JP5065009B2 - 少なくとも１つの層の構造化方法並びに層から成る構造を備えた電気素子 - Google Patents

Description

半導体構造および電気素子の製造の際に、少なくとも１つの層から成る少なくとも２つの構造を構造化する必要がしばしばある。その際しばしば、生成すべきそれぞれの構造に対して別個に、層上にホトレジストが被着され、露光され、現像されかつ引き続いてホトレジストの構造が層に移される。この形式の方法は時間がかかりしかも複雑である。というのはそれには、２つのホトラック層の別個の被着並びに少なくとも１つの層から成る第１および第２の構造の別個の構造化が必要だからである。

本発明の課題は上に述べた欠点に関して改善されている方法を提供することである。

この課題は、本発明によれば、請求項１に記載の方法によって解決される。方法の有利な形態並びにこの方法を用いて作製される構造を備えている素子はその他の請求項の対象である。

本発明は、次の工程を有している構造化された層を生成する方法を示している：
Ａ） 基板に少なくとも１つの層が配置され、
Ｂ） 前記少なくとも１つの層に第１の構造および第２の構造を有するマスク構造が生成され、
Ｃ） 前記少なくとも１つの層は等方性法によって構造化され、
Ｄ） 引き続いて前記少なくとも１つの層は異方性法によって構造化される。

上に述べた従来の方法とは異なって、本発明の方法においては１つのマスク構造が必要なだけである。というのは、工程Ｃ）およびＤ）において層は本発明によりマスク構造の第１の構造および第２の構造を用いて等方性法および引き続く異方性法により構造化されるからである。等方性の構造化法の場合、構造化レートは方向に無関係であり、例えばウェットエッチング材料を用いた等方性エッチングの場合である。その際等方性の構造化に基づいて工程Ｃ）において第１の構造の下にこの少なくとも１つの層の大きな領域が除去され、その結果この層のこの下に位置している領域は工程Ｄ）における構造化のためにアクセス可能な状態にある。異方性法では構造化レートは方向に依存している。工程Ｃ）における等方性構造化法として例えばウエットエッチング法を使用することができかつ工程Ｄ）における異方性構造化法として例えばスパッタ法を使用することができる。等方性に作用するエッチング材料に対する別の例はＨＦおよびＨＣｌ溶液のようなウエットエッチング材料がありかつ異方性のエッチング材料に対して例えばアルゴンまたは塩素プラズマがある。こうして本発明により、工程Ｃ）における等方性構造化法と工程Ｄ）における異方性構造化法との組み合わせに基づいて少なくとも１つの層における２つの構造をただ一つのマスク構造によって生成することができる。

有利な実施形態において工程Ａ）において第１の層およびその上の少なくとも１つの第２の層が生成され、それから工程Ｃ）において第２の層が構造化されかつ工程Ｄ）において第１の層が構造化される。その際工程Ｃ）における等方性エッチングに基づいてマスク構造の第２の構造の下方に第２の層の比較的大きな部分が除去され、ひいては第１の層の比較的大きな領域が露出され、そのからこの領域を工程Ｄ）において構造化することができる。引き続いてマスク構造の第２の構造ができるだけ正確に異方性構造化法を用いて第１の層に移される。

有利には工程Ｃ）においてマスク構造の第１の構造がかつ工程Ｄ）においてマスク構造の第２の構造が少なくとも１つの層に移される。

マスク層の第１の構造は粗い構造を有していてよく、この構造は第２の構造、細かな構造に比べて比較的大きな拡がりを有している。その際有利には、粗い構造の最小の拡がりは細かな構造の最小の拡がりの少なくとも２倍の大きさである。その際工程Ｃ）における等方性の構造化により、マスク構造における第２の微細構造の下に空洞を形成することができるので、そこでは実質的に粗い構造だけが少なくとも１つの層に移される（例えば図１Ｃ参照）。こうして工程Ｃ）における等方性構造化は微細構造を介して「材料が除去される」ので、微細構造は完全にアンダエッチングされ、それ故に移されない。異方性構造化工程Ｄ）においてようやく第２の微細構造が少なくとも１つの層に移される。第１および第２の層が基板に形成されると、有利にも粗構造が第２の層に移されかつ微細構造が第１の層に移される。その際粗構造は例えば所定の幾何学形状（例えば円形、三角形、四角形）を有するボンディングパッド用の形状のものであってよくかつ微細構造は例えばコンタクトラインに対するライン形状の構造または微細な導体路であってよい。

第１および第２の層に代わって基板上に一つだけの層が存在しているとき、工程Ｃ）において、粗いマスク構造に隣接しているこの層の領域が等方性構造化法に基づいて除去されかつマスク構造の粗構造だけがこの層に移される。それから工程Ｄ）において微細構造は、この層の、粗いマスク構造によって大きく除去された領域に移すことができる。

更に、基板上に第１および第２の層が存在している場合、工程Ｃ）において第２の層に対して選択的な腐食材料が使用されかつ場合によっては工程Ｄ）においても第１の層に対して選択的な腐食材料が使用されるようにすれば有利である。これにより、工程Ｃ）およびＤ）においてその都度、所望の層だけが構造化されることを保証することができる。その際エッチング材料の選択は第１および第２の層の性質に依存している。第１の層が金属層でありかつ第２の層が誘電体層、例えばＳｉＯ_２であるとき、例えばＣ）においてＨＦを使用しかつＤ）においてスパッタ法を使用することができる。

第１および第２の構造化すべき層は例えば金属層であってよい。これら２つの構造化された層を電気素子のコンタクト形成のために使用しようとするとき、基板上に第１の層が白金層として生成されかつ第２の層として金層が生成されると特別有利である。両方の金属層は特別導電性が高く、この際金層に更に特別簡単に、例えばボンディング法、例えば超音波ボンディングを用いて電気的なコンタクト形成のためのワイヤを取り付けることができる。

本発明の方法の工程Ｂ）において有利にも、ホトラック層が生成されかつホトリソグラフィー（露光および引き続く現像による構造化）を用いてマスク構造に構造化される。構造化されたホトラック層は本発明の方法におけるマスク層として特別適している。しかし光では構造化できないマスク構造を工程Ｂ）において生成することも可能である。例えば、第２の層にポリマー層、例えばポリイミド層を生成しかつこれを次いでマスクによる構造化されたエッチングを用いてマスク構造に構造化するようにすればよい。

本発明の方法の有利な実施形態において、工程Ｃ）後に行われる工程Ｃ１）においてマスク構造下の第２の層が除去された領域においてマスク構造が第１の層に下げられる。この形式の付加的な工程は例えば図１Ｄに図示されている。本発明によれば、工程Ｃ）において等方性構造化法に基づいてマスク構造の大きな領域を第２の層の除去により潜り込んだ形で取り除くことが可能である（例えば図１Ｃ参照）。この場合、工程Ｃ１）においてマスク構造を第１の層に下げてその際にマスク構造の構造が特別正確に工程Ｄ）において第１の層に異方性構造化法を用いて移すことができるようにすると特別有利である。第１の層上にマスク構造を下げるのは例えば次のようにして実現することができる：マスク構造を乾かすまたはマスク構造の乾燥のために第１および第２の層およびマスク構造を有する基板から成る全体の配置構成を遠心分離器に入れ、引き続いて遠心分離にかける。そうするとマスク構造は乾燥されかつ同時に第１の層に下げられる。

マスク構造の乾燥はとりわけ、工程Ｃ）において使用される構造化手段、例えばエッチング化学物質を洗浄手段、例えば水を用いて除去しかつ引き続いて残りの水を除去するようにすればとりわけ有利である。

有利には、工程Ｃ）において、第２の層がマスク構造の下方の１つまたは複数の領域まで完全に除去される。こうして第１の層の非常に大きな領域が露出され、ひいては工程Ｂ）における構造化を特別簡単に実現可能である。

更に工程Ｄ）に続く工程Ｅ）においてマスク構造を除去することができる。マスク構造はこの場合一時的に存在する構造として、第１および第２の層もしくは唯一の層の構造化のためにだけ必要とされかつその後に再び除去することができる。

有利には本発明の方法は、電気素子、殊に電気素子の電気的な接続のための方法を対象とするように変形される。その際工程Ａ）において付加的な機能層を持った基板が用意されかつ工程Ｂ）において第１の構造としての幾何学的に成形された面状の領域およびそこから出発している、第２の構造としてのライン形状の構造を有しているマスク構造が生成される。この形式のマスクは例えば図１に図示されている。引き続いて工程Ｃ）において第２の層がマスク構造の幾何学的に成形された領域の下方に配置されている領域に構造化され、ここでボンディングパッドが形成される（例えば図１Ｃおよび図２参照）。それから引き続いて工程Ｄ）においてマスク構造のライン形状の構造が第１の層に移され、ここでコンタクトラインが形成される（例えば図１Ｅ参照）。その際ボンディングパッドはマスク構造の領域の幾何学形状に実質的に相応している形状を有している。すなわち、マスク構造の領域の幾何学形状に比較して、ボンディングパッドは付加的な内側に向かった湾曲部を有しておりかつ基板の方に向かって拡幅されている横断面を有している（例えば図１Ｃ，図２および図３参照）。その際この湾曲部および基板の方に向かって拡幅されている横断面の形成はＣ）における等方性構造化法のためであり、このためにマスク構造の下方に空洞ができるのである。

本発明の方法のこの変形形態に類似している、付加的な工程Ｃ１）を有している方法が図１Ａ〜図１Ｆに断面にて略示されている。その際マスク構造における連続している層領域を形成する、マスク構造の幾何学的に成形された領域は第２の層からボンディングパッドを構造化するために用いられる。その際この領域の幾何学形状は任意に選択することができる。例えば図３に示されているような四角形、楕円形、円形または三角形または任意の形状の多角形が可能である。更に、マスク構造の領域の幾何学形状が任意の不規則な形状をとることができるようにしてもよい。その際工程Ｃ）における等方性構造化においてマスク構造の領域の幾何学的形状は第２の層に写像され、その際等方性構造化法に基づいてマスク構造に下方をえぐる空洞が形成されるので、マスク構造の領域の幾何学的形状は第２の層に粗く移されるだけである（例えば図１Ｃおよび図３参照）。その際使用の等方性エッチング材料、第２の層の性質および工程Ｃ）におけるエッチング過程の持続時間に依存して結果的にボンディングパッドの形の内側への湾曲が生じる。従ってマスク構造の領域の例えば円形の形状は第２の層に移されて、付加的な内湾曲箇所を有する円形形状のボンディングパッドができることになる（図２参照）。更に第２の構造化された層から成るボンディングパッドは、図１Ｃにも示されているように、等方性構造化法に基づいて基板に向かって拡幅されている横断面を有している。

こうして本発明の方法の変形形態を用いて特別簡単にコンタクト形成されかつ電気素子に対するボンディングパッドが作製され、その際本発明の方法による作製を幾何学形状および完成した素子のボンディングパッドの形状に基づいて認識することができる（ボンディングパッドは付加的な湾曲部および付加的に基板の方に向かって拡幅していく横断面を有するマスク構造の領域の幾何学形状を有している）。本発明の方法のこの変形形態を用いて作製されるコンタクトラインは、ボンディングパッドと電気的にコンタクトされておりかつ電流をボンディングパッドに例えばボンディングされたワイヤを用いて印加することができ、同時に基板全体もしくはその上に堆積されている機能層を介して作用するように考慮する。従ってコンタクトラインはボンディングパッドに供給された電流を素子の機能層を介してできるだけ均一に「分配する」。その際コンタクトラインは種々様々な任意の形状をとることができる。例えばこれらは格子形状に成形されていてよい（例えば図２および図４参照）。更にコンタクトラインは図３に示されているように、放射形状およびジグザグに成形されたものであってもよい。

更に、本発明の方法の変形形態を活性エレメント、例えば電気素子の導電構造およびそのボンディングパッドの作製のために使用することができる。例えば表面波素子の導電性のマイクロ構造（例えばインターデジタル形フィンガ電極）およびこれと電気的に接触しているボンディングパッドを本発明の方法の変形を用いて特別簡単に作製することができる。表面波素子の導電性のマイクロ構造は例えばアルミニウムを有しており、一方これと接触しているボンディングパッドは金を含んでいることができる。

本発明の対象は更に、基板を備え、ここで基板に少なくとも１つの第１の構造および第２の構造が配置されており、第１の構造は等方性の構造化法を用いて少なくとも１つの層から構造化されておりかつ第２の構造は異方性の構造化法を用いて少なくとも１つの層から構造化されているという電気素子である。その際第１の構造は等方性の構造化法に基づいて基板に向かって拡幅していく横断面並びに不規則な幾何学形状を示している。この形状は実質的に、この第１の構造を生成するために使用されるマスク構造の形状に相応しておりかつ等方性構造化に基づいた付加的な湾曲部分を有している。第１の構造は例えばボンディングパッドでありかつ第２の構造は例えばコンタクトライン、例えば導体路またはコンタクト格子であってよい。

従来の素子ではボンディングパッドは通例、所定の幾何学的な形状、例えば円形の形状または四角形を有しており、その際付加的な湾曲部も、基板に向かって拡幅していく横断面も存在していない。このことは、電気的なコンタクトに対する従来の作製方法において、ホトレジストの構造を構造化されるべき層に垂直に移す異方性の構造化法が使用されることにその理由がある。

本発明の素子は、それが特別簡単に作製可能であるという利点を有している。その際ボンディングパッドの幾何学形状は例えば円形、三角形、四角形、多角形であってよく、任意の不規則な形状をとってもよい。

この形式の素子におけるコンタクトラインは有利には、格子形状に成形されているので、ボンディングパッドに供給される電流は特別均一に機能層を介して分配されるようにすることができる。通例ボンディングパッドを構造化する第２の層の材料は有利には金であり、一方コンタクトラインを形成する第１の層の材料は有利には白金であってよい。

本発明の対象は更に、基板を有しており、該基板の上には第１の構造および第２の構造が配置されており、ここで第１の構造は基板に向かって拡幅されている横断面および幾何学的な形状を有しており、該形状の周囲は付加的な内側に湾曲している箇所を有しているという電気素子である。

上述してきたように、このような内側に湾曲している箇所および基板に向かって拡幅していく横断面はこの第１の構造の等方性エッチングがその原因である。

次に本発明を図示の実施例に基づいて各図を参照して詳細に説明する。

図１Ａ〜図１Ｆは本発明の方法の１つの形態を横断面にて示している。

図２Ａおよび２Ｂは工程Ｃにおける第２の層の等方性構造化期間のボンディングパッドを拡大平面図にて示している。

図３はボンディングパッドとコンタクトラインとの実施形態を示している。

図４は本発明の電気素子の可能な実施形態を示している。

図１Ａは本発明の方法の工程Ａ）の後の、基板５およびその上に堆積されている第１の層１０および第２の層１５から成る配置構成を横断面にて示している。例えばコンタクトラインおよびボンディングパッドの形の、電気的な素子に対する電気的なコンタクト形成が実現されるべきとき、例えば第１の層１０は白金を有しておりかつ第２の層１５は金を有している。

次いで図１Ｂに示されているように工程Ｂ）においてマスク構造２０が第２の層１５に生成される。その際このマスク構造２０は幾何学的に成形された領域２０Ａを有している。この領域の下ではボンディングパッドが形成される。更にマスク構造２０は領域２０Ａから出ているライン形状の構造２０Ｂを有している。この構造はコンタクトの作製の場合に第１の層１０から後にコンタクトラインを構造化するために用いられる。その際マスク構造２０のこのライン形状の構造は格子形状に実現されていてもよい。

図１Ｃは、工程Ｃ）においてマスク構造２０を通してどのように第２の層１５が等方性構造化法を用いて構造化され、その際に部分的に第１の層１０が露出されるかを示している。その際この工程Ｃ）において第２の構造化された層１５Ａは生じる。これは後のボンディングパッドの部分を形成している。その際図１Ｃから、等方性構造化法に基づいてマスク構造２０にアンダエッチングが行われ、その結果第２の構造化された層１５Ａに内に向かった湾曲部２５Ａが形成される。その結果として、第２の構造化された層１５Ａの横断面１５Ｃは基板５に向かって拡幅することになる。その際等方性構造化法、例えば等方性エッチングは有利にも図１Ｃに示されているように、第２の層１５の、マスク構造２０の小さい方の構造２０Ｂの下方に存在している大きな領域を除去するので、マスク構造２０の広い領域の下が完全に空洞化される。

その際ここでは図１Ｄに図示されている次の工程Ｃ１）において、マスク構造２０の、下方が空洞化された部分が第１の層１０に下げられる。このことは例えば工程Ｃ）において使用されたエッチング媒体を洗浄するために使用された水分の多い洗浄剤を除去するために、マスク構造２０を乾燥させることによって行うことができる。エッチング材料は例えばウエットケミカルエッチング材料を含んでいることができる。その際乾燥のために、マスク構造、２つの層並びに基板から成る全体の装置を遠心分離器に投入することができ、その際に特別有利には同時に、下が空洞になっているマスク構造２０の領域が第１の層１０に下げられる。マスク構造２０が第１の層に下がることで、引き続く工程Ｄ）においてマスク構造のこの構造は第１の層１０へ特別正確に移されることになる。

引き続いて工程Ｄ）においてマスク構造２０を通して第１の層１０が構造化され、その際マスク構造２０の比較的小さな構造２０Ｂが第１の層に移される。その際第１の構造化された層１０Ａが形成される（図１Ｅ）。その際図２Ａおよび図２Ｂに平面にて示されているように、コンタクト格子が形成される。

引き続いて工程Ｅ）においてマスク構造２０が除去され、その際に第１および第２の構造化された層１０Ａ，１５Ａおよび付加的にコンタクトライン３０から成るボンディングパッド２５が露出される（図１Ｆ）。ボンディングパッド２５は例えば、ワイヤがボンディングされるとき、素子の電気的なコンタクト形成のために用いることができる。

図２Ａおよび図２Ｂには、マスク構造２０を通した第２の層、金層の等方性構造化が示されている。その際図２Ａから分かるように、格子形状の領域、マスク構造のライン形状の構造２０Ｂは等方性エッチング過程の間下方が空洞化され、その際図２Ａにおいてライン形状の構造２０Ｂの交差点に第２の金層の残り３５が存在している。すなわちここでは下方の空洞化はまだ完全ではない。更に、等方性構造化に基づいてボンディングパッド２５に内側に向いている湾曲部２５Ａが存在していることが分かる。これもマスク構造の下方空洞化が原因で生じたものである。マスク構造の領域の本来の幾何学的形状はこの場合円形であるので、結果的に円形状のボンディングパッドに基づいて内側に向いている湾曲部２５Ａを有している円形状のボンディングパッドが生じることになる。図２Ｂにおいて工程Ｃ）は完了する。その際マスク構造２０のライン形状の構造２０Ｂの交差点の下方に第２の金層の領域３５はもはや存在していない。

図３には、ジグザグした放射の形のコンタクトライン３０を有するボンディングパッド２５の別の可能な実施例が示されている。マスク構造の領域の本来の幾何学的形状はここでは破線で形状２０Ａとして示されている。最初の形状はこの場合四角形だった。そこから結果的に等方性構造化に基づいた工程Ｃ）において、四角形２０に対して付加的に内側に向かっている湾曲部２５Ａを有している形状２５Ｂが生じる。その際放射形状のコンタクトライン３０は格子形状であることが多いコンタクトラインの可能な変形形態である。

図４には、本発明の素子が斜視図にて略示されている。素子はこの例においてＩｎＧａＮ形ＬＥＤである。その際基板５、例えばサファイア基板に種々の機能層が堆積されている。その際例えばＧａＮバッファ層４５、ｎドーピングされた窒化ガリウム４０、ＩｎＧａＮ多重量子井戸５０並びにＰ形窒化ガリウム３６である。更にここには個別に示されていないが、種々の要素、例えばアルミニウムまたはインジウムによってドーピングされた付加的な窒化ガリウム層が存在している。大抵は導電性の低いｐドーピングされた窒化ガリウム層に、例えば本発明の方法を用いて作製することができるコンタクトが形成されている。すなわち、例えば本発明の方法に基づいて付加的に存在している内に向かった湾曲部２５Ａを有しているボンディングパッド２５並びに電流の、ｐドーピングされた窒化ガリウム層３６への一層良好な伝達のためのコンタクト格子３０。更に、ｎドーピングされた窒化ガリウム層４０上にｎ形電極６０が存在している。その際本発明のコンタクトはｎドーピングされた窒化ガリウム層に形成されるようにすることもできる。

実施例
本発明の方法の工程Ａ）においてＩｎＧａＮ形ＬＥＤは４０ｎｍの厚さを有する白金から成る第１の層および引き続いて１０００ｎｍの厚さを有する金から成る第２の層が蒸着される。引き続いてホトラックＡＺ１５０５（Clariant）がスピン塗布されかつ２秒間相応のマスク（ライン幅２．５μｍであり、１２０μｍの直径を有するセンターボンディングパッドを備えている）を用いて露光される。その後露光された領域は現像液ＡＺ３５１Ｂによって現像され、その際マスク構造が形成される。これはその後に３０分間１２０℃で乾燥される。それから工程Ｃ）において第２の層、金層が金用の水分の多いシアン化物含有エッチング材料によってエッチングされ、その際更に１＋１／２分間、ポストエッチングされて、マスク構造の申し分ない下方空洞化が実現される。引き続いてエッチング材料が基板を水で洗浄することによって除去されかつその後に最大２．４００Ｕ／ｍｉｎでスピンリンサードライヤーにおいて乾燥され、ここで付加的にマスク構造の下方空洞化された領域が第１の層、白金層に下げられる。その際引き続いてスピンリンサードライヤーにおいて低い回転数で窒素流下でポスト乾燥される。その後白金層は６分間、アルゴンプラズマにおいてスパッタリングを用いてエッチングされる（工程Ｄ））。その後マスク構造はポジストリップ（Posistrip）において除去される。

本発明はここに図示の実施例に制限されていない。別の変形は例えばボンディングパッドの幾何学的形状に関して、並びにコンタクトラインの形状および機能に関して可能である。

本発明の方法の１つの形態の１工程の横断面 本発明の方法の１つの形態の次の工程の横断面 本発明の方法の１つの形態のその次の工程の横断面 本発明の方法の１つの形態の更にその次の工程の横断面 本発明の方法の１つの形態の更にその次の工程の横断面 本発明の方法の１つの形態の更にその次の工程の横断面 工程Ｃにおける第２の層の等方性構造化期間のボンディングパッドの拡大平面図 図２Ａに続く段階でのボンディングパッドの拡大平面図 ボンディングパッドとコンタクトラインとの実施形態を示す平面略図 本発明の電気素子の可能な実施形態を略示する斜視図

Claims (15)

1. 基板（５）上に上下に配置された少なくとも２つの構造化された層（１０Ａ，１５Ａ）を生成するための方法において、
   Ａ） 基板（５）に第１の層（１０）およびその上に少なくとも１つの第２の層（１５）が配置され、
   Ｂ） 前記少なくとも１つの第２の層（１５）上に第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が生成され、
   Ｃ） 前記第２の層（１５）が等方性エッチング法によって構造化されることによって、前記第1の構造領域以外の前記第２の層（１５）が前記マスク構造の下の領域まで除去され、前記第１の層の、前記除去された領域の下に位置している領域が露出されるようにしており、
   Ｄ） 引き続いて、前記第１の層（１０）の露出された領域は異方性エッチング法によって構造化されるという工程で、基板（５）上に上下に配置された少なくとも２つの構造化された層（１０Ａ，１５Ａ）を生成するための方法であって、
   前記マスク構造（２０）の前記第１の構造（２０Ａ）は粗い構造でありかつ前記マスク構造（２０）の前記第２の構造（２０Ｂ）は細かな構造であることを特徴とする方法。
2. − マスク構造の第１の構造は粗い構造でありかつマスク構造の第２の構造は細かな構造であり、ここで粗い構造の最小の拡がりは細かな構造の最小の拡がりの少なくとも２倍の大きさである
   請求項１記載の方法。
3. − 工程Ｃ）において第２の層に対して選択的な腐食材料が使用される
   請求項１または２記載の方法。
4. − 工程Ａ）において金属層が第１の層および／または第２の層として生成される
   請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
5. − 工程Ａ）において基板上に第１の層としてＰｔ層が生成されかつ第２の層としてＡｕ層が生成される
   請求項４記載の方法。
6. − 工程Ｂ）においてホトラッカ層が生成されかつホトリソグラフィーを用いてマスク構造のために構造化される
   請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
7. − 工程Ｃ）においてマスク構造下の第２の層が除去され、
   − 引き続いて工程Ｃ１）においてマスク構造下の第２の層が除去された領域におけるマスク構造が第１の層に下げられる
   請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
8. − 工程Ｃ）において第２の層は等方性ウェットエッチング法を用いて構造化され、
   − 工程Ｄ）において第１の層は異方性ドライエッチング法を用いて構造化される
   請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
9. − 工程Ｃ）において、前記マスク構造の第２の構造の下で第２の層の領域は除去され、前記第１の層の領域は露出され、
   − 工程Ｄ）において、前記マスク構造の第２の構造は前記第１の層に移される
   請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
10. − 工程Ｄ）に続く工程Ｅ）においてマスク構造（２０）が除去される
    請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
11. − 工程Ａ）において第１の層（１０）の下方に付加的な機能層（３６，４０，４５，５０）を持った基板（５）が用意され、ここで第１および第２の層（１０，１５）はそれぞれマスク層として実現され、
    − 工程Ｂ）において第１の構造としての少なくとも１つの幾何学的に成形された領域（２０Ａ）およびそこから出発している、第２の構造としてのライン形状の構造（２０Ｂ）を有しているマスク構造（２０）が生成され、
    − 工程Ｃ）において第２の層（１５）はマスク構造（２０）の幾何学的に成形された領域（２０Ａ）の下方に配置されている領域（１５Ａ）に構造化され、ここでボンディングパッド（２５）が形成され、
    − 工程Ｄ）においてマスク構造（２０）のライン形状の構造（２０Ｂ）が第１の層（１０）に移され、ここでコンタクトライン（３０）が形成され、ここで
    − ボンディングパッド（２５）は、付加的な湾曲部と、基板の方に向かって拡幅されている横断面（２５Ｃ）とを有している
    請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
12. − マスク構造（２０）のライン形状の構造（２０Ｂ）は格子形状に成形される
    請求項１１記載の方法。
13. − 工程Ｃ）においてマスク構造の第１の構造が少なくとも１つの層に移されかつ工程Ｄ）においてマスク構造の第２の構造が少なくとも１つの層に移される
    請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
14. − 工程Ｃ）において第１の構造のみが移され、かつ工程Ｄ）において第２の構造のみが移される
    請求項１３記載の方法。
15. Ａ） 基板（５）に少なくとも１つの層（１０）が配置され、
    Ｂ） 前記少なくとも１つの層（１０）上に第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が生成され、
    Ｃ） 第１の構造（２０Ａ）下以外の前記少なくとも１つの層（１０）の上部が完全に空洞化されるように、前記少なくとも1つの層（１０）は等方性エッチング法によって構造化され、
    Ｄ） 引き続いて第１の構造（２０Ａ）下以外の前記少なくとも１つの層（１０）は異方性エッチング法によって構造化されるという工程で、１つの構造化された層（１０Ａ）を生成するための方法であって、
    前記マスク構造（２０）の第１の構造（２０Ａ）は粗い構造でありかつマスク構造（２０）の第２の構造（２０Ｂ）は細かな構造であることを特徴とする方法。

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