TWI394122B - 像素結構、有機發光顯示器及相關方法 - Google Patents

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Description

像素結構、有機發光顯示器及相關方法
本發明的實施例係有關於一種像素結構、一種呈現改良的影像品質的有機發光顯示器以及一種驅動有機發光顯示器之方法。
利用薄膜電晶體來顯示影像的主動矩陣型平面顯示器已經被廣泛使用。有機發光顯示器可呈現極佳的發光效率、亮度以及可視角度，並且可具有快速的響應速度。有機發光顯示器是藉由利用複數個有機發光二極體(OLED)來顯示影像。有機發光二極體可包含一個陽極電極、一個陰極電極以及一個在該陽極電極與陰極電極之間的有機發光層。
圖1是顯示一般的有機發光顯示器(US2007/0057877A1)的一個像素的結構之電路圖。請參照圖1，一個像素係包含一個第一電晶體、一個第二電晶體、一個第三電晶體、一個電容器以及一個有機發光二極體(OLED)。
該第一電晶體M1的源極係耦接至一第一電源線，其汲極係耦接至該第三電晶體的源極，並且其閘極係耦接至一第一節點N1。該第一電晶體M1係容許電流對應於該第一節點N1的電壓而從源極流向汲極。
該第二電晶體M2的源極係耦接至一資料線Dm，其汲極係耦接至一第一節點N1，並且其閘極係耦接至一掃描線Sn。該第二電晶體M2係藉由透過掃描線Sn傳輸的掃描信號來執行開關動作，以容許流過資料線Dm的資料信號選擇 性地被傳輸到第一節點N1。
該第三電晶體M3的源極係耦接至第一電晶體的汲極，其汲極係耦接至有機發光二極體，並且其閘極係耦接至一發光線En。該第三電晶體M3係藉由透過該發光線傳輸的發光控制信號來執行導通及關斷的動作，以容許從該第一電晶體的源極流向其汲極的電流被傳輸到該有機發光二極體(OLED)。
該電容器Cst的第一電極係耦接至一第一電源線ELVDD，並且其第二電極係耦接至一第一節點N1。當該資料信號被傳輸到第一節點N1時，電容器Cst係容許該被傳輸的資料信號的電壓維持到下一資料信號被傳輸到該第一節點N1為止。因此，該第一電晶體M1的閘極係藉由電容器Cst而具有該資料信號的電壓。
該有機發光二極體(OLED)係包含一個陽極電極、一個陰極電極以及一位在該陽極電極與陰極電極之間的發光層，其中該發光層係在電流流動時發射光。因此，若對應於該資料信號的電流被產生並且藉由第一電晶體M1而流通時，該電流係從該陽極電極流向陰極電極，因而該發光二極體(OLED)會發光。
在包括如上所構成的電路之有機發光顯示器中，每個電晶體的半導體層都使用多晶矽等等。然而，多晶矽在製程上無法避免地會產生變異。因此，若電晶體是利用此種多晶矽而被形成時，差異會發生在每個電晶體的遷移率及臨界電壓等，而造成流入像素的電流變異。在此原因之下，一般是使用一種能夠補償臨界電壓的像素電路。然而，補償臨界電壓的像素電路的結構是複雜的，因而會增加像素電路的面積，但是面板卻要縮小像素的間距以變成高解析度(ppi)。
因此，實施例是針對一種像素結構、一種有機發光顯示器以及一種驅動有機發光顯示器之方法，其實質克服由於相關技術的限制及缺點所造成的問題中之一或多個問題。
因此，一個實施例的一項特點是提供一種像素結構、一種有機發光顯示器以及一種驅動有機發光顯示器之方法，其中一個像素電晶體係包含一個非揮發性記憶體元件。
以上及其它的特點及優點中的至少一個可藉由提供一種像素結構而被實現，其係包含一個有機發光二極體；一個具有一耦接至一第一電源的源極、一耦接至一第一節點的控制閘極以及一耦接至一第二節點的汲極之第一電晶體，其中該第一電晶體係包含一浮動閘極以及一在該浮動閘極以及該控制閘極之間的絕緣層；一個具有一耦接至一資料線的源極、一耦接至該第一節點的汲極以及一耦接至一掃描線的閘極之第二電晶體；一個具有一耦接至該第二節點的源極、一耦接至該有機發光二極體的汲極以及一耦接至一發光控制線以及該掃描線中之一的閘極之第三電晶體；以及一個耦接在該第一電源以及該第二節點之間的電容器。
該第三電晶體的閘極可耦接至該發光控制線。該第一、第二以及第三電晶體可以是PMOS電晶體。該第一電晶體可以是一個NMOS電晶體，並且該第二及第三電晶體可以是PMOS電晶體。該第三電晶體的閘極可耦接至該掃描線，並且當該第二電晶體是在關斷狀態中時，該第三電晶體可以是在導通狀態中。該第一及第二電晶體可以是PMOS電晶體，並且該第三電晶體可以是一個NMOS電晶體。
以上及其它的特點及優點中的至少一個亦可藉由提供一種有機發光顯示器而被實現，其係包含一個具有複數個像素結構的像素單元、一個耦接至該像素單元的資料線的資料驅動器、以及一個耦接至該像素單元的掃描線的 掃描驅動器。每個像素結構可包含一個有機發光二極體；一個具有一耦接至一第一電源的源極、一耦接至一第一節點的控制閘極以及一耦接至一第二節點的汲極之第一電晶體，其中該第一電晶體係包含一浮動閘極以及一在該浮動閘極以及該控制閘極之間的絕緣層；一個具有一耦接至一資料線的源極、一耦接至該第一節點的汲極以及一耦接至一掃描線的閘極之第二電晶體；一個具有一耦接至該第二節點的源極、一耦接至該有機發光二極體的汲極以及一耦接至一發光控制線以及該掃描線中之一的閘極之第三電晶體；以及一個耦接在該第一電源以及該第二節點之間的電容器。
該掃描驅動器可耦接至該像素單元的發光控制線，並且每個像素結構的第三電晶體的閘極可耦接至一發光控制線。該第一、第二及第三電晶體可以是PMOS電晶體。該第一電晶體可以是一個NMOS電晶體，並且該第二及第三電晶體可以是PMOS電晶體。每個像素結構的第三電晶體的閘極可耦接至該掃描線，並且當每個像素結構的第二電晶體是在關斷狀態中時，該像素結構的第三電晶體可以是在導通狀態中。該第一及第二電晶體可以是PMOS電晶體，並且該第三電晶體可以是一個NMOS電晶體。
以上及其它的特點及優點中的至少一個亦可藉由提供一種驅動一個有機發光顯示器的方法而被實現，其係包含判斷流入一個像素結構的一個第一電晶體的電流，利用該判斷出的電流來判斷該第一電晶體的臨界電壓的偏差，以及補償該臨界電壓的偏差。該第一電晶體可以是一浮動閘極電晶體，並且補償該臨界電壓的偏差可包含儲存一對應於在該第一電晶體中的臨界電壓的偏差之電壓。
儲存對應於該臨界電壓的偏差之電壓可包含控制儲存在該浮動閘極電晶體的浮動閘極中的電子量。該方法可進一步包含抽取儲存在該浮動閘極中的電子到該第一電晶體的通道區域中，以降低該臨界電壓。抽取電子到該通 道區域中可包含提供一高狀態電壓至該第一電晶體的源極以及提供一低狀態電壓至該第一電晶體的控制閘極。該方法可進一步包含注入電子到該浮動閘極中，以提高該臨界電壓。注入電子到該浮動閘極中可包含提供一低狀態電壓至該第一電晶體的源極以及提供一高狀態電壓至該第一電晶體的控制閘極。
100‧‧‧像素單元
101‧‧‧像素
101a‧‧‧第一像素
101b‧‧‧第二像素
101c‧‧‧第三像素
101d‧‧‧第四像素
110‧‧‧資料驅動器
120‧‧‧掃描驅動器
201‧‧‧矽基板
202‧‧‧源極
203‧‧‧汲極
204‧‧‧絕緣膜
205‧‧‧浮動閘極
206‧‧‧ONO層
207‧‧‧控制閘極
藉由參考所附的圖式來詳細描述範例實施例，以上及其它的特點及優點對於該項技術中具有通常技能者而言將會變得更為明顯，其中：圖1是顯示一般的有機發光顯示器的一個像素的結構之電路圖；圖2係描繪根據一個實施例的有機發光顯示器的概要圖；圖3係描繪一個具有一非揮發性記憶體元件的電晶體的橫截面圖；圖4係描繪流入一個電晶體的汲極的電流為該電晶體的控制閘極電壓及臨界電壓的變化的一個函數之圖；圖5係描繪臨界電壓與加壓時間之間的關係圖；圖6係描繪圖2的有機發光顯示器的像素單元的一部份的電路圖；並且圖7與8係描繪在圖2的有機發光顯示器中的像素電路的實施例。
現在將會在以下參考所附的圖式來更完整地描述範例實施例；然而，該等範例實施例可以用不同的形式來加以體現，因而不應該被解釋為限於在此所闡述的實施例。而是，這些實施例係被提供以使得此揭露內容將會是徹底且完整的，並且將會完整傳達本發明的範疇給熟習此項技術者。
在該圖式中，層及區域的尺寸可能為了清楚說明而被誇大。同樣將會理解 到的是，當一層或元件被稱為在另一層或基板“之上”時，其可以是在另一層或基板的正上方、或亦可能是存在中間層的。此外，將會瞭解到的是，當一層被稱為在另一層“之下”時，其可以是在另一層的正下方，並且亦可以是存在一或多個中間層。此外，同樣將會理解到的是，當一層被稱為在兩層“之間”，其可以是該兩層之間唯一的層、或可能是存在一或多個中間層。相同的參考圖號係指本文中之類似的元件。
在一個元件被描述為耦接至一個第二元件的情形中，該元件可以是直接耦接至該第二元件、或可以是經由一或多個其它元件而間接耦接至該第二元件。此外，在一個元件被描述為耦接至一個第二元件的情形中，將會瞭解到的是，該些元件可以是電耦接的，例如，在電晶體、電容器、電源、節點等等的情形中。在兩個或多個元件被描述為耦接至一個節點的情形中，該些元件可以是直接耦接至該節點、或可以是經由與該節點共用的導電特徵來加以耦接的。因此，在實施例被描述或描繪為具有兩個或是多個耦接至一共用點的元件之情形中，將會體認到的是，該些元件可耦接到一個延伸在個別點之間的導電特徵上之個別的點。
圖2係描繪根據一個實施例的有機發光顯示器的概要圖。請參照圖2，該有機發光顯示器係包含一個像素單元100、一個資料驅動器110以及一個掃描驅動器120。
該像素單元100包含複數個像素101。每個像素101係包含一個被配置以發射對應於電流的流動的光線之有機發光二極體。該像素單元100係包含n條傳輸掃描信號的掃描線S1、S2、…Sn-1及Sn，該些掃描線延伸在列的方向上；n條傳輸發光控制信號的發光控制線E1、E2、…En-1及En，該些發光控制線延伸在該列的方向上；以及m條傳輸資料信號的資料線D1、D2、…Dm-1及Dm，該些資料線延伸在行的方向上。
該像素單元100係分別耦接至外部的第一及第二電源ELVDD及ELVSS。該像素單元100藉由利用該些掃描信號、資料信號、發光控制信號、第一電源ELVDD及第二電源ELVSS來使得有機發光二極體發光，以顯示一個影像。一低狀態電壓可藉由該第二電源ELVSS在有機發光二極體的影像顯示的動作期間，亦即，當電流流入有機發光二極體以顯示影像時來加以提供。如以下詳細所述，該第一及第二電源中之一或兩者可以供應各種的電壓，使得ELVDD可以供應一高於或低於ELVSS的電壓，以便有助於非揮發性記憶體元件的臨界電壓的補償。
該資料驅動器110係藉由接收具有紅、藍與綠成分的視訊資料來產生資料信號，並且施加該些資料信號至像素單元100。該資料驅動器110係經由像素單元100的資料線D1、D2、…、Dm-1及Dm來施加該些資料信號至像素單元100。
該掃描驅動器120係包含一個產生掃描信號的掃描驅動電路以及一個產生發光控制信號的發光控制信號驅動電路，並且施加掃描信號及發光控制信號至像素單元100。該掃描驅動電路係耦接至掃描線S1、S2、…、Sn-1及Sn以傳輸該些掃描信號至像素單元100的一個特定的列。該發光控制信號驅動電路係耦接至發光控制線E1、E2、…、En-1及En以傳輸該些發光控制信號至像素單元100的一個特定的列。
在一個實施方式中，該發光控制信號驅動電路可耦接至第一及第二發光控制線以傳輸該第一及第二發光控制信號至像素單元100的一個特定的列。從資料驅動器110輸出的資料信號係被供應至該些掃描信號所傳輸到的像素101。於是，一驅動電流可被產生在該像素101中，該所產生的驅動電流係藉由該第一及第二發光控制信號而被供應至該有機發光二極體。
圖3係描繪一個具有一非揮發性記憶體(NVM)元件的電晶體之橫截面圖，其 可被實施在圖2中所示的有機發光顯示器的每個像素中。請參照圖3，一絕緣膜204(例如，穿隧氧化膜)可形成在一矽基板201(例如，N型矽基板)之上。該矽基板201可以是多晶矽。一浮動閘極205可形成在該氧化膜之上，一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層206可形成在該浮動閘極205之上，並且一控制閘極207可形成在該ONO層206之上。一源極202以及一汲極203可形成在由該浮動閘極205以及控制閘極207所構成的閘極電極的側邊上。
為了提高該NVM元件的臨界電壓，超過該穿隧氧化膜的能量阻障的熱電子可利用熱電子注入而注入到該浮動閘極205中所形成的位能井。電子到浮動閘極中的注入可提升電晶體的臨界電壓。
為了降低該NVM元件的臨界電壓，儲存在該浮動閘極205的位能井中的電子可利用穿隧而被抽取到該矽基板中。電子從浮動閘極的移除可以降低臨界電壓。
圖4係描繪流入一個電晶體的汲極的電流為該電晶體的控制閘極電壓以及臨界電壓的變化的一個函數之圖。在圖4中，水平軸係代表控制閘極的電壓VCG，而垂直軸係代表流入該電晶體的汲極的電流ID。在圖4中粗的曲線係代表理想的曲線。圖5係描繪臨界電壓與加壓時間之間的關係圖。
請參照圖4，若臨界電壓受到控制，則流入電晶體的汲極的電流ID的量係對應於控制閘極的電壓VCG而改變。尤其，若臨界電壓升高時，該曲線係從左移到右(在以下稱為“正”(+)移動)。若臨界電壓降低時，該曲線係從右移到左(“負”(-)移動)。
關於該代表理想的變化的曲線，電晶體的臨界電壓係被補償，以容許對應於該控制閘極的電壓VCG而流入該電晶體的汲極的電流量能夠依循該理想曲線。
在圖5中，該垂直軸係代表臨界電壓的變化值△Vth，而水平軸係代表時間。臨界電壓的變化值△Vth可藉由控制加壓時間以及控制閘極的電壓來加以改變。
如同在圖5中所示，若控制閘極的電壓VCG是大的，則臨界電壓的變化值△Vth可變成為大的。若控制閘極的電壓VCG是小的，則臨界電壓的變化值△Vth可變成為小的。
圖6係描繪圖2的有機發光顯示器的像素單元100之一部份的電路圖。請參照圖6，該像素單元100的一個2 2部份係被描繪，其包含第一至第四像素101a、101b、101c以及101d。如同在圖6中所示，每個像素101可包含一個第一電晶體M1、一個第二電晶體M2、一個第三電晶體M3、一個電容器Cst以及一個有機發光二極體OLED。每個第一電晶體M1可包含一個NVM元件，例如，在圖3中所繪的NVM元件。
流入該第一至第四像素101a、101b、101c及101d中之任何一個的電流量可以如下所述地加以量測。
為了量測流入第一像素101a的電流，一第一電壓(例如，0V)係從第一電源ELVDD被供應至一第一電源線，並且一第二電壓(例如，一負電壓)係從第二電源ELVSS被供應至一第二電源線。資料信號(例如，具有15V至+15V的電壓)係被供應至一第一資料線D1，並且第三電壓(例如，一高電壓)係被施加至一第二資料線D2。具有一第四電壓(例如，一個遠低於被提供至第一資料線D1的資料信號電壓的電壓)的掃描信號係被供應至一第一掃描線S1。具有一第五電壓(例如，一高狀態電壓)的掃描信號係被供應至一第二掃描線S2。具有一第六電壓(例如，一低狀態電壓)的發光控制信號係被供應至一第一發光控制線E1。具有一第七電壓(例如，一高狀態電壓)的發光控制信號係被供應至一第二發光控制線E2。該第三電壓、第五電壓以及第七電 壓可以是相同的。
在電源及信號是如上所述地被提供之下，在第一像素101a中，資料信號係流過第一資料線D1，並且第二電晶體M2係藉由透過第一掃描線S1所施加的電壓而被導通。因此，該資料信號的電壓係被供應至一第一節點N1。此外，該資料信號的電壓係從第一節點N1被供應至第一電晶體M1的閘極。0V的電壓係從第一電源ELVDD被供應至第一電晶體M1的源極。該第三電晶體M3係藉由透過第一發光控制線E1傳輸的發光控制信號而被導通，因而電流從第一電晶體M1的源極流到汲極，通過第三電晶體M3，並且流到有機發光二極體OLED。
然而，有關第二像素101b，儘管第二電晶體M2是藉由透過第一掃描線S1傳輸的掃描信號而被導通，並且第三電晶體M3是藉由透過第一發光控制線E1傳輸的發光控制信號而被導通，但是第一電晶體M1是藉由透過第二資料線D2傳輸的高狀態資料信號而被關斷，藉此阻擋電流的產生。
在第三像素101c的情形中，第二電晶體M2係藉由透過第二掃描線S2傳輸的掃描信號而被關斷，此係防止透過第一資料線D1傳輸的資料信號被供應至第一電晶體M1的控制閘極。再者，該第三電晶體M3係藉由透過第二發光控制線E2傳輸的發光控制信號而被關斷，此係阻擋電流的產生。
在第四像素101d的情形中，高狀態資料信號係透過第二資料線D2而被傳輸。此外，透過第二掃描線S2傳輸的掃描信號係具有該高狀態電壓，因而第二電晶體M2係被關斷。第三電晶體M3係藉由透過第二發光控制線E2傳輸的發光控制信號而被關斷，此係阻擋電流的產生。因此，在電源及信號如上所述地被提供之下，電流只流入第一像素101a。
上述的動作可被延伸，使得流入第二像素101b、第三像素101c及第四像素 101d的電流可以依序加以量測。尤其，將體認到的是，上述的第一至第四像素101a至101d的動作可藉由透過資料線D1與D2傳輸的資料信號、透過掃描線S1與S2傳輸的掃描信號以及透過發光控制線E1與E2傳輸的發光控制信號的電壓來加以控制，使得流入第二像素101b、第三像素101c及第四像素101d的電流可以依序加以量測。
第一電晶體M1的臨界電壓的補償現在將會加以描述。用於補償在第一像素101a中的第一電晶體M1的臨界電壓的補償值可以利用在以上量測到的電流來加以決定。
該補償值可以利用該控制閘極的電壓以及流入第一像素101a的電流的值來加以決定。藉由提升臨界電壓來補償該臨界電壓的情形以及藉由降低臨界電壓來補償該臨界電壓的情形可以是根據該量測到的值而定，即如現在將會加以詳細描述者。
第一像素101a的臨界電壓是藉由提升臨界電壓而被補償的情形現在將加以描述。
對於第一像素101a而言，第一電源ELVDD係施加一個遠低於該低狀態的電壓，並且第二電源ELVSS係施加0V的電壓。具有高狀態電壓的資料信號係透過第一資料線D1來傳輸，具有該低狀態電壓的掃描信號係透過第一掃描線S1來傳輸，並且透過第一發光控制線E1傳輸的發光信號係變成一高狀態。於是，電子係注入到第一像素101a中的第一電晶體M1的浮動閘極，因而臨界電壓被提升。可以使得電子以一個根據資料信號電壓的速率來流入第一電晶體M1的浮動閘極。
如上所述，當一高狀態電壓(亦即，一具有高電壓的資料信號)被傳輸到第一電晶體M1的閘極，一個低於低狀態電壓的電壓係藉由第一電源ELVDD而 被提供至第一電晶體M1的源極，並且一個0V的電壓係從該第二電源ELVSS被供應時，可以使得電子流入第一像素101a的第一電晶體M1的浮動閘極，藉此增加該第一電晶體的臨界電壓。該低狀態電壓可以在有機發光二極體的影像顯示的動作期間，亦即，當電流流入有機發光二極體以顯示影像時，藉由第二電源ELVSS來加以提供。
此外，具有低狀態電壓的資料信號係透過第二資料線D2而被傳輸，具有高狀態電壓的掃描信號係透過第二掃描線S2而被傳輸，並且透過第二發光控制線E2傳輸的發光信號係變成高狀態。
將會體認到的是，臨界電壓的補償可藉由改變第一電源ELVDD的電壓來加以控制。尤其，為了增加臨界電壓的補償，第一電源ELVDD的電壓可被降低。為了降低臨界電壓的補償，第一電源ELVDD的電壓可被升高。
有關該第二像素101b，儘管透過第一掃描線S1傳輸的掃描信號是在低狀態，但是透過第二資料線D2傳輸的資料信號係具有低狀態電壓。於是，第二電晶體M2係被關斷，並且第一電晶體M1的控制閘極係被關斷，因而該第二像素101b中的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
在第三像素101c的情形中，儘管透過第一資料線D1傳輸的資料信號是在高狀態中，但是透過第二掃描線S2傳輸的掃描信號是在高狀態中。於是，第二電晶體M2係被關斷，並且第一電晶體M1的控制閘極係因此被置於浮動狀態中。因此，在第三像素101c中的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
在第四像素101d的情形中，透過該第二掃描線S2傳輸的掃描信號是在高狀態中，因而第二電晶體M2係被關斷，並且該第一電晶體M1的控制閘極係被置於浮動狀態中。因此，第四像素101d中的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
上述的動作可以延伸到其餘的像素。尤其，若資料信號及掃描信號的電壓是依序被控制時，第二像素至第四像素101b、101c及101d的臨界電壓亦可被補償。
第一像素101a的臨界電壓係藉由降低臨界電壓來加以補償的情形現在將會加以描述。
對於第一像素101a而言，第一電源ELVDD係施加高狀態電壓，並且第二電源ELVSS係施加0V的電壓。具有一個遠低於該低狀態的電壓的資料信號係透過第一資料線D1而被傳輸。透過第一掃描線S1傳輸的掃描信號係具有一個電壓是遠低於流入該第一資料線D1的資料信號的電壓。透過第一發光控制線E1傳輸的發光信號係變成高狀態。於是，儲存在該浮動閘極中的電子係被抽取到第一電晶體M1的通道區域中，因而該第一像素101a的第一電晶體M1的臨界電壓係被降低。
此外，具有該高狀態電壓的資料信號係透過第二資料線D2而被傳輸，透過第二掃描線S2傳輸的掃描信號係具有該高狀態電壓，並且透過第二發光控制線E2傳輸的發光信號係變成高狀態。
臨界電壓的補償可藉由改變該第一資料線D1的電壓來加以控制。尤其，為了增加臨界電壓的補償，該第一資料線D1的電壓可被降低。為了降低臨界電壓的補償，該第一資料線D1的電壓可被升高。
有關第二像素101b，透過該第一掃描線S1傳輸的掃描信號是在低狀態中，並且透過該第二資料線D2傳輸的資料信號係具有該高狀態電壓。於是，該第二像素101b的第一電晶體M1係被關斷。於是，該第二像素101b的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
在第三像素101c的情形中，透過該第一資料線D1傳輸的資料信號是在高狀 態中，並且透過該第二掃描線S2傳輸的掃描信號是在高狀態中。於是，第二電晶體M2係被關斷，並且該第一電晶體M1的控制閘極係被置於浮動狀態中。因此，該第三像素101c的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
在第四像素101d的情形中，透過該第二掃描線S2傳輸的掃描信號是在高狀態中。於是，該第二電晶體M2係被關斷，因而該第一電晶體M1的控制閘極係被置於浮動狀態中。因此，該第四像素101d的第一電晶體M1的臨界電壓並未被補償。
上述的動作可以延伸到其餘的像素。尤其，若資料信號及掃描信號的電壓是依序被控制時，第二像素至第四像素101b、101c及101d的臨界電壓亦可被補償。
若第一電晶體M1的臨界電壓是利用上述的動作而被補償時，則該有機發光顯示器可以顯示一均勻的螢幕。此外，像素電路可藉由排除對於一個別的臨界電壓補償電路的需求而被簡化。
圖7與8係描繪在圖2的有機發光顯示器中的像素電路之實施例。請參照圖7，第一電晶體M1可被實施為NMOS類型的NVM元件。如在圖5中所繪，若控制閘極的電壓被降低時，則臨界電壓被降低，而若控制閘極的電壓被升高時，則臨界電壓被升高。
請參照圖8，第三電晶體M3可被實施為NMOS電晶體。此外，第二電晶體M2及第三電晶體M3可耦接至同一掃描線Sn。於是，該第二電晶體M2及第三電晶體M3可以交替地被導通。因此，當資料信號被供應至該像素時，第三電晶體M3係被關斷，並且接著在一段預設的時間之後該第三電晶體M3係被導通，因而電流流入該像素。
如上所述，電晶體的臨界電壓可以藉由利用一個非揮發性記憶體元件，以 在該電晶體中儲存一個用於臨界電壓的補償值來加以補償。於是，可省略一個別的臨界值補償電路，藉此簡化了電路結構。
本發明範例的實施例已經在此揭露，並且儘管特定的用語被採用，但是該用語只是以通稱及描述性的意義而被使用及解釋，而非為了限制的目的。於是，將會被該項技術中具有通常技能者理解的是，各種在形式及細節上的改變可以在不脫離如以下的申請專利範圍中所闡述之本發明的精神與範疇下加以達成。
100‧‧‧像素單元
101‧‧‧像素
110‧‧‧資料驅動器
120‧‧‧掃描驅動器

Claims (8)

  1. 一種像素結構，其係包括：一個有機發光二極體；一個具有一耦接至一第一電源的源極、一耦接至一第一節點的控制閘極以及一耦接至一第二節點的汲極之第一電晶體，其中該第一電晶體係包含一浮動閘極以及一在該浮動閘極以及該控制閘極之間的絕緣層；一個具有一耦接至一資料線的源極、一耦接至該第一節點的汲極以及一耦接至一掃描線的閘極之第二電晶體；一個具有一耦接至該第二節點的源極、一耦接至該有機發光二極體的汲極以及一耦接至一發光控制線以及該掃描線中之一的閘極之第三電晶體；以及一個耦接在該第一電源以及該第二節點之間的電容器；其中該第三電晶體的閘極係耦接至該發光控制線；其中該第一電晶體是一個NMOS電晶體，並且該第二及第三電晶體是PMOS電晶體。
  2. 一種有機發光顯示器，其係包括：一個具有複數個像素結構的像素單元；一個耦接至該像素單元的資料線的資料驅動器；以及一個耦接至該像素單元的掃描線的掃描驅動器，其中每個像素結構係包含：一個有機發光二極體；一個具有一耦接至一第一電源的源極、一耦接至一第一節點的控制閘極以及一耦接至一第二節點的汲極之第一電晶體，其中該第一電晶體 係包含一浮動閘極以及一在該浮動閘極以及該控制閘極之間的絕緣層；一個具有一耦接至一資料線的源極、一耦接至該第一節點的汲極以及一耦接至一掃描線的閘極之第二電晶體；一個具有一耦接至該第二節點的源極、一耦接至該有機發光二極體的汲極以及一耦接至一發光控制線以及該掃描線中之一的閘極之第三電晶體；以及一個耦接在該第一電源以及該第二節點之間的電容器；其中該掃描驅動器係耦接至該像素單元的發光控制線，並且每個像素的第三電晶體的閘極係耦接至一發光控制線；其中該第一電晶體是一個NMOS電晶體，並且該第二及第三電晶體是PMOS電晶體。
  3. 一種製造一個有機發光顯示器的方法，其係包括：提供如申請專利範圍第1項所述之一像素結構；判斷流入該像素結構的該第一電晶體的電流；利用該判斷出的電流來判斷該第一電晶體的臨界電壓的偏差；以及補償該臨界電壓的偏差，其中：該第一電晶體是一浮動閘極電晶體，並且補償該臨界電壓的偏差係包含儲存一對應於在該第一電晶體中的臨界電壓的偏差之電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中儲存對應於在該臨界電壓的偏差之電壓係包含控制儲存在該浮動閘極電晶體的浮動閘極中的電子量。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其進一步包括抽取儲存在該浮動閘極中的電子到該第一電晶體的通道區域中以降低該臨界電壓。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中抽取電子到該通道區域中係包含提供一高狀態電壓至該第一電晶體的源極以及提供一低狀態電壓至該第一電 晶體的控制閘極。
  7. 如申請專利範圍第4項之方法，其進一步包括注入電子到該浮動閘極中以提高該臨界電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中注入電子到該浮動閘極中係包含提供一低狀態電壓至該第一電晶體的源極以及提供一高狀態電壓至該第一電晶體的控制閘極。
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