TWI300916B - - Google Patents

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1300916 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種顯示裝置及其驅動方法，該顯示裝 置具備多個配置成行列狀之像素電路，且像素電路具有按照 注入電流大小而發光之發光元件及控制流向該發光元件之 電流値之電晶體元件。在該發光元件發光之前，對既定之靜 電電容量儲存電荷，使用所儲存之電荷對該電晶體元件之閘 極、源極間進行對應於驅動臨限値電壓之電壓之偵測及供 給。 【先前技術】 使用自行發光之有機電子發光（EL)元件之有機EL顯示 裝置因不需要在液晶顯示裝置需要之背光，最適於裝置之薄 型化，而且在視角上也無限制。因而，期待其實用化成爲替 代液晶顯示裝置之下世代顯示裝置。 在使用有機EL元件之影像顯示裝置上已知被動陣列型 和主動陣列型。前者雖然構造簡單卻有難實現大型且高精細 之顯示器之問題。因而，近年來，盛行開發主動陣列型顯示 裝置’係利用在像素內所設置之主動元件，例如由薄膜電晶 體構成之驅動元件，控制流向像素內部之發光元件之電流 (例如參照專利文獻1)。 第7圖係表示在以往之影像顯示裝置之單一像素（在彩 色顯示之情況和一個像素中之R、G、B之其中之一對應之 副像素’以下一樣）對應之像素電路之構造之電路圖。如第7 圖所示’像素電路100具備有機EL元件101，用以作爲發 1300916 光元件；驅動元件102，用以規定流向有機EL元件1 〇 1之 電流値；第一切換元件1 03，用以控制驅動元件1 02之驅動 狀態；第二切換元件104及第三切換元件105，在後述之臨 限値電壓偵測時發揮功能；以及電容器1 06，配置於驅動元 件1 02之閘極和源極之間。又，以往之顯示裝置也如第7圖 所示，自驅動電路1 1 2經由低電位供給線1 07、高電位供給 線1 〇 8、掃描線1 0 9、第一控制線1 1 〇、第二控制線1 1 1以及 信號線1 1 3供給這些電路元件驅動控制用之電氣信號。 驅動電路1 1 2係用以供給控制像素電路1 〇〇中電路元件 之驅動狀態之電氣信號的。具體而言，像素電路100中之電 路元件具有預先供給驅動元件1 02之驅動臨限値電壓之功 能、在供給驅動臨限値電壓之前對有機EL元件1 0 1儲存既 定之電荷之功能、按照有機EL元件1 0 1之顯示灰階之電位 供給驅動元件1 02之功能以及在供給有機EL元件1 0 1之陽 極、陰極間電壓後使有機EL元件101按照顯示灰階之亮度 發光之功能。在實現這些功能時，驅動電路1 1 2經由低電位 供給線1 07等供給既定之電氣信號。 [專利文獻1]特開2002- 1 96357號公報 【發明內容】 發明要解決之課題 可是，以往使用之有機EL元件之顯示裝置，因自驅動 電路1 1 2延伸之配線構造之線數多，有難提高各像素之數値 孔徑之問題。以下說明該問題點。 以往之顯示裝置，具有將多個像素電路1 00排列成行列 1300916 狀之構造，在該多個像素電路1 〇〇之各像素電路，供給驅動 元件1 02臨限値電壓。在此，以往之顯示裝置，由於具有經 由同一信號線11 3依次供給配置於同一行之像素電路資料電 壓之構造之關係，具有對於配置於同一列之像素電路100同 時供給驅動臨限値電壓等，而對於配置於不同列之像素電路 1 〇〇按照和資料電壓之供給對應的相異之時序供給驅動臨限 値電壓等之構造。 因此，在以往之顯示裝置，需要採用對於配置於不同列 之像素電路1 〇〇各自獨立的供給電氣信號之構造，具體而 言，需要線數按照利用多個像素電路1 〇〇所構成之行列之列 數之低電位供給線1 07〜第二控制線1 1 1。而，低電位供給 線1 07〜第二控制線1 1 1各自爲了對於在同一行所配置之全 部之像素電路1〇〇供給電氣信號，具有自將像素電路100配 置成行列狀之陣列基板之一方之端部在行方向延伸至另一 方之端部爲止之構造。 因而，在陣列基板上之這些配線構造之佔有面積變成很 大，隨著佔有面積增加，因各像素電路100中之有機EL元 件1 0 1之發光面之佔有面積相對的減少，難令數値孔徑增 加。而，在將供給配置於相異之行之像素電路1 〇〇電氣信號 之低電位供給線1 07等簡單的共用化之情況，可提高數値孔 徑，但是由於供給驅動元件102之驅動臨限値電壓値變動 等，新發生顯示影像之畫質降低之問題。 鑑於上述之問題點，本發明之目的在於實現在抑制顯示 品質降低下減少和像素電路連接之配線構造之個數之顯示 -7- 1300916 裝置。 解決課題之方式 爲解決上述之問題，達成目的，申請專利範圍第1項之 顯示裝置，具備像素電路，將多個像素電路配置成行列狀’ 各自具有按照注入電流大小而發光之發光元件及控制流向 該發光元件之電流値之電晶體元件，形成後使得在該發光元 件發光之前，藉著對既定之靜電電容儲存電荷進行令該電晶 體元件之閘極、源極間之電壓値變至比驅動臨限値電壓高之 値之電荷儲存動作及藉著調整閘極、源極間之電壓對該電晶 體元件之閘極、源極間進行和驅動臨限値電壓對應之電壓之 偵測、供給動作；及驅動電路，至少控制在該像素電路之電 荷儲存及和驅動臨限値電壓對應之電壓之偵測、供給之時 序，其特徵爲該驅動電路對於配置於該行列之與第一列在一 方之行方向相鄰之第二列之像素電路，控制成和在該第一列 所配置之像素電路同時開始該電荷儲存及該電壓之偵測、供 給，對於配置於與第一列在另一方之行方向相鄰之第三列之 像素電路，控制成和在該第一列所配置之像素電路同時結束 該電荷儲存及該電壓之偵測、供給。 若依據申請專利範圍第1項之發明，藉著在配置於第一 列之像素電路和配置於第二列之像素電路之間使電荷儲存 之開始時序及和臨限値電壓對應之電壓之偵測、供給之開始 時序變成同時，在配置於第一列之像素電路和配置於第三列 之像素電路之間使電荷儲存之終了時序及和臨限値電壓對 應之電壓之偵測、供給之終了時序變成同時，可減少傳送規 1300916 定像素電路之各步驟之開始、終了時序之電氣信號之配線構 造。又，在這種形態，藉著規定時序’在相鄰像素電路間’ 在一方之像素電路之電荷儲存所需之時間長度之增減和電 壓之偵測、供給所需之時間長度之增減變成相等。因此’例 如，由電荷儲存所需之時間長度之增加或減少所引起之電晶 體元件之源極電位之變化量和電壓之偵測、供給所需之時間 長度之增加或減少所引起之電晶體元件之源極電位之變化 量相抵消，整體上可抑制閘極、源極間之電壓之變動範圍。 • 又，申請專利範圍第2項之顯示裝置，在上述之發明， 該驅動電路在控制上使得在配置於該第一列之像素電路和 配置於該第二列之像素電路之間之該電荷儲存及該電壓之 偵測、供給之終了時序之時間差與在配置於該第一列之像素 電路和配置於該第三列之像素電路之間之該電荷儲存及該 電壓之偵測、供給之開始時序之時間差變成同一値。 又，申請專利範圍第3項之顯示裝置，在上述之發明， 該發光元件具有藉著被供給順向電壓而電流流動後發光，藉 ^ 著被供給逆向電壓而儲存按照供給電壓之電荷之特性，在該 電荷儲存及該電壓之偵測、供給時用以作爲該靜電電容。 又，申請專利範圍第4項之顯示裝置之驅動方法，該顯 示裝置具備多個像素電路，配置成行列狀，具有按照注入電 流之亮度發光之發光元件及控制流向該發光元件之電流値 之電晶體元件，形成後使得在該發光元件發光之前，對既定 之靜電電容儲存電荷後，使用所儲存之電荷對該電晶體元件 之閘極、源極間進行和驅動臨限値電壓對應之電壓之偵測、 -9- 1300916 供給，其特徵爲對於配置於該行列之與第一列在一方之行方 向相鄰之第二列之像素電路，和在該第一列所配置之像素電 路同時開始該電荷儲存及該電壓之偵測、供給；對於配置於 與第一列在另一方之行方向相鄰之第三列之像素電路，和在 該第一列所配置之像素電路同時結束該電荷儲存及該電壓 之偵測、供給。 【實施方式】 以下，邊參照圖面邊說明本發明之顯示裝置之最佳實施 例（以下只稱爲「實施例」）。此外，圖面係示意圖，應留意 和實際的相異，在圖面之間當然也包含彼此之尺寸之關係或 比例相異之部分。又，以η通道型說明以下所言及之薄膜電 晶體，但是當然也可將本發明應用於Ρ通道型。此外，在以 下之說明，關於薄膜電晶體，閘極以外之電極構造在源極及 汲極都可令發揮功能之情況稱爲源/汲極。 本實施例之顯示裝置係將像素電路配置成行列狀之顯 示裝置，具有共用供給在相異之列所配置之像素電路電氣信 號之配線構造之幾種構造，藉著對配線構造之共用形態下工 夫，在將顯示影像之品質之降低抑制至無法視認之程度下令 數値孔徑提高。第1圖係表示實施例之顯示裝置之整體構造 之示意圖。此外，第1圖所示之像素電路係將多個像素電路 和顯示影像之像素數對應的配置成行列狀的，關於像素電路 之個數，不必限定爲第1圖所示的。 本實施例之顯示裝置如第1圖所示，具備多個像素電路 1，配置成行列狀；及驅動電路2，供給像素電路1既定之電 -10- 1300916 氣信號。此外，在第1圖，表示配置成Μ列N行（Μ、N :整 數）之行列狀之多個像素電路1之中位於m列η行（m :滿足 l<mS Μ之整數，n : N以下之整數）之像素電路la、位於（m 一 1)列η行之像素電路lb以及位於（m+1)列η行之像素電路 1 c ° 其次，說明像素電路1之構造。在本實施例，因像素電 路1 a〜像素電路1 C各自具有相同之構造，在以下以像素電 路1 a爲例說明。像素電路1 a具備有機EL元件3 a，按照注 入電流發光；薄膜電晶體4a，源極和有機EL元件3a之陽 極連接，在功能上作爲控制流向有機EL元件3a之電流量之 驅動元件；以及電容器5 a，和薄膜電晶體4a之閘極及源極 連接。又，像素電路1 a中第一切換元件6a，控制薄膜電晶 體4a之驅動狀態；及第二切換元件7a和第三切換元件8a， 在後述之電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟時發揮功能。 有機EL元件3 a在功能上作爲在申請專利範圍之發光元 件及靜電電容，藉著施加順向電壓，電流流動而發光，而且 在逆向電壓作用時，在功能上作爲電容器。有機EL元件3a 具體上具有陽極層、發光層以及陰極層依次叠層之構造。發 光層係用以將自陽極層側所注入之電子和自陰極層側所注 入之電洞發光再結合的’具體而言具有利用酞花青、三鋁錯 合物、苯并喹啉化物及鈹錯合物等有機系材料形成後按照需 要添加了既定之雜質之構造。此外’也可採用對於發光層在 陽極側設置電洞輸送層’對於發光層在陰極側設置電子輸送 層之構造。 -11- 1300916 薄膜電晶體4a用以作爲驅動元件’係在功能上作爲在 申請專利範圍之電晶體元件的。薄膜電晶體4a如第1圖所 示，源極和有機EL元件3 a之陽極連接，藉著按照作用於閘 極之電壓控制流向有機EL元件3 a之電流値，控制有機EL 元件3a之發光亮度。 第一切換元件6a係用以控制薄膜電晶體4a之閘極和資 料電壓供給電路15(後述）之間之電氣連接狀態的。具體而 言，第一切換元件6a在後述之資料電壓寫入步驟時將資料 > 電壓供給電路1 5和薄膜電晶體4a之閘極在電氣上連接，控 制成供給薄膜電晶體4a之閘極自資料電壓供給電路1 5輸出 之資料電壓。此外，具體而言，第一切換元件6a例如利用 薄膜電晶體形成，閘極和後述之掃描線驅動電路1 2在電氣 上連接。藉著具有這種構造，第一切換元件6a具備依據自 掃描線驅動電路1 2供給之電氣信號控制導通狀態之構造。 第二切換元件7a係用以控制薄膜電晶體4a之閘極和陽 極電位供給電路1 1(後述）之間之電氣連接狀態的。第三切換 > 元件8a係用以控制薄膜電晶體4a之汲極和陽極電位供給電 路1 1之間之電氣連接狀態的。具體而言，第二切換元件7a 及第三切換元件8a係在後述之電荷儲存步驟及臨限値電壓 偵測步驟發揮功能的，各自依據後述之第一控制電路1 3及 第二控制電路1 4之控制而動作。此外，第二切換元件7a及 第三切換元件8a和第一切換元件6a —樣，具有例如利用薄 膜電晶體形成並藉著供給閘極來自第一控制電路1 3等之電 氣信號動作之構造。 -12- 1300916 其次，說明驅動電路2。驅動電路2係藉著供給像素電 路1既定之電氣信號，控制像素電路1中之有機EL元件3 之發光狀態等的驅動電路2利用多種電路構成，具體而言， 具備陰極電位供給電路1 〇，供給有機EL元件3之陰極側之 電位；陽極電位供給電路1 1，供給有機EL元件3之陽極側 之電位；掃描線驅動電路1 2，控制像素電路1中之第一切換 元件6之驅動狀態；第一控制電路1 3，控制第二切換元件7 之驅動狀態；第二控制電路1 4，控制第三切換元件8之驅動 ® 狀態；以及資料電壓供給電路1 5，供給按照顯示灰階之資料 電壓。 陰極電位供給電路1 〇，係用以控制有機EL元件3之陰 極側之電位。陰極電位供給電路1 0除了具有藉著供給有機 EL元件3之陰極比自陽極電位供給電路1 1供給之電位低之 電位供給有機EL元件3順向電壓而令發光之功能以外，藉 著在後述之電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟改變供給 電位而發揮既定之功用。關於電荷儲存步驟等之功能將後 •述。 陽極電位供給電路1 1，係用以控制有機EL元件3之陽 極側之電位。具體而言，陽極電位供給電路1 1經由薄膜電 晶體4及第三切換元件8和有機EL元件3之陽極在電氣上 連接，在薄膜電晶體4及第三切換元件8爲導通狀態時供給 有機EL元件3之陽極電位。此外，在本實施例，陽極電位 供給電路1 1和驅動電路2中之別的電路相異，在構造上總 是供給固定電位。 -13- 1300916 掃描線驅動電路1 2係用以控制像素電路1中之第一切 換元件6之驅動的。具體而言，藉著向像素電路1中之第一 切換元件6輸出既定之掃描用電氣信號，控制第一切換元件 6之開關。 第一控制電路1 3係用以控制像素電路1中之第二切換 元件7之驅動的，第二控制電路1 4係用以控制第三切換元 件8之驅動的。如後述所示，第二切換元件7及第三切換元 件8係在電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟進行應發揮既 定之功能之動作的，第一控制電路13及第二控制電路14具 有藉著輸出既定之電氣信號控制第二切換元件7及第三切換 元件8之開關之時序之功能。 資料電壓供給電路1 5係用以輸出和像素電路1中之有 機EL元件3之發光亮度對應之資料電壓的。即，有機EL 元件3係利用在功能上作爲驅動元件之薄膜電晶體4控制注 入電流値的，而薄膜電晶體4具有按照閘極、源極間之電壓 値決定流向閘極、源極間之電流値之特性。因供給有機EL 元件3通過薄膜電晶體4之閘極、源極間之電流，藉著控制 薄膜電晶體4之閘極、源極間之電壓’可控制流向有機EL 元件3之電流値，藉著控制電流値可控制有機EL元件3之 發光亮度。資料電壓供給電路15具有輸出規定這種薄膜電 晶體4之閘極、源極間之電壓之資料電壓之功能。 其次，說明像素電路1中之構成元件和驅動電路2之電 氣上之連接形態。即，驅動電路2中之各電路和像素電路1 中之構成元件之關係如上述所示，例如關於第一切換元件 -14- 1300916 6,關於像素電路la〜像素電路lc各自具備之第二切換元件 7a〜第二切換元件7c之任一個元件，都依據自第一控制電 路1 3供給之電氣信號控制驅動狀態，在像素電路1 a〜像素 電路1 c各自進行應發揮相同之功能之動作。 可是，像素電路1中之各構成元件之功能係相同，動作 時序也未必相同，在相異之像素電路1也有供給相同之電氣 信號之情況，也有供給相異之電氣信號之情況。具體而言， 藉著依據第1圖所示之形態採用將像素電路la〜像素電路 1 c和驅動電路2在電氣上連接之構造，如後述所示，使得在 將顯示影像之品質之降低抑制至無法視認之程度下，減少和 像素電路1連接之配線構造之線數。以下，關於驅動電路2 中之各電路，具體說明和像素電路la〜像素電路lc之連接 形態。 陰極電位供給電路1 〇經由同一配線構造和像素電路 1 a、像素電路lb連接，而經由相異之配線構造和像素電路 1 c在電氣上連接。即，也如第1圖所示，自陰極電位供給電 路1 〇延伸傳送彼此相異之電氣信號之陰極電位線1 7a及陰 極電位線17b，陰極電位線17a和像素電路la中之有機EL 元件3a之陰極及像素電路lb中之有機EL元件3b之陰極連 接。而，陰極電位線17b和像素電路1 c中之有機EL元件 3c之陰極連接，供給像素電路la、像素電路lb中之有機EL 元件3a、有機EL元件3b之陰極之電氣信號和供給像素電 路lc之有機EL元件3c之陰極之電氣信號相異。 一方面，第一控制電路1 3具有和陰極電位供給電路1 〇 1300916 相異之連接形態。具體而言，第一控制電路1 3經由同一配 線構造和像素電路1 a、像素電路1 c連接，而經由相異之配 線構造和像素電路1 b在電氣上連接。即，自第一控制電路 1 3延伸傳送彼此相異之電氣信號之第一控制線1 8a及第一 控制線18b，第一控制線18a和像素電路la中之第二切換元 件7a之閘極及像素電路lc中之第二切換元件7c閘極連接。 而，第一控制線18b和像素電路lb中之第二切換元件7b之 閘極連接，供給像素電路1 a及像素電路1 c中之第二切換元 I 件7a及第二切換元件7c之閘極之電氣信號和供給像素電路 1 b中之第二切換元件7c之閘極之電氣信號相異。 第二控制電路1 4具有和第一控制電路1 3 —樣之形態， 具有和陰極電位供給電路1 0相異之形態。即，自第二控制 電路1 4延伸第二控制線1 9a及第二控制線1 9b，第二控制線 19a和像素電路la中之第三切換元件8a之閘極及像素電路 1 c中之第三切換元件8c閘極連接，第二控制線1 9b和像素 電路lb中之第三切換元件8b之閘極連接。 t 陽極電位供給電路1 1及掃描線驅動電路1 2具有和上述 之電路相異之連接形態。即，陽極電位供給電路1 1經由單 一之陽極電位線20和像素電路la〜像素電路lc各自具備之 第三切換元件8a〜第三切換元件8c之汲極連接。採用這種 連接形態係由於陽極電位供給電路1 1在本實施例具有供給 無電位變化之固定電位之構造。又，關於掃描線驅動電路 12 ’因具有經由同一信號線22供給像素電路la〜lc資料電 壓之構造，爲了供給各像素電路1 a〜1 c相異之資料電壓， -16- 1300916 需要將第一切換元件6a〜6c在各自相異之時序設爲導通狀 態。 其次’說明本實施例之顯示裝置之動作。以下，首先以 像素電路1 a爲例說明著眼於各個像素電路1和驅動電路2 中之各電路之關係之單一像素電路之動作後，說明基於和驅 動電路2之連接形態之相異之像素電路1 a〜像素電路丨c之 動作之相互關係。 首先，以像素電路1 a爲例說明像素電路1之動作。第2 圖係表示自驅動電路2中之各電路供給像素電路la之電氣 信號之時間變化和基於這種電氣信號之供給之薄膜電晶體 4a之源極（和有機EL元件3a之陽極連接之電極）之電位之時 間變化之時序圖。以下，邊參照第2圖邊說明像素電路1 a 之動作。 像素電路1之動作具體上由以下之步驟構成，電荷儲存 步驟，供給有機EL元件3 a逆向電壓而令儲存電荷；臨限値 電壓偵測步驟，偵測、寫入薄膜電晶體4a之閘極、源極間 之驅動臨限値電壓；資料電壓寫入步驟，向薄膜電晶體4a 之閘極、源極間寫入和顯示亮度對應之資料電壓；以及發光 步驟，供給有機EL元件3a按照所寫入之資料電壓之電流後 令按照既定之亮度發光。具體而言，如第2圖所示，在時間 長度h進行電荷儲存步驟，在時間長度t2進行臨限値電壓 偵測步驟，在時間長度t3進行資料電壓寫入步驟；在時間長 度t4進行發光步驟。以下簡單說明各步驟。 電荷儲存步驟係藉著供給有機EL元件3 a逆向電壓，有 -17- 1300916 機EL元件3a在功能上作爲電容器’儲存既定量之電荷之步 驟。具體而言，依據陰極電位線1 7 a之電位變爲比陽極電位 線2 0之電位高之値，供給有機E L元件3 a逆向電壓’電荷 儲存步驟開始。又’在本步驟，依據第二控制線1 9a之電位 變爲高電位，第三切換元件8 a變成導通狀態’依據第一控 制線1 8a之電位保持低電位，第二切換元件7a保持不導通 狀態。又，因掃描線2 1 a之電位保持低電位’第一切換元件 6a也保持不導通狀態。 # 藉著保持這種狀態，在有機EL元件3 a之陰極側儲存正 電荷，而在陽極側儲存負電荷，薄膜電晶體4a之源極電位 如第2圖所示逐漸降低。 在電荷儲存步驟結束時，薄膜電晶體4a之閘極、源極 間之電壓變成比臨限値電壓高，薄膜電晶體4a變成導通狀 態。然後，依據第一控制線1 8 a之電位變爲高電位，結束在 時間長度η進行之電荷儲存步驟。 然後，進行臨限値電壓偵測步驟。臨限値電壓偵測步驟 • 係偵測、供給在薄膜電晶體4a之閘極、源極間之驅動臨限 値電壓之步驟。具體而言，依據陰極電位線1 7a之電位降至 〇電位，臨限値電壓偵測步驟開始。又，在本步驟，第一控 制線1 8a及第二控制線1 9a之電位保持高電位，第二切換元 件7a及第三切換元件8a保持導通狀態。又，因掃描線21a 之電位保持低電位，第一切換元件6a保持在不導通狀態。 因此，薄膜電晶體4a之閘極在和信號線22電氣絕緣之 一方，經由第二切換元件7a、第三切換元件8a和薄膜電晶 -18- 1300916 體4a之汲極連接。如此，薄膜電晶體4a變成導通狀態’薄 膜電晶體4a之汲極、源極間利用形成之通道變成導通。結 果，薄膜電晶體4a之閘極和源極之間變成導通，逐漸供給 源極（=有機EL元件3a之陽極）在閘極所儲存之電荷，因和 在電荷儲存步驟所儲存之負電荷相抵消，源極之電位逐漸上 升。因此，薄膜電晶體4a之閘極、源極間之電壓逐漸降低， 具體而言閘極、源極間之電壓只變化V2(<0)。 這種臨限値電壓偵測步驟依據第一控制線1 8a及第二控 ί 制線1 9a之電位變成低電位而結束。即，依據第一控制線1 8a 及第二控制線19a之電位變成低電位，第二切換元件7a及 第三切換元件8 a變成不導通狀態，薄膜電晶體4 a之閘極和 陽極電位線2 0之間在電氣上絕緣，停止供給正電荷。因此， 閘極、源極間之電壓之變化停止，在薄膜電晶體4a之閘極、 源極間保持在該時刻之閘極、源極間之電壓，作爲驅動臨限 値電壓。 然後，進行資料電壓寫入步驟及發光步驟。即，在第一 t 控制線1 8 a及第二控制線1 9a之電位保持低電位之狀態，掃 描線2 1 a之電位變爲高電位。因此，薄膜電晶體4 a之閘極 經由第一切換元件6a和信號線22連接，而依據第二切換元 件7a等係不導通狀態，變成和信號線22以外絕緣之狀態。 因而，重新供給薄膜電晶體4a之閘極自資料電壓供給電路 15所輸出之資料電壓。因此，就在薄膜電晶體4a之閘極、 源極間寫入和在臨限値電壓偵測步驟所供給之臨限値電壓 與重新作用之資料電壓之和對應之電壓。而，在發光步驟， -19- 1300916 寫入了該電壓之薄膜電晶體4a所控制之電流流向有機EL元 件3a，有機EL元件3a按照既定之亮度發光。 如上述所示，在像素電路1 a，依據陰極電位線1 7a之電 位變化控制電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之開始時 序，依據第一控制線18a及第二控制線19a之電位變化控制 電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之終了時序。依據這種 控制，在時間長度h進行電荷儲存步驟，在時間長度t2進 行臨限値電壓偵測步驟。而，在電荷儲存步驟，薄膜電晶體 ® 4a之源極電位V!只變化既定値，在臨限値電壓偵測步驟， 薄膜電晶體4a之源極電位V2也只變化既定値。 其次，說明關於電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之 像素電路la〜像素電路lc之各自之關係。第3圖係表示在 關於像素電路la〜像素電路lc之電荷儲存步驟及臨限値電 壓偵測步驟之電位變動之時序圖。具體而言，表示陰極電位 線17a、17b、第一控制線18a、18b、第二控制線19a、19b 以及像素電路la〜像素電路lc各自具備之薄膜電晶體4a〜 ^ 薄膜電晶體4c之源極之電位變化。 像素電路la和像素電路lb也如第1圖所示，具有利用 共用之陰極電位線17a供給來自陰極電位供給電路10之電 氣信號之構造。一方面，自第一控制電路1 3及第二控制電 路1 4供給來自各自相異之第一控制線1 8 a、1 8b及第二控制 線19a、19b之相異之電氣信號。 與此相對，像素電路1 a和像素電路1 c也如第1圖所示’ 具有利用共用之第一控制線1 8a及第二控制線1 9a供給來自 -20- 1300916 第一控制電路13及第二控制電路14之電氣信號之構造。一 方面，自陰極電位供給電路1 〇供給依據各自相異之陰極電 位線17a、17b而異之電氣信號。 又，如已參照第2圖之說明所示，依據經由陰極電位線 17供給之電氣信號控制電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步 驟之開始時序，依據經由第一控制線1 8及第二控制線1 9供 給之電氣信號控制電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之 終了時序。 b 具體而言，也如第3圖所示，像素電路1 b和像素電路 1 a相比，電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之開始時序一 致，而電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之終了時序只提 早At。因而，在像素電路lb，關於電荷儲存步驟所需之時 間長度tlb及臨限値電壓偵測步驟所需之時間長度t2b，和在 像素電路la之時間長度tla、t2a相比，各自只少△ t。 在像素電路1 c也一樣。即，像素電路1 c和像素電路1 a 相比，電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之終了時序一 I 致，而電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之開始時序只落 後At。因而，在像素電路lc，關於電荷儲存步驟所需之時 間長度t ! e及臨限値電壓偵測步驟所需之時間長度t2。，和在 像素電路la之時間長度tla、t2a相比，各自只少△ t。 在此，說明電荷儲存步驟所需之時間長度11及臨限値電 壓偵測步驟所需之時間長度h和在各步驟之源極電位V i之 變化量、V2之變化量之關係。即，如上述所示’電荷儲存步 驟供給有機EL元件3逆向電壓，令有機EL元件3用以作 -21- 1300916 爲儲存電荷之電容器。因而，自在第2圖之時間長度h之源 極電位之變化也得知，在電荷儲存步驟終了時薄膜電晶體4 之源極電位和時間長度h之値相依。即，在電荷儲存步驟所 需之時間長度h相異之情況，源極電位Vi之變化量也相異。 這在臨限値電壓偵測步驟之情況也一樣。即，臨限値電 壓偵測步驟在薄膜電晶體4之閘極、源極間之電壓比驅動臨 限値高之狀態開始，其目的在於令閘極、源極間之電壓逐漸 降低而令接近驅動臨限値。因而，自在第2圖之時間長度t2 .之源極電位之變化也得知，在臨限値電壓偵測步驟，薄膜電 晶體4的閘極、源極間的電壓隨時間的經過減少。在臨限値 電壓偵測步驟終了時之薄膜電晶體4的閘極、源極間的電壓 値和時間長度t2之値相依。因此，在臨限値電壓偵測步驟所 需之時間長度t2相異之情況，源極電位V2之變化量也相異。 又，在各像素電路1，在電荷儲存步驟開始時閘極、源 極間之電壓之絕對値及自電荷儲存步驟終了至臨限値電壓 偵測步驟開始爲止之期間之閘極、源極間之電壓之變化量可 > 看成大致固定。因而，在時間長度h、t2相異之情況，在臨 限値電壓偵測步驟終了之時刻之薄膜電晶體4之閘極、源極 間之電壓變成相異之値，具體而言’在像素電路1a〜像素電 路1c中之薄膜電晶體4a〜薄膜電晶體4c之間產生按照Vi 之變化量和V2之變化量相異之電壓。 因而，在本實施例，在各像素電路1，使得藉著對在臨 限値電壓偵測步驟完了時供給之閘極、源極間之電壓加上資 料電壓顯示影像。因此’例如對於像素電路1 a〜像素電路 -22- 1300916 1 c供給同値之資料電壓而想顯示同一顏色之情況，也在無法 忽略在臨限値電壓偵測步驟完了時之電壓差之情況，變成各 自顯示相異之顏色，令使用者覺得異樣。 與此相對，如本實施例所示，在採用在相鄰之像素電路 1間共用陰極電位線1 7、第一控制線1 8以及第二控制線1 9 之構造之情況，難在各像素電路1使得電荷儲存步驟之時間 長度h和源極電位Vi之變化量及臨限値電壓偵測步驟之時 間長度t2和源極電位V2之變化量相同。因此，在本實施例， > 使得在Vi、V2之變化量變成相異之値之前提下，將取相異 之値所引起之顯示顏色之變化降至使用者無法識別之程度。 首先，在本實施例，未採用在相鄰之列所配置之像素電 路1之一方之配對（例如，像素電路1 a和像素電路共用陰極 電位線1 7、第一控制線1 8以及第二控制線1 9之全部，而在 另一方之配對（例如，像素電路la和像素電路lc)個別的採 用陰極電位線1 7等之全部之構造。即，也如圖所示，在一 方之配對共用部分之配線構造，在另一方之配對共用剩下部 > 分之構造。 依據這種構造，可減少配線構造之線數，而且可使用在 行方之顯示色之變化一樣。也如第3圖所示，在本實施例， 在像素電路1 a和像素電路1 b及像素電路1 a和像素電路1 c 之間，電荷儲存步驟之時間長度之差在相鄰之像素電路間都 變成定値△ t。這在臨限値電壓偵測步驟也一樣，在相鄰之 像素電路間，即像素電路1 b和像素電路1 a之間及像素電路 1 a和像素電路1 c之間之臨限値電壓偵測步驟之時間長度之 -23- 1300916 差如第3圖所示變成定値Δί。 因而，在本實施例，在屬於相鄰列之像素電路間之各步 驟之時間長度之差變成定値，係儘管供給相同之資料電壓而 顯示色因時間長度差而變動之情況，也在各像素電路間一樣 的發生顯示色之變動。即，在本實施例之顯示裝置’因在部 分像素電路間未顯著的產生顯示色’可減少使用者覺得異樣 之可能性。 又，在本實施例，使得像素電路1 a和像素電路1 b共用 陰極電位線1 7a，像素電路1 a和像素電路1 c共用第一控制 線1 8 a及第二控制線1 9a。依據這種共用形態，在本實施例， 使得可抑制在像素電路1 a和像素電路1 b之間及像素電路1a 和像素電路1 c之間發生之顯示色之變動範圍。 即，在電荷儲存步驟，因薄膜電晶體4之源極電位相對 於時間經過單調的增加，隨著電荷儲存步驟所需之時間長度 h增加，源極電位之値增加。而，在臨限値電壓偵測步驟， 因源極電位相對於時間經過單調的減少，隨著臨限値電壓偵 測步驟所需之時間長度t2增加，薄膜電晶體4之源極電位之 値減少。 鑑於這種關係，在本實施例，藉著在一方之相鄰像素電 路間（例如像素電路la和像素電路lb)共用陰極電位線，將 電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之開始時序設爲相 同，藉著在另一方之相鄰像素電路間（例如像素電路1 a和像 素電路1 c)共用第一控制線及第二控制線，將電荷儲存步驟 及臨限値電壓偵測步驟之終了時刻設爲相同， -24- 1300916* 在採用這種構造之情況，在和作爲基準之像素電路相鄰 之像素電路之各步驟之時間長度比電荷儲存步驟之時間長 度成爲基準之像素電路增加時，在臨限値電壓偵測步驟也增 力口。即，以第3圖之例子而言，例如在將像素電路1 b作爲 基準之情況，在相鄰之列所配置之像素電路1 a之電荷儲存 步驟之時間長度比像素電路lb之情況增加，而且在臨限値 電壓偵測步驟之時間長度也增加。如上述所示，像素電路1 在電荷儲存步驟具有源極電位隨著時間長度增加而增加之 I 傾向，在臨限値電壓偵測步驟具有源極電位隨著時間長度增 加而減少之特性。因而，在某像素電路1，和相鄰之像素電 路1相比，在電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟雙方之時 間長度增加之構造，臨限値電壓偵測步驟之長時間化所引起 之源極電位之增加量和電荷儲存步驟之長時間化所引起之 源極電位之增加量相抵消，整體上可減少源極電位之變動範 圍。因而，最終之薄膜電晶體4之閘極、源極間之電壓値因 和經由全部步驟之源極電位之變化量對應，藉著在相異之像 > 素電路間之源極電位之變化量之差減少，在各像素電路中之 薄膜電晶體之閘極、源極間之電壓差也減少’具有可令在相 異之像素電路之顯示色之差異減少之優點。 此外，在本實施例，構成驅動電路2及陰極電位線1 7 等之配線構造，使得在相鄰之像素電路間之電荷儲存步驟之 時間長度之差和在該像素電路間之臨限値電壓偵測步驟之 時間長度之差變成相同。藉著採用這種構造，係在電荷儲存 步驟等發生時間長度之差之情況，也可抑制顯示色之變動。 -25- 1300916 即，也如第2圖之時序圖所示，在電荷儲存步驟及臨限 値電壓偵測步驟之薄膜電晶體4a之源極電位在步驟終了附 近之時刻，在任一步驟電位變化率都變低，而且在兩步驟之 變化率之絕對値大致相等。因此，在相鄰像素電路間之電荷 儲存步驟之時間長度之差和在臨限値電壓偵測步驟之時間 長度之差相等之情況，在各步驟之源極電位之變動値之絕對 値也大致相等，可令經由在相鄰之列所配置之像素電路間之 電荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟之閘極、源極間之電壓 > 差減少，結果，可抑制顯示色之變動。 此外，在本實施例，決定在相鄰像素電路間之Vi、V2 之變化量之差之容許範圍，藉著採用將依據V!、V2之變化 量而定之薄膜電晶體4之閘極、源極間之電壓之差抑制在容 許範圍內之構造，將顯示色之變化抑制至使用者無法識別之 程度爲止。以下，詳細說明因在相鄰像素電路間之V!、V2 之具體之値之差異而產生之薄膜電晶體4之閘極、源極間之 電壓差之容許範圍。此外，以下以在相鄰像素電路間顯示同 > 一顏色之情況爲例說明，假設只因在臨限値電壓偵測步驟完 了時閘極、源極間之電壓之差異而發生顯示色之變動。又， 在以下之討論，顯示裝置顯示單色，顯示色之差異意指在各 像素電路1之有機EL元件3之發光亮度之差異。此外’在 有機EL元件3之發光亮度之差異之指標上使用流向有機EL 元件3之電流値。 將相鄰之一方之像素電路1(例如像素電路lb)設爲基 準，設流向成爲基準之像素電路中之有機EL元件3(例如有 -26- 1300916 機EL元件3b)之電流I和流向成爲比較對象之像素電路（例 如像素電路la)中之有機EL元件3(例如有機EL元件3a)之 電流I之差分値爲ΔΙ。使用這些符號可將容許範圍表達成 下式。 [數學式1] • · ·⑴ 0 在此，k係和使用者之顯示色變化之識別界限對應之値，例 如（k = 0.01)。 在此，在發光步驟時流向有機EL元件3之電流I和薄 膜電晶體4之驅動臨限値電壓Vth相依的變化，具體而言， 使用位於相鄰列之像素電路中之薄膜電晶體4所偵測之驅動 臨限値電壓之差分値△ Vth，如下式之關係成立。 [數學式2] φ · · · (2) 此外’使用在一般之薄膜電晶體在電流値I、驅動臨限値電 壓Vth以及聞極、源極間之電壓之間成立之 -27- 1300916 [數學式3] /=4°^v,*)2 …（3) [數學式4] • · · (4) 之2式’導出式（2)。在式（4)，μ係在薄膜電晶體形成之通 • 道區域之電子之移動率，Cm係薄膜電晶體之每單位面積之 靜電電容量，W係在薄膜電晶體形成之通道之寬度，l係通 道長度。藉著使用式（2)，可自式（1)得到式（5)。 [數學式5] 了卜 -· · (5) 因此，在導出可容許之顯示色之變動範圍時，只要令依據電 $ 荷儲存步驟及臨限値電壓偵測步驟所導出之驅動臨限値電 壓Vth之値之變化量滿足式（5)即可。 因而，在電荷儲存步驟薄膜電晶體4之汲極電位保持0 電位，閘極、源極間之電壓保持在利用電容器5之作用在前 圖框（Frame)顯示時所供給之資料電壓Vdata’和驅動臨限値 電壓Vth之和。因而，在電荷儲存步驟，薄膜電晶體4變成 在所謂的線性區域動作，關於在電荷儲存步驟胃流向薄膜電 晶體4之閘極、源極間之電流Ieharge，式（6)之一般式成 -28- 1300916 [數學式6] arg , * i3 {Vgd (/) ^VJ· Vsd (〇 = β {Vg (0 - Ka ) · (0 = β %^Vi ^)) * Vl (0 • · · (6) 立。因而，該電流Ieharge因利用在功能上作爲電容値c〇LED 之靜電電容量之有機EL元件3供給，式（7) [數學式7] / =型 〜一一βΓ • · · (7)

成立，依照式（6)及式（7)，在只進行電荷儲存步驟時間長度 ti之情況之薄膜電晶體4之源極電位Vi (h)以式（8)表示。 [數學式8] exp (8) 其次，說明在臨限値電壓偵測步驟終了時薄膜電晶體4 之源極電位V 2。在臨限値電壓偵測步驟，因薄膜電晶體4 之閘極電位及汲極電位保持0電位，變成薄膜電晶體4在飽 和區域動作，在臨限値電壓偵測步驟時流向薄膜電晶體4之 閘極、源極間之電流Ivth使用電容器5之靜電電容値Cs滿 足式（9)， [數學式9] •…（9) 藉著解式（9)所示之微分方式式，以式（10)表示源極電位V2。 -29- 1300916 [數學式10] V2(’) = -+-jj- β v2(〇)+v^-2(cj+c^)/ •••(10) 而，在本實施例之顯示裝置，因利用臨限値電壓偵測步驟實 際所偵測之驅動臨限値電壓之値係v2(t2)，依照式（10)使用 臨限値電壓偵測步驟所需之時間長度t2及源極電位v2之起 始値v2(0)，以式（1 1)

[數學式11] AV,-^i + dv2(t2) dV^(〇) 表示在式（5)等在相鄰列所配置之像素電路間之驅動臨限値 電壓vth之差分値△ Vth之値。在此，起始値V2(0)因使用在 臨限値電壓偵測步驟開始時的陰極電位線1 7之電位變動所 引起之源極電位之變化量（常數）△ VP0W以式（12)

[數學式12] '(0)，】) + △、 •••(12) 表示，藉著將式（12)代入式（11)後進行既定之式變形，得到 式（13)。 [數學式13] ^2)dVM 1 然後，將式（8)及式（10)代入式（13),導出式（14) -30- 1300916 [數學式14] •Δί2

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之關係。在本實施例之這種顯示裝置，藉著如式（14)所示之 △ Vth之値對於任意之Vdata’之値滿足式（5)般決定電容器5 之電容値或薄膜電晶體4之具體之構造等，係在相鄰列之像 素電路之間共用陰極電位線1 7、第一控制線1 8以及第二控 制線1 9之情況，也例如在畫面整體顯示同一色之情況，可 將在相鄰列所配置之像素電路1間之顯示色之變動抑制至無 法視認之程度爲止。 (變化例1) 此外，在相異之列所配置之多個像素電路共用陰極電位 線等配線構造之顯示裝置，在像素電路之具體之構造上當然 未限定爲第1圖所示的。例如，使用第4圖所示之像素電路 23構成顯示裝置之情況，也可在按照和第1圖相同之形態共 用配線構造下，將顯示色之變動抑制至無法視認之程度爲 止〇 -3 1 - 1300916 即，第4圖所示之像素電路23和像素電路1相異，在 構造上具備第二切換元件25,配置於薄膜電晶體4之閘極、 汲極間；第三切換元件2 6，配置於薄膜電晶體4和第一切換 元件6之間；以及電容器24，配置於第一切換元件6之一方 之源/汲極（和資料電壓供給電路15在電氣上未連接側之源/ 汲極）和有機EL元件3之陽極之間。關於這種像素電路23， 也在具體之條件上藉著將在第1圖之電路之電容器5置換爲 電容器24後設計成滿足式（10)，可在共用配線構造下將顯 示色之變動抑制至無法視認之程度。 (變化例2 ) 又，在第5圖所示之像素電路28，也可在共用配線構 造下將顯示色之變動抑制至無法視認之程度。具體上，在第 5圖所示之像素電路28，具備第二切換元件29，有機EL元 件3之陽極側係未經由薄膜電晶體4而與陽極電位供給電路 1 1在電氣上連接，而且配置於有機EL元件3之陰極側和薄 膜電晶體4之汲極之間；第三切換元件30,配置於薄膜電晶 體4之閘極、汲極間；以及電容器3 1，配置於薄膜電晶體4 之閘極和第一切換元件6之一方之源/汲極（和資料電壓供給 電路15連接之源/汲極之反側之源/汲極）之間。在這種像素 電路28，在式（10) (Cs+ C〇 LED)之部分置換爲電容器31之靜 電電容値G和Cs之和。因而，關於在驅動臨限値電壓偵測 步驟時流向薄膜電晶體4之電流値Ivth，使用自陽極電位線 供給之電位VDD及既定之比例係數α，以式（15)近似時， -32- •••(15) 1300916 [數學式15] 式（16) [數學式16] - W)2 令-V,)2 + (ς +c獅)警 •(16) 成立。使用式（16)所示之微分方程式之解，可實現和實施例 1 一樣的將顯示色之變動抑制至無法視認之程度爲止之顯示 裝置。 (變化例3) 此外，對於第6圖所示之像素電路3 3也一樣。即，像 素電路33在構造上新具備第二切換元件34，控制第一切換 元件之一方之源/汲極（和資料電壓供給電路1 5連接之源/汲 極之反側之源/汲極）和陰極電位供給電路1 0之間之電氣上 之連接；第三切換元件35,配置於薄膜電晶體4之閘極、汲 極間；以及電容器3 6，配置於薄膜電晶體4和第一切換元件 6之間。在具備這種像素電路3 3之顯示裝置，藉著對於汲極 電位進行和實施例1及變形例1 一樣之計算，可實現將顯示 色之變動抑制至無法視認之程度爲止之顯示裝置。 以上，使用實施例及變形例說明了本發明，但是本發明 不應解釋成限定爲上述之例子，若係本業者，可想到各種實 施例、變形例等。例如，在實施例等，在申請專利範圍之電 晶體元件之例子上使用η通道之薄膜電晶體4，但是在電晶 體之構造上不必解釋成限定爲η通道，可使用ρ型之薄膜電 -33- 1300916 晶體等。 又，關於發光元件，除了有機EL元件以外，也可使用 無機EL元件等。此外，發光元件未必也同時具有在申請專 利範圍之作爲靜電電容之功能，個別獨立的形成未具有電容 器之功能之發光元件和在電荷儲存步驟儲存電荷之靜電電 容也可。 發明之效果 依據本發明之顯示裝置及顯示裝置之驅動方法，藉著在 • 配置於第一列之像素電路和配置於第二列之像素電路之間 使電荷儲存之開始時序及和臨限値電壓對應之電壓之偵 測、供給之開始時序變成同時，在配置於第一列之像素電路 和配置於第三列之像素電路之間使電荷儲存之終了時序及 和臨限値電壓對應之電壓之偵測、供給之終了時序變成同 時，可減少傳送規定像素電路之各步驟之開始、終了時序之 電氣信號之配線構造。又，在這種形態，藉著規定時序，在 相鄰像素電路間，在一方之像素電路之電荷儲存所需之時間 ^ 長度之增減和電壓之偵測、供給所需之時間長度之增減變成 相等。因此，例如，由電荷儲存所需之時間長度之增加或減 少所引起之電晶體元件之源極電位之變化量和電壓之偵 測、供給所需之時間長度之增加或減少所引起之電晶體元件 之源極電位之變化量相抵消，整體上可抑制閘極、源極間之 電壓之變動範圍。因此，若依據申請專利範圍第1項之發明， 儘管減少了供給像素電路電氣信號之配線構造之線數，可是 抑制在配置於相異之列之像素電路間之閘極、源極間之電壓 -34_ 1300916‘ 之變動範圍，具有可抑制顯示品質降低之效果。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示實施例之顯示裝置之整體構造之示意圖。 第2圖係表示單一像素電路中之薄膜電晶體之源極電位 及供給像素電路之電氣信號之時間變動之時序圖。 第3圖係表示在多個像素電路之源極電位之時間變動及 所供給之電氣信號之供給時序之關係之時序圖。 第4圖係表示在實施例之變化例之像素電路之構造之電 b路圖。 第5圖係表示在實施例之別的變化例之像素電路之構造 之電路圖。 第6圖係表示在實施例之別的變化例之像素電路之構造 之電路圖。 弟7圖係表75以往之顯不裝置之構造之示意圖。 【元件符號說明】 1 a〜 1 c 像素電路 3 驅動電路 3 a〜 3 c 有機E L元件 4 a〜 4c 薄膜電晶體 5 a〜 5c 電容器 6 a〜 6 c 第一切換元件 7 a〜 7c 第二切換元件 8 a〜 8c 第三切換元件 10 陰極電位供給電路 -35- 1300916·

16 陽極電位供給電路 17 掃描線驅動電路 18 第一控制電路 19 第二控制電路 20 資料電壓供給電路 17a > 17b 陰極電位線 18a、 18b 第一控制線 19a、 19b 第二控制線 2 1 陽極電位線 21a〜21c 掃描線 22 信號線 23 像素電路 24 電容器 25 第二切換元件 26 第三切換元件 28 像素電路 29 第二切換元件 30 第三切換元件 3 1 電容器 33 像素電路 34 第二切換元件 35 第三切換元件 36 電容器 100 像素電路 -36- 元件 驅動元件 第一切換元件 第二切換元件 第三切換元件 電容器 低電位供給線 高電位供給線 掃描線 控制線 控制線 驅動電路 信號線 -37-

Claims (1)

1300916 十、申請專利範圍： 1. 一種顯示裝置，具備：像素電路，將多個像素電路配置成 行列狀，且各自具有按照注入電流大小而發光之發光元件 及控制流向該發光元件之電流値之電晶體元件，在該發光 元件發光之前，藉著對既定之靜電電容量儲存電荷而進行 變化該電晶體元件之閘極、源極間之電壓値變至比驅動臨 限値電壓高之値之電荷儲存動作，及藉著調整在閘極、源 極間之電壓對應於該電晶體元件之閘極、源極間之驅動臨 > 限値電壓的電壓之偵測、供給動作；及驅動電路，至少控 制在該像素電路之電荷儲存及對應於驅動臨限値電壓之 電壓的偵測、供給之時序，其特徵爲，該驅動電路對配置 於對該行列之第一列在一方之行方向相鄰之第二列之像 素電路，控制成和在該第一列所配置之像素電路同時開始 該電荷儲存及該電壓之偵測、供給，對配置於對該第一列 在另一方之行方向相鄰之第三列之像素電路，控制成和在 該第一列所配置之像素電路同時結束該電荷儲存及該電 > 壓之偵測、供給。 2·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該驅動電路在 控制上使在配置於該第一列之像素電路和配置於該第二 列之像素電路之間之該電荷儲存及該電壓之偵測、供給之 終了時序之時間差，與在配置於該第一列之像素電路和配 置於該第三列之像素電路之間之該電荷儲存及該電壓之 偵測、供給之開始時序之時間差，成爲同一*値。 3.如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中，該發光元 -38- 1300916 件具有藉著被供給順向電壓而電流流動後發光，藉著被供 給逆向電壓而儲存按照供給電壓之電荷之特性，在該電荷 儲存及該電壓之偵測、供給時作爲該靜電電容量之功能。 4· 一種顯示裝置之驅動方法，該顯示裝置具備多個像素電 路，配置成行列狀，具有按照注入電流大小而發光之發光 元件及控制流向該發光元件之電流値之電晶體元件，在該 發光元件發光之前，對既定之靜電電容量儲存電荷，使用 所儲存之電荷對該電晶體元件之閘極、源極間進行和驅動 臨限値電壓對應之電壓之偵測、供給，其特徵爲： 對配置於該行列之第一列在一方之行方向相鄰之第二 列之像素電路，和在該第一列所配置之像素電路同時開始 該電荷儲存及該電壓之偵測、供給； 對配置於對該第一列在另一方之行方向相鄰之第三列 之像素電路，和在該第一列所配置之像素電路同時結束該 電荷儲存及該電壓之偵測、供給。

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