TWI713134B - 用於製作半導體設備之整合系統 - Google Patents

Abstract

本揭露有關於一種用於半導體設備之整合系統，其包括一第一承載卡匣、一與該第一承載卡匣連接之移載設備、一與該移載設備連接之第一腔室及一與該第一腔室連接之切割模組。該切割模組包括一提供一乾膜之乾膜供應單元、一切割該乾膜之切割單元及一可收集被切割後之乾膜之吸膜單元。該第一腔室包括可在該切割模組及該第一腔室之間移動之第一腔體及一可在該第一腔體內移動之第二腔體。

Description

用於製作半導體設備之整合系統

本揭露有關於一種用於製作半導體設備之整合系統及貼膜方法，特別是用於半導體封裝之貼膜製程。

在半導體封裝之製程中，一般將乾膜(dry film)黏貼在面板上的作法通常是：利用一夾具夾住一面板之前緣，利用滾輪將尚未裁切之乾膜整平在該面板上，隨後在該面板之後緣處以刀具切斷該乾膜，再持續將已被裁切但尚未整平於面板上之乾膜之部分以滾輪將其整平在面板上。

在習知乾膜黏貼過程中，當乾膜整平在面板後，刀具會在空中將乾膜截斷；而在截斷乾膜時，不免會產生一些微粒，而那些微粒會掉落在面板及/或乾膜上，如此一來，在後續將乾膜與面板壓合，則在乾膜與面板之間會因該些微粒而產生氣泡。

本揭露有關於一種用於半導體設備之整合系統及貼膜方法，可解決習知因切割乾膜產生微粒掉落在乾膜及/或面板上，進而使得壓膜後會有氣泡產生之問題。

本揭露之一方面係關於一種用於半導體設備之貼膜裝置，該貼膜裝置包括有一乾膜供應單元、一切割單元、一可移動之第一腔體及一可移動之吸膜單元。該乾膜供應單元可提供一乾膜，而該切割單元可切割該乾膜供應單元所供應之該乾膜。該第一腔體可用於承載一面板，且可在一第一位置及一第二位置之間移動。該吸膜單元可收集該被切割單元所切割完成之該乾膜，且可在一第三位置及一第四位置之間移動，其中該第四位置可對應該第一腔體之該第一位置。

本揭露之另一方面係關於一種半導體設備之貼膜方法，該貼膜方法包括：提供一乾膜、提供一切割單元，利用該切割單元將該乾膜裁切成一預定尺寸之乾膜、提供一吸膜單元，其可收集該被裁切成預定尺寸之乾膜、移動該吸膜單元以同時搬移該被裁切成預定尺寸之乾膜及將被該吸膜單元所收集之該被裁切成預定尺寸之乾膜置放於一面板上。

本揭露之另一方面係關於一種用於半導體設備之整合系統，該系統包括一第一承載卡匣、一與該第一承載卡匣相連接之移載設備、一語該移載設備相連接之第一腔室及一與該第一腔室相連接之切割模組。該切割模組包括一用以供給一乾膜之乾膜供應單元、一用以切割自該乾膜供應單元所提供之該乾膜的切割單元及一可收集被該切割單元所切割完成之該乾膜的可移動之吸膜單元。該第一腔室包括一可在該切割模組與該第一腔室之間移動之第一腔體及一可在該第一腔室內移動之第二腔體。

亦預期本揭露之其他態樣及實施例。前述發明內容及以下實施方式並不意欲將本揭露限於任何特定實施例，而是僅意欲描述本揭露之一些實施例。

圖1為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之示意圖。如圖1所示，半導體設備之整合系統1具有第一承載卡匣(cassette)11、第二承載卡匣(cassette)12、移載設備(equipment front end module; EFEM)13、第一腔室14、第二腔室15及切割模組16。第一承載卡匣11及第二承載卡匣12與移載設備13相連接，而移載設備13與第一腔室14及第二腔室15相連接，而第一腔室14及第二腔室15與該切割模組16相連接。此外，第一腔室14與第二腔室15係 彼此並排設置，如此使得第一腔室14與第二腔室15之同一側與移載設備13連接，而第一腔室14與第二腔室15之另一側與切割模組16相連接，如此一來，可大大節省半導體設備之整合系統1整體所佔的體積，尤其其整體之長度可大幅縮減。

當使用者欲使用半導體設備之整合系統1時，使用者可將欲被壓膜處理之面板放置於第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12上，而移載設備13可將放置於第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12上之面板移動至第一腔室14及/或第二腔室15以進行乾膜壓合之製程。待乾膜壓合於該面板完成後，移載設備13可將該已經與乾膜壓合之面板自第一腔室14及/或第二腔室15移動至第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12，使用者可自第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12收取到該已經與乾膜壓合之面板。根據以上可知，半導體設備之整合系統1僅需要單一移載設備13即可完成整個壓膜之流程，如此半導體設備之整合系統1之成本可大幅降低。此外，使用者可在第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12處放置欲被乾膜壓合之面板，亦可在第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12收取已經乾膜壓合之面板，如此整體的工作流程可大為簡化。一般而言，一整合系統會使用一移載設備將一面板自一承載卡匣傳送至貼膜模組內，待該面板貼膜完成後，再利用另一移載設備將面板傳送至另一承載卡匣中，如此一來，不但需要兩台移載設備，且需在系統之兩端分別放入面板至系統內及自系統取得壓膜後之面板，使得該系統更為繁複並需要更大的空間容納該系統。

承上所述，移載設備13可將放置於第一承載卡匣11及/或第二承載卡匣12上之面板移動至第一腔室14及/或第二腔室15以進行乾膜壓合之製程，以下係進一步說明第一腔室14及第二腔室15如何與切割模組16相互配合已完成將乾膜壓合至面板之製程。

圖2為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之第一腔室14與切割模組16之示意圖。如圖2所示，第一腔室14具有一上腔體141，上腔體141可在第一腔室14內大致垂直移動。上腔體141具有一氣囊接觸面142，，此外，另有一支撐件144，其係用於支撐用於保護氣囊接觸面142之PE保護膜143。再者，第一腔室14具有一下腔體145，其可在第一腔室14與切割模組16之間移動。下腔體145具有一下載盤146於其上，且具有一真空抽吸裝置149。當移載設備13自第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處將欲被乾膜壓合之面板搬移至第一腔室14中時，該面板將會被放置在下腔體145之下載盤146上；而當該面板放置在下腔體145之下載盤146上，真空抽吸裝置149即可運作以將該面板平貼吸附於下載盤146上，如此可減少該面板在接下來的製程中產生不必要之翹曲。

又，參考圖2，切割模組16可具有一乾膜輪161、一覆蓋膜輪162、一廢膜輪163、一滾刀筒165及一受筒167。一乾膜50可裝載於乾膜輪161上，而乾膜50具有一乾膜本體51及貼附於乾膜本體51上之覆蓋膜52；覆蓋膜輪162係用於裝載將自乾膜50剝除覆蓋膜52，滾刀筒165係用於裁切已不貼附有覆蓋膜52之乾膜本體51，而經滾刀筒165所裁切之乾膜本體可被受筒167所裝載，另，經滾刀筒165裁切但未被受筒167所裝載之廢膜53會被廢膜輪163所回收；此外，傳導輪1611及1612係用於輔助將乾膜50自乾膜輪161送出，傳導輪1621係用於輔助將覆蓋膜52傳送至覆蓋膜輪162，傳導輪1631係用於輔助將廢膜53傳送至廢膜輪163，如圖2所示，乾膜50通過傳導輪1612及1621時，乾膜本體51與覆蓋膜52則彼此分離，其中乾膜本體51持續被傳送至滾刀筒165處，而覆蓋膜52則被傳送至覆蓋膜輪162。其中，乾膜輪161及覆蓋膜輪162可被視作為一提供乾膜50之乾膜供應單元，而廢膜輪163可被視為一回收廢膜53之廢膜回收單元，因此，滾刀筒165可視為一切割單元，尤其，如圖2所示，該切割單元係設置於該乾膜供應單元及該廢膜回收單元之間。再者，滾刀筒165係設置於乾膜本體51之下側，且具有一負壓設備169；當滾刀筒165切割乾膜本體51時，自乾膜本體51因切割所產生之微粒可直接被負壓設備169所吸走；如此一來，可使微粒掉落在經滾刀筒165所裁切之乾膜本體上之機會大幅減少。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之第一腔室14與切割模組16之操作示意圖。參考圖3A，如先前所述，移載設備13可將一面板17自第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處搬移至第一腔室14中，而被搬移至第一腔室14中之面板17會被放置在下腔體145之下載盤146上，在此同時，真空抽吸裝置149可將面板17平貼吸附於下載盤146上。參考圖3B，在面板17被放置在下腔體145之下載盤146上後，下腔體145可自第一腔室14移動至切割模組16中之一位置，如此以將面板17自第一腔室14移動至切割模組16中；在此同時，受筒167係位在一對應滾刀筒165之位置處。參考圖3C，乾膜輪161開始轉動以經由傳導輪1611、1612向滾刀筒165處供應乾膜50，在此同時，覆蓋膜輪162係經由傳導輪1621開始收集自乾膜50剝除之覆蓋膜52，而經剝除覆蓋膜52之乾膜本體51則朝向滾刀筒165供應；當乾膜本體51行經滾刀筒165處之上方時，滾刀筒165則會開始裁切乾膜本體51。因受筒167係位在一對應滾刀筒165之位置上，故被滾刀筒165所裁切下來之乾膜本體51'則會同時被裝載於受筒167上，而經滾刀筒165裁切但未被裝載於受筒167上之廢膜53則會經由傳導輪1631而被廢膜輪163所裝載回收。此外，如先前所述，在滾刀筒165對乾膜本體51進行裁切時，負壓設備169則會同時運作，吸走因切割乾膜本體51所產生之微粒，以減少微粒掉落至被裁切下來之乾膜本體51'上之機會。

如圖3D所示，在受筒167裝載被裁切之乾膜本體51'後，受筒167則會移動至該下腔體145所在之位置處，並將裝載於受筒167上之被裁切之乾膜本體51'放置於被下腔體145所承載之面板17上。參考圖3E，受筒167將被裁切之乾膜本體51'放置於被下腔體145所承載之面板17上後，未裝載有任何乾膜本體51'之受筒167可回復至原先與滾刀筒165對應之位置上。

隨後，如圖3F所示，下腔體145則會回復至第一腔室14中，同時也將放置有經裁切之乾膜本體51'之面板17移動至第一腔室14中，其中，下腔體145會大致位於上腔體141之下方處。在下腔體145將放置有經裁切之乾膜本體51'之面板17移回至第一腔室14後，第一腔室14之內部則會抽真空直至1 torr以下；而在第一腔室14之內部抽真空至1 torr以下後，上腔體141則會垂直向下移動將放置在面板17上之經裁切之乾膜本體51'與面板17壓合。在先將第一腔室14之內部抽真空至1 torr以下後之情況下，面板17與下載盤146之間及面板17與乾膜本體51'之間的空氣可完全被抽離，如此一來面板17可更為平貼於下載盤146上，且乾膜本體51'可更為平貼於面板17上，當上腔體141進行壓合，更能避免在面板17與乾膜本體51'之間產生不需要的氣泡。

之後，如先前所述，經壓合之乾膜本體51'與面板17則會再經由移載設備13自第一腔室14可選擇地搬移至第一承載卡匣11或第二承載卡匣12，而使用者可在第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處收取已完成與乾膜壓合之面板17。

根據以上可了解，第一腔室14與切割模組16主要進行將乾膜50壓合至面板17之製程，而第一承載卡匣11、第二承載卡匣12及移載設備13主要係用於傳遞面板17進入第一腔室14與切割模組16進行乾膜壓合製程以及將已經完成乾膜壓合製程之面板17傳出。因此，可將第一腔室14與切割模組16所具有之元件及結構可視為一種用於半導體貼膜之裝置。

再者，圖4為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之第二腔室15與切割模組16之示意圖。如圖4所示，第二腔室15具有一上腔體151，上腔體151可在第二腔室15內大致垂直移動。上腔體151具有一氣囊接觸面152，此外，另有一支撐件154，其用於支撐一用於保護氣囊接觸面152之PE保護膜153。再者，第二腔室15具有一下腔體155，其可在第二腔室15與切割模組16之間移動。下腔體155具有一下載盤156於其上，且具有真空抽吸裝置159。當移載設備13自第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處將欲被乾膜壓合之面板搬移至第二腔室15中時，該面板將會被放置在下腔體155之下載盤156上；而當該面板放置在下腔體155之下載盤156上，真空抽吸裝置159即可運作以將該面板平貼吸附於下載盤145上，如此可減少該面板在接下來的製程中產生不必要之翹曲。

又，關於圖4所示之切割模組16，其所包含之元件及連結關係已於圖2之說明內容中陳明，故不再贅述。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之第二腔室15與切割模組16之操作示意圖。參考圖5A，如先前所述，移載設備13可將一面板18自第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處搬移至第二腔室15中，而被搬移至第二腔室15中之面板18會被放置在下腔體155之下載盤156上，在此同時，真空抽吸裝置159可將面板18平貼吸附於下載盤156上。參考圖5B，在面板18被放置在下腔體155之下載盤156上後，下腔體155可自第二腔室15移動至切割模組16中之一位置，如此以將面板18自第二腔室15移動至切割模組16中；在此同時，受筒167係位在一對應滾刀筒165之位置處。參考圖5C，乾膜輪161開始轉動以經由傳導輪1611、1612向滾刀筒165處供應乾膜50，在此同時，覆蓋膜輪162係經由傳導輪1621開始收集自乾膜50剝除之覆蓋膜52，而經剝除覆蓋膜52之乾膜本體51則朝向滾刀筒165供應；當乾膜本體51行經滾刀筒165處之上方時，滾刀筒165則會開始裁切乾膜本體51。因受筒167係位在一對應滾刀筒165之位置上，故被滾刀筒165所裁切下來之乾膜本體51則會同時被裝載於受筒167上；而經滾刀筒165裁切但未被裝載於受筒167上之廢膜53則會經由傳導輪1631而被廢膜輪163所裝載回收。此外，如先前所述，在滾刀筒165對乾膜本體51進行裁切時，負壓設備169則會同時運作，吸走因切割乾膜本體51所產生之微粒，以減少微粒掉落至被裁切下來之乾膜本體51上之機會。

如圖5D所示，在受筒167裝載被裁切之乾膜本體51後，受筒167則會移動至該下腔體155所在之位置處，並將裝載於受筒167上之被裁切之乾膜本體51'放置於被下腔體155所承載之面板18上。參考圖5E，受筒167將被裁切之乾膜本體51'放置於被下腔體155所承載之面板18上後，未裝載有任何乾膜本體51'之受筒167可回復至原先與滾刀筒165對應之位置上。

隨後，如圖5F所示，下腔體155則會回復至第二腔室15中，同時也將放置有經裁切之乾膜本體51'之面板18移動至第二腔室15中，其中，下腔體155會大致位於上腔體151之下方處。在下腔體155將放置有經裁切之乾膜本體51'之面板18移回至第二腔室15後，第二腔室15之內部則會抽真空直至1 torr以下；而在第二腔室15之內部抽真空至1 torr以下後，上腔體151則會垂直向下移動將放置在面板18上之經裁切之乾膜本體51與面板18壓合。在先將第二腔室15之內部抽真空至1 torr以下後之情況下，面板18與下載盤156之間及面板18與乾膜本體51'之間的空氣可完全被抽離，如此一來面板18可更為平貼於下載盤156上，且乾膜本體51'可更為平貼於面板18上，當上腔體151進行壓合，更能避免在面板18與乾膜本體51'之間產生不需要的氣泡。

之後，如先前所述，經壓合之乾膜本體51'與面板18則會再經由移載設備13自第二腔室15搬移至第一承載卡匣11或第二承載卡匣12，而使用者可在第一承載卡匣11或第二承載卡匣12處收取已完成乾膜壓合製程之面板18。

根據以上可了解，第二腔室15與切割模組16主要進行將乾膜50壓合至面板18之製程，而第一承載卡匣11、第二承載卡匣12及移載設備13主要係用於傳遞面板18進入第二腔室15與切割模組16進行乾膜壓合製程及將已經完成與乾膜壓合製程之面板18傳出。因此，可將第二腔室15與切割模組16所具有之元件及結構可視為一種用於半導體貼膜之裝置。

圖6為使用本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統1之壓膜流程圖2。在步驟21，使用者可將面板17放置於第一承載卡匣11卡匣中，並將面板18放至於第二承載卡匣12中。在步驟22，移載設備13可將放置於第一承載卡匣11中之面板17搬移至第一腔室14中。在步驟23，第一腔室14之下腔體145可將面板17移動至切割模組16中進行將乾膜本體51'放置在面板17上之作業。在步驟24，移載設備13可將放置於第二承載卡匣12中之面板18搬移至第二腔室15中。其中，步驟23及步驟24可大致同時進行。在步驟25，下腔體145可將已被放置乾膜本體51'之面板17搬移至第一腔室14中，且第一腔室14之上腔體141可對乾膜本體51'及面板17進行壓合作業。在步驟26，第二腔室15之下腔體155可將面板18移動至切割模組16中進行將乾膜本體51'放置在面板18上之作業。其中，步驟25及步驟26可大致同時進行。在步驟27，移載設備13可將已壓合完成之面板17由第一腔室14移動至第一承載卡匣11卡匣中，以供使用者收取已壓合完成之面板17。在步驟28，下腔體155可將已被放置乾膜本體51'之面板18搬移至第二腔室15中，且第二腔室15之上腔體151可對乾膜本體51'及面板18進行壓合作業。其中，步驟25及步驟26可大致同時進行。在步驟29，移載設備13可將已壓合完成之面板18由第二腔室15移動至第二承載卡匣12卡匣中，以供使用者收取已壓合完成之面板18。

由圖6所示之壓膜流程圖2可瞭解，當使用半導體設備之整合系統1進行壓膜製程時，不需等待面板17完全完成壓膜之程序後再進行面板18之壓膜程序，可利用第一腔室14與第二腔室15進行輪流壓膜之程序；如在面板17在切割模組16中完成將乾膜本體51'放置於面板17上後回復至第一腔室14進行壓合之時(步驟25)，將面板18自第二腔室15移動至切割模組中進行將乾膜本體51'放置在面板18上之作業程序(步驟26)；如此一來，可大大地提昇面板壓膜之效率。

圖7為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之示意圖。如圖7所示，半導體設備之整合系統1具有第一承載卡匣(cassette)31、第二承載卡匣(cassette)32、移載設備(equipment front end module；EFEM)33、第一腔室34、第二腔室35及切割模組36。第一承載卡匣31及第二承載卡匣32與移載設備33相連接，而移載設備33與第一腔室34及第二腔室35相連接，而第一腔室34及第二腔室35與該切割模組36相連接。此外，第一腔室34與第二腔室35係彼此並排設置，如此使得第一腔室34與第二腔室35之同一側與移載設備33連接，而第一腔室34與第二腔室35之另一側與切割模組36相連接，如此一來，可大大節省半導體設備之整合系統3整體所佔的體積，尤其其整體之長度可大幅縮減。

當使用者欲使用半導體設備之整合系統3時，使用者可將欲被壓膜處理之面板放置於第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32上，而移載設備33可將放置於第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32上之面板移動至第一腔室34及/或第二腔室35以進行乾膜壓合之製程。待乾膜壓合於該面板完成後，移載設備33可將該已經與乾膜壓合之面板自第一腔室34及/或第二腔室35移動至第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32，使用者可自第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32收取到該已經與乾膜壓合之面板。根據以上可知，半導體設備之整合系統3僅需要單一移載設備33即可完成整個壓膜之流程，如此半導體設備之整合系統3之成本可大幅降低。此外，使用者可在第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32處放置欲被乾膜壓合之面板，亦可在第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32收取已經乾膜壓合之面板，如此整體的工作流程可大為簡化。

承上所述，移載設備33可將放置於第一承載卡匣31及/或第二承載卡匣32上之面板移動至第一腔室34及/或第二腔室35以進行乾膜壓合之製程，以下係進一步說明第一腔室34及第二腔室35如何與切割模組36相互配合已完成將乾膜壓合至面板之製程。

一般而言，一整合系統會使用一移載設備將一面板自一承載卡匣傳送至貼膜模組內，待該面板貼膜完成後，再利用另一移載設備將面板傳送至另一承載卡匣中，如此一來，不但需要兩台移載設備，且需在系統之兩端分別放入面板至系統內及自系統取得壓膜後之面板，使得該系統更為繁複並需要更大的空間容納該系統。

圖8為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之第一腔室34與切割模組36之示意圖。如圖8所示，第一腔室34具有一上腔體341，上腔體341可在第一腔室34內大致垂直移動。上腔體341具有一氣囊接觸面342，此外，另有一支撐件344，其係用於支撐一用於保護氣囊接觸面342之PE保護膜343。再者，第一腔室34具有一下腔體345，其可在第一腔室34與切割模組36之間移動。下腔體345具有一下載盤346於其上，且具有真空抽吸裝置349。當移載設備33自第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處將欲被乾膜壓合之面板搬移至第一腔室34中時，該面板將會被放置在下腔體345之下載盤346上；而當該面板放置在下腔體345之下載盤346上，真空抽吸裝置349即可運作以將該面板平貼吸附於下載盤346上，如此可減少該面板在接下來的製程中產生不必要之翹曲。

又，參考圖8，切割模組36可具有一乾膜輪361、一覆蓋膜輪362、一廢膜輪363、一滾刀筒365及一吸膜件367。一乾膜50可裝載於乾膜輪361上，而乾膜60具有一乾膜本體61及貼附於乾膜本體61上之覆蓋膜62；覆蓋膜輪362係用於裝載將自乾膜60剝除之覆蓋膜62，切割刀組365係用於裁切已不貼附有覆蓋膜62之乾膜本體61，而經切割刀組365所裁切之乾膜本體61可被吸膜件367所裝載，另，經切割刀組365裁切但未被吸膜件367所裝載之廢膜63會被廢膜輪363所回收；此外，傳導輪3611係用於輔助將乾膜50自乾膜輪161送出，傳導輪3621及3622係用於輔助將覆蓋膜62傳送至覆蓋膜輪362，傳導輪3631係用於輔助將廢膜63傳送至廢膜輪363，如圖2所示，乾膜60通過傳導輪3622時，乾膜本體61與覆蓋652則彼此分離，其中乾膜本體61持續被傳送至切割刀組365處，而覆蓋膜62則被傳送至覆蓋膜輪362。其中，乾膜輪361及覆蓋膜輪362可被視作為一提供乾膜60之乾膜供應單元，而廢膜輪363可被視為一回收廢膜63之廢膜回收單元，因此，切割刀組365可視為一切割單元，尤其，如圖8所示，該切割單元設置於該乾膜供應單元及該廢膜回收單元之間。再者，切割刀組365設置於乾膜本體61之下側，且具有一負壓設備369；當切割刀組365切割乾膜本體61時，自乾膜本體61因切割所產生之微粒可直接被負壓設備369所吸走，如此一來，可使微粒掉落在經切割刀組365所裁切之乾膜本體61上之機會大幅減少。此外，切割刀組365可為四片刀具(未顯示)，該四片刀具係經配置可倆倆相互平行移動，故切割刀組365可將乾膜本體61裁切成一矩形形狀；又，吸膜件367可具有一平面368，故吸膜件367可利用其平面368承載經切割刀組365裁切成矩形形狀之乾膜本體；再者，當吸膜件367利用其平面368承載經切割刀組365裁切成矩形形狀之乾膜本體時，可維持該被裁切之乾膜的張力。

圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之第一腔室34與切割模組36之操作示意圖。參考圖9A，如先前所述，移載設備33可將一面板37自第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處搬移至第一腔室34中，而被搬移至第一腔室34中之面板37會被放置在下腔體345之下載盤346上，在此同時，真空抽吸裝置349可將面板37平貼吸附於下載盤346上。參考圖9B，在面板37被放置在下腔體345之下載盤346上後，下腔體345可自第一腔室34移動至切割模組36中之一位置，如此以將面板37自第一腔室34移動至切割模組36中；在此同時，吸膜件367係位在一切割刀組365之位置上。參考圖9C，乾膜輪361開始轉動以經由傳導輪3611向切割刀組365處供應乾膜60，在此同時，覆蓋膜輪362係經由傳導輪3622及3621開始收集自乾膜60剝除之覆蓋膜62，而經剝除覆蓋膜62之乾膜本體61則朝向切割刀組365供應；當乾膜本體61行經切割刀組365處之上方時，切割刀組365則會開始裁切乾膜本體61，尤其切割刀組365可將乾膜本體61裁切成一矩形形狀。在乾膜本體61被切割刀組365成一矩形形狀之後，吸膜件367可利用其平面368吸取已被裁切成矩形形狀之乾膜本體61'。而經切割刀組365裁切但未被裝載於吸膜件367上之廢膜63則會經由傳導輪3631被廢膜輪363所裝載回收。此外，如先前所述，在切割刀組365對乾膜本體61進行裁切時，負壓設備369則會同時運作，吸走因切割乾膜本體61所產生之微粒，以減少微粒掉落至被裁切下來之乾膜本體61'上之機會。

如圖9D所示，在吸膜件367裝載被裁切之乾膜本體61'後，吸膜件367則會移動至該下腔體345所在之位置處，並將裝載於吸膜件367上之被裁切成矩形之乾膜本體61'放置於被下腔體345所承載之面板37上。參考圖9E，吸膜件367將被裁切之乾膜本體61'放置於被下腔體345所承載之面板37上後，未裝載有任何乾膜本體61'之吸膜件367可回復至原先與切割刀組365對應之位置上。

隨後，如圖9F所示，下腔體345則會回復至第一腔室34中，同時也將放置有經裁切之乾膜本體61'之面板37移動至第一腔室34中，其中，下腔體345會大致位於上腔體341之下方處。在下腔體345將放置有經裁切之乾膜本體61'之面板37移回至第一腔室34後，第一腔室34之內部則會抽真空直至1 torr以下；而在第一腔室34之內部抽真空至1 torr以下後，上腔體341則會垂直向下移動將放置在面板37上之經裁切之乾膜本體61'與面板37壓合。在先將第一腔室34之內部抽真空至1 torr以下後之情況下，面板37與下載盤346之間及面板37與乾膜本體61'之間的空氣可完全被抽離，如此一來面板37可更為平貼於下載盤346上，且乾膜本體61'可更為平貼於面板37上，當上腔體341進行壓合，更能避免在面板37與乾膜本體61'之間產生不需要的氣泡。

之後，如先前所述，經壓合之乾膜本體61'與面板37則會再經由移載設備33自第一腔室34可選擇地搬移至第一承載卡匣31或第二承載卡匣32，而使用者可在第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處收取已完成乾膜壓合製程之面板37。

根據以上可了解，第一腔室34與切割模組36主要進行將乾膜60壓合至面板37之製程，而第一承載卡匣31、第二承載卡匣32及移載設備33主要係用於傳遞面板37進入第一腔室34與切割模組36進行乾膜壓合製程及將已經完成乾膜壓合製程之面板37傳出。因此，可將第一腔室34與切割模組36所具有之元件及結構可視為一種用於半導體貼膜之裝置。

再者，圖10為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之第二腔室35與切割模組36之示意圖。如圖10所示，第二腔室35具有一上腔體351，上腔體351可在第二腔室35內大致垂直移動。上腔體351具有一氣囊接觸面352，此外，另具有一支撐件354，其係用於支撐一用於保護氣囊接觸面352之PE保護膜353。再者，第二腔室35具有一下腔體355，其可在第二腔室35與切割模組36之間移動。下腔體355具有一下載盤356於其上，而下載盤356具有真空抽吸裝置359。當移載設備33自第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處將欲被乾膜壓合之面板搬移至第二腔室35中時，該面板將會被放置在下腔體355之下載盤356上；而當該面板放置在下腔體355之下載盤356上，真空抽吸裝置359即可運作以將該面板平貼吸附於下載盤356上，如此可減少該面板在接下來的製程中產生不必要之翹曲。

又，關於圖10所示之切割模組36，其所包含之元件及連結關係已於圖8之說明內容中陳明，故不再贅述。

圖11A、圖11B、圖11C、圖11D、圖11E、圖11F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之第二腔室35與切割模組36之操作示意圖。參考圖11A，如先前所述，移載設備33可將一面板38自第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處搬移至第二腔室35中，而被搬移至第二腔室35中之面板37會被放置在下腔體355之下載盤356上，在此同時，真空抽吸裝置359可將面板38平貼吸附於下載盤356上。參考圖11B，在面板38被放置在下腔體355之下載盤356上後，下腔體355可自第二腔室35移動至切割模組36中之一位置，如此以將面板38自第二腔室35移動至切割模組36中；在此同時，吸膜件367係位在一切割刀組365之位置上。參考圖11C，乾膜輪361開始轉動以經由傳導輪3611向切割刀組365處供應乾膜60，在此同時，覆蓋膜輪362係經由傳導輪3622及3621開始收集自乾膜60剝除之覆蓋膜62，而經剝除覆蓋膜62之乾膜本體61則朝向切割刀組365供應；當乾膜本體61行經切割刀組365處之上方時，切割刀組365則會開始裁切乾膜本體61，尤其切割刀組365可將乾膜本體61裁切成一矩形形狀。在乾膜本體61被切割刀組365成一矩形形狀之後，吸膜件367可利用其平面368吸取已被裁切成矩形形狀之乾膜本體61'。而經切割刀組365裁切但未被裝載於吸膜件367上之廢膜63則會經由傳導輪3631被廢膜輪363所裝載回收。此外，如先前所述，在切割刀組365對乾膜本體61進行裁切時，負壓設備369則會同時運作，吸走因切割乾膜本體61所產生之微粒，以減少微粒掉落至被裁切下來之乾膜本體61'上之機會。

如圖11D所示，在吸膜件367裝載被裁切之乾膜本體61'後，吸膜件367則會移動至該下腔體355所在之位置處，並將裝載於吸膜件367上之被裁切成矩形之乾膜本體61'放置於被下腔體355所承載之面板38上。參考圖11E，吸膜件367將被裁切之乾膜本體61'放置於被下腔體355所承載之面板38上後，未裝載有任何乾膜本體61'之吸膜件367可回復至原先與切割刀組365對應之位置上。

隨後，如圖11F所示，下腔體355則會回復至第二腔室35中，同時也將放置有經裁切之乾膜本體61'之面板38移動至第二腔室35中，其中，下腔體355會大致位於上腔體351之下方處。在下腔體355將放置有經裁切之乾膜本體61'之面板36移回至第一腔室35後，第二腔室35之內部則會抽真空直至1 torr以下；而在第二腔室35之內部抽真空至1 torr以下後，上腔體351則會垂直向下移動將放置在面板38上之經裁切之乾膜本體61'與面板38壓合。在先將第二腔室35之內部抽真空至1 torr以下後之情況下，面板38與下載盤356之間及面板38與乾膜本體61'之間的空氣可完全被抽離，如此一來面板38可更為平貼於下載盤356上，且乾膜本體61'可更為平貼於面板38上，當上腔體351進行壓合，更能避免在面板38與乾膜本體61'之間產生不需要的氣泡。

之後，如先前所述，經壓合之乾膜本體61'與面板38則會再經由移載設備33自第二腔室35搬移至第一承載卡匣31或第二承載卡匣32，而使用者可在第一承載卡匣31或第二承載卡匣32處收取已完成乾膜壓合製程之面板38。

根據以上可了解，第二腔室35與切割模組36主要進行將乾膜60壓合至面板38之製程，而第一承載卡匣31、第二承載卡匣32及移載設備33主要係用於傳遞面板38進入第二腔室35與切割模組36進行乾膜壓合製程及將已經完成乾膜壓合製程之面板38傳出。因此，可將第二腔室35與切割模組36所具有之元件及結構可視為一種用於半導體貼膜之裝置。

圖12為使用本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統3之壓膜流程圖4。在步驟41，使用者可將面板37放置於第一承載卡匣31中，並將面板38放至於第二承載卡匣32中。在步驟42，移載設備33可將放置於第一承載卡匣31卡匣中之面板37搬移至第一腔室34中。在步驟33，第一腔室34之下腔體345可將面板37移動至切割模組36中進行將乾膜本體放置在面板37上之作業。在步驟44，移載設備33可將放置於第二承載卡匣32中之面板38搬移至第二腔室35中。其中，步驟43及步驟44可大致同時進行。在步驟45，下腔體345可將已被放置乾膜本體61'之面板37搬移至第一腔室34中，且第一腔室34之上腔體341可對乾膜本體61'及面板37進行壓合作業。在步驟46，第二腔室35之下腔體355可將面板38移動至切割模組36中進行將乾膜本體61'放置在面板38上之作業。其中，步驟45及步驟46可大致同時進行。在步驟47，移載設備33可將已壓合完成之面板37由第一腔室34移動至第一承載卡匣31卡匣中，以供使用者收取已壓合完成之面板37。在步驟48，下腔體355可將已被放置乾膜本體61'之面板38搬移至第二腔室35中，且第二腔室35之上腔體351可對乾膜本體61'及面板38進行壓合作業。其中，步驟45及步驟46可大致同時進行。在步驟49，移載設備33可將已壓合完成之面板38由第二腔室35移動至第二承載卡匣32卡匣中，以供使用者收取已壓合完成之面板38。

由圖12所示之壓膜流程圖4可瞭解，當使用半導體設備之整合系統3進行壓膜製程時，不需等待面板37完全完成壓膜之程序後再進行面板38之壓膜程序，可利用第一腔室34與第二腔室35進行輪流壓膜之程序；如在面板37在切割模組36中完成將乾膜本體61'放置於面板37上後回復至第一腔室34進行壓合之時(步驟45)，將面板38自第二腔室35移動至切割模組中進行將乾膜本體61'放置在面板38上之作業程序(步驟46)；如此一來，可大大地提昇面板壓膜之效率。

整個說明書中對“一些實施例”、“部分實施例”、“一個實施例”、“另一舉例”、“舉例”、“具體舉例”或“部分舉例”的引用，其所代表的意思是在本申請中的至少一個實施例或舉例包含了該實施例或舉例中所描述的特定特徵、結構或特性。因此，在整個說明書中的各處所出現的描述，例如：“在一些實施例中”、“在實施例中”、“在一個實施例中”、“在另一個舉例中”，“在一個舉例中”、“在特定舉例中”或“舉例“，其不必然是引用本申請中的相同的實施例或示例。

如本文中所使用，空間相對術語，例如，“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左側”、“右側”及類似者可在本文中用於描述的簡易以描述如圖中所說明的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖中所描繪的定向之外，空間相對術語意圖涵蓋在使用或操作中的裝置的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處於其它定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。應理解，當一元件被稱為“連接到”或“耦合到”另一元件時，其可直接連接或耦合到另一元件，或可存在中間組件。

如本文中所使用，術語“近似地”、“基本上”、“基本”及“約”用於描述並考慮小變化。當與事件或情況結合使用時，所述術語可指事件或情況精確地發生的例子以及事件或情況極近似地發生的例子。如本文中相對於給定值或範圍所使用，術語“約”大體上意味著在給定值或範圍的±10%、±5%、±1%或±0.5%內。範圍可在本文中表示為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。除非另外規定，否則本文中所公開的所有範圍包括端點。術語“基本上共面”可指沿同一平面定位的在數微米(μm)內的兩個表面，例如，沿著同一平面定位的在10 μm內、5 μm內、1 μm內或0.5 μm內。當參考“基本上”相同的數值或特性時，術語可指處於所述值的平均值的±10%、±5%、±1%或±0.5%內的值。

如本文中所使用，術語“近似地”、“基本上”、“基本”和“約”用於描述和解釋小的變化。當與事件或情況結合使用時，所述術語可指事件或情況精確地發生的例子以及事件或情況極近似地發生的例子。舉例來說，當與數值結合使用時，術語可指小於或等於所述數值的±10%的變化範圍，例如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%。舉例來說，如果兩個數值之間的差小於或等於所述值的平均值的±10% (例如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%)，那麼可認為所述兩個數值“基本上”或“約”相同。舉例來說，“基本上”平行可以指相對於0°的小於或等於±10°的角度變化範圍，例如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°。舉例來說，“基本上”垂直可以指相對於90°的小於或等於±10°的角度變化範圍，例如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°。

如本文中所使用，除非上下文另外明確規定，否則單數術語“一(a/an)”和“所述”可包含複數指示物。在一些實施例的描述中，提供於另一元件“上”或“上方”的組件可涵蓋前一元件直接在後一元件上(例如，與後一元件物理接觸)的情況，以及一或多個中間元件位於前一元件與後一元件之間的情況。

除非另外規定，否則例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“頂部”、“底部”、“垂直”、“水準”、“側面”、“高於”、“低於”、“上部”、“在……上”、“在……下”、“向下”等等的空間描述是相對於圖中所示的定向來指示的。應理解，本文中所使用的空間描述僅出於說明的目的，且本文中所描述的結構的實際實施方案可以任何定向或方式在空間上佈置，其前提是本發明的實施例的優點是不會因此類佈置而有偏差。

雖然已參考本揭露的特定實施例描述並說明本揭露，但是這些描述和說明並不限制本揭露。所屬領域的技術人員可清晰地理解，在不脫離如由所附權利要求書定義的本揭露的真實精神和範圍的情況下，可進行各種改變，且可在實施例內取代等效組件。圖示可能未必按比例繪製。歸因於製造過程中的變數等等，本揭露中的藝術再現與實際設備之間可能存在區別。可能存在並未特定說明的本揭露的其它實施例。應將本說明書和圖式視為說明性而非限定性的。可進行修改，以使特定情形、材料、物質組成、物質、方法或過程適宜於本揭露的目標、精神和範圍。所有此類修改都意圖在此所附權利要求書的範圍內。雖然已參考按特定次序執行的特定操作描述本文中所公開的方法，但應理解，可在不脫離本揭露的教示的情況下組合、細分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作的次序和分組並非本揭露的限制。

前文概述本揭露的若干實施例及細節方面的特徵。本揭露中描述的實施例可容易地用作用於設計或修改其它過程的基礎以及用於執行相同或相似目的和/或獲得引入本文中的實施例的相同或相似優點的結構。此類等效構造並不脫離本揭露的精神和範圍，並且可在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下作出各種改變、替代和變化。

1:半導體設備之整合系統 2:壓膜流程圖 3:半導體設備之整合系統 4:壓膜流程圖 11:第一承載卡匣 12:第二承載卡匣 13:移載設備 14:第一腔室 15:第二腔室 16:切割模組 17:面板 18:面板 21:步驟 22:步驟 23:步驟 24:步驟 25:步驟 26:步驟 27:步驟 28:步驟 29:步驟 31:第一承載卡匣 32:第二承載卡匣 33:移載設備 34:第一腔室 35:第二腔室 36:切割模組 37:面板 38:面板 41:步驟 42:步驟 43:步驟 44:步驟 45:步驟 46:步驟 47:步驟 48:步驟 49:步驟 50:乾膜 51:乾膜本體 51':乾膜本體 52:覆蓋膜 53:廢膜 60:乾膜 61:乾膜本體 61':乾膜本體 62:覆蓋膜 63:廢膜 141:上腔體 142:氣囊接觸面 143:PE保護膜 145:下腔體 146:下載盤 151:上腔體 152:氣囊接觸面 153:PE保護膜 155:下腔體 156:下載盤 161:乾膜輪 162:覆蓋膜輪 163:廢膜輪 165:滾刀筒 167:受筒 169:負壓設備 341:上腔體 342:氣囊接觸面 343:PE保護膜 345:下腔體 346:下載盤 351:上腔體 352:氣囊接觸面 353:PE保護膜 355:下腔體 356:下載盤 361:乾膜輪 362:覆蓋膜輪 363:廢膜輪 365:切割刀組 367:吸膜件 368:平面 369:負壓設備 1611:傳導輪 1612:傳導輪 1621:傳導輪 1631:傳導輪 3611:傳導輪 3621:傳導輪 3622:傳導輪 3631:傳導輪

為了更好地理解本揭露之一些實施例的本質及目標，將參考結合隨附圖式而採取之以下實施方式。在圖式中，除非上下文另有明確規定，否則類似參考編號表示類似元件。 圖1為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之示意圖。 圖2為本揭露之一實施例的半導體設備之整合系統之第一腔室與切割模組之示意圖。 圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第一腔室與切割模組之操作示意圖。 圖4為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第二腔室與切割模組之示意圖。 圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第二腔室與切割模組之操作示意圖。 圖6為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之壓膜流程圖。 圖7為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之示意圖。 圖8為本揭露之一實施例的半導體設備之整合系統之第一腔室與切割模組之示意圖。 圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第一腔室與切割模組之操作示意圖。 圖10為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第二腔室與切割模組之示意圖。 圖11A、圖11B、圖11C、圖11D、圖11E、圖11F為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之第二腔室與切割模組之操作示意圖。 圖12為本揭露之一些實施例的半導體設備之整合系統之壓膜流程圖。

14:第一腔室

16:切割模組

141:上腔體

142:氣囊接觸面

143:PE保護膜

145:下腔體

146:下載盤

161:乾膜輪

162:覆蓋膜輪

163:廢膜輪

165:滾刀筒

167:受筒

169:負壓設備

1611:傳導輪

1612:傳導輪

1621:傳導輪

1631:傳導輪

Claims (20)

1. 一種用於半導體設備之貼膜裝置，其包括： 一乾膜供應單元，其用以供給一乾膜； 一切割單元，且其係用以切割自該乾膜供應單元所提供之該乾膜； 一可移動之用於承載一面板之第一腔體，及 一可在一第一位置及一第二位置之間移動之吸膜單元，其中該吸膜單元在該第一位置上收集被該切割單元所切割完成之該乾膜，且其中該吸膜單元在該第二位置處將被該切割單元所切割完成之該乾膜放置於承載於該第一腔體之該面板上。
2. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，進一步具有一用於裝載經該切割單元切割後但未被該吸膜單元搬移之該乾膜之廢膜回收單元。
3. 如請求項2之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該乾膜供應單元包括裝載該乾膜之一乾膜輪及裝載自該乾膜上剝除之一覆蓋膜之一覆蓋膜輪，且其中該廢膜回收單元係為一廢膜輪。
4. 如請求項2之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割單元係經設置於該乾膜供應單元與該廢膜回收單元之間。
5. 如請求項3之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割單元經設置位於該覆蓋膜已被移除之該乾膜之下側。
6. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割單元進一步具有一負壓設備。
7. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，進一步具有一可移動之第二腔體，其中該第二腔體可相對該第一腔體上下移動。
8. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割單元係為一滾刀筒。
9. 如請求項8之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該吸膜單元係為一受筒。
10. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割單元係為一切割刀組。
11. 如請求項10之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該切割刀組具有四片刀具。
12. 如請求項10之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該吸膜單元具有一平面。
13. 如請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，其中該第一腔體具有一用於吸附該面板之吸附設備。
14. 請求項1之用於半導體設備之貼膜裝置，進一步具有一可移動之用於承載一面板之第三腔體，其中該吸膜單元在該第一位置上收集被該切割單元所切割完成之該乾膜，且其中該吸膜單元在該第二位置上將被該切割單元所切割完成之該乾膜放置於承載於該第三腔體之該面板上。
15. 如請求項14之用於半導體設備之貼膜裝置，進一步具有一可移動之第四腔體，其中該第四腔體相對該第三腔體上下移動。
16. 一種半導體設備之貼膜方法，該方法包括： 提供一乾膜； 提供一切割單元，利用該切割單元將該乾膜裁切成一預定尺寸之乾膜； 提供一吸膜單元，其可收集該被裁切成預定尺寸之乾膜； 移動該吸膜單元以同時搬移該被裁切成預定尺寸之乾膜；及 將被該吸膜單元所收集之該被裁切成預定尺寸之乾膜置放於一面板上。
17. 如請求項16之半導體設備之貼膜方法，進一步將該被裁切成預定尺寸之乾膜與該面板壓合。
18. 如請求項16之半導體設備之貼膜方法，其中該切割單元自該乾膜之下側裁切該乾膜。
19. 一種用於製造半導體設備之整合系統，其包括： 一用於承載一面板之第一承載卡匣； 一用於承載一面板之第二承載卡匣； 一移載設備，其與該第一承載卡匣相連接，亦與該第二承載卡匣相連接。其中該移載設備可選擇地自蓋第一承載卡匣或第二承載卡匣拾取該面板； 一第一腔室，其與該移載設備相連接； 一第二腔室，其與該移載設備相連接；及 一切割模組，其與該第一腔室相連接，亦與該第二腔室相連接； 其中該切割模組包括： 一乾膜供應單元，其用以供給一乾膜； 一切割單元，且其係用以切割該自乾膜供應單元所提供之該乾膜；及 一可收集被該切割單元所切割完成之該乾膜之可移動的吸膜單元； 且其中該第一腔室包括： 一可在該切割模組與該第一腔室之間移動之第一腔體；及 一可在該第一腔室內移動之第二腔體； 且其中該第二腔室包括： 一可在該切割模組與該第二腔室之間移動之第三腔體；及 一可在該第二腔室內移動之第四腔體。
20. 如請求項19之用於製造半導體設備之整合系統，其中該切割單元為一滾刀筒或切割刀組。

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