TW583903B - Manufacturing method for conductive layer wiring, layered structure member, electro-optic device, and electronic apparatus - Google Patents

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583903 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在一基板上形成一導體層接線之技 術。g羊S之’本發明係關於一種在基板上形成一具有一預 定圖樣之導體層接線的方法，其中該預定圖樣之導體層接 線係藉由一液體噴射部分將含有金屬顆粒之液體配置在該 基板上而形成。 【先前技術】 關於在一基板上形成一導體層之技術，已知有一種方 法，其中一作爲一導體層接線之構件層係依照旋轉塗覆方 法或類似方法而形成在一基板上，俾依照光微影方法或類 似方法在該構件層上形成一預定圖樣。 然而，近年來，已有提出一種將一液體配置在基板上 之較佳位置上以直接在基板上形成一用作爲導體層接線之 圖樣的技術。在此技術中，其可以省略或簡化與光微影方 法之製程。 就如何將一液體配置在基板上之預定位置的技術而 言，已知有一種技術係將液體以液滴型式由一設置在一液 體噴射部分中之噴嘴噴射出來。依照此一技術’液體的消 耗係比旋轉塗覆方法還更具有效率：因此，其所具有之 優點在於其可以控制配置在一基板上之液體的量値及位 置° 然而，就一種藉由一液體噴射部分來將液體配置在一 (2) (2)583903 基板上之技術而言，其很難製造出較細寬度的導體層接 線。雖然仍可藉由形成一具有防水性表面之基板而製造出 具有較細寬度的導體層接線，然而在此例中，基板與導體 層接線之間的接觸性會降低。 【發明內容】 本發明係有鑑於上述的問題而發展出來。本發明之一 目的係要提供一種形成一導體層接線之方法，其可加強基 板與導體層接線之間的接觸，且可實現導體層接線具有較 細之寬度。 此外，本發明之另一目的係要提供一種疊層結構構 件，其具有一導體層接線而可加強在基板與導體層接線之 間的接觸，且可實現導體層接線具有較細的寬度。 再者，本發明之另一目的係要提供一種很難發生接線 瑕疵之電光裝置及電子設備。 爲了實現上述之目的，在本發明中，一種經由一液體 噴射部分而將一包括一第一金屬顆粒之第一液體配置在一 基板上而在該基板上形成一具有一預定圖樣之導體層接線 之方法係包含一表面處理步驟，其用以形成該基板之一表 面，俾使該表面在配置第一液體於基板上之前，可排斥該 第一液體及與第一液體不同之第二液體；及一中間層形 成步驟，其係在表面處理步驟之後，經由該液體噴射部分 將該第二液體配置在基板上，以形成一中間層，藉以增進 該基板與導體層接線之間的附著性。在此，若液體對其另 -8- (3) (3)583903 一種液體不具有吸附性，則定義爲該液體對另一種液體具 有排斥性。 在上述用以形成一導體層接線之方法中，一用以構成 一導體層接線之第一液體係藉由一液體噴射部分而配置在 一基板上。因此，相較於採用光微影方法的例子，其可以 簡化各種不同的程序且減少消耗之構件。此外，配置在基 板上之第一液體的擴散係會由於形成一基板表面使其具排 液性而受到限制：如此，便可實現在導體層接線中具有 較細的寬度。再者，在上述用以形成導體層接線之方法 中，一由第二液體所製成之中間層係形成在該基板上，其 係形成具有排液性；因此，一包含在第二液體中之構件 便可增進第一金屬顆粒及基板的附著性。因此，其便可加 強在基板與導體層接線之間的接觸性。 在上述用以形成導體層接線之方法中，所形成之該中 間層最好具有相同於該預定圖樣之圖樣，且該第一液體係 配置在該中間層之圖樣上。 在此例中，第一液體在該基板之一表面上受排斥，其 中該表面位在中間層之圖樣的外側’而使該表面具有排液 性；如此，其便可相當可靠地將第一液體配置在該中間 層上。藉此，便可以配置該第一液體而使其具有一預定圖 樣。 再者，在上述用以形成一導體層接線之方法中’最好 中在將第一液體配置在基板上之前’先移除配置在該基板 上之該第二液體中之一分散媒質的至少一部分。 -9- (4) (4)583903 藉由移除第二液體中之至少一部分的分散媒質，其便 可較佳地將第一液體配置在第二液體上。在此，若在第二 液體中具有一部分的分散媒質便已足夠；因此，並不需 要將第二液體中之分散媒質的所有部分皆移除。若將第二 液體中之分散媒質的所有部分都移除，亦不會是一個難 題。再者，可以接受的是，在將分散媒質移除之後，包含 在第二液體中之金屬顆粒被凝結或氧化。 再者，在依照本發明之用以形成一導體層接線的方法 中，最好具有一在一單一熱處理步驟或一光學處理步驟中 將配置在基板上之第一液體及第二液體轉變成薄膜層之步 驟。 藉由在一單一熱處理步驟或一光學處理步驟中將配置 在基板上之第一液體及第二液體轉變成薄膜層，便可以增 進導體層接線之產能。 再者，在依照本發明之形成導體層接線之方法中，最 好該第二液體包括一不同於第一金屬顆粒之第二金屬顆 粒。針對此一第二金屬顆粒，一錳構件、鉻構件、鈦構 件、鎂構件、矽構件、釩構件及這些金屬製成之合金以及 包含這些金屬顆粒之氧化物都可以採用。再者，亦可以接 受的是，若第二液體包含上述金屬之有機金屬化合物。 若上述金屬顆粒被包含在第二液體中且若一中間層係 由此液體所形成時，則可以很容易地形成這些金屬的氧化 物。此氧化物通常看起來呈黑色。舉例來說，藉由配置一 呈黑色之中間層於一較佳位置，其中一配置在靠近一顯示 -10- (5) (5)583903 器電極之匯流排電極便可淸楚地看到’這便可以實現一黑 色基質的效果；如此，其便可以增進一顯示器的對比 性。 再者，一透明導體層係形成在該基板之一表面上。在 此，舉例來說，可以採用包含一銀顆粒之第一液體。 當一銀層形成在一透明的電極層上時’該透明電極層 及銀層便有可能會彼此產生反應而造成顏色的改變。在此 例中，可藉由配置一中間層來防止顏色的改變，其中在該 透明電極層與該銀層之間包含一諸如錳之金屬構件。 依照本發明之一種疊層結構構件，其可包含一基板及 一位在該基板上之具有一預定圖樣的導體層接線。再者， 該導體層接線係依照上述之方法所形成。 在此一疊層結構構件中，一導體層接線可以藉由一簡 單的方法來形成：如此，便可以降低生產成本。再者， 亦可實現該導體層接線具有較細的寬度，並且增進在基板 與導體層接線之間的接觸。 再者，依照本發明之一種電光裝置，其具有一依照本 發明上述特徵之疊層結構構件。針對此一電光裝置而言， 舉例來說，可以稱之爲一液晶顯示裝置、一有機電致冷光 顯示裝置及一電漿顯示裝置。 再者，依照發明之一電子設備可具有一電光裝置，其 具有本發明上述之特徵。依照本發明，在基板與導體層接 線之間的附著性係相當高：如此，很難會發生接線瑕 庇。 -11 - (6) (6)583903 形成一導體層接線之方法包含一表面處理步驟，以使 該基板之一表面具有排液性，以及一中間層形成步驟，以 形成一中間層；其可實現該導體層接線具有較細的寬度 並且可增進基板與導體層接線之間的附著性。 依，照本發明之疊層結構體，其可以實現該導體層接線 具有較細的寬度，並且增進基板與導體層接線之間的附著 性。 依照本發明之一電光裝置，其很難會發生瑕疵接 線；因此’在電光裝置中可以實現較高的產品品質。 【實施方式】 &下將依照本發明之一實施例來說明在一基板上形成 一導體層接線之方法。 _ 1 A至1 C係圖示依照本發明之形成一接線的方 & °在此一形成一接線之方法中，一液體係被配置在一基 ± ’且一欲作爲一接線之導體層圖樣係形成在該基板 i °此方法包含一處理基板之一表面的步驟、形成一中間 層之步驟（圖1 A )、形成一導電性接線層接線之步驟 (圖1 B )及用以執行一熱處理/光學處理之步驟（圖1 c ) 等等。 在此’於形成一中間層之步驟中，其係形成一配置在 ^ * t反與一導體層接線之間的中間層。該中間層可增進基 板與導體層接線之間的附著性。 再者’在形成一中間層及形成一導電性接線層的步驟 •12- (7) (7)583903 中，預定之液體係被配置在基板上。亦即，在形成一導電 性接線層的步驟中，其係採用一包含一第一金屬顆粒以形 成一導電性接線層之液體（第一液體）。再者，在形成中 間層之步驟中，其係採用一不同於上述第一液體之第二液 體。當配置好液體時，便可利用一噴墨方法，其中一液體 係以液滴型式由一設置在一液體噴射頭中之噴嘴所噴出。 首先，將說明在形成一導電性接線層及形成一中間層 之步驟中所使用之液體。 針對在形成一導電性接線層之步驟中所使用之液體而 言，可使用一分散性液體，其中一金屬顆粒係分散在一分 散性媒質中。就此一導電性顆粒而言，所採用之金屬顆粒 可包含金、銀、銅、iG及鎳之任一種金屬。或者，亦可以 採用導電性聚合物顆粒或一超導性構件之顆粒。 亦可在這些金屬顆粒之表面上塗覆一有機構件，以加 強分散性。 最好，該導電性顆粒之直徑係1奈米至0.1微米。若 導電性顆粒之直徑係大於0 · 1微米，則在液滴噴射頭之噴 嘴中可能會發生堵塞的情況。再者，若導電性顆粒之直徑 係小於1奈米，則金屬顆粒之分散性可能會變差。此外， 塗覆構件對金屬顆粒之體積比値會變高。因此，這有可能 會造成一個問題，亦即在所形成之層體中之有機構件的比 例會變得過多。 較佳的情況是，在一包含金屬顆粒之液體分散媒質 中，在室溫下之蒸汽壓爲O.OOlmmHg至200mmHg (大約 -13- (8) (8)583903 爲0.133Pa至26600Pa)。若蒸汽壓高於2〇〇rnrnHg，則在 噴射之後’該分散媒質將會迅速被蒸發；如此，將很難 形成一極佳的薄膜層。 再者’最好該分散媒質之蒸汽壓可以爲O.OOlmmHg 至 50mmHg (約 0.133Pa 至 665 0Pa)。若蒸汽壓高於 5 OmmHg，則當液滴以噴射方法噴出時，則有可能會因爲 乾化而堵塞該噴嘴：如此，將很難執行穩定的噴射操 作。 在另一方面’若分散媒質之蒸汽壓在室溫下低於 O.OOlmmHg，則很容易使分散媒質餘留在層體中，因爲其 需要花時間乾化；如此’在一熱處理或光學處理中將很 難獲得極佳的導電性薄膜層。 對於分散媒質並未有特殊的限制，只要分散媒質可分 散該導電性顆粒而不會造成凝聚即可。具體言之，水 ； 醇類，諸如甲醇、乙醇、丙醇及丁醇；碳氫化合物諸 如 η -庚{兀、n -羊|兀、癸院、甲苯、二甲苯、cymene、 durene、indene、dipentene、四氫化奈、十水化奈及環己 烷苯：醚族，諸如乙烯乙二醇二甲基醚、乙烯乙二醇二 乙基醚、乙烯乙二醇甲基乙基醚、二乙烯乙二醇二甲基 醚、二乙烯乙二醇二乙基醚、二乙烯乙二醇甲基乙基醚、 1，2 -一甲氧基乙院、雙（2 -環氧乙基）醚、p-di〇xane ； 以及極性化合物，諸如丙燒碳化物、7" - b u t y r ο 1 a c t ο n e、 N-甲基-2-呲咯啶、二甲基型氨基化合物及環己烷碳氫化 合物，醚。在這些分散媒質中，以水、醇類、碳氫化合 -14- (9) (9)583903 物、醚爲佳，其中顆粒分散容易，且分散液體較穩定，且 這些分散媒質易於使用在噴墨方法中。就更佳的分散媒質 而言，可以指定水及碳氫化合物。這些分散媒質可以單獨 使用或者與其他的分散媒質結合而形成混合物。 當上述之導電性顆粒分散在分散媒質中時，最好該分 散密度爲重量百分比1%至80%。藉此，便可以依照導體 層之厚度來調整該分散密度。若分散密度係大於重量百分 比 80%，則會很容易發生凝聚的現象；因此，其很難構 成一均勻的層體。 最好，使上述導電性顆粒分散於其中之分散液體之表 面張力係〇.〇2N/m至0.07N/m。當液體由噴墨方法所噴射 時，若表面張力低於〇.〇2N/m，則在一噴嘴表面上之墨水 成份的潤溼性會增加；如此，曲線狀飛濺之液滴會很容易 彎曲。若表面張力大於0.07N/m，則在噴嘴末端上之液體 曲面將會不穩定；如此，將很難控制噴射量及噴射時 間。 爲了調整表面張力，可以在分佈液體中添加小量的氟 型、矽膠型、非離子型等等之表面張力調整劑，只要與基 板之接觸角度不會不當地減小即可。一非離子型表面張力 調整劑可增進液體在基板上之潤溼性及層體的平整特性。 一非離子型表面張力調整劑係可用以防止在層體上之細微 粗糙不平。 可以接受的是，該分散液體包含一有機化合物，諸如 視需要而包含一醇類、一醚類及一酮類。 -15- (10) (10)583903 最好，分散液體之黏滯性係ImPa.s至50mPa.s。當 液滴由噴墨方法噴出時，當黏滯性低於ImPa.s時，噴嘴 之周緣可能會被墨水弄髒。若黏滯性高於50mPa.s時，則 噴嘴孔可能會被堵塞；因此，其很難將液滴順利地噴 出。 另一方面，針對使用在形成一中間層之步驟的液體而 言，在本實施例中，其係使用具有金屬顆粒分散於一分散 媒質中之分散液體。在此，所需要的條件爲該金屬顆粒需 要具有一功能，亦即在稍後將說明之熱處理/光學處理之 後，其可增進第一金屬顆粒與基板之間的附著性。再者， 該顆粒可具有導電性。可以接受的是，該顆粒亦可以爲非 導電性。就此類顆粒而言，可以採用一錳構件、1鉻構件、 鎳構件、鈦構件、鎂構件、矽構件、釩構件、由這些金屬 構成之合金及包含有這些金屬顆粒之氧化物之金屬顆粒。 再者，亦可接受該液體包含上述金屬之有機金屬化合物。 最好，金屬顆粒之直徑爲1奈米至微米。若金屬 顆粒之直徑大於〇. 1微米，則上述之噴墨頭有可能會被堵 塞。 針對在形成一中間層之步驟中所使用之包含有金屬顆 粒之液體的分散媒質而言，其可以採用相同於在形成一導 電性接線層之步驟中所使用之金屬顆粒；因此’其說明 在此省略之。再者，對於分散在上述分散媒質中之顆粒之 分散媒質的說明亦在此省略之。此外，對於顆粒分散液體 之表面張力及添加劑之說明亦省略之，因爲其在技術特徵 -16- (11) (11)583903 上並沒有實質的不同。 以下，將詳細說明以上各步驟。 處理一表面之步驟 在處理一表面之步驟中，構成一導電性接線層之基板 的表面係經過處理，以使其對於在形成一導電層及形成一 中間層的步驟中所使用之液體具有排液性。具體言之，一 表面係經過處理，使得由上述液體所形成之接觸角度介於 3〇度及60度之間。 就一基板而言，可以採用各種不同的構件，諸如矽晶 圓、矽玻璃構件、玻璃構件、塑膠薄膜及一金屬板。 針對用以控制在表面上之排液特性（潤溼性.）之方法 而言，舉例來說，其最好可採用一種方法，其中一自行組 織層係形成在基板上之一表面上或者係採用一種電漿處理 方法等等。 在一自行組織層形成方法中，一由有機分子層或類似 層體所構成之自行組織層係形成在基板之一表面上。 覆蓋基板之表面之一有機分子層係具有一可黏附至基 板之功能族群、可再形成基板表面特徵之功能族群，諸如 形成與上述功能族群相反之親水性族群或排液性族群，以 及一碳鏈，其中碳之線性鏈係結合這些功能族群，或者分 歧出碳鏈之一部分。此一覆蓋基板表面之有機分子層係藉 由結合至基板且在該處自行織織生長而構成一分子層，諸 如單分子層。 -17- (12) 在此，自行組織層係藉由結合功能族群而形成，其中 該功能族群可以與構成一底層（諸如一基板）之原子及其 他線性鏈分子相反應。該自行組織層係藉由定向一元件而 形成，其中該元件由於在線性鏈分子中之相互反應而具有 高度的定向特徵。此一自行組織層係藉由定向一單一分子 而形成；因此，其可以具有極薄厚度的層體。此外，以 分子觀點而言，該層體係相當地均勻。亦即，相同的分子 係定位在基板之一表面上；因此，在基板之表面上便可 具有一均勻且極佳的排液特性及親水特性。 針對一具有上述高定向特徵之化合物而言，舉例來 說，其可以用採用氟烷基矽醇。藉此，每一化合物便可定 向成使得氟烷基族群可分散在一層體之表面上；因此， 便可形成該自行組織層，且在基板之一表面上可以添加均 勻的排液特性。 搆成（其可形成）一自行組織層之化合物實例包括氟 烷基矽醇（以下稱之爲”FAS”），諸如 heptadecafluoro-1 ， 1 ， 2 ， 2-tetrahydrodecyltriethoxysilane ， heptadecafluoro-1 ， 1 ， 2 ， 2- tetrahydrodecyltrimethoxysilane ， heptadecafluoro -1 ， 1 ， 2 ， 2 -1 e t r ah y d ro d e c y 11 r i c h 1 o r o s i 1 an e ， t r i d e c a f 1 υ o r o-1，1，2，2-tetrahydrooctyltriethoxysilane， tridecafluoro-1 ? 1，2，2- tetrahy dr ooctyltrimethoxy silane， tridecafluoro-1， 1 ， 2 ， 2-tetrahydrooctyltrichlorosilane ，及 -18- (13) (13)583903 trifluoropropyltrimethoxysilane 〇 在此，可採用一種化合物。再者，亦可以將兩種或兩 種以上的化合物組合在一起。藉由使用FAS，其可以藉由 液體與極佳排液特徵來實現在基板與層體之間的緊密接觸 性。 該FAS通常係由一結構式所表示，諸如 RnSiX(4-n)。在此，η爲1至3之整數。X表不一可水解 族群，諸如一甲氧基族群、一環氧基族群及一鹵素原子。 R表示一氟烷基族群，具有一由（CF3)(CF2) X(CH2) y 所表示之結構（其中，X表示一由〇至10之整數，y表示 一由〇至4之整數）。當兩個以下的R或X鍵結至Si 時，則可接受所有的Rs及Xs均相同。亦可接受的是，所 有的Rs及Xs不相同。由X所指示之可水解族群係藉由 水解及與諸如一基板（玻璃構件、矽構件）之底層上的氫 氧根族群相反應而構成-·矽烷，而以矽烷鍵結型式與基板 相結合。在另一方面，R在其表面上具有一諸如（CF3 ) 之氟族群。因此，在諸如一基板之底面上係可以重新構成 而不會潤溼（使得一表面能量較低）。 用以形成化合物及一基板之上述構件可以被包納在一 封閉容器中，而在室溫下放置兩或三天。一由有機分子層 所形成之自行組織層便會形成在基板上。再者，一由有機 分子層所構成之自行組織層係在一封閉容器中於1 001之 溫度條件下於三小時之後形成在基板上。一種在氣態中形 成一自行組織層之方法已說明如上。然而，亦可在液態中 -19- (14) 形成一自行組織層。舉例來說，可將一基板浸漬在一溶液 中，其中該溶液包含用以形成該自行組織層之構件，且之 後，藉由淸洗及乾燥該基板而獲得一自行組織層。 在此，最好可以進行一預備程序，諸如在基板之一表 面上照射一紫外線，並且在形成一自行組織層之前，以一 溶液來淸洗該基板。 在一電漿處理操作中，在正常壓力條件或真空條件 下，可發射一電漿至基板。可用作爲電漿處理操作之氣體 係可依照欲形成導體層接線之基板的表面構件之需求來選 擇各種不同的氣體。就此氣體而言，可採用四氟甲烷、超 氟己烷及超氟癸烷。 在此，藉由連結一薄膜可使基板之一表面具有排液 性，其中該薄膜最好具有一排液特性，諸如在基板表面上 以四氟乙烯處理過之聚醯氨薄膜。再者，最好上述之聚醯 氨·薄膜可用作爲基板。此外，當基板之一表面具有比較佳 排液特性還要高的排液特性時，該基板之表面狀態可以藉 由使基板之一表面更具有親水性來加以控制，其中該親水 性可以藉由發出具有1 7 0至4 0 0奈米波長之超紫外線或使 基板曝露在臭氧環境中來達成。 形成一中間層之步驟 圖2 A及2 B係顯示用以在一基板上形成一中間層之 步驟的實例。如上所述，此一中間層可以增進基板與導體 層接線之間的附著性。 -20- (15) 用以形成於中間層之方法係包含一第一步驟及一第二 步驟，其中該第一步驟係將液體配置在一其表面形成具排 液性之基板上（圖2 A )，而該第二步驟則係將至少一部 分之媒質（分散媒質）移除（圖2B )，其中該分散媒質 係包含在該配置於基板上之液體中。 在第一步驟中，如圖2 A所示，一噴墨頭1 0係相對 朝向基板1 1來移動，且一用以形成一中間層之液體則係 以液滴L1之型式由噴墨頭10中噴出。該液滴L1係以固 定距離（間距P1 )配置在基板1 1上。在本實施例中，液 滴L 1之配置間距P 1係小於該液滴L 1於剛配置在基板1 1 上之後的直徑。藉此，在剛配置於基板1 1上之後之液滴 L1會彼此重疊；如此，便可以形成一連續線 W1。在 此，基板1 1之表面係經過處理而使其相對於液體具有3 0 度至60度之接觸角’。因此，若重疊區域過大，則連續的 液體更容易沿著一直線來移動。如此，便會形成一凸塊， 且在該區域的其餘部位中之直線會變薄；因此，便可能 會使直線產生不連續。因此，當液滴配置在基板1 1上 時，液滴之重疊區域需要落在液滴直徑的1 %至1 0 %的範 圍內。 接著，液滴便配置在基板之整個表面上，俾在基板 11上形成一具有一預定圖樣之層體。此一層體上的圖樣 係相同於在導體層接線上之接線的圖樣。 在此，相同於一用以配置構件（將在下文中說明）之 步驟，在剛配置於基板上之狀態下，液滴之配置間距大於 -21 - (16) 液滴之直徑係可接受的。在此狀態下，在乾燥步驟中便會 形成一連續直線，其中該乾燥步驟係在用以配置構件且同 時移動初始位置以噴射液體及以重複方式配置該液滴之步 驟之間所進行。 噴射液滴之條件，具體言之，諸如液滴之體積及用以 配置液滴間距，係被決定成使得一欲形成在基板1 1上之 直線之邊際區域的形狀較佳地成爲小間隙形狀。在此，基 板1 1之一表面係經過處理而使其具排液性；如此，便 可以限制配置在基板1 1上之液滴的擴散。 圖3係一平面視圖，其中顯示一作爲一形成在基板上 之中間層之直線的實例。如上所述，藉由將液滴以重複方 式配置在基板1 1上，便可以在基板1 1上形成一連續直線 W1。 在此，該中間層並非一定爲連續直線。舉例來說，如 圖4所示，該液滴L 1配置成在一虛線，VL 1上彼此分離亦 可被接受，其中該虛線VL 1係構成一導電層接線，且一 中間層係以間斷性方式所形成。 再者，亦可接受的是，該中間層之厚度比導體層接線 之層體厚度還要薄，此將在下文中說明。 在圖2B中，於第二步驟中，一包含在配置於基板11 上之液體中的分散媒質係被移除。在本實施例中，可以接 受的是，並非所有分散媒質都被移除，而可以僅移除一部 分的分散媒質。再者，亦可接受的是，該中間層並非需要 完全乾燥之。即使中間層被乾化，顆粒僅會層疊但不會凝 -22- (17) (17)583903 結；因此，層疊之顆粒便會某程度上地再被分解，因爲 分散媒質包含在液體中，而該液體則係欲成爲配置在其上 之導體層接線。因此，可以預期到其可具有相同於僅藉由 移除部分分散媒質來完全移除顆粒之例子中的效果。再 者，此一顆粒之部分移除可以縮短乾燥操作所需要的時 間。 在室溫狀態下，分散媒質可僅藉由留下基板1 1而移 除。該分散媒質亦可利用一加熱部分來移除。舉例來說， 可採用一加熱部分，諸如一熱板、一電爐、一熱風產生 器。在此，在此一例子中，可以接受的是，加強一加熱操 作或一光照射操作，直到所有內含在液滴中之分散媒質皆 被移除而轉化成一乾燥層體爲止。在完成配置所有液體之 後，由液體轉變成一乾燥層亦可在加熱處理/光學處理步 驟中同時來運作；因此，若分散媒質已被移除至某一程 度便已足夠。舉例來說，若基板留駐在諸如2 5 °C之室溫 下數分鐘便已足夠。亦可接受的是，於形成中間層之步驟 之後，在加熱處理/光學處理中將中間層轉變成一乾燥層 (例如，在將近3 00 °C狀態下之加熱處理中）。 此操作可以與液體噴射同時進行。舉例來說，藉由事 先加熱基板或藉由冷卻該噴墨頭同時使用一具有較低沸點 之分散媒質，則緊接在液滴配置在基板上之後，便可進行 液滴之乾燥操作。 配置該用以形成導體層接線之構件的步驟 接下來，在一配置該用以形成導體層接線之構件的步 •23- (18)583903 驟 滴 之 上 在 滴 w 使 於 的 兩 亦 滴 而 及 再 距 配 在 中，如圖1 B所示，構成上述導體層接線之液體係由液 L2所形成，且該液滴L2係被配置在一用作爲中間層 層體W1上，而該層體則係由噴墨頭10形成在基板11 在此，圖5A至5C係詳細顯示一用以將一液體配置 基板上之程序。 首先，如圖5A所示，由液體噴射頭1〇所噴出之液 L2係連續地以固定間距被配置在該中間層之一層體 [上。在本實施例中，液滴L 2之配置間距係預定的， 得其在剛配置在基板1 1上之後的狀態下，該間距係大 液滴L2之直徑。再者，液滴L2之配置間距P2係預定 ，使得在液滴L2剛被配置在基板1 1上之後，該間距係 倍於液滴L2之直徑或較小一些。 接下來，如圖5 B所示，重複上述噴射液滴之操作。 即，相同於圖5A所示的例子，該液體係被轉變成一液 L3，且該液滴L3係由液體噴射頭10噴射在基板1 1上 具有一固定的間距。 在此例中，液滴L3之體積（在一液滴中之液體量） 配置間距P3係相同於液滴L2之體積及配置間距P2。 者，液滴L3之配置係與液滴L2之配置偏差半個間 ，且液滴L3係配置在液滴L2的中間，該液滴L2則係 置在基板1 1上。 如上所述，在該液滴剛配置在基板上之後的狀態下， 基板1 1上之液滴L2的配置間距P2係大於液滴L2之

-24- (19) (19)583903 直徑。再者，在該液滴剛配置在基板上之後的狀態下’在 基板1 1上之液滴L2的配置間距P2係兩倍於液滴L2之 直徑或略小。因此，液滴L3係配置在液滴L2的中央 ； 如此，液滴L3之一部分便會與液滴L2重疊，且塡滿該 液滴L2之間的間隙。如此一來，如圖5 C所示，由欲形 成一導體層接線之液體所構成之連續線W2便會形成在中 間層之層體 W上。此外，液滴係配置在基板之整個表面 上；因此，在基板11上便可形成一層體，該層體係用 作爲一具有預定圖樣之接線。 在此例中，如上所述，基板1 1之表面係形成具有排 液性：在中間層之層體W1外表面的液體會被排除：如 此，便可以相當可靠地將液體配置在中間層之層體 W 1 上。再者，如前所述，中間層之層體W1在包含於一構成 導體層接線之液體中之分散媒質中係會被重新分解至某一 程度：因此|，中間層之層體W1針對上述液體會表現出 較高的親水特性。因此，配置在中間層之層體W 1上之液 體便可在中間層之層體W1上擴散。再者，如上所述，中 間層之層體W 1係形成與導體層接線中之接線圖樣相同的 圖樣；如此，在中間層之層體w 1上擴散之液體便可以 相當可靠地配置成一較佳的接線圖樣。 在此，可以接受的是，可依照需要來進行乾燥操作， 俾在液滴配置在基板1 1之後來移除一部分的分散媒質。 舉例來說，此一乾燥操作可以在針對液滴之每次連續配置 操作來進行。用於乾燥處理之物件、目的及裝置係與在形 -25- (20) 成中間層之程序中之第二步驟中的乾燥處理相同：因 此，其說明在此省略之。 再者，藉由增加上述液滴之配置操作的重複次數，液 滴便可連續層.疊；因此，、用以構成一連續層體接線之層 體W2之厚度便會增加。此一厚度係依照最終產品之導體 層接線所需之較佳厚度而決定之。配置液滴之重複次數係 依照上述厚度所決定。 在此，在重複液滴配置時，其亦可以較佳地改變液滴 之配置間距及偏移量。舉例來說，如圖2A及2B所示， 可以接受的是，在該液滴剛配置在基板上之後的狀態下， 所噴射之液滴會使液滴的一部分彼此相重疊。 熱處理/光學處理 在熱處理/光學處理中，包含在配置於基板上之液滴 或一塗覆劑中之分散媒質係被完全地移除。再者，在熱處 理/光學處理中，金屬顆粒係彼此相接觸，並且凝結成可 以被附著以減少電氣阻抗。在此，在本實施例中，用作爲 中間層之液體的熱處理及用作爲一導體層接線之液體的熱 處理最好係同時進行。 一加熱處理或~*先學處理通常係在一氣體環境中來進 行。亦可以視需要而在一惰性氣體環境中來進行熱處理或 光學處理，諸如氮氣、氬氣或氦氣。進行熱處理/光學處 理之溫度最好係依照3者如分故媒質之沸點（蒸氣壓）、氣 體種類及其壓力、顆粒之熱行爲（諸如分散及氧化）、塗 -26- (21) (21)583903 覆劑及其量値以及基底構件之熱阻抗等因素來決定。 舉例來說，在20(TC或更高的溫度狀態下，需進行一 烘烤操作，以移除由一有機物質所製成之塗覆劑。 再者，最好當基板係由塑膠構件所製成時，該烘烤操 作係在1〇〇°C或以下之溫度來進行。 熱處理及/或光學處理亦可以其他方法來進行，其中 可採用一熱板或一電爐。再者，熱處理及/或光學處理可 以藉由燈泡-回火方法來進行。 在燈泡-回火方法中所使用之光源並未有特定的限 制。就燈泡-回火方法中所使用之光源而言，可以採用諸 如一紅外線燈泡、霓紅燈泡、YAG雷射（釔鋁深紅色雷 射光）、鹵素燈泡、二氧化碳雷射、XeF、XeCl、XeBr、 KrF、KrCl、ArF及ArCl之激光雷射。一般而言，這些光 源具有10 W至5000W之輸出功率範圍。然而，在本實施 例中，光源之功率輸出範圍爲1 0 0 W至1 0 0 0 W便已足夠。 藉由上述熱處理及/或光學處理，便可獲得在包含在 液體中之導電性顆粒之間的電氣接觸；因此，欲作爲一 導體層接線之層體W2係會被轉變成一導體層接線。 再者，欲作爲中間層之層體W1係可藉由內含在液體 中之顆粒的功能來加強在欲作爲導體層接線之導電性顆粒 之間的結合特性。 在依照本實施例所形成之導體層接線的例子中，其亦 能以大約相同於在剛被配置在基板上之分散液體之直徑的 寬度來形成導體層接線。再者，在內含在導體層接線中之 -27- (22) (22)583903 金屬顆粒及基板之間的附著特性可因爲該金屬顆粒係內含 在中間層中而增進之；如此，便可增進在基板與導體層 接線之間的附著性。 因此，依照本實施例，在導體層接線中可以實現一較 細的寬度，且加強在基板與導體層接線之間的附著性。 實施例1 在此，依照上述形成一導體層接線之方法的實施例， 以下將說明在一玻璃基板上形成一導體層接線之實施例。 先淸洗一玻璃基板，然後再以具有2 5 4奈米之波長且 強度爲lOmW/cm2之紫外線照射該玻璃基板達十分鐘。藉 此，該基板之一表面會變成親水性。玻璃基板及一公克的 heptadecafluoro-1 ， 1 ， 2 ， 2· tetrahydrodecyltriethoxysilane 係容置在一具有 50 公升體 積之封閉容器中，而在1 2 0 °C的溫度下保持兩個小時。藉 此，便可在基板之整個表面上形成一具有氟烷基族群之單 一分子層。在基板表面與其中具有稍後將說明之金屬顆粒 之液體之間的接觸角度爲70度，且該接觸角度係同時對 中間層之液體及接線之液體。再者，以一具有相同於上述 超紫外線之特徵的超紫外線照射兩分鐘；如此，在基板表 面與液體之間的接觸角度會變成3 0度。 針對欲形成一導體層接線之液體而言，一液體係藉由 取代一液體之分散媒質而形成（一般稱之爲”Per feet Silver (完美銀）”’由Vacuum冶金公司所生產）’其中 -28- (23) (23)583903 具有大約5奈米直徑之超細銀顆粒係分散在一四價元素之 有機溶液中，使得其密度爲重量百分比60%，黏滯性爲 8mPa.s。再者，針對一用作爲中間層之液體，一具有大約 5奈米直徑之超細錳顆粒係分散在一四價元素中。錳分散 液體之密度爲4 wt%。錳分散液體之黏滞度爲4mPa.s。這 些液體係藉由一噴墨列印頭而以預定圖樣噴射在基板上 (藉由修改類似在一印表機中之列印頭所製成之印表機： 由SEIKOEPSON公司所產生之型號）。 首先，一錳分散液體係依照一預定圖樣而噴射在基板 之一表面上，而具有30度的接觸角度。液滴之尺寸大約 爲5微微升（pico-litter)。液滴之直徑爲20微米。在配 置之後，液滴在基板上係大約擴散超過4 0微米。液滴係 以3 8微米之間距噴出，以構成一直線圖樣（使得在液滴 中之邊際區域之2微米（液滴直徑的5 % )會與相鄰之液 滴相重疊）。液滴並不會擴散在基板之一表面上，因爲基 板之表面係具有排液性；如此，便可形成一具有精確邊緣 形狀之直線。 再者，基板係保持在25 °C溫度狀態下達2分鐘，以 移除一部分的分散媒質。之後，一銀分散液體係以相同於 錳分散液體的例子而以相同的圖樣噴出。在此例中，液滴 之尺寸爲5微微升。此一液滴係以40微米之間距噴射在 錳分散液體上。因此，液滴便會以相同於錳圖樣之形狀分 散開，且不會擴散超過外側邊界。之後，一具有1 00 °C溫 度之熱空氣便會吹拂在基板之整個表面上達15秒。銀分 -29- (24) (24)583903 散液體再次以40微米間距噴出。再者，同樣地重複熱空 氣乾燥操作及以40微米間距噴射。 最後，將整個基板在具有3 00 °C之溫度的氣體環境中 烘烤3 0分鐘·，如此，便可形成一導體層接線圖樣，其具 有3微米之厚度，40微米之線寬及2微歐姆公分的比電 阻。爲了測試導體層接線之附著強度，可進行一膠帶移除 測試。測試結果相當良好，其中導體層接線並未被完全移 除。舉一對照例而言，一未具有中間層之接線圖樣係由大 約相同於上述方法所形成，並且進行一膠帶移除測試。針 對具有中間層之導體層接線的附著強度係高於未具有中間 層之導體層接線的附著強度。 實施例2 當一導體層接線係以相同於實施例1之方式但將實施 例1中之錳顆粒改變成鉻顆粒、鎳顆粒、鈦顆粒、鎂顆 粒、矽顆粒及一釩顆粒當中之其中一種顆粒而形成時，其 便可以具有類似於實施例i中達到增進附著性的效果。 接下來，將說明一電漿顯示裝置以作爲依照本發明之 電光裝置的一個實例。 圖6係一依照本發明之一電漿顯示裝置5 〇 〇的立體視 圖。該電漿顯示裝置500包含一玻璃基板501、502及一 電性放電顯示部分5 1 0，其係形成在玻璃基板5 0 1、5 02 之間。 一位址電極5 1 1係以一長條方式且具有一預定間距形 -30- (25) 成在該玻璃基板上。一介電層5 1 9係形成可以覆蓋該位址 電極511及玻璃基板501之一表面。一肋部515形成在該 介電層519上，俾沿著位址電極51 1而形成在位址電極 5 1 1、5 1 1之間。一螢光構件5 1 7係被放置在長條區域的 內部，其中該長條區域係由肋部5 1 5所分開。螢光構件 5 1 7可發出任何一種螢光，諸如紅色、綠色或藍色。一紅 色螢光構件5 1 7 ( R )係被放置在一底部上及一紅色放電 腔室 5 1 6 ( R )之一側邊表面上。一綠色螢光構件 5 i 7 (G)係被放置在一綠色放電腔室516(G)之一底部及一 側邊表面。一藍色螢光構件5 1 7 ( B )係形成在一藍色放 電腔室516(B)之一底部及一側邊表面上。 在另一方面，一顯示電極512係由透明導體層沿著垂 直於位址電極5 1 1之方向而形成，且該顯示電極5 1 2係以 長條型式且具有一預定間隔而形成在玻璃基板5 02上。一 匯流排電極5 1 2 a係形成在顯示電極5 1 2上，以補償該具 有高電阻之顯示電極512。再者，形成一介電層513以覆 蓋所有這些構件。此外，亦形成一由M g Ο或類似材料所 形成之保護層5 1 4。 玻璃基板501及玻璃基板502係連結成彼此相面對， 使得位址電極51 1…及顯示電極512...彼此垂直正交。 一電性放電顯示部分5 1 0係藉由數個電性放電腔室 5 1 6所形成。在數個電性放電腔室5 1 6中，一像素係藉由 一該紅色放電腔室516(R)、綠色放電腔室516(G)及 藍色放電腔室5 1 6 ( B )組合於其中之區域及一由一對顯 -31 - (26) (26)583903 示電極所包圍之區域所形成。 該位址電極5 1 1及顯示電極5 1 2係連接至一交流電 源，其未顯示在圖式中。藉由使電流流經每一電極，一螢 光構件5 1 7便會被激發而照亮該電性放電顯示部分5 1 0 ; 如此，便可以執行一彩色顯示操作。 在本實施例中，匯流排電極5 1 2 a及位址電極5 1 1係 依照上述方法所形成，以構成如圖1 A及1 B所示之導體 層接線。因此，匯流排電極5 1 2 a及位址電極5 1 1在基板 上之附著性極強；如此，將很難發生接線瑕疵。 在此，當中間層係由錳化合物（二氧化錳）所形成 時，即使該二氧化錳並不具導電性，然而，在顯示電極 5 12與匯流排電極512a之間所需要的導電性係可以藉由 將錳層製造成極薄的滲透性層體來達成。再者，在此一例 子中，中間層看起來爲黑色；如此，該中間層便可作爲一 黑色基底；藉此，便可增進一顯示器的對比。 接下來，將說明一液晶顯示裝置，以作爲依照本發明 之電光裝置的另一實例。 圖7係在依照本發明之一液晶顯示裝置中之一第一基 板上之一信號電極等等的平面配置圖。依照本實施例之液 晶顯不裝置大體上包含一第一基板、一於其中形成有一掃 描電極之第二基板（未顯示在圖式中），以及一液晶（未 顯示在圖式中），其係被密封在第一基板與第二基板之 間。 如圖7所示，數個信號電極3 10…係以一多矩陣型式 -32- (27) 形成在第一基板300上之一像素區域303中。具體言之， 母一彳曰號電極310…係由數個像素電極部分310a及一信號 接線部分3 1 Ob所形成，其中該像素電極部分3 1 〇a係被放 置成可以對應至每一像素，而該信號接線部分3 1 Ob則係 以多矩陣型式連接該像素電極部分310a。每一信號電極 3 1 〇擴展於一 Y方向。 再者，元件標號3 5 0係標示一液晶驅動電路，該電路 具有單尖結構。該液晶驅動電路3 5 0及在信號接線部分 3 1 0 b…中之一端部（顯示在圖式中之底部）係經由一第— 引入接線33 1…而連接在一起。 再者，元件標號340···係標示垂直導電端子。該垂直 導電端子3 4 0…及一被放置在第二基板上之端子（未顯示 在圖式中）係藉由一垂直導電構件341··.所連接。再者， 垂直導電端子340…及一液晶驅動電路3 5 0係經由一第二 引入接線3 3 2所連接。 在本實施例中，形成在第一基板3 0 0上之信號接線部 分3 10b···、第一引入接線331…，及第二引入接線3 3 2... 係依照如圖1 A及1 B所示之本發明之形成導體層接線的 方法所形成。再者，當欲製造一具有較大尺寸之液晶基板 時，其可以有效地使用接線構件；因此，其亦可以降低製 造成本。可以應用本發明來建構此一電路之基板，其中在 該基板中形成有一導體層接線及一半導體接線。 接下來，依照本發明之電子設備的實施例將說明如 下。 -33- (28) (28)583903 圖8係一立體透視圖，其中顯示一行動電話之實例。 在圖8中，元件標號600係標示一行動電話之主體。元件 標號6 0 1係標不一液晶顯示部分’其具有一如圖7所不之 液晶裝置。 在圖9中，元件標號7 〇 〇係標示一資訊處理裝置。元 件標號7 〇 1係標不一輸入部分，諸如一鍵盤。元件標號 70 3係標示一資訊處理裝置之主體。元件標號702係標示 一液晶顯示部分，其係具有圖7所示之液晶裝置。 圖1 0係一電子錶設備之一實例的立體視圖。在圖1 〇 中，元件標號8 0 0係標示一手錶之主體。元件標號8 0 1係 標示一液晶顯示部分，其具有一如圖7所示之液晶裝置。 圖8至圖1 〇所不之電子設備係具有一依照上述實施 例之液晶裝置；因此，接線之附著性極強而很難產生接線 瑕疵。 在此，於本實施例中，電子設備具有一液晶裝置。然 而’本實施例亦可具有其他的電光裝置，諸如一有機電致 冷光顯示裝置及一電漿顯示裝置。 依照本發明之較佳實施例已參考附圖說明如上。重要 的是’應瞭解本發明並未侷限於該等實施例。在上述實施 例中’諸如每一形成構件之形狀及其組合之要素僅爲實例 而已。在本發明之目的範疇及需求條件下，此類要素可依 照設計觀點上的需要來加以修改。 【圖式簡單說明】 -34- (29) (29)583903 圖1A至1 C係圖解顯示一依照本發明實施例之形成 一接線的方法。 圖2 A及2 B係圖解顯示用以在一基板上形成一中間 層之步驟的實例。 圖3係一平面視圖，其中顯示作爲一中間層之一實例 的直線，其中該中間層係形成在基板上。 圖4係一平面視圖，其中顯示一作爲一中間層之一實 例的斷續線，其中該中間層係形成在該基板上。 圖5 A至5 C係更詳細顯示一用以配置一液體在基板 上之方法。 圖6係依照本發明之一電光裝置的立體視圖，其中該 電光裝置係使用在一電漿顯示裝置中。 圖7係一實例之平面視圖，其中顯示依照本發明之電 光裝置係使用在一液晶顯示裝置中。 圖8係一實例之視圖’其中顯示依照本發明之電子設 備係使用在一行動電話中’該行動電話係具有一液晶顯示 裝置。 圖9係一實例之視圖，其中顯示依照本發明之一電子 設備係使用在一行動電話資訊處理裝置中，該裝置具有一 液晶顯示裝置。 圖1 〇係一實例之視圖，其中顯示依照本發明之一電 子設備係使用在一電子錶裝置中，該電子錶裝置具有一液 晶顯示裝置。 -35- (30)583903 【符號說明 10 噴 11 基 3 00 第 303 像 3 10 信 3 10a 像 3 1 Ob 信 3 3 1 第 3 3 2 第 340 垂 3 4 1 垂 350 液 500 電 501 玻 502 玻 5 10 電 5 11 位 5 12 5 12a 匯 5 13 介 5 14 保 5 15 肋 5 16( Β ) 墨頭 板 一基板 素區域 號電極 素電極部分 號接線部分 一引入接線 —引入接線 直導電端子 直導電構件 晶 漿顯示裝置 璃基板 璃基板 性放電顯示 址電極 示電極 流排電極 電層 護層 部 部分 色放電腔室

-36- (31)583903 5 16( G ) 綠色放電腔室 5 16( R) 紅色放電腔室 5 17 螢光構件 5 17( B ) 藍色螢光構件 5 17( G ) 綠色螢光構件 5 17( R ) 紅色螢光構件 5 19 介電層 600 主體 60 1 液晶顯示部分 700 資訊處理裝置 70 1 輸入部分 702 液晶顯示部分 703 主體 800 主體 80 1 液晶顯示部分 〜 LI 液滴 L2 液滴 L3 液滴 W 1 連續直線 W2 連續直線 PI 間距 P2 間距 P3 間距

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Claims (1)

1. (1) (1)583903 拾、申請專利範圍 1 · 一種經由一液體噴射部分而將一包括一第一金屬顆 粒之第一液體配置在一基板上而在該基板上形成一具有一 預定圖樣之導體層接線之方法，該方法包含： 一表面處理步驟，其用以形成該基板之一表面，俾使 該表面在配置第一液體於基板上之前，可排斥該第一液體 及與第一液體不同之第二液體；及 —中間層形成步驟，其係在表面處理步驟之後，經由 該液體噴射部分將該第二液體配置在基板上，以形成一中 間層，藉以增進該基板與導體層接線之間的附著性。 2 .根據申請專利範圍第1項之形成導體層接線之方 法，其中： 所形成之該中間層係具有相同於該預定圖樣之圖樣； 且 該第一液體係配置在該中間層之圖樣上。 3 .根據申請專利範圍第1項之形成導體層接線之方 法，其中在將第一液體配置在基板上之前，先移除配置在 該基板上之該第二液體中之一分散媒質的至少一部分。 4 .根據申請專利範圍第3項之形成導體層接線之方 法，具有一在一單一熱處理步驟或一光學處理步驟中將配 置在基板上之第一液體及第二液體轉變成薄膜層之步驟。 5 .根據申請專利範圍第1項之形成導體層接線之方 法，其中該第二液體包括一不同於第一金屬顆粒之第二金 屬顆粒。 -38- (2) (2)583903 6. 根據申請專利範圍第5項之形成導體層接線之方 法’其中該第二金屬顆粒包含一錳構件、鉻構件、鈦構 件、鎂構件、矽構件、釩構件及這些金屬之氧化物的至少 任何一種構件。 7. 根據申請專利範圍第1項之形成導體層接線之方 法’其中該第一金屬顆粒包含一超細金顆粒、超細銀顆 粒、超細銅顆粒、超細鈀顆粒、超細鎳顆粒及包含上述超 細顆粒之一合金的超細顆粒之至少任何一種顆粒。 8 ·根據申請專利範圍第1項之形成導體層接線之方 法，其中一透明導體層係形成在該基板之一表面上。 9 · 一種豐層結構構件，包含： 一基板；及 一位在該基板上之具有一預定圖樣的導體層接線， 其中該導體層接線係依照申請專利範圍第1項所述之 方法形成。 1 〇 · —種電光裝置，其具有一依照申請專利範圍第9 項所述之疊層結構構件。 1 1 ·一種電子設備，其具有一依照申請專利範圍第1 0 項所述之電光裝置。