TW594954B - Semiconductor device - Google Patents

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Description

594954 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 較多ί發明係有關於一種半導體裝置’且特別關於，旦有 置。弓丨線接腳且較小半導體片的樹脂密封型的半導體务: [先前技術] —半導體裝置在内部引線和島狀部之間因 較小半導體片的需要而有較大的空間。 轂夕接腳和 圖所示為目前先前技術之半導體裝置 二在一引導框架上’而上述半導體片的電 V:片 的邊緣部分利用焊接線相連接，如第7Α圖平 Λ ，為第Μ圖中虛線標示部分21◦之局部放及第7Β 一個懸掛引線和上述引線的周圍部分具有相同的。妹其他 引線3所支撐，引導框架200的内部引線5向 σ延伸，如上述幻線（phantom 1 ine)箭頭所示， 。 =部弓I線陣列在上述島狀部丨各側之固定節距上’上述複數 島狀部1四周，所有上述内部引線5之邊緣部分及上述曾 =的電極皆由銲接線所連接。如上述幻線“述丰： 述陣列焊接線4亦圍繞著上述島狀部丨。 、斤不，上
第8圖為平面圖，接著表示在先前技術中當 在第7圖狀態下被樹脂7密封時樹脂的二二f二 圖E-E部分的剖面放大圖。 圖為第8A 一般而言，樹脂首先填滿較大的填充部分，如 所示，以第7圖的引導框架形狀為例子中，樹脂首先圖
594954 五、發明說明（2) |述引線邊緣和上述島狀部片（固定部分）之間，接著填滿 上^半導體片的上下表面。上述樹脂在填滿上述半導體片 =先填滿上述周圍部分’氣泡20A發生在上述晶片（第8B ^的上表面’在上述填充的完成時’空隙（氣泡）議在沒 有壓壞上述氣泡的情形下發生，上述樹脂在上述空隙存在 的情形下硬化，上述半導體裝置具有絕緣問題（第8(：圖）。 在上述先前技術中，上述樹脂先填滿上述較大部分， 如第9圖所示，上述樹脂7首先填滿成型模15中上述焊接線 5之下表面，為消除上述填充差異，上述樹脂7移動上述焊 接線4向上以移開上述焊接線4，在上述移動中，焊接線形 變，也就是發生不需要的焊接線移動。 在先刖技術中，具有上述較薄PKG之上述較小半導體 片的上表面和上述内部引線邊緣—島狀部之間之上述樹脂 填充的差異在於前者之樹脂填充較大。一空隙（裂縫和缺 口）很容易產生，上述因上述長焊接線造成之焊接線變形 則很容易發生。 在先前技術中，因為上述較薄PKG，上述晶片和上述 晶片-島狀部之間的填充差異很容易產生，因為這樣，上 述接線形變更容易發生。 日本專利公開公報編號He i i〇-34〇976(此後稱為第一 已知技術）揭露一技術，在鄰近引導框架的閘門處有一控 制板，在上述框架側控制樹脂流量，因而減少裂縫/接線 變形/片移動。 曰本專利公開公報編號He i 5 - 1 5 2 5 0 1 (此後稱為第二
7061-5491-PF(Nl).ptd 第5頁 594954 五、發明說明（3) 已知技術）揭露一技術，使島狀部具有一凹陷部分，正對 表面的凹陷部分（排出部分），故在沒有減少上述排出 部分和島狀部部分間的空間之情況下輕易的填入樹脂。 如以上所述，在第7圖到第9圖所示之先前技術中，上 述半導體片上表面較上述内部引線邊緣—島狀部之間之上 述樹脂填充差異大。輕易的產生空隙和由上述長接線導致 的上述接線變形，因為上述較薄的PKG，容易在上述晶片 和上述晶片-島狀部之間的上述填充差異。 在上述第一已知技術中，甚至當上述PGK之上下部分 的上述填充差異減少了一些，仍不可能減少在上述片部分 和内部引線邊緣-島狀部之間以及上述接線之上下部分的 上述樹脂填充差異。 在上述第二已知技術中，僅改善在上述島狀部下側的 樹脂流’事實上在上述半導體片的上表面和上述内部引線 邊緣-島狀部之間的上述樹脂填充差異很大，並未解決上 述問題的產生。 [發明内容] 本發明之半導體裝置包括··一島狀部；一半導體片， 固定在上述島狀部上；複數内部引線，引伸至上述島狀 部；一樹脂，密封上述島狀部，半導體片和内部弓丨線；以 及樹脂流量控制板，設於上述内部引線的邊緣和上述島狀 部之間。 [實施方式] 現在，本發明的較佳實施例將參照附圖來詳細钦述。
7061-5491-PF(Nl).ptd 第6頁 594954 五、發明說明（4) Γ在明實施例之半導體裝置，上述半導體裝置固 緣部分由=ΐ:而上述半導體片的電極和内㈣線的邊 中虛C接’第㈣為平面圖而第1β圖為第1Α圖 和它們沾私之〇部分的放大平面圖，其他三個懸掛引線 和“門的周圍部分具有相同的結構。 掛引線 ^ 5ί ^ ^ ^ ^ ^ ^ 之第圖為平面圖，第2β圖為第2A圖中虛線所妒 之12〇部分的放大平面目，其他縣」变線所扣 圍部分具有相同的結構。個心掛引線和它們的周 定拍ΐ ΐ Ϊ圖示中’方形平面形狀島狀部1的方形部八田 鑲砍著由四懸掛引線3所支撐的半 °刀 1 〇〇的内部引線5向上述島 片2，引導框架 :圍數内部引線5陣列在上述島狀部的固广 數的上述内部引線5之邊緣 ΐϊ: 極部分都由焊接線連接，如久ΐ 前頭=，上述陣列焊接線亦圍繞著 ^迷幻線 在這個實施例中，如 馬狀邛1。 内部引線5最接近上述懸掛引線: = ::3曰的兩側’上述 引線，沒有連接到i;i二掛引最線i的内部引線5_ 上述内部引線5在上述引線形變：近亡述懸掛弓丨線3的 形變但不會造成短路電路。 守’表可能產生水平 在這個實施例中，上述 • l〇mm的引線寬，且以〇 Ή琛]的邊緣部分具有 °·20_的節距陣列，上述懸掛有引線 7061-5491-PF(Nl).ptd 594954 五、發明說明（5) 3和上述内部引線5之間的節距為〇1〇軸至〇2〇_。 上述由金製成的焊接線之I線半徑為28_，位於 上述+導體片表面0.20_高，並連接上述内部引缘接 分的邊緣部分和上述半導體片電極的環路中。 妾4 如第1圖和第2圖中所示’本發明之樹脂 (流量分流器)9位於上述内部引線5和上述島狀部之：板上 迷四個樹脂流量控制板9安置在上述島 並圍繞著上述島狀部。 運W封面， 每個上述樹脂流量控制板由一對第一支撐部分Μ支 在上述島狀部上，I由—對第二支#部 述懸掛引線3上。 又知任上迷上 上-r i述f ΐ流量控制板9包括形成部分上述引導框架的 上支撐部分’整合上述島狀部1，上述懸掛 ϋ、 Λ内部引線5和上述外部引線8形成（第6圖），舉 1 “況’稭著具有平板厚度為〇 ·丨5 mm的銅平板。 2上述樹脂流量控制板9和上述島狀部之間的間隔 1 =須為一空間以使樹脂流入上述上側和下側，在本實施 歹 在+上述島狀部1中的尺寸A為0· 3mm，最好是〇· lmm至 pq /ΤΙ這和位於上述樹脂流量控制板和上述懸掛引線之 間的間隔1 2相似。 1 2在上^島狀部方向中上述樹脂流量控制板9的尺寸Β為 二mm ’當上述樹脂流量控制板和上述内部引線之間的間 隔13平均值為◦時，b值最好為a + b + C的一半。 藉由第3圖，將描述形成於上述樹脂流量控制板（流量
594954
分流器）9的貫穿孔91 ’在第3A圖中，上述貫穿孔91為方形 如圖不一樣為長方形形狀’在第3B圖中，上述貫穿孔gi為 圓形如圖示一樣為橢圓形形狀。 ^ 在垂直於上述島狀部1的外側的方向上，上述貫穿孔 91具有尺寸Η和節距I，I/H不是如此重要而由上述尺寸b寬 而決定，如第1圖和第2圖所示，一貫穿孔在陣列靠近上述 懸掛插栓處改變Η。
上述貫穿孔9 1在平行於上述島狀部1外側的方向上具 有尺寸Ε和節距尺寸F，F/E是重要地，當ε太大，則失去'了 上述流量分流的效果，Ε的適合範圍為〇· lmm至〇· 7mm。在 本貫施例中’E為(K2mm°F的適合範圍為〇.1_至〇5_。 在部分陣列’一貫穿孔在靠近上述懸掛插栓處改變Η，上 述貝牙孔如其他部分的貫穿孔一樣，以相同的Ε和ρ值陣 列，如1圖和第2圖所示。 ^ 第4圖所示為一半導體片2固定在上述具有上述樹脂流 量控制板9的上述引導框架上，上述内部引線5的邊緣部分 和上述半導體片的電極由上述焊接線4所連接，而具有黏 性為lOPaos的上述環氧基樹脂流入封膠。 在本發明中’上述樹脂流量控制板位於上述内部引線
緣_和上述島狀部之間，上述樹脂首先以扇形填入這個部 (弟5 A @ ) 在上述樹脂填充硬化之後’沒有發生如龜裂 和溝的空隙。 、/如第5圖所示，為第4A圖中D-D的放大剖面圖，在上述 成幵7模1 5中’上述樹脂流量控制板（流量分流器）g存在在
594954 五、發明說明（7) 上述¥接線4較低方向上，上述焊接線上側方向和下側方 向的樹脂填充差異較小，上述焊接線上側方向和下側方向 的樹脂移動小以避免上述接線形變。 第6圖所示為由第1圖至第5圖所得到之半導體裝置， 由銅合金製成平板厚度0· 15mm的上述引導框架1〇〇具有上 述内部引線5，上述島狀部1，上述外部引線8以及上述樹 脂流量控制板9。上述半導體片2的電極6安置固定於上述 島狀部1上，而上述内部引線5的邊緣部分由上述焊接線4 ，接，引導上述外部引線8。上述形式密封樹脂7密封，接 著切除並移除上述引導框架不需要的部分，故得到 實施例之半導體裝置。 x 旦八ΐ:、'所示，根據本發明，上述樹脂流量控制板（流 里刀&益）在上述引導框架狀態中，控制上述内部引 狀部間的上述樹脂填充，上述半導體片和上述 c島狀部之間的樹腊襄名羞異可里滅少，減少上 述岔封樹脂中不利的空隙。 ^述樹脂流量控制板的存在可以減少上 :向和下側方向的樹脂填充差異較小，減少不利的妾 雖然本發明已以較佳實施例揭露如 限定本發明，任何熟習此ϋ、並非用以 神和範圍内，當可作更動與潤飾， 月之償 當親馇糾夕由▲主击d M u此本發明之保護範圍 田視後附之申睛專利範圍所界定者為準。
594954 圖式簡單說明 弟1圖係本發明貫施例之半導體裝置在半導體片固定 在引導框木上’且上述半導體片的電極和内部引線的邊緣 部分由焊接線連接的狀態下，第1 A圖為為平面圖，第丨B圖 為第1A圖中110部分之放大圖。 第2圖係本發明實施例之引導框架之内部引線和它們 的周圍部分，第2A圖為平面圖，第2B圖為第2A圖中120部 分之放大平面圖。 第3圖係本發明實施例之樹脂流量控制板（流量分流 器）之平面圖，第3A圖為顯示貫穿孔為方形，第3B圖顯示 貫穿孔為圓形。 第4 A - 4 C圖係為本發明實施例之連續的樹脂流的平面 圖 第5圖係為第4 A圖中D - D的剖面放大圖。 第6圖係為本發明實施例之半導體裝置之概要側視 圖 第7圖係先前技術之半導體裝置，半導體片固定在引 導框架上而上述半導體片電極和内部引線的邊緣部分由焊 接線連接，第7A圖為平面圖，第7B圖為第7A圖中210部分 之放大平面圖。 第8 A-8C圖係為先前技術中連續的樹脂流的平面圖。 第9圖係第8 A圖中E - E部分的剖面放大圖。 [符號說明] 1〜島狀部，
7061-5491-PF(Nl).ptd 第11頁 594954 圖式簡單說明 2〜半導體片， 3〜懸掛引線， 4〜焊接線， 5〜内部引線， 6〜電極， 7〜樹脂’ 8〜夕卜部引線， 9〜樹脂流量控制板（流量分流器）， 1 1〜樹脂流量控制板9和島狀部1之間的間隔， 1 2〜樹脂流量控制板9和懸掛引線3之間的間隔， 1 3〜樹脂流量控制板9和内部引線5之間的間隔， 1 5〜成型模， 2 Ο A〜氣泡， 20B〜空隙（氣泡）， 9 1〜貫穿孔， 9 2〜第一支撐部分， 9 3〜第二支撐部分， 1 0 0〜弓I導框架， 11 0〜第1 A圖之局部放大部分， 120〜第2A圖之局部放大部分， 2 0 0〜引導框架， 210〜第7A圖之局部放大部分， A〜〜樹脂流量控制板9和島狀部1之間的間隔11的尺 寸，
7061-5491-PF(Nl).ptd 第12頁 594954 圖式簡單說明 B〜樹脂流量控制板9的尺寸， C〜樹脂流量控制板和内部引線之間的間隔1 3平均值， E〜在平行於上述島狀部1外側的方向上貫穿孔9 1的尺 寸 F〜在平行於上述島狀部1外側的方向上貫穿孔9 1的節 距 Η〜垂直島狀部1外側方向之貫穿孔9 1的尺寸， I〜垂直島狀部1外側方向之貫穿孔9 1的節距。
7061-5491-PF(Nl).ptd 第13頁

Claims (1)

  1. 594954
    六、申請專利範圍 1 · 一種半導體裝置，包栝： 一島狀部； 一半導體片，固定在上述島狀部上； 複數内部引線，延伸到上述島狀部； 一樹脂，密封上述島狀部，半導體片和内部引線；以 樹脂流量控制板，位於上述内部引線邊緣和上述島狀 部之間。
    2 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中上 述島狀部由懸掛引線支撐，而上述樹脂流量控制板由上述 島狀部和上述懸掛引線支撐。 3·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中上 述樹脂流量控制板圍繞著上述島狀部。 4·如申請專利範圍第1項所述之半導體裂置，其中上 述島狀部為一方形，而上述島狀部的四的角由上述懸掛引 線所支撐。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之半導體裝置，其中上 述樹脂流量控制板由上述島狀部和上述懸掛弓丨線支撐且形 成在上述島狀部外側周圍對面。 6·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中上 f 述樹脂流量控制板的形狀具有許多貫穿孔陣列。 7·如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置，其中上 述貫穿孔為方形，而上述樹脂流f控制板為袼子形狀。 8·如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置，其中上
    594954
    六、申請專利範圍 述貫穿孔為圓形。 9·如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中速 接上述内部引線邊緣部分和上述半導體片電極之間的焊接 線延伸在上述樹脂流量控制板上。 10· —種半導體裝置，包括： 一島狀部； 複數内部引線，延伸到上述島狀部；以及 樹脂流量控制板，位於上述内部引線邊緣和上述島狀 部之間。
    1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體裝置’其中 上述島狀部由懸掛引線支撑，而上述樹脂流量控制板由上 述島狀部和上述懸掛引線支撐，而上述島狀部，上述懸掛 引線和上述懸掛引線支撐整合形成。 12·如申請專利範圍第1〇項所述之半導體裝置，其中 上述樹脂流量控制板圍繞著上述島狀部。
    1 3 ·如申請專利範圍第丨2項所述之半導體裝置，其中 上述島狀部為一方形，而上述島狀部的四的角由上述懸掛 引線所支撐’上述樹脂流量控制板由上述島狀部和上述懸 掛引線支撐，且上述島狀部，懸掛引線以及樹脂流量控制 板整合形成。 1 4.如申請專利範圍第1 3項所述之半導體裝置，其中 上述樹脂流量控制板形成在上述島狀部外側周圍對面。 1 5 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之半導體裝置，其中 上述樹脂流量控制板的形狀具有許多貫穿孔陣列。
    7061-5491>PF(Nl).ptd 第15頁 594954 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之半導體裝置，其中 上述貫穿孔為方形，而上述樹脂流量控制板為格子形狀< 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之半導體裝置，其中 上述貫穿孔為圓形。 ❿
    7061-5491-PF(Nl).ptd 第16頁
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