JP2011014769A - 発光ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱特性に優れた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、発光ダイオード素子5を実装したセラミック製のベース体2の上部に、反射面11を有する開口10を形成したカバー体3を固定し、ベース体にそれを貫通するサーマルビア9を形成し、ベース体2の下面に、サーマルビア9と熱的に接触するように炭化ケイ素製の放熱体6を貼着した発光ダイオード1を特徴とする。
【選択図】 図4

Description

本発明は、放熱性に優れ、高輝度発光が可能な発光ダイオードに関する。
近年、高輝度で低消費電力の発光体として、発光ダイオードが広く利用されてきている。その中で、放熱特性を向上することによって長寿命化を図った発光ダイオードとして、パッケージに2枚の板状のアルミナセラミックスを用いたものが利用されてきている。この発光ダイオードとしては、板状のセラミックスからなるベース体とカバー体とを貼着し、ベース体の表面に発光ダイオード素子を実装する一方、カバー体の略中央部にテーパー状の反射面を有する開口を形成したものが知られている(特開2003−37298号公報―特許文献1)。
このような発光ダイオードに対して、近年、高輝度化の要求が高く、発光ダイオード素子そのものの高輝度化に加えて、発光ダイオード用パッケージに形成した反射面の反射率の向上を図る必要があり、特開2007−201156号公報(特許文献2)に記載のように、気孔直径や気孔率を変化させて反射率を大幅に改善したアルミナセラミックスをパッケージに用いた発光ダイオードが知られている。
ところが、このようなアルミナセラミックスをパッケージに用いた発光ダイオードにあっては、アルミナセラミックスが多孔質であるので熱伝導性に劣り、高出力発光ダイオードに採用するためにはその放熱性の改良が望まれていた。
特開2003−037298号公報 特開2007−201156号公報
本発明は、上述した従来技術の課題に鑑みてなされたもので、放熱特性に優れ、高輝度発光が可能な発光ダイオードを提供することを目的とする。
本発明は、発光ダイオード素子を実装したセラミック製のベース体の上部に、反射面を有する開口を形成したカバー体を固定し、前記ベース体にそれを貫通するサーマルビアを形成し、前記ベース体の下面に、前記サーマルビアと熱的に接触するように炭化ケイ素製の放熱体を貼着した発光ダイオードを特徴とする。
上記発明の発光ダイオードにおいては、前記カバー体の開口を、蛍光体膜を塗布した透明板にて封止したものとすることができる。
また、上記発明の発光ダイオードにおいては、前記カバー体の開口を、蛍光体膜を内面に塗布した透明なドームキャップにて封止したものとすることができる。
さらに、上記発明の発光ダイオードにおいては、前記カバー体の開口を、蛍光体を混入した透明樹脂板又は透明ドームキャップにて封止したものとすることができる。
本発明の発光ダイオードによれば、発光ダイオード素子を実装したセラミック反射板の底面に炭化ケイ素SiCの放熱体を貼着したので、この炭化ケイ素の高熱伝導性により放熱特性が改善でき、ひいては高輝度発光が可能な発光ダイオードを実現できる。
本発明の1つの実施の形態の発光ダイオードに用いるベース体及びカバー体の平面図。 上記実施の形態の発光ダイオードに用いるベース体及びカバー体の、発光ダイオード素子の実装状態を示す平面図。 上記の実施の形態の発光ダイオードに用いるベース体及びカバー体の底面図。。 上記の実施の形態の発光ダイオードの一部破断した斜視図。 本発明の第2の実施の形態の発光ダイオードの一部破断した斜視図。 上記実施の形態の発光ダイオードにおけるドームキャップの製造工程の説明図。 本発明の第3の実施の形態の発光ダイオードの一部破断した斜視図。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。図1〜図4に示すように、本発明の1つの実施の形態の発光ダイオード1は、2枚の矩形板状のアルミナセラミックスからなるベース体2とカバー体3とを貼り合わせた発光ダイオード用パッケージ4と、この発光ダイオード用パッケージ4のベース体2の上面に実装した複数個の発光ダイオード素子5と、ベース体2の底面に貼着した炭化ケイ素SiCの放熱体6で構成している。
ベース体2の表面の中央部に複数個、ここでは4個の発光ダイオード素子5をマウントし、直列に接続するための配線パターン7が形成してあり、この配線パターン7の素子マウント部7aに発光ダイオード素子5を固定し、また、発光ダイオード素子5の表面に形成した電極と配線パターン7のリボン接合部7bとの間を金製リボン8で接続している。
ベース体2の各発光ダイオード素子5のマウント部と他の適切な複数箇所には、貫通孔に金属を充填した構造のサーマルビア9を形成している。発光ダイオード素子5をマウントする位置のサーマルビア9それぞれについては、その上面に発光ダイオード素子5の裏面をダイボンディングして、発光ダイオード素子5の裏面とサーマルビア9の上面とを高熱伝導ペーストを介して接続している。
カバー体3にはテーパー孔から成る開口10を形成し、この開口10の表面に反射面11を形成している。
カバー体3の開口10は、蛍光膜12を塗布したガラス板13にて封止してある。これにより、発光ダイオード素子5の光の一部で蛍光体を発光させ、発光ダイオード素子5の光と蛍光体の光との混色にて所望の色、例えば、白色発光を行う。
ベース体2及びカバー体3は、多孔質のアルミナセラミックス製であり、反射板として機能する。ベース体2の裏面に貼着した放熱体6は、炭化ケイ素SiCである。実寸法を例示すれば、ベース体2は縦×横×厚さ=13×15×0.5[mm]であり、放熱体6の厚みは3[mm]である。
放熱体6の素材である炭化ケイ素は、高硬度で耐熱性に優れ、かつ、熱を伝えやすい性質を持っている。そのため、サーマルビア9にて伝熱される発光ダイオード素子5の熱を効果的に放熱し、ベース体2に熱がこもらないようにして発光ダイオード1の温度上昇を抑制する。
本実施の形態で採用する炭化ケイ素製の放熱体6の特性は次である。
商品名:イビデン社製のSCR−302
組織:Si+SiCの緻密質、黒色。
物性:密度3.05[g/cm]、気孔率0%、硬度20Hv[GPa]、曲げ強度(R・T)280[MPa]、ヤング率(R・T)340[GPa]、熱膨張率(R・T〜800℃)4.4[×10−6/℃]、熱伝導率(R・T)220[W/m・k]、最高使用温度(不活性雰囲気)1200[℃]、比熱(R・T)660[J/Kg・K]、体積固有抵抗10〜10
特徴:超高熱伝導、高剛性、耐熱衝撃。
上記構成の発光ダイオード1は、発光ダイオード素子5から放射された光をカバー体3の開口10から外部へ放出する。その際に、発光ダイオード素子5から側方へ向けて放射された光は、カバー体3の反射面11で反射して、カバー体3の開口10から外部へ放出され、また、発光ダイオード素子5から下方へ向けて放射された光は、ベース体2の表面で反射して、カバー体3の開口10から外部へ放出される。これと共に、カバー体3の開口10に設けた蛍光膜12は、発光ダイオード素子5の光の一部にて蛍光発光し、発光ダイオード素子5の光と蛍光体の光との混色にて所望の色の発光を行う。例えば、発光ダイオード素子5が白色発光ダイオード素子であり、蛍光膜12の蛍光体が白色発光用のシリケート系蛍光体であれば、本実施の形態の発光ダイオード1からは白色光を放出することができる。
発光ダイオード素子5の発光時に発生する熱は、サーマルビア9にてベース体2の裏面の放熱体6まで伝達され、高熱伝導性の放熱体6にて効果的に放熱される。この結果、本実施の形態の発光ダイオード1では、ベース体2に熱がこもらないようにして発光ダイオード1の温度上昇を抑制することができ、結果的によりダイオード電流を発光ダイオード素子5に流し得て高輝度発光が可能となる。
上記実施の形態では、カバー体3の開口10に蛍光膜12を塗布したガラス板13を設けたが、これに限らず、図5に示した第2の実施の形態の発光ダイオード1Aのように、頂点部の膜厚が大きく周辺部に行くにしたがって膜厚が薄くなる態様で蛍光膜14を内面に形成したドームキャップ15を開口10に取り付けてもよい。尚、図5の第2の実施の形態において、第1の実施の形態と共通する要素には同一の符号を用いて示してある。
この第2の実施の形態の発光ダイオード1Aの場合、ドームキャップ15に対して不等厚の蛍光膜14を形成する方法は、次による。図6(a)に示すように、ドームキャップ15の凹面側を上向きにして、蛍光体粉末12′を溶かし込んだ溶剤16をドームキャップ15の凹面内に満たす。ここで、蛍光体粉末14′には、白色光を取り出すためにはシリケート系蛍光体の粉末を用い、溶剤16としては、例えば、ミクニペイント株式会社製の超耐候性塗料「スプラ」シリーズの中の次のものを用いることができる。
硬化剤:No.916−162、NYクリヤーSP [P]
密着性向上剤:No.9−9945、密着性向上剤HN
希釈剤:No.9−0048、NYシンナー
次に、ドームキャップ15の凹面内に蛍光体粉末14′を溶かし込んだ溶剤16を満たした後、溶剤16を乾燥させる。図6(b)、(c)に示すように、溶剤16の乾燥工程で、溶剤16は水平な液面から漸次気化、消散してゆく。このとき、溶剤16の消散が進み、その液面が低くなって行くに従い蛍光体粉末14′の濃度が漸次に濃くなってゆく。この結果として、図6(d)に示すように、溶剤16が完全に気化、消散した乾燥状態でドームキャップ15の内面に残った蛍光体粉末14′は、ドームキャップ15の周縁部分から頂点部分に行くのに従って重力の影響で漸次層厚が増して行く形の層厚分布をなす蛍光膜14となる。
上記の構成の発光ダイオード1Aでは、発光ダイオード素子5を発光させると、蛍光膜14により波長変換されてドームキャップ15から放出される光の量と波長変換されずにドームキャップ15を透過する光の量との割合が同等になる。このため、発光している発光ダイオード1Aを外から見ると、真上から見ても横方向から見てもほぼ同じ白色で発光しているように見せることができる。
本発明は、図7に示した第3の実施の形態の発光ダイオード1Bの構成とすることもできる。この実施の形態の場合、蛍光体17を混入した透明樹脂板18を開口10に取り付けた構成である。その他の構成は、第1、第2の実施の形態と共通する。
尚、ベース体2の中央部に設ける発光ダイオード素子5の数や発光色は上記実施の形態のものに限定されることはない。取り出す光の明るさに応じて発光ダイオード素子5の数は増減できる。また取り出す光の色に応じて発光ダイオード素子5の発光色も選択できる。
1,1A,1B 発光ダイオード
2 ベース体
3 カバー体
4 発光ダイオード用パッケージ
5 発光ダイオード素子
6 放熱体
7 配線パターン
8 金製リード
9 サーマルビア
10 開口
11 反射面
12 蛍光膜
13 ガラス板
14 蛍光膜
15 ドームキャップ
17 蛍光体
18 透明樹脂板

Claims (4)

  1. 発光ダイオード素子を実装したセラミック製のベース体の上部に、反射面を有する開口を形成したカバー体を固定し、
    前記ベース体にそれを貫通するサーマルビアを形成し、
    前記ベース体の下面に、前記サーマルビアと熱的に接触するように炭化ケイ素製の放熱体を貼着したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記カバー体の開口を、蛍光体膜を塗布した透明板にて封止したことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  3. 前記カバー体の開口を、蛍光体膜を内面に塗布した透明なドームキャップにて封止したことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  4. 前記カバー体の開口を、蛍光体を混入した透明樹脂板又は透明ドームキャップにて封止したことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368529A (zh) * 2011-06-03 2012-03-07 王双喜 一种大功率led光源封装结构
JP2015185786A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 京セラ株式会社 発光装置
JP2016127145A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 シチズンホールディングス株式会社 発光装置および投射装置
US9919384B2 (en) 2014-06-17 2018-03-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the light emitting device
TWI715965B (zh) * 2018-12-29 2021-01-11 大陸商泉州三安半導體科技有限公司 雷射器封裝結構及光源模組

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368529A (zh) * 2011-06-03 2012-03-07 王双喜 一种大功率led光源封装结构
JP2015185786A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 京セラ株式会社 発光装置
US9919384B2 (en) 2014-06-17 2018-03-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of producing the light emitting device
JP2016127145A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 シチズンホールディングス株式会社 発光装置および投射装置
TWI715965B (zh) * 2018-12-29 2021-01-11 大陸商泉州三安半導體科技有限公司 雷射器封裝結構及光源模組

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