TWI283897B - Silica film forming material, silica film and method of manufacturing the same, multilayer wiring structure and method of manufacturing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents

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TWI283897B
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Description

1283897 ’九、發明說明： 、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於適用於半暮触 造之氧化石夕系薄膜形成材料二積體電路的多層配線構 成材料及其製造方法，多層：使用該氧化矽系薄膜形 包含作為層間絕緣膜或料 2及其製造方法’以及 置及其製造方法。 、虱化矽系薄膜的半導體襞 本申請案請求2005年7 η。 •申請案·5-20_的優先權之利：申：的：前曰本專利 併入以供參考。 識本文中已將其全文 【先前技術】 隨著近幾年半導體積體 元件密度的改良，對於較高=積的提-及
更窄，由於配線間的==:，的間隔變得 此，該配線延遲_表示 =引 電阻（R)與配線間的電容（Q 、，又到配線 财紿Ba ^^(C)所影響。再者，介電常數（ε)盥 轉間的電容（C)之間的關係利用下列方程式予以表示/c ° ' d a中刀別地’ S為電極區，ε〇為電氣常數，Sr ^絕緣膜的介電常數為配線之_間隔。該配_ 的電谷(C)可猎著使該配線厚度變得更薄以降低該電極區 而降低’但，使該配線厚度變得更薄將引起配線阻抗⑺ 勺進乂提回接著阻礙較高速度的達成。因而，降低該 、、’邑緣膜的介電常數變成使該配線延遲⑺降至最低並且達 317589 5 1283897 到較高速度的有效方法。 、 隨著近幾年半導體積體電路的集積度方面的提高及 元件密度的改良’在具有多層配線構造的半導體裝置中金 屬配線之間的間隔傾向變窄。因而，該金屬配線的阻抗由 於靜電感應而提高’導致影響到反應速度可能延遲及電力 肩耗的提南。因此’重要的是要使該半導體基材與該金屬 配線層之間或該金屬配線層之間所提供的層間絕緣膜之相 對介電常數儘可能小。 籲絕緣膜的傳統材料之實例，係為例如二氧化石夕 (Si〇2)、氮化矽（SiN)及磷矽酸玻璃（pSG)之無機材料，或例 如聚亞胺之有機聚合物材料。然而，經常用於半導體裝 置的CVD_ Si〇2薄膜的介電常數係大約在4之高值。再 者，視為用於低介電常數CVD薄膜之Si〇F薄膜，具有約 3·3至3·5的介電常數’但是其具有高吸溼氣性的問題，而 ^致’I電¥數時間增加。另外，頃已提出具有低介電常 ⑩數的夕孔性氧化矽系薄膜（參見日本專利公開公報 編號2004-153147)。此多孔性薄冑的製造方法能夠進一步 降低介電常數，因為該方法含有加熱可降解的成分，於加 熱以降解形成孔隙之製程。 。“、、:而，在矽氧烷樹脂旳多孔性薄膜之例子中，蝕刻製 程由於此多孔性薄臈的性質而有困難，因此為了保護該= 膜而需要介電常數約為4·5之電漿CVD薄膜例如SiCH的 =門，表示該多孔性薄膜的低介電常數性質無法有效運 。碭。再者，在形成〇.丨微米或更小的微細配線時， 317589 6 !283897 / 絕緣膜硬質遮罩或三層阻劑等，其表示由於在乾式 ，/ 4膜不可能有高度姓刻選擇 而產生配線短路或穿過絕緣膜漏電的問題。 本發明的目的在於克服前述相關技藝的 到下列的目標。事f上，太旅ηη ^ 上且運 異的黏著性並且具有低介電常數之二:耐:有: =:::氣性―薄膜;有效地形成上 =關方法；適用形成氧化㈣薄膜之氧切系薄料 成降低寄生配線間電容之多層配線構造；有效地 i成该夕層配線構造之方法；具有高度可靠性及 半導體裝置，該半導體穿罟 。、又 之氧化矽系薄膜·以及ί 層間絕緣膜或保護膜 【發明内容】、 冑效地製造該半導體裝置的方法。. 鍵、二心作鍵為Λ結中構7分之CHx、si-〇-si X鍵其中X表示0至2的整數。 的梅物中聚者合:係藉由下列通式⑴至咖 合物中之至少通式⑷至⑺所示的石夕化 者進仃水解縮合聚合反應而製得·· 317589 7 1283897 R1(0)n_ji-RL〒i-(〇)nR1 HR1 (°)n«1 通式 ⑴ (?)〆（?)〆 R3—Si—R—Si-R3 ώπ^1 (〇)nR1 通式 ⑵ R3 R3 Rl(0)「和-RHi_(〇)nRl R3 R3 通式 ⑶ Hr1 (〇)nRl 通式 ⑷ R3 rH_ 如-(〇)〆 (心1 通式 ⑸ R3 rU-H0)〆 R3 通式 ⑹ R3 r1H-和-R3 R3 通式 ⑺ 其中，在通式（1)至（7)中， η表示0或1 ; R1可彼此相同或 不同，在n=0時R1表示選自氯原子、溴原子、氟原子及氫 8 317589 1283897 · -·==群組中之一者，在…表示選自碳數為 中芳香族煙基、氮原子及_且成之群組 —者，R S示選自碳數為1至4之烴基、芳香族炉Α 及氣原子所組成之群組中 工土 同，#日I # R可彼此相同或不 、’、不k自碳數為丨至3之烴基及芳 成之群組中之—者。 万《鉍垤基所組 在4氧化;5夕系薄膜形成材料中’由通一 的矽氧化合物各自呈女i I )至（3)所不 耐溼氣性，《^由以1、㈣㈣性、魏學藥品性及 優異的黏著性。因此式：(7)所示的梦氧化合物各自具有 應製得的矽氧Ψ人物 ^些石夕化合物的水解縮合聚合反 5 具有耐蝕刻性、耐化學荦口μ 座軋性及黏著性之 予柰叩性、耐 用於氧化石夕系薄膜及夕“的性質’使得該石夕氧聚合物適 不同的半導二;:::=的形成，其中對於各種 用於本發明的氧化矽费芸广二 者，该矽聚合物特別適 本發明的半導體裝 義’專膜、本發明的多層配線構造及 、夏之形成。 根據本發明的氧化 欲加工的表面上塗:糸厚膜之製造方法，係包含：在 工的表面’其中該 （系薄臈形成材料；及加熱欲加 物，該錢聚合物包 卿成材料包切氧聚合 鍵、Si-CH3鍵及Si^為其結構-部分之CHX、Si_〇_Si 該氧化石夕系薄膜的製造方、、’其中x表示〇至2的整數。在 化矽系薄臈形成材料’在欲加工的表面上塗佈氧 的有效形成。該氧化石夕加熱，導致該氧化石夕覆蓋薄膜 〜專膜的製造方法特別適用於本發 317589 9 明的氧化矽系薄
Lp , , _ 、之形成。 根據本發明的氧 ^ 上塗佈氧切系薄系薄卿藉由在欲加工的表面 成，其中該氧化石夕系材料，及加熱欲加工的表面而介 氧聚合物包含作為其結2成材料包含石夕氧聚合物，該吩 鍵及Si-CHX鍵，其中〔=部分之CHx、Si-〇-Si鍵、Si-CH3 系薄膜係利用本發 ：G至2的整數。因為該氧化石夕 具有優異的耐餘刻性、耐化形成材料所形成，而 該連同下方的層之n ^二糸扣性及耐溼氣性。再者， 這個原因，該氧化 ^、薄膜具有優異的黏著性。因為 罩，以簡化二在乾式㈣期間可作為硬質遮 性薄膜即使僅有小：接 再者’當下方層與例如多孔 防止與該下方層分離。、:=仍=異之黏著性，所以可 電容得以降低，且該替二為低介電常數，該寄生 褒°孔號牙透連度得到改良，使得該氧化 古、隹、特別適用於例如需要較高反應速度之ic及W 之同木積的半導體積體電路。 己知由於該絕緣膜的寄生電容造成該訊號穿透速度 的低落’但是在半導體裝置的配線之間的間隔為1微米或 =士的情況下，整個裝置產生的配線延遲效應小。近幾年 隧著该多層配線構造的較高集積度及導入，該等配線之間 的配線寬度與間隔變得越來越窄，產生提昇配線阻抗及增 加寄生的配線間電容的問題，特別是當配線的間隔小於j 微米時。因為該半導體積體電路的多層配線構造中之訊號 牙透速度’由配線阻抗及寄生的配線間電容決定，而這些 10 317589 1283897^ 係為控制裝置（例如半導體積體電路）性能的主因，所以配 線阻抗的提昇及寄生的配線間電容之增加為欲克服的主要 問題’並且為訊號穿透速度低落的成因。為了改良該訊號 穿透速度’最基本的是降低配線阻抗及降低寄生的配線間 電谷（絕緣膜的介電常數）。該寄生的配線間電容可藉著將 該配線製得更細使截面積更小而降低，但是將該配線製得 更細，造成配線阻抗的提高。換句話說，降低寄生.的配線 間f谷及降低配線阻抗呈反向的關係，使得難於改良該訊 ，牙透速度。然而，有助於改良反應速度且具有低介電常 2之根據本發明的氧化矽系薄膜，能降低寄生的配線間電 谷及降低配線阻抗，使得可改良該訊號穿透速度。 該氧化矽系薄膜係藉由下列步驟 上塗佈氣化石々会兹—^ 佈氧化矽系薄臈形成材料； 隊而形成：在欲加工的表面 ;及力口執欲六!7 丁 66主品.廿
於據本卷明之多層配線構造包含氧化矽系薄膜，其中 ^万法包含：藉著在 成材料，並且藉著加 ;及形成配線結構， 317589 1283897' •其尹該氧化矽系薄 、合物包含作為其纟士#^材料包含矽氧聚合物，該矽氧聚 鍵及 Si-CHX鍵，部分之 CHx、Si-〇_Si 鍵、Si-CH; 構造之製造方法φ i〗不〇 2的整數。在該多層配線 面上塗佈氧化梦系薄系薄膜係f著在欲加工的表 表面以形成氧化矽’並且藉著加熱欲加工的 用形成氧化石夕季“ 接著形成配線結構。利 有效地線㈣㈣狀重複執行， 有效地$成本發明的多層配線構造。該多層 造⑽本發明的多層配線構造之形成。"衣 灿係作:層：導:=氧化❹薄膜，該氧化 步驟而形成.在欲加工的表面上塗佈氧化石夕系 j 料’及加熱欲加工的表面，μ其中該氧切系薄膜
_包含石夕氧聚合物，該石夕氧聚合物包含作為其結構一、 分之 CHX、Sl-〇-Si 鍵、Si_CH3 鍵及队CH 示0至2的整數。因為該半導體裝置包含癸^ X、 系薄膜，可同時達到寄生的配線間電容 2 、4化矽 电谷之降低及配線阻抗 之使其特別地適用於需要高速度及高可靠度的 記憶體，例如DRAM、FRAM及MOS電晶體等 /根據本發明的半導體裝置之製造方法包含：使用氧化 石夕糸涛膜形成材料’在欲加工的表面上形成氧化石夕 膜；及使用作為遮罩的氧化矽系薄膜，藉由 艰订蚀刻而使 ^欠加X的表面圖案化’其中該氧_系薄膜形成材料包 317589 12 1283897 ，含矽氧聚合物，該矽氧聚合物包含作為其結構一部分之 、CHX、Si-0-Si 鍵、Si-CH3 鍵及 Si-CHX 鍵，其中 χ 表示 〇 至2的整數。在該半導體裝置製造方法中，首先，該氧化 矽系薄膜係藉著在欲加工的表面上塗佈該氧化矽系薄膜形 成材料而形成，目的在於形成多層配線構造。接下來，利 用所形成的氧化矽系薄膜作為遮罩，藉由蝕 工的表面圖案化。結果，可同時達到寄生的配線間電= 降低及配線阻抗之降低，並且有效地製造具有較高訊號穿 透速度的高性能半導體。該半導體裝置的製造方法特別地 適用於本發明的半導體裝置之製造方法。 傳、先上體裝置係已藉由形成低介電常數絕緣膜 (層間絕緣膜），經由電喂C VD招rl·、/21 # " 抑成録層，及形成姓刻阻 擋層而…然而，此製造方法需要經由往復於真空室盥 =化爐之間而進行層間絕緣膜的形成，引發 問 不過’在本發明时導體裝置之製造方法中
薄膜，使得可降低絕緣膜疊層成本，： =::Γ數而降低寄生的配線間電容，導致訊號 達成。再者，因為有優異的耐蝴生， ㈣可在乾式㈣期間作為硬質遮罩，使 :具有有效精細圖案形成之半導體裝置能更有效率地ii 【實施方式】 (氧化矽系薄膜形成材料） 薄膜形成材料含有至少一石夕 根據本發明的氧化矽系 317589 13 1283897 •氧聚合物’該石夕氧聚合物具有作為其結構一部分之沉、 -干益的^ Sl<：H3鍵及Sl_CHx鍵，及有機溶劑與其他視 需要的成分。 -矽氧聚合物- 該石夕氧聚合物必須含有作為其結構—部分之ch、 Sl-0-Sl鍵、Si_CH3鍵及队叫鍵。在此，χ表示。至2 的整數。在此例子中，製得具有優異咖刻性、财化學藥 ，品性、耐喊性及黏著性的氧化石夕系薄膜形成材料。 供證明财氧聚合物中存在CHx、Si；鍵、h ==渥鍵的方法並沒有特別的限定，而且可根據目的 并士m *、了透利以測量吸收峰的紅外線 先&刀析儀的使用而確認所含的全部結構。 該矽氧聚合物並沒有特別的限定 當地選擇。較佳地，氧聚合物係藉由至二艮= 的石夕化合物之水解縮合聚合反應而製得。（）至⑺所不 二合物具有例如_生、耐化學 u及❼魏等性質。再者，m(似⑺所示的 共該梦氧聚合物例如機械強度及與下方層的 317589 14 1283897
Hr1 (〇)hr1 R1 (〇) - Si-R— Si—(O^R1 通式 ⑴ (0)nR，(〇)nR1 (?)nR1 (?)〆 Θ—Si—R~Si一R3 通式 ⑵ (〇)nR1 R3 R3
R\〇)-Si-R—Si—(〇)nR1 通式 ⑶
通式 ⑷
rH-}-(〇)〆(°)nR， 通式 ⑼ r1(<M 卜(〇〉〆 R3 R'C^i-R3 R3 通式 ⑹ 通式 （7) 在此，其中，在通式（1)至（7)中，η表示0或1 ; R1可 彼此相同或不同，在n=0時R1表示選自氯原子、溴原子、 15 317589 1283897 2原子及氫原子所組成之群組中之一者，在n== 1時R!表示 f自蛱數為1至4的烴基、芳香族烴基、氫原子及羧基所 二成之群、、且中之一者；R2表示選自碳數為}至*之烴基、 芳曰知煙基及氫原子所組成之群組中之，者；而R3可彼此 相同或不同’並且表示選自碳數為1至3之烴基及芳香族 烴基所組成之群組中之一者。 欲用於水解縮合聚合反應的矽化合物之組合會隨著
通式（1)至（7)當中的η值而變，但是下列的具體組合可隨著 η為1或0的情況而提供。 當通式（1)至（7)中的η為1時，玎適當地使用下列結 構式（1)至（3)所示的梦化合物中之至少一者與下列結構式 (4)至（7)所示的石夕化合物中之至少一者之組合。
OR OR R 0— Si— R—Si — 〇 R
OR
OR
OR OR R— Si—R—Si— R3 I 1 I 1 OR OR 結構式⑴ 結構式（2)
R R 0— Si—R—Si—0 R1 結構式⑶
R
R 16 317589 1283897 ο 丨R 1 1R ο —ts— ο I ο 式構 結 ⑷ ο :lsi丨 ο ο 式構 結 ⑸ r1〇 〜S卜 OR1 結構式⑹
R
RO •R3 結構式⑺
R :此’在、•。構式⑴至⑺中’Ri可彼 並且表不-選自具有…的碳數之烴、芳香族：不; 子及縣所組成料㈣。r2表卜選自具有 數之煙、芳錢烴及氫原子所組成的群組者。R3可彼卜 同或不同’並且表示-選自具有…的碳數之烴及芳 族烴所組成的群組者。 由結構式（1)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並 可根據目的適當地選擇。其具體實例包括··雙（三甲氧基 烷基）曱烷、雙（三乙氧基矽烷基）曱烷、12-雙（三乙氧基 烷基）乙烷、1，3-雙（三乙氧基矽烷基）丙烷、匕各雙（三乙 基矽烷基）丁烷、1，4_雙（三乙氧基矽烷基）苯、雙（三丙氧 317589 17 1283897 ，矽烷基）曱烷、1，2-雙（三丙氧基矽烷基）乙烷、ι，3-雙（三丙 •氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（三丙氧基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（三 丙氧基矽烷基）苯、雙（三異丙氧基矽烷基）曱烷、1，2_雙（三 異丙氧基石夕烧基）乙烷、1,3-雙（三異丙氧基石夕烧基）丙烧、 1,4-雙（三異丙氧基矽烷基）丁烷、；!，4_雙（三異丙氧基矽烷基） 苯、雙（三丁氧基矽烷基）甲烷、雙（三第三丁氧基矽烷基） 曱烷、1，2-雙（三第三丁氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（三第三丁 氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（三第三丁氧基矽烷基）丁烷、14-雙（二第三丁氧基石夕烷基）苯、雙（三乙醯氧基石夕烧基）甲烧、 1，2-雙（三乙醯氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（三乙醯氧基矽烷基） 丙烧、1,4-雙（三乙醯氧基矽烷基）丁烷、，扣雙（三乙醯氧基 矽烷基）苯、雙（三苯氧基矽烷基）甲烷、L2·雙（三苯氧基矽 烷基）乙烷、1，3-雙（三苯氧基矽烷基）丙烷、〗，各雙（三苯氧 基矽烷基）丁烷、1,4-雙（三苯氧基矽烷基）苯。 這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（2)所示的;ε夕化合物並沒有特別的限定，並且 可根據目的適當地選擇。其具體實例包括··雙（二甲氧基甲 基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二甲氧基甲基矽烷基）乙烷、丨，^ 雙（二甲氧基甲基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二甲氧基甲基矽烷 基）丁烧、1，4-雙（二曱氧基甲基石夕烧基）苯、雙（二乙氧基甲 基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙氧基甲基矽烷基）乙烷、L3-雙（二乙氧基甲基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二乙氧基甲基矽烷 基）丁烷、1，4-雙（二乙氧基曱基矽烧基）苯、雙（二丙氧基曱 基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二丙氧基甲基矽烷基）乙烷、丨，3_ 317589 !283897 雙（二丙氧基甲基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二丙氧基甲基矽烷 ’基）丁烷、1，4-雙（二丙氧基曱基矽烷基）苯、雙（二異丙氧基 甲基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二異丙氧基曱基矽烷基）乙烷、 1,3-雙（一異丙氧基甲基石夕烧基）丙烧、1，4_雙（二異丙氧基曱 基石夕烷基）丁烷、1，4-雙（二異丙氧基曱基矽烷基）苯、雙（二 甲氧基乙基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二曱氧基乙基矽烷基）乙 烧、1，3-雙（二甲氧基乙基矽烷基）丙烷、〗，‘雙（二甲氧基乙 鲁基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二甲氧基乙基矽烷基）笨、雙（二乙 氧基乙基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二乙氧基乙基矽烷基）乙 烧、1，3-雙（二乙氧基乙基石夕燒基）丙烧、1，4_雙（二乙氧基乙 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙氧基乙基矽烷基）苯、雙（二丙 氧基乙基石夕烧基）甲烧、1，2-雙（二丙氧基乙基石夕院基）乙 烧、1，3-雙（二丙氧基乙基石夕烧基）丙烧、ι，4-雙（二丙氧基乙 基矽烷基）丁烷、1，4·雙（二丙氧基乙基矽烷基）苯、雙（二異 丙氧基乙基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二異丙氧基乙基矽烷基） _乙烧、1，3-雙（二異丙氧基乙基石夕烧基）丙烧、ι，4-雙（二異丙 氧基乙基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二異丙氧基乙基矽烷基） 苯、雙（二曱氧基丙基矽烷基）甲烷、1，2·雙（二甲氧基丙基 碎烧基）乙烧、1，3-雙（一甲氧基丙基砍烧基）丙烧、1，雙（二 曱氧基丙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二甲氧基丙基矽烷基） 苯、雙（二乙氧基丙基石夕烧基）甲烧、1，2-雙（二乙氧基丙基 秒烧基）乙丈元、1，3 -雙（一^乙氧基丙基砍烧基）丙烧、1，4 -雙（二 乙氧基丙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙氧基丙基矽烷基） 苯、雙（二丙氧基丙基石夕烧基）曱烧、1,2-雙（二丙氧基丙基 317589 19 1283897 ’石夕燒基）乙烷、1，3_雙（二丙氧基丙基矽烷基）丙烷、丨，4-雙（二 •丙氧基丙基矽烷基）丁烷、丨，‘雙（二丙氧基丙基矽烷基） 苯、雙（二異丙氧基丙基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二異丙氧基 丙基石夕烧基）乙烷、1，3_雙（二異丙氧基丙基矽烷基）丙烷、 1,4-雙（二異丙氧基丙基矽烷基）丁烷、丨，‘雙（二異丙氧基丙 基石夕烧基）苯、雙（二曱氧基異丙基矽烷基）曱烷、1，2_雙（二 曱氧基異丙基矽烷基）乙烷、1:，3-雙（二曱氧基異丙基矽烷基) 丙院、1，4_雙（二曱氧基異丙基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二曱氧 籲基異丙基矽烷基）苯、雙（二乙氧基異丙基矽烷基）曱烷、 雙（一乙氧基異丙基石夕烧基）乙烧、1，3_雙（二乙氧基異丙基 石夕烧基）丙烷、1，4-雙（二乙氧基異丙基矽烷基）丁烷、14-雙（二乙氧基異丙基矽烷基）苯、雙（二丙氧基異丙基矽烷基） 甲烧、1，2-雙（二丙氧基異丙基石夕烧基）乙烧、ι，3_雙（二丙氧 基異丙基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二丙氧基異丙基矽烷基）丁 烷、1，4_雙（二丙氧基異丙基矽烷基）苯、雙（二異丙氧基異 #丙基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二異丙氧基異丙基矽烷基）乙 烧、1，3-雙（一異丙氧基異丙基砍烧基）丙烧、ι，4-雙（二異丙 氧基異丙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二異丙氧基異丙基矽烷基） 苯、雙（二曱氧基丁基矽烷基）甲烷、1，2·雙（二曱氧基丁基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二甲氧基丁基矽烷基）丙烷、丨，扣雙（二 曱氧基丁基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二甲氧基丁基矽烷基） 苯、雙（二乙氧基丁基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙氧基丁基 矽烷基）乙烷、1,3-雙（二乙氧基丁基矽烷基）丙烷、匕扣雙（二 乙氧基丁基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙氧基丁基矽烷基） 317589 20 1283897 ‘苯、雙（二丙氧基丁基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丙氧基丁基 •石夕烧基）乙烧、1，3 -雙（二丙氧基丁基石夕烧基）丙烧、I,#·雙（二 •丙氧基丁基石夕院基）丁烧、1，4-雙（二丙氧基丁基石夕烧基） 苯、雙（二異丙氧基丁基矽烷基）甲烷、1，2·雙（二異丙氧基 丁基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二異丙氧基丁基矽烷基）丙烧、 1，4-雙（二異丙氧基丁基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二異丙氧基丁 基矽烷基）苯、雙（二甲氧基第三丁基矽烷基）甲您、u-雙 (二甲氧基第三丁基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二曱氧基第三丁 •基矽烷基）丙烷、M-雙（二甲氧基第三丁基矽烷基）丁烷、 1，4-雙（二甲氧基第三丁基矽烷基）苯、雙（二乙氧基第三丁 基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙氧基第三丁基矽烷基）乙烷、 1，3-雙（二乙氧基第三丁基矽烷基）丙烷、丨，4_雙（二乙氧基第 三丁基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二乙氧基第三丁基矽烷基） 苯、雙（二丙氧基第三丁基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二丙氧基 第二丁基石夕烧基）乙烧、1，3-雙（二丙氧基第三丁基石夕烧基） _丙烷、1，4-雙（二丙氧基第三丁基矽烷基）丁烷、丨，4_雙（二丙 氧基第二丁基矽烷基）苯、雙（二異丙氧基第三丁基矽烷基） 甲烧、1，2-雙（二異丙氧基第三丁基石夕烧基）乙院、I，％雙（二 異丙氧基第三丁基矽烧基）丙烷、1，4_雙（二異丙氧基第三丁 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二異丙氧基第三丁基矽烷基）苯、 雙（二甲氧基苯基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二甲氧基苯基矽烷 基）乙文元、1，3-雙（一曱氧基苯基石夕烧基）丙院、1，4_雙（二曱 氧基苯基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二甲氧基苯基矽烷基）苯、 雙（一乙氧基苯基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二乙氧基苯基矽烷 317589 21 1283897 ‘基）乙烧、1，3-雙（二乙氧基苯基石夕院基）丙烧、ι，4·雙（二乙 •氧基苯基石夕烧基）丁烧、1，4-雙（二乙氧基苯基石夕烧基）笨、 ~雙（二丙氧基苯基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二丙氧基笨基矽烷 基）乙烷、1，3-雙（二丙氧基苯基矽烷基）丙烷、ι，4-雙（二丙 氧基苯基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二丙氧基苯基矽烷基）笨、 雙（二異丙氧基苯基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二異丙氧基苯基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二異:丙氧基苯基矽烷基）丙烷、！ 雙（二異丙氧基苯基矽烷基）丁烷、1‘雙（二異丙氧基苯基 _矽烧基）苯、雙（二丁氧基甲基矽烧基）甲烧、1，2_雙（二丁氧 基甲基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁氧基甲基矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二丁氧基甲基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二丁氧基甲基石夕 烷基）笨、雙（二第三丁氧基甲基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二第 三丁氧基甲基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二第三丁氧基甲基石夕烧 基）丙烷、1，4-雙（二第三丁氧基甲基矽烷基）丁烷、L4 —雙（二 第三丁氧基甲基石夕烧基）苯、雙（二乙酿氧基甲基石夕烧基）曱 鲁烷、1，2_雙（二乙醯氧基甲基矽烷基）乙烷、丨，3_雙（二乙醯氧 基曱基石夕烧基）丙烧、1，4_雙（二乙醯氧基甲基石夕燒基）丁 烷、1，4-雙（二乙醯氧基甲基矽烷基）苯、雙（二苯氧基甲基 矽烷基）甲烷、1，2_雙（二苯氧基甲基矽烷基）乙烷、；[，弘雙（二 苯氧基甲基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二苯氧基曱基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二苯氧基甲基矽烷基）苯、雙（二丁氧基乙基石夕 烧基）甲烧、1，2·雙（一丁氧基乙基砍烧基）乙烧、1,3-雙（二 丁氧基乙基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二丁氧基乙基矽烷基）丁 烷、Μ-雙（二丁氧基乙基矽烷基）苯、雙（二第三丁氧基乙 317589 22 1283897 •基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二第三丁氧基乙基矽烷基）乙烷、 ' 1，3·雙（二第三丁氧基乙基矽烷基）丙烷、14-雙（二第三丁氧 ’基乙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二第三丁氧基乙基矽烷基） 笨、雙（二乙醯氧基乙基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙醯氧基 乙基矽烧基）乙烷、1，3_雙（二乙醯氧基乙基矽烷基）丙烷、 1，4·雙（二乙醯氧基乙基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二乙醯氧基乙 基矽烷基）苯、雙（二苯氧基乙基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二苯 氧基乙基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二苯氧基乙基矽烷基）丙 參烷、1，4-雙（二苯氧基乙基矽烷基）丁烷、l，4-雙（二苯氧基乙 基矽烷基）苯、雙（二丁氧基丙基矽烷基）曱烷、1，2_雙（二丁 氧基丙基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁氧基丙基矽烷基）丙 烷、1，4-雙（二丁氧基丙基矽烷基）丁烷、丨,‘雙（二丁氧基丙 基矽烷基）苯、雙（二第三丁氧基丙基矽烷基）甲烷、—雙 (二第三丁氧基丙基矽烷基）乙烷、U•雙（二第三丁氧基丙 基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁氧基丙基矽烷基）丁烷、 籲1，4-雙（二第三丁氧基丙基矽烷基）苯、雙（二乙醯氧基丙基 矽烷基）甲烷、1,2-雙（二乙醯氧基丙基矽烷基）乙烷、丨，3_ 雙（二乙醯氧基丙基石夕烧基）丙烧、1，4-雙（二乙醢氧基丙基 矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙醯氧基丙基矽烷基）苯、雙（二苯 氧基丙基石夕烧基）曱烧、1，2-雙（二苯氧基丙基石夕烧基）乙 烧、1，3-雙（《一本氧基丙基砍烧基）丙烧、1，4-雙（二苯氧基丙 基矽烷基）丁烷、M-雙（二苯氧基丙基矽烷基）苯、雙（二丁 氧基異丙基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丁氧基異丙基矽烷基） 乙文元、1，3 -雙（一丁氧基異丙基梦烧基）丙烧、I，#·雙（二丁氧 317589 23 1283897 •基異丙基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二丁氧基異丙基矽烷基） 、苯、雙（二第三丁氧基異丙基矽烷基）甲烷、U•雙（二第三 ，丁氧基異丙基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二第三丁氧基異丙基矽 烷基）丙烷、1，4_雙（二第三丁氧基異丙基矽烷基）丁烷、丨，‘ 雙（二第三丁氧基異丙基矽烷基）苯、雙（二乙醯氧基異丙基 矽烷基）甲烷、1，2_雙（二乙醯氧基異丙基矽烷基）乙烷、n 雙（二乙醯氧基異丙基石夕烧基）丙烧、1，4-雙（二乙醯氧基異 丙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙醯氧基異丙基矽烷基）苯、 *雙（二苯氧基異丙基矽烷基）曱烷、1，2_雙（二苯氧基異丙基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二苯氧基異丙基矽烷基）丙烷、 雙（二苯氧基異丙基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二苯氧基異丙基 矽烷基）苯、雙（二丁氧基丁基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丁氧 基丁基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁氧基丁基矽烷基）丙烷、 1,4-雙（二丁氧基丁基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丁氧基丁基矽 烷基）苯、雙（二第三丁氧基丁基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二第 .三丁氧基丁基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二第三丁氧基丁基矽烷 基）丙烷、1，4-雙（二第三丁氧基丁基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二 第三丁氧基丁基矽烷基）苯、雙（二乙醯氧基丁基矽烷基）曱 烷、1，2-雙（二乙醯氧基丁基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二乙醯氧 基丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二乙醯氧基丁基矽烷基）丁 烷、1,4-雙（二乙醯氧基丁基矽烷基）苯、雙（二苯氧基丁基 矽烷基）甲烷、1，2-雙（二苯氧基丁基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二 苯氧基丁基矽烷基）丙烷、1,4-雙（二苯氧基丁基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二苯氧基丁基矽烷基）苯、雙（二丁氧基苯基矽 24 317589 1283897 •烷基）甲烷、1，2·雙（二丁氧基苯基矽烷基）乙烷、雙（二 • 丁氧基苯基矽烷基）丙烷、；1，4_雙（二丁氧基苯基矽烷基）丁 烧、1，4_雙（二丁氧基苯基石夕烧基）苯、雙（二第三丁氧基苯 基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二第三丁氧基苯基矽烷基）乙烷、 1，3-雙（二第三丁氧基苯基石夕烧基）丙烧、丨，‘雙（二第三丁氧 基苯基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二第三丁氧基苯基矽烷基） 苯、雙（二乙醯氧基苯基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二乙醯氧基 苯基矽烧基）乙烷、1,3-雙（二乙醯氧基苯基矽烷基）丙烷、 籲1，4-雙（二乙醯氧基苯基石夕烧基）丁烧、1，4_雙（二乙醯氧基苯 基矽烷基）苯、雙（二苯氧基苯基矽烷基）甲烷、雙（二苯 氧基苯基矽烷基）乙烷、L3-雙（二苯氧基苯基矽烷基）丙 烧、1，4-雙（一本氧基苯基砍烧基）丁烧、ι，4-雙（二苯氧基苯 基矽烷基）苯。 這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（3)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並且 籲可根據目的適當地選擇。其具體實例包括··雙（二曱基甲氧 基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二甲基甲氧基矽烷基）乙烷、込夂 雙（二甲基曱氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二曱基甲氧基矽烷 基）丁烷、1，4-雙（二甲基曱氧基矽烷基）苯、雙（二曱基乙氧 基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二甲基乙氧基矽烷基）乙烷、^ 雙（二曱基乙氧基矽烷基）丙烷、L4-雙（二甲基乙氧基矽烷 基）丁烷、1，4-雙(二甲基乙氧基矽烷基）苯、雙（二甲基丙氧 基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二曱基丙氧基矽烷基）乙烷、n 雙（二甲基丙氧基矽烷基）丙烷、1,4-雙（二曱基丙氧基矽烷 317589 25 1283897 •基）丁烷、1，4-雙（二甲基丙氧基矽烷基）苯、雙（二甲基異丙 -氧基石夕烧基）甲院、1，2-雙（二甲基異丙氧基石夕烧基）乙烧、 1，3-雙（一甲基異丙氧基梦烧基）丙烧、1,4_雙（二甲基異丙氧 基矽烧基）丁烷、1，4-雙（二甲基異丙氧基矽烷基）笨、雙（二 乙基曱氧基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二乙基曱氧基矽烷基）乙 烧、1，3-雙（一乙基甲氧基碎烧基）丙烧、1，4-雙（二乙基甲氧 基矽烷基)丁烷、1，4-雙（二乙基甲氧基矽烷基）苯，、雙（二乙 基乙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙基乙氧基矽烷基）乙 馨烧、雙（二乙基乙氧基石夕烧基）丙烧、1，4-雙（二乙基乙氧 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二乙基乙氧基矽烷基）苯、雙（二乙 基丙氧基矽烷基）甲烷、1,2•雙（二乙基丙氧基矽烷基）乙 烷、1，3-雙（二乙基丙氧基矽烷基）丙烷、丨，‘雙（二乙基丙氧 基石夕烧基）丁烧、1，4-雙（二乙基丙氧基石夕烧基）苯、雙（二乙 基異丙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二乙基異丙氧基矽烷基） 乙烧、1，3-雙（一乙基異丙氧基砍烧基）丙烧、1,4-雙（二乙基 φ異丙氧基矽烷基）丁烷、雙（二乙基異丙氧基矽烷基） 苯、雙（二丙基甲氧基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二丙基甲氧基 石夕烧基）乙烧、1，3-雙（二丙基甲氧基石夕烧基）丙燒、1，‘雙（二 丙基甲氧基石夕烧基）丁烧、1,4_雙（二丙基甲氧基石夕烧基） 苯、雙（二丙基乙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丙基乙氧基 矽烷基）乙炫、1,3-雙（二丙基乙氧基矽烧基）丙烧、；[,4-雙（二 丙基乙氧基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二丙基乙氧基矽烷基） 苯、雙（二丙基丙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丙基丙氧基 矽烷基）乙烷、1,3-雙（二丙基丙氧基矽烷基）丙烷、丨，4_雙（二 317589 26 1283897 -丙基丙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丙基丙氧基矽烷基） '苯、雙（二丙基異丙氧基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二丙基異丙 • 氧基矽烷基）乙烷、1,3_雙（二丙基異丙氧基矽烷基）丙烷、 1,4-雙（二丙基異丙氧基矽烷基）丁烷、l，4-雙（二丙基異丙氧 基矽烷基）苯、雙（二異丙基曱氧基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二 異丙基甲氧基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二異丙基甲氧基矽烷基） 丙烷、1,4-雙（二異丙基曱氧基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二異丙 基曱氧基矽烷基）苯、雙（二異丙基乙氧基矽烷基）甲烷、1，2-馨雙（二異丙基乙氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二異丙基乙氧基 矽烷基）丙烷、1,4-雙（二異丙基乙氧基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二異丙基乙氧基矽烷基）苯、雙（二異丙基丙氧基矽烷基） 甲烷、1,2-雙（二異丙基丙氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二異丙 基丙氧基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二異丙基丙氧基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二異丙基丙氧基矽烷基）苯、雙（二異丙基異丙 氧基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二異丙基異丙氧基矽烷基）乙 φ烷、込3·雙（二異丙基異丙氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二異丙 基異丙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二異丙基異丙氧基矽烷基） 苯、雙（二丁基甲氧基矽烷基）甲烷、1，2·雙（二丁基甲氧基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁基甲氧基矽烷基）丙烷、丨，‘雙（二 丁基曱氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丁基甲氧基矽烷基） 本、雙（一丁基乙氧基石夕烧基）甲烧、1，2_雙（二丁基乙氧基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁基乙氧基矽烷基）丙烷、^各雙（二 丁基乙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丁基乙氧基矽烷基） 苯、雙（二丁基丙氧基矽烷基）甲烷、][，2-雙（二丁基丙氧基 317589 27 1283897 石夕文元基）乙烧、1，3-雙（二丁基丙氧基矽烷基）丙烷、丨，‘雙（二 • 丁基丙氧基矽烷基）丁烷、：^‘雙丨二丁基丙氧基矽烷基） 苯、雙（二丁基異丙氧基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二丁基異丙 氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁基異丙氧基矽烷基）丙烷、 1，4·雙（一丁基異丙氧基矽烧基）丁烧、丨，4_雙（二丁基異丙氧 基矽烷基）苯、雙（二第三丁基甲氧基矽烷基）甲烷、^-雙 (二第三丁基甲氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二第三丁基甲氧 基矽烷基）丙烷、1,4-雙（二第三丁基甲氧基矽烷基）丁烷、 1’4雙（一弟二丁基甲氧基砍烧基）苯、雙（二第三丁基乙氧 基矽烷基）曱烷、1，2_雙（二第三丁基乙氧基矽烷基）乙烷、 1’3又（一第二丁基乙氧基石夕烧基）丙烧、1，‘雙（二第三丁基 乙氧基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二第三丁基乙氧基矽烷基） 苯、雙（二第三丁基丙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二第三丁 基丙氧基矽烷基）乙烷、1，3_雙（二第三丁基丙氧基矽烷基） 丙烷、1，4-雙（二第三丁基丙氧基矽烷基）丁烷、丨，4-雙（二第 籲二丁基丙氧基矽烷基）苯、雙（二第三丁基異丙氧基矽烷基） 甲烷、1，2-雙（二第三丁基異丙氧基矽烷基）乙烷、丨，3-雙（二 第二丁基異丙氧基矽烷基）丙烷、丨，仁雙（二第三丁基異丙氧 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二第三丁基異丙氧基矽烷基）苯、 雙（二苯基甲氧基矽烷基）甲烷、丨，2_雙（二苯基甲氧基矽烷 基）乙烷、1，3-雙（二苯基甲氧基矽烷基）丙烷、丨，4-雙（二苯 基曱氧基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二苯基甲氧基矽烷基）苯、 雙（二苯基乙氧基矽烷基）甲烷、丨，雙（二苯基乙氧基矽烷 基）乙烷、1，3-雙（二苯基乙氧基矽烷基）丙烷、〗，4_雙（二苯 317589 28 1283897 •基乙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二苯基乙氧基矽烷基）苯、 '雙（二苯基丙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二苯基丙氧基矽烷 ’ 基）乙烷、1，3·雙（二苯基丙氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二苯 基丙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二苯基丙氧基矽烷基）苯、 雙（二苯基異丙氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二苯基異丙氧基 矽烷基）乙烷、1，3-雙（二苯基異丙氧基矽烷基）丙烷、ι，4-雙（二苯基異丙氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二苯基異丙氧基 矽烷基）苯、雙（二甲基丁氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二甲基 ® 丁氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二甲基丁氧基矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二甲基丁氧基矽烷基）丁烷、1,4·雙（二曱基丁氧基矽 烷基）苯、雙（二甲基第三丁氧基矽烷基）甲烷、丨，2-雙（二甲 基第三丁氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二甲基第三丁氧基矽烷 基）丙烷、1，4-雙（二曱基第三丁氧基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二 甲基第三丁氧基矽烷基）苯、雙（二甲基乙醯氧基矽烷基）甲 烷、1，2-雙（二曱基乙醯氧基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二曱基乙 φ 醯氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二甲基乙醯氧基矽烷基）丁 烷、1，4_雙（二甲基乙醯氧基矽烷基）苯、雙（二甲基苯氧基 矽烷基）曱烷、1，2-雙（二甲基苯氧基矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二 曱基苯氧基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二曱基苯氧基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二甲基苯氧基矽烷基）苯、雙（二乙基丁氧基矽 烷基）甲烷、1，2-雙（二乙基丁氧基矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二 乙基丁氧基矽烷基）丙烷、1,4_雙（二乙基丁氧基矽烷基）丁 烧、1,4-雙（二乙基丁氧基矽烷基）苯、雙（二乙基第三丁氧 基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二乙基第三丁氧基矽烷基）乙烷、 29 317589 1283897 • 1，3·雙（二乙基第三丁氧基矽烷基）丙烷、雙（二乙基第三 '丁氧基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二乙基第三丁氧基矽烷基） 苯、雙（二乙基乙醯氧基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二乙,基乙醯 氧基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二乙基乙醯氧基矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二乙基乙醯氧基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二乙基乙醯氧 基矽烷基）苯、雙（二乙基苯氧基矽烷基）甲烷、1，2_雙（二乙 ;基笨氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二乙基苯氧基矽烷基）丙 烷、1，4-雙（二乙基苯氧基矽烷基）丁烷、込‘雙（二乙基苯氧 鲁基矽烷基）苯、雙（二丙基丁氧基矽烷基）甲烷、匕^雙（二丙 基丁氧基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二丙基丁氧基矽烷基）丙 烧、1，4·雙（二丙基丁氧基矽烷基）丁烷、雙（二丙基丁氧 基矽烷基）苯、雙（二丙基第三丁氧基矽烷基）曱烷、•雙 (二丙基第三丁氧基石夕烧基）乙烧、1，3·雙（二丙基第三丁氧 基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二丙基第三丁氧基矽烷基）丁烷、 1，4-雙（二丙基第三丁氧基矽烷基）苯、雙（二丙基乙醯氧基 _矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丙基乙醯氧基矽烷基）乙烷、丨，^ 雙（二丙基乙醯氧基矽烷基）丙烷、1,4_雙（二丙基乙醯氧基 石夕烧基）丁烧、1，4-雙（二丙基乙醯氧基石夕烧基）苯、雙（二丙 基笨氧基石夕烧基）甲烧、1,2-雙（二丙基苯氧基石夕烧基）乙 烧、1，3-雙（一丙基苯乳基發烧基）丙烧、1，心雙（二丙基苯氧 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丙基苯氧基矽烷基）苯、雙（二異 丙基丁氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二異丙基丁氧基矽烷基） 乙烷、1，3·雙（二異丙基丁氧基矽烷基）丙烷、込‘雙^二異丙 基丁氧基石夕烧基）丁烧、1，4-雙（二異丙基丁氧基石夕烧基） 317589 30 1283897 •苯、雙（二異丙基第三丁氧基矽烧基）甲烧、丨，2_雙（二異丙 ••基第三丁氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二異丙基第三丁氧基矽 •烷基）丙烷、雙（二異丙基第三丁氧基矽烷基）丁烷、κ 雙（一異丙基第二丁氧基石夕烧基）苯、雙（二異丙基乙醯氧基 石夕烧基）甲烧、1，2-雙（二異丙基乙醯氧基石夕烧基）乙烧、〗，3_ 雙（二異丙基乙醯氧基矽烷基）丙烷、丨，4-雙（二異丙基乙醯 氧基石夕力元基）丁烧、1，4_雙（二異丙基乙醯氧基石夕烧基）苯、 雙（二異丙基苯氧基矽烧基）甲烧、1，2_雙（二異丙基苯氧基 鲁矽炫基）乙烷、1，3_雙（二異丙基苯氧基矽烷基）丙烷、丨，^ 雙（二異丙基苯氧基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二異丙基苯氧基 矽烷基）苯、雙（二丁基丁氧基矽烷基）甲烷、丨，2—雙（二丁基 丁氧基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁基丁氧基矽烷基）丙烷、 1，4·雙（二丁基丁氧基矽烧基）丁烧、ι，4-雙（二丁基丁氧基矽 烧基）苯、雙（二丁基第三丁氧基石夕烧基）甲烧、丨，）-雙（二丁 基第三丁氧基矽烷基）乙烷、L3-雙（二丁基第三丁氧基矽烷 籲基）丙烷、1，4-雙（二丁基第三丁氧基矽烷基）丁烷、丨，4-雙（二 丁基第三丁氧基矽烷基）苯、雙（二丁基乙醯氧基矽烷基）曱 烷、1，2-雙（二丁基乙醯氧基矽烷基）乙烷、13-雙（二丁基乙 醯氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二丁基乙醯氧基矽烷基）丁 烧、1，4-雙（二丁基乙醯氧基矽烷基）笨、雙（二丁基苯氧基 矽烷基）曱烷、1，2_雙（二丁基笨氧基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二 丁基苯氧基矽烷基）丙烷、14-雙（二丁基苯氧基矽烷基）丁 烧、1，4-雙（二丁基苯氧基矽烷基）苯、雙（二第三丁基丁氧 基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二第三丁基丁氧基矽烷基）乙烷、 31 317589 1283897 • 1，3-雙（二第三丁基丁氧基矽烷基）丙烷、ι，4-雙（二第三丁基 ' 丁氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二第三丁基丁氧基矽烷基） • 苯、雙（二第三丁基第三丁氧基矽烷基）甲烷、1，2·雙（二第 三丁基第三丁氧基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二第三丁基第三丁 氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁基第三丁氧基矽烷基） 丁烷、1，4-雙（二第三丁基第三丁氧基矽烷基）苯、雙（二第 三丁基乙醯氧基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二第三丁基乙醯氧基 矽烷基）乙烷、1,3-雙（二第三丁基乙醯氧基矽烷基）丙烷、 _丨，4-雙（二第三丁基乙醯氧基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二第三丁 基乙醯氧基矽烷基）苯、雙（二第三丁基苯氧基矽烷基）曱 烷、1，2-雙（二第三丁基苯氧基矽烷基）乙烷、丨，^雙（二第三 丁基苯氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁基苯氧基矽烷基) 丁烷、1，4-雙（二第三丁基苯氧基矽烷基）苯、雙（二丁氧基 第三丁基矽烷基）.甲烷、雙（二丁氧基第三丁基矽烷基） 乙烷、1，3-雙（二丁氧基第三丁基矽烷基）丙烷、匕扣雙（二丁 ⑩氧基第二丁基矽烷基）丁烷、丨，仁雙（二丁氧基第三丁基石夕烷 基）苯、雙（二第三丁氧基第三丁基矽烷基）甲烷、雙（二 第二丁氧基第二丁基矽烷基）乙烷、丨，3-雙（二第三丁氧基第 二丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁氧基第三丁基矽烷基） 丁烷、1，4-雙（一第二丁氧基第三丁基矽烷基）苯、雙（二乙 醯氧基第三丁基矽烷基）甲烷、丨，2-雙（二乙醯氧基第三丁基 矽烷基）乙烷、1,3-雙（二乙醯氧基第三丁基矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二乙醯氧基第三了基石夕院基）丁烧、w-雙（二乙酸氧 基第三丁基矽烷基）苯、雙（二苯氧基第三丁基矽烷基）曱 317589 32 1283897 •烷、1，2_雙（二苯氧基第三丁基矽烷基）乙烷、13-雙（二苯氧 -基第三丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二苯氧基第三丁基矽烷基） 〜丁烷、1，4-雙（二苯氧基第三丁基矽烷基）苯、雙（二苯基丁 氧基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二苯基丁氧基矽烷基）乙烷、〗，3_ 雙（二苯基丁氧基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二苯基丁氧基矽烷 基）丁烷、1，4-雙（二苯基丁氧基矽烷基）苯、雙（二苯基第三 丁氧基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二苯基第三丁氧基矽烷基）乙 烧、1，3-雙（二苯基第三丁氧基石夕烧基）丙烧、i，t雙（二苯基 籲第三丁氧基矽烷基）丁烷、丨，4-雙（二苯基第三丁氧基矽烷基） 本又（一本基乙氧基碎烧基）甲烧、1，2 -雙（二苯基乙酸 氧基石夕烧基）乙烧、1，3-雙（二苯基乙醯氧基石夕烧基）丙烧、 1，4_雙（一笨基乙醯氧基矽烷基）丁烷、丨，4_雙（二苯基乙醯氧 基矽烷基）苯、雙（二苯基苯氧基矽烷基）甲烷、12-雙（二苯 基苯氧基矽烷基）乙烷、1，3_雙（二苯基苯氧基矽烷基）丙 烷1，4_雙（一苯基苯氧基矽烷基）丁烷、1‘雙（二苯基苯氧 ⑩基碎烧基）苯。
π 7 π甘物置汶頁特別的限定，並且
可根據目的適當地選擇。 。其具體實例包括··甲基三甲氧基 317589 33 1283897 .Γ =三甲氧基石夕烧、丙基三甲氧基錢、異丙基三 •基：燒其丁基三，氧基石夕院、第三丁基三甲氧她、 二:；：乳=、苯基甲基二甲氧基石夕燒、三甲氧基石夕 心夕、乙基三乙氧基石夕烧、丙基三乙氧 基石 =烧、異丙基三乙氧基石夕烧、丁基三乙氧基石夕烧、第三 丁:二乙乳基石夕燒、苯基三乙氧基石夕烧、三乙氧基石夕烧、 曱基三丙氧基石夕燒、乙基三丙氧基石夕烧、丙基三丙氧基石夕 烷、異丙基三丙氧基石夕烧、丁基三丙氧基石夕院、第三丁基 三丙氧基石夕院、苯基三丙氧基石夕院、三丙氧基石夕院、甲^ 二異丙氧基我、乙基三異丙氧基料、丙基三異丙氧基 :烷、異丙基三異丙氧基矽烷、第三丁基三異丙氧基矽烷、 苯基三異丙氧基石夕烧、三異丙氧基石夕烧、甲基三丁氧基石夕 烷、乙基三丁氧基矽烷、丙基三丁氧基矽烷、異丙基三丁 ^基石夕烧:丁基三丁氧基梦炫、第三丁基三丁氧基石夕烧、 苯基三丁氧基矽烷、三丁氧基矽烷、乙基（三第三丁氧基矽 烷）、丙基（三第三丁氧基矽烷）、異丙基（三第三丁氧^矽 烷）、丁基（三第三丁氧基矽烷）、第三丁基（三第三丁氧基矽 烷）、苯基（三第三丁氧基矽烷）、苯基甲基（二第三丁氧^矽 烷）、三第三丁氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、乙基三乙 醯氧基矽烷、丙基三乙醯氧基矽烷、異丙基三乙醯氧基矽 烷、丁基三乙醯氧基矽烷、苐三丁基三乙醯氧基矽烷、苯 基二乙醯氧基矽烷、三乙醯氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、 乙基三苯氧基矽烷、丙基三苯氧基矽烷、異丙基三苯氧基 矽烷、丁基三苯氧基矽烷、第三丁基三苯氧基矽烷、苯基 317589 34 1283897 *三苯氧基石夕烧、笨基丙基二苯氧基砍烧及三笨氧基秒燒。 •這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（6)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並且 可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：二甲基二甲氧 基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二丙基二曱氧基矽烷、二 異丙基二甲氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二第三丁基 二曱氧基矽烷、二苯基二甲氡基矽烷、二曱基苯基甲氧基 矽烷、苯基乙基二曱氧基矽烷、苯基丙基二甲氧基矽烷、 •苯基異丙基二甲氧基矽烷、苯基丁基二曱氧基矽烷、=基 (第三丁基）二甲氧基矽烷、二曱氧基矽烷、甲基二甲氧基 矽烷、乙基二甲氧基矽烷、丙基二甲氧基矽烷、異丙基二 曱氧基石夕院、丁基二曱氧基石夕烧、第三丁基二甲氧基石夕烧、 二苯基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二乙 氧基石夕烧、二丙基二乙氧基㈣、二異丙基二乙氧基石夕院、 二丁基二乙氧基钱、：第三丁基二乙氧基錢、 •二乙氧基矽烷、苯基甲基二乙氧基矽烷 基矽烷、苯基丙基二乙氧基矽烷、苯基 苯基異丙基二乙氧基矽 、苯基乙基二乙氧
第三丁基二丙氧基矽烷、二 <干、公吵烷、二丙基二丙 夕烷、二丁基二丙氧基矽烷、 苯基二丙氧基矽烷、苯基甲 3J7589 35 1283897 •基二丙氧基矽烷、苯基乙基二丙氧基矽烷、苯基丙基二丙 ' 氧基矽烷、苯基異丙基二丙氧基矽烷、苯基丁基二丙氧基 • 矽烷、苯基（第三丁基）二丙氧基矽烷、二丙氧基矽烷、甲 基二丙氧基矽烷、乙基二丙氧基矽烷、乙基丙氧基矽烷、 丙基二丙氧基矽烷、異丙基二丙氧基矽烷、丁基二丙氧基 矽烷、第三丁基二丙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二 曱基二異丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二丙基二 異丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二丁基二異丙 _ 氧基矽烷、二第三丁基二異丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧 基矽烷、苯基甲基二異丙氧基矽烷、苯基乙基二異丙氧基 矽烷、苯基丙基二異丙氧基矽烷、苯基異丙基二異丙氧基 矽烷、苯基丁基二異丙氧基矽烷、苯基（第三丁基）二異丙 氧基矽烷、二異丙氧基矽烷、甲基二異丙氧基矽烷、乙基 二異丙氧基矽烷、丙基二異丙氧基矽烷、異丙基二異丙氧 基矽烷、丁基二異丙氧基矽烷、第三丁基二異丙氧基矽烷、 鲁二苯基二異丙氧基矽烷、二甲基二丁氧基矽烷、二乙基二 丁氧基矽烷、二丙基二丁氧基矽烷、二異丙基二丁氧基矽 烷、二丁基二丁氧基矽烷、二第三丁基二丁氧基矽烷、二 苯基二丁氧基矽烷、笨基甲基二丁氧基矽烷、苯基乙基二 丁氧基矽烷、苯基丙基二丁氧基矽烷、苯基異丙基二丁氧 基矽烷、苯基丁基二丁氧基矽烷、苯基（第三丁基）二丁氧 基矽烷、二丁氧基矽烷、甲基二丁氧基矽烷、乙基二丁氧 基矽烷、丙基二丁氧基矽烷、異丙基二丁氧基矽烷、丁基 二丁氧基矽烷、第三丁基二丁氧基矽烷、二苯基二丁氧基 36 317589 1283897 矽烷、二乙基（二第三丁氧基矽烷）、二丙基（二第三丁氧基 矽烷）、二異丙基（二第三丁氧基矽烷）、二丁基（二第三丁氧 基矽烷）、二第三丁基（二第三丁氧基矽烷）、二苯基（二第三 丁氧基矽烷）、苯基乙基（二第三丁氧基矽烷）、苯基丙基（二 第三丁氧基石夕院）、苯基異丙基（二第三丁氧基魏）、苯基 丁基（二第三丁氧基矽烷）、苯基（第三丁基）（二第三丁氧基 矽烷一第二丁氧基矽烷、甲基（二第三丁氧基矽烷）、乙 基（二第三丁氧基我）、丙基（：第三丁氧基料）、異丙基 (二第三丁氧基石夕燒）、丁基（二第三丁氧基石夕烧）、第三丁基 (二第三丁氧基石夕烧）、二苯基（二第三丁氧基石夕烧）、二甲基 二乙醯氧基料、二乙基二乙醯氧基石夕烧、二丙基二乙酿 氧基石夕烧、：異丙基二乙醯氧基料、二第三丁基二乙酿 氧基石夕烧、二笨基二乙酿氧基㈣、苯基甲基二乙酿氧基 石夕烧、苯基乙基二乙酸氧基錢、苯基丙基二乙醯氧基石夕 烷、苯基異丙基二乙醯氧基矽烷、笨基丁基二乙醯氧基矽 烧、苯基（第三丁基）二乙醯氧基料、二乙醯氧基石夕烧、 甲基二乙醯氧基石夕烷、乙基二乙醯氧基矽烷、丙基二乙醯 氧基石夕烧、異丙基二乙醯氧基錢、了基：乙醯氧基_、 第三丁基二乙醯氧基料、二笨基二乙醯氧基我、二甲 基二苯氧基料、二乙基二苯氧基㈣、二丙基二苯氧基 秒烧、二異丙基二苯氧基㈣、二丁基二笨氧基我、二 第二丁基二苯氧基秒烧、.. —本基二苯氧基㈣、苯基甲基 二苯氧基我、苯基乙基二笨氧基㈣、苯基異丙基二苯 氧基石夕烧、苯基H氧基外、苯㈣三丁基二苯氧 317589 37 1283897 •基矽烷、二苯氧基矽烷、曱基二苯氧基矽烷、乙基二笨氧 '基矽烷、丙基二苯氧基矽烷、異丙基二苯氧基矽烷、丁基 、 二苯氧基矽烷、第三丁基二苯氧基矽烷及二苯基二苯氧基 石夕烧。這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（7)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並且 可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：三甲基曱氧基 矽烷、三乙基曱氧基矽烷、三丙基甲氧基矽烷、三異ί丙基 甲氧基矽烷、三丁基甲氧基矽烷、三第三丁基甲氧基矽烷、 _三苯基曱氧基矽烷、二苯基甲基甲氧基矽烷、二乙基苯基 甲氧基矽烷、二苯基乙基甲氧基矽烷、二丙基苯基曱氧基 矽烷、二苯基丙基甲氧基矽烷、二異丙基苯基甲氧基矽烷、 二苯基異丙基甲氧基矽烷、二丁基苯基曱氧基矽烷、二丁 基甲基曱氧基矽烷、二第三丁基苯基曱氧基矽烷、二苯基 第三丁基曱氧基矽烷、單甲氧基矽烷、甲基曱氧基矽烷、 乙基曱氧基矽烷、丙基甲氧基矽烷、異丙基曱氧基矽烷、 φ 丁基曱氧基矽烷、第三丁基甲氧基矽烷、苯基甲氧基矽烷、 甲基苯基曱氧基矽烷、乙基苯基甲氧基矽烷、丙基苯基甲 氧基矽烷、異丙基苯基甲氧基矽烷、丁基苯基甲氧基矽烷、 第三丁基苯基曱氧基矽烷、三曱基乙氧基矽烷、三乙基乙 氧基碎烧、三丙基乙氧基秒烧、三異丙基乙氧基砍烧、三 丁基乙氧基矽烷、三第三丁基乙氧基矽烷、三苯基乙氧基 矽烷、二曱基苯基乙氧基矽烷、二苯基曱基乙氧基矽烷、 二乙基苯基乙氧基矽烷、二苯基乙基乙氧基矽烷、二丙基 苯基乙氧基矽烷、二苯基丙基乙氧基矽烷、二異丙基苯基 38 317589 1283897 •乙氧基矽烷、二苯基異丙基乙氧基矽烷、二丁基苯基乙氧 '基矽烷、二丁基甲基乙氧基矽烷、二第三丁基苯基乙氧基 ' 矽烷、二苯基第三丁基乙氧基矽烷、單乙氧基矽烷、甲基 乙氧基矽烷、乙基乙氧基矽烷、丙基乙氧基矽烷、異丙基 乙氧基矽烷、丁基乙氧基矽烷、第三丁基乙氧基矽烷、苯 基乙氧基矽烷、甲基苯基乙氧基矽烷、乙基苯基乙氧基矽 ，烧、丙基苯基乙氧基砍烧、異丙基苯基乙氧基砍烧、丁基 苯基乙氧基矽烷、第三丁基苯基乙氧基矽烷、三曱基丙氧 ❿基矽烷、三乙基丙氧基矽烷、三丙基丙氧基矽烷、三異丙 基丙氧基石夕烧、三丁基丙氧基石夕烧、三第三丁基丙氧基石夕 烷、三苯基丙氧基矽烷、二甲基苯基丙氧基矽烷、二苯基 曱基丙氧基矽烷、二乙基苯基丙氧基矽烷、二苯基乙基丙 氧基矽烷、二丙基苯基丙氧基矽烷、二苯基丙基丙氧基矽 烷、二異丙基苯基丙氧基矽烷、二苯基異丙基丙氧基矽烷、 二丁基苯基丙氧基矽烷、二丁基甲基丙氧基矽烷、二第三 Φ 丁基苯基丙氧基矽烷、二苯基第三丁基丙氧基矽烷、單丙 氧基砍烧、曱基丙氧基石夕烧、丙基丙氧基碎烧、異丙基丙 氧基矽烷、丁基丙氧基矽烷、第三丁基丙氧基矽烷、苯基 丙氧基矽烷、甲基苯基丙氧基矽烷、乙基苯基丙氧基矽烷、 丙基苯基丙氧基矽烷、異丙基苯基丙氧基矽烷、丁基苯基 丙氧基矽烷、第三丁基苯基丙氧基矽烷、三甲基異丙氧基 矽烷、三乙基異丙氧基矽烷、三丙基異丙氧基矽烷、三異 丙基異丙氧基矽烷、丁基三異丙基氧基矽烷、三丁基異丙 氧基矽烷、三第三丁基異丙氧基矽烷、三苯基異丙氧基矽 39 317589 1283897 •烷、二甲基苯基異丙氧基矽烷、二笨基曱基異丙氧基矽烷、 •二乙基苯基異丙氧基碎烧、二苯基乙基異丙氧基碎炫*、二 ' 丙基苯基異丙氧基矽烷、二苯基丙基異丙氧基矽烷、二異 丙基苯基異丙氧基石夕烧、二苯基異丙基異丙氧基石夕烧、二 丁基苯基異丙氧基矽烷、二丁基曱基異丙氧基矽烷、二第 三丁基苯基異丙氧基梦烧、二苯基第三丁基異丙氧基石夕 烷、單異丙氧基矽獍、曱基異丙氧基矽烷、乙基異丙氧基 矽烷、丙基異丙氧基矽烷、異丙基異丙氧基矽烷、丁基異 春丙氧基矽烷、第三丁基異丙氧基矽烷、苯基異丙氧基矽烷、 甲基苯基異丙氧基矽烷、乙基苯基異丙氧基矽烷、丙基苯 基異丙氧基矽烷、異丙基苯基異丙氧基矽烷、丁基苯基異 丙氧基矽烷、第三丁基苯基異丙氧基矽烷、三曱基丁氧基 矽烷、三乙基丁氧基矽烷、三丙基丁氧基矽烷、三異丙基 丁氧基矽烷、三丁基丁氧基矽烷、三第三丁基丁氧基矽烷、 三苯基丁氧基矽烷、二甲基苯基丁氧基矽烷、二苯基甲基 Φ 丁氧基矽烷、二乙基苯基丁氧基矽烷、二苯基乙基丁氧基 矽烷、二丙基苯基丁氧基矽烷、二苯基丙基丁氧基矽烷、 二異丙基苯基丁氧基矽烷、二苯基異丙基丁氧基矽烷、二 丁基苯基丁氧基矽烷、二丁基曱基丁氧基矽烷、二第三丁 基苯基丁氧基矽烷、二苯基第三丁基丁氧基矽烷、單丁氧 基矽烷、甲基丁氧基矽烷、乙基丁氧基矽烷、丙基丁氧基 矽烷、異丙基丁氧基矽烷、丁基丁氧基矽烷、第三丁基丁 氧基矽烷、苯基丁氧基矽烷、曱基苯基丁氧基矽烷、乙基 苯基丁氧基矽烷、丙基苯基丁氧基矽烷、異丙基苯基丁氧 40 317589 1283897 *基矽烷、丁基笨基丁氧基矽烷、第三丁基苯基丁氧基矽烷、 '曱基三第三丁氧基矽烷、二曱基二第三丁氧基矽烷、三曱 •基第三丁氧基矽烷、三乙基第三丁氧基矽烷、三丙基第三 丁氧基矽烷、三異丙基第三丁氧基矽烷、三丁基第三丁氧 基矽烷、三第三丁基第三丁氧基矽烷、三苯基第三丁氧基 矽烷、二曱基苯基第三丁氧基矽烷、二苯基曱基第三丁氧 基矽烷、二乙基苯基第三丁氧基矽烷、二苯基乙基第三丁 氧基矽烷、二丙基笨基第三丁氧基矽烷、二苯基丙基第三 ® 丁氧基矽烷、二異丙基苯基第三丁氧基矽烷、二苯基異丙 基第三丁氧基矽烷、二丁基苯基第三丁氧基矽烷、二丁基 甲基第三丁氧基矽烷、二第三丁基苯基第三丁氧基矽烷、 二苯基第三丁基第三丁氧基矽烷、單第三丁氧基矽烷、曱 基第三丁氧基矽烷、乙基第三丁氧基矽烷、丙基第三丁氧 基矽烷、異丙基第三丁氧基矽烷、丁基第三丁氧基矽烷、 第三丁基第三丁氧基矽烷、苯基第三丁氧基矽烷、曱基苯 $基第三丁氧基矽烷、乙基苯基第三丁氧基矽烷、丙基苯基 第三丁氧基砍烧、異丙基苯基第三丁氧基砍烧、丁基苯基 第三丁氧基矽烷、第三丁基苯基第三丁氧基矽烷、三曱基 乙醯氧基矽烷、三乙基乙醯氧基矽烷、三丙基乙醯氧基矽 烷、三異丙基乙醯氧基矽烷、二丁基乙醯氧基矽烷、三丁 基乙醯氧基矽烷、三第三丁基乙醯氧基矽烷、三苯基乙醯 氧基矽烷、二曱基苯基乙醯氧基矽烷、二苯基曱基乙醯氧 基秒烧、二乙基苯基乙酿氧基碎烧、二苯基乙基乙酿氧基 砍烧、二丙基苯基乙酸氧基砍烧、二苯基丙基乙臨氧基砍 41 317589 1283897 •烷、二異丙基苯基乙醯氧基矽烷、二苯基異丙基乙醯氧基 '矽烷、二丁基苯基乙醯氧基矽烷、二丁基曱基乙醯氧基矽 " 烷、二第三丁基苯基乙醯氧基矽烷、二苯基第三丁基乙醯 氧基矽烷、單乙醯氧基矽烷、曱基乙醯氧基矽烷、乙基乙 醯氧基矽烷、丙基乙醯氧基矽烷、異丙基乙醯氧基矽烷、 丁基乙醯氧基矽烷、第三丁基乙醯氧基矽烷、苯基乙醯氧 基矽烷、甲基苯基乙醯氧基矽烷、乙基苯基乙醯氧基矽烷、 丙基苯基乙醯氧基矽烷、異丙基苯基乙醯氧基矽烷、丁基 • 苯基乙醯氧基矽烷、第三丁基苯基乙醯氧基矽烷、三甲基 苯氧基矽烷、三乙基苯氧基矽烷、三丙基苯氧基矽烷、三 、異丙基苯氧基矽烷、三丁基苯氧基矽烷、三第三丁基苯氧 基矽烷、三苯基苯氧基矽烧、二曱基苯基苯氧基矽烷、二 苯基曱基苯氧基矽烷、二乙基苯基苯氧基矽烷、二苯基乙 基苯氧基矽烷、二丙基苯基苯氧基矽烷、二苯基丙基苯氧 基矽烷、二異丙基苯基苯氧基矽烷、二苯基異丙基苯氧基 Φ 矽烷、二丁基苯基苯氧基矽烷、二丁基曱基苯氧基矽烷、 二第三丁基苯基苯氧基石夕烧、二苯基第三丁基苯氧基妙 烷、單苯氧基矽烷、甲基苯氧基矽烷、乙基苯氧基矽烷、 丙基苯氧基矽烷、異丙基苯氧基矽烷、丁基苯氧基矽烷、 第三丁基苯氧基矽烷、笨基苯氧基矽烷、甲基苯基苯氧基 矽烷、乙基苯基苯氧基矽烷、丙基苯基苯氧基矽烷、異丙 基苯基苯氧基矽烷、丁基苯基苯氧基矽烷及第三丁基苯基 苯氧基矽烷。這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組 合使用。 42 317589 1283897 • 此外，當通式（1)至（7)當中的11二0時，可適當地使用 •至少一下列結構式（8)至（10)所示的矽化合物與至少一下列 結構式（I1)至（14)所示的矽化合物之組合。 R1 R1 R-Si-R-ii-R1 R1 R1 結構式 ⑻ R1 R R-Si-R-Si~R3 R1 R1 結構式 ⑼ R3 R3 R1— Si— R—Si— R1 k :3 結構式 （1⑺ R1 ^-Si-R1 結構式 （11) R3 R-Si-R 結構式 （12) R3 R1—Si—R 結構式 （13) R3 R^Si-R3 結構式 （14) 在此，在結構式（8)至（14)中，R1可彼此相同戒不同 317589 43 1283897 表示一選自氯原子、漢原子、氟原子 組者。r2表示一選自具有…風原子所组成的群 氫原子所組成的群組者eR3可彼二：蛵、芳香族煙及 J做此相问或不同， 一選!=「_之烴及芳香族烴所組成的群組： 由、、、。構式⑻所示的石夕化合物並沒有特別的 可根據目的適當地選擇。1且體巷 I且 甲俨"雜'例包括：雙（三氯石夕烷基） ! 燒基）乙炫、以雙（三氯石找基）丙燒、
1,4-雙（二1我基）丁燒、Μ-雙（三氯錢基）苯 =τ了雙(三氟·)乙燒、…雙(三_ ί二二=氟W) 丁燒、!，4,三氟梦㈣) =又(二漠石夕垸基）甲院、U.雙（三演錢基）乙烧、u_ 又（二/臭石夕院基）丙炫、M-雙（三漠石夕烧基）丁炫、^ 4三 溴石夕烧基）苯、雙（三氫石夕烧基）甲烧、】，2，三氫我基） 乙烧、13-雙（三氫石夕烧基）丙烧、M，（三氯石夕烧基）丁燒、 1，4-雙（三氫矽烷基）苯。 籲 14些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（9)所示㈣化合物並沒有特別的限定，並且 可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：雙(二氯甲基矽 炫基）甲燒、1，2-雙（二氯甲基矽烷基）乙烷、二氯甲 基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二氯甲基矽烷基）丁烷、M-雙（二 氯甲基石夕烧基）苯、雙（二氟甲基矽烷基）甲烷、丨，2-雙（二氟 甲基矽烷基）乙烷、匕3·雙（二氟甲基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二 氟f基矽烷基）丁烷、M_雙（二氟甲基矽烷基）苯、雙（二溴 甲基矽烷基）曱烷、〗,2_雙（二溴甲基矽烷基）乙烷、〗，3-雙（二 317589 44 1283897 • /臭曱基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二溴甲基矽烷基）丁烷、ι，4- •雙（二漠曱基矽烷基）苯、雙（二氫曱基矽烷基）曱烷、丨^雙 (一氫甲基矽烷基）乙烷、1，3_雙（二氫甲基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氫曱基矽烷基）丁烷、；!，4_雙（二氫甲基矽烷基）苯、雙 (二氯乙基矽烷基）曱烷、1，2-雙（二氯乙基矽烷基）乙烷、ι，3-雙（一氯乙基石夕烧基）丙烧、1，4_雙（二氯乙基石夕烧基）丁院、 1，4-雙（二氣乙基矽烷基）苯、雙（二氟乙基矽烷基）甲烷、丨， I雙（二氟乙基矽烷基）乙烷、：^弘雙（二氟乙基矽烷基）丙烷、 1’4-雙（一氟乙基石夕烧基）丁烧、1，‘雙（二氟乙基石夕烧基） 笨、雙（二溴乙基石夕烧基）甲烧、i，2_雙（二溴乙基石夕烧基）乙 烧、1，3_雙（二溴乙基矽烷基）丙烷、丨，扣雙（二溴乙基矽烷基） 丁烧、1，4-雙（二溴乙基矽烷基）苯、雙（二氫乙基矽烷基）甲 烧、1，2-雙（二氫乙基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二氫乙基矽烷基） 丙烷、1，4-雙（二氫乙基矽烷基）丁烷、丨，4_雙（二氫乙基矽烷 基）苯、雙（二氯丙基矽烷基）甲烷、12-雙（二氣丙基矽烷基） •乙烧、込3-雙（二氣丙基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氯丙基矽烷 基）丁烷、1，4-雙（二氯丙基矽烷基）苯、雙（二氟丙基矽烷基） 甲烧、1，2-雙（二氟丙基矽烷基）乙烷、雙（二氟丙基矽烷 基）丙烷、1,4-雙（二氟丙基矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二氟丙基 矽烷基）苯、雙（二溴丙基矽烷基）甲烷、1，2-雙（二溴丙基矽 烷基）乙烷、1，3_雙（二溴丙基矽烷基）丙烷、ι，4-雙（二溴丙 基矽烷基）丁烷、1，4-雙（二漠丙基矽烷基）苯、雙（二氫丙基 矽烷基）曱烷、1,2-雙（二氫丙基矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二氫 丙基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氫丙基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二 45 317589 1283897 •氫丙基矽烷基）苯、雙（二氯異丙基矽烷基）曱烷、丨,；^雙（二 氣異丙基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二氣異丙基矽烷基）丙烷、 1，4_雙（二氯異丙基矽烷基）丁烷、〗，4_雙（二氯異丙基矽烷基) 苯、雙（二氟異丙基矽烷基）甲烷、匕二雙（二氟異丙基矽烷 基）乙烷、丨，3-雙（二氟異丙基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二氟異 丙基矽烷基）丁烷、1,4-雙（二氟異丙基矽烷基）苯、雙（二溴 異丙基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二溴異丙基矽烷基）乙烷、丨，^ _雙（二溴異丙基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二溴異丙基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二溴異丙基矽烷基）笨、雙（二氫異丙基矽烷基） 甲烷、丨，2-雙（二氫異丙基矽烷基）乙烷、1，3_雙（二氫異丙基 矽烷基）丙烷、1,4-雙（二氫異丙基矽烷基）丁烷、丨，仁雙（二 氫異丙基矽烷基）苯、雙（二氯丁基矽烷基）曱烷、丨，2-雙（二 氯丁基矽烷基）乙烷、1，3-雙（二氣丁基矽烷基）丙烷、 雙（二氯丁基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二氯丁基矽烷基）苯、雙 (二敦丁基矽烷基）曱烷、1,2-雙（二氟丁基矽烷基）乙烷、丨} 參雙（二氟丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氟丁基矽烷基）丁烷、 1，4-雙（二氟丁基矽烷基）苯、雙（二溴丁基矽烷基）甲烷、it 雙（二溴丁基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二溴丁基矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二溴丁基矽烷基）丁烷、；ι，4_雙（二溴丁基矽烷基） 苯、雙（二氫丁基矽烷基）甲烷、1,2-雙（二氫丁基矽烷基）乙 烷、1，3-雙（二氫丁基矽烷基）丙烷、1，4_雙（二氫丁基矽烷基） 丁烷、1，4-雙（二氩丁基矽烷基）苯、雙（二氣第三丁基矽烷 基）曱烷、1，2-雙（二氯第三丁基矽烷基）乙烷、；[，3_雙（二氯 第三丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氣第三丁基矽烷基）丁 317589 46 1283897 .燒、丨，4-雙（二氯第三丁基矽焼基）苯、雙（二氟第三丁基矽 '烷基）曱烷、丨，2·雙（二氟第三丁基矽烷基）乙烷、1,3-雙（二 氟第二丁基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二氟第三丁基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二氟第三丁基矽烷基）苯、雙（二溴第三丁基矽 烷基）曱烷、1，2-雙（二溴第三丁基矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二 >臭第三丁基矽烷基）丙烷、^仁雙^二溴第三丁基矽烷基）丁 烧、1，4-雙（二溴第三丁基矽烧基）苯、雙（二氫第三:丁基矽 0烧基）甲烧、丨，2·雙（二氫第三丁基矽烧基）乙烧、1，3-雙（二 氫第三丁基矽烷基）丙烷、L4-雙（二氫第三丁基矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二氫第三丁基矽烷基）苯、雙（二氣苯基矽烷基) 甲烷、1，2_雙（二氣苯基矽烧基）乙烷、丨，3_雙（二氯苯基矽烷 基）丙烷、丨，4_雙（二氯笨基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二氯苯基 石夕烧基）本、雙（一氟苯基石夕烧基）甲烧、1，2_雙（二氟苯基石夕 烷基）乙烷、1，3-雙（二氟苯基矽烷基）丙烷、丨，仁雙（二氟苯 基矽烷基）丁烷、1，4_雙（二氟苯基矽烷基）苯、雙（二溴苯基 _矽烷基）曱烷、1，2-雙（二溴苯基矽烷基）乙烷、丨^雙（二漠 苯基矽烷基）丙烷、1，4-雙（二溴苯基矽烷基）丁烷、^仁雙（二 溴苯基矽烷基）苯、雙（二氩苯基矽烷基）曱烷、匕^雙（二氮 苯基矽烷基）乙烷、1，3_雙（二氫苯基矽烷基）丙烷、丨，扣雙（二 氫苯基矽烷基）丁烷及1，4-雙（二氫苯基矽烷基）苯。 這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（1 〇)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並 且可根據目的適當地選擇。其具體實例包括··雙（二曱基氯 矽烷基）曱烷、1，2-雙（二曱基氣矽烷基）乙烷、匕夂雙（二曱 317589 47 1283897 ^基氯矽烷基）丙烷、1，4-雙（二曱基氯矽烷基）丁烷、1，4-雙（二 '甲基氯矽烷基）苯、雙（二甲基氟矽烷基）曱烷、1，2_雙（二甲 • 基氟矽烷基）乙烷、1，3-雙（二甲基氟矽烷基）丙烷、1，4-雙（二 甲基氟矽烷基）丁烷、1，4-雙（二甲基氟矽烷基）苯、雙（二甲 基溴矽烷基）曱烷、1，2-雙（二甲基溴矽烷基）乙烷、1,3-雙（二 曱基溴矽烷基）丙烷、1，4-雙（二甲基溴矽烷基）丁烷、1,4-雙（二曱基溴矽烷基）苯、雙（二甲基氫矽烷基）曱烷、1，2_雙 (二甲基氫矽烷基）乙烷、1，3-雙（二曱基氫矽烷基）丙烷、ι，4-參雙（二甲基氫矽烷基）丁烷、1,4-雙（二曱基氫矽烷基）苯、雙 (二乙基氯矽烷基）甲烷、1,2-雙（二乙基氯矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二乙基氣矽烷基）丙烷、1，4·雙（二乙基氯矽烷基）丁烷、 1，4-雙（二乙基氯矽烷基）苯、雙（二乙基氟矽烧基）甲烷、ι，2-雙（一乙基氣石夕烧基）乙烧、1，3_雙（二乙基敗石夕烧基）丙烧、 M-雙（二乙基氟矽烷基）丁烷、1,4-雙（二乙基氟矽烷基） 苯、雙（二乙基溴矽烷基）曱烷、1,2-雙（二乙基溴矽烷基）乙 _烧、1，3-雙（二乙基溴石夕烧基）丙烧、ι，4-雙（二乙基溴石夕烧基） 丁烷、1，4-雙（二乙基溴矽烷基）苯、雙（二乙基氳矽烷基）甲 烷、1，2-雙（二乙基氫矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二乙基氫矽烷基） 丙烧、1，4-雙（一乙基氫石夕烧基）丁烧、雙（二乙基氫石夕烧 基）苯、雙（二丙基氯矽烷基）甲烷、1，2_雙（二丙基氯矽烷基） 乙烧、1，3-雙（二丙基氯矽烷基）丙烷、丨，雙（二丙基氯矽烷 基）丁烷、1，4-雙（二丙基氯矽烷基）苯、雙（二丙基氟矽烷基） 曱烷、1，2-雙（二丙基氟矽烷基）乙烷、1，3_雙（二丙基氟矽烷 基）丙烷、1，4-雙（二丙基氟矽烷基）丁烷、丨，4_雙（二丙基氟 317589 48 1283897 •矽烷基）笨、雙（二丙基溴矽烷基）曱烷、1,2-雙（二丙基溴矽 •烧基）乙烷、1，3·雙（二丙基溴矽烷基）丙烷、14-雙（二丙基 溴矽烷基）丁烷、1，4-雙（二丙基溴矽烷基）苯、雙（二丙基氫 矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丙基氫矽烷基）乙烷、；1，3_雙（二丙 基氫矽烧基）丙烷、1，4-雙（二丙基氫矽烷基）丁烧、ι，4-雙（二 丙基氫矽烷基）苯、雙（二異丙基氣矽烷基）曱烷、i，2-雙（二 異丙基氯矽烷基）乙烷、1，3_雙（二異丙基氯矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二異丙基氯矽烷基）丁烷、1‘雙（二異丙基氣矽烷基） 泰苯、雙（二異丙基氟矽烷基）曱烷、丨，入雙（二異丙基氟矽烷 基）乙烷、1，3-雙（二異丙基氟矽烷基）丙烷、丨，仁雙（二異丙 基氟矽烷基）丁烷、1，4-雙（二異丙基氟矽烷基）苯、雙（二異 丙基溴矽烷基）甲烷、1,2-雙（二異丙基溴矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二異丙基溴矽烧基）丙烧、1,4-雙（二異丙基溴石夕烧基）丁 烧、1，4_雙（二異丙基溴矽烷基）.苯、雙（二異丙基氫矽烷基） 曱烷、1，2-雙（二異丙基氫矽烷基）乙烷、丨，％雙（二異丙基氫 _矽烧基）丙烷、1,4-雙（二異丙基氫矽烷基）丁烷、；[，4-雙（二 異丙基氫矽烷基）苯、雙（二丁基氯矽烷基）曱烷、丨,2_雙（二 丁基氯矽烷基）乙烷、1,3-雙（二丁基氯矽烷基）丙烷、ι，4-雙（二丁基氯矽烷基）丁烷、1,4-雙（二丁基氯矽烷基）苯、雙 (二丁基氟矽烷基）甲烷、1,2-雙（二丁基氟矽烷基）乙烷、ι，3-雙（二丁基氟矽烷基）丙烷、1,4-雙（二丁基氟矽烷基）丁烷、 1，4-雙（二丁基氟矽烷基）苯、雙（二丁基溴矽烷基）甲烷、丨，、 雙（二丁基溴矽烷基）乙烷、1，3-雙（二丁基溴矽烷基）丙烷、 1，4-雙（二丁基溴矽烷基）丁烷、ι，4-雙（二丁基溴矽烷基） 49 317589 1283897 ‘苯、雙（二丁基氫矽烷基）甲烷、1，2-雙（二丁基氫矽烷基）乙 统、1，3-雙（一 丁基虱石夕烧基）丙烧、1，4-雙（二丁基氫石夕烧基） 丁烷、1，4·雙（二丁基氫矽烷基）苯、雙（二第三丁基氯矽烷 基）甲烷、1，2-雙（二第三丁基氯矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二第 三丁基氯矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁基氣矽烷基）丁 烷、1，4-雙（二第三丁基氣矽烷基）苯、雙（二第三丁基氟矽 /烷基）曱烷、1，2-雙（二第三丁基氟矽烷基）乙烷、〗，弘雙（二 第三丁基氟矽烷基）丙烷、L4-雙（二第三丁基氟矽烷基）丁 烷、M-雙（二第三丁基氟矽烷基）苯、雙（二第三丁基溴矽 烷基）甲烷、1，2-雙（二第三丁基溴矽烷基）乙烷、13-雙（二 第三丁基溴矽烷基）丙烷、1，4-雙（二第三丁基溴矽烷基）丁 烷、M-雙（二第三丁基溴矽烷基）苯、雙（二第三丁基氫矽 烧基）曱烷、1,2-雙（二第三丁基氫矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二 第三丁基氫矽烷基）丙烷、1,4-雙（二第三丁基氫矽烷基）丁 烷、雙（二第三丁基氫矽烷基）苯、雙（二苯基氯矽烷基） _甲烧、1，2-雙（二苯基氯矽烷基）乙烷、二苯基氯矽烷 基）丙烷、1，4-雙（二苯基氣矽烷基y 丁烷、丨，‘雙（二苯基氯 石夕烧基）苯、雙（二苯基氟石夕烧基）甲烧、12 —雙（二苯基氟石夕 烷基）乙烷、1，3·雙（二苯基氟矽烷基）丙烷、丨，4_雙（二苯基 氟矽烷基）丁烷、1,4-雙（二苯基氟矽烷基）苯、雙（二苯基溴 矽烷基）曱烷、1,2-雙（二苯基溴矽烷基）乙烷、丨，弘雙（二苯 基 >臭石夕烷基）丙烧、1，4·雙（二苯基演矽烧基）丁烧、丨+雙^ 苯基溴矽烷基）苯、雙（二苯基氫矽烷基）甲烷、1,2-雙（二苯 基氫秒烧基）乙烷、U-雙（二苯基氫矽烷基）丙烷、u —雙（二 50 317589 1283897 .‘苯基氫矽烷基）丁烷及1，4-雙（二苯基氫矽烷基）苯。 4些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（11)所示的石夕化合物並沒有特別的限定，並 且可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：四氯石夕烧、 四氟矽烷及四溴矽烷。這些化合物可單獨或以2種或2種 以上的組合使用。 由結構式（12)所示的矽化合物並沒有特別的限定，並 且可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：甲基三氯矽 烷、乙基三氯矽烷、丙基三氯矽烷、異丙基三氯矽烷、丁 基三氯矽烷、第三丁基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、三氯矽 烷、曱基三氟矽烷、乙基三氟矽烷、三乙基氟矽烷、丙基 三氟矽烷、異丙基三氟矽烷、丁基三氟矽烷、第三丁基三 氟矽烷、苯基三氟矽烷、三氟矽烷、甲基三溴矽烷、乙基 三溴矽烷、丙基三溴矽烷、異丙基三溴矽烷、丁基三溴矽 烷、第三丁基三溴矽烷、苯基三溴矽烷、三溴矽烷及二溴 籲矽烷。這些化合物可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（13)所示的;ε夕化合物並沒有特別的限定，並 且可根據目的適當地選擇。其具體實例包括··二甲基二氯 石夕烧、二乙基二氯石夕烧、二丙基二氯石夕院、二異丙基二氯 矽烷、二丁基二氯矽烷、二第三丁基二氯矽烷、二苯基二 氯石夕炫、二甲基苯基氯矽烧、苯基乙基二氯矽烷、苯基丙 基二氯矽烷、苯基異丙基二氯矽烷、苯基丁基二氣石夕烷、 本基弟二丁基一氣砍院、苯基甲基二氯碎烧、二氯珍烧、 曱基二氯石夕烧、乙基二氯石夕烧、丙基二氣石夕垸、異丙基二 317589 51 1283897 ••氯矽烷、丁基二氯矽烷、第三丁基二氣矽烷、二苯基二氯 ^矽烷、二甲基二氟矽烷、二乙基二氟矽烷、二丙基二氟矽 烷、二異丙基二氟矽烷、二丁基二氟矽烷、二第三丁基二 氟矽烷、二苯基二氟矽烷、苯基甲基二氟矽烷、苯基乙基 二氟矽烷、苯基丙基二氟矽烷、苯基異丙基二氟矽烷、苯 基丁基二氟矽烷、苯基第三丁基二氟矽烷、二氟矽烷、甲 基二氟矽烷、乙基二氟矽烷、丙基二氟矽烷、異丙基二氟 矽烷、丁基二氟矽烷、第三丁基二氟矽烷、二苯基二氟矽 烷、二甲基二溴矽烷、二乙基二溴矽烷、二丙基二溴矽烷、 二異丙基二溴矽烷、二丁基二溴矽烷、二第三丁基二溴矽 烷、二苯基二溴矽烷、苯基甲基二溴矽烷、苯基乙基二溴 石夕烧、笨基丙基一溴石夕烧、苯基異丙基二溴石夕烧、苯基丁 基二溴矽烷、苯基第三丁基二溴矽烷、甲基二溴矽烷、乙 基二溴矽烷、丙基二溴矽烷、異丙基二溴矽烷、丁基二溴 矽烷、第三丁基二溴矽烷及二苯基二溴矽烷。這些化合物 籲可單獨或以2種或2種以上的組合使用。 由結構式（14)所示的石夕化合物並沒有特別的限定，並 且可根據目的適當地選擇。其具體實例包括：三甲基氯矽 烧、三乙基氯矽烧、三丙基氯矽烷、三異丙基氣矽烷、三 丁基氯矽烷、三第三丁基氯矽烷、三苯基氯矽烷、二笨基 甲基氯矽烷、二乙基苯基氯矽烧、二苯基乙基氯矽烧、二 丙基本基氣石夕烧、一本基丙基氯石夕烧、二異丙基苯基氯石夕 烧、一本基異丙基氣石夕烧、二丁基苯基氯石夕院、二丁基甲 基氣矽烷、二第三丁基苯基氯矽烷、二笨基第三丁基氣石夕 317589 52 1283897 •烧、單氣矽烷、曱基氯矽烷、乙基氯矽烷、丙基氯矽烷、 -異丙基氯矽烷、丁基氯矽烷、第三丁基氣矽烷、苯基氯矽 烷、甲基苯基氯矽烷、異丙基苯基氯矽烷、丁基苯基氯矽 垸、第三丁基苯基氯矽烷、三甲基氟矽烷、三丙基氟矽烷、 三異丙基氟矽烷、三丁基氟矽烷、三第三丁基氟矽烷、三 本基氟梦烧、二曱基苯基氟石夕烧、二苯基甲基版碎烧、二 乙基苯基氟矽烷、二苯基乙基氟矽烷、二丙基苯基氟矽烷、 謇二苯基丙基氟矽烷、二異丙基苯基氟矽烷、二苯基異丙基 氟石夕烧、二丁基苯基氟石夕烧、二丁基曱基氟石夕烧、二第三 丁基苯基氟矽烷、二苯基第三丁基氟矽烷、單氟矽烷、曱 基氟矽烷、乙基氟矽烷、丙基氟矽烷、異丙基氟矽烷、第 二丁基氟矽烷、丁基氟矽烷、苯基氟矽烷、甲基苯基氟矽 烷、乙基苯基氟矽烷、丙基苯基氟矽烷、異丙基苯基氟矽 烷、丁基苯基氟矽烷、第三丁基苯基氟矽烷、三甲基溴矽 烧、三乙基溴矽烷、三丙基溴矽烷、三異丙基溴矽烷、三 ⑩丁基演石夕院、三第三丁基溴矽烷、三苯基溴矽烷、二甲基 苯基演石夕烧、二苯基甲基溴矽烷、二乙基苯基溴矽烷、二 苯基乙基溴矽烷、二丙基笨基溴矽烷、二苯基丙基溴矽烷、 二異丙基笨基溴矽烷、二苯基異丙基溴矽烷、二丁基苯基 >臭石夕烧、二丁基曱基溴矽烷、二第三丁基苯基溴矽烷、二 苯基第二丁基溴矽烷、單溴矽烷、甲基溴矽烷、乙基溴矽 烧、丙基漠矽烷、異丙基溴矽烷、丁基溴矽烷、第三丁基 漠石夕烧、苯基溴矽烷、曱基苯基溴矽烷、乙基苯基溴矽烷、 丙基苯基 >臭矽烷、異丙基苯基溴矽烷、丁基苯基溴矽烷及 53 317^89 1283897 ’：三丁基苯基演矽烷。這些化合物皆可單獨或 •種以上的組合使用。 裡A 2 ㈣氧聚合物的合成方法，對於該反應條件等並 :寺別的限疋，並且該方法可根據目的 只要是至少-通式⑴至(3)所示的石夕化合物，與至少二 :4)至⑺所示的石夕化合物之水解縮合聚合反應即可。較： 地，以鹼或酸性水溶液作為觸媒。 該酸或驗性水溶液的pH並沒有特別的限定，並且可 根據=的而適當地選擇。較佳地，該溶液的pH為！至^ ^。 右該溶液的pH超過U，可能會有石夕氧烧鍵斷裂。 =或驗性水溶液並沒有特別的限定，Μ可根據目 ^適自地卿。其㈣包括氫氯酸、硝酸 石頁酸、草酸、順丁稀二酸、反丁婦二酸 夂= 化四甲基銨、氧化四乙基銨、氧 ^ 虱、虱氧 美始u , 巩化四丙基銨及氳氧化四丁 i:: :Γ: um hydr°xid ^ r =不要使用虱贶酸’因為可能會有矽氧烷鍵斷裂。 =水解縮合聚合反應中，該石夕化合物的共聚合比例 途：定，並且可根據該氧化㈣薄膜所欲的用 用二：：，擇。舉例來說’在化學機械 作為_膜之例子中，因為除了機械強 _佳=:==下方層的黏著層之需求， 罕乂1土為使用〗.5的共聚合比例，組合至少 至（3)所示㈣化合物，其骨架含有烴 工 該石夕氧聚合物耐化學藥品性及•氣性，與至m(4、） 317589 54 1283897 著Z)所不的矽化合物，其提供該矽氧聚合物機械強度及黏 ^一。更佳為使用1:2的共聚合比例組合結構綱與⑼ 及,—=化合物，其可提供具有更進一步改良的機械強度 及黏者性的矽氧聚合物。 作Ai在夕層配線構造的製程中，以該氧化梦系薄膜 二期間的硬質遮罩，或作為多層阻劑的中間層 合物相對於？上藉人由右適當地改變通式(4)至⑺所示的# 物耐^有煙或芳香族煙並且提供該石夕氧聚合 刻選擇性。之通式⑴至（3)所示的石夕化合物之量，而調整姓 之例:Hr該氧化石夕系薄膜作為多層阻劑的中間層 芊呈有-意:、防止光線反射的目的，較理想為使用並骨 木，、有方香族烴之矽化合物。或 :、月 入該石夕氧聚合物㈣氧院鍵之侧鏈。“為將方香知烴導 該，解縮合聚合反應的水解縮合條件並沒有特別的 (、’可根據目的而適當地選擇。反;*、、θ、 娜至啊，而且更理想為抑至6^應=較理想為 想為1至72小時，而且更理想為】。至48小;時間較理 -有機溶劑- 在使用該氧化石夕系薄膜形成材 的例子中，就薄膜形成的難易度來看，二2化石夕系薄膜 方式而形成該氧化石夕系薄膜，而且 由塗佈的 料較理想地包括有機溶劑。 夕糸薄膜形成材 317589 55 1283897 - 該有機溶劑並沒有特別的限 ..溶於其中即可，並且可根據目的而適:=合物可 及第：丁」 丙醇、異丙醇、丁醇、里丁醇 及弟一丁醇，酚類，例如酚、 ^ 酚、笨基酚、乙烯基酚、烯胳 酚、三乙酚、丙 己網、甲基異丁基嗣及甲Λ =\壬齡，g同類，例如環 纖維素及乙其㈣音.p ▲基嗣，纖維素類，例如甲基 戶I夂乙基緘維素，烴類，例如己 二醇類’例如丙二醇、丙二醇單甲基鍵，及：:=甲= -醋酸一可單獨或以2種或2種以上的二甲基 •其他的成分- 的效=沒有特別的限定’只要不會侵害本發明 的f果即可’並且可因應目的而適當地選擇。舉例= 可提供各種不同的習知添加物。 ]末說， 式⑴材料的其他成分含量，可因應通 Λ ( j至（7)所不的石夕化合物之類 適當地選擇。 Μ和3!’及有機溶劑等而 =本發明的氧化石夕系薄膜形成材 物，该石夕氧聚合物包含作為其結構一部分 氧 鍵、s卜CH3鍵及Si-CHj，其中χ表示G ^該石夕氧聚合物可藉由具有優越的耐_性^ 性之至少-通式⑴至（3)所示的魏合物，* :性之至少-通式⑷至⑺所示㈣化合物:水二3 口反應而製得。由此，该矽氧聚合物具有優異之耐蝕刻性、 317589 56 耐化學藥品性、耐溼 .說明之具有低介電黏著性的性質，而可形成以下 的氧化石夕系薄膜、本發明Z石夕系薄膜，其適用於本發明 體裝置之製造方法中。 "、夕層配線構造及本發明的半導 (氧化石夕系薄膜及其製造方法） 根據本發明的氧化石夕 “ ^ •化矽系薄膜之製造方法而穿得存馭可藉由根據本發明的氧 本發明的氧化石夕系薄膜:製 表面上塗佈本發明的氧化石夕 .在欲加工的 表面，並且視需要復包’、/ 、才料’及加熱欲加工的 之後’將透過本發明的氧 + 明，使本發明的氧化梦f 系溥朕之製造方法的說 系潯馭之細節釐清。 <塗佈製程> 佈在=:中上將本發明的氧化㈣、薄膜形成材料塗 法、帘塗法及到刀塗佈法等。：： = :、捏合機塗伟 效率等，較佳為旋塗法及浸料二2中，當考慮塗佈 於塗佈條件的實例，旋鏟 疋主法的例子中，關 分鐘，較佳為800 M/、轉迷度為100轉/分鐘至10，_轉/ 為_轉/分鐘至5,咖轉/分鐘，且塗佈時間為 317589 57 1283897 • 1秒至10分鐘’較佳為10秒至90秒。 欲加工的表面並沒有特別的限定 ，適當地選擇。在半導體/可根據目的而 中，該欲加工薄膜之例子 體實例包括例如石夕晶JJJ #其从土 q半導體基材的具 例如多孔性氧化“種不_氧化物薄膜及 透㈣ι·Μ 介電常數薄膜。 <加熱製程> 已塗佈於欲加工表面上之氧化石夕系 將 在加熱製程中 薄膜形成材料加熱 該加熱方法並沒有特別的限定 當地選擇。較科士说斗丄 且了根據目的而適 ..^ 使该有機溶劑乾燥並且烘烤哕Μ 糸溥膜形成材料。在此例中， /、烤4乳化石夕 物的側鏈及骨架之烴、# 、，二导入s亥矽氧聚合 焱方香族烴及其他之物的氧化。 例如溫度及氣氛等條件 佳地，該溫产為件了根據目的而適當地選擇。較 告概度為5〇c至400°C，更佳為8〇〇C至350t。 薄膜^ 為500或更低時’因為有機溶劑還殘留在該 =：Γ 無法獲得充分的強度，而當溫度超過_ 裂 。Μ石夕乳聚合物中可能會有側鍵及骨架的石夕-煙鍵斷 317589 58 1283897 存在或在減壓的情死 '氤氣。 /下進行。該惰性氣體的較佳實例包括 再者，戎氧化石夕季 形成的多孔性氧化石夕㈣之下方層係為例如’旋塗法所 佈該氧化石夕系薄膜^缚膜之例子中，該加熱製程可在塗 化石夕系薄膜上塗佈、溶劑乾燥以及在該多孔性氧 行。在此虱化矽系薄膜形成材料之後一次進 在此例子中，即設計成使該薄膜的成本降低。 <其他製程> 其他製程並沒有拉s，丨m 一 地選擇。j：實例包括圓、义疋，亚且可根據目的而適當 貝例匕括圖案形成製程。 該圖案形成製程係為了藉由 上述的塗佈f程及a &擇地曝光，並顯影由 成圖案。佈衣&及加熱製程所形成的氧切系薄媒，而形 該圖案形成製程可根據習 此外，就加速該反應來看，成方法而進行。 行烘烤處理。 " "5亥曝光與顯影之間進 接下來’將詳細地說明本發明的氧化石夕 方法。舉例來說，在該塗佈製程中， *艇之衣造 y:工的表面(舉例來說，例如多孔性氡化::在 電常數薄膜）上塗体本發明的氧化石夕系薄=额專低介 藉著在50至400t的溫度下加熱以乾燥气、:材料’並且 而形成該氧化石夕系薄膜。此外，若根據：：：圖：著烘烤 程曝光並且顯影所形成的氡化矽系薄 圖案形成裳 W、’將會形成具有所 317589 59 1283897 •欲形式的氧切㈣臈圖案。 本發明的氧化石夕系薄制 •種不同的領域。較佳地為可用錢方法可適當地用於各 石夕系薄膜製造中。 了用於下述說明之本發明的氧化 本發明的氧化石夕系薄膜在例 種不同的材料特徵方面並沒 V，構及大小等各 系薄膜包嫌述的彻合物即可可;=氧化梦 當地選擇。較佳地 、’且了根據目的而適 電常數、耐㈣!性、耐化學❹有下列的厚度、介 能夠用於多層配線構造:半= 且可:=、:::存在的方法並沒
Si-0-Si鍵、Si_CH 、子可猎由測量，例如、 # ^ ^ ^ ^ . 3鍵及Si-CHX鍵的吸收峰，並且藉由 析以確#有所有料些結構而朗。 據目的亥二匕ΓΙ'缚膜的形ί並沒有特別的限定’並且可根 成於敕個S選擇。該氧化石夕系薄膜的形式，係包括形 工表面上之純薄膜形式，及圖案化的形式。 包括:、將呈古專：形式的氧化矽系薄膜之形成方法之實例 ^ 奴加工的表面的基底材料浸在本發明的氧化 面= 料中，以形成該基底材料表面(欲加工的表 面）的整個表面的方法。 實例=具有圖案化形式的氧切系薄膜之形成方法之 317589 60 1283897 • ’ ㈣使用阻劑使欲加工的表面圖案化以I* 1形式’並且將該氧切㈣膜料如線 法；以及 ^ η 土饰在此處的方 在欲加工的表面上形成純轰 膜，塗佈阻割並使圖案化以且 气之乳化矽系薄 行座式或乾式韻刻的方法。 Λ _圖t ’接著進 該氧化石夕系薄膜的結構並沒有特別的限定 結二的而適當地選擇。舉例來說’其可為單層結構或= 案化形式各部分或=層二或多層結構，該圖 或可各別地不同。、、·。構各層的介電常數可為相同， 該氧化石夕系薄膜的大小並沒有 據目的而適當地選擇。舉例來說，若在二：，並且可根 半導體裝置等當中使用該氧 /夕i配線構造或 籲之半導體裝置大小一致。 系核，較佳為與所存在 據a系薄膜的厚度並沒有特別的限定，並且可# 半導體裝置; 厚度通常為1〇奈米至Γ微米其結構來看該 更佳為1。奈米至30。奈米。為至·奈米， 獲得有關於該阻劑圖案的㈣選=韻刻可能無法充分地 317589 61 1283897
. 該介電f數並沒有特別的限定，並且可㈣θ A .此外，該介電常數為:.1或更小。 形成金電極’使用介電量測裝置而利^亥乳化發系薄膜上 u .. ,, 根據目的而適當地選擇。麸& _ 蝕刻逮率將隨著氣體種類、 …、而，该 說，若以化/哪3氣體作為舉:㈣ 的蝕刻速率對該低介ff 〇⑦系薄膜 物崎率之比例，較佳;=至多 此外，該飾刻速率可測量如下。具.:0.0… 使用習知的蝕刻裝置蝕刻預定的時門二°取品精由 "亥巩化矽系薄膜的耐化學藥σ 定，並且可根據目的而適當地/又有特別的限 >量％的抑當中時的钱刻速率為、=在H 鐘。 不木/刀釦至100奈米/分 °亥氧化發系薄膜的耐澄力 可根據目的而適當地選兴^又有特別的限定，並且 膜靜置於室溫下一周 5兒，在將該氧化石夕系薄 (廳）伏特的AC電源之探針，以測量接^百萬赫兹 之例子中’該介電常數的變化，根據；：：㈣ =:系薄膜的臈厚度計算， 為0.2或更小。 Q J A更小，更佳 317589 62 1283897 一 X氧化㈣、薄膜的黏著性並沒有特別的限定 •根據目的而適去#、p 並且可 • Qua^ ? 強度，較佳為大方Γ f s的「Sebastian Five」）’測量該 本發明的氧化石夕系薄膜，因為低介 ^卡）。 有利地作A P緣a 免吊数的關係，可 tittm (μ 而且也可就其本身作為一般的低介電 上的保護物。特另t成於該低介電常數薄膜 u耐姓刻性、耐化;m的氧化梦系薄联具有優異 夠作為保護膜二氣性及黏著性，所以能 ::::為在下文二 乾式-二 的配線圖案。 了乂南精確度的方式形成精細 作優異的耐化學藥品性之氧化矽系薄臈，可適各地 二=機械研磨(CMP)期間的保護膜。在 濩那些不名人研磨的部分以外的那些 呆 磨得以進行。 糟乂使回精確研 的氧切㈣膜具有優異的耐關性
樂叩性及耐Μ氣性，及有利_著性。再者H 低介電常數而可提供較高的反應速度，因此，、有 較高反應速度之例如多層配線 W於需要 導雕“造及半導體積體電路之半 的;=裝:適於下列本發明的多層配線構造及本發明 317589 63 1283897 ‘（多層轉構造及其製造方法） ••薄膜本發明的多層配線構造至少包括本發明的氧化石夕系 本發明的多層配線構造之製造方法為 線構造之製造方法。該多層配 ；： 後匕括根據需要適當地選擇之其它製程。 後文中’將透過本發明的多層配線構造之f迭方车μ 5兄明使本發明的多層配線構造之細節楚清。㈣方去的 <氧化矽系薄膜形成製程> 在氧化石夕系薄膜形成製程中’在欲加 薄膜形成材料，然後力二= 面以形成該氧化矽系薄膜。 曰7衣 薄膜：：矽系薄膜形成製程可藉由本發明的氧化矽李 卜專膜之製造方法有利地進行。 乳化夕糸 如上:::有關該欲加工的表面、塗佈及其他之詳細說明 糸地選擇：法亚’又有特別的限定，並且可根據目的而適 系薄膜形成材料。在燥並且洪烤該氧化石夕 物的側鏈及骨架之烴、芳可抑制已經導入該石夕氧聚合 如；、四命 方日知烴及其他之物的氧化。 佳地，二r氛等條件可根據目的而適當地選擇。較 ^度為坑至崎，更佳為抓至35〇t。 317589 64 1283897 薄膜= 度為，C或更低時，因為有機溶劑還殘留” 。=:得充分的強度，而當溫度= 】。㈣乳聚合物令可能會有侧鏈及貪架”二 關於該氣氛，若加熱在 氣中的氧而提高介電常數。 存在或在減壓的情況下進行 氮氣。 空氣中進行，恐怕會攝取到空 因此，加熱較佳可在惰性氣體 口亥性氣體的較佳實例包括 ’Λ氧切系薄膜之下方層係為例如，旋塗法所 形成的溥膜（舉例夾筇 η 常數薄膜)之例子中:，力：：孔性氧切系薄膜之低介電 形成材料、溶劑乾心塗佈該氧化_膜 仆m, 及在该低介電常數薄膜上塗佈該氧 材料之後一次進行。在此例子中，即設計 成使该薄膜的成本降低。 <配線結構形成製程> 在配線形成製程中，形成配線結構。 田邊夕層配線構造形成時，該配線結構形成製程較佳 為包括其他可適當地選擇之製程，例如貫穿導孔形成製程 及導體鍍覆製程。 •貫穿導孔形成製程- 在貝牙導孔形成製程中，形成貫穿導孔以連結到該欲 加工的表面上所形成之氧化石夕系、薄膜最上層處形成的配 65 317589 1283897 線。 藉著在該貫穿導孔的部分上照射適當曝光量的雷射 光束’而進行該貫穿導孔之形成。 “違雷射光束並沒有特別的限定並且可根據目的而適 當地選擇，舉例來說，可列舉二氧化碳氣體雷射、準分子 雷射或YAG雷射等。 -導體錢覆製程_ 在‘體鍍覆製程中，藉著在該欲加工的表面上所形成 的氧化秒系薄膜整個表面上塗佈作為配線前驅物的導體而 形成導體鍍覆層。 ^ ^體鍍後可藉著使用例如非電解鑛覆或電解鍍覆 等普通鍍覆方法而進行。
藉由钱刻該導體鍍覆製程所形成的導體鍍覆層以具 有所奴的配線圖案，而完成該配線結構之形成。 該蝕刻方法並沒有特別的限定，並且可根據目的而適 田地k擇，並且可使用普通的蝕刻方法。 5亥配線結構藉由上述的製程形成。 .办^複°亥氧化矽系薄膜形成製程及配線形成製程（包括 二：=孔形，製程及導體錢覆製程)所需的製程系列，使得 。衣化^有向電路集積度的多層配線構造。 本么月的多層配線構造之製造方法可適當地用於各 西二：的湏域。特別是其適用於後文提供之本發明的多層 配線構造的製造。 夕嘈 66 317589 1283897 本發明的多層配線構造具有優異的耐蝕刻性、耐化風 藥品性、耐溼氣性及黏著性，並且包括具有低介電常數2 本發明的氧化矽系薄膜，在該低介電常數薄膜上，可降低 寄生電容並可提高訊號傳導速度，使其有利於二， 應速度的半導體裝置，例如半導體積體電料，而 適用於如下述之本發明的半導體裝置。
(半導體裝置及其製造方法） = 月的半導體裝置包括作為層間絕 以=面上所形成的保護膜之本發明的氧切物間 導體裝置之萝诰方氺，I κ ^ 為上述本發明的半 及圖案化f程，。及=匕括氧化m膜形成製程 :，，以及根據需要適當地選 後文中，將透過本發明的半導 7衣知 明’使本發明的半導體裝置之細節釐清。衣造方法的說 <氧化矽系薄膜形成製程> 在氧化矽系薄膜形成製程中 薄膜形成材料，在該欲加工的表面上:成^^ 再者，該欲加工的表面、該梟成/亥氧化石夕系薄膜。 其他之細節如上述。 石系薄膜形成材料及 在該氧化矽系薄膜形成 f面上塗佈本發明的氧切心膜开;較佳地，在欲加工的 欲加工的表面，其可根據本、:成材科，然後加熱該 勺孔化矽系薄膜製造方法 317589 67 1283897 :而適當地進行。再者，塗佈的方法如本發 •膜製造方法之解釋内容所述。 矽系薄 . 該加熱方法並沒有特別的限定，並且可根據目& 當地選擇。較佳地，使該有機溶劑乾燥並且供而適 系薄膜形成材料。在此例中，可抑= 物的侧鍵及骨架之煙、芳香族烴及其他之物的Μ I 例如溫度及氣氛等條件可根據目擇 佳地，該溫度為卿至靖，更佳為_至。較 當該溫度為5(TC或更低時，因為有機溶 薄膜中’所以可能無法獲得充分 二在： 裂C時’”氧聚靖可能會有側鏈及骨架：： 關，該氣氛，若加熱在空氣中進行，恐怕會攝 軋中的乳而提高介電常數。因此 工 存在或在減壓的情況·彳-^…奴佺了在惰性氣體 氮氣。 _性氣體的較佳實例包括 再者，該氧切系薄膜之τ方層係為例如 =咖(舉例來說，例如多孔性氧切系薄膜之;介電斤 賴）之例子中’該加熱製程可在塗佈該氧化石夕系薄臈 形成材料、溶劑乾燥以及在該低介電常數薄膜上塗佈該氧 化石夕系薄卿成材狀後—錢行。在_子巾= 成使該薄膜的成本降低。 圖案化製程> 317589 68 1283897 '所製:藉由使用由氧化矽系薄膜形成製程 '加工的表=賴作為"刻遞罩祕刻的方式，使欲 顯影佳地，在藉由選擇性地曝先並 成的圖案而進行钱刻。 〇茶後糟者使用所形 案：根據習知的圖案化方法予以形成。 1行烘烤處理就促進該反應來看，可在該曝光與顯影之間進 當地選:刻有限定，並且可根據目的而適 當的實例。因為太㈣ 乾式敍刻與座式飯刻作為適 性、耐化學華=的氧切系薄膜具有優異的耐韻刻 可以，氣性及與下方層之黏著性，所以 J以回精確度的方式進行圖案化。 7 <其他製程> 其他的製程並沒有特別的限^，並 當地=線，列舉配線、纟_成製程作= 其細;形成配 重複該氧化=::::之解釋内容所提供的。 構形成製程⑽前料製程及配線結 程）所需的製程系列，可製、形成製程及導體鑛覆製 配線構造的半導體裝置。 >、问電路集積度之具有多層 317589 69 1283897 中 本鲞明的半導體裝置之實例將對照圖形解釋於後文 ^本發明的半導體裝置可例如下列方法製得。首先，如 f 1A圖所不，在秒晶圓1上形成電晶體，其具有源極擴 放層5a、>及極擴散層％及側壁絕緣膜3並且由元件間分 隔開接著，如第1B圖所示，在該矽晶圓丨上形 =間絕緣膜6⑽玻璃）及阻擋膜7(沉），_形成供引 且=的接觸孔。如第lc圖所示，在藉由_鑛的方式形 =奈米厚度之阻障膜8(TiN)後，藉著混合W氣 吉^轧、，且進仃逷原，而將鎢（W)導體插塞9 (毯覆式） ==觸孔以形成導孔’並且藉化學機械研磨(⑽)的 方式移除5亥導孔以外的部分。 再者’如第1D圖所示’在形成有導孔的阻播膜7上 =成^有3〇奈米厚度之Sic:〇:H薄膜ι〇，並且在 =:V6:奈米厚度之多孔性氧化㈣薄膜㈣電 吊數相’輯隔離料膜）u，並且❹本發明 矽糸涛膑形成材料’在該多孔性氧化矽 30奈米厚度之本發明的氧化石夕系薄膜12。再者，ζ成具有 圖=不’使用具有ΠΚ)奈米的配線寬度及_ :弟一配線層圖案以作為遮罩的阻劑層，利用作；來;： 的C_3氣體之”襞方法處理該氧:二= 法在溝中槽。接著，如第巧圖所示，藉由替 (…防止該配線材料(銅)擴散; 317589 70 1283897 膜11中。接下來，藉由濺鍍法在該配線溝槽中所形成的阻 *障膜13表面上形成具有1〇奈米厚度之晶種層㈣，其於 電解鑛覆時作為電極。接下來，藉由電解㈣沈積具有_ 奈米厚度之銅配線14(Cu)，然後藉由化學機械研磨（C 移，配線圖案部分以外的銅。接著，在該銅配線叫叫上 ==_薄膜構成的具有3〇奈米厚度之阻擋膜(擴 =二因此形成第-配線層(銅)。在此，藉著使用 止_，以防止該配線材料（銅)方擴mm膜(擴散防 薄膜11内。 凡、月文旬该夕孔性氧化矽系 接下來，如第1(}圖所示， 上形成具有180夺乎厚卢之夕"〆擋胰(擴散防止膜”5 常數薄膜;配線隔; ^發明的氧切系薄膜 ：：著，藉著使 膜16上形成具有30奈米厚度二祕氣化石夕系薄 > 17。再者，如第IH圖所示，在該x、的乳化石夕系薄膜 具有30奈米厚度之多孔性氧化： '石九系薄臈17上形成 二且藉著使用本發明的氧化電常數薄 圖案的阻障層，在:::緣為遮草之具有導孔 用作為來源材料的CF4/CH體、孔。具體而言，利 變氣體組成及屢力，依序處理氧^之F電漿方法，並且改 化石夕系薄膜18、氧化以_】7 =薄膜19、多孔性氧 及夕孔性氧化矽系薄膜 ^1 icon 1283897 6接下末使用作為遮罩之第二配線層圖案的阻劑層， ，藉由CFVCHF3氣體之F電漿方法形成配線溝槽。然後， 如第1J圖所示，藉由濺鍍法在該導孔及配線溝槽中形成具 有10不米厚度之阻障膜（TaN) 2〇，以防止該配線材料（銅） 擴散到該多孔性氧化石夕系薄膜㈣。接下來，在該配線溝 才曰中所形成的阻障膜2G表面上形成具有1G奈来厚度之晶 種層（Cu)，其於電解鍍覆時作為電極。接下來，藉由電解 鍵復法沈積具有奈米厚度之銅配線叫叫，铁後夢 由化學機械研磨（CMP)移除配線圖案部分以外的銅。^ 二所示，藉電聚CVD方法形成具有％奈求 二 。：H薄膜22，因此形成第二導孔及配線層 孔及第二導孔及配線層之相同方法形成第三導 之且有m由此可製造相當於本發明多層配線構造 /、有弟二層銅配線結構之半導體裝置。 I 本發明的半導體裝置之製造方法可適當 多層配線構造的半導體裝置之製造中 造高性能半導體褒置，以達 者’可有效地製 間電容降低白… 違到配線阻抗降低及寄生的配線 導體裝置的萝迕方沬蛀5丨* 矛净逑度间速增加。該半 膜箄之太八 適於具有作為層間絕緣膜或佯蠖 膑寻之本料的氧切次㈣ 本發明的车道挪壯 千呤粗破置的製造。 絕緣膜表面上形成作為保護膜之本發明的=上或該層間 該氧化矽系薄膜ώ 4 勺乳化矽系薄膜， 版猎由使用本發明的氧化石夕系薄膜形成材料 317589 72 1283897 而形成。本發明的氧化 使用該氧切㈣隸具有低介電常數。因此， 時，可勢彳曰且士、'、作為半¥體裝置當中的層間絕緣膜 降低及度及高速度並μ夠達到配線阻抗 異之=:線::容降低，同時各層之間的絕緣性優 刻性、耐夕咖具有優異的耐姓 * :、 耐溼軋性及黏著性。因此，使用該 1線。系相作為保護膜時，可保護該層間絕緣並且形，成
，快閃 ;立本么日月的半導體裝置特別適合作為，舉例來說 d k、體、DRAM、FRAM或MOS電晶體等。 (實施例） 然而，本發明並不限於 以下將說明本發明的實施例 下列的實施例。 實施例1至27 _ -氧化矽系薄膜形成材料之製備— 在4嘴燒瓶中，分別地依表1至3所示的量倒入！ 雙（二甲基乙氧基矽烷基）乙烷（1，2-DMESE)及1，4_雙（二甲 基乙氧基矽烷基）苯（1，4-DMESB)，其係結構式（3)所示的矽 化合物；四乙氧基矽烷（TEOS)，其係結構式（4)所示的矽化 合物；及甲基三乙氧基矽烷（MTEOS)及苯基三乙氧基石夕燒 (PTEOS)，其係結構式（5)所示的矽化合物；500 ppm的硝 酸水溶液；及作為有機溶劑的丙二醇單曱基醚，並且在5〇 °C下進行水解縮合聚合反應，歷經2小時，藉以製備該氧^ 317589 73 1283897 ‘化矽系薄膜形成材料。 製造氧化矽系薄膜_ 糟者在l500轉/分鐘之旋轉速度下旋塗1分鐘的方 圓上塗佈’以製得具有1微米厚度之各氧化 t-产下二 接下來，將各矽晶圓放置在設定於150 板上’在氮氣氣氛仙下使該有機溶劑乾 二？鐘:再者’藉著使用設定於峨溫度下的電熱丄乾 在氮氣氣氛作用下择嫂久^ 矽系薄膜。 /、烤各矽曰曰回30分鐘，藉以製造該氧化 :由紅外線光譜分析證實由此製 當中的矽氧聚合物之存在。第链一〜 7糸潯膜 系薄膜告中心入从 圖顯不貫施例1的氧化石夕 的氧化“，=二且，。根據第2圖，可證實實施例】 心=;:=:vs::。—Si 鍵、Si^ >全部這些結構⑲氧聚合物。4切以膜包括具有 <介電常數之測量> 在由此製得之各氧化石夕系薄膜上 電極’接著藉由使用連接至"百萬赫=直徑的金 源之探針測量電容。根據測得的 =的AC電 電紫數。結果顯示於表】至3尹。 ^寻m厚度計算介 <黏著性之測量> 在矽基材Jl形❹孔性氡切 m(低介電常數薄 317589 1283897 膜由 Shokubai Kasei 所製造的「Celamate NCS」）。接著， 稭著在1，500轉/分鐘下旋塗i分鐘的方式，在該矽基材上 分別地塗佈實施例〗至27之氧化矽系薄膜形成材料以具有 微米的厚度。接下來，將各矽基材放置在設定於 二μ ^:的加熱板上，在氮氣氣氛作用下使該有機溶劑乾 、木3刀|里。再者，藉著使用設定於4〇〇〇c溫 錢氣氣氛作用下棋烤切晶圓3〇分鐘，藉以製具 ，t::矽ί薄膜及層疊著該氧化矽系薄膜之多孔性氧化矽 糸涛的豐層。 〇二1由此製得之各疊層，使用黏著強度量測設備(由 ? d木，所製造的「心―打〜」），測量對該多孔性 r至及氧切系薄膜的黏著強度。結果顯示於表 <姓刻速率之測量> 籲I田Γ由利用作為來源材料的CF4/CHF3氣體之F電漿對 ==式㈣]，並且測量該多孔性心 氧化石夕糸缚膜的餘刻速率。結果顯示於表！至3中。 <耐蝕刻性之評估> 度400奈米的，27的虱化矽系薄膜形成材料而形成厚 且使該氧化二膜。使用^阻劑，藉由曝光並 、心、〜’而在各氧化矽系薄膜上形成具 317589 75 1283897 :有200奈米間距的配線圖案。接著’使用掃描 •鏡（SEM)(由Hitachi股份有限公司製造）觀察 子= 膜的截面以證明該阻劑圖案的形式。結果：示：表了2 接下來，藉由利用作為來源材料的CF4/ch =對Γ:具有良好阻劑圖案的氧切系薄膜:行乾 ，，並且藉由廳分別地測量該钱刻偏 丁乾
shlft amount)。結果顯示於表】至3中。 g =，該_偏移量表示與財_大小相 钱刻大小的位移量。 只1不 <耐化學藥品性及耐溼氣性之評估〉 〜質量％的職刻該氧切系薄膜時，藉由測 速率而進行耐化學藥品性的評估。明確地說 ^ , m 夕糸/專胰形成材料以具有1 ^ 7基材放置在設定於15〇t溫 度下的加熱板上，在氮氣氣氛作 ,v - ^ ^ ^ U F州卜便該有機溶劑乾燥3 刀1里再者，糟者使用設定於4〇(rc、、西痄 ϋ ^ ^ 〇3 L/JHL度下的電熱爐，在 亂轨乳風作用下供烤各發基材3 系薄膜。接著將上面形成氧化石Μ ^錯形成该乳化石夕 質量％的HF中1分鐘H薄膜之各發基材浸在〇.5 的笼膜旦％#» 亚進行溼式蝕刻，藉由測量減少 的，專版里而计异該|虫刻速率。 刻里測Π亥虱化矽系薄膜形成之後與靜置7天之後的 317589 76 ⑽3897 -·介電常數之間的介電常數變化，、
-一J_\ ^ \ J \ ^ 3 \ 3 *(在該氧化矽系薄膜一形成之後的介電常數）
，•估。明確地說，以上述耐化學藥品=行該耐澄氣性的評 用實施例1至27的氧化矽系膣：坪估之相同方式，使 的氧化石夕系薄膜。等各氧化㈣料形们別奈米厚 後，使用連接到i百萬赫兹在室溫下靜置7天之 量電容。根據測得的電容及，气/寻的AC電源之探針測 介電常數'结果顯示於系薄膜的膜厚度計算 表j I **(靜置7天之後的介電常數） ***(氧化矽系薄膜對多孔性氧化矽系薄膜的比例） 77 317589 1283897 •表2
月置7天之後的介電常數） ，氧切系薄膜對多孔性氧切系薄膜的比例） 317589 78 1283897 表3 , ^施例編號 rT2-DMESE(^^T，a
*(在該氧化矽系薄膜一形成之後的介電常數） *(靜置7天之後的介電常數） 氺 氺氺 *(氧化石夕系薄膜對多孔性氧化石夕系薄膜的比例） 至3的結果，可發現由實施 石夕系薄膜形成材料所萝点之夂气各主27的乳化 當鲂P a 乳切㈣臈都具有低介雷 卩使㈣7天之後也不會使介電常 異的耐溼氣性、耐化 欠具有優 刻性(崎率比)，具有:二二=的耐敍 具有良好的黏著強度。 、^ ^，並且 比較實施例1至 317589 79 1283897 •’ 11由實施例1之相同方法製備該氧化矽系薄膜形成材 ，·料而製造比較實施例的氧化石夕系薄膜，但是依表4所示的 量使用下列（a)與（b)其中之一者， ⑷1，2-雙（二甲基乙氧基石夕统基）乙郎，2_讓咖)及 雙（二？基乙氧基我基）苯（M_DMESB)，其係結構 (3)所示的矽化合物，以及 ⑻，乙氧基錢（TE0S)，其係結構式⑷所示的石夕化 &物；及^基三乙氧基㈣（MTEQS)及苯基三乙氧基石夕炫 (PTEOS) ’其係結構式（5)所示的石夕化合物其中之至少一 者， :且未進行水解縮合聚合反應。再者，依實施例丨之相同 去㈣各^氧切系薄膜的特徵。結果顯示於表4中。 此外藉由紅外線光譜分析證實由此製得的氧化 二寻膜當中的：氧聚合物之存在。第2圖顯示比較實施例4 每mt溥膜當中的聚合物組成。根據第2 ® ’無法證 又只鈀例4的氧化石夕系薄膜當中存在 务=H3鍵及SbCHx鍵，並且可發現比較實施例4的氧 糸薄膜未包括具有這些結構全部㈣氧聚合物。 317589 80 1283897 表4 實施例編號 1，2-DMESE(莫耳） 1 2 3 7 5 6 7 1.2 8 - - 1，4-DMESB(莫耳） - - - - • • • 0.2 TEOS(莫耳） 0.2 - - 0.1 0.1 .- • • MTEOS(莫耳） - 0.2 - 0.1 • 0.1 • PTEOS(^^y~… - - 0.2 _ 0.1 0.1 錐 500ppm硝酸溶液（草耳、 0.8 0.6 0.6 0.7 0.7 0.6 0.7 0.7 PGMEA(克） 200 200 200 3〇〇 200 200 200 200 介電常數* 4.8 3.2 3.~ 4.1 3.9 3.3 2.7 2.8 耐溼氣性** 5.6 3.8 3.3 4.3 4.2 3.4 2.7 2.9 耐化學藥 -721 -436 •332 -530 -480 -392 -211 -134 一黏著強度（公斤/平方亳米） >600 >600 520 480 440 330 260 190 名虫刻速率* * * 1:1 1:1 1:2 1:1 1:1 1:2 1:15 1:15 阻劑形式 名+友||彳全教旦/ 士 b-- 圖案 崩塌 圖案 崩塌 良好 圖案 崩塌 良好 良好 良好 良好 挪发獨移置（奈釆） 21 15 6 14 12 8 未開 未開 ......*人w v " 电巾妖； **(靜置7天之後的介電常數） (氧化矽系薄膜對多孔性氧化矽系薄膜的比例）
由表4的結果’可見到由比較實施例1至8的氧化石夕 赵缚膜形成材料所製成之各氧切 都 耐渥氣性、+ 5 提高該介電常數，具有不良的 (餘刻、#农w學樂品性及帶有纟姓刻偏移量的耐餘刻性 “比）’對於抗溼式及乾式蝕刻具有低的耐性，i 且具有低的黏著強度。 並 實施例28至54 ，夕系薄膜形成材料之製備 317589 81 1283897 • 在4嘴燒瓶中，分別地依表5至7所示的量倒入u- .雙（二甲基氣矽烷基）乙烷（1，2-DMCSE)及1，4-雙（二甲基氯 矽烷基）苯（1，4-DMCSB)，其係結構式（1〇)所示的矽化合 物；四氯矽烷（TCS)，其係結構式（11)所示的矽化合物；甲 基二氯矽烷（MTCS)及苯基三氯矽烷（PTCS)，其係結構弋 (12)所示的矽化合物；5〇〇ppm的硝酸水溶液/及作:有二 溶劑的丙二醇單甲基鍵，並且在耽下進行水解縮合聚人 ^反應，餘2小時，藉以製備該氧化石夕系薄膜形成材料: 以貫施例i之相同方法，使用所獲得之氧化石夕 形成材料製造實施例28至54的氧化石夕系_ ^螟 其各別的結果同樣地顯示於表5至7中。、勺特徵，將 此外，藉由紅外線光譜分析證實由 薄膜當中的石夕氧聚合物之存在。第2圖顧Λ乳化石夕系 :糸仏中的聚合物組成。根據 ：的氧 1 :28的氧切系薄膜當中存在CHX、S二："實實施 ，Si_CHx鍵，並且可發現實施例28的氧化 括具有這些結構全部的石夕氧聚合物。 夕糸薄膜包 82 1283897 表5
"(靜置Λ糸薄膜—形成之後的介電常數） 天之後的介電常數） ^石夕系薄膜對多孔性氧切系薄膜的比例） 317589 83 1283897 表6 實施例編號 37 38 39 40 41 42 43 44 45 1，2-DMCSE(莫耳） 1，4-DMCSB(莫耳） ~~TCS(莫耳)~^ MTCS(莫耳） PTCS(莫耳） l〇Oppm硝酸溶运7 (莫耳） PGMEA(克） +介電常數* 耐澄氣性* * 耐化學藥品性 (奈米/分鐘） 黏著強度 0.1 0.1 0.7 200 2.8 2.8 -25 >600 0.1 0.1 0.6 200 2.7 2.7 •12 >600 0.1 0.1 0.6 200 2.7 2.7 -12 >600 0.15 0.05 0.6 200 2.6 2.6 -19 >600 0.15 0.05 0.5 200 2.7 2.7 •13 >600 0.15 0.05 0.5 200 2.7 2.7 18 >600 0.1 0.1 0.1 0.05 0.05 0.6 200 2.6 2.6 •15 >600 钱刻速率 *(二:亥：化矽系薄膜-形成之後的介砰置7天之後的介電常數） (氧化石夕系薄膜對多 ^ 「乳化矽系溥膜的比例） 0.05 0.05 0.6 200 2.7 •15 >600 ~ΪΪ3 良好 0.05 0.05 0.5 200— 2.7 -13 >600 ΎΪ3 良好 Τ
317589 84 1283897
•表7 _ 實施例編號 1，2-DMCSE(莫耳、 46 0.05 47 48 49 50 51 52 53 54 0.05 0.05 0.075 0.075 0.075 0.05 0.05 0.05 1，4-DMCSB(^^~ 0.05 0.05 0.05 0.075 0.075 0.075 0.05 0.05 0.05 __TCS(^Y^— 0.1 - • 0.05 _ _ 0.05 0.05 MTCS(莫耳3 • 0.1 細 0.05 靡 0.05 0.05 - - 0.1 0.05 麵 0.05 0.05 500ppm 硝酸— — 0.7 0.6 0.6 0.5 0.5 0.5 0.7 0.7 0.6 __PGMEA(克、 200 200 200 200 200 200 200 200 200 介電常數* 2.7 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 耐座氣性** jrL· >1 二~" -- 2.7 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 耐化學樂品性 (奈米/分鐘） -27 -14 -18 •24 -18 -29 -21 -25 -18 黏者強度 (公斤/平方毫来、 >600 >600 >600 >600 >600 >600 >600 >600 >600 钱刻速率*** ~~ 1:4 良好 1:4 良好 1:5 良好 1:4 1:4 良好 1:5 良好 1:4 良好 1:4 良好 1:4 良好 ~,置（奈米 1 *(在該氧化矽系: * * 〆 士金 rgl prnm (靜置7天之後 LX] 薄膜， ‘的介 L_2_ 一形、 k電常 LA. 成之: .數） 2 2 介電』 Laj 常數) 2 丨 2 LiJ 氧化n薄膜對多孔性氧切系薄膜的比例） 由者由表5至7的結果’可發現與實施例1至27相同， 化：ΓΓ8至54的氧化石夕系薄膜形成材料所製成之各氧 具有低介電常數，即使經過7天之後也不會 帶有小異的耐渥氣性、耐化學藥品性及 及乾式二Γ:_性(钱刻速率比)，具有抗渥式 j的耐性，並且具有良好的黏著強度。 比較實施例9至16 317589 85 1283897 •藉由實施例28之相同方法製備該氧 r 乳化矽糸溥膜形成 ‘材料而製造比較貫施例9至16的氧化石夕系薄膜，但是依表 8所示的量使用下列（a)與（b)其中之一者， ⑷1，2·雙（二甲基氯石夕烧基）乙燒^加批叫及】* 雙（二甲基氯魏基）苯（1，4_DMCSB)，其係結構式⑽所示 的石夕化合物，以及 (_b)四氯矽烷（TCS)，其係結構式（11)所示的矽化合物； 甲基三氯㈣（MTCS)及苯基三氯我（pTCs)，其係結構式 (12)所示的石夕化合物，其中之至少一者， 而且未進行水解縮合聚合反應。再者，依實施例丨之相同 方法评估各：氧化矽系薄膜的特徵。結果顯示於表8中。 此外，错由紅外線光譜分析證實由此製得的氧化石夕系 當中的矽氧聚合物之存在。第2圖顯示比較實施例u 奋：:匕矽系薄膜當中的聚合物組成。根據第頂’無法證 二比較實施例12的氧切系薄臈當中存在CHx、Si-〇-Si 梟、Sl:CH3鍵及Si-CHx鍵’並且可發現比較實施例12的 石夕糸薄膜未包括具有這些結構全部㈣氧聚合物。 317589 86 1283897 •表8 ____ 貫施例編號 1，2-DMCS 瓦1"^- 9 10 11 12 13 14 15 16 - - 麵 0.2 - 194-DMCSB(^1 _ • - _ 細 - 0.2 TCS(M^) 0.2 - - 0.1 0.1 一 塞 - MTCS(莫耳） - 0.2 0.1 一 0.1 - 瓣 PTcsdlfi - 0.2 - 0.1 0.1 - - 500ppm硝酸溶液（莫耳） 0.8 0.6 0.6 0.7 0.7 0.6 0.7 0.7 200 200 200 200 200 200 3.4— 200 2.7 200 介電常妻Θ ~ 4.8 3.3 3.2 4.1 3~ 2.8 耐渔氣性* * 5.6 3.5 3.4 4.6 3.8 3.5 3.0 3.0 耐化學藥品性(奈米/分鏟、 -721 -436 -332 -530 •480 -392 -211 -134 黏著強度（公斤/平方奎来、 >600 >600 520 480 440 330 260 190 姓刻速率* * * 1:1 1:1 1:2 1:1 1:1 1:2 1:15 1:15 阻劑形式 圖案 崩塌 圖案 崩塌 良好 圖案 崩塌 良好 良好 良好 良好 蚀刻偏移量（奈米） 18 16 8 12 10 6 未開 未開 氺 (靜置7天之後的介電常數） 氺氺 *(氧化碎系薄膜對多孔性氧切㈣膜的比例）
μ^ 的結果’可發現與比較實施例1至8相同，由 比較貫：例9至16的氧化石夕系薄膜形成材料所製 化矽糸溥扠都具有高介電常數 高該介電常數，罝;ρ μ + 天之後更進一步提 古… 的耐淫氣性、耐化學華”… 有大钱刻偏移量的耐㈣刻速率 :一生及可 乾式蝕刻具有低的耐性， 抗滢式及 ，、有低的黏著強度。 實施例5 5 _多層配線構造及半導體裝置之製造 3J7589 87 1283897 - 本杳月的夕層配線構造及半導體裝置係製造如下。首 穿先士第1A圖所示，在矽晶圓丨上形成電晶體，其具有 源極擴散層5a、没極擴散層5b及側壁絕緣膜3並且由元 件間刀隔膜2隔開。接著，如第1B圖所示，在該矽晶圓^ 上开/成層間絕緣膜6 (麟玻璃）及阻擒膜7⑸C)，然後形 2引用電極的接觸孔。如第lc圖所示，在藉由賤鑛的方 式形，具有50奈米的厚度之阻障膜町叫後，藉著混合 • :F6乱體及氫I並且進行還原，將鶴（W)導體插塞9 (毯覆 二匕/接觸孔以形成導孔’並且藉化學機械研磨(CMP) 的方式移除該導孔以外的部分。
再者’如第1D圖所示，在形成有導 形成=有3〇奈米厚度之Sic:〇:H薄膜iq，並二J 有：奈米厚度之多孔性氧切系薄膜㈣電 ㊉數4膜，配線隔離絕緣膜 化石夕系薄膜形成材料，在今〜，『使用貝㈣1的乳 有⑽太^^ &乡祕氧切㈣膜上形成具 使用具有_奈米的配線寬度及⑽纟米^隔之S所一不 線層圖案之作為遮罩的阻劑層， - cf4/chf3氣體之F電嘴 乍為來源材料的 形成配線溝槽。接著，：第系薄膜]2’以 配線溝样中开Ml士 ¥ 1F圖所不’藉由濺鍍法在該 配線私t形成具有1G奈米厚度之阻 止該配線㈣（鋼）擴散賴多孔性氧化、（=二 上形成具有10奈米厚度之曰成的阻障膜13表面 子度之曰曰種層叫其於電解鍍覆時作 317589 88 ψ
1283897 為電極。接下來，藉由電解鍍覆沈積具有600奈米厚度之 銅配線14(Cu)，然後藉由化學機械研磨（CMp)移除配線圖 案部分以外的銅。接著，在該銅配線14(Cu)上形成由sic ·· 〇 ·· H薄膜構成的具有30奈米厚度之阻播膜（擴散防止膜) 〆此形成第一配線層（銅）。在此，藉著使用矽烷氣體 及氨乱’由電t CVD方法形成該阻播膜（擴散防止膜）15， 乂防止該配線材料（鋼）擴散到該多孔性氧化石夕系薄膜11 上弗ΪΖΐ，如第1G圖所示’在該阻擋膜(擴散防止膜)15 常數i膜.二0奈米厚度之多孔性氧化矽系薄膜(低介電 配線隔離絕緣膜，_膜”6。接著 奈米厚度之多孔性氧tt / 膜17上形成具有160 且藉著使用實施例 之材料形成氧切㈣膜19。糸相W具有3G奈米厚度 然後’如第11圖所 + 圖案的轉層，在這此料=❹作為遮罩之具有導孔 c；；CHF ° 5 變氣體組成及麗力，依序處理㈣方法，並且改 化矽系薄膜18、氧化二：:匕矽糸溥膜19、多孔性氧 L6。接下來，使用作為^之第多隸氧切系薄膜 …匕/咖3氣體之F電㈣法阻劑層， 317589 89 1283897 ”如第1 j圖所示，藉由濺鍍法在該導孔及配線溝槽中形成具 ，有10奈米厚度之阻障膜（TaN) 20，以防止該配線材料（鋼、) 擴散到該多孔性氧化矽系薄膜〗8内。接下來，在該配線溝 槽中所形成的阻障膜20表面上形成具有1〇奈米厚度之晶 種層（Cu)，其於電解鍍覆時作為電極。接下來，藉由電解 鍍復法沈積具有1，4〇〇奈米厚度之銅配線21 (Cu)，铁後藉 由化學機械研磨（CMP)移除配線圖案部分以外的銅'。^ I ^ ’如第·ικ圖所示，藉電漿CVD方法形成具有3〇奈米 厚度之SiC · 〇 · η薄膜22，因此形成第二導孔及配線層 : 述苐—‘孔及配線層之相同方法形成第三導 孔及配線層（銅），由此可製造相當於本發明多層配線構造 之具有第三層銅配線結構之半導體裝置。
一衣曰’、依串聯的方式提供導孔及銅配線。連續導孔 的產置為91%。再者，柄诚成 ^ 考根據層間電容計算有效介電常數為 •再者，在20(TC的高溫下靜置3，_小時之後，利用 阻抗量測設備（由美 Πττι_ 夷國科技公司所製造的 「HP4284A」）測量西？绐RB > θ -、本阻杬，顯示無阻抗提高的現象。 實施例5 6 ’藉由形成氧化石夕系薄膜12、 多層配線構造及半導體裝置， 糸薄膜形成材料取代實施例1 依實施例55之相同方法 17及19而製造實施例5 6的 但是藉由實施例28的氧化石夕 317589 90 1283897 的氧化矽系薄膜形成材料。 製造一百萬個具有連續導孔之實施例56的半導體裝 置，其中依串聯的方式提供導孔及銅配線。連續導孔的產 量為96%。再者，根據層間電容計算有效介電常數為2.55。 ，者’在2GGC的高溫下靜置3,刪小時之後，利用阻抗 里測設備（由美國Agilent科技公司所製造的「Hp4284A」） 測量配線阻抗，顯示無阻抗提高的現象。 比較實施例17 依貫施例55之相同方法，藉由形成氧化矽系薄膜 17及19而製造比較實施例17的多層配線構造及 二;由咐施例1的氧― 只轭例1的氧化矽系薄膜形成材料。 【造：：萬個具有連續導孔之比較實施例17的半導 、旦’、中依串聯的方式提供導孔及銅配線。連 的產里為34%。再者，根據層間電容 2.55’非常的高。再者，在辑的高溫下靜置；數^ ^利用阻抗量測設備(由美國Α ’ :： 的「_Α」)測量配線阻抗，顯示有阻抗二:所參造 本發明可克服相關技藝的問題， ：有現象。 ❹刻性、对化學藥品性、㈣性及低 ^有優異的 系薄膜及其有效的裂造方法、適用於形❹^之氧化石夕 之氧化石夕系薄膜形成材料、能使層間寄生電^^石夕系薄膜 配線構造及其有效的製造方法， =之多層 卜马層間絕緣膜 317589 91 1283897 薄膜之高速度、高可靠度的半導體I置及其 性、:二,形成材料具有優異的耐㈣ :市印丨生、耐澄風性及黏著性，還有低 在此，其非常適用於層間絕緣獏及/ -电㊉數。 所形成的保護膜。另外，本發明的氧=膜表面上 特別適用於製造本發明的氧化石夕 ^顿形成材料 線構造及本發明的半導體裝置。 、發明的多層配 本發明的氧化矽系薄膜製造 如層間絕緣膜及保護膜之各種不同的低介製造例 者，本發明的氧化矽系薄膜製造 二㈣。再 明的氧化矽系薄膜。 、]適用於製造本發 本發明的氧化矽系薄膜具有優里 藥品性、耐澄氣性及與下方層之黏著性，、=生、对化學 於需求較高反應速度的半導體積體電路等/、特別適用 本發明的多層配線構造之梦 本發明的多層配線構造。 彳寺別適用於製造 本發明的多層配線構造提高 適用於需求較高反應速度的半導體積體=度’因而特別 本發明的半導體裝置之製造方法特別、商田 種不同的半導體裝置，例如快閃 ㈣適用於製造各 FRAM及M0S電晶體等，並別：體’例如DRAM、 導體裝置。 、、用於製造本發明的半 本發明的半導體裝置能降低層間寄生電容及配線限 317589 92 1283897 •抗，並且具有高速度及可靠度 •【圖式簡單說明1 第1A至1K圖為顯示含本發明的氧化矽系薄膜之本發 之實施例的漭兹园， m — ^ 7Χ >Gy 明的半導體裝置製造方法之實施例的流程圖。 主要元件符號說明 1 矽晶圓 2 3 側壁絕緣膜 5a 5b 汲極擴散層 6 7 阻擋膜 8 9 鎢導體插塞 10 11 夕孔性氧化石夕系 薄膜 12 氧化矽系薄臈 13 14 鋼配線 1 C 16 多孔性氧化矽系 1 J 薄膜 17 19 21 氣化矽系薄祺 氣化矽系薄祺 納配線 18 20 22 第2圖為顯示該實施例與比較實施例 系薄膜之紅外線光譜分析結果的圖形 、于〇虱化矽 处技姑士口α 、 元件間分隔膜 源極擴散層 層間絕緣膜 阻障膜
SiC · 〇 : η 薄膜 阻障膜 阻擋膜 多孔性氧化矽系薄膜 阻障膜
SiC : 0 : Η 薄祺 317589 93

Claims (1)

  1. ♦ 、申請專利範園·· •-種氧化矽系薄臈形成材料，
    聚合物包含作為其結構—部八匕3矽氧聚合物， Si_CH3鍵及队叫鍵:之CHX、队叫錢、 2·^請專利範圍第】項之氧X表:^至2的磐教。 該矽氧聚合物係藓系薄膜形成材料，其 合物t之至少 、曰 列通式⑴至(3)所示的石夕化 物中之至少一去、，與下列通式（4)至（7)所示的矽化合 ^ 者進行水解縮合聚合反應而製得： t/ ^ (〇)nR1 R(°Vfi-RLSi^(〇NR1 (fd 通式 ⑴ R 一 fi-RL〒、R3(〇)〆（〇)〆 通式 (2) R R 通式 (3) ,^nR R R (〇)~Si—(〇) R1 (0)j 通式⑸ 94 317589 1283897 R3 通式 （6) 通式 ⑺ Rl(0)n-j 卜(〇)nR1 R3 R3 R1(0)n-和 ~r3 R3 异r牡週式（1)至（7)t , η表示〇或 或不同，在㈣時！^表示選自知/1，11可彼此相同 丁八衣不璉自虱原子 子及氫原子所組成之群組中之一 、/、 贶原 選自碳數為I至4的烴基、芳香族煙1時Rl表示 所組成之群組中之—者2 工：、風原子及幾基 基、芳香幻m ^ 選自碳數為1至4之烴 子所組成之群組中之-者·而 可被此相同或不同，並且表示選 ， 基及芳香族烴基所組成之群组中之一=”，、至3之烴 3.如申請專利範圍第2項之氧 中，該水解縮合聚合反應利用具有2形成材料，其 行。 、有ρΉ 1至11的溶液進 4. -種氧化矽系薄膜之製造方法，包人. 該二成材料― 鍵、Si_CH3鍵及以|鍵°構—部分之CHx、Si_〇_Si 數。3建及Sl哪鍵’其中之x表示〇至2的整 317589 95 1283897 ♦ 5.如申請專利範圍第4項之氧化矽系薄膜之製造方法，其 ' 中，該加熱係於50°C至400°C的溫度下進行。 Y 6.如申請專利範圍第4項之氧化矽系薄膜之製造方法，其 中，該加熱係於惰性氣體存在的情況下進行。 7. —種氧化矽系薄膜，係藉由下列步驟而形成： 在欲加工的表面上塗佈氧化石夕系薄膜形成材料；及 加熱該欲加工的表面， 其中該氧化矽系薄膜形成材料包含矽氧聚合物，該 Β 矽氧聚合物包含作為其結構一部分之CHX、Si-0-Si鍵、 Si-CH3鍵及Si-CHX鍵，其中之X表示0至2的整數。 8. 如申請專利範圍第7項之氧化矽系薄膜，其中，在乾式 蝕刻期間以該氧化矽系薄膜作為硬質遮罩。 9. 如申請專利範圍第7項之氧化矽系薄膜，其中，在化學 機械研磨期間以該氧化矽系薄膜作為保護膜。 10. 如申請專利範圍第7項之氧化矽系薄膜，其中，該氧化 | 矽系薄膜具有0.01微米至1微米的厚度。 11 · 一種多層配線構造，包含氧化矽系薄膜，其中，該氧化 矽系薄膜係藉由下列步驟而形成： 在欲加工的表面上塗佈氧化石夕系薄膜形成材料；及 加熱該欲加工的表面， 其中，該氧化矽系薄膜形成材料包含矽氧聚合物， 該矽氧聚合物包含作為其結構一部分之CHX、Si-0-Si 鍵、Si_CH3鍵及Si-CHX鍵，其中之X表示0至2的整 數0 96 317589 1283897 • 12· —種多層配線構造之製造方法，包含： 藉著在欲加工的表面上塗佈氧化矽 ψ 料，並且藉著該加熱該欲加工的表 ;Λ 、形成材 膜·，及 ）表面而形成氧化石夕系薄 形成配線結構， 其中，該氧化矽系薄膜形成材 該石夕氧聚合物包含作為其結構—部分=3⑪氧聚合物， 鍵、Si-CHs鍵及队叫鍵，且刀CHx、Si-〇-Si 數。 之X表示0至2的整 如申請專利範圍第12項之多層 其中，該加熱係於惰性氣體存在的情： 下之製造方法， 400°C的溫度下進行。 θ /凡下’在5(TC至 14. 一種半導體裝置’包含氧化 係作為層間絕緣膜及層間絕緣膜以化矽系薄膜 膜中之一者， 、又上所形成之保護 其該氧切系薄膜 在:加工的表面上塗佈氧二形成: 加熱該欲加工的表面， 糸溥馭形成材料；及 該矽氧聚合物包含作材料包含矽氧聚合物， 鍵、以偶鍵及鍵^部分之CHX、队㈣ 15.—種半導體裝置之製造方法:、X表示0至2的整數。 …使用氧化矽系薄膜形成：、匕含： 成氧化矽系薄膜；及 / 料，在欲加工的表面上形 97 ^83897 ： …使用作為遮罩的氡〜 r 咸欲加工的表面圖案化，糸薄m，藉由進行蝕刻而使 其中，該氡化矽系薄 該矽氧聚合物包含、二、形成材科包含矽 氧聚合物， 键、㈣键 i6.如尹請專利範圍第]5項之^x表示g至2的整數。 中該氧化矽系薄膜06 置之製造方法，其 佈該氧化石夕系薄膜开^材:藉著在欲加工的表面上塗 而進行。鳴成材料，並且加熱該欲加工的表面 17.如申請專利範圍帛16項之半導體夺詈 中m / 貝〈千¥體衷置之製造方法，其 以加熱係於5〇t至400。(：的溫度下進行。 •:申請專利範圍第16項之半導體裝置之製造方法，其 ’ 5亥加熱係於惰性氣體存在的情況下進行。 9·如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其 中’该姓刻係藉由乾式蝕刻或溼式蝕刻進行。 2〇·如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，疒 包含形成配線構造。 。 317589 98
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