TW576861B - Water-permeable adhesive tape - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 本發明涉及一種用於加工 關材料的水可穿透黏膠蛉體晶圓和/或半導體相 導體晶圓切割和分離成1C元件涉及-種在將半 圓的水可穿透黏膠帶。 曰曰片日守可用於固定半導體晶 半導體晶圓和半導辦相、 常由一個被稱為切宝彳 =料分離成晶片和I c部件通 料。本發明所述的;剛石刀來切割晶圓或材 路、陶莞板和液晶設備的玻璃包二GA封裝、印刷電 中，半導體晶圓和半導二=。在前面提到的方法 割成IC元件晶片。在此切割U;由:Κ ί剛石顆粒切 或半導體相關材料，通堂 =τ 為了固疋半導體晶圓 黏結於也可稱之為切割嫌二★ ν體晶圓或半導體相關材料 體相關材料被切割成二：件f:帶上。半導體晶圓或半導 元件晶片。用於此工藝的點點膠帶上取下“ 脂，如PVC製成的層，它 V1通节具有一個由合成樹 這種方法的-個缺^/㈣結於晶圓上。 會出現裂紋、碎裂或缺；疋=法切割的1c晶片和部件 導致了晶圓和部件品質^而近年來這已成為主要問題，它 率。隨著電子設備的尺寸、匕降：：該切割方法的生產 料厚度的減小，切割造U嚴重了。但是，隨著半導體材 出現了一些不易分離的iL產生裂紋的趨勢增加。也 料，這些材料更易於碎；因：而更脆更硬的半導體相關材 因是旋轉金剛石刀的4機：現=碎裂問題的主要原 钱制。為了克服這個問題，其他

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苐5頁 576861 五、發明說明（2) 切割技術得到了關注f n丄 會更加精確而且此精確；^於採用雷射光束進行的切割 影塑，因if μ if ·確度會受到被切割材料厚度的很大 y、曰 田射技術顯得尤為有利。W095/32834且體描述 弓丨導的雷射光束進s:r:;它公開了採用被液體射流 離來加工材料。具體而i :;L由：接記和材料剝 可-ίϊΐ 在採用雷射技術的分離工藝過程中 =題是晶片和1c部件從黏結它的黏膠帶上 1C部件不能很好地固定二力氣=壓二這些晶圓和 工半導體曰圓和丰道^ 贡常規的用於加 ±1| ^ 日日 肚·相關材料的黏膠帶不適宜於鐳射切 料ίίΓ;片圓和IC部件可能在切割步驟時= 染或者受到由被切割產生的-融顆粒的污 因此，本發明的目的是提供一種用於加工半曰 圓0 :材半料導體相關材料的黏膠帶，尤其是用於切割上：晶 任”膠帶能加工非常薄的半導體晶圓或材料而 他：ΐί!?題，例如，晶圓或1c部件的碎裂或其 , 同打此黏膠帶確保晶圓或材料良好地黏結於其 ，而且防止在切割步驟的過程中晶圓或部件發生分S。 材料H的ΐ由可用於加工半導體晶圓和/Α半導體相關 -個接；：牙ί黏膠帶來實現的，它包括至少-個基膜和 3.〇m，。其中所述的至少—個基膜具有孔隙率為

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游二ΓίΓ"料地發現上述的水可穿透黏膝帶能有效地 = =的問胃，它通常適用於加工半導體晶圓和/ 士 m目關材料，尤其是切割上述晶圓和材料。因此， η:牙透黏膠帶可用於通過雷射技術，尤其是用鐳射 说贺方 '加工_半導體曰曰曰®和/或半導體相關材料。 圖丨1疋表不本發明實施例3中的黏膠帶基膜中孔眼的規 則典型間距的示意圖。 圖2是表示本發明實施例4中的黏膠帶基膜中孔眼的錯 列間距的示意圖。 圖3疋表不本發明實施例5中的黏膠 膜中孔眼的錯 列間距的示意圖。 本發明的水可穿透黏膠帶包括至少一個基膜。適於作 此j膜的材料的例子包括合成樹脂，如聚乙烯和聚丙烯， =苯二甲酸聚乙烯、聚胺基甲酸酯、乙烯—醋酸乙烯酯共 勿三EVA )、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氣乙烯、 水黯胺〔縮醛樹脂、聚苯乙烯和聚碳酸酯等聚烯烴類膜， 也:以是含有諸如pp、pvc、pe、pu、Ps、p〇或PET等聚合 物、f4維，人造絲或乙酸纖維素類合成纖維，棉、絲、毛類 ，然，維，和玻璃纖維或碳纖維類無機纖維的不織物，= 可以疋含有例如pp、PVC、pu、PS、PE、P0或PET等聚合物 纖維’人造絲或醋酸纖維素類合成纖維，棉、絲、毛_ 天然纖維的紡織織物。 、 基膜具有孔或孔眼，它們都是基膜厚度方向上的通 孔孔眼可以規則地或不規則地排列於基膜上。如果基模

有纖維， 而使基膜 孔眼可由 孔隙或孔 穿透黏膠 膜可用常 知的機械 法，可提 喷射水流 當膜被拉 明的是用 ，當生產 方法中， 物來製備 乾燥和拉 何料含 目艮，從 月旨’則 除自然 明水可 基 通常已 機械方 處理和 基骐。 下面說 材料中 種化學 的化合 後進行 由纖維-纖維之間的空隙自然得到了孔 變得多孔。另外，如果基膜含有聚合物樹 人工引入。上述含有纖維的多孔不織材料 之外，遷可包括人工孔眼。為了增加本發 帶的透水性，此方案是有利的。 x 規通孔方法來穿孔。這些方法包括本領域 、化學和/或熱方法。作為對基膜穿孔的 及的有用衝壓機或旋轉輥進行沖孔、鐳射 處理。而且，生產基膜時無機粒子可配入 伸時，一些顆粒破碎，導致膜中出現孔。 化學方法進行穿孔。可將發泡劑配入基膜 基膜時，發泡會產生所需要的孔。在另一 採用一種基底聚合物和一種易溶解於溶劑 基膜。此基膜壓片後浸入所述的溶劑，之 伸’再次生成孔。 W本發明的水可穿透黏膠帶有足夠的孔眼，以確保切割 工蟄中具有良好的水透性和防止水可穿透黏膠帶發生分 層。孔眼的形狀並不受限制，只要它確保透水性即可。例 如關於含纖維的基底材料的纖維-纖維之間的空隙，其孔 幵7可以是不規則的。孔眼的形狀也可以是圓形、方形、三 角形、菱形或星形。用顯微鏡測得的孔眼的大小（孔）通 常小於3.2 mm2，優選〇· 001 -3. 2 mm2，更優選〇· 1—2. 0 _2 ’最優選〇· 2-1 · 1 mm2。如果孔形是圓形，孔的尺寸可 以用直徑表示，優選直徑為OHO.8〇 mni，更優選

\\CHEMLIN\Lika\GRU11209.ptd 第8頁 576861 五、發明說明（5) 那麼方 0.25-0.59 _。如果孔眼是方形、三角形或菱形， 形、三角形或菱形一個邊的長度可作為孔的尺 那 0.30- 1.40匪，更優選〇.45_1〇〇 _。孔密度耍它優選 1 00,000孔/米2，更優選30〇〇〇〇_7〇〇,〇〇〇孔/米广。、大於 由縱向和橫向的間距計算得出。 y、。孔密度 ^發明的水可穿透黏膠帶具有3_9〇%的孔隙老 ”率低於3% ’水透過性差，就會發生晶片從：二如果 層和/或黏膠帶和晶片之間產生污染。一 -勝π上分 大於9 0%會導致黏膠帶的機械強度；：黏膠：平:L隙率 與接著劑之間黏結性能差。孔隙 千'度降 中孔隙或孔眼的比例。當基膜中古 、的疋基膜 選3-60%，更優選10-55%，最優選2()二孔眼呀，孔隙率優 下，孔隙率由孔尺寸和孔密度決定， 牡、種^况 孔尺寸）X (孔密度）χιοο% 如果两含有纖維的多孔不織材料 優選10-80%，更優選20-70%。此日士了丨土 &材科孔隙率 材料的重量、材料密度和不織材匕=隙率由單位面積不織 孔隙率=(早位面積不織材料 ： / (不織材料厚度）X 100% 董里）/ (材枓岔度） 不織材料的厚度由厚度儀測得。 如果有必要，基膜可以經過 的黏性，例如對其上成形黏結 处理以增強與黏結膜 理、火焰處理、電漿處理、錢射A又面進行電暈放電處 底漆）處理。 歲射餘刻處理或内塗氟（例如

576861 五、發明說明（6) 基膜的厚度通常為1〇M〇〇 ，優選3〇_25〇 “m。 旱又小於1 〇 # m，黏膠帶在半導體晶圓和/或半 料的加工過程中可能易於破裂或被切裂。如果厚度：：材 4 0 0 // m，製備本發明的水可穿透黏膠帶變得非常p主。； 可以單獨使用4基膜之一或以多層 = =或兩個以上所述的基膜。可用常規方法製 …ίΐ明的水可穿透黏膠帶還含有-種接著劑，它通常 :"且面上。此接著劑可採用一種常規接著 物衣传優廷一種橡膠基或聚丙烯基接著添。 橡膠基或聚丙烯基接著劑可以包括 ： 種合成橡膠作基底聚合物㈣，或者例 ; 二子、優選H8個碳原子的例如曱基、J有：〇 = 基：丁基、卜丁基、異丁基、戍基、異戊基L異二 己基、乙基己基、辛基、異辛I、壬基、里壬J基二每 基、異癸基、十二烷基、十三烷基、+四烷基或ς脂ς 的線性或支鏈狀烷基基團的丙烯腈聚炫基丙烯酸酿^甲二 丙坤酸醋類丙稀酸基聚合物。也可以利用上述基團：：j 物。也可以，例如聚丁烯基或聚丁二烯基類的其他接=〇 劑。上述接著劑的量通常為50_100wt%。 ▲ ^有必*可將多吕能化單體加入接著劑中作交 劑。父聯劑的例子包括己-二醇-二（甲基）丙烯酸酿a (聚）乙烯乙二醇-二（甲基）丙稀酸酯、（聚）丙烯乙 (曱基）丙烯酸酯、三（曱基）丙烯酸酯和氨基 二醇-

576861 五、發明說明（7) ::二=2酸0旨。交聯劑可單獨使用或使用兩種m 於總單體重量的30%。 J、…，父聯劑的量優選小 劑可以是壓敏、光敏或熱敏或它們 於，敏接者劑，可以通過光輻射尤其是紫外光輻射:。斯 接著劑。光輻射時，由於在接著 —' μ固化 構，從而降低了黏結強度。對ϊ結 熱時其黏結強度降低。 妾者劑受 如果使用光敏接著劑，將受絲射可反應 聚物（-種所謂光聚化合物）加入到接著劑中。此 的例子包括胺基甲酸乙g旨、甲基丙烯酸酯、三：、二體 甲基丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四曱基丙烯酸酯和4: 丁：三 二醇二θ曱基丙烯酸酯。彳光聚化合物的量的範圍通常是！* 100重量份基底聚合物中為5_500重量份，優選5〇重: 份。而且，在這種情況下也包括一種光聚合引發： 劑的例子包括，如4- (4-羥基乙氧基）笨基（2_經基」^ 丙基）_、甲氧基笨乙酮和卜經基環己基苯基_等苯乙綱 化合物、例如安息香（benz〇ine)乙基醚和安息香異丙基 醚等安息香醚類化合物、縮酮化合物、芳香磺黯氯化合 物、光活性肟化合物和苯酮化合物。這些化合物也可單獨 使用或使用其混合物。E P - A -1 5 7 5 0 8給出了有關光敏接著 劑的詳細論述。 如果是熱敏接著劑，此接著劑可以含有通常所說的熱 發泡成分。加熱黏膠帶則發泡。由於一種所謂由發泡造成

\\CHENLIN\Lika\GRU11209.ptd 第11頁 576861

的表面粗化的 六卞守脰日-日_攻半導 料之間的結合表面減少。從而減小了黏結強度 ：:材 例子包括分解型發泡劑和微膠囊型發泡劑。Ep 1的 505中提供了關於熱敏接著劑更多的内容。 b23 士果有义要接者劑的黏結性能可以通過例如 劑中混入適量增黏劑來抑制，+ A 、曰X〜^ 牡接者 —一 9 *剞本控制，比如，混入帖烯類樹脂（如 f派帖承a物' /5 -蒎萜聚合物、雙萜類聚合物、以—蒎 萜·酚共聚物）、烴類樹脂（如脂肪烴樹脂、芳香烴樹良 月曰月曰肪务香經共聚物）、cumarone-萌樹脂、（掠其、 苯罐、二甲苯樹脂或_樹脂。 （说基） 士果有必要，還可以混入任何適當的軟化劑以進一步 控，接著劑的黏結性能，比如相應於聚異丁烯以低分子^ 的t異丁烯作為混入成分，相應於A-B_A型嵌段聚合物， 以鏈烷烴基油作為混入成分。 如果有必要，接著劑還可進一步含有任何適當的添加 劑’例如充填劑、顏料、抗老化劑或穩定劑。 為進一步增強透水性，接著劑中也可以有孔眼。孔眼 可由上述任何一種針對基膜所述的方法製得。該孔眼可與 基膜的穿孔同時提供，或以單獨的工藝製得。但是，接著 劑沒有必要有孔眼，因為在雷射光束或喷射水流的加工過 程中接著劑可被完全切開，因此接著劑的穿透水性不重 要0 接著劑的厚度一般小於3〇〇 ，優選3-2〇〇 ，更優 選3-100//111，進一步更優選5-1〇〇//111，最優選5-7〇//111。

576861 五、發明說明（9) " 一 " ----- 如果厚度小於3 // m，得不到足夠的黏結強度。另一方面， 如果厚度1於30 0 “ m，在從半導體晶圓或半導體相關材料 ^移去，勝帶後’可能會在此晶圓或材料的後部形成不需 的接著劑殘留物，而且水束可能不能夠切斷此接著以 使水透過。 )通常為10 kg/cm2或更 通過浸入曱苯（20 °C )中24 常小於55 wt%，優選0.5-55 潤脹的程度通常至少是2〇 可由任何一種本領域熟知的 般來說，首先提供具有孔眼 1但是也可以在甩接著劑塗 可以直接塗覆在基膜材料 覆工藝來完成接著劑的塗 離型塗覆工藝材料上。通過 ’接著劑在基膜上形成薄 一種塗覆方法來實現。例 覆、簾射塗覆、壓膜塗覆、 方法。而且為了將接著劑塗 壓延。 /或半導體相關材料時經常 的水可穿透黏膠帶可延伸。 的in，更優選20%。黏膠帶 接著劑的100%模數（20 〇c 小，優選0· 5-8 kg/cm2，其中 小日守測得的其中的凝膠含量通 w t /〇，更優選3 5 - 5 5 w t %，凝膠 倍’優選25-80倍。 本發明的水可穿透黏膠帶 常規黏膠帶製造方法製得。一 而且孔隙率為3.0-90%的基膜< 覆基膜後再提供孔眼。接著劑 上。也可以選擇另一種轉移塗 覆，它是將接著劑首先塗覆在 乾燥將存在的載體溶劑除去後 層。塗覆工藝可由現存的任何 如，可用逆壓輥塗覆、印刷塗 播壓和其他工業上應用的塗覆 覆於基膜上，也可以用黏合劑 雖然在加工半導體晶圓和 不要求延伸率，但優選本發明 優選延伸率的值大於初始帶長

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的延伸可能對切割工蓺嫌 甩處。 π後攸黏膠贡上取下晶片這一工藝有 Ν/20 tnM的:\可穿透黏膠帶的抗拉強度通常大於〇· 1 發日月的水可穿_ 關材士砧膠π在加工半導體晶圓和/或半導體相 關材枓日可可能易於破裂和/或切裂。 办沾ί伸強度和延伸率是用測力計測量5· G釐米長20毫 =樣品得到的。室溫下相對濕度為5()%時測試進行逮 马300 _/min。延伸率百分數由下式計算： 延伸率=(破裂時的長度—原始長度原始長度）x 米 度 此時測得的力稱之為黏膠帶的拉伸強度。拉伸強度和 延伸率的測試方法基於ASTM D1 0 0 0。 在室溫下相對濕度為50%時，以18〇 °c剝離黏合力和 3〇〇 mm/min的剝離速度（依據ASTM D1 000 )下，本發明的 水可穿透黏膠帶在矽晶圓上的黏結強度通常小於2 〇 n / 2 〇 _ ’優選〇· 15-10 N/ 20mm。如果接著劑是光敏的，即它 可通過光輻射來固化，或它是熱敏的，即它可通過加熱來 脫離，在進行光和熱處理之前，其黏合強度通常小於2 〇 N/20 _，優選0.15-10 N/20 mm，而在所述的處理之後， 它們的黏合強度通常小於2 N/20 mm。 參考下面的實施例詳細敘述本發明。所有的份數是重 量份。

\\CHENLIN\Lika\GRU11209.ptd 第14頁 576861 五、發明說明（li) --— 實施例1 將含有1 00份丙烯酸共聚物、30份增塑劑和丨〇份交聨 劑的丙烯酸類接著劑塗覆在50 # m厚的加工墊片的一個表 面上，厚度為15 //m，然後在1〇〇它下乾燥3分鐘。乾燥 後，立即將有孔的聚丙烯纖維組成的、已進一步經穿孔得 到的孔眼尺寸為〇·卜〇· 3 mm、孔隙率為3〇%的2〇〇 厚的•亍 不織布薄層疊壓在此塗層上，得到了周於加工半導體曰圓 的薄黏膠帶。此黏膠帶在機器方向（長度方向）上二 強度和延伸率的值為22 N/20 mm和55%，在橫向上的拉仲 強度和延伸率為16 N/20 mm和70 %。 實施例2 將含有100份丙烯酸共聚物，30份增塑劑和1〇份交聯 劑的丙烯酸黏合劑塗覆在50 # m厚的加工墊片一個表面叶 上，厚度為15 //in，然後在1〇〇。(：下乾燥3分鐘。乾燥後， 立即將有孔眼的聚丙烯纖維組成的、已進一步經穿孔得^ 孔眼尺寸為〇·卜〇· 3 mm、孔隙率為50%的2〇〇 厚的不^ f 布薄層疊壓在此塗層上’得到了用於加工半導體晶圓： 黏膠帶，此黏膠帶在機器方向上的拉伸強度和延伸率分別 為18 N/20 _和110%，在橫向上的拉伸強度和延 二1 為15 N/20 mm 和125%。 刀別 實施例3 將含有100份丙烯酸共聚物，30份增塑劑和1〇份交聯

576861 五、發明說明（12) 劑的丙烯酸黏合劑塗覆在EVA ( 9%乙烯基含量聚乙稀 = 30/70 wt %膜的一個表面上，厚度為15 //m，然後在1〇〇〇c 下乾燥3分鐘。塗覆後立即將製成的黏膠帶在機器方向和 橫向上都以1 mm規則典型間距穿成面積為〇· 〇4 mm2的方 孔’得到了用於加工半導體晶圓的黏膠帶（示於圖丨）。此 黏膠帶在機器方向上的拉伸強度和延伸率分別為2〇 n/2〇 匪和60%，在橫向上的拉伸強度和延伸率分別為17 n/2〇 mm 和7 0% ° 實施例4 將含有100份丙烯酸共聚物，3〇份增塑劑和1〇份交聯 劑的丙烯酸黏合劑塗覆在EvA ( 9%乙烯基含量） =助。酬的-個表面上，厚度為15二=二 下乾燥3分鐘。塗覆後立即將製成的黏膠帶以每孔之間} 匪的錯列間距，穿成面積為〇2随2的圓孔，得到了用於 加工半導體晶圓的黏膠帶（示於圖2 )。此黏膠帶在機器方 向上的拉伸強度和延伸率分別為15 N/2〇 _和5〇%，在橫 向上的拉伸強度和延伸率分別為12 N/2〇 _和6〇%。'、 實施例5 將丙烯酸共聚物、作為可光聚合化合物的氨基甲酸乙 酉旨养聚物和光聚合引發劑塗覆在m (9%乙烯基含量）/聚 =稀=3。0/70 wU的膜的一個表面上，厚度為1〇_，然後 100 C下乾煉3分鐘（參見EP —A —〇 1 57 5〇8 )。塗覆後立

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五、發明說明（13) 即將製成的黏勝帶表面以每孔之卩卩1 積為0·13關：的圓孔，得到了用距/穿成面 帶（示於圖3)。此黏膠帶在機器方向上的=肢晶圓的黏膠 率分別為15 Ν/20 _和55%，在橫二上^拉伸強度和延伸 率分別為14 N/20 mm和70%。 伸強度和延伸 對比實施例1 作為對比實施例，製備了厚度為7〇 旋轉金剛刀技術加工矽晶圓時通常所用=m而且具有採用 (厚度為1 0 // m )的標準PVC膜。 、@稀酸接著劑 結果概括於下表1

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\\CHENLIN\Lika\GRU11209.ptd 576861 五、發明說明（14) 對比例1 PVC 70 "in 丙烯酸 10/im g ^SN^Onun 35N/20min g g cc C<| 2N/20mm Γί施例5 仿孔的丨〒/隱膜 200//m N烯酸（可uvm化) 10/im § CM 15N/20mm ! 14N720mm ΙΛ g 卜 似/20mm (之前)* 0.2N/20mm (之後)* 竹施例4 有孔的丨f/RVAE! 150" m W烯酸 15//m g l5N/20mm 12N/20mm 〇 g 5N/20mm i 1 过施例3 份L的PH/隱膜 200/im 丙烯酸 15 // πι 20N/20mm 17N/20mm g tc g 卜 5N720min wmm PP不織布 200 // m 内_烯酸 15//m o to 18N/20mm 15N/20mm i l〇 5N720imn 货施例1 5. ’七8 丙烯酸 15/im o c^z 22N/20mm 16N'/20mm s L〇 g 卜 5N/20mm 接茗劑 孔隙率 0 0 黏結強度 拉伸強度 延仲率 111

\\CHENLIN\Lika\GRU11209.ptd 第18頁 576861 五、發明說明（15) 將直徑為1 2· 7cm ( 5英寸）的半導體晶圓分別黏結於 實施例1至5和對比實施例中的每一個薄黏膠帶上，然後用 兼有喷水直徑為5 0 // m的微喷水管的雷射光束將其切割成 元件晶片。 切割後，測試每一實例的膜損壞、晶片切割表面的狀 況、晶片損壞、黏膠帶與晶圓的分離及污染狀況。 切割條件： 切割設備：由Synova製造 切割速度：5Omm/s 鐳射直徑：5 0 # m 錯射波長：1 〇 6 4 n m 喷水壓力：40MPa(400巴） 晶片尺寸：3mmX3mm 晶圓尺寸：13· 7cm(5英寸） 當黏膠帶直接被輻射時，本發明實施例1至5中的基膜 本身並未受録射損害。而且即使喷射水流的壓力為4 〇 MPa ( 4 0 0巴）時，本發明的實施例！至5中的薄黏膠帶也未 受損。不織布 喷射水流的一 小於噴水口直 膠帶。另外所 本沒有從黏膠 未受到矽粒的 基膜的纖維（實 個障礙，這是因 极。而且熔融矽 有的水都從基膜 帶脫離。而且切 污染。結果，從 施例1和2中） 為纖維的直徑 的熱量沒有切 的孔眼排出， 割後半導體晶 晶圓的上部及 並不代表著是 (20 // m )遠 斷本發明的黏 半導體晶圓根 圓的後部也並 其下部可以觀

576861 五、發明說明（16) _ 察到沒有切裂的乾淨的切割，而且 工過程中，沒有菸頰诂列a :山 禾附有石夕粒。在加 下來的步驟中，對上=非常直的切口。接 的延伸性進行了評：：：：：；：： = = =晶圓 地從黏膠帶上移去。 後的日日片此很好 p ϋ’將對比實施例1的黏移帶用於利用兼有微嗔射 if光束進行的切割工藝時，發現即使噴水星力很 雜，站膠▼本身在切口的兩邊距切口周圍0._處脫又 Τ。此脫離是由於在很低的壓力時喷射水流向下壓晶圓造 成”。結果元件晶片的下部受到熔融矽粒的污染。如果在 切副加工時為了支撐晶圓和黏膠帶而在黏膠帶的下部黏貼 一個平面支撐物，還會發現脫離產生污染，最後也進一步 使晶圓邊緣受到損壞（破裂）。

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第20頁 576861 圖式簡單說明 圖1是表示本發明實施例3中的黏膠帶基膜中孔眼的規 則典型間距的示意圖。 圖2是表示本發明實施例4中的黏膠帶基膜中孔眼的錯 列間距的示意圖。 圖3是表示本發明實施例5中的黏膠帶基膜中孔眼的錯 列間距的示意圖。

\\CHENLIN\Lika\GRU11209.ptd 第21頁

Claims (1)

1. 576861 修正替換本 六、申請專利範圚__ τψτ ΗΓ 1. 一種用於加工半導體晶圓和/或半導體相關材料的 水可穿透黏膠帶，包括至少一個基膜和一個接著劑，其中 所述的至少一個基膜具有孔眼而且孔隙率為3 . 0 - 9 0 % ;該 孔眼的尺寸為0 . 0 0 1 - 3 · 0 mm2 ;其中該接著劑包括橡膠基或 丙烯酸基接著劑，該膠帶具有一介於10%-220 %的延伸率， 一介於0.1-44 N/20 mm的抗拉強度，及一介於0.15-10 N / 2 0 m m的黏結強度。 2. 如申請專利範圍第1項的水可穿透黏膠帶，其中該 基膜含有合成樹脂或不織布。 3. 如申請專利範圍第1或2項的水可穿透黏膠帶，其中 該接著劑是壓敏、光敏和/或熱敏的。

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