JP2013145902A - ダイシング・ダイボンディングフィルム及びダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、ダイシング工程時にバリの発生及びこれによるダイの汚染を抑制しながらも、付着性、ギャップ充填性及びピックアップ性のような半導体パッケージ工程における優れた作業性と信頼性を保持することができるダイシング・ダイボンディングフィルム及びダイシング方法に関する。具体的に、本発明ではダイシング・ダイボンディングフィルムの引張り特性を最適化するか、又はダイシング時にダイボンディングフィルムの一部までダイシングを行って、エキスパンド工程を通して分離することを特徴とする。これにより、本発明ではダイシング工程時にバリの発生及びダイ汚染を抑制しながらも、付着性、ピックアップ性及びギャップ充填性が極大化することができるように、フィルムの物性を調節でき、半導体パッケージ工程の優れた作業性及び信頼性を保持することができる。
【選択図】図3
Description
ダイシングフィルム;及び前記ダイシングフィルム上に形成され、25℃での引張り弾性率が10〜2,000MPaであるダイボンディングフィルムを含むダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。
前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する第1工程と、ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでダイシングを行う第2工程と、ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、ダイボンディングフィルムを完全に分離させる第3工程と、を含むダイシング方法を提供する。
前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する第1工程と、前記ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでウエハーダイシングを行う第2工程と、ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、ダイボンディングフィルムを完全に分離させる第3工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法を提供する。
樹脂組成物を溶剤に溶解又は分散させて樹脂ワニスを製造する第1工程と、
前記樹脂ワニスを基材フィルムに塗布する第2工程と、
前記樹脂ワニスが塗布された基材フィルムを加熱し、溶剤を除去する第3工程と、を含む方法を介して、ダイボンディングフィルム及びダイシングフィルムをそれぞれ製造した後、これを積層することによって製造することができる。
前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する第1工程と、
前記ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでウエハーダイシングを行う第2工程と、
前記ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、前記ダイボンディングフィルムを完全に分離させる第3工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法に関するものである。
(1)前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する工程と、
(2)前記ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでウエハーダイシングを行う工程と、
(3)前記ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、ダイボンディングフィルムを完全に分離させる工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法に関するものである。
(1)前述したダイシング方法で分離された半導体チップをピックアップする工程と、
(2)ピックアップ半導体チップを半導体用基板にボンディングする工程と、
(3)半導体チップと半導体用基板を電気的接続手段で連結する工程と
(4)製造されたパッケージを封止材でモルディングする工程と、を含む半導体パッケージ方法に関するものである。
芳香族系エポキシ樹脂(ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点:80℃)66重量部、フェノール樹脂(フェノールノボラック樹脂、軟化点:90℃)60重量部、エポキシ基含有アクリル共重合体(SA−55、Tg:5℃、重量平均分子量:500,000、株式会社LG化学製)200重量部、硬化促進剤(2−フェニル−4−メチルイミダゾール(2P4MZ))0.3重量部及びシリカ(溶融シリカ、平均粒径:75nm)15重量部で構成される組成物に、メチルエチルケトンを撹拌混合し、ワニスを製造した。
アクリル樹脂100重量部を用いたことを除いては、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製作した。この時、ダイボンディングフィルムの引張り弾性率は900MPaであった。
アクリル樹脂400重量部を用いたことを除いては、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製作した。この時、ダイボンディングフィルムの引張り弾性率は200MPaであった。
アクリル樹脂30重量部を用いたことを除いては、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製作した。この時、ダイボンディングフィルムの引張り弾性率は3000MPaであった。
アクリル樹脂600重量部を用いたことを除いては、実施例1と同様にして、ダイシング・ダイボンディングフィルムを製作した。この時、ダイボンディングフィルムの引張り弾性率は10MPaであった。
実施例1で製造されたダイシング・ダイボンディングフィルムのダイシング工程のダイシング深さを調節し、比較例3として設定した。
[実施例1〜3及び比較例1及び2の場合]
実施例及び比較例で製造されたダイシング・ダイボンディングフィルムを用いてダイシングを実施した。この時、ダイサイズは5mm×5mmであった。ダイシングの深さを17μmにした後、バリの発生を観察し、次いで、フィルムを7mmにエキスパンドし、ピックアップ性を確認した。
実施例1で製造されたダイシング・ダイボンディングフィルムをダイシング工程に適用する時、ダイボンディングフィルム及びダイシングフィルムの粘着層の全体及びダイシングフィルムの基材フィルムの一部(30μm)までダイシングを行って、バリの発生を観察し、次いで、7mmにエキスパンドし、ピックアップ性を確認した。ダイシング時のダイサイズは5mm×5mmであった。
1−1 基材フィルム
1−2 粘着層
2 ダイボンディングフィルム
3 ウエハー
4 ダイシングブレード
A ダイシングフィルムのダイシング深さ
B ダイシング後の残深さ
C ダイシング幅
Claims (14)
- ダイシングフィルム;
前記ダイシングフィルム上に形成され、25℃での引張り弾性率が10〜2,000MPaであるダイボンディングフィルムを含むダイシング・ダイボンディングフィルム。 - 前記ダイシングフィルムの延伸率は、100〜2,000%であることを特徴とする請求項1に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
- 前記ダイシングフィルムの延伸率が、500〜1,500%であることを特徴とする請求項2に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
- 基材フィルムと前記基材フィルム上に形成された粘着層を含むダイシングフィルム;及び前記ダイシングフィルム上に形成されたダイボンディングフィルムを含むダイシング・ダイボンディングフィルムを用いてダイシングを行う方法であって、
前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する第1工程;
前記ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでダイシングを行う第2工程;及び
前記ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、前記ダイボンディングフィルムを完全に分離させる第3工程を含むことを特徴とするダイシング方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイシング・ダイボンディングフィルムを用いることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第2工程でのダイシングを、前記ダイボンディングフィルムの厚さの50〜99%の水準まで行うことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第2工程でのダイシングを、前記ダイボンディングフィルムの厚さの75〜95%の水準まで行うことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第3工程のエキスパンドの強さを、前記ダイシングフィルムの基材フィルムの降伏強さの60〜90%に調節することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第3工程のエキスパンドの比率を、前記ダイシングフィルムの基材フィルムの降伏伸び以上に制御することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第3工程のエキスパンドの比率を、前記ダイシングフィルムの基材フィルムの引張り曲線で降伏点以降、引張強度が再び増加し始める地点の引張り変形率以下に調節することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- ポリオレフィンフィルムと前記ポリオレフィンフィルム上に形成された粘着層を含むダイシングフィルム;及び前記ダイシングフィルム上に形成されたダイボンディングフィルムとを含むダイシング・ダイボンディングフィルムを用いてダイシングを行う方法であって、
前記ダイボンディングフィルム上にウエハーを付着する第1工程;
前記ダイボンディングフィルムが完全に切断されない深さまでウエハーダイシングを行う第2工程;及び
前記ダイシング・ダイボンディングフィルムをエキスパンドし、ダイボンディングフィルムを完全に分離させる第3工程と、を含むことを特徴とするダイシング方法。 - 前記第3工程のエキスパンドの強さが、600〜1,350gfであることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第3工程のエキスパンドの比率が、8〜30%であることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- (1)請求項4又は請求項11に記載のダイシング方法を行って製作された半導体チップをピックアップする工程;
(2)前記ピックアップ半導体チップを半導体用基板にボンディングする工程;
(3)前記半導体チップと半導体用基板を電気的接続手段で連結する工程;及び
(4)製造されたパッケージを封止材でモルディングする工程と、を含む半導体パッケージ方法。
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