WO2021002248A1 - 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 Download PDF

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adhesive
film
semiconductor element
adhesive composition
wire
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祐也 平本
昌典 夏川
麻未 上田
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive composition, a film-like adhesive, an adhesive sheet, a dicing / die bonding integrated adhesive sheet, a semiconductor device, and a method for manufacturing the same.
  • silver paste is mainly used for joining a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element.
  • the support members for mounting semiconductor elements to be used are also required to be miniaturized and densified.
  • Silver paste can sufficiently cope with such demands due to problems during wire bonding, difficulty in thickness control, void generation, etc., which occur due to wettability, protrusion, inclination of semiconductor elements, etc. It's gone. Therefore, in recent years, an adhesive sheet provided with a film-like adhesive has been used instead of the silver paste (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • Such an adhesive sheet is used in a method for manufacturing a semiconductor device such as an individual piece sticking method and a wafer backside sticking method.
  • a reel-shaped adhesive sheet is cut into individual pieces by cutting or punching, and then a film-like adhesive is bonded to a support member for mounting a semiconductor element. After that, the semiconductor element separated by the dicing step is joined to the semiconductor element mounting support member with a film-like adhesive. After that, a semiconductor device is manufactured through assembly steps such as wire bonding and sealing (see, for example, Patent Document 3).
  • a dedicated assembly device for cutting out the adhesive sheet and adhering it to the support member for mounting the semiconductor element is required, and there is a problem that the manufacturing cost is higher than the method using silver paste. There is.
  • a film-like adhesive is stuck on the backside of the semiconductor wafer, and then a dicing sheet is stuck on the other side of the film-like adhesive. Then, by dicing, the semiconductor wafer is separated into individual pieces with the film-like adhesive bonded to each other to manufacture a semiconductor element. Next, the semiconductor element with the film-like adhesive is picked up and joined to the semiconductor element mounting support member. After that, a semiconductor device is manufactured through assembly steps such as wire bonding and sealing (see, for example, Patent Document 4).
  • This wafer backside sticking method is different from the individual piece sticking method, and does not require a dedicated assembling device, and the conventional assembling device for silver paste is used as it is, or a device such as adding a hot plate is partially improved. Can be used. Therefore, the wafer back surface sticking method tends to be able to relatively suppress the manufacturing cost in the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet.
  • the adhesive used in the wafer backside bonding method is required to have the property that stress is unlikely to occur.
  • peeling may occur between the support member for mounting the semiconductor element and the semiconductor element, which may cause poor continuity of the semiconductor device.
  • the generation of stress on a semiconductor chip in a semiconductor element is the temperature dependence (linear expansion) of the shrinkage rate between the semiconductor chip, the cured product of the adhesive, and the substrate in the process of cooling the adhesive from the heat-cured temperature.
  • the difference in rate) is the main factor. Therefore, it is presumed that the stress on the semiconductor chip in the semiconductor element can be suppressed by reducing the coefficient of linear expansion of the cured product of the adhesive.
  • a method for reducing the coefficient of linear expansion of a cured product of an adhesive for example, a method of adding a large amount of an inorganic filler to the adhesive is known (see, for example, Patent Document 5).
  • the linear expansion rate of the cured product of the adhesive can be reduced by adding a large amount of the inorganic filler to the adhesive, when a film-like adhesive is formed using such an adhesive, The film-like adhesive itself may become brittle and the workability may be lowered, or the adhesiveness to a semiconductor wafer at a low temperature may be lowered.
  • One aspect of the present invention provides an adhesive composition containing an epoxy resin, a curing agent, an elastomer, and a filler, wherein the elastomer contains a polyurethane resin.
  • an adhesive composition when a film-like adhesive is formed, it is excellent in processability and low-temperature adhesiveness, and the coefficient of linear expansion can be sufficiently reduced.
  • the curing agent may contain a phenol resin.
  • the content of the elastomer may be 2 to 20% by mass based on the total amount of the adhesive composition. When the content of the elastomer is in such a range, it tends to be more excellent in processability when the film-like adhesive is formed.
  • the content of the filler may be 50 to 90% by mass based on the total amount of the adhesive composition.
  • the adhesive composition according to one aspect of the present invention is excellent in processability and low-temperature stickability when a film-like adhesive is formed, even when the content of the filler is relatively large as described above. obtain.
  • the adhesive composition may further contain a curing accelerator.
  • a first semiconductor element is wire-bonded on a substrate via a first wire, and a second semiconductor element is formed on the first semiconductor element.
  • a crimped semiconductor device it may be used for crimping a second semiconductor element and embedding at least a part of a first wire.
  • the present invention further comprises a composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a filler, and an elastomer, wherein the elastomer comprises a polyurethane resin, and a first semiconductor device is a wire on a substrate via a first wire.
  • a composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a filler, and an elastomer, wherein the elastomer comprises a polyurethane resin
  • a first semiconductor device is a wire on a substrate via a first wire.
  • Another aspect of the present invention provides a film-like adhesive obtained by forming the above-mentioned adhesive composition in the form of a film.
  • Another aspect of the present invention provides an adhesive sheet comprising a base material and the above-mentioned film-like adhesive provided on the base material.
  • the base material may be a dicing tape.
  • An adhesive sheet whose base material is a dicing tape may be referred to as a "dicing / die bonding integrated adhesive sheet".
  • Another aspect of the present invention provides a dicing / die bonding integrated adhesive sheet including the dicing tape and the above-mentioned film-like adhesive provided on the dicing tape.
  • a first semiconductor element is arranged on a substrate and a support member having a circuit pattern provided on the substrate, and the circuit pattern and the first semiconductor element are arranged via a first wire.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising a die bonding step of crimping through an adhesive to embed a first semiconductor element and a first wire, or at least a part of the first wire in a film-like adhesive. To do.
  • Another aspect of the present invention is a substrate, a support member having a circuit pattern provided on the substrate, a first semiconductor element provided on the support member, and the above-mentioned film-like film on the first semiconductor element.
  • a semiconductor device including a second semiconductor element bonded via an adhesive, wherein the support member and the first semiconductor element are bonded via the adhesive, and the circuit pattern and the first semiconductor device are bonded to each other.
  • the semiconductor element is electrically connected to the semiconductor element via the first wire, and at least a part of the first wire and the first semiconductor element or the first wire is embedded by a film-like adhesive.
  • the semiconductor device is a semiconductor device (semiconductor chip) embedded type semiconductor device in which the first wire and the first semiconductor element are embedded in a film-like adhesive
  • the first wire is used. It may be a wire-embedded semiconductor device in which a part is embedded in a film-like adhesive.
  • an adhesive composition which is excellent in processability and low-temperature adhesiveness when a film-like adhesive is formed and can sufficiently reduce the coefficient of linear expansion.
  • the film-like adhesive formed by forming the adhesive composition into a film is FOD (Film Over Die), which is a semiconductor element (semiconductor chip) embedded film-like adhesive, or FOW, which is a wire-embedded film-like adhesive. It can be useful as (Film Over Wire).
  • FOD Fin Over Die
  • FOW semiconductor element embedded film-like adhesive
  • the adhesive composition contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an elastomer, and (D) a filler.
  • the adhesive composition is thermosetting and can go through a semi-curing (B stage) state and then a fully cured (C stage) state after the curing treatment.
  • the component (A) has a property of forming a three-dimensional bond between molecules and being cured by heating or the like, and is a component that exhibits an adhesive action after curing.
  • the component (A) can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule.
  • the component (A) may have two or more epoxy groups in the molecule.
  • component (A) examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, and bisphenol F novolac type.
  • the component (A) may be these alkyl substituents, halides, or hydrogenated products. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (A) may be a cresol novolac type epoxy resin or a bisphenol type epoxy resin.
  • the epoxy equivalent of the component (A) is not particularly limited, but may be 90 to 600 g / eq, 100 to 500 g / eq, or 120 to 450 g / eq. When the epoxy equivalent of the component (A) is in such a range, better reactivity and fluidity tend to be obtained.
  • the content of the component (A) may be 2 to 25% by mass based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the component (A) may be 4% by mass or more, 6% by mass or more, or 8% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition, 22% by mass or less, 20% by mass or less, Alternatively, it may be 18% by mass or less.
  • the component (B) is a component that can serve as a curing agent for the epoxy resin.
  • Examples of the component (B) include phenolic resin, active ester resin and the like.
  • the phenol resin can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule.
  • examples of the phenol resin include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol, and / or naphthols such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol and dihydroxynaphthalene, and formaldehyde and the like.
  • Novolac-type phenolic resin allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenols and other phenols obtained by condensing or cocondensing with a compound having an aldehyde group of
  • a phenol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxymethyl) biphenyl, a naphthol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl type phenol resin, a phenyl aralkyl type phenol resin and the like can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the phenol resin may be a novolak type phenol resin.
  • the active ester resin is a component that has an active ester bond in the epoxy group in the molecule and acts as an epoxy resin curing agent.
  • the ester bond can react with the epoxy group of the component (A) to form a three-dimensional bond between the molecules.
  • the active ester resin is not particularly limited as long as it has an ester bond in the molecule, and is, for example, an aliphatic or aromatic carboxylic acid compound, an aliphatic hydroxy compound, an aromatic hydroxy compound (phenol compound), or an aromatic compound.
  • Examples thereof include an ester compound composed of a thiol compound (thiophenol compound), an N-hydroxyamine compound, and a heterocyclic hydroxy compound. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Since the ester compound obtained from the aliphatic carboxylic acid compound or the aliphatic hydroxy compound contains an aliphatic chain, it tends to be able to improve the solubility in an organic solvent and the compatibility with an epoxy resin. Since the ester compound obtained from the aromatic carboxylic acid compound or the aromatic hydroxy compound (phenol compound) has an aromatic ring, the heat resistance tends to be improved. Among these, the active ester resin may be an ester compound obtained from an aromatic carboxylic acid compound and an aromatic hydroxy compound (phenolic compound).
  • EXB9451, EXB9460, EXB9460S, HPC-8000-65T all manufactured by DIC Corporation, trade name
  • EXB9416- having a naphthalene structure
  • 70BK manufactured by DIC Corporation, trade name
  • DC808 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name
  • YLH1026 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name
  • the component (B) may contain a phenol resin from the viewpoint of heat resistance.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is not particularly limited, but may be 80 to 400 g / eq, 90 to 350 g / eq, or 100 to 300 g / eq. When the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is in such a range, better reactivity and fluidity tend to be obtained.
  • the ratio of the epoxy equivalent of the component (A) to the hydroxyl equivalent of the component (B) (phenolic resin) is from the viewpoint of curability. , 0.30 / 0.70 to 0.70 / 0.30, 0.35 / 0.65 to 0.65 / 0.35, 0.40 / 0.60 to 0.60 / 0.40, or It may be 0.45 / 0.55 to 0.55 / 0.45.
  • the equivalent amount ratio is 0.30 / 0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained.
  • the equivalent equivalent ratio is 0.70 / 0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and it is possible to obtain more sufficient fluidity.
  • the content of the component (B) may be 2 to 20% by mass based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the component (B) may be 3% by mass or more, 4% by mass or more, or 5% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition, 18% by mass or less, 15% by mass or less, Alternatively, it may be 12% by mass or less.
  • Component (C) Elastomer>
  • the component (C) contains a polyurethane resin.
  • flexibility can be imparted to the adhesive composition, and the adhesive composition is excellent in processability and low-temperature adhesiveness when a film-like adhesive is formed. It can be a thing.
  • the polyurethane resin can be used without particular limitation as long as it has a urethane bond in the molecule.
  • the polyurethane resin may have a structural unit derived from a polyol and a structural unit derived from a polyisocyanate. That is, the polyurethane resin may be a reaction product (or polycondensate product) of a polyol and a polyisocyanate.
  • the polyurethane resin may be used alone or in combination of two or more.
  • the polyol can be used without particular limitation as long as it is a compound having more than 1 and preferably 2 or more hydroxy groups.
  • examples of the polyol include polyester polyol, polyether polyol, polyether ester polyol, polyurethane polyol, polycarbonate polyol, polyolefin polyol and the like.
  • the polyol one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the polyol may contain a compound having two hydroxy groups (diol) or a compound having three hydroxy groups (triol).
  • the polyisocyanate can be used without particular limitation as long as it is a compound having more than 1 and preferably 2 or more isocyanate groups.
  • the polyisocyanate include aromatic isocyanates such as diphenylmethane diisocyanate, dimethyldiphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate and p-phenylenedi isocyanate; alicyclic isocyanates such as dicyclohexylmethane diisocyanate and isophorone diisocyanate; hexamethylene diisocyanate and the like. Examples thereof include aliphatic isocyanates.
  • One type of polyisocyanate may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the polyisocyanate may contain a compound having two isocyanate groups (diisocyanate).
  • polyurethane resins examples include PANDEX (registered trademark) series, Desmopan (registered trademark) series, Texas (registered trademark) series (DICC Bestropolymer Co., Ltd.) and the like.
  • the content of the polyurethane resin may be 50 to 100% by mass, 70 to 100% by mass, or 90 to 100% by mass based on the total amount of the component (C).
  • the component (C) may contain an elastomer other than the polyurethane resin in addition to the polyurethane resin.
  • the elastomer other than the polyurethane resin include polyimide resin, acrylic resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, modified polyphenylene ether resin and the like.
  • the content of the elastomer other than the polyurethane resin may be 0 to 50% by mass, 0 to 30% by mass, or 0 to 10% by mass based on the total amount of the component (C).
  • the glass transition temperature (Tg) of the component (C) may be ⁇ 50 to 50 ° C. or ⁇ 30 to 20 ° C.
  • Tg of the acrylic resin is ⁇ 50 ° C. or higher, the tackiness after forming the adhesive composition on the film is lowered, so that the handleability tends to be further improved.
  • Tg of the acrylic resin is 50 ° C. or lower, the fluidity of the adhesive composition tends to be more sufficiently secured.
  • the glass transition temperature (Tg) of the component (C) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimetry) (for example, manufactured by Rigaku Co., Ltd., trade name: Thermo Plus 2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the component (C) may be 10,000 to 1.2 million or 50,000 to 1,000,000. When the Mw of the component (C) is 10,000 or more, the film forming property tends to be better. When the Mw of the component (C) is 1.2 million or less, the fluidity tends to be superior. Mw is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
  • the Mw measuring device, measuring conditions, and the like of the component (C) are as follows.
  • the content of the component (C) may be 2 to 20% by mass based on the total amount of the adhesive composition from the viewpoint of obtaining more excellent processability.
  • the content of the component (C) may be 3% by mass or more, 4% by mass or more, or 5% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition, 18% by mass or less, 16% by mass or less, Alternatively, it may be 14% by mass or less.
  • the component (D) may be an inorganic filler.
  • the component (D) include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, and boron nitride. , Crystalline silica, amorphous silica and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (D) may contain silica.
  • the average particle size of the component (D) may be 0.005 to 2.0 ⁇ m, 0.005 to 1.5 ⁇ m, and 0.005 to 1.0 ⁇ m from the viewpoint of further improving the adhesiveness.
  • the average particle size means a value obtained by converting from the BET specific surface area.
  • the component (D) may be surface-treated with a surface treatment agent from the viewpoint of compatibility between the surface and the solvent, other components and the like, and adhesive strength.
  • a surface treatment agent include a silane-based coupling agent and the like.
  • the functional group of the silane coupling agent include a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, a mercapto group, an amino group, a diamino group, an alkoxy group, an ethoxy group and the like.
  • the content of the component (D) may be 50 to 90% by mass based on the total amount of the adhesive composition from the viewpoint of further sufficiently reducing the coefficient of linear expansion.
  • the content of the component (D) may be 52% by mass or more, 55% by mass or more, 58% by mass or more, or 60% by mass or more, and 88% by mass or less, based on the total amount of the adhesive composition. It may be 85% by mass or less, 82% by mass or less, or 80% by mass or less.
  • the adhesive composition may further contain (E) a curing accelerator and / or (F) a coupling agent.
  • the adhesive composition contains the component (E)
  • the adhesiveness and the connection reliability of the adhesive composition tend to be more compatible with each other.
  • the component (E) include imidazoles and derivatives thereof, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the component (E) may be imidazoles and derivatives thereof from the viewpoint of reactivity.
  • imidazoles examples include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the content of the component (E) may be 0.01 to 1.0% by mass based on the total amount of the adhesive composition. When the content of the component (E) is in such a range, the adhesiveness and the connection reliability tend to be more compatible.
  • ⁇ (F) component coupling agent>
  • the component (F) include a silane-based coupling agent, a titanate-based coupling agent, an aluminum-based coupling agent, and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (F) may be a silane-based coupling agent.
  • silane coupling agent examples include vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris ( ⁇ -methoxyethoxy) silane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, and ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy.
  • Silane ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropylmethyldimethoxysilane , ⁇ -Aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -aminopropylmethyldiethoxysilane, ⁇ -anilinopropyltrimethoxysilane, ⁇ -anilinopropyltriethoxysilane, ⁇ - (N, N-dimethyl) aminopropyltrimethoxysilane , ⁇ - (N, N-diethyl) aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ - (N, N-dibutyl) aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ - (N-methyl
  • the content of the component (F) may be 0.1 to 5.0% by mass based on the total amount of the adhesive composition. When the content of the component (F) is in such a range, the interfacial bond between different components tends to be further enhanced.
  • the adhesive composition may further contain an antioxidant, a rheology control agent, a leveling agent and the like as other components.
  • the content of these components may be 0.01 to 3% by mass based on the total amount of the adhesive composition.
  • the adhesive composition may be used as a varnish for the adhesive composition diluted with a solvent.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve a component other than the component (D).
  • the solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene and p-simene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and the like.
  • Cyclic ethers such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone; Carbonated esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; amides such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the solvent may be toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or cyclohexanone from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • the concentration of the solid component in the varnish of the adhesive composition may be 10 to 80% by mass based on the total amount of the varnish of the adhesive composition.
  • the varnish of the adhesive composition can be prepared by mixing and kneading the components (A) to (F), the solvent, and other components.
  • the order of mixing and kneading each component is not particularly limited and can be set as appropriate.
  • Mixing and kneading can be carried out by appropriately combining a disperser such as a normal stirrer, a raft machine, a triple roll, a ball mill, and a bead mill.
  • air bubbles in the varnish may be removed by vacuum degassing or the like.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a film-like adhesive according to an embodiment.
  • the film-like adhesive 10 is formed by forming the above-mentioned adhesive composition into a film.
  • the film-like adhesive 10 may be in a semi-cured (B stage) state.
  • Such a film-like adhesive 10 can be formed by applying an adhesive composition to a support film.
  • the varnish of the adhesive composition is used, the film-like adhesive 10 can be formed by applying the varnish of the adhesive composition to the support film and removing the solvent by heating and drying.
  • the support film examples include films such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyethylene terephthalate, and polyimide.
  • the thickness of the support film may be, for example, 10 to 200 ⁇ m or 20 to 170 ⁇ m.
  • a known method can be used, for example, a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a curtain coating method. And so on.
  • the conditions for heat drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but may be, for example, 0.1 to 90 minutes at 50 to 200 ° C.
  • the thickness of the film-like adhesive can be adjusted as appropriate according to the application.
  • the thickness of the film-like adhesive may be 5 to 200 ⁇ m, 10 to 110 ⁇ m, or 15 to 80 ⁇ m from the viewpoint of sufficiently embedding irregularities of semiconductor elements (semiconductor chips), wires, wiring circuits of substrates, and the like.
  • the linear expansion coefficient of the cured product of the film-like adhesive obtained by heating the film-like adhesive at 170 ° C. for 1 hour below the glass transition point is 45 ppm / ° C. or less, 40 ppm / ° C. or less, 35 ppm / ° C. or less, or It may be 30 ppm / ° C. or less.
  • the coefficient of linear expansion of the cured product of the film-like adhesive below the glass transition point is 45 ppm / ° C. or less, the stress on the semiconductor chip in the semiconductor element tends to be further suppressed.
  • the lower limit of the linear expansion coefficient below the glass transition point of the cured product of the film-like adhesive is not particularly limited, but may be, for example, 1 ppm / ° C. or higher.
  • the "coefficient of linear expansion (the coefficient of linear expansion below the glass transition point of the cured product of the film-like adhesive)" means the value measured by the method described in the examples.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to an embodiment.
  • the adhesive sheet 100 includes a base material 20 and the above-mentioned film-like adhesive 10 provided on the base material.
  • the base material 20 is not particularly limited, but may be a base material film.
  • Examples of the base film include those exemplified by the above-mentioned support film.
  • the base material 20 may be a dicing tape.
  • Such an adhesive sheet can be used as a dicing / die bonding integrated adhesive sheet. That is, the dicing / die bonding integrated adhesive sheet includes a dicing tape and the above-mentioned film-like adhesive 10 provided on the dicing tape. Since such a dicing / die bonding integrated adhesive sheet requires only one laminating process on a semiconductor wafer, it is possible to improve work efficiency.
  • the dicing tape examples include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Further, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, if necessary. The dicing tape may be sticky. Such a dicing tape may be one in which adhesiveness is imparted to a plastic film, or one in which an adhesive layer is provided on one side of the plastic film.
  • the adhesive sheet 100 can be formed by applying the adhesive composition or its varnish to the base film in the same manner as the above method for forming the film-like adhesive.
  • the method of applying the adhesive composition or the varnish thereof to the base material 20 may be the same as the method of applying the adhesive composition or the varnish thereof to the support film.
  • the adhesive sheet 100 may be formed by using a film-like adhesive prepared in advance.
  • the adhesive sheet 100 can be formed by laminating under predetermined conditions (for example, room temperature (20 ° C.) or a heated state) using a roll laminator, a vacuum laminator, or the like. Since the adhesive sheet 100 can be continuously manufactured and has high efficiency, it may be formed by using a roll laminator in a heated state.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment.
  • the adhesive sheet 110 further includes a protective film 30 laminated on the surface of the film-like adhesive 10 opposite to the base material 20.
  • Examples of the protective film 30 include those exemplified by the above-mentioned support film.
  • the thickness of the protective film 30 may be, for example, 10 to 200 ⁇ m or 20 to 170 ⁇ m.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the semiconductor device according to the embodiment.
  • the semiconductor device 200 includes a substrate 90 and a semiconductor element mounting support member 14 having circuit patterns 84 and 94 provided on the substrate 90, and a first semiconductor element Wa provided on the semiconductor element mounting support member 14.
  • the first semiconductor element Wa is provided with a second semiconductor element Wa that is bonded to the first semiconductor element Wa via a film-like adhesive 10.
  • the semiconductor element mounting support member 14 and the first semiconductor element Wa are adhered to each other via an adhesive 41.
  • the circuit pattern 84 and the first semiconductor element Wa are electrically connected via the first wire 88.
  • the semiconductor device is a semiconductor device (semiconductor chip) embedded type semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded, at least a part of the first wire 88 is embedded. It may be a wire-embedded semiconductor device that is embedded.
  • the semiconductor element mounting support member 14 and the second semiconductor element Waa are further electrically connected via the second wire 98, and the second semiconductor element Waa is a sealing material. It is sealed by 42.
  • the thickness of the first semiconductor element Wa may be 10 to 170 ⁇ m, and the thickness of the second semiconductor element Wa may be 20 to 400 ⁇ m.
  • the first semiconductor element Wa embedded inside the film-like adhesive 10 may be a controller chip for driving the semiconductor device 200.
  • the semiconductor element mounting support member 14 is composed of a substrate 90 on which circuit patterns 84 and 94 are formed at two locations on the surface.
  • the substrate 90 may be an organic substrate.
  • the first semiconductor element Wa is adhered to the circuit pattern 94 via an adhesive 41.
  • the second semiconductor element Waa is via a film-like adhesive 10 so that the circuit pattern 94 to which the first semiconductor element Wa is not adhered, the first semiconductor element Wa, and a part of the circuit pattern 84 are covered. It is adhered to the semiconductor element mounting support member 14.
  • the film-like adhesive 10 is embedded in the uneven steps caused by the circuit patterns 84 and 94 on the semiconductor element mounting support member 14. Then, the second semiconductor element Waa, the circuit pattern 84, and the second wire 98 are sealed by the resin-made sealing material 42.
  • a first semiconductor element is arranged on a substrate and a support member having a circuit pattern provided on the substrate, and the circuit pattern and the first are routed through a first wire.
  • FIG. 6, FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 9 are schematic cross-sectional views showing a series of steps of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment.
  • a semiconductor device semiconductor chip
  • the first semiconductor element Wa having the adhesive 41 is bonded (crimped) onto the circuit pattern 94 on the semiconductor element mounting support member 14, and the semiconductor is interposed via the first wire 88.
  • the circuit pattern 84 on the element mounting support member 14 and the first semiconductor element Wa are electrically bonded and connected (first wire bonding step).
  • the adhesive sheet 100 is laminated on one side of the semiconductor wafer (for example, thickness 100 ⁇ m, size 8 inches), and the base material 20 is peeled off, so that the film-like adhesive 10 (for example, thickness) is attached to one side of the semiconductor wafer. 110 ⁇ m) is pasted. Then, after the dicing tape is attached to the film-like adhesive 10, the dicing tape is diced to a predetermined size (for example, 7.5 mm square), so that the second film-like adhesive 10 is attached as shown in FIG. (Laminating step).
  • a predetermined size for example, 7.5 mm square
  • the temperature condition of the laminating process may be 50 to 100 ° C or 60 to 80 ° C.
  • the temperature of the laminating step is 50 ° C. or higher, good adhesion to the semiconductor wafer can be obtained.
  • the temperature of the laminating step is 100 ° C. or lower, the film-like adhesive 10 is suppressed from being excessively flowed during the laminating step, so that it is possible to prevent a change in thickness or the like.
  • Examples of the dicing method include blade dicing using a rotary blade, a method of cutting a film-like adhesive or both a wafer and a film-like adhesive with a laser, and the like.
  • the second semiconductor element Waa to which the film-like adhesive 10 is attached is crimped to the semiconductor element mounting support member 14 to which the first semiconductor element Wa is bonded and connected via the first wire 88.
  • the second semiconductor element Waa to which the film-like adhesive 10 is attached is covered with the film-like adhesive 10 so that the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are covered.
  • the second semiconductor element Waa is fixed to the semiconductor element mounting support member 14 by crimping the second semiconductor element Waa to the semiconductor element mounting support member 14 ( Die bond process).
  • the film-like adhesive 10 may be pressure-bonded at 80 to 180 ° C. and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.
  • the film-like adhesive 10 may be heated and pressurized at 60 to 175 ° C. and 0.3 to 0.7 MPa for 5 minutes or more, and the film-like adhesive 10 is (completely) cured. May be good.
  • the circuit pattern 84 is sealed with the sealing material 42.
  • the semiconductor device 200 embedded in a semiconductor element semiconductor chip
  • the semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a part of the first wire 88 is embedded.
  • a varnish of an adhesive composition was prepared by the following procedure with each component shown in Tables 1 and 2 and the content thereof. First, (A) epoxy resin, (B) curing agent, and (D) filler are blended, cyclohexanone is added thereto, and the mixture is stirred, followed by (C) elastomer, (E) curing accelerator, and (F). ) A coupling agent was added, and the mixture was stirred until each component became uniform to obtain a varnish of an adhesive composition having a solid content of 40% by mass.
  • A Ingredient: Epoxy resin (A-1) Cresol novolac type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, trade name: N-500P-10, epoxy equivalent: 204 g / eq) (A-2) Bisphenol A type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, trade name: EXA-830CRP, epoxy equivalent: 159 g / eq)
  • Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Examples 1-1 and 1- in which a film-like adhesive having a thickness of 20 ⁇ m in a semi-cured (B stage) state was provided on the base film.
  • Adhesive sheets of 2, 2-1 and 2-2 were obtained.
  • a quartz tensile probe was used for the measurement, and the distance between the chucks was set to 10 mm.
  • the measurement was carried out in a temperature range of ⁇ 60 ° C. to 260 ° C., and the coefficient of linear expansion ( ⁇ 1) below the glass transition point of the cured product of the film-like adhesive in the test piece was calculated.
  • the results are shown in Tables 1 and 2.
  • the adhesive sheet of Example 1-1 was superior in processability to the adhesive sheet of Comparative Examples 1-1 and 2-1 and had a lower coefficient of linear expansion of the cured product of the film-like adhesive. Further, from Table 2, the adhesive sheets of Examples 1-2 and 1-3 were superior in processability and low-temperature adhesiveness to the adhesive sheets of Comparative Examples 1-2 and 2-2. In the adhesive sheets of Examples 1-2 and 1-3, the linear expansion coefficient of the cured product of the film-like adhesive was also sufficiently low. From these results, it was confirmed that the adhesive composition of the present invention is excellent in processability and low-temperature adhesiveness when a film-like adhesive is formed, and can sufficiently reduce the coefficient of linear expansion. ..

Abstract

エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有する接着剤組成物が開示される。当該接着剤組成物において、エラストマーはポリウレタン樹脂を含む。

Description

接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
　本発明は、接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
　従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合には、銀ペーストが主に使用されている。しかしながら、近年の半導体素子の大型化、半導体パッケージの小型化及び高性能化に伴い、使用される半導体素子搭載用支持部材にも小型化及び細密化が要求されている。このような要求に対して、濡れ広がり性、はみ出し、半導体素子の傾き等に起因して発生するワイヤボンディング時における不具合、厚さ制御の困難性、ボイド発生などによって、銀ペーストでは充分に対処できなくなってきている。そのため、近年、銀ペーストに代わって、フィルム状接着剤を備える接着シートが使用されるようになっている（例えば、特許文献１、２参照）。このような接着シートは、個片貼付け方式、ウェハ裏面貼付け方式等の半導体装置の製造方法において使用されている。
　個片貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、リール状の接着シートをカッティング又はパンチングによって個片に切り出した後、フィルム状接着剤を半導体素子搭載用支持部材に貼り合わせる。その後、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を、フィルム状接着剤付きの半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献３参照）。しかし、個片貼付け方式の場合、接着シートを切り出して半導体素子搭載用支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であり、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題がある。
　一方、ウェハ裏面貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼付け、さらにフィルム状接着剤の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、フィルム状接着剤が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を作製する。次いで、フィルム状接着剤付きの半導体素子をピックアップして、半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献４参照）。このウェハ裏面貼付け方式は、個片貼付け方式とは異なり、専用の組立装置を必要とすることなく、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま、又は熱盤を付加する等の装置を一部改良して用いることができる。そのため、ウェハ裏面貼付け方式は、接着シートを用いた半導体装置の製造方法の中で製造コストを比較的抑えることができる傾向にある。
　ところで、ウェハ裏面貼付け方式に用いられる接着剤には、応力が発生し難い性質を有していることが求められる。半導体素子において、接着剤に由来する応力が半導体チップに発生すると、例えば、半導体素子搭載用支持部材と半導体素子との間で剥がれが発生し、半導体装置の導通不良等が生じるおそれがある。
　半導体素子における半導体チップへの応力の発生は、接着剤を加熱硬化した温度から冷却する過程において、半導体チップと、接着剤の硬化物と、基板との間の収縮率の温度依存性（線膨張率）の差が主な要因である。そのため、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させることによって、半導体素子における半導体チップへの応力を抑制できると推測される。従来、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させる方法としては、例えば、接着剤に対して無機フィラーを大量に添加する方法が知られている（例えば、特許文献５参照）。
特開平３－１９２１７８号公報 特開平４－２３４４７２号公報 特開平９－０１７８１０号公報 特開平４－１９６２４６号公報 特開２００４－１７２４４３号公報
　しかしながら、接着剤に対して無機フィラーを大量に添加すると、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させることができるものの、このような接着剤を用いてフィルム状接着剤を形成したときに、フィルム状接着剤自体が脆くなって加工性が低下するおそれ、又は半導体ウェハへの低温での貼付性が低下するおそれがある。
　そこで、本発明は、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能な接着剤組成物を提供することを主な目的とする。
　本発明の一側面は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有し、エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、接着剤組成物を提供する。このような接着剤組成物によれば、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能となり得る。
　硬化剤は、フェノール樹脂を含んでいてもよい。
　エラストマーの含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２～２０質量％であってよい。エラストマーの含有量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤を形成したときの加工性により優れる傾向にある。
　フィラーの含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、５０～９０質量％であってよい。フィラーの含有量がこのような範囲にあると、線膨張率をより充分に低減することが可能となる傾向にある。本発明の一側面に係る接着剤組成物は、このように比較的にフィラーの含有量が多い場合であっても、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性により優れるものとなり得る。
　接着剤組成物は、硬化促進剤をさらに含有していてもよい。
　本発明の一側面に係る接着剤組成物は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるものであってよい。
　本発明はさらに、エポキシ樹脂と、硬化剤と、フィラーと、エラストマーとを含有し、エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、組成物の、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられる、接着剤としての応用（使用）又は接着剤の製造のための応用（使用）に関してもよい。
　本発明の他の一側面は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤を提供する。
　本発明の他の一側面は、基材と、基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤とを備える、接着シートを提供する。
　基材は、ダイシングテープであってよい。基材がダイシングテープである接着シートを「ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート」という場合がある。
　本発明の他の一側面は、ダイシングテープと、ダイシングテープ上に設けられた上記のフィルム状接着剤とを備える、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを提供する。
　本発明の他の一側面は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して回路パターンと第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着して、第１の半導体素子及び第１のワイヤ、又は、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。
　本発明の他の一側面は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材と、支持部材上に設けられた第１の半導体素子と、第１の半導体素子に、上記のフィルム状接着剤を介して接着されている第２の半導体素子とを備える、半導体装置であって、支持部材と第１の半導体素子とが接着剤を介して接着されており、回路パターンと第１の半導体素子とが第１のワイヤを介して電気的に接続されており、第１のワイヤ及び第１の半導体素子、又は、第１のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤によって埋め込まれている、半導体装置を提供する。
　ここで、半導体装置は、第１のワイヤ及び第１の半導体素子がフィルム状接着剤に埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋込型の半導体装置であっても、第１のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であってもよい。
　本発明によれば、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能な接着剤組成物が提供される。当該接着剤組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤は、半導体素子（半導体チップ）埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ　Ｏｖｅｒ　Ｄｉｅ）又はワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ　Ｏｖｅｒ　Ｗｉｒｅ）として有用となり得る。また、本発明によれば、このようなフィルム状接着剤を用いた接着シート及び半導体装置の製造方法が提供される。
一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。 一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
［接着剤組成物］
　一実施形態に係る接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）エラストマーと、（Ｄ）フィラーとを含有する。接着剤組成物は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となり得る。
＜（Ａ）成分：エポキシ樹脂＞
　（Ａ）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有し、硬化後に接着作用を示す成分である。（Ａ）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（Ａ）成分は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。
　（Ａ）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。（Ａ）成分は、これらのアルキル置換体、ハロゲン化物、又は水素添加物であってもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ａ）成分は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂又はビスフェノール型エポキシ樹脂であってよい。
　（Ａ）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～６００ｇ／ｅｑ、１００～５００ｇ／ｅｑ、又は１２０～４５０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
　（Ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２～２５質量％であってよい。（Ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、４質量％以上、６質量％以上、又は８質量％以上であってもよく、２２質量％以下、２０質量％以下、又は１８質量％以下であってもよい。
＜（Ｂ）成分：硬化剤＞
　（Ｂ）成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得る成分である。（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂、活性エステル樹脂等が挙げられる。
　フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノール樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂であってよい。
　活性エステル樹脂は、分子内にエポキシ基に活性なエステル結合を有し、エポキシ樹脂硬化剤として作用する成分である。活性エステル樹脂は、当該エステル結合が（Ａ）成分のエポキシ基と反応して、分子間で三次元的な結合を形成し得る。（Ｂ）成分として活性エステル樹脂を用いることによって、接着剤組成物の硬化物において、誘電正接を低減することが可能となる。活性エステル樹脂としては、分子内にエステル結合を有するものであれば特に制限されないが、例えば、脂肪族又は芳香族カルボン酸化合物と、脂肪族ヒドロキシ化合物、芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）、芳香族チオール化合物（チオフェノール化合物）、Ｎ－ヒドロキシアミン化合物、複素環ヒドロキシ化合物と、から構成されるエステル化合物等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。脂肪族カルボン酸化合物又は脂肪族ヒドロキシ化合物から得られるエステル化合物は、脂肪族鎖を含むことから、有機溶媒への可溶性及びエポキシ樹脂との相溶性を向上させることができる傾向にある。芳香族カルボン酸化合物又は芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）から得られるエステル化合物は、芳香族環を有することから、耐熱性を向上させることができる傾向にある。これらの中でも、活性エステル樹脂は、芳香族カルボン酸化合物及び芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）から得られるエステル化合物であってもよい。
　活性エステル樹脂の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ビスフェノール構造を有する、ＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ、ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ（いずれもＤＩＣ株式会社製、商品名）、ナフタレン構造を有する、ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ（ＤＩＣ株式会社製、商品名）、フェノールノボラックのアセチル構造を有する、ＤＣ８０８（三菱化学株式会社製、商品名）、フェノールノボラックのベンゾイル構造を有する、ＹＬＨ１０２６（三菱化学株式会社製、商品名）等が挙げられる。
　（Ｂ）成分は、耐熱性の観点から、フェノール樹脂を含んでいてもよい。フェノール樹脂の水酸基当量は、特に制限されないが、８０～４００ｇ／ｅｑ、９０～３５０ｇ／ｅｑ、又は１００～３００ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
　（Ａ）成分のエポキシ当量と（Ｂ）成分（フェノール樹脂）の水酸基当量との比（（Ａ）成分のエポキシ当量／（Ｂ）成分（フェノール樹脂）の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
　（Ｂ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２～２０質量％であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、３質量％以上、４質量％以上、又は５質量％以上であってもよく、１８質量％以下、１５質量％以下、又は１２質量％以下であってもよい。
＜（Ｃ）成分：エラストマー＞
　（Ｃ）成分は、ポリウレタン樹脂を含む。（Ｃ）成分がポリウレタン樹脂を含むことによって、接着剤組成物に柔軟性を付与することができ、接着剤組成物は、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れたものとなり得る。
　ポリウレタン樹脂は、分子内にウレタン結合を有するものであれば特に制限なく用いることができる。ポリウレタン樹脂は、ポリオールに由来する構成単位と、ポリイソシアネートに由来する構成単位とを有するものであってよい。すなわち、ポリウレタン樹脂は、ポリオールとポリイソシアネートとの反応生成物（又は重縮合物）であってよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　ポリオールは、１を超え好ましくは２以上のヒドロキシ基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。ポリオールとしては、例えば、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリエーテルエステルポリオール、ポリウレタンポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオール等が挙げられる。ポリオールは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリオールは、ヒドロキシ基を２つ有する化合物（ジオール）又はヒドロキシ基を３つ有する化合物（トリオール）を含んでいてもよい。
　ポリイソシアネートは、１を超え好ましくは２以上のイソシアネート基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。ポリイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート、ジメチルジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート；ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂環族イソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネートなどが挙げられる。ポリイソシアネートは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリイソシアネートは、イソシアネート基を２つ有する化合物（ジイソシアネート）を含んでいてもよい。
　ポリウレタン樹脂の市販品としては、例えば、ＰＡＮＤＥＸ（商標登録）シリーズ、Ｄｅｓｍｏｐａｎ（商標登録）シリーズ、Ｔｅｘｉｎ（商標登録）シリーズ（ディーアイシーコベストロポリマー株式会社）等が挙げられる。
　ポリウレタン樹脂の含有量は、（Ｃ）成分の総量を基準として、５０～１００質量％、７０～１００質量％、又は９０～１００質量％であってよい。
　（Ｃ）成分は、ポリウレタン樹脂に加えて、ポリウレタン樹脂以外のエラストマーを含んでいてもよい。ポリウレタン樹脂以外のエラストマーとしては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
　ポリウレタン樹脂以外のエラストマーの含有量は、（Ｃ）成分の総量を基準として、０～５０質量％、０～３０質量％、又は０～１０質量％であってよい。
　（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～２０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、接着剤組成物をフィルムに形成した後のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２）を用いて測定された値を意味する。
　（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～１２０万又は５万～１００万であってよい。（Ｃ）成分のＭｗが１万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分のＭｗが１２０万以下であると、流動性により優れる傾向にある。なお、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
　（Ｃ）成分のＭｗの測定装置、測定条件等は、以下のとおりである。
　ポンプ：Ｌ－６０００（株式会社日立製作所製）
　カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
　溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
　サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
　流速：１．７５ｍＬ／分
　（Ｃ）成分の含有量は、より優れた加工性を得る観点から、接着剤組成物の総量を基準として、２～２０質量％であってよい。（Ｃ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、３質量％以上、４質量％以上、又は５質量％以上であってもよく、１８質量％以下、１６質量％以下、又は１４質量％以下であってもよい。なお、（Ｃ）成分がポリウレタン樹脂のみから構成される場合、「（Ｃ）成分」との記載を、「ポリウレタン樹脂」との記載に読み替えて適用することができる。
＜（Ｄ）成分：フィラー＞
　（Ｄ）成分は、無機フィラーであってよい。（Ｄ）成分としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｄ）成分は、シリカを含んでいてもよい。
　（Ｄ）成分の平均粒径は、接着性がより向上する観点から、０．００５～２．０μｍ、０．００５～１．５μｍ、０．００５～１．０μｍであってよい。ここで、平均粒径は、ＢＥＴ比表面積から換算することによって求められる値を意味する。
　（Ｄ）成分は、その表面と溶剤、他の成分等との相溶性、接着強度の観点から表面処理剤によって表面処理されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、シラン系カップリング剤等が挙げられる。シラン系カップリング剤の官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　（Ｄ）成分の含有量は、線膨張率をより充分に低減する観点から、接着剤組成物の総量を基準として、５０～９０質量％であってよい。（Ｄ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、５２質量％以上、５５質量％以上、５８質量％以上、又は６０質量％以上であってもよく、８８質量％以下、８５質量％以下、８２質量％以下、又は８０質量％以下であってもよい。
　接着剤組成物は、（Ｅ）硬化促進剤及び／又は（Ｆ）カップリング剤をさらに含有していてもよい。
＜（Ｅ）成分：硬化促進剤＞
　接着剤組成物が（Ｅ）成分を含有することによって、接着剤組成物の接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。（Ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｅ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってよい。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　（Ｅ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．０１～１．０質量％であってよい。（Ｅ）成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。
＜（Ｆ）成分：カップリング剤＞
　接着剤組成物が（Ｆ）成分を含有することによって、接着剤組成物の異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。（Ｆ）成分としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｆ）成分は、シラン系カップリング剤であってよい。
　シラン系カップリング剤としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ，Ｎ－ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ－メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－（Ｎ－エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ－（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
　（Ｆ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．１～５．０質量％であってよい。（Ｆ）成分の含有量がこのような範囲にあると、異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。
＜その他の成分＞
　接着剤組成物は、その他の成分として、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。これらの成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．０１～３質量％であってよい。
　接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤組成物のワニスとして用いてもよい。溶剤は、（Ｄ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサノンであってもよい。
　接着剤組成物のワニス中の固形成分濃度は、接着剤組成物のワニスの総量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
　接着剤組成物のワニスは、（Ａ）成分～（Ｆ）成分、溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合、混練の順序は特に制限されず、適宜設定することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤組成物のワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してよい。
［フィルム状接着剤］
　図１は、一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤１０は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるものである。フィルム状接着剤１０は、半硬化（Ｂステージ）状態であってよい。このようなフィルム状接着剤１０は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物のワニスを用いる場合は、接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１０を形成することができる。
　支持フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０～２００℃で０．１～９０分間であってもよい。
　フィルム状接着剤の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができる。フィルム状接着剤の厚さは、半導体素子（半導体チップ）、ワイヤ、基板の配線回路等の凹凸などを充分に埋め込む観点から、５～２００μｍ、１０～１１０μｍ、又は１５～８０μｍであってよい。
　フィルム状接着剤を１７０℃で１時間加熱することによって得られるフィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率は、４５ｐｐｍ／℃以下、４０ｐｐｍ／℃以下、３５ｐｐｍ／℃以下、又は３０ｐｐｍ／℃以下であってよい。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率が４５ｐｐｍ／℃以下であると、半導体素子における半導体チップへの応力をより抑制できる傾向にある。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率の下限は、特に制限されないが、例えば、１ｐｐｍ／℃以上であってよい。なお、本明細書において、「線膨張率（フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率）」は、実施例に記載の方法によって測定された値を意味する。
［接着シート］
　図２は、一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１００は、基材２０と基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤１０とを備える。
　基材２０は、特に制限されないが、基材フィルムであってよい。基材フィルムは、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。
　基材２０は、ダイシングテープであってもよい。このような接着シートは、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして使用することができる。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートは、ダイシングテープと、ダイシングテープ上に設けられた上記のフィルム状接着剤１０とを備える。このようなダイシング・ダイボンディング一体型接着シートは、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。
　ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであってもよい。このようなダイシングテープは、プラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよく、プラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってもよい。
　接着シート１００は、上記のフィルム状接着剤を形成する方法と同様に、接着剤組成物又はそのワニスを基材フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物又はそのワニスを基材２０に塗布する方法は、上記の接着剤組成物又はそのワニスを支持フィルムに塗布する方法と同様であってよい。
　接着シート１００は、予め作製したフィルム状接着剤を用いて形成してもよい。この場合、接着シート１００は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でラミネートすることによって形成することができる。接着シート１００は、連続的に製造ができ、効率が良いことから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成されるものであってよい。
　図３は、他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１１０は、フィルム状接着剤１０の基材２０とは反対側の面に積層された保護フィルム３０をさらに備える。保護フィルム３０は、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。保護フィルム３０の厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
［半導体装置］
　図４は、一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。半導体装置２００は、基板９０及び基板９０上に設けられた回路パターン８４、９４を有する半導体素子搭載用支持部材１４と、半導体素子搭載用支持部材１４上に設けられた第１の半導体素子Ｗａと、第１の半導体素子Ｗａに、フィルム状接着剤１０を介して接着されている第２の半導体素子Ｗａａとを備える。半導体素子搭載用支持部材１４と第１の半導体素子Ｗａとが接着剤４１を介して接着されている。回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとが第１のワイヤ８８を介して電気的に接続されている。第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａ、又は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部がフィルム状接着剤１０によって埋め込まれている（封止されている）。ここで、半導体装置は、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置であっても、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。また、半導体装置２００では、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとがさらに第２のワイヤ９８を介して電気的に接続されると共に、第２の半導体素子Ｗａａが封止材４２により封止されている。
　第１の半導体素子Ｗａの厚さは、１０～１７０μｍであってもよく、第２の半導体素子Ｗａａの厚さは、２０～４００μｍであってもよい。フィルム状接着剤１０の内部に埋め込まれている第１の半導体素子Ｗａは、半導体装置２００を駆動するためのコントローラチップであってよい。
　半導体素子搭載用支持部材１４は、表面に回路パターン８４、９４がそれぞれ二箇所ずつ形成された基板９０からなる。基板９０は、有機基板であってよい。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン９４上に接着剤４１を介して接着されている。第２の半導体素子Ｗａａは、第１の半導体素子Ｗａが接着されていない回路パターン９４、第１の半導体素子Ｗａ、及び回路パターン８４の一部が覆われるように、フィルム状接着剤１０を介して半導体素子搭載用支持部材１４に接着されている。半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４、９４に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤１０が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材４２により、第２の半導体素子Ｗａａ、回路パターン８４、及び第２のワイヤ９８が封止されている。
［半導体装置の製造方法］
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して前記回路パターンと第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着して、第１のワイヤ及び第１の半導体素子、又は、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える。
　図５、図６、図７、図８、及び図９は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。ここでは、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置について説明する。まず、図５に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン９４上に、接着剤４１を有する第１の半導体素子Ｗａを接着（圧着）し、第１のワイヤ８８を介して半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとを電気的にボンディング接続する（第１のワイヤボンディング工程）。
　次に、半導体ウェハ（例えば、厚さ１００μｍ、サイズ８インチ）の片面に、接着シート１００をラミネートし、基材２０を剥がすことによって、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤１０（例えば、厚さ１１０μｍ）を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤１０にダイシングテープを貼り合わせた後、所定の大きさ（例えば、７．５ｍｍ角）にダイシングすることにより、図６に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを得る（ラミネート工程）。
　ラミネート工程の温度条件は、５０～１００℃又は６０～８０℃であってよい。ラミネート工程の温度が５０℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が１００℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤１０が過度に流動することが抑えられるため、厚さの変化等を引き起こすことを防止できる。
　ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによってフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤の両方を切断する方法等が挙げられる。
　そして、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、第１の半導体素子Ｗａが第１のワイヤ８８を介してボンディング接続された半導体素子搭載用支持部材１４に圧着する。具体的には、図７に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付された第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０によって第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが覆われるように載置し、次いで、図８に示すとおり、第２の半導体素子Ｗａａを半導体素子搭載用支持部材１４に圧着させることによって半導体素子搭載用支持部材１４に第２の半導体素子Ｗａａを固定する（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤１０を８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で０．５～３．０秒間圧着するものであってよい。ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤１０を６０～１７５℃、０．３～０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加熱及び加圧してもよく、フィルム状接着剤１０を（完全）硬化させてもよい。
　次いで、図９に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとを第２のワイヤ９８を介して電気的に接続した後（第２のワイヤボンディング工程）、回路パターン８４、第２のワイヤ９８及び第２の半導体素子Ｗａａを封止材４２で封止する。このような工程を経ることで半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置２００を製造することができる。
　他の実施形態として、半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。
　以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１－１～１－３及び比較例１－１、１－２、２－１、２－２）
＜接着シートの作製＞
　表１及び表２に示す各成分及びその含有量で、以下の手順によって接着剤組成物のワニスを調製した。まず、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｄ）フィラーを配合し、これにシクロヘキサノンを加えて撹拌し、続いて、（Ｃ）エラストマー、（Ｅ）硬化促進剤、及び（Ｆ）カップリング剤を加えて、各成分が均一になるまで撹拌することによって、固形分４０質量％の接着剤組成物のワニスを得た。
　なお、表１及び表２中の各成分は以下のとおりである。
（Ａ）成分：エポキシ樹脂
（Ａ－１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：Ｎ－５００Ｐ－１０、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ）
（Ａ－２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ）
（Ｂ）成分：硬化剤
（Ｂ－１）フェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学工業株式会社製、商品名：レヂトップＰＳＭ－４３２６、軟化点：１２６℃、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ）
（Ｃ）成分：エラストマー
（Ｃ－１）ポリウレタン樹脂（ディーアイシーコベストロポリマー株式会社製、商品名：Ｔ－８１７５Ｎ、重量平均分子量：８万、ガラス転移点：－２３℃）
（Ｃ－２）アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、重量平均分子量：８０万、ガラス転移点：－７℃）
（Ｃ－３）アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ、重量平均分子量：２３万、ガラス転移点：－７℃）
（Ｄ）成分：フィラー
（Ｄ－１）シリカフィラー（アドマテックス株式会社製、商品名：ＳＣ２０５０－ＨＬＧ、平均粒径：０．５００μｍ）
（Ｅ）成分：硬化促進剤
（Ｅ－１）１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ）
（Ｆ）成分：カップリング剤
（Ｆ－１）γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＵＣ　Ａ－１８９）
（Ｆ－２）γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＵＣ　Ａ－１１６０）
　次に、得られたワニスを、基材フィルムである厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥した。このようにして、基材フィルム上に、半硬化（Ｂステージ）状態にある厚さ２０μｍのフィルム状接着剤が設けられた実施例１－１～１－３及び比較例１－１、１－２、２－１、２－２の接着シートを得た。
＜加工性の評価＞
　実施例及び比較例の各接着シートを幅２０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出し、切り出した接着シートの端部から５０ｍｍの位置に端から５ｍｍの切込みを入れたものを試験片とした。オートグラフ（株式会社島津製作所製、商品名：オートグラフＡＧＳ－Ｈ１００Ｎ）を用いて、１００ｍｍ／分の速度で引張試験を行い、破断距離を測定した。破断距離の測定においては、チャック間距離を４０ｍｍとした。破断距離が１０ｍｍ以上である場合を加工性に優れるとして「Ａ」と評価し、１０ｍｍ未満の場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
＜低温貼付性の評価＞
　実施例及び比較例の各接着シートを幅５０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出し、これを試験片とした。この試験片を、支持台上に載せたシリコンウェハ（８インチ径、厚さ４００μｍ）の支持台と反対側の面に、フィルム状接着剤がシリコンウェハ側になる向きで積層した。積層は、ロールを用いて、温度７０℃、線圧３９．２Ｎ／ｃｍ（４ｋｇｆ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分で加圧しながら行った。このときに、シリコンウェハと接着シートとの間に空隙（ボイド）の発生が観測されなかった場合を低温貼付性に優れるとして「Ａ」と評価し、空隙（ボイド）の発生が観測された場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１及び表２に示す。
＜線膨張率の測定＞
　加工性又は低温貼付性のいずれかに優れていた実施例１－１～１－３及び比較例１－１、２－１の接着シートについて、線膨張率を測定した。各接着シートをフィルム状接着剤が完全硬化（Ｃステージ）状態になるように、１７０℃で１時間熱硬化させ、熱硬化させた接着シートを幅４０ｍｍ、長さ３．５ｍｍに切り出し、これを試験片とした。熱機械分析装置（株式会社日立ハイテクノロジー製、商品名：ＴＭＡ７１００）を用いて、引張モードで試験片の線膨張率を測定した。測定には石英製の引張プローブを使用し、チャック間距離を１０ｍｍとした。測定は－６０℃から２６０℃までの温度範囲で行い、試験片におけるフィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率（α１）を算出した。結果を表１及び表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１より、実施例１－１の接着シートは、比較例１－１、２－１の接着シートよりも、加工性に優れ、フィルム状接着剤の硬化物の線膨張率が低かった。また、表２より、実施例１－２、１－３の接着シートは、比較例１－２、２－２の接着シートよりも、加工性及び低温貼付性に優れていた。実施例１－２、１－３の接着シートは、フィルム状接着剤の硬化物の線膨張率も充分に低かった。これらの結果から、本発明の接着剤組成物が、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能であることが確認された。
　１０…フィルム状接着剤、１４…半導体素子搭載用支持部材、２０…基材、３０…保護フィルム、４１…接着剤、４２…封止材、８４，９４…回路パターン、８８…第１のワイヤ、９０…基板、９８…第２のワイヤ、１００，１１０…接着シート、２００…半導体装置、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗａａ…第２の半導体素子。

Claims (11)

  1. 　エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有し、
    　前記エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、接着剤組成物。
  2. 　前記硬化剤がフェノール樹脂を含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
  3. 　前記エラストマーの含有量が、接着剤組成物の総量を基準として、２～２０質量％である、請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
  4. 　前記フィラーの含有量が、接着剤組成物の総量を基準として、５０～９０質量％である、請求項１～３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
  5. 　硬化促進剤をさらに含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤。
  7. 　基材と、前記基材上に設けられた請求項６に記載のフィルム状接着剤とを備える、接着シート。
  8. 　前記基材がダイシングテープである、請求項７に記載の接着シート。
  9. 　ダイシングテープと、前記ダイシングテープ上に設けられた請求項６に記載のフィルム状接着剤とを備える、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート。
  10. 　基板及び前記基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して前記回路パターンと前記第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
    　第２の半導体素子の片面に、請求項６に記載のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
    　前記フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、前記フィルム状接着剤を介して圧着して、前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子、又は、前記第１のワイヤの少なくとも一部を前記フィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
  11. 　基板及び前記基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材と、
    　前記支持部材上に設けられた第１の半導体素子と、
    　前記第１の半導体素子に、請求項６に記載のフィルム状接着剤を介して接着されている第２の半導体素子と、
    を備える、半導体装置であって、
    　前記支持部材と前記第１の半導体素子とが接着剤を介して接着されており、
    　前記回路パターンと前記第１の半導体素子とが第１のワイヤを介して電気的に接続されており、
    　前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子、又は、前記第１のワイヤの少なくとも一部が前記フィルム状接着剤によって埋め込まれている、半導体装置。
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