JP4271137B2 - 液晶表示装置のアレイ基板製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (18)
- 基板上にアクティブ層、第1絶縁層及びゲート電極を順次形成する段階と、
前記アクティブ層の所定領域にイオンを注入してソース領域及びドレイン領域を形成する段階と、
前記ゲート電極を含む全面に第2絶縁層を形成する段階と、
前記第2絶縁層上に画素電極を形成して、前記アクティブ層のソース領域及びドレイン領域上部に形成された前記第1絶縁層、第2絶縁層をそれぞれ除去して第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールを介して一部分が前記ソース領域と接触するソース電極を形成する段階と、
前記第2コンタクトホールを介して第1部分が前記ドレイン領域と接触して、第2部分が前記画素電極と接触するドレイン電極を形成する段階と
が含まれ、
前記画素電極及び第1、第2コンタクトホールを形成する段階は、
前記第2絶縁層上に感光膜を塗布する段階と、
光の一部だけ透過させる第1透過領域と、光をすべて透過させる第2透過領域及び光を遮断する遮断領域を有するマスクを介して前記感光膜に光を照射する段階と、
前記マスクを介して光が照射された感光膜を現像して、前記第1透過領域に対応する第1感光膜パターンと、前記遮断領域に対応する第2感光膜パターンを形成する段階と、
前記第1、第2感光膜パターンをマスクにして第1絶縁層と第2絶縁層及び透明な導電膜の一部を除去することによって、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出させて前記第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1感光膜パターンを除去する段階と、
前記第2感光膜パターンをマスクにして透明な導電膜をパターニングすることによって、画素電極を形成する段階と
で構成される
ことを特徴とする液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 - 前記第1透過領域に回折パターンが形成され、前記画素電極及び第1、第2コンタクトホールが形成される領域以外の領域に対しては、入射する光の一部だけを透過させることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記第1透過領域にハーフトーンパターンを有し、前記画素電極及び第1、第2コンタクトホールが形成される領域以外の領域に対しては、入射する光の一部だけを透過させることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記回折パターンは、部分的に光を遮断するスリット形状のバーと、光を透過させるスペースとで構成されることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記回折パターンのスリット幅は、1.0μm〜2.0μmであることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記第1感光膜パターンの厚さが均一に維持されるようにするために、前記第1透過領域に形成されたスリットパターンのスリット幅に差を持たせることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記回折パターンのスリット幅は、前記回折パターンに対応する基板の領域上に金属層が具備されていることにより差が発生することを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記第2絶縁層は、無機絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記金属層が具備された領域に対応する回折パターンのスリット幅は、1.0μmであって、それ以外の領域に対応する回折パターンのスリット幅は、1.2μmであることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記金属層は、ゲート電極であることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を含む基板の全面に第3絶縁層を形成する段階と、
前記第3絶縁層の所定領域を除去して前記ドレイン電極の一部を露出させる第3コンタクトホールを形成して、前記画素電極を露出させる段階と、
前記第3コンタクトホールを介してドレイン電極と電気的に接続される反射電極を前記第3絶縁層上に形成する段階と
がさらに含まれることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 - 前記ゲート電極は、ゲートラインから突出した第1ゲート電極及びアクティブ層と重なるゲートラインの一部で形成された第2ゲート電極で形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 基板上に第1マスク工程を介してアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層を含む基板上に第1絶縁層及び第1金属層を蒸着して、第2マスク工程を介して前記第1金属層をパターニングしてゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極をマスクにしてアクティブ層の所定領域に不純物イオンを注入してソース領域及びドレイン領域を形成する段階と、
前記ゲート電極を含む基板全面に第2絶縁層及び透明な導電膜を蒸着した後、第3マスク工程を介して前記第1絶縁層と第2絶縁層及び透明な導電膜の一部を除去することによってソース/ドレイン領域の一部を露出させる第1、第2コンタクトホール及び画素電極を形成する段階と、
、前記ソース電極が第1コンタクトホールを介してソース領域と接続され、前記ドレイン電極が第2コンタクトホールを介してドレイン電極と接続され、その一部が画素電極と接続されるように、前記基板上に第2金属層を蒸着した後、第4マスク工程を介してこれをパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成する段階と
が含まれ、
前記第1、第2コンタクトホール及び画素電極を形成する段階は、
前記第2絶縁層上に感光膜を塗布する段階と、
光の一部だけ透過させる第1透過領域と、光をすべて透過させる第2透過領域及び光を遮断する遮断領域を有するマスクを介して前記感光膜に光を照射する段階と、
前記マスクを介して光が照射された感光膜を現像して、前記第1透過領域に対応する第1感光膜パターンと、前記遮断領域に対応する第2感光膜パターンを形成する段階と、
前記第1、第2感光膜パターンをマスクにして第1絶縁層と第2絶縁層及び透明な導電膜の一部を除去することによって、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出させて前記第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1感光膜パターンを除去する段階と、
前記第2感光膜パターンをマスクにして透明な導電膜をパターニングすることによって、画素電極を形成する段階と
で構成される
ことを特徴とする液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 - 前記画素電極及び第1、第2コンタクトホールは、回折パターンが具備されたマスクにより形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記マスクに具備された回折パターンは、前記画素電極及び第1、第2コンタクトホールが形成される領域以外の領域に対しては、入射する光の一部だけを透過させることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記回折パターンのスリット幅は、前記回折パターンに対応する基板の領域上に金属層が具備されていることにより差が発生することを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記第2絶縁層は、無機絶縁物質で形成されることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
- 前記ゲート電極は、ゲートラインから突出した第1ゲート電極及びアクティブ層と重なるゲートラインの一部で形成された第2ゲート電極で形成されることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置のアレイ基板製造方法。
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