TWI226387B - Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow - Google Patents

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1226387 A7 B7 五、發明說明（/ ) [有關申請案之交互參考] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本申請案主張以下之美國臨時申請案的優先權： U.S.S.N...60/129,055，標題爲“具有改進之處理室之工件處 理器，，，於1999年4月13日提出申請（代理人檔號 SEM4492P0830US) ; U.S.S.N· 60/143,769，標題爲“具有改 進之處理室之工件處理器”，於1999年7月12日提出申 請（代理人檔號 SEM4492 P0831US) ; U.S.S.N· 60/182，160， 標題爲“具有改進之處理室之工件處理器”，於2〇〇〇年2月 14日提出申請(代理人檔號SEM4492P0832US)。 [發明背景] 自一微電子工件(諸如一半導體晶圓基體、聚合物基體 等)製造一微電子組件係涉及許多製程。針對本發明之目的 ，微電子工件之定義爲包括自一基體構成工件，其上可形 成微電子電路或組件、資料儲存元件或層、及/或微機械元 件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 數種不同之處理作業係實施在工件上，以製造微電子 組件。該等作業包括，例如：材料沉積、圖案化、摻雜' 化學機械拋光、電拋光及熱處理。材料沉積處理係涉及沉 積一薄材料層於工件表面上。圖案化提供移除此等寸目加層 之選擇部份。微電子工件之摻雜係將稱爲摻雜者(dopant)之 雜質’加入微電子工件之選擇部份，以改變基體材料之電 特性。微電子工件之熱處理係涉及將微電子工件加熱或冷 卻’以達到特殊處理結果。化學機械拋光係涉及透過結合 化學/機械處理而移除材料，而電拋光則涉及利用電化反應 3 本紙張尺度適用中國國豕知;準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮） " 1226387 A7 B7 五、發明說明（2 ) 移除工件表面之材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 許多處理裝置，稱爲處理“工具(tool)”，已被發展出以 實施以上之處理作業。此等工具之構型不同，視其執行之 製造程序中所用之工件型式’及工件執行之處理而定。稱 爲Eqiiin〇X(R)濕處理工具（可購自蒙大那州，開比市之 Semitool公司）之一工具構型包括一或多個工件處理站，其 運用工件固定器及一處理碗或容器，以實施濕處理作業。 此一濕處理作業包括電鍍、蝕刻、淸洗、無電沉積、電拋 光等。 根據上述之Equin〇X(R)工具之一構型，工件固定器及 處理容器配置在彼此相鄰之處，其目的爲使由工件固定器 夾住之微電子工件，與處理容器中之流體接觸，因而構成 一處理室。然而，限制流體在工件之適當部份’通常是一 問題。此外，保證在處理流體與工件表面間之適當大量轉 移狀況，亦屬困難。如無此一大量轉移控制’工件表面之 處理常爲不均勻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 傳統工件處理器利用不同技術，以受控制方式使處理 流體與工件表面接觸。例如，利用一控制之噴射使處理流 體與工件面接觸。其他處理方式中，如部份或全部糧入處 理，處理流體係置於槽液中，至少工件之一表面與處理流 體之表面接觸，或在處理流體表面之下。電鍍、無電鍍' 淸洗、陽極處理等爲部份或全部浸入處理之例。 現有之處理容器，大多在室之底部配置一或多個入口 ，提供處理溶液之連續流至處理室。舉例而言’藉著利用 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 A7 B7 五、發明說明（$ ) 擴散器或相似物，可利於處理溶液在工件表面之均勻分布 以控制擴散層狀態之厚度及均勻，該擴散器係配置在一或 多個入口及工件表面之間。圖1A顯示此系統之一般說明 。擴散器1包括複數個孔隙2，該等孔隙係用以經自處理 流體入口 3提供之流體流盡量平均擴散跨於工件4之表面 〇 雖然在擴散層控制上之實質改進可自利用擴散器而獲 得，但此一控制係屬有限。參考圖1A，儘管有擴散器1， 仍然存在與微電子工件表面成垂直之增加流速之局部區5 。此等局部區通常與擴散器1之孔隙2對應。此一效應在 擴散器置於較接近微電子工件4時更爲加劇，因爲流體係 允許分布後，其自擴散器至工件之距離降低。擴散長度之 減短係導致局部區5之處理流體更集中之流量。 本發明係已發現的是，在工件表面之增加流速的局部 區可影響擴散層狀態，且將導致工件表面不均勻之處理。 與工件表面之其他區比較，在局部區5之擴散層係傾向於 較薄。表面反應以較高速度發生在局部區，其中之擴散層 厚度降低，因此導致在徑向不均勻之工件處理。擴散器孔 隙圖案構型亦影響諸如電鍍之電化處理中的電場分却，其 亦可能導致工件之表面之不均勻處理(即電鍍材料之不均勻 沉積）。 工件浸入處理之另一經常遭遇之問題爲，由於工件表 面之泡沬陷入而使擴散層分裂。泡沬可在處理裝備之鉛管 及幫浦系統中建立，並進入處理室，並遷移至處理中之工 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 、-----------衣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——.-----線‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226387 五、發明說明（屮） 件之表面。由於擴散層之分裂’該位置之處理係無法進行 〇 當微電子電路及裝置之製造商降低其所造電路及組件 之尺寸時，在處理溶液與工件表面間之擴散層狀態之嚴密 控制係變爲更重要。爲此目的，本發明人已發展出一改進 之處理室，其可解決目前使用於微電子製造工業之工件處 理工具中之擴散層不均勻與千擾問題。雖然以下之改進之 處理室係以適於電鍍之特定實施例論而討論，吾人認爲改 進之處理室可用於任何希望均勻表面處理之工件處理工具 中。 [圖式簡略說明] 圖1A爲一浸入處理反應器總成之簡略方塊圖，該總 成倂入一擴散器以分配處理流體流橫跨工件之表面。 圖1B爲可倂入本發明之一反應器總成的一實施例之 剖面圖。 圖2爲一反應器室的一實施例之略圖，其可用於圖1B 之反應器總成中’並包括顯示有關流經反應器室之處理流 體流的速度流量輪廓。 （ 圖3至5爲說明一完整的處理室總成之特定構，造，其 特別適於半導體晶圓之電化學處理，該總成之實施可達成 圖2所不之速度流量輪廊。 圖6及圖7說明處理工具之二實施例，其可倂入根據 本發明原理製造之一或多個處理站。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1226387 A/ B7 五、發明說明（女） [元件符號說明] 1擴散器 2孔隙 3處理流體入口 4微電子工件 5 局咅區 20反應器總成 25微電子工件 30反應器頭 37處理基座 70靜止總成 75轉子總成 85陰極接觸總成 505主流體流量室 510前室 515流體入口 520通風室 525擴散器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530噴嘴總成 535處理流體出口噴嘴 537中央軸 540加速通道 5 4 5流體流量區 550高壓力區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 ^ A/ B7 五、發明說明（6 ) 560側壁 565側壁 570斷裂點 572流體排出環狀出口 580中央陽極 581電氣連接棒 585環狀陽極 590漏斗流量通道 605外杯 610處理室總成 615凸緣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 625主要筒狀外殼 627漏杯構件 629通道 640螺旋流量室 665氣體出口 670間隙 690中室構件 692腳支座 697陽極支撐構件 705通道 715環狀插座 725環狀通道 730導管 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 A7 B7 五、發明說明（7 ) 733接頭 737底部 739堰構件 742邊緣 744凸緣 785環狀陽極總成 810入口流體導板 817通道 819向上角度之壁部 821通道 823垂直通道 1610處理站 1615熱處理站 1620機器人轉移機構 1625中央軌跡 1630部份 163 5 RTP 站 ^ 16 4 0專用機器人機構 ； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1645中間整備門/區 4 [本發明槪述] 本發明揭示一種處理容器，用以在浸入處理至少一微 電子工件之表面期間，提供一處理流體之流動。此處理容 器包括：一主流體流量室，其提供一處理流體流量於至少 一工件之表面；及複數個噴嘴，係配置以提供處理流體流 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 A/ B7 五、發明說明（？） 量至主要流體流量室。複數個噴嘴安排後，可使其提供垂 直及徑向流體流量分量，以組合產生實質上均勻之正交流 量分量，在徑向橫跨工件之表面。本發明亦予揭示利用此 處理容器之範例裝置，其特別適於實施電化學處理，諸如 電鍍處理。 根據本揭示之一特性，係提出一種微電子工件浸入處 理反應器，其包括具有處理流體入口之一處理容器，經由 該入口，處理流體流入處理容器中。該處理容器尙具有一 上方邊緣，形成一堰(weir)，處理流體流動於該堰以自處理 器流出。至少一螺旋流量室係配置在處理容器之外，以接 收通過堰自處理容器流出之處理流體。此一構型可有助於 自反應器中移除處理流體，同時可降低在移除程序期間之 干擾，其可能將空氣帶入流體流中或產生空氣與處理流體 之間的不理想程度之接觸。 [本發明詳細說明] 某本反應器組件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖1B，顯示一反應器總成20以供浸入處理一微 電子工件25，如半導體晶圓。通常。反應器總成20包含 一反應器頭30及對應之處理基座(如37所示），以^下將細 述，處理流體即配置其中。特殊說明之實施例之反應器總 成，特別適於實施半導體晶圓或工件之電化學處理。吾人 應瞭解，圖1B之一般反應器構型亦適於其他工件型式及 處理。 反應器總成20之反應器頭30可包含一靜止總成70 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 A7 B7 五、發明說明（7) 及轉子總成75。轉子總成75之構型可接受並載負相關微 電子工件25，將其放置於基座37中之處理容器處理側向 下之方向，並將工件旋轉。因爲此特殊實施例適於電鍍， 轉子總成75亦包括一陰極接觸總成85，其提供電鍍電源 至微電子工件之表面。應瞭解，反應頭30上之工件之背側 接觸及/或支撐亦可以實施’而代替在此說明之正側接觸/ 支撐。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 反應頭30係典型裝在升起/旋轉裝置上，裝置之構型 可使反應頭30旋轉，自向上面對配置，此時其接收待電鍍 之工件，旋轉至向下面對之配置，此時待電鍍之工件之表 面被定位，俾其可與處理基座37之處理容器中之處理流體 接觸。利用一最好含一末端作用器之機器人手臂，以將微 電子工件25放置在轉子總成75上之位置，及自轉子總成 將已電鍍之微電子工件移除。當裝載微電子工件時，總成 85可操作在一開啓狀態及一閉合狀態之間，於開啓狀態係 使微電子工件放置在轉子總成75，而於閉合狀態係使微電 子工件固定在轉子總成上以備次一處理。以一電鍍反應器 而言，此一作業亦使接觸總成85之導電組件與待電鍍之微 電子工件之表面成電氣接觸。 y 應瞭解的是，其他轉子總成構型亦可與揭示之反應器 總成之新穎特性合用，以上僅供說明之用。 處理容器 圖2說明處理基座37之基本結構’以及導致於處理容 器結構之對應流量速度輪廓。如圖說明’處理基座37包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 A7 B7 五、發明說明（π ) 一主流體流量室505、前室510、流體入口 515、通風室 (plenum)520、流量擴散器525(其將通風室520自前室510 分開）、以及一噴嘴/槽總成530(將通風室520自主流體流 量室505分開）。此等組件係合作提供一流量（以後稱電鍍 溶液），以實質上徑向獨立正交分量於微電子工件上。在說 明之實施例中，撞擊流量集中於中央軸537 ’並具有接近 均勻之正交分量至微電子工件25。此導致一實質上均勻之 大量流體流至微電子工件之表面，因而可致使具有一均勻 之處理。 處理流體係經由配置在容器35底部之流體入口 515 提供。自流體入口 515之流體，在該處以高速被導入前室 510。在說明之實施例中，前室510包括加速通道540，通 過該通道後，處理流體自流體入口 515徑向流至前室510 之流體流量區545。流體流量區545具有一倒U型之剖面 ，其在其出口區接近流量擴散器之處，較接近加速通道 540之入口區爲寬。此一在剖面上之變化可有助於任何氣 體泡沬在進入主流體流量室505之前自處理流體被移除。 未進入主流體流量室505之氣體泡沬，係通過一配置在前 室510上方之氣體出口而排出處理基座37(圖2中兔說明 ，但顯示於圖3至5之實施例中）。 前室510中之處理流體係最後供應至主流體流量室 5〇5。爲此目的，處理流體首先係自前室510之一相當高之 壓力區550被導向至相當低壓之通風室520，透過流量擴 散器525。噴嘴總成530包括複數個噴嘴或隙縫535，其相 12 $張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — r 錢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——：-----線 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226387 A/ B7 五、發明說明（Η ) 對於水平面而形成一小角度配置。處理流體經由噴嘴535 以垂直及徑向方向而排出通風室520。 主流體流室505係由一外形側壁560及一斜側壁565 而限定於一上方區域。外形側壁560可有助於在處理流體 排出噴嘴535(特別是最上噴嘴）及向上流向微電子工件25 之表面時，防止流體流分離。超過斷裂點5 7 0時，流體流 分離將不致影響正交流量之均勻性。因此，斜側壁565可 具有任何形狀，包括連續外形側壁560之形狀。在此特殊 實施例中，側壁565在涉及應用於電化處理時爲傾斜，係 用以支撐一或多個陽極/電導體。 處理流體係通過一環狀出口 572自主流體流室505排 出。流體排出環狀出口 572可提供給另一外部室，以供處 理或供補充通過處理流體供應系統之再循環。 在此等實例中，處理基座37構成電鍍反應器之一部份 ，基座37備有一或多個陽極。在說明之實施例中，一中央 陽極580配置在主流體流室505之下部。若微電子工件25 表面之週邊邊緣係徑向延伸超過外形側壁56Ό之範圍時， 該週邊邊緣係與中央陽極580成電屏蔽，降低之電鍍將在 此區域發生。然而，如欲在週邊區域發生電鍍，在_邊區 域可使用一或多個陽極。在此，複數個環狀陽極585係以 槪括微同心圓方式配置在斜側壁565上，以提供電鍍電流 而流通至週邊區域。另一實施例包括單一陽極或多個陽極 ，但無自外形壁至微電子工件邊緣之屏蔽。 陽極580、585可係以不同方式供以電源。例如，相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '------------—— (請先閱讀背面之注意事項再麻寫本頁) 訂-Γ •線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226387 A/ B7 五、發明說明（u) 同或不同位準之電源可多工處理而供應至陽極580、585。 或者，所有陽極580、585可連接一起以接受自同一電源之 電鍍電源。此外，每一陽極580、585可連接一起以接受不 同位準之電鍍電源，以補償電鍍之薄膜之電阻變化。陽極 585之緊鄰於電子工件25之優點爲，可提供對於由各陽極 產生的徑向薄膜成長之一高度控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當處理流體在處理系統循環時，可能有空氣不當滯留 。其可能形成氣泡，最後並進入擴散層，因而傷及在微電 子工件表面上發生之處理之均勻性。爲減少此問題，及減 少氣泡進入主流體流量室505之可能性，處理基座37包括 數個獨特之特性。以中央陽極508而言，一漏斗(Venturi) 流量路徑590係設於中央陽極580之下側與加速通道540 之相對較低壓力區之間。除正常影響沿中央軸537之流量 效應之外，此路徑引起之漏斗效應，使位於室下方(諸如在 中央陽極580之表面)接近表面之處理流體被吸入加速通道 540，並可有助於將氣泡吹離陽極之表面。更重要的是，漏 斗效應提供一吸入流量，其可影響沿中央軸537之微電子 工件表面之中央部份之撞擊流量之均勻性？同理，處理流 體係以與環狀出口 572成徑向之方式，掃過在室上，都之表 面（5者如1½極585之表面）以移除該表面上之氣泡。此外， 微電子工件表面之流體流量之徑向分量，可有助於掃除該 處之氣泡。 關於流經反應器室之流量有數項處理之優點。如說明 者，流過噴嘴/隙縫535之流量被導引離開微電子工件之表 14 ^7氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ] ------- 1226387 B7 五、發明說明（（）） 面，因此，並無可干擾擴散層均勻度之流體之局部正交流 量分量。雖然擴散層可能不完全均勻，所造成之任何非均 勻將係相當地漸進。此外，在微電子工件爲旋轉之情況下 ，在擴散層上剩餘之不均勻性係在持續達成處理目標下可 以容忍。 自上述反應器之設計，可確知與微電子工件成正交之 流量係在微電子工件之中央附近具有較大之量。因此，在 微電子工件不存在時（即在工件降低至流體之前），將造成 圓頂新月形者(meniscus)。此圓頂形新月者可有助於當工件 降低至處理溶液中時，使陷住之氣泡最少。 於主流體流量室505之底部而由漏斗流量路徑所引起 之流量，可影響於其中心線之流量。該中心線流速否則係 難以實施及控制。但，漏斗流量之強度可提供非強制設計 變數，可用以影響流量之此一特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述之皮應器設計之另一優點爲，可有助於防止進入 室入口之氣泡到達微電子工件。爲此目的，流量圖案 (pattern)可使其在進入主室之前，溶液向下流動。氣泡留 在前室’並自其頂部孔隙逸出。此外，利用將漏斗通道蓋 住之屏蔽，可防止氣泡經由漏斗通道進入主室(見圖至5 所不反應器貫施例之說明）。此外’至前室之向上傾斜入口 路徑(參見圖5及其g兌明）可防止經由漏斗通道進入主室。 圖3至5說明一完整之處理室總成61〇之特定結構， 其可特別適於電化學處理半導體電子工件。特別是，說明 之實施例特別適於沉積一均句之材料層於利用電鑛之工件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1226387 a7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（w) 0 如說明者，圖1B中之處理基座37含有一處理室總成 610及一對應之外杯(cup)605。處理室總成610係配置於外 杯605之內，以接受自處理室總成溢流之處理流體。一凸 緣615係沿總成610延伸’以固疋封應工具之框架。 特別參考圖4及圖5 ’外杯605之凸緣形成後係與反 應頭30(圖1B)之轉子總成75接合’並使微電子工件與處 理流體(如電鍍溶液)在主流體流量室接觸。外杯605包括 一主要筒狀外殼625，以配置漏杯構件627。漏杯構件627 包括具有通道629之外表面，其與主要筒狀外殼625之內 壁，構成一或多個螺旋流量室640 ’作爲處理流體之出口 。溢流至處理杯頂部之堰構件739之處理流體經過螺旋流 量室640漏出，並排出一出口（未顯不），該處之流體係被 處置或再補充或再循環。此構型特別適於包含流體再循環 之系統，因莫可協助防止氣體與處理溶液之混合’因而進 一步降低氣泡干擾工件表面擴散層之均勻性的可能性。 在說明之實施例中，前室510係由複數個獨立組件之 壁所限定。特別是，前室510係由漏杯構件627之內壁、 陽極支撐構件697、中室構件690之內外壁、及流「量擴散 器525之外壁所構成。 圖3B及圖4說明上述組件構成一反應器之方式。爲 此，中室構件690係配置在漏杯構件627之內部，並幫含 複數個位於底壁之腳支座692。陽極支撐構件697包括一 連接凸緣之外壁，其配置在漏杯構件之內部。陽極支撐構 16 本紙中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} r裝--- 訂· Γ ! -----線， 1226387 A7 B7 五、發明說明（G) 件697尙含一通道705，其位於並與噴嘴構件53〇之上緣 接合。中室構件690亦含一中央配置之插座715，其尺寸 可容納噴嘴構件530之下部。同理，一環狀通道725係徑 向配置在環裝插座715之外部，以連接流量擴散器525之 下部。 在說明之實施例中，流量擴散器525係由單塊形成， 包括複數個垂直方向之間隙670。同理，噴嘴總成530亦 爲一單塊，並含複數個水平方向構成噴嘴535之間隙。 陽極支撐構件697包括複數個環狀槽溝，其大小可接 受對應之環狀陽極總成785。每一陽極總成785包括一陽 極585(較佳由鍍鈦或其他惰性金屬構成），一導管730自陽 極585中央部份延伸，經其可配置一金屬導體以電氣連接 每一總成785之陽極585至一外電源。導管730延伸通過 完整之處理室總成610，並且藉著各別接頭733固定在底 部。以此方式，陽極總成785可有效將陽極支撐構件697 驅向下方，以夾住流量擴散器525、噴嘴總成530、中室構 件690、及漏杯構件627，抵住外杯605之底部737。此舉 可使處理室610之組裝及拆卸容易。但應瞭解，亦可用其 他方式以固定該等室元件在一起，及提供必要之電源至陽 極。 說明之實施例中尙包含一堰構件739,以可脫離方式 咬住或固定在陽極支撐構件697之上方外部。如圖示，堰 構件739包含邊緣742，其構成一堰，處理流體在其上流 入螺旋流量室64〇。堰構件739尙含橫向延伸凸緣744，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） •-----------衣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂」---·-----線』 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1226387 A/ B7 五、發明說明（) 向內徑向延伸，並構成於一或多個陽極585之全部或一部 份電場屏蔽。由於堰構件容易拆下或更換，故處理室總成 610可容易再構型以適於提供不同之電場形狀。此種不同 電場形狀，在反應器必須構型以處理一種以上尺寸及形狀 之工件時，非常有用。此外，此舉亦可使反應器構型成接 納同尺寸但不同電鍍區需求之工件。 陽極支撐構件697及其陽極585，構成外形側壁560 及傾斜側壁565，如圖2所示。如上所述，陽極支撐構件 697之下方區爲一輪廓，故形成前室510之上方內壁，並 包括一或數個氣體出口 665,其配置在該處以使氣泡自前 室51.0排出至外部環境。 特別參考圖5，流體入口 515係由入口流體導板所限 定，如810所示，該導板係由一或數個接合件固定在中室 構件690上。說明實施例之通道817係由向上角度之壁部 819所限定。’排出通道817之處理流體自該處流至一或多 個另一通道821，其亦由向上角度之壁部所限定。 中央陽極580包括一電氣連接棒581，其通過由噴嘴 總成530、中室構件690及入口流體導板$10所形成之中 央孔隙，進入處理室總成610之外部。圖2所示之漏斗流 路區590在圖5中由垂直通道823形成，其通過漏杯室 627、及噴嘴構件530之底壁。如說明者，流體入口導板810 ，特別是向上成一角度之壁810係徑向延伸超過屏蔽之垂 直通道823,故任何進入該入口之氣泡，係通過向上通道 821，而非通過垂直通道823。 18 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1226387 A/ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（π ) 上述之反應器總成可容易統合於處理工具中，其能在 工件上（諸如半導體微電子工件上）實施許多處理。此種工 具之一爲LT-210tm電鍍器，可購自蒙大拿州卡利斯比之 Semitool公司。圖6及7說明此一統合。圖6之系統中包 括複數個處理站1610。此等處理站較佳包含一或多個淸洗 /烘乾站、及一或多個電鍍站（包括上述之一或多個電鍍反 應器），雖然另外之根據本發明製造之浸入化學處理站亦可 使用。此系統最好尙包含熱處理站，如1615，其包含至少 一適於快速熱處理(RTP)之熱反應器。 工件係在處理站1610及RTP站1615之間，利用一或 多個機器人轉移機構1620轉移，該機構之配置可沿一中央 軌跡1625作線性移動。一或多個站161〇可倂入一結構， 其可在原地淸洗。最好，所有處理站及機器人轉移機構均 配置於一櫃中，其備有正壓力之濾淸空氣，故可限制能降 低微電子工件處理有效性之空氣中污染物。 圖7說明處理工具之另一實施例，其中之RTP站 1635位於部份1630，其含至少一熱反應器，該站可統合於 工具組中。與圖6之實施例不同，在此實施例中，至少一 熱反應器由一專用機器人機構164〇服務。專用機器人機構 1640接受由機器人轉移機構ι62〇所轉移至其之工件。轉 移可經由一中間整備門/區1645發生。如此，可能淸潔自 工具之其他部份分離處理工具之RTp部份163〇。此外，利 用此一結構，說明之退火站可係以單獨模組實施，此模組 之連接可提升現有之工具組。應瞭解，其他型式之處理站 19 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁)

. -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 1226387 A/ _Β7_ 五、發明說明（U ) ，除了或者替代RTP站1635，亦可位於部份1630。 對以上系統可作不同之修改，而不致有悖本發明之原 理。雖然本發明已參考一或多個實施例之細節予以說明， 精於此技藝人士當瞭解可作許多改變，而不致有悖本發明 之範疇與精神。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8B8C8D8 1226387 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 部之前室，該碗部位於入口及噴嘴組件之間，該前室具有 一尖端，其尖端位於噴嘴組件出口之上方，以在噴嘴組件 之前捕捉處理流體流中之氣體。 7. 如申請專利範圍第1項之處理站，其進一步包含一 前室，該前室位於在入口及噴嘴組件之間的碗部，該前室 具有一入口部分，該入口部分具有在具有第二橫截面之噴 嘴組件之前的第一橫截面以及一出口部分，該第一橫截面 係小於該第二橫截面。 8. —種反應器容器，用於電化學地處理一微電子工件， 其包含： 一碗部； 一流體入口，其建構爲重新導引處理流體流進入該碗部；

   在碗部中的噴嘴組件，其建構爲重新導引流體流穿越該碗 部，其中該噴嘴組件包含複數個出口，該複數個出口向內 面對該碗部之內部軸線； 在該噴嘴組件上方的輪廓邊牆，該輪廓邊牆具有噴嘴的第 一橫截面，以及在第一橫截面上方之第二橫截面，其中該 第一橫截面係小於該第二橫截面；以及 至少在該碗部之第一盆狀電極。 9. 如申請專利範圍第8項之反應器容器，其中該噴嘴 組件包含一反向圓錐截面體組件，而其出口包含複數個向 上傾斜之延長狹縫。 10. 如申請專利範圍第8項之反應器容器，其中該噴嘴 組件包含一環狀元件’並且該出口包含在環狀元件之開口’ 2 ^}長尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "" 1226387 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 其被排置以徑向地沿著在噴嘴組件之相對向量而導引複數 個流體流。 11·如申請專利範圍第8項之反應器容器’進一步包含 在碗部之第二盆狀電極。 12.如申請專利範圍第8項之反應器容器，其中該第一 盆狀電極包含一環狀導體元件，其具有第一半徑’並且其 中該反應器容器進一步包含在碗部之第二盆狀電極’該碗 部具有大於第一盆狀電極之第一半徑的第二半徑。 13_如申請專利範圍第8項之反應器容器，進一步包含 一前室，其位於入口與噴嘴組件之間的碗部內，該前室具 有位於噴嘴組件出口之上方的頂端，以在噴嘴組件之前擷 取處理流體流中之氣體。 秦- 14.如申請專利範圍第8項之反應器容器，進一步包 含一前室，其位於入口與噴嘴組件之間的碗部內，該前室 具有第一橫截面之入口部分，以及具有第二橫截面之噴嘴 組件之前的出口部分，該第一橫截面小於第二橫截面。 15·—種用於電化學地處理一微電子工件之反應器容 器，其包含： 一碗部； 一流體入口，其建構以導引處理流體流進入該碗部； 一在碗部內之噴嘴組件，其建構以重新導引該流體流 穿越該碗部，其中該噴嘴組件包含一環状牆以及在環 狀牆內之複數個出口，其面向內地朝向該碗部之內部 軸線；以及 中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 1226387 A8 滢 D8 六、申請專利範圍 至少一個在碗部內之第一盆狀電極。 16. —種用於電化學地處理一微電子工件之反應器容 器，其包含： 一碗部； 一流體入口，其建構以導引處理流體流進入該碗部； 一在碗部內之噴嘴組件，其建構以重新導引該處理流 體流穿越該碗部，其中該噴嘴組件包含一牆以及在牆 內之複數個出口，其面向內地朝向該碗部之內部軸線； 以及 在該碗部之第一區域之第一盆狀亀極，和與在該碗部 之第二區域內的第一盆狀電極分開之第二盆狀電極。 17. 如申請專利範圍第16項之反應器容器，其中該第 一盆狀電極包含第一導電環，而該第二盆狀電極包含第二 導電環，該第二導電環與第一導電環呈同心圓。 18. 如申請專利範圍第16項之反應器容器，其中該噴 嘴組件之牆包含一環狀牆，而該出口包含在環狀牆內之複 數個水平延長狹縫。 19. 如申請專利範圍第16項之反應器容器，其中該噴 嘴組件之牆包含圓錐截面體牆，而該出口包含在環狀牆內 之複數個水平延長狹縫，而其環狀牆係向上傾斜。 4 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1τί