CN113823227B - 显示面板及其显示驱动方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请技术方案公开了一种显示面板及其显示驱动方法及电子设备，设置所述显示面板包括：子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器，以使得所述处理器基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。本申请技术方案在显示面板中设置检测电路，能够获取用于显示色偏补偿的检测参数，从而能够解决静电对图像显示质量的影响。

Description

显示面板及其显示驱动方法及电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板及其显示驱动方法及电子设备。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板。电子设备使用过程中容易积累静电，影响显示面板的图像显示质量。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种显示面板及其显示驱动方法及电子设备，方案如下：

一种显示面板，所述显示面板包括：

子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；

检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器，以使得所述处理器基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

优选的，在上述显示面板中，所述检测电路包括：

电容，所述电容的第一极板输入的第一参考电压，第二极板连接输出端；

复位模块，所述复位模块用于响应复位控制信号的控制，基于复位电压对所述输出端的电压进行复位；

检测模块，与所述输出端连接，所述检测模块用于响应检测扫描信号的控制，基于第二参考电压，控制所述输出端输出所述检测参数。

优选的，在上述显示面板中，所述复位模块包括第一检测薄膜晶体管，所述第一检测薄膜晶体管的栅极输入所述复位控制信号，第一极输入所述复位电压，第二极连接所述输出端。

优选的，在上述显示面板中，所述检测模块包括：第二检测薄膜晶体管以及第三检测薄膜晶体管；所述第二检测薄膜晶体管的第一极连接所述第三检测薄膜晶体管的第二极；

所述第二薄膜检测薄膜晶体管的栅极和第二极连接所述输出端；

所述第三检测薄膜晶体管的栅极输入所述检测扫描信号，第一极输入所述第二参考电压。

优选的，在上述显示面板中，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管均为PMOS、或均为NMOS；

所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管的尺寸相同。

优选的，在上述显示面板中，所述第一参考电压、所述复位控制信号、所述复位电压、所述检测扫描信号以及所述第二参考电压中的至少一者为调整前的所述显示驱动电压。

本申请技术方案还提供了一种电子设备，包括：

显示面板以及处理器；

所述显示面板包括：子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器；

所述处理器用于基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

优选的，在上述电子设备中，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；

所述处理器用于根据所述检测参数以及预存储的标准参数确定所述像素薄膜晶体管由于静电导致的阈值电压漂移量，基于所述阈值电压漂移量，对所述显示驱动电压进行调节。

本申请技术方案还提供了一种显示面板的显示驱动方法，所述显示面板具有检测电路、子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；

所述显示驱动方法包括：

通过所述检测电路获取检测参数；

基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

优选的，在上述显示驱动方法中，调整所述显示驱动电压的方法包括：

根据所述检测参数以及预存储的标准参数确定所述像素电路中像素薄膜晶体管由于静电导致的阈值电压漂移量，基于所述阈值电压漂移量，对所述显示驱动电压进行调节。

通过上述描述可知，本申请技术方案提供的显示面板及其显示驱动方法及电子设备中，设置所述显示面板包括：子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器，以使得所述处理器基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。本申请技术方案在显示面板中设置检测电路，能够获取用于显示色偏补偿的检测参数，从而能够解决静电对图像显示质量的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为一种显示面板的结构示意图；

图2为薄膜晶体管由于静电偏置电场导致的电学特性曲线漂移的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供一种检测电路的结构示意图；

图5为一种像素电路的结构示意图；

图6为本申请实施例提供一种时序图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，图1为一种显示面板的结构示意图，显示面板主要包括：支撑保护组件15和触控显示层13；以及位于支撑保护组件15和触控显示层13之间的阵列基板14。触控显示层13的出光侧通过胶层12固定有盖板11。阵列基板14包括：绝缘基底以及设置在绝缘基底朝向触控显示层13一侧的像素电路。其中，触控显示层13包括触控电极以及与像素电路连接的子像素，像素电路用于控制子像素进行图像显示。阵列基板14还包括至少一层绝缘层。绝缘层可以为聚亚酰胺(PI)层，或是其他绝缘材料，如光学胶等。

用户10触摸盖板11时，摩擦产生的静电16和/或用户自身携带的静电16会传导至阵列基板14中的绝缘层，图1中箭头用于示意静电16传输路径。由于静电在绝缘层中难以消散，会形成长期额外的偏置电场，影响像素电路的电学特性，从而影响图像显示质量。

具体的，像素电路中主要包括TFT(薄膜晶体管)，静电导致的偏置电场会导致薄膜晶体管的电学特性发生漂移，导致驱动像素电路的显示驱动电压与薄膜晶体管的电学特性不适配，进而影响图像显示质量。

如图2所示，图2为薄膜晶体管由于静电偏置电场导致的电学特性曲线漂移的示意图，图2中，横轴为电压V，纵轴为电流I，以薄膜晶体管为PMOS，子像素为OLED为例，曲线表示薄膜晶体管不同栅极电压与电流的关系曲线。实线曲线表示无静电偏置电场时薄膜晶体管的V-I曲线，关断电压为V0，对应最小漏电流为I0。虚线曲线表示存在静电偏置电场时薄膜晶体管的V-I曲线，关断电压为V1。

当由于静电偏置电场导致电学特性曲线发生漂移后，如果不对薄膜晶体管的栅极控制电压进行调整，显示面板保持原有V0的关断控制电压，实际的漏电流从I0增大到I1，漏电流的增大会导致OLED在不应该发光的时段被激发发光，在低灰阶显示时会出现漏光。特别是绿色OLED更容易出现漏光问题，由于绿色OLED的有机发光材料发光效率高，相同漏电流下亮度最大，进而导致显示画面偏绿。

虽然通过在显示面板的预设位置涂银浆或是防静电液对静电进行疏导，能够在一定程度上解决静电问题，但是改善效果有限，长时间使用时，在绝缘层仍会具有较多的静电积累。

另外，通过提升薄膜晶体管的特性，减少其缺陷态密度，提高阈值电压 Vth稳定性能够改善漏电流问题，但是工艺难度大，影响因素多，需要通过大量的配方调试，成功率低，研发投入大，改善效果取决于不同厂商的研发实力。受限于当前半导体技术瓶颈，该方式提升难度大，提升效果有限。

为了解决该问题，本申请实施例中，在显示面板中设置检测电路，能够获取用于显示色偏补偿的检测参数，从而能够解决静电对图像显示质量的影响。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

如图3所示，图3为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，所示显示面板包括：

子像素21以及控制所述子像素21进行发光显示的像素电路22；

检测电路23，所述检测电路23用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器24，以使得所述处理器24基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路22的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

本申请实施例中，检测电路23获取的检测参数能够用于调整输出给所述像素电路22的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

如图4所示，图4为本申请实施例提供一种检测电路的结构示意图，所述检测电路包括：

电容C，所述电容C的第一极板输入的第一参考电压ELVDD，第二极板连接输出端Q；

复位模块31，所述复位模块31用于响应复位控制信号Reset的控制，基于复位电压Vint’对所述输出端Q的电压进行复位；

检测模块32，与所述输出端Q连接，所述检测模块32用于响应检测扫描信号Scan的控制，基于第二参考电压Vref’，控制所述输出端Q输出所述检测参数。

在初始状态下，即无静电的状态下，基于设定的复位控制信号Reset和检测扫描信号Scan控制，输出端Q输出的初始检测参数V_Q0是固定常数，可以在初始状态下，通过对输出端Q的输出电压进行检测获得该初始检测参数 V_Q0。

当具有静电时，受静电影响，会导致检测电路23的电学特性发生漂移，从而导致输出端Q的输出电压与初始检测参数V_Q0不同，存在静电时输出端的输出电压为检测参数V_Q1，输出端Q的输出电压的变化量△V＝V_Q1-V_Q0。△V与静电偏置电场相关，能够表征像素电路22中薄膜晶体管的阈值电压漂移量，基于△V能够对所述像素电路22的显示驱动电压进行补偿调节，以消除由于静电偏置电场导致的显示色偏问题。

在图4所示方式中，所述复位模块31包括第一检测薄膜晶体管T1，所述第一检测薄膜晶体管T1的栅极输入所述复位控制信号Reset，第一极输入所述复位电压Vint’，第二极连接所述输出端Q。通过所述复位控制信号Reset 控制所述第一检测薄膜晶体管T1导通后，能够使得输出端Q的电压等于所述复位电压Vint’，实现对输出端Q的电压复位，以便于输出端电压能够准确的表征存在电场时的检测参数V_Q1。通过所述复位模块31对所述输出端Q的电压进行复位后，输出端Q复位后的电压等于所述复位电压Vint’。需要说明的是，本申请实施例中，薄膜晶体管的第一极和第二极中的一者为源极，另一种为漏极。

所述检测模块32包括：第二检测薄膜晶体管T2以及第三检测薄膜晶体管T3；所述第二检测薄膜晶体管T2的第一极连接所述第三检测薄膜晶体管 T3的第二极；所述第二薄膜检测薄膜晶体管T2的栅极和第二极连接所述输出端Q；所述第三检测薄膜晶体管T3的栅极输入所述检测扫描信号Scan，第一极输入所述第二参考电压Vref’。

对输出端Q电压进行复位时，通过所述检测扫描信号Scan控制第三检测薄膜晶体管T3关闭。输出端Q复位后的电压等于所述复位电压Vint’，能够使得所述第二检测薄膜晶体管T2处于导通状态，完成复位后，通过所述检测扫描信号Scan控制第三检测薄膜晶体管T3导通，此时第二检测薄膜晶体管 T2以及第三检测薄膜晶体管T3均导通，所述第二参考电压Vref’通过第二检测薄膜晶体管T2以及第三检测薄膜晶体管T3进入输出端Q，由于电容C的放电，使得第二检测薄膜晶体管T2逐渐关闭，第二检测薄膜晶体管T2完全关闭后，输出端Q的电压不再变化，此时如果无静电影响，输出端Q的电压为初始检测参数V_Q0。

当存在静电时，基于所述复位控制信号Reset和所述检测扫描信号Scan 控制，依次进行上述复位过程以及检测过程，能够得到当前检测参数V_Q1。基于初始检测参数V_Q0以及检测参数V_Q1，输出端Q的电压变化量∆V=V _Q1 -V _{Q0 ，} 基于△V能够获得像素电路中薄膜晶体管阈值电压漂移量，以便于基于阈值电压漂移量调整显示驱动电压。本申请实施例中，电压的变化量/漂移量包括电压的变化幅度以及漂移方向。

本申请实施例中，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管均为PMOS、或均为NMOS；所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管的尺寸相同。这样，在相同条件下，检测薄膜晶体管与像素薄膜晶体管具有相同的电学特性，能够通过检测薄膜晶体管的电学特性表征像素薄膜晶体管的电学特性，故基于检测电路测量的检测参数能够准确标准像素薄膜晶体管的阈值电压漂移量。

所述第一参考电压ELVDD、所述复位控制信号Reset、所述复位电压 Vint’、所述检测扫描信号Scan以及所述第二参考电压Vref’中的至少一者为调整前的所述显示驱动电压。这样，能够复用显示面板中已有信号作为接入检测电路23的信号，减少信号线数量。可选的，设置所述第一参考电压 ELVDD、所述复位控制信号Reset、所述复位电压Vint’、所述检测扫描信号 Scan以及所述第二参考电压Vref’均为调整前的所述显示驱动电压，一方面，无需单独增加显示面板的输入信号，另一方面，还可以更为准确的通过检测电路23模拟像素电路22的电学特性变化量。

本申请实施例中，所述显示面板为OLED(有机发光半导体)面板，子像素为OLED。

如图5所示，图5为一种像素电路的结构示意图，所示像素电路为7T1C 结构，即具有七个薄膜晶体管和一个电容，本申请实施例中仅是以7T1C的像素电路进行举例说明，显然显示面板中像素电路的具体实现方式不局限于图5 所示的7T1C的结构，还可以为其他连接方式的7T1C结构、或是3T1C、或是其他结构，本申请实施例对此不作具体限定。

在图5所示方式中，所述像素电路包括：第一像素薄膜晶体管M1至第七像素薄膜晶体管M7以及存储电容Cst。

第三像素薄膜晶体管M3为驱动管，其栅极连接第一节点N1，第一极连接第二节点N2，第二极连接第三节点N3，用于为子像素21提供驱动电流I_D。

第一像素薄膜晶体管M1的栅极输入发光信号Emit，第一极输入恒定电源电压PVDD，第二极连接第二节点N2。第一像素薄膜晶体管M1的栅极输入发光信号Emit，控制恒定电源电压PVDD与驱动管M3的第一极的导通状态。

第二像素薄膜晶体管M2的栅极输入第一扫描信号S1，第一极输入数据电压Vdata，第二极连接第二节点N2。第二像素薄膜晶体管M2用于基于输入的第一扫描信号S1控制数据电压Vdata与第二节点N2的导通状态。

第四像素薄膜晶体管M4的栅极输入第二扫描信号S2，第一电极连接第一节点N1，第二电极连接第三接节点N3。第四像素薄膜晶体管M4用于基于输入的第二扫描信号S2控制第一节点N1和第三节点N3的导通状态。

第五像素薄膜晶体管M5的栅极输入第三扫描信号S3，第一极输入第三参考电压Vref，第二极连接第一节点N1。第五像素薄膜晶体管M5用于基于第三扫描信号S3控制第三参考电压Vref与第一节点N1的导通状态，以通过第三参考电压Vref对第一节点N1的电压进行复位。

第六像素薄膜晶体管M6的栅极输入发光信号Emit，第一极连接第三节点，第二极连接第四节点N4，第四节点N4连接子像素21的正极，子像素 21的负极输入恒定电源电压PVEE。

第七像素薄膜晶体管M7的栅极输入第四扫描信号S4，第一极输入第四参考电压Vini，第二极连接第四节点N4。所述第七像素薄膜晶体管M7用于基于第四扫描信号S4控制第四参考电压Vini与第四节点N4的导通状态，以通过第四参考电压Vini对第四节点N4的电压进行复位。

存储电容Cst的一个极板连接第一节点N1，另一个极板连接第一像素薄膜晶体管M1的第一极。

其中，恒定电源电压PVDD的电位高于恒定电源电压PVEE的电位。第一扫描信号S1至第四扫描信号S4为周期相同的方波脉冲信号，且四个扫描信号的相位时序不完全相同。

像素电路根据第一扫描信号S1至第四扫描信号S4以及发光信号Emit的控制，基于恒定电源电压PVDD、恒定电源电压PVEE、第三参考电压Vref、数据电压Vdata以及第四参考电压Vini，生成驱动电流I_D，以驱动子像素21 进行发光显示。

结合上述关于图2的分析说明，常规显示面板中，由于薄膜晶体管在静电偏置电场的影响下，会出现阈值电压漂移的问题。而阈值电压漂移会导致原始输入薄膜晶体管栅极的控制电压无法准确控制薄膜晶体管的导通和关闭，造成漏电，进而导致显示色偏，影响显示质量。而本申请实施例所述显示面板中，基于检测电路获取的检测参数，能够调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

其中，所述显示驱动电压包括：第一扫描信号S1至第四扫描信号S4、发光信号Emit的控制、恒定电源电压PVDD、恒定电源电压PVEE、第三参考电压Vref、数据电压Vdata以及第四参考电压Vini中的至少一者。

在图4和图5所示方式中，以像素薄膜晶体管以及检测薄膜晶体管均为 PMOS为例，各个薄膜晶体管在栅极处于低电平时导通，栅极处于高电平时关闭，下面结合相关时序对本申请实施例中检测原理进行说明。

如图6所示，图6为本申请实施例提供一种时序图，所述检测扫描信号 Scan和所述复位控制信号Reset为方波脉冲信号，二者包括低电平V_GL和高电平V_GH。V_GL是当前系统设置的薄膜晶体管开启电压，V_GH是当前系统设置的薄膜晶体管关断电压。

所述复位电压Vint’为输出端Q的复位电压，为恒定的负值，可以复用像素电路中一满足要求的参考电压作为所述复位电压Vint’。所述第二参考电压 Vref’为第三检测薄膜晶体管T3的第一极输入的参考电压，为恒定的正值，可以复用像素电路中一满足要求的电压作为所述第二参考电压Vref’。所述第一参考电压ELVDD为恒定的负值，可以复用像素电路中一满足要求的电压作为所述第一参考电压ELVDD。所述第一参考电压ELVDD与所述复位电压 Vint’不相等。

所述检测扫描信号Scan为第三检测薄膜晶体管T3的扫描信号。当所述检测扫描信号Scan为低电平V_GL时，第三检测薄膜晶体管T3导通，当所述检测扫描信号Scan为V_GH时，第三检测薄膜晶体管T3关闭。所述复位控制信号Reset为所述第一检测薄膜晶体管T1的扫描信号。当所述复位控制信号 Reset为低电平V_GL时，第一检测薄膜晶体管T1导通，当所述复位控制信号 Reset为V_GH时，第一检测薄膜晶体管T1关闭。可以复用像素电路中调整前的扫描信号作为所述检测扫描信号Scan和所述复位控制信号Reset。

所述检测电路工作时，具有过程如下：

①先通过所述复位控制信号Reset输入低电平V_GL，控制第一检测薄膜晶体管T1导通，以通过所述复位电压Vint’对输出端Q的电压进行复位，拉低输出端Q的电压，以使得第二检测薄膜晶体管T2导通。对输出端Q的电压进行复位时，对电容C进行充电。

②完成对输出端Q的电压复位后，所述复位控制信号Reset输入高电平 V_GH，控制第一检测薄膜晶体管T1关闭后，通过所述检测扫描信号Scan输入低电平V_GL，使得第三检测薄膜晶体管T3导通，以使得所述第二参考电压 Vref’通过第三检测薄膜晶体管T3和第二检测薄膜晶体管T2进入输出端Q，由于电容C持续放电作用，输出端Q的电压逐渐升高，第二检测薄膜晶体管 T2的逐渐关闭，当输出端Q的电压V_Q满足V_Q＝Vref’+Vth时，输出端Q的电压V_Q不再变化。Vth为第二检测薄膜晶体管T2的阈值电压。

③所述检测扫描信号Scan输入高电平V_GH，使得第三检测薄膜晶体管T3 关闭，测试此时输出端电压V_Q。初始状态下，无静电偏置电场，输出端电压 V_Q0＝Vref’+Vth0。

由于静电导致存在静电偏置电场时，重复上述过程①-③，获得静电偏置电场下的输出端电压V_Q1＝Vref’+Vth1。则阈值电压漂移量∆Vth = V_Q1 - V_Q0 。

基于上述描述可知，本申请实施例无需对薄膜晶体管阈值电压进行测量，通过输出端Q的电压检测即可获得阈值电压漂移量△Vth，检测方法简单。根据阈值电压漂移量△Vth可以获得检测薄膜晶体管的特性曲线的偏移方向和变化幅度，结合上关于图2的描述，如阈值电压漂移量△Vth为正值，表明阈值电压Vth增大，如果阈值电压漂移量△Vth为负值，表明阈值电压Vth减小。阈值电压漂移量△Vth绝对值为阈值电压的变化幅度。

基于阈值电压漂移量△Vth调整系统的V_GH和V_GL，就可以使发生阈值电压漂移后，像素电路中像素薄膜晶体管重新达到最佳的开启电压和关断电压，以保证显示质量。

当像素薄膜晶体管为PMOS时，如果阈值电压Vth增大，增大V_GH和V_GL，如果阈值电压Vth减小，减小V_GH和V_GL。

显示驱动电压至少包括像素电路输入的扫描信号。像素电路输入的扫描信号均为方波脉冲信号，高电平为V_GH，低电平为V_GL。基于△Vth调节像素电路输入的扫描信号，以实现在具有静电偏置电场的情况下达到最佳的开启电压和关断电压。

例如，可以设定第二检测薄膜晶体管T2的初始阈值电压Vth0为-2V，所述复位电压Vint’为-3.5V，所述第二参考电压Vref’为7V，复位控制信号Reset 打开第一检测薄膜晶体管T1后，输出端Q被Vint’复位到-3.5V，完成输出端 Q的电压复位，第二检测薄膜晶体管T2导通；接下来检测扫描信号Scan控制第三检测薄膜晶体管T3导通，所述第二参考电压Vref’通过第三检测薄膜晶体管T3和第二检测薄膜晶体管T2传输到输出端Q，将输出端Q电压拉高，根据V_Q0＝Vref’+Vth0＝7-2＝5V时，输出端Q的电压不再变化，即为V_Q0，假设经过静电影响后，第二检测薄膜晶体管T2的阈值电压Vth1变成-1V， V_Q1＝Vref’+Vth1＝7-1＝6V，∆Vth=V_Q1-V_Q0=6-5=1V , 说明阈值电压正向漂移了1V，根据图2所示特性曲线，可以确定的最佳关断和开启电压。

像素薄膜晶体管和检测薄膜晶体管相同，二者可以同工序制备，在制作像素薄膜晶体管的同时形成检测薄膜晶体管，可以与现有显示面板制作工艺兼容，无需单独增加工艺步骤形成检测薄膜晶体管。像素薄膜晶体管和检测薄膜晶体管在显示面板中位于同层。检测电路中电容C可以与像素电路中存储电容Cst同时制备，复用制作存储电容Cst的金属层制作电容C，无需增加制作工艺步骤以及金属层。

显示面板具有显示区和边框区。像素薄膜晶体管以及子像素位于显示区，可以设置检测电路位于边框区。

如图7所示，图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，显示面板可以设置一个或是多个检测电路23，图7以显示面板边框区的四个顶角区域分别设置一个检测电路23为例进行说明，其他方式中，检测电路23 也可以设置在边框区的其他区域或显示区，不局限于处于边框区的顶角区域。可以将检测电路设置在PI层背离子像素的一侧表面，直接监控PI层的静电相关检测参数。

基于上述显示面板实施例，本申请另一实施例提供了一种电子设备，如图8所示，图8为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，包括：

显示面板41以及处理器42；

所述显示面板41包括：子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；检测电路23，所述检测电路23用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器42；

所述处理器42用于基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。通过检测电路23获取检测参数后，检测电路23将所述检测参数传送给所述处理器42，处理器42基于当前的检测参数以及存储的标准参数，对所述显示驱动电压进行调节，将调节后的显示驱动电压发送给像素电路，以驱动子像素进行图像显示。

在图8中为示出子像素以及像素电路，子像素以及像素电路实现方式可以参考上述实施例描述，在此不再赘述。

其中，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；

所述处理器42用于根据所述检测参数以及预存储的标准参数确定所述像素薄膜晶体管由于静电导致的阈值电压漂移量，基于所述阈值电压漂移量，对所述显示驱动电压进行调节。标准参数为上述V_Q0。

所述处理器42可以基于用户输入的检测指令，控制检测电路23获取所述检测参数，以基于当前的检测参数以及存储的标准参数，对所述显示驱动电压进行调节。或者，所述处理器42基于设定的时钟周期，控制检测电路23 获取所述检测参数，以基于当前的检测参数以及存储的标准参数，对所述显示驱动电压进行调节。

基于上述显示面板以及电子设备实施例，本申请另一实施例提供了一种显示面板的显示驱动方法，所述显示面板为上述实施例所述电子显示面板，具有检测电路、子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路。

所述显示驱动方法包括：

步骤S11：通过所述检测电路获取检测参数。

可以采用上述实施例所述检测电路获取检测参数，检测电路的结构以及实现原理可以参考上述实施例描述，本实施例不再赘述。

步骤S12：基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏。

可以基于上述实施例所述调整显示驱动电压，实现原理可以参考上述实施例描述，本实施例不再赘述。

可以基于用户输入的检测指令，控制检测电路获取所述检测参数，以基于当前的检测参数以及存储的标准参数，对所述显示驱动电压进行调节。或者，基于设定的时钟周期，控制检测电路获取所述检测参数，以基于当前的检测参数以及存储的标准参数，对所述显示驱动电压进行调节。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的电子设备以及显示驱动方法而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：

子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；

检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器，以使得所述处理器基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏；

所述检测电路包括：电容，所述电容的第一极板输入的第一参考电压，第二极板连接输出端；复位模块，所述复位模块用于响应复位控制信号的控制，基于复位电压对所述输出端的电压进行复位；检测模块，与所述输出端连接，所述检测模块用于响应检测扫描信号的控制，基于第二参考电压，控制所述输出端输出所述检测参数。

2.根据权利要求1所述的显示面板，所述复位模块包括第一检测薄膜晶体管，所述第一检测薄膜晶体管的栅极输入所述复位控制信号，第一极输入所述复位电压，第二极连接所述输出端。

3.根据权利要求1所述的显示面板，所述检测模块包括：第二检测薄膜晶体管以及第三检测薄膜晶体管；所述第二检测薄膜晶体管的第一极连接所述第三检测薄膜晶体管的第二极；

所述第二检测薄膜晶体管的栅极和第二极连接所述输出端；

所述第三检测薄膜晶体管的栅极输入所述检测扫描信号，第一极输入所述第二参考电压。

4.根据权利要求3所述的显示面板，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管均为PMOS、或均为NMOS；

所述像素薄膜晶体管与各检测薄膜晶体管的尺寸相同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，所述第一参考电压、所述复位控制信号、所述复位电压、所述检测扫描信号以及所述第二参考电压中的至少一者为调整前的显示驱动电压。

6.一种电子设备，包括：

显示面板以及处理器；

所述显示面板包括：子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；检测电路，所述检测电路用于获取检测参数，将所述检测参数输出给处理器；

所述处理器用于基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏；

所述检测电路包括：电容，所述电容的第一极板输入的第一参考电压，第二极板连接输出端；复位模块，所述复位模块用于响应复位控制信号的控制，基于复位电压对所述输出端的电压进行复位；检测模块，与所述输出端连接，所述检测模块用于响应检测扫描信号的控制，基于第二参考电压，控制所述输出端输出所述检测参数。

7.根据权利要求6所述的电子设备，所述像素电路包括像素薄膜晶体管；

所述处理器用于根据所述检测参数以及预存储的标准参数确定所述像素薄膜晶体管由于静电导致的阈值电压漂移量，基于所述阈值电压漂移量，对所述显示驱动电压进行调节。

8.一种显示面板的显示驱动方法，所述显示面板具有检测电路、子像素以及控制所述子像素进行发光显示的像素电路；

所述显示驱动方法包括：

通过所述检测电路获取检测参数；

基于所述检测参数，调整输出给所述像素电路的显示驱动电压，以降低由于静电导致的显示色偏；

所述检测电路包括：电容，所述电容的第一极板输入的第一参考电压，第二极板连接输出端；复位模块，所述复位模块用于响应复位控制信号的控制，基于复位电压对所述输出端的电压进行复位；检测模块，与所述输出端连接，所述检测模块用于响应检测扫描信号的控制，基于第二参考电压，控制所述输出端输出所述检测参数。

9.根据权利要求8所述的显示驱动方法，调整所述显示驱动电压的方法包括：

根据所述检测参数以及预存储的标准参数确定所述像素电路中像素薄膜晶体管由于静电导致的阈值电压漂移量，基于所述阈值电压漂移量，对所述显示驱动电压进行调节。

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