KR100860277B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents
플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100860277B1 KR100860277B1 KR1020070033128A KR20070033128A KR100860277B1 KR 100860277 B1 KR100860277 B1 KR 100860277B1 KR 1020070033128 A KR1020070033128 A KR 1020070033128A KR 20070033128 A KR20070033128 A KR 20070033128A KR 100860277 B1 KR100860277 B1 KR 100860277B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric
- display panel
- plasma display
- parts
- weight
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/16—Compositions for glass with special properties for dielectric glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
본 발명은 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO)을 포함하며, 인산(P2O5)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물을 제공한다.
유전체, 플라즈마 디스플레이 패널
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 전면 패널 101 : 전면 기판
102 : 스캔 전극 103 : 서스테인 전극
110 : 후면 패널 112 : 격벽
113 : 어드레스 전극 114 : 형광체 층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)은 전면 기판과 후면 기판에 형성된 각각의 상부 유전체 및 하부 유전체와 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 격벽(Barrier Rip)이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 따라서, 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
상기 유전체는 플라즈마 방전시 방전전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고 벽 전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하시키는 역할을 한다. 상기 유전체층을 형성하는 방법으로는 유리분말 등의 분말 성분과 첨가제를 혼합 반죽하여 제작한 페이스트 형태의 유전체용 형성 재료를 스크린 인쇄법을 이용하여 형성하고 소성하는 방법을 사용할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 유전체는 전면 패널에 형성된 유전체층과 후면 패널에 형성된 유전체층이 있는데, 여기서 상기 유전체층은 투명한 특성을 가진 유전체용 조성물로 이루어진다. 전면 패널에 형성된 유전체층은 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체에서 방출하는 가시광선의 투과율이 좋아야 한다.
또한, 전면 패널에 형성된 유전체층은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동전압에 견디는 특성을 지녀야 하며 방전시 악영향을 미치지 않아야 한다. 이에 따라 유 전체층을 이루는 유전체용 조성물에 요구되는 전기적 특성 중 유전율은 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 전력 효율에 직접적으로 영향을 미치기 때문에 더욱 중요하다.
여기서, 상기 유전체의 전기적 특성 중 유전율은 낮을수록 플라즈마 디스플레이 패널의 전력효율이 향상되는 효과를 나타내는데, 상기 유전체 형성에 사용되는 물질인 비스무스(Bi)는 저 융점 특성을 나타내지만 유전율을 높이는 역할을 하는 물질로 알려져 있다. 이 때문에 유전체의 유전율이 높아지게 되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 효율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 상기 유전체 형성에 사용되는 유전체 물질로는 산화납(PbO)이 사용된 유리분말과 유기물의 혼합한 페이스트가 주로 사용되고 있다. 그러나, 산화납은 인체 및 환경에 유해한 물질로 알려져 있으며, 이 때문에 유리 분말 생산 및 사용에 있어 추가 환경설비를 필요로 하게 되어, 공정 효율이 떨어지며, 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다.
현재까지 많은 유리의 전자부품의 응용에 있어서, 다량의 산화납(PbO)이 함유된 유리조성이 오랫동안 사용되어 오고 있다. 납을 사용한 유리조성은 고 굴절율 특성과 저융점의 특성으로 인해 전자부품에 널리 사용되어 왔으나, 환경 문제를 야기하는 문제로 앞으로 시급한 해결로 대두 되고 있다.
따라서, 본 발명은 산화납을 포함하지 않는 유전체를 사용하여 친환경적이며 전력 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO)을 포함하며, 인산(P2O5)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판 상에 형성된 유전체를 포함하고, 상기 유전체는 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO)을 포함하며, 인산(P2O5)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)에 스캔 전 극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 패널(100)과, 배면을 이루는 후면 기판(111) 상에 전술한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차 되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 나란하게 위치한다.
상기 전면 패널(100)은 방전 공간, 즉 방전 셀(Cell)에서 방전과 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 위치한다. 보다 자세하게는 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(102a)과 불투명 금속재질로 제작된 버스 전극(102b)을 포함하는 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 상기 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 투명한 상부 유전체 층(104)에 의해 덮혀진다. 상기 상부 유전체 층(104)은 실질적으로 투명할 수 있다. 상기 상부 유전체 층(104) 상에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(105)이 위치한다.
상기 후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 웰 타입(Well Type) 또는 스트라이프 타입의 오픈형의 폐쇄형 격벽(112)을 포함한다. 또한, 데이터 펄스를 공급하기 위한 다수의 어드레스 전극(113)이 위치한다.
이러한, 격벽(112)에 의해 구획된 복수의 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114), 바람직하게는 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 위치한다.
그리고, 어드레스 전극(113)과 형광체 층(114) 사이에는 하부 유전체 층(115)이 위치한다.
여기서, 투명한 상부 유전체 층(104)과 하부 유전체 층(115)이 각 전면 기판(101)과 후면 기판(111) 상에 형성되는 것은 한정되지 않으며, 이와는 반대로 전면 기판(101)과 후면 기판(110) 상에 하부 유전체 층(115)과 상부 유전체 층(104)이 형성되는 것도 가능하다.
도 1에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로써, 본 발명이 도 1의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103), 어드레스 전극(113)이 형성된 것을 도시하고 있지만, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 또는 어드레스 전극(113) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)과 후면 기판(111)에서 상부 유전체층(104), 하부 유전체층(115)이 형성되고, 상기 유전체층은 산화납을 포함하지 않고 서로 다른 산화물인 다양한 물질을 사용하여 형성되는 것으로 그 외의 다른 사항은 변경 가능한 것이다. 따라서, 아래에 설명되는 산화물은 다양한 유전체용 물질을 말하는 것이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 보다 상세하게 설명한다.
플라즈마 디스플레이 패널의 유전체용 조성물은 글로우 방전을 유지하고 벽전하를 축적하기 위한 것으로서, 산화납(PbO) 및 비스무스(Bi)를 포함하지 않고 산화 규소(SiO2), 붕소 옥사이드(B2O3), 산화 아연(ZnO) 및 산화 바륨(BaO)을 주성분으로 하는 무연 유리 조성물이다.
상기 유전체용 조성물은 실질적으로 투명할 수 있으며, 산화 규소(SiO2), 붕소 옥사이드(B2O3), 산화 아연(ZnO) 및 산화 바륨(BaO)을 포함하며, 인산(P2O5)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 3 중량부 이상 10 중량부 이하의 산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 산화 규소(SiO2)는 유리 형성 성분으로서 유리를 화학적, 광학적으로 안정화시키는 역할을 하며, 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 크게 높이는 역할을 한다.
따라서, 상기 산화 규소(SiO2)의 함량이 전체 유전체용 조성물의 중량에 대하여 3 중량부 이상일 경우에는 유전체를 화학적 및 광학적으로 안정화시킬 수 있으며, 10 중량부 이하일 경우에는 유리전이온도(Tg)가 과도하게 상승되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 규소(SiO2)는 3 중량부 이상 10 중량부 이하로 포함될 수 있다.
또한, 상기 유전체용 조성물은 17 중량부 이상 35 중량부 이하의 붕소 옥사이드(B2O3)를 포함할 수 있다. 상기 붕소 옥사이드(B2O3)는 유전체용 조성물의 망목 구조를 형성하는 역할을 한다.
따라서, 상기 붕소 옥사이드(B2O3)의 함량이 전체 유전체용 조성물의 중량에 대하여 17 중량부 이상일 경우에는 조성물의 망목 구조를 충분히 형성할 수 있으며, 35 중량부 이하일 경우에는 조성물의 전이 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 붕소 옥사이드(B2O3)는 17 중량부 이상 35 중량부 이하로 포함될 수 있다.
또한, 상기 유전체용 조성물은 25 중량부 이상 48 중량부 이하의 산화 아연(ZnO)을 포함할 수 있다. 상기 산화 아연(ZnO)은 유전체의 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 감소시키는 역할을 한다.
따라서, 상기 산화 아연(ZnO)의 함량이 전체 유전체용 조성물의 중량에 대하여 25 중량부 이상일 경우에는 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 감소시키는데에 충분한 효과를 얻을 수 있으며, 48 중량부 이하일 경우에는 조성물로 인해 형성되는 유리의 결정화 발생 가능성을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 아연(ZnO)은 25 중량부 이상 48 중량부 이하로 포함될 수 있다.
또한, 상기 유전체용 조성물은 10 중량부 이상 20 중량부 이하의 산화 바륨(BaO)을 포함할 수 있다. 상기 산화 바륨(BaO)는 유전체용 조성물의 유전율 및 열팽창계수(CTE)를 조절하는 역할을 한다.
따라서, 상기 산화 바륨(BaO)의 함량이 전체 유전체용 조성물의 중량에 대하여 10 중량부 이상일 경우에는 유전율 및 열팽창계수가 안정된 조성물을 얻을 수 있으며, 20 중량부 이하일 경우에는 열팽창계수(CTE)가 증가하여 유전체의 형태안정성을 저하되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 바륨(BaO)은 10 중량부 이상 20 중량부 이하로 포함될 수 있다.
이상에서 상술한 산화 규소(SiO2), 붕소 옥사이드(B2O3), 산화 아연(ZnO) 및 산화 바륨(BaO)은 본 발명을 이루는 필수구성요소이다.
상기 유전체용 조성물은 인산(P2O5)을 더 포함할 수 있다. 상기 인산(P2O5)의 함량은 0 초과 10 중량부 이하일 수 있다. 상기 인산(P2O5)은 밝은색을 나타내는 유리형성제로서 유전체의 유리전이온도(Tg)를 약간 높이는 효과가 있으며, 유전율을 낮추고 겔화 빈도를 약간 낮추는 기능을 한다.
따라서, 상기 인산(P2O5)의 함량이 전체 유전체용 조성물의 중량에 대하여 0 중량부를 초과할 경우에는 유전율을 낮출 수 있으며, 10 중량부 이하일 경우에는 유리전이온도(Tg)가 너무 높아지는 것을 방지할 수 있는 이점이 있으므로, 상기 인산(P2O5)은 0 중량부 초과 10 중량부 이하로 포함될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유전체용 조성물은 산화 규소(SiO2), 붕소 옥사이드(B2O3), 산화 아연(ZnO) 및 산화 바륨(BaO)을 주요 구성요소로 포함하고, 인산(P2O5)을 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 상기 조성을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물의 제조방법을 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 일반적인 유리분말의 제조공정에 따라 제조될 수 있다. 즉, 유전체용 조성물의 제조방법은 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO), 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO) 및 0 초과 10 중량부 이하의 인산(P2O5)을 상기 함량으로 선택하여 혼합하고, 상기 혼합된 원료를 용융시킨다. 이때, 용융온도는 1000 내지 1500℃일 수 있으며, 용융시간은 10 내지 60분을 유지하여 상기 성분이 용융상태에서 고르게 혼합한다.
상기 용융된 혼합원료를 급냉한 후 분쇄한다. 이때, 상기 급냉과정은 건식 또는 습식으로 수행될 수 있으며, 습식 과정에서는 물을 사용할 수 있다. 상기 급냉과정 후의 분쇄과정도 건식 또는 습식으로 수행될 수 있는데, 상기 습식 분쇄과정에는 물 또는 유기용매가 사용될 수 있으며, 상기 유기용매의 바람직한 예로는 에탄올, 메탄올, 에틸아세테이트, 톨루엔 또는 이소프로필 알코올 등이 있다. 상기 물 또는 유기용매는 단독으로 사용될 수 있으며, 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 상기 유기용매의 종류에 따라서 유전체용 분말의 겔화 정도와 소성 후의 색상을 조절할 수도 있다.
상기 분쇄된 유전체용 분말을 여과, 건조 및 해쇄하여 입경이 작은 예를 들 어, 0.1 내지 10㎛인 분말상태 즉 파우더 상태로 제조한다.
이하, 상기와 같이 제조된 유전체용 분말을 사용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체의 제조방법을 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 기판(101)에 10 내지 15㎛의 높이로 유전체용 페이스트를 도포하여 유전체를 형성한다.
상기 유전체용 페이스트는 유전체용 분말, 바인더 및 유기용매를 혼합하여 형성할 수 있다. 상기 유전체용 분말은 전술한 바와 같이, 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO) 및 0 초과 10 중량부 이하의 인산(P2O5)을 포함하는 유전체용 물질을 혼합, 용융, 급냉, 여과, 건조 및 해쇄하여 사용할 수 있다.
상기 바인더는 유전체 제조에 사용되는 통상적인 바인더를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 또는 에틸셀룰로오스계 수지 중에서 선택된 어느 하나 이상의 고분자 수지를 사용할 수 있다.
상기 유기용매는 유전체 제조에 사용되는 통상적인 용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 부틸 셀로솔브(BC : butyl cellosolve), 부틸 카르비톨 아세테이트(BCA : butyl carbitol acetate), 테르피네올(TP : terpineol) 또는 텍사 놀(texanol) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 유기용매를 사용할 수 있다.
또한, 부가적으로 필러를 더 혼합할 수 있으며, 예를 들어 산화 크롬(CrO), 산화 망간(CuO), 산화 마그네슘(MgO), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 뮬라이트(3Al2O3SiO2) 등을 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체의 제조방법에 따른 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
산화 규소(SiO2) 10g, 붕소 옥사이드(B2O3) 17g, 산화 아연(ZnO) 48g, 산화 바륨(BaO) 20g, 인산(P2O5) 25.7g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 유전체용 분말을 형성하였다.
상기 제조된 유전체용 분말 94g와, 에틸셀룰로오스 3g, 부틸카비톨 아세테이트(BCA) 3g을 혼합하여 유전체용 페이스트를 제조하였다.
스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 기판에 상기 유전체용 페이스트를 10 내지 15㎛의 두께로 스크린 인쇄한 후 건조하였다.
상기 건조된 유전체용 페이스트를 500℃의 온도에서 소성하여 유전체층을 형 성하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화 규소(SiO2) 8.4g, 붕소 옥사이드(B2O3) 22.78g, 산화 아연(ZnO) 43.38g, 산화 바륨(BaO) 17.73g, 인산(P2O5) 7.73g의 조성만 달리하여 제조하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화 규소(SiO2) 5.9g, 붕소 옥사이드(B2O3) 22.78g, 산화 아연(ZnO) 45.88g, 산화 바륨(BaO) 17.73g, 인산(P2O5) 7.73g의 조성만 달리하여 제조하였다.
<실시예 4>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화 규소(SiO2) 5g, 붕소 옥사이드(B2O3) 17g, 산화 아연(ZnO) 48g, 산화 바륨(BaO) 20g, 인산(P2O5) 25.7g의 조성만 달리하여 제조하였다.
<실시예 5>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화 규소(SiO2) 3g, 붕소 옥사이드(B2O3) 35g, 산화 아연(ZnO) 32g, 산화 바륨(BaO) 20g, 인산(P2O5) 10g의 조성만 달리하여 제조하였다.
<실시예 6>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화 규소(SiO2) 3g, 붕소 옥사이드(B2O3) 28g, 산화 아연(ZnO) 48g, 산화 바륨(BaO) 20g의 조성만 달리하여 제조하였다.
<비교예>
산화납(PbO)을 포함하는 시판 모유리 재료를 사용하여, 상기 실시예 1과 동일한 조건하에 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 6에 따라 제조된 유전체와 비교예의 유전체의 유리전이온도(Tg), 유리연화온도(Ts), 투과율 및 유전율을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
| 유리전이온도(℃) | 유리연화온도(℃) | 투과율 | 유전율(C2/N㎡) | |
| 실시예 1 | 539 | 566 | 65 | 9 |
| 실시예 2 | 548 | 573 | 58 | 7 |
| 실시예 3 | 541 | 563 | 57 | 8 |
| 실시예 4 | 531 | 555 | 60 | 9 |
| 실시예 5 | 556 | 605 | 73 | 6 |
| 실시예 6 | 520 | 543 | 63 | 9 |
| 비교예 | 445 | 480 | 65 | 12 |
상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체는 520 내지 556℃의 유리전이온도(Tg), 543 내지 605℃의 유리연화온도(Ts), 57 내지 73%의 투과율 및 6 내지 9(C2/N㎡)의 유전율을 나타내는 것을 알 수 있다.
따라서, 산화납(PbO)을 포함하는 유전체인 비교예와 유사한 열적 특성 즉, 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 나타내며, 투과율도 유사한 것을 알 수 있다. 또한, 비스무스(Bi)를 포함하는 비교예의 유전율보다 낮은 유전율이 나타나는 것을 알 수 있다.
그러므로, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 환경에 유해한 산화납을 포함하지 않으므로 환경친화적이며, 산화납을 포함하는 유전체의 특성과 유사한 특성을 나타낼 수 있는 이점이 있다.
또한, 산화납(PbO) 및 비스무스(Bi)를 포함하는 유전체의 유전율보다 낮은 유전율 특성을 나타내므로 전력효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 환경에 유해한 납을 포함하지 않는 유전체를 형성함으로써, 환경친화적이며, 전력효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.
Claims (15)
- 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO)을 포함하며,인산(P2O5)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 인산(P2O5)은 0 초과 10 중량부 이하로 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물로 형성된 유전체는 543 내지 605℃의 유리연화온도(Ts)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물로 형성된 유전체는 520 내지 556℃의 유리전이온도(Tg)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물로 형성된 유전체는 7 내지 9의 유전율(C2/N㎡)을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물로 형성된 유전체는 57 내지 73%의 투과율을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물로 형성된 유전체는 투명한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.
- 전면 기판;상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판; 및상기 전면 기판 상에 형성된 유전체를 포함하고,상기 유전체는 3 내지 10 중량부의 산화 규소(SiO2), 17 내지 35 중량부의 붕소 옥사이드(B2O3), 25 내지 48 중량부의 산화 아연(ZnO) 및 10 내지 20 중량부의 산화 바륨(BaO)을 포함하며,인산(P2O5)을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 삭제
- 제 9항에 있어서,상기 인산(P2O5)은 0 초과 10 중량부 이하로 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 9항에 있어서,상기 유전체는 543 내지 605℃의 유리연화온도(Ts)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 9항에 있어서,상기 유전체는 520 내지 556℃의 유리전이온도(Tg)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 9항에 있어서,상기 유전체는 7 내지 9의 유전율(C2/N㎡)을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제 9항에 있어서,상기 유전체는 57 내지 73%의 투과율을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070033128A KR100860277B1 (ko) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
| PCT/KR2007/006329 WO2008123648A1 (en) | 2007-04-04 | 2007-12-06 | Dielectric composition and plasma display panel including the same |
| US12/532,980 US20100109523A1 (en) | 2007-04-04 | 2007-12-06 | Dielectric composition and plasma display panel including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070033128A KR100860277B1 (ko) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100860277B1 true KR100860277B1 (ko) | 2008-09-25 |
Family
ID=39831091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070033128A KR100860277B1 (ko) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100109523A1 (ko) |
| KR (1) | KR100860277B1 (ko) |
| WO (1) | WO2008123648A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100043506A (ko) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000256039A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレーパネル用誘電体材料 |
| KR20010077987A (ko) * | 2000-01-18 | 2001-08-20 | 오카자키 히로다로우, 나카무라 사다요시 | 기판 커버링용 전기절연성 투명 저융점 유리 및 이를포함하는 적층체 |
| KR20060105443A (ko) * | 2005-04-01 | 2006-10-11 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 유리 조성물 및 유리 페이스트 조성물 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4114121B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2008-07-09 | 日本電気硝子株式会社 | プラズマディスプレーパネル用材料及びガラス組成物 |
| SG88788A1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-05-21 | Milliken Asia Pte Ltd | Laundry bars comprising non-staining high molecular weight water soluble polymeric colorants |
| US20050242725A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-11-03 | Shinya Hasegawa | Glass composition and paste composition suitable for a plasma display panel, and plasma display panel |
| WO2006064733A1 (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法ならびに封着部材 |
-
2007
- 2007-04-04 KR KR1020070033128A patent/KR100860277B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-12-06 US US12/532,980 patent/US20100109523A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-06 WO PCT/KR2007/006329 patent/WO2008123648A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000256039A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プラズマディスプレーパネル用誘電体材料 |
| KR20010077987A (ko) * | 2000-01-18 | 2001-08-20 | 오카자키 히로다로우, 나카무라 사다요시 | 기판 커버링용 전기절연성 투명 저융점 유리 및 이를포함하는 적층체 |
| KR20060105443A (ko) * | 2005-04-01 | 2006-10-11 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 유리 조성물 및 유리 페이스트 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008123648A1 (en) | 2008-10-16 |
| US20100109523A1 (en) | 2010-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20060000515A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 무연 유리 조성물 | |
| US20070298956A1 (en) | Composition of glass for plasma display panel and fabrication method thereof | |
| KR100554248B1 (ko) | 유리 세라믹 조성물 및 후막 유리 페이스트 조성물 | |
| KR100860277B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100858660B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100787618B1 (ko) | 고휘도의 디스플레이용 유전체 유리 | |
| KR100524777B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법 | |
| KR101021085B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100931291B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100905482B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JP2001002446A (ja) | プラズマ表示装置用誘電体組成物 | |
| KR100905480B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100575630B1 (ko) | 플라즈마 표시장치의 격벽 성형용 조성물 및 조성물을 이용한 격벽재의 제조방법 | |
| KR20100062317A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| US20080050613A1 (en) | Dieletric composition for plasma display panel and plasma display panel | |
| KR100860878B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 저융점 유리 조성물 | |
| KR101084570B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR100827012B1 (ko) | 플라즈마 디스플래이 패널용 투명유전체 조성물 | |
| KR20090100598A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR20100005432A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 | |
| KR20080080769A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널과 그 제조방법 | |
| KR20100063209A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 그린시트 | |
| KR20100063210A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 수정용 조성물 | |
| US20070037689A1 (en) | Dieletric composition for plasma display panel and plasma display panel | |
| KR20100063208A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 페이스트 조성물 및 이를포함하는 그린시트 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120827 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140822 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |