TWI295490B - Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer - Google Patents
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Description
1295490 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係針對例如對半導體晶圓、光罩基板、LCD基 板(液晶顯示器用玻璃基板)等的基板的表面,藉由加熱 板,來進行熱處理之基板處理裝置,關於測定前述加熱板 的溫度之方法、基板處理裝置及加熱板之溫度測定用電腦 程式。 【先前技術】 在半導體裝置、LCD基板等的製造過程中,藉由被稱 爲微影的技術,對基板進行阻劑圖案的形成。此技術,例 如係藉由進行一連串的對半導體晶圓(以下稱爲晶圓)等 的基板,塗敷阻劑液,在該晶圓的表面上形成液膜,再使 用光罩將該阻劑膜曝光之後,藉由進行顯像處理之工程, 來得到所希望的圖案。 β 如此的處理,一般而言,係使用將曝光裝置與用來進 行阻劑液的塗敷、顯影等之塗敷、顯影裝置連接而成之阻 劑圖案形成裝置來進行。關於如此的裝置的一例,若使用 第20圖來說明,圖中的符號1Α係配備了載具台1 1之載 具區段,例如已經收容25枚晶圓W之載具C,要在該載 具台被搬出入;符號1 Β係處理區段;符號1 C係介面區 段;符號1 D係曝光裝置;前述處理區段1 Β,係將搬送手 段12配備在其中央,並在其周圍,設置:液處理單元 群,此單元群,多段地配置爲了將阻劑液塗敷在晶圓上之 -5- (2) 1295490 塗敷單元1 3 A、和爲了對曝光後的晶圓進行顯像處理之顯 像單元13B等;以及棚單元14(14A〜14C),這些單元 配備爲了在塗敷單元、顯像單元等的處理的前後,對晶圓 進行規定的加熱處理之加熱單元、和傳送單元等。圖中的 符號1 5,係爲了在載具C內和處理區段1B之間,進行晶 圓W的傳送之傳送臂。 前述加熱單元,係藉由將晶圓W載置在內建有加熱 φ 手段並已經被設定在規定溫度之加熱板上,來對晶圓W 進行規定的加熱處理;作爲如此的加熱單元,有進行爲了 使阻劑成分中的稀釋劑揮發之預先烘烤處理、用來緩和P且 劑圖案的邊紋(fringe )之曝光後烘烤處理、和使顯像時 的殘留清洗液蒸發而除去或是使阻劑硬化之事後烘烤處理 等的複數的種類;而用來進行各個處理之複數個加熱單 元,被設在前述阻劑圖案形成裝置中。 可是,在前述加熱單元中,例如其加熱板,在藉由同 • 心圓狀的複數個加熱器,被分割成複數個加熱區的情況, 爲了確保膜厚、顯像線寬的面內均勻性,需要使各加熱區 的升溫特性曲線一致。又,爲了確保膜厚、顯像線寬之加 熱單元間的均勻性,對於每個進行相同處理之加熱單元, 需要使加熱板的升溫特性曲線一致。因此,在裝置的啓動 時或是定期’便要調查加熱單元的加熱板的溫度特性,並 使加熱區的升溫特性曲線一致,同時對於進行相同的處理 之加熱單元’進行加熱手段的控制,使得能夠確保相同的 升溫特性曲線。 -6- (3) 1295490 以往,前述加熱板的溫度特定的測定,係在此加熱板 上,載置例如在其面內的4 0處設有溫度感測器之晶圓 W,並藉由在每個規定時間測定溫度來進行。在此情況, 例如第21圖所示,需要利用序列排線1 8來連接前述溫度 感測器1 6、和測定器1 7 ;該測定器1 7係被設在前述晶圓 W的外部,並具有用來保存從各溫度感測器1 6來的溫度 資料之記憶體。 φ 因此,在測定加熱板的溫度特性的情況,不得不卸下 前述阻劑圖案形成裝置的背面蓋,再將設有溫度感測器1 6 之晶圓W載置在加熱板上,並利用序列排線1 8來連接前 述溫度感測器1 6、和被設在晶圓W的外側之測定器1 7 ; 如此地每當測定加熱板的溫度特性時,便不得不打開裝置 的背面蓋一事,操作上是不便利的。又,若打開蓋而發生 放熱,則關閉蓋之後,由於需要等待加熱單元內部的溫度 變安定的時間,在阻劑圖案形成裝置中,對於每個加熱單 參元,由於此作業成爲必要,所以等待期間的總合計,會有 超過2 0小時的情況。 因此,本發明的發明人,檢討一種使用無線晶圓來進 行溫度測定的方法,該無線晶圓不需要從晶圓W延伸至 外側之序列排線。所謂的無線晶圓,係在晶圓本身,配備 有溫度感測器、電池、記憶體、控制器,並被構成例如能 夠以1秒爲週期,將溫度資料保存在記憶體內者。作爲使 用如此的無線晶圓來評價熱處理時的基板溫度的均勻性的 手段,已知有專利文獻1的技術。 -7- (4) 1295490 [專利文獻1]日本特開平11-3 07606號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 若使用前述無線晶圓,則有能夠與通常的晶 樣地利用搬送手段,搬送至加熱單元內之優點; 於此無線晶圓是在何時被搬入哪一個加熱單元、 • 出,並沒有認識,所以無線晶圓被載置在加熱板上 沒有清楚,掌握正確的時序的溫度資料是困難的。 因此,本發明的發明人,根據溫度資料來判斷 載置在加熱板上的時序,例如,在5秒的時間內上 以上之時點,將其當作是載置在前述加熱板上的時 而,如第22圖所示,加熱開始時,溫度上升的程 穩的,因而正確地掌握在5秒的時間內上升1 (TC以 點是困難的。 • 另一方面,若無法得知無線晶圓被載置在加熱 正確的時序下的溫度資料,則加熱板的升溫特性曲 定將會不準確,例如加熱板係藉由複數個加熱器而 的情況,若無法掌握各加熱區的正確的升溫特性曲 要進行控制,來使各區的升溫特性曲線一致’而可 面內均勻性高的熱處理一事’是困難的。特別是在 始時,由於在平穩的溫度上升之後’溫度便會急 升,所以時序的分割若產生1秒的誤差,則升溫特 的偏差會變大。 0 W同 .是,由 ;是被搬 的時序 晶圓W 升 1(TC 序。然 度是平 上的時 板上的 線的設 被加熱 線,則 以進行 升溫開 速地上 性曲線 -8- (5) 1295490 進而,在各加熱單元之間,其升溫特性曲線若有偏 差,結果,要進行加熱單元間的均勻性高的熱處理一事, 是困難的。即使是在專利文獻1中,也沒有記載關於無線 晶圓載置在加熱板上的時序的認識手段,所以實際上,專 利文獻1的手段,無法利用在加熱板的溫度測定中。 本發明係鑒於如此的情形而開發出來,其目的在於提 供一種加熱板之溫度測定方法、基板處理裝置及加熱板之 • 溫度測定用電腦程式,能夠容易且高精度地測定將基板進 行熱處理之加熱板的溫度,而且能抑制由於測定作業所造 成的運轉效率的降低。 (解決課題所用的手段) 因此,本發明的加熱板之溫度測定方法,係關於配備 有:將已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包 含將基板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理 ® 單元、和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中 之搬送手段之形態的基板處理裝置,而針對測定前述加熱 板的溫度之方法,其特徵爲包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、記憶部、 及控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路 徑,搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程; 接收前述溫度測定開始指令,溫度檢測用基板,將溫 -9- (6) 1295490 度檢測値的時序列資料,記憶在前述記憶部內之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 此處,基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢 測用基板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲 止之搬送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資 料,來取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料之工程,理想爲藉由電腦來進行。進 而,也可以作成:基於前述溫度檢測用基板被載置在加熱 板上之後的溫度檢測値的時序列資料,來進行用來修正加 熱板的加熱手段的控制參數之工程。 又,前述加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區 域,同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區 域;在此情況,溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在 分別對應前述分割區域的各個位置。進而,前述加熱板, 係被構成:在圓周方向被分割成複數個加熱區域,同時藉 由複數個加熱手段,可以分別獨立地加熱這些複數個加熱 區域;在此情況,溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了 進行各分割區域的溫度檢測,而被設置複數個;並可以作 成:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測用基板的 -10- (7) 1295490 朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資料爲基礎 所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資料,來進行 用來修正各加熱手段的控制參數之工程。進而,對前述溫 度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程, 也可以是在從用來收容溫度檢測用基板並被放置在載具搬 入部內之載具,藉由搬送手段取出基板時,從被設在該載 具中的控制器,輸出前述溫度測定開始指令之工程。 • 又,本發明的基板處理裝置,係針對關於配備有:將 已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基 板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、 和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送 手段之形態的基板處理裝置,其特徵爲具備: 以將配備有溫度檢測部、記憶部、及控制器之溫度檢 測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑,搬送至加熱單元 中之方式,控制前述搬送手段之手段; ® 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之手段;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和接收前述溫度測定開始指令而被記憶在前述溫 度檢測用基板的記憶部內之溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之手段。 -11 - (8) 1295490 又’前述基板處理裝置,也可以作成具備:基於溫度 檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列 資料,來修正加熱板的加熱手段的控制參數之手段。前述 加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區域,同時藉由 複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區域;並可以將 溫度檢測用基板的溫度檢測部,設在分別對應前述分割區 域的各個位置。又,前述加熱板,係被構成··在圓周方向 ® 被分割成複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可 以分別獨立地加熱這些複數個加熱區域;溫度檢測用基板 的溫度檢測部,係爲了進行各分割區域的溫度檢測,而被 設置複數個;其構成也可以具備:基於以被載置在加熱板 上的時候之溫度檢測用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫 度檢測値的時序列資料爲基礎所得到的各分割區域之溫度 檢測値的時序列資料,來修正各加熱手段的控制參數之手 段。 ® 進而,對溫度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開 始指令之手段,係被設在用來收容溫度檢測用基板並被放 置在載具搬入部內之載具中的控制器;也可以作成在藉由 搬送手段從該載具取出溫度檢測用基板時,輸出前述溫度 測定開始指令。 又’關於本發明的溫度測定用電腦程式,係關於配備 有:將已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包 含將基板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理 單元、和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中 -12- (9) 1295490 之搬送手段之形態的基板處理裝置,而針對爲了測定前述 加熱板的溫度而被使甩之程式,其特徵爲: 爲了實施本發明的溫度測定方法之步驟,被寫入。 具體而言,本發明的程式,爲了實施以下的工程之步 驟被寫入,包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、接收溫度 開始指令而記憶溫度檢測値的時序列資料之記憶部、以及 # 控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑, 搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 # 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 【實施方式】 (實施發明的最佳形態) 以下,說明關於適用本發明之基板處理裝置的實施形 態。第1圖係表示本發明的基板處理裝置也就是將塗敷、 顯像裝置、和曝光裝置連接起來而構成的阻劑圖案形成裝 置的平面圖;第2圖係該裝置的槪略斜視圖。圖中,符號 -13- (10) 1295490 B 1,係爲了將例如已經密閉收容了 1 3枚基板也就是晶圓 W之載具C、和已經收容了無線晶圓Ww之無線晶圓用載 具Cw,搬出搬入之載具搬入部;並設有:可以載置複數 個載具C、無線晶圓用載具Cw等之載置台20 ;自此載置 台20來看,被設在前方的壁面上之開閉部21 ;和經由此 開閉部21,爲了從載具C取出晶圓W、或是爲了從無線 晶圓用載具Cw取出無線晶圓Ww之傳送臂a 1。 φ 利用框體22而被包圍其周圍之處理部(區段)B 2, 被連接至載具載置(搬入)部B 1的內部側;在此處理部 B 2,設置:由面前側朝向內部側,依序地交互配列將加 熱·冷卻系統的單元多段化後的3個棚單元U1、U2、 U3 ;和用來進行與後述的其他的處理單元之間的晶圓 W 的傳送之主搬送機構A2、A3。亦即,棚單元Ul、U2、U3 及主搬送機構A2、A3,從載具搬入部B1側來看,係被配 列成前後一列,並在各個連接部位,形成未圖示的晶圓搬 • 送甩的開口部,使得晶圓W能夠在處理部B2內,從其中 一端側的棚單元U 1自由地移動至另一端側的棚單元U3。 又,主搬送機構A2、A3,從載具載置部B1來看,係 被設置在:由被配置在前後方向的棚單元Ul、U2、U3側 的一面部;右側的液處理單元U4、U5側的一面部;和利 用成爲左側的一面之背面部而被構成的區間壁23,而被包 圔的空間內。 前述主搬送機構A2、A3,係被構成可以進退及升降 自如,且可以繞著垂直軸旋轉自如;而能夠在棚單元 -14- (11) 1295490 U1、U2、U3及液處理單元U4、U5之各單元之間,搬送 晶圓W。如此的主搬送機構A2、A3,係基於從後述的控 制部來的指令,藉由控制器,而被驅動控制。圖中的符號 24、25,係被用於各處理單元中之配備有處理液的溫度調 節裝置、溫溼度調節用的導管等之溫溼度調節單元。 液處理單元U4、U5,例如第2圖所示,係被作成: 在用來形成反射防止膜用的藥液、阻劑液、和顯像液之類 • 的藥液供給用的空間之收容部26上,例如將反射防止膜 之塗敷單元(BARC )、阻劑之塗敷單元(COT )及顯像 單元(DEV ),疊層複數段例如5段之構成。再者,爲了 將用語簡略化,將反射防止膜之塗敷單元稱爲反射防止膜 單元、將阻劑之塗敷單元稱爲塗敷單元。 又,前述的棚單元Ul、U2、U3,係被作成:將各種 處理單元疊層複數段的構成;這些處理單元係爲了要進行 在液處理單元U4、U5中要被進行的處理之前處理及後處 • 理。在爲了進行前述的前處理及後處理之各種處理單元 中,例如第3圖所示,包含:傳送單元(TRS )、爲了將 晶圓W調整成規定溫度之溫度調節單元(CPL )、爲了在 塗敷阻劑液之前進行晶圓 W的加熱處理之加熱單元 (BAKE)、爲了在塗敷阻劑液之後進行晶圓W的加熱處 理之被稱爲預先烘烤單元等之加熱單元(PAB )、將曝光 後的晶圓W加熱處理之被稱爲曝光後烘烤處理單元等之 加熱單元(PEB )、和將顯像處理後的晶圓W加熱處理之 被稱爲事後烘烤單元等之加熱單元(POST )等。第3圖 -15- (12) 1295490 係表示這些單元的布置的一例,此布置係爲了說明方便; 在實際的裝置中,係考慮各單元的處理時間等,來決定單 兀的設置個數。 曝光裝置B4,經由介面部B3,被連接在處理區段B2 中的棚單元U3的內部側。介面部B3,係利用前後地被設 在處理部B2和曝光裝置B4之間的第1搬送室27、第2 搬送室2 8而被構成,並分別設有用來組成第2搬送手段 • 之主搬送部A4及輔助搬送部A5。 在此阻劑圖案形成裝置中,加熱單元、傳送單元、溫 度調節單元、塗敷單元、反射防止膜形成單元、顯像單 元,相當於處理單元。又,傳送臂A1、主搬送機構A2、 A3,相當於本發明的搬送手段。 此處,若表示利用前述的阻劑圖案形成裝置,在製品 晶圓W上,形成阻劑圖案的情況之晶圓W的搬送路徑的 一例,則已經被載置於載具載置部B 1內的載具C內之處 Φ 理前的晶圓W,係藉由傳送臂A1,被搬送至傳送單元 (TRS ),繼續,晶圓 W藉由主搬送機構A2、A3,以溫 度調節單元(CPL )—反射防止膜形成單元(BARC )—加 熱單元(BAKE )—溫度調節單元(CPL )—塗敷單元 (COT )的順序被搬送,而在此處,阻劑液被塗敷。接 著,晶圓W,經由加熱單元(PAB )—溫度調節單元 (CPL) 專送單元(TRS)—介面部B3,而被送至曝光 裝置B4內,被進行規定的曝光處理。 曝光處理後的晶圓W,以相反的路徑,回到處理部 -16- (13) 1295490 B2內,並以加熱單元(PEB )—溫度調節單元( 顯像單元(DEV )的順序被搬送,而在此處進: 理;接著,以加熱單元(POST)—溫度調節單元 —棚單元U 1的傳送單元(TRS )的順序被搬送 傳送臂A1,回到載具搬送部B 1的載具C中。 繼續,使用第4圖,作爲前述加熱單元的一 簡單地說明關於用來進行PAB處理、PEB處理等 φ 元的構造;圖中,符號3 1係框體;符號3 2係台 係具有開縫3 0之冷卻板,該板在台的上方可以 左右方向移動;符號34係加熱板;符號36、36 的搬出入口;符號3 7、3 8係分別使搬出入口 3 5 之擋門;符號39a、39b係分別以3根構成1 銷。 被設在棚單元U2中的加熱單元(PAB), 搬送機構A2、A3,在其框體31內進出;被設 # U3中的加熱單元(PEB ),則能夠根據主搬送機 主搬送部A4,在其框體31內進出。 亦即,針對此加熱單元(PAB、PEB ),主 A2(主搬送部A4)若經由搬出入口 3 5 ( 3 6 )進 搬送機構A2 (主搬送部A4 )上的晶圓W,便會 銷3 9a,被傳送至冷卻板33上。然後,藉由冷卻 移動和升降銷3 9b的升降,在冷卻板3 3和加熱 間,進行晶圓W的傳送。然後,藉由加熱板34 處理後的晶圓 W,從加熱板3 4再度被傳送至片 CPL ) ^ 行顯像處 ,(CPL ) ,再藉由 例,預先 之加熱單 ;符號3 3 往圖中的 係晶圓W 、3 6開閉 組之升降 係根據主 在棚單元 Η冓 A3、 搬送機構 入,則主 經由升降 I板3 3的 板34之 而被加熱 >卻板3 3 -17- (14) 1295490 上,於此處被槪略冷卻後,被主搬送機構A3承接,而被 搬送至下一工程。 前述加熱板34,在其內部,配備爲了將該加熱板34 加熱至規定溫度之加熱手段。此加熱手段,例如第5圖所 示,係藉由3個同心圓狀的環狀電阻發熱線所組成的加熱 器Η ( H1〜H3 )而被構成。藉此,加熱板34,係根據各 加熱器Η ( Η 1〜Η3 ),以在直徑方向被分割成3個加熱區 # 域(區)的狀態,獨立地被加熱,而能夠對前述3個區分 別進行溫度控制。 又,加熱單元之中,關於用來進行烘烤處理、事後烘 烤處理(POST )等之加熱單元,雖然沒有圖示出來,例 如具有:用來載置晶圓W,並對晶圓以規定溫渡施行加熱 處理之加熱板。進而,溫度調節單元(CPL ),雖然沒有 圖示出來,例如具有:用來載置晶圓W,並對各加熱處理 已經被施行後的晶圓,以規定溫度施行溫度調節處理之溫 β度調節板。 此處,藉由第6圖,簡單地說明關於無線晶圓Ww。 此無線晶圓Ww,在晶圓本身,配備:構成溫度檢測部之 溫度感測器4 1、以及其內部設有電池和記億部之控制器 42 ;各溫度感測器4 1,例如係藉由纜線43而被連接至控 制器42。前述溫度感測器4 1,例如係分別被設置在對應 加熱板的3個加熱區之位置。 而且,如後所述,例如藉由對控制器4 2輸出溫度檢 測開始指令,利用溫度感測器4 1以規定週期例如以1秒 -18- (15) 1295490 爲週期,檢測溫度資料,並被構成能夠將如此地得到的溫 度檢測値的時序列資料,儲存於記憶部中。 又,若使用第7圖來說明關於無線晶圓用載具Cw, 此載具C w,配備:用來保持無線晶圓ww之保持部4 4、 和控制器45 ;該控制器,係被構成可以藉由無線的方式而 與前述無線晶圓Ww的控制器42傳收訊號,輸出溫度檢 測部4 1的測定開始指令,並讀出被儲存在前述記億部內 # 之溫度檢測値的時序列資料;此控制器4 5,係被構成:能 夠以無線或有線的方式,與被設在無線晶圓用載具Cw的 外部之調整用電腦5,進行資料的傳輸。 前述調整用電腦5,實際上,係藉由CPU (中央處理 單元)、程式及記憶體等而被構成;在此處,若將構成要 素的一部分區塊化來加以說明,第8圖中,符號5 0 0係匯 流排;並將溫度資料儲存部501、溫度資料取得部5 02、 彙總資料算出部5 03、偏差算出部5 04、資料顯示部5 05、 • 資料收發部506等,配備在此匯流排5〇〇上。 前述溫度資料儲存部50 1,係用來儲存先測定無線晶 圓Ww,再經由控制器45而被發送過來之溫度檢測値的時 序列資料之手段;溫度資料取得部502,係自前述無線晶 圓W w所測定的溫度檢測値的時序列資料、和利用後述的 控制部6而被管理的無線晶圓w w的搬送經歷,對每個加 熱單元’取出無線晶圓W w被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料(以下稱爲「加熱板的溫度資料」) 之手段。進而’栗總資料算出部5 0 3,係基於前述加熱板 -19- (16) 1295490 的溫度資料,算出加熱板的溫度情報也就是彙總資料,例 如規定時間帶之加熱板的面內溫度的平均値(以下稱爲 「平均値」)、及加熱板的面內溫度差,例如利用加熱器 H1〜H3而被加熱之各區的溫度差(以下稱爲「幅 度」)。 偏差算出部5 04,係基於前述平均値及幅度、和目標 溫度範圍及目標面內溫度差之比較結果,算出偏差値之手 # 段。此處,偏差値,係爲了進行溫度目標値的校準而被求 出,使得各區中的溫度檢測値可以在前述目標溫度範圍及 目標面內溫度差以內。 資料顯示部5 05,係將取得的加熱板的溫度資料、彙 總資料、偏差値等,例如顯示在調整用電腦的操作畫面上 之手段。又,資料收發部5 0 6,係與後述的控制部6之 間,進行規定的資料的收發之手段。 進而,前述阻劑圖案形成裝置,配備控制部6 ;此控 ® 制部 6係用來進行:加熱單元(BAKE、PAB、PEB、 POST)、塗敷單元(COT)、顯像單元(DEV )、溫度調 節單元(CPL )等的其他的各種處理單元、傳送臂A1、主 搬送機構A2、A3、及第2搬送手段(A4、A5 )等的搬送 系統等的控制。第9圖係表示此控制部6的構成之圖;實 際上,係藉由CPU、程式、及記憶體等來構成;而在此 處,將構成要素的一部分區塊化來加以說明。 第9圖中的符號600係匯流排;程序儲存部601、程 序選擇部602、程序作成部603、控制參數修正部604、資 -20- 600 (17) 1295490 料顯示部605、資料收發部606等,配備在此匯流排 上。製法儲存部60 1,例如儲存著:在進行加熱板的 測定之溫度測定模式中,被使用之溫度測定程序;以 對製品晶圓 W進行阻劑圖案形成處理之處理模式中 使用之記載著搬送路徑、各處理單元中的處理條件之 製程程序等之複數種程序。 前述溫度測定程序,係在裝置的啓動時或是定期 # 行加熱板的溫度測定的時候,所選擇者;此程序係爲 將無線晶圓Ww搬送至加熱單元中,且利用加熱單元 通常的熱處理製程,並測定此時的加熱板的溫度之程, 例如,在前述溫度測定程序中,項目和時刻一起 載。具體而言,係按照規定的時間軸,記載加熱單元 送順序、在加熱單元中所進行的熱處理的時間、搬送 等的資料;藉此,無線晶圓Ww,藉由傳送臂A1、主 機構A2、A3,變成可以按照預先被決定的搬送路徑 • 先被決定的時間,被搬送至加熱單元中。 程序選擇部602,係從被儲存於程序儲存部601 程序中’選擇出適當的程序之部位;操作者,藉由利 作部(操作畫面)選擇出溫度測定程序、製程程序等 當的程序,而可以將溫度測定模式和處理模式進行切 再者’前述操作部,例如也可以輸出晶圓的處理枚數 劑的種類等。程序作成部603,係操作者作成新的溫 量程序、製程程序、搬送程序等之手段。 又’控制參數修正部604,係基於自前述調整用 溫度 及在 ,被 類的 地進 了僅 進行 Ψ ° 被記 的搬 時間 搬送 、預 內的 用操 之適 換。 、阻 度測 電腦 -21 - (18) 1295490 5被傳送過來的偏差値,進行加熱板的加熱器Η 1〜H3的 控制參數的修正,並對各加熱單元的控制器6 1輸出之手 段,使得各加熱單元的各加熱板可以收斂在規定的規格 內。此處,在加熱板中,由於將 PID控制和固定控制 (MV控制)組合而成之溫度控制要被進行;該pid控 制,係基於溫度檢測値和溫度目標値之偏差,演算出對應 前述加氣器Η 1〜Η3之電力供給量之信號並加以輸出;該 # 固定控制(MV控制),係使用計時器,以固定的輸出特 性曲線對加熱器Η 1〜Η3進行電力供給;所以在此處, P ID控制和Μ V控制之輸入特性曲線,係基於前述偏差 値,以規定的演算法而被調整。 前述資料顯示部605,係將被作成的加熱板的溫度資 料、彙總資料、偏差値等,例如顯示在控制部6的電腦的 操作畫面上之手段。又,資料收發部606,係與調整用電 腦5之間,進行規定的資料的收發之手段。藉此,控制部 ® 6 ’如先前所述,能夠藉由無線或有線的方式,與被設在 裝置外部之無線晶圓用載具Cw之調整用電腦5,進行資 料的收發,且在與此調整用電腦5之間,無線晶圓Ww的 溫度測定開始、結束的訊號、偏差値等,能夠收發。 進而,控制部6,係經由各個控制器6 1、6 2、6 3,連 接:各種加熱單元(PAB、PEB、POST、B AKE )等;被 設在處理部B2中的棚單元U1〜U3內的加熱單.元(PAB、 PEB、POST、BAKE)以外之塗敷單元(COT)、顯像單 兀(DEV)、溫度g周自卩卓兀(CPL)等的各種處理單兀; -22- (19) 1295490 以及傳送臂 A1、主搬送機構 A2、A3、第2搬送手段 A4、A5等的搬送系統等;各處理單元等的動作,係基於 控制部6的指令,並藉由各控制器6 1〜6 3,而可以被控 制。 接著,以測定加熱單元(PAB )的加熱板的溫度之情 況爲例,參照第1 0圖來進行本實施形態的作用說明。首 先,操作者選擇加熱單元的溫度測定程序(步驟S 1 )。 # 若選擇此程序,例如在控制部6的操作畫面上,顯示出溫 度測定程序的槪要和溫度測定開始開關。然後,操作者若 壓下此開關,則溫度測定開始訊號便會經由調整用電腦 5,被輸出至無線晶圓用載具Cw的控制器45中(步驟 S2 )。而且,從控制器45,對無線晶圓Ww的控制器42 輸出溫度測定開始指令,於是在無線晶圓Ww中,藉由溫 度感測器4 1,以規定週期例如以1秒爲週期,開始溫度測 定,被測定的溫度檢測値的時序列資料則被儲存於記億部 •內(步驟S 3 )。 在此例中,將前述溫度測定開始指令輸出至無線晶圓 Ww的控制器42中之工程,由於是在無線晶圓用載具Cw 的內部中被進行,所以預先被決定的搬送路徑中的預先被 決定的位置,成爲此載具Cw內的位置。 另一方面,在阻劑圖案形成裝置中,基於前述溫度測 定開始訊號,無線晶圓Ww藉由傳送臂A1而從無線晶圓 用載具Cw被取出,並按照預先被決定的搬送路徑、預先 被決定的時間,被搬送至想要測定溫度之加熱單元中,在 -23- (20) 1295490 此例中,係被搬送至用來進行PAB處理之第1加熱 中(步驟S4)。 然後,在第1加熱單元中,如先前所述,無線 Ww被載置在加熱板3 4上,感測器檢測出升降銷3 9b 下降的時點,於是熱處理開始。而且,熱處.理進行規 間之後,.將晶圓 Ww傳送至冷卻板3 3上,開始冷 理,經過規定時間後,再將無線晶圓Ww從第1加熱 • 搬出。此處,冷卻開始處理的時序,係藉由感測器檢 將晶圓Ww傳送至冷卻板3 3上的時點來決定 接著,從第1加熱單元被搬出的晶圓Ww,藉由 送機構A2、A3,被搬送至下一個要進行溫度測定之 加熱單元中,同樣地藉由無線晶圓Ww來進行溫度 (步驟S 5 )。接著,無線晶圓Ww被搬送至下一個的 溫度測定之第3加熱單元中,同樣地進行溫度測定( S6 )。 II 如此地按照預先被決定的搬送路徑、時間’將無 圓Ww搬送至想要測定溫度資料之全部的加熱單元中 行溫度資料的測定之後,藉由主搬送機構A2、A3和 臂A1,使無線晶圓Ww回到無線晶圓用載具Cw內 此,例如在無線晶圓Ww回到無線晶圓用載具Cw內 候,藉由控制部6,測定結束的指令,經由調整用 5、控制器4 5,被輸出至無線晶圓W w的控制益4 2中 結束在無線晶圓Ww中之溫度資料的測定(步驟 S 8 )。而且,在此無線晶圓Ww中,例如進行電池 一 24- 單元 晶圓 已經 定時 卻處 單元 測到 主搬 第2 測定 進行 步驟 線晶 ,進 傳送 。如 的時 電腦 ,而 S7、 的充 (21) 1295490 電。 接著’藉由調整用電腦5,經由控制器45,讀出已經 被收集在無線晶圓W w的記憶體內之溫度檢測値的時序列 資料’並將此資料儲存在溫度資料儲存部5 〇〗中(步驟 S 9 )。另一方面’在控制部6中,藉由資料收發部6 0 6, 將被記載於溫度測定程序中之由預先被決定的搬送路徑及 時間所組成的搬送經歷,輸出至調整用電腦5中(步驟 Φ S10 )。然後,利用調整用電腦5的溫度資料取得部 5 02 ’基於從輸出溫度測定開始指令時的前述無線晶圓Ww 的位置至該無線晶圓Ww被載置在加熱板上爲止的搬·送時 間、和經由無線晶圓W w的記憶部而被儲存在溫度資料儲 存部5 0 1中之前述溫度檢測値的時序列資料,取出如第i j 圖所示之無線晶圓Ww被載置在該加熱板上之後的溫度檢 測値的時序列資料(步驟S 1 1 )。此處,在第1 1圖中, 用來表示加熱板的溫度資料連同搬送時刻和項目之搬送經 • 歷,係被合倂記載。 然後,基於此加熱板的溫度資料,藉由彙總資料算出 部5 03,算出彙總資料也就是前述平均値和前述幅度(步 驟S 12)。然後,利用偏差算出部504,進行前述平均値 及幅度、和目標溫度範圍及目標面內溫度差之比較(步驟 S 1 3 ),前述平均値及幅度若在規格內’則結束加熱單元 的溫度測定程序。此處’所謂的規格內’係指前述平均値 及幅度在目標溫度範圍及目標面內溫度差內;前述目標溫 度範圍,例如在目標溫度±0· 1 °C以內;目標面內溫度差爲 -25- (22) 1295490 〇 . 2 °C以內。 另一方面,平均値及幅度若在規格外,則利用偏差算 出部5 04,算出偏差値,如此地被算出的偏差値,被輸出 至控制部6 (步驟S 1 4 )。然後’在控制部6中’利用控 制參數修正部604,基於此偏差値,進行該加熱單元的加 熱器Η 1〜Η 3的控制參數的修正,並對此加熱單元的控制 器6 1,輸出控制參數的修正値,而在該加熱單元中,以被 # 修正後的控制參數來進行以後的處理(步驟S 1 5 )。 然後,選擇程序,使得可以再度開始被修正後的加熱 單元(ΡΑΒ )的溫度測定,並輸入溫度測定開始指令,來 實施溫度測定程序。如此自動地反覆進行藉由無線晶圓 Ww所實行的溫度檢測、加熱板的溫度資料的取得、彙總 資料的算出、和偏差値的算出,直到溫度檢測値在目標溫 度範圍及目標面內溫度差內爲止。此處,例如在第2次以 後,溫度測定程序,係被寫成可以僅將無線晶圓Ww搬送 ® 至被修正後的加熱單元中。 如此,在前述實施形態中,由於藉由配備有溫度感測 器4 1、記憶部及控制器42之無線晶圓Ww,來測定加熱 板的溫度,所以藉由利用傳送臂A1、主搬送機構 A2、 A3,將該無線晶圓Ww自動地搬送至要進行溫度測定之對 象的加熱單元中,能夠進行該加熱單元的加熱板之溫度特 性的測定。因此,相較於使用以序列排線來連接溫度感測 器、和被設在測定用晶圓的外側之測定器之型式的測定用 晶圓,來測定加熱板的溫度特性的情況,容易將測定用晶 -26- (23) 1295490 圓載置在加熱板上,操作處理容易;又,由於不需要等待 加熱單元內部的溫度成爲安定的時間,所以能夠抑制由於 測定作業所造成的運轉效率的降低。 此時,在阻劑圖案形成裝置中,藉由控制部6,由於 無線晶圓Ww係按照預先被決定的搬送路徑而被搬送至加 熱單元中,所以藉由時刻,便能夠正確地掌握阻劑圖案形 成裝置內的無線晶圓Ww的位置。因此,能夠正確地認識 # 晶圓W被載置在規定的加熱單元的加熱板上之時序、晶 圓W從加熱板被傳送至冷卻板上之時序等。 另一方面,無線晶圓Ww,係在前述搬送路徑中的預 先被決定的位置,在此例中爲被載置在載具搬送部B1中 的無線晶圓用載具Cw內的位置,溫度測定開始指令被輸 出至無線晶圓用載具Cw的控制器45中,所以能夠正確地 掌握該無線晶圓Ww自此位置至被載置在要進行測定的加 熱單元的加熱板上爲止的搬送時間。 II 因此,結束藉由無線晶圓Ww所實行的溫度測定之 後,根據前述搬送時間、和被儲存在無線晶圓Ww的記億 部中的溫度檢測値的時序列資料,針對前述加熱單元,能 夠正確地掌握無線晶圓 Ww被載置在加熱板上之後的時 序、無線晶圓Ww被傳送在冷卻板上之後的時序等的情況 下之無線晶圓Ww的測定溫度,因而能夠容易且高精度地 取出被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列資料。 此時,各加熱單元的製程內的動作,例如藉由升降銷 的下降所實行之無線晶圓Ww往加熱板載置的時點、晶圓 -27- (24) 1295490 W往冷卻板載置的時點之溫度資料的特定,成爲可能,因 此基於溫度檢測値的時序列資料,正確地掌握各動作時期 的溫度資料一事,成爲可能,而能夠進行更正確的解析。 進而,由於能夠取得加熱板的正確的溫度檢測値的時 序列資料,所以能夠以高精度,取得自製程開始後被指定 時間的溫度資料、各區的溫度資料等,並能夠正確地掌握 前述平均値、前述幅度等。因此,能夠進行高精度的偏差 ® 値的算出,並藉由基於此偏差値來進行加熱板的控制參數 的修正’在各加熱板中,能夠實行調整,使得各區的升溫 特性曲線可以一致。藉此,能夠使各區的升溫時的面內溫 度分布一致,而能夠進行面內均勻性高的熱處理。 進而,對各個加熱板,由於能夠作成正確的溫度曲 線,所以能夠簡單地進行要進行相同工程的加熱單元間的 溫度資料、和例如顯像線幅、膜厚等的膜質資料之比較; 並基於此比較結果,藉由以能夠得到規定的膜質的薄膜之 # 方式,進行各加熱單元的控制器61的控制參數修正,能 夠提高加熱單元間的熱處理的均勻性。 又,由於能夠得到各加熱板的正確的溫度檢測値的時 序列資料,所以無線晶圓Ww的溫度測定即使是以1秒爲 週期來進行,藉由通常的內插方法來內插該測定間隔之 閭,例如可以算出正確的積算値(面積)等,而取得精度 高的2次加工資料。 以上,在本發明中,針對前述加熱單元(PAB、 PEB ),也可以將無線晶圓載置在加熱板上規定時間,接 -28- (25) 1295490 著將無線晶圓Ww載置在冷卻板上規定時間,使其成爲穩 定溫度例如24 °C爲止,而作出第一次的溫定測定資料;並 再度將無線晶圓Ww載置在加熱板上規定時間,接著將無 線晶圓Ww載置在冷卻板上規定時間,使其成爲穩定溫度 爲止,而作出第二次的溫定測定資料;藉由反覆進行複數 回此測定,取得複數回加熱板的溫度資料,再根據此複數 回資料,分別算出彙總資料、偏差値等,來設定其平均 ® 値。此情況,能夠將無線晶圓Ww搬送一次至要測定的加 熱單元中,來測定複數次的加熱板的溫度。 進而,在本發明中,也可以藉由控制部6,來進行加 熱板的溫度檢測値的時序列資料、彙總資料等的算出、和 偏差値的算出;在此情況中,調整用電腦5,係基於根據 控制部6所產生的測定開始或測定結束的指令,進行:往 控制器4 5,輸出溫度測定開始或結束的指令;或是將自無 線晶圓W w的記憶部讀出的溫度檢測値的時序列資料,往 ® 控制部6發送。又,也可以藉由調整用電腦:5,基於偏差 値,來進行加熱單元的控制器6 1的控制參數修正。 進而,本發明對於晶圓所進行的熱處理,係作成包 含:在加熱晶圓之正的溫度下的熱處理、和在冷卻晶圓之 負的溫度下的熱處理。藉此,本發明也能夠適用在:將進 行烘烤處理、事後烘烤處理等之加熱單元的加熱板的溫度 特性;或是對於晶圓以規定溫度施行溫度調節處理之溫度 調節單元的溫度調節板的溫度特性等,加以測定之情況 cjm 〇 -29- (26) 1295490 在以上的情況中,溫度測定開始的指令,也可以作 成:當要將基板從無線晶圓用載具Cw取出時,從該載具 Cw的控制器45,對無線晶圓Ww的控制器42,輸出溫度 測定開始指令;溫度測定結束的指令,也可以作成:例如 基板被送回無線晶圓用載具Cw中,無線晶圓用載具Cw 的控制器45已經確認無線晶圓Ww的存在時,對無線晶 圓Ww的控制器42,輸出測定結束的指令,而可以結束在 # 無線晶圓Ww中的溫度資料的測定。 又,在本發明中,於搬送路徑中,對無線晶圓Ww的 控制器42,輸出溫度測定開始指令之預先被決定的位置, 係成爲藉由無線晶圓Ww來實行溫度檢測的始點,同時也 成爲無線晶圓Ww往加熱板之搬送時間的始點;但是,輸 出此溫度測定開始指令之預先被決定的位置,只要是在無 線晶圓Ww被搬送在加熱板上之前,能夠對前述控制器42 輸出溫度測定開始指令之位置,即使不是被載置在載具搬 ® 入部B 1中之無線晶圓用載具Cw內的位置,也可以;例 如,也可以是被設在載具搬入部B 1或處理部B2內之緩衝 匣(buffer cassette)內的位置。 在以上的情況,於前述實施形態中,係作成:無線晶 圓Ww,係在進行想要測定溫度資料之全部的加熱單元的 溫度資料的測定之後,當被送回無線晶圓用載具Cw內的 時候,藉由控制部6,溫度結束的指令,可以經由調整用 電腦5、控制器45,而被輸出至無線晶圓Ww的控制器42 中;也可以取代此種方式,而作成:無線晶圓w w,係在 -30- (27) 1295490 進行想要測定溫度資料之全部的加熱單元的溫度資料的測 定之後,在送回無線晶圓用載具Cw內之前的搬送路徑的 途中,藉由控制部6,對無線晶圓W w的控制器4 2,輸出 測定結束的指令,而可以結束藉由無線晶圓Ww所實行的 溫度資料的測定。 即使是在此情況,由於無線晶圓Ww係沿著預先被決 定的路徑被搬送至加熱單元中,並在前述搬送路徑中的預 # 先被決定位置,溫度測定開始指令被輸出至無線晶圓Ww 的控制器42中,所以基於從輸出前述溫度測定開始指令 時之無線晶圓Ww的位置至該無線晶圓Ww被載置在加熱 板上爲止的時間、和無線晶圓Ww的記憶部內之溫度檢測 値的時序列資料,能夠取出無線晶圓Ww被載置在加熱板 上之後的溫度檢測値的時序列資料。 此處,在先前的實施形態中,具體地預先說明關於將 各加熱板中的各區的升溫特性曲線,調整成一致的手段。 ® 例如第5圖所示,在加熱板3 4中,複數個加熱器例如3 個加熱器Η 1〜H3,被配置成同心圓狀的情況,在各加熱 器Η1〜Η3的負責加熱區域也就是分割區域(區)之中, 利用預先掌握何區和哪一個溫度感測器對應與否之關係, 能夠調整加熱板34的內內溫度。具體而言,若將藉由加 熱器Η 1〜Η3而分別被加熱控制之區,作成區1〜3,則能 夠掌握各區1〜3的溫度檢測値的平均値,因此,由於也 能夠得知各區1〜3的溫度檢測値的平均値彼此之間的差 (幅度),所以基於這些資料,能夠調整各加熱器Η1〜 -31 - (28) 1295490 Η 3的電力供給量。 另一方面,被設在加熱板3 4內部之加熱器Η,如第 1 2圖(a )所示,被設成也在圓周方向被分割的情況,則 爲了要使第12掘(b)所示的各個溫度感測器41,和藉由 各加熱器Η而被加熱控制之區,互相對應,則必須考慮無 線晶圓Ww被載置在加熱板3 4上的朝向。關於此情況, 就如何掌握各區的溫度資料而言,爲了容易理解,如第1 3 # 圖所示,舉出對應在加熱板34中被分割成二半之加熱器 Η1 0、Η1 1,而在無線晶圓 Ww側被設置2個溫度感測器 70、71之模式的例子,來加以說明。在第1 3圖〜第1 9圖 中,關於與前述實施形態相同構成的部分,爲了說明方 便,標上相同的符號。 在第1 3圖所示的無線晶圓Ww的周邊的一部分,被 形戒爲了要表示面方位之V字形的切口也就是凹口 80。 第1溫度感測器70和第2溫度感測器71,係夾著前述溫 • 度控制器42而被設成對角線狀。 關於控制部9,若一邊參照第1 4圖一邊詳細說明,則 在第14圖中,符號90爲匯流排;通訊部、記憶部、各程 式儲存部、及CPU等,與此匯流排90連接,而在第14 圖中,將其機能地表現而使其方塊化。再者,在第14圖 中,程序儲存部601、程序選擇部602、及程序作成部 603,由於其構成與前述相同,故在此省略說明。資料通 訊部7 0 1,係與無線晶圓W w之間,進行各種資料的通訊 之部位;例如,進行向控制器42發出溫度檢出開始指 -32- (29) 1295490 令、和接收已經藉由第1溫度感測器70及第2溫度感測 器7 1而檢測出來的溫度資料等。 溫度感測器資料儲存部702,係儲存已經藉由各加熱 單元中的第1溫度感測器7 〇及第2溫度感測器7 1而檢測 出來的溫度資料之部位。 加熱器資料儲存部7 0 3,係基於被儲存在前述溫度感 測器資料儲存部702中的溫度資料,例如藉由後述的溫度 • 資料作成程式,對於各個加熱單元,儲存對應加熱器也就 是對應加熱器所負責加熱的分割區域(加熱控制區域)之 溫度資料之部位。 符號7 1 〇係程式儲存部,溫度資料作成程式7 04和加 熱器溫度修正程式7 〇 5,被儲存在該程式儲存部中。加熱 器溫度修正程式705 ’具有:基於被儲存在加熱器資料儲 存部703中的加熱板的各個分割區域之溫度資料、和預先 設定的溫度測定資料,對於有關各加熱器之溫度控制器 ® 82、83,輸出控制參數的修正値之機能。 此處,前述程式7 0 4及7 0 5,係被儲存在記憶媒體例 如軟碟、光碟、磁光碟(MO )、記憶卡等之中,並被安 裝在控制9亦即電腦中,再被儲存於程式儲存部7丨〇中。 繼續,一邊參照第15圖一邊敘述各加熱單元中的分 割區域的溫度修正的情況。首先,如先前所述,操作者若 壓下搬送開始開關,則藉由傳送臂A1,無線晶圓Ww從 無線晶圓用載具Cw被取出,而被搬送至被裝設在棚單元 U1中的第1加熱單元中。然後,如第1 6圖所示,針對無 -33- (30) 1295490 線晶圓W w ’若將凹口 8 0朝向搬入加熱單元中的方向之狀 態,定義爲搬入角度0度,則在此例中,被搬入第1加熱 單元中之無線晶圓W w的搬入角度爲9 0度。再者,此第1 加熱單元,係被構成:其冷卻板,相對於傳送臂A 1或主 搬送機構A2,可以在無線晶圓Ww要進出 (access)和力口 熱板3 4上之間滑動;因此,凹口 8 0成爲如此的朝向。而 且,在第1加熱單元中,如先前所述,無線晶圓W w被載 Φ 置在加熱板34上,進行熱處理。 ^接著,從第1加熱單元被搬出之無線晶圓Ww,藉由 主搬送機構A2,被搬送至被裝設在棚單元U2中的第2加 熱單元中,進行同樣的處理,進而,藉由主搬送機構 A3,被搬送至被裝設在棚單元U3中的第3加熱單元中., 進行同樣的處理。在此例中,被搬入第2加熱單元及第3 加熱單元中之無線晶圓W w的搬入角度,分‘別爲2 7 0度及 90度。 ® 如此,按照預先被決定的搬送路徑、時間,利用將無 線晶圓Ww搬送至全部的加熱單元(爲了說明方便,設爲 第1加熱單元、第2加熱單元、及第3加熱單元)中,如 第1 7圖所示,針對各加熱單元,取得第1溫度感測器70 所負責的加熱區域的溫度資料、和第2溫度感測器7 1所 負責的加熱區域的溫度資料。 繼續,藉由前述的溫度資料作成程式704,如第1 8圖 所示,考慮無線晶圓Ww往各加熱器的加熱板之搬入角 度,來判斷各加熱板的哪一個加熱器加熱控制區域,對應 -34 - (31) 1295490 哪一個溫度感測器的溫度資料。亦即,基於前述無線晶圓 Ww的搬入角度、和第1溫度感測器70與第2溫度感測器 7 1的溫度資料,而可以得到各加熱板的分割區域的溫度。 第1 9圖係以如此的方式所得到的第1溫度感測器70與第 2溫度感測器7 1、和各加熱單元中之各個加熱器所負責的 加熱控制區域(分割區域)之溫度資料。前述溫度資料作 成程式7 04,係基於此溫度資料、和例如預先被設定的溫 • 度資料(此資料,例如被儲存於未圖示的記憶體中),如 先前所述地,以規定的演算法,調整對於各加熱器之電力 供給控制資料也就是P ID控制或是MV控制的輸入特性曲 線。具體而言,係調整PID控制中的溫度目標値、時間常 數等,或是調整MV控制中的供給電力的位準、供給時間 等,而該修正値則從控制部9被輸出至有關各加熱器之溫 度硿制器中。 然後,選擇程序,使得可以再度開始被修正後的加熱 ^ 單元的溫度測定,並輸入溫度測定開始指令,來實施溫度 測定程序。如此自動地反覆進行藉由無線晶圓Ww所實行 的溫度檢測、加熱板的溫度資料的取得、彙總資料的算 出、和偏差値的算出,直到溫度檢測値在目標溫度範圍及 目標面內溫度差內爲止。 若根據此實施例,當將無線晶圓Ww沿著預先被決定 的搬送路徑搬送至各加熱單元中的時候’由於基於搬入加 熱單元中之無線晶圓Ww的搬入角度,來判斷被形成在無 線晶圓Ww表面上之第1溫度感測器7 〇與第2溫度感測 -35- (32) 1295490 器7 1各自負責的加熱區域,所以針對各加熱單元,由於 可以得知被形成在無線晶圓Ww表面上之各溫度感測器、 和被設在加熱板3 4 ’內部之各加熱器之間的對應關係,因 此針對各加熱器,基於藉由各溫度感測器所測得的溫度資 料,能夠調整各加熱器的溫度控制參數。 [發明之效果] # 若根據本發明,由於使用配備有溫度檢測部、記憶 部、及控制器之溫度檢測用基板,來測定加熱板的溫度, 所以能夠容易且高精度地測定加熱板的溫度。此時,由於 是基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基板 的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬送 時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來取 出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的 時序列資料,所以能夠正確地掌握將溫度檢測用基板搬送 ® 至加熱板上之時序,而能夠以高精度來取出前述溫度檢測 値的時序列資料,並能夠進行精度高的溫度測定。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示有關本發明的基板處理裝置的實施形態 之平面圖。 第2圖係表示前述基板處理裝置之斜視圖。 第3圖係表示前述基板處理裝置中的棚單元之側面 圖。 -36- (33) 1295490 第4圖係表示前述基板處理裝置中的加熱單元之縱剖 剖面圖。 第5圖係轰示前述加熱單元的加熱板之平面圖。 第6圖係表示在前述加熱板的溫度特性的測定中所使 用的無線晶圓的一例之斜視圖。 第7圖係表示用來收容前述無線晶圓之專用的載具的 一例之剖面圖。 # 第8圖係表示調整甩電腦的一例之構成圖。 第9圖係表示控制部的一例之構成圖。 第1 0圖係爲了說明加熱板的溫度測定工程之流程 圖。 第1 1圖係表示加熱板的溫度檢測値的時序列資料之 特牲圖。 第12圖係表示在本發明的實施形態中,無線晶圓及 加熱板的其他例之槪略斜視圖。 ® 第1 3圖係表示在本發明的實施形態中,無線晶圓及 加熱板的其他例之槪略斜視圖。 第1 4圖係表示在本發明的實施形態中,控制部的一 例之構成圖。 第15圖係表示有關本發明的基板處理裝置的實施形 態之平面圖。 第1 6圖係就被搬入加熱單元中之無線晶圓的搬入角 度加以說明之說明圖。 第1 7圖係表示藉由各溫度感測器所測得的加熱板之 -37- (34) 1295490 圓 晶 線 無 之 中 元 單 熱 。 加 圖各 性入 特搬 之被 料要 資入 列寫 序被 時係 的圖 値 8 測1 檢第 度 溫 圖 之 置 位 器 熱 加 的 應 對 所 器 測 感 度 溫 各 和 度 角 入 搬。 的表 9 11 溫 之 器 熱 加 各 的 來 出 測 檢。 所圖 定性 測特 由之 藉料 示資 表列 係序 圖時 的 値 第測 檢 度 第 平 之 例1 的 置 裝 成 形 案 圖 劑 阻 的 知 習 示 表 係 圖 圖 面 第 視 斜 之 圓 晶 的 用 定 測 度 溫 的 板 熱 加 示 表 係 圖 圖 第 性 特 之 例1 的 線 曲 性 特 溫 升 的 板 熱 加 示 表 係 圖 圖 【主要元件符號說明】 W :半導體晶圓 Ww :無線晶圓 C :載具
Cw :無線晶圓用載具 B 1 :載具搬入部 B 2 :處理區段 B 3 :介面部 B4 :曝光裝置 A1 :傳送臂 A2、A 3 :主搬送機構 -38- (35) 1295490 A4、A5 :第2搬送手段(主搬送部、輔助搬送部) 3 4 :加熱板 3 3 :冷卻板 4 1 :溫度檢測部 42 :無線晶圓Ww的控制器 45 :無線晶圓用載具Cw的控制器 5 :調整用電腦 # 502 :溫度資料取得部 5 03 :彙總資料算出部 5 04 :偏差算出部 6 :控制部 604 :控制參數修正部 HI、H2、H3 :力口熱器 -39-
Claims (1)
- 、1295490月f日修㈣正替十、申請專利範圍 第094 1 26603號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年9月4日修正 1. 一種加熱板之溫度測定方法,係關於配備有:將已 經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基板 載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、和 # 從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送手 段之形態的基板處理裝置,而針對測定前述加熱板的溫度 之方法,其特徵爲包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、記憶部、 及控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路 徑,搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程; • 接收前述溫度測定開始指令,溫度檢測用基板,將溫 度檢測値的時序列資料,記憶在前述記憶部內之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的加熱板之溫度測定方 •1295490法,其中基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測 用基板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止 之搬送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資 料,來取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料之工程,係藉由電腦來進行。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中具備··基於前述溫度檢測用基板被載置 # 在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列資料,來修正加熱 板的加熱手段的控制參數之工程。 4.如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中前述加熱板,係被構成:被分割成複數 個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱 各分割區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在分別對應前 述分割區域的各個位置。 • 5·如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中前述加熱板,係被構成:在圓周方向被 分割成複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可以 分別獨立地加熱這些複數個加熱區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了進行各分割區 域的溫度檢測,而被設置複數個; 並具備:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測 用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資 料爲基礎所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資 -2- 1295490 (3) 料,來修正各加熱手段的控制參數之工程。 6.如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中對前述溫度檢測用基板的控制器,輸出 溫度測定開始指令之工程,係在從用來收容溫度檢測用基 板並被放置在載具搬入部內之載具,藉由搬送手段取出基 板時,從被設在該載具中的控制器,輸出前述溫度測定開 始指令之工程。 # 7 · —種基板處理裝置,係針對關於配備有:將已經收 容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基板載置 在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、和從載 具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送手段之 形態的基板處理裝置,其特徵爲具備: 以將配備有溫度檢測部、記憶部、及控制器之溫度檢 測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑,搬送至加熱單元 中之方式,控制前述搬送手段之手段; • 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之手段;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和接收前述溫度測定開始指令而被記憶在前述溫 度檢測用基板的記憶部內之溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之手段。 -3 - (4) (4) 1295490 辦^聊峨彩正替换買 8 ·如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置,其中 具備:基於溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料,來修正加熱板的加熱手段的控制參 數之手段。 9 ·如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理裝 置,其中前述加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區 域’同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區 | 域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在分別對應前 述分割區域的各個位置。 10·如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理 裝置,其中前述加熱板,係被構成:在圓周方向被分割成 複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可以分別獨 立地加熱這些複數個加熱區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了進行各分割區 ^ 域的溫度檢測,而被設置複數個; 並具備:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測 用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資 料爲基礎所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資 料,來修正各加熱手段的控制參數之手段。 1 1 .如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理 裝置,其中對溫度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開 始指令之手段’係被設在用來收容溫度檢測用基板並被放 置在載具搬入部內之載具中的控制器;在藉由搬送手段從 -4- 1295490 月ftei修(_正替換買 (5) 一 該載具取出溫度檢測用基板時,輸出前述溫度測定開始指 令。 1 2 . —種電腦可讀取之記憶媒體,其特徵爲記憶有加 熱板之溫度測定用電腦程式,該電腦程式係於配備有:將 已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基 板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、 和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送 φ 手段之形態的基板處理裝置被用於測定前述加熱板的溫度 者,而且被組入有實施申請專利範圍第1項或第2項所記 載的溫度測定方法之工程者。1295490 七、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圓為:第(10)圓 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明:無八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4722684B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2011-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5105396B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-12-26 | 東京応化工業株式会社 | 加熱処理装置 |
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JP4973267B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体 |
JP5293719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP4722231B2 (ja) * | 2011-01-11 | 2011-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US8809747B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-08-19 | Lam Research Corporation | Current peak spreading schemes for multiplexed heated array |
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JP6104718B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-03-29 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置、温度測定用基板の搬送方法および試験方法 |
JP6118180B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-19 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 試験予定作成方法、試験方法、試験予定作成装置および基板処理装置 |
US9716022B2 (en) * | 2013-12-17 | 2017-07-25 | Lam Research Corporation | Method of determining thermal stability of a substrate support assembly |
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US9779974B2 (en) | 2015-06-22 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck |
US10386821B2 (en) * | 2015-06-22 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values |
US10763142B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter |
US10381248B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity |
JP6512089B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 |
JP6391558B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6481636B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法 |
CN107045215A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-08-15 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板制程和一种用于显示面板的烘烤装置 |
JP6930119B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び基板処理装置 |
JP6785186B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2020-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法 |
CN107479339B (zh) * | 2017-09-01 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显影装置及其显影方法 |
US11222783B2 (en) * | 2017-09-19 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Using cumulative heat amount data to qualify hot plate used for postexposure baking |
JP7027198B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7170404B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018195849A (ja) * | 2018-08-21 | 2018-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7091221B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2022-06-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7256034B2 (ja) * | 2019-03-04 | 2023-04-11 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN111986976B (zh) * | 2019-05-22 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室及半导体处理设备 |
EP4302972A1 (de) * | 2022-07-08 | 2024-01-10 | Georg Fischer Rohrleitungssysteme AG | Zonenbasiertes heizelement |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3515081A1 (de) | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Bernhard 7551 Au Bauer | Geraet zur erfassung des zeit-temperatur-verlaufs |
DE634699T1 (de) * | 1993-07-16 | 1996-02-15 | Semiconductor Systems Inc | Gruppiertes fotolithografisches System. |
JP3249911B2 (ja) | 1996-01-08 | 2002-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置、処理装置及び処理方法 |
JPH11160160A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Glory Ltd | 食品生産情報収集管理システム |
JPH11307606A (ja) | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置の評価方法および評価装置 |
US6203969B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-03-20 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus which measures temperature of heat-sensing substrate and measuring method therein |
US6535824B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-03-18 | Symyx Technologies, Inc. | Sensor array-based system and method for rapid materials characterization |
JP3445757B2 (ja) * | 1999-05-06 | 2003-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP3626884B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理システムおよびそれに用いる加熱処理ユニット |
US6261853B1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-07-17 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
JP3590341B2 (ja) | 2000-10-18 | 2004-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置及び温度測定方法 |
JP3840387B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2006-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置 |
JP4274736B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-06-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7297906B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-11-20 | Sokudo Co., Ltd. | Integrated thermal unit having a shuttle with two-axis movement |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005199673A patent/JP4343151B2/ja active Active
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI413201B (zh) * | 2008-05-26 | 2013-10-21 | Tokyo Electron Ltd | A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a memory medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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