TWI228272B - Fabrication of semiconductor devices - Google Patents

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TWI228272B
TWI228272B TW092125953A TW92125953A TWI228272B TW I228272 B TWI228272 B TW I228272B TW 092125953 A TW092125953 A TW 092125953A TW 92125953 A TW92125953 A TW 92125953A TW I228272 B TWI228272 B TW I228272B
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Daike Wu
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Description

1228272 玖、發明說明： L發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於半導體元件製造方法，特別但非單獨 5 指向半導體元件上之散熱器的電鍍方法。 I：先前技術I 發明背景 隨著半導體元件之發展，操作速度有顯著的增加，而 整體尺寸也有縮小的趨勢。這卻帶來半導體元件溫度集結 10 的重大問題。有鑑於此，散熱器被用以幫助半導體元件散 熱。此等散熱器通常與半導體元件分開製造，且一般要等 到封裝前才會被黏貼至半導體元件上。 針對在半導體元件製造過程中將銅電鍍於半導體元件 表面上以特別做為銅内連線，目前已有許多各式各樣的做 15 法。 今曰大部分的半導體元件是以矽（Si)、砷化鎵(GaAs) 、以及磷化銦（InP)等半導體材料做成的。與這些電子與光 電元件比較起來，氮化鎵(GaN)元件具備許多優點。GaN所 固有的主要優點概述於表一： 20 表1 半導體 流動性μ (cm2/Vs) 能隙(eV)/波長(nm) BFOM (功率電晶體優點） 最高溫度(°C) Si 1300 1.1/1127 1.0 300 GaAs 5000 1.4/886 9.6 300 GaN 1500 3.4/360 24.6 700 1228272 從表1，我們可以看出GaN在所提供之半導體中具有最 高的能隙，3.4 eV。因此，它被稱為寬能隙半導體。是以， GaN做成之電子元件的操作功率比&、GaAs及Inp元件高出 甚多。 5 就半導體雷射而言，GaN雷射具有相對短之波長。如 果此專雷射被用以儲存光學資料，其相對短之波長可以促 成較高的容量。GaAs雷射使用於CD-ROM之製造，其容量 大約為每片磁碟670 MB。磷化鋁銦鎵(A1GaInP)雷射（亦根 據GaAs做成)使用於最新的DVD播放機，其容量大約為每磁 10碟4·7 GB。GaN雷射在下一代DVD撥放機中可能具有每磁 碟26 GB之容量。
GaN元件係以GaN晶圓做成的，GaN晶圓基本上為沉積 於一藍寶石基板上之多重GaN相關磊晶層。該藍寶石基板
通常直徑為2英吋，並做為該磊晶層之成長模板。由於GaN 15相關材料(磊晶薄膜)與藍寶石之間的晶格協變，該磊晶層中 會產生缺陷。此等缺陷會對GaN雷射和電晶體，也會在一 較小程度下對GaN發光二極體產生嚴重的問題。 蟲晶晶圓成長方法主要有二：分子束蠢晶法(MBE)， 以及金屬有機化學氣相沉積法(M0CVD)。兩種方法皆被廣 2〇 泛採用。 傳統的製造方法通常包括這些主要步驟：黃光、蝕刻 、介電質薄膜沉積、金屬電極處理、銲墊成形、晶圓檢驗/ 測試、晶圓研磨、晶圓切割、晶粒黏著、銲線、以及可靠 度測試。 1228272 一旦發光二極體製程進展至全晶圓級，就需要將晶圓 分剎成單獨的發光二極體晶粒或小塊。對於在藍寶石基板 上生長之GaN晶圓而言，此一“切割，，動作是個重大問題，因 為藍寶石十分堅硬。首先，藍寶石必需從大約4〇〇微米的厚 5度均勻打薄至大約100微米。然後，打薄之晶圓需以鑽石刀 切割、以鑽石鋸或雷射截溝鋸開，再以鑽石刀劃線。這些 製程會限制生產量、產生良率問題、並消耗昂貴之鑽石刀/ 鋸。 10 15 在藍寶石基板上生長之習知的發光二極體晶片需要在 晶片頂部做兩層銲線。這是有必要的，因 電氣絕緣體，而穿透誦微米厚度之電流傳導:不可能的。 由於每一銲線之銲墊大約佔據晶圓面積的削㈣，與在傳 導性基板上生長之單-銲線發光二極體比較起來，第二條 銲線會使每-晶圓之晶粒數目減少大約l(M5%。幾乎所有 非GaN發光二極體都是在傳導性基板上生長，並使用單一 鲜線。對於封裝廠商來說，兩層銲線會降低封裝良率、還 需要對單-銲線製程做修改、減少晶粒之可用_、並使 銲線製程複雜化且進一步降低封裝良率。 監寶石並非良好的熱導體。舉例來說，其献傳導在 肅(室溫)下為卿/Km。這遠小於鋼所具有之遍w/Km 的熱傳導。如果發光二極體晶片被焊接至其封裝的藍寶石 介面，則元件之主動區所產生的高溫㈣穿越⑻《之 ㈣以及觸微米之藍寶石以抵達封裝/散熱器。如此一來， 晶片會在高溫下運轉，進而影響其效能與可靠度。 20 1228272 就藍寶石上之GaN發光二極體而言，產生光線之主動 區距離藍寳石基板大約3至4微米。 【發明内容】 發明概要 5 本發明之一較佳型態提供一種在一基板上製造半導體 元件之方法，該半導體元件包括含有一元件層之晶圓；該 方法包括下列步驟： (a) 將一熱傳導材料層電鍍至該晶圓之遠離該基板 且靠近該元件層的表面；以及 10 (b) 移除該基板。 該半導體元件可以是矽基元件。 根據另一型態，本發明提供一種在一基板上製造發光 元件之方法，該發光元件包括含有一元件層之晶圓；該方 法包括下列步驟： 15 (a) 將一熱傳導材料層電鍍至該晶圓之遠離該基板 且靠近該元件層的表面；以及 (b) 移除該基板。 對這兩種型態來說，該熱傳導層可以是散熱器，其厚 度可以在3微米至300微米的範圍以内，最好是50微米至200 20 微米之間。 在另一型態中，本發明提供一種在一基板上製造半導 體元件之方法，該半導體元件包括一晶圓；該方法包括下 列步驟： (a) 將一以熱傳導金屬做成之種晶層塗佈至該晶圓 1228272 之遠離該基板的第一表面； (b) 將一以該熱傳導金屬做成之相對厚層電鍵於該 種晶層上，以及 (c) 移除該基板。 5 在塗佈該種晶層之前，該晶圓可以先塗佈一黏合層。 電鍍該相對厚層之前，可以利用光阻圖案使該種晶層圖案 化；該相對厚層被電鍍於該光阻之間。 該種晶層可以不經過圖案化即執行電鍍，也可以在電 鍍後才執行圖案化。圖案化可以藉由光阻圖案製作然後再 10 透過濕式蝕刻完成。選擇性地，可以藉由對該相對厚層做 雷射束微細加工來完成圖案化。 在步驟(b)和（c)之間，可以增加一晶圓退火步驟，以增 進黏合度。 較佳地，該光阻之高度至少為15至500微米，最好在50 15 至200微米的範圍之内，且其厚度落在3至500微米之間。更 佳地，該光阻之間距在200至2000微米之間，最好是300微 米。 該相對厚層之高度不大於該光阻之高度。選擇性地， 該導電金屬層可以電鍍至一高於該電阻之高度，然後打薄 20 。打薄動作可以透過拋光或濕式#刻為之。 步驟(C)之後，可以在該晶圓之遠離該相對厚層的第二 表面上，形成一第二歐姆接觸層。該接觸層可以是第二歐 姆接觸層。該第二歐姆接觸層可以不透明、透明、或半透 明，也可以空白或圖案化。歐姆接觸形成及隨後的步驟可 1228272 以執行。該隨後的步驟可以包括銲線之銲墊沉積。該晶圓 之外露的第二表面可以在該第二歐姆接觸層開始沉積以前 予以清洗及蝕刻。泫第二歐姆接觸層可以不涵蓋該晶圓之 該第二表面的全部面積。 5 該半導體元件可以在該晶圓上做測試，隨後該晶圓可 以分割成單獨的元件。 該半導體元件之製造可以不需要下列一或多項步驟： 研磨、抛光、以及切割。 該晶圓可以包括磊晶層，以及位在該磊晶層上遠離該 10基板的第一歐姆接觸層。該第一歐姆接觸層可以位在該磊 晶層之P型層上；而該第二歐姆接觸層可以形成於該磊晶層 之η型層上。 15 20 步驟(c)之後’介電薄膜可以沉積於該磊晶層上。然後 可以在該介電及第二歐姆接觸層中形成開口，並使銲墊沉 積於該蠢晶層上。選擇性地，步驟(e)m可以將一熱 傳V至屬（或其他材料）電艘於該蠢晶層上。 本^明亦包含以上述方法製成之半導體元件。本發明 在一較佳皞樣中 心’办包含以上述方法製成之發光二極體或雷 射二極體。 在另一離样rk 一 〜，本發明提供一半導體元件，該半導體 "牛I括猫日日層、一位在該磊晶層之一第一表面上的第一 歐姆接觸層、— 位在該第一歐姆接觸層上之以熱傳導金屬 做成的相對戽ja &一 "、以及一位在該磊晶層之一第二表面上的 弟一歐姆接觸層· & ’咳相對厚層以電鍵方式塗佈。 10 1228272 該第一歐姆接觸層上可以在介於該第一歐姆接觸層和 該相對厚層之間提供一黏合層。 該相對厚層之厚度可以至少為50微米；而該第二歐姆 接觸層可以是一介於3至5〇〇奈米之間的薄層。該第二歐姆 5接觸層可以是透明、半透明或者不透明；而且可以包括轉 接島。 對本發明之所有態樣而言，該熱傳導金屬都可以是銅。 可以塗佈一以熱傳導金屬做成之種晶層至該黏合層。 該半導體元件可以是下列任一型態：發光二極體、雷 10射二極體、以及電晶體元件。 在另一態樣中，本發明提供一半導體元件，該半導體 元件包括磊晶層、一位在該磊晶層之一第一表面上的第一 歐姆接觸層、一位在該第一歐姆接觸層上之黏合層、以及 一位在該黏合層上之以熱傳導金屬做成的種晶層。 15 可以在該種晶層上增設一以熱傳導金屬做成的相對厚 層。 可以在該磊晶層之一第二表面上提供一第二歐姆接觸 層’違第二歐姆接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 "亥第一歐姆接觸層可以包括轉接島；而且可以是下列型態 20之一·不透明、透明、或者半透明。
δ亥熱傳導金屬可以包括銅；而該磊晶層可以包括GaN 相關層。 該半導體元件可以是一發光元件。 在一倒數第二的態樣中，本發明提供一半導體元件製 11 1228272 造方法，該方法包括下列步驟： (a) 在一具有包括多重GaN相關磊晶層之晶圓的基 板上’於該晶圓之—第—表面形成—第一歐姆接觸層； (b) 將該基板從該晶圓移除；以及 5 ⑷斤在該晶圓之-第二表面上形成-第二歐姆接觸 層，该第二歐姆接觸層之上設有轉接島。 該第二歐姆接觸層可以用來發光；也可以是不透明、 透明、或半透明。該第二歐姆接觸層可以空白或圖案化。 在一最終的態樣中，本發明提供一以上述方法製成之 10 半導體元件。 該半導體元件可以是一發光二極體或者雷射二極體。 圖式簡單說明 為使本發明更易於理解且更易於實施，下文將以純粹 非限制性之範例例示本發明之較佳實施例，此一說明將參 15 照隨附之示範（而且非按比例顯示）的圖示，圖示中： 第1圖為一半導體元件在製造過程之第一階段的概略 圖； 第2圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第二階 段的概略圖； 20 第3圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第三階 段的概略圖， 第4圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第四階 段的概略圖， 第5圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第五階 12 1228272 段的概略圖， 第6圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第六階 段的概略圖； 第7圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第七階 5 段的概略圖； 第8圖為一製造流程圖。 I：實施方式】 較佳實施例之詳細說明 在下列說明中，括弧裡的參閱數字代表第8圖所示之製 10 程步驟。 第1圖顯示製程中的第1步驟一晶圓10之P型表面上的 金屬處理。 該晶圓10為一蠢晶片，具有一基板12以及一位在該基 板上之多重磊晶層14的堆疊。該基板12可以是，比方說， 15 藍寶石、GaAs、InP、Si等。以下將以在藍寶石基板上具有 GaN層之GaN樣本做為範例。該磊晶層14 (一般稱為epilayer) 為一多重層狀物之堆疊，其下半段16(首先在該基板上生長 者)通常為η型層而其上半段18則通常為p型層。 該GaN層14上方有一具有多重金屬層之歐姆接觸層20 20 。該歐姆接觸層20上設有一黏合層22，以及一以熱傳導金 屬，如銅，做成之薄銅種晶層24 (第2圖）(步驟88)。該熱傳 導金屬最好也具有導電能力。該黏合層之堆疊可以在形成 後進行退火。 該歐姆層20可以是在半導體表面上沉積並退火之多重 13 1228272 層狀物的堆疊。它可能並非原始晶圓的一部份。對GaN、 GaA和InP元件而言，該磊晶片通常包括一夾在n型和p型半 導體之間的主動區。大部分時候，位在上面的是p型層。就 石夕元件而言’可以不使用該磊晶層，而僅使用該晶圓。 5 如第3圖所示，該薄銅種晶層24利用標準黃光(89)以相 對厚之光阻26進行圖案化。該光阻圖案26之高度最好為3至 500微米’且最好在15至5〇〇微米的範圍之内；其厚度大約 落在3至500微米之間。該光阻圖案之間最好視最終晶片之 設計，以200至2000微米，最好是300微米之間距彼此隔開 10 。切確的圖案取決於元件之設計。 接下來’ 一銅製圖案層28在該光阻26之間被電鍍於該 層24(步驟90)上，以形成一構成該基板之一部份的散熱器。 該銅層28之高度最好不大於該光阻26之高度，因此其高度 與該光阻26相同或低於該光阻26。然而，該銅層28之高度 15可能高於該光阻％。在此一情況下，該銅層28可以在後來 的步驟中打薄至一不大於該光阻26之高度。打薄動作可以 透過拋光或濕式姓刻為之。該光阻26在銅電鑛後可以移除 或不移除。光阻之移除可以透過標準且習知的方法，如光 阻剝離劑中之樹脂，或透過電將蝕刻為之。 2〇 視元件之設計而定，該磊晶層14之加工接下來透過標 準加工技術，如清洗(8〇)、黃光(81)、蝕刻（82)、元件隔離 (83)、鈍化(84)、金屬處理(85)、熱加工⑺6)等進行（第4圖） 。然後該晶圓10被退火(87)以增進其黏合度。 該蠢晶層14通常包括位在邊原始基板12上之n型層16 14 1228272 :以及位在已被該歐姆層20、黏合層22、銅製種晶層24和 該電嫂厚銅層28覆蓋之該原始頂部表面上的p型層18。 在第5圖中，該原始基板層12透過，比方說，1^1汐[]\/1·^：· Kelly，〇· Ambacher、R. Dimitrov、R. Handschuh 及 M. 5 Stutzmann，phys. Stat· Sol· (a) 159，R3(1997)]等人所首創 之方法被移除(91)。該基板亦可透過拋光或濕式姓刻為之。 第6圖為倒數第二個步驟，該步驟特別與發光二極體有 關，該發光二極體在該蠢晶層14下方增設一透明歐姆接觸 層30以供發光之用。轉接島32亦被使用。該歐姆接觸層3〇 10 最好為透明或半透明。它最好是一薄層，厚度在3至5〇奈米 之間。 增加該歐姆接觸層30之前，可以執行習知的初步製程 。這些可以是，比方說，黃光(92、93)、乾式蝕刻（94、95) 、以及黃光(96)。 15 退火(98)可以在該歐姆接觸層30沉積後執行。 接下來晶片/晶粒以習知且標準之方法接受測試(99)。 之後該晶片/晶粒可以分離（i 〇 〇)(第7圖）成單獨的元件/晶片 1、2，且無須研磨/拋光該基板也不需要切割動作。接下來 封裝步驟以標準且習知的方法完成。 2〇 較佳地，該磊晶層14之該頂部表面以一大約〇1至2〇 微米，最好為0.3微米之距離與該主動區隔開。對矽基半導 體而言，該半導體之頂部表面最好以一大約〇1至2〇微米， 特別是〇·3微米之距離與該元件層隔開。由於該主動層/元件 層在此-組態中與-相對厚之銅銲塾28貼近，熱氣移除率 15 1228272 被提高了。 此外，或選擇性地，該相對厚層28可以用來提供晶片 所須之機械支撐。它也可以用來做為熱氣從該主動區/元件 層移除的路徑，以及電性連結。 電鍍步驟係在晶圓層級（亦即，切割動作之前）執行的， 亦可對數個晶圓同時進行。 10
GaN雷射二極體之製造與GaN發光二極體之製造相似 ，但可能牽涉更多的步驟。差異之一在於，GaN雷射二極 體在製造過程中需要做鏡像形成。相較於不以藍寶石做基 板之方法，使用藍寶石做其基板時，鏡像形成要困難許多 ，且鏡像品質通常也比較差。 藍寶石移除後，雷射會具有較佳的效能。典型GaN雷 射磊晶片結構之範例如表二所示。 表2 0.15微米 0.45微米 0.12微米 200 35 50 0·12微米 0.45微米 500 3微米 1微米 6微米 2微米 300 450微米 摻入鎂之p型GaN接觸層 摻入鎂之p型Al〇.16Ga〇.45N披覆層 摻入鎂之p型GaN波導層 摻入鎂之p型A1〇.2GAg.8N電子阻斷層
In〇.〇6Ga〇.97Nn〇.7〇Ga〇.8〇N 三週期 MQWs主動層
In〇.56GaN〇.85N 井層
In0.02Ga0.07N障礙層 摻入矽之η型GaN波導層 摻入矽之η型Al〇.76Ga〇.85N披覆層
摻入石夕之η型InG.1Gao.9N 摻入石夕之η型GaN接觸層
未摻入雜質之η型GaN 未摻入雜質之η型ELO GaN層 未摻入雜質之GaN模板層/S iaN4光罩
GaN緩衝區 藍寶石基板 標準的商用GaN發光二極體可以發射大約5%之產生於 16 1228272 半導體中的光線。已有各式各樣方法被開發以從非GaN發 光*一極體(特別是基於AlGalnP、而非GaN做成之紅色發光二 極體）中之晶片萃取更多的光線。 該第一歐姆接觸層20因為是金屬做成而且相當平滑， 5 所以非常光澤，也因此對光線具有高度反射性。因此，該 第一歐姆接觸層2〇之與該磊晶層14的接合處也可以是一個 反射表面，或是鏡像，以增進光線輸出。 雖然本文所引用的是銅金屬，任何其他可電鍍之材料 皆可使用，只要它具有電氣以及/或者熱傳導性，或是可以 10 提供該半導體元件所須之機械支撐即可。 雖然以上說明闡述本發明之一較佳態樣，熟悉此項技 藝之人士應該明白，各種沒有背離本發明範疇之設計、構 造或操作上的改變或修飾都是可行的。 【圖式簡單說明】 15 第1圖為一半導體元件在製造過程之第一階段的概略 圖； 第2圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第二階 段的概略圖； 弟3圖為弟1圖中之5亥半導體元件在製造過程之第三階 20 段的概略圖； 弟4圖為弟1圖中之该半導體元件在製造過程之第四階 段的概略圖； 第5圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第五階 段的概略圖； 17 1228272 第6圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第六階 段的概略圖； 第7圖為第1圖中之該半導體元件在製造過程之第七階 段的概略圖； 5 第8圖為一製造流程圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1，2…元件/晶片 81…黃光 10…晶圓 82…I虫刻 12…基板 83···元件隔離 14…多重蠢晶層 84···純化 16…下半段 85…金屬處理 18…上半段 86···熱加工 20,30···歐姆接觸層 87,98…退火 22…黏合層 91…移除 24…薄銅種晶層 92,93,96···黃光 26…光阻 94,95…乾式蝕刻 28…銅製圖案層 99…測試 32…轉接島 100…分離 80…清洗 18

Claims (1)

1228272 1h ^ .'r / - .. L - . ' ... *· , ' · 铲 第92125953號專射請案中請專利範圍修正本93年1()月19日拾、申請專利範圍：1. 一種在-基板上製造半導體元件之方法，該半導體元件 包括一晶圓；該方法包括下列步驟：⑷將-熱傳導金屬之種晶層塗佈至該晶圓之第一 表面； 10 15 20 上；以及 (c)移除該基板。 2.如申請專利範圍第丨項之方法，其中 之丽，該第一表面預先塗佈一黏合層 3·如申請專利範圍第丨項之方法，其中， 之丽，該種晶層以光阻圖案圖案化。 4·如申請專利範圍第3項之方法，其中， 鍍介於該光阻圖案之間。 5·如申請專利範圍第丨項之方 間，有一 n、P1 其中’在步_和⑷之 有〜®退火之增設步驟，以增進黏合度。 .如申請專利範圍第4項 危备 方法其中，該光阻圖宰之莴 度在15至500微米之間。 木之回 如申請專利範圍第4項之方法 度在3至500微米之間。 8·如申請專利範圍第4項之方法 距在200至2〇〇〇微米之間。 9-如申請專利範圍第】項 、 仏，其令，該種晶層沒有經 ’在塗佈該種晶層 0 在該電鍍步驟(b) 該相對厚層之電 7 其中，該光阻圖案之厚 其中，該光阻圖案之間 案化即執行步驟(b)中之電鍍，圖 才執行的。 、衣作疋在電鍍後 W·如申請專利範圍第9項之方法，立中 5 阻圖案製作然後再透過濕柄料成。圖案化係藉由光 U·如申請專利範圍第9項之方法， 該相對厚層做雷射束微細加工完成。β案化係藉由對 12.如申請專利範圍第3項之方法，： 度不大於該光阻之高度。 ^晴厚層之高 10 U•如申請專利朗第㈣之方法， 成之該相對厚層被電鑛至一私ρ以熱傳導金屬做 薄。 亥電阻之高度，然後打 如申請專利範圍第13項之方法， 拋光或濕式钱刻為之。 、以動作係透過 15 丨5·如中請專利範圍第丨項之方法， 一哲- " ' 在步驟（C)之後， 弟-區人姆接觸層形成於該晶 ^ 罘一表面上，該弟二 & 人姆接觸層係選自下列群 及半透明。 匕括.不透明、透明、以 16.如申請專利範圍第15 私軋咖 貝之方法，其中，該第二歐姆接觸 層為空白或圖案化兩者其中之一。 17·:申請專利範圍第15項之方法，其中，轉m形成於該 第一歐姆接觸層上。 18.如申請專利第㈣之方法，其中，在步驟⑷之後 T姆接觸形成及隨後的步驟被執行，該隨後的步驟包括 銲線之銲墊沉積。 1228272 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，外露之該第二表 面在該歐姆接觸層開始沉積以前被清洗及触刻。 20. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該第二歐姆接觸 層不涵蓋該第二表面的全部面積。 21·如申請專利範圍第15項之方法，其中，形成該第二歐姆 接觸層後，該半導體元件在該晶圓上做測試。 2 2 ·如申請專利範圍第！ 5項之方法，其巾，該晶圓被分割成 單獨的元件。 23.如申請專利範圍第m項中任一項之方法，其中，該 半導體元件之製造不需要選自下列群组之一或多項步 驟：研磨、拋光、以及切割。 24·如申請專利範圍第丨至22項中任—項之方法，其中，該 日圓匕括蘇日日層’以及位在該|日日日層之遠離該基板的第 -表面上之第-歐姆接觸層；該第_歐姆接觸層位在該 蠢晶層之p型層上。 25·如申請專利第24項之方法，其中，該第二歐姆接觸 層形成於該蠢晶層之11型層上。 26·如申請專利範圍第！至14項中任―項之方法，其中，在 步驟攸後，介電薄膜沉積於該蟲晶層上，該介電薄膜 和該第二歐姆接觸層中形成開口，且銲墊沉積於該蟲晶 層上。 27·如申請專利範圍第β14項中任—項之方法，其中，在 4(e)之後’-熱傳導金屬被電聽該蟲晶層上。 8.如申請專利範圍第24項之大、么., 固禾4貝之方法，其中，該熱傳導金屬包 1228272 括銅，而該蠢晶層則包括多重GaN相關層。 29. —種半導體元件，該半導體元件包括磊晶層、一位在該 蠢晶層之一第一表面上的第一歐姆接觸層、一位在該第 一歐姆接觸層上之以熱傳導金屬做成的相對厚層、以及 5 一位在該蠢晶層之一第二表面上的第二歐姆接觸層；該 相對厚層以電鍍方式塗佈。 30. 如申請專利範圍第29項之半導體元件，其中，該第一歐 姆接觸層上，介於該第一歐姆接觸層和該相對厚層之間 ，設有一黏合層。 10 31.如申請專利範圍第30項之半導體元件，其中，該黏合層 被塗佈一以熱傳導金屬做成之種晶層。 32. 如申請專利範圍第29項之半導體元件，其中，該相對厚 層之厚度至少為50微米。 33. 如申請專利範圍第29項之半導體元件，其中，該第二歐 15 姆接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 34. 如申請專利範圍第29至33項中任一項之半導體元件，其 中，該第二歐姆接觸層係選自下列群組，包括：不透明 、透明、以及半透明。 35. 如申請專利範圍第29至33項中任一項之半導體元件，其 20 中，該第二歐姆接觸層包括轉接島。 36. 如申請專利範圍第29至33項中任一項之半導體元件，其 中，該熱傳導金屬為銅，而該蠢晶層則包括多重GaN相關 蠢晶層。 37. 如申請專利範圍第36項之半導體元件，其中，該半導體 1228272 元件係選自下列群組，包括：發光元件、以及電晶體元 件。 38. —種半導體元件，該半導體元件包括磊晶層、一位在該 蠢晶層之一第一表面上的第一歐姆接觸層、一位在該第 5 —歐姆接觸層上之黏合層、以及一位在該黏合層上之以 熱傳導金屬做成的種晶層。 39. 如申請專利範圍第38項之半導體元件，進一步包括一位 在該種晶層上之以熱傳導金屬做成的相對厚層。 40. 如申請專利範圍第38項之半導體元件，進一步包括一位 10 在该蠢晶層之一弟》表面上的弟>一歐姆接觸層，該弟二 歐姆接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 41. 如申請專利範圍第38至40項中任一項之半導體元件，其 中，該第二歐姆接觸層包括轉接島，且係選自下列群組 ，包括：不透明、透明、以及半透明。 15 42.如申請專利範圍第38至40項中任一項之半導體元件，其 中，該熱傳導金屬包括銅，而該蠢晶層則包括多重GaN 相關層。 43. —種半導體元件製造方法，該方法包括下列步驟： (a) 在一具有包括多重GaN相關蠢晶層之晶圓的基 20 板上，於該晶圓之一第一表面形成一第一歐姆接觸層； (b) 將該基板從該晶圓移除，以及 (c) 在該晶圓之一第二表面上形成一第二歐姆接觸 層，該第二歐姆接觸層之上設有轉接島。 44. 如申請專利範圍第43項之方法，其中，該第二歐姆接觸 1228272 45ΓΓ自下列群組，包括：不透明、透明、以及半透明。 ·=請專利範圍第43項之方法，其中，該第二歐姆接觸 曰為下列兩者之一 ··空白、以及圖案化。 46.n在-聽上製料導體元件之妓，料導體元件 匕括含有-元件狀晶圓；該方法包括下列步驟： ia)將—熱傳導材料層電鍍至該晶圓之遠離該基板 且罪近該元件層的表面；以及 (b)移除該基板。 10 15 4入如申請專利範圍第46項之方法，其中，該半導體元件為 矽基元件。 八種在基板上製造發光元件之方法，該發光元件包括 含有—元件層之晶圓；該方法包括下列步驟： 將-熱傳導材料層電鑛至該晶圓之遠離該基板 且靠近該元件層的表面；以及 (b)移除該基板。 49·如申請專利範圍第46至48項中任一項之方法，其中，該 熱傳導層為一散熱器。 50·如申請專利範圍第49項之方法，其中’該熱傳導層之厚 度在3微米至3〇〇微米的範圍以内。 51·如申請專利範圍第49項之方法，其中，該熱傳導層之厚 度在50微米至2〇〇微米之間。 20
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