JPH04196342A - 半導体ウエハダイシング用フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウェハをダイシングによりチップ化す
る際に用いる半導体ウェハダイシング用フィルムに関す
るものである。

〔従来の技術〕

半導体ウェハをチップ化する方法としてパターニングさ
れた半導体ウェハの背面にダイシングフィルムの粘着剤
層を貼付は固定し、かつ、ダイシングフィルム固定リン
グに貼付け、ダイヤモンド刃やレーザー等でウェハを切
断する。

その後、切断されたチップを取り出し易くするために、
フィルム延伸押上げ治具で押上げ、フィルムを２０〜５
０％延伸巳、各チップ間隔を拡張し、バキュームピンセ
ット等でピックアップして千ノブを取り出している。

ウェハをダイシングする際にフィルムの粘着力が弱いと
千ノブの飛散が生し、又、強い場合はチップのピックア
ップ作業性が困難になるため、チップの形状で粘着力を
調整している。

また、ピックアップ作業性をよくするため、フィルムを
延伸するのに延伸性がよく、かつ降伏点がない塩化ビニ
ル樹脂フィルムを基材に用いたダイシングフィルムが提
案されている（特公昭５９−２１０９６５号公報）。し
かし、塩化ビニル樹脂フィルムは一般にその中に含まれ
る可塑剤がウェハに移行してウェハを汚染したり、粘着
剤中に移行して粘着力を低下させて、ダイシング時にチ
ップ飛散が生したりする。

また、塩素イオンを多量に含有しているため、ウェハを
腐食させる場合がある。これらの問題を解決するため、
ポリオレフィンフィルムが基材に使用されているが、フ
ィルム延伸押上げ治具を使用してテープを延伸させる場
合、まずダイシングフィルム固定リングとウェハ間でフ
ィルムが延伸され、次にウェハ部分が延伸される。ダイ
シングフィルム固定リングとウェハ間で約２０〜５０％
延伸させるため、降伏点を有する樹脂フィルムの場合は
その間で降伏点が発生し、その後抗張力が低下して、ウ
ェハ部分への応力が伝達せず、ウェハ部分が延伸されな
い欠点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、上記従来技術に伴う問題を解決し、グイソン
グ時やピンクアンプ時にチップの飛散を生じず、延伸性
の優れたフィルムを使用し、ピ。

クアノブ作業性に優れた半導体ウェハダイシング用フィ
ルムを提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、可塑剤の移行によるウェハ汚染、粘着力
の低下及び゛塩素イオンによるうエバの腐食を防止し、
かつチップのピックアツプ性を容易↓こするため、鋭意
検討した結果、降伏点が２０％以上である塩素を含まな
い熱可塑性樹脂フィルムをダイシングフィルムの基材に
用いること二重より、これらの問題が解決することを、
見出し、本発明を完成させた。

即ち、本発明は、基材フィルムの片面に粘着剤層を設け
てなる半導体ウェハダイシング用フィルムにおいて、基
材フィルムが塩素を含まない熱可塑性樹脂からなり、か
つ破断伸度が５０％以上、降伏点が２０％延伸点以上又
は降伏点の無いことを特徴とする半導体ウエハダインン
グ用フィルムである。

本発明に用いる塩素を含まない熱可塑性樹脂としては、
エチレン、プロピレン、ブチレン等のオレフィン類、酢
酸ビニル、スチレン等塩化ビニルヲ除くビニル化合物、
ブタジェン、イソプレン等の共役ジエン化合物、メチル
アクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート等の
アクリル酸エステル類、アクリロニトリル、メタクリレ
ートリル等のニトリル類、の群から選ばれる単量体の単
独重合体、または２種以上からなる共重合体、もしくは
該重合体の混合物からなる樹脂である。例えばエチレン
−酢酸ビニル共重合体（以下ＥＶＡと略称する）、エチ
レン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−プロ
ピレンゴム、ポリエチレンとポリメチルメタクリレート
との混合物等が上げられる。

本発明に用いる基材フィルムは上記樹脂を公知のカレン
ダー成形法、押出成形法等により製膜して得られ、さら
に２層以上に積層するには、従来公知の熔融積層ラミ２
−ト法や共押出法等の製造方法で得ることができる。

上記で得られた単層あるいは積層された基材フィルムは
、破断伸度が５０％以上、降伏点が２０％延伸点以上ま
たは降伏点が無いことが必要である。

破断伸度が５０％未満の場合は、半導体チップの間隔が
十分に拡がらず、ピックアップ作業性が困難になる。降
伏点が２０％延伸点未満の場合も同様に、半導体チップ
の間隔が十分に拡がらず、ピックアップ作業性が困難に
なる。

フィルムの厚さとしては、作業方式により適宜選択する
ことが好ましく、通常５０μｍ〜５００μｍである。

本発明ムこ使用される感圧粘着剤としては、天然及び合
成ゴム系、アクリル系等の樹脂が挙げられ、公知の感圧
粘着剤が使用できる。

紫外線硬化型粘着剤としては、エチレン性二重結合を有
する単量体と官能基を存する共重合性単量体との共重合
物であって、分子中に少なくとも１個の重合性炭素−炭
素二重結合を有するものに、光反応性ビニル化合物およ
び光増悪剤を配合したものが使用できる。

粘着剤の塗布方法としては、従来公知のリバースロール
コータ−やバーコーター、ナイフコーター等で塗布する
ことができる。塗布厚さとしては使用するウェハの種類
により適宜法められる。通常、３μｍ〜１００μｍが好
ましい。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を説明する。

本発明の実施例において採用じた物性評価方法は以下の
通りである。

初期粘着力 ウェハダイシング用フィルムをステンレス鋼板（ＳＵＳ
３０４ＢＡ）に貼合わせた後、１時間後に剥離力をテン
シロン型引張試験Ｉ！（東洋ボールウィン類）にて、剥
離角１８０°、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで測定した
。

ＵＶ照射後粘着力 ウェハダイソング用フィルムをステンレス鋼板（ＳＬＩ
Ｓ３０４ＢＡ）に貼合わせた後、］時間後にＵＶ照射機
（■オーク製作所ＯＨＤ−３２０Ｍ）で光源から２０ｃ
ｍ、照射時間１０秒、出力５（Ｖ／ｃ＋ｘ　Ｘ　１の条
件でｔＪＶ照射を行い、剥離力をテンシロン型引張試験
機（東洋ボールウィン類）にて、剥離角１８０°、引張
速度３００＋ａｍ／ｓｉｎで測定した。

引張特性 ウェハダイシング用フィルムより試料（タンベル１号）
を採取し、室温２０°Ｃ１引張速度３００ｍｍ／＋ｐｉ
ｎでテンシロン型引張試験ｍ＜東洋ボールウィン類）に
て引張り、破断伸度および陵伏点を測定した。

グイソング時のチップ飛敞率 ウェハダイシング用フィルムにチップの大きさ５ｍｍＸ
５ｍｍで切断ライン巾５０μｍのシリコンウェハを貼合
わせ、切断ラインに沿ってダインングソー（ディスコ社
製ＤＡＤ−３ＭＩ）で切断し、千ノブの飛散率を調べた
。

ピノクア、ブチノブ残存率 テンプ切断後、全体をエキスバンドし、その後、ＵＶ照
射機（■オーク製作所０１１１１−３２０門）で１０秒
間、ウェハダイシング用フィルム側にＵＶ照射を行い、
バキュームピンセットでチップをビノクアノフ分離した
。その時のチップ残存率を調べた。

ウェハ汚染性 チップのピックアンプ後、ウェハのフィルム剥離面を光
学顕微鏡にて、２００倍の倍率Ｃ二で目視評価した。

実施例１ ポリエチレンとメチルメタクリレートの共重合体からな
るフィルムを外層ζこ、エチレンプロピレンゴムからな
るフィルムを中間層にした、３層からなる厚さ１００μ
ｍの多層フィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤を塗布厚
ｌＯμｍになるようにリバースロールコータ−で塗布し
、半導体ウェハダイシング用フィルムを得た。

その物性評価を第１表に示す。

実施例２ 実施例１において粘着剤を、アクリル系感圧粘着剤（三
井東圧化学株製商品名“アロマテックス”）とした以外
、実施例１と同様にして半導体ウェハダイシング用フィ
ルムを得た。

その物性評価を第１表に示す。

実施例３ ＥＶＡからなる厚さ１２０μｍの単層フィルムの片面に
紫外線硬化型粘着剤を塗布厚１０μｍになるように実施
例１と同様にして半導体ウェハダイシング用フィルムを
得た。

その物性評価を第１表に示す。

比較例１ 基材フィルムを塩化ビニル樹脂フィルム１００μｍとし
た以外、実施例１と同様にして半導体ウェハダイシング
用フィルムを得た。

その物性評価を第１表に示す。

比較例２ 基材フィルムをポリエチレンフィルム５０μｍとした以
外、実施例１と同様にして半導体ウェハダイシング用フ
ィルムを得た。

その物性評価を第１表に示す。

〔発明の効果〕

本発明の半導体ウェハダイシング用フィルムは基材フィ
ルムに特定の物性を有する塩素を含まない熱可塑性樹脂
を用いることにより、腎伏点が２゜％延伸点以上に有り
、フィルムの伸びがよいので、ウェハをダイシングした
後のチップのピックアンプ作業性がよく、可塑剤の移行
によるウェハ汚染を防止でき、半導体ウェハダイシング
工程の生産性向上に大いに貢献するものである。

また、多層フィルムを用いた場合、単層では使用できな
いフィルムを用いることができ、単層の場合より目的に
応じた物性を得やすい。

第１表 特許出願人　三井東圧化学株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けてなる半導体
   ウェハダイシング用フィルムにおいて、基材フィルムが
   塩素を含まない熱可塑性樹脂からなり、かつ破断伸度が
   ５０％以上、降伏点が２０％延伸点以上又は降伏点の無
   いことを特徴とする半導体ウェハダイシング用フィルム
   。 ２、基材フィルムが１層又は２層以上である請求項１記
   載の半導体ウェハダイシング用フィルム。 ３、粘着剤層が感圧粘着剤層である請求項１記載の半導
   体ウェハダイシング用フィル。 ４、粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤である請求項１記載
   の半導体ウェハダイシング用フィルム。