1228261 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關層積陶瓷電子零件之製造方法，更詳言 之，αJ卻貫地防止含有陶瓷生胚薄片（g r e e n s h e e t )和電 極層之層積體單元的損傷，且可高效率地將所望數量的層 積體單元予以層積，來製造層積陶瓷電子零件的層積陶瓷 電子零件之製造方法。 【先前技術】 近年來，隨著各種電子機器的小型化，安裝在電子機 器內的電子零件也要求小型化及高性能化，而在層積陶瓷 電容等之層積陶瓷電子零件上，也要求層積數的增加、層 積單位的薄層化。 以層積陶瓷電容爲代表的層積陶瓷電子零件的製造中 ，首先，將陶瓷粉末，和丙烯酸酯樹脂、丁醛樹脂等黏結 劑；鄰苯二甲酸乙酯類、乙二醇類、已二酸、磷酸乙酯類 等可塑劑；甲苯、甲基乙基酮、丙酮等有機溶媒，予以混 合分散，調製介電體糊。 接下來，將介電體糊，以射出成形塗佈機或凹板塗佈 機，塗佈在由聚乙烯板（PET)或聚丙烯（PP )等所形成 的支持片上，經過加熱使塗膜乾燥，製作陶瓷生胚薄片。 然後，在陶瓷生胚薄片上，以網版印刷機等，將鎳等 電極糊，以所定圖案印刷，令其乾燥，形成電極層。 電極層形成後，將形成有電極層的陶瓷生胚薄片從支 (2) 1228261 持片剝離下來’形成含有陶瓷生胚薄片和電極層的層積體 單元，將所望數量的層積體單元層積、加壓所獲得的層積 體，切斷成小片（ChiP )狀’製作成生胚小片（green chip )。 最後，將黏結劑從生胚小片去除，將生胚小片燒成， 形成外部電極’藉此以製造層積陶瓷電容等之層積陶瓷電 子零件。 隨著電孑零件要求小型化及高性能化，現在，決定層 積陶瓷電容之層間厚度的陶瓷生胚片的厚度已經要求在3 // m或2 // m以下.’且要求層積3 0 0層以上的含有陶瓷生胚 片和電極層的層積體單元。 其結果爲，如先前一般，當在層積陶瓷電容的外層上 ，層積必要數量的含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元 時，在外層上，最先層積的層積體單元，會被加壓達300 次以上，容易受損，因此，是需要先將層積體單元，例如 ’每次5 0層而層積，形成複數之層積體塊，再將複數之層 積體塊，層積在層積陶瓷電容的外層上。 可是在此伺時，當在層積陶瓷電容的外層上，層積必 -要數量的含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單元時，雖然 可將外層固定在模具上而層積層積體單元，但當層積體單 元彼此層積時，若將含有陶瓷生胚片和電極層的層積體單 元固定在模具上而層積層積體單元，則有很高的機率會損 傷層積體單元，是爲問題。 (3) 1228261 【發明內容】 ， 因此，本發明的目的，係提供層積陶瓷電子零件之製 造方法，一方面可確實地防止含有陶瓷生胚片和電極層的 層積體單元之損傷，同時可高效率地層積所望數量的層積 體單元，來製造層積陶瓷電子零件。 本發明所論之目的，係藉由一種層積陶瓷電子零件之 製造方法，係屬於將被形成在支持片上，含有剝離層、電 極層及陶瓷生胚片之複數層積體單元，令前記層積體單元 的表面是位於支持體上，而決定位置，並對前記支持體加 壓，以將前記層積體單元予以層積，而製造層積陶瓷電子 零件之方法，其特徵爲，前記支持體爲，具有：在每 0.0 1 mm2面積的表面內，存在1個以下之可能突出至在被層 積在前記支持體上的層積體單元之前記陶瓷生胚片中達到 前記陶瓷生胚片之厚度的1/2以上之突起，且在>每100mm2 面積之表面內，存在1個以下之可能貫通前記陶瓷生胚片 之突起的表面粗糙程度來達成。 若根據本發明，則由於是將被形成在支持片上，含有 剝離層、電極層及陶瓷生胚片之複數層積體單元，令前記 層積體單元的表面是位於支持體上，而決定位置，並對前 記支持體加壓，以將前記層積體單元予以層積，而製造層 積陶瓷電子零件而構成，因此在將所望數量的層積體單元 予以層積，來製造層積陶瓷電子零件之際’可有效地防止 層積體單元的損傷。 又，由於支持體，係爲了便於操作，一般會在支持體 1228261 (4) 內充塡塡料，且在支持體表面上形成突起，因此，在陶瓷 生胚片爲薄型化的情況下，將層積體單元加壓以層積在支 持體上時，由於被形成在支持體表面上的突起，導致陶瓷 生胚片遭受損傷，而在將含有陶瓷生胚片及電極層之多數 層積體單元進行層積而製作層積陶瓷電子零件中，導致短 路等不良之疑慮。可是在此同時，若根據本發明，則由於 支持體爲，具有：在每0.01 mm2面積的表面內，存在1個以 下之可能突出至在被層積在支持體上的層積體單元之陶瓷 生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度的1 /2以上之突起，且在 每i 0 0 mm2面積之表面內，存在l·個以下之可能貫通陶瓷生 胚片之突起的表面粗糙程度，因此，即使在陶瓷生胚片爲 薄型化的情況下，將層積體單元加壓以層積在支持體上時 ，可有效地防止由於被形成在支持體表面上的突起所導致 陶瓷生胚片遭受損傷，且可有效防止在將含有陶瓷生胚片 及電極層之多數層積體單元進行層積而製作層積陶瓷電子 零件中所造成之短路等不良。 本發明中，所謂「可能突出至陶瓷生胚片中達到陶瓷 生胚片之厚度的1 /2以上之突起」，係指具有可能突出至 陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度的1 /2以上之高度的 突起；在實際上，則不論該突起是否貫通陶瓷生胚片。 本發明的理想實施形態中，前記支持體爲’具有：在 每0.0 1mm2面積的表面內，存在1個以下之可能突出至在被 層積在支持體上之前記陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚 度的1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內’存在1 1228261 (5) 個以下之可能貫通陶瓷生胚片之突起，且在每1 mm2面積 之表面內，存在1個以下之可能突出至前記陶瓷生胚片中 達到〇 · 3 /i m以上之突起的表面粗糙程度。 本發明中，所謂「可能突出至陶瓷生胚片中達到0.3 //m以上之突起」，係指具有可能突出至陶瓷生胚片中達 到0 · 3 // m以上之高度的突起；在實際上，則不論該突起 是否突出至陶瓷生胚片中達到〇. 3 // m以上。 本發明的理想實施形態中，是在前記支持片的表面上 ，形成黏著層，並使前記陶瓷生胚片的表面，接觸至前記 黏著層的表面’而決定前記層積體單元在前記支持體上的 位置，並對前記支持體加壓，以將前記層積體單元予以層 積而構成。 本發明之理想實施形態中，前記黏著層是被形成在前 記支持體的表面，使得其和支持體之間的接著強度爲，強 於前記支持片和前記剝離層之間的接著強度，且弱於其和 前記陶瓷生胚片之間的接著強度。 若根據本發明的理想實施形態，則由於黏著層和支持 體之間的接著強度爲，強於支持片和剝離層之間的接著強 度，且弱於其和陶瓷生胚片之間的接著強度，而被形成在 支持體的表面，因此，當層積體單元，是在支持片的表面 上，依序層積剝離層、電極層及陶瓷生胚片而被形成，且 令陶瓷生胚片的表面接觸至黏著層的表面，而決定層積體 單元的位置，以層積在支持體上時，可輕易地將支持片從 被層積在支持體上的層積體單元之剝離層上剝離下來，且 冬 1228261 (6) 可在已被層積於支持體上之層積體單元的剝離層上，有效 率地層積新的層積體單元9 再者，若根據本發明的理想實施形態，則由於黏著層 係形成在支持體表面上使得其和支持體之間的接著強度， 是強於支持片和剝離層之間的接著強度，且弱於其和陶瓷 生胚片之間的接著強度，因此，當層積體單元，是在支持 片的表面上，依序層積剝離層、電極層及陶瓷生胚片而被 形成，且令陶瓷生胚片的表面接觸至黏著層的表面，而決 定層積體單元的位置，以層積在支持體上時，在將支持片 ’從已被層積至支持體上之層積體單元的陶瓷生胚片上剝 離下來後，將在陶瓷生胚片的表面上已形成有接著層的層 積體單元，隔著接著層，而層積在已被層積於支持體上之 層積體單元的剝離層上，重複以上步驟，則形成了有所定 數量的層積體單元被層積於支持體上之層積體塊，並且將 層積體塊，層積在層積陶瓷電容的外層等之上後，可保持 黏著層接著至陶瓷生胚片的樣態，而直接只將支持體從黏 著層剝離、取下，因此，被層積在外層等之上的層積體塊 ’在再次層積新的層積體塊時，不須在新的層積體塊上形 成接著層，因此可有效率地製造層積陶瓷電子零件。 本發明之其他理想實施形態中’前記黏著層是被形成 在前記支持體表面，使得其和支持體之間的接著強度爲， 強於前記支持片和前記陶瓷生胚片之間的接著強度，且弱 於其和前記剝離層之間的接著強度。 若根據本發明的理想實施形態’則由於黏著層和支持 -10- (7) 1228261 體之間的接著強度爲，強於前記支持片和前記陶瓷生胚片 之間的接著強度，且弱於其和前記剝離層之間的接著強度 ，而被形成在支持體的表面，因此，當層積體單元，是在 支持片的表面上，依序層積陶瓷生胚片、電極層及剝離層 而被形成，且令剝離層的表面接觸至黏著層的表面，而決 定層積體單元的位置，以層積在支持體上時，可輕易地將 支持片從被層積在支持體上的層積體單元之陶瓷生胚片上 剝離下來，且可在已被層積於支持體上之層積體單元的陶 瓷生胚片上，有效率地層積新的層積體單元。 再者，若根據本發明的理想實施形態，則由於黏著層 係形成在支持體表面上使得其和支持體之間的接著強度， 是強於前記支持片和前記陶瓷生胚片之間的接著強度，且 弱於其和前記剝離層之間的接著強度，因此，當層積體單 元，是在支持片的表面上，依序層積陶瓷生胚片、電極層 及剝離層而被形成，且令剝離層的表面接觸至黏著層的表 面’而決定層積體單元的位置，以層積在支持體上時，在 將支持片’從已被層積至支持體上之層積體單元的陶瓷生 胚片上剝離下來後，將在剝離層的表面上已形成有接著層 的層積體單元’隔著接著層，而層積在已被層積於支持體 上之層積體單元的陶瓷生胚片上，重複以上步驟，則形成 了有所定數量的層積體單元被層積於支持體上之層積體塊 ’並且將層積體塊，層積在層積陶瓷電容的外層等之上後 ’可保持黏著層接著至剝離層的樣態，而直接只將支持體 從黏著層剝離、取下，因此，被層積在外層等之上的層積 -11 - 1228261 (8) 體塊，在再次層積新的層積體塊時，不須在新的層積體塊 上形成接著層，因此可有效率地製造層積陶瓷電子零件。 本發明中，爲了形成陶瓷生胚片所使用的介電體糊’ 通常是將介電體原料，和令黏結劑溶解於有機溶劑中而成 之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。 介電體原料有，形成複合氧化物或氧化物的各種化合 物，例如：可從碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化 合物等中適宜選擇之，將其混合而使用。介電體原料，一 般是以平均粒子直徑約0. 1 // m〜3.0 // m程度的粉未形式 來使用。介電體原料的粒徑，一般是以小於陶瓷生胚片之 厚度爲理想。 有機賦形劑中所用的黏結劑，雖然並非特別限定，而 可使用例如乙基纖維素、聚乙烯丁醛（polyvinyl butyral )、丙烯酸酯樹脂等一般的黏結劑，但爲了使陶瓷生胚片 薄層化，理想爲使用聚乙烯丁醛等丁醛系樹脂。 有機賦形劑所用的有機溶劑，雖然亦無特別限定，而 可使用例如 品醇（terpineol ) 、丁基卡必醇（butyl carbitol)、丙酮、甲苯等有機溶劑。 本發明中，介電體糊，係將介電體原料，和溶解於水 中的水溶性黏結劑而成的賦形劑進行混揉即可生成。 水溶性黏結劑，並非特別限定，可使用的有聚乙烯醇 、甲基纖維素、羥基乙基纖維素（Hydroxy ethyl Cellulose )、水溶性丙烯酸酯樹脂、乳膠（emulsion)等。 介電體糊的各成份的含有量，雖然沒有特別限定，但 - 12- (9) 1228261 例如可爲含有約丨重量％〜5重量％的黏結劑、約；[〇重量％ 〜5 0重量％的溶劑，來調製介電體糊。 介電體糊中，因應需要，亦可含有從各種分散劑、可 塑劑、介電體、副成份化合物、玻璃料、絕緣體等之中選 擇出來的添加物。在介電體糊中添加這些添加物時，理想 添加量爲1 0重量％以下。黏結劑樹脂，在使用丁醛系樹脂 時’可塑劑的含有量，理想爲相對於1 〇 〇重量部的結合樹 脂，約爲2 5重量部至1 0 0重量部爲理想。可塑料太少，則 生成的陶瓷生胚片會有過脆的傾向；若過多，則可塑料會 滲出，取用困難，都非理想。 本發明中，陶瓷生胚片是將介電體糊塗佈在第一支持 片上、乾燥之，製作而成。 介電體糊，係使用射出成形塗佈機或凹板塗佈機，塗 佈在由第一支持片上，形成塗膜。 第一支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第一支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 //m 乃至 100//m。 本發明中，理想爲，第一支持片具有以下之表面粗糙 程度：在每〇.〇1 mm2面積的表面內，存在1個以下之可能突 出至被形成在其表面之陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚 度的1/2以上之突起，且在每1 00mm2面積之表面內，存在1 個以下之可能貫通陶瓷生胚片之突起。 如此形成的塗膜，例如，以約50 °C至1 〇〇 °C的溫度， -13- (10) 1228261 乾燥約1分至20分，在支持基板上就形成了陶瓷生胚片。 本發明中，乾燥後陶瓷生胚片的厚度，理想爲3 // m 以下，更理想爲1 . 5 // m以下。 本發明中，在形成層積體之電極層時，有別於第一支 持片而另外準備了第二支持片，第二支持片上，使用網版 印刷機或凹版印刷機等印刷機，印刷電極糊，形成電極層 〇 第二支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第二支持片的厚度，雖無特別限定，但無論是相同 於形成有陶瓷生胚片之支持片或不同於該支持片，理想約 爲 5 // m 乃至 1 0 0 // m。 本發明中，理想爲，第二支持片具有以下之表面粗糙 程度：在每0.01 mm2面積的表面內，隔著後述之接著層， 將電極層及陶瓷生胚片接著時，存在1個以下之可能突出 至陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度的1 /2以上之突起 ，且在每1 00mm2面積之表面內，隔著接著層，將電極層 及陶瓷生胚片接著時，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚 片之突起。 本發明中，第二支持片上，在電極層形成之前，首先 ，調製介電體糊，塗佈在第二支持片上，在第二支持片上 形成剝離層。 用來形成剝離層之介電體糊，理想爲，含有和陶瓷生 胚片所含之介電體相同成份的介電體粒子。 -14- (11) 1228261 用來形成剝離層的介電體糊，除了介電體粒子以外， 可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電 體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒 徑相同亦可，但理想爲更小。 黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醛 、聚乙烯縮醒（ρ ο 1 y v i n y 1 a c e t a 1 )、聚乙燏醇、聚條烴（ polyolefin)、聚胺甲酸酯（polyurethane)、聚苯乙烯（ polystyrene)，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。 用來形成剝離層的介電體糊所含的黏結劑，雖然和陶 瓷生胚片所含的黏結劑爲同系或不同系皆可，但以同系者 爲理想。 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒 子1 〇 〇重量部，含有約2 · 5重量部〜約2 0 0重量部的黏結劑 ，更理想爲約5重量部〜約30重量部，尤其理想爲約8重量 部〜約30重量部。 可塑劑無特別限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯（ phthalate ester )、已二酸（adiPic acid )、磷酸酯、乙二 醇（glycol)類等。用來形成剝離層的介電體糊所含的可 塑劑，雖然和陶瓷生胚片所含的可塑劑爲同系，但亦可爲 不同系。 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 】〇 〇重量部，含有約0重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理 想爲約2 0重量部〜約2 0 〇重量部，更理想爲約5 0重量部〜 約1 0 0重量部。 -15- 1228261 (12) 用來形成剝離層的介電體糊所含的剝離劑，並無特別 限定，可舉例有例如石鱲（p ar affi η ) ' ¢1 ( wax )、砂油 等。 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 〇 〇重量部，含有約〇重量部〜約1 ο 〇重量部的剝離劑，更 理想爲約5重量部〜約20重量部。 本發明中，剝離層中所含之相對於介電體之黏結劑的 含有比率，理想爲相等或更低於陶瓷生胚片中所含之相對 於介電體之黏結劑的含有比率。又，剝離層中所含之相對 於介電體之可塑劑的含有比率，理想爲相等或更高於陶瓷 生胚片中所含之相對於介電體之可塑劑的含有比率。再者 ，剝離層中所含之相對於介電體之離型劑的含有比率，理 想爲高於陶瓷生胚片中所含之相對於介電體之離型劑的含 有比率。 藉由形成具有此種組成之剝離層，使得即使陶瓷生胚 片極度薄層化，也能使剝離層的強度，低於陶瓷生胚片的 破壞強度，且在第二支持片剝離之際，可確實地防止陶瓷 生胚片遭到破壞。 剝離層，係藉由使用製線條料 CO a ter )，在第二支持片上塗佈介電體糊而形成。 剝離層的厚度，以其上所形成之電極層的厚度以下者 爲理想，理想爲電極層厚度之約60%以下，更理想爲電極 層厚度之約30%以下。 剝離層形成後，剝離層係例如以約5 0 °C〜1 0 0 °C、乾燥 -16 - (13) 1228261 約1分鐘〜1 0分鐘。 剝離層乾燥後，在剝離層的表面上，於燒成後，以所 定圖案，形成構成內部電極層的電極層。 本發明中，用來形成電極層的電極糊，是將各種導電 性金屬或合金所成的導電體材料燒成後，將各種導電性金 屬或合金所成的導電體材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽 等，和溶解在有機溶劑中的黏結劑所成之有機賦形劑，進 行混揉、調製而成。 製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的 有N i、N i合金或它們的混合物。導電體材料的形狀，並 無特別限定，可爲球狀、鱗片狀，或是這些形狀的混合。 又’導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定，但通常使 用約0 . 1 μ m〜約2 // m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 // m的導電 性材料。 有機賦形劑所用的黏結劑，雖無特別限定，而可使用 例如乙基纖維素、丙j%酸醋樹脂、聚乙嫌]醒（P 〇 1 y V i n y I butyral)、聚乙烯縮酸（polyvinyl acetai)、聚乙嫌醇、 聚烯烴（polyolefin)、聚胺甲酸酯（p〇iyUrethane)、聚 苯乙烯（polystyrene )，或是它們的共聚物，但尤其以使 用聚乙烯丁醛等丁醛系黏結劑爲理想。 電極糊，理想爲相對於導電材料！ 〇〇重量部，含有約 2.5重量部〜約20重量部的黏結劑。 溶劑例如可使用 品醇（terpine〇I ) 、丁基卡必醇（ b u t y 1 c a 1· b i t ο 1 )、煤油（k e 1· 〇 s i n e )等公知溶劑。溶劑的 -17- 1228261 (14) 含有量，相對於電極糊全體，理想爲約2 0重量％〜5 : 爲了改善接著性，電極糊以含有可塑劑者爲理想 電極糊所含的可塑劑，並無特別限定，例如可歹IJ 鄰苯二甲酸千 丁酯（benzyl butyl phthalate，ΒΒΡ) 苯二甲酸醋（phthalate ester)、已二酸（adipic acic 磷酸酯、乙二醇（glycol )類等。電極糊，理想爲相 黏結劑100重量部，含有約10重量部〜約3 00重量部， 想爲約1 〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑。 可塑劑的添加量若過多，則電極層的強度會有顯 降，並非理想。 電極層是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印 ，將電極糊印刷在形成於第二支持片上之剝離層表面 形成。 電極層的厚度，約0.1 // m〜5 // m的厚度爲理想 理想則爲〇 . 1 // ηι〜1 . 5 // m。 本發明中，理想爲，在形成於第二支持片上之剝 表面之未形成有電極層的部份中，再度使用網版印刷 凹版印刷機等印刷機，以互補於電極層的圖案，印刷 體糊，形成間隔層（spacer )。 亦可早於電極層形成之前，就在形成於第二支持 之剝離層的表面上，以互補於電極層的圖案，形成間 (spacer) 〇 本發明中，用來形成間隔層（s p a c e r )的介電體 重量 舉有 、鄰 )^ 對於 更理 著下 刷機 上而 ，更 離層 機或 介電 片上 隔層 糊， -18- (15) 1228261 是被調製成相同於用來形成陶瓷生胚片之介電體糊。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲，含有相同於陶 瓷生胚片所含之介電體之組成的介電體粒子。 用來形成間隔層的介電體糊，除了介電體粒子以外， 可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電 體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒 徑相同亦可，但理想爲更小。 黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醛 、聚乙烯縮醛（poly vinyl acetal )、聚乙烯醇、聚烯烴（ polyolefin)、聚胺甲酸酯（p〇iyUrethane)、聚苯乙烯（ polystyrene)，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。 用來形成間隔層的介電體糊所含的黏結劑，可和陶瓷 生胚片所含之黏結劑爲同系或非同系，但理想爲同系。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒 子1 0 0重量部，含有約2.5重量部〜約2 〇 〇重量部的黏結劑 ’更理想爲約4重量部〜約15重量部，尤其理想爲約6重量 部〜約1 0重量部。 用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，並無特別 限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯（phthala.k ester)、 已二酸（adipic acid )、磷酸酯、乙二醇（glyc〇1 )類等 。用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，可和陶瓷生 胚片所含之可塑劑，爲同系或非同系。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 0 0重量邰，含有約2 0重量部〜約2 〇 〇重量部的可塑劑，更 - 19- 1228261 (16) 理想爲約5 0重量部〜約1 〇 〇重量部。 用來形成間隔層的介電體糊所含的剝離劑，並無特別 限定’可舉例有例如石鱲（p a r a f f i η )、鱲（w a x )、砂油 等。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 0 0重量邰’含有約0重量部〜約1 0 0重量部的剝離劑，更 理想爲約5重量部〜約2 0重量部。 本發明中，電極層及間隔層，理想爲滿足〇.7 ^ ts/te ^ 1 · 3 ( ts係間隔層的厚度，te係電極層的厚度）而形成 者，較理想爲滿足0.8S ts7teS 1.2，更_理想爲0.9 ^ t s /1 e $ 1.2而形成者。 電極層及間隔層，係例如，以約7 0 °C〜1 2 0 °C的溫度 ，乾燥5〜1 5分鐘。電極層及間隔層的乾燥條件，並無特 別限定。 陶瓷生胚片，和電極層及間隔層，係隔著已被轉印至 陶瓷生胚片或電極層及間隔層之表面的接著層而接著，爲 了形成接著層，而準備了第三支持片。 第三支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上’包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第三支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 μ m 乃至 1 0 0 // ηι。 本發明中，在接著層被轉印至陶瓷生胚片之表面’並 將陶瓷生胚片、電極層及間隔層隔著接著層而接著時’第 三支持片係具有以下之表面粗糙程度：在每0.0 1 m m 2面積 -20- (17) 1228261 的表面內，將接著層轉印至陶瓷生胚片之表面時，存在1 個以下之可能突出至陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度 的1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內，將接著 層轉印至陶瓷生胚片之表面時，存在1個以下之可能貫通 陶瓷生胚片之突起。 接著層，係在第三支持片上，塗佈接著劑溶液而形成 〇 本發明中，接著劑溶液，係含有黏結劑，和做爲任意 成份的可塑劑、剝離劑及帶電防止劑。 接著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子 的情形中，黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於 陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲 理想。 接著劑所含的黏結劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系，但亦可和用來形成 陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。 接著劑溶液所含的可塑劑，雖然理想爲和用來形成陶 瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來 形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。 可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 0 0重量部， 含有約〇重量部〜約2 00重量部的可塑劑，理想爲約20重量 部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約】00重量部。 本發明中，理想爲，接著劑溶液含有黏結劑之〇 · 〇 1重 -21 - 1228261 (18) 量％〜1 5重量％的帶電防止劑，更理想爲含有黏結劑之 0.0 1重量％〜1 〇重量％的帶電防止劑。 本發明中，接著劑所含的帶電防止劑，只薆是具有吸 溼性的有機溶劑即可，例如可使用乙二醇（ethylene glycol) ' 聚乙二醇（poly ethylene glycol) 、2，3 -丁二醇 (2，3 - b u t a n e d i ο 1 )、甘油（g 1 y c e r i n e )、味 d坐啉（ imidazoline ) 系界面活性劑、聚烴基乙二醇 （ ρ ο 1 y a 1 k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ a m i d i n e c a r b ο n a t e )系界面活性劑等之兩性界面活性劑等 ，做爲接著劑溶液所含之帶電防止劑來使用。 在這些帶電防止劑之中，除了少量且可防止靜電外， 由於剝離力小且可從接著層將第三支持片剝離，因此理想 爲咪D坐啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑、聚烴基乙二醇（ ρ ο 1 y a I k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ ami dine carbonate )系界面活性劑，其中又以咪n坐啉（ imidazoline )系界面活性劑，剝離力特小、可從接著層將 第三支持片剝離，而尤其理想。 接著劑溶液，係例如藉由膠條塗佈機（bar coat er ) 、射出成形塗佈機（extrusion coat er )、逆轉塗佈機（ reverse coater )、浸沾式塗佈機（dip coater )、吻合式 塗佈機（kiss coater)等，塗佈在第三支持片上，形成厚 度理想爲約0 · 0 2 v m〜約〇 , 3 // m，較理想爲約0.0 2 /i m〜約 〇 · 1 // m的接著層。若接著層的厚度未滿約〇. 〇 2 a m，則接 著力降低；反之，若接著層厚度超過約〇. 3厂m，則會導致 -22- 1228261 (19) 缺陷（間隙）產生，並非理想。 接著層，係例如，以室溫（2 5 °C )至約8 0 °C的溫 乾燥約1分至5分。接著層的乾燥條件，並無特別限定 被形成在第三支持片上的接著層，會被轉印到被 在第二支持片上之電極層及間隔層的表面。 將接著層轉印至形成於第二支持片上之電極層及 層之表面的情況下，接著層是以接觸至形成於第二支 上之電極層及間隔層之表面的狀態，在約4 0 °C〜約1 的溫度下，將接著層和電極層及間隔層，以約〇 . 2MP a 15MPa的壓力，理想爲，約〇.2MPa〜約6MPa的壓力 壓之’接著層便接著在電極層及間隔層的表面上，之 便將第三支持片從接著層剝離下來。 將接著層轉印至電極層及間隔層表面之際，將形 電極層及間隔層的第二支持片，和形成有接著層的第 持片加壓，雖然可使用加壓機或使用一對加壓滾輪來 ，但理想爲藉由一對之加壓滾輪，將第二支持片和第 持片加壓。 將接著層轉印至形成於第一支持片上之陶瓷生胚 表面的情況下，接著層是以接觸至形成於第一支持片 陶瓷生胚片之表面的狀態，在約40 °C〜約1 00 °C的溫 ，將接著層和陶瓷生胚片，以約0.2 MPa〜約1 5MPa的 ，理想爲，約〇 . 2 Μ P a〜約6 Μ P a的壓力，加壓之，接 便接著在陶瓷生胚片的表面上，之後，便將第三支持 接著層剝離下來。 度， 〇 形成 間隔 持片 〇〇°C 〜約 ，加 後， 成有 三支 加壓 三支 片之 上之 度下 壓力 著層 片從 -23- 1228261 (20) 將接著層接著至陶瓷生胚片表面 生胚片的第一支持片，和形成有接著 ’雖然可使用加壓機或使用一對加壓 爲藉由一對之加壓滾輪，將第一支持片 。接下來，將陶瓷生胚片、電極層及間 ，而接著之。 陶瓷生胚片、電極層及間隔層，是 40°C〜10(TC的溫度下，以約〇.2MPa〜 理想爲，約〇.2MPa〜約6MPa的壓力， 胚片、電極層及間隔層，隔著接著層而 理想爲，使用一對加壓滾輪，將陶 、電極層及間隔層加壓，使陶瓷生胚片 ，隔著接著層而接著。 在接著層是被轉印至電極層及間隔 一旦陶瓷生胚片、電極層及間隔層，隔 便將第一支持片從陶瓷生胚片剝離下來 如此所得之層積體，被裁斷成所定 二支持片上，層積有剝離層、電極層、 陶瓷生胚片的層積體單元。 另一方面，在接著層是被轉印至陶 況下，一旦陶瓷生胚片、電極層及間隔 接著，便將第二支持片從剝離層剝離下 如此所得之層積體，被裁斷成所定 •一支持片上，層積有陶瓷生胚片、接著 .際，將形成有陶瓷 1的第三支持片加壓 :輪來加壓，但理想 和第三支持片加壓 隔層，隔著接著層 隔著接著層，在約 約1 5 Μ P a的壓力， 加壓之，令陶瓷生 接著。 瓷生胚片、接著層 、電極層及間隔層 層表面的情況下， 著接著層而接著， 〇 尺寸，製作成在第 間隔層、接著層及 瓷生胚片表面的情 層，隔著接著層而 來。 尺寸，製作成在第 層、電極層、間隔 -24- 1228261 (21) 層及剝離層的層積體單元。 如上所製作成的多數之層 積體單元’令其隔著接著層層積，製作成層積體塊。 在層積多數之層積體單元之際，首先，在形成有複數 孔之基板上，設置形成有黏著層的支持體。 本發明中，支持體的材料，並無特別限定，但是以聚 乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯醚（p〇lyphenylene ether )、尔 kt 本一甲酸乙細醋（polyethylene terephthalate) 等塑膠材料形成者爲理想。 支持體的厚度’只要是可能支持層積體單元的厚度即 可，並無特別限定。 支持體係藉由透過形成在基板的複數孔，以空氣吸引 而固定在基板上的所定位置。 黏著層，係在支持體上塗佈黏著劑溶液而形成。 本發明中，黏著劑溶液係含有黏結劑，及做爲任意成 份的可塑劑 '剝離劑及帶電防止劑。 黏著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 體粒子之組成的介電體粒子。黏著劑溶液含有介電體粒子 時，介電體粒子的相對於黏結劑重量的比例，理想爲小於 陶瓷生胚片中所含介電體粒子之相對於黏結劑重量的比例 〇 黏著劑溶液所含之黏結劑，雖然以和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含之黏結劑爲同系之黏結劑爲理想’但 亦可爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之黏結劑爲 非同系之黏結劑。 -25- (22) (22)1228261 黏著劑溶液所含之可塑劑，雖然以和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含之可塑劑爲同系之可塑劑爲理想，但 亦可爲和用來形成陶瓷生胚片之介電體糊所含之可塑劑爲 非同系之可塑劑。 可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 〇 〇重量部， 含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約20重量 部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約100重量部。 本發明中，理想爲，黏著劑含有黏結劑之0.0 1重量％ 〜1 5重量％的帶電防止劑，更理想爲含有黏結劑之〇 . 〇 1重 量％〜1 0重量％的帶電防止劑。 本發明中，接著劑所含的帶電防止劑，只要是具有吸 溼性的有機溶劑即可，例如可使用乙二醇（ethylene g 1 y c ο 1 )、聚乙二醇（P 〇 ] y e t h y 1 e n e g 1 y c ο 1 ) 、2 ; 3 - 丁二醇 (2，3 - b ii t a n e d i ο 1 )、甘油（g 1 y c e r i n e )、咪唑啉（ imidazoline )系界面活性劑、聚烴基乙二醇（ ρ ο I y a 1 k y 1 e η e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ amidine carbonate )系界面活性劑等之兩性界面活性劑等 ，做爲接著劑溶液所含之帶電防止劑來使用。 在這些帶電防止劑之中，除了少量且可防止靜.電外， 由於剝離力小且可從接著層將第三支持片剝離，因此理想 爲咪唑啉（i m i d a ζ 〇 1 i n e )系界面活性劑、聚烴基乙二醇（ ρ 〇】y a 1 k y ] e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ a m i d i n e c a r b ο n a i e )系界面活性劑，其中又以咪唑啉（ i m i d a ζ 〇 j i n e.)系界面活性劑，剝離力特小 '可從接著層將 -26- (23) 1228261 第三支持片剝離，而尤其理想。 本發明中，當接著層是被轉印至電極層及間隔層表面 時，黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著層和支持體 之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持片和剝離層 之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元之陶瓷生胚 片之間的接著強度。 此情況下，.理想爲，在第二支持片表面，形成剝離層 ，使得：層積體單元之第二支持片和剝離層之間的接著強 度爲5〜20mN/cm ;並在支持體的表面上形成黏著層，使 得：黏著層和支持體之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm， 且黏著層和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度爲 3 5 0 m N / c m 以上。 本發明中，理想爲，黏著層，具有0.0 1 // m至0.3 μ m 的厚度，而形成在支持體上。若黏著層的厚度未滿0.01 // m，則支持體和層積體單元之陶瓷生胚片之間的接著強度 太小，要將層積體單元層積會有困難。另一方面，若黏著 層的厚度超過〇 . 3 // m，則將層積體單元層積、生成陶瓷生 胚小片，並燒成陶瓷生胚小片時，黏著層部份會產生間隙 ，導致層積陶瓷電子零件的靜電容量下降，並非理想。 黏著層，係例如，以室溫（2 5 t )至約8 (TC的溫度， 乾燥約1分至5分。黏著層的乾燥條件，並無特別限定。 在層積體單元層積之際，令層積體單元的陶瓷生胚片 表面接觸至形成在支持體表面的黏著層表面，加壓之，使 層積體單兀接著至形成在支持體表面的黏著層。 -27- 1228261 (24) 一旦層積體單元，被接著、層積至形成在支持體表面 的黏著層上，則將第二支持片從層積體單元的剝離層上剝 離下來。 此處，由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著 層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持 片和剝離層之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元 之陶瓷生胚片之間的接著強度，因此只有第二支持片可輕 易剝離。 一旦將第二支持片從層積在支持體表面的層積體單元 上剝離下來，則在層積於支持體之黏著層上的層積體單元 上，再度層積新的層積體單元。 在層積於支持體之黏著層上的層積體單元上，再度層 積新的層積體單元時，是和將形成在第三支持片上之接著 層’轉印至電極層及間隔層或者陶瓷生胚片表面時相同， 首先，在第三支持片上，形成接著層，並將接著層轉印至 欲層積的層積體單元之陶瓷生胚片表面。 接下來，使得轉印至陶瓷生胚片表面的接著層之表面 ’接觸至層積在支持體之黏著層上的層積體單元的剝離層 表面，而決定新的欲層積之層積體單元的位置，加壓之， 而將新的層積體單元，層積在已層積於支持體之黏著層的 層積體單元上。 接下來，將新層積之層積體單元的第二支持片從陶瓷 生胚片上剝離下來。 同樣地，將所定數之層積體單元，層積在支持體之黏 -28- 1228261 (25) 著層上，製作成層積體塊。 一旦製作達到層積陶瓷電子零件所應含之所定數量的 層積體塊，則將層積體塊層積於層積陶瓷電容之外層等之 基板上。 首先，使得層積體塊中最後層積之層積體單元的剝離 層表面，接觸至形成於層積陶瓷電容等之外層上的接著層 表面，而決定已層積在支持體上之層積體塊的位置，加壓 之，將層積體塊層積在層積陶瓷電容等之外層等之基板上 Ο 一旦在層積陶瓷電容等之外層等之基板上，層積了層 積體塊，則將支持體從層積體塊剝離。 此處，由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著 層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第二支持 片和剝離層之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元 之陶瓷生胚片之黏著層之間的接著強度，因此只有支持體 可輕易地從層積體塊剝離。 一旦將支持體從層積陶瓷電容等之外層等之基板上所 層積之層積體塊上剝離，則於層積陶瓷電容等之外層等之 基板上所層積之層積體塊上，再度地，層積一已層積於支 持體上的新層積體塊。 此處，由於將支持體從層積體塊剝離之際，僅有支持 體被剝離，而黏著層仍殘留在層積體塊側’因此在將已層 積在支持體上的層積體塊，層積至已層積在層積陶瓷電容 等之外層等之基板上的層積體塊上時，不須形成接著層， -29^ 1228261 (26) 因此，可有效率地層積層積體塊。 在層積新的層積體塊時，使得層積體塊中最後層積之 層積體單元之剝離層表面，接觸至已層積在層積陶瓷電容 等之外層等之基板上的層積體塊之黏著層表面，而決定已 層積在支持體上之新層積體塊的位置，加壓之，將新層積 體塊，層積在已層積於層積陶瓷電容等之外層等之基板上 的層積體塊上。 同樣地’將層積體塊層積，層積陶瓷電子零件所應含 之所定數的層積體單元便被層積。 相對於此’本發明中，當接著層是被轉印至陶瓷生胚 片表面時’黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著層和 支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第一支持片和 陶瓷生胚片之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體單元 之剝離層之間的接著強度.。 此情況下’理想爲，在第一支持片表面，形成陶瓷生 胚片’使得：層積體單元之第一支持片和陶瓷生胚片之間 的接著強度爲5〜20mN/cm ;並在支持體的表面上形成黏 著層，使得：黏著層和支持體之間的接..著強度爲2 0〜 3 5 OmN/cm，且黏著層和層積體單元之剝離層之間的接著 強度爲3 5 0mN/cm以上。 本發明中，理想爲，黏著層，具有0·01 β m至〇.3 V m 的厚度，而形成在支持體上。若黏著層的厚度未滿0.01 # m，則支持體和層積體單元之剝離層之間的接著強度太小 ，要將層積體單元層積會有困難。另一方面，若黏著層的 -30- (27) (27)1228261 厚度超過〇. 3 μ m，則將層積體單元層積、生成陶瓷生胚小 片，並燒成陶瓷生胚小片時，黏著層部份會產生間隙，導 致層積陶瓷電子零件的靜電容量下降，並非理想。 黏著層，係例如，以室溫（2 5 °C )至約8 0 °C的溫度， 乾燥約1分至5分。黏著層的乾燥條件，並無特別限定。 在層積體單元層積之際，令層積體單元的剝離層表面 接觸至形成在支持體表面的黏著層表面，加壓之，使層積 體單元接著至形成在支持體表面的黏著層。 --旦層積體單兀，被接著、層積至形成在支持體表面 的黏著層上，則將第一支持片從層積體單元的陶瓷生胚片 上剝離下來。 此處，由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著 餍和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第一支持 片和陶瓷生胚片之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體 單元之剝離層之間的接著強度，因此只有第一支持片可輕 易剝離。 一旦將第一支持片從層積在支持體表面的層積體單元 上剝離下來，則在層積於支持體之黏著層上的層積體單元 上，再度層積新的層積體單元。 在層積於支持體之黏著層上的層積體單元上，再度層 積新的層積體單元時，是和將形成在第三支持片上之接著 層，轉印至電極層及間隔層或者陶瓷生胚片表面時相同， 首先，在第三支持片上，形成接著層，並將接著層轉印至 欲層積的層積體單元之剝離層表面。 -31 - (28) 1228261 接下來，使得轉印至剝離層表面的接著層之表面，接 觸至層積在支持體之黏著層上的層積體單元的陶瓷生胚片 表面，而決定新的欲層積之層積體單元的位置，加壓之， 而將新的層積體單元，層積在已層積於支持體之黏著層的 層積體單元上。 接下來，將新層積之層積體單元的第一支持片從陶瓷 生胚片上剝離下來。 同樣地’將所定數之層積體單元，層積在支持體之黏 著層上，製作成層積體塊。 一旦製作達到層積陶瓷電子零件所應含之所定數量的 層積體塊’則將層積體塊層積於層積陶瓷電容之外層等之 基板上。 首先’使得層積體塊中最後層積之層積體單元的陶瓷 生胚片表面’接觸至形成於層積陶瓷電容等之外層上的接 著層表面’而決定已層積在支持體上之層積體塊的位置， 加壓之’將層積體塊層積在層積陶瓷電容等之外層等之基 板上。 一旦在層積陶瓷電容等之外層等之基板上，層積了層 積體塊’則將支持體從層積體塊剝離。 此處’由於黏著層，係被形成在支持體上，使得黏著 層和支持體之間的接著強度，強於層積體單元之第一支持 片和陶瓷生胚片之間的接著強度，且弱於黏著層和層積體 單元之剝離層之黏著層之間的接著強度，因此只有支持體 可輕易地從層積體塊剝離。 -32- 1228261 (29) 一旦將支持體從層積陶瓷電容等之外層等之基板上所 層積之層積體塊上剝離，則於層積陶瓷電容等之外層等之 基板上所層積之層積體塊上，再度地，層積一已層積於支 持體上的新層積體塊。 此處，由於將支持體從層積體塊剝離之際，僅有支持 體被剝離，而黏著層仍殘留在層積體塊側，因此在將已層 積在支持體上的層積體塊，層積至已層積在層積陶瓷電容 等之外層等之基板上的層積體塊上時，不須形成接著層， 因此，可有效率地層積層積體塊。 在層積新的層積體塊時，使得層積體塊中最後層積之 層積體單元之陶瓷生胚片表面，接觸至已層積在層積陶瓷 電容等之外層等之基板上的層積體塊之黏著層表面，而決 定已層積在支持體上之新層積體塊的位置，加壓之，將新 層積體塊，層積在已層積於層積陶瓷電容等之外層等之基 板上的層積體塊上。 同樣地，將層積體塊層積，層積陶瓷電子零件所應含 之所定數的層積體單元便被層積。 本發明之上記及其他目的或特徵，可由以下記述及對 應圖面而明瞭。 【實施方式】 以下將根據添附圖面’詳述說明本發明之理想實施形 態的層積陶瓷電容之製造方法。 製造層k陶瓷電谷之際，首先，爲了製造陶瓷生胚片 *33- 1228261 (30) ，調製介電體糊。 介電體糊，通常’是將介電體原料’和令黏結劑溶解 在有機溶劑中所成之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。 調製成的介電體糊，係例如’使用射出成形塗佈機或 凹板塗佈機，塗佈在由第一支持片上，形成塗膜。 第一支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等’ 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第一支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 // m 乃至 1 〇 〇 # m。 第一支持片1，理想爲，具有以下之表面粗糙程度： 在每0.0 ]. mm2面積的表面內，存在1個以下之可能突出至被 形成在其表面之陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的 1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內，存在1個以 下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起。 接下來，塗膜，例如，以約50°C至l〇〇°C的溫度，乾 燥約1分至20分，在第一支持片上就形成了陶瓷生胚片。 乾燥後陶瓷生胚片2的厚度，理想爲3 # m以下，更理 想爲1 . 5 " m以下。 第一支持片1，由於在製造層積體單元之際，需要從 滾筒捲出並捲回滾筒，因此在捲出或捲回時，爲了在滾筒 之間，產生所定的摩擦力，而在第一支持片1內，塡充塡 料，因此在第一支持片1的表面上會形成有突起，但在本 實施形態中，由於第一支持片1具有：在每0.0 1mm2面積的 袠面內，存在1個以下之可能突出至被形成在其表面之陶 -34- 1228261 (31) 瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的1 /2以上之突起， 且在每1 0 0 m m 2面積之表面內，存在1個以下之可能貫通陶 瓷生胚片2之突起之表面粗糙程度，因此，即使當在第一 支持片1的表面上，形成極薄的陶瓷生胚片2時，也能有效 防止因形成在第一支持片1表面的突起，導致陶瓷生胚片2 受到損傷。 第1圖係第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之狀 態的槪略部份剖面圖。 實際上，第一支持片1係形成爲長尺狀，陶瓷生胚片2 ’係在長尺狀的第一支持片1表面上被連續地形成。 另一方面，獨立於陶瓷生胚片2，另外準備第二支持 片，在第二支持片上，形成剝離層及電極層。 第2圖係該表面上，形成有剝離層5及電極層6之第二 支持片4的槪略部份剖面圖。 實際上，第二支持片4係形成爲長尺狀，剝離層5，係 在長尺狀的第二支持片4表面上被連續地形成，且剝離層5 的表面上，電極層6是以所定圖案而被形成。 在桌一支持片4表面’形成剝離層5時，首先，和形 成陶瓷生胚片2時同樣地，調製用來形成剝離層5的介電體 糊。 用來形成剝離層5的介電體糊，理想爲，含有相同於 陶瓷生胚片2所含之同一成份介電體的介電體粒子。 用來形成剝離層5之介電體糊所含之黏結劑，雖然和 陶瓷生胚片2所含的黏結劑可爲同系或不同系，但以同系 - 35- 1228261 (32) 者爲理想。 如此，一旦介電體糊被調製，則例如使用製線條料塗 佈機（wire bar coat er ;未圖示），將介電體糊塗佈在第 二支持片4上，形成剝離層5。 剝離層5的厚度，電極層6的厚度以下者爲理想，理想 爲電極層6厚度之約60 %以下，更理想爲電極層6厚度之約 30%以下。 第二支持片4，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等 ’且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸 樹脂等。第二支持片4的厚度，雖無特別限定，但無論是 相同於第一支持片1或不同於第一支持片1，理想約爲5 # m 乃至 1 0 0 // m。 第二支持片4，理想爲，具有以下之表面粗糙程度： 在每0 · 0 1 m m2面積的表面內，隔著後述之接著層，將電極 層6及陶瓷生胚片2接著時，存在1個以下之可能突出至陶 瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的1 /2以上之突起， 且在每1 00mm2面積之表面內，隔著接著層，將電極層6及 陶瓷生胚片2接著時，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚片 2之突起。 剝離層5形成後，剝離層5係例如以約5 〇 °C〜1 0 0 °C、乾 燥約1分鐘〜10分鐘。 本實施形態中，在第二支持片4表面形成剝離層5，使 得：第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲，5〜 *36- (33) 1228261 剝離層5乾燥後，於燒成後，在剝離層5的表面上’以 所定之圖案，形成構成內部電極的電極層6。 電極層6的厚度，約〇 . 1 μ m〜5 μ m的厚度爲理想，更 理想則爲〇 . 1 // m〜1 · 5 m。 將電極層6形成在剝離層5上之際，首先，將各種導電 性金屬或合金所成的導電體材料燒成後，將各種導電性金 屬或合金所成的導電體材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽 等，和溶解在有機溶劑中的黏結劑所成之有機賦形劑，進 行混揉，調製成電極糊。 製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的 有Ni、Ni合金或它們的混合物。 導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定，但通常使 用約0 · 1 μ m〜約2 μ m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 μ m的導電 性材料。 電極層6是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷 機，將電極糊印刷在剝離層5上而形成。 藉由網版印刷法或凹版印刷法，將具有所定圖案的電 極層6，形成在剝離層5的表面上後，未形成電極層6的表 面，以互補於電極層6的圖案，形成間隔層（spacer )。 第3圖係剝離層5表面上，形成有電極層6及間隔層7之 狀態的槪略部份剖面圖。 間隔層7，亦可早於電極層形成之前，就以互補於電 極層6的圖案而形成在剝離層5的表面上。 間隔層7形成時，是調製相同於用來形成陶瓷生胚片2 -37- (34) 1228261 之介電體糊成份之介電體糊，並藉由網版印刷法或凹版印 刷法，將介電體糊，以互補於電極層6的圖案，印刷在未 形成電極層6之剝離層5的表面。 本實施形態中，間隔層7是被形成在剝離層5上，滿足 t s /1 e =〗.1。此處，t s係間隔層7的厚度，t e係電極層6的厚 度。 本實施形態中，是構成爲陶瓷生胚片2和電極層6及間 隔層7，係隔著接著層而接著，有別於形成有陶瓷生胚片2 的第一支持片1以及形成有電極層6和間隔層7的第二支持 片4，更另外準備了第三支持片，並在第三支持片上，形 成接著層，製作接著層片。 第4圖係第三支持片9表面上，形成有接著層1〇之接著 層片11的槪略部份剖面圖。 實際上，第三支持片9係形成爲長尺狀，接著層1 〇 ’ 係在長尺狀的第三支持片9表面上被連續地形成。 第三支持片9，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等 ’且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸 樹脂等。第三支持片9的厚度，雖無特別限定，但理想約 爲 5// m 乃至 100// m。 接著層1 〇形成時，首先，調製接著劑溶液。 本實施形態中，接著劑溶液，係含有黏結劑、可塑劑 及帶電防止劑，和做爲任意成份的剝離劑。 接著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子 -38- 1228261 (35) 的情形中，黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於 陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲 理想。 接著劑所含的黏結劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系，但亦可和用來形成 陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。 接著劑溶液所含的可塑劑，雖然理想爲和用來形成陶 瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來 形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。 可塑劑的含有量’理想爲相對於黏結劑1 0 0重量部， 含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約2 〇重量 部〜約200重量部，更理想爲約50重量部〜約1〇〇重量部。 本實施形態中，接著劑溶液含有黏結劑之〇 · 〇〗重量％ 〜1 5重量％的帶電防止劑。 本實施形態中，帶電防止劑是使用咪Π坐啉（ i m i d a ζ 〇】i n e )系界面活性劑。 如此調製成的接著劑溶液，例如，藉由膠條塗佈機（ bar coat er)、射出成形塗佈機（extrusion coater)、逆 轉塗佈機（reverse coater)、浸沾式塗佈機（dip coater )、吻合式塗佈機（kiss coate i.)等，塗佈在第三支持片 9上’形成厚度爲約〇 · 〇 2 // m〜約〇 . 1 # m的接著層;1 〇。若 接者層1 〇的厚度未滿約〇 · 〇 2 // m，則接著力降低；反之， 若接著層厚度1 0超過約〇 · 3 // m，則會導致缺陷（間隙）產 生，並非理想。 >39- (36) 1228261 接著層1 〇，係例如，以室溫（2 5 t )至約8 crc的溫度 ，乾燥約1分至5分。接著層的乾燥條件，並無特別限定。 第5圖係將形成在第三支持片9上的接著層1 〇，接著至 形成在第二支持片4上之電極層6及間隔層7表面，從接著 層1 0將第三支持片9剝離之接著·剝離裝置的理想實施形 態之槪略剖面。 如第5圖所示，本實施形態所論之接著·剝離裝置， 具備溫度保持在約4 0 °C〜1 0 (TC的一對加壓滾輪1 5、1 6。 如第5圖所示，形成有接著層1 0的第三支持片9，係藉 由施加在第三支持片9的拉張力，第三支持片9彷彿是被上 方之加壓滾輪1 5捲繞般，從斜斜的上方起，供給至一對之 加壓滾輪1 5、1 6之間；形成有電極層6及間隔層7的第二支 持片4，則和下方之加壓滾輪1 6接觸；電極層6及間隔層7 ，接觸至形成在第三支持片9上的接著層1 0表面，以略水 平方向，供給至一對之加壓滾輪1 5、1 6之間。 .第二支持片4及第三支持片9的供給速度，係例如， 設定成2m/秒，一對之加壓滾輪15、16之輾壓力，理想爲 ，以約0.2MPa〜約15MPa的壓力，較理想爲，約0.2MPa 〜約6 Μ P a 〇 其結果爲，形成在第三支持片9上的接著層1 0，接著 至形成在第二支持片4上的電極層6及間隔層7表面。 如第5圖所示，形成有接著層1 〇的第三支持片9，從一 對之加壓滾輪1 5、] 6往斜上方般送，因此，第三支持片9 ’會從接著在電極層6及間隔層7表面的接著層1 0剝離下來 -40- 1228261 (37) 將第三支持片9從接著層1 〇剝離下來之際 電，導致塵埃附著，或是接著層被第三支持片 蓁隹如所望般地將第三支持片從接著層剝離下來 本實施形態中，接著層1 〇是含有相對於黏結齊 量％〜1 5重量％的咪D坐啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界 所以可有效地防止靜電的產生。 如此，被形成在第二支持片4上的電極層 的表面，便接著了接著層1 〇，並將第三支持> 10上剝離下來，則電極層6及間隔層7便隔著接 著至被形成在第一支持片1上之陶瓷生胚片2的 第6圖係在陶瓷生胚片2的表面，隔著接著 電極層6及間隔層7之接著裝置的理想實施形態 圖c 如第6圖所示，本實施形態所論之接著裝 度保持在約4 0 °C〜1 0 0 °C的一對加壓滾輪1 7、 有電極層6、間隔層7及接著層1 0的第二支持戶 二支持片4的上方接觸加壓滾輪1 7，而被供給 壓滾輪1 7、1 8之間；形成有陶瓷生胚片2的第-則讓下方接觸加壓滾輪1 8，而被供給至一對之 、1 8之間。 本實施形態中，加壓滾輪1 7是以金屬滾輪 壓滾輪1 8是以橡膠滾輪來構成。 •第一支持片1及第二支持片4的供給速度 ，會產生靜 •吸附，而較 :，但因爲在 U，有ο. ο 1重 面活性劑， 6及間隔層7 V 9從接著層 著層1 〇，接 表面。 層1〇，接著 之槪略剖面 置，具備溫 1 8，且形成 ^ 4，係讓第 至一對之加 -支持片1， 加壓滾輪1 7 所構成，加 ，係例如， -41 - (38) 1228261 設定成2m/秒，一對之加壓滾輪1 7、1 8之輾壓力，理想爲 ，以約0.2 Μ P a〜約1 5 Μ P a的壓力，較理想爲，約〇 . 2 Μ P a 〜約6 Μ P a。 本實施形態中，陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7 ’ 是隔著接著層1 0而接著·，如先前般，是利用陶瓷生胚片2 、電極層6及間隔層7所含之黏結劑的黏著力，或是利用陶 瓷生胚片2、電極層6及間隔層7之變形，而陶瓷生胚片2 ' 電極層6及間隔層7並未接著，因此例如以約0.2MPa〜約 1 5 MP a的低壓力，可將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7 接著。 因此，由於可防止陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7 的變形，因此將如此獲得之陶瓷生胚片2、電極層6及間隔 層7的層積體予以層積，製作層積陶瓷電容之際的層積精 確度可以提升。 又’本貫施形態中，電極層6，及密度比電極層6小、 壓縮率®的間隔層7，是被形成爲t s /1 e = 1 . 1，因此將電極 層6及間隔層7，隔著接著層1 〇，轉印至陶瓷生胚片2上之 際，可藉由加壓，使得間隔層7被壓縮，且隔著接著層1 0 ，確實地將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2予以接著， 因此，將第二支持片4剝離時，可確實地防止電極層6會連 同第二支持片4 一倂剝離。 甚至，本實施形態中，由於是第二支持片4上所形成 之電極層6乾燥後，隔著接著層1 〇而接著至陶瓷生胚片2的 表面之構成，因此當在陶瓷生胚片2表面印刷電極糊形成 -42- 1228261 (39) 電極層6時，電極糊不會使陶瓷生胚片2所含之黏結劑溶解 或是膨潤，且電極糊不會滲入陶瓷生胚片2中，因此可如 所望地，在陶瓷生胚片2的表面形成電極層6。 此外，本實施形態中，由於在其表面上形成有陶瓷生 胚片2的第一支持片1，係具有在每〇 · 0 1 m m 2面積的表面內 ，存在1個以下之可能突出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚 片2之厚度的1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內 ，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起之表面粗糙 程度，因此，即使當在第一支持片1的表面上，形成極薄 的陶瓷生胚片2時，隔著接著層1 0，將陶瓷生胚片2、電極 層6及間隔層7加壓，使得電極層6及間隔層7接著時，也能 有效防止因形成在第一支持片1表面的突起，導致陶瓷生 胚片2受到損傷。 甚至，第二支持片4，係當製造層積體單元之際，由 於在製造層積體單元之際，需要從滾筒捲出並捲回滾筒， 因此在捲出或捲回時，爲了在滾筒之間，產生所定的摩擦 力，而在第二支持片4內，塡充塡料，因此在第二支持片4 的表面上會形成有突起，但若根據本實施形態，由於其表 面必須形成電極層6及間隔層7的第二支持片4，是選用具 有以下之表面粗糙程度的支持片：在每〇.〇 1mm2面積的表 面內，隔著後述之接著層，將陶瓷生胚片2、電極層6及間 隔層加壓時，存在1個以下之可能突出至陶瓷生胚片2中達 到陶瓷生胚片2之厚度的1/2以上之突起，且在每100mm2面 積之表面內，隔著接著層，將陶瓷生胚片2、電極層6及間 -43 - (40) 1228261 隔層加壓時，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起 ;因此，即使當在第一支持片1的表面上，形成極薄的陶 瓷生胚片2之情況下，隔著接著層1 0，將陶瓷生胚片2、電 極層6及間隔層7加壓，以接著陶瓷生胚片2、電極層6及間 隔層7時，也能有效防止因形成在第一支持片1表面的突起 ，導致陶瓷生胚片2受到損傷。 如以上，一旦被形成在第二支持片4之電極層6及間隔 層7的表面，隔著接著層1 0，接著了被形成在第一支持片1 上之陶瓷生胚片2，則第一支持片1便從陶瓷生胚片2剝離 下來。 如此，在第二支持片4的表面上，便形成了剝離層5、 電極層6、間隔層7、接著層1 0及陶瓷生胚片2所層積而成 的層積體。 如上所獲得之層積體，被裁斷成所定尺寸’製作成在 第二支持片4表面上，層積有剝離層5、電極層6、間隔 層7、接著層10及陶瓷生胚片2之具有所定尺寸的層積體單 元。 第7圖係如此而裁斷成所定尺寸的層積體單元之槪略 剖囬圖。 如第7圖所示，層積體單元20，係含有被形成在第二 支持片4之表面上的剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層 1 〇及陶瓷生胚片2。 同樣地，在第二支持片4表面上層積剝離層5、電極層 6、間隔層7、接著層]0及陶瓷生胚片2，而分別製作多數 -44 - 1228261 (41) 之含有剝離層5、電極層6、間隔層7、接著層1 〇及陶瓷生 胚片2的層積體單元20。 藉由將如此製作之多數層積體單元2 0，隔著被轉印至 陶瓷生胚片2表面的接著層而層積，便製作成層積陶瓷電 容。 第8圖係層積體單元2 0之層積製程之第一步驟的槪略 部份剖面圖。 如第8圖所示，在層積體單元20層積時，首先，在形 成有多數孔的基板2 5上，放置一表面形成有黏著層2 7的支 持體28。 支持體2 8的材料，例如可使用聚對苯二甲酸乙烯酯（ polyethylene terephthalate ) ° 本實施形態中，支持體2 8，係具有在每〇 . ni m2面積 的表面內，存在1個以下之可能突出至被形成在其表面之 陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的1 / 2以上之突起 ，且在每1 〇 〇 m m2面積之表面內，存在1個以下之可能貫通 陶瓷生胚片2之突起，在每imm2面積之表面內，存在1個 以下之可能突出至被形成在其表面之陶瓷生胚片2中達到 〇 . 2 // m以上之突起之表面粗糙程度。 又，黏著層27，係被形成在支持體28上，使得黏著層 2 7和支持體2 8之間的接著強度，強於層積體單元2 0之第二 支持片4和剝離層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層 積體單元2 0之陶瓷生胚片2之間的接著強度。 本實施形態中，是令黏著層2 7及支持體2 8之間的接著 - 45- (42) 1228261 強度爲2 0〜3 5 0 m N / c m，且黏著層2 7和層積體單元2 0之剝 離層5之間的接著強度爲3 5 0mN/Cm以上，而在支持體28表 面形成黏著層2 7。 黏著層2 7係在支持體2 8上塗佈黏著劑溶液而形成。 本實施形態中，黏著劑溶液係含有黏結劑（b i n d e r ) 、可塑劑及帶電防止劑、及做爲任意成份的剝離劑。 黏著劑溶液中，含有和用來形成陶瓷生胚片之介電體 糊所含之黏結劑爲同系之黏結劑，且含有和用來形成陶瓷 生胚片之介電體糊所含之可塑劑爲同系之可塑劑。 黏著劑含有黏結劑之Ο. Ο 1重量％〜1 5重量％的咪唑啉 (i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑。 本實施形態中，黏著層2 7，具有Ο . Ο 1 μ m至Ο · 3 // m的 厚度。若黏著層2 7的厚度未滿Ο . Ο 1从m，則支持體2 8和層 積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度太小，要將層 積體單元20層積會有困難。另一方面，若黏著層27的厚度 超過0.3 // m，則將層積體單元20層積、生成陶瓷生胚小片 ，而在陶瓷生胚小片燒成時，黏著層27部份會產生間隙， 導致層積陶瓷電子零件的靜電容量下降，因此並非理想。 支持體28，係隔著被形成在基板25的多數之孔26，藉 由空氣吸引，而固定在基板25上的所定位置。 第9圖係層積體單兀20之層積製彳壬之弟一步驟的槪略 部份剖面圖。 接下來，如第9圖所示，令陶瓷生胚片2的表面，是接 觸至被形成在支持體2 8上之黏著層2 7的表面般地’而決定 -46 _ 1228261 (43) 層積體單元2 0的位置於層積體單元2 〇的第二支持片4上， 藉由加壓機，加壓之。 其結果爲，層積體單元20隔著黏著層27而接著至被固 定在基板2 5上的支持體2 8上，且被層積。 本實施形態中，由於支持體28具有：在每〇.〇 1 mm2面 積的表面內’存在1個以下之可能突出至陶瓷生胚片中達 到陶瓷生胚片之厚度的1/2以上之突起，且在每100mm2面 積之表面內，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚片之突起 ，因此，即使令陶瓷生胚片2薄層化之情況下，對層積體 單元2 0加壓，層積在支持體2 8上時，也能有效防止因形成 在支持體2 8表面的突起，導致陶瓷生胚片.2受到損傷’也 能有效防止將多數之含有陶瓷生胚片2及電極層6之層積體 單元層積所製作的層積陶瓷電子零件內發生短路不良。 第10圖係層積體單元20之層積製程之第三步驟的槪略 部份剖面圖。 一旦層積體單元20隔著黏著層27而接著至被固定在基 板2 5上的支持.體2 8上而層積，則如第1 0圖所示，便將第二 支持片4從層積體單元20之剝離層5剝離下來。 本實施形態中，由於是令層積體單元2 0之第二支持片 4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支 持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層27和支持體28之間的接 著強度爲2 0〜3 5 0 m N / c, m ’且黏著層2 7和層積體單兀2 0之 陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持 體28的表面上形成黏著層27 ;因而黏著層27是被形成在支 -47- (44) 1228261 持體2 8上，使得：黏著層2 7和支持體2 8之間的接著強度， 是強於層積體單元2 0之第二支持片4和剝離層5之間的接著 強度，且弱於黏著層27和層積體單元2〇之陶瓷生胚片2之 間的接著強度，因此可輕易地僅將第二支持片4，從被接 著在黏著層2 7上的層積體單元2 0上，剝離下來。 又，本實施形態中’由於電極層6及間隔層7，是被形 成爲滿足ts/te=l · 1，因此，藉由一對之加壓滾輪1 7、1 8， 壓縮間隔層7，而不只間隔層7，就連電極層6也是，隔著 接著層1 〇而接著至陶瓷生胚片2表面，因此，將第二支持 片4剝離時，就可有效地防止電極層6會連同第二支持片4 一倂從陶瓷生胚片2剝離下來。 如此一來，一旦第二支持片4，被從層積體單元20的 剝離層5上剝離下來，則在被固定在基板2 5上之被層積在 支持體2 8上之層積體單元2 0的剝離層5上，隔著黏著層2 7 ，再度層積一新的層積體單元2 0。 、 在層積之先，首先，在欲層積之新的層積體單元20之 陶瓷生胚片2的表面，轉印一被形成在第三支持片9上的接 著層1 0。 亦即，和將接著層片1 1之接著層1 〇，轉印至被形成在 第一支持片4上的電極層6及間隔層7之表面上時完全相同 地，將接著層片1 1之接著層1 0，轉印至新的欲層積之層積 體單元2 0的陶瓷生胚片2表面。 第Π圖係層積體單元2 0之層積製程之第四步驟的槪略 部份剖面圖。 -48- 1228261 (45) 接下來，如第1 1圖所示，令被轉印至陶瓷生胚片2上 的接著層1 〇的表面，接觸至被接著在黏著層2 7之層積體單 元20之剝離層5的表面，而決定新的層積體單元20之位置 ，藉由加壓機，加壓之。 其結果爲，新的層積體單元2 0，是隔著被轉印在陶瓷 生胚片2上的接著層10，層積至被接著在黏著層27上之層 積體單元20上。 第1 2圖係層積體單元2 0之層積製程之第五步驟的槪略 部份剖面圖。 一旦新的層積體單元2 0，是隔著被轉印在陶瓷生胚片 2上的接著層1 0，層積至被接著在黏著層2 7上之層積體單 元2 0上，則如第1 2圖所示，新層積在層積體單元2 0之第二 支持片4，便從層積體單元20之剝離層5剝離下來。 本實施形態中，由於是令層積體單元2 0之第二支持片 4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支 持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層27和支持體28之間的接 著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層積.體單元20之 陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0 mN/cm以上，而在支持 體2 8的表面上形成黏著層2 7 ;因而黏著層2 7是被形成在支 持體2 8上，使得：黏著層2 7和支持體2 8之間的接著強度’ 是強於層積體單元2 0之第二支持片4和剝離層5之間的接著 強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元2 0之陶瓷生胚片2之 間的接著強度；新層積之層積體單元2 0，係藉由接著層1 〇 而接著至被黏著層27所接著之層積體單元20上’因此可輕 -49_ (46) 1228261 易地僅將第二支持片4，從被黏著層2 7所接著之層積體單 元2 0上剝離下來。 同樣地，層積體單元2 0被一次次地層積，直到所定數 量的層積體單元2 0，被層積在固定於基板2 5上的支持體2 8 上，便製作成層積體塊。 一旦所定數量的層積體單元20，被層積在固定於基板 2 5上的支持體2 8上，製作成層積體塊，則被基板2 5固定之 支持體28上層積有所定數量之層積體單元20所製作成的層 積體塊，會被層積在層積陶瓷電容的外層上。 第1 3圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製程之第 一步驟的槪略部份剖面圖。 如第1 3圖所示，首先，在形成有多數孔3 1的基台3 0上 ，放置形一成有接著層3 2的外層3 3。 外層3 3，係透過被形成在基台3 0的多數孔3 1，藉由空 氣吸引，而固定在基台30上之所定位置。 接下來，如第13圖所示，透過多數之孔26的空氣吸引 ，被固定在基板25上之所定位置之支持體28上所層積的層 積體塊4 0，是以最後被層積之層積體單元2 0之剝離層5的 表面，接觸至被形成在外層3 3上之接著層3 2的表面的方式 ，來決定位置。 接下來，令空氣停止吸引支持體2 8，基板2 5便從支持 著層積體塊4 0的支持體2 8上被取除。 —旦基板2 5被從支持體2 8取除，則藉由加壓機’加壓 -50- 1228261 (47) 支持體2 8 ° 其結果爲，層積體塊4 0是隔著接著層3 2，被接著在固 定於基台30上的外層33上，而被層積。 第1 4圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層3 3上的層積製程之第 二步驟的槪略部份剖面圖。 一旦層積體塊4 0隔著接著層3 2，被接著在固定於基台 3 0上的外層3 3上而層積，則如第1 4圖所示，支持體2 8便從 層積體塊4 〇的黏著層2 7上被剝離下來。 本實施形態中，由於是令層積體單元20之第二支持片 4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20mN/cm，而在第二支 持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層2 7和支持體2 8之間的接 著強度爲2. 〇〜3 5 0 mN / c m，且黏著層2 7和層積.體單元2 0之2 之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以上，而在支持體28的表面 上形成黏著層2 7 ;因而黏者層2 7是被形成在支持體2 8上’ 使得：黏著層2 7和支持體2 8之間的接著強度，是強於層積 體單元20之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度，且弱 於黏著層2 7和層積體單元2 0之剝離層5之間的接著強度， 因此，可輕易地僅將支持體2 8，從被層積在外層3 3上的層 積體塊4 0，剝離下來。 如此一來，所定數量之層積體單元20被層積而成的層 積體塊4 0便隔著接著層3 2，被層積在被固定在基台3 0上之 外層3 3上。 再者，按照第8圖〜第1 2圖所示的步驟’被基板2 5固 -51 - 1228261 (48) 定之支持體2 8上，層積所定數量之層積體單元2 Q，製作層 積體塊4 0，並隔著接著層3 2，層積至被固定在基台3 0上之 外層33上所層積之層積體塊40上。 第1 5圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層 積體塊4 0，層積至層積陶瓷電容之外層3 3上的層積製程之 第三步驟的槪略部份剖面圖。 如第15圖所示，首先，透過多數孔26，藉由空氣吸引 ，被固定在基板2 5上之所定位置的支持體2 8上所新層積之 層積體塊4 0，是以最後被層積之層積體單元2 0之剝離層5 的表面，接觸至被層積在外層3 3上之層積體塊4 0之黏著層 2 7的表面之方式，而決定位置 接下來，令空氣停止吸引支持體2 8，基板2 5便從支持 著層積體塊4 〇的支持體2 8上被取除。 一旦基板2 5被從支持體2 8取除，則藉由加壓機，加壓 支持體28。 本實施形態中，由於被層積在外層3 3上的層積體塊4 0 之最上層，係從支持體28剝離而殘留在層積體塊40側之黏 著層2 7所構成，因此當層積在外層3 3上的層積體塊4 〇上’ 新層積一層積體塊40時，不須形成接著層，因此’可有效 率地層積層積體塊4 〇。 其結果爲，新層積之層積體塊4 0，是隔著黏著層2 7， 而接著至被固定在基台3 0上之外層3 3上所層積之層積體塊 4 0上，而被層積。 第1 6圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積之層 -52- (49) 1228261 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層3 3上的層積製程之第 四步驟的槪略部份剖面圖。 一旦新層積之層積體塊40隔著黏著層27，而接著至被 固定在基台30上之外層33上所層積之層積體塊40上而被層 積，則如第1 6圖所示，支持體2 8便從新層積之層積體塊4 0 的黏著層2 7上被剝離下來。 如此一來，新層積之層積體塊40便隔著黏著層27，而 被層積至被固定在基台3 〇上之外層3 3上所層積之層積體塊 4 0上。 同樣地，被基板25固定之支持體28上所層積的層積體 塊40被一 一層積，直到所定數量的層積體塊40，因此，所 定數量的層積體單元2 0，便被層積在層積陶瓷電容的外層 33上。 如此一來，一旦層積陶瓷電容的外層3 3上，被層積了 所定數量的層積體單兀20’則另一方之外層（未圖示）， 便隔著接著層而接著之，作成含有所定數量之層積體單元 2 0的層積體。 接下來，將含有所定數量之層積體單元2 0的層積體， 裁斷成所定尺寸，製作多數之陶瓷生胚小片（chip )。 將如此製作成的陶瓷生胚小片，置於還原氣體氣氛下 ，去除黏結劑，再進行燒成。 接下來，在已燒成的陶瓷生胚小片上，裝設必要的外 部電極等，製作成層積陶瓷電容。 若根據本實施形態，由於是使得被固定在基板2 5之支 ^53- (50) 1228261 持體2 8的黏著層2 7之表面，和陶瓷生胚片2之表面接觸， 而決定層積體單元2 0的位置，並在層積體單元上施加壓力 ’以層積在支持體28上而構成，因此將所望數量之層積體 單元層積，製造層積陶瓷電子零件之際，可有效防止層積 體早兀受到損傷。 又，若根據本實施形態，則由於支持體2 8，係具有在 每0.01 m m 2面積的表面內，存在1個以下之可能突出至被形 成在其表面之陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的 1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內，存在1個以 下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起，在每1mm2面積之表面 內，存在1個以下之可能突出至被形成在其表面之陶瓷生 胚片2中達到0.2 μ m以上之突起之表面粗糙程度，因此， 即使令陶瓷生胚片予以薄層化之情況下，對層積體單元2 0 加壓，層積在支持體2 8上時，也能有效防止因形成在支持 體2 8表面的突起，導致陶瓷生胚片2受到損傷，也能有效 防止將多數之含有陶瓷生胚片2及電極層6之層積體單元層 積所製作的層積陶瓷電子零件內發生短路不良。 甚至，若根據本實施形態，則支持體2 8的表面上形成 有黏著層2 7，且在第二支持片4上層積有剝離層5、電極層 6、間隔層7及接著層1 〇的層積體單元2 0，係以在:被基板2 5 固定之支持體2 8之表面上所形成黏著層2 7上’層積體單元 2 0的陶瓷生胚片2之表面是和黏著層2 7呈面接觸的方式’ 而被層積在支持體上，且黏著層2 7和支持體2 8之間的接著 強度，是強於層積體單元2 0之第二支持片4及剝離層5之間 -54- 1228261 (51) 的接著強度，且弱於黏著層27及層積體單元20之陶瓷生胚 片2之間的接著強度，而在支持體28表面上形成黏著層27 ，因此將所望數量之層積體單元20層積，製造層積陶瓷電 子零件時，可有效地防止層積體單元2 0受到損傷。 再者，若根據本實施形態，則由於是令層積體單元20 之第二支持片4和剝離層5之間的接著強度爲5〜20 mN/cm ，而在第二支持片4表面形成剝離層5 ;令黏著層2 7和支持 體28之間的接著強度爲20〜3 5 0mN/cm，且黏著層27和層 積體單元20之陶瓷生胚片2之間的接著強度爲3 5 0mN/cm以 上，而在支持體28的表面上形成黏著層27 ;因而黏著層27 是被形成在支持體28上，使得：黏著層27和支持體28之間 的接著強度，是強於層積體單元2 0之第二支持片4和剝離 層5之間的接著強度，且弱於黏著層2 7和層積體單元2 0之 陶瓷生胚片2之間的接著強度，因此，將支持體2 8上之黏 著層27表面上，層積所定片數的層積體單元2〇，製作而成 層積體塊40，令其接著至層積陶瓷電容之外層3 3上所形成 的接著層3 2上，並層積後，在其上再度層積一層積體塊4 0 ’因此，將支持體28從被層積在外層33上的層積體塊40剝 離下來之際，僅支持體28被剝離，且黏著層27是殘留在層 積體塊40側，因此層積在外層33上之層積體塊40上，新層 積一層積體塊40之時，不必形成接著層，因此，可有效率 地，層積層積體塊4 0。 甚至，第一支持片1，由於在製造層積體單元之際， 需要從滾筒捲出並捲回滾筒，因此在捲出或捲回時，爲了 -55- (52) 1228261 在滾筒之間，產生所定的摩擦力，而在第一支持片丨內， 塡充塡料，因此在第一支持片1的表面上會形成有突起， 故在形成極度薄層之陶瓷生胚片2的情況下，陶瓷生胚片2 會因爲形成在第一支持片1表面上之突起而受到損傷，而 在將含有陶瓷生胚片2之多數層積體單元20層積、製作層 積陶瓷電容時會造成短路不良；但是，若根據本實施形態 ，則由於表面必須形成陶瓷生胚片2的第一支持片1，是具 有以下之表面粗糙程度：在每0.0 1mm2面積的表面內，存 在1個以下之可能突出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2 之厚度的1/2以上之突起，且在每l〇〇mm2面積之表面內， 存在1個以下之可能貫通陶瓷:生胚片2之突起；因此，即使 當在第一支持片1的表面上，形成極薄的陶瓷生胚片2之情 況下，隔著接著層1 0，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層 7加壓，以接著陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7時，也能 有效防止因形成在第一支持片]表面的突起，導致陶瓷生 胚片2受到損傷。因此，可有效防止層積所定數量之層積 體單元所製作成的層積陶瓷電容的短路不良。 又，第·二支持片4亦是，由於在製造層積體單元之際 ，需要從滾筒捲出並捲回滾筒，因此在捲出或捲回時，爲 了在滾筒之間，產生所定的摩擦力，而在第二支持片4內 ，塡充塡料，因此在第二支持片4的表面上會形成有突起 ，故在隔著接著層1 0，將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片 2加壓以接著之際，陶瓷生胚片2會因爲形成在第一支持片 ]表面上之突起以及形成在第二支持片4表面的突起，而受 -56 - (53) 1228261 到損傷，而在將含有陶瓷生胚片2之多數層積體單元20層 積、製作層積陶瓷電容時會造成短路不良；但是，若根據 本實施形態，則由於表面必須形成電極層6及間隔層7的第 二支持片4，是選用具有以下之表面粗糙程度之支持片·· 在每0.0 1mm2面積的表面內，在隔著接著層10，將電極層6 及間隔層7、陶瓷生胚片2加壓時，存在1個以下之可能突 出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的1 /2以上之 突起，且在每100mm2面積之表面內，在隔著接著層，將 陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7加壓時，存在1個以下之. 可能貫通陶瓷生胚片之突起；因此，即使當在第一支持片 1的表面上，形成極薄的陶瓷生胚片2之情況下，.隔著接著 層1 〇，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7加壓，以使陶 瓷生胚片2、電極層6及間隔層7接著時，也能有效防止因 形成在第二支持片4表面的突起，導致陶瓷生胚片2受到損 傷。因此，可有效防止層積所定數量之層積體單元所製作 成的層積陶瓷電容的短路不良。 甚至，若根據本實施形態，則由於電極層6，及密度 比電極層6小、壓縮率高的間隔層7，是被形成爲ts/te= 1.1 ，因此將電極層6及間隔層7，隔著接著層1 0，轉印至陶瓷 生胚片2上之際，可藉由加壓，使得間隔層7被壓縮，且隔 著接著層1 〇，確實地將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2 予以接著，因此，將第二支持片4剝離時，可有效防止電 極層6會連同第二支持片4 一倂剝離。 以下，爲了更進一步明瞭本發明之效果，而揭露有實 -57- (54) 1228261 施例和比較例 實施例1 陶瓷生胚片用之介電體糊的調製 1 Ο 0重量部 Ο . 7 2重量部 〇 . 1 3重量部 1 . 5重量部 1 . 0重量部 調製具有以下組成之介電體粉末 BaTi03粉末（堺化學工業株式會社製： 商品名「B T - 0 2」）
MgC〇3 Μ η〇 (Ba〇.6Ca〇.4)Si〇3 Y2O3 相對於如此調製成的介電體粉末1 Ο 〇重量部，加入具 有以下之組成的有機賦形劑，使用球磨機’（ball mill )， 混合20小時，調製程陶瓷生胚片用之介電體糊。 聚乙烯丁醛樹脂（黏結劑） 6 重量部 (2-乙基己基）酯（DOP :可塑劑） 鄰苯二甲酸 乙醇 正-丙醇 二甲苯 表單的頂端硫油精（m i n e r a 1 s p i r i t ) 分散齊Li 3 重量部 7 8 重量部 78 1 4 7
重量部 重量咅P 重量咅G 重量咅P 剝離層用之介電體糊的調製 除了使用 BaTi03粉末（堺化學工業株式會社製：商 -58- 1228261 (55) 品名「B T - Ο 1」）以外，其他皆相同於調製陶瓷生胚片用 介電體糊時之物，調製介電體糊，藉由乙醇、丙醇、二甲 苯的混合溶液（混合比4 2.5 : 4 2.5 : 1 5 )，將介電體糊稀 釋，調製成剝離層用介電體糊。 接著劑糊的調製 調製具有以下組成之有機賦形劑，並將所得之有機賦 形劑，藉由甲基乙基酮稀釋1 〇倍，調製成接著劑用糊。 聚乙烯丁醛樹脂（黏結劑） 1 00 重量部 鄰苯二甲酸二（2 -乙基己基）酯（DOP:可塑劑）50 重量部 甲基乙基酮 9 00 重量部 電極用糊之調製 相對於1 〇 〇重量部之平均粒徑0 · 2 // m之N i粒子，力口 入以下之組成的溶液，以球磨機（ball mill )，混合2 0小 時，得到漿料。
BaTi03粉末(堺化學工業株式會社製：商品名「BT-02」）20 重量部 有機賦形劑 58 重量部 鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（d〇P :可塑劑）50 重量部 萜品醇（terpineol ) 5 重量部 分散劑 1 重量部 丙酮 4 5 重量部 此處，有機賦形劑，係將8重量部的聚乙烯丁醛樹脂 ，溶解於9 2重量部的 品醇而調製成。 -59- 1228261 (56) 間隔層用介電體糊之調製 相對於調製陶瓷生胚片用介電體糊時所用的介電體粉 末1 0 0重量部，加入具有以下組成之溶液，以球磨機（ ball mill )，混合2 0小時，得到漿料。 有機賦形劑 7 1 重量部 鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DOP :可塑劑）50 重量部 萜品醇（t e r p i n e ο 1 ) 5 重量部 分散劑 1 重量部 丙酮 6 4 重量部 此處，有機賦形劑，係將8重量部的聚乙烯丁醛樹脂 ，溶解於92重量部的 品醇而調製成。 陶瓷生胚片之製作 使用製線條料塗佈機（w i r e b a r c 〇 at e 1·)，在第一聚 對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈陶瓷生胚片用之介電體 糊，乾燥之，形成厚度1 μ m的陶瓷生胚片。 剝離層、電極層及間隔層之形成 使用製線條料塗佈機（w i r e b a r c 〇 a t e 1·)，在第二聚 對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈剝離層用之介電體糊， 乾燥之，形成厚度〇 . 2 // m的剝離層。 在如此形成的剝離層表面，使用網版印刷法，以所定 圖案，印刷電極層用糊，形成厚度1 . 〇 # m的電極層。 接下來’在未形成電極層的剝離層表面，使用網版印 -60- 1228261 (57) 刷法’以5補於電極層的圖案，印刷間隔層用介電體糊， 形成厚度1 . 0 V m的間隔層。 接著層之形成 使用製線條料塗佈機（w i r e b a 1· c 〇 a t e r )，在第三聚 對本一甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈接著劑糊，形成0 . 1 " m 厚的接著層。 接著層之轉印 使用第5圖所示之接著·剝離裝置，在電極層及間隔 層表面’接著上一已形成在第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜 表面的接著層，將第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜剝離，於 是接著層便轉印至電極層及間隔層的表面。 一對之加壓滾輪的輾壓壓力爲IMPa，溫度爲50°C。 對電極層及間隔層之表面轉印陶瓷生胚片 使用第6圖所示之接著裝置，隔著已被轉印至電極層 及間隔層表面的接著層，將電極層及間隔層，和陶瓷生胚 片予以接著。 一對之加壓滾輪的輾壓壓力爲5MPa，溫度爲1 00°C。 接下來，將第一聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從陶瓷生 胚片剝離，得到在第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜上層積有 剝離層、電極層、間隔層、接著層及陶瓷生胚片的層積體 σα — 早兀° -61 - (58) 1228261 支持體之準備 調製含有^重量％之聚乙録丁酵（P〇lyvinyl )，和〇. 7 5重量％的憐本一甲酸一*異羊醋（ phthal ate)之乙醇溶液，塗佈在聚對苯二甲酸乙烯 所形成之薄片的表面上’形成厚度Q.Q2"m的黏者^ 在黏著層形成之前’先以株式會社KEYENCE 度形狀測定顯微鏡「νκ_ 8 5 5 0」（商品名），觀察 黏著層之聚乙烯丁醛薄膜表面’確認了在每0.01 m 的表面內，不存在具有〇.5#ηι以上、未滿之 突起，且在每i〇〇mm2面積之表面內’不存在具有1 上之高度的突起。 接下來，將形成有黏著層的薄片，i 6 0 m m X 7 0 m m之尺寸，製作支持體，固定在基板上。 層積體單元之層積 令層積體單元之陶瓷生胚片的表面，接觸至已 支持體表面之黏著層的表面，以決定層積體單元的 在5CTC的溫度下，以2MPa的壓力，加壓5秒鐘，將 單元’接著在已形成於支持體表面的黏著層，而層 持體上。 接下來，將第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從 單元的剝離層剝離下來。 準備新的欲層積之層積體單元。 再度地，使用製線條料塗佈機（Wire bar coat b u t y r a 1 d i o c t y 1 酯薄膜 kSr o 製超深 欲形成 m2面積 高度的 μ m以 之斷成 形成在 位置， 層積體 _在支 層積體 er ) -62 - 1228261 (59) 在第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面，塗佈接著劑 成厚度〇 . 1 // m的接著層，使用如第5圖所示之接著 裝置，在新的欲層積之層積體單兀之陶瓷生胚片表 著上一已形成於第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜表面 層，將第三聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜剝離’將接著 至新的欲層積之層積體單元之陶瓷生胚片表面。 層積體塊之製作 接下來，令被轉印至新的欲層積之層積體單元 生胚片上的接著層之表面，接觸至已被層積在支持 層積體單元之剝離層的表面，而決定位置，在5 0 °c 下，以2 Μ P a的壓力，加壓5秒鐘，以將新的層積體 層積在已經層積於支持體上的層積體單元上。 層積後，將第二聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，從 之層積體單元的剝離層上剝離下來。 同樣地，將共計1〇個層積體單元’層積在支持 製作層積體塊。 接下來，同樣地，製作分別含有1 0個層積體骂 個層積體塊。 陶瓷生胚小片（C h i p )的製作 形成層積陶瓷電容之蓋部份的外層上，形成約 厚的接著層，並使層積體塊的陶瓷生胚片，接觸至 表面般，來決定層積體塊的位置，並在5 0 °C的溫度 糊，形 •剝離 面，接 的接著 層轉印 之陶瓷 體上之 的溫度 口口 —- 早兀5 新層積 體上， 【元的5 5 0 // m 接著層 下，以 -63- 1228261 (60) 2 MPa的壓力，加壓5秒鐘，以在外層上，層積層積體塊。 層積厚，將支持體從層積體塊剝離。 然後，在已層積於外層上的層積體塊的表面，形成約 5 0 // m厚的接著層，並使新的層積體塊之陶瓷生胚片接觸 至已層積於外層上的層積體塊之接著層表面般’來決定新 層積體塊的位置，並在50 °C的溫度下，以2MPa的壓力， 加壓5秒鐘，以在已層積於外層上的層積體塊上，層積新 的層積體塊。 同樣地，在外層上，層積共計5個層積體塊，並在最 上頭的層積體塊的表面，形成約5 0 // m厚的接著層，在接 著層上，接著一形成層積陶瓷電容之蓋部份的外層，而層 積在層積體塊上。 如此所得之含有3 0個層積體單元的層積體，在4 0 °C的 溫度下，以1 0 0 M p a的壓力，加壓3 〇秒而加壓成形’藉由 切割加工機，裁斷成所定尺寸，製作陶瓷生胚小片。 層積陶瓷電容之製作 如此製作成的陶瓷生胚小片，在氮氣氣氛下，用以下 的處理條件，去除黏結劑。 升溫溫度·· 5 0 °C /小時 保持溫度：400 °C 保持時間：2小時 黏結劑去除後，將陶瓷生胚小片，在露點（dew P 〇 i n t )溫度控制爲2 0 °C的氮氣和氫氣之混合氣體氣氛下 -64 - 1228261 (61) ，用以下的處理條件，進行燒成。 升溫溫度：3 0 0 °C /小時 保持溫度：1 240°C 保持時間：3小時 冷卻速度：3 0 0 °C /小時 然後，已燒成的陶瓷生胚小片，在露點（dew point )溫度控制爲2 0 °C的氮氣氣氛下，用以下的處理條件，施 以退火處理。 保持時間：2小時 冷卻速度：3 00 °C /小時 如此所得之燒結體，在施以端面硏磨後，在露點（ dew point)溫度控制爲2(TC的氮氣和氫氣之混合氣體氣 氛下，用以下的處理條件，燒鍍上端子電極用糊，形成端 子電極。 升溫溫度：5 0 0 °C /小時 保持溫度：7 0 0 °C 保持時間：1 0分鐘 冷卻速度：5 00°c /小時 接下來，在端子電極上施以電鍍，製作成層積陶瓷電 容。 如上所得之層積陶瓷電容的樣品，係陶瓷生胚片的層 積數爲30層，尺寸爲，長i.6mm，寬〇.8 mm。 完全同樣地製作共計1 00個層積陶瓷電容樣品。 -65- (62) 1228261 短路率之測定 對於這些100個層積陶瓷電容的樣品，使用高阻抗計 ，測定短路不良。 測得之阻ί几値在1 Μ Ω以下考視爲短路之不良品，求 出被S忍定爲短路不良的樣品數’算出相對於樣品總數的比 率（％ )，以測定短路率。 其結果爲，短路率爲0 %。
實施例2 使用株式會社KEYENCE製超深度形狀測定顯微鏡「 V K - 8 5 5 0」（商品名），觀察欲形成黏著層之聚乙烯丁醛 薄膜表面的結果，確§忍到在每0 · 0 1 m m2面積的表面內，存 在有恰好一個之具有0 · 5 μ m以上、未滿1 μ m之高度的突 起，且在每〇 . 0 1 m m2面積的表面內，存在有恰好一個具有1 // m以上之高度的突起；除了使用此種聚乙烯丁醛薄膜， 來形成支持體以外，其餘皆和實施例1相同地製作層積陶 瓷電容，測定短路率發現，短路率爲20%。 實施例3 除了形成厚度2 a m的陶瓷生胚片以外’其他皆相同 於實施例1，製作層積陶瓷電容，測定短路率發現，短路 率爲0%。 實施例4 -66 - (63) 1228261 除了形成厚度2 v m的陶瓷生胚片，並使用株式會社 KEYENCE製超深度形狀測定顯微鏡「VK- 8 5 5 0」（商品 名），觀察欲形成黏著層之聚乙烯丁醛薄膜表面的結果， 確認到在每〇.〇1 mm2面積的表面內，存在有恰好一個之具 有0.5/im以上、未滿l//m之高度的突起，且在每 0.0 1 mm2面積的表面內，存在有恰好一個具有1 // m以上之 高度的突起，而使用此種聚乙烯丁醛薄膜，來形成支持體 以外，其餘皆和實施例1相同地製作層積陶瓷電容，測定 短路率發現，短路率爲10%。 比較例1 除了使用株式會社KEYENCE製超深度形狀測定顯微 鏡「VK- 8 5 5 0」（商品名），觀察欲形成黏著層之聚乙烯 丁醛薄膜表面的結果，確認到在每〇 · 〇 1 mm2面積的表面內 ，存在有2個之具有0.5// m以上、未滿之高度的突 起，且在每〇.〇1 mm2面積的表面內，存在有2個具有l//m 以上之高度的突起，而使用此種聚乙烯丁醛薄膜，來形成 支持體以外，其餘皆和實施例1相同地製作層積陶瓷電容 ，測定短路率發現，短路率爲40%。 比較例2 除了使用株式會社KEYENCE製超深度形狀測定顯微 鏡「V K - 8 5 5 0」（商品名），觀察欲形成黏著層之聚乙烯 丁醛薄膜表面的結果，確認到在每〇 · 0 1 m m2面積的表面內 -67- (64) 1228261 ’存在有6個之具有〇.5//m以上、未滿1// m之高度的突 起’且在每〇 · 〇 1 m m 2面積的表面內，存在有5個具有1从m 以上之局度的突起’而使用此種聚乙嫌丁醛薄膜，來形成 支持體以外，其餘皆和實施例1相同地製作層積陶瓷電容 ’測定短路率發現，短路率爲1 00%。 根據實施例1及2以及比較例1及2，可明白當其上欲層 積層積體單元的支持體，是在每0.0 1mm2面積的表面內， 存在2個以上之可能突出至欲層積在其表面之層積體單元 之片之陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度的1 /2以上之 突起，且在每100mm2面積之表面內，存在2個以上之可 能貫通前記陶瓷生胚片之突起的情況下，陶瓷生胚片會因 爲形成在支持體表面的突起而受到損傷，層積層積體單元 所製作成的層積陶瓷電容的短路率爲高；相對於此，當其 上欲層積層積體單元的支持體，是在每〇.〇 1mm2面積的表 面內，存在1個以下之可能突出至欲層積在其表面之層積 體單元之片之陶瓷生胚片中達到陶瓷生胚片之厚度的1 /2 以上之突起，且在每1〇 〇mm2面積之表面內，存在1個以下 之可能貫通前記陶瓷生胚片之突起的情況下，則可防止陶 瓷生胚片因爲形成在支持體表面的突起而受到損傷，層積 層積體單元所製作成的層積陶瓷電容的短路率可大幅下降 〇 本發明並非侷限於以上實施形態’在申請專利範圍所 記載之發明的範圍內可以有各種變更’當然這些變更仍都 包含在本發明的範圍內。 -68- (65) 1228261 例如，雖然前記實施形態及前記實施例中，層積陶瓷 電容，係藉由以下方法所製造：將已形成於第三支持片9 表面的接著層1 0，接著至已形成於第二支持片4之電極層6 及間隔層7表面，將第三支持片9從接著層1 〇剝離，隔著接 著層10，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7予以接著， 將第一支持片1從陶瓷生胚片2剝離，製作層積體單元20， 並使陶瓷生胚片2的表面，接觸至已形成於支持體28上之 黏著層27的表面，而決定層積體單元20的位置，在層積體 單元20上施加壓力，將層積體單元20的陶瓷生胚片2接著 至黏著層27，層積在支持體28上，將第二支持片4從層積 體單元20的剝離層5剝離，接下來，將在陶瓷生胚片2的表 面上轉印有接著層1 0的層積體單元20，層積至已層積於支 持體2 8上之層積體單元20的剝離層5之表面上，將第二支 持片4從新層積之層積體單元20的剝離層5剝離，同樣地， 在已層積於支持體28上之層積體單元20的剝離層5上，層 積上所望數量的層積體單元20，製作層積體塊40，在被固 定在基台3 0上的外層3 3上，令層積體塊4 0的剝離層5是接 著至已形成於外層3 3上之接著層3 2的表面，而將層積體塊 40層積上去，將支持體28從層積體塊40的陶瓷生胚片2剝 離，再接下來，同樣地’已層積於外層3 3上之層積體塊4 0 的剝離層5上，層積上所望數量的層積體塊40，而構成； 但亦可爲藉由：將已形成於第三支持片9表面的接著層1 0 ，接著至已形成於第一支持片1之陶瓷生胚片2表面，將第 三支持片9從接著層]〇剝離’隔著接著層1 〇 ’將陶瓷生胚 -69- (66) 1228261 片2、電極層6及間隔層7予以接著，將陶瓷生胚片2從電極 層6及間隔層7剝離，製作層積體單元2 0，並使剝離層5的 表面，接觸至已形成於支持體28上之黏著層27的表面，而 決定層積體單元20的位置，在層積體單元20上施加壓力， 將層積體單元2 0的剝離層5接著至黏著層2 7，層積在支持 體28上，將第一支持片1從層積體單元20的陶瓷生胚片2剝 離，接下來，將在剝離層的表面上轉印有接著層1 0的層積 體單元20，層積至已層積於支持體28上之層積體單元20的 陶瓷生胚片2之表面上，將第一支持片1從新層積之層積體 單元2 0的陶瓷生胚片2剝離，同樣地，在已層積於支持體 28上之層積體單元20的陶瓷生胚片2上，層積上所望數量 的層積體單元20，製作層積體塊40，在被固定在基台3〇上 的外層33上，令層積體塊40的陶瓷生胚片2是接著至已形 成於外層33上之接著層32的表面，而將層積體塊4〇層積上 去，將支持體2 8從層積體塊4 0的剝離層5剝離，再接下來 ，同樣地，已層積於外層3 3上之層積體塊4 0的陶瓷生胚片 2上，層積上所望數量的層積體塊40，來製造層積陶瓷電 容。 此時，爲了防止因爲形成在第三支持片9表面的突起 所致陶瓷生胚片2的損傷，因此理想爲，第三支持片9是使 用具有以下粗糙程度的支持片：在每0.0 1mm2面積的表面 內，在將接著層1 〇轉印至陶瓷生胚片2表面時，存在1個以 下之可能突出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的 1/2以上之突起，且在每100mm2面積之表面內，在將接著 -70- (67) 1228261 層1 0轉印至陶瓷生胚片2表面時，存在1個以下之可能貫通 陶瓷生胚片2之突起。 又，前記實施形態中，是將形成在第三支持片9的接 著層1 0，接著至已形成於第二支持片4上之電極層6及間隔 層7的表面，將第三支持片9從接著層1〇剝離後，隔著接著 層1 〇，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7予以接著，來 製作層積體單兀20;但是，並不一定要是將形成在第三支 持片9的接著層1 0，接著至已形成於第二支持片4上之電極 層6及間隔層7的表面，將第三支持片9從接著層1 0剝離後 ，隔著接著層1 〇，將陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層7予 以接著，來製作層積體單元20;而是亦可在電極層6及間 隔層7乾燥後，將介電體糊，塗佈在電極層6及間隔層7之 表面，以形成陶瓷生胚片2，或是亦可在已形成於第一支 持片1之陶瓷生胚片2的表面，印刷電極糊，來形成電極層 6，並印刷介電體糊，來形成間隔層7。 甚至，前記實施形態中，爲了防止因形成在第一支持片1 表面的突起導致陶瓷生胚片2受到損傷，因此第一支持片1 是選用了具有：在每0.0 1mm2面積的表面內，隔著後述之 接著層，將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2加壓時，存 在1個以下之可能突出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2 之厚度的1/2以上之突起，且在每100 mm2面積之表面內， 隔著後述之接著層，將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2 加壓時，存在1個以下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起之粗 糙程度的支持片；但第2支持片並不一定要選用具有：在 -71 - (68) 1228261 每0.0 1mm2面積的表面內，隔著後述之接著層，將電極層6 及間隔層7、陶瓷生胚片2加壓時，存在1個以下之可能突 出至陶瓷生胚片2中達到陶瓷生胚片2之厚度的1 /2以上之 突起，且在每1 〇〇mm2面積之表面內’隔著後述之接著層 ，將電極層6及間隔層7、陶瓷生胚片2加壓時’存在1個以 下之可能貫通陶瓷生胚片2之突起之粗糙程度的支持片。 甚至，在前記實施形態中，在剝離層5的表面上，形 成電極層6及間隔層7滿足ts/te=l.l ( ts係間隔層7的厚度 ，te係電極層6的厚度），但只要是理想爲滿足0.7 $ ts/te S 1 .3者，較理想爲滿足0.8 $ ts/te S 1 .2，更理想爲0.9 S ts/teg 1.2而形成者即可，並非一定要形成爲ts/te=l.l。 又，前記實施形態中，雖然剝離層5的表面上形成電 極層6及間隔層7，但並不一定要在剝離層5的表面上形成 電極層6及間隔層7，而是亦可不形成間隔層7，僅於剝離 層5上形成電極層6。 甚至，前記實施形態中，雖然接著層1 0含有帶電防止 劑，但接著層1 〇並不一定要含有帶電防止劑。 又，前記實施形態中，黏著層2 7雖然含有〇 . 〇 1重量。/。 〜1 5重量％的咪哗啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑，但黏 著層2 7並非一定要含有0 · 0 1重量％〜1 5重量％的咪i]坐啉（ i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑，而是黏著層2 7亦可含有聚烴 基乙二醇（ρ ο 1 y a 1 k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、 碳酸 鹽（amidine carbonate )系界面活性劑等之兩性界 面活性劑等其他之兩性界面活性劑，或是兩性界面活性劑 -72- (69) 1228261 以外的帶電防止劑，或是黏著層2 7亦可不含帶電防止劑。 甚至，前記實施形態中，雖然使用如第6圖所不的接 著裝置，將陶瓷生胚片2，隔著接著層1 〇，接著在電極層6 及間隔層7的表面上，而且在其後，將第一支持片1從陶瓷 生胚片2剝離下來，但是，亦可使用如第5圖所示的接著· 剝離裝置，將陶瓷生胚片2，隔著接著層1 〇接著在電極層6 及間隔層7的表面上的同時，還一倂將第一支持片1從陶瓷 生胚片2剝離下來。 若根據本發明，則可提供可卻實地防止含有陶瓷生胚 薄片（g 1· e e n s h e e t )和電極層之層積體單元的損傷，且可 高效率地將所望數量的層積體單元予以層積，來製造層積 陶瓷電子零件的層積陶瓷電子零件之製造方法。 【圖式簡單說明】 第1圖第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之狀態 的槪略部份剖面圖。 第2圖該表面上，形成有剝離層及電極層之第二支持 片的槪略部份剖面圖。 第3圖剝離層表面上，形成有電極層及間隔層之狀態 的槪略部份剖面圖。 第4圖在第三支持片表面上，形成有接著層之接著層 片的槪略部份剖面圖。 第5圖將形成在第三支持片上的接著層，接著至形成 在第二支持片上之電極層及間隔層表面，從接著層將第三 - 73- (70) 1228261 支持片剝離之接著·剝離裝置的理想實施形態之槪略剖面 圖。 第6圖在陶瓷生胚片表面，隔著接著層，接著電極層 及間隔層之接著裝置的理想實施形態之槪略剖面圖。 第7圖第二支持片上，層積有電極層、間隔層、接著 層、及陶瓷生胚片的層積體單元之槪略剖面圖。 第8圖層積體單元之層積製程之第一步驟的槪略部份 剖面圖。 第9圖層積體單元之層積製程之第二步驟的槪略部份 剖面圖。 第1 〇圖層積體單元之層積製程之第三步驟的槪略部份 剖面圖。 第U圖層積體單元之層積製程之第四步驟的槪略部份 剖面圖。 第1 2圖層積體單元之層積製程之第五步驟的槪略部份 剖面圖。 第1 3圖將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊 ，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第一步驟的 槪略部份剖面圖。 第14圖將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊 ，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第二步驟的 槪略部份剖面圖。 第15圖將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊 ，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第三步驟的 - 74- (71) 1228261 槪略部份剖面圖。 第16圖將固定於基板上之支持體上所層積之層積體塊 ，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第四步驟的 槪略部份剖面圖。 [圖號說明] 1 第一支持片 2 陶瓷生胚片 4 第二支持片 5 剝離層 6 電極層 7 間隔層 9 第三支持片 10 接著層 11 接著層片 15 加壓滾輪 16 加壓滾輪 17 加壓滾輪 18 加壓滚輪 20 層積體單元 25 基板 26 孔 27 黏著層 28 支持體 -75- (72) 1228261 3 0 3 1 3 2 3 3 40 基台 孔 接著層 外層 層積體塊