TWI220997B - Metal back-carrying fluorescent surface, metal back forming transfer film and image display unit - Google Patents

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TWI220997B
TWI220997B TW091115573A TW91115573A TWI220997B TW I220997 B TWI220997 B TW I220997B TW 091115573 A TW091115573 A TW 091115573A TW 91115573 A TW91115573 A TW 91115573A TW I220997 B TWI220997 B TW I220997B
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TW091115573A
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Takeo Ito
Hajime Tanaka
Tomoko Nakazawa
Masaaki Inamura
Taichiro Nakayama
Original Assignee
Toshiba Corp
Nikka Techno Inc
Fuji Pigment
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18Luminescent screens
    • H01J29/28Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

1220997 A7 B7 五、發明説明(1 ) 〔技術領域〕 本發明係有關附金屬襯膜之螢光面,形成金屬襯墊用 轉印薄膜及影像顯示裝置。 〔背景技術〕 從以往,有關陰極射線管(C R T )或場致顯示器( F E D )等之影像顯示裝置,乃對於螢光體層之內面(與 面板相反側之面)予以廣泛地採用形成有金屬膜之金屬襯 墊方式之螢光面。 該金屬膜乃被稱呼爲金屬襯墊層,其目的爲要達成從 電子源所發射之電子而從螢光體所產生之光中,將朝電子 源側行進之光,予以反射至面板側來增進亮度,及賦予螢 光體層來完成陽(電)極之任務者。又具有可防止由殘留 在真空管套(封套)之氣體電離所產生之離子而螢光體層 受到損傷之功能。 然而,尤其在於F ED,因具有螢光面之面板和具有 電子發射元件之後板間的間隙爲1〜數m m左右之極爲狹 窄,且以施加1 0 k V前後之高電壓於該極狹窄之間隙來 形成強電場,使得在長時間形成影像時,具有所謂容易產 生放電(真空電弧放電)之問題。 而且,當產生如此之異常放電時,因在一瞬間會流動 數A至數百A之大的放電電流,使得具有會破壞陰極部之 電子發射元件或陽極部之螢光體層,或受到損傷之虞。 而本發明乃要解決該等之問題而發明者,其目的爲擬 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂
F 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 - 1220997 A7 B7 五、發明説明(2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供一種具有高亮度且高耐壓特性,且即使產生放電,也 可抑制放電電流之尖峰値而不至於破壞或劣化電子發射元 件或螢光面,可顯示高品位之顯示的影像顯示裝置者。 〔揭示發明〕 本發明之第1形態爲附金屬襯膜之螢光面,其特徵爲 ••在面板內面,至少具有螢光體層及形成於其上之金屬襯 墊層,而前述金屬襯墊層乃具有高的反射率且高的電阻率 〇 於第1形態之附金屬襯膜之螢光面’金屬襯墊層可由 從I η,S η,B i所選擇之至少一種的金屬氧化物所構 成。又金屬襯墊層可更具有由S i之氧化物所形成的耐烘 焙層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第2形態爲附金屬襯膜之螢光面,其特徵爲 :在面板內面,至少具有螢光體層及形成於其上之金屬襯 墊層,而前述金屬襯墊層具有配設於前述螢光體層側之光 反射率爲高之高反射率層,及配設於其上層之電阻率爲高 的高電阻層。 於第2形態之附金屬襯膜之螢光面,高反射率層可由 從A 1 ,I η,S η,B i所選擇之至少一種的金屬所構 成。又高電阻層可由從Al , In,Sn,Bi ,Si所 選擇之至少一種元素的氧化物或氮化物所構成。再者,於 第2形態之附金屬襯膜之螢光面,金屬襯墊層可更具有由 S i之氧化物所構成之耐烘焙層。而以中介前述耐烘焙層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~ " -5- 1220997 A7 B7 五、發明説明(3 ) 於高反射率和高電阻層之間或中介於該等層之上下,就可 改善電阻値或反射率之降低。 本發明之第3形態爲形成金屬襯墊用轉印薄膜,其特 徵爲具有:基(底)薄膜;形成於前述基薄膜上之脫模劑 層;形成於前述脫模劑層上之光反射率爲高且電阻率爲高 的高反射率、高電阻層;及形成於前述高反射率、高電阻 層上之黏接劑層。 於第3之形態的形成金屬襯墊用轉印薄膜,高反射率 、高電阻層可由從I η,Sn,B i所選擇之至少一種金 屬的氧化物所構成。又可具有形成於脫模劑層上之保護膜 〇 本發明之第4形態爲形成金屬襯墊用轉印薄膜’其特 徵爲具有:基薄膜;形成於前述基薄膜上之脫模劑層;形 成於前述脫模劑層上之電阻率爲高的高電阻層;形成於前 述高電阻層上之光反射率爲高的高反射率;及形成於前述 高反射率層上之黏接劑層。 於第4形態之形成金屬襯墊用轉印薄膜’高電阻層可 由從Al , In,Sn,Bi ,Si所選擇之至少一種元 素的氧化物或氮化物所構成。又高反射率層可由從A 1 ’ I η,Sn,B i所選擇之至少一種金屬所構成。再者’ 於第4形態之形成金屬襯墊用轉印薄膜可具有形成於脫模 劑層上的保護膜。 本發明之第5形態爲影像顯示裝置’其特徵爲:具有 ••面板;與前述面板成對向所配置之電子源;及形成於前 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1220997 A7 B7 五、發明説明(4 ) 述面板上,可由從前述電子源所發射之電子而發光的螢光 面’而前述螢光面爲第1形態之附金屬襯膜的螢光面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之第6形態爲影像顯示裝置,其特徵爲:具有 :面板;與前述面板成對向所配置之電子源;及形成於前 述面板上,可由從前述電子源所發射之電子而發光的螢光 面,而前述螢光面爲第2形態之附金屬膜的螢光面。 於本發明之第1形態的附金屬襯膜之螢光面,乃具有 由兼備高之光反射率及高之電阻層的金屬氧化物所構成之 金屬襯墊層。又在第2形態之附金屬襯膜的螢光面,乃具 有金屬襯墊層至少在螢光體層側予以配置高反射率之金屬 層,而配置電阻率爲高之金屬氧化物層於後板側的疊層構 造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,於具有如此之附金屬襯膜之螢光面於面板內面 的影像顯示裝置,可抑制螢光面之金屬襯墊層和後板間之 放電的同時,可抑制產生放電時之放電電流的尖峰値成爲 低。而可減低放電時所放出之能量最大値的結果,以致可 防止電子發射元件或螢光面產生破壞、損傷或劣化。又, 金屬襯墊層因可發揮充分高的光反射效果,因而可獲得高 亮度之螢光面。 另一方面,金屬襯墊層當具有如第2形態之疊層構造 時,因會受到底層側一層之影響,爲此在其上面即使重疊 上薄的高電阻層,也無法令電阻値看起來成爲高的狀態。 但甚至如此之結構,也可確認具有會抑制改善放電開始之 顯著效果。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 "~ 1220997 A7 _ B7 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者,在作爲要構成金屬襯墊層之各層的上層及/或 下層以及/或中間層,而具有由s i氧化物所形成之層的 螢光面,可改善耐烘焙特性,以致可防止由烘焙所產生之 反射率降低。亦即,由金屬氧化物所形成之層爲多孔者, 因而直接以汽相堆積於其上時,雖無法獲得具有良好之光 反射效果之層,但以形成S i氧化層於下層,就可發揮使 之平坦(平坦化)之效果。又由該平坦化效果而可獲得可 防止降低金屬層之反射率的效果。以如此,由前述之雙方 的效果,而可獲得增進反射率及防止由熱而電阻値產生劣 化之情事。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又尤其在對於螢光面之以汽相堆積來形成金屬襯墊層 時,雖對於底層先形成有機樹脂之薄膜來使螢光體面平坦 化之後,方實施A 1等之汽相堆積,而後烘乾該有機樹脂 來獲取高的反射率之金屬襯墊層,但由該烘焙而反射率有 趨向於降低之狀況。然而,由於作爲金屬襯墊層之一部分 而配設了 S i氧化物,使得在烘焙過程時,可抑制從其他 金屬或金屬化合物所形成之高反射率層或高電阻層產生飛 散,因而可抑制降低反射率。又S i氧化物層本身爲半透 明,因此,並不會妨礙由其他金屬所形成之高反射率的反 射效果,使得可獲得高亮度之螢光面。 〔實施發明用之最佳形態〕 接著,對於本發明之理想合適之形態來加以說明。再 者本發明並非被限定於以下之實施形態者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1220997 A7 _____B7 五、發明説明(6 ) 圖1至圖3係各別以模式顯示本發明之附金屬襯膜之 螢光面的第1至第3之實施形態的剖面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於該等之附金屬襯膜的螢光面,乃配置螢光面於玻璃 基板等之面板1的內面,螢光面係由以所定之圖型(例如 點狀,或條紋狀)所形成的光吸收層(B Μ ) 2,及以所 定之圖案排列於該吸收層(Β Μ )間的紅(R ),綠(G ),藍(Β)之3色螢光體層3所構成。 而在第1實施形態,係如圖1所示,將具有高的光反 射率且高的電阻率之高反射率、高電阻層4作爲金屬襯墊 層來形成於螢光面上。 高反射率、高電阻層4可由從I η,Sn,B i所選 擇之至少一種之金屬化合物來構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又在第2實施形態,係如圖2所示,金屬襯墊層乃具 有疊層具有光反射率爲高之反射率爲5及高電阻率之高電 阻層6之構造,而配置高反射率層5於螢光體層3側,並 在其上配置高電阻層6。雖在金屬襯墊層具有疊層構造之 第2實施形態,會較第1實施形態形成高成本,但可獲得 更良好之特性。 而作爲高反射率層5,可使用從Al ,I η,Sn, B i所選擇之至少一種的金屬層。再者,也可作爲如 A 1 N之氮化物層。 再者,於第2實施形態,雖以疊層高反射率層5和高 電阻層6之兩層來形成金屬襯墊層,但由於各層爲極薄之 膜,因此,在介面,兩層之組成是混合在一起。因此,在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) - 9 - 1220997 A7 B7 五、發明説明(7 ) 特性上可獲得兩層互相產生影響之效果。又在以按壓電極 來量測之方式,尤其在膜厚爲薄的區域,電阻値雖會被下 層之金屬膜所影響而顯示不高之値,但在實際之耐壓實驗 ,確認具有顯著之放電抑制效果。又可抑制放電電流之( 尖)峰値某一程度。 又在第3實施形態,係如圖3所示’金屬襯墊層具有 夾著S i之氧化物層7於與前述之第2實施形態同樣所構 成之高反射率層5和高電阻層6之間的3層構造。而且如 此之金屬襯墊層乃被形成爲配置高反射率層5於螢光體層 3側。 在此,S i之氧化物層7可配設於高反射率層5之下 層,高電阻層6之上層,高反射率層5和高電阻層6之中 間的至少其中之一處位置。再者,甚至在第1實施形態, 也可配設S i之氧化物層於高反射率、高電阻層4的上側 和下側之至少一方。 再者,以上所述之氧化物,均不需要爲在化學計量上 完全被氧化之化合物,即使爲在不完全之氧化狀態者亦可 。亦即,各個氧化物具有可表示爲M e ◦ X之組成。 有關S i〇X之氧化度X之値,理想爲形成1 . 〇〜 2 · 0之範圍。又在I η2〇χ之式中,有關氧化度X之値 ,理想爲形成1 · 0〜3 . 0的範圍。 於第1至第3之實施形態,金屬襯墊層整體之厚度, 理想爲作成1 0〜200nm,而30〜1 2〇nm之範 圍爲更適當。當金屬襯墊層之厚度超過前述範圍時,金屬 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) I---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1220997 A7 ______B7_ 五、發明説明(8 ) 襯墊層因會吸收電子線(光束)使得亮度會顯著地降低。 相反地,金屬襯墊層過薄時,光反射效果因會減少,使得 會顯著地降低亮度。 當要形成第1至第3之實施形態的附金屬襯膜之螢光 面時,首先以光刻(影印)法等來形成由黑色顏料所形成 之所定圖型的光吸收層2,而後以淤漿法等來塗佈,弄乾 ZnS系,Y2〇3系,Y2〇2S系等之螢光體於其上,並 使用光刻法來進行圖型形成,以形成紅(R ),綠(G ) ’藍(B)的3色螢光體層3。再者,形成各色之螢光體 層3,也可由噴射法或印刷法來實施。甚至在噴射法或印 刷法,也可響應於所需而倂用由光刻法來進行圖型形成。 接著,形成金屬襯墊層於以如上述所形成之螢光面上 。而要形成金屬襯墊層時,則以例如旋轉塗佈(塗敷)法 來形成由硝化纖維素等之有機樹脂所形成之薄膜於螢光面 上,並在其上,以汽相堆積來形成前述之高反射率、高電 阻層4,或以汽相堆積來依序形成高反射率層5和高電阻 層4。而後予以燃燒(烘焙),以去除有機物。 又也可使用轉印薄膜來形成金屬襯墊層。以使用轉印 薄膜時,就能以更有效率且以良好之生產性來形成金屬襯 墊層。 轉印薄膜係具有在基薄膜上,以藉脫模劑層(因應於 所需,再藉保護膜)來形成由I η,S η,B i之氧化物 所形成之高反射率、高電阻層,並在其上形成有黏接層之 構造。又具有在基薄膜上,疊層以藉脫模劑層(因應於所 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) I--------•裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1220997 A7 B7 五、發明説明(9 ) 需,再藉保護層)來形成由A 1 ,I η,S η,B i所形 成之高反射率層及由A1 , In,Sn,Bi ,Si之氧 化物所形成之高電阻層,使之高反射率成爲在於上層,並 再在其上形成黏接劑層之構造。 在如此構造之轉印薄膜,可配設S i氧化物層於高反 射率、高電阻層之上側和下側的至少一方。又可配設S i 氧化物層於高反射率層之上層,高電阻層之下層,高電阻 層和高反射率層之中間之中的至少一個位置。 於形成轉印薄膜時,若要形成從A 1 ,I n,s η, B i所選擇之至少一種的金屬氧化物所形成之層時,可採 用以下所示之方法。 亦即,6 ·7χ 10 一 3 〜4 . Ox l〇-2Pa (5x 1 Ο—5〜3x 1 0— 4To r r )之高真空度下,且在電漿 放電下,以0 . 5〜4 分鐘之比率來導入氧氣之狀況 下,予以汽相堆積Al ,I η,Sn,B i之金屬。而以 如此所導入之氧氣予活性離子化,以令汽相堆積物予以連 續性地氧化,就可形成該等之金屬氧化物層。而以調整氧 氣導入量,就可控制所要形成之金屬氧化物層的表面電阻 率。再者,作爲汽相堆積方法,可適用高頻感應加熱汽相 堆積法,電阻加熱汽相堆積法,電子光束加熱汽相堆積法 ,濺射汽相堆積法或離子電鍍汽相堆積法等。 又在形成轉印薄膜時,若要形成由S i氧化物或 A 1 N所形成之層時,可採用濺射等之方法。 接著,將以如此所形成之轉印薄膜配置成黏接劑層可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------衣--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1220997 A7 B7 五、發明説明(1〇) 接觸於螢光體層,並進行按壓處理。而作爲按壓處理,有 壓印方式,輥子方式等。以如此地按壓轉印薄膜來黏著金 屬及金屬氧化物之層之後,剝取基薄膜,就可轉印金屬及 金屬氧化物之層,而可獲得顯示於第1至第3之實施形態 的附金屬襯膜之螢光面。 將如此之附金屬襯膜之螢光面作爲陽電極之F E D顯 示於圖4。於該F E D,予以構成爲具有附金屬襯膜之螢 光面8之面板9 ,和具有排列成矩陣狀於基板1 〇上之電 子發射元件1 1之後板1 2,乃以藉1〜數mm左右之狹 窄間隙G來配置成對向,並對於面板9和後板1 2之極爲 狹窄的間隙G施加了 5〜1 5 k V之高電壓。 由於面板9和後板1 2之間隙極爲狹窄,使得在該等 之間容易引起放電(破壞絕緣),但在具有第1至第3之 實施形態的附金屬襯膜之螢光面8的F E D,可抑制產生 異常放電之同時,予以抑制產生放電時之放電電流的尖峰 値,使得可迴避瞬間性之能量集中。而且可減低放電能量 之最大値的結果,可防止破壞,損傷或劣化電子發射元件 1 1或螢光面。又可充分地確保在金屬襯墊層之光反射而 具有高亮度。 接著,說明有關適用本發明於影像顯示裝置之具體實 施例。 (實施例1 ) 首先,依照以下之過程來製造轉印薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1220997 A7 B7 五、發明説明(11) 予以形成矽酮樹脂作爲主成分之厚度0 . 5 // m的脫 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 模劑層於厚度2 0 # m之聚酯樹脂所製之基薄膜上之後’ 在其上形成了以三聚氰胺樹脂作爲主成分的厚度1 // m之 保護膜。 接著,以汽相堆積形成兩層膜於該保護膜上。亦即’ 提供高真空度直至1 · 33xl〇—3Pa (1x1 0一5 T 〇 r r)而在電漿放電下,以導入微量氧氣(1 </m2) 之狀況下來進行鋁之汽相堆積,以形成鋁之氧化物層(厚 度2 0 nm)於保護膜上,然後,切斷氧氣供應下,進行 鋁之汽相堆積而形成鋁層(厚度6 0 n m )於鋁氧化物層 上。且再在其上,予以形成酯酸乙烯酯樹脂等作爲主成分 之厚度1 2 // m的黏接劑層,而完成轉印薄膜。 接著,由黑色顏料所形成之條紋狀的光吸收層(遮光 層),以網目印刷法來形成於F E D用之面板之一面之後 ,以網目印刷法形成紅(R ),綠(G ),藍(B )之3 色螢光體層於遮光部(層)間而形成條紋狀且各別成相鄰 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,配置轉印薄膜成黏接劑接觸於螢光體層,而以 橡膠滾子推壓來固定後,剝開基薄膜,使得疊層有鋁層和 鋁氧化物層之2層膜轉印至螢光體層。接著,以4 5 0 t 進行一小時之加熱處理(烘焙),而完成附金屬襯膜之螢 光面。 以如此所獲得之附金屬襯膜之螢光面,較作爲金屬襯 墊層而具有鋁膜之習知螢光面,獲得8 0 %之反射率。再 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -14- 1220997 A7 _B7_ 五、發明説明(12) 者,與金屬襯墊層之螢光體層爲相反側係形成褐色之鋁氧 化物層,而光反射率僅有3 0 %。 接著,固定形成多數之表面傳導型電子發射元件成矩 陣狀於基板上之電子產生源於後板之後,將該後板與具有 前述之附金屬襯膜之螢光面的面板,以約1 m m間隔來配 置成對向,並藉支撐框且由玻璃料封閉固定後,予以實施 排氣,封閉等所需要之處理,而完成1 0型彩色F ED。 將以如此所獲得之F E D,由加速電壓5 k V,電流 密度2 0 // A / c m 2,全面光柵信號來加以驅動,而測定 中心亮度之結果,若鋁膜作爲金屬襯墊層之習知F E D爲 1 0 0 %時,顯示8 0 %之高的相對亮度(亦即,習知爲 100%時,本發明爲80%)。又耐壓最大値也增進爲 8 k V。再者,放電時之尖峰電流値也較習知F E D之値 (在1 0 k V爲1 〇 〇 A )大幅度地減少爲2 0 A,使得 防止了放電產生時會損傷螢光體層或電子源。 (實施例2 ) 與實施例1同樣來製造了轉印薄膜。但形成用於形成 金屬襯膜用之轉印膜,則以如下來進行。亦即,形成S i 氧化物層(厚度2 0 n m )於保護膜上之後,在切斷氧氣 下實施鋁之汽相堆積,而形成鋁層(厚度4 0 n m )於 S i氧化物層上。 其次,以使用該轉印薄膜與實施例1同樣地進行轉印 ’而後予以烘焙來完成附金屬襯膜之螢光面。而金屬襯墊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) --------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 1220997 A7 B7 五、發明説明(13) ®之反射率,在螢光體層側獲得與習知之具有鋁膜同等之 1 〇 〇 %之高値。 I--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著,使用此一附金屬襯膜之螢光面,以與實施例同 樣來完成1 0型彩色F E D。並將所獲得之F E D以加速 電壓1 OkV,電流密度20//A/cm2,全面光柵信號 來加以驅動,且測定中心亮度之結果,顯示了與實施例1 同樣高之亮度。而耐壓特性則成爲1 2 k V。具有大幅度 之改善,且確認也有改善了放電電流之效果。 (實施例3 ) 以與實施例同樣來製造了轉印薄膜。但形成用於形成 金屬襯膜用之轉印膜,則以如下來進行。亦即,在保護膜 上,與實施例1同樣以汽相堆積且以A 1氧化物之層(厚 度20nm) ,Si氧化物之層(厚度20nm),銘層 (厚度6 0 n m )之順序來疊層所形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,使用此一轉印薄膜而以與實施例1同樣來實施 轉印後,予以烘焙而完成附金屬襯膜之螢光面。由於S i 氧化物之底層平滑化效果而改善了 A 1之反射率,使得相 對亮度大致獲得1 0 0 %之値。另一方面,有關耐壓和削 減放電電流,則與實施例1同樣,獲得顯著之效果。 (實施例4 ) 以替代鋁之氧化物層,將I η之氧化物層(厚度8 0 n m )以與實施例1同樣過程來形成。於本實施例’將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1220997 A7 B7 五、發明説明(14) I η之氧化物層形成爲卓層膜來轉印於螢光體層。且使用 此一附金屬襯膜之螢光面,以與實施例1同樣來完成丄〇 型彩色F E D。 而所獲得之F ED雖其相對亮度爲5 〇%之金屬襯墊 層的反射率並非充分者,但電阻値成爲1 〇之5次方,使 得獲得了削減放電電流效果爲最大者。 將以上之實施例1〜4各別所獲得之有關附金屬襯膜 之螢光面的反射率,F E D之亮度,耐壓特性及放電電流 之測定結果,與有關習知之具有鋁金屬襯墊之螢光面(比 較例)的測定結果,一起顯示於表1。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1220997 五、發明説明(15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [表1] 實施例 比較例 1 2 3 4 [金屬襯墊之結構] 螢光體側 Al(60nm) Al(40nm) Al(60nm) 單層 單層 中間 - - Si〇2(20nm) Ill2〇x A1 後板側 Al2〇x(20nm) Si〇2(20nm) Al2〇x(20nm) (80nm) (80nm) [半成品評價] 反射率烘焙前 90 100 100 70 100(STD) 烘焙後 80 100 100 50 100(STD) [FED評價] 相對亮度(%) 80 100 100 50 100(STD) 最大耐壓(kV) 8 12 8 10 5 放電電流(A) 20 80 20 3 100 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -18- 1220997 A7 __B7_ 五、發明説明(16) (實施例5〜9 ) 以表1所示之組合,且以與實施例1同樣來形成了附 金屬襯膜之螢光面,而完成了彩色F E D。接著,測定所 獲得之附金屬襯膜之螢光面的反射率(螢光體層側),進 而測定各個之F E D的亮度和耐電壓特性及放電電流。將 該等之測定結果顯示於表2。 —-------4^%衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 1220997 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(17) LE2] 實施例 5 6 7 8 9 [金屬襯墊之結構] 螢光體側 Al(60nm) Al(60nm) Ah〇x(60nm) Im〇x(60nm) 單層 中間 - Si〇2(20nm) - - Ab〇x _ 後板側 In2〇x(20nm) Im〇x(20nm) Si〇2(20nm) Si〇2(20nm) (80nm) [半成品評價] 反射率烘焙前 90 100 70 60 60 烘焙後 80 100 70 60 40 [FED評價] 相對亮度(%) 80 100 70 60 40 最大耐壓(kV) 8 8 12 12 8 放電電流(A) 20 20 3 3 10 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20 1220997 A7 __B7 五、發明説明(18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如表1及表2所示,在實施例1〜9所獲得之附金屬 襯膜之螢光面,可察明較比較例者具有高的電阻率而增進 耐電壓特性,且抑制了反射率之降低。 再者,以上之實施例雖由轉印方式來形成金屬襯墊層 ,但甚至使用習知之所謂之上漆法的直接汽相堆積方式’ 也獲得同樣之效果。 〔產業上之可利用性〕 如以上所說明,依據本發明,放電電流之尖峰値因可 予以抑制,因而可獲得能防止電子發射元件或螢光面之破 壞或劣化的附金屬襯膜之螢光面。因此,具有如此之螢光 面的影像顯示裝置,可大幅度地改善耐電壓特性之同時, 可實現高亮度且不具有亮度惡化之高品位的顯示。 〔圖式之簡單說明〕 圖1係顯示本發明之附金屬襯膜之螢光面的第1實施 形態剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2係顯示本發明之附金屬襯膜之螢光面的第2實施 形態剖面圖。 圖3係顯示本發明之附金屬襯膜之螢光面的第3實施 形態剖面圖。 圖4係以模式顯示本發明之配備附金屬襯膜之螢光面 的F E D構造圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) y 1220997 A7 B7 五、I明説明(19) C 符號之說 明 ) 1 ·· 面板 2 ·· 光吸收 層 3 ·· 螢光體 層 4 ·· 局反射 率 > 局 電 阻 層 5 ·· 反射率 層 6 : 高電阻 層 7 ·· S i之 氧 化 物 層 8 ·· 附金屬 襯 膜 之 螢 光 面 9 : 面板 1 〇 :基板 1 1 =電子 發 射 元 件 1 2 :後板 G : 間隙 —-------·裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22-

Claims (1)

1220997 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍] 1 . 一種附金屬襯膜之螢光面,係至少具有螢光體層 和形成於其上之金屬襯墊層於面板內面的螢光面,其特徵 爲: 前述金屬襯墊層乃具有高的光反射率且高的電阻率。 2 .如申請專利範圍第1項之附金屬襯膜之螢光面, 其中前述金屬襯墊層乃由從I η、Sn、B i所選擇之至 少一種的金屬之氧化物所形成。 3 .如申請專利範圍第1項之附金屬襯膜之螢光面, 其中前述金屬襯墊層更具有由S i之氧化物所形成之耐烘 焙層。 4 一'種附金屬襯膜之營光面1係至少具有營光體層 和形成於其上之金屬襯墊層於面板內面的螢光面,其特徵 爲·· 前述金屬襯墊層乃具有配設於前述螢光體層惻之光反 射爲高的高反射率層、及配設於其上層之電阻率爲高的高 電阻層。 5 .如申請專利範圍第4項之附金屬襯膜之螢光面.,. 其中前述高反射率層乃由從A 1 、I η、S η、B i所選 擇之至少一種的金屬所形成。 6 ·如申請專利範圍第4項之附金屬襯膜之螢光面, 其中前述高電阻層乃由從A 1 、I η、S η、B i 、S i 所選擇之至少一種元素之氧化物或氮化物所形成。 7 .如申請專利範圍第4項之附金屬襯膜之螢光面, 其中前述金屬襯墊層更具有由S i之氧化物所形成的耐烘 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 1220997 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍2 焙層。 8 · —種形成金屬襯墊用轉印薄膜,其特徵爲:具有 :基(底)薄膜;形成於前述基薄膜上之脫模劑層;形成 於前述脫模劑層上之光反射率爲高且電阻率爲高的高反射 率、高電阻層;及形成於前述高反射率、高電阻層上之黏 接層。 9 _如申請專利範圍第8項之形成金屬襯墊用轉印薄 膜,其中前述高反射率、高電阻層乃由從I η、Sn、B i所選擇之至少一種金屬的氧化物所形成。 1 0 .如申請專利範圍第8項之形成金屬襯墊用轉印 薄膜,其中具有形成於前述脫模劑層上之保護膜。 1 1 . 一種形成金屬襯墊用轉印薄膜,其特徵爲:具 有:基薄膜;形成於前述基薄膜上之脫模劑層;形成於前 述脫模劑層上之電阻率爲高的高電阻層;形成於前述高電 阻層上之光反射率爲高的高反射率層;及形成於前述高反 射率層上之黏接層。 1 2 .姐申請專利範圍第1 1項之形成金屬襯墊用·轉 印薄膜,其中前述高電阻層乃由從A 1、I η、Sn、 B i 、S i所選擇之至少一種元素的氧化物或氮化物所形 成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之形成金屬襯墊用轉 印薄膜,其中前述高反射率層乃由從A 1 、I η、Sn、 B i所選擇之至少一種之金屬所形成。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項之形成金屬襯墊用轉 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱t»背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 1220997 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3印薄膜,其中具有形成於前述脫模劑層上之保護膜。1 5 · —種影像顯示裝置,其特徵爲:具有:面板 上前 板而 面 , 述面 前光 於螢 成的 形光 及發 ; 而 源子 子.電 電之 之射 置發 配所 所源 向子 對電 成述 板前 面從 述由 r可 與, 光 螢 的 膜 襯 屬 金 附 之 述 所 項 第. 圍 ΛΤΒ 利 專 請· 串 爲 面 光 螢 。 述面 ; 上 板板 面面 :述 有前 具於 : 成 爲形 徵及 特; 其源 ,子 置電 裝之 示置 顯 配 像所 影 向 種.對 一 成 •板 6 面 1述 前 與 前光 而螢 , 的 面膜 光襯 螢屬 的金 光附 發之 而述 子所 電項 之 4 射第 發圍 所範 源利 子專 電請 述申 r爲 從面 由光 可螢 。 ,述面 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一艮 -紙 本 用 A4 \7 Ns 6 /V 準 標 家 國 一嘈 公 7 29 -25-
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