TWI298201B - Solid-state imaging device, camera module and electronic equipment module - Google Patents

Description

1298201 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種背照式固態成像裝置，該裝置中配置有 複數個像素，該等像素透過光電轉換元件中之光電轉換所 取得之信號電荷，將其轉換成欲輸出的電氣信號；且關於 包括該固態成像裝置之一種照相機模組及一種電子設備模 組。 【先前技術】 本發明主張對於2〇〇4年8月31日在日本專利局所提出的 曰本專利申請案JP 2〇〇‘25359〇的權益，其整份内容在此 納為參考。 就固態成像裝置而言，眾所皆知，一 CM〇s固態成像裝 置係由CMOS影像感測器表示及一 CCD固態成像裝置係 由CCD影像感測器表示。在固態成像裝置中，一種被廣 泛接又的刖照式固態成像裝置，其光線係從一半導體基板 』表面側進入。另一方面，一種背照式固態成像裝置亦 經揭露，該裝置的靈敏度能藉由製作一光電轉換元件的區 域大於該前照式固態成像裝置的區域而得到改良。 “圖6係肖照式CM〇s固態成像裝置的範例。一復⑽固 態成像裝置1包括：像素隔離區域4，其係由—第一傳導 型’例如η型之石夕丰道雜甘Λ t +導體基板2中所形成P型，即一第二傳 導型之半導體區域釗忐 域製成’使得單位像素區域3彼此分離； 及一光二極體PD，1 #田从* , 户 八使用作為一光電轉換元件，且所需之 多數個MOS電晶體Tr，田# & 用於項取透過該光二極體PD中之光 102377.doc 1298201 電轉換與累增所取得的信號電荷，均係形成於由該P型像 素隔離區域4所賴之該等像素區域3的各個像素區域内。

該P型像素隔離區域4係在該基板之深度方向中形成，使 =該區域從該基板2的前表面延伸至該後表面。該M0S電 晶體Tr形成於與該P型像素隔離區域4相連的p型半導體區 或中且延伸於该基板2的前表面側上。光二極體係形 成延伸至該基板2的後表面側，使得該光二極體延伸至已 形成有該MOS電晶體Tr之該p型半導體區域下部。各個光 一極體PD包括一n型半導體區域7, #係由該p型像素隔離 區域4所環繞的11型基板2形成；一高濃度p +半導體區域6， 其係該P型半導體區域5之下層；及一pn接面D，其主要形 成於该η型半導體區域7與該ρ +半導體區域6之間。 一 Ρ+聚積層8用於限制暗電流的發生，該暗電流由一高 雜質濃度ρ型半導體區域所獲得，該ρ+聚積層係形成於該打 型半導體區域7的後表面上，該η型半導體區域構成一與各 個像素所共用的光二極體PD。再者，一ρ+聚積層"同樣形 成於該η型半導體區域7前表面的介面上。另一方面，一 M〇S電晶體Tr具有一形成於該Ρ型半導體區域5中的η型源/ 汲極區域9，及一形成於一對11型源/汲極區域9上方且與其 間隔的閘極電極1〇，該η型源/汲極區域9具有一閘極絕緣 膜於其間。圖中所示之該M〇s電晶體心包括該光二極體 PD、該η型源/汲極區域9及該閘極電極1〇，以形成一讀取 電晶體。 多層佈線層14，其中 該半導體基板2的前表面上形成一 102377.doc 1298201 多層佈線13以一例如由其間一二氧化矽膜或類似材料製成 的層間絕緣膜12疊製而成，且在此多層佈線層14上形成一 例如由一矽基板製成供加強用的支撐基板15。在該半導體 基板2的後表面上，即一光入射表面，係形成一具有一絕 緣層16於其間的濾色器17,且一晶載微透鏡18形成其上。 在此背照式CMOS固態成像裝置1中，光線從該基板的後 表面側透過該晶載微透鏡進入。該光線利用該濾色器17分 成紅、綠及藍色光束，其分別地進入該對應像素的光二極 體PD。接著，各個像素的信號電荷透過該基板前表面側上 的M0S電晶體Tr讀取，因此一彩色影像得以輸出。因為該 背照式CMOS固態成像裝置丨具有一大型區域，使得該光二 極體PD延伸至該M0S電晶體Tr的下層，故可取得高靈敏度。 在上述背照式固態成像裝置中，一 ρη接面j2係由形成該 光入射表面側上之該光二極體PD的p+聚積層8與^型半導 體區域7形成，其在各個像素中皆具有相同深度，·及該光 二極體PD的一 pn接面(以類似方式在各個像素中以相同 深度形成。為獲得一彩色影像，此背照式固態成像裝置使 用該渡色器17且將-特定波長的光以光電方式轉換， 付來自各個像素的信號。因此’會有一問題產生，即 色器的形成過轉致製程數增加、成本增加及產出率惡化^ 鑒於上it纟發明提供一種背照式固態成像裝置，其 一像素分色的取得不需㈣4色器，及與此固態成像裝 置結合的-種照相機模組及—種電子射備模組。 、 【發明内容】 102377.doc 1298201 根據本發明之一固能忐偾捉 成像裝置包括：一光電轉換元件， :形成於—半導體基板中；—讀取零件，其從該半導體基 之表面側上所形成的光電轉換元件讀取信號電荷；該

半導體基板的另一表面，i I ，、破裟成一光入射表面；及一像 素，其藉由調整該光入射表面侧上之該光電轉換元件的叩 接面深度’使一特定或較長波長產生光電轉換。 根據本發明之一固態成像裳置包括：一光電轉換元件， ”开/成於半導體基板中；_讀取零件，其從該半導體基 板之-表面側上所形成的光電轉換元件讀取信號電荷；該 半導體基板的另一表面’其被製成一光入射表面；及一像 素’其藉由調整該光電轉換元件中之一側砝上的抑接面深 度，使一特定波長或較短光電特性的光產生轉換。 再者，在本發明中，上述固態成像裝置可藉由組合複數 個像素以取得—彩色影像，該等像素在第-與第二pn接面 間之該光電轉換元件區域的深度方向具有不同位置。 根據本發明之一照相機模組包括一固態成像裝置及一光 學透鏡系統’且包括上述如本發明固態成像裝置之任一， 其中一 pn接面深度可加以調整。 根據本發明電子設備模組包括一固態成像裝置、一光學 透鏡系統及信號處理部分，且包括上述根據本發明固態成 像裝置之任一者，其中一叩接面深度可加以調整。 【實施方式】 隨後’本發明實施例將參考文後附圖加以解釋。 S 1 員不 第一貫施例’其中根據本發明之一背照式固 102377.doc 1298201 態成像裝置被施加至— CM0S固態成像裳置。該圖形顯示 一成像區域中的像素部分^ . 根據本實施例之一背照式CMOS固態成像裝置21 ，像 .^隔離區域24係由—第—傳導型’例如η型之半導體基板 22中所形成之ρ型’即__第二傳導型的半導體區域製造， 以致使得單位像素區域23彼此分離；及—光二極體pD，其 使用作為一光電轉換元件，且所需之多數個M 〇 s電晶體 • 二’用於讀取透過該光二極體pD中之光電轉換與聚積所取 得的L號電荷，—者形成於由該P型像素隔離區域24環繞 之該等像素區域23的各個像素區域内。 該P型像素隔離區域24係在該基板之深度方向中形成， 使得該區域從該基板22的前表面延伸至該後表面。該m〇s 電晶體Tr形成於與該p型像素隔離區域24相連的p型半導體 區域25中之該基板22前表面側上，且延伸於其上。光二極 體PD係形成延伸至該基板22的後表面側，使得該光二極體 鲁 在已形成有该MOS電晶體Tr之該p型半導體區域25下方延 伸。各個光二極體PD包括一 n型半導體區域27，其係由該p 型像素隔離區域24所環繞的n型基板22形成；一高濃度p+ 半導體區域26，其係該p型半導體區域25之下層；及一主 要pn接面j l，其形成於該n型半導體區域27與該p+半導體 區域26之間。該n型半導體區域27係該光二極體pD之該等 、、且件之者且具有一漠度分佈，其中該基板後表面側上的 雜質濃度係一低濃度η-，且在接近該基板前表面側處逐漸 增加至一高濃度η+。 102377.doc 1298201 一用於限制暗電流發生的p+聚積層2 8係由一高雜質濃产 p型半導體區域製成，且該p+聚積層相對於各個像素，而 ^ 形成於構成該光二極體PD之該η型半導體區域27的後表面 上的介面處；及一 ρη接面j2形成於該ρ+聚積層28與該光二 極體PD之η型半導體區域27之間。再者，p+聚積層u同樣 形成於該η型半導體區域27前表面上的介面處。 另一方面，各MOS電晶體Tr包括一形成於該ρ型半導體 區域25中的η型源/汲極區域29，及一形成於η型源/汲極區 _ 域29上方且與其間隔的閘極電極30，該η型源/汲極區域29 具有一閘極絕緣膜於其間。例如，當一像素包括一光二極 體及四個MOS電晶體時，該M0S電晶體Tr係一讀取電晶 體、一重置電晶體、一放大器電晶體及一垂直選擇電晶 體。在圖1中，——η+源/汲極區域的一側係形成該ρ型半導 體區域25内，且接近該光二極體PD，及該閘極電極3〇形成 於上述η+源汲極區域29的一側上方與其間，該光二極體 _ PD的11型半導體區域27也作為一具有一閘極絕緣膜於其間 之源/汲極區域29的另一側，藉此構成一讀取電晶體。 該半導體基板22的前表面上形成一多層佈線層“，其中 多層接線33係以一層間絕緣膜32層疊，該層間絕緣膜例如 由其間之一二氧化矽膜或類似薄膜製成及一支撐基板乃形 成該多層接線層34上，且由例如一加強用的石夕基板製 具有-絕緣層36於其間的晶載微透鏡卿成於該半導體^ 的後表面上，該表面係一光入射表面。 在本實施例中’特別省略-遽色器，且僅-特定或較長 102377.doc -10- 1298201 波長的光線係從構成該光二極體PD之該η型半導體區域27 的側與该基板後表面上該光入射表面上之ρ+聚積層28間 之該ρη接面j2 [j2 r，j2 g，j2 b]的後表面，藉由調整接面深 度h2 [h2 r，h2 g，h2 b]，而在光二極體Ρϋ中產生光電轉 換。特別地’在本範例中，與一紅色像素對應的pn接面深 度（換言之，在深度方向的位置）h2 H系由大於與綠及藍色 像素對應的另一 pn接面深度h2製成，與一藍色像素對應的 Pn接面/未度h2 b製作成最小深度，及與一綠色像素對應的 pn接面深度h2 g設定至紅與藍色像素之叩接面深度的中間 (h2 r>h2 g>h2 b)。 換言之，在一紅色像素中，該接面深度y r的設定使得 波長專於或大於紅色光的長波長光線能進入該η型半導體 27。在一綠色像素中，該接面深度h2 g的設定使得波長等 於或大於綠色光的長波長光線能進入該η型半導體2 7。在 一藍色像素中，該接面深度h2 b的設定使得波長等於或大 於藍色光的長波長光線能進入該η型半導體27。 從紅、綠及藍色像素之光二極體PD的接面[j2 r，j2 g， b]的後表面的课度開始之接面深度h2係經製成使其與hi r=h2 g=hl b的接面深度相同。 在如本發明之背照式CMOS固態成像裝置21中，在一紅 色像素的光二極體PD中，實際僅有紅色光被光電轉換，且 與紅色對應的“ 5虎電何被聚積；在一綠色像素的光二極體 PD中’實際僅有綠色光及紅色光被光電轉換，且與綠色及 紅色對應的信號電荷被聚稽；及在一藍色像素的光二極體 102377.doc 1298201 PD中，實際僅有藍色光、綠色光及紅色光被光電轉換，且 與k色、綠色及紅色對應的信號電荷被聚積。一從一紅色 - 像素讀取的紅色輸出信號、一從一綠色像素讀取的綠色+ • 紅色輸出信號、及一從一藍色像素讀取的藍色+綠色+紅色 輪出信號係藉由一信號處理電路而分成一紅色信號、_綠 色信號及一藍色信號，且逐漸地輸出為彩色影像信號。 所以’根據本實施例之背照式CMOS固態成像裝置21， φ 像素的分色可不必使用一濾色器，因此該結構能被簡化且 該製程數能縮減至減少一濾色器形成過程的程度，藉此降 低該成本且增進該產出率。 圖2顯不一第二實施例，其中根據本發明之一背照式固 態成像裝置被施加至一 CM0S固態成像裝置。該圖形顯示 一成像區域中之一像素部分，其類似上述實施例。 在根據本貫施例之一背照式CM〇s固態成像裝置4丨中， 濾色器被省略，且僅一特定或較短波長的光線係從供該 φ 像素之該光二極體PD形成於其上之該基板的前表面側上之 pn接面j 1 [j 1 r，j 1 g，j丨b]的後表面，藉由調節接面深度μ [hi r，hi g5 hi b]，而在光二極體!^中產生光電轉換。特 別地，在本實施例中，與一紅色像素對應的卯接面深度 (換吕之，深度方向的位置）hl Γ係由大於與綠及藍色像素 對應的另一ρη接面深度1^製成，與一藍色像素對應的”接 面深度hl b製作成最小深度，及與一綠色像素對應的叩接 面冰度hi g設定至紅與藍色像素之邱接面深度的中間（hi r>hl g>hl b) 〇 102377.doc -12- 1298201 換言之，在一紅色像素中，該接面深度hl r被設定使得 波長等於或小於紅色光線的光線能進入構成一光二極體？]〇 之η型半導體區域27的一側。在一綠色像素中，設定該接 面深度hi g，使得波長筝於或小於綠色光的長波長光線能 唯一進入一 n型半導體區域27。在一藍色像素中，該接面 深度hi b的設定使得波長等於或小於藍色光的長波長光線 能唯一進入一 η型半導體區域27。 接面深度h2係從構成紅、綠及藍色像素之光二極體]?]〇 之該η型半導體區域27及該基板後表面上該光入射表面側 上之ρ+聚積層28間的ρη接面j2 [j2 j2 g，j2 b]的後表面開 始，且該接面深度h2具有相同接面深度h2 r==h2 g=h2 b。 其他結構與上述圖1所說明的結構相同，是而不予費 述0 在根據本發明之背照式CMOS固態成像裝置41中，在

紅色像素的光二極體PD中，實際上僅紅色光、綠色光及藍 色光被光電轉換，且紅、綠及藍對應的信號電荷將被聚 積；在一綠色像素的光二極體PD中，實際上僅有綠色光及 藍色光被光電轉換’且與綠色及紅色對應的信號電荷被聚 積；及在一 Μ色像素的光二極體PD中，冑際上僅有藍色光 被光電轉換，且與藍色對應的信號電荷被聚積。一從一紅 色像素讀取的紅色輸出信號、—從_綠色像素讀取的紅色 +綠色+藍色輸出信號、及一從一藍色像素讀取的藍色輸出 信號係藉由一信號處理電路，分成一紅色信號、一綠色信 號及一藍色信號’且逐漸地被輸出為彩色影像信號。 102377.doc •13- 1298201 所以’根據本實施例之背照式CM〇S固態成像裝置4ι， 像素的分色可不必使用一滤色器，因此該結構能被簡化且 D亥製程數能縮減至減少一濾色器形成過程的程度，藉此降 低該成本且增進該產出率。 &圖3顯示一第三實施例，其中根據本發明之一背照式固 =成像裝置被施加至-CM〇S固態成像裝置。該圖形顯示 一成像區域中的像素部分，其類似上述實施例。 在根據本實施例之一背照式CM〇s固態成像袭置Η中， 一濾色器被省略，且僅一特定波長範圍的光線在光電二極 體PD中光電轉換，其係藉由混合圖}中從該叩接面p ^ J2 g，J2 b]的後表面開始的接面深度h2 [h2 r，h2 g，b]與 圖2中從pn接面jl [jl『，jl g，ji b]的後表面開始的接面深度 hl [hi r5 hi g，hi b] ’以及藉由調整該接面深度h2與該接 面深度Μ間該pn接面光二極體1>]3的區域，型 域27之深度方向中的位置而得。 牛導紅 換言之，在一紅色像素中，該n型半導體區域27深度方 向中的位置被設定使得紅色波長範圍的光線唯一能進入該 η型半導體區域27中。在一紅綠像素中，該n型半導體區域 27深度方向中的位置被設定’使得綠色波長範圍的光線唯 :能進入該η型半導體區域27中。在—藍色像素中，該η型 半導體區域27深度方向中的位置被設^，使得藍色波長範 圍的光線唯一能進入該η型半導體區域27中。 其他結構與上述圖1所說明的結構相同，是而不予贅 述。 、 102377.doc •14- 1298201 在根據本發明之背照式CM0S固態成像裝置51中，在一 紅色像素的光二極體PD中，實際上僅紅色光、綠色光及藍 j光被光電轉換’且與紅色對應的信號電荷將被聚積；在 一綠色像素的光：極體扣中，實際上僅有綠色光被光電轉 換：且與綠色對應的信號電荷被聚積；及在一藍色像素的 先二極體PD中’實際上僅有藍色光被光電轉換，且與藍色 對應^信號電荷被聚積。接著，一紅色輸出信號、一綠色 輸出七號、及一藍色輪出信號係分別地從該紅色像素、該 2色像素及該藍色像讀出，且彩色影像信號透過一信號 處理電路輸出。 所以’根據本實施例之背照式_s固態成像裝置51， 像素的刀色可不必使用一遽色器，因此該結構能被簡化且 忒製程數能縮減至減少—濾色器形成過程的程度，藉此降 低該成本且增進該產出率。 雖然本發明上述實施例被應用至可獲得彩色影像之背照 jCMOS固態成像裝置，本發明也能被應用至可獲得彩色 影像或二或多個顏色影像的背照式CMOS固態成像裝置。 根據本發明，其可取得包括上述實施狀固態成像裝置 的影像拾取照相機與各種模組。圖4顯示一實施例，其中 上述背照式固態忐徬驻里。， . 、置21、4 1或5 1係與一光學透鏡系統 5 3組合。 圖5顯示根據本發明之—電子設備及—照相模組之實施 例的示意結構。圖5中之模組結構能應用至電子設備模組 及照相模組。根據本發明之—模組11〇包括上述實施例之 102377.doc 1298201 背照式固態成像裝置21、41及51其中一者、一光學透鏡系 統111、一輸入—輸出部分H2及數位處理器113，其併合成 • 一單元。再者，就一電子設備模組或照相機模組115而 • 言’該模組也能僅由該固態成裝置21、41或51、該光學透 鏡系統111及輸入-輸出部分112形成。其也可形成一包括 該固成像裝置21、41或51、該光學透鏡系統111、該輸入_ 輸出部分112及該數位信號處理器in在内之模組u6。 φ 根據本發明電子設備模組及照相機模組，因為上述實施 例提供該背照式固態成像裝置21、41或5 1，產出率之改善 即可達成’且成本能降低。特別地，因為在該固態成像裝 置中沒有濾色器，必須等於或低於濾色器的耐熱溫度限制 之模組製程可被去除，如此有助於製造模組時的製程。因 為該固態成像裝置係一背照型式，因此其能提供具有一高 靈敏度成像功能的模組。 雖然本發明之固態成像裝置被應用至上述實施例中之背 • 照式CM0S固態成像裝置，本發明固態成像裝置也能應用 至背照式CCD固態成像裝置。 如上述，本發明之一固態成像裝置，一像素分色不需使 用一濾色器，以致結構能被簡化，且製程數能縮減至一減 少濾色器形成過程的程度，藉此降低成本且增進生產量。 、如上述，本發明之一照相機模組及一電子設備模組，因 為包括根據本發明上述的固態成像裝置，生產量的改善即 能達成，且成本能降低。特別地，在該固態成像裝置中， 因為未提供-濾、色器，必須等於或低於遽色器的耐熱溫度 I02377.doc -16- !2982〇l 限制之模組製程可被去除，如此有助於製造模組時的製 桎。因為該固態成像裝置係一背照型式，因此其能提供具 有—高靈敏度成像功能的模組。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示根據本發明之背照式固態成像裝置之第一實 施例的結構圖；

圖2係顯不根據本發明之背照式固態成像裝置之第二實 施例的結構圖； 圖3係顯不根據本發明之背照式固態成像裝置之第三實 施例的結構圖； 圖 4 係 sg ; > . t , ^不一包括本發明之固態成像裝置與一光學透鏡 糸、先的板組範例的結構示意圖； 圖係顯不根據本發明模組之一實施例的結構示意圖； 圖6係—^偟 -寻統背照式固態成像裝置之範例的結構圖。 L主要元件符號說明】 CMOS固態成像裝置 半導體基板 像素區域 15 21，31，41，51 2? 22 3, 23 4, 24 5, 25 6, 26 7, 27 8, U，28 9, 29 P型像素隔離區域 P型半導體區域 P+半導體區域 η型半導體區域 Ρ+聚積層 η型源極/汲極區域 102377.doc 1298201

10, 30 閘極電極 12, 32 層間絕緣膜 13, 33 多層佈線 14, 34 多層佈線層 15, 35 支撐基板 16, 36 絕緣層 17 濾色器 18, 38 晶載微透鏡 53, 111 光學透鏡系統 112 輸入輸出部分 113 信號處理器 115 照相機模組 116 模組 hi [hi r，hi g，hi b]， h2 [h2 r，h2 g，h2 b]， jl [j2 r5 j2 g5 j2 b]? j2 [j2 r? j2 g? j2 b] Pn接面深度 PD 光二極體 102377.doc -18-

Claims (1)

12982 Μι·3號專利申請案 正本 中文申請專利範圍替換本(96年12月;) 十、申請專利範圍： 1. 一種固態成像裝置，包含·· 一光電轉換元件，其形成於一半導體基板中； 凟取零件，其從該半導體基板一形成佈線層之表面 側上所形成之該光電轉換元件讀取信號電荷，該半導體 基板的另一表面製成一光入射表面，及 一像素’其藉由調整該光電轉換元件與該光入射表面 之该側上之一聚積層間的？11接面深度，使一特定或較長 波長的光線實行光電轉換。 2·如請求項1之固態成像裝置， 包含二或多個像素，該等像素在該光電轉換元件與該 聚積層之間具有不同的pn接面深度。 3·如請求項2之固態成像裝置， 其中一彩色影像係藉由來自複數個像素的處理信號取 得0 4· 一種固態成像裝置，包含·· 一光電轉換元件，其形成於一半導體基板中； 一讀取零件，其從該半導體基板一表面側上所形成之 該光電轉換元件讀取信號電荷，該半導體基板的另一表 面製成一光入射表面，及 一像素’其藉由調整該光電轉換元件之該一表面側上 的Pn接面深度，使一特定或較短波長的光線實行光電轉 換0 5·如請求項4之固態成像裝置，

102377-961221.doc 1298201 包3 -或夕個像素，該等像素具有在該光電轉換元件 内之不同的該pn接面深度。 6.如請求項5之固態成像裝置， 其中一攄色器係藉由組合複數個該像素且由來自個別 像素的處理信號所取得。 7·如請求項1之固態成像裝置， &含—像素，其藉由調整該光電轉換it件與該聚積層 間之f pn接面深度及該光電轉換元件之該一表面側 上的一第二pn接面深度，以及藉由調節在該第一與第二 pn接面深度間的深度方向中之該光電轉換元件區域的一 位置使特疋波長範圍的光線實行光電轉換。 8.如請求項7之固態成像裝置， 包含二或多個像素，該等像素在該第-與第二pn接面 間木度方向中具有不同之該等光電轉換元件的區域位 置。 9·如請求項8之固態成像裝置， 八中濾色器係藉由組合複數個該像素取得。 10· —種照相機模組，包含·· 一固態成像裝置與一光學透鏡系統， 其t该固態成像裝置包括一光電轉換元件，其形成於 ，半V體基板中；一讀取零件，其從該半導體基板之一 形成2線層之表面側上所形成的光電轉換元件，讀取信 2電何’該半導體基板的另一表面，製成一光入射表 ，及一像素，其藉由調整該光電轉換元件與一位於該 102377.961221.do, 1298201 光入射表面之该側上之聚積層間之pn接面深度，使一特 定或較長波長的光實行光電轉換。 11 ·如請求項10之照相機模組， 其中該固態成像裝置包括二或多個像素，該等像素在 该光電轉換元件與該聚積層之間具有不同的pn接面深 度。 12 ·如請求項11之照相機模組， 其中該固態成像裝置組合複數個該像素，且實行來自 個別像素的信號處理，以取得一彩色影像。 13 · —種照相機模組，包含： 一固態成像裝置及一光學透鏡系統， 其中該固態成像裝置包括一光電轉換元件，其形成於 一半導體基板中；一讀取零件，其從該半導體基板之一 形成佈線層之表面側上所形成的光電轉換元件，讀取信 號電荷；該半導體基板的另一表面，製成一光入射表 面；及一像素，其藉由調整該光電轉換元件中該一表面 側上之Pn接面深度，使一特定或較短波長的光實行光電 轉換。 14·如請求項13之照相機模組， 其中該固態成像農置包括二或多個像素，該等像素在 該光電轉換元件中具有不同的該pn接面深度。 15·如請求項14之照相機模組， 其中該固態成像裝置組合複數個該像素，且實行來自 個別像素的信號處理，以取得一彩色影像。 102377-961221.doc 1298201 16·如睛求項10之照相機模組， - 纟中該固態成像裝置包括-像素’該像素藉由調整該 ^ 光電轉換元件與該聚積層H—Pn接面深度及該光 • 電轉換元件中該-表面側上之一第二Pn接面深度，以及 調節在該第一與第二pn接面深度間該深度方向中之該光 電轉換元件區域的-位置，使—特定波長範圍的光線實 行光電轉換。 _ 1 7 ·如請求項1 6之照相機模組， 其中該固態成像裝置包括二或多個像素，該等像素在 該第一與第二pn接面間之該深度方向中具有不同之該等 光電轉換元件的區域位置。 1 8 ·如請求項17之照相機模組， 其中该固態成像裝置組合複數個該像素，以取得一彩 色影像。 19· 一種電子設備模組，包含一固態成像裝置、一光學透鏡 • 系統及一信號處理部分， 其中該固悲成像裝置包括一光電轉換元件，其形成於 一半導體基板中；一讀取零件，其從該半導體基板之一 形成佈線層之表面侧上所形成的該光電轉換元件，讀取 k唬電荷，該半導體基板的另一表面，製成一光入射表 面；及一像素，其藉由調整該光電轉換元件中該一表面 侧上之pn接面深度，使一特定或較長波長的光實行光電 轉換。 20·如請求項19之電子設備模組， 102377-961221.doc 1298201 其中該固態成像裝置包括二或多個像素，該等像素在 該光電轉換元件與該聚積層間具有不同的pn接面深度。 21·如請求項20之電子設備模組， 其中忒固悲成像裝置組合複數個該像素，且實行來自 個別像素的信號處理，以取得一彩色影像。 22· —種電子设備模組，包含一固態成像裝置、一光學透鏡 系統及一信號處理部分， 其中該固態成像裝置包括一光電轉換元件，其形成於 一半導體基板中；一讀取零件，其從該半導體基板之一 幵> 成佈線層之表面側上所形成的該光電轉換元件，讀取 信號電荷；該半導體基板的另一表面，製成一光入射表 面；及一像素，其藉由調整該光電轉換元件中該一表面 側上之pn接面深度’使一特定或較短波長的光實行光電 轉換。 23·如請求項22之電子設備模組， 其中6亥固態成像裝置包括二或多個像素，該等像素在 該光電轉換元件中具有不同的該pn接面深度。 24·如請求項23之電子設備模組， 其中該固態成像裝置組合複數個該像素，且實行來自 個別像素的彳5 5虎處理’以取得^^彩色影像。 25·如請求項19之電子設備模組， 其中忒固態成像裝置包括一像素，該像素藉由調整該 光電轉換元件與該聚積層間之一第一 ？11接面深度及該光 電轉換元件中該一表面側上之一第二叩接面深度，以及 102377-961221.doc ς :1298201 凋整在該第一與第二pn接面深度間該深度方向中之該光 電轉換兀件區域的一位置，使一特定波長範圍的光線實 行光電轉換。 26·如請求項25之電子設備模組， 其中該固態成像裝置包括 該第一與第二pn接面間之該 電轉換元件區域的位置。 二或多個像素，該等像素在 深度方向中具有不同的該光

27·如請求項26之電子設備模組， 以獲得一彩 其中該固態成像裝置組合複數個該像素， 色影像。

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