TWI276150B - Method to pattern at least one layer and electrical component with structures composed of said layer - Google Patents

Description

1276150 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種使至少一層被結構化所用之方法 具有由該層所構成之結構之電機組件。 【先前技術】 在製造半導體結構和電機組件時，通常需要使至 由至少一層所構成的結構被結構化。因此，通常各 每一即將產生的結構施加一種光阻於該層上，進行 顯像且然後將該光阻的結構轉移至該層中。這些方 時間且複雜，此乃因這些方法須各別地施加二個光 須使由至少一層所構成的第一和第二結構各別地 化。 【發明內容】 本發明的目的是提供一種方法，其可使上述的缺 改良。 本發明中上述目的藉由申請專利範圍第1項之方 成。本方法之有利的其它形式以及具有以本方法所 結構之電機組件描述在申請專利範圍其它各項中。 本發明描述一種產生一結構化之層所用的方法， 以下各步驟： A) 在基板上配置至少一個層， B) 在至少一個層上產生一種具有第一和第二結 罩結構， 以及 少二種 別地對 曝光， 法很費 阻層且 被結構 點獲得 法來達 製成的 其包括 構之光 1276150 c)上述之至少一層藉由一種等向性方法而被結構化， D)然後藉由異向性方法使至少一層被結構化。 相對於上述之傳統方法而言，本發明的方法中只需一種 光罩結構，此乃因在步驟C)和D)中該層依據本發明係藉由 光罩結構之第一結構和第二結構首先以等向性方法然後以 異向性方法而被結構化。在等向性結構化方法中，結構化 速率與方向無關，例如，以濕式化學蝕刻劑來進行的等向 性蝕刻即與方向無關。由於等向性結構化，則在步驟C)中 φ 須在第一結構下方使至少一層之大的區域被去除，然後該 結構之此層下方的區域在步驟D)中即可被接近（access)。在 異向性方法中，結構化速率與方向有關。例如，濕式化學 蝕刻方法在步驟C)中適合作爲等向性結構化方法，濺鍍方 法在步驟D)中適合作爲異向性結構化方法。其它用作等向 性蝕刻劑之例子是濕式蝕刻劑，例如，HF-和HC1-溶液，用 作異向性鈾刻劑者例如氬-或氯-電漿·。因此，本發明中由於 步驟C)中之等向性結構化方法和步驟D)中之異向性結構化 φ 方法之組合而可只以一種光罩結構在至少一層中產生二種 結構。 - 在一種有利的實施形式中，在步驟A)中產生第一層且在 、 第一層上產生至少一第二層，其中在步驟C)中第二層被結 構化且在步驟D)中第一層被結構化。由於步驟C)中等向性 的結構化，則可在光罩結構之第二結構下方使第二層之大 部份被去除，且因此使第一層之大部份區域裸露出來，以 便在步驟D)中可經由裸露的區域來進行結構化。然後，步 1276150 驟D)中光罩層之第二結構藉由異向性蝕刻方法而儘可能準 確地轉移至第一層中。 較有利的方式是在步驟c)中使光罩結構的第一結構-且 在步驟D)中使光罩結構的第二結構轉移到至少一個層中。 光罩結構的第一結構可以是一種粗結構，其在與細結構 的第二結構相比較時具有較大的粒徑。粗結構之最小的粒 徑較佳是細結構之最小的粒徑之二倍。藉由步驟c)中之等 Μ結構Him罩結-耩'第二應 • 妄_’使該處只有jl,1幾.麗如，請參閱 __________________ 第1 C圖）。因此，步驟C)中的等向性結構可，，擺脫”細結構， 使細結構可獨立地被欠（under)蝕刻且因此不能轉移。只有 在異向性的結構化步驟D)中該第二細結構才可轉移到至少 一個層中。若在基板上施加第一和第二層，則有利的方式 是使粗結構轉移至第二層中且使細結構轉移至第一層中。 因此，粗結構例如可具有一種連結墊用的形式而具有一種 特定的幾何形式（例如，圓形，三角形，四邊形），細結構例 φ 如可具有用於接觸線或用於細導電軌的線形結構。 若基板上只存在著一層而不是存在著第一和第二層，則 ^ 步驟C)中該層之與粗的光罩結構相鄰的區域由於等向性結 ' 構化方法而被去除且只有光罩結構的粗結構轉移至該層 中。步驟D)中該細結構可轉移至該層之由粗的光罩結構所 進一步去除的區域中。 此外，在基板上存在第一和第二層時，有利的方式是在 步驟C)中使用對第二層具有選擇性的蝕刻劑且情況需要時 1276150 亦在步驟D)中使用一種對第一層具有選擇性之蝕刻劑。於 是可確保步驟C)和D)中分別只有所期望的層被結構化。蝕 刻劑的選取因此與第一和第二層的特性有關。當第一層是 金屬層且第二層是介電質層（例如，Si〇2)時，則例如步驟C) . 中可使用HF且步驟D)中可使用濺鍍方法。 第一和第二待結構化的層例如可以是金屬層。當該二個 已結構化的層應該被用來接觸一電機組件時，則特別有利 的是在基板上產生鉑層以作爲第一層且產生金層以作爲第 φ 二層。此二個金屬層特別是具有良好的導電性，其中在金 層上可特別簡單地例如藉由結合（Bond)方法（例如，超音波-結合）而施加一種電性接觸用的導線。 本發明之方法的步驟B)中有利地產生一種光阻層且藉由 微影術（S卩，由曝光且然後進行顯影所達成的結構化方法） 而使光阻層被結構化成光罩結構。已結構化的光阻層在本 發明的方法中特別適合用作光罩結構。當然亦可在步驟B) 中產生一種不可以光來結構化的光罩結構。例如，可在第 # 二層上產生一種聚合物層（例如，聚醯亞胺層）且然後藉由一 種經由光罩之結構化的飩刻過程使該聚合物層被結構化。 ‘ 在本發明的方法之一種有利的實施形式中，在步驟C)之 ’ 後所進行的步驟C1)中該光罩結構在多個區域（其中該光罩 結構下方之第二層已去除）中下降至第一層上。此種額外的 步驟例如已顯示在第1 D圖中。本發明中在步驟C)中由於等 向性的結構化方法而可能藉由第二層之去除使該光罩結構 的廣大區域由下方被掏空（例如，請參閱第1 C圖）。在此種 1276150 情況下，特別有利的是在步驟c 1)中使光罩結構下降至第一 層’以確保光罩結構之結構可特別準確地在步驟D)中藉由 異向性的結構化方法而轉移至第一層上。光罩結構下降至 第一層例如可藉由下述方式來達成，即，使光罩結構乾燥 或由基板（其具有第一層和第二層）和光罩結構所構成的整 個配置安裝至一種離心機中且隨後進行離心作用以使光罩 結構乾燥，此時該光罩結構受到乾燥作用且同時下降至第 一層上。 • 光罩結構適合乾燥的時機主要是當步驟C)中所使用的結 構化介質（例如，蝕刻化學劑）藉由一種清潔劑（例如，水）而 被去除且隨後所剩餘之水亦應去除時。 有利的方式是在步驟C)中使第二層除了光罩結構下方之 一個或多個區域之外完全被去除。因此，第一層之很大的 區域成爲空著的情況且在步驟B)中因此可特別簡單地進行 一種結構化。 此外，在步驟D)之後的步驟E)中使光罩結構去除。光罩 鲁結構在此種情況下只作爲暫時性存在的結構而用來使第一 和第二層或其中一層被結構化且光罩結構隨後又被去除。 本發明的方法可有利地修改，使其成爲一種電機組件的 製造方法，特別是用來製造電機組件的電性終端。因此， 在步驟A)中製備該具有其它功能層之基板且在步驟B)中產 生一種光罩結構，其具有一種幾何上已定形的平面區以作 爲第一結構以及一*種由第一結構開始的線形結構以作爲弟 二結構。此種光罩例如已顯示在第1圖中。然後，在步驟 1276150 c)中使第二層結構化成一種配置在光罩結構之幾何上已定 形的區域下方的區域，其中形成一種結合墊（例如，請參閱 第1 C圖和第2圖）。然後，在步驟D)中使光罩結構之線形 結構轉移至第一層中，其中形成多條接觸線（例如，請參閱 第1 E圖）。該結合墊因此具有一種與光罩結構區域之幾何形 式相對應的形式。即，在與光罩結構區域之幾何形式相比 ^ 較時，該結合墊具有另外的凹入區且亦具有一種面向基板 而變寬之橫切面（例如，請參閱第1 C，2和3圖）。各凹入區 φ 和面向基板而變寬之橫切面因此須追溯至步驟C)中的等向 性的結構化方法，其會造成光罩結構下方被掏空。 一種與本發明的方法的另一形式相類似的方法具有另一 步驟C 1)且以橫切面的形式顯示在第1 A至1 F圖中。光罩結 構之幾何上已定形的區域（其在光罩結構中形成一種連續的 層區）因此用來使由第二層所構成的結合墊被結構化。該區 域之幾何形式可任意地選取，例如，其可爲四角形（如第3 圖所示），卵形，圓形或三角形或任意之多角形。此外，光 φ 罩結構之該區域之幾何形式亦可具有不規則的任意的形 式。在步驟C)的等向性結構化中，光罩結構之該區域之幾 ^ 何形式成像在第二層中，其中由於等向性的結構化方法而 - 使光罩結構的下方被掏空，光罩結構之該區域之幾何形式 於是只能粗略地轉移至第二層中（例如，請參閱第1 c和3 圖）。依據所使用的等向性蝕刻介質，第二層之性質和步驟 C)中蝕刻過程之持續期間會造成像結合墊形式之凹入區。因 此，光罩結構之該區域之例如圓的形式須轉移至第二層 -10- 127.615.0 中，使圓形之該結合墊具有額外之凹入區（請參閱第2圖）。 此外，由已結構化的第二層所構成的結合墊由於等向性的 結構化方法而具有一種面向基板逐漸變寬的橫切面，其同 樣如第1 C圖所示。 因此，藉由本發明的方法之另一種形式，則可特別簡單 地製成電機組件用的接觸線和結合墊，其中此種製程可藉 由本發明的方法依據已製成的組件之幾何形式和結合墊的 开夕式來辨認’其中結合墊具有光罩結構之區域之幾何开多 φ 式，此種幾何形式具有另外的凹入區和另外之面向基板而 變寬的橫切面。藉由本發明之方法的上述方式所製成的接 觸線在電性上與該結合墊相接觸且例如可藉由一已連結的 導線使電流均勻地經由整個基板而施加至該結合墊上，或 使電流導入至已施加在基板上之各功能層。各接觸線因此 使施加至結合墊上的電流儘可能均勻地分佈在該組件的各 功能層上。各接觸線於是可具有儘可能不同的任意形式。 例如，各接觸線可以柵格形式來形成（例如，請參閱第2和 Φ 4圖）。此外，各接觸線同樣可以輻射式之鋸齒形來形成， 如第3圖所示。 • 又，可使用本發明的上述方法以製成活性組件，例如， • 可製成電機組件之導電性結構及其結合墊。又，可特別簡 易地藉由本發明之方法的其它方式以製成表面波-組件之導 電性微結構（例如，數位間的指狀電極）和電性上與各微結構 .相接觸的結合墊。表面波-組件之導電性微結構例如包含 鋁，與微結構相接觸的結合墊則可包食金。 -11 - 1276150 又，本發明的另一標的是電機組件，其基板具有一種配 置於其上的第一和第二結構，其中第一結構藉由等向性-且 第二結構藉由異向性之結構化方法而由至少一層被結構化 而製成。第一結構由於等向性的結構化方法而顯示一種面 向基板逐漸變寬的橫切面以及一種不規則的幾何形式，其 基本上對應於產生第一結構所用的光罩結構之形式且由於 等向性的結構化而具有另外的凹入區。第一結構例如可以 是一種結合墊，第二結構可以是接觸線（例如，導電軌）或一 種接觸柵格。 在傳統的組件中，該結合墊通常具有一種特定的幾何形 式，例如，圓形或三角形，其中未存在另外的凹入區且亦 未存在著面向基板而變寬的橫切面。這可歸因於電性接觸 區之傳統製造方法中使用異向性的結構化方法，其使光阻 的結構垂直地轉移至待結構化的層中。 本發明的組件之優點是其可特別簡單地製成。該結合墊 的幾何形式例如可爲圓形，三角形，四邊形，多邊形或任 Φ 意之不規則的形式。 上述形式的組件中的各接觸線可有利地以柵格形式來形 - 成，使施加至該結合墊上的電流可特別均勻地分佈在功能 層上。第二層的材料（其通常用來使結合墊被結構化）是金時 較佳，第一層的材料（其形成上述的接觸線）是鉑時較佳。 此外，本發明的標的是一種包含基板的電機組件，基板 具有一種配置在基板上的第一和第二結構，其中第一結構 具有一種面向基板而變寬的橫切面且具有一種幾何形式， -12- 1276150 其周圍具有其它凹入區。 如上所述，各凹入區和面向基板而變寬的橫切面係由於 第一結構的等向性蝕刻所造成。 本發明以下將依據圖式中的實施例來詳述。 【實施方式】 第1A圖以橫切面方式顯示本發明之方法中之步驟A)完 成之後由基板5和施加於基板上的第一層1 〇和第二層15 所構成的配置。例如，當電性接觸區應以電機組件用之接 φ 觸線和結合墊之形式來構成時’則第一層1 〇可包含鉑且第 二層15可包含金。 然後，如第1B圖所示，在步驟B)中在第二層15上產生 光罩結構2 0。光罩結構2 0因此具有一種幾何形的區域 2 〇 A，其下方形成該結合墊。此外，光罩結構2 0具有由區 域20A開始的線形的結構20B，其在製造各接觸區時用來使 稍後由第一層1 0所構成的各接觸線被結構化。光罩結構2 0 之這些線形的結構於是可以柵格形式構成。 Φ 第1 C圖顯示步驟c)中如何經由光罩結構20使第二層1 5 藉由一種等向性的結構化方法而被結構化且因此使第一層 • 1〇之一部份裸露出來。在步驟C)中於是形成已結構化的第 ， 二層1 5 A，其形成稍後之結合墊之一部份。由第1 C圖可得 知··由於等向性的結構化方法而可造成該光罩結構2 0之欠 (u n d e r)鈾刻現象，使各凹入區2 5 A形成在已結構化的第一 層15A中。結果，已結構化的第二層15A之橫切面15C向 著基板5而變寬。等向性的結構化方法（例如’等向性的蝕 -13- 1276150 刻）因此可有利地不需進行且如第1 C圖所示而顯示出第二 層15之存在於光罩結構20之較小結構20B下方的大區域， 使光罩結構20之廣大區域可完全由下方掏空。 在隨後之示於第1D圖中的步驟C1)中，光罩結構20之已 _ 由下方掏空的部份下降至第一層1 0上。這例如可以下述方 式來達成，即，使光罩結構乾燥，以去除水狀的清潔劑。 該清潔劑用來對步驟C)中所用的蝕刻劑進行沖洗。蝕刻劑 例如可包含濕式化學蝕刻劑。爲了進行乾燥，則由光罩結 • 構，上述之二種層和基板所構成的整個配置可安裝在離心 機中，其中特別有利的是同時使光罩結構20之已由下方掏 空的區域下降至第一層10上。光罩結構20下降至第一層 1 0時可特別準確地使光罩結構之結構在隨後的步驟D)中轉 移至第一層10上。 然後，在步驟D)中經由光罩結構20使第一層10被結構 化，其中光罩結構20之較小的結構20B轉移至第一層上。 因此形成已結構化的第一層10A(請參閱第1E圖）。之後形 φ 成一種接觸柵格，如第2A和2B圖中的俯視圖所示。 然後，在步驟E)中使光罩結構20去除，其中由已結構化 ‘ 的第一和第二層10A，15A所構成的結合墊25以及另外存在 • 的接觸線30於是會裸露出來（第1F圖）。當與一條導線相連 結時，該結合墊2 5例如可作爲該組件之電性接觸區。 第2A和2B圖顯示第二層（一種經由光罩結構20之金層） 之等向性結構。如第2A圖所示，光罩結構之柵格形的區域， 線形的結構20B在等向性蝕刻過程中由下方被掏空’其中 -14- 1276150 第2 A圖中在線形的結構2 0 B之各相交點上仍然存在著第二 金層之殘留物35。此處”由下方掏空”之現象因此是不完整 的。此外，由於等向性的結構而可辨認出各凹入區2 5 A已 形成在該結合墊25中。各凹入區同樣亦由於光罩結構之下 方掏空現象所造成。光罩結構之該區域之原來的幾何形式 在此種情況下是圓形的，因此造成一種具有額外之凹入區 25A之圓形的結合墊。第2B圖中步驟C)結束。因此，光罩 結構之線形結構20B之各相交點下方不再存在著第二金層 φ 之區域35。 第3圖以俯視圖顯示一種具有接觸線30(其形成鋸齒形之 輻射形式）之結合墊25之另一可能之實施形式。光罩結構之 區域之原來之幾何形式此處以虛線表示成形式20A。原來的 形式在此種情況下是四邊形。於是在步驟C)中由於等向性 的結構而造成一種形式25B，其除了四邊形20A之外另具有 凹入區25A。輻射形式之接觸線30是接觸線之另一種可能 的形式，接觸線通常是柵格形。 φ 第4圖是本發明之電機組件的透視圖。該電機組件在此 種情況下是一種InGaN-LED。因此，在基板5(例如，藍寶 * 石基板）上施加不同功能的層。例如，施加一種G a N -緩衝層 - 45，η-摻雜的氮化鎵40，InGaN_多重量子井50以及p-氮化 鎵36。此外，仍可存在其它以不同之元素（例如，鋁或銦） 來摻雜的氮化鎵層，其在此處未各別地指出其名稱。在P-摻雜之氮化鎵層（其通常是不易導電者）上施加多個接觸 區，其例如可藉由本發明的方法而製成。即，該結合墊25 -15- 1276150 具有例如由於本發明的方法而另外存在的凹入區25A以及 一種接觸柵格30以使電流能較佳地轉移至p-摻雜的氮化鎵 層36上。此外，在n_摻雜的氮化鎵層上仍存在著一種n-電極60。本發明的接觸區同樣可施加在η-摻雜的氮化鎵層 上。 實施例 在本發明的方法之步驟Α)中蒸鑛一種InGaN-LED，其具 有由鉑所構成的第一層且第一層厚度是40奈米（nm)，然後 φ 蒸鍍一種由金構成的第二層，其厚度是1 000奈米。然後對 光阻AZ 1 5 05 (Clariant)進行一種離心作用且以相對應的光 罩（條寬2.5微米且中央的結合墊具有120微米的直徑）來曝 光2秒。然後已曝光的區域以顯影劑AZ 3 5 1 B來顯影，此 時形成光罩結構，其隨後在120°C時乾燥30分鐘。在步驟 C)中以含有氰化物的水狀蝕刻劑（適用於金）來對第二層（金 層）進行蝕刻，其中仍須進行1次1 /2分鐘之事後蝕刻，以 使光罩結構達成良好的下方掏空現象。然後，該蝕刻劑藉 φ 由以水來沖洗基板而去除且隨後在旋塗-沖洗-乾燥機中以 最大240 0轉（U)/分鐘的速率而被乾燥，其中另外使光罩結 • 構之下方已掏空的區域下降至第一層（鉑層）。然後在較低的 ， 轉速下在旋塗-沖洗-乾燥機中在氮氣流下再進行乾燥。隨後 在氬電漿中藉由濺鍍來對鉑層蝕刻6分鐘（步驟D))。然後 在Po si strip中使光罩結構被去除。 本發明不限於此處所述的實施例。其它形式（例如，結合 墊之幾何形式）以及接觸線之形式和功能等亦可變化，但這 •16- 127615-0 均屬本發明的範圍。 【圖式簡單說明】 第1A至1F圖本發明之方法的一種形式之橫切面示意圖。 第2A和2B圖係步驟c)*第二層之等向性結構化時以 俯視圖顯示已放大的結合墊的容納區。 第3圖一種具有接觸線之結合墊之實施形式。 第4圖本發明的電機組件之一種可能的實施形式。 【主荽元件之符號說明】 1 電機組件 5 基板 10 層 10A 結構化之層 15 層 15A 結構化之層 15C 橫切面 20 光罩結構 20A 結構 20B 結構 25 結合墊 25A 凹入區 25B 形式 25C 橫切面 30 接觸線 35 殘留物 36 ， 4〇 ， 45 ， 50 功能層 60 電極 -17-

Claims (1)

1. 1276150 〜 ( f 第94 1 1 2695號「使至少一層被結構化所用之方法以及 具有由該層所構成之結構之電機組件」專利案 (2006年11月修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種結構化之層（1 0A)之產生方法，包含以下各步驟 A) 在基板（5)上配置第一層（10)且此第一層（1〇) 上配置至少一第二層（15)， B) 在第二層（15)上產生一種具有第一（20A)和第二 結構（2 0 B )之光罩結構， C) 上述之第二層（15)係藉由一種等向性方法而被 結構化，而使第一層暴露； D) 然後藉由異向性方法使第一層（10)暴露的部分 被結構化。 2. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中光罩結構之 第一層是粗結構且光罩結構之第二層是細結構，粗結 構之最小粒徑至少是細結構之最小粒徑之二倍。 3. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中 步驟C)係藉由等向性方法使遮罩的粗結構轉移 至第二層中； 步驟D)係藉由異向性方法使遮罩的細結構轉移 至第一層中。 4. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟C) 中使用一種對第二層具有選擇性的蝕刻劑。 S > 4 1276150 Λ 1 I 5 ·如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟Α) 中產生金屬層作爲第一及/或第二層。 6 ·如申請專利範圍第5項之產生方法，其中在步驟a ) 中在基板上產生鉑層作爲第一層且產生金層作爲第 二層。 , 7.如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟B) 中產生光阻層且藉由微影術使光阻層結構化成光罩 結構。 8. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在緊接著步 驟C)之後的步驟C1)中使光罩結構在區域（其中光罩 結構下方之第二層已去除）中下降至第一層。 9. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中 -在步驟C)中第二層藉由濕式等向性蝕刻而被結構化 -在步驟D)中第一層藉由異向性乾燥蝕刻而被結構化 〇 10. 如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟C) _ 中第二層除了光罩結構下方的一個或多個區域之外 都被去除。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟D) 之後的步驟E)中去除該光罩結構（20)。 12.如申請專利範圍第1項之產生方法，其用來製造一 種電機組件（1)， -在步驟A)中製備一基板（5)，其在第一層（1〇)下方具 -2 - 1276150 有其它的功能層（36，40，45，50)，其中第一層（10) 和第二層（1 5)分別以金屬層形成， -步驟B)中產生光罩結構（20)，其具有至少一幾何形 的區域（20A)以作爲第一結構且具有由區域（20A)開 .始的線形的結構（20B)以作爲第二結構， k -步驟C)中第二層（15)被結構化成一種配置在光罩結 構（20)之至少一幾何形的區域（20A)下方之區域（15A) ，其中形成一種結合墊（25)， # -在步驟D)中光罩結構（20)之線形的結構（20B)轉移 至第一層（10)中，其中形成多條接觸線（30)， -結合墊（25)具有一種與光罩結構之幾何形的區域之 幾何形式（20 A)相對應的形式（25 B)且具有一種面向 基板而變寬的橫切面（25C)。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之產生方法，其中光罩結構 (20)之線形的結構（20B)以柵格形式而形成。 φ 14·如申請專利範圍第1項之產生方法，其中在步驟C) 中光罩結構的第一結構-且在步驟D)中光罩結構的第 _ 二結構轉移到至少一層中。 ^ 1 5 · —種電機組件（1)，其包括： 一基板（5 )，其具有配置於其上的第一結構（1 5 A)和第 二結構（10A)， -第一結構（1 5 A)具有一種面向基板（5)而變寬之橫切 面（15C)且具有一種幾何形式（2 5B)，其周圍另外具有 凹入區（25A)，且第一結構是粗結構，第二結構是細 1276150 ， 》 t I I 結構’其中粗結構之最小範圍至少爲細結構之最小範 圍的二倍大。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之電機組件（1),其中第一結 構包含一結合墊（25)且第二結構包含多條接觸線（30) , 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之電機組件，其中各接觸線 係爲導電性之微結構，以及該基板包括一壓電晶體。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6或1 7項之電機組件，其中各 0 接觸線（30 )係以柵格形式而形成。 19. 如申請專利範圍第16項之電機組件，其中各接觸線 (30)包含第一導電材料，以及該結合墊（25)包含 第一和第二導電層，其中第一層包含第一導電材料且 第二層包含第二導電材料。 20. 如申請專利範圍第丨9項之電機組件，其中第一導電 材料係爲鉛且第二導電材料係爲金。 φ 2 1 ·如申請專利範圍第1 5項之電機組件，其中由不同的 第一層（1 0 )和第二層（1 5 )所構成的第一結構（1 5 A . )和第二結構（1 0 A )已結構化。 22·如申請專利範圍第1 5項之電機組件，其中該基板另 外包括多個活性層（36、40、45、50 )。 23 ·如申請專利範圍第22項之電機組件，其中各活性層 (36、40、45、50)包含p-和η-摻雜的半導體層（36 ，40 ) 〇 -4-