TWI286127B

TWI286127B - Low-melting glass for covering substrate

Info

Publication number: TWI286127B
Application number: TW090100219A
Authority: TW
Inventors: Naoya Hayakawa; Kazuhiro Nishikawa
Original assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 2000-01-18
Filing date: 2001-01-04
Publication date: 2007-09-01
Also published as: US20010021444A1; US6475605B2; KR20010077987A; EP1122220B1; DE60128167T2; EP1122220A1; JP2002012445A; DE60128167D1; KR100430335B1

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明之範圍本發明關於一種用於覆蓋基材之透明的、電絕緣性的低熔融玻璃，尤其是用於覆蓋配置於電漿顯示板（P D P )基材上之透明電極圖案或匯流電極圖案。該玻璃用作 P D P基材之電子絕緣膜。目前爲止，已經有人將含鉛玻璃用作覆蓋基材之低熔融玻璃。鉛係一種用於製造低熔融點玻璃之重要成分。無論如何，由於彼對人體及環境有著負面的影響最近的趨勢在於避免使用鉛。再者，已知有人引入鹼金屬及/或鉍成分至玻璃原料以生產出低熔融玻璃。無論如何，鹼金屬傾向累積於玻璃表面上，因而降低了玻璃之電絕緣性。因此，在電子業界傾向避免這樣的低熔融玻璃含有鹼金屬。舉例來說，這樣的低熔融玻璃可能使顯示板（例如，P D P )之螢光材料退化而且可能使得該板之壽命變短。上述的鉍成分也可能對環境造成負面的影響因爲鉍係重金屬。日本專利公開公報 J P - B — 5 1 — 1 7 0 2 7揭示一種用於保護半導體裝置之玻璃。這種玻璃包含S i〇2 、B2〇3及Zn〇三種主要成分，但不含Ba〇。曰本專利公開公報J P — A— 5 9 — 1 3 1 5 40揭示一種用於製造絕緣膜之玻璃成分。這種玻璃成分包含總量0 . 05 — 3 . 0重量％之乙12〇、1^32〇及1<：2〇 0 曰本專利公開公報J P — A — 6 1 — 2 4 2 9 2 6掲示一種用於鍵結鐵氧體之玻璃，其包含S i 〇2、B a〇、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A7 B7___ 五、發明説明（2) 已2〇3、八12〇3及211〇。曰本專利公開公報J P — A - 2 - 9 7 4 3 5揭示一種用於高溫電熱調節器之玻璃密封劑。 JP- A -7-291656 及 j P—A - 9 — 2 6 8 0 2 6之中每一個都揭市一種含有 B i 2 0 3之絕緣玻璃成分。通常，有需要一個用於製造磷酸酸爲主之玻璃、氧化釩爲主之玻璃及氧化銻爲主之玻璃的皂化熔融技術。再者，這些玻璃之成分在熔融步驟期間傾向蒸發，因而使得這些玻璃變成不穩定並且會變色。發明總結因此本發明之目的在於提供一種可以輕易製成覆蓋薄膜其具有接近基材之熱膨脹係數、低軟化點、優異介電特性、優異的透明度及優異的電絕緣性之低熔融玻璃。根據本發明，提供了一種用於覆蓋基材之透明的、電絕緣性的低熔融玻璃。這種玻璃含有S i〇2、B 2〇3、 Ba〇及Zn〇之化學成分；在30 — 300 °C範圍內熱膨脹係數從6 5 X 1 0 一 7 / °C至9 5 X 1 0 一 7 / °C ;軟化點不高於6 0’0°C ;而且在室溫下1MHz頻率時介電常數不大於7 · 5。適當體系之詳細說明一種根據本發明之低熔融玻璃薄膜可以直接覆蓋基材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A7 ___— _B7___ 五、發明説明（3) (例如’顯示板）或覆蓋配置於基材上之元件。這種元件可能係一種以上之導電材料及一種以上之半導體圖案，例如（a)匯流電極圖案，舉例來說，用Cu及Ag之中一種以上製成，以及（b ) —種透明的電極圖案，舉例來說，用In2〇3、Sn〇2及摻入Sn之In2〇3 (I 丁〇 )製成。適宜的是玻璃中含有〇 · 1 - 1 〇重量％之該S i〇2 、2 0 — 3 5重量％之該b2〇3、2 5 — 5 5重量％之該 Z n〇及總共1 5 — 5 〇重量％之該b a0及R0其表示 Mg〇、Ca ◦及Si*0其中之一種以上。再者，適宜的是該B a〇對整個該b a 0及該RO之重量比係1 : 2或更大。根據本發明之適當體系，提供了一種用於覆蓋基材之透明的、電絕緣性的低熔融玻璃。這種玻璃含有S i 〇 2、 B2〇3、Ba〇及Zn〇之化學成分；在30 — 3〇〇t 範圍內熱膨脹係數從7 5 X 1 0 一 7 / °C至8 5 X 1 〇〜7 / °C ;軟化點不高於6 0 0 °C ;而且在室溫下1 Μ Η z _ _ 時介電常數不大於7。這些玻璃宜含有2 - 1 〇重量該Si〇2、20 — 35重量％之該B2〇3、34〜4 ^ 3 重量％之該Zn0及總共30 — 37重量％之該b a \J ο 再者，這種玻璃大體上不含Pb〇、B i2〇3及驗金屬& 化物。這種玻璃還可能包含少於1 5重量％之用於;^ ^ 、取代該 B a〇之成分。這種成分係Mg〇、C a ◦及s r υ其中之一種以上。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 6 - (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1286127 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（4) 該基材，其被低熔融玻璃所覆蓋者，可能係一種透明的玻璃基材，例如鈉-石灰-矽玻璃或相似的玻璃（高應變點玻璃）或鋁-石灰-矽硼玻璃。該基材在3 0 -3 0 0 °C範圍內可能具有熱膨脹係數從6 5 X 1 0 - 7 / °C 至9 5 X 1 0 _ 7 / °C。該低熔融玻璃可能具有接近於基材之熱膨脹係數。利用此，便可能防止薄膜自基材剝落及/ 或基材之捲曲。該基材可能具有從大約7 2 0至大約 8 4 0 °C之軟化點。相對之下，該低熔融玻璃具有低於 6 0 0 °C之軟化點。因此，當薄膜係烘烤時，便可能防止基材之軟化、變形及熱皺。通常，形成於顯示板上之絕緣薄膜（低熔融玻璃）必需具有較低的介電常數。尤其，P D P之低熔融玻璃必需具有較低的介電常數（例如，低於9 )以降低驅動P D P 時之電能損耗。根據本發明，在正常溫度（室溫）下1 Μ Η z頻率時，該低熔融玻璃之介電常數低於7 . 5，宜低於7。因此，低熔融玻璃理所當然地可以對P D Ρ之電能節約有所貢獻。如上所述的，該低熔融玻璃包含S i 0 2、Β 2 0 3、 B a ◦及Ζ η〇之化學成分以致於該玻璃可以調整而具有上述數値範圍之熱膨脹係數、軟化點及介電常數。該玻璃大體上宜不含Pb〇及B i2〇3中任一者。利用這點，低熔融玻璃對人體及環境之負面衝擊可以大大地降低。該玻璃大體上還宜不含鹼金屬氧化物。利用這點，低熔融玻璃之薄膜變會優於電絕緣性。再者，便可能防止鹼性物累積 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A7 _B7 五、發明説明（5) 在薄膜表面所造成之損壞。如上所述，可以直接利用低熔融玻璃之薄膜覆蓋基材，舉例來說，以防止鹼性物自含鹼性物之玻璃基材遷移或改變基材之光學特性。再者，可以在低熔融玻璃之薄膜上形成一種以上不同功能薄膜。可以製備一種用於降低太陽輻射及人工照明之炫光的悶光玻璃，藉著混合低熔融玻璃粉末與矽石細粉、礬土細粉及/或此類之物並且藉著在玻璃基材上形成獲得混合物之薄膜。低熔融玻璃化學成分之說明如下。S i〇2係一種玻璃組成成分。即使只有小量S i 0 2，只要與另一種玻璃組成成分B 2〇3共存，都可能製成安定的玻璃。玻璃中 S i〇2之含量宜爲0 . 1 - 10重量％。如果少於0 . 1 重量％，玻璃將變得不穩定。如果多於1 〇重量％，玻璃之軟化點將變得太高，造成成型性及可加工性變得困難。 P D P可以藉著形成一層絕緣覆蓋電極圖案接著用酸移除部份絕緣膜而暴露出電極圖案部份而製備。如果玻璃中 S i 0 2含量過量了，玻璃的耐酸性便會變得太高。因此，更佳者少於5重量％以平順地利用酸分解薄膜。更佳者多於2重量％使得玻璃更加穩定。任意以A 1 2 0 3取代半數或更少重量之S i〇2達玻璃之A 1 2〇3含量少於1重量 %之程度。玻璃之成分當中，B 2 0 3相似於S i 0 2係一種玻璃組成成分。B 2 0 3使得易於熔融玻璃’抑制玻璃熱膨脹係數之過量增加，提供玻璃隨著烘烤之適當流動性。再者，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

1286127 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（6) B2O3，與S i〇2 —起，負責降低玻璃之介電常數。玻璃中B2〇3之含量宜爲2 0 — 3 5重量％，更佳者2 2 — 3 0重量％。如果少於2 0重量％，玻璃可能會變得不穩定。因此，傾向發生造成不透明結晶。如果超過3 5重量 %，玻璃之軟化點將變得太高。 Ζ η 0具有降低玻璃軟化點之功能，其提供玻璃以適當之流動性並且調整玻璃使具有適當的熱膨脹係數。玻璃中Ζ η ◦之含量宜爲2 5 — 5 5重量％，更佳者3 4 — 5 4重量％。如果少於2 5重量％，這些功能可能會顯得不足。如果大於5 5重量％，則玻璃可能會變得不穩定。因此，傾向發生不透明的結晶。相似於Ζ η 0，B a ◦也具有降低玻璃軟化點之功能，其提供玻璃以適當之流動性並且調整玻璃使具有適當的熱膨脹係數。相似的二價金屬氧化物、M g〇、C a〇及 S r ◦，也同樣具有提供玻璃以適當之流動性並且調整玻璃使具有適當的熱膨脹係數之功能。該玻璃宜包含總量 15 — 50重量％之63〇及11〇其代表^1忌〇、〇3〇及S r〇其中之一種以上。如果少於1 5重量％，以上的功能可能會變得不足。如果大於5 0重量％，則熱膨脹係數可能會變得太高。B a〇對B a〇及R〇總量之重量比宜爲1 ·· 2或更大。如果該比率小於1 : 2，傾向發生不透明結晶，或軟化點可能會變得太高，或熱膨脹係數可能背離適當範圍。玻璃中B a 0之含量宜爲1 6 - 3 5重量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210乂297公釐） -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A7 _ B7 五、發明説明（7 ) 該玻璃可能包含P b〇、B i 2〇3及鹼金屬氧化物以爲不純物，只要這些不純物當中任一種之含量不高於 0 · 3重量％即可。利用此，上述對於人體、環境及絕緣性之負面影響便可以忽略。在直接覆蓋具有低熔融玻璃薄膜之基材之例子中，玻璃可能包含添加物F e2〇3、C r2〇3、Co〇及 C e〇2及此類之物以提供玻璃以指定的顏色、紫外線吸收能力、紅外線遮蔽能力及此類能力，只要這些添加物不會干擾玻璃擁有上述的熱膨脹係數、軟化點及介電常數。以上添加物之總量宜少於1重量％。在低熔融玻璃薄膜覆蓋透明電極圖案其係由一種氧化物製成（例如，I η 2 ◦ 3、S η 0 2及摻入S η之 1 η 2〇3 ( I Τ〇））並且置於顯示板（例如P D Ρ )之基材上之例子中，低熔融玻璃同樣宜包含0 · 5 — 5重量 %之此種氧化物只要該氧化物不會干擾玻璃擁有上述的熱膨脹係數、軟化點及介電常數。同樣地，在該薄膜覆蓋匯流電極圖案其係由金屬（例如，C u及Ag其中之一種以上）製成並且置於顯示板（例如，P D P )之基材上之例子中，該低熔融玻璃同樣宜包含0 . 1 - 1 · 5重量％之此種金屬之氧化物（Cu〇及Ag2〇其中之一種以上）。由於以上這些氧化物其中一種以上之遏制，變得可以有效地抑制（1 )低熔融玻璃受到透明電極圖案及/或匯流電極圖案的首次腐蝕以及（2 )透明電極圖案及/或匯流電極圖案受到低熔融玻璃之二次腐蝕。尤其，如果該低熔融本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-10- 1286127 A 7 B7 五、發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 玻璃含有〇 . 1 - 1 . 5重量％之C U〇，該低熔融玻璃將具有有利的濾波器功能使p D P的藍色更淸晰。事實上，PDP通常在藍色發光方面較弱。因此，適當含量 C u〇之揭制尤其適合。如果以上氧化物其中之一種以上太多的話，該低熔融玻璃可能會具有不良的熱學特性及不適合的顏色。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用於製造P D P前部基材之示範方法將說明如下。此前部基材係由淸澈的鹼石灰玻璃或另一種含有化學成分、熱學特性及此類性質與淸澈的鹼石灰類似之玻璃製成。透明的電極圖案，舉例來說，由I TO爲主或Sn〇2爲主的材料製成者係藉由濺射或化學蒸氣澱積（C V D )形成於前部基材之表面。再者，匯流電子圖案，舉例來說，由 C u爲主之材料係以一種方法藉由濺射或此類方法形成於前部基材上而與該透明電極圖案相接觸。然後，根據本發明由低熔融玻璃製成之透明絕緣薄膜係以一種方法形成於前部基材上以覆蓋前部基材、透明電極圖案及匯流電極圖案。事實上，該絕緣薄膜係藉著混合一種低熔融玻璃粉末，其經過調整而具有特定想要的粒徑，與糊狀油而製成，然後將得到的混合物藉由網印或此類方法施於前部基材上、透明電極圖案上及匯流電極圖案上，然後藉著在大約 6 0 0 t下烘烤得到的先驅薄膜成厚度大約3 0微米之絕緣膜。有人認爲這個大約3 0微米之厚度係足以達到長時間氣體放電之顯示能力及顯示安定性之厚度。再者，保護用的氧化鎂層係藉由濺射或此類方法而形成於絕緣膜上，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1286127 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9) 藉以完成P D P前部基材之製造。在某些例子中，有必要藉著用酸移除絕緣膜的部份使暴露出來並且使電極部份與外部導線連接。在這些例子中，絕緣膜宜含有適當的酸溶解度。實施例1 一 7及比較實施例1 - 4 在這些實施例中每一個當中，一種低熔融玻璃粉末之糊狀物係製備如下。首先，低熔融玻璃之原料係混合在一起。得到的混合物係置於白金坩堝中然後在1 ，0 0 〇 -1 ，1 0 0 °C之電爐中加熱1 一 2小時，藉以獲得表1 — 2中之玻璃組成物。事實上，微細的矽砂粉末、硼酸、氧化鋁、鋅白、碳酸鋇、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸緦、氧化鉍、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀及紅丹各別用作玻璃組成物中之原料。得到的玻璃組成物部份係注入鑄模中，然後得到的玻璃塊係用於彼之熱學特性（熱膨脹係數及軟化點）之測量。剩餘的得到玻璃組成物係藉由快速冷卻、雙滾筒、成型機製成薄片然後藉著粉碎機形成平均粒徑2 — 4微米而且極大粒徑小於1 5微米之玻璃粉末。獲得之玻璃粉末及接著劑（乙基纖維素）與香油腦及卡必醇醋酸丁酯組成之糊狀油混合成黏度大約3 0 0 ± 5 0泊之糊狀物，其係適於網印者。 I TO圖案薄膜係單獨地藉著濺射在厚度2 — 3毫米寬度1 5 0毫米之鹼石灰玻璃基材上製成。然後’以上得到的糊狀物係藉由網印利用# 2 5 0網目施於玻璃基材及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

-12- 1286127 Α7 Β7 五、發明説明（1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I T 0圖案薄膜以一種方法調整以下烘烤獲得厚度大約 3 0微米之絕緣膜。糊狀物得到之先驅薄膜係於6 0 0 °C 下烘烤4 0分鐘，藉以形成厚度大約3 0微米之絕緣膜。低熔融玻璃之玻璃塊係用於測量熱膨脹係數，如以下。首先，該玻璃塊係裁切並且硏磨成試驗樣品。這個試驗樣品係安置於熱膨脹係試驗器上。然後，試驗樣品之溫度以每分鐘5 °C速率增加以測量試驗樣品之伸長率。以此爲基礎，試驗樣品介於3 0 - 3 0 0 °C之範圍內之平均熱膨脹係數經測定以α X 1 0 ^ 7 / °C來表示。結果展示於表 1 — 2中。舉例來說，實施例1之結果係8 4 X 1 0 _ 7 / °C，如表1中所示。低熔融玻璃宜具有接近與該低熔融玻璃相接觸之基材的熱膨脹係數。因此，該低熔融玻璃之熱膨脹係數宜從6 5 X 1 0 一 7 / °C至9 5 X 1 0 一 7 / °C。該低熔融玻璃之玻璃塊係藉著加熱成預定大小之玻璃束而製成。這個玻璃束係置於Lyttelton黏度計上。然後，該玻璃束之溫度係提高，而彼之軟化點，也就是，經測量黏度係數（η )達1 0 7 · 6時之溫度。結果展示於表1 一 2 中。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製玻璃基材（厚度：3毫米；可見光穿透率：86%) 塗覆以I Τ ◦薄膜及絕緣膜之塗覆玻璃基材係利用分光光度計用於穿透率測量中測定可見光中之平均穿透率。結果展示於表1 - 2中。塗覆玻璃基材具有7 5%或更高之可見光穿透率。低熔融玻璃之玻璃體係硏磨成厚度1 . 0毫米及直徑本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -13- 1286127 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（11) 5 0毫米之圓盤。然後，電極係於圓盤之兩個主要表面上形成。然後，圓盤之介電常數係利用已知的防護環方法（代替現有的架橋法）在2 5 t時以1 Μ Η z的頻率測量。介電常數宜不大於7 . 5，更佳者不大於7。實施例4中低熔融玻璃之玻璃體係利用直流電，三末端法在2 5 0 °C下用5 Ο Ο V施加電壓用於體積電阻測量。結果展示於表1中。體積電阻宜從1 〇13至 1 〇 1 5 Ω c m 〇含有I T ◦膜及絕緣膜之塗覆玻璃基材係用於酸溶解度試驗。在這個試驗中，塗覆玻璃基材係浸於7 %的硝酸水溶液中移除絕緣膜。如果絕緣膜在5分鐘內完全移除則判定爲a A 〃。如果絕緣膜幾乎移除則判定爲> B 〃。如果絕緣膜未移除則判定爲> C 〃。結果展示於表1 - 2中〇絕緣膜自塗覆玻璃基材移除之後，I T 0薄膜之電阻用四探針法測量。這個I T 0薄膜電阻除以絕緣膜形成於彼上之前之I T 0薄膜電阻訂爲、、I T〇電阻增加率〃。結果展示於表1 - 2中。要注意如果絕緣膜形成於I τ〇薄膜上的話，由於I T 0薄膜及絕緣膜之相互腐蝕， I τ 0薄膜電阻會增加。I T 0電阻增加率宜小於2 5 0 % 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 1286127 A7 B7 五、發明説明（12)表1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 玻璃組成(％) Si02 3.4 3.5 3.5 3.1 3.3 2.9 1.8 B2O3 23.4 24.6 24.2 28.6 22.9 26.8 23.3 ZnO 36.5 38.3 42.5 34.3 40.2 53.7 28.2 BaO 34.4 27.0 17.8 34.0 33.6 16.6 46.7 MgO 2.3 CaO 6.6 SrO 12.0 熱膨脹係數⑻ 84 83 79 77 83 65 95 轉變點(°C) 503 494 508 507 498 軟化點(。C) 591 596 598 597 586 583 566 體積電阻(Ωαη) — 一 ~ 1.3 X 1014 — — — 介電常數 6.8 6.9 6.8 6.8 6.9 6.6 7.5 可見光穿透率(％) 77 76 76 76 77 77 80 酸溶解度 A A A A A A A ΙΤΟ電阻增加率(％) 220 210 210 210 230 200 180 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15- 1286127

B 五、發明説明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表2 比較實施例1 比較實施例2 比較實施例3 比較實施例4 玻璃組成(％) Si〇2 2.0 6.8 28.0 25.0 B203 18.0 35.2 3.0 10.0 A1203 0.9 ZnO 6.0 43.1 3.0 BaO 11.0 MgO CaO 3.0 SrO B12O3 60.0 U20 3.0 Na20 10.0 K20 1.0 PbO 66.0 65.0 熱膨脹係數⑻ 80 70 75 75 轉變點(°C) 504 軟化點(°c) 570 515 567 560 體積電阻(Ωστη) 11.7 7.0 9.0 8.5 可見光穿透率(％) 70 78 78 79 酸溶解度 A A C B ITO電阻增加率(％) 300 400 250 300 -------1#. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1286127 Α7 Β7 五、發明説明（實施例8 在這個實施例中，重覆實施例7除了丨.〇重量％的 62〇3係以1.0重量％之1]12〇3取代而〇.5重量％之B2〇3係以0 · 5重里％之CuO取代以外。換句話說，實施例8之玻璃組成中B 2 0 3之含量係2 1 . §重量％。進行相同的評估。熱膨脹係數係9 5 X 1 〇 - 7 /。(：。軟化點係5 6 8 °C。介電常數係7 · 2。可見光穿透率係 7 5 %。酸溶解度評定爲、A 〃。I T 0電阻增加率小於 1 5 0%。塗覆玻璃基材藉由C u〇包含物而得淺藍色。由於此，P D Ρ之藍色得以製成淸澈的。 2 0 0 0年一月1 8日申請的日本專利公開公報 2000 — 008473 ，2000年四月25日申請的 2000—123914及2000年十一月29曰申請的2 0 〇〇 — 3 6 0 5 3 9，其包括標準、申請專利範圍及總結，在此全部倂入本文中以爲參考。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- j紙張尺度適用中_家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims

六、申請專利範圍第901 002 1 9號專利申請案中文申請專利範圍修正本 | ................ 〜民國9蝉年月5 修正 1 · 一種用於覆蓋基材之透明的且營熔_ 坡璃，該玻璃包含： S i〇2、B2〇3、Ba〇及Zn〇之化學成分；在3 0 — 3 0 0 °C範圍內具有熱膨脹係數從6 5χ l〇-7/r 至 95xl〇-7/°C; 不高於6 0 Ό °C之軟化點]以及在1MHz頻率及室溫下介電常數不大於7 . 5，其中該玻璃包含2 0— 35重量％之1〇3及Ιό— 35重量 %之BaO，以及該玻璃不含V205。 2 ·如申請專利範圍第1項之玻璃，其中該玻ί离包含〇· 1 — 10重量％2Si〇2、25 — 55重量％之 211〇及只〇，該110表示“€〇、〇3〇及31'〇中至少一者，其中該玻璃中實質上不含Pb〇、B i 2〇3及鹼金屬氧化物。 3 ·如申請專利範圍第2項之玻璃，其中該B a〇對該Ba◦及該R〇全部之重量比係1:2或更大。 4 ·如申請專利範圍第2項之玻璃，其中該玻璃包含 2—5重量％之31〇2、22—30重量％之32〇3及 3 4 — 5 4重量％之忑n〇。 5 .如申請專利範圍第1項之玻璃，其預定用於直接覆蓋基材或覆蓋配置於基材上之元件，該元件包括導電材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍料及半導體圖案中至少一者。 6 ·如申請專利範圍第2項之玻璃，其預定用於覆蓋置於用於顯示板之基材上之元件，該元件包含透明電極圖案及匯流電極圖案中至少一者。 7 .如申請專利範圍第6項之玻璃，其中該元件包含由氧化物製成之該透明電極圖案，該玻璃還包含0·5-5重量％之該氧化物。 8 ·如申請專利範圍第7項之玻璃，其中該氧化物係選自I n2〇3、Sn〇2及摻入Sn之I n2〇3 ( I T〇 )中至少一者。 9 包含由 0 . •如申請專利範圍第6項之玻璃，其中，當該元件金屬製成之該匯流電極圖案時’該玻璃還包含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) dw. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1一1·5重量％之該金屬之氧化物。 1 0 .如申請專利範圍第9項之玻璃，其中該氧化物係選自C u〇及Ag2〇中至少一者。 1 1 ·如申請專利範圍第6項之玻璃，其中該元件包含由氧化物製成之該透明電極圖案以及由金屬製成之該匯流電極圖案，該玻璃還包含〇.5-5重量％之該氧化物及0 · 1 — 1 · 5重量％之該金屬之氧化物。 1 2 · —種用於覆蓋基材之透明的且電絕緣性的低熔融玻璃，該玻璃包含： S i〇2、b2〇3、Ba〇及Zn〇之化學成分；在3 0 - 3 0 0 °C範圍內具有熱膨脹係數從7 5χ 1〇~7/。(：至 85x10 一 7八；

木紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286127 A8 B8 C8 _ D8 々、申請專利範圍不高於6 0 0 °C之軟化點；以及在1MH z頻率及室溫下，介電常數不大於7，其中該玻璃包含20— 3〇重量％之ΙΑ，34 - 43重量 %之ΖϋΟ及3 0 — 3 7重量％之Ba0，以及該玻璃不含〇 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之玻璃，其中該玻璃包含2 - 1 0重量i〇2，其中該玻璃中實質上不含 Pb〇、B i2〇3及鹼金屬氧化物。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之玻璃，其中該玻璃還包含不大於1 5重量％取代該b a 0之成分，該成分係選自Mg〇、C a〇及S r〇中至少一者。 15·—種疊層物，其包含： (a )基材；以及 (b )覆蓋該基材之薄膜，該薄膜包含透明的、電絕緣性的低熔融玻璃，該玻璃則包含： (1) 8 1〇2、：62〇3、63〇及211〇之化學成分； (2 )在3 0-3 0 〇°C範圍內具有熱膨脹係數從 65xlO_7/°C 至 95xl〇_7/t；; (3 )不高於6 0 〇 °C之軟化點；以及 (4)在1MHz頻率及室溫下，介電常數不大於7.5 其中g亥玻璃包含2〇-35重量％之；B2〇3及16 — 35重量 %之BaO，以及該玻璃不含v205。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公董） J9------訂-----等 (請先閲囀背面之注意事項再填寫本頁〕 1286127 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之疊層物，其中該基材係一片透明的玻璃板，其具有（a )在3 0 - 3 0 0°C 範圍內從約6 5 X 1 0 一 7 / °C至約9 5 X 1 0 一 7 / °C之熱膨脹係數及（b )從約7 2 0至約8 4 0 °C之軟化點。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 •fur. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4-