JP4984873B2 - 電気光学表示装置の駆動回路、電気光学表示装置、それらの駆動方法及び電子機器 - Google Patents

電気光学表示装置の駆動回路、電気光学表示装置、それらの駆動方法及び電子機器 Download PDF

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本発明は、電気光学表示装置の駆動回路、電気光学表示装置、それらの駆動方法及び電
子機器に関する。
近年、電気光学装置としての表示装置は、有機EL素子を用いた電気光学装置が注目さ
れている。この種の有機EL素子を用いた電気光学装置には、駆動方式の一つとしてアク
ティブマトリクス駆動方式がある。
アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、有機EL素子の輝度を制御
するために、各有機EL素子に対してそれぞれ画素回路が設けられている。各画素回路に
おける有機EL素子の輝度階調の制御は、輝度階調に応じた所定のプログラム値(電圧値
又は電流値)を画素回路の保持キャパシタに供給することによって行われる。すなわち、
保持キャパシタには、設定した発光輝度階調に応じた電荷が充電される。
そして、保持キャパシタに供給されたプログラム値は駆動用トランジスタのゲートに供
給され、同トランジスタはプログラム値に応じたアナログ動作しそのアナログ値に応じた
電流を有機EL素子に供給する。その充電量に応じた電流が供給された有機EL素子は設
定した輝度で発光することになる。従って、各画素回路に設けたアナログ動作する駆動用
トランジスタは、プログラム値に対する有機EL素子に供給する電流値の特性が全て同じ
であることが精度の高い輝度階調を制御する上で必要となる。
ところが、各画素回路及び各有機EL素子はディスプレイ基板上に形成され、各駆動用
トランジスタもディスプレイ基板上に形成されるため、製造プロセスにおいて、製造ばら
つきによってディスプレイ基板上に形成される各画素回路の駆動用トランジスタを同一の
精度で製造することができない。すなわち、各駆動用トランジスタについて、同一のプロ
グラム値に対して同一の出力電流をそれぞれ出力させることは製造プロセス上、限界があ
る。このように、各駆動用トランジスタについて、保持キャパシタのプログラム値に対し
て同一の出力電流を出力させることができないところから、有機EL素子に対して所定の
輝度を設定しても、設定したとおりの輝度を一様に得ることが困難であった。
そこで、各画素回路の駆動用トランジスタの閾値のばらつきを補正し、所定の輝度を設
定したときの各画素間の輝度差を小さくした表示装置が提案されている(例えば、特許文
献1)。
図13は、特許文献1に開示された画素回路70の回路図である。図13において、ま
ず、プログラム用トランジスタT12にLレベルの信号を印加することにより該トランジ
スタT12をオンし、補正用トランジスタT14にLレベルの信号を印加することにより
該トランジスタT14をオンする。このトランジスタT14がオンされることにより、駆
動用トランジスタT11のゲートとドレインが接続される。続いて、スイッチング用トラ
ンジスタT13にHレベルの信号を印加することにより該トランジスタT13をオフし、
トランジスタT11、トランジスタT14及び保持キャパシタC11からなる放電閉回路
を形成し、駆動用トランジスタT11のゲート電圧を該トランジスタT11の閾値電圧に
自動的に設定する。
次に、トランジスタT12及びコンデンサC12を通して駆動用トランジスタT11の
ゲートに、データ線Dからデータ電圧を印加し、その後にトランジスタT13をオンする
。すると、駆動用トランジスタT11の閾値に依存しない電流が該駆動用トランジスタT
11から有機EL素子21に供給される。このような動作により、各画素回路70の駆動
用トランジスタT11の閾値のばらつきを補正することができる。
特表2002−514320号公報
ところが、特許文献1の画素回路70では、駆動用トランジスタT11の閾値のばらつ
きを補正するための回路として、トランジスタT13,T14及びコンデンサC12を追
加し、さらにトランジスタT13,T14をオン・オフ制御するための信号線をそれぞれ
追加する必要がある。そのため、特許文献1の画素回路70では、駆動用トランジスタT
11の閾値のばらつきを補正できるものの、従来の画素回路に比べると大幅に回路規模が
増大するという問題がある。
また、特許文献1の表示装置は、表示データの書き換えの度に、各画素回路70におい
て上記閾値補正動作を行う必要がある。すなわち、各画素回路70では、閾値補正動作と
階調信号(電気信号)の書き込みとを毎回行う必要がある。そのため、この閾値補正動作
によって階調信号の書き込み速度が遅くなるという問題が生じる。とくに、表示装置にお
ける画面サイズが大きくなると、閾値補正動作による書き込み速度の遅延が顕著となり、
走査線数等により決まる書き換え時間内に、全画素回路における階調信号の書き込みを終
了できなくなるという重大な問題が発生するおそれもある。
本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、
回路規模の増大を抑制しつつも、駆動用トランジスタの閾値のばらつきを好適に抑制する
ことのできる有機EL表示装置の駆動回路、有機EL表示装置の駆動方法及び有機EL表
示装置を提供することにある。
本発明の電気光学表示装置の駆動回路は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジ
スタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保
持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、前記駆動用トラ
ンジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、を備え、前記駆動用ト
ランジスタは、前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲートと、絶
縁膜に覆われた浮遊ゲートとを備える。
これによれば、電流駆動素子に供給する電流量を導通状態により調整する駆動用トラン
ジスタのコントロールゲートに高電圧を印加することにより、浮遊ゲートに電子が注入さ
れる。これにより、駆動用トランジスタの閾値電圧の絶対値が上昇するため、製造プロセ
ス等による駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきを補正することができる。
このように電流駆動素子に供給する電流量を制御する駆動用トランジスタを、浮遊ゲー
トを備えたトランジスタに変更することのみによって、該駆動用トランジスタの閾値電圧
の補正を行うことができるため、画素回路の回路規模の増大を好適に抑制することができ
る。
さらに、駆動用トランジスタの浮遊ゲートは絶縁体で覆われており、その浮遊ゲートに
注入された電子はたとえ電気光学装置の電源を切ったとしても保持されるため、補正した
駆動用トランジスタの閾値電圧を長時間保持することができる。従って、駆動用トランジ
スタの閾値電圧を補正する動作を、表示データの書き換えの度に毎回行う必要がなくなる
。そのため、駆動用トランジスタの閾値電圧の補正動作による書き込み時間の遅延時間を
大幅に低減することができる。さらに、閾値電圧の補正動作による消費電力についても低
減することができる。
この電気光学表示装置の駆動回路において、前記駆動用トランジスタを、デプレッショ
ン型のトランジスタとしてもよい。
浮遊ゲートへの電子の注入による閾値補正では、駆動用トランジスタの閾値電圧の絶対
値を上昇させる方向にしか補正できないものの、その駆動用トランジスタをデプレッショ
ン型にすることにより、その閾値補正の範囲を広く確保することができる。
この電気光学表示装置の駆動回路において、前記電流駆動素子に供給される電流量を検
出する電流検出部を備えてもよい。
これによれば、電流駆動素子に供給される電流量を電流検出部により検出しながら、す
なわち電流駆動素子に供給される電流量に応じて駆動用トランジスタの閾値電圧の補正動
作を行うことができる。従って、駆動用トランジスタの閾値電圧を、より正確に補正する
ことが可能となる。
この電気光学表示装置の駆動回路において、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジス
タとの間に、該駆動用トランジスタに直列に接続された第2のトランジスタを備えてもよ
い。
これによれば、第2のトランジスタをオフした状態で第1のトランジスタをオンさせて
電気信号に基づいて容量素子に電荷量を設定した後に、第2のトランジスタをオンさせる
ことによって、上記電荷量に応じた電流量を、駆動用トランジスタから第2のトランジス
タを介して電流駆動素子に供給することができる。
この電気光学表示装置の駆動回路において、前記駆動用トランジスタとグランドとの間
に、該駆動用トランジスタに直列に接続された第3のトランジスタを備えてもよい。
これによれば、第2のトランジスタをオフさせ第1のトランジスタ及び第3のトランジ
スタをオンさせた状態で、駆動用トランジスタのコントロールゲートに高電圧を印加して
閾値電圧の補正を行うことによって、第2のトランジスタを介して電流駆動素子に過電流
が流れることを好適に抑制することができる。
この電気光学表示装置の駆動回路において、前記電流駆動素子は、発光層が有機材料で
構成されるEL素子であってもよい。
これによれば、有機EL素子に供給される電流量を制御する駆動用トランジスタの閾値
電圧を補正することができる。
本発明の電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法は、第1のトランジスタと、前記第1
のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容
量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲ
ートを有して、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用
トランジスタと、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆
動素子と、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトラン
ジスタとを、備えた電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法であって、前記第1のトラン
ジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、前記駆動用トランジスタのコン
トロールゲートに、表示データを表示する際に供給される電気信号の電圧値の最大値より
も高電圧の電気信号を供給する第1のステップを備えた。
これによれば、駆動回路の回路規模の増大を抑制しつつも、駆動用トランジスタの閾値
電圧の絶対値を上昇させて、該駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきを補正すること
ができる。さらに、駆動用トランジスタの浮遊ゲートに注入された電子が長時間保持され
、補正した駆動用トランジスタの閾値電圧も長時間保持されるため、駆動用トランジスタ
の閾値電圧を補正する動作を、表示データの書き換えの度に毎回行う必要がなくなる。
この電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法において、前記第1のトランジスタをオン
させ前記第2のトランジスタをオフさせた状態で、前記駆動用トランジスタのコントロー
ルゲートに、負の高電圧の電気信号を供給する第2のステップを備えてもよい。
これによれば、駆動用トランジスタの浮遊ゲートに一旦注入された電子を放出させるこ
とができる。すなわち、駆動用トランジスタの閾値電圧を下降させることができる。
本発明の電気光学表示装置は、走査線とデータ線に接続された駆動回路を備えた電気光
学表示装置において、前記駆動回路は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ
を介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持さ
れた電荷量が供給されるコントロールゲートと、絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを備え、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと
、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、を備
えた。
これによれば、各駆動回路の回路規模の増大を抑制しつつも、駆動用トランジスタの閾
値電圧を補正することができる。さらに、駆動用トランジスタの閾値電圧の補正動作によ
る書き込み時間の遅延時間を大幅に低減することができる。従って、大画面・高精細な電
気光学表示装置であっても、精度の高い輝度階調制御を実現することができる。
この電気光学表示装置において、前記電流駆動素子に供給される電流量を検査部に供給
する電流検出部と、所定の表示データに基づいて前記駆動回路の容量素子に供給する電気
信号を設定する制御回路と、を備え、前記検査部は、前記電流検出部からの電流量を測定
して電流値を算出する電流測定回路と、該電流測定回路にて算出した電流値と予め設定さ
れた設定値とを比較する比較回路と、該比較回路における比較結果を記憶する記憶回路と
、を備えてもよい。
これによれば、電流検出部及び検査部によって、電流駆動素子に供給される電流量に応
じた駆動用トランジスタの閾値電圧の補正動作を行うことができる。従って、駆動用トラ
ンジスタの閾値電圧を、より正確に補正することも可能となる。
本発明の電気光学表示装置の駆動方法は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジ
スタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保
持された電荷量が供給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを有
して、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジ
スタと、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と
、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトランジスタと
を、を備え、走査線とデータ線に接続された駆動回路と、所定の表示データに基づいて前
記駆動回路の容量素子に供給する電気信号を設定する制御回路と、を備えた電気光学表示
装置の駆動方法であって、前記制御回路にて前記表示データを表示する際に供給する電気
信号の電圧値の最大値よりも高電圧の補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジス
タ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、前記データ線及び前記第1のトラン
ジスタを介して前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を
供給する第1のステップを備えた。
これによれば、各駆動回路の回路規模の増大を抑制しつつも、駆動回路の駆動用トラン
ジスタの閾値電圧の絶対値を上昇させて、該駆動用トランジスタの閾値電圧のばらつきを
補正することができる。さらに、駆動用トランジスタの浮遊ゲートに注入された電子が長
時間保持され、補正した駆動用トランジスタの閾値電圧も長時間保持されるため、駆動用
トランジスタの閾値電圧を補正する動作を、表示データの書き換えの度に毎回行う必要が
なくなる。
この電気光学表示装置の駆動方法において、前記表示データに基づいて前記制御回路に
て設定された電気信号が前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに供給されるとき
に前記電流駆動素子に供給される電流量を、電流検出部にて検査部に供給する第2のステ
ップと、前記電流量を測定して電流値を算出し、前記算出した電流値と予め設定された設
定値とを比較する第3のステップと、前記制御回路にて前記比較結果に基づいて前記補正
用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせ
た状態で、前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記電気信号を供給する第4
のステップを備えてもよい。
これによれば、電流駆動素子に供給される電流量に応じて駆動用トランジスタの閾値電
圧の補正動作を行うことができる。従って、駆動用トランジスタの閾値電圧を、より正確
に補正することも可能となる。
この電気光学表示装置の駆動方法において、前記制御回路にて負の高電圧の補正用の電
気信号を設定し、前記第1のトランジスタをオンさせた状態で、前記第2のトランジスタ
をオフさせて、前記データ線及び前記第1のトランジスタを介して前記駆動用トランジス
タのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を供給する第5のステップを備えてもよ
い。
これによれば、駆動用トランジスタの浮遊ゲートに一旦注入された電子を放出させるこ
とができる。すなわち、駆動用トランジスタの閾値電圧を下降させることができる。
この電気光学表示装置の駆動方法において、前記制御回路にて、前記表示データを表示
する際に供給する前記電気信号の電圧値の最大値よりも前記駆動用トランジスタの閾値電
圧を上昇させる高電圧値の前記補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタ及び
前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、輝点欠陥である前記駆動回路の駆動用トラ
ンジスタのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を供給する第6のステップを備え
てもよい。
これによれば、輝点欠陥であった駆動回路の駆動用トランジスタの閾値電圧が表示デー
タを表示する際の電気信号の電圧値の最大値よりも高くなり、該駆動用トランジスタが表
示データを表示するときにオンされなくなるため、輝点欠陥であった画素を暗点化させて
、輝点欠陥を目立たなくすることができる。その結果、輝点欠陥の画素の存在により不良
品とされていた電気光学装置を良品とすることができるため、歩留まりを向上させること
ができる。
本発明の電子機器は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給さ
れる電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量が供
給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを有して、前記容量素子
に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、前記駆動用
トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、前記電流駆動素子
と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトランジスタとを、を備え、走査線
とデータ線に接続された駆動回路と、所定の表示データに基づいて前記駆動回路の容量素
子に供給する電気信号を設定する制御回路と、電気光学表示装置が実装されてなる。
これによれば、大画面・高精細な電気光学表示装置であっても、その電気光学表示装置
に精度の高い輝度階調制御によって表示データを表示することができる。
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図7に従って説明する。
図1は、有機ELディスプレイの回路構成を示すブロック図、図2は、有機ELディス
プレイと検査装置を示すブロック図、図3は、駆動回路としての画素回路の内部構成を示
す回路図である。
図1に示すように、有機ELディスプレイ10の表示パネル部11は、マトリクス状に
配列された複数の画素回路20を備えている。すなわち、各画素回路20は、列方向(図
1において縦方向)に沿って延設された複数のデータ線X1〜Xm(mは整数)と、行方
向(図1において横方向)に沿って延設された複数の走査線Y1〜Yn(nは整数)との
交差部にそれぞれ配設されている。各画素回路20は、電流駆動素子として発光層が有機
材料にて構成された有機EL素子21を備えている。各データ線X1〜Xmは、データ線
駆動回路12内の対応するデータ電圧生成回路12aにそれぞれ接続され、各走査線Y1
〜Ynは、走査線駆動回路13に接続されている。
また、各画素回路20には、列方向に延設された電源線L1が接続され、その電源線L
1を介して電源電圧Vccが各画素回路20に供給されている。各電源線L1は、電流検
出部としての接続線M1を介してセレクト回路14内の対応する切替回路14aにそれぞ
れ接続されている(図2参照)。
データ線駆動回路12、走査線駆動回路13及びセレクト回路14を統括制御する制御
回路15は、図示しない外部装置から入力されてメモリ16に記憶された表示データ(画
像データ)を、各画素回路20の有機EL素子21の発光の輝度階調を表すマトリクスデ
ータに変換する。このマトリクスデータは、各走査線Y1〜Ynに接続された1行分の画
素回路20群を順次選択するための走査線駆動信号と、選択された画素回路20群の有機
EL素子21の輝度を設定するデータ電圧Vdのレベルを決定するデータ線駆動信号とか
ら構成される。制御回路15は、走査線駆動信号を走査線駆動回路13に供給し、データ
線駆動信号をデータ線駆動回路12に供給する。
また、制御回路15は、有機ELディスプレイ10が検査装置17を使って表示パネル
部11の各画素回路20内の駆動用トランジスタに対して閾値補正動作を行うとき、補正
モードに切り替わる。補正モードに切り替わると、制御回路15は、検査装置17から入
力されてメモリ16に記憶されたテスト用表示データを、各画素回路20の有機EL素子
21の発光の輝度階調を表すマトリクスデータ(テスト用マトリクスデータ)に変換する
。このテスト用マトリクスデータは、各走査線Y1〜Ynに接続された1行分の画素回路
20群を順次選択するためのテスト用走査線駆動信号と、選択された画素回路20群の有
機EL素子21のテスト用輝度を設定するテスト用データ電圧Vdtのレベルを決定する
テスト用データ線駆動信号とから構成される。制御回路15は、テスト用走査線駆動信号
を走査線駆動回路13に供給し、テスト用データ線駆動信号をデータ線駆動回路12に供
給する。なお、上記テスト用マトリクスデータでは、有機EL素子21の輝度が全画素回
路において一様になるように設定されている。
また、制御回路15は、補正モードにおいて、所定のタイミングでセレクト回路14に
切替信号G1を出力する。制御回路15は、上記テスト用データ電圧Vdtとは別に、各
画素回路20の駆動用トランジスタの閾値電圧を補正するための補正用データ電圧Vdc
のレベルを決定する補正用データ線駆動信号をデータ線駆動回路12に供給する。なお、
この補正用データ電圧Vdcは、補正モードでない通常モードにおけるデータ電圧Vdの
最大値よりも高い電圧値になるように設定されている。
走査線駆動回路13は、制御回路15からの走査線駆動信号に基づいて、複数の走査線
のうちの1本の走査線を選択駆動して1行分の画素回路20群を選択する。各走査線Y1
〜Ynは、図3に示すように、第1副走査線Z1と第2副走査線Z2とから構成されてい
る。走査線駆動回路13は、第1副走査線Z1に第1選択信号SL1を供給し、第2副走
査線Z2に第2選択信号SL2を供給する。
図1に示すように、データ線駆動回路12は、各データ線X1〜Xm毎にデータ電圧生
成回路12aが設けられている。各データ電圧生成回路12aは、制御回路15からのデ
ータ線駆動信号に基づいて、対応するデータ線X1〜Xmを通じて画素回路20に電気信
号、すなわち本実施形態ではプログラム値としてのデータ電圧Vdを供給する。画素回路
20は、このデータ電圧Vdに応じて同画素回路20の内部状態が設定されると、有機E
L素子21に流れる駆動電流Idの電流値が制御され、有機EL素子21の輝度階調が制
御される。
図2に示すように、セレクト回路14は、各電源線L1毎に切替回路14aが設けられ
ている。各電源線L1と各切替回路14aとは、接続線M1によりそれぞれ接続されてい
る。各切替回路14aは、切替用トランジスタTsから構成されている。各切替用トラン
ジスタTsは、ドレインが対応する電源線L1に接続され、ゲートには制御回路15から
の切替信号G1が供給される。各切替用トランジスタTsは、この切替信号G1に基づい
てオン・オフ制御される。
以上、説明した有機ELディスプレイの各要素11〜16は、それぞれが独立した電子
部品によって構成されてもよい。例えば、各要素11〜16が1チップの半導体集積回路
装置によって構成されてもよい。また、各要素11〜16の全部もしくは一部が一体とな
った電子部品として構成されていてもよい。例えば、表示パネル部11に、データ線駆動
回路12と走査線駆動回路13とが一体に形成されていてもよい。各構成要素の全部若し
くは一部がプログラマブルなICチップで構成され、その機能がICチップに書き込まれ
たプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
検査装置17は、各画素回路20内の駆動用トランジスタT1に対して閾値補正を行う
ときに、有機ELディスプレイ10に接続される。図2に示すように、検査装置17は、
有機ELディスプレイ10に接続されると、各電源線L1(接続線M1)毎に設けられた
電流測定回路17aが対応する上記切替用トランジスタTsのソースに接続される。上記
切替信号G1により切替用トランジスタTsがオンされると、接続線M1及び切替用トラ
ンジスタTsを介して電源線L1から有機EL素子21に流れる駆動電流Idが検査装置
17に供給される。検査装置17は、供給された駆動電流Idの電流値を測定して、測定
駆動電流値Idmを算出する。さらに、検査装置17は、算出した測定駆動電流値Idm
と予め設定された設定電流値Isとを比較し、その比較結果をメモリ16に格納する。
次に、画素回路20の回路構成について図3に従って説明する。説明の便宜上、m番目
のデータ線Xmとn番目の走査線Ynとの交点に配置され、両データ線Xmと走査線Yn
との間に接続された画素回路20について説明する。
図3に示すように、画素回路20は、電圧駆動型の画素回路であって、有機EL素子2
1とプログラミング回路22とを備えている。プログラミング回路22は、有機EL素子
21を駆動制御する駆動用トランジスタT1と、プログラム用トランジスタT2と、スイ
ッチング用トランジスタT3と、保持キャパシタC1とから構成される。
駆動用トランジスタT1は、Nチャネル・デプレッション型の薄膜トランジスタ(TF
T)であり、データ電圧Vdが印加されるコントロールゲートCGと絶縁膜に覆われた浮
遊ゲートFGとを備えたMOSトランジスタである。本実施形態では、駆動用トランジス
タT1は、EEPROMである。プログラム用トランジスタT2及びスイッチング用トラ
ンジスタT3は、Nチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT)である。
駆動用トランジスタT1は、ソースがスイッチング用トランジスタT3を介して有機E
L素子21のカソードに接続され、ドレインが電源線L1に接続されている。有機EL素
子21のアノードは、グランドに接続されている。また、駆動用トランジスタT1のドレ
インは、接続線M1を介して切替用トランジスタTsのドレインに接続されている。駆動
用トランジスタT1のコントロールゲートCGは、プログラム用トランジスタT2を介し
てデータ線Xmに接続されている。駆動用トランジスタT1のコントロールゲートCGと
電源線L1との間には、保持キャパシタC1が接続されている。
また、プログラム用トランジスタT2のゲートは、走査線Ynを構成する第1副走査線
Z1に接続されている。スイッチング用トランジスタT3のゲートは、走査線Ynを構成
する第2副走査線Z2に接続されている。第1副走査線Z1及び第2副走査線Z2は、前
述のように、走査線駆動回路13から第1選択信号SL1及び第2選択信号SL2がそれ
ぞれ供給される。なお、データ線Xmは、データ線駆動回路12のデータ電圧生成回路1
2aに接続されている。また、制御回路15から切替信号G1が供給される切替用トラン
ジスタTsのソースは、検査装置17が有機ELディスプレイ10に接続されたときに、
該検査装置17内の電流測定回路17aに接続される。
次に、このように構成された有機ELディスプレイ10の作用を画素回路20の動作に
従って説明する。
(通常モード)
まず、通常モードにおける動作について、図4に示す各信号SL1,SL2,G1のタ
イミングチャートに従って説明する。
制御回路15は、外部装置から入力されてメモリ16に記憶された表示データを、各画
素回路20の有機EL素子21の発光の輝度階調を表すマトリクスデータに変換する。そ
して、制御回路15は、マトリクスデータを構成する走査線駆動信号及びデータ線駆動信
号を走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路12に出力する。
今、n行目の走査線Ynが選択されて、走査線Ynに接続された画素回路20群が発光
動作に移るとき、走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走査線Z1にHレベルの第
1選択信号SL1が出力され、プログラム用トランジスタT2がオンされる。このプログ
ラム用トランジスタT2のオンに基づいて、各データ電圧生成回路12aから対応する画
素回路20の保持キャパシタC1に対して、制御回路15からのデータ線駆動信号に基づ
くデータ電圧Vdがそれぞれ供給される。次に、所定時間t1が経過すると、第1選択信
号SL1がLレベルに立ち下がり、データ書き込み期間が終了する。このとき、その画素
回路20において、保持キャパシタC1にデータ電圧Vdが供給されて、駆動用トランジ
スタT1が導通状態となるが、スイッチング用トランジスタT3がLレベルの第2選択信
号SL2によりオフ状態となっているため、有機EL素子21には駆動電流Idは流れな
い。
やがて、走査線駆動回路13から走査線Ynの第2副走査線Z2にHレベルの第2選択
信号SL2が出力され、走査線Yn上にある画素回路20群のスイッチング用トランジス
タT3がオンされる。そして、このスイッチング用トランジスタT3のオンに基づいて、
対応する画素回路20において、有機EL素子21にデータ電圧Vdに応じた電流値の駆
動電流Idが供給され、その有機EL素子21がデータ電圧Vdに応じた輝度でそれぞれ
発光する。
第2選択信号SL2が出力してから時間t2が経過すると、その第2選択信号SL2が
Lレベルに立ち下がり、走査線Yn上に画素回路20群のスイッチング用トランジスタT
3がオフされる。このスイッチング用トランジスタT3のオフに基づいて、有機EL素子
21に供給される駆動電流Idが遮断され、走査線Yn上にある画素回路20群の有機E
L素子21は発光を停止する。すなわち、走査線Yn上にある画素回路20群は、その発
光期間が終了し、次の発光のためのデータ書き込み期間の開始を待つ。
この動作を繰り返すことによって、各走査線Y1〜Yn上にある各画素回路20の有機
EL素子21はデータ電圧Vdに応じた輝度でそれぞれ発光制御され、有機ELディスプ
レイ10は外部のコンピュータ等からの表示データに基づく画像を表示する。
なお、この通常モードでは、制御回路15は、常時Lレベルの切替信号G1をセレクト
回路14に出力する。そのため、通常モードでは、このLレベルの切替信号G1に基づい
て、切替用トランジスタTsが常時オフされている。
(補正モード)
次に、駆動方法の一態様である補正モードについて図5〜図7に従って説明する。
有機ELディスプレイ10に検査装置17が接続されると、該有機ELディスプレイ1
0内の制御回路15が補正モードに切り替わる。補正モードにおいては、まず制御回路1
5によりテスト動作が行われる。以下に、テスト動作について説明する。
検査装置17から有機ELディスプレイ10にテスト用表示データが出力されると、該
テスト用表示データが一旦メモリ16に記憶される。制御回路15は、メモリ16に記憶
されたテスト用表示データを、各画素回路20の有機EL素子21の発光の輝度階調を表
すマトリクスデータ(テスト用マトリクスデータ)に変換する。そして、制御回路15は
、テスト用マトリクスデータを構成するテスト用走査線駆動信号及びテスト用データ線駆
動信号を走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路12に出力する。
図5は、テスト動作における各信号SL1,SL2,G1のタイミングチャートである

今、例えば走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走査線Z1にHレベルの第1選
択信号SL1が出力され、走査線Yn上にある画素回路20群のプログラム用トランジス
タT2がオンされる。このプログラム用トランジスタT2のオンに基づいて、各データ電
圧生成回路12aから保持キャパシタC1にテスト用データ電圧Vdtがそれぞれ供給さ
れる。時間t1が経過すると、第1選択信号SL1がLレベルに立ち下がり、走査線Yn
上にある画素回路20群におけるデータ書き込み期間が終了する。このとき、その画素回
路20群において、保持キャパシタC1にテスト用データ電圧Vdtが供給されて、駆動
用トランジスタT1が導通状態となるが、スイッチング用トランジスタT3がLレベルの
第2選択信号SL2によりオフ状態となっているため、有機EL素子21には駆動電流I
dが流れない。
やがて、走査線駆動回路13から走査線Ynの第2副走査線Z2にHレベルの第2選択
信号SL2が出力され、走査線Yn上にある画素回路20群のスイッチング用トランジス
タT3がオンされる。この動作と略同時に、制御回路15からセレクト回路14の各切替
回路14aにHレベルの切替信号G1が出力され、切替用トランジスタTsがオンされる
。走査線Yn上にある画素回路20群において、スイッチング用トランジスタT3のオン
に基づいて、駆動用トランジスタT1の動作状態及びテスト用データ電圧Vdtに応じた
電流値の駆動電流Idが有機EL素子21に流れる。さらに、切替用トランジスタTsの
オンに基づいて、有機EL素子21に流れる駆動電流Idは、接続線M1及び切替用トラ
ンジスタTsを介して検査装置17内の電流測定回路17aに出力される。
そして、各走査線Y1〜Ynに接続された各画素回路20群に対してこれらの動作を順
次行なって、各電源線L1(各列)毎に設けられた電流測定回路17aに、各画素回路2
0の駆動電流Idがそれぞれ出力される。
検査装置17において、電流測定回路17aは、入力した駆動電流Idをデジタル変換
してその電流値を測定駆動電流値Idmとしてそれぞれ算出する。そして、検査装置17
は、各電流測定回路17aにおいて算出した各画素回路20の測定駆動電流値Idmを、
テスト用データ電圧Vdtに対する設定電流値Isとそれぞれ比較する。検査装置17は
、その比較結果をメモリ16に格納する。具体的には、図7(a)に示すように、測定駆
動電流値Idm(Idm1)が設定電流値Isよりも大きい場合、すなわち過電流の駆動
電流Idが流れている場合には、その駆動電流Idが流れている画素回路20を補正対象
の画素回路とする比較結果をメモリ16に格納する。また、検査装置17は、測定駆動電
流値Idmが設定電流値Isと略同一値の場合には、その測定駆動電流値Idmの駆動電
流Idが流れている画素回路20を補正不要の画素回路とする比較結果をメモリ16に格
納する。ここで、設定電流値Isは、テスト用データ電圧Vdtにより画素回路20から
規格上出力されなければならない電流値であって予め試験又は理論上から得られた値であ
る。
次に、制御回路15は、メモリ16に格納された上記比較結果に基づいて、補正対象の
画素回路として判定された画素回路20に対して以下に説明する閾値補正動作を行う。ま
ず、検査装置17から補正用データが制御回路15に出力される。制御回路15は、その
補正用データに基づいて、補正用データ電圧Vdcのレベルを決定する補正用データ線駆
動信号を生成する。次に、制御回路15は、上記補正対象となる画素回路に補正用データ
電圧Vdcを供給するように、補正用走査線駆動信号及び補正用データ線駆動信号を走査
線駆動回路13及びデータ線駆動回路12に出力する。
今、例えば走査線Yn及びデータ線Xmに接続された画素回路20が補正対象の画素回
路であった場合には、図6に示すように、走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走
査線Z1にHレベルの第1選択信号SL1が出力され、走査線Yn上の画素回路20群の
プログラム用トランジスタT2がオンされる。この動作と略同時に、走査線駆動回路13
から走査線Ynの第2副走査線Z2にHレベルの第2選択信号SL2が出力され、走査線
Yn上の画素回路20群のスイッチング用トランジスタT3がオンされる。このとき、走
査線Yn上の画素回路20群のうち、補正対象の画素回路に対応するデータ電圧生成回路
12aから上記補正用データ電圧Vdcがデータ線に供給される。例えば、走査線Yn上
の画素回路20群において、データ線Xmに接続される画素回路20のみが補正対象の画
素回路である場合には、データ線Xmにのみ補正用データ電圧Vdcが供給される。
このとき、走査線Yn及びデータ線Xmに接続された画素回路20において、プログラ
ム用トランジスタT2及びスイッチング用トランジスタT3のオンに基づいて、各データ
電圧生成回路12aから補正用データ電圧Vdcが駆動用トランジスタT1のコントロー
ルゲートCGに印加される。なお、ここで、補正用データ電圧Vdcは、図7(a)に示
すように、上記通常モード時におけるデータ電圧Vdの最大電圧値Vdmaxよりも高い
電圧値に設定されている。このように、駆動用トランジスタT1のコントロールゲートC
Gに高電圧が印加されると、駆動用トランジスタT1のソースからドレインに向かって電
子eが高電界で流れ、ドレイン領域近傍のピンチオフ領域で加速された電子eが結晶格子
等に衝突することによって、ドレイン端に正孔−電子対が形成される現象、いわゆるイン
パクトイオン化が発生する。そして、コントロールゲートCGに正の高電圧が印加されて
いるため、上記インパクトイオン化によりドレイン端に形成された正孔−電子対のうち電
子eが浮遊ゲートFGに注入される。これにより、図7(b)の実線で示すように、補正
用データ電圧Vdc印加後の駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vth2は、補正用デー
タ電圧Vdcを印加する前(図7(b)の破線参照)の閾値電圧Vth1よりも上昇する
。すなわち、補正用データ電圧Vdc(高電圧)を駆動用トランジスタT1のコントロー
ルゲートCGに印加することにより、駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthを上昇さ
せて、各画素回路20の駆動用トランジスタT1の閾値のばらつきを補正する。
次に、再度上記テスト動作を行って、補正対象の画素回路における閾値補正動作後の測
定駆動電流値Idm(図7(c)における電流値Idm2)を算出する。このとき、前述
のように、駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vth(Vth2)が上昇しているため、
上記テスト動作と同一のテスト用データ電圧Vdtを駆動用トランジスタT1に供給した
場合には、測定駆動電流値Idmが減少する。ここで、図7(c)に示すように、閾値補
正動作後の測定駆動電流値Idm2が設定電流値Isよりも大きい場合には、その測定駆
動電流値Idm2の駆動電流Idが流れる画素回路に対して上記閾値補正動作をさらに行
う。2回目以降の閾値補正動作における補正用データ電圧Vdcは、前回の閾値補正動作
における補正用データ電圧Vdcよりも高い電圧値に設定される。このようにすることで
、駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFGにさらに電子eが注入され、この注入された
電子eにより駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthをさらに上昇させることができる
。なお、このときの駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFGへの電子eの注入量は、補
正用データ電圧Vdcの電圧値によって調整することが可能である。従って、補正用デー
タ電圧Vdcの電圧値を調整することによって、閾値補正動作後の駆動用トランジスタT
1の閾値電圧Vthの調整を行うことができる。検査装置17において、この補正用デー
タ電圧Vdcの電圧値の調整は、例えば閾値補正動作の回数を重ねるたびに、予め定めら
れた電圧分(例えば、1V分)ずつ電圧値を高くするようにしてもよい。また、検査装置
17において、測定駆動電流値Idmと設定電流値Isとの差に基づいて、補正用データ
電圧Vdcの電圧値を設定するようにしてもよい。
このように、補正対象である全ての画素回路に対して閾値補正動作及びテスト動作を行
い、さらに補正対象である画素回路における測定駆動電流値Idmが設定電流値Isと略
等しくなるまで、上記閾値補正動作及びテスト動作を繰返し実行する。これにより、各画
素回路20の駆動用トランジスタT1の閾値電圧のばらつきが補正されるため、全画素回
路に同一電圧値のデータ電圧Vdが供給されたときに、各画素回路20の有機EL素子2
1のそのデータ電圧Vdに対する輝度を略一様にすることができる。
次に、有機EL素子21が常時点灯状態である画素、いわゆる輝点欠陥の画素を、上記
閾値補正動作により暗点化させる方法について説明する。すなわち、輝点欠陥の画素回路
に接続されるデータ線に、該輝点欠陥の画素回路における駆動用トランジスタT1の閾値
電圧Vthを通常モード時のデータ電圧Vdの最大電圧値Vdmaxよりも上昇させるよ
うな高電圧値の補正用データ電圧Vdcを供給する。これにより、輝点欠陥であった画素
回路の駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthが上記最大電圧値Vdmaxよりも高く
なり、その駆動用トランジスタT1が通常モードにおいてオンしなくなるため、その駆動
用トランジスタT1に接続される有機EL素子21に駆動電流Idが流れなくなる。従っ
て、輝点欠陥であった画素を暗点化して、輝点欠陥を目立たなくすることができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)本実施形態によれば、各画素回路20の駆動用トランジスタT1を、浮遊ゲート
FGを有するEEPROMとした。そのため、この駆動用トランジスタT1のコントロー
ルゲートCGに高電圧の補正用データ電圧Vdcを印加することにより、浮遊ゲートFG
に電子eを注入することができ、駆動用トランジスタT1の閾値電圧を上昇させることが
できる。これにより、製造プロセス等による各駆動用トランジスタT1の閾値のばらつき
を補正でき、所定の輝度を設定したときの各画素間の輝度差を小さくすることができる、
すなわち精度良く輝度階調を制御することができる。
このように有機EL素子21に流れる駆動電流Idを制御する駆動用トランジスタT1
を、浮遊ゲートFGを有するトランジスタに変更することによって、その駆動用トランジ
スタT1の閾値のばらつきを補正できるため、各画素回路20の回路規模の増大を好適に
抑制することができる。
さらに、駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFGは絶縁体で覆われており、その浮遊
ゲートFGに注入された電子eが有機ELディスプレイ10の電源を切ったとしても保持
されるため、一度閾値補正した駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthを長時間保持す
ることができる。従って、例えば有機ELディスプレイ10の出荷時に各画素回路20の
駆動用トランジスタT1に対して閾値補正動作を行えば出荷後に閾値補正動作を行う必要
がなくなる。その結果、図13に示した従来の画素回路70のように、表示データの書き
換えの度に毎回閾値補正動作を行う必要がなくなるため、閾値電圧動作によって生じてい
た電気信号の書き込み時間の遅延を大幅に低減することができる。これにより、有機EL
ディスプレイ10における表示パネル部11のサイズが大きくなったとしても、設定され
た書き込み時間内に、各画素回路20における電気信号の書き込みを好適に終了すること
ができる。さらに、閾値電圧補正動作による消費電力についても大幅に低減することがで
きる。
(2)本実施形態によれば、有機EL素子21に流れる駆動電流Idの電流値を検出・
測定するために、接続線M1及び切替用トランジスタTsを設けて、さらにその切替用ト
ランジスタTsに検査装置17の電流測定回路17aを接続した。これにより、有機EL
素子21に流れる駆動電流Idの実際の電流値(測定駆動電流値Idm)に基づいて、過
電流であるかを判断して各画素回路20の閾値補正動作を行うことができる。従って、各
画素回路20の駆動用トランジスタT1の閾値のばらつきをより正確に補正することがで
きる。また、検査装置17において、測定した測定駆動電流値Idmと設定電流値Isと
の差に基づいて、補正用データ電圧Vdcの電圧値を設定することも可能となる。
(3)本実施形態によれば、駆動用トランジスタT1をデプレッション型のMOSトラ
ンジスタとした。駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFGに電子eを注入することによ
りその駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthを補正する閾値補正動作では、その閾値
電圧Vthを上昇させる方向のみにしか補正することができないものの、駆動用トランジ
スタT1をデプレッション型としたため、閾値電圧Vthの補正範囲を広く確保すること
ができる。
(4)本実施形態によれば、輝点欠陥である画素回路の駆動用トランジスタT1に対し
ては、その駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthを通常モード時のデータ電圧Vdの
最大電圧値Vdmaxよりも上昇させるような高電圧値の補正用データ電圧Vdcを印加
するようにした。これにより、輝点欠陥であった画素回路の駆動用トランジスタT1が通
常モード時にはオンされなくなるため、輝点欠陥であった画素を暗点化させて、輝点欠陥
を目立たなくすることができる。その結果、輝点欠陥の画素の存在により不良品とされて
いた有機ELディスプレイ10を良品とすることができるため、歩留まりを向上させるこ
とができる。
(第2実施形態)
以下、本発明を具体化した第2実施形態を図8及び図9に従って説明する。上記第1実
施形態では、検査装置が外部装置であったが、本実施形態では、上記第1実施形態の有機
ELディスプレイの各要素11〜16と同じ要素として検査部30を構成したものである
。すなわち、検査部30は、有機ELディスプレイ10とともに同有機ELディスプレイ
10が実装される携帯電話、PDA、ノートパソコン等の電子機器内に内蔵されることに
なる。
なお、本実施形態では、検査部30が電子機器内に内蔵される点が上記第1実施形態と
異なっており、説明の便宜上、第1実施形態と共通する部分は省略しその相違点を中心に
説明する。図8は、本実施形態の検査部30の電気回路を示す回路図である。
検査部30を構成する電流測定回路部31は、各電源線L1(接続線M1)毎に電流測
定回路31aを備えている。各電流測定回路31aは、接続線M1及び切替用トランジス
タTsを介して供給される上記有機EL素子21に流れる駆動電流Idをそれぞれアナロ
グ検出する。なお、テスト用の表示データは、メモリ16に予め格納されている。
各電流測定回路31aは、AD変換回路部32内の対応するAD変換器32aにそれぞ
れ接続されている。各AD変換器32aは、対応する電流測定回路31aから供給される
駆動電流Idの電流値をデジタル値に変換して測定駆動電流値Idmとして制御回路15
に出力する。
制御回路15は、各AD変換器32aからの測定駆動電流値Idmとテスト用データ電
圧Vdtに対する設定電流値Isとを比較する。制御回路15は、その比較結果をメモリ
16に格納する。すなわち、本実施形態では、制御回路15が第1実施形態における検査
装置17と同様の処理を行う。
また、制御回路15は、補正モードにおける後述する消去動作において、メモリ16に
予め記憶された消去用データを、各画素回路20に対応したマトリクスデータ(消去用マ
トリクスデータ)に変換する。この消去用マトリクスデータは、各走査線Y1〜Ynに接
続された1行分の画素回路20群を順次選択するためのテスト用走査線駆動信号と、選択
された画素回路20群の有機EL素子21に供給される消去用のデータ電圧Vdのレベル
を決定する消去用データ線駆動信号とから構成される。制御回路15は、消去用走査線駆
動信号を走査線駆動回路13に供給し、消去用データ線駆動信号をデータ線駆動回路12
に供給する。なお、上記消去用のデータ電圧Vdは、負の高電圧に設定されている。
次に、本実施形態における駆動方法の一態様である補正モードについて説明する。なお
、本実施形態の制御回路15は、所定のタイミングで上記補正モードに切り替わるように
なっている。詳しくは、制御回路15は、定期的に、あるいは電源投入直後に上記補正モ
ードに切り替わるようになっている。
例えば有機ELディスプレイ10の電源が投入されると、該有機ELディスプレイ10
内の制御回路15が補正モードに切り替わる。補正モードにおいては、まず消去動作が行
われる。以下に、消去動作について図9に従って説明する。
消去動作に切り替わると、制御回路15は、メモリ16に記憶された消去用データを、
消去用マトリクスデータに変換する。そして、制御回路15は、消去用マトリクスデータ
を構成する消去用走査線駆動信号及び消去用データ線駆動信号を走査線駆動回路13及び
データ線駆動回路12に出力する。
今、例えば走査線駆動回路13から走査線Ynの第1副走査線Z1にHレベルの第1選
択信号SL1が出力され、走査線Yn上にある画素回路20群のプログラム用トランジス
タT2がオンされる。この動作と略同時に、走査線駆動回路13から走査線Ynの第2副
走査線Z2にLレベルの第2選択信号SL2が出力され、走査線Yn上にある画素回路2
0群のスイッチング用トランジスタT3がオンされる。プログラム用トランジスタT2の
オンに基づいて、各データ電圧生成回路12aから消去用のデータ電圧Vdが駆動用トラ
ンジスタT1のコントロールゲートCGに印加される。このときスイッチング用トランジ
スタT3がオフされて、駆動用トランジスタT1のソースが開放されている。なお、ここ
で、消去用のデータ電圧Vdは、前述のように、負の高電圧に設定されている。このよう
に、駆動用トランジスタT1のコントロールゲートCGに負の高電圧が印加されると、ド
レイン領域と浮遊ゲートFG間の高電界により、浮遊ゲートFGからドレイン領域側に電
子eがトンネル電流により放出される。これにより、コントロールゲートCGに注入され
ていた電子eが引き抜かれるため、駆動用トランジスタT1の閾値電圧が元に戻る(例え
ば、図7の例では、閾値電圧Vth2→閾値電圧Vth1)。
本実施形態の制御回路15は、上記消去動作を行った後に、第1実施形態で説明したテ
スト動作及び閾値補正動作を行うようになっている。
以上、説明した実施形態によれば、第1実施形態の(1)〜(4)の作用効果に加えて
以下の効果を奏する。
(5)本実施形態によれば、検査部30を、有機ELディスプレイ10とともに同有機
ELディスプレイ10が実装される携帯電話、PDA、ノートパソコン等の電子機器内に
内蔵した。これにより、制御回路15を所定のタイミングで補正モードに切り替えて、各
画素回路20の駆動用トランジスタT1の閾値のばらつきを補正することができる。この
ように、所定のタイミング、例えば定期的に、あるいは電源投入直後に補正モードを実行
させるようにすれば、経年変化、環境温度の変化による各画素回路20の動作特性に応じ
て駆動用トランジスタT1の閾値を補正することができる。
(6)本実施形態によれば、補正モードにおいて、まず前回の補正モードにより注入さ
れた駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFG内の電子eを放出させる消去動作を行うよ
うにした。前述のように、駆動用トランジスタT1の浮遊ゲートFGに電子eを注入する
ことによりその駆動用トランジスタT1の閾値電圧Vthを補正する閾値補正動作では、
その閾値電圧Vthを上昇させる方向のみにしか補正することができない。これでは、例
えば経年変化や環境温度の変化によって駆動用トランジスタT1の動作特性が変化し、駆
動用トランジスタT1の閾値を下降させたい場合に、その駆動用トランジスタT1の閾値
を補正することができない。これに対して、本実施形態によれば、消去動作を行うことに
より、駆動用トランジスタT1の閾値を略初期状態に戻すことができるため、その時々の
駆動用トランジスタT1の動作特性に応じた閾値補正を好適に行うことができる。
(第3実施形態)
次に、第1実施形態及び第2実施形態で説明した有機ELディスプレイ10の電子機器
の適用について図10及び図11に従って説明する。有機ELディスプレイ10は、モバ
イル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用で
きる。
図10は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナル
コンピュータ50は、キーボード51を備えた本体部52と、有機ELディスプレイ10
を用いた表示ユニット53を備えている。この場合でも、有機ELディスプレイ10を用
いた表示ユニット53は上記各実施形態と同様の効果を発揮する。その結果、パーソナル
コンピュータ50は、欠陥が少なく、高精細な画像表示を実現することができる。
図11は、携帯電話の構成を示す斜視図である。携帯電話60は、複数の操作ボタン6
1と、受話口62と、送話口63と、上記有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニッ
ト64とを備えている。この場合でも、有機ELディスプレイ10を用いた表示ユニット
64は上記各実施形態と同様の効果を発揮する。その結果、携帯電話60は、欠陥が少な
く、高精細な画像表示を実現することができる。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第1実施形態では、例えば出荷前に検査装置17を使って有機ELディスプレイ
10を検査した。例えば、これを携帯電話、PDA、ノートパソコン等の携帯電子機器に
ついて、その携帯電子機器のバッテリを充電器で充電する際に、その充電中に携帯電子機
器に搭載された有機ELディスプレイ10を検査装置17で検査するようにしてもよい。
この場合、上記充電器に検査装置17を内蔵する必要がある。そして、充電を開始すると
、制御回路15が補正モードに切り替わり、各画素回路20の駆動用トランジスタT1の
閾値電圧Vthを補正することになる。このようにすることによって、携帯電子機器に搭
載された有機ELディスプレイ10について各画素回路20の経年変化による動作特性を
充電する毎に補正することができる。
・上記第2実施形態における補正モードの消去動作は、各駆動用トランジスタT1の浮
遊ゲートに注入された電子eを略全て放出するようにした。これに限らず、例えば負の高
電圧としての消去用のデータ電圧Vdの電圧値を調整することにより、駆動用トランジス
タT1の閾値電圧を下降させる方向の補正を行うようにしてもよい。
・上記第1実施形態における補正モードにおいて、第2実施形態と同様の消去動作を行
うようにしてもよい。
・上記各実施形態では、駆動用トランジスタT1とスイッチング用トランジスタT3と
を直列に接続したが、駆動用トランジスタT1とスイッチング用トランジスタT3との間
にその他の素子を挿入してもよい。なお、この場合にも駆動用トランジスタT1に対して
スイッチング用トランジスタT3は直列に接続されていることになる。
例えば、図12に示すように、駆動用トランジスタT1とグランドとの間にトランジス
タT4を設けるようにしてもよい。この場合に、閾値補正動作時において、プログラム用
トランジスタT2をオンし、スイッチング用トランジスタT3をオフした状態で、走査線
を構成する第3副走査線Z3を通じてHレベルの第3選択信号SL3をトランジスタT4
のゲートに供給し、トランジスタT4をオンする。これにより、補正用データ電圧Vdc
が駆動用トランジスタT1のコントロールゲートCGに印加されるときに流れる過電流で
ある駆動電流Idが有機EL素子21に流れることを好適に抑制することができる。
・上記各実施形態におけるスイッチング用トランジスタT3を省略するようにしてもよ
い。このトランジスタT3を省略したとしても、閾値補正動作により駆動用トランジスタ
T1の閾値電圧Vthを上昇させて補正することができるため、上記各実施形態と同様の
効果を得ることができる。
・上記各実施形態では、電流検出部として接続線M1を設けたが、例えば電流検出部と
して、電源線L1に直列に接続される低抵抗値の抵抗を設けるようにしてもよい。また、
電流検出部として、電源線L1に並列に接続される高抵抗値の抵抗を設けるようにしても
よい。
・上記第1実施形態における接続線M1、セレクト回路14を省略してもよい。この場
合、補正モードにおけるテスト動作時に、各有機EL素子21の輝度により補正が必要な
画素回路を選択する。そして、その選択に基づいて検査装置17は、補正対象の画素回路
に対して閾値補正動作を実行する。
・上記第1実施形態において、測定駆動電流値Idmと設定電流値Isとの比較や補正
用データ電圧Vdcの電圧値の調整等を、第2実施形態と同様に、制御回路15で行なう
ようにしてもよい。
・上記各実施形態では、測定駆動電流値Idmと設定電流値Isとを比較して補正が必
要な画素回路を選択したが、例えば測定駆動電流値Idmと予め設定された上限電流値及
び下限電流値とを比較するようにしてもよい。とくに、第1実施形態において、測定駆動
電流値Idmが下限電流値よりも低い画素回路を動作不能と判断するようにしてもよい。
これにより、製品として出荷できるか否かの判断材料にすることができる。
・上記各実施形態では、補正モードにおけるテスト動作を、テスト用データに基づいて
行うようにしたが、例えば実際の表示データに基づいてテスト動作を行うようにしてもよ
い。
・上記各実施形態における各トランジスタT1〜T4,Tsの導電型に特に制限はない
。すなわち、各トランジスタT1〜T3,Tsは、Pチャネル型のトランジスタであって
もよい。なお、この場合、その導電型に応じて各信号SL1,SL2,G1の信号レベル
を変更するとともに、
・上記各実施形態における駆動用トランジスタT1を、エンハンスメント型のMOSト
ランジスタにしてもよい。
・上記各実施形態における駆動用トランジスタT1は、コントロールゲートCGと浮遊
ゲートFGを備えたトランジスタであればよく、例えばスタックトゲート型のトランジス
タでもよく、スプリットゲート型のトランジスタでもよい。また、駆動用トランジスタT
1は、EEPROMに制限されるものではなく、フラッシュメモリやEPROMであって
もよい。なお、EPROMの場合は、第2実施形態のような消去動作を行うことはできな
い。EPROMにおいて、消去動作を行うためには、紫外線照射装置によって紫外線を各
駆動用トランジスタT1に照射する必要がある。
・上記各実施形態では、画素回路の電流駆動素子として有機EL素子21について具体
化したが、無機EL素子に具体化してもよい。すなわち、無機EL素子からなる無機EL
ディスプレイに応用してもよい。あるいは、液晶ディスプレイに応用してもよい。この場
合、輝点欠陥の画素に対して、上述した輝点欠陥を暗転化させる方法を適用することによ
り、上記第1実施形態と同様に輝点欠陥を目立たなくすることができる。これにより、第
1実施形態と同様に歩留まりを向上させることができる。
第1実施形態の有機ELディスプレイの回路構成を示すブロック図。 同じく、有機ELディスプレイと検査装置を示すブロック図。 同じく、画素回路の内部構成を示す回路図。 通常モードにおける各信号のタイミングチャート。 テスト動作における各信号のタイミングチャート。 閾値補正動作における画素回路を示す回路図。 (a)〜(c)はそれぞれ閾値補正動作における駆動用トランジスタの動作特性を示す特性図。 第2実施形態の検査部を示すブロック図。 消去動作における画素回路を示す回路図。 第3実施形態のモバイル型パーソナルコンピュータを示す斜視図。 第3実施形態の携帯電話を示す斜視図。 変形例の画素回路を示す回路図。 従来の画素回路を示す回路図。
符号の説明
C…容量素子としての保持キャパシタ、T1…駆動用トランジスタ、T2…第1のトラ
ンジスタとしてのプログラムトランジスタ、T3…第2のトランジスタとしてのスイッチ
ング用トランジスタ、T4…第3のトランジスタとしてのトランジスタ、M1…電流検出
部を構成する接続線、X1〜Xm…データ線、Y1〜Yn…走査線、CG…コントロール
ゲート、FG…浮遊ゲート、10…電気光学表示装置としての有機ELディスプレイ、1
4…電流検出部を構成するセレクト回路、15…比較回路を構成する制御回路、16…記
憶回路としてのメモリ、17…比較回路を構成する検査装置、17a,31a…電流測定
回路、20…駆動回路としての画素回路、21…電流駆動素子としての有機EL素子、3
0…検査部。

Claims (14)

  1. 第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
    前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、
    前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流が供給される電流駆動素子と、を備え、
    前記駆動用トランジスタは、前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲートと、絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを備え、
    前記駆動用トランジスタは、デプレッション型のトランジスタであることを特徴とする電気光学表示装置の駆動回路。
  2. 前記電流駆動素子に供給される電流を検出する電流検出部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電気光学表示装置の駆動回路。
  3. 前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に、該駆動用トランジスタに直列
    接続された第2のトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光学表示装置の駆動回路。
  4. 前記駆動用トランジスタとグランドとの間に、該駆動用トランジスタに直列に接続さ
    た第3のトランジスタを備えたことを特徴とする請求項に記載の電気光学表示装置の駆動回路。
  5. 前記電流駆動素子は、発光層が有機材料で構成されるEL素子であることを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の電気光学表示装置の駆動回路。
  6. 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲートを有して、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流が供給される電流駆動素子と、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトランジスタとを、備え、前記駆動用トランジスタは、デプレッション型のトランジスタである電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法であって、
    前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに、表示データを表示する際に供給される電気信号の電圧値の最大値よりも高電圧の電気信号を供給する第1のステップを備えたことを特徴とする電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法。
  7. 前記第1のトランジスタをオンさせ前記第2のトランジスタをオフさせた状態で、前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに、負の高電圧の電気信号を供給する第2のステップを備えたことを特徴とする請求項に記載の電気光学表示装置の駆動回路の駆動方法。
  8. 走査線とデータ線に接続された駆動回路を備えた電気光学表示装置において、
    前記駆動回路は、
    第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
    前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲートと、絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを備え、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、
    前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、を備え
    前記駆動用トランジスタは、デプレッション型のトランジスタであることを特徴とする電気光学表示装置。
  9. 前記電流駆動素子に供給される電流量を検査部に供給する電流検出部と、
    所定の表示データに基づいて前記駆動回路の容量素子に供給する電気信号を設定する制御回路と、を備え、
    前記検査部は、前記電流検出部からの電流量を測定して電流値を算出する電流測定回路と、該電流測定回路にて算出した電流値と予め設定された設定値とを比較する比較回路と、該比較回路における比較結果を記憶する記憶回路と、を備えることを特徴とする請求項に記載の電気光学表示装置。
  10. 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを有して、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトランジスタとを、を備え、走査線とデータ線に接続された駆動回路と、
    所定の表示データに基づいて前記駆動回路の容量素子に供給する電気信号を設定する制御回路と、を備え、前記駆動用トランジスタは、デプレッション型のトランジスタである電気光学表示装置の駆動方法であって、
    前記制御回路にて前記表示データを表示する際に供給する電気信号の電圧値の最大値よりも高電圧の補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、前記データ線及び前記第1のトランジスタを介して前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を供給する第1のステップ
    を備えたことを特徴とする電気光学表示装置の駆動方法。
  11. 前記表示データに基づいて前記制御回路にて設定された電気信号が前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに供給されるときに前記電流駆動素子に供給される電流量を、電流検出部にて検査部に供給する第2のステップと、
    前記電流量を測定して電流値を算出し、前記算出した電流値と予め設定された設定値とを比較する第3のステップと、
    前記制御回路にて前記比較結果に基づいて前記補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記電気信号を供給する第4のステップを備えたことを特徴とする請求項10に記載の電気光学表示装置の駆動方法。
  12. 前記制御回路にて負の高電圧の補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタをオンさせた状態で、前記第2のトランジスタをオフさせて、前記データ線及び前記第1のトランジスタを介して前記駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を供給する第5のステップを備えたことを特徴とする請求項10又は11に記載の電気光学表示装置の駆動方法。
  13. 前記制御回路にて、前記表示データを表示する際に供給する前記電気信号の電圧値の最大値よりも前記駆動用トランジスタの閾値電圧を上昇させる高電圧値の前記補正用の電気信号を設定し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタをオンさせた状態で、輝点欠陥である前記駆動回路の駆動用トランジスタのコントロールゲートに前記補正用の電気信号を供給する第6のステップを備えたことを特徴とする請求項1〜1のいずれか1つに記載の電気光学表示装置の駆動方法。
  14. 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量が供給されるコントロールゲート及び絶縁膜に覆われた浮遊ゲートとを有して、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタの導通状態に応じた電流量が供給される電流駆動素子と、前記電流駆動素子と前記駆動用トランジスタとの間に接続された第2のトランジスタとを、を備え、走査線とデータ線に接続された駆動回路と、
    所定の表示データに基づいて前記駆動回路の容量素子に供給する電気信号を設定する制御回路と、
    を備え、
    前記駆動用トランジスタは、デプレッション型のトランジスタである電気光学表示装置が実装されてなる電子機器。
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