹凸パターンを観察する検査装置などを備えることができる。

光学基板製造装置１００により基板４０を処理する動作を説明する。基板搬送部１３０において、基板４０がモールド搬送部１４０の上流側の回転ロール３６上に受け渡されて押圧部１５０、特に所定位置に設けられた押圧ロール２２に向けて搬送される。一方、モールド搬送部１４０において、フィルム状モールド８０ａはモールド繰り出しロール２１から送り出され、搬送ロール２９間に設置された除電器１４２を通過して除電された後、塗布部１２０において、保持ロール２９ａで保持されながらダイコータ３０によりゾルゲル材料４１が塗布される。それにより、フィルム状モールド８０ａ上に幅方向及び長さ方向に渡って均一に、例えば、０．２〜１００μｍの膜厚でゾルゲル材料４１が塗布される。次いで、ゾルゲル材料４１の塗膜が形成されたフィルム状モールド８０ａが搬送ロール２９を介して押圧部１５０に至る。押圧部１５０では、室温〜２００℃に加熱された押圧ロール２２が、その下方に搬送されてきたフィルム状モールド８０ａを基板４０に重ねて押圧する。これにより、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン上の塗膜４２が基板４０に押し付けられて密着される。また、押圧ロール２２の加熱により塗膜のゲル化が進行する。次いで、押圧ロール２２により凹凸パターンが転写された基板４０は、フィルム状モールド８０ａが押し付けられたままの状態で加熱炉２８内を通過して剥離部１６０に搬送される。加熱炉２８内で基板４０は、フィルム状モールド８０ａの塗膜からの剥離を促進するために、室温〜２００℃に加熱される。剥離部１６０では、フィルム状モールド８０ａが剥離ロール２３を通過するときに搬送ロール２９を介してモールド巻き取りロール２４によって上方に引き上げられ、フィルム状モールド８０ａは塗膜から剥離する。この後、フィルム状モールド８０ａは除電器１４４により除電されてモールド巻き取りロール２４に巻き取られる。フィルム状モールド８０ａが剥離された基板４０は、除電器１４６により除電されて、光学基板製造装置１００を出る。こうして、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターンが塗膜に転写された基板４０が得られる。この後、パターンが形成された基板４０がオーブンなど（不図示）で本焼成される。本焼成用オーブンは、装置１００内に設けてもよい。

光学基板製造装置１００において、支持ロール２６に代えて、基板を支持して移動する移動テーブルなどの他の駆動手段を用いることができる。また、押圧ロール２２によりフィルム状モールド８０ａの凹凸パターンが塗膜４２押し付けられたままの状態を維持するために剥離ロール２３を用いたが、そのような状態を維持するために剥離ロール２３に代えて、表面が滑らかで角部が曲面を有する板状部材などの他の支持部材を用い得る。なお、第２ユニットしての光学基板製造装置１００は、図２に示した第１ユニットとしてのロールプロセス装置７０を備えていてもよい。例えば、第２ユニットとしての光学基板製造装置１００に第１ユニットとしてのロールプロセス装置７０を一体として組み込み、ロールプロセス装置７０のフィルム巻き取りロール８７をそのまま光学基板製造装置１００のモールド繰り出しロール２１として用いてもよい。この場合、フィルム巻き取りロール８７を駆動する回転機構を光学基板製造装置１００の制御装置により制御して回転方向を切り替えるように構成することができる。あるいは、第２ユニットとしての光学基板製造装置１００が第１ユニットとしてのロールプロセス装置７０を別体として備えていてもよい。この場合には、ロールプロセス装置７０でフィルム状モールド８０ａが巻き取られたフィルム巻き取りロール８７を、光学基板製造装置１００のモールド繰り出しロール２１が設けられる位置に運搬してモールド繰り出しロール２１として使用することができる。必要に応じて、光学基板製造装置１００とロールプロセス装置７０を切り離して、一方または両方を適所で使用することができる。

以下に、上記実施形態の光学基板製造装置の変形形態を説明する。
＜変形形態１＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において剥離ロールを設けたが、図５に示すように剥離ロールを省略してもよい。図５に示した装置では、モールド繰り出しロール２１（図４参照）から繰り出されたフィルム状モールド８０ａが加熱押圧ロール２２で塗膜４２に押圧された後に、基板４０より上方に位置するモールド巻き取りロール２４（図４参照）により巻き上げられる。押圧ロール２２を加熱したり、他の加熱手段を用いたりすることで、押圧直後のモールドの塗膜からの剥離が促進するとともに塗膜の仮焼成を行うことができる。

＜変形形態２＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において、フィルム状モールド８０ａを塗膜４２からの剥離を一層容易にするために、フィルム状モールド８０ａの剥離角度を適宜変更してもよい。例えば、図６に示すように剥離部１６０の上流から回転ロール３６を設置する高さを変えて基板４０の搬送方向に傾斜をつけ、さらに剥離部１６０において剥離ロール２３とフィルム状モールド８０ａと基板４０が接するように剥離ロール２３の設置位置を基板４０の搬送方向の傾斜に合わせて変えることで、フィルムモールド８０ａの剥離角度を変更することができる。また、搬送ロール２９の位置を搬送方向、例えば、図６の矢印で示した方向に変更することによっても剥離角度を調整することができる。

＜変形形態３＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において、加熱ヒータ２２ａを押圧ロール２２の内部に設けたが、押圧ロール２２を加熱する加熱ヒータの設置について、図７に示すような構成を採用してもよい。図７に示すように加熱ヒータ２２ｂを押圧ロール２２の内部ではなく押圧部１５０の押圧ロール２２の周辺部に設けたヒートゾーン３５内に備えることができる。ヒートゾーン３５の内部に加熱ヒータが設けられているので、ヒートゾーン内部が加熱温度に維持される。この場合には、ヒートゾーン３５の内部において塗膜４２が仮焼成される。なお、ヒートゾーン３５に加えて押圧ロール２２や支持ロール２６の内部に加熱ヒータを設けてもよい。ヒートゾーンの代替に加熱ヒータを内部に備えた加熱ロールを支持ロールに対向して数本設けてもよい。また塗膜のゾルゲル材料として光照射によりゲル化反応が起こる材料を用いる場合、ヒートゾーンの代替に、光照射ゾーンを設けてもよい。また、加熱ヒータの設置の別の変形形態として、加熱ヒータ２２ａを押圧ロール２２の内部に設ける代わりに支持ロール２６の内部に備えていてもよい。この場合には、支持ロール２６内部の加熱ヒータ２２ａから発生する熱により塗膜４２が仮焼成される。あるいは、加熱ヒータ２２ａを押圧ロール２２と支持ロール２６の両方の内部に設けてもよい。

＜変形形態４＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において、押圧ロール２２を一本設けたが、図８に示すように押圧ロール２２の下流に搬送方向に沿ってさらに複数本の押圧ロール２２を設けて、複数本の押圧ロール２２で、フィルム状モールド８０ａの凹凸パターン面の反対側から塗膜４２を基板４０に押し付けてもよい。この場合、塗膜の硬度変化に対応して押圧ロール２２の押圧力を調整してもよい。例えば下流ほど塗膜の硬度が高くなるのに合わせて下流ほど押圧ロール２２の押圧を高くしてもよい。

＜変形形態５＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において、剥離ロール２３とモールド巻き取りロール２４を設けてフィルム状モールド８０ａを基板４０および塗膜４２から剥離して巻き取ったが、図９に示すように、剥離ロール２３とモールド巻き取りロール２４を設けず、加熱炉２８の下流にカッター３８を設けてもよい。本変形形態では、フィルム状モールド８０ａの剥離を行わずフィルム状モールド８０ａをカッター３８によって基板４０の端部に沿って切断する。この方法によりフィルム状モールド付き光学基板を作製して製品とした場合、フィルム状モールドが基板の保護膜となり、搬送中などの基板への異物の付着を防止することができる。なお、この場合、搬送先でフィルム状モールドを基板のゾルゲル材料層から剥離した後、ゾルゲル材料層の本焼成を行うことになる。

＜変形形態６＞
上記実施形態の光学基板製造装置１００において、ゾルゲル材料を熱により硬化させたが、光硬化性のゾルゲル材料を用いて光照射による硬化を行ってもよい。この場合、加熱ロール２２ａは使用しなくてもよい。加熱炉２８の代わりに光照射機を設置してもよい。

上記のようにしてロールプロセスを経てゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板は、例えば、有機ＥＬ素子用の回折格子基板、ワイヤグリッド偏光子、反射防止フィルム、あるいは太陽電池の光電変換面側に設置することにより太陽電池内部への光閉じ込め効果を付与するための光学素子として使用することができる。あるいは、上記パターンを有する基板をモールド（マザー）として用いて上記パターンをさらに別の樹脂に転写してもよい。この場合、転写された樹脂パターンは基板上のパターンの反転パターンであるために、転写された反転パターンをさらに別の樹脂に転写することで基板のレプリカとしてのモールドを作製してもよい。それらのモールドにＮｉ等による電鋳処理を施して金属モールドを形成することもできる。それらのモールドを用いることにより、有機ＥＬ素子用の回折格子基板などの光学部品を一層効率よく量産することができる。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
上記のようにしてロールプロセスを経てゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板を用いて有機ＥＬ素子を製造する製造方法の一例について、図１０を参照しながら説明する。先ず、ゾルゲル材料層からなるパターンが形成された基板に付着している異物などを除去するために、ブラシで洗浄し、次いで、アルカリ性洗浄剤および有機溶剤で有機物等を除去する。次いで、図１０に示すように、基板４０のゾルゲル材料層４２上に、透明電極９２を、ゾルゲル材料層４２の表面に形成されている凹凸構造が維持されるようにして積層する。透明電極９２の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、金、白金、銀、銅が用いられる。これらの中でも、透明性と導電性の観点から、ＩＴＯが好ましい。透明電極９２の厚みは２０〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が不十分となり易く、前記上限を超えると、透明性が不十分となり発光したＥＬ光を十分に外部に取り出せなくなる可能性がある。透明電極９２を積層する方法としては、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、密着性を上げるという観点から、スパッタ法が好ましく、その後、フォトレジストを塗布して電極用マスクパターンで露光した後、現像液でエッチングして所定のパターンの透明電極を得る。なお、スパッタ時には基板が３００℃程度の高温に曝されることになる。得られた透明電極をブラシで洗浄し、アルカリ性洗浄剤および有機溶剤で有機物等を除去した後、ＵＶオゾン処理することが望ましい。

次に、透明電極９２上に、図１０に示す有機層９４を積層する。このような有機層９４は、有機ＥＬ素子の有機層に用いることが可能なものであれば特に制限されず、公知の有機層を適宜利用することができる。また、このような有機層９４は、種々の有機薄膜の積層体であってもよく、例えば、図１０に示すような正孔輸送層９５、発光層９６、及び電子輸送層９７からなる積層体であってもよい。ここで、正孔輸送層９５の材料としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３ーメチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、発光層９６は、透明電極９２から注入された正孔と金属電極９８から注入された電子とを再結合させて発光させるために設けられている。発光層９６に使用できる材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、アルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの有機金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等を用いることができる。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を適宜混合して用いることも好ましい。また、スピン多重項からの発光を示す材料系、例えば燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。なお、前記燐光発光材料はイリジウムなどの重金属を含むことが好ましい。上述した発光材料をキャリア移動度の高いホスト材料中にゲスト材料としてドーピングして、双極子−双極子相互作用（フェルスター機構）、電子交換相互作用（デクスター機構）を利用して発光させても良い。また、電子輸送層９７の材料としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの有機金属錯体などが挙げられる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。なお、正孔輸送層９５もしくは電子輸送層９７が発光層９６の役割を兼ねていてもよい。この場合、透明電極９２と金属電極９８の間の有機層は２層となる。

さらに、金属電極９８からの電子注入を容易にするという観点から、有機層９４と金属電極９８の間に電子注入層としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ｌｉ_２Ｏ_３等の金属フッ化物や金属酸化物、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ等の活性の高いアルカリ土類金属、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。また、透明電極９２からの正孔注入を容易にするという観点から、有機層９４と透明電極９２の間に正孔注入層として、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、または導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどからなる層を設けても良い。

また、有機層９４が正孔輸送層９５、発光層９６、及び電子輸送層９７からなる積層体である場合、正孔輸送層９５、発光層９６、及び電子輸送層９７の厚みは、それぞれ１〜２００ｎｍの範囲、５〜１００ｎｍの範囲、及び５〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。有機層９４を積層する方法としては、蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、ダイコート法等の公知の方法を適宜採用することができる。

有機ＥＬ素子形成工程においては、次いで、図１０に示すように、有機層９４上に金属電極９８を積層する。金属電極９８の材料としては、仕事関数の小さな物質を適宜用いることができ、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉが挙げられる。また、金属電極９８の厚みは５０〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が低下し易く、前記上限を超えると、電極間の短絡が発生した際に、修復が困難となる可能性がある。金属電極９８は、蒸着法、スパッタ法等の公知の方法を採用して積層することができる。こうして、図１０に示すような構造の有機ＥＬ素子２００が得られる。

前述のように、本発明の方法に従い製造した光学基板の凹凸パターンはゾルゲル材料から形成されているために、以下に説明するように種々の点で硬化性樹脂から凹凸パターンが形成されている基板に比べて有利となる。ゾルゲル材料は、機械的強度に優れるため、有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて基板及び透明電極形成後に凹凸パターン面にブラシ洗浄を行っても傷、異物の付着、透明電極上の突起などが発生しにくく、それらに起因する素子不良を抑制できる。それゆえ、本発明の方法により得られた有機ＥＬ素子は、凹凸パターンを有する基板の機械的強度という点で硬化性樹脂基板を用いる場合に比べて優れる。

本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、耐薬品性に優れる。それゆえ、基板及び透明電極の洗浄工程に用いるアルカリ液や有機溶媒に対しても比較的耐食性があり、種々の洗浄液を使用することができる。また、前述のように透明基板のパターニング時にアルカリ性の現像液を用いることがあり、このような現像液に対しても耐食性がある。この点でアルカリ液に対して耐性が比較的低い硬化性樹脂基板に比べて有利となる。

本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、耐熱性に優れる。このため、有機ＥＬ素子の透明電極製造プロセスにおけるスパッタ工程の高温雰囲気にも耐えることができる。さらに、本発明の方法に従い製造したゾルゲル材料から形成された基板は、硬化性樹脂基板に比べて、耐ＵＶ性、耐候性にも優れる。このため、透明電極形成後のＵＶオゾン洗浄処理に対しても耐性を有する。

本発明の方法により製造された有機ＥＬ素子を屋外で使用した場合には、硬化性樹脂に凹凸パターンを形成した基板を用いた有機ＥＬ素子を使用した場合に比べて太陽光による劣化が抑制できる。さらに、上記のような硬化樹脂では発光時の発熱などで高温下に長期間置かれると劣化して黄変やガスの発生の可能性があり、樹脂基板を用いた有機ＥＬ素子の長期的な使用が難しいが、ゾルゲル材料を用いて作製された基板を備える有機ＥＬ素子では劣化が抑制される。

上記実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法の変形形態について、図１１を参照しながら説明する。上記実施形態では、ロールプロセスを経て作製した光学基板のゾルゲル材料層上（凹凸表面上）に、透明電極、有機層及び金属電極を順次積層して有機ＥＬ素子を製造したが、光学基板の凹凸表面と反対側の面（平坦面）上に、透明電極９２ａ、有機層９４ａ及び金属電極９８ａを順次積層して、図１１に示すような有機ＥＬ素子２００ａを製造してもよい。この変形形態において、上記実施形態において説明したのと同様の方法及び材料を用いて透明電極、有機層及び金属電極を積層することができる。本変形形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子２００ａの透明電極９２ａ、有機層９４ａ及び金属電極９８ａは、凹凸パターンを有するゾルゲル材料層４２が形成された面と反対側の、凹凸パターンが形成されていない平坦な面の上に積層されているため、いずれも平坦な層構造を有する。また、本変形形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子２００ａにおいて、ゾルゲル材料層４２は、光学基板内を通過してきた光が基板（ゾルゲル材料層４２を含む）と空気の界面において全反射することを抑制して光取出し効率を向上させる、マイクロレンズアレイとして機能することができる。

なお、上記実施形態及び変形形態の有機ＥＬ素子の製造方法に用いた光学基板は、一方の面にのみ凹凸パターンが形成されていたが、両面に凹凸パターンが形成された光学基板を用いて有機ＥＬ素子を製造してもよい。それにより、回折格子としての凹凸パターンとマイクロレンズアレイとしての凹凸パターンの両方を備えた有機ＥＬ素子を製造することができる。両面に凹凸パターンを備える光学基板は、上記の光学基板の製造方法によって一方の面にゾルゲル材料層からなる凹凸パターンを形成した後、さらに、形成した凹凸パターン面と反対側の面に上記の光学基板の製造方法を適用して凹凸パターンを形成することによって製造することができる。一方の面の凹凸パターンのみを上記の光学基板の製造方法によって形成し、他方の面の凹凸パターンを任意の他の方法で形成してもよい。

以上、本発明を実施例により説明してきたが、本発明の光学基板の製造方法及び製造装置は上記実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載した技術思想の範囲内で適宜改変することができる。例えば、図４に示した光学基板の製造装置は、塗布部（塗膜形成部）１２０と押圧部１５０の間に塗膜を乾燥させる乾燥機構を備えてもよい。

本発明の光学基板を製造する方法及び装置は、微細パターン転写を正確に且つ確実に行いつつも高いスループットで光学基板を製造することができる。本発明の製造方法及び製造装置により製造された光学基板の凹凸パターンは耐熱性、耐候性及び耐食性に優れ、その光学基板を組み込んだ素子の製造プロセスにも耐性があり、また、それらの素子を長寿命化することができる。それゆえ、本発明の製造方法及び製造装置により得られた光学基板は、有機ＥＬ素子や太陽電池のなどの各種デバイスにきわめて有効となり、このようにして得られた光学基板を用いて耐熱性、耐候性及び耐食性に優れた有機ＥＬ素子や太陽電池などの各種デバイスを製造することができる。

２１ モールド繰り出しロール、２２ 押圧ロール
２２ａ 加熱ヒータ、２３ 剥離ロール、２４ モールド巻き取りロール
２６ 支持ロール、２８ 加熱炉、２９ 搬送ロール、２９ａ 保持ロール
３０ ダイコータ、３５ ヒートゾーン、３６ 回転ロール
３８ カッター、４０ 基板
４１ ゾルゲル材料
４２ 塗膜（ゾルゲル材料層）、７２ フィルム繰り出しロール
７４ ニップロール、７６ 剥離ロール、７８ 搬送ロール
８０ 基板フィルム、８０ａ フィルム状モールド、 ８２ ダイコータ、
８４ 凹凸形成材料、８５ ＵＶ照射光源、８６ 基板フィルム搬送系
８７ フィルム巻き取りロール、 ９０ 転写ロール
９２ 透明電極、９４ 有機層、９５ 正孔輸送層
９６ 発光層、９７ 電子輸送層、９８ 金属電極
１００ 光学基板製造装置、１４２，１４４，１４６ 除電器
１２０ 塗布部、１３０ 基板搬送部、１４０ モールド搬送部
１５０ 押圧部、１６０剥離部、２００ 有機ＥＬ素子

前記光学基板の製造装置は、さらに、前記基板に押つけられた前記塗膜を加熱する第１加熱手段を備えてよく、この第１加熱手段は前記押圧ロール内にヒータとして設けてもよい。さらに、前記フィルム状モールドが前記塗膜から剥離されるときに前記塗膜を加熱する第２加熱手段を備えてもよい。

Claims (28)

1. 凹凸パターン面を有する長尺のフィルム状モールドを用意する工程と、
   前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面にゾルゲル材料の塗膜を形成する工程と、
   前記ゾルゲル材料の塗膜が形成された前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と基板を対向させて、押圧ロールを前記フィルム状モールドの前記凹凸パターン面と反対側の面に押し付けて前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜を前記基板に密着させる工程と、
   前記フィルム状モールドを前記塗膜から剥離する工程と、
   前記基板に密着した前記塗膜を硬化する工程とを備えることを特徴とする光学基板の製造方法。
2. 前記長尺のフィルム状モールドを用意する工程は、
   長尺のフィルム状基材に凹凸形成材料を塗布することと、
   前記塗布された凹凸形成材料に、凹凸パターンを有する転写ロールを回転しながら押し付けて前記凹凸形成材料に前記凹凸パターンをロール転写することと、
   前記凹凸パターンがロール転写された前記凹凸形成材料を硬化することによりロール形態の前記長尺のフィルム状モールドを得ることを含むことを特徴とする請求項１に記載の光学基板の製造方法。
3. 前記硬化した凹凸形成材料を有する前記フィルム状基材をフィルム巻き取りロールにより巻き取ることを特徴とする請求項２に記載の光学基板の製造方法。
4. 前記フィルム状基材を繰り出すフィルム繰り出しロールと巻き取るフィルム巻き取りロールを用いて、前記フィルム状基材を搬送させながら、前記転写ロールの前記凹凸パターンを転写することを特徴とする請求項２に記載の光学基板の製造方法。
5. 前記フィルム巻き取りロールに巻き取られた前記ロール形態の長尺のフィルム状モールドが前記押圧ロールに対して繰り出されて移動することを特徴とする請求項３または４に記載の光学基板の製造方法。
6. 剥離された前記長尺のフィルム状モールドをモールド巻き取りロールで巻き取ることを特徴とする請求項５に記載の光学基板の製造方法。
7. 前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜を加熱しながら、前記押圧ロールを前記凹凸パターン面と反対側の面に押しつけることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
8. 前記塗膜を前記基板に密着させる工程と前記フィルム状モールドを前記塗膜から剥離する工程の間または前記フィルム状モールドを前記塗膜から剥離する工程において、前記塗膜を加熱することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
9. 前記長尺のフィルム状モールドに連続的にゾルゲル材料を塗布しながら前記フィルム状モールドを前記押圧ロールの下方に送り込むとともに、複数の基板を前記押圧ロールに搬送し、前記複数の基板に順次前記フィルム状モールドの凹凸パターン面に形成された前記塗膜を前記押圧ロールで押し付けることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
10. 前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンが不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、１００〜１５００ｎｍの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値が２０〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
11. 前記基板がガラス基板であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
12. 前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含む請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法を用いて光学基板としての凹凸表面を有する回折格子基板を作製し、前記回折格子基板の前記凹凸表面上に、透明電極、有機層及び金属電極を、順次積層して有機ＥＬ素子を製造することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
14. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光学基板の製造方法を用いて凹凸表面を有する光学基板を作製し、前記光学基板の前記凹凸表面と反対側の面上に、透明電極、有機層及び金属電極を、順次積層して有機ＥＬ素子を製造することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
15. 光学基板の製造装置であって、
    凹凸パターン面を有する長尺状のフィルム状モールドの前記凹凸パターン面上にゾルゲル材料の塗膜を形成する塗膜形成部と、
    基板を所定位置に搬送する基板搬送部と、
    前記フィルム状モールドを繰り出すモールド繰り出しロールを備え、前記モールド繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すことで前記フィルム状モールドを前記所定位置に対して搬送するモールド搬送部と、
    前記所定位置に設置され、前記モールド搬送部で前記所定位置に繰り出された前記長尺状のフィルム状モールドの前記凹凸パターン面に形成された前記塗膜の一部を、前記基板搬送部により前記所定位置に搬送された前記基板に押し付けるための押圧ロールとを備えることを特徴とする光学基板の製造装置。
16. 前記長尺状のフィルム状モールドの前記凹凸パターン面の一部を前記押圧ロールにより押し付けられた前記塗膜から剥離するための剥離ロールを備えることを特徴とする請求項１５に記載の光学基板の製造装置。
17. 前記モールド搬送部は、さらに、前記フィルム状モールドを巻き取るモールド巻き取りロールを備え、前記モールド繰り出しロールから前記所定位置に連続的に前記フィルム状モールドを繰り出すと共に前記フィルム状モールドを前記モールド巻き取りロールで巻き取ることで前記フィルム状モールドを前記所定位置に対して搬送することを特徴とする請求項１５または１６に記載の光学基板の製造装置。
18. 前記押圧ロールで前記基板に押し付けた前記フィルム状モールドの一部を切断するためのカッターを備えることを特徴とする請求項１５に記載の光学基板の製造装置。
19. さらに、前記基板に押し付けられた前記塗膜を加熱する加熱手段を備えることを特徴とする請求項１５〜１８いずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
20. 前記加熱手段が、前記押圧ロール内に設けられたヒータであることを特徴とする請求項１９に記載の光学基板の製造装置。
21. 前記フィルム状モールドが前記塗膜から剥離されるときに前記塗膜を加熱する加熱手段を備えることを特徴とする請求項１５〜１７、１９及び２０のいずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
22. 前記押圧ロールと対向する位置に設けられて前記基板を下側から支持する支持ロールを備えることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
23. 前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンが不規則な凹凸パターンであり、凹凸の平均ピッチが、１００〜１５００ｎｍの範囲であり、凹凸の深さ分布の平均値が２０〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
24. 前記基板がガラス基板であり、前記ゾルゲル材料がシリカ前駆体を含む請求項１５〜２３のいずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
25. さらに、前記長尺状のフィルム状モールドを形成するロールプロセス装置を備え、当該ロールプロセス装置が、基板フィルムを搬送する搬送系と、搬送中の前記基板フィルムに凹凸形成材料を塗布する塗布機と、前記塗布機の下流側に位置してパターンを転写する転写ロールと、前記基板フィルムに光を照射するための照射光源とを有することを特徴とする請求項１５〜２４のいずれか一項に記載の光学基板の製造装置。
26. 前記搬送系が、前記基板フィルムを繰り出すフィルム繰り出しロールと、前記基板フィルムを前記転写ロールに付勢するニップロールと、前記基板フィルムの前記転写ロールからの剥離を促進する剥離ロールと、前記パターンが転写された前記基板フィルムを巻き取るフィルム巻き取りロールとを有することを特徴とする請求項２５に記載の光学基板の製造装置。
27. 前記基板フィルムを巻き取った前記フィルム巻き取りロールが、前記フィルム状モールドを繰り出す前記モールド繰り出しロールとして使用されることを特徴とする請求項２６に記載の光学基板の製造装置。
28. 請求項１８に記載の光学基板の製造装置を用いて作製した光学基板であって、
    基板と、
    凹凸パターンを有するフィルム状モールドを用いて前記基板上に転写された凹凸パターンを有するゾルゲル材料層と、
    前記ゾルゲル材料の前記凹凸パターンに前記フィルム状モールドの前記凹凸パターンが嵌合したままで前記ゾルゲル材料層上に配置されている前記凹凸パターンを有するフィルム状モールドとを備えることを特徴とする光学基板。

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