TWI236159B - White light emitting device - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 7
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 101100008047 Caenorhabditis elegans cut-3 gene Proteins 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Description
1236159 玖、發明說明: 1 .發明所屬之技術_ _領域_ 本發明係有關一種白光放射裝置。 2 .先前技術 第2 5圖係用以顯示美國專利第6,0 6 9,4 4 0號文件中所揭 示之習知LED裝置的截面圖示。白光LED裝置70包括: 一基板7 3 ;電極7 1和7 2,係牢牢地固定於基板7 3上;以 及一藍光L E D 6 1,係裝設於基板7 3上。L E D 6 1係藉由鉛 線6 2連接於各電極7 1和7 2上。以透明封裝樹脂9 1封住 該LED 61及電極71和72。 於樹脂9 1內,混合有|乙錨石榴石(γ a G )族的螢光材料。 該螢光材料包括磷體粒子8 1。 當經由各電極7 1和7 2將電流加到藍光l E D 6 1上時, LED會放射藍光Pb。當有部分藍光撞擊到磷體粒子時,該 磷體粒子會吸收藍光並放射黃光Py。當結合黃光Py和藍 光Pb時可產生白光PW。 此外’美國專利第6,3 1 9,4 2 5號文件中揭示了一種覆蓋有 包含螢光材料的頂蓋的LED。 另外’美國專利第6,3 5 1,0 6 9號文件中揭示了一種以包含 兩種磷體粒子之螢光材料封住因而可產生白光的LED。 不過,由於該LED係一種複合型半導體,故其產品在色 品及照度上存在有廣泛的變化。此外,該混合白光Pw的色 品及照度也會因爲各磷體粒子在封裝樹脂內之數量及分布 的差異而出現非常廣泛的變化。 -6- 1236159 第2 6和2 7圖係用以顯不各L E D裝置之色品及照度中會 出現廣泛變化之數値資料的曲線圖。 第26圖係用以顯示一堆大量生產型LED裝置之色品變 化的XYZ色品座標曲線圖。每一個黑點指的都是一種led 裝置的色品。該變化係呈向上的帶狀配置。這裡,沿著寬 度方向散布而由字母A標示出的黑點指的是該藍光LED的 色品變化,沿著縱軸方向散布而由字母B標示出的黑點指 出的是各磷體粒子在封裝樹脂內之數量及分布的差異而出 現非常廣泛的變化。 無法使用一種其色品大幅偏離第2 6圖內之中央數値的 L E D裝置當作用於放射白光的裝置。經常必要的是該l E D 裝置具有落在藉由蓋住範圍爲0·33±〇.〇ι之X和γ而顯示 出的中央圍圍。 於第2 7圖的曲線中,水平軸顯示的是照度而垂直軸顯示 的是LED裝置的數目。其照度變化係分布在距離該分布之 中心點+ 3 0 %到-4 0 %的範圍內。不過,由第2 7圖之箭號標 示出的必要範圍R2則落在距離大約±20 %處。 3 .發明內容 本發明的目的在於提供一種白光放射裝置,以校正落在 必要範圍內之色品及照度的分布。 根據本發明所提供的一種白光放射裝置,包括:一藍光 放射元件;一外罩構件,係用於覆蓋該藍光放射元件;螢 光材料,係用於轉換由該藍光放射元件所放射之光的波長 以調整該光的色品;以及照度減低材料,係用於調整該外 1236159 罩構件內之混合光的照度。 該照度減低材料指的是無論是由該光放射元件所放射之 光的波長爲何都能減低其照度的顏料和染料。 該外殼構件係以其內混合有螢光材料及照度減低材料之 矽族的彈性體形成的。 本發明進一步提供了一種白光放射裝置,包括:一外殼 主體’具有用以形成反射面的凹陷;一藍光放射元件,係 裝設於該凹陷底部;一外罩構件,包含螢光材料且係用以 覆蓋住該外殼主體的發光面;螢光材料,係用於轉換由該 藍光放射元件所放射之光的波長以調整該光的色品;以及 照度減低材料,係用於調整該外罩構件內之混合光的照度。 依本發明的一種槪念,該白光放射裝置進一步包括一形 成於該外殻主體之凹陷內的外罩構件支持部分並將該外罩 構件裝設於於外罩構件支持部分上。 該凹陷係形成爲一具有面朝發光方向之傾斜表面的頂蓋 形狀’該外罩構件則具有傾斜的周緣壁以便與該傾斜表面 接合。 依本發明的另一種槪念,該白光放射裝置進一步包括一 形成於該外殻主體之凹陷內用以支持該外罩構件的肩部。 該藍光放射元件係藉由朝下的接合作用裝·設於該凹陷的 底部上。 該藍光放射元件係藉由朝下的接合作用裝設於該凹陷之 底部上所裝設的基板上以形成一發光單元。 該藍光放射元件指的是一.種氯化鎵銦(InGaN)族的LED。 1236159 該螢光材料指的是一種釔鋁石榴石(YAG)族的螢光材料。 該照度減低材料指的是一種黑色顏料。 本發明也提供了一種白光放射裝置,包括:一外殻主體 ,具有用以形成反射面的凹陷;一藍光放射元件,係裝設 於該凹陷底部;一外罩構件,包含螢光材料且係用以覆蓋 住該外殼主體的發光面,其中該外殼主體包括互爲相對且 (其間)插入有絕緣構件的一對金屬核心,每一個金屬核心 的表面都塗覆有具高反射率的金屬電鍍層;螢光材料,係 用於轉換由該藍光放射元件所放射之光的波長以調整該光 的色品;以及照度減低材料,係用於調整該外罩構件內之 混合光的照度。 金屬外殻係由鎂合金製成的,金屬核心的表面則塗覆有 銀電鍍層。 g亥外罩構件具有可與形成於該外殻主體內之各凹槽接合 的旋臂。 於該外罩構件之旋臂上形成一突起,使該突起可與形成 於該外殻主體之凹槽內的接合孔接合在一起。 該外罩構件的設置方式是使之與一包括由旋臂連接在一 起之複數個外罩構件的外罩構件總成間隔開。 本發明的适些及其他目的及特性將會因爲以下參照各附 圖對顯示用實施例的詳細說明而變得更明顯。 4 .實施方式 第1圖係用以顯示一種根據本發明第一實施例之白光放 射裝置的透視圖。第2圖係用以顯示該白光放射裝置在已 冬 1236159 移除第1圖中之外罩構件下的透視圖。第3圖係用以顯示 該白光放射裝置沿著第丨圖之ΠΙ-ΙΙΙ線段擷取的截面圖示 。第4圖係用以顯示一種單元的透視圖。 參照第1到3圖,一種白光放射LED裝置包括一立方體 外殼1,此外殼1係由諸如鎂族之類可鑄造而具有高熱導 丨主的金屬製成的且係藉由噴射纟尋造法形成的,且該外殼1 具有一呈倒置截斷圓錐形的凹陷1 c以及一傾斜內壁1 k。 該外殻1包括一對其間插入有由樹脂製成且裝塡於狹縫1 g 內之絕緣層2的第一半金屬核心3 a和第二半金屬核心3 b 6藉由銀電鍍法將凹陷1 c的內壁及外殼1的上表面1 a處 理成反光表面。 參照第4圖,光放射元件單元5包括:一藍光LED6,係 由氮化鎵銦(InGaN)族材料製成的;以及一基板7,係由陶 瓷材料製成的且具有上邊電極7 a和7 b及下邊電極7 c和7 d 。該上邊電極7 a和下邊電極7 c以及上邊電極7 b和下邊電 極7 d相互間係藉由一對穿孔7 e形成電氣連接,因此形成 了 一對佈線圖案。將一對隆起6 a (第3圖)牢牢地固定於該 LED 6下面上的一對電極(未標示)之上。當作發光元件的藍 光L E D 6係透過各隆起6 a藉由朝下的接合作用裝設於各上 邊電極7 a,7 b上。藉由樹脂8封住該L E d 6下面以保護各 隆起6 a。此外,藉由樹脂9封住該l E D 6。可藉由各下邊 電極7 c和7 d焊接到金屬核心3 a和3 b上將該光放射元件 單元5裝設於凹陷1 c的底部。 由g者如ίί夕族彈性體之_透明樹脂製成的外罩構件1 1具 1236159 有可與該凹陷1 c之傾斜內壁1 k接合的外部形狀 要的話,可藉由塡縫法或是黏劑使該外罩構件1 1 定於該凹陷1 c上。該外罩構件1 1內,混合有釔 (YAG)族磷體粒子12及諸如顏料及染料粒子7f之 減低材料粒子1 3。 磷體粒子係選自由依各種方式改變其鎵對釓之 金呂石權石(Y A G)族構成的螢光材料。 照度減低材料使用的是混合有石墨及碳或是紅 色顏料的黑色藍色族群。 作業中,當有電流加到金屬核心3 a和3 b上時 極7a、7b、7c和7d及隆起6a將電流加到該藍光 。如是可激發LED 6以放射藍光。當有部分藍光 體粒子1 2時,該藍光會爲磷體粒子1 2所吸收並 放射黃光。當使黃光和未撞擊到磷體粒子藍光混 生白光。此外,可藉由磷體粒子! 2及顏料粒子! 的色品及照度校正爲必要的色品及照度。 由於外殼1係由具有高熱導性的金屬製成的, 具有優良的熱能輻射性。因此,可將該LED裝置 於發光裝置,其中會因爲極大的電流使外殼溫度大 其中所提供的外罩構件1 1係混合有磷體粒子1 減低性粒子1 3。白光放射裝置1會滿足其色品及 都落在必要範圍內的條件,因此減低了其特徵上f 象。由於使用了照度減低性構件,故可將初始照) 極大的數値以致可藉由減低照度調整其照度。因j 。假如必 牢牢地固 鋁石榴石 類的照度 比例的釔 、綠及藍 可經由電 LED 6 上 撞擊到磷 使該粒子 合時可產 3將白光 故外殼1 有效地用 幅增高。 2及照度 照度兩者 色散現 設定爲 ,可在 1236159 很寬的範圍內調整其照度。 第5圖係用以顯不一種根據本發明第二實施例之白光放 射裝置的透視圖。白光放射裝置20具有一與第〜實施例相 同的外殻1。將由玻璃或是諸如丙烯酸樹脂和矽之類的透 明固態塑膠製成的外罩板1 4牢牢地固定於上表面1 a上以 擠壓該外罩構件1 1使之抵住凹陷1 C的內壁。其他部位可 藉由與第3圖相同的符號加以辨識。 由於該外罩構件1 1會受到外罩板1 4的支持,故不需要 將外罩構件1 1黏貼於凹陷丨c的壁上。 第6圖係用以顯示一種根據本發明第三實施例之白光放 射裝置的透視圖。第7圖係用以顯示該白光放射裝置從反 向一側觀測到的透視圖。第8圖係用以顯示該裝置沿著第 6圖之VIII-VIII線段擷取的截面圖示。 參照第6和7圖,白光放射裝置3 0包括一具有立方體形 狀的外殻2 1。該外殻2 1包括:一對由具有高熱導性的金 屬製成的金屬核心2 3 a和2 3 b ;以及一呈高耐熱性的組合 樹脂24。該組合樹脂24係裝設於該外殼2 1的階梯2 1 f上 以形成該外殻的上邊形狀,並將之裝塡於金屬核心2 3 a和 2 3 b之間的狹縫2 1 g內以及形成於金屬核心2 3 a和2 3 b之 下面及內壁內的各凹槽23c和23d內,因此組合了各金屬 核心。 金屬核心2 3 a和2 3 b的下面形成有一對電極2 5和2 6。 金屬核心2 3 a和2 3 b內則形成有一凹陷2 1 c。藉由銀電鍍法 將凹陷2 1 c的內壁及各金屬核心2 3 a和2 3 b的表面處理成 1236159 反光表面。於該凹陷2 1 c的上邊部分形成一肩部2 1 e並將 一外罩構件3 2裝設於該肩部2丨e上。其他部位都是和第一 實施例相同的且可藉由與第一實施例相同的符號加以辨識。 第9圖係用以顯示一種用於製造根據本發明第三實施例 之步驟的流程圖。第1 〇到1 8圖顯示的是在相同的時刻用 以魏造複數個光放射裝置之各步驟的透視圖。 於步驟S 1中’製造了 一種用於光放射元件單元的基板總 成。
第1 0圖係用以顯示基板總成丨〇 7的透視圖。 藉由切割線2 6和2 7將基板總成1 〇 7分割成用於九個L E D 裝置的九個區域。於一基板材料的上表面和下面之上牢牢 地固定有四組電極l〇7b。 於每一個區域內,形成有(分別)與上邊及下邊電極1〇7b 呈電氣連接的一對穿孔1 0 7 c。
於步驟S 2中,透過如第1丨圖所示的各隆起(第1 〇圖中 未標示)將該藍光LED 6裝設於各上邊電極1 〇7b上。此外 於步驟S 3中,藉由樹脂8以及封裝樹脂9封住該L E D 6 下面以形成如第1 3 B圖所示之光放射元件單元總1 〇 5。 接下來於步驟S 4中,沿著切割線2 6和2 7切下光放射元 件單元總成1 0 5以便由該總成1 0 5製造如第1 3 b圖所示之 光放射元件單元5。 量測所製造每一個之光放射元件單元的色品及照度。取 決於量測結果對已量測單元作等級分類。 接下來於步驟S 5中,製造一金屬核心總成。如第1 4圖 -13- 1236159 所示,藉由噴射鑄造法形成一金屬核心總成1 2 3,再藉由 切割線3 1和3 2將之分割成用於九個單元5的九個區域3 0 。圓柱形部分1 2 3 b具有形成於每一個區域3 0內之中央部 分上的凹陷2 1 c。在除了周緣框架1 2 3 a之外的地方依平行 於線段3 2的方式形成三個狹縫1 2 3 g。 此外,形成三個凹槽1 2 3 c。
於步驟S 6中,將樹脂裝塡到各周緣框架1 2 3 a之凹陷、 狹縫1 2 3 g及凹槽1 2 3 c內以形成如第1 5圖所示之樹脂層 1 04。因此,製造了一外殼總成1 2 1。 接下來於步驟S 7中,如第1 6圖所示將屬於同一類的光 放射元件單元5裝設於各凹陷2 1 c的底部2 1 d。 於步驟S 8中,如第1 7圖所示分別將屬於相同等級的外 罩構件3 2牢牢地固定於各凹陷2 1 c的內壁上以形成光放射 元件裝置總成1 3 0。 於步驟S 9中,如第1 8圖所示沿著切割線3 1和3 2切下 該總成1 3 0以分離出各獨立光放射裝置。
最後於步驟S 1 0中’施行產品的測試。 第1 9圖係用以顯示一種用於組合藍光放射元件及外罩 構件之方法的透視圖。 以下將參照第1 9圖說明用於組合藍光發光二極體6及外 罩橇件3 2的方法。 藉由L E D檢測器對單元5內的藍光l E D 6進行有關色品 及照度的量測,並根據量測得的特徵將已量測L E D分類例 如分成a,b和c類。 -14- 1236159 另-方面,也可將外罩構件32分類成a,B和C類,使 知a和A、b和B及c和^的組合可執行以放射必要的白 光。將各組合裝設於外殻2 1內。如是製造出各白光放射裝 置3〇。 根據本發明的第三實施例,由於係將肩部2丨e形成於凹 陷2 1 c內’故可很容易地將各外罩構件3 2設置於凹陷內。 方、0凹陷2 1 c的內壁上形成垂直壁2 1 m,且據此該外罩構 件3 2的側壁3 2 a也是呈垂直的。因此,當已將外罩構件設 置於凹陷2 1 c內時,不需要判斷該外罩構件兩側的區別。 第20圖係用以顯示一種根據本發明第四實施例之白光 放射裝置的平面圖示。第2 1圖係用以顯示該裝置沿著第 2 〇圖之A - A線段擷取的截面圖示。白光放射裝置4 〇包括 • 一對金屬核心3 3 a和3 3 b ;以及一落在各金屬核心3 3 a 和3 3 b之間的狹縫3 3 c。裝置4 〇的特徵爲於各金屬核心3 3 a 和3 3 b之上表面內形成四個凹槽3丨a使之呈輻射狀從凹陷 2 1 c伸展出來。另一方面,對應於各凹槽3丨a形成四個呈輻 射狀從外罩構件3 2伸展出來的四個懸臂4 2 a。 由於用以製造本發明第四實施例之白光放射裝置的方法 基本上是和第三實施例之製造方法相同的,故以下只說明 其不同處。 第2 2 a到2 2 c圖係用以解釋一種根據本發明第四實施例 之白光放射裝置之製造方法的透視圖。參照第2 2 a圖,可 藉由連接每一個外罩構件4 2的各懸臂4 2 a將九個外罩構件 4 2組裝在一起,因而形成一外罩構件總成丨4 2。 1236159 另一方面,於如第2 2 b圖所示之外殼總成1 3丨內形成有 九個凹陷2 1 c、凹槽1 3 1 a及狹縫1 3 3 c。將光放射元件單元 5裝設於每一個凹陷2 1 c內。 如第2 2 c圖所示,將該外罩構件總成1 4 2裝設於該外殻 總成1 3 1內。如是形成一光放射裝置總成丨4 〇。 根據本發明的第四實施例,組裝具有相同特徵的複數個 外罩構件4 2。因此,可製造出具有相同特徵的光放射裝置 。此外,減少了建造用的步驟。 第2 3圖係用以顯示一種根據本發明第五實施例之白光 放射裝置的平面圖示。第2 4圖係用以顯示該裝置沿著第 2 3圖之B - B線段擷取的截面圖示。白光放射裝置5 0的外 殻4 1包括:一對金屬核心4 3 a和4 3 b ;以及一落在各金屬 核心4 3 a和4 3 b之間的狹縫4 3 c。於該白光放射裝置5 0內 ’係於各金屬核心4 3 a,4 3 b之上表面內形成四個凹槽4 1 a 使之呈輻射狀從凹陷2 1 c俾展出來。於其中一個凹槽4 1 a 的底部內形成一接合孔4 lj。另一方面,形成呈輻射狀從外 罩構件5 1伸展出來的四個懸臂5丨a,並在對應於各凹槽4 ;! a 之孔洞4 lj的懸臂5 1 a下面形成一突起5 1 c。將各懸臂5 1 a 接合於各凹槽4 1 a內並使突起5 1 c與孔洞4 1 j接.合以牢牢 地固定於其上。 根據本發明的第五實施例,藉由突起5〗c與孔洞4 1 j的 接合使外罩構件2 1強力地固定於外殻4 1上。 根據本發明,提供了混合有磷體粒子及照度減低粒子的 外罩構件。因此,可藉由選擇使該白光放射裝置放射出可 1236159 滿足其色品及照度兩者都落在必要範圍內的白光,因此減 低了其特徵上的色散現象。 由於使用的是照度減低性構件’故可將初始照度設定爲 極大的數値以致可藉由減低照度調整其照度。因此,可在 很寬的範圍內調整其照度。 由於該外罩構件係由矽族的彈性體製成,故可在未進行 澱積或施加偏壓下將磷體粒子及照度減低粒子均勻地分布 於該外罩構件內。因此,該白光放射裝置可放射出具有均 勻之色品及照度的光。 雖則已針對各較佳實施例說明了本發明,熟悉習用技術 的人應該理解的是,可在不偏離本發明所附申請專利範圍 之精神及架構下作各種改變和修正。 5 .圖式簡單說明
第1圖係用以顯示一種根據本發明第一實施例之白光放 射裝置的透視圖Q 第2圖係用以顯示該白光放射裝置在已移除第1圖中之 外罩構件下的透視圖。 第3圖係用以顯示該白光放射裝置沿著第1圖之111 -111 線段擷取的截面圖示。 第4圖係用以顯示一種單元的透視圖。 第5圖係用以顯示一種根據本發明第二實施例之白光放 射裝置的透視圖。 第6圖係用以顯示一種根據本發明第三實施例之白光放 射裝置的透視圖。 1236159 第7圖係用以顯示該白光放射裝置從反向一側觀測到的 透視圖。 第8圖係用以顯示該裝置沿著第6圖之VIII-VIII線段擷 取的截面圖不。 第9圖係用以顯不一種用於製造根據本發明第三實施例 之步驟的流程圖。 第1 0和1 1圖係用以解釋一種基板總成之製造方法的透 視圖。
第1 2、1 3 a和1 3 b圖係用以解釋一種光放射元件單元總 成之製造方法的透視圖。 第1 4圖係用以顯示一種金屬核心總成的透視圖。 第1 5和1 6圖係用以顯不一種外殻總成的透視圖。 第1 7圖係用以顯τκ 一種光放射兀件裝置總成的透視圖。 第1 8圖係用以顯示一種光放射裝置的透視圖。
第1 9圖係用以顯示一種用於組合藍光放射元件及外罩 構件之方法的透視圖。 第2 0圖係用以顯示一種根據本發明第四實施例之白光 放射裝置的平面圖示。 第2 1圖係用以顯示該裝置沿著第2 0圖之a - a線段擷取 的截面圖示。 第2 2 a到2 2 c圖係用以解釋一種根據本發明第四實施例 之白光放射裝置之製造方法的透視圖。 第2 3圖係用以顯示一種根據本發明第五實施例之白光 放射裝置的平面圖示。 -18- 1236159 第2 4圖係用以顯示該裝置沿著第2 3圖之B - B線段擷取 的截面圖示。 第25圖係用以顯示美國專利第6,0 6 9,44 0號文件中所揭 示之習知LED裝置的截面圖示。 第26和27圖係用以顯示LED裝置之色品及照度中之色 散現象的曲線圖。 主要部分之代表符號說明 1 立方體外殼
la 外殼上表面 1 c 凹陷 1 g 狹縫 lk 傾斜 2 絕緣 3a 第一 3b 第二 5 光放 6 藍光 6 a 隆起 7a,7b 上邊 7c,7d 下邊 7e 穿孔 7f 顏料 8,9 樹脂 10 白光 內壁 層
半之金屬核心 半之金屬核心 射元件單元 發光二極體 電極 電極 及染料粒子 發光二極體裝置 -19- 1236159 11 外 12 磷 13 顏 14 外 20 白 2 1 外 2 1 c 凹 2 1 e 肩 2 1 f 階 21g 狹 2 1m 垂 23a,23b 金 23c,23d 凹 24 組 25,26 電 26,27 切 3 0 白 3 1,32 切 3 1a 凹 3 2 外 32a 外 3 3 a 5 3 3 b 金 3 3c 狹 40 白 罩構件 體粒子 料粒子 罩板 光放射裝置 殼 陷 部 梯 縫 直壁 屬核心 槽 合樹脂 極 割線 光放射裝置 割線 槽 罩構件 罩構件之側壁 屬核心 縫 光放射裝置 -20- 1236159 4 1a 凹 槽 41j 孔 洞 42a 懸 臂 43a,43b 金 屬 核 心 5 1 外 罩 構 件 5 1a 縣 yQjN 臂 5 1c 突 起 6 1 發 光 二 極 體 62 鉛 線 70 白 光 發 光 二 極 體 裝 置 7 1,72 電 極 73 基 板 8 1 磷 體 粒 子 9 1 透 明 封 裝 樹 脂 1 04 樹 脂 層 1 05 光 放 射 元 件 單 元 總 成 1 07 基 板 總 成 1 07b 電 極 107c 穿 孔 12 1 外 殼 總 成 12 3 金 屬 核 心 總 成 123a 周 緣 框 架 123b 圓 柱 形 部 分 123c 凹 槽
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123g 狹縫 13 0 光放射元件裝置總成 13 1 外殼總成 13 1a 凹槽 133c 狹縫 140 光放射裝置總成 142 外罩構件總成 Pb 藍光 Py 黃光 P w 白光
-22-
Claims (1)
1236159 拾、申請專利範圍: 1 ·—種白光放射裝®,包括:-藍光放射元件·,-外罩構 件,用於覆蓋該藍光放射元件;螢光材料,用於轉換由 該藍光放射元件所放射之光的波長以調整該光的色品; 以及照度減低材料,用於調整該外罩構件內之混合光的 照度。 2 .如申請專利範圍帛丨項之白光放射裝置,其中該照度減 低材料指的是無論由該光放射元件所放射之光的波長爲 何都能減低其照度的顏料和染料。 3 ·如申請專利範圍第丨項之白光放射裝置,其中該外罩構 件係以其內混合有螢光材料及照度減低材料之矽族的彈 性體形成的。 4 ·種白光放射裝置’包括··一外殼主體,具有用以形成 反射面的凹陷;一藍光放射元件,裝設於該凹陷底部; 外罩構件,含螢光材料且係用以覆蓋住該外殼主體的 發光面;螢光材料,用於轉換由該藍光放射元件所放射 之光的波長以調整該光的色品;以及照度減低材料,用 於調整該外罩構件內之混合光的照度。 5 ·如申請專利範圍第4項之白光放射裝置,進一步包括一 形成於該外殼主體之凹陷內的外罩構件支持部分並將該 外罩構件裝設於此外罩構件支持部分上。 6 ·如申請專利範圍第4項之白光放射裝置,其中該凹陷係 形成爲一具有面朝發光方向之傾斜表面的頂蓋形狀,該 外罩構件則具有傾斜的周緣壁以便與該傾斜表面接合。 -23- 1236159 7 .如申請專利範圍第5項之白光放射裝置,進一步包括一 形成於該外殻主體之凹陷內用以支持該外罩構件的肩部。 8 ·如申請專利範圍第4項之白光放射裝置,其中該藍光放 射兀件係藉由朝下的接合作用裝設於該凹陷的底部上。 9 ·如申請專利範圍第4項之白光放射裝置,其中該藍光放 射元件係藉由朝下的接合作用裝設於基板上以形成一發 光單兀’並將該基板裝設於該凹陷之底部上。 1 0 ·如申請專利範圍第〗項之白光放射裝置,其中該藍光放 射兀件指的是一種氮化鎵銦(I n GaN)族的LED。 1 1 ·如申請專利範圍第丨項之白光放射裝置,其中該螢光材 料指的是一種釔鋁石榴石(γ A G )族的螢光材料。 1 2 .如申請專利範圍第丨項之白光放射裝置,其中該照度減 低材料指的是一種黑色顏料。 1 3 . —種白光放射裝置,包括:一外殻主體,具有用以形成 反射面的凹陷;一藍光放射元件,裝設於該凹陷底部; 一外罩構件’含螢光材料且係用以覆蓋住該外殼主體的 發光面’其中該外殼主體包括互爲相對且(其間)插入有 絕緣構件的一對金屬核心,每一個金屬核心的表面都塗 覆有具高反射率的金屬電鍍層;螢光材料,用於轉換由 該藍光放射元件所放射之光的波長以調整該光的色品; 以及照度減低材料,係用於調整該外罩構件內之混合光 的照度。 1 4 .如申請專利範圍第丨3項之白光放射裝置,其中該金屬核 心係由鎂合金製成的,且該金屬核心的表面係塗覆有銀 -24- 1236159 電鍍層。 1 5 .如申請專利範圍第4項之白光放射裝置,其中該外罩構 件具有可與形成於該外殼主體內之各凹槽接合的旋臂。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之白光放射裝置,其中係於該外 罩構件之旋臂上形成一突起,使該突起可與形成於該外 殻主體之凹槽內的接合孔接合在一起。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之白光放射裝置,其中該外罩構 件的設置方式是使之與一包括由旋臂連接在一起之複數 個外罩構件的外罩構件總成間隔開。 -25-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002294326A JP4280050B2 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | 白色発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200414568A TW200414568A (en) | 2004-08-01 |
TWI236159B true TWI236159B (en) | 2005-07-11 |
Family
ID=32025495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092127665A TWI236159B (en) | 2002-10-07 | 2003-10-06 | White light emitting device |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7180240B2 (zh) |
EP (1) | EP1408559A3 (zh) |
JP (1) | JP4280050B2 (zh) |
KR (1) | KR100655252B1 (zh) |
CN (1) | CN1310345C (zh) |
TW (1) | TWI236159B (zh) |
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- 2003-10-07 KR KR1020030069507A patent/KR100655252B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-07 US US10/679,490 patent/US7180240B2/en not_active Expired - Lifetime
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JP2004128424A (ja) | 2004-04-22 |
US7180240B2 (en) | 2007-02-20 |
TW200414568A (en) | 2004-08-01 |
CN1497747A (zh) | 2004-05-19 |
US20040070338A1 (en) | 2004-04-15 |
KR20040031661A (ko) | 2004-04-13 |
JP4280050B2 (ja) | 2009-06-17 |
EP1408559A2 (en) | 2004-04-14 |
CN1310345C (zh) | 2007-04-11 |
EP1408559A3 (en) | 2006-07-05 |
KR100655252B1 (ko) | 2006-12-08 |
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