TWI292176B - Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing - Google Patents

Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing Download PDF

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TWI292176B
TWI292176B TW094120944A TW94120944A TWI292176B TW I292176 B TWI292176 B TW I292176B TW 094120944 A TW094120944 A TW 094120944A TW 94120944 A TW94120944 A TW 94120944A TW I292176 B TWI292176 B TW I292176B
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Robert J O'donnell
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Description

1292176 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，發義關於-種半導體晶圓處理技術，於 ===流體到晶圓表面及從晶圓表崎除流體 g 及降低晶圓處理成本的設備與技術。 7木 【先前技術】 ~ΐίίί^製造處理巾’需要例如清洗與乾燥等操作 處理』為吾人職知。在這些操作之巾 曰、: 除晶圓操作處理所需親體。 :地把加且清 例如’在製造操作已進行到在晶圓的表面之 時，就必須執行晶圓清洗。此種製造操作的^子包括3 ::圓 (Γ))與化學機械研磨⑽)。在® Ϊ, snbir物磨材料所構】= 微粒除了造成其它的卜表殘餘材料與 i=;::r之間的不 操作之裝置而報廢晶圓本為具有無法 洗流體剩餘^效地乾燥晶圓以避免水或清 面之上揮發，則在j、、_2殘餘物。若允許清洗流體在晶圓表 中的殘餘物或污染物在^=常發生：先前溶解在清洗流體之 成水痕）。為了防止mu後將殘留在晶圓表面之上（例如形 形成之情況下，就儘快在晶圓表面之上尚無液滴的 通吊知用例如旋轉乾燥、IPA、馬蘭哥尼乾燥等數種不同 1292176 之乾燥技術的其中之一。這些乾燥技術利用晶圓表面之上的某些 型態之移動的液/氣界面，若適當地維持的話，將能夠在無 ，成，情況下使晶圓表面乾燥。不幸地，若移動的液/氣^面失 效的話，則如前述所有乾燥方法經常發生的：液滴的形成與揮發 將造成污染物殘留在晶圓表面之上。目前最普遍使用的乾燥技 為旋轉沖洗乾燥（SRD)。
圖1A顯示在SRD處理期間之晶圓1〇之上的流體之移動情況。 在此種乾燥處理中，溼晶圓以高速繞著旋轉方向14旋轉。在$肋 中，利用離心力，將清洗晶圓用的水或清洗流體從晶圓的中心 到晶圓的外侧，且最後如流體方向性箭號16所示地甩出晶圓。者 清洗流體正在被甩出晶圓時，在晶_中心將產生移動的液= 界面12且其將隨著乾燥處理的進行而移動到晶圓的外侧（亦移 動的液/氣界面12卿成之卿將變得更大）。在圖M 中，由移動驗/氣界面12所形狀圓形的畴區域將 在且由移動驗/氣界面12所形成之圓形的外部 g J 體。、因此4乾燥處理持續進行時，移動的液/氣界 部伤（乾祕域）將變大，而移動的液/氣界面U 區域）將變小。如前述，若移動的液/氣界面12失效卜的 =域^ ，流體的液滴將形成在晶圓之上且將由於液滴的揮發而造成$ ί面ίί本二制液滴的形成及後續的揮發對免於在ΐ圓 動的液體界®失效具冑部份絲。 輯防止移 此外，SRD處理將難以乾燥斥水性的表 ，，會排斥水與水性的（水的）清洗溶液，故 ϊϊΐί水性的晶圓表面乾燥。因此，當錢處理持續進行且蔣 甩出晶圓表面時，殘餘的清洗流體（若為水性的話）將 被晶圓表面所排斥。如此-來，水性清洗流體至 夠與斥水性晶圓表面細醜域。此外，水性清:二此 面張力而易於攀攸（亦即由於分子氫鍵結所引起）。因此;， 1292176 水性互相作用與表面張力’水的清泱 無法控制的型態形成在斥水性的晶圓^面之上滴）將呈 有害的揮發與污染。SRD的限制在晶圓的中 ，农普遍的晶圓乾燥方式，但此方法卻難以減少清 在晶圓表面之上的形成，特別是用於斥 训·體液滴 特定局部將具有不_斥水性。斥H0表㈣。晶圓的 圖1B顯示例示性的晶圓乾燥處理18。在本例 =部20具有親水性區域料部22具有斥水性區域。局^ 體26將聚集在此區域之中。局部22為斥&故此 =域排斥水且因此在晶K 1G的此局部之上將存在有水^故= 此’晶圓10之斥水性局部通常比親水性局部更快乾燥的這將 晶圓乾燥現象，而這將使污染程度變大且因而降低ίιι 因此，目剷需要一種方法與設備，其必須能夠 圓表面之上的污染沉積物的條件下施加Ϊ 免於有自知技術的問題。目前經常產生的此種沉積物 可接文之晶®的良率且提高半導體晶圓的製造成本。、- 【發明内容】 ，括而言，本發明係提供—種基板處理設備而滿足上 ^j夠藉由位在流體f液面之内的活性中”處理晶圓表 ^ ί ’亦提供—種利用自我調整功能而產生流體彎液面3 = 各種方式據以實施本發明，包括製程、 又備系裝置或方法。以下說明本發明之數個創新的實施例。 〇在一實施例中，提供一種基板的處理設備，包括近接通，力 接於基板的表面。此設備亦包括開口 ’位在近接頭的Ϊ 之上而通到形成於近接頭之中的中空部，其中中空部係經 口而將活性劑輸送到基板的絲。此設備更包括複數之^管，位 1292176 j近接頭的表面之上，其在基板的表面之上產生圍繞著開口流 體彎液面。 ^在另一實施例中，提供一種基板的處理方法，包括施加活性 劑到基板之表面的活性區及利用近接頭在基板的表面之上產生流 體彎液面，而流體彎液面係圍繞著活性區。 在又一實施例中，提供一種基板的處理方法，包括在基板的 :面之上產生第一流體彎液面及在基板的表面之上產生第二流體 彎液面，其中第二流體彎液面係與第一流體彎液面相鄰。產生第 -流體彎液面與第二流體彎液面係包括從第—越彎液面 少第一流體。 在另一實施例中，提供一種基板的處理方法，包括施加流體 到基板的表面之上及從基板的表面虹吸至少流體，其中清除流體 ^Ϊ將越施加到基板的表面時進行。施加與清除流體係形成 流體彎液面。 在又一實施例中，提供一種處理基板用的近接頭，包括至少 導L形成於近接頭之内，其中至少—第—導管係施加流 ，到J板的表面。近接括至少__第二導管，形成於近接頭之 内，/、中至少一第二導管係極近接於至少一第一導管，且其中至 少Γ第二導管係從晶®的表面虹吸流體。施加流體到基板的表面 且從基板的表面虹吸流體係產生流體彎液面。 本發縣具有各種伽。最賴的是，在此所叙設備 到有空部的近接頭。利用中空部將活性劑&加 至J曰曰0表面，就能夠處理晶圓表面且圍繞著活性中空部 =者1洗㈣處_區域。因此’可以有效地控制且管理處理 ^兄，猎以產生更-致的晶圓處理。因此，由於高效率的晶 理而可以提咼晶圓處理與生產且達成更高的晶圓良率。 μΪ1外，在此所叙近接頭侧肢吸#清除來自流體彎液面 。日利用虹吸管，則由於本實施例之中的彎液面為自我調整， 故月b狗提高f液面的穩雜及控制。當流人彎液面之中的流體之 1292176 流量越大時，則虹吸管就以更快的速 使晶圓處理一致，藉以提高晶圓處理的良率Γ豆。因此，將能夠 本考X明之其它樣態及優點可參，昭以 一 ::的附圖而更加清楚。在圖式中，相;的 【實施方式】 以下揭露本發明之基板的處理方 為了提供對本發明的徹底瞭解，故中， 悉本項技藝之一般人士可理解：在郎。然而，熟 ϊΐ婁Γ實施本發明。在其它情況中 不必要的混淆，故不再詳細說明熟知的處理對本發明造成 用近接頭產晶3理系統的實施例:其利 (多個流體彎液面）。在一、、、及位置的流體彎液面 自流體彎液面之流體（多種流在，，利肢吸管清除來 晶圓處理操作刀利用另一種 只要iiS二液種⑵近接頭僅為例示性，且 1292176 動、螺旋狀移動、z字形移動、不規則移動等等。此外，移 式亦可以是使用者所需之任一適當的特定移動輪廓。此外， 實施例中，可以使晶圓旋轉且使近接頭以直線方式移動，故 頭能夠處理晶圓的所有區域。又，吾人應理解··可以使用其它每 施例，其中不使晶圓旋轉、但是使近接頭以能夠處理晶圓的二 ，域之方式在·上移動。在其它實細中，可魏據晶圓處理 操作與近接頭之架構而使晶圓與近接頭任一者或兩者不移動。 其它實施例中，使近接頭保持固定且使晶圓移動，俾使其受 體彎液面的處理。就近接頭而言，只要能夠達成預期的^圓處ς 操作，則晶圓係能夠以任一適當的移動型式進行移動。 此外，可利用在此所述之近接頭與晶圓處理系統處理任一形 狀及尺寸的基板，例如200mm晶圓、300mm晶圓、平面面板等等= 又，可以改變近接頭的尺寸及因而產生之彎液面的尺寸。在一實 施例中，可以使近接頭的尺寸及彎液面的尺寸大於處理中之晶 圓，且在另一實施例中，可以使近接頭及彎液面的尺寸小於處理 中之晶圓。又，在此所述之彎液面可供其它型式之晶圓處理技術 使用，例如刷洗、光刻、超音波等等。可以藉由近接頭支撐及移 動流體彎液面（例如在晶圓之上移動、離開晶圓及在晶圓各處移 動）。 吾人應理解：在此所述之系統僅屬例示性，且在此所述之近 接頭可以用於在此所述之任一適當的系統之中。又，吾人應理解： 圖2至圖8係說明f液面的形成，而彎液面係利用虹吸管從晶圓 表面清除流體，因此，在此所述之處理變數（ 、 等)係不同於在圖9至圖15B所示之具有活性;空二近= 中的處理變數。又，吾人應理解：可以將虹吸管應用於在此所述 之任一適當的近接頭。 圖2顯示根據本發明之一實施例的晶圓處理系統1〇〇。系統 100係包括滾筒l〇2a與l〇2b，其能夠夾持及/或轉動晶圓而使晶 圓表面受到處理。系統1〇〇亦包括近接頭1〇6&與1〇叱，而在一實 1292176 、^例中，將其分別接合於上臂部馳與下臂部1_。在-實施例 中，近接頭106a及/或106b為圖2至圖15將更詳細說明之任一 ^當的近接頭。在此所述之「多重、彎液面近接頭」一詞代表 〜生一個或更多之流體彎液面的近接頭。在其中一個實施例中， 第一流體彎液面係實質被第二流體彎液面所包圍。在一實施 中，第-流體彎液面與第二流體，靑液面為同心而第二流體彎液面 -^圍繞著第-流體敎面。近接頭為任—能夠產生在此所述之流 體考液面的適當設備。上臂部104a與下臂部1〇4b為組件的一部 分，而組件能夠使近接頭106a與106b沿著晶圓的半徑進行實質 直線運動（或在另一實施例中，為略呈弧狀的運動）。在又一實施 曹例巾，組件使近接頭腿與麵可依使时職而進行任二適 當的運動。 f其中-個實施例中，臂部1〇4肖以極近接於晶圓地夾持位 曰曰圓上方的近接頭l〇6a，及位在晶圓下方的近接頭1〇此。例如， 在其中一個例示性的實施例中，這可藉由具備能夠以垂直方式移 動的上臂部104a與下臂部l〇4b而達成，故一旦近接頭水平地移 動到開始進行晶圓處理的位置時，近接頭l〇6a與將可以垂 直地移動到極近接於晶圓的位置。在另一實施例中，上臂部104a 與下臂部104b可在進行處理前已產生、脊液面的位置啟動近接頭 馨106,與l〇6b，且已產生於近接頭i〇6a與之間的彎液面可從 晶圓108的一邊緣區域被移動到待處理之晶圓的表面之上。因此， 可以使上臂部l〇4a與下臂部l〇4b形成為任一適當的型態，俾使 近接頭106a與l〇6b移動而能夠進行所述之晶圓處理。又，吾人 應理解：只要近接頭（多個近接頭）能夠移動到極近接於晶圓而 產生並控制，在其中一個實施例中，呈互為同心之多重彎液面的 話，可以使系統100形成為任一適當的型態。又，吾人應暸解·· 只要旎夠保持彎液面，則「極近接」係代表任一距晶圓的適當距 離。在其中一個實施例中，近接頭106a與106b (更包括任一所述 之其它近接頭）各位在距晶圓約〇· lmm至約l〇mm之間的位置，俾
11 1292176 在晶圓表面之上產生流體彎液面。在一較佳實施例中，近接頭丨〇6a 與l〇6b (更包括任一所述之其它近接頭）各位在距晶圓約〇 5mm 至約2.0mm之間的位置，俾在晶圓表面之上產生流體彎液面，且 在一更佳的實施例中，近接頭1〇如與1〇6b(更包括任一所述之其 它近接頭）位在距晶圓約15mm的位置，俾在晶圓表面之 流體彎液面。 if中Γ個實施例中’使系統⑽、臂部104形成為能夠使近 ί頭五ϋ、腿從晶®之受猶__移_未受處理的區 Ξ接理二:πΓ二°4可以任一適當的型式移動，俾能夠使 / 此移動而依所需地處理晶圓。在其中-個實施 ^的夺Ϊ由馬達所驅動而使近接頭腿與1G6b沿著晶 近接頭lG6a與廳b，但亦可使用二具有 或祕亦可以是^適>曰尺0⑽之近接頭施及/ 流體。架構皆在近接頭與晶圓之間產生 體到晶圓表面且從表面清:流各處，俾藉由施加流 據施加到晶圓的流體，：以:處;;曰圓。如此-來’就可依 第-流體·彎液面的第二流二且至少局部圍繞著 的操作或不同之晶圓處理操f 執=、第一流體曾液面相同 處理。又，吾人應理解：系ϋ、匕制f而能夠進行在此所述之 或晶圓的上表面與下表面^面。可以处理晶圓的其中之-表面 此外，除了處理晶圓的上 形成為藉由輸人及輸出㈣種下卜，亦可使系統100 而利用其中一種處理（例如=的机體或使用不同架構之彎液面 晶圓的其中—邊且利 洗、乾燥、電鍍等等）處理 J的處理或不同種類的處理處理晶圓的 1292176 、。t可以使近接頭形成為除了處理晶圓的上及/或下表 到曰_ΐί理日!，斜邊。這可#由將處理斜邊的彎液面移動 (或移f到其上)而達成。又，吾人應瞭解: 口要=、G6b可以相同種_設備或不同翻的近接頭。 圓108、現的方位能夠使預期的近接頭極近接於待處理之晶 • ^而在筒_與_夹持並轉動晶 ^ 1Λ〇 μ 、保符在任適當的方位。在其中一個實施例中，、、梦 著順時針或方Ί Z依 =斤需的晶f1轉動方向而使滾筒繞 1盥102b曰pi in/疋轉。在’、中一個實施例中，由滾筒l〇2a i近接於^頭腿未處理區域移動成 圓ιοί 轉動等的直線運動及經由晶 _與受處理區域送到近接頭 在盆中一個眚丨由a個近接碩執行晶圓處理操作。因此， 作i行而以ί旋 動;處理的部分係隨著處理操 =的 水（膽）（即為已知的雨入口）f入口f成為輸入去離子 異丙醇（IPA)而呈菽氣狀離的N葡雜> 夕一個第二入口輸入含有 且使至少一出口形成為從i圓已知的PA入口）、 體。吾人應理解··可以藉由任一適當:②清除流 能夠以與在此所述之方法一致之高效=方= 13 J292176 至少"'出口抽真空（即為已知的真空出口）°在另 情況時，則可以利用例如虹吸之方法。圖8將ΐίίί 施例之中使請蒸氣，但; ;等=與:：醇類蒸氣、有機化合物、揮發性S; 在例不性的清洗實施例中，以清洗溶液取代DIW。在 麻的崎施例。在一額外的實= U以彻在此所述之方法完成電鍍。此外，可依據 理刼作而將其它種類的溶液輸入到第一入口與第二入口之^、处 ^，吾人應理解：只要能夠利用在此所述之穩 面 =近接頭之表面之上的入口與出口係可以是任一以: 實施财，至少一N2/IPA蒸氣入口係緊鄰著至ί ==二而著緊鄰至少一處理流體入口，俾形成ΙΡΑ-ί 工理&體的方位。此種架構係產 ς 力彎液面。此外，可以藉由具備處理流體 生；侧！液面。因此’可以藉由以下將更詳細說明之ΙΡΑ 1空^二處理流體—真空—第—處理流體 :著方位ί生其中之第二流體-液面係忿s ΐΊί二體5液面的其中之—例示性實施例。吾人應理解： 曰理與企圖增強之晶圓處理機制的種類而利 =匕，的方位組合，例如IPA—處理流 ^空:處理越的方位_以智慧型且有效地產生 =位在近接頭與晶圓之_彎液面而處理晶圓。若保^上述 方位的洁’則可以將處理流體入口、N2/IPA蒸氣入口、與真空出 口排列，任-適當的型態。例如’除了 N2/IPA蒸氣入口 口、與處理流體入口之外，在一額外的實施例中，可以依據所需 14 P92176 、 之近接頭的架構而具有額外各組的IPA蒸氣出口、處理流體入口 及/或真空出口。吾人應理解：可依據應用而改變入口與出口方 位的確切架構。例如，可以改變IPA輸入、真空、與處^里流體入 口位置之間的距離而使距離一致或不一致。此外，可以依據近接 f、106a之尺寸、形狀、與架構及處理彎液面之所需的尺寸（亦即， 彎液面形狀與尺寸）而使IPA輸入、真空、與處理流體出口之間 .的距離大小不同。此外，例示性的IPA—真空一處理流體的方位^ 存在於在此所述之另外的實施例之中。吾人應理解··在任何可以 利用真空從晶圓表面清除流體的地方，就可以對實質單相的漭 利用圖8將更詳細說明之虹吸管。 、、 爪 在其中一個實施例中，使近接頭1〇如與1〇6b分別位在極近 接於晶圓108的上表面與下表面的位置且利用在此所述之IpA及 DIW入口與真空出口而產生與晶圓接觸之晶圓處理彎液面，而 其月b夠處理晶圓1〇8的上表面與下表面。可以採在此所述之相同 方式產生晶圓處理彎液面。實質上同時地輸入IPA與處理流體， 近接頭、106a與106b係掃掠過晶圓1〇8之上，而臂部之末端的近 且極近接於晶圓表面地抽真空而清除位在晶圓表面之上的IpA墓 氣、處理流體、及/或流體。吾人應理解：雖然在此例示性的g 施例中使用I>PA，但亦可使用任一其它適當麵的蒸氣，例如氮、 任-適當的醇類蒸氣、有機化合物、已醇、乙二醇、丙綱等等能 _夠與水互溶者。這些流體為已知的表面張力降低流體。位在近接 頭與晶圓之間的區域之中的一部份之處理流體為彎液面。吾人應 理解·如此處所使用的「輸出」—詞係代表從晶圓⑽盘特定的 間的區域所清除的流體，且「輸人」—詞係代表通入到 曰曰圓·與特定的近接頭之_區域之越。在另—實施例中， 接頭係進行略呈弧狀的移動。
圖3顯夭摘撼太路日日+ —咸αι，·，-_____ . 近接頭106。 圖5Α至圖 15 1292176 % 法。在其中一個實施例中，近接 ⑽的上表面1G8a，俾執行晶 ^移f 接二晶圓 用近接頭106處理（例如清洗H ·亦可利 的下表面108b。在其中一個杏^1電鍍钱刻專等）晶圓1〇8 頭⑽則沿著近接頭的移動yy而中以轉近接 腿則受到處理。藉由經由人 ^移^ =上表面 116。吾人應理解：圖3所^ 流體314 ’故產生彎液面 可以使用任一能夠產生列=，且 方位，例如在此所述之這些架體4液面的適當之入口/出口的 五/ 圖4A顯不上表面1〇8a受到處理，鋏而， ίί ΐ；；^ίθθ0®108 ::Λ Γ實施例中’利用入口302朝向晶圓⑽的上Ξ 蒸氣’且利用入口3G6朝向晶圓^ 圓表i=二加空處而理 而除位在上表面1〇8a之上或靠近上表面 、夜面11(Γ t或舰。如上述，又，吾人應理解：只要能夠形成彎 可以利用入口與出口之任一適當的組合。ipa可以i _ t適虽的狀態，例如利践氣體輸入呈蒸氣狀態的IPA蒸氣。 ♦ 1^细能夠使晶®處理進行或增強晶®處理之任一適當的 的流體（例如清洗流體、乾燥流體、敍刻流體、電鍍 專）。在其中一個實施例中，經由入口 302提供1pA入流 =由出口 304抽真空312及經由入口 提供處理流體的人 /；!L 。因此，若流體膜駐留在晶圓108之上時，則第一流體壓力 將^於IPA入流310而作用於晶圓表面、第二流體壓力將由於處 體的入流314而作用於晶圓表面、且第三流體壓力將由於真 空312而起作用，俾能清除晶圓表面之上的處理流體、IpA與流體 M： ° ” 16 1292176 因此，在晶圓處理的其中之一實施例中，當處理流體的入流 314與IPA入流31 〇施加於晶圓表面時，晶圓表面之上的流體（若 有任-流體的話）將與處理入流314互相混合。此時，施加於晶 圓表面之處理流體的入流314將遭遇IpA入流31〇。IpA與處理流 广31心且連同促進從晶圓的表面1〇8 一起清除處理流體入流 3ί4與任一其它流體的真空312而形成界面118 (即為已知的IPA <處理流體界面118)。在其巾—個實施射，IpA//處理流體界面 118係降域理越的表面張力。麵作巾，將處理流體施加於晶 利用出口綱抽真空而幾乎立即地一起清除晶圓表面之 的3。施加於晶圓表面且駐留在近接頭與晶圓表面之間的區 ^中達-段期間的處理係與晶圓表面之上的任—流體一起形成 =液面116，其中彎液面116的邊界為IpA/處理流體界面118。 曰，丄弓液面116為固定流量之施加於表面之流體與實質同時從 上清除的任—流體。即刻從晶圓表面清除處理流體係 、切ί餘之晶®表面之上的區_成龍液滴，故可降低處理 ϋ曰完成其操作之目的之後（例如侧、清洗、乾燥、電 ^S，18108造成污染的可能性。IPA之向下注入的壓力（由 化八之^量所引起）亦有助於容納彎液面116。 泣骑=所含之&載體氣翻流量係有助於造成轉移或推動處理 出近接頭與晶圓表面之_區域且流進流體可經由其中而 ;里产體304 (真空出口)。吾人應注意:雖然推動處 動並非處理的需求，但可用以最佳化f液面的邊界控 * * if IPA與處理流體吸到出口 304之中時，由於氣體 理法二流體一起被吸到出ϋ 304之中，故構成1PA/處 L 8的邊界並非連續的邊界。在其中—個實施例中， 抽真空而吸出處理流體、1ΡΑ、與晶圓表面之上的流 降在翻Γ"火口 3〇4之中的流體為不連續的。此種流量的不連續 真空作用於流體與氣體的組合而藉由虹吸管吸取流 體…赠的情況。因此，當近接頭⑽a移動時，f液面係隨著近 17 1292176 ΪΪΙ起移動，且先前由彎液面所佔據的區域將由於IPA/處理流 的移動而已經被乾燥。又，吾人應瞭解:可以依據設 302 Λ ^需的彎液面尺寸及形狀而使用任一適當數量的入口 詈传、、* 口2〇4與入口 306。在另一實施例中，液體流量與真空流 之中入八空出口的液體總量為連續的，故無氣體流入真空出口 流量要能夠維持彎液面116，則可以使用任一適當 處理缝、與真空。在其中—個實_中，通過 〇〇〇ml夕η處理流-體的流量在約每分鐘25ml至約每分鐘3， 流量為父佳實施例中’通過一組入口 306之處理流體的
大的流贿量。由於在其巾-健_帽大的近接頭 ，夕之入口 302與306及出口 304，故可產生此種效果。 其中一個實施例中，通過一組入口 302之沁/IPA =約fpf二巧(謂)至約⑽測之間C較 Ιψ ΙΡΑ的流置在約6至20SLPM之間。 —在其中一個實施例中，通過一組出口 304之直空的产詈 標準立方英尺（SCFH)至約1250SCFH之間。^一^ -:二一，通過一組出口 304之真空的流量為約350SCFH。在一例 施例中，可以使用流量計測量N2/IPA、處理流體、與真 勃"，’ it應理解：可以依據所使用之處理流體而利用彎液面 1種/=/0__作。例如’可以使用清洗流體， 似的方料，作為處理流體而產生晶圓清洗操作。以類 =晶圓處_液面亦可蝕刻及，或電鑛晶圓。在其中—個g L=以3餘刻流體，例如HF、EKC之專利溶液、職等等，飿 ‘曰因。在另-實施财’可讀行與魏輸人有_的電 1292176 ， 體，例如硫酸銅、氯化金、硫酸銀等等。 圖4B顯示根據本發明之一實施例的雙晶圓表面處理系統之中 所使用之例示性的近接頭l〇6a與iOGb之侧視圖。在本實施例中， 利用入口 302與306分別輸入沁/IPA與處理且連同利用出口 304 產生真空’故能夠產生彎液面H6。此外，在與入口 302相對的入 口 306的一側上，存在用以清除處理流體且保持彎液面116之完 一 整的出口 。如上述，在其中一個實施例中，入口 302與306 分別用於IPA入流310與處理流體入流314，而出口 304則用於抽 真空312。此外，在其它實施例中，近接頭1〇如與1〇61)可以是與 在此所述一致之任一適當的架構。可以藉由彎液面116的移動到 表面之中及移出表面之外而處理與彎液面116接觸之任一適當的 表面，例如晶圓108的晶圓表面1〇如與1〇8b。 ，、圖5A至圖7顯示本發明之各實施例，其中第一流體彎液面係 至>、局α卩地被至少一第二流體彎液面所包圍。吾人廄搜絚：所吝
，處理而實質不會有與大氣接觸的時間 。又，吾人應理解··可
第二彎液面。 =，、，㈣只他1夕丨，第一流體彎液面係接觸
且在另—㈣财，第―流體彎液面並不直接接觸 之一實施例的多重彎液面近接頭 一1，包括複數之主入口 306a，其能 接著’利用虹吸管或抽真空而經由 19 1292176 =之主出口 3G4a從晶圓表面清除第—流體。因此，藉由位在多 内的 表面的第-職面區域搬之 ^重弯液面近接頭勝i亦包括複數之主入口 3_，其能夠 =二流曰體^晶圓土表面―。接著，藉由抽真空而經由複數之主出 滿|夕=曰曰圓。表面々除第二流體。在其中一個實施例中，亦藉由 ιΐίί ΐ 口 3G4a清除部份的第二流體且同時清除第-流體。在 個貫關中，由於出口綱a清除經由主人σ施鱼懸 ϊΐ加故將複數之主出口 304a稱為單相流體清除 導B ^此種早相清除中，可以虹吸管及/或真空。 的流體施加到晶圓表面時，就能夠藉由虹 此%3越多的流體，故彎液面為自我調整的。因 個流體’虹吸管仍可依據流入流體彎液面(多 液Γ(多明與從晶圓表面（例如從晶圓表面之上的彎 個4液面））的單相流體清除有關的虹吸管吸取。
Mf 306b ^^«.4 管。因此，在故將複數之主出口 3隱稱為兩相清除導 者，Ξ出口 3G4、a =^施财，出口獅係清除㈣與氣體兩 106-1之卢理除液體。因此’藉由位在多重·彎液面近接頭 二流體彎i面紅流體'彎液面區域侧之内的導管產生第 施加ί:體近，^6—1包括複數之主入口 3〇2，其 面張力降低，日日ϊίί。在其中—個實施例中，第三流體為表 成的第‘之液;=邊由界施= 頭）:理之任-其它近接 面區域）可以是任—適當的表面輪廓，例ί平 1292176 • ^型。在其中-個實施例中 认 實質平坦絲面。 μ1的處理表面具有 之橫===^==1峨頭船 33：；： 304a包圍之區域的下方几一夕弓舌^面116a位在實質被複數之主出口 主入口 m施加 12體接
的複數之主出口 304a與另 在液;J其::J 一個實施例中，满壑夕七\ 0U4D /月除弟一流體。在其中 二流體彎液面116b之流體二施j三流體而降低構成第 有i 卑能夠更佳地圈圍第二流體彎液面_。、 遍根據本發明之一實施例的多重彎液面近接頭 盥本體ίδ8玉例中’近接頭1〇6—2係包括廠務設施板454 “盥第-&體：、二瞭解.只要能夠產生在此所述之第-流體彎液 面體輕面，則近接頭剛-2可以包括任-適當數量及 體在其中一個實施例中’將廠務設施板454與本 、或在另—實施射，糊雜劑接合廠務設 ϊϊγ可依據使用者所需的應用與操作而使用相同 的材枓或不同的材料製成薇務設施板454與本體458。 近接頭106-2包括處理表面458，其包括將流體（多種流體） 施加到晶圓的表面且從晶圓的表面清除流體（多種流體）的導管。 在其中-個^施例中，藉由升高之區域侃而使處理表面如 所示般地升高至上述之表面453。又，吾人應理解··並不一定要使 處理表面458升高且表面可以實質與面對著處理中之晶圓表 面的近接頭106-2之表面453為同一平面。 圖6Β顯示根據本發明之一實施例的近接頭1〇6_2之處理表面 458。在其中一個實施例中，處理表面458為產生流體彎液面之近 接頭106-2的區域。處理表面458包括任一適當數量與種類的導 21 1292176
管而能夠產生第-流體彎液©與第二流體f液面。在 ，中’處理表面458係包括流體入口 3〇6a、流體出口、U 體入口 306b、流體出口 304b、與流體入口 go〗。 流體入口 306a施加第-流體到晶圓的表面，且 施加第二流體到晶圓的表面。此外，藉由使用虹吸管 = 而使流體出口 3G4a從晶圓的表面清除第—流體與部第= 體、，且藉由抽真空*使越出口 _從晶圓的表面清除部份的^ 二流體，且流體人Π 3G2施加能崎低第二流體之表面張济 體:第-流體及/或第二流體可以是任—能夠促進光刻操作、姓 刻操作、電鍍操作、清洗操作、沖洗操作、與乾燥操作之中的任 一個之適當的流體。 圖6C顯示根據本發明之一實施例的多重彎液面近接頭1〇6一2 ’處理表面458的特寫圖。在其中一個實施例中，處理表面458 係包括第一流體彎液面區域402，其包括流體入口 3〇6a與流體出 口 304a。處理表面458亦包括第二流體彎液面區域4〇4，其包括 流體入口 306b與流體出口 304b與流體入口 302。因此，第一流體 彎液面區域402產生第一流體彎液面且第二流體彎液面區域4〇4 產生第二流體彎液面。 圖6D顯示根據本發明之一實施例的裝設到本體456之上的廠 務設施板454，俾能形成多重彎液面近接頭1〇6-2。與流體入口 306a、306b、及302對應的通道係將來自廠務設施板454的流體 供應到多重彎液面近接頭1〇6-2的本體456之中，且與流體出口 304a及304b對應的通道係從本體456將流體清除到廠務設施板 454。在其中一個實施例中，通道5〇6a、5〇4a、506b、5〇4b、與 502係對應於流體入口 3〇6a、流體出口 304a、流體入口 306b、流 體出口 304b、與流體入口 302。 圖6E顯示根據本發明之一實施例的近接頭106-2之橫剖面 圖。如圖6D所示，通道506a、506b、與502係分別將第一流體、 第二流體、與第三流體供應到流體入口 306a、306b、與302。此 22 1292176 生，，用虹吸管及/或真空而使通道5〇4a能夠從流體出口 3〇4a >月，第一流體與第二流體的組合，且通道5〇4b則從出口沏仂清 2二流體與第三流體的組合。在其中—個實施例中，第一流體 狗在晶圓表面之上執行任—適當之操作的第—處理流體，例 口，刻·、光刻、清洗、沖洗、與乾燥。第二流體為與第一流體相 5或不同的第二處理流體。如同第一流體，第二流體為任一適當 之種類的處理流體，例如能夠促進侧、光刻、清洗洗、应 乾燥之流體。 〃 神^7 f示f罐本發明之—實施例的正在進行麻性的晶圓處 呆=之夕㈣液面近接頭的橫剖面圖。雖然圖7顯示晶圓⑽ ί上表面正受到處理，但熟悉本項技藝之人士應瞭解··可以利用 +=述，任一種位在晶圓108的上表面之上的近接頭且利用在 η 種1在晶81 108的下表面之上的近接期時處理晶 入口寫的tt面、Τΐ面兩面。在其中一個實施例中，、經由流體 曰圓處理化學劑施加到晶圓108。在第一晶圓處 處理過晶圓表面之後，就經由流體出σ 從晶圓 晶圓處理化學劑。第—晶圓處理流體係形成位在多 ίίί fί頭趾2與晶圓雨之間的第一流體彎液面_。 =中^實施例中’經由流體人口 3咖將例如去離子水（則 專第一處理流體施加到晶圓表面。 如上述，第二處理流體為㈣在晶圓表面之上完 =任:適當之流體。在DIW已經處理過晶圓表面之Ϊ就經由 出口 04a與304b兩者從晶圓表面清除則。位在 接頭=^與晶圓表面之間的則係形成第二流體、彎液面近 流體，例如氮氣之中的異丙醇蒸氣，施加到晶圓^
第:流:彎液面116b之液體/氣體邊界的穩定。在土:實J ^ ^ nea «ra：;i6af
23 1292176 經被第一流體彎液面腕處理過 ϊ 表面之上開始操作。因此，在其中-個實施例中， 液面腿係形成圍繞著第—流㈣液面ii6a之同心
°人應理解：第—流體彎液面116a可岐任—適告的幾 何形狀’例如圓形、橢圓形、正方形 上的J 等:J以使第二流體彎液面形成㈣局; 以ίί 叉:如上述，吾人應理解:第- 圓處理操作而糊任-適當可以依據所需的晶 m丨於吾人應理解：為了產生穩定的流體、彎液面，經由主入口 之/的第一流體的量必須實質等於 到第1除之弟一流體的量。經由主入口3〇6b輸入 Γ 第二流體的量必須實㈣於經由主出口 近接頭、1G6 第二频的量。在其卜個實施例中，根據 Ϊίϋ 曰曰圓的距離伽決定流體的流量。又，吾 48(Τ2”只ΐί夠保持彎液面且使其穩定地移動的話，則距離 50料半鱼 1壬一^當的距離。在其中一個實施例中，距離480在 =:之間’且在另一實施例中，在〇· 5麵至2. 5麵之間。 ^ 480 IVlZ^ lmm # ^ ^fHl ° ， 盘實= 流體的流量可以是任一能夠產生第一流體彎液面 面的第二流贿液面之適當的流量。依據 不面與第二越彎液面之間麵的差別，流量係因而 3笛H個實施例中，主人口施施加約·c/分鐘之流 二巧^體、主入口 306b施加約9〇〇cc/分鐘之流量的第二流 304a以約12〇〇cc/分鐘的流量清除第一流體與第二流 / ^ 口 304b以約300cc/分鐘的流量清除第二流體與大氣 1在將表面張力降低流體施加到晶圓表面時，則其包括队之 、某些IPA蒸氣）。在其中一個實施例中，通過主出口 304之流
24 1292176 體的流量等於通過主入口 306a之流體的流量的兩倍。通過主入口 306b之流體的流量等於通過主入口施―上㈣沈/^的流 熟悉本項技藝之人士應瞭解··主入口 3〇6a、3〇6b^主出口 3〇乜、 =頭之二T異量關係係隨著處理區域之卿^ ^利用通至主出口 3〇4a的虹吸管，將能夠自動地產生最佳 的流量，藉以產生自我調整的彎液面，其中從彎液面流到主出口 304之流體的流量係依據流過主入口 3〇如與3〇%之 ==出口 _所清除的流體實質單相的話，上 吕就此夠持績刼作而自我調整流體彎液面的形狀與尺寸。 圖8顯示根據本發明之一實施例的虹吸管系 例中，可以_虹吸管控制經由主心（多魅心）=流g 除篁（例如内侧回流量）。在一實施例中，當利用虹吸管時，就不 =用真空’因此’麟使從紐彎液面流出之流體的流量免於受 真空槽之=的真空所產生之純淨乾燥空氣的變動之影響。這將產 生具有更高之穩定性的内侧回流量，而這將形成具有 性的總幫，面。此外’彎液面係變成自我調整且因此更為堅固二 在λ把例中，虹吸管糸統500係包括至少一虹吸管Mg耦 合於近接頭106。使-個或更多之虹吸管548輕合於近接頭1〇6 來自由近接頭⑽所產生之流體f液面（多個流 的，體。在一實施例中’使虹吸管548的另一端連接於收納槽 560 ’其中從近接頭1〇6所清除的流體係從虹吸管5仙輸出。 ^例中，收減雜在比近接頭1〇6之高度更低^置，而這 虹吸作用。在-實施例中，將虹吸管系統5⑼形能 夠使垂直距離580所對應之重力小於垂直距離淑所對應之重 ^可以藉由從近接頭106至收納槽560之錯垂距離的傳導而調 =大的虹吸流動。因此’可以在錯麵上_限流器55〇而達 芬Ϊί之虹吸流量。因此’固定限流器咖之限制量係能夠設定 及忽略虹吸流動。此外，改變限流器55〇之限制量係用以可調地 25 1292176 控，虹吸流量。在—實施例中，限流器55 例如能夠^说體流量之閥件。 ^之褒置 ，貝麵例中，可以藉由槽真空度誘發虹吸流動而充填乾營 接頭中、’藉由抽真空充填虹吸管548且藉由來自由近 ，真空就能謙吸管548之 揭會办、麻槽560。一旦開始流動之後，就可消除收納槽560之中的 曰，、二度且虹吸作用係促進流體流過虹吸管548。 直空ίί幫例限ίί 550為關斷閥，其能夠在不需有槽 厂=度的幫助下，就可以啟動及停止流動。若充填虹吸 :由i，、=開閥件就開始虹吸流動。若虹吸管548為 ^虹=/2例中’可以在系統之全單相液體管路之中運 在吼泡，虹吸流動仍可運作。 更存 吾人應理解··虹吸管系統5〇〇係可以一且 如液目，流體回流系統之適當的近接頭It? ，。在-實施例中，近接頭1〇6_3係具有 之^剖面及具有如圖11所詳細說明之縱剖面。、^ 俾詳細說明近接頭106_3之例示性的處理表面。0 θ ’ r顯示，本發明之—實施例的在操作時的 ΐΐϋ。在—貫施例中’近接頭勝3係包括通到中?部642 之中的主人口 _。只要能夠騎軸輸人财 夠經由開口（例如活性中空部的窗孔β ^ 月匕 表面的話，則中空部642可以= 晶圓 之内的任一適當之體積。在一實施；中=^接頭 之開口係實質被流體彎液面116所圍繞，而流 主入口 3G6施加流_晶圓表面且由主出口 與獅清= 26 1292176 生。中空部642係用於使活性劑通 士―中=拍孔624而輪送到晶圓表面。吾人應理解：活性 =ί:孔3可以依據所需處理之晶圓表面之區域的尺寸與 ，狀而為任-適當之尺寸及/或形狀。在—實施例中，活性中空 自出通到中空部642的開口。位在活性中空部 =62，由活性劑加以處理的晶圓表面為已知的活性 ㊁型二能Γ處理晶圓之適當液體、氣體、蒸氣、或其 曾二、鱼、，L(例如包珠）。在一實施例*’活性劑包括以下物 SC2 ίΪ fΛ' f ^，a〇 EDTA # # }^ ^ SCI ^ 庵7V由古糾谷別（例如ATMI抑一255與疆PT一15 (美國 丹二市里市之ATMI公司所製造)、EKC5800™ (美國加州 3 技術公司所製造）、HF等等）。經由主人口 _ ‘ ^ ^: 1 642 劑係藉由包圍著活性中空部的窗孔624之彎 乾燥進且乾ί出。=方式，可以使晶圓⑽為 中處i使f圓表面已經受到活性中空部的窗孔624之 L二ίίϊ;但受過晶圓處理之後的晶圓仍實質為乾燥。 性劑侷限於近接頭⑽-3之_中空部。 之中且藉:ίΖ ;^氧晶(= 其上的氧化氣體)通入中空部⑽ 面，而彎液面116 Ι,ί“活性中工部的窗孔624之中的晶圓表 與有機材料發生反=j曰液面。此例子中的臭氧係 剝除光阻操作時可以利用上述方式。 僅屬例示丨ί、Η Ι·η^1 僅在此所述之其它的導管圖案與近接頭構造 ® 1〇中所使用之導管（亦即出口盥入口）的圄索盥 近接頭構造亦屬例示性，且在此所述之近接頭係涵蓋 27 1292176 圍繞著基板表面之中供活性劑執行基板處理的區域之流體 芎/夜面而可加以利用之適當的近接頭構造。 圖11顯示根據本發明之一實施例的近接頭106-3之縱向圖。 σ上述圖10所示’近接頭⑽―3包括通到中空部642之中的主入 =二4?。在目η所不的實施例中，在近接頭1〇6一3的縱剖面之内 =出四個主入口 640。吾人應轉：依渺斤需的晶圓處理操作盘 ^入到中空部642之中的所需之活性劑的量，近接頭⑽一3 ^ 中係可具有任一適當數量的主入口 640，例如1、2、3、4、5、6、 ι、ϋ ig辦n縱向®之中的近接頭不僅包括用以產生 液面116的主入口 302、更包括主入口施及主出口施 ^ 304。在一實施例中，主入口 3〇6係施加處理流體（例如沖洗流 ^到晶圓表面。藉由主出口 3〇4a與難從晶圓表面清除處理 〜體。吾人應理解：近接頭106_3之中可以任意地具有主入口 3〇2 巧據近接頭106-3的架構，亦可不需使用主人σ 3Q2就能夠產 生穩定的流體彎液面。在—實施例巾，當使用主人口 3G2時，則 將表面張力降低流體施加到晶圓表面且施加到流體彎液面116的 外緣。因此，所產生的流體彎液面116係包圍著活性中空部的窗 孔 624。 圖12顯示根據本發明之一實施例的具有活性中空部的窗孔 馨624之近接頭1〇6-4的橫剖面圖。吾人應理解：圖12所示之橫剖 面圖為圖10所示之橫剖面圖的另一種實施例。在一實施例中了& 接頭106-4的橫剖面圖係包括能夠將活性劑輸入到中空部6犯之 ^的主入口 640。接著，活性劑處理由活性中空部的窗孔gw所界 定出來的基板表面之活性區。此外，近接頭1〇6—4之橫剖面圖亦 包括主入口 306與主出口 304a、304b、及304c。在一實施例中， =巧頭10j-4經由主入口 3〇6將流體施加到晶圓的表面而施加到 貝質圍繞著活性區的區域。主出口 3〇4a、3〇4b、及3〇4c從實質圍 繞^活性區^晶圓的表面清除流體。此種流體的施加與清除係產 生貫質包圍著活性區的流體彎液面。在本實施例中，可以施加活 28 1292176 處=圓表面的活性區且隨後藉由晶圓或近接頭之任-者 的移動’而利用流體彎液面116進一步處 ^者 钱刻等等）活性區之中的晶圓表面，處理（例如4、沖洗、 體。在-貫施例中，主出σ 3G4a不 二 :力I的t理所^之流體及/或材料、更清除^= dU4：a所加加的流體。本貫施例之主屮 ^ t · ,； ： ^
。本實施例之主出口 304c係利;; 侧區域清除流體而界定出流體彎液面 圖13顯示本發明之-實施例的包括多重中空部而具 t之近t頭106—5的橫剖面圖。近接頭106一5之橫剖面圖為i 不之^9、剖面圖的另—種貫施例。此外，吾人應理解：主入口 1 口 ’例如橫剖面圖之主入口 3〇6b與主出口綱c及綱d係可 ，伸到Z軸之巾。吾人應理解：可_驗—賴產生與在此所 述^方法一致的流體彎液面之適當的主入口與出口之鉛垂線。在 一貫施例中，近接頭106-5係包括多重中空部642a與642b。吾人 應理解··在此所述之近接頭係可依據所需的晶圓處理 1^2>3^4^5^6^ 7 8 9^7〇 個等等。吾人應理解：只要通到中空部的開口實質被流體彎液面 所包圍的話，則中空部642a與642b可以是任一適當之形狀且可 以位在任一適當之位置。 在一實施例中，近接頭106-5包括主入口 3〇4b，用以施加流 體到晶圓表面、及包括主出口 304c與304d，用以從晶圓表面清除 流體而產生流體彎液面116c。近接頭106-5亦包括主入口 306a 及主出口 304a與304b，且產生實質圍繞著由活性中空部的窗孔 624a所界定出之活性區的流體彎液面i16b。近接頭1〇6—5更包括 主入口 306c與主出口 304e及304f而產生實質包圍著活性中空部 29 1292176 v 的窗孔624之流體彎液面116b。在一實施例中，近接頭i〇6一5分 別從主入口 640a與640b施加活性劑到中空部642a與642b之中。 參見圖15B ’俾冑b更洋細說明近接頭106-5之例示性的處理表面。 圖14A至圖14E顯示例示性的近接頭構造。吾人應理解··在 所有實施例之中的活性中空部的窗孔係實質被導管所圍繞，而導 管則產生實質圍繞著活性中空部的窗孔之流體彎液面。 圖14A顯示根據本發明之一實施例的十字形近接頭i〇6—g。在 一實施例中，活性中空部的窗孔624呈十字形。在操作時，使近 接頭106-6形成為產生圍繞著活性中空部的窗孔624之流體彎液 面 116 〇 _ 圖14B顯示根據本發明之一實施例的圓形近接頭1〇6-7。在一 實施例中，活性中空部的窗孔624為圓形。在操作時，使近接頭 106-7形成為產生圍繞著活性中空部的窗孔624之流體彎液面 116〇 圖14C顯示根據本發明之一實施例的橢圓形近接頭1〇6_8。在 一實施例中，活性中空部的窗孔624為橢圓形。在操作時，使近 接頭106-8形成為產生圍繞著活性中空部的窗孔624之 面 116。 圖14D顯示根據本發明之一實施例的細長形近接頭1〇6_9。在 馨一實施例中，活性中空部的窗孔624為細長形。在操作時，使近 接頭106-9形成為產生圍繞著活性中空部的窗孔624之流體彎液 面 116 〇 圖14E顯示根據本發明之一實施例的楔形近接頭1〇6—1〇。 :實施例中，活性中空部的窗孔624為楔形。在操作時，使近接 頭106-10形成為產生圍繞著活性中空部的窗孔624之流體面 116〇 - 圖15A顯示根據本發明之一實施例的近接頭1〇6—3之 面700的例示性視圖。在-實施例中，處理表面7 10與圖U戶斤詳細說明之中空部642。處理表面亦包 1292176 繞著通到中空部642之開口的區域701，而則中空部642包括能夠 產生流體彎液面116之複數導管，例如如圖1〇與圖n所詳細說 明之主入口 306及主出口 304a與304b。在一實施例中，複數之導 管係圍繞著中空部642。 圖15B顯示根據本發明之一實施例的近接頭1〇6-5之處理表 面704的例示性視圖。在一實施例中，處理表面7〇4係包括如圖 13所詳細說明之中空部642a與642b。此外，近接頭1〇6—5亦包 括實質包圍著通到中空部之開口的區域702、706、與704。區域 702、706、與704係包括能夠產生流體彎液面116&、116(：、與1161〇 之複數導管。在一實施例中，複數之導管不僅包括如圖所詳細 說明之主出口 304a、304b、304c、304d、304e、與 304f、更包括 主入口 306a、306b、與 3〇6c。 ^雖然已藉由數種較佳實施例說明本發明，但吾人應理解：熟 悉本項技藝之人士能夠依據本發明之教示及圖式之内容而對太蘇 明進行適當之改變及變化。因此，只要在不脫離本發明 二 情況下，本發明之範圍係包括各種改變及變化樣態。 、 【圖式簡單說明】 圖1A顯示在SRD乾燥處理_之晶圓之上的清洗流體之 動。 杉 圖1B顯示例示性的晶圓乾燥處理。 圖2顯示根據本發明之一實施例的晶圓處理系统。 近接^。3顯示根據本發明之—實施例的正在進行晶圓處理操作之 處理顯示根據本發明之—實施例的藉由近接頭所進行之晶圓 圖4B顯示根據本發明之一實施例的雙晶圓表 所使用的例示性的近接頭之侧視圖。 处里糸統之中 圖5A顯示根據本發明之一實施例的多重彎液面近接頭。 31 1292176 圖 面圖 5B顯示根據本發明之一實施例的多重彎液面近接頭之橫刊 圖6A顯示根據本發明之一實施例的多重彎液面近接頭。 圖6B顯示根據本發明之一實施例的近接頭之處理表面。 圖6C顯示根據本發明之一實施例的多重彎液面近接 表面的特寫圖。 、处里 圖6D顯示根據本發明之一實施例的裝設於本體而一 重、言液面近接頭之廠務設施板。 圖犯顯示根據本發明之一實施例的近接頭之橫剖面圖。 圖7顯示根據本發明之一實施例的例示性之晶圓處理操作之 中的多重彎液面近接頭之橫剖面圖。 圖8顯示根據本發明之一實施例的吸取系統。 圖9顯示根據本發明之一實施例的具有活性中空部之近接頭。 圖10顯示根據本發明之一實施例的操作時的近接頭之橫剖面 圖Π顯，根據本發明之一實施例的近接頭之縱向圖。 ，圖12顯示根據本發明之一實施例的具有活性中空部的窗孔 近接頭的橫剖面圖。 赢古少m示本發明之一實施例的近接頭之橫剖面圖，其包括具 儀^有夕重言液面之多重中空部。 圖14A顯示根據本發明之一實施例的十字形近接頭。 圖14B顯示根據本發明之一實施例的圓形近接頭。 圖14C顯示根據本發明之一實施例的橢圓形近接頭。 圖14D顯示根據本發明之一實施例的細長形近接頭。 圖14E顯示根據本發明之一實施例的楔形近接頭。 圖15A顯示根據本發明之一實施例的近接頭之處理表面的例 示圖 S 15B〜員示根據本發明之一實施例的近接頭之處理表面的例 32 1292176 【主要元件符號說明】 10、108晶圓 12 液/氣界面 14 旋轉方向 15 半水性溶劑 16 方向性箭號 18 晶圓乾燒處理 10 0晶0處理糸統 102a、102b 滾筒 104、104a、104b 臂部 106、106a、106b、106-；l、106-2、106-3、106-4、106-5、 106-6、106-7、106-8、106-9、106-10 近接頭 108a、108b晶圓表面 116、116a、116b、116c 流體彎液面 118 IPA/處理流體界面 20、22晶圓局部 26 流體 302、306、306a、306b、306c 流體入口 304、304a、304b、304c、304d、304e、304f 流體出口 310 IPA入流 312真空 314處理流體入流 402、404 流體彎液面區域 452升高之區域 453表面 454廠務設施板 456近接頭本體 458、700、704處理表面
33 1292176 480距離 500 虹吸管系統 502、504a、504b、506a、506b 通道 548 虹吸管 550 限流器 560 收納槽 580、582 垂直距離 624、624a、624b 窗孔 640、640a、640b 主入口 642、642a、642b 中空部 701、702、706 區域
34

Claims (1)

1292176 十、申請專利範圍： 1· 一種基板的處理設備，包含· 作時近接於基板的一表面； -中空部，中空部用^^表面上而通卿成於近接頭之中的 面；及 用t由開口而將一活性劑輸送到基板的表 板表補表^㈣在_著開口的基 第1項之基板的處理設備’其中流艘弯液面用 ，其中複數之導管包 3·如申請專利範圍第丨項之基板的處理設備 括複數之入口與複數之出口。 4·如申請專利範圍第丨項之基板的處理設備，其中複數之導管包 括·一入口，用以將一流體施加到基板的表面；及一出口，用以 從基板的表面清除流體。 馨5·如申請專利範圍第4項之基板的處理設備，其中該流體為光刻 流體、餘刻流體、電鍍流體、清洗流體、或沖洗流體的其中之一。 6·如申請專利範圍第4項之基板的處理設備，其中該複數之導管 更包括一額外的入口，用以將一表面張力降低流體施加到基板的 表面。 7·如申請專利範圍第1項之基板的處理設備，其中該活性劑為氣 體、液體、或蒸氣的至少其中之一。 35 ⑧ 1292176 .口二之基板的處理設備，其中該複數之導管 利範圍第1項之基板的處理設備，其中該中空部包括 用以將活性氧體輸入到中空部知之中的至少一入口。 10· —種基板的處理方法，包含以下步驟· 區；^性_施加步驟’施加—活性_基板之表面的一活性 •產生的板的表面之上 u=r理第基=板r理方法，更包含_: 利用流體彎液面處理基板的表面。 $處===面圍Λ 項之基板的處理方法，其中該利用活性 I操獅、軸作、_作、電鍵 其糊用流趙 電鍍操作、乾燥操作、或光刻操作的其乍中^先操作、沖洗操作、 面申Jit利範圍f 11項之基板的處理方法，盆中該產生冷體 由一流體出口從基板的表面清除流體。爪體到基板的表面；及經 其中該流體為光 15.如申請專職_ 14項之基_處理方法， 36 1292176 ^。11·體、勤j/續、電鍍流體、清洗流體、或沖洗流體的其中之 H申义專利範_ 13項之基板的處理方法，其中該產生流體 1 由找，其愉性區係 頭之内的-中空部。#抓成该開口則通到形成於近接 19· 一種基板的處理方法，包含以下步驟： 第；面的產生步驟，在基板的-表面之上產生- 二流體 面與第二流細面係包括從第-崎心 ^ _•其巾該虹吸係包 少第-流體清除到高度低於近 21.如申請專利範圍第20項之基板的慮 第-流體充填於管子而開始虹吸作用。法、中猎由將至少 37 1292176 子係藉 項偷輯财法，其中該管 流體 24· -種基板的處理方法，包含以下步驟： 二加步驟’將一流體施加到基板的-表面之上； β*抓、工及步驟，從基板的表面虹吸至少該流體，且於岡1丨 將流體施加縣板的表面時即進行缝的清除； 、 其中該施加與清除形成一流體彎液面。”， 25.如申請專觀圍第24項之基板的處理枝，其中該 =由一好而從基板的表面將趙清除到高度低於近接頭的一 26·如申請專利範圍第24項之基板的處理方法， 單相流體。 其中s亥流體為一 肇27·如申請專利範圍第24項之基板的處理方法 充填於管子而開始虹吸作用。 其中藉由將液體 28·如申請專利範圍第25項之基板的處理方法 由真空而充填者。 ’其中該管子係藉 29·如申請專利範圍第24項之基板的處理方法 為自我調整。 / 其中流體彎液面 30· —種處理基板用的近接頭，包含： 38 1292176 • 至少一第一導管，形成於近接頭之内，該至少一第一導管用 以將一流體施加到基板的一表面；及 至少一第二導管，形成於近接頭之内，該至少一第二導管係 極近接於該至少一第一導管，而使該至少一第二導管用以從晶圓 的表面虹吸流體； 其中將流體施加到基板的表面及從基板的表面虹吸流體產生 、 一流體彎液面。 31·如申請專利範圍第3〇項之處理基板用的近接頭，更包含： 至少一第三導管，形成於近接頭之内，該至少一第三導管係 用以將一額外的流體施加到基板。 32·如申請專利範圍第3〇項之處理基板用的近接頭，其中額外的 流體為一表面張力降低流體。 33·如申請專利範圍第30項之處理基板用的近接頭，其中流體為 一單相流體。 申請專利範圍第30項之處理基板用的近接頭，其中將第二 ^官接合於一虹吸管。 申請專利範圍第30項之處理基板用的近接頭’其中虹吸管 '、匕 限流裔’用以調整流經虹吸管之流體流量。 十一、囷式： 39
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