JP6331879B2 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子素子をモールド部材で封止してなる電子装置、および、そのような電子装置の製造方法に関する。

従来のこの種の電子装置としては、半導体チップ等の電子素子と、この電子素子を封止するモールド部材とを備えたものが一般的である。このようなモールド部材は、一般に、エポキシ樹脂等の樹脂と、当該樹脂の内部に分布され当該樹脂よりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラーとよりなる。ここで、フィラーは、放熱性の向上や線膨張係数の調整等の目的で含有される充填剤として機能するものである。

このような電子装置は、トランスファー成形やコンプレッション成形等により電子素子をモールド部材で封止することにより製造される。そして、この電子装置においては、電子素子にて発生する熱は、モールド部材の表面から装置の外部へ放熱されるようになっている。

ここで、従来では、モールド部材の成形工程において、金型の内面を凹凸にすることにより、モールド部材の表面の樹脂を凹凸形状とすることで、表面積を増加させ、放熱性の向上を図ったものが提案されている（特許文献１参照）。

特許第４６８３０５９号公報

しかしながら、上記したように金型によりモールド部材表面に凹凸を形成するものでは、凹凸形状とされた樹脂の角部に応力集中が発生し、モールド部材にクラックが発生しやすいという懸念がある。また、金型の内面に凹凸があると、モールド部材の成形時の金型内における樹脂の流動性への影響が懸念される。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子素子をモールド部材で封止してなる電子装置において、モールド部材におけるクラック発生の抑制と放熱性向上との両立を図ることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、この種のモールド部材において樹脂に含有されるフィラー自身で凹凸を形成することに着目してなされたものである。

すなわち、請求項１に記載の発明においては、電子素子（１０）と、樹脂（３０ａ）と樹脂の内部に分布され樹脂よりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラー（３０ｂ）とよりなり、電子素子を封止するモールド部材（３０）と、を備える電子装置であって、モールド部材の表面の少なくとも一部の領域は、フィラーが露出することにより、当該露出するフィラーの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面（３３）とされており、凹凸面とされるモールド部材の表面の少なくとも一部の領域は、モールド部材内部の電子素子をモールド部材の表面に対して当該表面の法線方向に投影した領域であることを特徴としている。

それによれば、凹凸面とすることでモールド部材の表面積が大きくなるとともに、樹脂よりも熱伝導率の大きいフィラーが露出することで、放熱効率の向上が可能となる。また、凹凸面における凹凸のサイズをフィラーサイズ以下の小さいレベルとすることで、凹凸に発生する応力集中を極力小さいものにできる。よって、本発明によれば、モールド部材におけるクラック発生の抑制と放熱性向上との両立を図ることができる。

請求項６に記載の発明では、電子素子（１０）と、樹脂（３０ａ）と樹脂の内部に分布され樹脂よりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラー（３０ｂ）とよりなり、電子素子を封止するモールド部材（３０）と、を備える電子装置の製造方法であって、以下のような工程を備えることを特徴としている。

すなわち、請求項６の製造方法においては、無機物よりなるフィラーを含有するモールド部材により電子素子を封止する封止工程と、しかる後、モールド部材の表面の少なくとも一部の領域に、レーザを照射して、フィラーは残しつつ樹脂のみを除去してフィラーを露出させることにより、当該少なくとも一部の領域を、当該露出するフィラーの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面（３３）とするレーザ工程と、を備え、レーザ工程においては、モールド部材の表面のうち少なくともモールド部材内部の電子素子をモールド部材の表面に対して当該表面の法線方向に投影した領域を凹凸面とすることを特徴としている。

それによれば、請求項１〜５に記載の電子装置を適切に製造し得る電子装置の製造方法を提供することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（ａ）は、本発明の実施形態にかかる電子装置を示す概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ矢視概略平面図である。 図１に示される電子装置におけるモールド部材の表面近傍を拡大して示す概略断面図である。 図１に示される電子装置の製造方法における凹凸面を形成するレーザ工程を示す工程図である。 上記レーザ工程の詳細を示す工程図である。 （ａ）は、本発明の他の実施形態にかかる電子装置を示す概略平面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＢ矢視側面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

本発明の実施形態にかかる電子装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。この電子装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種装置の駆動や制御あるいは検出を行うものとして適用されるものである。

本実施形態の電子装置Ｓ１は、大きくは、電子素子１０と、この電子素子１０が搭載されている基板２０と、電子素子１０を封止するモールド部材３０と、を備えたものとされている。

電子素子１０は、シリコン半導体等の半導体より構成された半導体素子よりなるものである。ここで、半導体素子としては、特に、駆動時の発熱が大きい発熱素子、たとえばＭＯＳトランジスタやＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等のパワー素子などが挙げられる。

また、電子素子１０である半導体素子としては、圧力センサや流量センサ等に用いられる半導体センサチップ等であってもよい。このような半導体素子は、通常の半導体プロセス等により製造されるものである。

また、電子素子１０としては、セラミック等よりなるチップコンデンサや抵抗素子等、いわゆる受動素子などであってもよい。なお、図１では、電子素子１０は、ワイヤボンド実装される半導体素子として表されている。

基板２０は、表裏の板面の関係にある一面（図１（ａ）中の上面）２１と他面（図１（ａ）中の下面）２２とを有する板状部材である。図１の例では、基板２０は、電子素子１０よりも平面サイズの大きい矩形板状をなしている。この基板２０としては、たとえばプリント基板やセラミック基板、あるいはリードフレーム等が挙げられる。

ここで、基板２０は、一面２１を素子搭載面とするものである。電子素子１０は、この基板２０の一面２１上に搭載され、基板２０に固定されている。具体的には、電子素子１０は、はんだや銀ペースト、導電性接着剤等よりなる図示しないダイボンド材、あるいは、図示しないリードピン等を介して、基板２０に接続されている。

そして、図１（ａ）に示される例では、電子素子１０と基板２０とは、ボンディングワイヤ４０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ４０は、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等よりなる。ボンディングワイヤ４０の形成は、ボールボンディングやウェッジボンディング等の典型的なワイヤボンディング法により行われる。

なお、図示しないが、基板２０の一面２１のうちボンディングワイヤ４０が接続される部位には、ＡｌやＣｕ等よりなる図示しないボンディングパッドが形成されている。これにより、電子素子１０と基板２０とは、ボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続されている。

また、基板２０の他面２２には、装置外部との接続を行う外部端子としての突起電極５０が設けられている。この突起電極５０は、たとえばＡｕ、Ｃｕあるいは、はんだ等よりなるバンプなどにより構成されている。

そして、基板２０の他面２２側には、装置の外部の部材としてプリント基板等の図示しないマザー基板が設けられるようになっており、電子装置Ｓ１は突起電極５０を介して当該マザー基板に電気的および機械的に接続されるようになっている。これにより、電子素子１０と装置外部の上記マザー基板とは、電気的な信号のやり取りが可能となる。

モールド部材３０は、この種の電子装置における通常用いられる材料、あるいは、用いることが可能な材料よりなるものである。すなわち、図２に示されるように、モールド部材３０は、樹脂３０ａと、樹脂３０ａの内部に分布され樹脂３０ａよりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラー３０ｂとよりなるものである。ここで、樹脂３０ａとしては、典型的には、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が挙げられる。

このようなモールド部材３０は、通常の樹脂成形手法により形成される。たとえば、モールド部材３０は、トランスファー成形、コンプレッション成形等の金型成形や、ポッティング等の樹脂成形手法により形成されている。

このモールド部材３０は、基板２０の一面２１上に形成されており、電子素子１０、ボンディングワイヤ４０、および、基板２０の一面２１を封止している。一方、基板２０の他面２２および突起電極５０は、モールド部材３０で封止されずにモールド部材３０より露出している。

ここでは、図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、モールド部材３０は、平面矩形の矩形板状をなしており、その平面サイズは、矩形板状の基板２０よりも一回り小さく、且つ、矩形板状の電子素子１０よりも一回り大きいものとされている。そして、モールド部材３０における基板２０側とは反対側の板面である上面３１、および、上面３１の外縁に位置する４個の側面３２が、モールド部材３０の表面とされている。

また、図２に示されるように、モールド部材３０は、電気絶縁性のフィラー３０ｂを含有するものであるが、このフィラー３０ｂは、モールド部材３０において放熱性の向上や線膨張係数の調整等の目的で、樹脂３０ａの内部に分布するように含有されたものである。言い換えれば、多数のフィラー３０ｂが樹脂３０ａの内部に分散して配置された形となっている。

フィラー３０ｂは、典型的には、シリカやアルミナ等の無機物などよりなるものであり、樹脂３０ａよりも熱伝導率の大きいものである。たとえば、樹脂３０ａは、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ．Ｋ程度であるエポキシ樹脂とされ、フィラー３０ｂは、熱伝導率が８Ｗ／ｍ．Ｋ程度のシリカとされる。

フィラー３０ｂは、粒状のものとして樹脂３０ａに含有されている。具体的なフィラー３０ｂの粒形状としては、破砕形状、球状、柱状等の各種形状が挙げられる。また、フィラー３０ｂは前記の各種形状が混在したものであってもよい。

ここで、フィラーの粒子径は、通常のモールド部材３０に使用されるものと同様である。限定するものではないが、典型的には、フィラー３０ｂの平均粒子径は１０μｍ以上３０μｍ程度であり、フィラー３０ｂの最大粒子径は２００μｍ以下である。

また、図１（ａ）に示されるモールド部材３０の厚さ（板厚）ｔ１は、フィラー３０ｂの最大粒子径の１０倍以上の大きさとされている。限定するものではないが、たとえばモールド部材３０の厚さｔ１は、数ｍｍ程度のものである。

また、樹脂３０ａに含有されるフィラー３０ｂの組成は、これも典型的なものであり、モールド部材３０全体を１００重量％として、たとえば２０重量％以上９０重量％以下程度のものである。

このように、本実施形態の電子装置Ｓ１は、いわゆるＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）タイプの構成を有するものとされている。そして、上述したように、電子装置Ｓ１は、突起電極５０を介して、基板２０の他面２２側にて図示しないマザー基板に搭載されるが、この搭載状態においては、基板２０の一面２１上では、モールド部材３０の表面が、装置の外部環境、たとえば大気等の外気にさらされる。そのため、電子素子１０に発生する熱は、モールド部材３０の表面から外気に放熱されるようになっている。

ここにおいて、モールド部材３０の表面の少なくとも一部の領域は、図２に示されるように、樹脂３０ａからフィラー３０ｂが露出することにより、当該露出するフィラー３０ｂの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面３３とされている。

本実施形態では、モールド部材３０のうち外気に面する表面（つまり外表面）の全領域が凹凸面３３とされている。つまり、矩形板状をなすモールド部材３０の上面３１および４個の側面３２の全領域が、凹凸面３３とされている。

具体的には、図２に示されるように、凹凸面３３は、モールド部材３０の表層の樹脂３０ａのみが除去され、当該除去された樹脂３０ａに埋まっていたフィラー３０ｂが露出した形とされている。そして、フィラー３０ｂの露出部分の形状が、そのまま凹凸面３３の凹凸形状とされている。

ここでは、凹凸面３３の全体でフィラー３０ｂが露出しているが、これに限定するものではない。たとえば、凹凸面３３の凹凸形状を構成するフィラー３０ｂの一部は露出するが、残部のフィラー３０ｂ上には薄い樹脂３０ａの被膜が存在し、この被膜が下地のフィラー形状を承継した形とされていてもよい。この場合も、凹凸面３３は、露出するフィラー３０ｂの外形に対応した凹凸形状をなすものといえる。

さらに言えば、フィラー３０ｂの粒子径および形状は、一粒毎のフィラー３０ｂで相違するため、このフィラー３０ｂの外形に対応する凹凸面３３の凹凸サイズすなわち凸部の突出高さｈ１も、図２に示されるように部分的に相違している。なお、この図２に示される凹凸形状については、本発明者が行った電子顕微鏡観察等により確認されている。

上述のように、凹凸面３３の凹凸形状は、フィラー３０ｂの外形に対応する形状、つまり、モールド部材３０の表面に位置するフィラー３０ｂにて構成される凹凸に倣った形状とされる。そのため、凹凸面３３にて、上記凸部の突出高さｈ１は、フィラー３０ｂの粒子径分布の範囲内で相違する、つまり最小粒子径と最大粒子径の間の大きさで相違するものとなる。

つまり、本実施形態では実質的に、凸部の突出高さｈ１は、フィラー３０ｂの最大粒子径以下のレベルとされる。モールド部材３０に用いられるフィラー３０ｂにおける最大粒子径は、典型的には、上述のように２００μｍ以下であることから、上記の突出高さｈ１も、最大で２００μｍ以下とされる。

次に、本実施形態の電子装置Ｓ１の製造方法について、図３〜図４を参照して述べる。本製造方法は、大きくは、電子素子１０をモールド部材３０で封止する封止工程と、モールド部材３０にレーザＬを照射することにより凹凸面３３を形成するレーザ工程と、を行うものである。

本実施形態の製造方法では、まず、基板２０に電子素子１０を搭載する搭載工程を行う。この工程は、具体的には、基板２０の一面２１上に、ダイマウント材等を介して電子素子１０を搭載し、電子素子１０と基板２０との間でワイヤボンディングを行うことによりなされる。

この搭載工程の後、電子素子１０および基板２０をモールド部材３０で封止する封止工程を行う。具体的に、この工程では、フィラー３０ｂとして上記したシリカやアルミナ等の無機物よりなるものを含有するモールド部材３０を用いる。そして、トランスファー成形やコンプレッション成形等により、基板２０の一面２１、ボンディングワイヤ４０とともに、電子素子１０の全体を、モールド部材３０で封止する。

この封止工程の後、図３、図４に示されるレーザ工程を行う。レーザ工程では、モールド部材３０の表面に、レーザＬを照射する。レーザＬは、図示しない光源（発振器）から発振され図示しない集光レンズを通過して、モールド部材３０の表面に照射される。

そして、レーザ工程では、このレーザＬの照射により、モールド部材３０の表面にてフィラー３０ｂは残しつつ樹脂３０ａのみを除去してフィラー３０ｂを露出させる。これにより、レーザＬが照射されたモールド部材３０の表面は、露出するフィラー３０ｂの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面３３とされる。

つまり、図４（ａ）に示されるように、レーザ照射前のモールド部材３０において、表面に最も近い位置にあるフィラー３０ｂは、これよりも表面側に位置する樹脂３０ａにより被覆されている。そして、図４（ｂ）に示されるように、レーザＬの照射後は、当該照射領域において、表面に最も近い位置にあるフィラー３０ｂを被覆している樹脂３０ａが、レーザＬにより除去されて、その下地のフィラー３０ｂが露出する。

このように樹脂３０ａのみを除去してフィラー３０ｂを露出させることは、樹脂３０ａとフィラー３０ｂとの材質の相違を考慮して、レーザＬの波長やパワーを調整することにより行える。このレーザＬの波長の詳細については、後述する。

また、本実施形態では、上述したように、モールド部材３０の表面の全領域が凹凸面３３とされているため、レーザ工程では、モールド部材３０の上面３１および４個の側面３２の全領域にレーザＬを照射する。

図３（ｂ）では、レーザＬのスポット領域を一点鎖線の円形にて示してあるが、たとえば、モールド部材３０の上面３１については、矢印Ｙ１に示されるように、レーザＬを走査させれば、上面３１の全領域に照射がなされる。

また、モールド部材３０の側面３２については、たとえば図３（ａ）の紙面左右方向からレーザＬの照射を行えばよい。これにより、モールド部材３０の表面の全領域にレーザＬの照射がなされ、当該表面の全領域にて凹凸面３３を形成することができる。

ここで、レーザ工程に用いられるレーザＬについて、より詳細に述べる。このレーザＬとしては、フィラー３０ｂは焼失せずに樹脂３０ａのみ焼失可能な波長およびパワーを有するものとする。さらに言うならば、レーザＬとしては、無機物であるフィラー３０ｂを反射もしくは透過し、樹脂３０ａに吸収しやすい波長域であるものを使用することが望ましい。

限定するものではないが、そのような波長域のものとしては、１．５μｍ以上５μｍ以下の波長、いわゆる中赤外波長を有するレーザＬが望ましい。このような中赤外波長レーザの光源（発振器）としては、たとえばＥｒＹＡＧ（エルビウムＹＡＧ、波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（ホルミウムＹＡＧ、波長：約１．５μｍ）等が挙げられる。

また、レーザＬの走査方法は、パルス照射でもよいし、レーザ光を連続波発振するＣＷレーザ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ ｌａｓｅｒ）でもよい。こうしてレーザ工程が完了すると、本実施形態の電子装置Ｓ１ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、モールド部材３０の表面を凹凸面３３とすることにより、モールド部材３０の表面積が大きくなるから、放熱性の向上が図れる。また、この凹凸面３３では、樹脂３０ａよりも熱伝導率の大きいフィラー３０ｂが露出するため、放熱効率の向上が可能となる。通常、フィラー３０ｂの熱伝導率は、上記したように樹脂３０ａよりも一桁以上大きいため、効果的である。

また、本実施形態では、凹凸面３３における凹凸形状は、もともとモールド部材３０内に分布しているフィラー３０ｂの外形に対応したものである。そのため当該凹凸のサイズは実質的にフィラーサイズ以下の小さいレベルとされるから、凹凸面３３に発生する応力集中を極力小さいものにできる。

よって、本実施形態によれば、モールド部材３０におけるクラック発生の抑制と放熱性向上との両立を図ることができる。なお、本発明者の検討によれば、本実施形態のモールド部材３０においては、クラックの発生が抑制され、モールド部材３０における吸水性の増加等の不具合もみられなかった。

そして、本実施形態に示した上記製造方法によれば、フィラーサイズ以下の微小な凹凸を有する凹凸面３３を、金型等を用いることなく、レーザＬを用いて適切に形成することができる。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、モールド部材３０の表面の全領域が凹凸面３３とされていたが、モールド部材３０の表面の一部の領域のみが凹凸面３３とされていてもよい。このような構成は、当該一部の領域のみに対して、上記したレーザＬの照射を選択的に行うようにすればよい。

たとえば、上記のモールド部材３０において、上面３１のみを凹凸面３３とし、４個の側面３２は凹凸面３３としない構成でもよい。つまり、モールド部材３０における上面３１および側面３２の５個の表面のうち、いずれか１個以上を凹凸面３３としない構成であってもよい。

さらには、モールド部材３０における上面３１および側面３２の各面において一部の領域のみを凹凸面とする構成であってもよい。この場合、電子素子１０の放熱性の観点から言えば、モールド部材３０の表面のうち電子素子１０からの伝熱量が比較的大きくなる部位を、優先的に凹凸面３３とすることが望ましい。

具体的には、図５に示されるように、モールド部材３０の表面の一部の領域のみを凹凸面３３とする場合において、望ましい一部の領域Ｒ１とは、モールド部材３０内部の電子素子１０をモールド部材３０の表面に対して当該表面の法線方向に投影した領域のことである。

つまり、モールド部材３０の表面のうちの凹凸面３３とされる望ましい一部の領域Ｒ１は、当該表面の法線方向にて、電子素子１０と重なっている領域のことである。ここで、図５中において、この一部の領域Ｒ１については識別のために、便宜上、点ハッチングを施してある。

図５（ａ）では、モールド部材３０の上面３１における一部の領域Ｒ１は、電子素子１０の上視平面形状（ここでは矩形）に一致する領域とされている。また、図５（ｂ）では、モールド部材３０の側面３２における一部の領域Ｒ１は、電子素子１０の側面形状（ここでは矩形）に一致する領域とされている。

なお、図５（ｂ）では、モールド部材３０の１個の側面３２について一部の領域Ｒ１を示しているが、図１に示される電子素子１０およびモールド部材３０の形状を鑑みれば、他の３個の側面３２における一部の領域Ｒ１も、図５（ｂ）と同様であることはもちろんである。そして、レーザＬをこの一部の領域Ｒ１に選択的に照射することで、一部の領域Ｒ１のみを凹凸面３３とすることができる。

また、モールド部材３０の形状は、上記したような矩形板状に限定されるものではないことはもちろんである。また、モールド部材３０の表面とは、装置の外部に面して放熱を行う放熱面であればよく、外気以外にも、たとえば流体や放熱グリス等に接触するものであってもかまわない。そして、このようなモールド部材３０の表面に凹凸面３３が形成されていればよい。

また、上記実施形態に示した電子装置Ｓ１は、ＢＧＡタイプのものであったが、電子装置としては、電子素子１０がモールド部材３０で封止された構成を有するものであれば、特に限定されるものではない。たとえば、リードフレームを外部端子とするＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード・パッケージ）等などのモールドパッケージであってもよい。

さらには、電子装置としては、電子素子１０の全体がモールド部材３０で封止されたものでなくてもよく、電子素子１０の一部がモールド部材３０で封止され、電子素子１０の残部はモールド部材３０より露出する封止形態であってもよい。このような一部封止タイプの電子装置としては、たとえば、圧力センサや流量センサ等の場合に、電子素子１０としてのセンサチップの一部をモールド部材３０で封止してセンサチップをモールド部材３０で片持ち支持する構成のものが挙げられる。

また、モールド部材３０の表面を凹凸面３３とする方法については、上記したような樹脂３０ａと無機物よりなるフィラー３０ｂとのレーザに対する選択性を利用したレーザ工程に限定されるものではない。たとえば樹脂３０ａのみ選択的に除去可能な化学的手法あるいは物理的手法を用いてもよい。また、この場合、樹脂３０ａのみ選択的に除去できるならば、フィラー３０ｂの材質については無機物に限定しなくてもよい。

また、モールド部材３０に封止される電子素子１０は、複数個でもよい。なお、複数個の電子素子１０としては、半導体素子のみで複数個とされたものでもよいし、混在する半導体素子と受動素子とを合わせて複数個としたものでもよいし、受動素子のみで複数個とされたものでもよい。

また、基板２０への電子素子１０の実装形態としては、上記したワイヤボンド実装に限定されるものではなく、たとえばフリップチップ実装や、スルーホール実装等などであってもかまわない。また、電子装置としては、電子素子１０がモールド部材３０で封止された構成を有していればよく、可能ならば基板２０が省略された構成であってもよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１０ 電子素子
３０ モールド部材
３０ａ 樹脂
３０ｂ フィラー
３３ 凹凸面

Claims (9)

1. 電子素子（１０）と、
   樹脂（３０ａ）と前記樹脂の内部に分布され前記樹脂よりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラー（３０ｂ）とよりなり、前記電子素子を封止するモールド部材（３０）と、を備える電子装置であって、
   前記モールド部材の表面の少なくとも一部の領域は、前記フィラーが露出することにより、当該露出するフィラーの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面（３３）とされており、
   前記凹凸面とされる前記モールド部材の表面の少なくとも一部の領域は、前記モールド部材内部の前記電子素子を前記モールド部材の表面に対して当該表面の法線方向に投影した領域であることを特徴とする電子装置。
2. 前記モールド部材の表面のうち前記電子素子とは反対側の板面である上面（３１）の全域が前記凹凸面とされている請求項１に記載の電子装置。
3. 前記モールド部材の表面のうち前記上面の外縁に位置する側面（３２）の全域が前記凹凸面とされている請求項１または２に記載の電子装置。
4. 前記凹凸面における凸部の突出高さは、前記フィラーの最大粒子径以下のレベルとされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
5. 前記フィラーの最大粒子径は２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。
6. 電子素子（１０）と、
   樹脂（３０ａ）と前記樹脂の内部に分布され前記樹脂よりも熱伝導率の大きい絶縁性のフィラー（３０ｂ）とよりなり、前記電子素子を封止するモールド部材（３０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
   無機物よりなる前記フィラーを含有する前記モールド部材により前記電子素子を封止する封止工程と、
   しかる後、前記モールド部材の表面の少なくとも一部の領域に、レーザを照射して、前記フィラーは残しつつ前記樹脂のみを除去して前記フィラーを露出させることにより、当該少なくとも一部の領域を、当該露出するフィラーの外形に対応した凹凸形状をなす凹凸面（３３）とするレーザ工程と、を備え、
   前記レーザ工程においては、前記モールド部材の表面のうち少なくとも前記モールド部材内部の前記電子素子を前記モールド部材の表面に対して当該表面の法線方向に投影した領域を前記凹凸面とすることを特徴とする電子装置の製造方法。
7. 前記レーザ工程においては、前記モールド部材の表面のうち前記電子素子とは反対側の板面である上面（３１）の全域を前記凹凸面とすることを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
8. 前記レーザ工程においては、前記モールド部材の表面のうち前記上面の外縁に位置する側面（３２）の全域を前記凹凸面とすることを特徴とする請求項６または７に記載の電子装置の製造方法。
9. 前記レーザは、１．５μｍ以上５μｍ以下の波長を有するものであることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。

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