TWI299746B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI299746B TWI299746B TW091108377A TW91108377A TWI299746B TW I299746 B TWI299746 B TW I299746B TW 091108377 A TW091108377 A TW 091108377A TW 91108377 A TW91108377 A TW 91108377A TW I299746 B TWI299746 B TW I299746B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- compound
- ruthenium compound
- solution
- alcohol
- reaction mixture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/02—Polysilicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
- C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31667—Next to addition polymer from unsaturated monomers, or aldehyde or ketone condensation product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
1299746 A7 B7 五、發明説明(j ) 技術領域 本發明係有關可形成厚膜之氧化矽系塗膜之形成方法 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 更詳言之,本發明係有關,使用可形成厚膜之氧化矽 系被覆材料,形成適用於平坦化膜、層間絕緣膜、保護膜 '鈍化膜等電子材料用途之厚膜之方法。並係有關該氧化 石夕系被覆材料及製造方法。 先行技術 向來,氧化矽系被覆材料已見應用於種種領域。例如 在半導體裝置中,係用作半導體基板與鋁配線層等金屬配 線層之間,或金屬配線間之絕緣膜。更亦利用作設於半導 體基板上之P N結合半導體、及電容器元件、電阻元件等 各種元件之保護膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’若於半導體基板上設金屬配線層等,則半導體基 板上因金屬配線層等產生凹凸。要再於該凹凸面上形成金 屬配線層等,則因凹凸高低,會有斷線發生。因此,如上 以氧化矽系絕緣膜形成於因金屬配線層及各種元件而凹凸 之面上,有平坦化之作用。 用在如上領域之氧化矽系被膜,一般多係以c V D法 、濺鍍法等氣相生長法,或使用氧化矽系被膜形成、用被覆 組成物,形成氧化矽系被膜之塗布法,形成氧化矽系被膜 〇 用以形成如此之氧化矽系被膜之塗布液,係用矽氧烷 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4- 1299746 A7 B7 五、發明説明(2 ) 聚合物。該矽氧烷聚合物前驅物之一聚烷基矽倍半氧烷前 驅物,有例如日本專利特開昭6 3 - 2 4 1 0 7 6號公報 、特開平3 - 1 2 6 6 1 2號公報之揭示。但是,此止已 揭示之方法,係烷基烷氧基矽烷之水解形成烷基矽氧烷聚 合物之方法,該方法中水解、聚縮合反應之控制不易。再 者,該溶液若濃度高到可一次塗布即形成厚膜,則因保存 穩定性惡化,故爲形成厚膜係以重複數次塗布加以規避。 又,另有聚矽氨烷經熱處理,用作氧氮化矽膜之方法 (特開昭6 2 - 8 8 3 2 7號公報),聚砂氨烷於水蒸氣 中作熱處理,變成矽氧化膜而使用之方法之揭示。這些使 用聚矽氨烷之方法,雖可一次塗布形成厚膜,但熱處理之 際產生氨、胺、有污染配線材料等之問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明之揭示 本發明係在提供,於種種基板上簡便高效形成0 . 5 至5微米厚之氧化矽系被膜之方法,及該被膜,供作形成 如此之氧化矽系被膜之穩定塗布液工業產品,及其高效製 造方法。本發明係以式(1 ) s i (〇 R ) 4 ( 1 ) (¾中R表有1至5碳原子之烷基。)之矽化合物(A) 及/或式(2 ) R 1 n S i ( 〇 R 2 ) 4 _ n ( 2 ) (其中R1表有1至5碳原子,非取代或有取代基之烷基、 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNs) A4規格(2ΐ〇χ297公羡) -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1299746 A7 B7五、發明説明(3 ) 脂烯基或芳基,R2表有1至5碳原子之烷基。:1表1至3 之整數。)之矽化合物(B),與式(3) R 3 C Η 2 Ο Η ( 3 ) (其中R 3表有氫原子或1至1 2碳原子,非取代或有取代 基之烷基。)之醇(C ),草酸(D ),以對砂化合物( A)及矽化合物(B)所含全部烷氧基1莫耳,醇(c) 0 . 5至1 0 0莫耳之比例’對矽化合物(a )及砂化合 物(B)所含全部烷氧基1莫耳,草酸(D) 〇 . 2至2 莫耳之比例形成反應混合物,維持該反應混合物中醇(c )之用量使矽原子換算之S i〇2濃度在〇 · 5至1 1%, 於5 0至1 8 0 °C加熱至該反應混合物中矽化合物(A ) 及矽化合物(B )之總殘留量在5莫耳%以下,成含聚$ 乙烯換算數均分子量2 0 0 0至1 5 0 〇 〇之聚砂氧院溶 液之塗布液,以之塗布於基材表面,於8 0至6 0 〇°C熱 硬化,於該基材表面形成厚0 . 5至5微米之氧化砂系被 膜。 本發明中矽化合物係用矽化合物(A )及/或矽化合 物(B )。在此,矽化合物(A )及/或矽化合物(b ) 有以下三樣態。1 )矽化合物(A ) ,2 )矽化合物(B ),3 )矽化合物(A )及矽化合物(B )。 本發明之聚矽氧烷溶液係透明,不含凝膠狀之聚矽氧 烷。有大量醇(C)及較大量草酸(D)之共存,不加水 ,反應混合物中矽化合物(A )及/或矽化合物(B )加 熱而成之該聚矽氧烷,並非矽化合物(A )及/或矽化合 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 鲁· 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -6- 1299746 A7 B7 五、發明説明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物(B )之水解物縮合產生者。醇溶劑中水解以烷氧基矽 烷產生聚矽氧烷時,隨水解之進行液體變濁,易生成不均 勻之聚矽氧烷,而本發明之反應混合物並非如此。 本發明所得之聚矽氧烷,其化學構造複雜難以鑑定, 應係由於矽化合物(A )及/或矽化合物(B ),與草酸 (D )反應生成中間體,經醇(C )之作用而聚合,故即 使有分枝構造,仍係生成可形成溶液之程度的聚合度之聚 石夕氧院。 本發明所得之聚矽氧烷,其聚苯乙烯換算數均分子量 在 2000 至 1 5000,以 2000 至 8 000 爲佳, 分子量低於2 0 0 0時,成膜時膜之收縮大,膜厚〇 . 5 微米以上即易起龜裂。而分子量大於1 5 0 0 0時,所得 聚矽氧烷因分子量高,溶液黏度高,易起凝膠化等問題, 儲存穩定性差。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 塗布於該基材上,含上述聚矽氧烷溶液之塗膜經加熱 ,自該塗膜去除揮發分,則該塗膜中之聚矽氧烷進行硬化 反應,而密合於該基材表面,生成厚膜而龜裂界限高,透 明性優之不溶性被膜。 發明之最佳實施形態 式(1 )及式(2 )所含烷基R及R 2之例有甲基、乙 基、丙基、丁基等,較佳矽化合物(A )之例有四甲氧基 矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷等。 其中以四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷爲特佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' ' 1299746 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明(5 ) 式(2)之R1有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯 基、乙烯基等。較佳之矽化合物(B )之例,當式(2 ) 中η係1時,有甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、 丙基三乙氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽 烷、乙烯基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙 氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、苯基 三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。式(2)中η係2 時,有二甲基二甲氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二丙 基二乙氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基 矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二 乙基二乙氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丁基二乙氧 基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷等 。式(2)中η係3時,有三甲基甲氧基矽烷、三乙基甲 氧基矽烷、三丙基甲氧基矽烷、三丁基甲氧基矽烷、三苯 基甲氧基矽烷、三乙烯基甲氧基矽烷、三曱基乙氧基矽烷 、三乙基乙氧基矽烷、三丙基乙氧基矽烷、三丁基乙氧基 矽烷、三苯基乙氧基矽烷、三乙烯基乙氧基矽烷等。 這些之中,當矽化合物(Β )不與矽化合物(A )倂 用,單獨使用時,係以式(2 )中η爲1時所例示之甲基 三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、 丁基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷 '乙烯基三甲氧基 矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙 氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯 基三乙氧基矽烷等爲較佳。其中尤以甲基三乙氧基矽烷爲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1299746 A7 ___B7 五、發明説明(6 ) 特佳。 又矽化合物(B )與矽化合物(A )倂用時,係以甲 基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷 '乙基三乙氧基砂 烷、二乙基二乙氧基矽烷、r -甲基丙烯醯氧基丙基三甲 氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基砍院 、苯基三乙氧基矽烷等爲特佳。這些矽化合物(B )可單 獨或二種以上組合使用。 式(B )所含非取代烷基R 3之例有甲基、乙基、丙基 、丁基、戊基、己基 '庚基、辛基等,有取代基之烷基R3 之例則有羥基甲基、曱氧基甲基、乙氧基甲基、經基乙基 '甲氧基乙基、乙氧基乙基等。較佳醇(C )之例有甲醇 、乙醇、丙醇、正丁醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚等 ,可單獨或二種以上組合使用。其中以乙醇爲特佳。 矽化合物(A )及矽化合物(B )所含全部院氧基每 1莫耳,若草酸(D )之用量少於〇 . 2莫耳,則所得聚 砂氧院分子量低,膜之硬度低。反之,若砂化合物(A ) 及矽化合物(B )所含全部烷氧基每1莫耳,草酸(d ) 用量多於2莫耳,則所得含聚矽氧烷之液中含相對大量草 酸(D ),該液無法提供所欲之膜性能。對矽化合物(a )及矽化合物(B )所含全部烷氧基1莫耳,以用草酸( D ) 0 · 2 5至1莫耳爲特佳。 聚砂氧院溶液之調製,除砂化合物(A )、砂化合物 (B )、醇(C )及草酸(D )外,必要時亦可倂用未用 到上述矽化合物(A )及矽化合物(B )之烷氧基矽烷作 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1299746 A7 ΒΊ 五、發明説明(7 ) 爲改質劑。較佳改質劑之例有r -胺基丙基三甲氧基矽院 、r -胺基丙基三乙氧基矽烷、r -環氧丙氧基丙基三甲 氧基矽烷、r -環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、r -甲基 丙烯醯氧基丙基三曱氧基矽烷、τ -甲基丙烯醯氧基丙基 三乙氧基矽烷等。這些改質劑可降低基板上塗膜硬化所須 溫度,並提升膜對基板之密合性。 含矽化合物(a )及/或矽化合物(b ),醇(c ) 及草酸(D )之反應混合物,可混合以上成分,或更添加 上述改質劑而形成。該反應混合物不加水。而該反應混合 物較佳者爲以溶液狀予以加熱爲佳,例如,先於醇(c ) 加草酸(D )溶解成溶液後,混合該矽化合物(a )、矽 化合物(B ),上述改質劑等成溶液狀反應混合物予以加 熱,或於該矽化合物(A )、砂化合物(B ),上述改質 劑之混合物中,混合預先加草酸(D )於醇(C )溶解而 成之瘠液,得溶液狀反應混合物予以加熱乃爲較佳。通常 ’砂化合物(A)、砂化合物(B)、醇(C)、草酸( D )之上述比率之反應混合物,其所含矽原子以s丨〇2換 算係爲0·5至11重量%之濃度。含上述改質劑時,所 含上述改質劑亦係使矽原子含量經s丨〇2換算在〇 · 5至 1 1 %之濃度。這些反應混合物之加熱當中,其上述 S 1〇2濃度得以維持,同時維持無水之存在。該加熱可於 通常之反應器中於液溫5 0至1 8 〇 r爲之,較佳者爲, 不使液體自反應器蒸發、揮散等,例如於密閉容器內或回 流下進行。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格( 210X297公釐y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-10- 1299746 A7 B7 五、發明説明(8 ) 若用以生成聚矽氧烷之加熱溫度低於5 0 t,則會變 濁’易成含不溶物之液,在5 〇 aC以上時溫度愈高可於愈 短時間結束。但若溫度高於1 8 0 °c亦不得附加利益,效 率不佳。加熱時間無特殊限制,例如5 〇 t:之8小時左右 ,7 8 °C回流下之3小時即可。通常,對矽化合物(a ) 及砂化合物(B )之全入料量,殘留多於5莫耳%的這些 砂化合物之含聚矽氧烷液,將之塗布於基板表面,其塗膜 於8 0至6 0 0 °C熱硬化,所得膜有針孔產生,或不得充 分硬度之膜。 上述經加熱而得之聚矽氧烷溶液,可直接用作其次的 塗布過程之塗布液,但必要時可先經濃縮或稀釋,或以其 它溶劑取代,或混合必要之添加物後用作塗布液。該添加 物之例有膠體狀微粒等固體之無機微拉,其它金屬鹽、金 屬化合物等。這些有利於膜硬度、與基板之密合性、折射 率等之調節。用作塗布過程之塗布液時,其中來自上述聚 矽氧烷透明溶液之矽原子,以S i 0 2換算之含量以〇 . 5 至18重量%爲佳,該Si〇2濃度低於0·5重量%時, 一次塗布形成之膜厚易於過薄,而若濃度高於1 8重量% ,該溶液之儲存穩定性易有不足。該塗布液之S i〇2濃度 係以2至1 5 %爲特佳。 上述聚矽氧烷溶液可用通常之方法,例如浸塗法、旋 塗法、刷塗法、輥塗法、軟版印刷法等塗布於基板上。以 該聚矽氧烷溶液塗布於基板上時,其特徵爲:僅以一次塗 布即可形成足夠膜厚,而必要時亦可多次塗布。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1299746 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _ _ B7_— —_ 五、發明説明(9 ) 形成於基板上之塗膜,可直接加熱硬化’亦可先於室 溫至8 0。(:,以5 0至8 0 t:爲較佳,乾燥後再於8 0至 6 0 〇 °c,以8 0至4 0 0 t:爲較佳,加熱5至6 0分鐘 左右。若該加熱溫度低於8 0 °C,則所得被膜之硬度 '耐 藥品性等傾向不足。高於6 0 0 °C則發生有機基之脫離、 被膜龜裂、有被膜剝離之虞而不佳。這些加熱可用例如熱 板、烤箱、帶爐等。 硬化後之膜厚通常係調整爲0 . 0 1至3 · 0微米。 本發明所得氧化矽系被膜,爲作底材落差之平坦化,可用 有效之0.5至5微米之較厚膜。 以下藉實施例及比較例更具體說明本發明,惟本發明 不限於這些實施例。 實施例中聚矽氧烷在溶液中之分子量,係以高速液體 層析經G P C法求出聚苯乙儲換算數均分子量。量測條件 如下。 〔G P C法量測條件〕 溶離液:T H F 管柱:Shodex公司製K F — 8 0 4 L 流速:1毫升/分鐘 標準物質:聚苯乙烯(2 10000、70600、 28600、9860、2960、580) 檢測器:RI 樣本濃度:1重量% Ϊ紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) "" -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1299746 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明(1〇 ) 實施例1 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 1 · 2克,攪 拌下分次少量添加草酸1 8 . 0克,調製草酸之乙醇溶液 。於該溶液滴入四乙氧基矽烷2 0 · 8克。滴完後加熱該 溶液至回流溫度,回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固 體成分濃度6重量%之聚矽氧烷溶液(L 一 1)。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。溶液 分子量係聚苯乙烯換算數均分子量2 8 0 0。 實施例2 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 4 · 9克,攪 拌下分次少量添加草酸1 5 . 8克,調製草酸之乙醇溶液 。於該溶液滴入四乙氧基矽烷10.4克及甲基三乙氧基 矽烷8 · 9克之混合物。滴完後加熱該溶液至回流溫度, 回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度6重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 2 )。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。並且 該溶液之分子量,係聚苯乙烯換算數均分子量5 6 0 0。 實施例3 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇5 0 · 7克,攪 拌下分次少量添加草酸2 1 . 6克,調製草酸之乙醇溶液 。於該溶液滴入四乙氧基矽烷6.3克及甲基三乙氧基矽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) -13- 1299746 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(q ) 烷2 1 . 4克之混合物。滴完後加熱該溶液至回流溫度, 回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度9重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 3)。 該溶液經氣相層析,無烷氧基單體之偵測。分子量係 聚苯乙烯換算數均分子量6000。 實施例4 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇5 3 . 0克,攪 拌下分次少量添加草酸2 0 · 3克,調製草酸之乙醇溶液 。於該溶液滴入甲基三乙氧基矽烷2 6 . 8克。滴完後加 熱該溶液至回流溫度,回流下持續加熱5小時後冷卻,調 製固體成分濃度9重量%之聚矽氧烷溶液(L - 4)。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。又, 分子量係聚苯乙烯換算數均分子量6 2 0 0。 實施例5 . 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 4 . 3克,攪 拌下分次少量添加草酸1 5 · 8克,調製草酸之乙醇溶液 。於該溶液滴入四乙氧基矽烷1 〇 . 4克及乙烯基三乙氧 基矽烷9 · 5克之混合物。滴完後加熱該溶液至回流溫度 ,回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度9重 量%之聚矽氧烷溶液(L 一 5 )。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。分子 量係聚苯乙烯換算數均分子量4 3 0 0。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ ~ 一 -14 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1299746 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(12 ) 實施例6 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 1 . 8克,擾 拌下將草酸1 5 . 8克以分次少量添加,調製草酸之乙醇 溶液。於該溶液滴入四乙氧基矽烷10·4克及苯基三乙 氧基砂院1 2 · 0克之混合物。滴完後加熱該溶液至回流 溫度,回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度 6重量%之聚矽氧烷溶液(L 一 6)。 該溶液經氣相層析,無院氧基矽院單體之偵測。溶液 分子量係聚苯乙烯換算數均分子量4 7 0 0。 實施例7 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 2 · 3克,攪 拌下將草酸1 7 _ 3克分次少量添加,調製草酸之乙醇溶 液。於該溶液滴入四乙氧基矽烷1 9 · 8克及三甲基乙氧 基矽烷0 · 6克。滴完後加熱該溶液至回流溫度,回流下 持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度6重量%之聚 矽氧烷溶液(L 一 2 1 )。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。分子 量係聚苯乙烯換算數均分子量3 1 0 0。 實施例8 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇6 2 . 7克’攪 拌下以草酸1 7 . 1克分次少量添加,調製草酸之乙醇溶 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 1299746 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(13) 液。於該溶液滴入四乙氧基矽烷18.7克及二甲基二乙 氧基矽烷1 · 5克。滴完後加熱該溶液至回流溫度,回流 下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分濃度6重量%之 聚矽氧烷溶液(L 一 2 2 )。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。分子 量係聚苯乙烯換算數均分子量3800。 比較例1 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇7 1 · 9克及四 乙氧基矽烷2 0 · 8克,混合均勻。該溶液加水7 · 2克 及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝酸)〇 . 1克後持續攪拌 3 0分鐘,調製固髏成分6重量%之聚矽氧烷溶液(L -7)〇 比較例2 * 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇7 4 . 3克,四 乙氧基矽烷1 〇 . 4克及甲基三乙氧基矽烷8 . 9克,混 合均勻。其次加水6 · 3克及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝 酸)0 · 1克,持續攪拌3 0分鐘,調製固體成分6重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 8 )。 比較例3 ‘ 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇6 6 . 4克,四 乙氧基矽烷6 _ 3克及甲基三乙氧基矽烷21 . 4克,混 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -16- 1299746 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(14 ) 合均勻。再加水5 . 8克及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝酸 )0.1克,持續攪拌30分鐘,調製固體成分9重量% 之聚矽氧烷溶液(L 一 9 )。 比較例4 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇6 7 . 7克,及 甲基三乙氧基矽烷26.8克,混合均勻。再加水5.4 克及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝酸)0 . 1克,持續攪拌 3 0分鐘,調製固體成分9重量%之聚矽氧烷溶液(L -10)〇 比較例5 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇7 3 . 7克,四 乙氧基矽烷10 . 4克及乙烯基三乙氧基矽烷9 . 5克, 混合均勻。再加水6 . 3克及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝 酸)0 . 1克,持續攪拌3 0分鐘,調製固體成分6重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 11)。 比較例6 於配備回流管之四口反應瓶加入乙醇7 1 . 2克,四 乙氧基矽烷1 0 . 4克及苯基三乙氧基矽烷1 2 · 0克, 混合均勻。再加水6 · 3克及觸媒濃硝酸(6 0重量%硝 酸)0 . 1克,持續攪拌3 0分鐘,調製固體成分6重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 12)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 1299746 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(彳5) 比較例7 於配備回流管之四口反應瓶投入乙醇57.9克,攪 拌下以草酸1 8 · 0克分次少量添加,調製草酸之乙醇溶 液。再於溶液滴入四乙氧基矽烷4.2克及己基三乙氧基 矽烷1 9 . 9克之混合物。滴完後加熱該溶液至回流溫度 ’於回流下持續加熱5小時後冷卻,調製固體成分6重量 %之聚矽氧烷溶液(L 一 1 3 )。 該溶液經氣相層析,無烷氧基矽烷單體之偵測。分子 量係聚苯乙烯換算數均分子量1 8 0 0。 評估例1 上述(L— 1)至(L— 13)及(L 一 21)、( L - 2 2 )之聚矽氧烷溶液於密閉玻璃容器中在2 3 °C放 置三個月。觀察其間混濁之發生,沈澱等之有無,得表1 之結果。該表中,〇示上述放置三個月時全無可見變化, △示放置一個月時產生白濁,而X表放置2週以內即已產 生白濁。同表中(L— 1)至(L — 7) , (L — 13) 及(L 一 2 1 ) 、( L — 2 2 )穩定性良好,相對地,( L — 9 )於1 〇日後凝膠化,(L — 1 0 )在溶液調製時 已呈白濁。又,(L一11)於10日後產生白濁,(L 一 12)於5日後產生白色沈澱。 如此,表1之結果呈示,實施例之聚矽氧烷溶液比經 水解法調製之聚矽氧烷溶液穩定性高。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 1299746 A 7 __B7_五、發明説明(16) 評估例2 於矽基板上旋塗上述(L 一 1)至(L 一 8) ,(L 一 13)及(L — 21) 、(L 一 22)之聚矽氧烷溶液 ,再於8 0 t乾燥,形成塗膜,觀察塗膜表面測試這些溶 液之成膜性。結果列於表1。表中〇示塗膜均勻,△不塗 膜局部有針孔出現,而X表塗膜有彈性。 表1之結果呈示,(L— 1)至(L — 8) ,(L 一 13)及(L 一 21) 、(L — 22)之聚矽氧烷溶液成 膜性良好,相對地,(L 一 9 )至(L 一 1 2 )之聚矽氧 烷溶液成膜性不足。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 1299746 A7 B7 五、發明説明(17 ) 表1 溶液 穩定性 成膜性 L-1 〇 〇 L-2 〇 〇 L-3 〇 〇 L-4 〇 〇 L-5 〇 〇 L-6 〇 〇 L-7*) Δ 〇 L-8” Δ 〇 L-9*) X Δ L-10” X X L-11” X Δ L-12” X X L-13” 〇 〇 L-21 〇 〇 L-22 〇 〇 比較例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 評估例3 以評估例1中呈示良好成膜性之(L 一 1 )至(l - 8) ’ (L — 13)及(L — 21) 、(L — 22)之聚 石夕氧院溶液,各以旋塗成膜於基板上,於熱板上以8 〇 °c 乾燥5分鐘,再於鍛燒爐中以3 0 0 °C加熱,於基板表面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20- 1299746 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 B7五、發明説明(18) 形成被膜。所得被膜藉以下方法,測量鉛筆硬度,一次塗 布所得被膜之最大膜厚’穿透率。 鉛筆硬度:依J I s K 5 4 0 0所規定之方法。 最大膜厚:上述聚矽氧烷溶液以旋轉蒸發器濃縮成固 體成分濃度1 〇至1 5重量%之塗布液加以使用。測出基 板上無龜裂發生之最大膜厚。膜厚係以刀具割裂後加熱硬 化,對所得被膜,用朗克帖勒霍浦森公司製之計數階差儀 測出落差而測得。 穿透率:於石英基板上用上述聚矽氧烷溶液形成厚 0 . 3微米之被膜,用島津製作所(股)製之分光高度計 U V 3 1 0 〇 p c,於8 0 0至2 0 0奈米波長之領域測 出穿透率。 這些測量結果列於表2。 相對於比較例1以水解法所得塗布液(L - 7 )之最 大膜厚〇 · 3微米,實施例1之塗布液(L — 1 )之最大 膜厚達〇.8微米。實施例7及8之塗布液(L一21) 及(L 一 22)之最大膜厚各爲1 · 2及1 . 6微米。又 ,實施例2至實施例6之塗布液(L 一 2 )至(L 一 6 ) ,膜厚2微米以上亦全無龜裂,可得透明性高、硬度高、 平坦性良好之被膜。而比較例7之數均分子量1 8 0 0之 塗布液(L 一 1 3 ),透明性、平坦性雖良好,但最大膜 厚僅0 . 4微米。 實施例1至6以及實施例7、8之聚矽氧烷溶液,穿 透率均在9 0 %以上,所得被膜具良好透明性。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 1299746 A7 B7 五、發明説明(19) 表2 溶液 鉛筆硬度 最大膜厚(// m ) | 穿透率 L-1 8H 0.8 90%以上 L-2 7H 2.4 90%以上 L-3 7H >3.0 90%以上 L-4 7H >3.0 90%以上 L-5 8H 2.5 90%以上 L-6 7H 2.5 90%以上 L-7*) 7H 0.3 90%以上 L-8*) 6H 0.8 90%以上 L-13” 4H 0.4 90%以上 L-21 8H 1.2 90%以上 L-22 7H 1.6 90%以上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ” 比較例 產業上之利用可能性 根據本發明,僅以原料之混合,及一回之加熱處理即 可高效調製塗布液,且該塗布液在常溫可保存三個月以上 ’較佳者其穩定性足以保存六個月以上,可作工業產品。 根據本發明,可一次塗布形成厚膜,可提供龜裂界限 高、透明性優,並具充分硬度之氧化矽系被膜,適用作平 坦化膜、半導體元件、液晶顯示元件等之層間絕緣膜、保 護膜等。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- 1299746 ί;η 申請曰期 91 年 4 月 23 日 案 號 91108377 類 別 C^D (以上各棚由本局填註) 中文說明書修正頁 民國92年12月26日修正$
公告本I
备J專利説 明書 氧化矽条厚膜之形成方法 中 文 發明 新型 名稱 英 文
Process for forming a silica-based coating film 姓 名 國 籍 (1) 元山賢一 (2) 中田孝和 (3) 古性均 (1)日本國千葉縣船橋市坪井町七二二番地一 式会社電子材料研究所内 曰産化学工業株
裝 發明 創作 人 住、居所 (2)日本國東京都千代田區神田錦町三丁目七番地一日産化学工 業株式会社内 (3)日本國東京都千代田區神田錦町三丁目七番地一日産化学工 業株式会社内 訂 姓 (名稱) ^ (1)日産化學工業股份有限公司 ^ 日産化学工業株式会社 國 籍 (1)日本 (1)日本國東京都千代田區神田錦町三丁目七番地一 三、申請人 住、居所 (事務所) 代表人 姓 名 (1)藤本修一郎 本威張尺度適用中國國家標準·( CNS ) A4規格(2丨OX 297公釐) 1299746 92· 12-26 申請曰期 91年 4月23日 案 號 91108377 類 別 (以上各攔由本局填註) 霉墨專利説明書 中 文 發明 新型 名稱 英 文 (4)袋裕善 姓 名 國 籍 日本國千葉縣船橋市坪并町七二二番地一 式会社電子材料硏究所内 曰産化学工業株 發明 創作/ 住、居所 姓 名 (名稱) 經濟部眢您財走局S:工消骨合作社¥奴 國 籍 三、申請人 住、居所 (事務所) 代表人 姓 名 本紙張尺度適用中國國家標华.(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
1299746 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 第9 1 1 08377號專利申請案 |公告本| 中文申請專利範圍修, 修正 民國|9? ^ ή月26 曰修正 請 先 閱 3 1 · 一種氧化矽系被膜之形成方法,其特徵係將含式 (1 ) Si ( 〇 R ) 4 ( 1 ) (其中R表示有1至5碳原子之烷基)之矽化合物(A) 及/或式(2 ) R'nSi (〇R2)4-n (2) (其中R1表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、乙 嫌基或7 -環氧丙氧基丙基,R2表有1至5碳原子之烷 基;η表1至3之整數)之矽化合物(B),與式(3) R 3 C Η 2 Ο Η (其中R3表示氫原子或1至12碳原子之非取代或具有取 代基之烷基)之醇(C)及草酸(D),其中對1莫耳含 於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基而言, 醇(C)之比例爲〇 · 5至100莫耳,而對1莫耳含於 矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基而言,草 酸(D )之比例爲〇 · 2至2莫耳並形成反應混合物,使 用醇(C )維持反應混合物中由矽原子換算之〇 . 5〜 1 1%之S i〇2濃度,同時以5 0至1 8 0°C加熱至該反 應混合物中矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部殘餘 量僅5莫耳%以下,使產生藉此生成具有2 0 0 0〜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-1 - 面 之 注 意 項 再 % 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1299746 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先聞續背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 0 〇 〇之聚苯乙烯換算數均分子量之聚矽氧烷溶液, 其次以含該聚矽氧烷溶液之塗布液塗布於基材表面,以 8 0至6 0 Ot使藉由塗布所得之塗膜產生熱硬化。 2 . —種氧化矽系被膜,其特徵爲:含式(1) Si ( 0 R ) 4 ( 1 ) (其中R表示有1至5碳原子之烷基)之矽化合物(a) 及/或式(2 ) R'nSi (OR2)4-n (2) (其中R1表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、乙 烯基或r -環氧丙氧基丙基,R2表示有1至5碳原子之 烷基;而η表示1至3之整數)之矽化合物(B),式( 3 ) R 3 C Η 2 Ο Η ( 3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (其中R3表示氫原子或有1至1 2碳原子之非取代或具有 取代基之烷基)之醇(C )及草酸(D ),其中對1莫耳 含於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基而言 ’醇(C )之比例爲〇 · 5至1 0 0莫耳,且對1莫耳含 於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基而言, 草酸(D )之比例爲〇 · 2至2莫耳並形成反應混合物, 使用醇(C )維持反應混合物中由矽原子換算之〇 . 5〜 1 1%之S i〇2濃度,同時以5 0至1 8 0°C加熱至該反 應混合物中矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部殘餘 量剩5莫耳%以下,使產生藉此生成具有2 0 0 0〜 1 5 0 0 〇之聚苯乙烯換算數均分子量之聚矽氧烷溶液, 本^張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~' 1299746 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) 其次以含該聚矽氧烷溶液之塗布液塗布於基材表面,以 8 0至6 0 0 °C使藉由塗布所得之塗膜產生熱硬化所得到 具有該基材表面上所形成之0 . 5〜5 //m膜厚者。 3 · —種塗布液,其特徵爲:含有下述之聚矽氧烷溶 液,該溶液爲含有式(1 ) Si ( 0 R ) 4 ( 1 ) (其中R表示有1至5碳原子之烷基)之矽化合物(A) 及/或式(2 ) R'nSi (OR2)4-n ( 2 ) (其中R1表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、乙 烯基或r 一環氧丙氧基丙基,R2表示有1至5碳原子之 烷基;而η表示1至3之整數)之矽化合物,式(3 ) R 3 C Η 2 〇 Η ( 3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (其中R 3表τκ氫原子或有1至1 2碳原子之非取代或具有 取代基之烷基)之醇(C )及草酸(D ),其中對1莫耳 含於矽化合物(A )及矽化合物(Β )之全部烷氧基而言 ,醇(C)之比例爲〇 · 5至100莫耳,且對1莫耳含 於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基而言, 草酸(D )之比例爲〇 · 2至2莫耳並形成反應混合物, 使用醇(C )維持反應混合物中由矽原子換算之〇 . 5〜 1 1%之S i〇2濃度,同時以5 0至1 8 0°C加熱至該反 應混合物中矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部殘餘 量成爲5莫耳%以下所得具有2 0 〇 〇〜1 5 0 0 〇之聚 苯乙烯換算數均分子量之聚矽氧烷溶液。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-3 - 1299746 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 · 一種含聚矽氧烷溶液之塗布液之製造方法,其特 徵爲:該聚矽氧烷溶液係含有式(1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Si ( 0 R ) 4 ( 1 ) (其中R表示有1至5碳原子之烷基)之矽化合物(A) 及/或式(2 ) R'nSl (OR2)4-n (2) (其中R1表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、乙 烯基或r 一環氧丙氧基丙基,R2表示有1至5碳原子之 院基;而η表1至3之整數)之砂化合物(B),下述式 (3 ) R 3 C Η 2 Ο Η ( 3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (其中R3表示氫原子或具有1至1 2碳原子之非取代或具 有取代基之烷基)表示之醇(C)及草酸(D),其中對 1莫耳含於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧 基而言,醇(C)之比例爲〇 . 5至100莫耳,且對1 莫耳含於矽化合物(A )及矽化合物(B )之全部烷氧基 而言,草酸(D )之比例爲〇 . 2至2莫耳並形成反應混 合物,使用醇(C )維持反應混合物中之矽原子換算之 0 · 5〜11%之Si〇2濃度,同時以50至180 °C加 熱至該反應混合物中矽化合物(A )及矽化合物(B )之 全部殘餘量成爲5莫耳%以下所構成,含有具2 0 0 0〜 1 5 0 0 0之聚苯乙烯換算數均分子量之聚矽氧烷溶液。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-4 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001125339 | 2001-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI299746B true TWI299746B (zh) | 2008-08-11 |
Family
ID=18974580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091108377A TWI299746B (zh) | 2001-04-24 | 2002-04-23 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7211522B2 (zh) |
EP (1) | EP1391491B1 (zh) |
KR (1) | KR100742557B1 (zh) |
AT (1) | ATE391759T1 (zh) |
DE (1) | DE60226022D1 (zh) |
TW (1) | TWI299746B (zh) |
WO (1) | WO2002088267A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI483846B (zh) * | 2011-09-13 | 2015-05-11 | Lg Innotek Co Ltd | 基板的薄膜之製造方法及薄膜,發光單元以及使用其之液晶顯示器 |
US9857502B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-01-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60226022D1 (de) * | 2001-04-24 | 2008-05-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | Verfahren zur herstellung eines dicken films auf basis von siliciumdioxid |
US8614768B2 (en) | 2002-03-18 | 2013-12-24 | Raytheon Company | Miniaturized imaging device including GRIN lens optically coupled to SSID |
US20070155896A1 (en) * | 2003-12-18 | 2007-07-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Water repellent coating film having low refractive index |
TWI404776B (zh) * | 2003-12-19 | 2013-08-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | A film having a low refractive index and a large contact angle with respect to water |
US7439111B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7550040B2 (en) * | 2005-06-17 | 2009-06-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Coating fluid for forming film, and film thereof and film-forming process |
DE112007003638T5 (de) * | 2007-09-10 | 2010-08-12 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Prozess zum Herstellen einer siliziumhaltigen Beschichtung, siliziumhaltige Beschichtung und Halbleitervorrichtung |
EP2299894B1 (en) * | 2008-06-18 | 2020-09-02 | Sarcos LC | Transparent endoscope head defining a focal length |
WO2010014792A2 (en) | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Sterling Lc | Method and device for incremental wavelength variation to analyze tissue |
WO2010053916A2 (en) | 2008-11-04 | 2010-05-14 | Sterling Lc | Method and device for wavelength shifted imaging |
WO2011041730A2 (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Jacobsen Stephen C | Light diffusion apparatus |
WO2011041728A2 (en) | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Jacobsen Stephen C | Needle delivered imaging device |
US9144664B2 (en) | 2009-10-01 | 2015-09-29 | Sarcos Lc | Method and apparatus for manipulating movement of a micro-catheter |
US8828028B2 (en) | 2009-11-03 | 2014-09-09 | Raytheon Company | Suture device and method for closing a planar opening |
JP6191613B2 (ja) * | 2012-10-19 | 2017-09-06 | Jnc株式会社 | 熱硬化性組成物 |
JP6266230B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2018-01-24 | 日揮触媒化成株式会社 | 表面改質金属酸化物微粒子、薄膜形成用の塗布液、薄膜付き基材、光電気セル、及び表面改質金属酸化物微粒子の製造方法 |
US10676643B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-06-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Coating film-forming composition and process for producing the same |
KR102169665B1 (ko) | 2018-11-12 | 2020-10-23 | 주식회사 디엠티 | 공기압을 이용한 수지내 기포제어 코팅장치 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5534258A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Coating solution for forming silica film |
US4719125A (en) * | 1985-10-11 | 1988-01-12 | Allied Corporation | Cyclosilazane polymers as dielectric films in integrated circuit fabrication technology |
EP0218117A3 (en) | 1985-10-11 | 1989-11-23 | Allied Corporation | Cyclosilazane polymers as dielectric films in integrated circuit fabrication technology |
JPH083074B2 (ja) | 1986-11-18 | 1996-01-17 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
JPH03126612A (ja) | 1989-10-06 | 1991-05-29 | Toray Ind Inc | ケイ素含有溶液および被膜形成用塗布液 |
JPH07233271A (ja) | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面被覆成形品 |
JPH07286136A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Mitsubishi Chem Corp | シリカ系被膜形成用組成物 |
JPH0827419A (ja) | 1994-07-12 | 1996-01-30 | Mitsubishi Chem Corp | シリカ被膜形成塗布液用組成物 |
TW376408B (en) | 1995-12-01 | 1999-12-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | Coating film having water repellency and low refractive index |
JP3757514B2 (ja) | 1996-02-16 | 2006-03-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶垂直配向膜の形成方法 |
TW397927B (en) * | 1996-02-16 | 2000-07-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | Process for forming a liquid crystal alignment film |
US5880187A (en) * | 1996-04-24 | 1999-03-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Top coating compositions |
JPH115946A (ja) | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Inax Corp | 無機塗料の製造方法及び塗膜の形成方法 |
JP2000344894A (ja) | 1999-06-02 | 2000-12-12 | Jsr Corp | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP3245136B2 (ja) | 1999-09-01 | 2002-01-07 | キヤノン販売株式会社 | 絶縁膜の膜質改善方法 |
TW468053B (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | Antireflection film, process for forming the antireflection film, and antireflection glass |
JP2001308089A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 低誘電率膜及びこの低誘電率膜を有する半導体素子 |
DE60226022D1 (de) | 2001-04-24 | 2008-05-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | Verfahren zur herstellung eines dicken films auf basis von siliciumdioxid |
-
2002
- 2002-04-19 DE DE60226022T patent/DE60226022D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-19 AT AT02724627T patent/ATE391759T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-04-19 EP EP02724627A patent/EP1391491B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-19 WO PCT/JP2002/003957 patent/WO2002088267A1/ja active IP Right Grant
- 2002-04-19 US US10/474,514 patent/US7211522B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-19 KR KR1020037013717A patent/KR100742557B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-23 TW TW091108377A patent/TWI299746B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-04-24 US US11/409,086 patent/US7491651B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9857502B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-01-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same |
TWI483846B (zh) * | 2011-09-13 | 2015-05-11 | Lg Innotek Co Ltd | 基板的薄膜之製造方法及薄膜,發光單元以及使用其之液晶顯示器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7491651B2 (en) | 2009-02-17 |
EP1391491A1 (en) | 2004-02-25 |
KR20040030591A (ko) | 2004-04-09 |
US20060189163A1 (en) | 2006-08-24 |
US20040115955A1 (en) | 2004-06-17 |
WO2002088267A1 (fr) | 2002-11-07 |
KR100742557B1 (ko) | 2007-07-25 |
EP1391491B1 (en) | 2008-04-09 |
DE60226022D1 (de) | 2008-05-21 |
ATE391759T1 (de) | 2008-04-15 |
US7211522B2 (en) | 2007-05-01 |
EP1391491A4 (en) | 2005-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI299746B (zh) | ||
TW468053B (en) | Antireflection film, process for forming the antireflection film, and antireflection glass | |
TWI726871B (zh) | 混成有機-無機材料的組成物及其製造方法與使用方法 | |
JP3757514B2 (ja) | 液晶垂直配向膜の形成方法 | |
Tanglumlert et al. | Hard-coating materials for poly (methyl methacrylate) from glycidoxypropyltrimethoxysilane-modified silatrane via a sol–gel process | |
JP2007111645A5 (zh) | ||
CN100487071C (zh) | 具有低折射率及斥水性的覆膜 | |
KR20150097783A (ko) | 금속 산화물 나노 입자와 실세스퀴옥산 중합체의 복합체 및 그의 제조 방법, 및 그 복합체를 사용하여 제조한 복합 재료 | |
TW397927B (en) | Process for forming a liquid crystal alignment film | |
JPS62230828A (ja) | 半導体用絶縁膜形成塗布液 | |
TW200530351A (en) | Coating film having low refractive index and large water contact angle | |
JP5106307B2 (ja) | 金属酸化物微粒子を含有してなる樹脂組成物 | |
JP4996832B2 (ja) | シリカ系コーティング剤、それを用いたシリカ系薄膜および構造体 | |
TW200835757A (en) | Coating solution for formation of low refractive coating film, process for production thereof, and anti-reflection material | |
JP2003031569A (ja) | シリカ系厚膜の形成方法 | |
JP2621760B2 (ja) | コーティング用組成物 | |
JP4793524B2 (ja) | テトラアルコキシシラン縮合物及びその製造方法 | |
JP4850893B2 (ja) | シリコーン樹脂用組成物 | |
TWI617634B (zh) | Metal oxide film forming composition and metal oxide film | |
KR101290260B1 (ko) | 알칼리 가용성 실리콘 수지, 이를 포함하는 실리콘 수지 조성물 및 그 제조방법 | |
KR101172804B1 (ko) | 킬레이팅 티타니아나노졸을 이용한 고굴절 박막의 제조방법 및 그 티타니아나노졸을 이용한 고굴절 박막 | |
JPH07331172A (ja) | カラーフィルタ保護膜形成用塗液組成物 | |
TWI537349B (zh) | A coating liquid for forming a low refractive index film, a method for producing the same, and an antireflective material | |
EP4119596A1 (en) | Method for producing silicone polymer | |
JPH09110887A (ja) | シロキサン化合物及びその硬化物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |