CN103289586A

CN103289586A - 切割用粘合片

Info

Publication number: CN103289586A
Application number: CN2013100606784A
Authority: CN
Inventors: 杉村敏正; 土生刚志; 龟井胜利
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2012-02-27
Filing date: 2013-02-26
Publication date: 2013-09-11
Also published as: TW201346001A; JP2013175629A

Abstract

本发明提供一种切割工序中切削屑以及破片的产生受到抑制的切割用粘合片。本发明的切割用粘合片具备包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，该非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，该丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下。在优选的实施方式中，上述粘合剂层还包含结晶聚丙烯系树脂。

Description

切割用粘合片

技术领域

本发明涉及一种切割用粘合片。

背景技术

由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径状态被制造，在表面形成图案后磨削背面，通常，晶圆的厚度被磨薄至100~600μm左右，进而切割分离（dicing）为元件小片（半导体芯片），进而转移至安装工序。在这样的半导体晶圆的制造工序中，粘合片被广泛使用。例如，在切割工序中，为了固定半导体晶圆而使用切割用粘合片。

通常，在切割工序中通过切割刀片切割半导体晶圆。此时，由切割用粘合片产生切削屑时，该切削屑污染半导体芯片以及其它的部件，降低电子元件的可靠性以及产量。作为使由切割用粘合片产生的切削屑减少的技术，提出了通过使用具有特定的构造且具有高熔点的烯烃系热塑性弹性体作为基材薄膜来减少基材薄膜来源的切削屑的技术（专利文献1）。但是，即使使用了这样的技术也不能消除切割刀片带出粘合剂而产生的粘合剂来源的切削屑。另外，提出了具备高弹性模量的粘合粘接剂层的切割用粘合片（专利文献2）。但是，即使是该技术，减少切削屑的效果也不充分。另外，高弹性模量的粘合粘接剂层不具有充分的粘合力，即使是该技术也不能解决这个问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-7654号公报

专利文献2：日本特开2005-159069号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述以往的问题而作出的，其目的在于提供一种切割工序中切削屑的产生受到抑制的切割用粘合片。

用于解决问题的方案

本发明的切割用粘合片具备包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，该非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，该丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层还包含结晶聚丙烯系树脂。

在优选的实施方式中，相对于上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物和该结晶聚丙烯系树脂的总量，上述结晶聚丙烯系树脂的含有比率为50重量%以下。

在优选的实施方式中，上述粘合剂层在20℃下的储能模量（G’）为0.5×10⁶Pa~1.0×10⁸Pa。

在优选的实施方式中，本发明的切割用粘合片还具备基材层。

在优选的实施方式中，相对于上述粘合剂层和该基材层的总厚度，上述基材层的厚度为10%~90%。

在优选的实施方式中，本发明的切割用粘合片是将上述粘合剂层与上述基材层一次性成形而得到的。

发明的效果

根据本发明，通过具备包含具有特定的重均分子量以及分子量分布的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，可以提供切割工序中切削屑的产生受到抑制的切割用粘合片。

附图说明

图1是本发明优选的实施方式的切割用粘合片的截面示意图。

附图标记说明

10粘合剂层

20基材层

100切割用粘合片

具体实施方式

A.切割用粘合片的整体构成

图1是本发明优选的实施方式的切割用粘合片的截面示意图。切割用粘合片100具备粘合剂层10。粘合剂层10包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物。本发明的切割用粘合片既可以是粘合剂层10的单层片，还可以如图1所示具备基材层20。

切割用粘合片100的厚度优选为50μm~300μm，进一步优选为75μm~200μm，特别优选为75μm~125μm。

粘合剂层10的厚度优选为10μm~300μm，进一步优选为15μm~150μm，特别优选为30μm~100μm。切割用粘合片不具备基材层时，粘合剂层的厚度优选为50μm~300μm，进一步优选为75μm~200μm，特别优选为75μm~125μm。切割用粘合片100具备基材层20时，粘合剂层10的厚度优选为10μm~150μm，进一步优选为15μm~100μm，特别优选为15μm~50μm，最优选为30μm~50μm。即使增厚粘合剂层的厚度，本发明的切割用粘合片也可以抑制破片（半导体芯片的碎裂）的发生。另外，由于可以增厚粘合剂层的厚度，若使用本发明的切割用粘合片，则可以不会切入切痕至基材层地进行切割工序，其结果可以防止基材层来源的切削屑的产生。

基材层20的厚度优选为10μm~150μm，进一步优选为20μm~100μm。

相对于粘合剂层10与基材层20的总厚度，基材层20的厚度优选为10%~90%，进一步优选为15%~80%。

本发明的切割用粘合片还可以具备任意适当的其它层。作为其它层，例如可列举出在基材层的与粘合剂层相反的一侧上具备的、能够赋予切割用粘合片耐热性的表面层。另外，在粘合剂层的与基材层相反的一侧上也可以具备粘接剂层。本发明的切割用粘合片具备粘接剂层时，在切割后的半导体芯片剥离时，将粘接剂层从粘合剂层上剥离（即，剥离粘接剂层与半导体芯片）。该粘接剂层作为在基板上安装芯片时的粘接剂层、或多级层叠芯片时的芯片间的粘接剂起作用。作为粘接剂层中的粘接剂，可使用以往公知的半导体用粘接剂。

本发明的切割用粘合片可以在由隔离膜保护的状态下提供。本发明的切割用粘合片可以以用隔离膜保护的状态卷取为卷状。隔离膜具有作为保护切割用粘合片直至供于实际使用的保护材料的功能。作为隔离膜，例如可以列举出通过硅系剥离剂﹑氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料（例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚乙烯、聚丙烯）薄膜、无纺布或者纸等。

本发明的切割用粘合片例如在不用隔离膜保护的情况下，也可以对粘合剂层相反侧的最外层进行背面处理。背面处理例如可以使用硅系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行。本发明的切割用粘合片通过进行背面处理，可以卷取为卷状。

B.粘合剂层

上述粘合剂层包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物。本发明的切割用粘合片具备这样的粘合剂层，因而可以抑制在切割工序中粘合剂层来源的切削屑的产生。另外，即使由于包含非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物而增厚粘合剂层的厚度，也可以抑制破片的发生。进而，由于可以增厚粘合剂层的厚度，若使用本发明的切割用粘合片，则可以不会切入切痕至基材层地进行切割工序，其结果可以防止基材层来源的切削屑的产生。需要说明的是，本说明书中，“非晶”是指不具有像结晶体那样的明确的熔点的性质。

上述粘合剂层既可以是单层，也可以是由成分含有比例（例如非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物和/或结晶聚丙烯系树脂（后述）的含有比例）不同的层形成的多层体。

推测如上所述本申请的切割用粘合片抑制切割工序中粘合剂层来源的切削屑的机制如下。认为：切割工序中粘合剂层来源的切削屑是加热粘合剂层，其后使之冷却而产生的来自于粘合剂层的分离物。此处，加热具体是指与刀片摩擦产生的热，由于该热，粘合剂层被急剧加热。上述的冷却具体是指通过冷却水的冷却。以往的切割用粘合片的粘合剂层（例如丙烯酸（酯）系粘合剂层）由为了确保聚集性而进行交联的树脂构成，通过上述的加热软化，但不具有流动性。因此，在切割时，具有聚集性的粘合剂被刀片带出而附着在半导体芯片上，冷却，作为粘合剂层来源的切削屑残留在半导体芯片上。另一方面，本发明的切割用粘合片的粘合剂层具有非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物，即使不将其交联，也可以确保所期望的内聚力。本发明的切割用粘合片的粘合剂层由于没有以已交联的树脂为主成分，因而通过上述加热，粘合剂层具有流动性，推断在切割时被排出到体系外。其结果，推断不会产生粘合剂层来源的切削屑，可以防止半导体芯片的污染。

上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下，优选为2以下，进一步优选为1.1~2，特别优选为1.2~1.9。分子量分布（Mw/Mn）处于这样范围的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物由于低分子量成分少，因而本发明的切割用粘合片使切割工序中粘合剂层来源的切削屑的产生受到抑制，且耐破片性（半导体芯片碎裂的抑制性）优异。另外，可以防止由低分子量成分的渗出造成的半导体芯片的污染。

上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，优选为200,000~500,000，进一步优选为200,000~300,000。若处于这样的范围内，则可以使切割工序中粘合剂层来源的切削屑的产生受到抑制，且获得耐破片性优异的切割用粘合片。另外，可以防止由低分子量成分的渗出造成的半导体芯片的污染。进而，切割用粘合片的成形采用共挤出成形时，可以无加工不良地形成粘合剂层。需要说明的是，具备包含具有上述范围的重均分子量（Mw）的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层的切割用粘合片，即使不具备基材层，也具有能供于实际应用的处理性。

上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物只要能获得上述所期望的特性，也可以使用任意适当的共聚物。优选的是，使用通过用茂金属催化剂使丙烯与1-丁烯聚合而得到的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物。这样的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物例如可以如下获得：进行使用茂金属催化剂使丙烯和1-丁烯聚合的聚合工序，在该聚合工序后，进行残留催化剂去除工序、异物去除工序等后处理工序。经过这样的工序后，该非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物可以以例如粉末状、颗粒状等形状得到。作为茂金属催化剂，例如可列举出包含茂金属化合物和铝氧烷的茂金属均匀混合催化剂，在微粒状载体上负载有茂金属化合物的茂金属负载型催化剂等。

在上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物中，丙烯来源的构成单元的含有比率优选为80mol%~99mol%，进一步优选为85mol%~99mol%，特别优选为90mol%~99mol%。

在上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物中，1-丁烯来源的构成单元的含有比率优选为1mol%~15mol%，进一步优选为1mol%~10mol%。若处于这样的范围内，则可以获得韧性与柔软性的平衡优异、对凹凸面的追随性优异的切割用粘合片。

上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物可以为嵌段共聚物，也可以为无规共聚物。

在230℃、2.16kgf时上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的熔体流动速率优选为1g/10min~50g/10min，进一步优选为5g/10min~30g/10min，特别优选为5g/10min~20g/10min。若非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的熔体流动速率处于这样的范围内，则可以成形性好地形成粘合剂层，例如切割用粘合片的成形采用共挤出成形时，可以无加工不良地形成，厚度均匀的粘合剂层。熔体流动速率可以根据基于JISK7210的方法测定。

在不损害本发明的效果的范围内，上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物还可以包含其它单体来源的构成单元。作为其它的单体，例如可列举出乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烃。

上述粘合剂层优选还包含结晶聚丙烯系树脂。通过包含结晶聚丙烯系树脂，可以使粘合剂层的储能模量增加。其结果，可以提高切割用粘合片的耐破片性。另外，可以获得处理性优异的切割用粘合片。这样的切割用粘合片即使不具备基材层处理性也优异。进而，通过包含结晶聚丙烯系树脂，可以使粘合剂层的粘合力降低而获得粘合力与剥离性的平衡优异的切割用粘合片。

优选的是：相对于上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物和该结晶聚丙烯系树脂的总重量，上述结晶聚丙烯系树脂的含有比率优选为50重量%以下，进一步优选为40重量%以下，特别优选为30重量%以下。若处于这样的范围，则可以抑制切割工序中粘合剂层来源的切削屑的产生，且可以提高耐破片性。另外，可以获得粘合力与剥离性的平衡优异的切割用粘合片，即，可以获得在切割时充分固定半导体晶圆、在拾取半导体芯片时能容易剥离的切割用粘合片。另一方面，上述结晶聚丙烯系树脂的含有比率多于50重量%时，粘合剂层的储能模量（G’）提高，可以提高耐破片性，但有粘合力降低、芯片的保持性降低的担心。

上述结晶聚丙烯系树脂可以是聚丙烯均聚物，也可以是由丙烯和能够与丙烯共聚的单体得到的共聚物。作为能够与丙烯共聚的单体，例如可以列举出乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烃等。

上述结晶聚丙烯系树脂优选的是，与上述非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物同样地使用茂金属催化剂聚合而得到。若使用这样得到的结晶聚丙烯系树脂，则可以防止因低分子量成分的渗出而对半导体芯片造成的污染。

上述结晶聚丙烯系树脂的结晶度优选为10%以上，进一步优选为20%以上。结晶度代表性的是可以利用差示扫描量热分析（DSC）或X射线衍射求得。

在20℃下上述粘合剂层的储能模量（G’）优选为0.5×10⁶Pa~1.0×10⁸Pa，进一步优选为1.0×10⁶Pa~8.0×10⁷Pa，特别优选为1.5×10⁶Pa~5.0×10⁷Pa。本发明的切割用粘合片具有处于这样范围的储能模量（G’）并且粘合力与剥离性的平衡优异。若上述粘合剂层的储能模量（G’）处于上述范围，则可以获得耐破片性优异、且具有充分粘合力的切割用粘合片。更详细而言，若上述粘合剂层的储能模量（G’）为0.5×10⁶Pa以上，则可以抑制切割时的粘合剂层的振动，可以防止破片的产生。另外，若上述粘合剂层的储能模量（G’）为1.0×10⁸Pa以下，则具有充分的粘合力，可以在切割时良好地固定半导体晶圆（芯片），防止芯片飞散。另外，若上述粘合剂层的储能模量（G’）处于上述范围，则可以获得处理性优异的切割用粘合片。进而，即使半导体晶圆表面上具有凹凸时，也可以获得能追随该凹凸的切割用粘合片。若使用这样的切割用粘合片，则可以防止在切割工序中由切削水造成的半导体芯片的污染。需要说明的是，本发明中的储能模量（G’）可以通过动态粘弹性光谱测定来测定。

上述粘合剂层的粘合力优选为0.3N/20mm~3.0N/20mm，进一步优选为0.4N/20mm~2.5N/20mm，特别优选为0.4N/20mm~2.0N/20mm，最优选为0.9N/20mm~2.0N/20mm。若处于这样的范围内，则可以获得粘合力与剥离性的平衡优异的切割用粘合片。需要说明的是，在本说明书中，粘合剂层的粘合力是指将本发明的切割用粘合片在50℃下熟化2天后，以半导体镜面晶圆（硅制造）为试验板、通过基于JIS Z0237（2000）的方法（温度：23℃，贴合条件：2kg辊往返一次，剥离速度：300mm/min，剥离角度180°）测定的粘合力。

在不损害本发明的效果的范围内，上述粘合剂层还可以包含其它成分。作为该其它成分，例如可以列举出抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂等。其它成分的种类以及使用量可以根据目的进行适当的选择。

C.基材层

可以采用任意的适当的材料作为构成上述基材层的材料。作为构成基材层的材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等聚酯系树脂；聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）等聚烯烃系树脂；聚酰亚胺（PI）；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）；聚醚醚酮（PEEK）；聚氯乙烯（PVC）等聚氯乙烯系树脂；聚苯乙烯系树脂；丙烯酸（酯）系树脂；氟系树脂；纤维素系树脂；聚碳酸酯系树脂。从成形性的观点出发，可以优选使用热塑性树脂。基材层可以是由同种或不同种的材料形成的多层构造。

在190℃、2.16kgf下构成上述基材层的材料的熔体流动速率优选为2g/10min~20g/10min，进一步优选为5g/10min~15g/10min，特别优选为7g/10min~12g/10min。若构成基材层的材料的熔体流动速率处于这样的范围内，则切割用粘合片的成形采用共挤出成形时，可以无加工不良地形成基材层。

在不损害本发明的效果的范围内，上述基材层可以进一步包含其它成分。作为该其它成分，例如可以使用与上述B项中所说明的粘合剂层可以包含的其它成分相同的成分。

D.切割用粘合片的制造方法

作为本发明的切割用粘合片的成形方法，例如可列举出吹胀成形、压延成形、挤出成形等。

本发明的切割用粘合片具备上述基材层时，本发明的切割用粘合片优选将上述粘合剂层与上述基材层一次性成形而得到。作为这样的成形方法，例如可列举出吹胀成形、压延成形、共挤出成形。其中优选采用共挤出成形。通过共挤出成形，可以以较少的工序数、且不使用有机溶剂地制作层间粘接性良好的切割用粘合片。

上述共挤出成形中，上述粘合剂层及上述基材层的形成材料可以使用以任意适当的方法将上述各层的成分混合而成的材料。

作为上述共挤出成形的具体方法，例如可列举出：在至少2台连接了模具（dies）的挤出机中，分别向1台供给粘合剂层形成材料，向另1台供给基材层形成材料，熔融后挤出，利用接触辊成形法牵引，成形为层叠体的方法。挤出时各形成材料合流的部分越接近模具出口（模唇）越优选。这是因为模具内不易产生各形成材料的合流不良。因此，作为上述模具，优选使用多歧管形式的模具。需要说明的是，在产生合流不良的情况下，出现合流不均匀等外观不良，具体而言，挤出的粘合剂层与基材层之间产生波状的外观不均匀，故而不优选。另外，合流不良是由于例如不同种形成材料在模具内的流动性（熔融粘度）之差大、以及各层的形成材料的剪切速度之差大而产生的，因此若使用多歧管形式的模具，比起其它形式（例如夹钳式送料机构（feed block）形式），对于有流动性之差不同种形成材料，可以扩大材料选择的范围。用于各形成材料的熔融的挤出机的螺杆类型可以为单轴或2轴。挤出机也可以为3台以上。粘合剂层为多层体时，使用3台以上的挤出机。另外，使用3台以上的挤出机时，还可以供给其它层形成材料。使用3台以上的挤出机制作双层结构（基材层+粘合剂层）的切割用粘合片的情况下，向相邻的2台以上的挤出机供给同一种形成材料即可，例如，使用3台挤出机时，可以向相邻2台挤压机供给同一种形成材料。

上述共挤出成形中的成形温度优选为160℃~220℃，进一步优选为170℃~200℃。若处于这样的范围内，则成形稳定性优异。

在温度180℃、剪切速度100sec^-1时上述粘合剂层形成材料与上述基材层形成材料的剪切粘度之差（粘合剂形成材料-基材层形成材料），优选为-150Pa·s~600Pa·s，进一步优选为-100Pa·s~550Pa·s，特别优选为-50Pa·s~500Pa·s。若处于这样的范围内，则上述粘合剂形成材料和基材层形成材料的模具内的流动性相近，可以防止合流不良的发生。需要说明的是，剪切粘度可以使用双毛细管（twin capillary）型的伸长粘度计测定。

实施例

以下，通过实施例具体说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限制。另外，在实施例中，除特别载明外，“份”以及“%”为重量基准。

[实施例1]

作为粘合剂层形成材料，使用通过茂金属催化剂聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）。

作为基材层形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯聚合物（EVA）（Du Pont-Mitsui Co.,Ltd.制造，商品名为“EVAFLEXP-1007”）。

将上述粘合剂形成材料与基材层形成材料投入到各自的挤出机中，进行T型模熔融共挤出（挤出机：GM ENGINEERING，Inc.制造，商品名“GM30-28”/T型模：夹钳式送料机构方式；挤出温度180℃），得到粘合剂层的厚度为30μm、基材层的厚度为70μm的切割用粘合片。需要说明的是，各层的厚度通过T型模出口的形状进行控制。

[实施例2]

作为粘合剂层形成材料，使用80份通过茂金属催化剂进行聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）和20份通过茂金属催化剂进行聚合而成的结晶聚丙烯系树脂（JapanPolypropylene Co.,Ltd.制造，商品名为“WINTEC WFX4”，Mw＝363,000，Mw/Mn＝2.87）的混合物，除此之外，与实施例1同样得到切割用粘合片。

[实施例3]

作为第1粘合剂层形成材料，使用80份通过茂金属催化剂进行聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）和20份通过茂金属催化剂进行聚合而成的结晶聚丙烯系树脂（JapanPolypropylene Co.,Ltd.制造，商品名为“WINTEC WFX4”，Mw＝363,000，Mw/Mn＝2.87）的混合物。

作为第2粘合剂层形成材料，使用通过茂金属催化剂聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）。

作为基材层形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯聚合物（DuPont-Mitsui Co.,Ltd.制造，商品名为“EVAFLEXP-1007”）。

将上述第1粘合剂层形成材料与第2粘合剂层形成材料与基材层形成材料投入到各自的挤出机中，进行T型模熔融共挤出（挤出机：GM ENGINEERING，Inc.制造，商品名“GM30-28”/T型模：夹钳式送料机构方式；挤出温度180℃），得到粘合剂层的厚度为30μm（第1粘合剂层的厚度：20μm，第2粘合剂层的厚度：10μm）、基材层的厚度为70μm的切割用粘合片（第1粘合剂层/第2粘合剂层/基材层）。需要说明的是，各层的厚度通过T型模出口的形状进行控制。

[实施例4]

作为第1粘合剂层形成材料，使用70份通过茂金属催化剂进行聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）和30份通过茂金属催化剂进行聚合而成的结晶聚丙烯系树脂（JapanPolypropylene Co.,Ltd.制造，商品名为“WINTEC WFX4”，Mw＝363,000，Mw/Mn＝2.87）的混合物，除此之外，与实施例3同样得到切割用粘合片。

[实施例5]

作为第1粘合剂层形成材料，使用60份通过茂金属催化剂进行聚合而成的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物（住友化学公司制造，商品名为“TafthrenH5002”：丙烯来源的构成单元90mol%/1-丁烯来源的构成单元10mol%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8）和40份通过茂金属催化剂进行聚合而成的结晶聚丙烯系树脂（JapanPolypropylene Co.,Ltd.制造，商品名为“WINTEC WFX4”，Mw＝363,000，Mw/Mn＝2.87）的混合物，除此之外，与实施例3同样得到切割用粘合片。

（比较例1）

作为粘合剂层形成材料，使用热塑性丙烯酸（酯）系树脂(KURARAY CO.,LTD.制造，商品名“LA2140e”：Mw＝74，000,Mw/Mn＝1.3)，除此以外，与实施例1同样得到粘合片。

（比较例2）

在25℃下，向烧瓶中投入78份丙烯酸-2-乙基己酯、19份丙烯酰基吗啉、3份丙烯酸、0.1份2,2’-偶氮二异丁腈、200份作为稀释溶剂的乙酸乙酯。接着，边搅拌边向烧瓶内导入氮气约1小时，用氮气置换内部空气。接着，加热烧瓶，使烧瓶内部温度上升至60℃，一边适当滴加乙酸乙酯，一边保持约6小时进行聚合，得到聚合物溶液。相对于所得的100份的聚合物固体成分，添加2份多异氰酸酯化合物（Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名为“CORONATE L”）、1份多官能环氧化合物（三菱瓦斯化学制造，商品名为“tetrad C”）后，一边用乙酸乙酯稀释，一边搅拌至均匀，得到粘合剂溶液。

在PET隔离膜上涂布所得的粘合剂溶液，用干燥烘箱在130℃下干燥5分钟，形成厚度30μm的粘合剂层。

将所得的粘合剂层转印至乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）薄膜上，获得由第1粘合剂层（丙烯酸（酯）系树脂，厚度：30μm）以及基材层（EVA，厚度：70μm）形成的切割用粘合片。需要说明的是，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（EVA）薄膜由Du Pont-MitsuiCo.,Ltd.制造的商品名为“EVAFLEXP-1007”挤出成形而得到。

（比较例3）

在25℃下，向烧瓶中投入40份丙烯酸-2-乙基己酯、50份丙烯酸甲酯、10份丙烯酸、0.2份过氧化苯甲酰、100份作为稀释溶剂的乙酸乙酯。接着，边搅拌边向烧瓶内导入氮气约1小时，用氮气置换内部空气。接着，加热烧瓶，使烧瓶内部温度上升至65℃，一边适当滴加乙酸乙酯，一边保持约6小时进行聚合，得到聚合物溶液。相对于所得的100份的聚合物固体成分，添加50份二季戊四醇六丙烯酸酯（日本化药公司制造，商品名“DPHA”）与3份光聚合引发剂（BASF公司制造，商品名“IRGACURE651”）与3份多异氰酸酯化合物（NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名“CORONATE L”）、0.5份多官能环氧化合物（三菱瓦斯化学制造，商品名“tetradC”），一边用乙酸乙酯稀释，一边搅拌至均匀，得到粘合剂溶液。

（比较例4）

在25℃下，向烧瓶中投入40份丙烯酸-2-乙基己酯、50份丙烯酸甲酯、10份丙烯酸、0.2份过氧化苯甲酰、100份作为稀释溶剂的乙酸乙酯。接着，边搅拌边向烧瓶内导入氮气约1小时，用氮气置换内部空气。接着，加热烧瓶，使烧瓶内部温度上升至65℃，一边适当滴加乙酸乙酯，一边保持约6小时进行聚合，得到聚合物溶液。相对于所得的100份的聚合物固体成分，添加70份氨基甲酸酯丙烯酸酯（日本合成化学公司制造，商品名“UV－1700B”）与30份氨基甲酸酯丙烯酸酯（日本合成化学公司制造，商品名“UV-3000B”）与3份光聚合引发剂（BASF公司制造，商品名“IRGACURE651”）与3份多异氰酸酯化合物（NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造，商品名“CORONATE L”），一边用乙酸乙酯稀释，一边搅拌至均匀，得到粘合剂溶液。

（比较例5）

使用通过茂金属催化剂进行聚合而成的结晶聚丙烯系树脂（Japan Polypropylene Corporation制造，商品名“WINTECWFX4”，Mw＝363,000，Mw/Mn＝2.87）作为粘合剂层形成材料，除此以外，与实施例1同样得到切割用粘合片。

[评价]

将实施例及比较例所得的切割用粘合片通过以下的方法评价。结果示于表1。

（裸片飞溅）（die fly）

在切割用粘合片上安装厚度250μm的6英寸半导体晶圆，在以下的条件下进行切割。

<切割条件>

切块机（dicer）：DISCO公司制造DFD－651

刀片：DISCO公司制造NBC－ZH2050 27HECC

刀片转速：40000rpm

切割速度：80mm/秒

切割大小：2.5mm×2.5mm

切割模式：下切（down cut）

切割用粘合片切入:20μm

在切割之后，用光学显微镜(20倍)对通过半导体晶圆的切割所得到的各半导体芯片的粘合片上的残留的有无进行观察，对裸片飞溅的个数进行计数。需要说明的是，对由晶圆外周部产生的大致三角形状的芯片的裸片飞溅、由晶圆内部产生的四边形状芯片的裸片飞溅进行计数。在表1中示出相对于切割的半导体芯片的总数的、裸片飞溅的个数的比例。

（破片）

从上述裸片飞溅的评价中所得到的各半导体芯片中取100芯片作为样品，使最终被切断的线（第4线）在上，将芯片竖立在于玻璃板上贴有两面胶带的样品台上。用光学显微镜（200倍）从上部观察，测定距晶圆背面的碎裂（破片）的深度。在表1中示出100芯片中最大的破片深度。

（粘合剂层来源的切削屑）

与上述破片的评价同样地，观察100芯片的半导体芯片的侧面，确认半导体芯片侧面的粘合剂层来源的切削屑的有无。需要说明的是，以长径在5μm以上的粘合剂层来源的切削屑为观察的对象。

（拾取）

将切割大小设为5mm×5mm，除此以外，与裸片飞溅的评价相同地实施切割。关于为紫外线固化型粘合剂的比较例3以及4，在以下所示条件下从粘合面照射紫外线，作为拾取评价用工件。在以下所示的条件下实施拾取评价。需要说明的是，以针高（needle height）为200μm实施，在不能拾取时，每次增加针高10μm，以能够连续拾取50芯片时的针高作为拾取性的评价值。本评价值值越小表示拾取性越良好，若针高为1000μm以下，则被评为良好的拾取。

（拾取条件）

装置FED-1870（芝浦公司制造）

拾取速度指标4

拾取时间100msec

顶起量自200μm起

扩张量3mm

针配置3×3mm

针R250μm

吸嘴（collet）大小5×5mm

（UV照射条件）

装置UM-810(日东精机公司制造)

UV照度50mW/cm²

UV照射时间6秒

UV光量300mJ/cm²

（储能模量）

将实施例及比较例所使用的粘合剂层的储能模量（G’）通过以下的方法评价。

使用实施例所使用的粘合剂层形成材料，制作试验片（厚度

），用动态粘弹性测定装置（RheometricScientific,Inc.制造，制品名“ARES”）在在频率1Hz，升温速度5℃/分钟下，在－50℃~100℃的范围测定剪切的储能模量（G’）。

由于一部分不能通过剪切测定，因而对该样品用拉伸试验测定。在23℃下，使用拉伸试验机（岛津制作所公司制造，TENSILON）在夹盘间距离50mm、拉伸速度0.3m/min的条件下将宽度10mm、长度80mm的粘合剂层的样品沿长度方向拉伸，测定应力-应变曲线。拉伸弹性模量通过下式（I）算出。

Et＝（σ2－σ1）/（ε2－ε1）·····（I）

Et：拉伸弹性模量[MPa]

σ1：应变ε1＝0.05%的拉伸应力[MPa]

σ2：应变ε2＝0.25%的拉伸应力[MPa]

（粘合力（剥离速度300mm/min））

将所得的切割用粘合片在50℃熟化2天后粘贴在4英寸的半导体晶圆的镜面（硅制造）上，通过基于JIS Z0237（2000）的方法（温度：23℃，贴合条件：2kg辊往复一次，剥离速度：300mm/min，剥离角度180°）测定。

表1

※由拉伸试验测定

由实施例表明，根据本申请发明，通过具备包含具有特定的重均分子量以及分子量分布的非晶丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，可以获得切割工序中切削屑的发生受到抑制的切割用粘合片。

Claims

1.一种切割用粘合片，其具备包含无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物的粘合剂层，

该无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物的重均分子量（Mw）为200,000以上，该丙烯-（1-丁烯）共聚物的分子量分布（Mw/Mn）为3以下。

2.根据权利要求1所述的切割用粘合片，其中，所述粘合剂层还包含结晶性聚丙烯系树脂。

3.根据权利要求2所述的切割用粘合片，其中，相对于所述无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物和该结晶性聚丙烯系树脂的总量，所述结晶性聚丙烯系树脂的含有比率为50重量%以下。

4.根据权利要求1或2所述的切割用粘合片，其中，所述粘合剂层在20℃下的储能模量（G’）为0.5×10⁶Pa~1.0×10⁸Pa。

5.根据权利要求1或2所述的切割用粘合片，其还具备基材层。

6.根据权利要求5所述的切割用粘合片，其中，相对于所述粘合剂层和该基材层的总厚度，所述基材层的厚度为10%~90%。

7.根据权利要求5所述的切割用粘合片，其是将所述粘合剂层与所述基材层一次性成形而得到的。