JP2000278964A - マイクロアクチュエータとその製造方法並びにマイクロアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録装置 - Google Patents
マイクロアクチュエータとその製造方法並びにマイクロアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録装置Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
- G11B5/55—Track change, selection or acquisition by displacement of the head
- G11B5/5521—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks
- G11B5/5552—Track change, selection or acquisition by displacement of the head across disk tracks using fine positioning means for track acquisition separate from the coarse (e.g. track changing) positioning means
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/596—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on disks
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
- H02N1/008—Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造時に使用するマスク枚数の削減、製造プ
ロセスの簡易化を図ることができるマイクロアクチュエ
ータおよびその製造方法、さらに、このアクチュエータ
を用いた磁気ヘッド装置および磁気記録装置を提供す
る。 【解決手段】 間隙をあけて対向し、相対移動可能に設
けられた一対の基板と、前記一対の基板の第１の基板３
の対向面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第
１の電極４と、第２の基板２の対向面上に設けられ、前
記第１の電極４の歯部間に位置する歯部から成る第２の
電極５とを有し、前記第１の基板３または前記第２の基
板２のいずれか一方の基板の対向面上には、中間膜３０
をエッチングにより一部除去してなる接続膜３１が形成
され、前記接続膜３１上には前記第１の電極４または前
記第２の電極５が接合されているマイクロアクチュエー
タとする。
ロセスの簡易化を図ることができるマイクロアクチュエ
ータおよびその製造方法、さらに、このアクチュエータ
を用いた磁気ヘッド装置および磁気記録装置を提供す
る。 【解決手段】 間隙をあけて対向し、相対移動可能に設
けられた一対の基板と、前記一対の基板の第１の基板３
の対向面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第
１の電極４と、第２の基板２の対向面上に設けられ、前
記第１の電極４の歯部間に位置する歯部から成る第２の
電極５とを有し、前記第１の基板３または前記第２の基
板２のいずれか一方の基板の対向面上には、中間膜３０
をエッチングにより一部除去してなる接続膜３１が形成
され、前記接続膜３１上には前記第１の電極４または前
記第２の電極５が接合されているマイクロアクチュエー
タとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロアクチュ
エータおよびその製造方法並びにそのマイクロアクチュ
エータを用いた磁気ヘッド装置および磁気記録装置に関
し、特に、磁気ヘッド装置内に組み込まれ、磁気記録媒
体のトラックに対して磁気ヘッドを高精度に位置合わせ
する際にヘッド位置の微調整に用いて好適なマイクロア
クチュエータの製造方法に関するものである。
エータおよびその製造方法並びにそのマイクロアクチュ
エータを用いた磁気ヘッド装置および磁気記録装置に関
し、特に、磁気ヘッド装置内に組み込まれ、磁気記録媒
体のトラックに対して磁気ヘッドを高精度に位置合わせ
する際にヘッド位置の微調整に用いて好適なマイクロア
クチュエータの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気記録装置は、データの記録
面を持つ磁気ディスク等の磁気記録媒体を備えており、
この磁気記録媒体に対して情報の書き込み、読み出しを
行なう磁気ヘッド、磁気ヘッドを支持するスライダ、ジ
ンバル等からなるヘッド支持部、この支持部を駆動する
ことにより磁気記録媒体の所定のトラックに対して磁気
ヘッド位置合わせを行なうボイスコイルモーター等のヘ
ッド支持部を有している。ところが、ボイルコイルモー
ターによって磁気ヘッドの位置合わせを行なう場合、高
精度のボイスコイルモーターを用いたとしても、現状の
トラック幅が微細化していることを考慮するとボイスコ
イルモーターだけでは位置合わせ精度が限界に達してき
ている。そこでボイスコイルモーターを用いてヘッド位
置の粗調整を行なった後、精度の高いアクチュエータを
用いて微調整を行なう方式が提案されている。
面を持つ磁気ディスク等の磁気記録媒体を備えており、
この磁気記録媒体に対して情報の書き込み、読み出しを
行なう磁気ヘッド、磁気ヘッドを支持するスライダ、ジ
ンバル等からなるヘッド支持部、この支持部を駆動する
ことにより磁気記録媒体の所定のトラックに対して磁気
ヘッド位置合わせを行なうボイスコイルモーター等のヘ
ッド支持部を有している。ところが、ボイルコイルモー
ターによって磁気ヘッドの位置合わせを行なう場合、高
精度のボイスコイルモーターを用いたとしても、現状の
トラック幅が微細化していることを考慮するとボイスコ
イルモーターだけでは位置合わせ精度が限界に達してき
ている。そこでボイスコイルモーターを用いてヘッド位
置の粗調整を行なった後、精度の高いアクチュエータを
用いて微調整を行なう方式が提案されている。
【０００３】高精度で微細動作が可能な従来のアクチュ
エータの例を図７、図８に示す。図７、図８に示すアク
チュエータ１０１は静電引力を駆動力としており、一般
に静電アクチュエータと呼ばれるものである。この静電
アクチュエータ１０１は間隔をあけて対向する２枚のガ
ラス基板である第１の基板１０２、第２の基板１０３が
水平方向に相対移動可能に設けられている。第１の基板
１０２の第２の基板１０３と対向する面１０２ａ上に、
互いに平行な複数の歯部１０４ａを有する櫛歯状の第１
の電極１０４が設けられ、第２の基板１０３の第１の基
板１０２と対向する面１０３ａ上には、第１の電極１０
４の隣接する歯部１０４ａ間に位置する互いに平行な複
数の歯部１０５ａを有する第２の電極１０５が設けられ
ている。
エータの例を図７、図８に示す。図７、図８に示すアク
チュエータ１０１は静電引力を駆動力としており、一般
に静電アクチュエータと呼ばれるものである。この静電
アクチュエータ１０１は間隔をあけて対向する２枚のガ
ラス基板である第１の基板１０２、第２の基板１０３が
水平方向に相対移動可能に設けられている。第１の基板
１０２の第２の基板１０３と対向する面１０２ａ上に、
互いに平行な複数の歯部１０４ａを有する櫛歯状の第１
の電極１０４が設けられ、第２の基板１０３の第１の基
板１０２と対向する面１０３ａ上には、第１の電極１０
４の隣接する歯部１０４ａ間に位置する互いに平行な複
数の歯部１０５ａを有する第２の電極１０５が設けられ
ている。
【０００４】上記構成の静電アクチュエータ１０１にお
いては、第１の電極１０４と第２の電極１０５との間に
電圧を印加すると、第１の電極１０４と第２の電極１０
５間に生じる静電引力によって第１の電極の歯部１０４
ａと第２の電極の歯部１０５ａとの噛み合いが大きくな
る向きに第１の電極１０４と第２の電極１０５が近接す
るように第１の基板１０２と第２の基板１０３が相対移
動する。その後、電圧を遮断すると静電引力が消失する
ため、電圧印加時とは逆の方向、すなわち第１の電極の
歯部１０４ａと第２の電極の歯部１０５ａとの噛み合い
が小さくなる向きに第１の電極１０４と第２の電極１０
５が離反するように第１の基板１０２と第２の基板１０
３が相対移動する構成となっている。
いては、第１の電極１０４と第２の電極１０５との間に
電圧を印加すると、第１の電極１０４と第２の電極１０
５間に生じる静電引力によって第１の電極の歯部１０４
ａと第２の電極の歯部１０５ａとの噛み合いが大きくな
る向きに第１の電極１０４と第２の電極１０５が近接す
るように第１の基板１０２と第２の基板１０３が相対移
動する。その後、電圧を遮断すると静電引力が消失する
ため、電圧印加時とは逆の方向、すなわち第１の電極の
歯部１０４ａと第２の電極の歯部１０５ａとの噛み合い
が小さくなる向きに第１の電極１０４と第２の電極１０
５が離反するように第１の基板１０２と第２の基板１０
３が相対移動する構成となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した静電アクチュ
エータ１０１の従来の製造プロセスを図９に基づき説明
すると、まず図９（Ａ）に示すように、導電性を有する
シリコンウエハ２００の上面にレジスト膜２０１、２０
２を形成して、上面側の所望パターン形状を持つレジス
ト膜２０２を第１のマスクとしてエッチングし、これら
レジスト膜２０１、２０２を除去して図９（Ｂ）に示し
た外形形状を持つシリコンウエハ２００Ｂを得る。そし
てシリコンウエハ２００Ｂに図９（Ｃ）に示すようにレ
ジスト膜２０３、２０４を形成して、下面側の所望パタ
ーン形状を持つレジスト膜２０４を第２のマスクとして
エッチングし、これらレジスト膜２０３、２０４を除去
して図９（Ｄ）に示した外形形状を持つシリコンウエハ
２００Ｃを得る。
エータ１０１の従来の製造プロセスを図９に基づき説明
すると、まず図９（Ａ）に示すように、導電性を有する
シリコンウエハ２００の上面にレジスト膜２０１、２０
２を形成して、上面側の所望パターン形状を持つレジス
ト膜２０２を第１のマスクとしてエッチングし、これら
レジスト膜２０１、２０２を除去して図９（Ｂ）に示し
た外形形状を持つシリコンウエハ２００Ｂを得る。そし
てシリコンウエハ２００Ｂに図９（Ｃ）に示すようにレ
ジスト膜２０３、２０４を形成して、下面側の所望パタ
ーン形状を持つレジスト膜２０４を第２のマスクとして
エッチングし、これらレジスト膜２０３、２０４を除去
して図９（Ｄ）に示した外形形状を持つシリコンウエハ
２００Ｃを得る。
【０００６】このシリコンウエハ２００Ｃにアルミニウ
ム等の金属によって所望配線図示を省略した第３のマス
クを用いて、予め形成しておいた第２のガラス基板１０
３をシリコンウエハ２００Ｃに陽極接合法によって接合
して図９（Ｅ）に示した半製品を製造する。さらにシリ
コンウエハ２００Ｃの上面側に所望パターン形状のレジ
スト膜２０５を形成しこれを第４のマスクとしてシリコ
ンウエハを貫通するエッチングをし、レジスト膜２０５
を除去して図９（Ｇ）に示したように、第２の基板１０
３上に第２の電極の予備電極１０５Ｂを形成するととも
に、図示を省略したが、周辺部において第２の電極１０
５と一体的に結合している第１の電極の予備電極１０４
Ｂを形成する。
ム等の金属によって所望配線図示を省略した第３のマス
クを用いて、予め形成しておいた第２のガラス基板１０
３をシリコンウエハ２００Ｃに陽極接合法によって接合
して図９（Ｅ）に示した半製品を製造する。さらにシリ
コンウエハ２００Ｃの上面側に所望パターン形状のレジ
スト膜２０５を形成しこれを第４のマスクとしてシリコ
ンウエハを貫通するエッチングをし、レジスト膜２０５
を除去して図９（Ｇ）に示したように、第２の基板１０
３上に第２の電極の予備電極１０５Ｂを形成するととも
に、図示を省略したが、周辺部において第２の電極１０
５と一体的に結合している第１の電極の予備電極１０４
Ｂを形成する。
【０００７】ついでアルミニウム等の金属によって所望
配線を、図示を省略した第５のマスクを用いて、予め形
成しておいた第１のガラス基板１０２を、図９（Ｈ）に
示すように第１の電極１０４Ｂに陽極接合法によって接
合して図７及び図８に示した、マイクロアクチュエータ
を製造していた。上述の通り、従来プロセスで製造した
場合必要マスク枚数は概ね５枚であり、より低コストで
アクチュエータの製造を行なうためマスク枚数の削減、
プロセスの短縮化が望まれていた。本発明は、上記事情
に鑑みてなされたもので、製造時に使用するマスク枚数
の削減、製造プロセスの簡易化を図ることができるマイ
クロアクチュエータおよびその製造方法、さらに、この
アクチュエータを用いた磁気ヘッド装置および磁気記録
装置を提供することを目的とする。
配線を、図示を省略した第５のマスクを用いて、予め形
成しておいた第１のガラス基板１０２を、図９（Ｈ）に
示すように第１の電極１０４Ｂに陽極接合法によって接
合して図７及び図８に示した、マイクロアクチュエータ
を製造していた。上述の通り、従来プロセスで製造した
場合必要マスク枚数は概ね５枚であり、より低コストで
アクチュエータの製造を行なうためマスク枚数の削減、
プロセスの短縮化が望まれていた。本発明は、上記事情
に鑑みてなされたもので、製造時に使用するマスク枚数
の削減、製造プロセスの簡易化を図ることができるマイ
クロアクチュエータおよびその製造方法、さらに、この
アクチュエータを用いた磁気ヘッド装置および磁気記録
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロア
クチュエータは、間隙をあけて対向し、相対移動可能に
設けられた一対の基板と、前記一対の基板の第１の基板
の対向面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第
１の電極と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第
１の電極の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極と
を有し、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれ
か一方の基板の対向面上には、中間膜をエッチングによ
り一部除去してなる接続膜が形成され、前記接続膜上に
は前記第１の電極または前記第２の電極が接合されてい
ることを特徴とする。
クチュエータは、間隙をあけて対向し、相対移動可能に
設けられた一対の基板と、前記一対の基板の第１の基板
の対向面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第
１の電極と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第
１の電極の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極と
を有し、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれ
か一方の基板の対向面上には、中間膜をエッチングによ
り一部除去してなる接続膜が形成され、前記接続膜上に
は前記第１の電極または前記第２の電極が接合されてい
ることを特徴とする。
【０００９】また、本発明に係るマイクロアクチュエー
タの製造方法は、間隙をあけて対向する一対の基板を相
対移動可能に設け、前記一対の基板の第１の基板の対向
面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第１の電
極と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第１の電
極の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極とを有す
るマイクロアクチュエータの製造方法において、２層の
基材層間に中間膜を介在させてなるウエハを前記第１の
基板または前記第２の基板のいずれか一方の基板に用い
て、前記２層の基材層の一方の基材層を所望パターン形
状を持つマスクを用いてエッチングして前記第１の電極
および前記第２の電極の各々の予備電極を形成し、さら
に中間膜をエッチングして前記第１の電極または第２の
電極のいずれか一方の予備電極の下部に位置する中間膜
を除去して一方の電極を形成するとともに、他方の予備
電極の下部に残存する中間膜の側面を侵食した外形形状
を持つ接続膜に支持された他方の電極を形成し、つい
で、形成した前記一方の電極に他方の基板を接合するこ
とを特徴とする。
タの製造方法は、間隙をあけて対向する一対の基板を相
対移動可能に設け、前記一対の基板の第１の基板の対向
面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第１の電
極と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第１の電
極の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極とを有す
るマイクロアクチュエータの製造方法において、２層の
基材層間に中間膜を介在させてなるウエハを前記第１の
基板または前記第２の基板のいずれか一方の基板に用い
て、前記２層の基材層の一方の基材層を所望パターン形
状を持つマスクを用いてエッチングして前記第１の電極
および前記第２の電極の各々の予備電極を形成し、さら
に中間膜をエッチングして前記第１の電極または第２の
電極のいずれか一方の予備電極の下部に位置する中間膜
を除去して一方の電極を形成するとともに、他方の予備
電極の下部に残存する中間膜の側面を侵食した外形形状
を持つ接続膜に支持された他方の電極を形成し、つい
で、形成した前記一方の電極に他方の基板を接合するこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明のマイクロアクチュエータおよびそ
の製造方法は、接続膜上に、第１の電極または第２の電
極が接合されたものであるので、位置合わせ精度の確保
が困難である電極と基板との接合は、前記他方の基板
（接続膜が形成されていない側の基板）と接続膜に接合
されていない電極とを接合する１回のみでよく、従来の
製造方法で製造する場合のように、基板と電極との接合
を２回行う必要がない。したがって、従来の製造方法と
比較して、位置合わせ精度の確保が容易となり、歩留ま
りを向上させることが可能となる。また、プロセスの簡
略化を図ることができる。
の製造方法は、接続膜上に、第１の電極または第２の電
極が接合されたものであるので、位置合わせ精度の確保
が困難である電極と基板との接合は、前記他方の基板
（接続膜が形成されていない側の基板）と接続膜に接合
されていない電極とを接合する１回のみでよく、従来の
製造方法で製造する場合のように、基板と電極との接合
を２回行う必要がない。したがって、従来の製造方法と
比較して、位置合わせ精度の確保が容易となり、歩留ま
りを向上させることが可能となる。また、プロセスの簡
略化を図ることができる。
【００１１】上記エッチングプロセスはエッチング剤を
用いる、ウエットエッチング法またはプラズマ等を用い
るドライエッチング法いずれを用いてもよいが、前記２
層の基材層の一方の基材層を所望パターン形状を持つマ
スクを用いてエッチングして前記第１の電極および前記
第２の電極の各々の予備電極を形成する場合は、エッチ
ングの側壁を垂直にエッチングするという観点でドライ
エッチングの方が望ましい。上記、他方の基板は、ガラ
ス基板の他種々の絶縁性基板も用いることができるが、
接合を容易にするという観点でガラス基板が望ましい。
用いる、ウエットエッチング法またはプラズマ等を用い
るドライエッチング法いずれを用いてもよいが、前記２
層の基材層の一方の基材層を所望パターン形状を持つマ
スクを用いてエッチングして前記第１の電極および前記
第２の電極の各々の予備電極を形成する場合は、エッチ
ングの側壁を垂直にエッチングするという観点でドライ
エッチングの方が望ましい。上記、他方の基板は、ガラ
ス基板の他種々の絶縁性基板も用いることができるが、
接合を容易にするという観点でガラス基板が望ましい。
【００１２】また、本発明のマイクロアクチュエータ
は、中間膜をエッチングにより一部除去してなる接続膜
上に、第１の電極または第２の電極が接合されたもので
あるので、接続膜に接合されない方の電極と他方の基材
との間に形成される隙間を、中間膜の膜厚を利用して規
定の値に均一かつ確実に設定することができる。よっ
て、この隙間を例えば１０μｍ以下の、数μｍオーダー
の微細間隙としても、第１の電極または第２の電極と他
方の基材とが不要な部分で接合することのないマイクロ
アクチュエータとなる。したがって、小型化を実現する
ことが可能なものとなる。
は、中間膜をエッチングにより一部除去してなる接続膜
上に、第１の電極または第２の電極が接合されたもので
あるので、接続膜に接合されない方の電極と他方の基材
との間に形成される隙間を、中間膜の膜厚を利用して規
定の値に均一かつ確実に設定することができる。よっ
て、この隙間を例えば１０μｍ以下の、数μｍオーダー
の微細間隙としても、第１の電極または第２の電極と他
方の基材とが不要な部分で接合することのないマイクロ
アクチュエータとなる。したがって、小型化を実現する
ことが可能なものとなる。
【００１３】上記のマイクロアクチュエータにおいて
は、前記第１の電極および前記第２の電極がシリコンか
らなり、前記中間膜がシリコンと選択的にエッチング可
能な材料からなることを特徴とするものとしてもよい。
また、上記のマイクロアクチュエータの製造方法におい
ては、前記一方の基材層がシリコンからなり、前記中間
膜がシリコンと選択的にエッチング可能な材料からなる
ことを特徴とする方法としてもよい。
は、前記第１の電極および前記第２の電極がシリコンか
らなり、前記中間膜がシリコンと選択的にエッチング可
能な材料からなることを特徴とするものとしてもよい。
また、上記のマイクロアクチュエータの製造方法におい
ては、前記一方の基材層がシリコンからなり、前記中間
膜がシリコンと選択的にエッチング可能な材料からなる
ことを特徴とする方法としてもよい。
【００１４】このようなマイクロアクチュエータは、２
層の基材層間に中間膜を介在させてなるウエハを用い、
このウエハのいずれか一方の基材層をエッチングにより
加工して前記第１の電極および前記第２の電極を形成
し、これをマスクとして中間膜をエッチングして、他方
の基材上に中間膜を加工してなる接続膜により支持され
た第１の電極または第２の電極を形成することにより容
易に得ることができる。
層の基材層間に中間膜を介在させてなるウエハを用い、
このウエハのいずれか一方の基材層をエッチングにより
加工して前記第１の電極および前記第２の電極を形成
し、これをマスクとして中間膜をエッチングして、他方
の基材上に中間膜を加工してなる接続膜により支持され
た第１の電極または第２の電極を形成することにより容
易に得ることができる。
【００１５】また、マスクは、２層の基材層間に中間膜
を介在させてなるウエハのいずれか一方の基材層に所望
パターン形状を持つマスク形状を作製するのに１枚。お
よび前記接続膜に支持される他方の電極の形成に１枚の
合計２枚で製造が可能になる。
を介在させてなるウエハのいずれか一方の基材層に所望
パターン形状を持つマスク形状を作製するのに１枚。お
よび前記接続膜に支持される他方の電極の形成に１枚の
合計２枚で製造が可能になる。
【００１６】また、上記のマイクロアクチュエータにお
いては、前記第１の電極および前記第２の電極と前記接
続膜が形成された側の基板とがともにシリコンからな
り、前記中間膜がシリコン酸化膜とシリコン−ホウ素−
酸素系の絶縁層膜の少なくとも一方からなることを特徴
とするものとしてもよい。さらにまた、上記のマイクロ
アクチュエータの製造方法においては、前記２層の基材
層がともにシリコンからなり、前記中間膜がシリコン酸
化膜とシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁層膜の少なくと
も一方からなることを特徴とする方法としてもよい。
いては、前記第１の電極および前記第２の電極と前記接
続膜が形成された側の基板とがともにシリコンからな
り、前記中間膜がシリコン酸化膜とシリコン−ホウ素−
酸素系の絶縁層膜の少なくとも一方からなることを特徴
とするものとしてもよい。さらにまた、上記のマイクロ
アクチュエータの製造方法においては、前記２層の基材
層がともにシリコンからなり、前記中間膜がシリコン酸
化膜とシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁層膜の少なくと
も一方からなることを特徴とする方法としてもよい。
【００１７】シリコンとシリコン酸化膜、シリコンとシ
リコン−ホウ素−酸素系の絶縁層膜は、いずれも良好な
密着性を有する。このため、上記のマイクロアクチュエ
ータは、前記接続膜が形成された側の基板と前記中間膜
をエッチングしてなる前記接続膜との密着性、および、
接続膜と接続膜上に接合されている前記第１の電極また
は前記第２の電極との密着性が良好なものとなる。ま
た、上記のマイクロアクチュエータにおいては、シリコ
ンからなる２層の基材層間に中間膜を介在させてなるウ
エハを用い、シリコンからなる基材層をエッチングする
ことにより、第１の電極および第２の電極を容易に形成
することができる。
リコン−ホウ素−酸素系の絶縁層膜は、いずれも良好な
密着性を有する。このため、上記のマイクロアクチュエ
ータは、前記接続膜が形成された側の基板と前記中間膜
をエッチングしてなる前記接続膜との密着性、および、
接続膜と接続膜上に接合されている前記第１の電極また
は前記第２の電極との密着性が良好なものとなる。ま
た、上記のマイクロアクチュエータにおいては、シリコ
ンからなる２層の基材層間に中間膜を介在させてなるウ
エハを用い、シリコンからなる基材層をエッチングする
ことにより、第１の電極および第２の電極を容易に形成
することができる。
【００１８】さらにまた、接続膜に接合されていない電
極がシリコンからなるものであるため、前記他方の基板
（接続膜が形成されていない側の基板）がガラスからな
る場合に、このガラス基板と接続膜に接合されていない
電極とを容易に陽極接合することができる。
極がシリコンからなるものであるため、前記他方の基板
（接続膜が形成されていない側の基板）がガラスからな
る場合に、このガラス基板と接続膜に接合されていない
電極とを容易に陽極接合することができる。
【００１９】また、上記のマイクロアクチュエータにお
いては、前記第１の電極および前記第２の電極がシリコ
ンからなり、前記接続膜が形成された側の基板がガラス
またはセラミックからなり、前記中間膜がポリイミドか
らなることを特徴とするものとしてもよい。さらにま
た、上記のマイクロアクチュエータの製造方法において
は、前記一方の基材層がシリコンからなり、他方の基材
層がガラスまたはセラミックからなり、前記中間膜がポ
リイミドからなることを特徴とする方法としてもよい。
いては、前記第１の電極および前記第２の電極がシリコ
ンからなり、前記接続膜が形成された側の基板がガラス
またはセラミックからなり、前記中間膜がポリイミドか
らなることを特徴とするものとしてもよい。さらにま
た、上記のマイクロアクチュエータの製造方法において
は、前記一方の基材層がシリコンからなり、他方の基材
層がガラスまたはセラミックからなり、前記中間膜がポ
リイミドからなることを特徴とする方法としてもよい。
【００２０】ガラスまたはセラミックからなる基板を基
材層とし、その上にスピンコート法でポリイミドを塗布
することによりポリイミドからなる中間膜を形成するこ
とができる。この中間膜の上に、シリコンからなる基板
を圧着して基材層を形成することにより、３層構造のウ
エハを得ることができる。このウエハ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ技術を用いてシリコンの基板
をエッチング加工し、第１の電極および第２の電極を形
成し、これをマスクとしてポリイミドからなる中間膜を
Ｏ2プラズマによりエッチングして、ガラスまたはセラ
ミックからなる基材層上に中間膜を加工してなる接続膜
により支持された第１の電極または第２の電極を形成
し、第１の電極または第２の電極のうち接続膜により支
持されていない方の電極と、接続膜が形成されたガラス
またはセラミックからなる基材と対向すべき基板とを接
合することによりマイクロアクチュエータを製造するこ
とができる。
材層とし、その上にスピンコート法でポリイミドを塗布
することによりポリイミドからなる中間膜を形成するこ
とができる。この中間膜の上に、シリコンからなる基板
を圧着して基材層を形成することにより、３層構造のウ
エハを得ることができる。このウエハ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ技術を用いてシリコンの基板
をエッチング加工し、第１の電極および第２の電極を形
成し、これをマスクとしてポリイミドからなる中間膜を
Ｏ2プラズマによりエッチングして、ガラスまたはセラ
ミックからなる基材層上に中間膜を加工してなる接続膜
により支持された第１の電極または第２の電極を形成
し、第１の電極または第２の電極のうち接続膜により支
持されていない方の電極と、接続膜が形成されたガラス
またはセラミックからなる基材と対向すべき基板とを接
合することによりマイクロアクチュエータを製造するこ
とができる。
【００２１】また、本発明の磁気ヘッド装置は、上述の
マイクロアクチュエータを有するものである。この磁気
ヘッド装置においては、ボイスコイルモーターの作動に
より、磁気ディスクの所定のトラックに対する、磁気ヘ
ッドの位置合わせ（トラッキング）が行われ、さらにジ
ンバルの先端に取り付けられた静電アクチュエータの作
動により磁気ヘッドの位置の微調整が行われる。これに
よりハードディスクのトラッキング精度がより向上し、
信頼性の高い装置とすることが出来る。
マイクロアクチュエータを有するものである。この磁気
ヘッド装置においては、ボイスコイルモーターの作動に
より、磁気ディスクの所定のトラックに対する、磁気ヘ
ッドの位置合わせ（トラッキング）が行われ、さらにジ
ンバルの先端に取り付けられた静電アクチュエータの作
動により磁気ヘッドの位置の微調整が行われる。これに
よりハードディスクのトラッキング精度がより向上し、
信頼性の高い装置とすることが出来る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るマイクロアク
チュエータの製造方法の実施の形態を図１ないし図４を
参照して説明する。図１は本実施の形態によって製造さ
れたマイクロアクチュエータを素子の上面から見た図、
及び図２は図１のII−II断面図である。本発明のマイク
ロアクチュエータ１は、第１の電極４を有する第１の基
板３と、第２の基板２が矢印Ｃ、Ｄで示す方向に相対移
動する構成であるが、磁気ヘッド装置に組み込む際に第
２の基板２側を固定して、第１の基板３側を移動させる
ものであり、第１の基板３が可動基板、第２の基板２が
固定基板、第１の電極４が可動電極、第２の電極５が固
定電極となっている。このアクチュエータの大きさは概
ね、縦１〜２ｍｍ＊横１〜２ｍｍ＊高さ０．６〜０．８
ｍｍである。
チュエータの製造方法の実施の形態を図１ないし図４を
参照して説明する。図１は本実施の形態によって製造さ
れたマイクロアクチュエータを素子の上面から見た図、
及び図２は図１のII−II断面図である。本発明のマイク
ロアクチュエータ１は、第１の電極４を有する第１の基
板３と、第２の基板２が矢印Ｃ、Ｄで示す方向に相対移
動する構成であるが、磁気ヘッド装置に組み込む際に第
２の基板２側を固定して、第１の基板３側を移動させる
ものであり、第１の基板３が可動基板、第２の基板２が
固定基板、第１の電極４が可動電極、第２の電極５が固
定電極となっている。このアクチュエータの大きさは概
ね、縦１〜２ｍｍ＊横１〜２ｍｍ＊高さ０．６〜０．８
ｍｍである。
【００２３】さらにこのマイクロアクチュエータの構造
を詳述すると、図１及び図２に示すように、第２の基板
２と第１の基板３が間隔をあけて対向して配置され、第
１の基板３の内面３ａ（第２の基板２と対向する面）に
第１の電極４が設けられるとともに、第２の基板２の内
面２ａ（第１の基板３と対向する面）には第２の電極５
が設けられている。そして、これら可動電極４と固定電
極５との間に電圧を印加することにより、固定電極５に
対して可動電極４が近接するように、第１の基板３が移
動する構成になっている。第２の基板２は前記２層のシ
リコン層間にシリコン酸化膜及びシリコン−ホウ素―酸
素系の絶縁層を介在させてなる半導体ウエハから形成さ
れ、第１の電極４および第２の電極５は導電性を有する
シリコンの材料から形成されている。また第１の基板３
はパイレックスガラスから構成されている。
を詳述すると、図１及び図２に示すように、第２の基板
２と第１の基板３が間隔をあけて対向して配置され、第
１の基板３の内面３ａ（第２の基板２と対向する面）に
第１の電極４が設けられるとともに、第２の基板２の内
面２ａ（第１の基板３と対向する面）には第２の電極５
が設けられている。そして、これら可動電極４と固定電
極５との間に電圧を印加することにより、固定電極５に
対して可動電極４が近接するように、第１の基板３が移
動する構成になっている。第２の基板２は前記２層のシ
リコン層間にシリコン酸化膜及びシリコン−ホウ素―酸
素系の絶縁層を介在させてなる半導体ウエハから形成さ
れ、第１の電極４および第２の電極５は導電性を有する
シリコンの材料から形成されている。また第１の基板３
はパイレックスガラスから構成されている。
【００２４】第１の電極４は、互いに平行な複数の歯部
４ａを有する櫛歯状の形状となっている。第２の電極５
は第１の電極４の隣接する歯部４ａ間に位置する互いに
平行な複数の歯部５ａ、からそれぞれ構成されている。
第１の電極４は図１中の右側、左側に向いた櫛歯を有し
ており１つの第１の電極４の２つの櫛歯それぞれに対し
て、第２の電極５が配置されている。１つの第１の可動
電極４に対して図中、中央対称にして右側に位置する第
２の電極５は電圧印加時に第１の基板３を図中右方向に
移動させるためのもの、図中左側に位置する第２の電極
５は電圧印加時に第１の基板３を図中左方向に移動させ
るためのものである。
４ａを有する櫛歯状の形状となっている。第２の電極５
は第１の電極４の隣接する歯部４ａ間に位置する互いに
平行な複数の歯部５ａ、からそれぞれ構成されている。
第１の電極４は図１中の右側、左側に向いた櫛歯を有し
ており１つの第１の電極４の２つの櫛歯それぞれに対し
て、第２の電極５が配置されている。１つの第１の可動
電極４に対して図中、中央対称にして右側に位置する第
２の電極５は電圧印加時に第１の基板３を図中右方向に
移動させるためのもの、図中左側に位置する第２の電極
５は電圧印加時に第１の基板３を図中左方向に移動させ
るためのものである。
【００２５】第１の基板２及び第２の基板３の相対移動
駆動を詳述すると、第１の電極４、第２の電極５間に電
圧を印加した際には歯部４ａ、５ａ同士の噛み合いが大
きくなる方向、すなわち歯部の長手方向に第１の基板３
が移動する。この際、各歯部４ａ、５ａの側面のうち、
基板の移動方向に平行な側面については、第１の電極の
歯部４ａ側面と第２の電極の歯部５ａ側面が一部対向す
る部分の寸法が電圧印加時の基板移動量を決定する部分
である。
駆動を詳述すると、第１の電極４、第２の電極５間に電
圧を印加した際には歯部４ａ、５ａ同士の噛み合いが大
きくなる方向、すなわち歯部の長手方向に第１の基板３
が移動する。この際、各歯部４ａ、５ａの側面のうち、
基板の移動方向に平行な側面については、第１の電極の
歯部４ａ側面と第２の電極の歯部５ａ側面が一部対向す
る部分の寸法が電圧印加時の基板移動量を決定する部分
である。
【００２６】図１に示すように、静電アクチュエータ全
体では１つの第１の電極４と２つの第２の固定電極５か
らなる電極の組が基板の移動方向に複数組並設されてお
り、第２の電極５側のシリコンについては、第２の基板
２上に第２の電極５の各歯部５ａをなすシリコンが形成
されている。一方、第１の電極４側のシリコンについて
は基板の移動方向に並ぶ全ての第１の電極４が支持バネ
部６に延び、各支持バネ部６の先端にはアンカー部７が
設けられている。すなわち、これら第１の電極４、支持
バネ部６、アンカー部７はシリコンにより一体的に形成
されている。また図示はしていないが、支持バネ部６と
アンカー部７との間にはシリコンからなるストッパが設
けられている。このストッパは支持バネ部６とアンカー
部７の間に配置されている。
体では１つの第１の電極４と２つの第２の固定電極５か
らなる電極の組が基板の移動方向に複数組並設されてお
り、第２の電極５側のシリコンについては、第２の基板
２上に第２の電極５の各歯部５ａをなすシリコンが形成
されている。一方、第１の電極４側のシリコンについて
は基板の移動方向に並ぶ全ての第１の電極４が支持バネ
部６に延び、各支持バネ部６の先端にはアンカー部７が
設けられている。すなわち、これら第１の電極４、支持
バネ部６、アンカー部７はシリコンにより一体的に形成
されている。また図示はしていないが、支持バネ部６と
アンカー部７との間にはシリコンからなるストッパが設
けられている。このストッパは支持バネ部６とアンカー
部７の間に配置されている。
【００２７】第２の電極５の上方、支持バネ部６の上
方、アンカー部７の上方等、第１の基板３側に固定され
たシリコンを除いて基板間にシリコンが存在する領域の
上方にあたる第１の基板面内３ａには、アルミニウム等
の金属からなる同電位パターン（図示略）が設けられて
いる。この同電位パターンは、後述する製造過程におい
て、陽極接合法を用いてシリコンを第１の基板３に接合
する際に第１の基板３に接合すべきでないシリコンが第
１の基板３に接合されてしまうのを防止するために、基
板表面をシリコンと同電位とするためのものである。
方、アンカー部７の上方等、第１の基板３側に固定され
たシリコンを除いて基板間にシリコンが存在する領域の
上方にあたる第１の基板面内３ａには、アルミニウム等
の金属からなる同電位パターン（図示略）が設けられて
いる。この同電位パターンは、後述する製造過程におい
て、陽極接合法を用いてシリコンを第１の基板３に接合
する際に第１の基板３に接合すべきでないシリコンが第
１の基板３に接合されてしまうのを防止するために、基
板表面をシリコンと同電位とするためのものである。
【００２８】次に本発明の製造プロセスを図３を用いて
説明する。まず２層のシリコン層間にシリコン酸化膜層
及びシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁層を介在させて成
る半導体ウエハ８を準備する。この半導体ウエハ８は、
基材層であるシリコン層９、１２と、それらシリコン層
９、１２の間に配置された中間膜３０であるシリコン酸
化膜層１０およびシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁膜層
１１からなるものである。各層の厚さは各値に設定可能
だが、例えば上部シリコン層９が１２０μｍ、シリコン
酸化膜層１０が１μｍ、シリコン−ホウ素−酸素系の絶
縁膜層１１が９μｍ、シリコン層１２が３５０μｍであ
る。
説明する。まず２層のシリコン層間にシリコン酸化膜層
及びシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁層を介在させて成
る半導体ウエハ８を準備する。この半導体ウエハ８は、
基材層であるシリコン層９、１２と、それらシリコン層
９、１２の間に配置された中間膜３０であるシリコン酸
化膜層１０およびシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁膜層
１１からなるものである。各層の厚さは各値に設定可能
だが、例えば上部シリコン層９が１２０μｍ、シリコン
酸化膜層１０が１μｍ、シリコン−ホウ素−酸素系の絶
縁膜層１１が９μｍ、シリコン層１２が３５０μｍであ
る。
【００２９】まず、半導体ウエハ８に洗浄等の前処理を
行なった後、該ウエハを酸化しシリコン層９の上面側の
酸化膜上にフォトレジスト（感光性耐食被覆剤）を塗布
して所望形状にパターニングする。これをマスクとして
前記酸化により形成した酸化膜を図３（Ａ）に示すよう
に、パターニングする。この際第１の電極４等、第１の
基板３に接合されるシリコン部分の形状に合わせて前記
酸化により形成した酸化膜を残すようにする。ここで形
成した酸化膜のパターンは段落番号［００３１］で述べ
るエッチングのためのマスク１４となる。この後、前記
酸化により形成した酸化膜のパターニングのマスクとし
て使用したフォトレジストをフォトレジスト剥離剤によ
り除去する。
行なった後、該ウエハを酸化しシリコン層９の上面側の
酸化膜上にフォトレジスト（感光性耐食被覆剤）を塗布
して所望形状にパターニングする。これをマスクとして
前記酸化により形成した酸化膜を図３（Ａ）に示すよう
に、パターニングする。この際第１の電極４等、第１の
基板３に接合されるシリコン部分の形状に合わせて前記
酸化により形成した酸化膜を残すようにする。ここで形
成した酸化膜のパターンは段落番号［００３１］で述べ
るエッチングのためのマスク１４となる。この後、前記
酸化により形成した酸化膜のパターニングのマスクとし
て使用したフォトレジストをフォトレジスト剥離剤によ
り除去する。
【００３０】次に、上面に酸化膜のパターンを形成した
半導体ウエハ８の上面に再度フォトレジストを塗布し、
所望形状にパターニングして第１の電極４、第２の電極
５を形成するためのマスク１３を図３（Ｂ）に示すよう
に形成する。マスク１３を用い、ドライエッチング等の
エッチング法を用いて半導体ウエハ８の上側のシリコン
層９を貫通するエッチングを図３（Ｃ）に示すように行
なう。その後マスク１３をフォトレジスト剥離剤により
除去する。
半導体ウエハ８の上面に再度フォトレジストを塗布し、
所望形状にパターニングして第１の電極４、第２の電極
５を形成するためのマスク１３を図３（Ｂ）に示すよう
に形成する。マスク１３を用い、ドライエッチング等の
エッチング法を用いて半導体ウエハ８の上側のシリコン
層９を貫通するエッチングを図３（Ｃ）に示すように行
なう。その後マスク１３をフォトレジスト剥離剤により
除去する。
【００３１】次に、マスク１４を用いて、上側の第２の
基板２に接合しないシリコン部分を、所望の厚さドライ
エッチング等のエッチング法で図３（Ｄ）に示すように
エッチングを行なう。さらにシリコン層１２と分離する
部分のシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁膜層１１、シリ
コン酸化膜層１０をエッチング剤のサイドエッチングに
よって図３（Ｅ）に示すように除去し、接続膜３１とす
る。ここでエッチング剤は所望の濃度のＨＦを使う。こ
のサイドエッチングにより分離する構造体、及び分離し
ない構造体各々を形成するには、例えば分離したい部分
を１０μｍ、分離しない部分を３０μｍというように、
分離しない部分の幅を分離する部分の幅よりも大きく設
定することによって実現できる。また図１に示してある
格子状の構造は、幅の広い構造体を、幅の狭い構造体の
集合とすることで、全体として幅の広い構造体でもシリ
コン層９とシリコン酸化膜層１０及びシリコン−ホウ素
−酸素系の絶縁膜層１１を分離することができている。
最後に、第２の基板２と第１の基板３（ガラス基板）を
陽極接合法により接合することで図３（Ｆ）に示すよう
なマイクロアクチュエータが完成する。
基板２に接合しないシリコン部分を、所望の厚さドライ
エッチング等のエッチング法で図３（Ｄ）に示すように
エッチングを行なう。さらにシリコン層１２と分離する
部分のシリコン−ホウ素−酸素系の絶縁膜層１１、シリ
コン酸化膜層１０をエッチング剤のサイドエッチングに
よって図３（Ｅ）に示すように除去し、接続膜３１とす
る。ここでエッチング剤は所望の濃度のＨＦを使う。こ
のサイドエッチングにより分離する構造体、及び分離し
ない構造体各々を形成するには、例えば分離したい部分
を１０μｍ、分離しない部分を３０μｍというように、
分離しない部分の幅を分離する部分の幅よりも大きく設
定することによって実現できる。また図１に示してある
格子状の構造は、幅の広い構造体を、幅の狭い構造体の
集合とすることで、全体として幅の広い構造体でもシリ
コン層９とシリコン酸化膜層１０及びシリコン−ホウ素
−酸素系の絶縁膜層１１を分離することができている。
最後に、第２の基板２と第１の基板３（ガラス基板）を
陽極接合法により接合することで図３（Ｆ）に示すよう
なマイクロアクチュエータが完成する。
【００３２】次に、上記実施のマイクロアクチュエータ
を用いた磁気記録装置の一例を説明する。図５は磁気記
録装置の一種であるハードディスク装置の一例を示す図
である。図５に示すように、ハードディスク装置７０に
は、ケース７１内に複数枚の磁気ディスク７２（磁気記
録媒体）が内蔵されている。ディスク７２表面の磁性体
層にデータが記録されるようになっており、ディスク各
面に幅が２μｍ程度の記録トラックが数百ないし数千本
設けられている。また、これらディスク７２を回転させ
るためのドライブモーター７３が設置されている。
を用いた磁気記録装置の一例を説明する。図５は磁気記
録装置の一種であるハードディスク装置の一例を示す図
である。図５に示すように、ハードディスク装置７０に
は、ケース７１内に複数枚の磁気ディスク７２（磁気記
録媒体）が内蔵されている。ディスク７２表面の磁性体
層にデータが記録されるようになっており、ディスク各
面に幅が２μｍ程度の記録トラックが数百ないし数千本
設けられている。また、これらディスク７２を回転させ
るためのドライブモーター７３が設置されている。
【００３３】ケース７１内部の上記ディスク７２の近傍
に磁気ヘッド装置７４が設置されている。磁気ヘッド装
置７４には複数枚のディスク７２に対応して複数個の磁
気ヘッドが備えられているが、図６に示すように、各磁
気ヘッド７５はバネ性のある薄い金属板からなるジンバ
ル７６の先端に固定されており、ボイスコイルモーター
の作動によりディスク７２上を半径方向に移動する構成
になっている。この磁気ヘッド７５はディスク静止時に
ディスク表面に着地し、ディスク回転時にディスク表面
から浮上するいわゆるＣＳＳ（Contact Start Stop）方
式のものであり、ディスク回転時の気流により磁気ヘッ
ド７５を浮上させる機能を果たすスライダ７７がジンバ
ル７６の先端に設けられ、スライダ７７に対し磁気ヘッ
ド７５が支持されている。
に磁気ヘッド装置７４が設置されている。磁気ヘッド装
置７４には複数枚のディスク７２に対応して複数個の磁
気ヘッドが備えられているが、図６に示すように、各磁
気ヘッド７５はバネ性のある薄い金属板からなるジンバ
ル７６の先端に固定されており、ボイスコイルモーター
の作動によりディスク７２上を半径方向に移動する構成
になっている。この磁気ヘッド７５はディスク静止時に
ディスク表面に着地し、ディスク回転時にディスク表面
から浮上するいわゆるＣＳＳ（Contact Start Stop）方
式のものであり、ディスク回転時の気流により磁気ヘッ
ド７５を浮上させる機能を果たすスライダ７７がジンバ
ル７６の先端に設けられ、スライダ７７に対し磁気ヘッ
ド７５が支持されている。
【００３４】上記実施の形態のマイクロアクチュエータ
１がジンバル７６とスライダ７７との間に設置されてい
る。すなわちマイクロアクチュエータ１の固定基板２が
ジンバル７６に固定される一方、可動基板３がスライダ
７７に固定されている。また、アクチュエータ２０を固
定する向きは、可動基板３の移動方向がジンバル７６の
幅方向に向くように配置されている。そして、ジンバル
７６には磁気ヘッド７５との間でデータ転送を行なうた
めの配線（図示略）の他に、各アクチュエータの固定電
極に電圧を印加するための電圧印加用配線７８（図示の
都合上、ジンバル）は１本の実線で示す）、各可動電極
に接続された共通電極を設置するための配線７９が設け
られている。
１がジンバル７６とスライダ７７との間に設置されてい
る。すなわちマイクロアクチュエータ１の固定基板２が
ジンバル７６に固定される一方、可動基板３がスライダ
７７に固定されている。また、アクチュエータ２０を固
定する向きは、可動基板３の移動方向がジンバル７６の
幅方向に向くように配置されている。そして、ジンバル
７６には磁気ヘッド７５との間でデータ転送を行なうた
めの配線（図示略）の他に、各アクチュエータの固定電
極に電圧を印加するための電圧印加用配線７８（図示の
都合上、ジンバル）は１本の実線で示す）、各可動電極
に接続された共通電極を設置するための配線７９が設け
られている。
【００３５】また磁気ヘッド装置７４には、マイクロア
クチュエータ１を駆動するための電圧（信号）を内部で
生成する駆動信号発生回路８０からの信号を電圧印加用
配線７８に供給するためのスイッチング回路８１が具備
されている。
クチュエータ１を駆動するための電圧（信号）を内部で
生成する駆動信号発生回路８０からの信号を電圧印加用
配線７８に供給するためのスイッチング回路８１が具備
されている。
【００３６】本実施の形態のハードディスク装置７０に
おいては、ボイスコイルモータの作動により磁気ディス
ク７２の所定のトラックに対する磁気ヘッド７５の位置
合わせ（トラッキング）が行われ、さらに、ジンバル７
６の先端に取り付けられたマイクロアクチュエータ１の
作動により磁気ヘッド７５の位置の微調整が行われる。
おいては、ボイスコイルモータの作動により磁気ディス
ク７２の所定のトラックに対する磁気ヘッド７５の位置
合わせ（トラッキング）が行われ、さらに、ジンバル７
６の先端に取り付けられたマイクロアクチュエータ１の
作動により磁気ヘッド７５の位置の微調整が行われる。
【００３７】なお、本発明の技術範囲は、上記の実施の
形態に限定されるものではない。例えば、マイクロアク
チュエータを製造する際に使用されるウエハとして、上
述した例の他に以下のものなどが挙げられる。一方の基
材層がシリコンからなり、他方の基材層がガラスまたは
セラミックからなり、これらの間にポリイミドからなる
中間膜が配置されている３層構造のウエハを採用しても
よい。
形態に限定されるものではない。例えば、マイクロアク
チュエータを製造する際に使用されるウエハとして、上
述した例の他に以下のものなどが挙げられる。一方の基
材層がシリコンからなり、他方の基材層がガラスまたは
セラミックからなり、これらの間にポリイミドからなる
中間膜が配置されている３層構造のウエハを採用しても
よい。
【００３８】ガラスまたはセラミックからなる基板を基
材層とし、その上にスピンコート法でポリイミドを塗布
することによりポリイミドからなる中間膜を形成するこ
とができる。この中間膜の上に、シリコンからなる基板
を圧着して基材層を形成することにより、３層構造のウ
エハを得ることができる。このウエハ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ技術を用いてシリコンの基板
をエッチング加工し、第１の電極および第２の電極を形
成し、これをマスクとしてポリイミドからなる中間膜を
Ｏ2プラズマによりエッチングして、ガラスまたはセラ
ミックからなる基材層上に中間膜を加工してなる接続膜
により支持された第１の電極または第２の電極を形成
し、第１の電極または第２の電極のうち接続膜により支
持されていない方の電極と、接続膜が形成されたガラス
またはセラミックからなる基材と対向すべき基板とを接
合することによりマイクロアクチュエータを製造するこ
とができる。
材層とし、その上にスピンコート法でポリイミドを塗布
することによりポリイミドからなる中間膜を形成するこ
とができる。この中間膜の上に、シリコンからなる基板
を圧着して基材層を形成することにより、３層構造のウ
エハを得ることができる。このウエハ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ技術を用いてシリコンの基板
をエッチング加工し、第１の電極および第２の電極を形
成し、これをマスクとしてポリイミドからなる中間膜を
Ｏ2プラズマによりエッチングして、ガラスまたはセラ
ミックからなる基材層上に中間膜を加工してなる接続膜
により支持された第１の電極または第２の電極を形成
し、第１の電極または第２の電極のうち接続膜により支
持されていない方の電極と、接続膜が形成されたガラス
またはセラミックからなる基材と対向すべき基板とを接
合することによりマイクロアクチュエータを製造するこ
とができる。
【００３９】また、ウエハの好ましい一例として、日本
セラミックス株式会社製Ｓｏｄｉｃ（Sillicon On Insu
lator）基板を用いることができる。この基板は、例え
ば、Ｓ ｉＯ2層を表面に形成したＳｉ基板を用いてその
表面上にＳｉ-Ｂ-Ｏガラス（別 名：Flame Hydrolysis
Deposited Grass）層を形成し、その上に更にＳｉＯ2層
を表面に形成したＳｉ基板を貼り合わせた構造とされ
ている。前記Ｓｉ-Ｂ-Ｏガラスは、例えばスート堆積法
（火炎加水分解堆積法）で形成されるので、１０〜１０
０μｍのものが容易に得られ、先の目的に供することが
できる。
セラミックス株式会社製Ｓｏｄｉｃ（Sillicon On Insu
lator）基板を用いることができる。この基板は、例え
ば、Ｓ ｉＯ2層を表面に形成したＳｉ基板を用いてその
表面上にＳｉ-Ｂ-Ｏガラス（別 名：Flame Hydrolysis
Deposited Grass）層を形成し、その上に更にＳｉＯ2層
を表面に形成したＳｉ基板を貼り合わせた構造とされ
ている。前記Ｓｉ-Ｂ-Ｏガラスは、例えばスート堆積法
（火炎加水分解堆積法）で形成されるので、１０〜１０
０μｍのものが容易に得られ、先の目的に供することが
できる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
アクチュエータの製造方法によれば、マスクの枚数を減
らするとともに、プロセスを簡略化することができる。
アクチュエータの製造方法によれば、マスクの枚数を減
らするとともに、プロセスを簡略化することができる。
【図１】 本発明の製造方法によって製造されたマイク
ロアクチュエータの一例を示す一部切欠き平面図であ
る。
ロアクチュエータの一例を示す一部切欠き平面図であ
る。
【図２】 図１に示したマイクロアクチュエータのII−
II線に沿った拡大断面図である。
II線に沿った拡大断面図である。
【図３】 図１に示したマイクロアクチュエータの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図４】 図１に示した可動電極、固定電極を形成する
ためのマスクパターンを示した図であって、図４（Ａ）
は可動基板に接合されるシリコン部分を形成するための
マスクパターンを示す平面図であり、図４（Ｂ）は可動
電極及び固定電極を形成するためのマスクパターンを示
す平面図である。
ためのマスクパターンを示した図であって、図４（Ａ）
は可動基板に接合されるシリコン部分を形成するための
マスクパターンを示す平面図であり、図４（Ｂ）は可動
電極及び固定電極を形成するためのマスクパターンを示
す平面図である。
【図５】 図１に示したマイクロアクチュエータを用い
たハードディスク装置を示す斜視図である。
たハードディスク装置を示す斜視図である。
【図６】 図５に示したハードディスク装置内の磁気ヘ
ッド装置を示す斜視図である。
ッド装置を示す斜視図である。
【図７】 従来の静電マイクロアクチュエータを示す一
部切欠いた平面図である。
部切欠いた平面図である。
【図８】 図７に示したマイクロアクチュエータのVIII
−VIII線に沿った断面図である。
−VIII線に沿った断面図である。
【図９】 図７に示したマイクロアクチュエータの製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
１ マイクロアクチュエータ ２ 固定基板（第２の基板） ３ 可動基板（第１の基板） ４ 可動電極（第１の電極） ５ 固定電極（第２の電極） ６ 支持バネ部 ７ アンカー部 ８ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｋ 15/02 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｌ 41/22 Ｚ (72)発明者 江刺 正喜 宮城県仙台市太白区八木山南一丁目11−９ Ｆターム(参考） 5D042 AA07 BA07 CA01 CA04 DA12 LA01 MA15
Claims (10)
- 【請求項１】 間隙をあけて対向し、相対移動可能に設
けられた一対の基板と、前記一対の基板の第１の基板の
対向面上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第１
の電極と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第１
の電極の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極とを
有し、前記第１の基板または前記第２の基板のいずれか
一方の基板の対向面上には、中間膜をエッチングにより
一部除去してなる接続膜が形成され、前記接続膜上には
前記第１の電極または前記第２の電極が接合されている
ことを特徴とするマイクロアクチュエータ。 - 【請求項２】 前記第１の電極および前記第２の電極が
シリコンからなり、前記中間膜がシリコンと選択的にエ
ッチング可能な材料からなることを特徴とする請求項１
記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項３】 前記第１の電極および前記第２の電極と
前記接続膜が形成された側の基板とがともにシリコンか
らなり、前記中間膜がシリコン酸化膜とシリコン−ホウ
素−酸素系の絶縁層膜の少なくとも一方からなることを
特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。 - 【請求項４】 前記第１の電極および前記第２の電極が
シリコンからなり、前記接続膜が形成された側の基板が
ガラスまたはセラミックからなり、前記中間膜がポリイ
ミドからなることを特徴とする請求項１記載のマイクロ
アクチュエータ。 - 【請求項５】 間隙をあけて対向する一対の基板を相対
移動可能に設け、前記一対の基板の第１の基板の対向面
上に設けられ、複数の歯部を有する櫛歯状の第１の電極
と、第２の基板の対向面上に設けられ、前記第１の電極
の歯部間に位置する歯部から成る第２の電極とを有する
マイクロアクチュエータの製造方法において、２層の基
材層間に中間膜を介在させてなるウエハを前記第１の基
板または前記第２の基板のいずれか一方の基板に用い
て、前記２層の基材層の一方の基材層を所望パターン形
状を持つマスクを用いてエッチングして前記第１の電極
および前記第２の電極の各々の予備電極を形成し、さら
に中間膜をエッチングして前記第１の電極または第２の
電極のいずれか一方の予備電極の下部に位置する中間膜
を除去して一方の電極を形成するとともに、他方の予備
電極の下部に残存する中間膜の側面を侵食した外形形状
を持つ接続膜に支持された他方の電極を形成し、つい
で、形成した前記一方の電極に他方の基板を接合するこ
とを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。 - 【請求項６】 前記一方の基材層がシリコンからなり、
前記中間膜がシリコンと選択的にエッチング可能な材料
からなることを特徴とする請求項５記載のマイクロアク
チュエータの製造方法。 - 【請求項７】 前記２層の基材層がともにシリコンから
なり、前記中間膜がシリコン酸化膜とシリコン−ホウ素
−酸素系の絶縁層膜の少なくとも一方からなることを特
徴とする請求項５記載のマイクロアクチュエータの製造
方法。 - 【請求項８】 前記一方の基材層がシリコンからなり、
他方の基材層がガラスまたはセラミックからなり、前記
中間膜がポリイミドからなることを特徴とする請求項５
記載のマイクロアクチュエータの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項４のいずれか一項
に記載のマイクロアクチュエータを有することを特徴と
する磁気ヘッド装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の磁気ヘッド装置を有す
ることを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25231099A JP2000278964A (ja) | 1999-01-21 | 1999-09-06 | マイクロアクチュエータとその製造方法並びにマイクロアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録装置 |
| TW88121918A TW476061B (en) | 1999-01-21 | 1999-12-14 | Microactuator and its manufacture, and magnetic head device and magnetic storage device using the same |
| US10/133,121 US6524878B2 (en) | 1999-01-21 | 2002-04-25 | Microactuator, method for making the same, and magnetic head unit and magnetic recording apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-13607 | 1999-01-21 | ||
| JP1360799 | 1999-01-21 | ||
| JP25231099A JP2000278964A (ja) | 1999-01-21 | 1999-09-06 | マイクロアクチュエータとその製造方法並びにマイクロアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278964A true JP2000278964A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=26349429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25231099A Withdrawn JP2000278964A (ja) | 1999-01-21 | 1999-09-06 | マイクロアクチュエータとその製造方法並びにマイクロアクチュエータを用いた磁気ヘッド装置及び磁気記録装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6524878B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000278964A (ja) |
| TW (1) | TW476061B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003018868A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Fujitsu Ltd | 静電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP2007535142A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも１つの層の構造化方法並びに層から成る構造を備えた電気素子 |
| JP2012253868A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電変換装置および静電変換装置の製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713367B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-03-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-aligned vertical combdrive actuator and method of fabrication |
| SG131752A1 (en) * | 2002-10-03 | 2007-05-28 | Inst Data Storage | Head positioning apparatus and manufacturing method |
| US6916728B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-07-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a semiconductor structure through epitaxial growth |
| US8085508B2 (en) * | 2008-03-28 | 2011-12-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for flexure-integrated microactuator |
| US8648432B2 (en) * | 2011-11-28 | 2014-02-11 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Fully embedded micromechanical device, system on chip and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920978A (en) * | 1995-03-01 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Method of making a thin film magnetic slider |
| GB2320571B (en) * | 1996-12-20 | 2000-09-27 | Aisin Seiki | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof |
| JP3055527B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | マイクロアクチュエータとその製造方法 |
| JP3003670B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | マイクロアクチュエータとその製造方法 |
| JP2000011556A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-14 | Alps Electric Co Ltd | マイクロアクチュエータ及び磁気ヘッド装置並びに磁気記録装置 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25231099A patent/JP2000278964A/ja not_active Withdrawn
- 1999-12-14 TW TW88121918A patent/TW476061B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-25 US US10/133,121 patent/US6524878B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003018868A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-17 | Fujitsu Ltd | 静電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP4722333B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2011-07-13 | 富士通株式会社 | 静電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP2007535142A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも１つの層の構造化方法並びに層から成る構造を備えた電気素子 |
| JP2012253868A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電変換装置および静電変換装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6524878B2 (en) | 2003-02-25 |
| TW476061B (en) | 2002-02-11 |
| US20020121839A1 (en) | 2002-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |