JPH05152501A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05152501A JPH05152501A JP3314224A JP31422491A JPH05152501A JP H05152501 A JPH05152501 A JP H05152501A JP 3314224 A JP3314224 A JP 3314224A JP 31422491 A JP31422491 A JP 31422491A JP H05152501 A JPH05152501 A JP H05152501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- island
- package
- semiconductor device
- ejector pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッケージにボイドが発生するのを防止し、
確実な樹脂封止が行える半導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子１０３を固着したリードフレーム
１０１のアイランド１０２には、樹脂パッケージ１０７
の外面に形成されるエジェクタピンの先端部跡（凹部）
１０８に対応する位置に凹部（凹状部）１０９が形成さ
れて構成され、成形時に樹脂が流れる部分に狭間隔部分
がなくなり、封止樹脂が円滑に流れことになり、パッケ
ージ外面に凹部が形成されるエジェクタピンの先端部跡
１０８の部分においてもボイドが発生することがなく、
確実な樹脂封止が行える。
確実な樹脂封止が行える半導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子１０３を固着したリードフレーム
１０１のアイランド１０２には、樹脂パッケージ１０７
の外面に形成されるエジェクタピンの先端部跡（凹部）
１０８に対応する位置に凹部（凹状部）１０９が形成さ
れて構成され、成形時に樹脂が流れる部分に狭間隔部分
がなくなり、封止樹脂が円滑に流れことになり、パッケ
ージ外面に凹部が形成されるエジェクタピンの先端部跡
１０８の部分においてもボイドが発生することがなく、
確実な樹脂封止が行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止された半導体
装置に関し、特に薄型のものに好適な半導体装置に関す
る。
装置に関し、特に薄型のものに好適な半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、半導体装置にはリードフレ
ームのアイランドに半導体素子を固着し、熱硬化性樹脂
で封止したものがある。この樹脂封止された半導体装置
は、例えば回路基板に表面実装するに際し、リードを所
定の回路部位に固着し、樹脂パッケージの外表面を回路
基板の表面に当接するようにして行われる。
ームのアイランドに半導体素子を固着し、熱硬化性樹脂
で封止したものがある。この樹脂封止された半導体装置
は、例えば回路基板に表面実装するに際し、リードを所
定の回路部位に固着し、樹脂パッケージの外表面を回路
基板の表面に当接するようにして行われる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止された薄型の半導体
装置の１例について図４を参照して説明する。図４は部
分断面図で、図において半導体装置１は、金属材料でな
るアイランド２の表面に半導体素子３をろう着し、半導
体素子３の端子とリード４の内端部とを金属細線５で電
気的に接続し、さらにリード４の外端部側を外部に延出
させるようにして熱硬化性樹脂により樹脂パッケージ６
を形成し、延出したリード４の外端部を所定形状に成形
加工して構成されている。
装置の１例について図４を参照して説明する。図４は部
分断面図で、図において半導体装置１は、金属材料でな
るアイランド２の表面に半導体素子３をろう着し、半導
体素子３の端子とリード４の内端部とを金属細線５で電
気的に接続し、さらにリード４の外端部側を外部に延出
させるようにして熱硬化性樹脂により樹脂パッケージ６
を形成し、延出したリード４の外端部を所定形状に成形
加工して構成されている。
【０００４】また、回路基板に実装する際に当接する樹
脂パッケージ６の図における下側の面には、樹脂成形の
離型時に使用されるエジェクタピンの先端部跡７が残さ
れ、このエジェクタピンの先端部跡７には種々の識別あ
るいは分類するための文字や記号などが浮き出るよう
に、例えば３０μｍ程度の高さを持った凸状に形成され
ている。
脂パッケージ６の図における下側の面には、樹脂成形の
離型時に使用されるエジェクタピンの先端部跡７が残さ
れ、このエジェクタピンの先端部跡７には種々の識別あ
るいは分類するための文字や記号などが浮き出るよう
に、例えば３０μｍ程度の高さを持った凸状に形成され
ている。
【０００５】そして、外形形状の規格上、あるいは半導
体装置１を回路基板に実装する際樹脂パッケージ６の下
面を当接させた時に、エジェクタピンの先端部跡や凸状
に形成された文字や記号などが樹脂パッケージ６の下面
から突出していると、リード４を所定の回路部位に確実
にろう着できないなどの点から、樹脂パッケージ６の下
面が平坦な面を形成するようになっていなければならな
い等の状況にあり、エジェクタピンの先端部跡７は凹状
に形成されていなければならない。なお、エジェクタピ
ンの先端部跡７の底部には文字や記号などが凸状に形成
されているので、その深さは３０〜７０μｍの凹部とし
て形成されていなければならない。
体装置１を回路基板に実装する際樹脂パッケージ６の下
面を当接させた時に、エジェクタピンの先端部跡や凸状
に形成された文字や記号などが樹脂パッケージ６の下面
から突出していると、リード４を所定の回路部位に確実
にろう着できないなどの点から、樹脂パッケージ６の下
面が平坦な面を形成するようになっていなければならな
い等の状況にあり、エジェクタピンの先端部跡７は凹状
に形成されていなければならない。なお、エジェクタピ
ンの先端部跡７の底部には文字や記号などが凸状に形成
されているので、その深さは３０〜７０μｍの凹部とし
て形成されていなければならない。
【０００６】しかしながら上記の従来技術においては、
例えば樹脂パッケージ６の全体の厚さが１ｍｍ程度であ
る場合には、樹脂パッケージ６の下面とアイランド２と
の間の間隔は２２０μｍ程度で、また樹脂パッケージ６
の外面に凹部として形成されたエジェクタピンの先端部
跡７の底部とアイランド２との間の間隔は１５０〜１９
０μｍ程度と狭い間隔寸法になっている。このため成形
型ではエジェクタピンが型の内方に突出する形になり、
樹脂封止を行う際には、間隔の狭くなったエジェクタピ
ンの先端とアイランド２との間では封止する樹脂が流れ
難く、この狭間隔部分にボイドが発生する虞がある。ボ
イドが発生すると間隔寸法が狭いため、ボイドが非常に
薄く壊れやすい樹脂膜で形成されて残ったり、貫通した
ものになり易く、外観上不具合であり、識別あるいは分
類するための文字や記号などが確実に示されないと共に
封止が十分でないために水分や環境のガスなどが半導体
装置１の内部に侵入する虞がある。
例えば樹脂パッケージ６の全体の厚さが１ｍｍ程度であ
る場合には、樹脂パッケージ６の下面とアイランド２と
の間の間隔は２２０μｍ程度で、また樹脂パッケージ６
の外面に凹部として形成されたエジェクタピンの先端部
跡７の底部とアイランド２との間の間隔は１５０〜１９
０μｍ程度と狭い間隔寸法になっている。このため成形
型ではエジェクタピンが型の内方に突出する形になり、
樹脂封止を行う際には、間隔の狭くなったエジェクタピ
ンの先端とアイランド２との間では封止する樹脂が流れ
難く、この狭間隔部分にボイドが発生する虞がある。ボ
イドが発生すると間隔寸法が狭いため、ボイドが非常に
薄く壊れやすい樹脂膜で形成されて残ったり、貫通した
ものになり易く、外観上不具合であり、識別あるいは分
類するための文字や記号などが確実に示されないと共に
封止が十分でないために水分や環境のガスなどが半導体
装置１の内部に侵入する虞がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなエジェク
タピンの先端部跡が外面に凹状に形成されるパッケージ
の部分に成形時にボイドが発生する状況に鑑みて本発明
はなされたもので、その目的とするところはパッケージ
の外面に凹部が形成される場合においても封止する樹脂
が円滑に流れるようにし、パッケージの凹部の形成部分
にボイドが発生するのを防止し、確実な樹脂封止が行え
る半導体装置を提供することにある。
タピンの先端部跡が外面に凹状に形成されるパッケージ
の部分に成形時にボイドが発生する状況に鑑みて本発明
はなされたもので、その目的とするところはパッケージ
の外面に凹部が形成される場合においても封止する樹脂
が円滑に流れるようにし、パッケージの凹部の形成部分
にボイドが発生するのを防止し、確実な樹脂封止が行え
る半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
リードフレームに形成されたアイランドと、このアイラ
ンドに固着した半導体素子と、この半導体素子を前記ア
イランドと共に成形型による成形によって樹脂封止する
パッケージとを備える半導体装置において、アイランド
には、パッケージの外面に形成される凹部に対応する位
置に凹状部が形成されていることを特徴とするものであ
って、またアイランドに形成された凹状部が、パッケー
ジの外面の凹部より大なる開口寸法を有する凹部である
ことを特徴とするものであり、さらにまたアイランドに
形成された凹状部が、パッケージの外面の凹部より大き
い貫通孔で形成されたものであることを特徴とするもの
である。
リードフレームに形成されたアイランドと、このアイラ
ンドに固着した半導体素子と、この半導体素子を前記ア
イランドと共に成形型による成形によって樹脂封止する
パッケージとを備える半導体装置において、アイランド
には、パッケージの外面に形成される凹部に対応する位
置に凹状部が形成されていることを特徴とするものであ
って、またアイランドに形成された凹状部が、パッケー
ジの外面の凹部より大なる開口寸法を有する凹部である
ことを特徴とするものであり、さらにまたアイランドに
形成された凹状部が、パッケージの外面の凹部より大き
い貫通孔で形成されたものであることを特徴とするもの
である。
【０００９】
【作用】上記のように構成された半導体装置は、半導体
素子を固着したアイランドが、パッケージ外面の凹部に
対応する位置に凹部あるいは貫通孔でなる凹状部を設け
ている構成であるため、狭間隔部分がなくなり、成形時
に封止樹脂が円滑に流れことになり、パッケージ外面に
凹部が形成される部分においてもボイドが発生すること
がなく、確実な樹脂封止が行える。
素子を固着したアイランドが、パッケージ外面の凹部に
対応する位置に凹部あるいは貫通孔でなる凹状部を設け
ている構成であるため、狭間隔部分がなくなり、成形時
に封止樹脂が円滑に流れことになり、パッケージ外面に
凹部が形成される部分においてもボイドが発生すること
がなく、確実な樹脂封止が行える。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１１】先ず、第１の実施例を図１及び図２により
説明する。図１は部分断面図であり、図２は平面図であ
る。図において薄型の樹脂封止された半導体装置１００
は、厚さが１５０μｍの金属材料でなるリードフレーム
１０１のアイランド１０２の図における上側表面に、半
導体素子１０３を半田あるいは銀ペーストのろう材１０
４によって固着して形成されている。また半導体素子１
０３の端子とリードフレーム１０１のリード１０５の内
端部とは金属細線１０６によって電気的に接続されてい
る。さらにリード１０５の外端部側を外部に延出させる
ようにして、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により厚さ
約１ｍｍの樹脂パッケージ１０７を成形型によって成形
することで半導体素子１０３を樹脂封止し、延出したリ
ード１０５の外端部を所定のガルウイング状に成形加工
して構成されている。
説明する。図１は部分断面図であり、図２は平面図であ
る。図において薄型の樹脂封止された半導体装置１００
は、厚さが１５０μｍの金属材料でなるリードフレーム
１０１のアイランド１０２の図における上側表面に、半
導体素子１０３を半田あるいは銀ペーストのろう材１０
４によって固着して形成されている。また半導体素子１
０３の端子とリードフレーム１０１のリード１０５の内
端部とは金属細線１０６によって電気的に接続されてい
る。さらにリード１０５の外端部側を外部に延出させる
ようにして、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により厚さ
約１ｍｍの樹脂パッケージ１０７を成形型によって成形
することで半導体素子１０３を樹脂封止し、延出したリ
ード１０５の外端部を所定のガルウイング状に成形加工
して構成されている。
【００１２】この構成では、アイランド１０２の下面部
分での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２０μｍ程
度となっており、また樹脂パッケージ１０７の下面に
は、成形型による樹脂封止成形を行い、離型する時に使
用するエジェクタピンの先端部跡１０８が３０〜７０μ
ｍの深さの凹部として形成され、その先端部跡１０８の
底部には、図示しないが成形型番あるいは製造元の略号
などが、３０μｍ程度の高さの凸状で記されている。
分での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２０μｍ程
度となっており、また樹脂パッケージ１０７の下面に
は、成形型による樹脂封止成形を行い、離型する時に使
用するエジェクタピンの先端部跡１０８が３０〜７０μ
ｍの深さの凹部として形成され、その先端部跡１０８の
底部には、図示しないが成形型番あるいは製造元の略号
などが、３０μｍ程度の高さの凸状で記されている。
【００１３】また、アイランド１０２の下側の面には、
エジェクタピンの直径よりも約１ｍｍ大きな直径を有
し、深さが０．０７５〜０．１ｍｍ程度の凹部１０９
が、成形時にエジェクタピンの先端部跡１０８が形成さ
れる位置に対応した位置に形成されている。これによっ
てエジェクタピンの先端部跡１０８の凹部の底部での樹
脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２５〜２９０μｍ程
度のものとなる。なお凹部１０９の形成は、例えばリー
ドフレーム１０１にアイランド１０２やリード１０５な
どをエッチング加工により形成する際に、別マスクを形
成するなどしてハーフエッチングを行うことによって形
成される。
エジェクタピンの直径よりも約１ｍｍ大きな直径を有
し、深さが０．０７５〜０．１ｍｍ程度の凹部１０９
が、成形時にエジェクタピンの先端部跡１０８が形成さ
れる位置に対応した位置に形成されている。これによっ
てエジェクタピンの先端部跡１０８の凹部の底部での樹
脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２５〜２９０μｍ程
度のものとなる。なお凹部１０９の形成は、例えばリー
ドフレーム１０１にアイランド１０２やリード１０５な
どをエッチング加工により形成する際に、別マスクを形
成するなどしてハーフエッチングを行うことによって形
成される。
【００１４】このように構成されているため、樹脂封止
を行う成形型の内方に突出したエジェクタピンに対して
アイランド１０２の下側の面には、エジェクタピンの突
出寸法より深く、エジェクタピンの直径よりも大きい直
径の凹部１０９が形成されており、成形型とアイランド
１０２との間には狭間隔部分がなくなる。そして樹脂封
止を行う際には、エジェクタピンの端部の周りにおいて
も封止する樹脂の流れる部分の断面積が大きいために、
封止する樹脂が成形型とアイランド１０２の間を円滑に
流れて成形が行われる。
を行う成形型の内方に突出したエジェクタピンに対して
アイランド１０２の下側の面には、エジェクタピンの突
出寸法より深く、エジェクタピンの直径よりも大きい直
径の凹部１０９が形成されており、成形型とアイランド
１０２との間には狭間隔部分がなくなる。そして樹脂封
止を行う際には、エジェクタピンの端部の周りにおいて
も封止する樹脂の流れる部分の断面積が大きいために、
封止する樹脂が成形型とアイランド１０２の間を円滑に
流れて成形が行われる。
【００１５】以上のように本実施例によれば、狭間隔部
分が形成されないためにエジェクタピンとアイランド１
０２の間においてもボイドが発生する虞がない。このた
め、従来ボイドが形成されることによって発生した外観
上の不具合及び識別あるいは分類するための文字や記号
などが確実に示されないことや、貫通ボイドが形成され
て封止が十分でなくなり水分や環境のガスなどが半導体
装置１００の内部に侵入する虞等がなくなる。
分が形成されないためにエジェクタピンとアイランド１
０２の間においてもボイドが発生する虞がない。このた
め、従来ボイドが形成されることによって発生した外観
上の不具合及び識別あるいは分類するための文字や記号
などが確実に示されないことや、貫通ボイドが形成され
て封止が十分でなくなり水分や環境のガスなどが半導体
装置１００の内部に侵入する虞等がなくなる。
【００１６】次に、第２の実施例を図３により説明す
る。図３は部分断面図であり、図において半導体装置１
１０は、リードフレーム１１１のアイランド１１２を除
いて第１の実施例と略同様に形成されており、アイラン
ド１１２の上側表面に半導体素子１０３をろう着し、熱
硬化性樹脂により厚さ約１ｍｍの樹脂パッケージ１０７
を成形することで封止して構成される。
る。図３は部分断面図であり、図において半導体装置１
１０は、リードフレーム１１１のアイランド１１２を除
いて第１の実施例と略同様に形成されており、アイラン
ド１１２の上側表面に半導体素子１０３をろう着し、熱
硬化性樹脂により厚さ約１ｍｍの樹脂パッケージ１０７
を成形することで封止して構成される。
【００１７】そして、厚さが１５０μｍの金属材料でな
るリードフレーム１１１のアイランド１１２には、エジ
ェクタピンの直径よりも約１ｍｍ大きな直径を有する貫
通孔１１３が、成形時にエジェクタピンの先端部跡１０
８が３０〜７０μｍの深さの凹部として形成される位置
に対応した位置に形成されている。貫通孔１１３の形成
は、例えばリードフレーム１１１にアイランド１１２や
リード１０５などをエッチング加工により形成する際
に、同時にエッチングを行うことによって形成される。
るリードフレーム１１１のアイランド１１２には、エジ
ェクタピンの直径よりも約１ｍｍ大きな直径を有する貫
通孔１１３が、成形時にエジェクタピンの先端部跡１０
８が３０〜７０μｍの深さの凹部として形成される位置
に対応した位置に形成されている。貫通孔１１３の形成
は、例えばリードフレーム１１１にアイランド１１２や
リード１０５などをエッチング加工により形成する際
に、同時にエッチングを行うことによって形成される。
【００１８】また、プレス打抜き法によりリードフレー
ムを加工する場合は、同時に貫通孔を形成してもよい。
ムを加工する場合は、同時に貫通孔を形成してもよい。
【００１９】これによってアイランド１１２の下面部分
での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２０μｍ程度
となり、エジェクタピンの先端部跡１０８の凹部の底部
での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは３００〜３４０
μｍ程度と厚いものとなる。
での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは２２０μｍ程度
となり、エジェクタピンの先端部跡１０８の凹部の底部
での樹脂パッケージ１０７の樹脂厚さは３００〜３４０
μｍ程度と厚いものとなる。
【００２０】このように構成されているため、樹脂封止
を行う成形型の内方に突出したエジェクタピンに対して
アイランド１１２の下側の面には、エジェクタピンの直
径よりも大きい直径の貫通孔１１３が形成され、成形型
とアイランド１１２との間には狭間隔部分がなくなる。
そして樹脂封止を行う際には、エジェクタピンの端部の
周りにおける封止する樹脂の流れる部分の断面積が大き
くなり、封止する樹脂が成形型とアイランド１１２の間
を円滑に流れて成形が行われる。
を行う成形型の内方に突出したエジェクタピンに対して
アイランド１１２の下側の面には、エジェクタピンの直
径よりも大きい直径の貫通孔１１３が形成され、成形型
とアイランド１１２との間には狭間隔部分がなくなる。
そして樹脂封止を行う際には、エジェクタピンの端部の
周りにおける封止する樹脂の流れる部分の断面積が大き
くなり、封止する樹脂が成形型とアイランド１１２の間
を円滑に流れて成形が行われる。
【００２１】以上のように本実施例においても、第１の
実施例と同様の作用及び効果が得られる。
実施例と同様の作用及び効果が得られる。
【００２２】尚、上記の実施例においては樹脂パッケー
ジ１０７の厚さが１ｍｍの半導体装置１００，１１０を
例示して説明したが、これに限定されるものではなく、
厚さが厚いものにおいても適用できるものであり、また
より薄いものに対してはより顕著な効果が得られもので
あって、本発明は、その他要旨を逸脱しない範囲内で適
宜変更して実施し得るものである。
ジ１０７の厚さが１ｍｍの半導体装置１００，１１０を
例示して説明したが、これに限定されるものではなく、
厚さが厚いものにおいても適用できるものであり、また
より薄いものに対してはより顕著な効果が得られもので
あって、本発明は、その他要旨を逸脱しない範囲内で適
宜変更して実施し得るものである。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、半導体素子を固着したアイランドを、パッケージ外
面の凹部に対応する位置に凹状部を設ける構成としたこ
とにより、成形時において封止する樹脂が円滑に流れ、
ボイドが発生する虞がなくなり、確実な樹脂封止が行え
る等の効果が得られる。
は、半導体素子を固着したアイランドを、パッケージ外
面の凹部に対応する位置に凹状部を設ける構成としたこ
とにより、成形時において封止する樹脂が円滑に流れ、
ボイドが発生する虞がなくなり、確実な樹脂封止が行え
る等の効果が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
【図２】図１に示す第１の実施例の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
【図４】従来例を示す部分断面図である。
１０１…リードフレーム １０２…アイランド １０３…半導体素子 １０７…樹脂パッケージ １０８…エジェクタピンの先端部跡（パッケージ外面の
凹部） １０９…凹部（アイランドの凹状部）
凹部） １０９…凹部（アイランドの凹状部）
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームに形成されたアイランド
と、このアイランドに固着した半導体素子と、この半導
体素子を前記アイランドと共に成形型による成形によっ
て樹脂封止するパッケージとを備える半導体装置におい
て、前記アイランドには、前記パッケージの外面に形成
される凹部に対応する位置に凹状部が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 アイランドに形成された凹状部が、パッ
ケージの外面の凹部より大なる開口寸法を有する凹部で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 アイランドに形成された凹状部が、パッ
ケージの外面の凹部より大きい貫通孔で形成されたもの
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3314224A JPH05152501A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3314224A JPH05152501A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152501A true JPH05152501A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18050781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3314224A Pending JPH05152501A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737735B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device wiring lead frame having resin flow control plates |
| JP2014072829A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3314224A patent/JPH05152501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737735B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device wiring lead frame having resin flow control plates |
| JP2014072829A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7019388B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4095827B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6127206A (en) | Semiconductor device substrate, lead frame, semiconductor device and method of making the same, circuit board, and electronic apparatus | |
| JP2003282809A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20050106783A1 (en) | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same | |
| JP2009071154A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007201324A (ja) | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 | |
| JPH09129808A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2011142337A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008113021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05152501A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003197663A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4031005B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03104148A (ja) | 半導体集積回路用パッケージ | |
| TWI784400B (zh) | 引線框架 | |
| TWI706482B (zh) | 引線框架的製造方法及引線框架 | |
| JP2862585B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| KR100281305B1 (ko) | 개선된박형패키지ic소자 | |
| JP2671683B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62198143A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2748620B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100357209B1 (ko) | 스트립 단위 테스트를 위한 반도체 패키지 제조 방법 | |
| JP2946775B2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPH08227961A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2001135768A (ja) | 電子部品およびその製造方法 |