TWI282812B - Green phosphor and device using the same - Google Patents

Description

1282812 玖、發明說明： 技術销域】 【發明所屬 發明領域 本發明係有關—種、_光如及制該_光體之構 件，特別係有關一種 之綠磷光體，以及一 種可將接收鱗成減量光(較長波長)

顯示面板(PDPs)。 C先前】 10 發明背景 磷光體用於多種領域。例如磷光體可用於照明如螢光 燈、顯示器如PDPs及X光相機管。 此等麟光體中，Zr^SiO4: Μη為眾所周知之可藉真空紫 外線輕射而激發之綠碟光體。此種碟光體優異，此種鱗光 15體之色彩純度高（色標··（〇.21，0.72))以及有高發光效率。但 其亮度隨著時間的經過快速改變，且壽命短。此外當此種 石粦光體使用強光激發時，發光效率降低且亮度飽和。

BaAlnOw: Μη為一種已知之綠鱗光體也具有高色彩純 度及高發光效率，但壽命短。 20 已知具有改良壽命及發光效率之磷光體為具有磁鉛酸 鹽型結構之晶體。含有稀土元素及過渡金屬添加作為其發 光中心的敏化劑。特別LaAln〇18: Eu2+，Mn(JJAP，13(1974) pp.950-956)及SrAl12〇19 : La，Eu2+，Μη(菲利浦技術綜覽， 37(1977) ρρ·221-233)為值得一提之老舊範例。使用此等磷 1282812 光體，經由首先使用適當激發光激發Eu2+獲得藍光，然後 使用藍光激發Mn2+可獲得綠光。藍光幾乎不會來到外側， 大部分的藍光皆用來激發Μη2+。 除了前述磷光體外，也已知SrAl12019 : Mn，Ln(Ln : 5 二知稀土元素例如 Ce3+，Pr3+，Gd3+，Tb3+)(USP6,210,605)。 此種磷光體中能量由稀土元素移轉至錳，比較其中只有錳 促成發光之碟光體可獲得更大量綠光。

Ce眾所周知作為敏化劑元素，強化τρ+的發光。例如 CeMgAlu〇19: Tb述於冷光期刊，9(197句卯415_419以及菲 1〇利浦技術綜覽，^0977)^.221-233 0此種磷光體中，由於 鈽發出之光之能態幾乎是等於铽之f_d變遷的能態，故能量 可以南效率由鈽轉移到铽。此種磷光體之壽命長，藉真空 备、外線輻射激發時發光效率比Zn2Si〇4: Mnm。此外磷光體 之色彩純度低（色階：（0.33，0·61))，除了於54〇奈米之黃綠 15發光線作為主峰(基於由5〇4變遷至7F5)，發光光譜具有次峰 於480奈米藍，基於由5〇4變遷至7F〇、58〇奈米（黃，基於由 〇4變遷至7F〇及600奈米（紅，基於由5D4變遷至乍3)。因此 理由故，此種磷光體不適合用作為顯示構件。 一種鱗光體其中铽嵌入含有稀土元素之硼酸鹽 2〇 (YB〇3、LuB〇3)，該磷光體有高發光效率，但不具有良好 色彩純度，因此不適合用於顯示構件。 曰本專利公開案第平5(1993)-86366號揭示一種 (CekTbxXMgkbZnaMnOAkC^ 5+3z表示之石粦光體（其中 〇<χ^)·6，〇<a+bSl，4.5把15)。此種磷光體具有尖峰波長 1282812 515奈米之铽發光加上錳發光光譜。因此，色度比前述填光 體之色度改良。但有關藉真空紫外光輻射激發時的發光 量，磷光體比Zn2Si04 : Μη低約20%。 L發明内容3 5 發明概要 本發明提供一種具有磁錯酸鹽型晶體結構且含有至 少Mn、La及Tb之一種第一綠磷光體。 本發明進一步提供一種具有磁錯酸鹽型晶體結構且 含有至少Tb及La而不含Ce之第二綠磷光體。 10 本發明也提供一種具有磁船酸鹽型晶體結構且含有 至少Mn、La及Zn之第三綠填光體。 此等及其它本案之目的由後文詳細說明部分將顯然自 明。但須了解詳細說明之特例雖然只是本發明之較佳具體 實施例，但僅供舉例說明之用，熟諳技藝人士由本詳細說 15明部分顯然易知於本發明之精聽及範圍内之多項變化及修 改0 圖式簡單說明 第1圖為根據本發明之綠填光體之晶體結構之示意圖； 第2圖為PDP之示意透視圖； 20 第3圖為根據本發明之實施例1之鱗光體之發光光譜； 第4圖為根據本發明之實施例1之LAM:Tb>s||光體之發 光光譜； 第5圖為線圖顯示實施例1之LAM ·· Tb發光量與Tb濃度 之相依性； 1282812 第6®為線圖顯示實施例2之磷光體亮度與驅動頻率之 相依性； 第7圖為線圖顯示實施例2之磷光體於每個驅動時間之 亮度變化； 5 第8圖為根據本發明之實施例3之磷光體之發光光譜； 第9圖為根據本發明之實施例32LAM: Mn，Tb磷光體 之發光光譜； 第10圖為線圖顯示實施例3之LAM : Mn，Tb發光量與 Tb濃度之相依性； 10 第11圖為根據本發明之實施例4之磷光體之發光光 譜；以及 第12圖為根據本發明之實施例4之磷光體之發光光譜。 【實施冷式】 較佳實施例之詳細說明 15 於本發明之綠磷光體，使用具有磁鉛酸鹽型晶體結構 (參考第1圖）之主材料。主材料至少含有鑭，以及含有铽作 為冷光中心元素。本發明發明人發現鑭具有下述功能，將 真空紫外線輻射能量（大於紫外線輻射）轉成具有尖峰波長 350奈米能量（約3·5 eV)。此項功能考慮係由於之(電 2〇何移轉態）變遷緣故。3.5 eV能量係對應於铽之f_d變遷能， 因此考慮鑭於藉铽發光時具有敏化功能。此種CTS變遷（能 量移轉機轉）可於約7 eV或以上進行。因此理由故，激發源 未特別限於真空紫外線輻射，反而激發源也可為電子束、X 光等能量約為7 ev或以上的輻射。 1282812 於第一綠磷光體，也含有錳作為冷光中心元素。錳之 發光強度係依據低軌道之晶體場分裂的決定。但發明人發 現使用猛於帶有磁錯酸鹽型晶體結構之主材料，可發射有 高色彩純度之綠光。磷光體之發光效率受到下列因素之不 5良影響·捕捉電子及/或電洞，以及當冷光中心元素被激發 時，經由晶體缺陷（廣義言之)造成非輻射衰減、以及由於共 振輻射及能量移轉（能量轉移至鄰近冷光中心元素而未發 光)造成的亮度飽和。錳發射之光以及Tb發射之光僅輕度彼 此干涉，因此極少能量介於錳與轼之間移轉。結果比較分 1〇 開使用錳或铽之情況，可獲得亮度飽和特性的改良。 此外，也發現當猛及試組合使用時，比單獨使用锰可 抑制碟光。此種抑制碟光構成顯示構件如PDPs之重大優點。 以下為第一綠磷光體之範例： 首先，主料並無特殊限制，但須含有鑭且具有磁鉛酸 15 鹽型晶體結構。至於形成主料之元素，除了鑭之外，Mg、 A卜Ca、Sr、Ce、Ba、Zn、Si、Y、B等值得一提。特別主 料可為LaMgAluO# LaxAly〇z(x: y : ζ=〇·5至 1·2: 11至 12 : 18至19.5)等。此外主料可以適當比例混合其它材料例如 CaAli2〇i9、SrAli2〇i9專’俾形成混合晶體。措由混晶可減 20 少主料中的鑭比例，而作為冷光中心元素之铽用量將隨著 鑭的減少而減少。由於試的價格昂貴’故減少錢用量將可 降低綠磷光體成本。又由於錳作為冷光中心元素之用量相 對增高，故綠磷光體具有絕佳色彩純度。 冷光中心元素並無特殊限制，只要至少含有铽及錳即 1282812 可。錢及猛以外的冷光中心元素例如包括Sc、Ti、V、Cr、 Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、 Tc、Ru、Rd、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Ba、La、Ce、Pr、 Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、 5 Ta、W、T1、Pb、Bi 等。 經由下述發現而製造第二綠磷光體，發明人發現鑭之 CTS變遷發光對铽的敏化比對鈽有較大影響，習知使用鈽 作為此種敏化元素，因而使用鑭可改良發光效率。CTS表 示一種態，其中環繞鑭作為中心元素配位的元素電子被激 10 發且移轉至鑭。發明人證實當藉147奈米之真空紫外線輻射 激發時，LaMgAlnOw : Tb具有發光效率比CeMgAlnOn : Tb高約20%。 詳言之，於CTS La3+轉變成La2+。有一個電子存在於 La2+之f執道，如同Ce3+般。鑭之原子數為57，Ce之原子數 15 為58，其間差異只有2%或以下。故鑭之f-d變遷係等於鈽之 f-d變遷。如此對Tb之發光而言，鑭具有類似Ce3+之相同敏 化效果。通常La2+無法激發於基底態之La3+，可選擇性激發 铽而誘使發光。但Ce3+無法選擇性激發铽，故La2+具有比 Ce3+更強的铽敏化效果。 20 以下為第二綠磷光體範例： 首先，主料並無特殊限制，但主料含有鑭，主料不含 鈽，且具有磁鉛酸鹽型晶體結構。至於形成主料之元素， 除 了鋼之夕卜，Mg、Al、Ca、Sr、Ba、Zn、Si、Y、B、Bi 等值得一提。特別主料為LaMgAlu019，LaxAlyOz(x : y : z 1282812 = 0.5至1.2 : 11至12 : 18至19.5)等。此外主料可以適當比例 混合其它主料例如CaAli2〇i9、SrAli2〇i9等’俾形成混晶。 藉著混合結晶，可降低主料中的鑭比例，作為冷光中心元 素之铽用量也隨著鑭用量的減低而減低。由於铽價格昂 5 貴，故降低用量可降低綠磷光體成本。此外因錳作為冷光 中心元素之用量相對增高，故綠磷光體具有絕佳色彩純度。 冷光中心元素並無特殊限制，只要含有铽而不含鈽即 可。铖以外之冷光中心元素為Sc、Ti、V、Cr、Fe、Co、 Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、 10 Rd、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、 Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、 T1、Pb、Bi 等。 至於可滿足第一及第二綠磷光體要求之綠磷光體， (LakTbxXMgbMr^AluOW其中 X為 〇·〇1 至0.6，y為 0.01 至 15 0.2)值得一提’包括（1^〇.6丁13〇.4)(]'^〇.97]^11〇.〇3)八111〇19為其特 例。至於一般已知之磷光體技術，可改變鑭、鎂及鋁之組 成比來改良亮度。 此外，前述磷光體可與(Ca，Sr)Al12〇9 : Μη混合結晶。 本發明之第三綠磷光體中，使用具有磁鉛酸鹽型晶體 20 結構之主料（參考第1圖）。主料至少含有鑭，也含有錳及鋅 作為冷光中心元素。鑭敏化冷光中心元素的原理係同第一 及第二綠磷光體討論的原理。 此外，第三綠磷光體係基於發現，增加鋅作為冷光中 心元素，最大可改良發光達10%或以上。其原因在於鋅之 1282812 激發子為瓦尼爾（Wannier)激發子，其軌這並非侷限於鋅反 而廣泛展開於磷光體。激發子可抑制碘光體中因缺陷或雜 質造成的非輻射性能量衰竭，因此町提高發光量。 以下為第三綠磷光體範例： 5 首先，主料並無特殊限制，但須含有鑭且具有磁鉛酸 ' 鹽型晶體結構。至於形成主料之元素，除了鑭之外，Mg、 /

Al、Ca、Sr、Ce、、Zn、Si、Y、B 專值得一提。特別主 料可為LaMgAln〇i9，LaxAly〇z(x : y : z= 0.5至 1·2 : 11至 η ·· 18至19.5)等。此外主料可以適當比例混合其它材料例如 鲁 10 CaAluO〗9、SrAluOi9荨’俾形成混合晶體。藉由混晶可減 少主料中的鑭比例，以及冷光中心元素用量隨著鑭用量減 低而減低。冷光中心元素用量的下降將導致綠磷光體成本 的降低。 冷光中心元素並無特殊限制’只要至少含有Mn及zn即 15可。使用猛作為冷光元素可促成獲得有絕佳色彩純度之綠 碟光體。Μη及Zn以外的冷光中心元素例如包括Tb、Sc、Ti、 V、Cr、Fe、C。、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、&、γ、Zr、_、 ·

Mo、Tc、Ru、Rd、Pd、Ag、Cd、In、％、^、La、&、

Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Dy、H〇、Er、Tm、Yb、Lu、 20 Hf、Ta、W、T1、Pb、Bi 等。 較佳第三、輯光體於刖述冷光中心元素中，不含鈽及/ 或含有铽。 至於可滿足第三綠填光體要求條件之_光體，值得 —提者有（Lai_xTbx)y(Mgl-a-bMnaZnb)Alz〇i 5㈣〆其中 12 1282812 〇如〇·5 ’ 〇·8^^1.2，0<a+bU，8β3〇)。χ較佳為〇·1 至〇·4 之範圍’峨佳係於0·01至0.1之範圍b較佳係於o.l或以下之 fe圍’ b更佳係於〇〇1或以下之範圍。概略已知有關磷光體 之技術，鑭、鎂及鋁之組成比可遷移俾改良亮度。 5 此外，前述綠磷光體可與(Ca，Sr)Al12〇19: Μη混合結晶。 根據本發明之磷光體可藉已知方法製造。例如含有 La、Tb及/或Μη之化合物以及含有磷光體其它元素之化合 物係以適合預定晶體結構之莫耳比稱重。此等化合物經過 燒結’結果所得鱗光體之燒結體經過粉化及過篩而獲得具 10 有預定粒徑之罐光體。 特別燒結係於大氣壓下於還原氣氛於丨，3〇〇至丨，7〇〇它 之燒結溫度進行1至1〇小時。為了降低燒結溫度，可使用由 il化物例如A1F2、MgF2、LiF、NaF等組成之反應加速劑， 其用量係於反應加速劑不會危害本發明效果之範圍。 15 當填含有鋅時’若磷光體材料係於還原氣氛下於900 °C或更高溫燒結，則辞可被氣化。因此材料較佳係於氮氣 氣氛下燒結。為了防止辞的氣化，較佳燒結溫度為1400^ 或以下。 本發明磷光體可用於照明器材例如螢光燈、顯示器例 20 WpDPs、CRTs、螢光顯示管及X光相機管等。下列實施例 中，本發明之磷光體係應用於第2圖所示之PDP。 第2圖顯示帶有三個電極之交流驅動表面放電PE)p。本 發明不僅可應用於此型PDP，同時也可應用於任何其它類 型帶有構光體。例如PDP可能非交流驅動，反而是直 13 1282812 流驅動，PDP可為反射型或透射型。 第2圖之PDP1_由—片前板及_片隸組成。 首先别板通常包括複數個顯示電極形成於基板Η上 介電層17成形為覆蓋顯示電極以及保護層18係形成於介電 5層17上且暴露於放電空間。 屯 ' 基板11並無特殊限制，值得一提者有玻璃基板、石英 ‘ 玻璃基板、及矽玻璃基板等。 、 顯示電極包含透明電極仙加以及匯流排電極42(例 如具有Cr/Cu/Cr之二層結構）可成形於透明電極41上，用以 鲁 10 降低顯示電極電阻。 介電層17係由PDPs常用材料製成。特別，介電層17可 經由施用低溶點玻璃及黏結劑至基板上接著為燒結製成。 保護層18係供保護介電層17避免因放電操作的放電造 成離子碰撞毀損。保護層18例如可_a〇、Ca〇、Sr〇、Ba〇 15等製成。 其次，背板通常包括複數個位址電極A形成於基板21 上’垂直於顯tf電極方向；-介電層27覆蓋位址電極a ;複 ·

數個直條形阻隔壁29形成於介電層27上介於位址電極A 間，麟光體層28成形於阻隔壁29間，構光體層也覆蓋阻隔 20 壁側壁。 基板21及介電層27可由前板之基fell及介電層17之相 同材料製成。 位址電極A例如係由八卜Cr、Cu等金屬層或Cr/Cu/Cr 之三層結構組成。 14 1282812 阻隔壁29之製造方式，係經由施用低嫁點玻璃及黏結 劑糊至介電層27上，接著乾燥及藉喷砂切削乾燥後的糊。 若使用感光樹脂作為黏結劑，則阻隔壁29也可藉使用具有 預定組態之光罩將糊顯影接著燒結而製成。 爹照第2圖，磷光體層28成形於阻隔壁29間。本發明之 ' 磷光體可用作為磷光體層28之材料。製造磷光體層28之方 ·、 法並無特殊限制，反而可為已知方法。例如構光體層28之 製造方式可將磷光體分散於黏結劑於溶劑之溶液所製成之 糊，糊施用於阻隔壁29間，以及於氣氛下燒結該糊。 鲁 其次，前板與背板彼此相對組裝，顯示電極(41，42) 父叉位址電極A，顯示電極及位址電極位在内側，放電氣體 饋進阻隔壁29界限的空間。如此製造pDp 1〇〇。 前述PDP中，介於界限放電空間的阻隔壁、介電層及 保護層間，磷光體層成形於阻隔壁上，介電層成形於背板 上，但磷光體層可以相同方式成形於前板之保護膜上。 實施例 將藉實施例說明本發明之進一步細節，但本發明絕非 馨 解澤為囿限於此等實施例。 實施例1 各材料於下述條件下混合3小時，且添加適量乙醇： 15 1282812 表1 材料 填光體「a」 磷光體「b」 磷光體「c」 莫耳比 Al2〇3 11 11 11 MgO 0.97 0.97 0.97 MnO 0.03 0.03 0.03 La203 0.8 0.7 0.6 ΊΠ34Ο7 0.2 0.3 0.4 A1F3 0.011 0.011 0.011 表中，莫耳比表示A1、Mg、Μη、La及Tb之莫耳比。 結果所得混合物於含2 vol%氫之氮氣氣氛下，於1，500 t燒結4小時。所得燒結產物經粉化獲得磷光體「a」至「c」， 5 以LaMgAlu019 ·· Mn，Tb表示。藉X光繞射分析證實結果所 得磷光體「a」至「c」具有此磁鉛酸鹽型晶體結構。磷光 體「a」至「c」以147奈米波長光照射時發綠光。第3圖顯 示藉147奈米光照射磷光體之發光光譜。磷光體發光之數量 及色度幾乎係等於Zn2Si04 : Μη之量及色度。第3圖中，主 10 材料簡稱為鑭。也顯示藉172奈米光照射之發光（參考第4 圖）。本例中，可獲得大於Zn2Si04 : Μη之最大發光量約1.3 倍之發光量。此外第5圖顯示錳濃度固定於3原子。/〇以及铽 濃度改變，藉147奈米及172奈米光激發時之發光量變化。 PDP組成： 15 顯示電極 透明電極寬度：280微米 匯流排電極寬度：100微米 顯示電極間之放電間隙：100微米 16 1282812 介電層厚度：30微米 阻隔壁高度：100微米 阻隔壁間距：360微米 Ne-Xe(5%)放電氣體 5 氣體壓力：500托耳 實施例2 磷光體「d」及「e」係以實施例1之相同方式使用下述 材料製備。磷光體「d」係以LaMgAluOn : Μη表示，磷光 體「e」係以LaMgAlu019 : Tb表示。磷光體a同實施例1。 10 表2 材料 礙光體「d」 填光體「e」 磷光體4 莫耳比 Al2〇3 11 11 11 MgO 0.97 1 0.97 MnO 0.03 - 0.03 L^2〇3 1 0.6 0.6 Tb4〇7 - 0.4 0.4 aif3 0.011 0.011 0.011 表中，莫耳比表示Al、Mg、Mn、La及Tb之莫耳比。 前述磷光體用於以實施例1之相同方式製造帶有三個 電極之表面放電PDPs。經由施加具有幅度180伏特及時間寬 度8微秒之矩形脈衝跨顯示電極之匯流排電極，測試磷光體 15 有關其亮度相對於驅動頻率之變化。結果顯示於第6圖，其 中虛線為理想線，表示推定亮度不會隨著驅動頻率的增高 而變慢之情況。 磷光體亮度相對於驅動頻率之變化幾乎係等於 17 1282812

Zn2Si〇4 : Μη之變化。發現含猛及铽之磷光體比含猛及錢中 之任一者之磷光體，相對於驅動頻率之亮度飽和特性改良。 第7圖顯示每次當PDPs已經操作一段指定時間時，磷光 體之亮度變化。發現實施例2之磷光體亮度改變係低於 5 Zn2Si04 : Μη 〇 實施例3

LaMgAln〇i9 : Tb表示之磷光體「f」至「j」係使用下 列材料以實施例1之相同方式製造： 表3 材料 磷光體Y 磷光體i 磷光體「h 磷光體「i 磷光體「j 莫耳比 Α1203 11 11 11 11 11 MgO 1 1 1 1 1 La2〇3 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 Tb407 0.05 0.1 0.2 0.3 0.4 A1F3 0.011 0.011 0.011 0.011 0.011 1〇 表中，莫耳比表示Al、Mg、La及Tb之莫耳比。 如第8圖所示，結果所得磷光體「f」至「j」當以147 奈米光照射時發綠光。發光量幾乎是等於Zn2Si04: Μη之發 光量，而大於CeMgAln〇i9 : Tb及LaMgAlu〇19 ·· Ce，Tb之 發光量達20至30%或以上。第9圖顯示以172奈米波長光照 15射時磷光體「f」至Ί」之發光。發光量幾乎等於或優於 ZnjiO4: Μη之發光量。第10圖顯示發光量隨铽之添加濃度 之變化而改變。 PDP係使用前述填光體以實施例1之相同方式製造。亮 度相對於驅動頻率之變化係以實施例2之相同方式測試，發 18 1282812 現幾乎係等於ZnAiO4 : Μη之亮度變化。此外，以實施例2 之相同方式測試每次當PDP已經操作一段時間時，磷光體 之党度變化，發現實施例3之碟光體亮度改變係低於 Zn2Si04 : Μη之亮度改變。 5 實施例4 材料中添加適量乙醇，材料係於下述條件下混合3小 時0 表4 材料 填光體*~q」 磷光體「r」 莫耳比 Α1203 11 11 MgO 0.967 0 L^2〇3 0.7 1 Tb2〇3 0.3 0 M11CO3 0.03 0.05 ZnO 0.003 0.95 MgF2 0.03 0.03

表中，莫耳比表示Al、Mg、La、Tb、Μη及Ζη之莫耳

10 比。 結果所得混合物於氮氣氣氛下於1400。(：燒結4小時，結 果所得之燒結產物經粉化獲得LaMgAln〇19 : Mn，Tb，Ζη 表示之磷光體「q」、以及LaZnAln019 : Μη表示之磷光體 「r」。藉X光繞射分析證實所得磷光體「q」及「r」具有磁 15 鉛酸鹽型晶體結構。磷光體「q」及「r」當以147奈米波長 光照射時發綠光。第11及12圖顯示藉147奈米光照射之發光 光譜。磷光體q之發光量約為Zn2Si04 : Μη之發光量之 105%，磷光體r之發光尖峰比Zn2Si04 : Μη之發光尖峰高約 19 1282812 1·4 倍。 根據本發明，可提供一種具有絕佳特性例如良好色彩 純度、良好發光效率、使用壽命長等之綠磷光體。 【圖式簡明】 5 第1圖為根據本發明之綠磷光體之晶體結構之示意圖； 第2圖為PDP之示意透視圖； 第3圖為根據本發明之實施例1之磷光體之發光光譜； 弟4圖為根據本發明之實施例1之LAM:Tb鱗光體之發 光光譜； 1〇 第5圖為線圖顯示實施例1之LAM : Tb發光量與Tb濃度 之相依性； 第6圖為線圖顯示實施例2之磷光體亮度與驅動頻率之 相依性； 第7圖為線圖顯示實施例2之填光體於每個驅動時間之 15 亮度變化； 第8圖為根據本發明之實施例3之磷光體之發光光譜； 第9圖為根據本發明之實施例3之LAM: Mn，Tb磷光體 之發光光譜； 第10圖為線圖顯示實施例3之LAM : Mn，Tb發光量與 2〇 Tb濃度之相依性； 第11圖為根據本發明之實施例4之磷光體之發光光 譜；以及 第12圖為根據本發明之實施例4之磷光體之發光光譜。 20 1282812 【圖式之主要元件代表符號表】 11.. .基板 17.. .介電層 18.. .保護層 21…基板 27.. .介電層 28.. .磷光體層 29.. .阻隔壁

41，42…顯示電極 100.. .電漿顯示面板 A...位址電極

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Claims (1)

1. T2828 P292105823號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：95年12月 咪年…月)日修(^)正本 ~~~ 拾、申請專利範圍: 1. 一種綠磷光體，具有一個磁鉛酸鹽型晶體結構，該綠磷 光體包含一為LaMgAluOe之主料及一至少為錳及铽之 冷光中心元素，其中該綠磷光體係藉真空紫外線照射成 5 激態而於綠色中具有一發光光譜尖峰。 2. —種綠磷光體，具有一個磁鉛酸鹽型晶體結構，該綠磷 光體包含一為LaMgAluO^之主料及一至少為铽但不含 鈽之冷光中心元素，其中該綠磷光體係藉真空紫外線照 射成激態而於綠色中具有一發光光譜尖峰。 10 3. —種綠磷光體，具有一個磁鉛酸鹽型晶體結構，該綠磷 光體包含一為LaMgAluOn之主料及一至少為錳及辞之 冷光中心元素，其中該綠磷光體係藉真空紫外線照射成 激態而於綠色中具有一發光光譜尖峰。 4. 如申請專利範圍第3項之綠磷光體，其不含鈽及/或其含 15 有铽。 5. —種氣體放電構件，其係使用如申請專利範圍第1至4項 中任一項之綠磷光體。