KR20230085855A - 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 보호막 부착 워크의 분할성이 양호하여, 분할 후의 보호막의 외관 불량을 억제할 수 있는 보호막 형성 필름, 이것을 구비하는 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트, 그리고, 반도체 장치 등의 장치의 제조 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 경화 후에 보호막이 되는 보호막 형성 필름으로서, 23 ℃ 에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름에 대해서, 직각 인열 시험을 행했을 때에, 직각 인열 강도가 10 N/㎜ 이상이며, 또한 당해 직각 인열 시험에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름이 파단되었을 때의 신장률이 10 ％ 이하인 보호막 형성 필름이다.

Description

보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 장치의 제조 방법{FILM FOR PROTECTIVE FILM FORMATION, SHEET FOR PROTECTIVE FILM FORMATION, COMPOSITE SHEET FOR PROTECTIVE FILM FORMATION AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼 등의 워크 또는 워크를 가공하여 얻어지는 반도체 칩 등의 가공물을 보호하기 위해서 바람직하게 사용되는 보호막 형성 필름, 당해 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트, 그리고, 반도체 칩 등을 구비하는 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 플립 칩 본딩으로 불리는 실장법에 의해서 반도체 장치를 제조하는 것이 행해지고 있다. 이 실장법에서는, 범프 등의 볼록상 전극이 형성된 회로면을 갖는 반도체 칩을 실장할 때에, 반도체 칩의 회로면과 기판의 칩 탑재면이 대향하도록 반도체 칩을 반전 (페이스 다운) 시켜, 반도체 칩의 회로면과 기판의 칩 탑재면을 무선으로 접합하고 있다. 따라서, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 면 (회로가 형성되어 있지 않은 면. 이후, 이면이라고도 한다.) 은 외부에 노출된다.
반도체 칩의 이면이 외부에 노출되어 있으면, 그 후의 공정에 있어서 반송시 등의 충격에서 기인하는 균열이나 결손 등의 치핑이 발생될 우려가 있다. 그래서, 이와 같은 치핑으로부터 반도체 칩을 보호하기 위해서, 반도체 칩의 이면에는, 유기 재료로 구성되는 경질의 수지막이 보호막으로서 형성되는 경우가 많다.
이와 같은 보호막은, 그 전구체인 미경화의 수지 필름 (이후, 보호막 형성 필름이라고도 한다.) 을 경화시킴으로써 형성된다. 보호막 형성 필름은 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부되고, 보호막 형성 필름의 경화 전 또는 경화 후에, 반도체 웨이퍼와 보호막 형성 필름 또는 보호막이 다이싱되어 복수의 소편으로 분할된다 (개편화된다). 보호막 형성 필름의 경화 전인 경우, 분할 후에 보호막 형성 필름이 경화된다. 이와 같이 하여 얻어지는 분할된 소편은, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩 (보호막 부착 반도체 칩) 이다.
반도체 웨이퍼 등의 워크를 다이싱에 의해서 개편화하는 방법으로는, 워크에 세정 및 냉각 등을 목적으로 한 액체를 분무하면서 회전날을 사용하여 다이싱하는 블레이드 다이싱에 추가하여, 스텔스 다이싱 (등록 상표) 이 알려져 있다.
스텔스 다이싱에서는, 먼저, 레이저광을 워크의 내부에 집광시켜 분할 예정선을 따라서 개질 영역을 형성한다. 개질 영역은, 레이저광의 조사에 의해서 다른 영역에 비해서 강도가 저하된 영역이고, 워크의 두께 방향을 따라서 균열이 발생되어 있다. 다음으로, 개질 영역을 형성한 워크에, 두께 방향과 수직인 방향으로 인장력을 작용시켜, 개질 영역에 발생된 균열을 인장 응력에 의해서 워크의 양 주면까지 진전시킨다. 그 결과, 워크가 분할 예정선을 따라서 복수의 소편으로 분할된다 (개편화된다).
워크에 인장력을 작용시키는 방법으로는, 신축성을 갖는 테이프 또는 시트가 첩부된 워크를 테이블 상에 재치 (載置) 하고, 테이프 또는 시트를, 워크의 두께 방향과 수직인 방향으로 잡아늘리는 (익스팬드) 방법이 예시된다.
이 때, 워크의 이면에 형성되어 있는 보호막에도 인장 응력이 발생되어, 워크의 분할과 함께, 보호막도 칩의 형상과 거의 동 형상으로 분할될 필요가 있다.
특허문헌 1 은, 스텔스 다이싱에 있어서의 익스팬드시에 칩과 함께 적절히 분할되는 보호막 형성 필름의 일례로서, 0 ℃ 에 있어서의 파단 응력과 파단 변형의 곱이 소정의 범위 내인 보호막 형성 필름을 개시하고 있다.
일본 공개특허공보 2016-115943호
그러나, 익스팬드에 수반하는 인장 응력이 워크에 발생되어도, 분할 예정선을 따라서 분할되지 않아, 소정 수의 보호막 부착 칩이 얻어지지 않고, 칩의 수율이 저하된다는 문제가 있었다. 이와 같은 문제는, 주로, 익스팬드시에 보호막이 확실하게 분할되지 않는 것에서 기인하는 것으로 생각된다. 그래서, 보호막을 쉽게 분할하기 위해서, 저온에서의 익스팬드 (쿨 익스팬드) 가 제안되어 있지만, 익스팬드 장치 등을 저온까지 냉각시키기 위해서 요구되는 시간 및 에너지가 크다는 문제가 있었다.
또, 본 발명자는, 보호막의 강도를 저하시켜 보호막을 분할하기 쉽게 한 경우에는, 익스팬드하기 전에 가해진 충격 등에 의해서 의도치 않게 보호막이 분할되는 경우가 있는 것을 알아내었다. 익스팬드에 의한 분할이 아니고, 충격 등에 의해서 보호막이 분할되었을 경우, 보호막을 평면에서 보았을 때의 보호막의 외주선이 직선이 아니고 지그재그선이 되는 경향이 있다. 이와 같은 보호막의 외주선이 지그재그선인 칩은 외관 불량으로 판별되어, 칩의 수율이 저하된다는 문제가 있었다.
본 발명은 이와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로서, 보호막 부착 워크의 분할성이 양호하여, 분할 후의 보호막의 외관 불량을 억제할 수 있는 보호막 형성 필름, 이것을 구비하는 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트, 그리고, 반도체 장치 등의 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 양태는, 아래와 같다.
[1] 경화 후에 보호막이 되는 보호막 형성 필름으로서,
23 ℃ 에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름에 대해서, 직각 인열 시험을 행했을 때에, 직각 인열 강도가 10 N/㎜ 이상이며, 또한 당해 직각 인열 시험에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름이 파단되었을 때의 신장률이 10 ％ 이하인 보호막 형성 필름이다.
[2] 보호막이, 열 경화물 또는 에너지선 경화물인 [1] 에 기재된 보호막 형성 필름이다.
[3] 직각 인열 강도가 25 N/㎜ 이하인 [1] 또는 [2] 에 기재된 보호막 형성 필름이다.
[4] 보호막에 레이저광이 집광됨으로써 개질 영역을 형성하는 것에 사용되는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성 필름이다.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성 필름과, 보호막 형성 필름 중 적어도 일방의 주면에 박리 가능하게 배치된 박리 필름을 갖는 보호막 형성용 시트이다.
[6] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성 필름과, 보호막 형성 필름을 지지하는 지지 시트를 갖는 보호막 형성용 복합 시트이다.
[7] 23 ℃ 에 있어서의 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도를 TS1 로 하고, 23 ℃ 에 있어서, 지지 시트에 대해서 직각 인열 시험을 행했을 때의 지지 시트의 직각 인열 강도를 TS2 로 했을 때에, TS1/TS2 가 0.15 이하인 [6] 에 기재된 보호막 형성용 복합 시트이다.
[8] 보호막 형성 필름을 워크의 이면에 첩부하는 공정과,
첩부된 보호막 형성 필름을 경화시켜, 워크의 이면에 보호막을 형성하고, 보호막 부착 워크를 얻는 공정과,
워크의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 1 개질 영역을 형성하는 공정과,
보호막의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 2 개질 영역을 형성하는 공정과,
제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역이 형성된 보호막 부착 워크에 인장력을 작용시켜 당해 보호막 부착 워크를 개편화하고, 복수의 보호막 부착 워크 가공물을 얻는 공정을 갖는 장치의 제조 방법이다.
[9] 보호막 형성 필름이, [5] 에 기재된 보호막 형성용 시트가 구비하는 보호막 형성 필름, 또는, [6] 또는 [7] 에 기재된 보호막 형성용 복합 시트가 구비하는 보호막 형성 필름인 [8] 에 기재된 장치의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 보호막 부착 워크의 분할성이 양호하여, 분할 후의 보호막의 외관 불량을 억제할 수 있는 보호막 형성 필름, 이것을 구비하는 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트, 그리고, 반도체 장치 등의 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름이 경화되어 얻어지는 보호막이 워크의 이면에 형성된 보호막 부착 워크의 일례의 단면 모식도이다.
도 2 는, 보호막 부착 워크가 개편화된 보호막 부착 칩의 집합체의 단면 모식도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 III 방향에서 개편화된 보호막 부착 칩의 집합체를 평면에서 보았을 때의 일부 평면 모식도이다.
도 4 는, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 시트의 일례의 단면 모식도이다.
도 5 는, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 복합 시트의 일례의 단면 모식도이다.
도 6a 는, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 시트를 워크의 이면에 첩부하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6b 는, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 복합 시트를 워크의 이면에 첩부하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7 은, 워크의 이면에 첩부한 보호막 형성 필름을 경화시켜 보호막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8 은, 워크의 내부 및 보호막의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 9 는, 개질 영역이 형성된 보호막 부착 워크를 익스팬드하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 10 은, 개편화된 보호막 부착 칩의 집합체로부터 보호막 부착 칩을 픽업하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
이하, 본 발명을 구체적인 실시형태에 기초하여, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 먼저, 본 명세서에서 사용하는 주된 용어를 설명한다.
워크는, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 시트 또는 보호막 형성용 복합 시트가 첩부되어 가공되는 판상체이다. 워크로는, 예를 들어, 웨이퍼, 패널을 들 수 있다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼, 반도체 패널을 들 수 있다. 워크 가공물로는, 예를 들어, 웨이퍼를 개편화하여 얻어지는 칩을 들 수 있다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼를 개편화하여 얻어지는 반도체 칩이 예시된다.
웨이퍼 등의 워크의「표면」이란 회로, 범프 등의 볼록상 전극 등이 형성된 면을 가리키고,「이면」은 회로, 전극 (예를 들어 범프 등의 볼록상 전극) 등이 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다. 보호막은, 웨이퍼 및 칩의 이면에 형성된다.
웨이퍼의 개편화는, 웨이퍼를 회로마다 분할하여 칩을 얻는 것을 말한다.
본 명세서에 있어서, 예를 들어「(메트)아크릴레이트」란,「아크릴레이트」및「메타크릴레이트」의 쌍방을 나타내는 용어로서 사용하고 있고, 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.
「에너지선」은, 자외선, 전자선 등을 가리키고, 바람직하게는 자외선이다.
박리 필름은, 점착제층 또는 보호막 형성 필름을 박리 가능하게 지지하는 필름이다. 필름이란, 두께를 한정하는 것이 아니고, 시트를 포함하는 개념으로 사용한다.
보호막 형성 필름용 조성물 등의 조성물에 관한 설명에 있어서의 질량비는, 유효 성분 (고형분) 에 기초하고 있고, 특별한 설명이 없는 한, 용매는 산입하지 않는다.
(1. 보호막 형성 필름)
본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름은, 워크에 첩부되고, 워크 또는 워크 가공물을 보호하기 위한 보호막을 형성하기 위해서 사용된다.
(1.1 보호막)
본 실시형태에서는, 보호막은, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름을 경화시킴으로써 얻어진다. 즉, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름은 경화성이다. 경화성 보호막 형성 필름에 워크를 중첩한 후, 보호막 형성 필름을 경화시킴으로써, 보호막을 워크에 강고하게 접착할 수 있어, 내구성을 갖는 보호막을 형성할 수 있다.
보호막은, 보호막 형성 필름의 경화물로서, 보호막 형성 필름과는 상이하다. 경화물로는, 예를 들어, 열 경화물, 에너지선 경화물이 예시된다. 본 실시형태에서는, 보호막은 열 경화물인 것이 보다 바람직하다.
보호막 형성 필름이 열 경화성인지의 여부는 아래와 같이 하여 판단할 수 있다. 먼저, 상온 (23 ℃) 의 보호막 형성 필름을, 상온을 초과하는 온도가 될 때까지 가열하고, 이어서 상온이 될 때까지 냉각시킴으로써, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름으로 한다. 다음으로, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름의 경도와, 가열 전의 보호막 형성 필름의 경도를 동일한 온도에서 비교했을 때에, 가열·냉각 후의 보호막 형성 필름 쪽이 딱딱한 경우에는, 이 보호막 형성 필름은 열 경화성이라고 판단한다.
또, 보호막 형성 필름은, 상온 (23 ℃) 에서 점착성을 갖거나, 가열에 의해서 점착성을 발휘하는 것이 바람직하다. 이로써, 보호막 형성 필름에 워크를 중첩할 때에 양자를 첩합 (貼合) 할 수 있다. 따라서, 보호막 형성 필름을 경화시키기 전에 위치 결정을 확실하게 행할 수 있다.
보호막 형성 필름은 1 층 (단층) 으로 구성되어 있어도 되고, 2 층 이상의 복수 층으로 구성되어 있어도 된다. 보호막 형성 필름이 복수 층을 갖는 경우, 이들 복수 층은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되고, 이들 복수 층을 구성하는 층의 조합은 특별히 제한되지 않는다.
본 실시형태에서는, 보호막 형성 필름은 1 층 (단층) 인 것이 바람직하다. 1 층의 보호막 형성 필름은 두께에 관해서 높은 정밀도가 얻어지기 때문에 생산이 용이하다. 또, 보호막 형성 필름이 복수 층으로 구성되면, 층간의 밀착성 및 각 층의 신축성을 고려할 필요가 있고, 이것들에서 기인하여 피착체로부터의 박리가 발생될 리스크가 있다. 보호막 형성 필름이 1 층인 경우에는, 상기한 리스크를 저감할 수 있어, 설계의 자유도도 높아진다. 또, 온도 변화가 발생되는 공정 (리플로 처리시나 장치의 사용시) 에서, 층간의 열신축성의 차이로부터 층간 박리가 발생될 리스크도 저감할 수 있다.
보호막 형성 필름의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이하이다. 또, 보호막 형성 필름의 두께는, 바람직하게는 5 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이상이다. 보호막 형성 필름의 두께가 상기 범위에 있으면, 얻어지는 보호막의 보호 성능이 양호해진다.
또한, 보호막 형성 필름의 두께는, 보호막 형성 필름 전체의 두께를 의미한다. 예를 들어, 복수 층으로 구성되는 보호막 형성 필름의 두께는, 보호막 형성 필름을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름은, 워크에 첩부되고 경화됨으로써 보호막이 된다. 그 결과, 경화물인 보호막이 형성된 워크 (보호막 부착 워크) 가 얻어진다.
도 1 에, 보호막 부착 워크 (100) 를 나타낸다. 보호막 부착 워크 (100) 는, 워크 (6) 의 이면측 (도 1 에서는 하방측) 에 보호막 (1) 이 형성되고, 워크 (6) 의 표면측 (도 1 에서는 상방측) 에 볼록상 전극 (6b) 이 형성되어 있다. 워크 (6) 의 표면측에는 회로가 형성되어 있고, 볼록상 전극 (6b) 은 회로와 전기적으로 접속하도록 형성되어 있다. 볼록상 전극 (6b) 으로는, 범프, 필러 전극 등이 예시된다.
본 실시형태에서는, 보호막 부착 워크 (100) 는, 보호막 (1) 이 워크 (6) 와 접하고 있는 주면과는 반대측의 주면이 다이싱 테이프 또는 다이싱 시트와 같은 신축성을 갖는 테이프 또는 시트에 마운트된 상태에서 스텔스 다이싱에 제공된다.
스텔스 다이싱에서는, 먼저, 소정의 레이저광을 워크의 내부에 집광시켜 분할 예정선을 따라서 개질 영역을 형성한다. 다음으로, 워크 (6) 에 대해서, 워크 (6) 의 외주를 향하는 방향으로 인장력이 작용하도록, 신축성을 갖는 테이프 또는 시트를 잡아늘려 (익스팬드하여), 개질 영역에 발생된 균열을 인장 응력에 의해서 워크의 양 주면까지 진전시킨다. 그 결과, 워크가 분할 예정선을 따라서 복수의 소편으로 분할되어 (개편화되고), 워크 가공물이 얻어진다.
이 때, 보호막에도 인장 응력이 발생되어, 보호막이 잡아늘려지고, 분할 예정선에 대응하는 형상으로 분할된다. 따라서, 이 익스팬드에 의해서, 도 1 에 나타내는 보호막 부착 워크 (100) 가 분할되어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 워크 가공물로서 복수의 보호막 부착 칩 (100a) 이 얻어진다. 보호막 부착 칩 (100a) 은, 칩 (6a) 의 이면측 (도 2 에서는 하방측) 에 보호막 (1) 이 형성되고, 칩 (6a) 의 표면측 (도 2 에서는 상방측) 에 볼록상 전극 (6b) 이 형성되어 있다.
그러나, 익스팬드에 수반하는 인장 응력이 보호막 부착 워크에 발생되어도, 분할 예정선을 따라서 분할되지 않아, 소정 수의 보호막 부착 칩이 얻어지지 않는 경우가 있었다. 도 3 은, 도 2 에 있어서, 익스팬드에 의해서 얻어지는 복수의 보호막 부착 칩 (100a) 을 III 방향에서 본 도면이다. 즉, 도 3 은, III 방향에서 본 보호막 부착 칩 (100a) 의, 평면에서 보았을 때의 형상을 나타내고 있다.
도 3 의 좌상에는, 분할 예정선 (200) 을 따라서 분할되어야 할 보호막 부착 칩 (100a) 이 분할되지 않고, 미분할된 보호막 부착 칩 (101a) 이 존재하고 있다. 이와 같은 미분할된 보호막 부착 칩 (101a) 은 불량품이 되기 때문에, 칩의 수율이 저하된다는 문제가 있다.
종래, 이 문제에 대처하기 위해서, 스텔스 다이싱에 있어서의 익스팬드를 저온 (예를 들어, 0 ℃ 이하) 에서 행하는 쿨 익스팬드가 행해졌다. 그러나, 냉각에 필요로 하는 시간 및 에너지가 문제로 되어 있었다.
그래서, 본 실시형태에서는, 워크의 내부뿐만 아니라, 보호막의 내부에도 분할 예정선을 따른 개질 영역을 형성하고 있다. 보호막의 내부에 개질 영역이 형성되어 있음으로써, 스텔스 다이싱에 있어서의 익스팬드를 상온 (예를 들어, 23 ℃) 에서 행해도, 보호막 부착 워크가 확실하게 분할 예정선을 따라서 분할되어, 예정된 수량의 보호막 부착 칩이 얻어진다.
한편, 보호막의 내부에 개질 영역을 형성함으로써, 보호막의 내부에 강도가 저하된 영역을 형성하면, 익스팬드에 의한 분할이 아니라, 익스팬드하기 전에 가해진 충격 등에 의해서 의도치 않게 보호막이 분할되는 경우가 있다. 익스팬드에 의한 분할이 아니라, 충격 등에 의해서 보호막이 분할되었을 경우, 도 3 의 우하에 나타내는 바와 같이, 당해 보호막을 평면에서 보았을 때의 보호막의 외주선이 직선이 아니고 지그재그선인 보호막 부착 칩 (102a) 이 얻어지는 경향이 있다. 이와 같은 보호막 부착 칩 (102a) 은 외관 불량으로서 판별되어, 칩의 수율이 저하된다는 문제가 있다.
이와 같은 외관 불량을 억제하기 위해서, 보호막에 대한 개질 영역의 형성에 더하여, 보호막의 직각 인열 시험을 행했을 경우의 파단 강도 (직각 인열 강도) 와, 직각 인열 시험에 있어서의 파단시의 신장률을 아래에 나타내는 바와 같이 제어하고 있다. 상기 서술한 바와 같이, 보호막은, 보호막 형성 필름의 경화물이기 때문에, 보호막의 직각 인열 강도는, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도와 동일한 의미이고, 보호막의 파단시의 신장률은, 경화 후의 보호막 형성 필름의 파단시의 신장률과 동일한 의미이다.
(1.1.1 직각 인열 강도)
본 실시형태에서는, 23 ℃ 에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름 (보호막) 의 직각 인열 강도 (TS1) 가 10 N/㎜ 이상이다. 직각 인열 강도가 상기한 범위 내임으로써, 익스팬드하기 전에 가해진 충격 등에 의해서 의도치 않게 보호막이 분할되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 보호막은, 스텔스 다이싱의 익스팬드 전에는 분할되지 않고, 상온에서의 익스팬드여도 확실하고 적절히 분할되어, 보호막을 평면에서 보았을 때의 보호막의 외주선이 직선인 보호막 부착 칩을 예정된 수량 얻을 수 있다.
경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 (TS1) 는 13 N/㎜ 이상인 것이 바람직하고, 15 N/㎜ 이상인 것이 보다 바람직하며, 17 N/㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
한편, 익스팬드시에 보다 확실하게 보호막을 분할하기 위해서, 23 ℃ 에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 (TS1) 는 25 N/㎜ 이하인 것이 바람직하고, 22 N/㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 (TS1) 는, JIS K 7128-3 : 1998 에 준하여 측정된다. 즉, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도는, JIS K 7128-3 : 1998 에 규정되어 있는 측정 방법 (직각형 인열법) 과 동일하게 측정되지만, 측정 조건이 상이해도 된다. 구체적인 측정 방법은 실시예에 있어서 설명한다. 시험편은, JIS K 7128-3 : 1998 의 도 2 에 나타내는 형상을 갖고 있고, 시험편의 중앙부는 90°의 각도를 이루는 패인 형상이다. 직각 인열 시험은, 시험편의 양 단을 잡아당김으로써 행해진다.
(1.1.2 파단시의 신장률)
본 실시형태에서는, 23 ℃ 에 있어서, 상기한 직각 인열 강도를 측정하는 시험에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름 (보호막) 이 파단되었을 때의 신장률이 10 ％ 이하이다. 신장률이 상기한 범위 내임으로써, 보호막은 상온에서의 익스팬드여도 적절히 분할되어, 보호막을 평면에서 보았을 때의 보호막의 외주선이 직선인 보호막 부착 칩을 예정된 수량 얻을 수 있다.
경화 후의 보호막 형성 필름이 파단되었을 때의 신장률은 8 ％ 이하인 것이 바람직하고, 7 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 4 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 신장률의 하한치는 특별히 한정되지 않지만, 익스팬드시에, 보호막을 평면에서 보았을 때의 보호막의 외주선이 아닌 위치에 균열이나 결손이 발생되는 리스크를 저감할 수 있는 관점에서, 0.2 ％ 이상인 것이 바람직하다.
상기 서술한 바와 같이, 경화 후의 보호막 형성 필름이 파단되었을 때의 신장률은, (1.1.1) 에 나타내는 직각 인열 강도를 측정하는 시험에 있어서의 측정치이기 때문에, 당해 신장률은 JIS K 7128-3 : 1998 에 준하여 측정된다. 즉, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도는, JIS K 7128-3 : 1998 에 규정되어 있는 측정 방법과 동일하게 측정되지만, 측정 조건이 상이해도 된다. 구체적인 측정 방법은 실시예에 있어서 설명한다.
(1.2 보호막 형성 필름용 조성물)
보호막이 상기한 물성을 갖고 있으면, 보호막 형성 필름의 조성은 특별히 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 보호막 형성 필름을 구성하는 조성물 (보호막 형성 필름용 조성물) 은, 적어도, 중합체 성분 (A) 와 경화성 성분 (B) 와 충전재 (E) 를 함유하는 수지 조성물인 것이 바람직하다. 중합체 성분은, 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성된다고 간주할 수 있는 성분이다. 또, 경화성 성분은 경화 (중합) 반응할 수 있는 성분이다. 또한, 본 발명에 있어서 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.
또, 중합체 성분에 함유되는 성분은, 경화성 성분에도 해당하는 경우가 있다. 본 실시형태에서는, 보호막 형성 필름용 조성물이, 이와 같은 중합체 성분 및 경화성 성분의 양방에 해당하는 성분을 함유할 경우, 보호막 형성 필름용 조성물은, 중합체 성분 및 경화성 성분을 양방 함유한다고 간주한다.
(1.2.1 중합체 성분)
중합체 성분 (A) 는, 보호막 형성 필름에 필름 형성성 (조막성) 을 갖게 하면서, 적당한 택을 부여하여 워크에 대한 보호막 형성 필름의 균일한 첩부를 확실하게 한다. 중합체 성분의 중량 평균 분자량은, 통상적으로는 5 만 ∼ 200 만, 바람직하게는 10 만 ∼ 150 만, 특히 바람직하게는 20 만 ∼ 100 만의 범위에 있다. 이와 같은 중합체 성분으로는, 예를 들어, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등이 사용되고, 특히 아크릴 수지가 바람직하게 사용된다.
또한, 본 명세서에 있어서,「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피 (GPC) 법에 의해서 측정되는 폴리스티렌 환산치이다. 이와 같은 방법에 의한 측정은, 예를 들어, 토소사 제조의 고속 GPC 장치「HLC-8120GPC」에, 고속 칼럼「TSK guard column HXL-H」,「TSK Gel GMHXL」,「TSK Gel G2000 HXL」(이상, 모두 토소사 제조) 을 이 순서로 연결한 것을 사용하고, 칼럼 온도 : 40 ℃, 송액 속도 : 1.0 ㎖/분의 조건에서, 검출기를 시차 굴절률계로 하여 행해진다.
아크릴 수지로는, 예를 들어, (메트)아크릴산에스테르 모노머와 (메트)아크릴산 유도체로부터 유도되는 구성 단위로 이루어지는 (메트)아크릴산에스테르 공중합체를 들 수 있다. 여기에서 (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 바람직하게는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있고, 구체적으로는 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸 등을 들 수 있다. 또, (메트)아크릴산 유도체로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산하이드록시에틸 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 워크에 대한 접착성이나 점착 물성을 컨트롤하기 위해서, 아크릴산하이드록시에틸 등을 사용하여 아크릴 수지에 수산기를 도입하는 것이 바람직하다.
아크릴 수지의 유리 전이 온도는 바람직하게는 -70 ℃ ∼ 40 ℃, -60 ℃ ∼ 30 ℃, -50 ℃ ∼ 25 ℃, -40 ℃ ∼ 20 ℃, -35 ℃ ∼ 15 ℃ 이다. 아크릴 수지의 유리 전이 온도를 상기한 범위 내로 함으로써, 보호막 형성 필름의 택을 적당히 높임과 함께, 보호막 형성 필름의 워크와의 점착력을 향상시키고, 보호막의 워크와의 접착력이 적당히 향상됨과 함께, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다.
아크릴 수지가 m 종 (m 은 2 이상의 정수이다.) 의 구성 단위를 갖고 있는 경우, 당해 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 아래와 같이 하여 산출할 수 있다. 즉, 아크릴 수지 중의 구성 단위를 유도하는 m 종의 모노머에 대해서, 각각 1 부터 m 까지 중 어느 중복되지 않는 번호를 순차 할당하여,「모노머 m」으로 명명했을 경우, 아크릴 수지의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 아래에 나타내는 Fox 의 식을 이용하여 산출할 수 있다.
Figure pat00001
(식 중, Tg 는 아크릴 수지의 유리 전이 온도이고 ; m 은 2 이상의 정수이며 ; Tgk 는 모노머 m 의 호모폴리머의 유리 전이 온도이고 ; Wk 는 아크릴 수지에 있어서의, 모노머 m 으로부터 유도된 구성 단위 m 의 질량 분율이며, 단, Wk 는 하기 식을 만족한다.)
Figure pat00002
(식 중, m 및 Wk 는, 상기와 같다.)
Tgk 로는, 고분자 데이터·핸드북, 점착 핸드북 또는 Polymer Handbook 등에 기재되어 있는 값을 사용할 수 있다. 예를 들어, 메틸아크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 10 ℃, n-부틸아크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 -54 ℃, 메틸메타크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 105 ℃, 2-하이드록시에틸아크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 -15 ℃, 글리시딜메타크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 41 ℃, 2-에틸헥실아크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 -70 ℃, 에틸아크릴레이트의 호모폴리머의 Tgk 는 -24 ℃ 이다.
보호막 형성 필름용 조성물의 총중량을 100 질량부로 했을 때의 중합체 성분의 함유량은, 바람직하게는 5 ∼ 60 질량부, 10 ∼ 50 질량부, 13 ∼ 40 질량부, 16 ∼ 30 질량부이다. 중합체 성분의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다. 또, 보호막 형성 필름의 점착성의 제어가 보다 용이해진다.
(1.2.2 열 경화성 성분)
경화성 성분 (B) 는, 보호막 형성 필름을 경화시켜, 경화물로서의 보호막을 형성한다. 상기 서술한 바와 같이, 보호막은 열 경화물, 에너지선 경화물인 것이 바람직하기 때문에, 경화성 성분으로는, 열 경화성 성분, 에너지선 경화성 성분, 또는 이것들의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름은, 후술하는 충전재 및 착색제 등을 함유하기 때문에 광선 투과율이 저하된다. 에너지선 경화성의 보호막 형성 필름은, 에너지선의 조사에 의해서 경화되기 때문에, 예를 들어 보호막 형성 필름의 두께가 두꺼워졌을 경우, 에너지선에 의한 경화가 불충분해지기 쉽다.
한편, 열 경화성의 보호막 형성 필름은, 그 두께가 두꺼워져도, 가열에 의해서 충분히 경화되기 때문에, 보호 성능이 높은 보호막을 형성할 수 있다. 또, 가열 오븐 등의 통상적인 가열 수단을 사용함으로써, 다수의 보호막 형성 필름을 일괄적으로 가열하여 열 경화시킬 수 있다.
보호막은 열 경화물인 것이 바람직하기 때문에, 보호막 형성 필름에 함유되는 경화성 성분은 열 경화성인 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름은, 열 경화성인 것이 바람직하다.
열 경화성 성분으로는, 예를 들어, 에폭시 수지, 열 경화성 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 및 이것들의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 또한, 열 경화성 폴리이미드 수지란, 열 경화시킴으로써 폴리이미드 수지를 형성하는, 저분자량, 저점성의 모노머 또는 전구체 폴리머의 총칭이다. 열 경화성 폴리이미드 수지의 비제한적인 구체예는, 예를 들어 섬유 학회지「섬유와 공업」, Vol.50, No.3 (1994), P106-P118 에 기재되어 있다.
열 경화성 성분으로서의 에폭시 수지는, 가열을 받으면 삼차원 망상화되어, 강고한 피막을 형성하는 성질을 갖는다. 이와 같은 에폭시 수지로는, 공지된 여러 가지의 에폭시 수지가 사용된다. 본 실시형태에서는, 에폭시 수지의 분자량 (식량) 은, 바람직하게는, 300 이상 50000 미만, 300 이상 10000 미만, 300 이상 5000 미만, 300 이상 3000 미만이다. 또, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 50 ∼ 5000 g/eq 인 것이 바람직하고, 100 ∼ 2000 g/eq 인 것이 보다 바람직하며, 150 ∼ 1000 g/eq 인 것이 더욱 바람직하다.
이와 같은 에폭시 수지로는, 구체적으로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸 노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르 ; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르 ; 프탈산, 이소프탈산, 테트라하이드로프탈산 등의 카르복실산의 글리시딜에테르 ; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지 ; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카르복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들어 산화함으로써 에폭시가 도입된, 이른바 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 밖에, 비페닐 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다.
경화성 성분 (B) 로서, 열 경화성 성분을 사용하는 경우에는, 보조제로서, 경화제 (C) 를 병용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대한 경화제로는, 열 활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제가 바람직하다. 「열 활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제」란, 상온 (23 ℃) 에서는 에폭시 수지와 잘 반응하지 않고, 어느 온도 이상의 가열에 의해서 활성화하여, 에폭시 수지와 반응하는 타입의 경화제이다. 열 활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제의 활성화 방법에는, 가열에 의한 화학 반응으로 활성종 (아니온, 카티온) 을 생성하는 방법 ; 상온 부근에서는 에폭시 수지 중에 안정적으로 분산되어 있고, 고온에서 에폭시 수지와 상용·용해되어, 경화 반응을 개시하는 방법 ; 몰레큘러시브 봉입 타입의 경화제로 고온에서 용출시켜 경화 반응을 개시하는 방법 ; 마이크로 캡슐에 의한 방법 등이 존재한다.
예시한 방법 중, 상온 부근에서는 에폭시 수지 중에 안정적으로 분산되어 있고, 고온에서 에폭시 수지와 상용·용해되어, 경화 반응을 개시하는 방법이 바람직하다.
열 활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제의 구체예로는, 각종 오늄염이나, 이염기산디하이드라지드 화합물, 디시안디아미드, 아민 어덕트 경화제, 이미다졸 화합물 등의 고융점 활성 수소 화합물 등을 들 수 있다. 이들 열 활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제는, 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 디시안디아미드가 특히 바람직하다.
또, 에폭시 수지에 대한 경화제로는, 페놀 수지도 바람직하다. 페놀 수지로는, 알킬페놀, 다가 페놀, 나프톨 등의 페놀류와 알데히드류의 축합물 등이 특별히 제한되지 않고 사용된다. 구체적으로는, 페놀 노볼락 수지, o-크레졸 노볼락 수지, p-크레졸 노볼락 수지, t-부틸페놀 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔크레졸 수지, 폴리파라비닐페놀 수지, 비스페놀 A 형 노볼락 수지, 혹은 이것들의 변성물 등이 사용된다.
이들 페놀 수지에 함유되는 페놀성 수산기는, 상기 에폭시 수지의 에폭시기와 가열에 의해서 용이하게 부가 반응하여, 내충격성이 높은 경화물을 형성할 수 있다.
경화제 (C) 의 함유량은, 에폭시 수지 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 0.5 ∼ 100 질량부, 0.8 ∼ 20 질량부, 1.2 ∼ 8 질량부, 1.6 ∼ 4 질량부이다. 경화제 (C) 의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 보호막의 망상 구조가 조밀해지기 때문에, 보호막으로서, 워크를 보호하는 성능이 얻어지기 쉽고, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다.
경화제 (C) 로서, 디시안디아미드를 사용하는 경우에는, 경화 촉진제 (D) 를 추가로 병용하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제로는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류 (1 개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸) 가 바람직하다. 이 중에서도, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸이 특히 바람직하다.
경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 질량부, 0.8 ∼ 7 질량부, 1.2 ∼ 5 질량부, 1.6 ∼ 4 질량부이다. 경화 촉진제 (D) 의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 보호막의 망상 구조가 조밀해지기 때문에, 보호막으로서, 워크를 보호하는 성능이 얻어지기 쉽고, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다.
보호막 형성 필름용 조성물의 총중량을 100 질량부로 했을 때의 열 경화성 성분 및 경화제의 합계 함유량은, 바람직하게는, 6 ∼ 80 질량부, 8 ∼ 70 질량부, 10 ∼ 60 질량부, 12 ∼ 50 질량부, 14 ∼ 40 질량부이다. 열 경화성 성분 및 경화제의 합계 함유량을 상기한 하한치 이상으로 함으로써, 경화 전에는 적당한 택을 나타내어, 첩부 작업을 안정적으로 행할 수 있다. 또, 경화 후에는, 보호막으로서, 워크를 보호하는 성능이 얻어지기 쉽다. 열 경화성 성분 및 경화제의 합계 함유량을 상기한 범위 내로 하는 점에서 경화도를 조정함으로써, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다.
(1.2.3 에너지선 경화성 성분)
경화성 성분 (B) 가 에너지선 경화성 성분인 경우, 에너지선 경화성 성분은 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하며, 미경화 또한 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 성분은, 에너지선의 조사에 의해서 경화되는 성분으로서, 보호막 형성 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여하기 위한 성분이기도 하다.
에너지선 경화성 성분으로는, 예를 들어, 에너지선 경화성 기를 갖는 화합물이 바람직하다. 이와 같은 화합물로는, 공지된 것을 들 수 있다.
(1.2.4 충전재)
보호막 형성 필름이 충전재 (E) 를 함유함으로써, 보호막 형성 필름을 보호막화하여 얻어지는 보호막은, 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해지고, 이 열팽창 계수를 워크의 열팽창 계수에 근접시킴으로써, 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 보호막 부착 칩의 접착 신뢰성이 보다 향상된다. 또, 보호막 형성 필름이 충전재 (E) 를 함유함으로써, 경질의 보호막이 얻어지고, 추가로 보호막의 흡습률을 저감할 수 있어, 보호막 부착 칩의 접착 신뢰성이 더욱 향상된다.
충전재 (E) 는, 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되지만, 고온에서의 형상 안정성의 관점에서 무기 충전재인 것이 바람직하다.
바람직한 무기 충전재로는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말 ; 이들 무기 충전재를 구형화한 비드 ; 이들 무기 충전재의 표면 개질품 ; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유 ; 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 실리카 및 표면 개질된 실리카가 바람직하다. 표면 개질된 실리카는, 커플링제에 의해서 표면 개질되어 있는 것이 바람직하고, 실란 커플링제에 의해서 표면 개질되어 있는 것이 보다 바람직하다.
충전재의 평균 입경은, 바람직하게는, 0.02 ∼ 10 ㎛, 0.05 ∼ 5 ㎛, 0.10 ∼ 3 ㎛ 이다.
충전재의 평균 입경의 범위를 상기한 범위로 함으로써, 보호막 형성 필름용 조성물의 취급성이 양호해진다. 그 결과, 보호막 형성 필름용 조성물 및 보호막 형성 필름의 품질이 안정되기 쉽다.
또한, 본 명세서에 있어서「평균 입경」이란, 특별히 언급이 없는 한, 레이저 회절 산란법에 의해서 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의, 적산치 50 ％ 에서의 입자경 (D50) 의 값을 의미한다.
보호막 형성 필름용 조성물의 총중량을 100 질량부로 했을 때의 충전재의 함유량은, 바람직하게는 15 ∼ 80 질량부, 30 ∼ 75 질량부, 40 ∼ 70 질량부, 45 ∼ 65 질량부이다.
충전재의 함유량의 하한치를 상기한 값으로 함으로써, 보호막 형성 필름을 사용하여 얻어진 보호막 부착 칩의 접착 신뢰성이 보다 향상된다. 또, 충전재의 함유량의 상한치를 상기한 값으로 함으로써, 보호막 형성 필름의 워크와의 점착력을 향상시키고, 보호막의 워크와의 접착력이 적당히 향상된다. 또, 충전재의 함유량을 상기한 범위 내로 함으로써, 직각 인열 시험에 있어서의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 보다 용이해진다.
(1.2.5 커플링제)
보호막 형성 필름은, 커플링제 (F) 를 함유하는 것이 바람직하다. 커플링제를 함유함으로써, 보호막 형성 필름의 경화 후에 있어서, 보호막의 내열성을 저해하지 않고, 보호막과 워크의 접착성을 향상시킬 수 있음과 함께, 내수성 (내습 열성) 을 향상시킬 수 있다. 커플링제로는, 그 범용성과 비용 장점의 관점에서, 실란 커플링제가 바람직하다.
실란 커플링제로는, 예를 들어, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴록시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.
바람직한 실란 커플링제로는, 1 분자 중에 복수 개의 알콕시실릴기를 갖는 올리고머형 실란 커플링제도 들 수 있다. 상기 올리고머형 실란 커플링제는, 휘발하기 어렵고, 1 분자 중에 복수 개의 알콕시실릴기를 갖는 점에서, 내구성 향상에 효과적인 점에서 바람직하다. 상기 올리고머형 실란 커플링제로는, 예를 들어, 에폭시기 함유 올리고머형 실란 커플링제인「X-41-1053」,「X-41-1059A」,「X-41-1056」및「X-40-2651」(모두 신에츠 화학사 제조) ; 메르캅토기 함유 올리고머형 실란 커플링제인「X-41-1818」,「X-41-1810」및「X-41-1805」(모두 신에츠 화학사 제조) 등을 들 수 있다. 이것들은 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
보호막 형성 필름용 조성물의 총중량을 100 질량부로 했을 때의 커플링제의 함유량은, 바람직하게는, 0.01 ∼ 20 질량부, 0.1 ∼ 10 질량부, 0.2 ∼ 5 질량부, 0.3 ∼ 3 질량부이다.
(1.2.6 착색제)
보호막 형성 필름은, 착색제 (G) 를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 칩 등의 워크의 가공물의 이면이 은폐되기 때문에, 전자 기기 내에서 발생되는 여러 가지의 전자파를 차단하여, 칩 등의 워크의 가공물의 오작동을 저감할 수 있다.
착색제 (G) 로는, 예를 들어, 유기계 안료, 유기계 염료, 무기계 안료 등 공지된 것을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 무기계 안료가 바람직하다.
무기계 안료로는, 예를 들어, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO (인듐주석옥사이드) 계 색소, ATO (안티몬주석옥사이드) 계 색소 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 특히 카본 블랙을 사용하는 것이 바람직하다. 카본 블랙에 의하면, 넓은 파장 범위의 전자파를 차단할 수 있다.
보호막 형성 필름 중에 있어서의 착색제 (특히 카본 블랙) 의 배합량은, 보호막 형성 필름의 두께에 따라서도 상이하지만, 예를 들어 보호막 형성 필름의 두께가 25 ㎛ 인 경우에는, 보호막 형성 필름용 조성물의 총중량을 100 질량부로 했을 때의 착색제의 함유량은, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 0.03 ∼ 7 질량부, 0.05 ∼ 4 질량부이다.
착색제 (특히 카본 블랙) 의 평균 입경은, 바람직하게는 1 ∼ 500 ㎚, 3 ∼ 100 ㎚, 5 ∼ 50 ㎚ 이다. 착색제의 평균 입경이 상기한 범위 내에 있으면, 광선 투과율을 원하는 범위로 제어하기 쉽다.
(1.2.7 그 밖의 첨가제)
보호막 형성 필름용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 그 밖의 첨가제로서, 예를 들어, 광 중합 개시제, 가교제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제, 점착 부여제, 박리제 등을 함유하고 있어도 된다.
(2. 보호막 형성용 시트)
본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 시트는, 상기한 보호막 형성 필름과, 보호막 형성 필름 중 적어도 일방의 주면 상에 배치된 박리 필름을 갖는다. 박리 필름은, 보호막 형성 필름의 사용시에 박리된다.
도 4 에 나타내는 보호막 형성용 시트 (51) 는, 보호막 형성 필름 (10) 의 일방의 주면 (10a) 상에, 보호막 형성 필름 (10) 을 지지하는 제 1 박리 필름 (21) 이 배치되고, 타방의 주면 (10b) 상에 제 2 박리 필름 (22) 이 배치된 구성을 갖고 있다.
본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 시트는, 워크를 개편화하기 전에, 당해 워크의 이면에 보호막 형성 필름을 첩부하여, 보호막 형성 필름을 경화시키고, 당해 워크의 이면에 보호막을 형성하기 위해서 사용된다. 보호막이 형성된 워크 (보호막 부착 워크) 는 스텔스 다이싱에 의해서 개편화되어, 워크 가공물로서의 보호막 부착 칩이 얻어진다.
또, 보호막 형성용 시트는, 폭 방향의 길이에 대한 길이 방향의 길이가 매우 긴 장척 시트의 형태여도 된다. 또, 이와 같은 장척 시트가 감긴 시트 롤의 형태여도 된다.
또한, 보호막 형성용 시트는, 워크에 첩부되어야 할 보호막 형성 필름이 소정의 닫힌 형상을 갖도록 발출 가공된 보호막 형성용 시트여도 된다. 소정의 닫힌 형상은 특별히 제한되지 않지만, 첩부되는 워크와 대략 동 형상인 것이 바람직하다.
(2.1 박리 필름)
박리 필름은, 보호막 형성 필름을 박리 가능하게 지지할 수 있는 필름이다. 박리 필름은 1 층 (단층) 또는 2 층 이상의 기재로 구성되어 있어도 되고, 박리성을 제어하는 관점에서, 기재의 표면이 박리 처리되어 있어도 된다. 즉, 기재의 표면이 개질되어 있어도 되고, 기재의 표면에 기재에서 유래하지 않는 재료 (박리제층) 가 형성되어 있어도 된다.
기재로는, 보호막 형성 필름이 워크에 첩부될 때까지 보호막 형성 필름을 지지할 수 있는 재료이면 특별히 한정되지 않고, 통상적으로는 수지계의 재료를 주재 (主材) 로 하는 필름 (이하「수지 필름」이라고 한다.) 으로 구성된다.
수지 필름의 구체예로서, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또 이것들의 가교 필름도 사용된다. 또한, 이것들의 적층 필름이어도 된다. 본 실시형태에서는, 환경 안전성, 비용 등의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 바람직하다.
상기한 수지 필름은, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.
박리제층은, 기재의 일방의 면에, 박리제층용 조성물을 함유하는 도포제를 도포한 후, 그 도막을 건조 및 경화시킴으로써 얻어진다. 박리제층용 조성물은, 기재에 보호막 형성 필름과의 박리성을 부여할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에서는, 박리제층용 조성물은, 예를 들어, 알키드계 이형제, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 불포화 폴리에스테르계 이형제, 폴리올레핀계 이형제, 왁스계 이형제가 바람직하고, 그 중에서도, 실리콘계 이형제가 바람직하다.
박리 필름의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 15 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 80 ㎛, 보다 바람직하게는 35 ∼ 60 ㎛ 이다.
또한, 도 4 에 나타내는 바와 같이 보호막 형성 필름의 양방의 주면에 박리 필름이 형성되어 있는 경우에는, 일방의 박리 필름의 박리력을 크게 하여 중박리형 박리 필름으로 하고, 타방의 박리 필름의 박리력을 작게 하여 경박리형 박리 필름으로 하는 것이 바람직하다.
(3. 보호막 형성용 복합 시트)
본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 복합 시트는, 상기한 보호막 형성 필름과, 보호막 형성 필름을 지지하는 지지 시트를 갖는다.
본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 복합 시트는, 워크를 개편화하기 전에, 보호막 형성용 복합 시트에 포함되는 보호막 형성 필름을 당해 워크의 이면에 첩부하고, 보호막 형성 필름을 경화시켜, 당해 워크에 보호막을 형성하기 위해서 사용된다.
또한, 보호막이 형성된 워크 (보호막 부착 워크) 를 스텔스 다이싱에 의해서 개편화할 때에, 보호막 형성용 복합 시트에 포함되는 지지 시트가, 개질 영역이 형성된 워크에 인장력을 작용시키기 위해서 잡아늘려진다. 그 결과, 워크 가공물로서의 보호막 부착 칩이 얻어진다.
따라서, 지지 시트는, 소정의 익스팬드량을 실현할 수 있을 정도의 신축성을 갖고, 또한 워크를 유지하여 익스팬드시에 인장력을 워크에 전달할 수 있을 정도로 워크에 밀착시킬 수 있는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 지지 시트는, 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트인 것이 바람직하다.
도 5 에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트 (61) 는, 기재 (41) 의 일방의 면에 점착제층 (42) 이 적층되어 이루어지는 점착 시트 (4) 와, 점착 시트 (4) 의 점착제층 (42) 측에 적층되어, 점착제층 (42) 보다 소직경으로 형성된 보호막 형성 필름 (10) 과, 보호막 형성 필름 (10) 보다 외측에, 점착 시트 (4) 의 주연부에 적층된 지그용 점착제층 (5) 을 구비하는 구성을 갖고 있다. 즉, 점착 시트 (4) 는 지지 시트이다. 또한, 지그용 점착제층 (5) 은, 보호막 형성용 복합 시트 (61) 를 링 프레임 등의 지그에 접착하기 위한 층이다.
(3.1 점착 시트)
본 실시형태에서는, 지지 시트로서, 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트에 대해서 설명한다.
(3.1.1 직각 인열 강도비)
본 실시형태에서는, 23 ℃ 에 있어서, 지지 시트에 대해서 직각 인열 시험을 행했을 때의 지지 시트의 직각 인열 강도를 TS2 로 했을 때에, TS2 에 대한 TS1 (23 ℃ 에 있어서의 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도) 의 비인 TS1/TS2 가 0.15 이하인 것이 바람직하다.
지지 시트는, 익스팬드시에 파단되지 않을 정도의 강도를 가질 필요가 있다. 한편, 익스팬드량은 지지 시트를 잡아늘리는 힘에 비례한다. TS1/TS2 가 상기한 범위 내인 경우에는, TS2 가 TS1 보다 충분히 크기 때문에, 익스팬드량을 비교적으로 크게 해도, 익스팬드시에 지지 시트는 파단되지 않고, 보호막은 확실하게 분할된다. 즉, 익스팬드량의 폭넓은 변화에 대응할 수 있어, 익스팬드량의 마진을 충분히 확보할 수 있다.
TS1/TS2 는 0.125 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.116 이하인 것이 더욱 바람직하다.
한편, TS1/TS2 의 하한치는 특별히 제한되지 않지만, 지지 시트를 구성하는 재료의 선택성의 관점, 및 분할 후의 보호막의 외주선을 양호한 직선으로 하는 관점에서, 0.03 이상이 바람직하고, 0.06 이상이 보다 바람직하다.
TS1/TS2 가 상기한 범위 외인 경우에는, TS2 가 비교적으로 낮고, TS2 가 TS1 보다 그다지 크지 않은 것을 의미한다. 즉, TS1/TS2 가 상기한 범위 내인 경우에 비해서, 지지 시트가 익스팬드시에 파단되기 쉬운 것을 의미한다. 지지 시트가 익스팬드시에 파단되었을 경우, 보호막 부착 워크에 인장력이 작용하지 않게 되기 때문에, 보호막 부착 워크의 대부분이 분할되지 않는다. 그 결과, 칩의 수율이 대폭 저하된다.
따라서, 통상적으로 지지 시트로는, TS2 가 높은 재료로 이루어지는 시트를 사용하고 있다. 지지 시트 사용시에 의도치 않게, 지지 시트가 통상보다 파단되기 쉬운 상태로 되었다고 해도, TS2 가 높음으로써, 지지 시트가 파단되는 리스크를 보다 저감할 수 있다. 예를 들어, 동일한 재료로 이루어지는 시트여도, 시트에 흠집이 있을 경우, 흠집을 기점으로 하여 파단이 진행되기 때문에, 지지 시트가 익스팬드시에 파단되기 쉬워지지만, TS2 가 높고, TS1/TS2 가 작음으로써, 지지 시트가 파단되는 리스크를 저감하는 것과, 보호막의 분할성을 양호하게 하는 것을 양립시키기 쉬워진다. 이와 같은 흠집은, 반송 공정 등에 있어서의 충격 등에 의해서 발생될 가능성이 있다.
지지 시트가, 기재 및 점착제층을 갖는 점착 시트인 경우, 점착 시트의 TS2 가 상기한 TS1/TS2 의 범위를 만족하는 조성이면, 기재 및 점착제층의 조성은 특별히 한정되지 않는다.
(3.1.2. 기재)
점착 시트 (4) 의 기재 (41) 는, 통상적으로 수지 재료를 주성분으로 하는 필름 (이하, 수지 필름이라고 한다.) 으로 구성된다.
수지 필름의 구체예로서, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름 ; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름 ; 폴리우레탄 필름 ; 폴리이미드 필름 ; 폴리스티렌 필름 ; 폴리카보네이트 필름 ; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또 이것들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 동일한 변성 필름도 사용된다. 상기한 기재 (41) 는 이것들의 1 종으로 이루어지는 필름이어도 되고, 추가로 이것들을 2 종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다. 본 실시형태에서는, 익스팬드성 및 직각 인열 강도의 관점에서, 폴리프로필렌 필름 및 폴리염화비닐계 필름이 바람직하다.
상기한 수지 필름은, 그 표면에 적층되는 점착제층 (42) 과의 밀착성을 향상시키는 목적에서, 원하는 바에 따라서 편면 또는 양면에, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시할 수 있다. 상기 산화법으로는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬 산화 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 또, 요철화법으로는, 예를 들어 샌드 블라스트법, 용사 처리법 등을 들 수 있다.
상기한 수지 필름은, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.
기재 (41) 의 두께는, 보호막 형성용 복합 시트가 사용되는 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 바람직하게는 20 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 170 ㎛, 특히 바람직하게는 50 ∼ 140 ㎛ 의 범위이다.
(3.1.3. 점착제층)
본 실시형태에 관련된 보호막 형성용 복합 시트의 점착 시트 (4) 가 구비하는 점착제층 (42) 은, 비에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 되고, 에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 된다. 비에너지선 경화성 점착제로는, 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 보호막 형성 필름 (10) 과의 밀착성이 높고, 익스팬드시에 보호막 부착 칩을 확실하게 유지할 수 있는 관점에서 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또, 보호막 부착 칩의 픽업 적성을 제어하기 쉬운 관점에서도 아크릴계 점착제가 바람직하다.
한편, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 조사에 의해서 점착력이 저하되기 때문에, 워크 또는 워크의 가공물과 점착 시트를 분리시키고자 할 때에, 에너지선 조사함으로써 용이하게 분리시킬 수 있다.
점착제층 (42) 을 구성하는 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성을 갖는 폴리머를 주성분으로 하는 것이어도 되고, 에너지선 경화성을 갖지 않는 폴리머와 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머의 혼합물을 주성분으로 하는 것이어도 된다.
에너지선 경화성을 갖는 폴리머로는, 예를 들어, 에너지선 경화성 기가 도입된 (메트)아크릴산에스테르 (공)중합체 등이 예시된다. 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머로는, 다가 알코올과 (메트)아크릴산의 에스테르가 예시된다. 또, 에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 경화성을 갖는 성분 이외에, 광 중합 개시제, 가교제 등의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
점착제층 (42) 의 두께는, 보호막 형성용 복합 시트가 사용되는 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 점착제층의 두께는, 바람직하게는, 1 ∼ 50 ㎛, 2 ∼ 30 ㎛, 2 ∼ 20 ㎛, 3 ∼ 10 ㎛, 3 ∼ 8 ㎛ 이다.
지그용 점착제층 (5) 을 구성하는 점착제로는, 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 링 프레임 등의 지그와의 밀착성이 높고, 다이싱 공정 등에서 링 프레임 등으로부터 보호막 형성용 복합 시트가 벗겨지는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또한, 지그용 점착제층 (5) 의 두께 방향의 도중에는, 심재로서의 기재가 개재되어 있어도 된다.
지그용 점착제층 (5) 의 두께는, 링 프레임 등의 지그에 대한 점착성의 관점에서, 5 ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하고, 특히 10 ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하다.
(4. 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 시트의 제조 방법)
보호막 형성 필름의 제조 방법은 특별히 한정되지는 않는다. 당해 필름은, 상기 서술한 보호막 형성 필름용 조성물, 또는, 당해 보호막 형성 필름용 조성물을 용매에 의해서 희석하여 얻어지는 조성물 (상기 2 개의 조성물을「도포제」라고 칭한다.) 을 사용하여 제조된다. 도포제는, 보호막 형성 필름용 조성물을 구성하는 성분을 공지된 방법에 의해서 혼합하여 조제된다.
얻어지는 도포제를, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비어 코터, 커튼 코터 등의 도공기를 사용하여, 제 1 박리 필름의 박리면에 도포하고, 필요에 따라서 건조시켜, 제 1 박리 필름 상에 보호막 형성 필름을 형성한다.
다음으로, 제 1 박리 필름 상에 형성된 보호막 형성 필름의 노출면에, 추가로 제 2 박리 필름의 박리면을 첩합함으로써, 도 4 에 나타내는 보호막 형성용 시트가 얻어진다.
(5. 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법)
보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 보호막 형성 필름을 포함하는 제 1 적층체와, 지지 시트로서의 점착 시트를 포함하는 제 2 적층체를 따로 따로 제작한 후, 제 1 적층체 및 제 2 적층체를 사용하여, 보호막 형성 필름과 점착 시트를 적층함으로써 제조할 수 있다.
제 1 적층체는, 상기한 보호막 형성용 시트와 동일한 방법에 의해서 제조할 수 있다. 즉, 제 1 박리 필름의 박리면에 보호막 형성 필름을 형성하고, 보호막 형성 필름의 노출면에 제 2 박리 필름의 박리면을 첩합한다.
한편, 제 2 적층체를 제조하려면, 먼저, 점착제층을 구성하는 점착제 조성물, 또는, 당해 점착제 조성물을 용매로 희석한 조성물 (상기 2 개의 조성물을「도포제」라고 칭한다.) 을 조제한다. 계속해서, 제 3 박리 필름의 박리면에 도포제를 도포하고, 필요에 따라서 건조시켜 제 3 박리 필름 상에 점착제층을 형성한다. 그 후, 점착제층의 노출면에 기재를 첩합하여, 기재 및 점착제층으로 이루어지는 점착 시트와, 제 3 박리 필름으로 이루어지는 적층체 (제 2 적층체) 를 얻는다.
여기에서, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 이루어지는 경우에는, 이 단계에서 점착제층에 대해서 에너지선을 조사하여, 점착제층을 경화시켜도 되고, 보호막 형성 필름과 적층한 후에 점착제층을 경화시켜도 된다. 또, 보호막 형성 필름과 적층한 후에 점착제층을 경화시키는 경우, 다이싱 공정 전에 점착제층을 경화시켜도 되고, 다이싱 공정 후에 점착제층을 경화시켜도 된다.
에너지선으로는, 통상적으로 자외선, 전자선 등이 사용된다. 에너지선의 조사량은, 에너지선의 종류에 따라서 상이한데, 예를 들어 자외선의 경우에는, 광량으로 50 ∼ 1000 mJ/㎠ 가 바람직하고, 특히 100 ∼ 500 mJ/㎠ 가 바람직하다. 또, 전자선의 경우에는, 10 ∼ 1000 krad 정도가 바람직하다.
이상과 같이 하여 제 1 적층체 및 제 2 적층체가 얻어지면, 제 1 적층체에 있어서의 제 2 박리 필름을 박리함과 함께, 제 2 적층체에 있어서의 제 3 박리 필름을 박리하고, 제 1 적층체에서 노출된 보호막 형성 필름과, 제 2 적층체에서 노출된 점착 시트의 점착제층을 첩합한다.
이와 같이 하여, 기재 상에 점착제층이 적층되어 이루어지는 점착 시트와, 점착 시트의 점착제층측에 적층된 보호막 형성 필름과, 보호막 형성 필름에 있어서의 점착 시트는 반대측에 적층된 제 1 박리 필름으로 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다. 필요에 따라서, 제 1 박리 필름을 박리한 후, 노출된 점착제층의 주연부에 지그용 점착제층을 형성한다.
(6. 장치의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 보호막 형성 필름을 사용한 장치의 제조 방법의 일례로서, 보호막 형성 필름이 첩부된 워크를 개편화하여 얻어지는 보호막 부착 워크 가공물을 얻는 방법에 대해서 설명한다.
본 실시형태에 관련된 장치의 제조 방법은, 적어도 아래의 공정 1 내지 공정 5 를 갖는다.
공정 1 : 보호막 형성 필름을 워크의 이면에 첩부하는 공정
공정 2 : 첩부된 보호막 형성 필름을 경화시켜, 워크의 이면에 보호막을 형성하고, 보호막 부착 워크를 얻는 공정
공정 3 : 워크의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 1 개질 영역을 형성하는 공정
공정 4 : 보호막의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 2 개질 영역을 형성하는 공정
공정 5 : 제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역이 형성된 보호막 부착 워크에 인장력을 작용시켜 당해 보호막 부착 워크를 개편화하고, 복수의 보호막 부착 워크 가공물을 얻는 공정
또한, 공정 2 는 공정 4 전에 행한다. 또, 공정 2 는 공정 3 의 전에 행하는 것이 바람직하다.
상기한 공정 1 내지 공정 5 를 갖는 장치의 제조 방법을 도면을 사용하여 설명한다. 아래에서는, 워크가 웨이퍼인 경우에 대해서 설명한다. 먼저, 보호막 형성 필름을 워크 (웨이퍼) 의 이면에 첩부한다 (공정 1). 첩부되는 보호막 형성 필름은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 상기 서술한 보호막 형성 필름이 바람직하다.
보호막 형성 필름이 보호막 형성용 시트에 포함되는 경우에는, 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 시트 (51) 의 보호막 형성 필름 (10) 을 워크 (6) 의 이면에 첩부한다 (공정 1). 첩부 후, 필요에 따라서 제 1 박리 필름 (21) 을 벗긴다.
또, 보호막 형성 필름이 보호막 형성용 복합 시트에 포함되는 경우에는, 도 6b 에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 복합 시트 (61) 의 보호막 형성 필름 (10) 을 워크로서의 웨이퍼 (6) 에 첩부한다 (공정 1). 이 때, 점착제층 (42) 의 외주부를 링 프레임 (7) 에 의해서 고정시켜도 된다. 본 실시형태에서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 점착제층 (42) 의 외주부에 지그용 점착제층 (5) 을 형성하고 있기 때문에, 지그용 점착제층 (5) 을 링 프레임 (7) 에 첩부한다. 보호막 형성 필름 (10) 은 웨이퍼 (6) 의 이면에 첩부된다. 지지 시트로서의 점착 시트 (4) 는, 스텔스 다이싱용 다이싱 테이프로서 기능한다.
그 후, 첩부된 보호막 형성 필름 (10) 을 경화시켜 보호막을 형성하고, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 보호막 부착 웨이퍼 (100) 를 얻는다 (공정 2). 보호막 형성 필름 (10) 이 열 경화성인 경우에는, 보호막 형성 필름 (10) 을 소정 온도에서 적절한 시간 가열하여 보호막 (1) 을 형성하면 된다. 예를 들어, 가열 온도는, 100 ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하고, 예를 들어, 110 ∼ 180 ℃, 및 120 ∼ 170 ℃ 중 어느 것이어도 된다. 가열 시간은, 0.5 ∼ 5 시간인 것이 바람직하고, 예를 들어, 0.5 ∼ 3 시간, 및 1 ∼ 2 시간 중 어느 것이어도 된다. 또, 보호막 형성 필름 (10) 이 에너지선 경화성인 경우에는, 점착 시트 (4) 또는 박리 필름 (21) 측으로부터 에너지선을 입사하여 보호막 (1) 을 형성하면 된다. 예를 들어, 에너지선의 조도는 120 ∼ 280 ㎽/㎠, 에너지선의 광량은 100 ∼ 1000 mJ/㎠ 인 것이 바람직하다.
도 4 에 나타내는 보호막 형성용 시트 (51) 의 보호막 형성 필름 (10) 을 경화시켜 얻어진 보호막 부착 웨이퍼에 대해서는, 스텔스 다이싱용 다이싱 테이프로서의 지지 시트를 첩부한다. 지지 시트는 링 프레임에도 첩부된다. 지지 시트로는, 상기 서술한 점착 시트가 예시된다. 즉, 보호막 부착 웨이퍼 및 링 프레임에 점착 시트를 첩부했을 경우, 도 7 에 나타내는 구성으로부터 지그용 점착제층 (5) 을 생략하고, 점착 시트 (4) 가 링 프레임 (7) 에 첩부된 구성이 된다.
다음으로, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (6) 의 내부에 있어서, 레이저광 조사 장치 (L) 로부터 분할 예정선에 대응하는 영역에 레이저광을 집광시켜 제 1 개질 영역 A1 을 형성한다 (공정 3). 또한, 1 개질 영역의 형성 전후에, 보호막 (1) 의 내부에 있어서, 레이저광 조사 장치 (L) 로부터 분할 예정선에 대응하는 영역에 레이저광을 집광시켜 제 2 개질 영역 A2 를 형성한다 (공정 4).
제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역은, 레이저광의 조사에 의해서 다른 영역에 비해서 강도가 저하된 영역이고, 당해 영역에서는 웨이퍼 또는 보호막의 두께 방향을 따라서 균열이 발생되어 있다. 레이저광으로는, 예를 들어, 적외역의 레이저광을 사용할 수 있다.
균열이 익스팬드시에 진전되어 보호막 부착 웨이퍼의 분할이 적절히 행해지는 한, 제 1 개질 영역의 형성 장소는 한정되지 않는다. 또, 웨이퍼의 깊이 방향에 있어서, 복수의 제 1 개질 영역을 형성해도 된다.
보호막에 있어서 제 2 개질 영역이 형성됨으로써, 보호막의 특정 영역에 다른 부분보다 강도가 낮은 부분이 형성된다. 따라서, 익스팬드시에는, 제 2 개질 영역이 기점이 되어, 보호막의 분할이 확실하며 또한 충분히 진행된다.
이와 같은 보호막의 특정 영역에 다른 부분보다 강도가 낮은 부분이 형성된 상태는, 시험편의 특정 지점에 인장력이 집중되기 쉬운 직각 인열 시험에 대응하고 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 직각 인열 시험에서의 경화 후의 보호막 형성 필름 (보호막) 의 직각 인열 강도를 소정의 범위 내로 함으로써, 익스팬드에서의 보호막 부착 워크의 분할성을 양호하게 할 수 있다.
반대로 말하면, 통상적인 인장 시험은, 보호막의 특정 영역에 다른 부분보다 강도가 낮은 부분이 형성된 상태에 대응하고 있지 않다. 따라서, 통상적인 인장 시험에 의해서 산출되는 인장 강도는, 직각 인열 강도와 직접적으로 관련되어 있지 않다.
본 실시형태에서는, 보호막의 분할을 확실하게 진행시키기 위해서, 제 2 개질 영역은 보호막과 웨이퍼의 계면 근방에 형성되는 것이 바람직하다.
도 9 에 나타내는 바와 같이, 제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역이 형성된 보호막 부착 웨이퍼 (100) 를 익스팬드 (E) 에 의해서 개편화한다 (공정 5). 보호막 부착 웨이퍼의 개편화는, 점착 시트 (4) 의 기재 (41) 를 잡아늘려, 보호막 부착 웨이퍼에 대해서 인장력을 작용시킴으로써 행해진다. 이 인장력에 의해서 보호막 부착 웨이퍼 (100) 의 내부에 발생된 인장 응력이, 제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역에 형성된 균열을 보호막 부착 웨이퍼 (100) 의 양 주면까지 진전시킨다. 그 결과, 보호막 부착 웨이퍼가 분할 예정선을 따라서 복수의 소편으로 분할되어 (개편화되어), 워크 가공물로서의 보호막 부착 칩 (100a) 이 얻어진다.
익스팬드는, 상온 (23 ℃) 보다 낮은 온도에서 행하는 쿨 익스팬드여도 되지만, 본 실시형태에서는, 상온에서의 익스팬드여도 보호막 부착 워크의 분할성을 양호하게 할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 직각 인열 시험에서의 경화 후의 보호막 형성 필름 (보호막) 의 직각 인열 강도를 소정의 범위 내로 함으로써, 보호막에 대한 충격 등에 의해서 익스팬드 전에 의도치 않게 보호막이 분할되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 분할 후의 보호막의 외주선이 직선이 되어, 보호막의 형상에 관한 불량을 억제할 수 있다.
익스팬드 후에는, 익스팬드에 의해서 잡아늘려져 이완된 영역을 수축시키기 위해서, 점착 시트의 당해 영역에 대해서 가열 처리를 행해도 된다 (히트 슈링크). 그 후, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트로부터 보호막 부착 칩을 흡착 콜릿 등에 의해서 픽업하여 회수한다.
픽업된 보호막 부착 칩은 다음 공정으로 반송해도 되고, 트레이, 테이프 등에 일시적으로 수납 보관하여, 소정 기간 후에 다음 공정으로 반송해도 된다.
다음 공정으로 반송된 보호막 부착 칩 (100a) 은 기판에 실장되고, 반도체 장치가 제조된다.
(7. 변형예)
또, 보호막 형성용 복합 시트 (61) 의 보호막 형성 필름 (10) 측의 면에는, 사용시까지 보호막 형성 필름을 보호하기 위해서, 박리 필름이 적층되어도 된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 전혀 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 다양한 양태에서 개변해도 된다.
[실시예]
이하, 실시예를 사용하여, 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(보호막 형성용 시트의 제작)
보호막 형성용 시트를, 하기의 보호막 형성 필름용 조성물을 함유하는 도포제를 사용하여, 아래와 같이 제작하였다.
(보호막 형성 필름용 조성물을 함유하는 도포제)
다음의 각 성분을 표 1 에 나타내는 배합비 (고형분 환산) 로 혼합하고, 고형분 농도가 50 질량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 보호막 형성 필름용 조성물을 함유하는 도포제를 조제하였다.
(A) 중합체 성분
(A-1) : n-부틸아크릴레이트 55 질량부, 에틸아크릴레이트 10 질량부, 글리시딜메타크릴레이트 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 15 질량부를 공중합하여 이루어지는 (메트)아크릴산에스테르 공중합체 (중량 평균 분자량 : 80 만, 유리 전이 온도 : -31 ℃)
(A-2) : 에틸아크릴레이트 10 질량부, 메틸아크릴레이트 70 질량부, 글리시딜메타크릴레이트 5 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 15 질량부를 공중합하여 이루어지는 (메트)아크릴산에스테르 공중합체 (중량 평균 분자량 : 40 만, 유리 전이 온도 : 4 ℃)
(B) 경화성 성분 (열 경화성 성분)
(B-1) 액상 비스페놀 A 형 에폭시 수지 및 아크릴 고무 미립자의 혼합물 (닛폰 촉매사 제조, BPA328, 에폭시 당량 235 g/eq)
(B-2) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (미츠비시 화학사 제조, jER1055, 에폭시 당량 800 ∼ 900 g/eq)
(B-3) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업사 제조, 에피클론 HP-7200HH, 연화점 88 ∼ 98 ℃, 에폭시 당량 274 ∼ 286 g/eq)
(C) 경화제 : 디시안디아미드 (ADEKA 사 제조, 아데카 하드너 EH-3636AS, 열 활성 잠재성 에폭시 수지 경화제, 활성 수소량 21 g/eq)
(D) 경화 촉진제 : 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조, 큐어졸 2PHZ-PW)
(E) 충전재
(E-1) 에폭시기 수식 구상 실리카 필러 (아드마텍스사 제조, SC2050MA, 평균 입경 0.5 ㎛)
(E-2) 부정형 실리카 필러 (타츠모리사 제조, SV-10, 평균 입경 8 ㎛)
(F) 커플링제 : 에폭시기 함유 올리고머형 실란 커플링제 (미츠비시 화학사 제조, MKC 실리케이트 MSEP2)
(G) 착색제 : 카본 블랙 (미츠비시 화학사 제조, MA-600B, 평균 입경 20 ㎚)
두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제 1 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, SP-PET502150) 을 준비하였다. 또, 두께 38 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제 2 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, SP-PET381031) 을 준비하였다.
조제된 보호막 형성 필름용 조성물을 함유하는 도포제를, 제 1 박리 필름의 박리 처리면에 도공하고, 100 ℃ 에서 2 분 건조시켜 두께가 25 ㎛ 인 보호막 형성 필름을 형성하였다. 계속해서, 제 2 박리 필름을, 보호막 형성 필름 상에 첩부하여, 보호막 형성 필름의 양면에 박리 필름이 적층된 3 층 구조의 보호막 형성용 시트를 얻었다. 제 2 박리 필름의 첩부 조건은, 온도가 60 ℃, 압력이 0.4 ㎫, 속도가 1 m/분이었다.
얻어진 보호막 형성용 시트를 사용하여, 하기의 측정 및 평가를 행하였다.
(경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률)
얻어진 2 장의 보호막 형성용 시트에 있어서, 각각의 제 2 박리 필름을 박리하고, 보호막 형성 필름의 노출면 (제 1 박리 필름이 형성되어 있지 않은 면) 끼리를 첩부하여, 일방의 제 1 박리 필름을 박리하고, 타방의 제 1 박리 필름에 보호막 형성 필름이 2 장 적층된 적층체를 얻었다. 또한, 별도의 보호막 형성용 시트로부터 제 2 박리 필름을 박리한 보호막 형성 필름의 노출면과, 상기 제 1 박리 필름에 보호막 형성 필름이 2 장 적층된 적층체의 보호막 형성 필름의 노출면을 첩부하여, 별도의 보호막 형성용 시트의 제 1 박리 필름을 박리하였다. 이것을 2 회 반복하여, 보호막 형성 필름을 합계 4 장 적층하여, 제 1 박리 필름과, 두께가 100 ㎛ 인 보호막 형성 필름과, 제 1 박리 필름이 이 순으로 적층되어 구성된 적층체를 제작하였다.
또한, 보호막 형성 필름이 25 ㎛ 인 경우에는 적층된 보호막 형성 필름은 두께 100 ㎛ 가 바람직하지만, 보호막 형성 필름이 25 ㎛ 가 아닌 경우에는 적층 횟수는 적절히 선택하고, 적층된 보호막 형성 필름의 두께는 95 ∼ 120 ㎛ 로 하는 것이 바람직하다.
이 적층체를 대기 분위기 하 130 ℃, 2 시간의 조건에서 가열 경화시켜, 경화 후의, 적층된 보호막 형성 필름의 양 표면에 제 1 박리 필름이 적층된 적층체를 얻었다.
얻어진, 적층된 경화 후의 보호막 형성 필름의 양 표면에 제 1 박리 필름이 적층된 적층체를, 슈퍼 덤벨 커터 (주식회사 덤벨 제조, SDBK-1000) 를 사용하여, JIS K 7128-3 : 1998 에 기재된 직각형 인열 시험편의 치수로 타발 (打拔) 하였다. 직각형 인열 시험편의 형상은 JIS K 7128-3 : 1998 의 도 2 에 나타내는 형상이었다.
얻어진 직각형 인열 시험편으로부터 양 표면의 제 1 박리 필름을 제거하고, 만능 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조, AG-IS) 를 사용하여, 시험 온도 23 ℃ 에 있어서 직각 인열 시험을 실시하였다. 직각 인열 시험에서는, 시험 전의 직각형 인열 시험편의 시험 길이 (척간 거리) 를 60 ㎜ 로 하고, 인장 속도를 10 ㎜/min 으로 하며, 샘플링 시간을 10 ㎳ 로 하였다.
23 ℃ 에 있어서의 직각 인열 강도 (TS1 : N/㎜) 는, 시험편의 파단까지의 최대 인장력 (N) 을, 시험 전의 직각형 인열 시험편의 두께 (0.1 ㎜ (= 100 ㎛)) 로 나눔으로써 산출하였다. 또, 23 ℃ 에 있어서의 파단시의 신장률 (％) 은, 인장 개시시를 기점으로 하여, 파단시의 시험편의 신장률을 ΔL 로 했을 때에, 아래의 식으로부터 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
파단시의 신장률 = (ΔL/시험 전의 직각형 인열 시험편의 시험 길이 (60 ㎜)) × 100
(지지 시트의 제작)
지지 시트로서, 기재와 점착제층을 갖는 점착 시트 (스텔스 다이싱용 다이싱 테이프) 를 아래와 같이 하여 제작하였다. 본 실시형태에서는, 지지 시트 A 와 지지 시트 B 의 2 종류의 지지 시트를 제작하였다.
(지지 시트 A 의 제작)
다음의 (h) 및 (i) 의 성분을 혼합하고, 고형분 농도가 25 질량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 점착제층용 조성물을 함유하는 도포제를 조제하였다.
(h) 점착 주제 : 2-에틸헥실아크릴레이트 80 질량부, 메타크릴산메틸 10 질량부 및 아크릴산 2-하이드록시에틸 10 질량부를 공중합하여 얻은 (메트)아크릴산에스테르 공중합체 (중량 평균 분자량 : 60 만, 유리 전이 온도 : -55 ℃) 100 질량부
(i) 가교제 : 트리메틸올프로판의 자일렌디이소시아네이트 부가물 (미츠이 타케다 케미컬 주식회사 제조, 타케네이트 D110N) 15 질량부
기재로서, 하중 없음 신축률이 MD 방향 99 ％/CD 방향 99 ％, 인장 탄성률이 MD 방향 290 ㎫/CD 방향 270 ㎫, 융점 138 ℃ 의 폴리프로필렌 필름 (두께 : 80 ㎛) 을 준비하였다.
조제된 점착제층용 조성물을 함유하는 도포제를 두께 38 ㎛ 의 박리 필름 (린텍사 제조 SP-PET381031) 상에 도포 후, 100 ℃ 에서 2 분 건조시켜 두께 5 ㎛ 의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 점착제층과 기재를 첩부함으로써 지지 시트 A 를 얻었다.
(지지 시트 B 의 제작)
다음의 (j) ∼ (l) 의 성분을 혼합하고, 고형분 농도가 25 질량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 점착제층용 조성물을 함유하는 도포제를 조제하였다.
(j) 점착 주제 : 2-에틸헥실아크릴레이트 22 질량부, 아세트산비닐 73 질량부, 아크릴산 1 질량부 및 메타크릴산메틸 4 질량부를 공중합하여 얻은 (메트)아크릴산에스테르 공중합체 (중량 평균 분자량 : 60 만, 유리 전이 온도 : 6 ℃) 100 질량부
(k) 우레탄아크릴레이트 (다이니치 정화사 제조, 세이카빔 14-29B) 110 질량부
(l) 가교제 : 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트 (토소사 제조, 콜로네이트 L) 5 질량부
기재로서, 염화비닐 수지계 필름 (아킬레스사 제조, PVC80, 두께 80 ㎛) 을 준비하였다.
조제된 점착제층용 조성물을 함유하는 도포제를 두께 38 ㎛ 의 박리 필름 (린텍사 제조 SP-PET381031) 상에 도포 후, 100 ℃ 에서 2 분 건조시켜 두께 5 ㎛ 의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 점착제층과 기재를 첩부함으로써 지지 시트 B 를 얻었다.
(지지 시트의 직각 인열 강도)
경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 시험과 동일하게 하여, 얻어진 지지 시트를 직각형 인열 시험편의 형상으로 타발하고, 시험편을 제작하였다. 단, 복수의 지지 시트끼리의 적층은 행하지 않았다. 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 시험과 동일하게 하여, 제작된 시험편으로부터 박리 필름을 제거하고, 지지 시트의 직각 인열 강도 (TS2) 를 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(익스팬드 시험)
두께 100 ㎛, 외경 8 인치의 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 워크에, 실리콘 웨이퍼와 동 형상으로 절단 가공된 보호막 형성용 시트의 보호막 형성 필름의 제 2 박리 필름을 벗긴 노출면을, 첩부 장치 (린텍사 제조, RAD-3600F/12) 를 사용하여, 워크의 흡착 테이블 온도를 70 ℃ 로 하여 첩부하였다. 제 1 박리 필름을 박리 후, 130 ℃, 2 시간 오븐 내 (대기 분위기 하) 에서 가열하고, 경화시켜 보호막 부착 웨이퍼를 제작하였다.
다음으로, 첩부 장치 (린텍사 제조, RAD-2700F/12) 를 사용하여, 상기에서 제작된 스텔스 다이싱용 다이싱 테이프 (지지 시트 A 또는 지지 시트 B) 를, 보호막 부착 웨이퍼의 보호막면에 첩부하였다. 이 때, 8 인치 웨이퍼용 링 프레임에 대한 다이싱 테이프의 첩부도 행하였다. 레이저 조사 장치 (DISCO 사 제조, DFL7361) 를 사용하여, 다이싱 테이프 너머로, 웨이퍼 내부와 보호막에 있어서의 웨이퍼와의 계면에 있어서 집광하도록 레이저 (파장 : 1064 ㎚) 를 조사하였다. 이 때, 5 ㎜ × 5 ㎜ 의 칩체가 형성되도록 설정된 분할 예정선을 따라서 주사시키면서 조사하여, 개질 영역 (제 1 개질 영역 및 제 2 개질 영역) 을 형성하였다.
다음으로, 익스팬드 장치 (DISCO 사 제조, DDS2300) 를 사용하여, 온도 23 ℃ 의 환경 하에서, 속도 100 ㎜/초, 표 1 에 나타내는 익스팬드량의 조건에서, 보호막 부착 웨이퍼에 밀착되어 있는 다이싱 테이프의 익스팬드를 행하였다.
익스팬드 시험은, 흠집이 없는 지지 시트를 사용한 경우와, 반송시에 발생될 가능성이 있는 흠집을 상정하여, 지지 시트의 중앙부에 있어서, 기재 표면에 길이 5 ㎜, 깊이 10 ㎛ 의 흠집을 형성한 지지 시트를 사용한 경우의 각각에 대해서 행하였다.
익스팬드 시험에 있어서, 보호막 및 웨이퍼가 100 ％ 분할되어, 보호막 부착 칩으로 된 경우를 분할성이 양호로 판단하고, 보호막 및 웨이퍼가 100 ％ 분할되어 있지 않은 경우를 분할성이 불가로 판단하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
또, 분할 후의 보호막의 외주선이 직선인 경우를, 외주 형상이 양호로 판단하고, 분할 후의 보호막의 외주선이 직선이 아닌 보호막 부착 칩이 발생된 경우를, 외주 형상이 불가로 판단하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
또, 익스팬드시에 지지 시트에 파열이 발생되었는지의 여부에 대해서 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pat00003
표 1 로부터, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률이 상기 서술한 범위 내인 경우에, 스텔스 다이싱에 있어서의 익스팬드에서의 보호막 부착 워크의 분할성 및 보호막의 외주 형상이 양호한 것을 확인할 수 있었다. 한편, 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도 및 파단시의 신장률이 상기 서술한 범위 외인 경우에는, 분할성 혹은 보호막의 외주 형상이 열등한 것을 확인할 수 있었다.
51 : 보호막 형성용 시트
10 : 보호막 형성 필름
21 : 제 1 박리 필름
22 : 제 2 박리 필름
61 : 보호막 형성용 복합 시트
10 : 보호막 형성 필름
4 : 점착 시트
100 : 보호막 부착 워크
100a : 보호막 부착 칩
1 : 보호막

Claims (9)

  1. 경화 후에 보호막이 되는 보호막 형성 필름으로서,
    23 ℃ 에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름에 대해서, 직각 인열 시험을 행했을 때에, 직각 인열 강도가 10 N/㎜ 이상이며, 또한 당해 직각 인열 시험에 있어서, 경화 후의 보호막 형성 필름이 파단되었을 때의 신장률이 10 ％ 이하인 보호막 형성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막이, 열 경화물 또는 에너지선 경화물인 보호막 형성 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 직각 인열 강도가 25 N/㎜ 이하인 보호막 형성 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막에 레이저광이 집광됨으로써 개질 영역을 형성하는 것에 사용되는 보호막 형성 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름과, 상기 보호막 형성 필름 중 적어도 일방의 주면에 박리 가능하게 배치된 박리 필름을 갖는 보호막 형성용 시트.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성 필름과, 상기 보호막 형성 필름을 지지하는 지지 시트를 갖는 보호막 형성용 복합 시트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    23 ℃ 에 있어서의 경화 후의 보호막 형성 필름의 직각 인열 강도를 TS1 로 하고, 23 ℃ 에 있어서, 상기 지지 시트에 대해서 직각 인열 시험을 행했을 때의 상기 지지 시트의 직각 인열 강도를 TS2 로 했을 때에, TS1/TS2 가 0.15 이하인 보호막 형성용 복합 시트.
  8. 보호막 형성 필름을 워크의 이면에 첩부하는 공정과,
    첩부된 보호막 형성 필름을 경화시켜, 워크의 이면에 보호막을 형성하고, 보호막 부착 워크를 얻는 공정과,
    상기 워크의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 1 개질 영역을 형성하는 공정과,
    상기 보호막의 내부의 미리 설정된 영역에 레이저광을 집광시켜, 제 2 개질 영역을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 개질 영역 및 상기 제 2 개질 영역이 형성된 보호막 부착 워크에 인장력을 작용시켜 당해 보호막 부착 워크를 개편화하고, 복수의 보호막 부착 워크 가공물을 얻는 공정을 갖는 장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 필름이, 제 5 항에 기재된 보호막 형성용 시트가 구비하는 보호막 형성 필름, 또는, 제 6 항 또는 제 7 항에 기재된 보호막 형성용 복합 시트가 구비하는 보호막 형성 필름인 장치의 제조 방법.
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