KR100484323B1 - 도전막 배선의 형성 방법, 막구조체, 전기 광학 장치, 및전자 기기 - Google Patents

Abstract

액체 토출 수단(10)을 통하여 금속 미립자를 함유하는 제1 액체 재료를 기판(11)상에 배치하여, 기판(11)상에 소정 패턴의 도전막 배선을 형성할 때에, 그것에 앞서, 기판(11)의 표면을 액체 재료에 대해서 발액성으로 제어하는 동시에, 액체 토출 수단(10)을 통하여 제1 액체 재료와는 다른 제2 액체 재료를 기판(11)상에 배치하여, 기판(11)에 대한 도전막 배선의 밀착력을 향상시키는 중간층(W1)을 형성한다.

이와 같이 구성함으로써, 도전막 배선의 세선화와 함께, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있는 도전막 배선의 형성 방법을 제공한다.

Description

도전막 배선의 형성 방법, 막구조체, 전기 광학 장치, 및 전자 기기{METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE LAYER WIRING, LAYER STRUCTURAL MEMBER, ELECTRO-OPTIC DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}

본 발명은 기판상에 도전막 배선을 형성하는 기술에 관한 것이고, 더욱 구체적으로는, 액체 토출 수단을 통하여 금속 미립자를 함유하는 액체 재료를 기판상에 배치하여, 기판상에 소정 패턴의 도전막 배선을 형성하는 방법에 관한 것이다.

기판상에 도전막 배선을 형성하는 기술로는 스핀 코트법 등의 도포 기술을 사용하여 기판상에 도전막 배선용의 재료막을 형성하고, 이 막을 포토리소그래피법을 사용하여 소망한 패턴으로 형성하는 방법이 알려져 있다.

이것에 대해서, 근년, 액체 재료를 기판상의 소망한 위치에 배치하여, 기판상에 직접 도전막 배선의 패턴을 형성하는 기술이 제안되어 있다. 이 기술에서는 상기 포토리소그래피에 관한 공정을 생략 또는 간략화할 수 있다.

기판상의 소망한 위치에 액체 재료를 배치하는 기술로는, 액체 토출 수단에 설치된 노즐을 통하여 액체 재료를 액적으로서 토출하는 기술이 있다. 이 기술은 스핀 코트법 등의 도포 기술에 비해서, 액체 재료의 소비에 낭비가 적고, 기판상에 배치하는 액체 재료의 양이나 위치의 제어를 행하기 쉽다는 이점이 있다.

그러나, 액체 토출 수단을 통하여 기판상에 액체 재료를 배치하는 기술에서는 도전막 배선의 세선화를 도모하기가 어렵다. 기판의 표면을 발액성으로제어함으로써, 도전막 배선의 세선화를 도모할 수 있지만, 이 경우, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력의 저하를 초래하기 쉽다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 행하여진 것이고, 도전막 배선의 세선화와 함께, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있는 도전막 배선의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 세선화 및 밀착성의 향상을 도모할 수 있는 도전막 배선을 구비하는 막구조체를 제공하는 것에 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 배선 불량이 거의 생기기 않는 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 도전막 배선의 형성 방법은 액체 토출 수단을 통하여 제1 금속 미립자를 함유하는 제1 액체 재료를 기판상에 배치하여, 그 기판상에 소정 패턴의 도전막 배선을 형성하는 방법으로서, 상기 기판의 표면을 상기 제1 액체 재료와는 다른 제2 액체 재료에 대해서 발액성으로 제어하는 표면 처리 공정과, 상기 표면 처리 공정 후에, 액체 토출 수단을 통하여 상기 제2 액체 재료를 상기 기판상에 배치하여, 상기 기판에 대한 상기 도전막 배선의 밀착력을 향상시키는 중간층을 형성하는 중간층 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 발액성이란 액체 재료에 대해서 비친화성을 나타내는 특성을 말한다.

상기의 도전막 배선의 형성 방법에서는, 도전막 배선용의 제1 액체 재료를, 액체 토출 수단을 통하여 기판상에 배치하므로, 포토리소그래피 법을 사용한 기술에 비해서, 공정의 간략화나 재료의 소비량의 저감화가 도모된다. 또한 기판의 표면을 발액성으로 제어함으로써, 기판상에 배치한 제1 액체 재료의 퍼짐이 억제되어, 도전막 배선의 세선화가 도모된다. 또한, 상기의 도전막 배선의 형성 방법에서는, 발액성으로 제어된 기판상에 제2 액체 재료로 되는 중간층을 형성함으로써, 제2 액체 재료가 함유하는 물질이 제1 금속 미립자와 기판의 모두에 대한 결합성을 향상시키므로, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있다.

상기의 도전막 배선의 형성 방법에서, 상기 중간층을, 상기 소정 패턴과 동일한 패턴으로 형성하고, 그 중간층의 패턴 위에 상기 제1 액체 재료를 배치하는 것이 바람직하다.

이 경우, 중간층의 패턴의 외측에서는 발액성으로 제어된 기판의 표면에서 제1 액체 재료가 튀므로, 중간층의 패턴상에 제1 액체 재료가 확실히 배치된다. 이것에 의해, 제1 액체 재료가 소정 패턴으로 양호하게 배치된다.

또한, 상기의 도전막 배선의 형성 방법에서, 상기 제1 액체 재료를 상기 기판상에 배치하기 전에, 상기 기판상에 배치된 상기 제2 액체 재료의 분산매의 적어도 일부를 제거하는 것이 바람직하다.

제2 액체 재료의 분산매를 적어도 일부 제거함으로써, 제2 액체 재료의 층 위에 제1 액체 재료를 양호하게 배치할 수 있다. 또한, 제2 액체 재료의 분산매는 그 일부를 제거하면 좋고, 반드시 모두를 제거할 필요는 없지만, 모든 분산매를 제거하여도 문제는 없다. 또한, 분산매를 제거한 후에 소성하여 제2 액체 재료에 함유되는 금속 미립자를 소결시키거나, 또는 산화시켜도 좋다.

또한, 상기의 도전막 배선의 형성 방법에서, 상기 기판상에 배치된 상기 제1 액체 재료와 상기 제2 액체 재료를 열처리 또는 광처리에 의해서 한데 합쳐서 막으로 변환하는 공정을 가지면 좋다.

제1 액체 재료와 제2 액체 재료를 한데 합쳐서 열처리 또는 광처리함으로써, 수율의 향상이 도모된다.

또한, 상기의 도전막 배선의 형성 방법에서, 상기 제2 액체 재료로는 상기 제1 금속 미립자와는 다른 제2 미립자가 사용된다. 이러한 제2 미립자의 예로는 망간, 크롬, 니켈, 티탄, 마그네슘, 실리콘, 바나듐, 또는 이들 합금, 또는 이들의 산화물을 함유하는 미립자가 사용된다. 또한 상기 금속의 유기 금속 화합물을 함유하여도 좋다.

제2 액체 재료에 상기의 미립자가 함유되는 경우, 그 액체 재료를 사용하여 중간층을 형성하면, 이들의 산화물이 형성되기 쉽다. 이들의 산화물은 흑색인 것이 많기 때문에, 예를 들어, 표시 전극의 근방에 배치되는 버스 전극 등, 육안으로 관측 가능인 위치에 흑색의 중간층이 배치됨으로써, 블랙 매트릭스적인 효과를 발휘하여, 표시 콘트라스트의 향상을 도모할 수 있게 된다.

또한 상기 기판의 표면에는, 예를 들어, 투명 전극막이 형성되어 있고, 상기 제1 액체 재료의 예로는 은의 미립자를 함유한 것이 사용된다.

투명 전극막상에 은의 막을 형성하는 경우, 양자가 반응하여 색의 변화를 일으키는 경우가 있지만, 양자간에 망간 등을 함유하는 중간층을 설치함으로써, 상기색의 변화를 방지할 수 있다.

본 발명의 막구조체는, 기판과, 그 기판상에 형성된 소정 패턴의 도전막 배선을 구비하는 막구조체로서, 상기 도전막 배선은 상기 기재의 도전막 배선의 형성 방법에 의해서 형성된 것을 특징으로 한다.

이 막구조체에서는 도전막 배선이 간략한 프로세스로 형성 가능하기 때문에 저비용화가 도모된다. 또한, 도전막 배선의 세선화 및 밀착성의 향상이 도모된다.

또한, 본 발명의 전기 광학 장치는, 상기 기재의 막구조체를 구비하는 것을 특징으로 한다. 전기 광학 장치의 예로는 액정 표시 장치, 유기 전계 발광 표시 장치, 플라즈마형 표시 장치 등을 예시할 수 있다.

또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

이들 발명에 의하면, 도전막 배선의 밀착성이 높기 때문에, 배선 불량이 거의 생기지 않는다.

본 발명의 도전막 배선의 형성 방법에 의하면, 기판의 표면을 발액성으로 제어하는 표면 처리 공정과, 중간층을 형성하는 중간층 형성 공정을 가짐으로써, 도전막 배선의 세선화와 함께, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있다.

본 발명의 막구조체에 의하면, 도전막 배선의 세선화 및 밀착성의 향상을 도모할 수 있다.

본 발명의 전기 광학 장치에 의하면, 배선 불량이 거의 생기지 않아, 품질의 향상을 도모할 수 있다.

다음에, 본 발명에 의한 실시 형태의 일례로서, 기판상에 도전막 배선을 형성하는 방법에 대해서 설명한다.

도 1의 A~C는 본 실시 형태에 의한 배선 형성 방법을 모식적으로 나타내는 도면이다. 이 배선 형성 방법은 액체 재료를 기판상에 배치하여, 그 기판상에 배선용의 도전막 패턴을 형성하는 것으로, 표면 처리 공정, 중간층 형성 공정(도 1의 A), 재료 배치 공정(도 1의 B), 및 열처리/광처리 공정(도 1의 C) 등을 구비하고 있다.

여기서, 중간층 형성 공정은 기판과 도전막 배선 사이에 배치되는 중간층을 형성하는 공정이고, 이 중간층은 기판에 대한 도전막 배선의 밀착성을 높이는 역할을 한다.

또한, 중간층 형성 공정 및 재료 배치 공정에서는 각각 소정의 액체 재료를 기판상에 배치한다. 즉, 재료 배치 공정에서는 도전막 배선 형성용의 제1 금속 미립자를 함유하는 액체 재료(제1 액체 재료)를 사용하며, 중간층 형성 공정에서는 상기 제1의 것과는 다른 액체 재료(제2 액체 재료)를 사용한다. 또한, 이들의 액체 재료의 배치에는, 액체 토출 헤드의 노즐을 통하여 액체 재료를 액적으로서 토출하는 액체 토출법, 소위 잉크젯법을 사용한다.

우선, 재료 배치 공정 및 중간층 형성 공정에서 사용되는 액체 재료에 대해서 설명한다.

재료 배치 공정에서 사용되는 액체 재료로는 본예에서는 금속 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액이 사용된다. 여기서 사용되는 도전성 미립자는 은 금, 동, 팔라듐, 및 니켈 중의 어느 하나를 함유하는 금속 미립자가 사용된다.

이들 금속 미립자는 분산성을 향상시키기 위해서 표면에 유기물 등을 코팅하여 사용할 수도 있다.

도전성 미립자의 입경은 1nm 이상 0.1㎛이하인 것이 바람직하다. 0.1㎛보다 크면, 상기 액체 토출 헤드의 노즐에 막힘이 생길 우려가 있다. 또한, 1nm보다 작으면, 금속 미립자의 분산성이 나빠지거나, 금속 미립자에 대한 코팅제의 체적비가 크게 되어, 얻어지는 막중의 유기물의 비율이 과다하게 되는 등의 문제가 생긴다.

금속 미립자를 함유하는 액체의 분산매로는 실온에서의 증기압이 0. 001mmHg 이상 200mmHg이하(약 0.133Pa이상 26600Pa이하)인 것이 바람직하다. 증기압이 200mmHg보다 높은 경우에는 토출 후에 분산매가 급격하게 증발하여, 양호한 막을 형성함이 곤란해진다.

또한, 분산매의 증기압은 0. 001mmHg이상 50mmHg이하(약 0.133Pa이상 6650Pa이하)인 것이 보다 바람직하다. 증기압이 50mmHg보다 높은 경우에는 잉크젯법으로 액적을 토출할 때에 건조에 의한 노즐 막힘이 일어나기 쉬워, 안정한 토출이 곤란해진다.

한편, 실온에서의 증기압이 0. 001mmHg보다 낮은 분산매의 경우, 건조가 늦어 막중에 분산매가 잔류하기 쉬워, 후공정의 열 및/또는 광처리 후에 양질의 도전막이 얻어지기 어렵다.

상기 분산매로는 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로써, 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라하이드로나프탈렌, 데카하이드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시 에탄, 비스(2-메톡시 에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌 카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 들 수 있다. 이들 중 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또 잉크젯법으로의 적용의 용이함의 점에서, 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 더욱 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다. 이들 분산매는 단독으로도, 혹은 2종 이상의 혼합물로서도 사용할 수 있다.

상기 도전성 미립자를 분산매에 분산하는 경우의 분산질 농도는 1질량％ 이상 80질량％ 이하이고, 소망한 도전막의 막두께에 따라 조정할 수 있다. 80질량％을 넘으면 응집을 일으키기 쉬워, 균일한 막을 얻기 어렵다.

상기 도전성 미립자의 분산액의 표면 장력은 0.02N/m 이상 0.07N/m 이하의 범위가 바람직하다. 잉크젯법에 의해 액체를 토출할 때, 표면장력이 0.02N/m미만이면, 잉크 조성물의 노즐면에 대한 젖음성이 증대하기 때문에 비행 곡선이 생기기 쉽고, 0.07N/m를 넘으면 노즐 선단에서의 메니스커스의 형상이 안정되지 않아서 토출양, 토출 타이밍의 제어가 곤란하게 된다.

표면장력을 조정하기 위해, 상기 분산액에는 기판과의 접촉각을 부당하게 저하시키지 않은 범위에서, 불소계, 실리콘계, 비이온계 등의 표면장력 조절제를 미량 첨가하면 좋다. 비이온계 표면장력 조절제는 액체의 기판으로의 젖음성을 양호하게 하여, 막의 레벨링성을 개량하여, 막의 미세한 요철의 발생 등의 방지에 도움을 준다.

상기 분산액은 필요에 따라서, 알콜, 에테르, 에스테르, 케톤 등의 유기 화합물을 함유하여도 좋다.

상기 분산액의 점도는 1mPa·s이상 50mPa·s이하인 것이 바람직하다. 잉크젯법으로 토출할 때, 점도가 1mPa·s보다 작은 경우에는 노즐 주변부가 잉크의 유출에 의해 오염되기 쉽고, 또 점도가 50mPa·s보다 큰 경우는 노즐구멍에서의 막힘 빈도가 높아져서 원활한 액적의 토출이 곤란해진다.

한편, 중간층 형성 공정에서 사용되는 액체 재료로는, 본예에서는 금속 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액이 사용된다. 여기서 사용되는 금속 미립자는 후술하는 열처리/광처리 공정을 거침으로써, 상술한 제1 금속 미립자와 기판과의 결합성을 향상시키는 작용을 가짐이 확인된 것이 사용된다. 또한, 이 미립자로는 도전성이라도 좋고, 비도전성이라도 좋다. 예를 들어, 미립자로서, 망간, 동, 및 크롬, 니켈, 티탄, 마그네슘, 실리콘, 바나듐, 또는 그들의 합금, 또는 그들의 산화물 중 어느 하나를 함유하는 금속 미립자 등이 사용된다. 또한, 상기 액체 재료는 상기 금속의 유기 금속 화합물을 함유하여도 좋다.

중간층 형성 공정에서 사용되는 금속 미립자의 입경은 1nm 이상 0.1㎛이하인 것이 바람직하다. 0.1㎛보다 크면, 상기 액체 토출 헤드의 노즐에 막힘이 생길 우려가 있다.

중간층 형성 공정에서 사용되는 금속 미립자를 함유하는 액체의 분산매로는 재료 배치 공정에서 사용되는 금속 미립자의 분산매와 동일한 것을 사용할 수 있으므로, 여기에서는 설명을 생략한다. 미립자를 상기 분산매에 분산하는 경우의 분산질 농도도 같다. 또한, 상기 미립자 분산액의 표면장력이나 첨가물에 대해서도 같으므로 설명을 생략한다.

다음에, 상기 각 공정에 대해서 자세하게 설명한다.

(표면 처리 공정)

표면 처리 공정에서는 도전막 배선을 형성하는 기판의 표면을, 재료 배치 공정에서 사용되는 액체 재료 및 중간층 형성 공정에서 사용되는 액체 재료에 대해서 발액성으로 가공한다. 구체적으로는 상기 액체 재료에 대한 소정의 접촉각이 30 [deg]이상, 60 [deg]이하가 되도록 표면 처리를 실시한다.

도전막 배선용의 기판으로는 Si 웨이퍼, 석영 유리, 유리, 플라스틱 필름, 금속판 등 각종의 것을 사용할 수 있다. 또한, 이들 각종의 소재 기판의 표면에 반도체막, 금속막, 유전체막, 유기막 등이 하지(下地)층으로서 형성된 것을 도전막 배선을 형성하는 기판으로서 사용하여도 좋다.

표면의 발액성(젖음성)을 제어하는 방법의 예로는 기판의 표면에 자기 조직화막을 형성하는 방법, 플라즈마 처리법 등을 채용할 수 있다.

자기 조직막 형성법에서는 도전막 배선을 형성하는 기판의 표면에, 유기 분자막 등으로 되는 자기 조직화막을 형성한다.

기판 표면을 처리하기 위한 유기 분자막은, 기판에 결합 가능한 관능기와, 그 반대측에 친액기 혹은 발액기라는 기판의 표면성을 개질하는(표면 에너지를 제어하는) 관능기와, 이들의 관능기를 결합하는 탄소의 직쇄 혹은 일부 분기 한 탄소쇄를 구비하고 있고, 기판에 결합하여 자기 조직화하여 분자막, 예를 들어 단분자막을 형성한다.

여기서, 자기 조직화막은, 기판 등 하지층 등 구성원자와 반응 가능한 결합성 관능기와 그 이외의 직쇄 분자로 되며, 그 직쇄 분자의 상호작용에 의해 매우 높은 배향성을 갖는 화합물을 배향시켜 형성된 막이다. 이 자기 조직화막은 단분자를 배향시켜 형성되어 있으므로, 매우 막두께를 얇게 할 수 있고, 또한 분자 레벨로 균일한 막으로 된다. 즉, 막의 표면에 같은 분자가 위치하기 때문에, 막의 표면에 균일하고 또한 우수한 발액성이나 친액성을 부여할 수 있다.

상기의 높은 배향성을 갖는 화합물로서, 예를 들어 플루오로 알킬실란을 사용함으로써, 막의 표면에 플루오로 알킬기가 위치하도록 각 화합물이 배향되어 자기 조직화막이 형성되어, 막의 표면에 균일한 발액성이 부여된다.

자기 조직화막을 형성하는 화합물로는 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실트리클로로실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로옥틸트리클로로실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란 등의 플루오로 알킬실란(이하"FAS" 라 함)을 들 수 있다. 사용시에는 1개의 화합물을 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상의 화합물을 조합하여 사용하여도 좋다. 또한, FAS를 사용함으로써, 기판과의 밀착성과 양호한 발액성을 얻을 수 있다.

FAS는 일반적으로 구조식 R_nSiX_(4-n)으로 표시된다. 여기서 n은 1이상 3이하의 정수를 나타내며, X는 메톡시기, 에톡시기, 할로겐원자 등의 가수분해기이다. 또 R은 플루오로 알킬기이고, (CF₃)(CF₂)_x(CH₂)_y의(여기서 x는 0이상 10이하의 정수를, y는 0이상 4이하의 정수를 나타냄) 구조를 갖고, 복수개의 R 또는 X가 Si에 결합되어 있는 경우에는, R 또는 X는 각각 모두 같아도 좋고, 달라도 좋다. X로 표시되는 가수분해기는 가수분해에 의해 실라놀을 형성하여, 기판(유리, 실리콘) 등의 하지의 하이드록실기와 반응하여 실록산 결합으로 기판과 결합된다. 한편, R은 표면에 (CF₃) 등의 플루오로기를 갖기 때문에, 기판 등의 하지 표면을 젖시지 않는(표면 에너지가 낮은) 표면으로 개질한다.

유기 분자막 등으로 되는 자기 조직화막은 상기의 원료 화합물과 기판을 동일한 밀폐 용기중에 넣고, 실온의 경우는 2~3일 정도 방치하면 기판상에 형성된다. 또한, 밀폐 용기 전체를 100℃로 유지하면, 3시간 정도에서 기판상에 형성된다. 이상에서 기술한 것은 기상으로부터의 형성법이지만, 액상으로부터도 자기 조직화막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 원료 화합물을 함유하는 용액중에 기판을 침적하고, 세정, 건조함으로써 기판상에 자기 조직화막이 얻어진다.

또한, 자기 조직화막을 형성하기 전에, 기판 표면에 자외광을 조사하거나, 용매에 의해 세정하거나 하여, 전처리를 실시하는 것이 바람직하다.

플라즈마 처리법에서는 상압 또는 진공중에서 기판에 플라즈마 조사한다. 플라즈마 처리에 사용하는 가스종은 도전막 배선을 형성 하는 기판의 표면 재질 등을 고려하여 여러 가지 선택할 수 있다. 처리 가스의 예로는 4불화메탄, 퍼플루오로헥산, 퍼플루오로데칸 등을 예시할 수 있다.

또한, 기판의 표면을 발액성으로 가공하는 처리는, 소망하는 발액성을 갖는 필름, 예를 들어 4불화에틸렌으로 가공된 폴리이미드 필름 등을 기판 표면에 붙임으로써도 행할 수 있다. 또한, 상기의 폴리이미드 필름을 그대로 기판으로서 사용하여도 좋다.

또한, 기판 표면이 소망하는 발액성보다도 높은 발액성을 갖는 경우, 170~400nm의 자외광을 조사하거나, 기판을 오존 분위기에 노출하거나 함으로써, 기판 표면을 친액화하는 처리를 행하여 표면의 상태를 제어하면 좋다.

(중간층 형성 공정)

도 2의 A 및 도 2의 B는 기판상에 중간층을 형성하는 순서의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 상술한 바와 같이, 이 중간층은 기판에 대한 도전막 배선의 밀착성을 높이기 위한 것이다.

중간층 형성 공정은, 발액성으로 가공된 기판상에 액체 재료를 배치하는 제1 공정(도 2의 A)과, 기판상에 배치된 액체 재료에 함유하는 매질(분산매)의 적어도 일부를 제거하는 제2 공정(도 2의 B)을 포함한다.

제1 공정에서는 도 2의 A에 나타내는 바와 같이, 기판(11)에 대해서 액체 토출 헤드(10)를 상대적으로 이동시키면서, 액체 토출 헤드(10)를 통하여, 중간층 형성용의 액체 재료를 액적(L1)으로 하여 토출하여, 그 액적(L1)을 일정한 거리(피치(P1))마다 기판(11)상에 배치한다. 본 예에서는 액적(L1)의 배치 피치(P1)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L1)의 직경보다도 작게 되도록 정해져 있다. 이것에 의해, 기판(11)상에 배치된 직후의 액적(L1)끼리가 서로 중첩하여, 연속한 라인(W1)이 형성된다. 단, 기판(11)은 액체 재료에 대해서 30°~60°의 접촉각을 갖도록 표면 처리를 행하였으므로, 액적끼리의 중첩이 너무 크면, 라인상으로 이어진 액체는 용이하게 라인내를 이동하여, 벌지(bulge)라고 하는 부풀음을 형성하고, 그 이외의 부분의 라인은 가늘어져서 단선이 생긴다. 그 때문에, 액적끼리의 중첩은 기판(11)상에 배치되었을 때의 액적의 직경에 대해서 1~10％가 되도록 설정할 필요가 있다.

또한, 이러한 액적의 배치 동작을 기판의 표면 전체에 대해서, 기판(11)상에 소정의 패턴으로 되는 막을 형성한다. 이 막의 패턴은 도전막 배선의 배선 패턴과 동일한 패턴이다.

또한, 후술하는 재료 배치 공정과 같이, 액적의 배치 피치를, 기판상에 배치한 직후의 액적의 직경보다도 크게 해도 좋다. 이 경우, 도중에 건조 공정을 둔 후, 개시 위치를 옮기면서, 같은 부위에 대해서 복수회 반복하여 액적의 배치를 행함으로써, 연속한 라인이 형성된다.

액적의 토출 조건, 특히, 액적의 체적 및 액적의 배치 피치는 기판(11)상에 형성되는 라인의 가장자리의 형상이 요철이 미소한 양호한 상태로 되도록 정해져 있다. 또한, 기판(11)의 표면은 미리 발액성으로 가공되어 있으므로, 기판(11)상에 배치한 액적의 퍼짐이 억제된다.

도 3은 기판상에 형성되는 중간층용의 막의 일례로서, 직선상의 라인을 나타내는 평면도이다. 상술한 바와 같이, 복수의 액적을 반복하여 기판(11)상에 배치함으로써, 이러한 연속한 라인(W1)을 기판(11)상에 형성할 수 있다.

또한, 중간층용의 막은 반드시 연속한 라인일 필요는 없다. 예를 들어, 도 4에 나타내는 바와 같이, 도전막 배선을 형성하는 가상의 라인(VL1) 상에, 액적(L1)을 이간한 상태로 배치하여, 중간층용의 막을 단속 상태로 형성해도 좋다.

또한, 중간층용의 막의 두께는 후술하는 도전막 배선용의 막의 두께에 비해서 얇아도 좋다.

도 2의 B로 되돌아 와서, 제2 공정에서는 기판(11)상에 배치된 액체 재료에 함유되는 분산매의 제거를 행한다. 본 예에서는 분산매를 모두 제거하지 않고, 그 일부만을 제거하여, 중간층용의 막을 완전히 건조시키지 않아도 좋다. 건조하여도 미립자는 퇴적하고 있을 뿐이며 소결하고 있지 않으므로, 그 위에 배치되는 도전막 배선용의 액체 재료의 분산매에 의해서, 퇴적한 미립자는 어느정도 재용해한다. 따라서, 분산매를 일부 제거한 것만으로, 완전히 제거한 경우와 같은 효과를 기대할 수 있다. 또한, 이러한 일부 건조는 건조 시간의 단축도 목적으로 하고 있다.

분산매의 제거는 단지 실온에서 방치하는 것만으로도 좋고, 가열 수단을 사용하여 행하여도 좋다. 예를 들어, 핫 플레이트, 전기로, 열풍 발생기 등의 가열 수단을 사용한 일반적인 가열 처리 외에, 램프 어닐을 사용하여 행하여도 좋다. 또한, 이 때, 액적에 함유되는 분산매가 모두 제거되어, 건조막으로 변환될 때까지, 가열이나 광조사의 정도를 높여도 지장이 없다. 단, 막변환은 모든 액체 재료의 배치가 종료된 후, 열처리/광처리 공정에서 한데 모아 행하면 좋기 때문에, 여기에서는 분산매를 어느정도 제거할 수 있으면 충분하고, 예를 들어, 실온(25℃ 정도)에서 몇분 정도 방치하면 좋다. 그러나, 중간층 형성 공정 후에, 가열 소성이나 광처리로 중간층의 막변환을 행하여도(예를 들어 300℃ 정도의 열처리로) 상관없다.

또한, 이러한 처리는 액체 재료의 토출과 병행하여 동시에 진행시키는 것도 가능하다. 예를 들어, 기판을 미리 가열 하여 두거나, 액체 토출 헤드의 냉각과 함께 비점이 낮은 분산매를 사용하거나 함으로써, 기판에 액적을 배치한 직후부터, 그 액적의 건조를 진행시킬 수 있다.

(재료 배치 공정)

다음에, 재료 배치 공정에서는 도 1의 B에 나타내는 바와 같이, 기판(11)상에 형성된 중간층용의 막(W1) 위에, 액체 토출 헤드(10)를 통하여, 상기도전막 배선용의 액체 재료를 액적(L2)으로 하여 배치한다.

여기서, 도 5의 A~C는 기판상에 상기 액체 재료를 배치하는 공정을 보다 구체적으로 나타내는 도면이다.

우선, 도 5의 A에 나타내는 바와 같이, 액체 토출 헤드(10)로부터 토출하는 액적(L2)을 일정한 간격을 두고 중간층의 막(W1) 위에 차례차례 배치한다. 본 예에서는 액적(L2)의 배치 피치(P2)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L2) 직경보다도 크게 되도록 정해져 있다. 또한, 액적(L2)의 배치 피치(P2)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L2)의 직경의 2배 이하가 되도록 정해져 있다.

다음에, 도 5의 B에 나타내는 바와 같이, 상술한 액적의 배치 동작을 반복한다. 즉, 도 5의 A에 나타낸 전번과 동일하게, 액체 토출 헤드(10)로부터 액체 재료를 액적(L3)으로 하여 토출하고, 그 액적(L3)을 일정 거리마다 기판(11)에 배치한다.

이때, 액적(L3)의 체적(1개의 액적당 액체 재료의 양), 및 그 배치 피치(P3)는 전번의 액적(L2)과 같다. 또한, 액적(L3)의 배치 위치를 전번의 액적(L2)으로부터 1/2피치만큼 쉬프트시켜, 기판(11)상에 배치되어 있는 전번의 액적(L2)끼리의 중간 위치에 이번 액적(L3)을 배치한다.

상술한 바와 같이, 기판(11)상의 액적(L2)의 배치 피치(P2)는 기판(11)상에 배치한 직후의 액적(L2)의 직경보다도 크고, 또, 그 직경의 2배 이하이다. 그 때문에, 액적(L2)의 중간 위치에 액적(L3)이 배치됨으로써, 액적(L2)에 액적(L3)이 일부 중첩하여, 액적(L2)끼리의 극간이 메워진다. 이것에 의해, 도 5의 C에 나타내는 바와 같이, 중간층의 막(W1) 위에, 도전막 배선용의 액체 재료로 되는 연속한 라인(W2)이 형성된다. 그리고, 이러한 액적의 배치 동작을 기판의 표면 전체에 대해서 행함으로써, 기판(11)상에 소정의 패턴으로 되는 배선용의 막이 형성된다.

이때, 상술한 바와 같이, 기판(11)의 표면이 발액성으로 가공되어 있으므로, 액체 재료는 중간층의 막(W1)의 외측에서는 튀어, 중간층의 막(W1) 상에 확실히 배치된다. 또한, 상술한 바와 같이, 중간층의 막(W1)은 도전막 배선용의 액체 재료의 분산매에 대해서 어느 정도의 재용해가 되기 때문에, 상기 액체 재료와의 친화성이 비교적 높다. 그 때문에, 중간층의 막(W1) 상에 배치된 액체 재료는 중간층의 막(W1)의 내측에서 양호하게 젖어 퍼진다. 또한 상술한 바와 같이, 중간층의 막(W1)은 도전막 배선의 배선 패턴과 동일한 패턴으로 형성되어 있으므로, 중간층의 막(W1)의 내측에서 젖어 퍼진 액체 재료는 소망한 배선 패턴으로 양호하게 배치된다.

또한, 기판(11)상에 액적을 배치한 후에, 분산매의 일부 제거를 행하기 위해서, 필요에 따라서 건조 처리를 행하여도 좋다. 이 건조 처리는 예를 들어, 일련의 액적의 배치 동작마다 행하여진다. 또한, 이 건조 처리의 목적과, 그 방법이나 장치는 중간층 배치 공정의 제2 공정과 같으므로, 여기서의 설명은 생략한다.

또한, 상술한 액적의 배치 동작의 반복 회수를 늘림으로써, 기판(11)상에 액적이 차례차례 중첩하여, 도전막 배선용의 막(W2)의 두께가 증가한다. 이 막두께는 최종적인 도전막 배선에 필요한 소망한 막두께에 따라 정해지며, 그것에 따라서, 상기 액적의 배치 동작의 반복 회수가 정해진다.

또한, 액적의 배치 피치나, 반복때의 쉬프트양 등은 임의로 설정 가능하다. 예를 들어, 앞의 도 2에 나타낸 바와 같이, 토출 직후 액적끼리가 일부 중첩하도록 액적을 토출하여도 좋다.

(열처리/광처리 공정)

열처리/광처리 공정은 기판상에 배치된 액체 재료에 함유되는 분산매 혹은 코팅제를 완전히 제거함과 함께, 금속 미립자끼리의 접촉 또는 소결을 도모하여, 전기 저항을 내리기 위해서 행하여진다. 또한, 본 예에서는 중간층용의 액체 재료의 열처리와 도전막 배선용의 액체 재료의 열처리를 동시에 행한다.

열처리 및/또는 광처리는 통상 대기중에서 행하여지지만, 필요에 따라서, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기중에서 행할 수도 있다. 열처리 및/또는 광처리의 처리 온도는 분산매의 비점(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 산화성 등의 열적 거동, 코팅재의 유무나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적당히 결정된다.

예를 들어, 유기물로 되는 코팅재을 제거하기 위해서는 통상은 200℃ 이상에서 소성함이 필요하다. 또한, 플라스틱 등의 기판을 사용하는 경우에는 실온 이상 100℃ 이하에서 행하는 것이 바람직하다.

열처리 및/또는 광처리는 통상의 핫 플레이트, 전기로 등에 의한 처리 외에, 램프 어닐에 의해서 행할 수도 있다. 램프 어닐에 사용하는 광의 광원으로는 특별히 한정되지 않지만, 적외선 램프, 크세논 램프, YAG 레이져, 아르곤 레이져, 탄산 가스 레이져, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl 등의 엑시머 레이저 등을 광원으로서 사용할 수 있다. 이들 광원은 일반적으로는 출력 10W이상 5000W이하의 범위의 것이 이용되지만, 본 실시 형태에서는 100W이상 1000W이하의 범위로 충분하다.

상기 열처리 및/또는 광처리에 의해, 도전막 배선용의 막(W2)는 액체 재료에 함유되어 있던 도전성 미립자간의 전기적 접촉이 확보되어, 도전막으로 변환된다.

또한, 중간층용의 막(W1)은 액체 재료에 함유되어 있던 미립자의 작용에 의해, 도전막 배선용의 도전성 미립자와 기판(11)의 결합성을 향상시킨다.

본 실시 형태에 의해 형성되는 도전막 배선은 분산액 1 방울의 기판상에 착탄(着彈)뒤의 직경과 거의 동등한 폭으로 형성할 수 있다. 또한, 중간층에 함유되는 금속 미립자에 의해서, 도전막 배선에 함유되는 금속 미립자와 기판의 양쪽에 대한 결합성이 향상되므로, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력이 높아진다.

따라서, 본 실시 형태에 의하면, 도전막 배선의 세선화와 함께, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있다.

(실시예 1)

여기서, 상기한 도전막 배선의 형성 방법의 실시 형태에 의하여, 유리 기판상에 도전막 배선을 형성한 실시예에 대해서 설명한다.

유리 기판을 세정하고, 또한 파장 254nm의 자외선을 10mW/cm²의 강도로 10분간 조사하여 더 세정을 행했다. 이것에 의해 기판의 표면은 친액성으로 된다. 이 기판과, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실트리에톡시실란 1g을 용량 50리터의 밀폐 용기에 넣고, 120℃에서 2시간 방치했다. 이것에 의해, 기판 표면 전체에 플루오로 알킬기를 갖는 단분자막이 형성되었다. 이 표면과 후술의 금속 미립자가 분산된 액체 재료의 접촉각은 중간층용, 배선 형성용의 액체 재료 모두 70°이었다. 또한 이 기판에 상기와 같은 자외선을 2분간 조사하여 기판 표면의 액체 재료와의 접촉각을 30°로 했다.

도전막 배선용의 액체 재료로는, 입경 5nm정도의 은(銀)초미립자가 유기 용제에 분산된 액체(신쿠치킨 사제, 상품명 "퍼펙트 실버")의 분산매를 테트라데칸으로 치환하여, 농도가 60중량％, 점도가 8mPa·s가 되도록 조정한 액을 사용했다. 또한, 중간층용의 액체 재료 로서도, 마찬가지로 입경 5nm정도의 망간의 초미립자가 테트라데칸에 분산된 액을 사용했다. 이 망간 분산액의 분산질농도는 4중량％이고, 점도는 4mPa·s이었다. 이들 액체를 세이코 엡슨제의 잉크젯 프린터 헤드(시판 프린터 상품명 PM950C와 동등 헤드를 내유기 용제 사용으로 개조한 것)를 사용하여 기판상에 소정 패턴으로 토출한다.

우선, 상기의 접촉각을 30°로한 기판 표면에, 망간 분산액을 소정의 패턴으로 토출한다. 액적의 크기는 약 5피코 리터이고, 그 직경은 20㎛이었다. 이 액적은 기판에 착탄 뒤는 40㎛정도로 퍼졌다. 이러한 액적을 38㎛마다(인접한 기판상의 액적과 2㎛, 즉 액적 직경의 5％의 중첩이 생기도록) 토출하여, 라인상의 패턴을 형성했다. 기판의 표면은 발액 처리되어 있기 때문에, 액적이 번지는 일이 없어, 정확한 에지 형상의 라인이 형성되었다.

또한 그 후, 분산매를 일부 제거하기 위해서, 실온(25℃ 정도)에서 2분간 방치 건조한 후, 은의 분산액을 마찬가지로 하여 망간의 분산액과 같은 패턴으로 토출한다. 그 때, 액적의 크기는 5피코 리터로, 망간의 패턴상에 40㎛마다 토출을 행한 결과, 망간의 패턴과 같은 형태로 젖어 퍼져서, 밖으로는 나오지 않았다. 그 후 100℃의 열풍을 15초간 기판 전체에 내뿜은 후, 다시 은의 분산액을 마찬가지로 40 ㎛피치로 토출한다. 또한 같은 열풍 건조와 40㎛피치의 토출을 몇차례 반복했다.

마지막으로, 기판 전체를 대기중에서 300℃로 30분간 소성하여, 막두께 3㎛, 선폭 40㎛, 저항율 2μΩcm의 도전막 패턴이 형성되었다. 이 도전막 패턴에 대한 밀착력 시험으로서 테이프 박리 시험을 행한 결과, 전혀 벗겨지지 않아 양호한 밀착력을 나타냈다. 비교예로서, 상기와 같은 공정으로 중간층이 없는 배선 패턴을 형성하여 마찬가지로 밀착력을 측정한 결과, 중간층이 있는 쪽이 밀착력이 높았다.

(실시예 2)

실시예 1과 마찬가지의 공정으로, 실시예 1의 망간의 미립자를 각각, 크롬, 니켈, 티탄, 마그네슘, 실리콘, 바나듐의 미립자로 변경하여 도전막 배선을 형성한 결과, 모두 실시예 1과 동일하게 밀착력 개선의 효과가 얻어졌다.

다음에, 본 발명의 전기 광학 장치의 일례로서, 플라즈마형 표시 장치에 대해서 설명한다.

도 6은 본 실시 형태의 플라즈마형 표시 장치(500)의 분해 사시도를 나타내고 있다.

플라즈마형 표시 장치(500)는 서로 대향하여 배치된 유리 기판(501,502) 및 이들 사이에 형성되는 방전 표시부(510)를 포함하여 구성된다.

유리 기판(501)의 상면에는 소정의 간격으로 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되며, 어드레스 전극(511)과 유리 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되어 있다. 유전체층(519)상에는 어드레스 전극(511,511)간에 위치하고 또 각 어드레스 전극(511)을 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에 의해서 구획되는 스트라이프 형상의 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적색, 녹색, 청색중 어느 하나의 형광을 발광하는 것으로, 적색 방전실(516(R))의 저부 및 측면에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부 및 측면에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부 및 측면에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.

한편, 유리 기판(502)측에는, 앞의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 투명 도전막으로 되는 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정의 간격으로 형성되는 동시에, 저항이 높은 표시 전극(512)을 보충하기 위해서 표시 전극(512)상에 버스 전극(512a)이 형성되어 있다. 또 이들을 덮어 유전체층(513)이 형성되며, 또한 MgO 등으로 되는 보호막(514)이 형성되어 있다.

유리 기판(501)과 유리 기판(502)은 상기 어드레스 전극(511…)과 표시 전극(512…)을 서로 직교시키도록 대향시켜 서로 접합되어 있다.

방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합된 것이다. 복수의 방전실(516)중, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍으로 된 부분과, 1쌍의 표시 전극으로 둘러싸인 영역이 1화소를 구성하도록 배치되어 있다.

상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 도시 생략의 교류 전원에 접속되어 있다. 각 전극에 통전함으로써, 방전 표시부(510)에서 형광체(517)가 여기 발광하여, 컬러 표시가 가능해진다.

본 실시 형태에서는 상기 버스 전극(512a), 및 어드레스 전극(511)이 앞의 도 1에 나타낸 도전막 배선의 형성 방법을 사용하여 형성되어 있다. 그 때문에, 버스 전극(512a)과 어드레스 전극(511)의 밀착성이 높아, 배선 불량이 거의 생기지 않는다.

또한, 중간층이 망간 화합물(망간의 산화물)로 되는 경우, 망간의 산화물은 비도전성이지만, 그 망간층을 매우 얇고 또한 포러스상으로 함으로써, 표시 전극(512)과 버스 전극(512a)의 필요한 도전성은 확보된다. 또한, 이 경우, 중간층이 검게 되므로, 이 중간층이 블랙 매트릭스적인 효과를 발휘하여, 표시 콘트라스트의 향상을 도모할 수 있다.

다음에, 본 발명의 전기 광학 장치의 다른 예로서, 액정 장치에 대해서 설명한다.

도 7은 본 실시 형태에 의한 액정 장치의 제1 기판상의 신호 전극 등의 평면 레이아웃을 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에 의한 액정 장치는, 이 제1 기판과, 주사 전극등이 설치된 제2 기판(도시하지 않음)과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 봉입된 액정(도시하지 않음)으로 개략 구성되어 있다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(300)상의 화소 영역(303)에는 복수의 신호 전극(310…)이 다중 매트릭스상에 설치되어 있다. 특히 각 신호 전극(310…)은 각 화소에 대응하여 설치된 복수의 화소 전극 부분(310a…)과 이들을 다중 매트릭스상에 접속하는 신호 배선 부분(310b…)으로 구성되어 있고, Y방향으로 뻗어 있다.

또한, 부호 350은 1칩 구조의 액정 구동 회로로, 이 액정 구동 회로(350)와 신호 배선 부분(310b…)의 일단측(도면중 하측)이 제1 인회 배선(331…)을 통하여 접속되어 있다.

또한, 부호 340…은 상하 도통 단자로, 이 상하 도통 단자(340…)와, 도시하지 않은 제2 기판상에 설치된 단자가 상하 도통재(341…)에 의해서 접속되어 있다. 또한, 상하 도통 단자(340…)와 액정 구동 회로(350)가 제2 인회 배선(332…)을 통하여 접속되어 있다.

본 실시 형태예에서는 상기 제1 기판(300)상에 설치된 신호 배선 부분(310b…), 제1 인회 배선(331…), 및 제2 인회 배선(332…)이 각각, 앞의 도 1에 나타낸 도전막 배선의 형성 방법에 의하여 형성되어 있다. 그 때문에, 배선의 밀착성이 높아, 배선 불량이 거의 생기지 않는다. 또한, 대형화한 액정용 기판의 제조에 적용한 경우에도, 배선용 재료를 효율적으로 사용할 수 있어, 저비용화가 도모된다. 또한, 본 발명을 적용할 수 있는 디바이스는 이들 전기 광학 장치로 한정되지 않고, 예를 들어 도전막 배선이 형성되는 회로 기판이나, 반도체의 실장 배선 등, 다른 디바이스 제조에도 적용이 가능하다.

다음에, 본 발명의 전자 기기의 구체적인 예에 대해서 설명한다.

도 8은 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 8에서, 600은 휴대 전화 본체를 나타내며, 601은 앞의 도 7에 나타낸 액정 장치를 구비한 액정 표시부를 나타내고 있다.

도 9는 워드프로세서, 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 9에서, 700은 정보 처리 장치, 701은 키보드 등의 입력부, 703은 정보 처리 본체, 702는 앞의 도 7에 나타낸 액정 장치를 구비한 액정 표시부를 나타내고 있다.

도 10은 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 10에서, 800은 시계 본체를 나타내며, 801은 앞의 도 7에 나타낸 액정 장치를 구비한 액정 표시부를 나타내고 있다.

도 8~도 10에 나타내는 전자 기기는 상기 실시 형태의 액정 장치를 구비한 것이므로, 배선의 밀착성이 높아, 배선 불량이 거의 생기지 않는다.

또한, 본 실시 형태의 전자 기기는 액정 장치를 구비하는 것으로 했지만, 유기 전계 발광 표시 장치, 플라즈마형 표시 장치 등, 다른 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기로 할 수도 있다.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 적합한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않음은 말할 필요도 없다. 상술한 예에서 나타낸 각 구성부재의 제형상이나 조합 등은 일례이고, 본 발명의 주지로부터 일탈하지 않는 범위에서 설계 요구 등에 의하여 여러 가지로 변경 가능하다.

본 발명의 도전막 배선의 형성 방법에 의하면, 기판의 표면을 발액성으로 제어하는 표면 처리 공정과, 중간층을 형성하는 중간층 형성 공정을 가짐으로써, 도전막 배선의 세선화와 함께, 기판에 대한 도전막 배선의 밀착력을 높일 수 있다. 본 발명의 막구조체에 의하면, 도전막 배선의 세선화 및 밀착성의 향상을 도모할 수 있다. 본 발명의 전기 광학 장치에 의하면, 배선 불량이 거의 생기지 않아, 품질의 향상을 도모할 수 있다.

도 1의 A~C는 본 실시 형태에 의한 배선 형성 방법을 모식적으로 나타내는 도면.

도 2의 A~B는 기판상에 중간층을 형성하는 순서의 일례를 모식적으로 나타내는 도면.

도 3은 기판상에 형성되는 중간층용의 막의 일례로서, 직선상의 라인을 나타내는 평면도.

도 4는 기판상에 형성되는 중간층용의 막의 일례로서, 단속 상태의 라인을 나타내는 평면도.

도 5의 A~C는 기판상에 액체 재료를 배치하는 공정을 보다 구체적으로 나타내는 도면.

도 6은 본 발명의 전기 광학 장치를, 플라즈마형 표시 장치에 적용한 예를 나타내는 분해 사시도.

도 7은 본 발명의 전기 광학 장치를, 액정 장치에 적용한 예를 나타내는 평면도.

도 8은 본 발명의 전자 기기를, 액정 표시 장치를 구비한 휴대 전화에 적용한 예를 나타내는 도면.

도 9는 본 발명의 전자 기기를, 액정 표시 장치를 구비한 휴대형 정보 처리 장치에 적용한 예를 나타내는 도면.

도 10은 본 발명의 전자 기기를, 액정 표시 장치를 구비한 손목시계형 전자 기기에 적용한 예를 나타내는 도면.

주요 부호의 설명

10 헤드 11 기판

W1 중간층 막 W2 도전막 배선용 막

Claims (11)

1. 액체 토출 수단을 통하여 제1 금속 미립자를 함유하는 제1 액체 재료를 기판상에 배치하여, 그 기판상에 소정 패턴의 도전막 배선을 형성하는 방법으로서,

   상기 제1 액체 재료를 상기 기판상에 배치하기 전에,

   상기 기판의 표면을 상기 제1 액체 재료 및 상기 제1 액체 재료와는 다른 제2 액체 재료에 대해서 발액성으로 제어하는 표면 처리 공정과,

   상기 표면 처리 공정의 후에, 액체 토출 수단을 통하여 상기 제2 액체 재료를 상기 기판상에 배치하여, 상기 기판에 대한 상기 도전막 배선의 밀착력을 향상시키는 중간층을 형성하는 중간층 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 중간층을 상기 소정 패턴과 동일한 패턴으로 형성하고, 상기 중간 층의 패턴 위에 상기 제1 액체 재료를 배치하는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제1 액체 재료를 상기 기판상에 배치하기 전에, 상기 기판상에 배치된 상기 제2 액체 재료의 분산매의 적어도 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
4. 제3항에 있어서,

   상기 기판상에 배치된 상기 제1 액체 재료와 상기 제2 액체 재료를 열처리 또는 광처리에 의해서 한데 모아서 막으로 변환하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제2 액체 재료는 상기 제1 금속 미립자와 다른 제2 미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법. '
6. 제5항에 있어서,

   상기 제2 미립자는 망간, 크롬, 니켈, 티탄, 마그네슘, 실리콘, 바나듐으로 되는 군으로부터 선택한 적어도 한개의 금속 또는 상기 금속의 산화물을 함유하는 미립자인 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 제1 금속 미립자는 금, 은, 동, 팔라듐, 니켈의 어느 하나의 금속의 초미립자, 또는 상기 금속을 포함하는 합금의 초미립자인 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 기판의 표면에는 투명 도전막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전막 배선의 형성 방법.
9. 기판과, 그 기판상에 형성된 소정 패턴의 도전막 배선을 구비하는 막구조체로서,

   상기 도전막 배선은 제1항 또는 제2항 기재의 도전막 배선의 형성 방법에 의해서 형성된 것을 특징으로 하는 막구조체.
10. 제9항 기재의 막구조체를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
11. 제10항 기재의 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.