TWI279634B - Array substrate of liquid crystal display and fabrication method thereof - Google Patents

Description

1279634 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器裝置之陣列基板，特別是一種 利用繞射曝紐賴製作之具有Μ㈣膜t晶體（TFT)液晶顯 示裝置之陣列基板及其製作方法。 【先前技術】 近來’陰極射線管（CRT)已被廣泛應用於各種顯示裝置上， 用以於-螢幕上齡影像資料。然而，CRT在相對於顯示面積下 之大的體频重量造成其不便之處。為此，具社軸示面積並 具有非常薄的侧面輪廓之細薄的平面顯示裝置已被發展出來，其 可使用在任何地方。目前平面顯示裝置取代了 CRT。特別是，和 其他平面顯示裝置相比，液晶顯示裝置（LCD)展現了較高的解 析力，並且，當顯示動態晝面時，與CRT之顯示品質比較下， 具有快速的反應速度（response speed )。 在執行上，LCD利用到光學異向性與偏振特性。換句話說， 液晶分子的排列方向可透過外加電場控制。由於它們長而薄的形 狀’而具有一定的取向排列。 液晶分子隨著外加電場改變，液晶分子的排列也改變。由於 光學異向性，入射光的折射取決於液晶分子的排列方向。如此， 適當地控制外加電場，即能使LCD產生所期望的影像資訊。 主動矩陣式LCD包含有排列於矩陣結構中之多個薄膜電晶體 (TFTs)和多個與薄膜電晶體連接之畫素電極。主動矩陣式 1279634 已被廣泛地使用’因為它們的解析度高且在動態影像之顯示上具 有優勢。 以下明#考圖不以對LCD的基本元件的液晶面板來作描述。

第1圖是典型的LCD之部分爆炸透視圖。-般而言，LCD U 包3上基板5與下基板22。上基板5包含黑色矩陣6、彩色濾、光 層7與透明共同電極18。而彩色滤光層7包含了紅色（R)、綠色 ⑹及I色（B)的子縣片，透縣同電極18形成於彩色遽 光層7上下基板22則包含晝素區域（p)、畫素電極U與陣列鲁 連結線路，其中，畫素電極l7形成於畫素區域（ρ)上，陣列連 結線路包含了切換元件⑺。液晶分子層15則夾於上述之上基板 5與下基板22間。 下基板22即是大家所知的「陣列基板」。於此下基板22上， 用為切換元件的多個薄膜電晶體是配置於一矩陣結構中，且閑極 線13與資料線15是被形成以穿越多個薄膜電晶體。此外，晝素 區域CP)是由閘極線13與資料線15之交叉圖案所劃定而成。鲁 形成於晝素區域（Ρ)上的晝素電極17是由透明導電材料所 製作而成’此透明導電材料具有優異的光透射率（tmnsmissivity)， 如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)。 以前述方式裝配好LCD 11，當晝素電極17上的液晶層14之 液晶分子利用以薄膜電晶體來施加訊號而排列出特定方向後，即 ΊΓ顯示畫面。而液晶分子的排列乃是藉由控制通過液晶層14的光 的量的方式。 6 1279634 第2圖是先前技術之LCD陣列基板之一些晝素的部分放大平 面圖。陣列基板是使用p型矽（p-Si)。換句話說，根據作為主動 通道之半導體層的結晶狀態，LCD所使用的薄膜電晶體可分為非 晶矽(a-Si)薄膜電晶體與多晶矽（p_si)薄膜電晶體。 於多晶矽薄膜電晶體中，由於薄膜電晶體具有高的場效應遷 移率，用來決定驅動畫素的數量的驅動線路之驅動頻率可以有效 地被&而並可能產生南的限定能力（definition capability )。而且， 於多晶矽薄膜電晶體中，由於訊號電壓至畫素區域的需求時間減鲁 少’並導致轉換訊號的失真（(list〇rti〇n)減少，而可預期晝面品質 可以被提高。進一步地說，和具有相當高的驅動電壓（約25伏特） 之非晶矽薄膜電晶體相比之下，由於多晶矽薄膜電晶體可以用少 於10伏特的電壓來驅動，具有低消耗功率的優點。 請茶照第2圖，多條閘極線1H與多條矩形的資料線112配 置於一矩陣結構中，藉以劃定晝素區域（P)。 於貧料線112與閘極線111之交叉點，各薄膜電晶體包含一 φ 半導體層116、閘極120、源極126與汲極128，且多個畫素電極 134係與薄膜電晶體電性連接。 透過第一半導體層接觸孔122a與第二半導體層122b，半導體 層116連接至源極126與汲極128，且汲極128透過汲極接觸孔 130連接至畫素電極134。 藉由沉積非晶石夕(a_Si)層於基板上，並使用雷射退火對於已沉 積的非日日石夕層作結晶化來形成多晶石夕（p〇lycr^stalline )，而 7 1279634 形成半導體層116。 第3A圖至第3G圖是說明製得第2圖之LCD陣列基板之流 程的剖面示意圖，這些剖面圖是沿著第2圖之剖面線14，。於顯示 於第3A圖至第3G圖之過程中，基板是使用多晶石夕Tpr，且各自 的圖案是藉由將光罩_案轉換至具有_之基板上所形成。例 如’其中所使用的光微影製程包含有光阻披覆、光罩配置、藉由 光罩對光阻的曝光與光阻的顯影。 請參照第3A圖’緩衝層30是形成於絕緣之基材1之整個表# 面，此絕緣之基材1是使用第一絕緣層材料，且多晶石夕活性層瓜 是隨後利用第一光罩製程形成於緩衝層3〇上。 藉由/儿積非晶石夕層於緩衝層3〇上，再進行非晶石夕層的除氣作 用，並藉由熱處理將非晶销結晶化為多晶韻，如此而形成活 性層32a。 “、、第3B圖’在第3A圖的製程之後，陸續沉積第二絕緣 層與第-金屬薄膜，並藉由第二光罩製程將其圖案化，而形成閑籲 極絕緣層36與閘極38於活性層办之中間部位（顯示於第3〇圖 與第3E圖）。 並且’形成通道區域與重雜質摻雜的源極區域、雜區域於 雜層32a上，活性層32a的露出的邊緣皆利用閘極％作為光罩 來作離子摻雜。 請參照第3C圖，在第3B圖的製程後，第一絕緣層4〇是由 第三絕緣材料於基材i之結果的結構上所形成。 1279634 月"二第3D圖’於第3C圖之製程後，沉積第三絕緣材料， 然後利用弟二光罩製程將其圖案化，以形成具有第一歐姆接觸孔 46a與第二歐姆接觸孔樵之第二絕緣層44，此第一歐姆接觸孔 4如與第-歐姆接觸孔.部分露出活性層瓜的邊緣。第一絕緣 層40或第二絕緣層44可作為單層來形成。 雜層32a的邊緣中，其左邊是源極區域&，而右邊是汲極 區域lb。藉由隨後的製程中，源極區域Ia與源極 靡極連接。接著，活性層瓜的邊緣是重推雜了雜質= 而形成歐姆接觸層32b與32c。 然後’請參照第3E圖，沉積第三金屬薄膜，並藉由第四光罩 製程將其圖案化，以形成雜5G與源極52。此時，沒極5〇透過 第一歐姆接觸孔（第3D圖之46a)連接至汲極區域ft之歐姆接觸 層32c ’且源極52透過第二歐姆接觸孔（第3D圖之.）連接至 源極區域la之歐姆接觸層32b。 於此製程中，形成了包含有半導體層32、_ 38、源極52 _ 與沒極50之TFT⑺。閉極38與問極線（圖中未示）， 52與資料線（圖中未示）連接。 接下來’請參照第3F圖，於第3E圖的製程後，沉積第四絕 緣材料於紐1的絲的輯上，錢融第五鮮製程將其圖 案化，以形成具魏極_孔56的第三絕緣層54。 、M而’叫茶照第3G 51 ’沉積氧化銦錫（ITO)透明導電層於 包合及極接觸孔56的基材i之結果的結構上，然後藉由第六光罩 9 1279634 =程難_化，以形成畫素電極62。當捲帶自動接合（勘） 時，氧化銦錫會與金屬形成低電阻接觸。 ，如上所述’習知技術之LCD _基板是棚六道的光罩製程 各自的光罩製程表示於基材上之薄膜中形成所職的圖案。 母個光罩製轉換群的_至_上，並包含光阻披覆、 與顯影等等步驟。 當光罩製程的數量增加’生產良率會減少，並導致缺陷的可 能性提高。而且，因為為了形成圖案所設計的光罩是非常昂貴的， 使用於陣列基板的製程中的光罩的數量增加，則lcd的製程費用 也會增加。 、 【發明内容】 —因此，本發明提出一種液晶顯示裝置之陣列基板及其製程， 藉以解決並繼先前技術雌現之眾乡限顺缺失。 根據本發明之實施例所提出之一種液晶顯示裝置之陣列基板· 包含有基材，且活性層、第—絕緣層與__形成於基材上。 而源極區域與沒極輯位於活性層上預先決定的區域，並分別摻 有數個雜質離子’·第二絕緣層位於包含閉極之基材的整個表面 上；晝素電極位於第二絕緣層上；第一接觸孔與第二接觸孔位於 第-絕緣層與第二絕緣層上’並分別露出部分源極區域與沒極區 域；源極之-部位透過第一接觸孔與源極區域連接，而沒極之第 -部位與酿區域連接，而其第二部位與晝素電極連接。 1279634 另方面’根據本發明所提出之一種液晶顯示裝置之陣列基 反之衣作方法’其步驟包含陸續形成活性層、第一絕緣層與間極 土材上，藉由植入數個雜質離子於活性層之數個預先決定之區 域，形成源極區域與沒極區域於活性層之預先決定之區域；形成 紅絕緣層於包含閘極之基材之整個表面上；形成晝素電極於第 了絕緣層上，並勤移除位於源極區域與汲極區域上之部分第一 絕緣層與第二絕緣層’形成第-接觸孔與第二接觸孔’·形成源極， 且源極之-部位透過第一接觸孔而連接至源極區域；及形成沒· 極’且沒極之第-部位與第二部位分別連接至沒極區域與源極區 域0 又-方面’根據本發明所提出之一種液晶顯示震置之陣列基 板之製作方法，其步驟包含利用第一光罩製程，形成活性層於基 材上W儿積第一絕緣層與第一金屬層於包含活性層之基材上，並 利用第二光罩製程，圖案化第—金屬層以形成閘極；藉由植入數 雜貝離子於活性層之數個預先決定的區域，以形成源極區域與鲁 汲極區域於活性層之預先決定之區域上；沉積第二絕緣層與透明 ¥電層於包3閘極之基材的整個表面上，並利用第三光罩製程， 移示I5/7的第、絕緣層、第二絕緣層與透明導電層，以形成第一 接觸孔、第二接觸孔與晝素電極，且第一接觸孔與第二接觸孔露 出原極區域14及極區域；及沉積第二金屬層於基材上，並利用第 I光罩製程，_化第二金屬相形成源極触極，使源極透過 第接觸孔而連接至源極區域，汲極透過第二接觸孔而連接至沒 11 1279634 極區域。 — ;、、、、寸本毛月中專利範圍能有進一步的了解，兹舉數個具體 實施例詳細說明如下。 【實施方式】 現在舉出具體實施例詳細朗本發日狀内容，並㈣示作為 輔助。 第4A圖至第仲圖是根據本發明之實施例說明l⑶陣列基板 之流程的剖面示意圖。第4a圖至第4F圖可與第Μ圖至第％ 作比較，並顯示使用於本發明之實施例之光罩數量是少於第3A圖 至第3G圖之先前技術之製程。 請參照第4A圖，麵好透明絕緣的基材400。然後，沉積薄 的多晶梦薄膜’再利用第一光罩製程（圖中未示）將其圖案化， 以形成活性層410。可藉由沉積非晶石夕薄膜於基材上然後對已 沉積的非晶_膜結晶化，來形成此活性層41〇。 非晶石夕薄膜可藉由不同方式來沉積而成，例如，健化學氣· 相沉積法（LPCVD)或電漿強化化學氣相沉積法（pEcvD)。 非晶石夕薄膜之結晶化可利用固態結晶化方式或準分子雷射退 Κ&π^1_&ηι^Ηη§’ΕΙ^來進行。準分子雷射退火方式使 用脈衝型式的雷射束。 除了前述之結晶化方式，連續橫向結晶（sequentiai solidification，SLS)方式也被提出並作了廣泛的研究。此連續橫向 結晶方式於橫向的方向成長晶粒，顧結晶化特性。 12 1279634 連續板向結晶方式展現以垂直於液相砍與固相㈣之界面的 方向去成長晶粒的趨勢。舉例來說，請見R()bert s· SpGsili、Μ Α· Crowder 與 james s Im 發表於 _ Res s〇c 办叫 pr〇c v〇1 452, 956_95V1997。此方式可控制雷射束之尺寸與發射範圍，以橫向成 長晶粒至預期的尺寸，藉以增加賴晶粒尺寸。 雖然圖中未示，可選擇去形成活性層41〇或緩衝層（如二氧 :化矽(Si〇2)或氮化矽（Si義))於基材上。 、緩衝層會避免於製程期間（特別是，於結晶化過程）如鈉（恤) 或類似者之雜質會穿透上層。 在非晶㈣麟結晶化触之後，舰行除氫過程，以減少 於非晶矽薄膜中的氫原子的數量。 然後’請參照第4B圖，陸續沉積第一絕緣層42〇與第一金屬 層（圖中未示)於包含活性層41〇的基材4〇〇上。第一絕緣層42〇 疋種閘極緣層並由氧化石夕或氮化石夕所形成。並且，金屬層是 以紹、鉬與銅的單層祕與鉬的雙層來形成。此已沉積的金屬層 再利用第二光罩製程（圖中未示）經過圖案化，來形成間極· 於活性層410之上。· 接著，使用閘極430作為植入光罩，將雜質離子植入活性層 410内，已分別形成源極區域41〇a與汲極區域41此於活性層“ο 的兩邊。 此時，活性層410的電性質會隨著植入的摻質物之導電率型 式而變動。舉例來說’當植入的掺質物是第三族元素，如蝴，活 13 1279634 F生層410會作為p型tfx之一個組成；當植入的摻質物是第五族 元素，如磷，活性層410會作為N型TFT的一個組成。 活险層410可具有微摻雜沒極（lightly doped drain，LDD )區 域於源極區域或汲極區域之上表面。此微摻雜汲極是藉由以對照 於源極區域與汲極區域相當低的濃度，將雜質離子摻入活性層 410 〇 凊參照第4C圖，於形成源極區域41〇a與没極區域4l〇b之 後，陸續沉積第二絕緣層440與透明導電層於包含閘極43()之基鲁 材400之結果的結構上，然後，藉由第三光罩製程（圖中未示） 將其圖案化，以形成第一接觸孔46〇、第二接觸孔462與晝素電極 450,第一接觸孔460會露出源極區域410a，而第二接觸恐會露出 >及極區域410b。 於第三光罩製程中，由於第一接觸孔460、第二接觸孔462 與畫素電極450是最好以一個光罩製程來形成，因此使用繞射光 罩或半透（half-tone)光罩。 · 根據本發明之實施例，繞射光罩具有狹縫（slit)結構，此狹 縫結構具有多個狹縫區域對應於光透射區域。透射過繞射光罩之 狹縫區域的光量少於透射過完全透射區域的光量。因此，當利用 具有狹縫區域與完全透射區域之繞射光罩來對光阻層曝光，保留 於狹縫區域之光阻層的厚度會與保留於完全透射區域之光阻層的 厚度。 換句話說，當光阻層是正型光阻，以透射過狹縫區域的光作 1279634 =所形成之光阻層是較以透射過全透射區域之光作曝光卿成 ^阻層為厚。當光阻層是負型光阻，以透射過全透射區域的光 ^曝光之光阻層是較以透射過狹縫區域之光作曝光的光阻層為 、本!X月之另—實施例中，使用半透區域替代繞射光罩之狹縫 區域，以獲得相同的曝光效果。 、寺別疋於本發明中，繞射圖案，即，繞射狹縫，是連續地 =垂直方向或水平方向配置來形成大尺寸螢幕。結果，接觸孔與籲 旦$電極可同日守利用一個光罩過程來形成’此部份將參照第5八圖 至第5E圖來作更多的說明與描述。 請參照第4D圖’在利用第三光罩製程形成第一接觸孔偏、 第二接觸孔462與晝素電極之後，沉積第二金屬層（圖中未 不）’如銦或鈿合金（如组化錮（MoTa)、鶴化銷（M〇w))，於基 材400之結果的結構上。 利用第四光罩製程（圖中未示）對已沉積的第二金屬層圖案鲁 化，以形成源極470與汲極480。源極470透過第一接觸孔46〇 電性連接至源極區域.。並且，汲極48〇之一個邊緣是透過第 二接觸孔462電性連接至沒極區域41〇b ’其他邊緣則電性連接至 晝素電極450。此外’源極47〇也電性連接至資料線（圖中未示）。 如上所述，本發明之LCD陣列基板是藉由四個光罩製程所製 得。因此，與先前技術之陣列基板之製程相比，本發明之實施例 可省略掉兩個光罩製程。藉此，達到生產率的提高與生產費用的 15 I279634 減少。 本發明可透過第4A圖至第 LCD，更可透過第4E圖與第417圖 之角色。

圖之製程完成製作透射型 之額外製程來結合反射型LCD 即’如第4E圖所示’沉積第三絕緣層49〇於包含源極盥 及極之基材·的整個表面上，紐將其酸化，以形成第 接觸孔492第二接觸孔492部分露出沒極48〇，並露出畫素電 極450之透射區域τ。 一 接著如第4F所示’，儿積第二金屬詹於包含第三接觸孔视 之第三絕緣層上，_利用額外的第六光罩製程（圖中未示） 將其圖案化’㈣成反射電極4%，同時露出透射區域了。反射電 極496透過第二接觸孔492而電性連接至汲極，並作為反射部 位R。 第5Α圖至第5Ε圖，是根據本發明之實施例之LCD陣列基 板之製程中的第三光罩製程的剖面示意圖。 首先，如第5A圖所示，陸續沉積第二絕緣層54〇與透明導電 層552於包含半導體層530、第一絕緣層52〇與閘極53〇之基材 5〇〇的結果的結構上。之後，披覆光阻層57〇於透明導電層552 上。本實施例中，第二絕緣層540是由有機材料所製得之一個平 面的薄膜。 接著，請參照第5B圖，根據本發明之實施例之光阻層57〇是 使用繞射光罩580來曝光。繞射光罩580包含第一透射區域入卜 16 1279634 一弟二透射區域A2與一阻檔區域A3。第一透射區域A1是用以 將入射光部份透射，第二透射區域A2是用以將入射光完全透射， 且阻播區域A3是用以將入射光完全阻擋。隨後，將入射光透過繞 射光罩之弟一透射區域A1與第二透射區域A2射入光阻層570。 然後’請參照第5B圖與第5C圖，將曝光過的光阻層570顯 影，使於第一透射區域A1與阻擋區域A3之光阻層發生殘留，但 於第二透射區域A2之光阻層是被移除。雖然實施例中使用正型光 阻層，亦可使用負型光阻層。 在對光阻層570顯影之後，形成了對應於第一透射區域八1 之第光阻圖案572，且第一光阻圖案572是較對應於阻擔區域 A3之第二光阻圖案574為薄。 _藉由使用第一光阻圖案572與第二光阻圖案574作為光罩， 將透明V電層552與第二絕緣層54〇圖案化，藉此形成第一接觸 孔560與第二接觸孔562。 $接著’睛茶照第5D圖，在形成第一接觸孔56〇與第二接觸孔 之後，藉由灰化（ashing)製程將第-光阻圖案572移除。也 部1除第二光阻圖案574 ’而導致其厚度減小。 I &後’睛荟照第5E圖’利用第二光阻圖案π4作為光罩，兹 出的導電層552 ’藉以形成晝素電請。_使_除劑將 罘一光阻圖案574移除。 於前述之第三光罩製程中 罩製程’形成第-接觸孔56〇 ，藉由使用繞射光罩580的一個光 、第二接觸孔562與晝素電極550。 17 1279634 ^是’每個使用繞射狹縫582之第一透射區域Ai是位於除了第 接觸孔、第二接觸孔與晝素電極mo卿成之區域外的整個苎 素區域上。域，本個可於上進行繞射之繞 旦 以下將詳細描述。 味雖然上述之實施例是描述有機絕緣材料之第二絕緣層撕之 紐，然而，此第二絕緣層540也可為無機絕緣材料。^將對 本發明之另-實_作侧描述，#地二絕緣層是無機材料時， ^生階梯覆蓋（stepc〇verage)的問題。特別是，因為無機材料籲 疋/儿積作為薄膜’無機薄膜可在先前形成的金屬層上成為非常薄 的區域。 第6圖是根據本發明之實施例之使用於LCD陣列基板之製作 方法之繞射鮮的部分平面示意圖。光罩是公大尺寸螢幕使 用^描述於帛4C圖之第三光罩製程中。只有對應於單元畫素區域 之尉77光罩被顯不出來。特默，第6圖的繞射光罩是設計來應 用於正型光阻層，但本發明並不限於此。 Φ 明ί…、第5B圖與第6圖’繞射光罩580包含用以形成接觸孔 的第二透射區ΜΑ2與用以形成晝素電極的阻擋區域Μ。而且， 、、>〇射光罩更包含第-透射區域A1，第一透射區域^具有數個連 續配置的繞射狹縫6〇〇與大的面積。 於苐ό圖中’繞射狹縫6⑻係以橫列(r〇w)方向配置，亦可以 直行(column)方向或以點的型式之一種方式來配置。 請參照第5B圖至第5E圖，第二透射區域A2完全將入射光 18 1279634 透射，使將源極510a與汲極510b部份露出的第一接觸孔560與 弟二接觸孔562形成。第一透射區域A1形成繞射狹縫，以將入射 光部份透射，使晝素電極550只形成在阻擋區域A3。 如第6圖所示，第一透射區域A1之繞射狹縫600包含多條條 紋600a與多個空隙600b，條紋600a是用以部份阻擋光線，而空 隙600b是讓光線透射。條紋600a或空隙600b可設計為具有1 ·〇 至2·0μιη左右的寬度範圍，並可隨著特定的曝光設備與與製程方 法而有所變化。 然而，上述之實施例顯示並描述出第二絕緣層54〇是由有機 絕緣材料所形成。 因此，當金屬層存在於繞射曝光區域之下，入射光會被金屬 反射，會產生不一致的光阻層於金屬層之上，並導致製程失敗。 第7Α圖至第7C圖是說明於第三光罩製程之繞射曝光之缺失 的剖面示意圖。 請參照這些圖示，並可與第5Α圖至第5D圖相比較，由形成 於繞射曝光部位之金屬層所引起的缺失，將描述於當第二絕緣層 由無機絕緣材料及非有機絕緣材料所製得之閘極之例子中。 請參照第7Α圖’沉積第二絕緣層74〇與透明導電層乃2於基 材700上。基材700是包含活性層710、第一絕緣層72〇、閉極 與光阻層77G於透明導電層752上。於此狀齡，光線會經由繞 射光罩780射入光阻層770中。 然後，因為第二絕緣層740是由無機絕緣材料所製作，並且， 19 1279634 比起有機絕緣材料，其乃非常的薄，會存在由於下面的金屬層或 類似者所導致的高度差異。 繞射光罩780包含第一透射區域A卜第二透射區域A2與阻 擔區域A3。第一透射區域A1用以部分透射入射光，第二透射區 域A2用以完全透射入射光，而阻播區域A3用以完全阻擋入射 光。在圖示之結構中，閘極730所形成的區域B和此裝置之殘留 的部位相比，具有高度差異。 再來’則對藉由繞射光罩780曝光之光阻層加以顯影，以形鲁 成弟光阻圖案772與弟一光阻圖案774。亦即，藉由對光阻層顯 衫，使光線透射繞射光罩780之第一透射區域與阻擋區域之區域 的光阻層發生殘留’但光線被完全透射之第二透射區域的光阻層 被完全移除。 然後，請參照第7B圖，藉由使用第一光阻圖案772與第二光 阻圖案774作為光罩，將露出的透明導電層乃2與其下方的第二 e緣層740陸績蝕刻，藉以形成第一接觸孔· 此時，軸料-透㈣域Α1β_先關案772賴會比# 由於阻擒部位A3的存在而未露出的第二光阻圖案W為薄。 ，而且’第一光阻圖案772保持一致的厚度是重要的，以避免 陸—的蝕刻製程發生失敗。 然而’使用來對光阻層曝光的先線會被閉極73〇所反射。因 殘留在_730之細層的厚度》丨是不同於第-透射區域 周圍的光阻層之厚度h2。 20 1279634 所以’如第7C圖所示，當利用灰化製程來移除第一光阻圖案 772時’於閘極730上方的部分光阻層是薄的（部位c)，且形成 於光阻圖案下方之導電層752也被移除。這是ϋ為第-光阻圖案 不具有-致的厚度足細停止飾來避免傷_下方的金屬。 光阻厚度乃圖示說明於第8Α圖與第8Β圖之SEm顯微照片。

SEM顯微照片是使用來在繞射曝光後測量光阻層。如第8A 圖所示，當金屬層未形成於光阻層下方時，光阻層是㈣卿厚， 此顯示一個可寺慮的差異。 在本發明之第二實施例中，為了克 上問74，於金屬層的 ㈣（如閘極形成的區域）的繞射曝光中，減少了狹縫寬度以降 低透射過繞射狹縫的光量，藉此補觀阻相厚度。 要注意的是，第二實施例中，LCDH^ 機絕緣材料所製得。 ^ 第9A圖至第9C圖是根據本發明之第二實施例說明⑽陣 面示意圖。除了第4圖之第三光罩製程中狹縫 寬度可以控制外，顯示於第9Α Η T狹縫 弟9C圖陣列基板之製作方式 與弟4 ®所不之製作方式是相_ 、 於第7Αί?Ιδ筮7r® ^ ，以下將描述為了解決 、 圖至弟7C圖所提到的問題之製程。 首先，請參照第9Α圖，將第二维絡 —緣層940與透明導電層952 上〇_ 土土 曰20與閘極930之基材900 上w後，披覆光阻層970於透明 弁繞合心㈣丄， 叫電層952上。在此狀態中， 先線會經由繞射光罩980射入光阻層97〇上。 1279634 此時，因為第二絕緣層94〇是由無機絕緣材料所製得，且與 有機絕緣材料相比是非常的薄，而存在由於其下之金屬層或類似 者所導致之南度差異。 光罩980包含第一透射區域A卜第三透射區域A4、第二透 射區域A2與阻擋區域A3，且第一透射區域A1與第三透射區域 A4是用以透射部分入射光，第二透射區域八2是用以完全透射入 射光’阻擋區域A3是用以完全阻擋入射光。 如第9A圖所示，閘極930所形成之區域D具有高度差異。 本實施例之特徵是第三透射區域A4之預先決定的部位A4b 處的狹縫寬度，比起第三透射區域A4之預先決定的部位A4a與 第一透射區域A1之狹縫寬度來說，是較狹窄的，以補償會減少閘 極930上方之部位的光阻層的厚度。 換句話說’ 一般的第一透射區域A1與第三透射區域八4之部 位A4a的狹縫寬度最好是約12 μιη，但第三透射區域A4之部位 A4b的狹縫寬度最好是約1 〇 μιη。 因此，藉由減少第三透射區域Α4之部位A4b的狹缝寬度， 用以對光阻層曝光之光量會減少，使閘極93〇上方之光阻層會較 不會變薄。 雖然本實施例是使用正型光阻層，亦可以使用負型光阻層。 接著，請參照第9B圖，將經由繞射光罩98〇曝光的光阻層顯 影，以形成第一光阻圖案972與第二光阻圖案974。即，藉由對光 阻層顯影，光阻層會殘留在經過繞射光罩98〇之第一透射區域 22 1279634 A卜第三透射區域A4雜擋區域八3之區域，但會被矛多除於將光 線完全透射之第二透射區域A2。

藉由使用第-光阻圖案972與第二光阻圖案w作為光罩， 陸續侧已曝光的透明導電層952與其下方之第二絕緣層94〇，以 形成第一接觸孔％0與第二接觸孔962。 S 如第9B圖所示，形成於第一透射區域A1之第—光阻圖案 972’是較起形成於阻擔區域A3之第二光阻難974為薄。而二 藉由使用狹縫狹縫來進行繞射曝光，使第三透射區域M具有寬度_ 差異，導致第-光阻圖案972可以保持—致的厚度。 換句話說，因為第三透射區域A4具有其狹縫寬度較為狹窄的 部位Mb與狹縫寬度較為寬的部位她，而減少閑極所形成之區 域的繞射鮮之狹縫寬度，以減錢過繞射林之對應的區域的 光量。藉由補償被閘極93〇所反射之光線與閘極謂之高度，殘 留於閘極93〇上之光阻層之厚度h卜是幾乎和於間極93〇之週邊 位置上的光阻層之厚度於相同。 鲁 因此，如第9C圖所示，當使用灰化製程將第-光阻圖案972 移除，第-光阻圖案972之更—致的厚度會克服於第8C圖所提及 之製程失敗。並且，在灰化製程後，第二光阻圖案974之部位975 會殘留在對應的阻擋部位。 於所述之第三光罩製財，接觸孔與晝素電極是藉由一個光 罩製輯形L財魏射，具_、麵寬度之繞射 狹縫之區域是配置於除了接觸孔與畫素電極所形成之區域的整個 23 Ϊ279634 晝素區域。為此，本發明糊可以於大_進行繞射之 以下將作詳細描述。 70早 第10圖是供大財螢幕使贿LCD _基板之製作方法之 繞射光罩的部分平面示意圖。特別是針對根據本發二實施例 中於第三光罩製程所使用的光罩，且第1G圖只是顯示出對應於單 元晝素區域之部分光罩。 具體而言，第10圖之繞射光罩是設計成使用正型光阻層，但 本發明不限於此。曰 請參照第9圖與第10圖，繞射光罩包含用形城接觸孔之第二 透射區域A2與用以形成晝素電極之阻擋部位A3。並且，此繞射 光罩更包含具有多個連續以大面積方式配置之繞射狹縫卿〇之第 一透射區域A1與第三透射區域A4。 第10圖之繞射光罩之特徵是繞射狹縫1〇〇〇並非以固定的間 距來配置’岐以金騎之_ E處具有較小寬度的方式作配 置，如閘極930形成之區域（第三透射區域八4)。 此外，於第10圖中，繞射狹縫1000是以橫列方向作配置。 同樣地，繞射狹縫1200可以縱列方向或以點的型式作配置。 請參照第10圖，第二透射區域A2完全將入射光透射，而形 成部分露出源極區域與沒極區域之第一接觸孔960與第二接觸孔 962。第一透射區域A1是以繞射狹縫來形成，以部分透射入射光， 並使畫素區域950只在阻播區域A3處來形成。 如第10圖所示，具有第一透射區域A1與第三透射區域A4 24 1279634 之繞射狹縫包含有條紋1000a與空隙1000b，條紋l〇〇〇a是用以部 分阻擒光線，而空隙1000b是用以透射光線。空隙1〇〇〇b最好具 有、力1.0 μιη至約2.0 μιη之寬度範圍，並可以隨著曝光設備與製 作過程作變化。 如上所述，空隙1000b間之間距，即，第三透射區域八4之狹 縫寬度，可不同於第三透射區域A4之其他區域的空隙間距。 換句話說，於金屬層所形成之部位A4b，其狹縫寬度被製作 為狹窄的，且於金屬層未形成之部位A4a，其狹縫寬度是相當的_ 寬。 舉例來說，於金屬層所形成之區域的狹縫寬度最好設計成約 1·〇μιη’而於第一透射部位A1的狹縫寬度最好設計成約ι·2μιη。 雖然第10圖之實施例顯示並描述此金屬層是閘極，但本發明 不限於此。亦即，和本發明相關之技藝應用於位於光阻層下方之 層可不為金屬，但是層的高度差異會引起光阻層的厚度差異。 並且，本發明可應用於具有雙閘極結構之LCD陣列基板。於φ 具有雙閘極結構之LCD陣列基板之製作方法中，繞射光罩設計成 具有繞射狹縫之區域，此區域之繞射狹缝具有狹窄寬度並對應於 金屬層（如閘極）形成之區域。 第11圖是利用雙閘極結構之LCD陣列基板之晝素的放大平 面圖。請參照第11圖，閘極線1115與資料線1103是以彼此垂直 交叉的方式配置，且具有雙閘極結構之薄膜電晶體（ΤΓΓ)是形成 於閘極線1115與資料線11〇3之交叉區域。 25 1279634 TFT包含活性層in卜閘極U15a與ln5a，、源極與 汲極1119b。 部分活性層1111會形成電容儲存器之下電極im，，且下電 極1111’與形成於下電極lln，上的上電極1112會一起形成電容儲 存器Cst〇 閘極包含第-閘極1115a與部分閘極線1115，第一閘極是延 伸自閘極線1115，而部分閘極線1115是對應於和活性層mi重 疊之部位。 源極1119a延伸自資料線n〇3，並透過第一接觸孔lma而 包性連接至源極區域1111a。汲極in%之-端係透過第二接觸孔 1117b電性連接至汲極區域inlb，而其他端則連接至晝素電極， 亦即，形成於透射區域T之透射電極與形成於反射區域R之反射 電極是同時形成的。 於以上之陣列基板中，當具有高電壓等級之閘極單層使用在 閘極時為電子轉#姚徑之通道會形成於活性層上，且源極之鲁 資料訊號會經由活性層傳送至汲極。 當閘極訊號施加於閘極上時，電容儲存器會充入一閘極電 疋，然後施放電壓，以防止當下一個閘極線被驅動且資料電壓施 加於話素電極上時會產生電壓變化。 相對地，當具有低電壓等級之閘極單層使用在閘極時，形成 於活性層上之通道會關閉，傳送至汲極之訊號會停止。於lcd中 之雙閘極的使用可當閘極訊號關閉時減少了漏電流的產生。 26 1279634 雙閘極可應用於在一晝素區域只形成一透射區域之透射塑 LCD或疋在一晝素區域只形成一反射區域之反射型LCD。 本實施例之特徵描述於第4圖至第10圖中，其乃使用一個光 罩末幵/成具有雙閘極、第一接觸孔1117a與第二接觸孔iH7b、 以及晝素電極之LCD陣列基板。 並且本貝知例之特徵在於繞射曝光的進行，如閘極之金屬 層所形成之區域中，其狹縫寬度是較金屬層未形成之區域為窄， 猎以控制光阻層之厚度之一致性。 第12圖是第η圖之使用於LCD陣列基板之製作方法之繞射 光罩的部分平面示意圖，並顯示使用於第三光罩製成之大尺寸繞 射光罩。特別是，第12圖顯示對應於單元晝素區域之繞射光罩之 區域。雖然第12圖顯示並描述此繞射光罩被設計成使用正型光阻 層，但實際應用並不限於此。 請參照第11圖與第12圖，繞射光罩包含第二透射區域A2、 阻擋區域A3與類似者，且第二透射區域A2是用以形成接觸孔， 而阻擋區域A3是用以形成晝素區域。並且，此繞射光罩更包含第 一透射區域A1與第三透射區域A4，第一透射區域A1與第三透 射區域A4具有多連續配置的繞射狹縫12〇〇並具有大的面積。 第12圖之繞射光罩之特徵在於繞射狹縫12〇〇並未全部以固 定間距來配置，但形成於第三透射區域A4之繞射狹縫12〇〇是以 對應於金屬層之區域（如閘極或閘極線形成的區域）的較小寬户 的方式來配置。而且，於第12圖中，繞射狹縫12〇〇是以橫列方 27 1279634 向作配置。同樣地，繞射狹缝1200可以直行方向或以點的型式作 配置。 第二透射區域A2完全透射入射光，使露出部分源極與汲極的 接觸孔來形成。第一透射區域A1與第三透射區域A4具有繞射狹 縫的方式形成，以部分透射入射光，使晝素電極只形成於阻擋區 域A3。 具有第一透射區域A1與第三透射區域A4之繞射狹縫包含有 條紋1200a與空隙1200b，條紋1200a是用以部分阻擋光線，而空鲁 隙1200b是用以透射光線。空隙1200b最好是具有約丨〇卜瓜至約 2·〇μηι之寬度範圍，並且可隨著曝光設備與製作流程來變化。 如上所述，於第三透射區域Α4中，空隙12〇〇b間之間距，即， 狹縫寬度，可不SI定。換句話說，於金屬層所形成之區域，其狹 縫寬度被製作為狹窄的，而於金屬層未形成之區域，其狹縫寬度 是相當的寬。 舉例來說，於金屬層所形成之區域的狹縫寬度最好設計成約φ Ι.Ομιη，而於第-透射部位^的狹縫寬度最好設計成約ΐ 2择。 第13Α圖與第13Β圖是第12圖之選擇的部位之剖面圖。第 13Α圖顯示沿著第12圖之剖面線Μ，之剖面圖，且第別圖顯 示沿著弟12圖之剖面線πΐ_ΙΙΓ之剖面圖。 第13Α圖與第13Β圖說明使用正型光阻層之本發明之實施 例。於第i3A圖與第13Β圖之描述中，在任何可能的情況下，、合 使用和第9Α圖至第9C圖之相同的圖示符號於相同或類似的元 28 1279634 件，並將省略重複的詳細描述。 請參考第13A圖，光線會完全經由第二透射區域A2透射， 以對光阻層曝光’使曝光過的細層會藉由顯影過程來移除掉。 由於光射通過第-透射區域A1時會產生繞射，對應於第—透射區. 域乂之光阻層是藉由㈣過程只部分被移轉。並且，因為繞射· 光罩之阻擋區域A3會阻擋光線，對應於阻擋區域A3之光阻層則. 不會被曝光也不會藉由顯影過程來被移除。 於本實施例中，形成於第一透射區域义之繞射狹縫並未完全籲 以固定間距來形成，如第13B所示。換句話說，f妳圖之特徵 在於如祕極線之金屬層所形成之輯F巾，其繞射狹縫之 寬度是較窄，藉以控制光阻層之厚度之一致性 若第-透射區域之所有繞射狹縫是以相等的間距來形成，使· 用來對光阻層曝光之光線會被如閘極之金屬層所反射，且殘留於 閘極上之光阻層之厚度hi，是不同於閘極之週邊位置上的光阻層 之厚度h3，請參照前述之第7A圖至第7C圖之描述。 φ 為了解決以上問題，金屬層形成之區域A4之狹縫寬度是較窄 的，如第13B圖所示。如前所述，根據LCD之陣列基板及其製作 方法’露出TFT之汲極區域與晝素區域的接觸孔是藉由—個光罩、 製成來形成的，藉以簡化製程並提高生產率。此外，具有可控制 的狹縫寬度之大尺寸繞射光罩，雜著存在於繞㈣光部位之下 的金屬層而改變，藉以於繞射曝光期間控制光阻層之厚度。 雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本 29 1279634 .之保護範圍請參考 在不麟本發批精神域_，所為之枝 屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定 〜4争，句 所附之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖 第2圖 平面圖； ’是先前技狀LCD之部分_透視圖； ’是先前技狀LCD陣縣板之—㈣相部分放大 LCD陣列基板之流籲 第3A圖至第3G®，是說明先前技術之 程的剖面示意圖； 第4A圖至第4F圖，是根據本發日月之實施例說明咖陣列基 板之流程的剖面示意圖； ^ 第5A圖至帛5E目，是根據本發明之實施例之說明描述於第 4C圖之第三光罩製程的剖面示意圖； 、 第6圖，是根據本發明之實施例之使用於LCD陣列基板之製 作方法之繞射光罩的部分平面示意圖； 第7A圖至第7C圖，是根據本發明之實施例之說明於第三光 罩製程之繞射曝光所導致之問題的剖面示意圖； 第8A圖與第8B圖，是本發明之於繞射曝光後之利用測量光 阻層之SEM顯微照片； 第9A圖至第9C圖，是根據本發明之第二實施例說明lcd 陣列基板之流程的剖面示意圖； 弟10圖’是根據本發明之第二實施例之使用於LCD陣列基 30 1279634 板讀作方法之繞射群的部分平面示意圖； 第11圖，疋本發明之利用雙閘極結構之LCD陣列基板之畫 素的放大平面圖； 第圖’是根據本發明之第u圖之使用於LCD陣列基板之 製作方法之繞射光罩的部分平面示意圖；及 之剖面圖。 第13A圖與第13B圖 【主要元件符號說明】 ，是本發明之選擇的部位 1、400、500、700、900 基材 5 上基板 6 黑色★巨陣 7 彩色濾光層 11 LCD 13、in、1115 閘極| 15、112、1103 資料線 14 液晶層 17、62、134、450、550 晝素電極 18 透明共同電極 22 下基板 30 緩衝層 32a、410、710、910、1111 活性層 32b、32c 歐姆接觸層 36 閘極絶緣層

31 1279634 38、120、430、530、730、930、1115a、1115a’ 閘極 40、420、520、720、920 第一絕緣層 44、440、540、740、940 第二絕緣層 46a 第一歐姆接觸孔 46b 第二歐姆接觸孔 50、128、480、510b、1119b 没極 52、126、470、510a、1119a 源極 54、490 第三絕緣層 56 汲極接觸孔 32、116 半導體層 122a 第一半導體層接觸孔 122b 第二半導體層 410a、1111a、la 源極區域 410b 、 1111b 、 lb >及極區域 460、560、760、960、1117a 第一接觸孔 462、562、762、962、1117b 第二接觸孔 492 第三接觸孔 496 反射電極 552、752、952 導電層 570、770、970 光阻層 572、772、972 第一光阻圖案 574、774、974 第二光阻圖案 1279634 580、780、980 繞射光罩 582、600、1000、1200 繞射狹缝 600a、1000a、1200a 條紋 600b、1000b、1200b 空隙 975 部位 1111’ 下電極 1112 1115a A1 A2 A3 A4 A4a、A4b

B、D

Cst hi、h2

P 上電極 第一閘極 _ 第一透射區域 第二透射區域 阻擋區域 第三透射區域 第三透射區域之部位 區域 電容儲存器 馨 厚度 晝素區域 反射部位 透射區域 剖面線

R

T Ι·Ι，、ΙΙ-ΙΓ、ΙΙΙ-ΙΙΓ 33

Claims (1)

1. I279¥±fj pv (月 十、申請專利krr 一 一—- :液晶顯示裝置之陣列基板，其包含有： 一基材； 一活性層，位於該基材上，一第一絕緣層位於該活性層 上，且一閘極位於該第一絕緣層上； 一源極區域與一汲極區域，位於該活性層上預先決定的區 域，並分別掺有複數個雜質離子（impurity ions); 一第二絕緣層，位於包含該閘極之該基材的整個表面上; 一畫素電極，位於該第二絕緣層上； 一第一接觸孔與一第二接觸孔，位於該第一絕緣層與該第 一絶緣層上，並分別露出部分該源極區域與該沒極區域； 一源極，具有一部位透過該第一接觸孔與該源極區域連 接，及 一汲極，具有一第一部位與一第二部位，該第一部位係與 該汲極區域連接，該第二部位與該晝素電極連接。 2·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該活性層包含多晶石夕（p〇lySilic〇n )。 3·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，更包 含一緩衝層，位於該活性層下方。 4.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該畫素電極、該第一接觸孔與該第二接觸孔係藉由使用一光罩 所形成，且該光罩配置有一繞射圖案。 34 1279634 5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該繞射圖案係只傳送部分入射光至該晝素電極、該第一接觸孔 與該第二接觸孔所在區域之外的其他區域的上方。 6. 如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該繞射圖案具有複數個狹縫寬度，該些狹縫寬度係介於1〇 μιη〜2·0μπι間的範圍。 7·如申明專利範圍苐6項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該繞射圖案之該些狹縫寬度係隨著存在於對應的該基材上的鲁 "^金屬層的區域作變化。 8·如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該第二絕緣層包含一無機材料。 9·如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示農置之陣列基板，其中 位於該金屬層上之該繞射圖案具有約1〇 μιη之一狹縫寬度， 且位於不具有該金屬層之區域上之職射圖案係具有約U μιη之一狹縫寬度。 φ 10·如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，更包 含有·· 一第二絕緣層，位於包含該源極與該汲極之該基材之整個 表面上； 一第三接觸孔，位於該第三絕緣層之-聽決定之區域， 並露出部分該汲極；及 一反射電極（reflectionelectr〇de)，位於該第三絕緣層上， 35 1279634 並透過該第三接觸孔電性連接至該汲極。 11·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之陣列基板，其中 該閘極包含一第一閘極與一第二閑極，該第一閑極係自該閑極 線延伸而出，且該第二閘極包含與該活性層重疊之部分閘極 線。 12· —種液晶顯示裝置之陣列基板之製作方法，其步驟包含·· 陸續形成一活性層、一第一絕緣層與一閘極於一基材上； 藉由植入複數個雜質離子於該活性層之複數個預先決定 之區域，形成一源極區域與一汲極區域於該活性層之該些預先 決定之區域； 形成一第二絕緣層於包含該閘極之該基材之整個表面上； 形成一晝素電極於該第二絕緣層上，並藉由移除位於該源 極區域與該汲極區域上之部分該第一絕緣層與該第二絕緣 層，形成一第一接觸孔與一第二接觸孔； 形成一源極，且該源極之一部位係透過該第一接觸孔而連 接至該源極區域；及 形成一汲極，且該汲極之一第一部位與一第二部位係分別 連接至該汲極區域與該源極區域。 如申叫專利範圍弟12項所述之液晶顯示農置之陣列基板之製 作方法，其中該形成該晝素電極、該第一接觸孔與一第二接觸 孔之步驟係包含： 形成一透明導電層於該第二絕緣層上； 36 1279634 披覆一光阻層於該透明導電層上； 發射-光線至已披覆的該光阻層上，並使用—光罩，且該 ，罩具有-第—透射區域、—第二透射區域與—阻擋區域，= 第一透射區域係將該光線部分透射，該第二透觀域係將該光 線完全透射’雜倾域敍致上將該光線阻擒； 對被曝光的該光阻層進行顯影，以形成一第—光阻圖案對 應於該第-透射區域，並形成一第二光阻圖案對應於該阻擔區 域； 使用該第-光阻圖案與該第二光阻圖案作為一光罩，部分 移除該第-絕緣層、該第二絕緣層與該透明導電層，以形成該 第一接觸孔與該第二接觸孔； 移除該第一光阻圖案；及 使用該第二光阻圖案作為一光罩，圖案化該透明導電層， 以形成該晝素電極。 R如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示褒置之陣列基板之製 作方法，其中該第-透射區域具有一繞射_，以將射入該第 -接觸孔與該第二接觸孔所形成的區域之外的其他複數個區 域的該光線部分透射。 15.如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法’其中該第-透射區域具有一半透圖案，以將射入該第 -接觸孔與該第二接觸孔所形成的區域之外的另—個區域的 該光線部分透射。 37 1279634 16·如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法’其中該繞射圖案包含一狹縫形條紋與一空隙，且該狹 縫形條紋係用以部分阻擋該光線，該空隙係用以透射該光線。 Π·如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法’其中該繞射圖案具有複數個狹縫寬度，該些狹縫寬度 係介於Ι.Ομιη〜2·〇μιη間的範圍。 18·如申请專利範圍第14項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該繞射圖案之該些狹縫寬度具有差異，使該光阻鲁 圖案具有大致上相同之厚度。 19·如申请專利範圍第μ項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該繞射圖案之該些狹縫寬度係隨著存在於與該繞 射圖案對應之該基材上之區域上的一金屬層而不同。 20·如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該第二絕緣層包含一無機材料。 21·如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製鲁 作方法，其中位於忒金屬層上之該繞射圖案具有約1〇 μιη之 一狹縫寬度，且位於不具有該金屬層之一區域上之該繞射圖案 係具有約1·2 μπι之一狹縫寬度。 22·如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該金屬層包含一閘極。 23·如申明專利範圍苐21項所述之液晶|員示裝置之陣列基板之製 作方法，更包含： 38 1279634 形成一第三絕緣層於包含該源極與該汲極之該基材之整 個表面上； 移除該第三絕緣層之一預先決定的部位，以形成一第三接 觸孔來露出該第三絕緣層之一預先決定的部位，並露出該晝素 電極；及 形成一反射電極於該第三絕緣層上，該反射電極係透過該 第三接觸孔而與該汲極電性連接。 24·如申請專利範圍第^項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製馨 作方法’其中該閘極包含一第一閘極與一第二閉極，該第一閉 極係自該閘極線延伸而出，且該第二閘極包含與該活性層重疊 之部分閘極線。 25. -種液晶顯示裝置之陣瓶板之製作方法，其步驟包含： 利用-第-光罩製程，形成—活性層於—基材上； 沉積-第-絕緣層與-第_金屬層於包含該活性層之該 基材上’並利用-第二光罩製程，圖案化該第一金屬層以形成鲁 藉由植入複數侧魏子_職叙魏個預先決定 的區域，以形成-雜區域與_》及極區域於該活性層之該些個 預先決疋之區域上； 沉積一第二絕緣層與一透明導電層於包含該閘極之該基 材的整個表面上，並利用-第三光罩製程，移除部分的該第二 絕緣層、該第二絕緣層與該透明導電層，以形成—第一 39 1279634 孔、-第二接觸孔與一t素電極，且該第一接觸孔與該第二接 觸孔係露出該源極區域與該汲極區域；及 沉積一第二金屬層於該基材上，並利用一第四光罩製程， 三木化該第—金屬層以形成—源極與—沒極，使該源極透過該 第—接·而連接雜區域，驗極透職第二接觸孔而 連接至該汲極區域。 申明專利範圍弟25項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該晝素電極、該第一接觸孔與該第二接觸孔係利 用包含一光罩所形成，且該光罩包含一繞射圖案。 27·如申料概圍第％獅述讀晶齡裝置之卩翔基板之製 作方法，其中該繞射圖案係將通過該晝素區域、該第一接觸孔 與該第二接觸孔所形成的區域之外的其他複數個區域的入射 光部分透射。 申明專利範圍弟27項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法，其中該繞射圖案之複數個狹縫寬度係隨著存在於與該 ά射圖案對應之該基材上之區域上的一金屬層而不同。 29·如申請專利範圍第28項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方去’其中該第二絕緣層包含一無機材料。 30·如申請專利範圍第25項所述之液晶顯示裝置之陣列基板之製 作方法’其中該閘極包含一第一閘極與一第二閘極，該第一閘 極係自該閘極線延伸而出，且該第二閘極包含與該活性層重疊 之部分閘極線。