TWI295490B - Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer - Google Patents

Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer Download PDF

Info

Publication number
TWI295490B
TWI295490B TW094126603A TW94126603A TWI295490B TW I295490 B TWI295490 B TW I295490B TW 094126603 A TW094126603 A TW 094126603A TW 94126603 A TW94126603 A TW 94126603A TW I295490 B TWI295490 B TW I295490B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
unit
substrate
heating
temperature detecting
Prior art date
Application number
TW094126603A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200614406A (en
Inventor
Hiroshi Tomita
Ryuji Asai
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200614406A publication Critical patent/TW200614406A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI295490B publication Critical patent/TWI295490B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

1295490 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係針對例如對半導體晶圓、光罩基板、LCD基 板(液晶顯示器用玻璃基板)等的基板的表面,藉由加熱 板,來進行熱處理之基板處理裝置,關於測定前述加熱板 的溫度之方法、基板處理裝置及加熱板之溫度測定用電腦 程式。 【先前技術】 在半導體裝置、LCD基板等的製造過程中,藉由被稱 爲微影的技術,對基板進行阻劑圖案的形成。此技術,例 如係藉由進行一連串的對半導體晶圓(以下稱爲晶圓)等 的基板,塗敷阻劑液,在該晶圓的表面上形成液膜,再使 用光罩將該阻劑膜曝光之後,藉由進行顯像處理之工程, 來得到所希望的圖案。 β 如此的處理,一般而言,係使用將曝光裝置與用來進 行阻劑液的塗敷、顯影等之塗敷、顯影裝置連接而成之阻 劑圖案形成裝置來進行。關於如此的裝置的一例,若使用 第20圖來說明,圖中的符號1Α係配備了載具台1 1之載 具區段,例如已經收容25枚晶圓W之載具C,要在該載 具台被搬出入;符號1 Β係處理區段;符號1 C係介面區 段;符號1 D係曝光裝置;前述處理區段1 Β,係將搬送手 段12配備在其中央,並在其周圍,設置:液處理單元 群,此單元群,多段地配置爲了將阻劑液塗敷在晶圓上之 -5- (2) 1295490 塗敷單元1 3 A、和爲了對曝光後的晶圓進行顯像處理之顯 像單元13B等;以及棚單元14(14A〜14C),這些單元 配備爲了在塗敷單元、顯像單元等的處理的前後,對晶圓 進行規定的加熱處理之加熱單元、和傳送單元等。圖中的 符號1 5,係爲了在載具C內和處理區段1B之間,進行晶 圓W的傳送之傳送臂。 前述加熱單元,係藉由將晶圓W載置在內建有加熱 φ 手段並已經被設定在規定溫度之加熱板上,來對晶圓W 進行規定的加熱處理;作爲如此的加熱單元,有進行爲了 使阻劑成分中的稀釋劑揮發之預先烘烤處理、用來緩和P且 劑圖案的邊紋(fringe )之曝光後烘烤處理、和使顯像時 的殘留清洗液蒸發而除去或是使阻劑硬化之事後烘烤處理 等的複數的種類;而用來進行各個處理之複數個加熱單 元,被設在前述阻劑圖案形成裝置中。 可是,在前述加熱單元中,例如其加熱板,在藉由同 • 心圓狀的複數個加熱器,被分割成複數個加熱區的情況, 爲了確保膜厚、顯像線寬的面內均勻性,需要使各加熱區 的升溫特性曲線一致。又,爲了確保膜厚、顯像線寬之加 熱單元間的均勻性,對於每個進行相同處理之加熱單元, 需要使加熱板的升溫特性曲線一致。因此,在裝置的啓動 時或是定期’便要調查加熱單元的加熱板的溫度特性,並 使加熱區的升溫特性曲線一致,同時對於進行相同的處理 之加熱單元’進行加熱手段的控制,使得能夠確保相同的 升溫特性曲線。 -6- (3) 1295490 以往,前述加熱板的溫度特定的測定,係在此加熱板 上,載置例如在其面內的4 0處設有溫度感測器之晶圓 W,並藉由在每個規定時間測定溫度來進行。在此情況, 例如第21圖所示,需要利用序列排線1 8來連接前述溫度 感測器1 6、和測定器1 7 ;該測定器1 7係被設在前述晶圓 W的外部,並具有用來保存從各溫度感測器1 6來的溫度 資料之記憶體。 φ 因此,在測定加熱板的溫度特性的情況,不得不卸下 前述阻劑圖案形成裝置的背面蓋,再將設有溫度感測器1 6 之晶圓W載置在加熱板上,並利用序列排線1 8來連接前 述溫度感測器1 6、和被設在晶圓W的外側之測定器1 7 ; 如此地每當測定加熱板的溫度特性時,便不得不打開裝置 的背面蓋一事,操作上是不便利的。又,若打開蓋而發生 放熱,則關閉蓋之後,由於需要等待加熱單元內部的溫度 變安定的時間,在阻劑圖案形成裝置中,對於每個加熱單 參元,由於此作業成爲必要,所以等待期間的總合計,會有 超過2 0小時的情況。 因此,本發明的發明人,檢討一種使用無線晶圓來進 行溫度測定的方法,該無線晶圓不需要從晶圓W延伸至 外側之序列排線。所謂的無線晶圓,係在晶圓本身,配備 有溫度感測器、電池、記憶體、控制器,並被構成例如能 夠以1秒爲週期,將溫度資料保存在記憶體內者。作爲使 用如此的無線晶圓來評價熱處理時的基板溫度的均勻性的 手段,已知有專利文獻1的技術。 -7- (4) 1295490 [專利文獻1]日本特開平11-3 07606號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 若使用前述無線晶圓,則有能夠與通常的晶 樣地利用搬送手段,搬送至加熱單元內之優點; 於此無線晶圓是在何時被搬入哪一個加熱單元、 • 出,並沒有認識,所以無線晶圓被載置在加熱板上 沒有清楚,掌握正確的時序的溫度資料是困難的。 因此,本發明的發明人,根據溫度資料來判斷 載置在加熱板上的時序,例如,在5秒的時間內上 以上之時點,將其當作是載置在前述加熱板上的時 而,如第22圖所示,加熱開始時,溫度上升的程 穩的,因而正確地掌握在5秒的時間內上升1 (TC以 點是困難的。 • 另一方面,若無法得知無線晶圓被載置在加熱 正確的時序下的溫度資料,則加熱板的升溫特性曲 定將會不準確,例如加熱板係藉由複數個加熱器而 的情況,若無法掌握各加熱區的正確的升溫特性曲 要進行控制,來使各區的升溫特性曲線一致’而可 面內均勻性高的熱處理一事’是困難的。特別是在 始時,由於在平穩的溫度上升之後’溫度便會急 升,所以時序的分割若產生1秒的誤差,則升溫特 的偏差會變大。 0 W同 .是,由 ;是被搬 的時序 晶圓W 升 1(TC 序。然 度是平 上的時 板上的 線的設 被加熱 線,則 以進行 升溫開 速地上 性曲線 -8- (5) 1295490 進而,在各加熱單元之間,其升溫特性曲線若有偏 差,結果,要進行加熱單元間的均勻性高的熱處理一事, 是困難的。即使是在專利文獻1中,也沒有記載關於無線 晶圓載置在加熱板上的時序的認識手段,所以實際上,專 利文獻1的手段,無法利用在加熱板的溫度測定中。 本發明係鑒於如此的情形而開發出來,其目的在於提 供一種加熱板之溫度測定方法、基板處理裝置及加熱板之 • 溫度測定用電腦程式,能夠容易且高精度地測定將基板進 行熱處理之加熱板的溫度,而且能抑制由於測定作業所造 成的運轉效率的降低。 (解決課題所用的手段) 因此,本發明的加熱板之溫度測定方法,係關於配備 有:將已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包 含將基板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理 ® 單元、和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中 之搬送手段之形態的基板處理裝置,而針對測定前述加熱 板的溫度之方法,其特徵爲包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、記憶部、 及控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路 徑,搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程; 接收前述溫度測定開始指令,溫度檢測用基板,將溫 -9- (6) 1295490 度檢測値的時序列資料,記憶在前述記憶部內之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 此處,基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢 測用基板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲 止之搬送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資 料,來取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料之工程,理想爲藉由電腦來進行。進 而,也可以作成:基於前述溫度檢測用基板被載置在加熱 板上之後的溫度檢測値的時序列資料,來進行用來修正加 熱板的加熱手段的控制參數之工程。 又,前述加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區 域,同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區 域;在此情況,溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在 分別對應前述分割區域的各個位置。進而,前述加熱板, 係被構成:在圓周方向被分割成複數個加熱區域,同時藉 由複數個加熱手段,可以分別獨立地加熱這些複數個加熱 區域;在此情況,溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了 進行各分割區域的溫度檢測,而被設置複數個;並可以作 成:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測用基板的 -10- (7) 1295490 朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資料爲基礎 所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資料,來進行 用來修正各加熱手段的控制參數之工程。進而,對前述溫 度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程, 也可以是在從用來收容溫度檢測用基板並被放置在載具搬 入部內之載具,藉由搬送手段取出基板時,從被設在該載 具中的控制器,輸出前述溫度測定開始指令之工程。 • 又,本發明的基板處理裝置,係針對關於配備有:將 已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基 板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、 和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送 手段之形態的基板處理裝置,其特徵爲具備: 以將配備有溫度檢測部、記憶部、及控制器之溫度檢 測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑,搬送至加熱單元 中之方式,控制前述搬送手段之手段; ® 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之手段;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和接收前述溫度測定開始指令而被記憶在前述溫 度檢測用基板的記憶部內之溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之手段。 -11 - (8) 1295490 又’前述基板處理裝置,也可以作成具備:基於溫度 檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列 資料,來修正加熱板的加熱手段的控制參數之手段。前述 加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區域,同時藉由 複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區域;並可以將 溫度檢測用基板的溫度檢測部,設在分別對應前述分割區 域的各個位置。又,前述加熱板,係被構成··在圓周方向 ® 被分割成複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可 以分別獨立地加熱這些複數個加熱區域;溫度檢測用基板 的溫度檢測部,係爲了進行各分割區域的溫度檢測,而被 設置複數個;其構成也可以具備:基於以被載置在加熱板 上的時候之溫度檢測用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫 度檢測値的時序列資料爲基礎所得到的各分割區域之溫度 檢測値的時序列資料,來修正各加熱手段的控制參數之手 段。 ® 進而,對溫度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開 始指令之手段,係被設在用來收容溫度檢測用基板並被放 置在載具搬入部內之載具中的控制器;也可以作成在藉由 搬送手段從該載具取出溫度檢測用基板時,輸出前述溫度 測定開始指令。 又’關於本發明的溫度測定用電腦程式,係關於配備 有:將已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包 含將基板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理 單元、和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中 -12- (9) 1295490 之搬送手段之形態的基板處理裝置,而針對爲了測定前述 加熱板的溫度而被使甩之程式,其特徵爲: 爲了實施本發明的溫度測定方法之步驟,被寫入。 具體而言,本發明的程式,爲了實施以下的工程之步 驟被寫入,包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、接收溫度 開始指令而記憶溫度檢測値的時序列資料之記憶部、以及 # 控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑, 搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 # 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 【實施方式】 (實施發明的最佳形態) 以下,說明關於適用本發明之基板處理裝置的實施形 態。第1圖係表示本發明的基板處理裝置也就是將塗敷、 顯像裝置、和曝光裝置連接起來而構成的阻劑圖案形成裝 置的平面圖;第2圖係該裝置的槪略斜視圖。圖中,符號 -13- (10) 1295490 B 1,係爲了將例如已經密閉收容了 1 3枚基板也就是晶圓 W之載具C、和已經收容了無線晶圓Ww之無線晶圓用載 具Cw,搬出搬入之載具搬入部;並設有:可以載置複數 個載具C、無線晶圓用載具Cw等之載置台20 ;自此載置 台20來看,被設在前方的壁面上之開閉部21 ;和經由此 開閉部21,爲了從載具C取出晶圓W、或是爲了從無線 晶圓用載具Cw取出無線晶圓Ww之傳送臂a 1。 φ 利用框體22而被包圍其周圍之處理部(區段)B 2, 被連接至載具載置(搬入)部B 1的內部側;在此處理部 B 2,設置:由面前側朝向內部側,依序地交互配列將加 熱·冷卻系統的單元多段化後的3個棚單元U1、U2、 U3 ;和用來進行與後述的其他的處理單元之間的晶圓 W 的傳送之主搬送機構A2、A3。亦即,棚單元Ul、U2、U3 及主搬送機構A2、A3,從載具搬入部B1側來看,係被配 列成前後一列,並在各個連接部位,形成未圖示的晶圓搬 • 送甩的開口部,使得晶圓W能夠在處理部B2內,從其中 一端側的棚單元U 1自由地移動至另一端側的棚單元U3。 又,主搬送機構A2、A3,從載具載置部B1來看,係 被設置在:由被配置在前後方向的棚單元Ul、U2、U3側 的一面部;右側的液處理單元U4、U5側的一面部;和利 用成爲左側的一面之背面部而被構成的區間壁23,而被包 圔的空間內。 前述主搬送機構A2、A3,係被構成可以進退及升降 自如,且可以繞著垂直軸旋轉自如;而能夠在棚單元 -14- (11) 1295490 U1、U2、U3及液處理單元U4、U5之各單元之間,搬送 晶圓W。如此的主搬送機構A2、A3,係基於從後述的控 制部來的指令,藉由控制器,而被驅動控制。圖中的符號 24、25,係被用於各處理單元中之配備有處理液的溫度調 節裝置、溫溼度調節用的導管等之溫溼度調節單元。 液處理單元U4、U5,例如第2圖所示,係被作成: 在用來形成反射防止膜用的藥液、阻劑液、和顯像液之類 • 的藥液供給用的空間之收容部26上,例如將反射防止膜 之塗敷單元(BARC )、阻劑之塗敷單元(COT )及顯像 單元(DEV ),疊層複數段例如5段之構成。再者,爲了 將用語簡略化,將反射防止膜之塗敷單元稱爲反射防止膜 單元、將阻劑之塗敷單元稱爲塗敷單元。 又,前述的棚單元Ul、U2、U3,係被作成:將各種 處理單元疊層複數段的構成;這些處理單元係爲了要進行 在液處理單元U4、U5中要被進行的處理之前處理及後處 • 理。在爲了進行前述的前處理及後處理之各種處理單元 中,例如第3圖所示,包含:傳送單元(TRS )、爲了將 晶圓W調整成規定溫度之溫度調節單元(CPL )、爲了在 塗敷阻劑液之前進行晶圓 W的加熱處理之加熱單元 (BAKE)、爲了在塗敷阻劑液之後進行晶圓W的加熱處 理之被稱爲預先烘烤單元等之加熱單元(PAB )、將曝光 後的晶圓W加熱處理之被稱爲曝光後烘烤處理單元等之 加熱單元(PEB )、和將顯像處理後的晶圓W加熱處理之 被稱爲事後烘烤單元等之加熱單元(POST )等。第3圖 -15- (12) 1295490 係表示這些單元的布置的一例,此布置係爲了說明方便; 在實際的裝置中,係考慮各單元的處理時間等,來決定單 兀的設置個數。 曝光裝置B4,經由介面部B3,被連接在處理區段B2 中的棚單元U3的內部側。介面部B3,係利用前後地被設 在處理部B2和曝光裝置B4之間的第1搬送室27、第2 搬送室2 8而被構成,並分別設有用來組成第2搬送手段 • 之主搬送部A4及輔助搬送部A5。 在此阻劑圖案形成裝置中,加熱單元、傳送單元、溫 度調節單元、塗敷單元、反射防止膜形成單元、顯像單 元,相當於處理單元。又,傳送臂A1、主搬送機構A2、 A3,相當於本發明的搬送手段。 此處,若表示利用前述的阻劑圖案形成裝置,在製品 晶圓W上,形成阻劑圖案的情況之晶圓W的搬送路徑的 一例,則已經被載置於載具載置部B 1內的載具C內之處 Φ 理前的晶圓W,係藉由傳送臂A1,被搬送至傳送單元 (TRS ),繼續,晶圓 W藉由主搬送機構A2、A3,以溫 度調節單元(CPL )—反射防止膜形成單元(BARC )—加 熱單元(BAKE )—溫度調節單元(CPL )—塗敷單元 (COT )的順序被搬送,而在此處,阻劑液被塗敷。接 著,晶圓W,經由加熱單元(PAB )—溫度調節單元 (CPL) 專送單元(TRS)—介面部B3,而被送至曝光 裝置B4內,被進行規定的曝光處理。 曝光處理後的晶圓W,以相反的路徑,回到處理部 -16- (13) 1295490 B2內,並以加熱單元(PEB )—溫度調節單元( 顯像單元(DEV )的順序被搬送,而在此處進: 理;接著,以加熱單元(POST)—溫度調節單元 —棚單元U 1的傳送單元(TRS )的順序被搬送 傳送臂A1,回到載具搬送部B 1的載具C中。 繼續,使用第4圖,作爲前述加熱單元的一 簡單地說明關於用來進行PAB處理、PEB處理等 φ 元的構造;圖中,符號3 1係框體;符號3 2係台 係具有開縫3 0之冷卻板,該板在台的上方可以 左右方向移動;符號34係加熱板;符號36、36 的搬出入口;符號3 7、3 8係分別使搬出入口 3 5 之擋門;符號39a、39b係分別以3根構成1 銷。 被設在棚單元U2中的加熱單元(PAB), 搬送機構A2、A3,在其框體31內進出;被設 # U3中的加熱單元(PEB ),則能夠根據主搬送機 主搬送部A4,在其框體31內進出。 亦即,針對此加熱單元(PAB、PEB ),主 A2(主搬送部A4)若經由搬出入口 3 5 ( 3 6 )進 搬送機構A2 (主搬送部A4 )上的晶圓W,便會 銷3 9a,被傳送至冷卻板33上。然後,藉由冷卻 移動和升降銷3 9b的升降,在冷卻板3 3和加熱 間,進行晶圓W的傳送。然後,藉由加熱板34 處理後的晶圓 W,從加熱板3 4再度被傳送至片 CPL ) ^ 行顯像處 ,(CPL ) ,再藉由 例,預先 之加熱單 ;符號3 3 往圖中的 係晶圓W 、3 6開閉 組之升降 係根據主 在棚單元 Η冓 A3、 搬送機構 入,則主 經由升降 I板3 3的 板34之 而被加熱 >卻板3 3 -17- (14) 1295490 上,於此處被槪略冷卻後,被主搬送機構A3承接,而被 搬送至下一工程。 前述加熱板34,在其內部,配備爲了將該加熱板34 加熱至規定溫度之加熱手段。此加熱手段,例如第5圖所 示,係藉由3個同心圓狀的環狀電阻發熱線所組成的加熱 器Η ( H1〜H3 )而被構成。藉此,加熱板34,係根據各 加熱器Η ( Η 1〜Η3 ),以在直徑方向被分割成3個加熱區 # 域(區)的狀態,獨立地被加熱,而能夠對前述3個區分 別進行溫度控制。 又,加熱單元之中,關於用來進行烘烤處理、事後烘 烤處理(POST )等之加熱單元,雖然沒有圖示出來,例 如具有:用來載置晶圓W,並對晶圓以規定溫渡施行加熱 處理之加熱板。進而,溫度調節單元(CPL ),雖然沒有 圖示出來,例如具有:用來載置晶圓W,並對各加熱處理 已經被施行後的晶圓,以規定溫度施行溫度調節處理之溫 β度調節板。 此處,藉由第6圖,簡單地說明關於無線晶圓Ww。 此無線晶圓Ww,在晶圓本身,配備:構成溫度檢測部之 溫度感測器4 1、以及其內部設有電池和記億部之控制器 42 ;各溫度感測器4 1,例如係藉由纜線43而被連接至控 制器42。前述溫度感測器4 1,例如係分別被設置在對應 加熱板的3個加熱區之位置。 而且,如後所述,例如藉由對控制器4 2輸出溫度檢 測開始指令,利用溫度感測器4 1以規定週期例如以1秒 -18- (15) 1295490 爲週期,檢測溫度資料,並被構成能夠將如此地得到的溫 度檢測値的時序列資料,儲存於記憶部中。 又,若使用第7圖來說明關於無線晶圓用載具Cw, 此載具C w,配備:用來保持無線晶圓ww之保持部4 4、 和控制器45 ;該控制器,係被構成可以藉由無線的方式而 與前述無線晶圓Ww的控制器42傳收訊號,輸出溫度檢 測部4 1的測定開始指令,並讀出被儲存在前述記億部內 # 之溫度檢測値的時序列資料;此控制器4 5,係被構成:能 夠以無線或有線的方式,與被設在無線晶圓用載具Cw的 外部之調整用電腦5,進行資料的傳輸。 前述調整用電腦5,實際上,係藉由CPU (中央處理 單元)、程式及記憶體等而被構成;在此處,若將構成要 素的一部分區塊化來加以說明,第8圖中,符號5 0 0係匯 流排;並將溫度資料儲存部501、溫度資料取得部5 02、 彙總資料算出部5 03、偏差算出部5 04、資料顯示部5 05、 • 資料收發部506等,配備在此匯流排5〇〇上。 前述溫度資料儲存部50 1,係用來儲存先測定無線晶 圓Ww,再經由控制器45而被發送過來之溫度檢測値的時 序列資料之手段;溫度資料取得部502,係自前述無線晶 圓W w所測定的溫度檢測値的時序列資料、和利用後述的 控制部6而被管理的無線晶圓w w的搬送經歷,對每個加 熱單元’取出無線晶圓W w被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料(以下稱爲「加熱板的溫度資料」) 之手段。進而’栗總資料算出部5 0 3,係基於前述加熱板 -19- (16) 1295490 的溫度資料,算出加熱板的溫度情報也就是彙總資料,例 如規定時間帶之加熱板的面內溫度的平均値(以下稱爲 「平均値」)、及加熱板的面內溫度差,例如利用加熱器 H1〜H3而被加熱之各區的溫度差(以下稱爲「幅 度」)。 偏差算出部5 04,係基於前述平均値及幅度、和目標 溫度範圍及目標面內溫度差之比較結果,算出偏差値之手 # 段。此處,偏差値,係爲了進行溫度目標値的校準而被求 出,使得各區中的溫度檢測値可以在前述目標溫度範圍及 目標面內溫度差以內。 資料顯示部5 05,係將取得的加熱板的溫度資料、彙 總資料、偏差値等,例如顯示在調整用電腦的操作畫面上 之手段。又,資料收發部5 0 6,係與後述的控制部6之 間,進行規定的資料的收發之手段。 進而,前述阻劑圖案形成裝置,配備控制部6 ;此控 ® 制部 6係用來進行:加熱單元(BAKE、PAB、PEB、 POST)、塗敷單元(COT)、顯像單元(DEV )、溫度調 節單元(CPL )等的其他的各種處理單元、傳送臂A1、主 搬送機構A2、A3、及第2搬送手段(A4、A5 )等的搬送 系統等的控制。第9圖係表示此控制部6的構成之圖;實 際上,係藉由CPU、程式、及記憶體等來構成;而在此 處,將構成要素的一部分區塊化來加以說明。 第9圖中的符號600係匯流排;程序儲存部601、程 序選擇部602、程序作成部603、控制參數修正部604、資 -20- 600 (17) 1295490 料顯示部605、資料收發部606等,配備在此匯流排 上。製法儲存部60 1,例如儲存著:在進行加熱板的 測定之溫度測定模式中,被使用之溫度測定程序;以 對製品晶圓 W進行阻劑圖案形成處理之處理模式中 使用之記載著搬送路徑、各處理單元中的處理條件之 製程程序等之複數種程序。 前述溫度測定程序,係在裝置的啓動時或是定期 # 行加熱板的溫度測定的時候,所選擇者;此程序係爲 將無線晶圓Ww搬送至加熱單元中,且利用加熱單元 通常的熱處理製程,並測定此時的加熱板的溫度之程, 例如,在前述溫度測定程序中,項目和時刻一起 載。具體而言,係按照規定的時間軸,記載加熱單元 送順序、在加熱單元中所進行的熱處理的時間、搬送 等的資料;藉此,無線晶圓Ww,藉由傳送臂A1、主 機構A2、A3,變成可以按照預先被決定的搬送路徑 • 先被決定的時間,被搬送至加熱單元中。 程序選擇部602,係從被儲存於程序儲存部601 程序中’選擇出適當的程序之部位;操作者,藉由利 作部(操作畫面)選擇出溫度測定程序、製程程序等 當的程序,而可以將溫度測定模式和處理模式進行切 再者’前述操作部,例如也可以輸出晶圓的處理枚數 劑的種類等。程序作成部603,係操作者作成新的溫 量程序、製程程序、搬送程序等之手段。 又’控制參數修正部604,係基於自前述調整用 溫度 及在 ,被 類的 地進 了僅 進行 Ψ ° 被記 的搬 時間 搬送 、預 內的 用操 之適 換。 、阻 度測 電腦 -21 - (18) 1295490 5被傳送過來的偏差値,進行加熱板的加熱器Η 1〜H3的 控制參數的修正,並對各加熱單元的控制器6 1輸出之手 段,使得各加熱單元的各加熱板可以收斂在規定的規格 內。此處,在加熱板中,由於將 PID控制和固定控制 (MV控制)組合而成之溫度控制要被進行;該pid控 制,係基於溫度檢測値和溫度目標値之偏差,演算出對應 前述加氣器Η 1〜Η3之電力供給量之信號並加以輸出;該 # 固定控制(MV控制),係使用計時器,以固定的輸出特 性曲線對加熱器Η 1〜Η3進行電力供給;所以在此處, P ID控制和Μ V控制之輸入特性曲線,係基於前述偏差 値,以規定的演算法而被調整。 前述資料顯示部605,係將被作成的加熱板的溫度資 料、彙總資料、偏差値等,例如顯示在控制部6的電腦的 操作畫面上之手段。又,資料收發部606,係與調整用電 腦5之間,進行規定的資料的收發之手段。藉此,控制部 ® 6 ’如先前所述,能夠藉由無線或有線的方式,與被設在 裝置外部之無線晶圓用載具Cw之調整用電腦5,進行資 料的收發,且在與此調整用電腦5之間,無線晶圓Ww的 溫度測定開始、結束的訊號、偏差値等,能夠收發。 進而,控制部6,係經由各個控制器6 1、6 2、6 3,連 接:各種加熱單元(PAB、PEB、POST、B AKE )等;被 設在處理部B2中的棚單元U1〜U3內的加熱單.元(PAB、 PEB、POST、BAKE)以外之塗敷單元(COT)、顯像單 兀(DEV)、溫度g周自卩卓兀(CPL)等的各種處理單兀; -22- (19) 1295490 以及傳送臂 A1、主搬送機構 A2、A3、第2搬送手段 A4、A5等的搬送系統等;各處理單元等的動作,係基於 控制部6的指令,並藉由各控制器6 1〜6 3,而可以被控 制。 接著,以測定加熱單元(PAB )的加熱板的溫度之情 況爲例,參照第1 0圖來進行本實施形態的作用說明。首 先,操作者選擇加熱單元的溫度測定程序(步驟S 1 )。 # 若選擇此程序,例如在控制部6的操作畫面上,顯示出溫 度測定程序的槪要和溫度測定開始開關。然後,操作者若 壓下此開關,則溫度測定開始訊號便會經由調整用電腦 5,被輸出至無線晶圓用載具Cw的控制器45中(步驟 S2 )。而且,從控制器45,對無線晶圓Ww的控制器42 輸出溫度測定開始指令,於是在無線晶圓Ww中,藉由溫 度感測器4 1,以規定週期例如以1秒爲週期,開始溫度測 定,被測定的溫度檢測値的時序列資料則被儲存於記億部 •內(步驟S 3 )。 在此例中,將前述溫度測定開始指令輸出至無線晶圓 Ww的控制器42中之工程,由於是在無線晶圓用載具Cw 的內部中被進行,所以預先被決定的搬送路徑中的預先被 決定的位置,成爲此載具Cw內的位置。 另一方面,在阻劑圖案形成裝置中,基於前述溫度測 定開始訊號,無線晶圓Ww藉由傳送臂A1而從無線晶圓 用載具Cw被取出,並按照預先被決定的搬送路徑、預先 被決定的時間,被搬送至想要測定溫度之加熱單元中,在 -23- (20) 1295490 此例中,係被搬送至用來進行PAB處理之第1加熱 中(步驟S4)。 然後,在第1加熱單元中,如先前所述,無線 Ww被載置在加熱板3 4上,感測器檢測出升降銷3 9b 下降的時點,於是熱處理開始。而且,熱處.理進行規 間之後,.將晶圓 Ww傳送至冷卻板3 3上,開始冷 理,經過規定時間後,再將無線晶圓Ww從第1加熱 • 搬出。此處,冷卻開始處理的時序,係藉由感測器檢 將晶圓Ww傳送至冷卻板3 3上的時點來決定 接著,從第1加熱單元被搬出的晶圓Ww,藉由 送機構A2、A3,被搬送至下一個要進行溫度測定之 加熱單元中,同樣地藉由無線晶圓Ww來進行溫度 (步驟S 5 )。接著,無線晶圓Ww被搬送至下一個的 溫度測定之第3加熱單元中,同樣地進行溫度測定( S6 )。 II 如此地按照預先被決定的搬送路徑、時間’將無 圓Ww搬送至想要測定溫度資料之全部的加熱單元中 行溫度資料的測定之後,藉由主搬送機構A2、A3和 臂A1,使無線晶圓Ww回到無線晶圓用載具Cw內 此,例如在無線晶圓Ww回到無線晶圓用載具Cw內 候,藉由控制部6,測定結束的指令,經由調整用 5、控制器4 5,被輸出至無線晶圓W w的控制益4 2中 結束在無線晶圓Ww中之溫度資料的測定(步驟 S 8 )。而且,在此無線晶圓Ww中,例如進行電池 一 24- 單元 晶圓 已經 定時 卻處 單元 測到 主搬 第2 測定 進行 步驟 線晶 ,進 傳送 。如 的時 電腦 ,而 S7、 的充 (21) 1295490 電。 接著’藉由調整用電腦5,經由控制器45,讀出已經 被收集在無線晶圓W w的記憶體內之溫度檢測値的時序列 資料’並將此資料儲存在溫度資料儲存部5 〇〗中(步驟 S 9 )。另一方面’在控制部6中,藉由資料收發部6 0 6, 將被記載於溫度測定程序中之由預先被決定的搬送路徑及 時間所組成的搬送經歷,輸出至調整用電腦5中(步驟 Φ S10 )。然後,利用調整用電腦5的溫度資料取得部 5 02 ’基於從輸出溫度測定開始指令時的前述無線晶圓Ww 的位置至該無線晶圓Ww被載置在加熱板上爲止的搬·送時 間、和經由無線晶圓W w的記憶部而被儲存在溫度資料儲 存部5 0 1中之前述溫度檢測値的時序列資料,取出如第i j 圖所示之無線晶圓Ww被載置在該加熱板上之後的溫度檢 測値的時序列資料(步驟S 1 1 )。此處,在第1 1圖中, 用來表示加熱板的溫度資料連同搬送時刻和項目之搬送經 • 歷,係被合倂記載。 然後,基於此加熱板的溫度資料,藉由彙總資料算出 部5 03,算出彙總資料也就是前述平均値和前述幅度(步 驟S 12)。然後,利用偏差算出部504,進行前述平均値 及幅度、和目標溫度範圍及目標面內溫度差之比較(步驟 S 1 3 ),前述平均値及幅度若在規格內’則結束加熱單元 的溫度測定程序。此處’所謂的規格內’係指前述平均値 及幅度在目標溫度範圍及目標面內溫度差內;前述目標溫 度範圍,例如在目標溫度±0· 1 °C以內;目標面內溫度差爲 -25- (22) 1295490 〇 . 2 °C以內。 另一方面,平均値及幅度若在規格外,則利用偏差算 出部5 04,算出偏差値,如此地被算出的偏差値,被輸出 至控制部6 (步驟S 1 4 )。然後’在控制部6中’利用控 制參數修正部604,基於此偏差値,進行該加熱單元的加 熱器Η 1〜Η 3的控制參數的修正,並對此加熱單元的控制 器6 1,輸出控制參數的修正値,而在該加熱單元中,以被 # 修正後的控制參數來進行以後的處理(步驟S 1 5 )。 然後,選擇程序,使得可以再度開始被修正後的加熱 單元(ΡΑΒ )的溫度測定,並輸入溫度測定開始指令,來 實施溫度測定程序。如此自動地反覆進行藉由無線晶圓 Ww所實行的溫度檢測、加熱板的溫度資料的取得、彙總 資料的算出、和偏差値的算出,直到溫度檢測値在目標溫 度範圍及目標面內溫度差內爲止。此處,例如在第2次以 後,溫度測定程序,係被寫成可以僅將無線晶圓Ww搬送 ® 至被修正後的加熱單元中。 如此,在前述實施形態中,由於藉由配備有溫度感測 器4 1、記憶部及控制器42之無線晶圓Ww,來測定加熱 板的溫度,所以藉由利用傳送臂A1、主搬送機構 A2、 A3,將該無線晶圓Ww自動地搬送至要進行溫度測定之對 象的加熱單元中,能夠進行該加熱單元的加熱板之溫度特 性的測定。因此,相較於使用以序列排線來連接溫度感測 器、和被設在測定用晶圓的外側之測定器之型式的測定用 晶圓,來測定加熱板的溫度特性的情況,容易將測定用晶 -26- (23) 1295490 圓載置在加熱板上,操作處理容易;又,由於不需要等待 加熱單元內部的溫度成爲安定的時間,所以能夠抑制由於 測定作業所造成的運轉效率的降低。 此時,在阻劑圖案形成裝置中,藉由控制部6,由於 無線晶圓Ww係按照預先被決定的搬送路徑而被搬送至加 熱單元中,所以藉由時刻,便能夠正確地掌握阻劑圖案形 成裝置內的無線晶圓Ww的位置。因此,能夠正確地認識 # 晶圓W被載置在規定的加熱單元的加熱板上之時序、晶 圓W從加熱板被傳送至冷卻板上之時序等。 另一方面,無線晶圓Ww,係在前述搬送路徑中的預 先被決定的位置,在此例中爲被載置在載具搬送部B1中 的無線晶圓用載具Cw內的位置,溫度測定開始指令被輸 出至無線晶圓用載具Cw的控制器45中,所以能夠正確地 掌握該無線晶圓Ww自此位置至被載置在要進行測定的加 熱單元的加熱板上爲止的搬送時間。 II 因此,結束藉由無線晶圓Ww所實行的溫度測定之 後,根據前述搬送時間、和被儲存在無線晶圓Ww的記億 部中的溫度檢測値的時序列資料,針對前述加熱單元,能 夠正確地掌握無線晶圓 Ww被載置在加熱板上之後的時 序、無線晶圓Ww被傳送在冷卻板上之後的時序等的情況 下之無線晶圓Ww的測定溫度,因而能夠容易且高精度地 取出被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列資料。 此時,各加熱單元的製程內的動作,例如藉由升降銷 的下降所實行之無線晶圓Ww往加熱板載置的時點、晶圓 -27- (24) 1295490 W往冷卻板載置的時點之溫度資料的特定,成爲可能,因 此基於溫度檢測値的時序列資料,正確地掌握各動作時期 的溫度資料一事,成爲可能,而能夠進行更正確的解析。 進而,由於能夠取得加熱板的正確的溫度檢測値的時 序列資料,所以能夠以高精度,取得自製程開始後被指定 時間的溫度資料、各區的溫度資料等,並能夠正確地掌握 前述平均値、前述幅度等。因此,能夠進行高精度的偏差 ® 値的算出,並藉由基於此偏差値來進行加熱板的控制參數 的修正’在各加熱板中,能夠實行調整,使得各區的升溫 特性曲線可以一致。藉此,能夠使各區的升溫時的面內溫 度分布一致,而能夠進行面內均勻性高的熱處理。 進而,對各個加熱板,由於能夠作成正確的溫度曲 線,所以能夠簡單地進行要進行相同工程的加熱單元間的 溫度資料、和例如顯像線幅、膜厚等的膜質資料之比較; 並基於此比較結果,藉由以能夠得到規定的膜質的薄膜之 # 方式,進行各加熱單元的控制器61的控制參數修正,能 夠提高加熱單元間的熱處理的均勻性。 又,由於能夠得到各加熱板的正確的溫度檢測値的時 序列資料,所以無線晶圓Ww的溫度測定即使是以1秒爲 週期來進行,藉由通常的內插方法來內插該測定間隔之 閭,例如可以算出正確的積算値(面積)等,而取得精度 高的2次加工資料。 以上,在本發明中,針對前述加熱單元(PAB、 PEB ),也可以將無線晶圓載置在加熱板上規定時間,接 -28- (25) 1295490 著將無線晶圓Ww載置在冷卻板上規定時間,使其成爲穩 定溫度例如24 °C爲止,而作出第一次的溫定測定資料;並 再度將無線晶圓Ww載置在加熱板上規定時間,接著將無 線晶圓Ww載置在冷卻板上規定時間,使其成爲穩定溫度 爲止,而作出第二次的溫定測定資料;藉由反覆進行複數 回此測定,取得複數回加熱板的溫度資料,再根據此複數 回資料,分別算出彙總資料、偏差値等,來設定其平均 ® 値。此情況,能夠將無線晶圓Ww搬送一次至要測定的加 熱單元中,來測定複數次的加熱板的溫度。 進而,在本發明中,也可以藉由控制部6,來進行加 熱板的溫度檢測値的時序列資料、彙總資料等的算出、和 偏差値的算出;在此情況中,調整用電腦5,係基於根據 控制部6所產生的測定開始或測定結束的指令,進行:往 控制器4 5,輸出溫度測定開始或結束的指令;或是將自無 線晶圓W w的記憶部讀出的溫度檢測値的時序列資料,往 ® 控制部6發送。又,也可以藉由調整用電腦:5,基於偏差 値,來進行加熱單元的控制器6 1的控制參數修正。 進而,本發明對於晶圓所進行的熱處理,係作成包 含:在加熱晶圓之正的溫度下的熱處理、和在冷卻晶圓之 負的溫度下的熱處理。藉此,本發明也能夠適用在:將進 行烘烤處理、事後烘烤處理等之加熱單元的加熱板的溫度 特性;或是對於晶圓以規定溫度施行溫度調節處理之溫度 調節單元的溫度調節板的溫度特性等,加以測定之情況 cjm 〇 -29- (26) 1295490 在以上的情況中,溫度測定開始的指令,也可以作 成:當要將基板從無線晶圓用載具Cw取出時,從該載具 Cw的控制器45,對無線晶圓Ww的控制器42,輸出溫度 測定開始指令;溫度測定結束的指令,也可以作成:例如 基板被送回無線晶圓用載具Cw中,無線晶圓用載具Cw 的控制器45已經確認無線晶圓Ww的存在時,對無線晶 圓Ww的控制器42,輸出測定結束的指令,而可以結束在 # 無線晶圓Ww中的溫度資料的測定。 又,在本發明中,於搬送路徑中,對無線晶圓Ww的 控制器42,輸出溫度測定開始指令之預先被決定的位置, 係成爲藉由無線晶圓Ww來實行溫度檢測的始點,同時也 成爲無線晶圓Ww往加熱板之搬送時間的始點;但是,輸 出此溫度測定開始指令之預先被決定的位置,只要是在無 線晶圓Ww被搬送在加熱板上之前,能夠對前述控制器42 輸出溫度測定開始指令之位置,即使不是被載置在載具搬 ® 入部B 1中之無線晶圓用載具Cw內的位置,也可以;例 如,也可以是被設在載具搬入部B 1或處理部B2內之緩衝 匣(buffer cassette)內的位置。 在以上的情況,於前述實施形態中,係作成:無線晶 圓Ww,係在進行想要測定溫度資料之全部的加熱單元的 溫度資料的測定之後,當被送回無線晶圓用載具Cw內的 時候,藉由控制部6,溫度結束的指令,可以經由調整用 電腦5、控制器45,而被輸出至無線晶圓Ww的控制器42 中;也可以取代此種方式,而作成:無線晶圓w w,係在 -30- (27) 1295490 進行想要測定溫度資料之全部的加熱單元的溫度資料的測 定之後,在送回無線晶圓用載具Cw內之前的搬送路徑的 途中,藉由控制部6,對無線晶圓W w的控制器4 2,輸出 測定結束的指令,而可以結束藉由無線晶圓Ww所實行的 溫度資料的測定。 即使是在此情況,由於無線晶圓Ww係沿著預先被決 定的路徑被搬送至加熱單元中,並在前述搬送路徑中的預 # 先被決定位置,溫度測定開始指令被輸出至無線晶圓Ww 的控制器42中,所以基於從輸出前述溫度測定開始指令 時之無線晶圓Ww的位置至該無線晶圓Ww被載置在加熱 板上爲止的時間、和無線晶圓Ww的記憶部內之溫度檢測 値的時序列資料,能夠取出無線晶圓Ww被載置在加熱板 上之後的溫度檢測値的時序列資料。 此處,在先前的實施形態中,具體地預先說明關於將 各加熱板中的各區的升溫特性曲線,調整成一致的手段。 ® 例如第5圖所示,在加熱板3 4中,複數個加熱器例如3 個加熱器Η 1〜H3,被配置成同心圓狀的情況,在各加熱 器Η1〜Η3的負責加熱區域也就是分割區域(區)之中, 利用預先掌握何區和哪一個溫度感測器對應與否之關係, 能夠調整加熱板34的內內溫度。具體而言,若將藉由加 熱器Η 1〜Η3而分別被加熱控制之區,作成區1〜3,則能 夠掌握各區1〜3的溫度檢測値的平均値,因此,由於也 能夠得知各區1〜3的溫度檢測値的平均値彼此之間的差 (幅度),所以基於這些資料,能夠調整各加熱器Η1〜 -31 - (28) 1295490 Η 3的電力供給量。 另一方面,被設在加熱板3 4內部之加熱器Η,如第 1 2圖(a )所示,被設成也在圓周方向被分割的情況,則 爲了要使第12掘(b)所示的各個溫度感測器41,和藉由 各加熱器Η而被加熱控制之區,互相對應,則必須考慮無 線晶圓Ww被載置在加熱板3 4上的朝向。關於此情況, 就如何掌握各區的溫度資料而言,爲了容易理解,如第1 3 # 圖所示,舉出對應在加熱板34中被分割成二半之加熱器 Η1 0、Η1 1,而在無線晶圓 Ww側被設置2個溫度感測器 70、71之模式的例子,來加以說明。在第1 3圖〜第1 9圖 中,關於與前述實施形態相同構成的部分,爲了說明方 便,標上相同的符號。 在第1 3圖所示的無線晶圓Ww的周邊的一部分,被 形戒爲了要表示面方位之V字形的切口也就是凹口 80。 第1溫度感測器70和第2溫度感測器71,係夾著前述溫 • 度控制器42而被設成對角線狀。 關於控制部9,若一邊參照第1 4圖一邊詳細說明,則 在第14圖中,符號90爲匯流排;通訊部、記憶部、各程 式儲存部、及CPU等,與此匯流排90連接,而在第14 圖中,將其機能地表現而使其方塊化。再者,在第14圖 中,程序儲存部601、程序選擇部602、及程序作成部 603,由於其構成與前述相同,故在此省略說明。資料通 訊部7 0 1,係與無線晶圓W w之間,進行各種資料的通訊 之部位;例如,進行向控制器42發出溫度檢出開始指 -32- (29) 1295490 令、和接收已經藉由第1溫度感測器70及第2溫度感測 器7 1而檢測出來的溫度資料等。 溫度感測器資料儲存部702,係儲存已經藉由各加熱 單元中的第1溫度感測器7 〇及第2溫度感測器7 1而檢測 出來的溫度資料之部位。 加熱器資料儲存部7 0 3,係基於被儲存在前述溫度感 測器資料儲存部702中的溫度資料,例如藉由後述的溫度 • 資料作成程式,對於各個加熱單元,儲存對應加熱器也就 是對應加熱器所負責加熱的分割區域(加熱控制區域)之 溫度資料之部位。 符號7 1 〇係程式儲存部,溫度資料作成程式7 04和加 熱器溫度修正程式7 〇 5,被儲存在該程式儲存部中。加熱 器溫度修正程式705 ’具有:基於被儲存在加熱器資料儲 存部703中的加熱板的各個分割區域之溫度資料、和預先 設定的溫度測定資料,對於有關各加熱器之溫度控制器 ® 82、83,輸出控制參數的修正値之機能。 此處,前述程式7 0 4及7 0 5,係被儲存在記憶媒體例 如軟碟、光碟、磁光碟(MO )、記憶卡等之中,並被安 裝在控制9亦即電腦中,再被儲存於程式儲存部7丨〇中。 繼續,一邊參照第15圖一邊敘述各加熱單元中的分 割區域的溫度修正的情況。首先,如先前所述,操作者若 壓下搬送開始開關,則藉由傳送臂A1,無線晶圓Ww從 無線晶圓用載具Cw被取出,而被搬送至被裝設在棚單元 U1中的第1加熱單元中。然後,如第1 6圖所示,針對無 -33- (30) 1295490 線晶圓W w ’若將凹口 8 0朝向搬入加熱單元中的方向之狀 態,定義爲搬入角度0度,則在此例中,被搬入第1加熱 單元中之無線晶圓W w的搬入角度爲9 0度。再者,此第1 加熱單元,係被構成:其冷卻板,相對於傳送臂A 1或主 搬送機構A2,可以在無線晶圓Ww要進出 (access)和力口 熱板3 4上之間滑動;因此,凹口 8 0成爲如此的朝向。而 且,在第1加熱單元中,如先前所述,無線晶圓W w被載 Φ 置在加熱板34上,進行熱處理。 ^接著,從第1加熱單元被搬出之無線晶圓Ww,藉由 主搬送機構A2,被搬送至被裝設在棚單元U2中的第2加 熱單元中,進行同樣的處理,進而,藉由主搬送機構 A3,被搬送至被裝設在棚單元U3中的第3加熱單元中., 進行同樣的處理。在此例中,被搬入第2加熱單元及第3 加熱單元中之無線晶圓W w的搬入角度,分‘別爲2 7 0度及 90度。 ® 如此,按照預先被決定的搬送路徑、時間,利用將無 線晶圓Ww搬送至全部的加熱單元(爲了說明方便,設爲 第1加熱單元、第2加熱單元、及第3加熱單元)中,如 第1 7圖所示,針對各加熱單元,取得第1溫度感測器70 所負責的加熱區域的溫度資料、和第2溫度感測器7 1所 負責的加熱區域的溫度資料。 繼續,藉由前述的溫度資料作成程式704,如第1 8圖 所示,考慮無線晶圓Ww往各加熱器的加熱板之搬入角 度,來判斷各加熱板的哪一個加熱器加熱控制區域,對應 -34 - (31) 1295490 哪一個溫度感測器的溫度資料。亦即,基於前述無線晶圓 Ww的搬入角度、和第1溫度感測器70與第2溫度感測器 7 1的溫度資料,而可以得到各加熱板的分割區域的溫度。 第1 9圖係以如此的方式所得到的第1溫度感測器70與第 2溫度感測器7 1、和各加熱單元中之各個加熱器所負責的 加熱控制區域(分割區域)之溫度資料。前述溫度資料作 成程式7 04,係基於此溫度資料、和例如預先被設定的溫 • 度資料(此資料,例如被儲存於未圖示的記憶體中),如 先前所述地,以規定的演算法,調整對於各加熱器之電力 供給控制資料也就是P ID控制或是MV控制的輸入特性曲 線。具體而言,係調整PID控制中的溫度目標値、時間常 數等,或是調整MV控制中的供給電力的位準、供給時間 等,而該修正値則從控制部9被輸出至有關各加熱器之溫 度硿制器中。 然後,選擇程序,使得可以再度開始被修正後的加熱 ^ 單元的溫度測定,並輸入溫度測定開始指令,來實施溫度 測定程序。如此自動地反覆進行藉由無線晶圓Ww所實行 的溫度檢測、加熱板的溫度資料的取得、彙總資料的算 出、和偏差値的算出,直到溫度檢測値在目標溫度範圍及 目標面內溫度差內爲止。 若根據此實施例,當將無線晶圓Ww沿著預先被決定 的搬送路徑搬送至各加熱單元中的時候’由於基於搬入加 熱單元中之無線晶圓Ww的搬入角度,來判斷被形成在無 線晶圓Ww表面上之第1溫度感測器7 〇與第2溫度感測 -35- (32) 1295490 器7 1各自負責的加熱區域,所以針對各加熱單元,由於 可以得知被形成在無線晶圓Ww表面上之各溫度感測器、 和被設在加熱板3 4 ’內部之各加熱器之間的對應關係,因 此針對各加熱器,基於藉由各溫度感測器所測得的溫度資 料,能夠調整各加熱器的溫度控制參數。 [發明之效果] # 若根據本發明,由於使用配備有溫度檢測部、記憶 部、及控制器之溫度檢測用基板,來測定加熱板的溫度, 所以能夠容易且高精度地測定加熱板的溫度。此時,由於 是基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基板 的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬送 時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來取 出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値的 時序列資料,所以能夠正確地掌握將溫度檢測用基板搬送 ® 至加熱板上之時序,而能夠以高精度來取出前述溫度檢測 値的時序列資料,並能夠進行精度高的溫度測定。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示有關本發明的基板處理裝置的實施形態 之平面圖。 第2圖係表示前述基板處理裝置之斜視圖。 第3圖係表示前述基板處理裝置中的棚單元之側面 圖。 -36- (33) 1295490 第4圖係表示前述基板處理裝置中的加熱單元之縱剖 剖面圖。 第5圖係轰示前述加熱單元的加熱板之平面圖。 第6圖係表示在前述加熱板的溫度特性的測定中所使 用的無線晶圓的一例之斜視圖。 第7圖係表示用來收容前述無線晶圓之專用的載具的 一例之剖面圖。 # 第8圖係表示調整甩電腦的一例之構成圖。 第9圖係表示控制部的一例之構成圖。 第1 0圖係爲了說明加熱板的溫度測定工程之流程 圖。 第1 1圖係表示加熱板的溫度檢測値的時序列資料之 特牲圖。 第12圖係表示在本發明的實施形態中,無線晶圓及 加熱板的其他例之槪略斜視圖。 ® 第1 3圖係表示在本發明的實施形態中,無線晶圓及 加熱板的其他例之槪略斜視圖。 第1 4圖係表示在本發明的實施形態中,控制部的一 例之構成圖。 第15圖係表示有關本發明的基板處理裝置的實施形 態之平面圖。 第1 6圖係就被搬入加熱單元中之無線晶圓的搬入角 度加以說明之說明圖。 第1 7圖係表示藉由各溫度感測器所測得的加熱板之 -37- (34) 1295490 圓 晶 線 無 之 中 元 單 熱 。 加 圖各 性入 特搬 之被 料要 資入 列寫 序被 時係 的圖 値 8 測1 檢第 度 溫 圖 之 置 位 器 熱 加 的 應 對 所 器 測 感 度 溫 各 和 度 角 入 搬。 的表 9 11 溫 之 器 熱 加 各 的 來 出 測 檢。 所圖 定性 測特 由之 藉料 示資 表列 係序 圖時 的 値 第測 檢 度 第 平 之 例1 的 置 裝 成 形 案 圖 劑 阻 的 知 習 示 表 係 圖 圖 面 第 視 斜 之 圓 晶 的 用 定 測 度 溫 的 板 熱 加 示 表 係 圖 圖 第 性 特 之 例1 的 線 曲 性 特 溫 升 的 板 熱 加 示 表 係 圖 圖 【主要元件符號說明】 W :半導體晶圓 Ww :無線晶圓 C :載具
Cw :無線晶圓用載具 B 1 :載具搬入部 B 2 :處理區段 B 3 :介面部 B4 :曝光裝置 A1 :傳送臂 A2、A 3 :主搬送機構 -38- (35) 1295490 A4、A5 :第2搬送手段(主搬送部、輔助搬送部) 3 4 :加熱板 3 3 :冷卻板 4 1 :溫度檢測部 42 :無線晶圓Ww的控制器 45 :無線晶圓用載具Cw的控制器 5 :調整用電腦 # 502 :溫度資料取得部 5 03 :彙總資料算出部 5 04 :偏差算出部 6 :控制部 604 :控制參數修正部 HI、H2、H3 :力口熱器 -39-

Claims (1)

  1. 、1295490
    月f日修㈣正替
    十、申請專利範圍 第094 1 26603號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年9月4日修正 1. 一種加熱板之溫度測定方法,係關於配備有:將已 經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基板 載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、和 # 從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送手 段之形態的基板處理裝置,而針對測定前述加熱板的溫度 之方法,其特徵爲包含: 藉由前述搬送手段,將配備有溫度檢測部、記憶部、 及控制器之溫度檢測用基板,沿著預先被決定的搬送路 徑,搬送至加熱單元中之工程; 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之工程; • 接收前述溫度測定開始指令,溫度檢測用基板,將溫 度檢測値的時序列資料,記憶在前述記憶部內之工程;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之工程。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的加熱板之溫度測定方 •1295490
    法,其中基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測 用基板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止 之搬送時間、和前述記憶部內的溫度檢測値的時序列資 料,來取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料之工程,係藉由電腦來進行。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中具備··基於前述溫度檢測用基板被載置 # 在加熱板上之後的溫度檢測値的時序列資料,來修正加熱 板的加熱手段的控制參數之工程。 4.如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中前述加熱板,係被構成:被分割成複數 個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱 各分割區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在分別對應前 述分割區域的各個位置。 • 5·如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中前述加熱板,係被構成:在圓周方向被 分割成複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可以 分別獨立地加熱這些複數個加熱區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了進行各分割區 域的溫度檢測,而被設置複數個; 並具備:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測 用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資 料爲基礎所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資 -2- 1295490 (3) 料,來修正各加熱手段的控制參數之工程。 6.如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱板之溫 度測定方法,其中對前述溫度檢測用基板的控制器,輸出 溫度測定開始指令之工程,係在從用來收容溫度檢測用基 板並被放置在載具搬入部內之載具,藉由搬送手段取出基 板時,從被設在該載具中的控制器,輸出前述溫度測定開 始指令之工程。 # 7 · —種基板處理裝置,係針對關於配備有:將已經收 容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基板載置 在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、和從載 具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送手段之 形態的基板處理裝置,其特徵爲具備: 以將配備有溫度檢測部、記憶部、及控制器之溫度檢 測用基板,沿著預先被決定的搬送路徑,搬送至加熱單元 中之方式,控制前述搬送手段之手段; • 在前述搬送路徑中的預先被決定的位置,對前述溫度 檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開始指令之手段;以 及 基於從輸出前述溫度測定開始指令時的溫度檢測用基 板的位置至該溫度檢測用基板被載置在加熱板上爲止之搬 送時間、和接收前述溫度測定開始指令而被記憶在前述溫 度檢測用基板的記憶部內之溫度檢測値的時序列資料,來 取出溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度檢測値 的時序列資料之手段。 -3 - (4) (4) 1295490 辦^聊峨彩正替换買 8 ·如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置,其中 具備:基於溫度檢測用基板被載置在加熱板上之後的溫度 檢測値的時序列資料,來修正加熱板的加熱手段的控制參 數之手段。 9 ·如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理裝 置,其中前述加熱板,係被構成:被分割成複數個加熱區 域’同時藉由複數個加熱手段而可以獨立地加熱各分割區 | 域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係被設在分別對應前 述分割區域的各個位置。 10·如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理 裝置,其中前述加熱板,係被構成:在圓周方向被分割成 複數個加熱區域,同時藉由複數個加熱手段,可以分別獨 立地加熱這些複數個加熱區域; 溫度檢測用基板的溫度檢測部,係爲了進行各分割區 ^ 域的溫度檢測,而被設置複數個; 並具備:基於以被載置在加熱板上的時候之溫度檢測 用基板的朝向、和各溫度檢測部的溫度檢測値的時序列資 料爲基礎所得到的各分割區域之溫度檢測値的時序列資 料,來修正各加熱手段的控制參數之手段。 1 1 .如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板處理 裝置,其中對溫度檢測用基板的控制器,輸出溫度測定開 始指令之手段’係被設在用來收容溫度檢測用基板並被放 置在載具搬入部內之載具中的控制器;在藉由搬送手段從 -4- 1295490 月ftei修(_正替換買 (5) 一 該載具取出溫度檢測用基板時,輸出前述溫度測定開始指 令。 1 2 . —種電腦可讀取之記憶媒體,其特徵爲記憶有加 熱板之溫度測定用電腦程式,該電腦程式係於配備有:將 已經收容複數枚基板之載具搬入之載具搬入部、包含將基 板載置在加熱板上來進行熱處理的加熱單元之處理單元、 和從載具搬入部承接基板並將其搬送至處理單元中之搬送 φ 手段之形態的基板處理裝置被用於測定前述加熱板的溫度 者,而且被組入有實施申請專利範圍第1項或第2項所記 載的溫度測定方法之工程者。
    1295490 七、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圓為:第(10)圓 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明:無
    八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:
TW094126603A 2004-08-11 2005-08-04 Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer TWI295490B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004234765 2004-08-11
JP2005199673A JP4343151B2 (ja) 2004-08-11 2005-07-08 加熱プレートの温度測定方法、基板処理装置及び加熱プレートの温度測定用のコンピュータプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200614406A TW200614406A (en) 2006-05-01
TWI295490B true TWI295490B (en) 2008-04-01

Family

ID=35839319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094126603A TWI295490B (en) 2004-08-11 2005-08-04 Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7655886B2 (zh)
EP (1) EP1791166B1 (zh)
JP (1) JP4343151B2 (zh)
KR (1) KR101052106B1 (zh)
TW (1) TWI295490B (zh)
WO (1) WO2006016550A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413201B (zh) * 2008-05-26 2013-10-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a memory medium

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4722684B2 (ja) * 2005-12-02 2011-07-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JP4965925B2 (ja) 2006-07-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
US7460972B2 (en) * 2006-10-19 2008-12-02 Sokudo Co., Ltd. Methods and systems for performing real-time wireless temperature measurement for semiconductor substrates
JP4973267B2 (ja) * 2007-03-23 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体
JP5293719B2 (ja) * 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP4722231B2 (ja) * 2011-01-11 2011-07-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8809747B2 (en) * 2012-04-13 2014-08-19 Lam Research Corporation Current peak spreading schemes for multiplexed heated array
JP5712975B2 (ja) 2012-07-06 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
JP6104718B2 (ja) * 2013-05-31 2017-03-29 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置、温度測定用基板の搬送方法および試験方法
JP6118180B2 (ja) * 2013-05-31 2017-04-19 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 試験予定作成方法、試験方法、試験予定作成装置および基板処理装置
US9716022B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-25 Lam Research Corporation Method of determining thermal stability of a substrate support assembly
JP6368686B2 (ja) 2015-06-10 2018-08-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理装置の調整方法、及び、プログラム
US9779974B2 (en) 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10386821B2 (en) * 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
US10381248B2 (en) 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
JP6512089B2 (ja) * 2015-12-15 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法
JP6391558B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6481636B2 (ja) * 2016-02-16 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法
CN107045215A (zh) * 2016-12-29 2017-08-15 惠科股份有限公司 一种显示面板制程和一种用于显示面板的烘烤装置
JP6930119B2 (ja) * 2017-01-30 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び基板処理装置
JP6785186B2 (ja) * 2017-05-18 2020-11-18 東京エレクトロン株式会社 検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法
CN107479339B (zh) * 2017-09-01 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显影装置及其显影方法
US11222783B2 (en) * 2017-09-19 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Using cumulative heat amount data to qualify hot plate used for postexposure baking
JP7027198B2 (ja) * 2018-03-06 2022-03-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7170404B2 (ja) 2018-03-09 2022-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2018195849A (ja) * 2018-08-21 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7091221B2 (ja) * 2018-10-23 2022-06-27 株式会社Screenホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7256034B2 (ja) * 2019-03-04 2023-04-11 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
CN111986976B (zh) * 2019-05-22 2022-04-22 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体处理设备
EP4302972A1 (de) * 2022-07-08 2024-01-10 Georg Fischer Rohrleitungssysteme AG Zonenbasiertes heizelement

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3515081A1 (de) 1985-04-26 1986-10-30 Bernhard 7551 Au Bauer Geraet zur erfassung des zeit-temperatur-verlaufs
DE634699T1 (de) * 1993-07-16 1996-02-15 Semiconductor Systems Inc Gruppiertes fotolithografisches System.
JP3249911B2 (ja) 1996-01-08 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置、処理装置及び処理方法
JPH11160160A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Glory Ltd 食品生産情報収集管理システム
JPH11307606A (ja) 1998-04-20 1999-11-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置の評価方法および評価装置
US6203969B1 (en) * 1998-09-14 2001-03-20 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus which measures temperature of heat-sensing substrate and measuring method therein
US6535824B1 (en) * 1998-12-11 2003-03-18 Symyx Technologies, Inc. Sensor array-based system and method for rapid materials characterization
JP3445757B2 (ja) * 1999-05-06 2003-09-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3626884B2 (ja) * 1999-09-28 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 加熱処理システムおよびそれに用いる加熱処理ユニット
US6261853B1 (en) * 2000-02-07 2001-07-17 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
JP3590341B2 (ja) 2000-10-18 2004-11-17 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置及び温度測定方法
JP3840387B2 (ja) * 2001-09-05 2006-11-01 東京エレクトロン株式会社 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置
JP4274736B2 (ja) * 2002-03-28 2009-06-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7297906B2 (en) * 2004-12-22 2007-11-20 Sokudo Co., Ltd. Integrated thermal unit having a shuttle with two-axis movement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI413201B (zh) * 2008-05-26 2013-10-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a memory medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP4343151B2 (ja) 2009-10-14
EP1791166A1 (en) 2007-05-30
WO2006016550A1 (ja) 2006-02-16
KR101052106B1 (ko) 2011-07-26
TW200614406A (en) 2006-05-01
EP1791166A4 (en) 2009-06-10
JP2006080489A (ja) 2006-03-23
KR20070050954A (ko) 2007-05-16
US7655886B2 (en) 2010-02-02
US20080142500A1 (en) 2008-06-19
EP1791166B1 (en) 2011-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI295490B (en) Temperature measurement method of heating plate, substrate processing apparatus and readable media for computer
TWI390599B (zh) 溫度控制方法、溫度調節器及熱處理裝置
CN107068588B (zh) 基板处理装置和基板处理装置的调整方法
EP1850372A1 (en) Temperature setting method for heat treating plate, temperature setting device for heat treating plate, program and computer-readable recording medium recording program
JP4033809B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP6930119B2 (ja) 加熱装置及び基板処理装置
TWI794177B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
TWI643246B (zh) Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium
US20090225285A1 (en) Substrate processing method, computer storage medium and substrate processing system
JP2006173185A (ja) 熱処理板の温度設定方法,熱処理板の温度設定装置,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TW201222626A (en) Heat treatment method, recording medium having recorded program for executing heat treatment method, and heat treatment apparatus
JP5089765B2 (ja) 制御装置及び制御方法
CN100433255C (zh) 加热板的温度测定方法和基板处理装置
TWI293938B (zh)
TW509966B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10340140B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7599042B2 (en) Coating and developing apparatus, substrate processing method and computer-readable recording medium
KR20210021524A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP3840387B2 (ja) 温度計測方法、温度計測装置及び基板処理装置
JP2006237260A (ja) 基板の処理システム,プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI830816B (zh) 熱處理裝置及熱處理方法
JP2001217233A (ja) 膜厚測定方法、温度調整方法及び温度調整装置
JP4018087B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理システムにおける膜厚測定用の装置の劣化検知方法
JP3782323B2 (ja) 不具合修正システム
JPH0771929A (ja) ウェーハ位置検知方法及び縦型拡散・cvd装置