JP2021011512A - 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能な接着剤組成物を提供すること。【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有し、エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、接着剤組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。

従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合には、銀ペーストが主に使用されている。しかしながら、近年の半導体素子の大型化、半導体パッケージの小型化及び高性能化に伴い、使用される半導体素子搭載用支持部材にも小型化及び細密化が要求されている。このような要求に対して、濡れ広がり性、はみ出し、半導体素子の傾き等に起因して発生するワイヤボンディング時における不具合、厚さ制御の困難性、ボイド発生などによって、銀ペーストでは充分に対処できなくなってきている。そのため、近年、銀ペーストに代わって、フィルム状接着剤を備える接着シートが使用されるようになっている（例えば、特許文献１、２参照）。このような接着シートは、個片貼付け方式、ウェハ裏面貼付け方式等の半導体装置の製造方法において使用されている。

個片貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、リール状の接着シートをカッティング又はパンチングによって個片に切り出した後、フィルム状接着剤を半導体素子搭載用支持部材に貼り合わせる。その後、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を、フィルム状接着剤付きの半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献３参照）。しかし、個片貼付け方式の場合、接着シートを切り出して半導体素子搭載用支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であり、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題がある。

一方、ウェハ裏面貼付け方式によって半導体装置を製造する場合、まず、半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼付け、さらにフィルム状接着剤の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、フィルム状接着剤が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を作製する。次いで、フィルム状接着剤付きの半導体素子をピックアップして、半導体素子搭載用支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が製造される（例えば、特許文献４参照）。このウェハ裏面貼付け方式は、個片貼付け方式とは異なり、専用の組立装置を必要とすることなく、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま、又は熱盤を付加する等の装置を一部改良して用いることができる。そのため、ウェハ裏面貼付け方式は、接着シートを用いた半導体装置の製造方法の中で製造コストを比較的抑えることができる傾向にある。

ところで、ウェハ裏面貼付け方式に用いられる接着剤には、応力が発生し難い性質を有していることが求められる。半導体素子において、接着剤に由来する応力が半導体チップに発生すると、例えば、半導体素子搭載用支持部材と半導体素子との間で剥がれが発生し、半導体装置の導通不良等が生じるおそれがある。

半導体素子における半導体チップへの応力の発生は、接着剤を加熱硬化した温度から冷却する過程において、半導体チップと、接着剤の硬化物と、基板との間の収縮率の温度依存性（線膨張率）の差が主な要因である。そのため、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させることによって、半導体素子における半導体チップへの応力を抑制できると推測される。従来、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させる方法としては、例えば、接着剤に対して無機フィラーを大量に添加する方法が知られている（例えば、特許文献５参照）。

特開平３−１９２１７８号公報 特開平４−２３４４７２号公報 特開平９−０１７８１０号公報 特開平４−１９６２４６号公報 特開２００４−１７２４４３号公報

しかしながら、接着剤に対して無機フィラーを大量に添加すると、接着剤の硬化物の線膨張率を低下させることができるものの、このような接着剤を用いてフィルム状接着剤を形成したときに、フィルム状接着剤自体が脆くなって加工性が低下するおそれ、又は半導体ウェハへの低温での貼付性が低下するおそれがある。

そこで、本発明は、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能な接着剤組成物を提供することを主な目的とする。

本発明の一側面は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有し、エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、接着剤組成物を提供する。このような接着剤組成物によれば、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能となり得る。

硬化剤は、フェノール樹脂を含んでいてもよい。

エラストマーの含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２〜２０質量％であってよい。エラストマーの含有量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤を形成したときの加工性により優れる傾向にある。

フィラーの含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、５０〜９０質量％であってよい。フィラーの含有量がこのような範囲にあると、線膨張率をより充分に低減することが可能となる傾向にある。本発明の一側面に係る接着剤組成物は、このように比較的にフィラーの含有量が多い場合であっても、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性により優れるものとなり得る。

接着剤組成物は、硬化促進剤をさらに含有していてもよい。

本発明の一側面に係る接着剤組成物は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるものであってよい。

本発明はさらに、エポキシ樹脂と、硬化剤と、フィラーと、エラストマーとを含有し、エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、組成物の、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられる、接着剤としての応用（使用）又は接着剤の製造のための応用（使用）に関してもよい。

本発明の他の一側面は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤を提供する。

本発明の他の一側面は、基材と、基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤とを備える、接着シートを提供する。

基材は、ダイシングテープであってよい。基材がダイシングテープである接着シートを「ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート」という場合がある。

本発明の他の一側面は、ダイシングテープと、ダイシングテープ上に設けられた上記のフィルム状接着剤とを備える、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを提供する。

本発明の他の一側面は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して回路パターンと第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着して、第１の半導体素子及び第１のワイヤ、又は、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える、半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の他の一側面は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材と、支持部材上に設けられた第１の半導体素子と、第１の半導体素子に、上記のフィルム状接着剤を介して接着されている第２の半導体素子とを備える、半導体装置であって、支持部材と第１の半導体素子とが接着剤を介して接着されており、回路パターンと第１の半導体素子とが第１のワイヤを介して電気的に接続されており、第１のワイヤ及び第１の半導体素子、又は、第１のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤によって埋め込まれている、半導体装置を提供する。

ここで、半導体装置は、第１のワイヤ及び第１の半導体素子がフィルム状接着剤に埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋込型の半導体装置であっても、第１のワイヤの少なくとも一部がフィルム状接着剤に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であってもよい。

本発明によれば、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能な接着剤組成物が提供される。当該接着剤組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤は、半導体素子（半導体チップ）埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）又はワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｗｉｒｅ）として有用となり得る。また、本発明によれば、このようなフィルム状接着剤を用いた接着シート及び半導体装置の製造方法が提供される。

一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。 一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

［接着剤組成物］
一実施形態に係る接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）エラストマーと、（Ｄ）フィラーとを含有する。接着剤組成物は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となり得る。

＜（Ａ）成分：エポキシ樹脂＞
（Ａ）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有し、硬化後に接着作用を示す成分である。（Ａ）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（Ａ）成分は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。

（Ａ）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。（Ａ）成分は、これらのアルキル置換体、ハロゲン化物、又は水素添加物であってもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ａ）成分は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂又はビスフェノール型エポキシ樹脂であってよい。

（Ａ）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０〜６００ｇ／ｅｑ、１００〜５００ｇ／ｅｑ、又は１２０〜４５０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。

（Ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２〜２５質量％であってよい。（Ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、４質量％以上、６質量％以上、又は８質量％以上であってもよく、２２質量％以下、２０質量％以下、又は１８質量％以下であってもよい。

＜（Ｂ）成分：硬化剤＞
（Ｂ）成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得る成分である。（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂、活性エステル樹脂等が挙げられる。

フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノール樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂であってよい。

活性エステル樹脂は、分子内にエポキシ基に活性なエステル結合を有し、エポキシ樹脂硬化剤として作用する成分である。活性エステル樹脂は、当該エステル結合が（Ａ）成分のエポキシ基と反応して、分子間で三次元的な結合を形成し得る。（Ｂ）成分として活性エステル樹脂を用いることによって、接着剤組成物の硬化物において、誘電正接を低減することが可能となる。活性エステル樹脂としては、分子内にエステル結合を有するものであれば特に制限されないが、例えば、脂肪族又は芳香族カルボン酸化合物と、脂肪族ヒドロキシ化合物、芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）、芳香族チオール化合物（チオフェノール化合物）、Ｎ−ヒドロキシアミン化合物、複素環ヒドロキシ化合物と、から構成されるエステル化合物等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。脂肪族カルボン酸化合物又は脂肪族ヒドロキシ化合物から得られるエステル化合物は、脂肪族鎖を含むことから、有機溶媒への可溶性及びエポキシ樹脂との相溶性を向上させることができる傾向にある。芳香族カルボン酸化合物又は芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）から得られるエステル化合物は、芳香族環を有することから、耐熱性を向上させることができる傾向にある。これらの中でも、活性エステル樹脂は、芳香族カルボン酸化合物及び芳香族ヒドロキシ化合物（フェノール化合物）から得られるエステル化合物であってもよい。

活性エステル樹脂の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ビスフェノール構造を有する、ＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（いずれもＤＩＣ株式会社製、商品名）、ナフタレン構造を有する、ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ（ＤＩＣ株式会社製、商品名）、フェノールノボラックのアセチル構造を有する、ＤＣ８０８（三菱化学株式会社製、商品名）、フェノールノボラックのベンゾイル構造を有する、ＹＬＨ１０２６（三菱化学株式会社製、商品名）等が挙げられる。

（Ｂ）成分は、耐熱性の観点から、フェノール樹脂を含んでいてもよい。フェノール樹脂の水酸基当量は、特に制限されないが、８０〜４００ｇ／ｅｑ、９０〜３５０ｇ／ｅｑ、又は１００〜３００ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。

（Ａ）成分のエポキシ当量と（Ｂ）成分（フェノール樹脂）の水酸基当量との比（（Ａ）成分のエポキシ当量／（Ｂ）成分（フェノール樹脂）の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０〜０．７０／０．３０、０．３５／０．６５〜０．６５／０．３５、０．４０／０．６０〜０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５〜０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。

（Ｂ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、２〜２０質量％であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、３質量％以上、４質量％以上、又は５質量％以上であってもよく、１８質量％以下、１５質量％以下、又は１２質量％以下であってもよい。

＜（Ｃ）成分：エラストマー＞
（Ｃ）成分は、ポリウレタン樹脂を含む。（Ｃ）成分がポリウレタン樹脂を含むことによって、接着剤組成物に柔軟性を付与することができ、接着剤組成物は、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れたものとなり得る。

ポリウレタン樹脂は、分子内にウレタン結合を有するものであれば特に制限なく用いることができる。ポリウレタン樹脂は、ポリオールに由来する構成単位と、ポリイソシアネートに由来する構成単位とを有するものであってよい。すなわち、ポリウレタン樹脂は、ポリオールとポリイソシアネートとの反応生成物（又は重縮合物）であってよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

ポリオールは、１を超え好ましくは２以上のヒドロキシ基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。ポリオールとしては、例えば、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリエーテルエステルポリオール、ポリウレタンポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリオレフィンポリオール等が挙げられる。ポリオールは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリオールは、ヒドロキシ基を２つ有する化合物（ジオール）又はヒドロキシ基を３つ有する化合物（トリオール）を含んでいてもよい。

ポリイソシアネートは、１を超え好ましくは２以上のイソシアネート基を有する化合物であれば、特に制限なく用いることができる。ポリイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート、ジメチルジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート；ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂環族イソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネートなどが挙げられる。ポリイソシアネートは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリイソシアネートは、イソシアネート基を２つ有する化合物（ジイソシアネート）を含んでいてもよい。

ポリウレタン樹脂の市販品としては、例えば、ＰＡＮＤＥＸ（商標登録）シリーズ、Ｄｅｓｍｏｐａｎ（商標登録）シリーズ、Ｔｅｘｉｎ（商標登録）シリーズ（ディーアイシーコベストロポリマー株式会社）等が挙げられる。

ポリウレタン樹脂の含有量は、（Ｃ）成分の総量を基準として、５０〜１００質量％、７０〜１００質量％、又は９０〜１００質量％であってよい。

（Ｃ）成分は、ポリウレタン樹脂に加えて、ポリウレタン樹脂以外のエラストマーを含んでいてもよい。ポリウレタン樹脂以外のエラストマーとしては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。

ポリウレタン樹脂以外のエラストマーの含有量は、（Ｃ）成分の総量を基準として、０〜５０質量％、０〜３０質量％、又は０〜１０質量％であってよい。

（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−５０〜５０℃又は−３０〜２０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが−５０℃以上であると、接着剤組成物をフィルムに形成した後のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２）を用いて測定された値を意味する。

（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜１２０万又は５万〜１００万であってよい。（Ｃ）成分のＭｗが１万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分のＭｗが１２０万以下であると、流動性により優れる傾向にある。なお、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。

（Ｃ）成分のＭｗの測定装置、測定条件等は、以下のとおりである。
ポンプ：Ｌ−６０００（株式会社日立製作所製）
カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
流速：１．７５ｍＬ／分

（Ｃ）成分の含有量は、より優れた加工性を得る観点から、接着剤組成物の総量を基準として、２〜２０質量％であってよい。（Ｃ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、３質量％以上、４質量％以上、又は５質量％以上であってもよく、１８質量％以下、１６質量％以下、又は１４質量％以下であってもよい。なお、（Ｃ）成分がポリウレタン樹脂のみから構成される場合、「（Ｃ）成分」との記載を、「ポリウレタン樹脂」との記載に読み替えて適用することができる。

＜（Ｄ）成分：フィラー＞
（Ｄ）成分は、無機フィラーであってよい。（Ｄ）成分としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｄ）成分は、シリカを含んでいてもよい。

（Ｄ）成分の平均粒径は、接着性がより向上する観点から、０．００５〜２．０μｍ、０．００５〜１．５μｍ、０．００５〜１．０μｍであってよい。ここで、平均粒径は、ＢＥＴ比表面積から換算することによって求められる値を意味する。

（Ｄ）成分は、その表面と溶剤、他の成分等との相溶性、接着強度の観点から表面処理剤によって表面処理されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、シラン系カップリング剤等が挙げられる。シラン系カップリング剤の官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。

（Ｄ）成分の含有量は、線膨張率をより充分に低減する観点から、接着剤組成物の総量を基準として、５０〜９０質量％であってよい。（Ｄ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、５２質量％以上、５５質量％以上、５８質量％以上、又は６０質量％以上であってもよく、８８質量％以下、８５質量％以下、８２質量％以下、又は８０質量％以下であってもよい。

接着剤組成物は、（Ｅ）硬化促進剤及び／又は（Ｆ）カップリング剤をさらに含有していてもよい。

＜（Ｅ）成分：硬化促進剤＞
接着剤組成物が（Ｅ）成分を含有することによって、接着剤組成物の接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。（Ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｅ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってよい。

イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｅ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．０１〜１．０質量％であってよい。（Ｅ）成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。

＜（Ｆ）成分：カップリング剤＞
接着剤組成物が（Ｆ）成分を含有することによって、接着剤組成物の異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。（Ｆ）成分としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｆ）成分は、シラン系カップリング剤であってよい。

シラン系カップリング剤としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。

（Ｆ）成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．１〜５．０質量％であってよい。（Ｆ）成分の含有量がこのような範囲にあると、異種成分間の界面結合をより高めることができる傾向にある。

＜その他の成分＞
接着剤組成物は、その他の成分として、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。これらの成分の含有量は、接着剤組成物の総量を基準として、０．０１〜３質量％であってよい。

接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤組成物のワニスとして用いてもよい。溶剤は、（Ｄ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサノンであってもよい。

接着剤組成物のワニス中の固形成分濃度は、接着剤組成物のワニスの総量を基準として、１０〜８０質量％であってよい。

接着剤組成物のワニスは、（Ａ）成分〜（Ｆ）成分、溶剤、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合、混練の順序は特に制限されず、適宜設定することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤組成物のワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してよい。

［フィルム状接着剤］
図１は、一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤１０は、上記の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるものである。フィルム状接着剤１０は、半硬化（Ｂステージ）状態であってよい。このようなフィルム状接着剤１０は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物のワニスを用いる場合は、接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１０を形成することができる。

支持フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１０〜２００μｍ又は２０〜１７０μｍであってよい。

接着剤組成物のワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０〜２００℃で０．１〜９０分間であってもよい。

フィルム状接着剤の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができる。フィルム状接着剤の厚さは、半導体素子（半導体チップ）、ワイヤ、基板の配線回路等の凹凸などを充分に埋め込む観点から、５〜２００μｍ、１０〜１１０μｍ、又は１５〜８０μｍであってよい。

フィルム状接着剤を１７０℃で１時間加熱することによって得られるフィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率は、４５ｐｐｍ／℃以下、４０ｐｐｍ／℃以下、３５ｐｐｍ／℃以下、又は３０ｐｐｍ／℃以下であってよい。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率が４５ｐｐｍ／℃以下であると、半導体素子における半導体チップへの応力をより抑制できる傾向にある。フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率の下限は、特に制限されないが、例えば、１ｐｐｍ／℃以上であってよい。なお、本明細書において、「線膨張率（フィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率）」は、実施例に記載の方法によって測定された値を意味する。

［接着シート］
図２は、一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１００は、基材２０と基材上に設けられた上記のフィルム状接着剤１０とを備える。

基材２０は、特に制限されないが、基材フィルムであってよい。基材フィルムは、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。

基材２０は、ダイシングテープであってもよい。このような接着シートは、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして使用することができる。すなわち、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートは、ダイシングテープと、ダイシングテープ上に設けられた上記のフィルム状接着剤１０とを備える。このようなダイシング・ダイボンディング一体型接着シートは、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。

ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであってもよい。このようなダイシングテープは、プラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよく、プラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってもよい。

接着シート１００は、上記のフィルム状接着剤を形成する方法と同様に、接着剤組成物又はそのワニスを基材フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物又はそのワニスを基材２０に塗布する方法は、上記の接着剤組成物又はそのワニスを支持フィルムに塗布する方法と同様であってよい。

接着シート１００は、予め作製したフィルム状接着剤を用いて形成してもよい。この場合、接着シート１００は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でラミネートすることによって形成することができる。接着シート１００は、連続的に製造ができ、効率が良いことから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成されるものであってよい。

図３は、他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１１０は、フィルム状接着剤１０の基材２０とは反対側の面に積層された保護フィルム３０をさらに備える。保護フィルム３０は、上記の支持フィルムで例示したものが挙げられる。保護フィルム３０の厚さは、例えば、１０〜２００μｍ又は２０〜１７０μｍであってよい。

［半導体装置］
図４は、一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。半導体装置２００は、基板９０及び基板９０上に設けられた回路パターン８４、９４を有する半導体素子搭載用支持部材１４と、半導体素子搭載用支持部材１４上に設けられた第１の半導体素子Ｗａと、第１の半導体素子Ｗａに、フィルム状接着剤１０を介して接着されている第２の半導体素子Ｗａａとを備える。半導体素子搭載用支持部材１４と第１の半導体素子Ｗａとが接着剤４１を介して接着されている。回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとが第１のワイヤ８８を介して電気的に接続されている。第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａ、又は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部がフィルム状接着剤１０によって埋め込まれている（封止されている）。ここで、半導体装置は、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置であっても、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。また、半導体装置２００では、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとがさらに第２のワイヤ９８を介して電気的に接続されると共に、第２の半導体素子Ｗａａが封止材４２により封止されている。

第１の半導体素子Ｗａの厚さは、１０〜１７０μｍであってもよく、第２の半導体素子Ｗａａの厚さは、２０〜４００μｍであってもよい。フィルム状接着剤１０の内部に埋め込まれている第１の半導体素子Ｗａは、半導体装置２００を駆動するためのコントローラチップであってよい。

半導体素子搭載用支持部材１４は、表面に回路パターン８４、９４がそれぞれ二箇所ずつ形成された基板９０からなる。基板９０は、有機基板であってよい。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン９４上に接着剤４１を介して接着されている。第２の半導体素子Ｗａａは、第１の半導体素子Ｗａが接着されていない回路パターン９４、第１の半導体素子Ｗａ、及び回路パターン８４の一部が覆われるように、フィルム状接着剤１０を介して半導体素子搭載用支持部材１４に接着されている。半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４、９４に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤１０が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材４２により、第２の半導体素子Ｗａａ、回路パターン８４、及び第２のワイヤ９８が封止されている。

［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板及び基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して前記回路パターンと第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上記のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着して、第１のワイヤ及び第１の半導体素子、又は、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程とを備える。

図５、図６、図７、図８、及び図９は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。ここでは、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置について説明する。まず、図５に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン９４上に、接着剤４１を有する第１の半導体素子Ｗａを接着（圧着）し、第１のワイヤ８８を介して半導体素子搭載用支持部材１４上の回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとを電気的にボンディング接続する（第１のワイヤボンディング工程）。

次に、半導体ウェハ（例えば、厚さ１００μｍ、サイズ８インチ）の片面に、接着シート１００をラミネートし、基材２０を剥がすことによって、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤１０（例えば、厚さ１１０μｍ）を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤１０にダイシングテープを貼り合わせた後、所定の大きさ（例えば、７．５ｍｍ角）にダイシングすることにより、図６に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを得る（ラミネート工程）。

ラミネート工程の温度条件は、５０〜１００℃又は６０〜８０℃であってよい。ラミネート工程の温度が５０℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が１００℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤１０が過度に流動することが抑えられるため、厚さの変化等を引き起こすことを防止できる。

ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによってフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤の両方を切断する方法等が挙げられる。

そして、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、第１の半導体素子Ｗａが第１のワイヤ８８を介してボンディング接続された半導体素子搭載用支持部材１４に圧着する。具体的には、図７に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付された第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０によって第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが覆われるように載置し、次いで、図８に示すとおり、第２の半導体素子Ｗａａを半導体素子搭載用支持部材１４に圧着させることによって半導体素子搭載用支持部材１４に第２の半導体素子Ｗａａを固定する（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤１０を８０〜１８０℃、０．０１〜０．５０ＭＰａの条件で０．５〜３．０秒間圧着するものであってよい。ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤１０を６０〜１７５℃、０．３〜０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加熱及び加圧してもよく、フィルム状接着剤１０を（完全）硬化させてもよい。

次いで、図９に示すとおり、半導体素子搭載用支持部材１４と第２の半導体素子Ｗａａとを第２のワイヤ９８を介して電気的に接続した後（第２のワイヤボンディング工程）、回路パターン８４、第２のワイヤ９８及び第２の半導体素子Ｗａａを封止材４２で封止する。このような工程を経ることで半導体素子（半導体チップ）埋め込み型の半導体装置２００を製造することができる。

他の実施形態として、半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。

以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例１−１〜１−３及び比較例１−１、１−２、２−１、２−２）
＜接着シートの作製＞
表１及び表２に示す各成分及びその含有量で、以下の手順によって接着剤組成物のワニスを調製した。まず、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｄ）フィラーを配合し、これにシクロヘキサノンを加えて撹拌し、続いて、（Ｃ）エラストマー、（Ｅ）硬化促進剤、及び（Ｆ）カップリング剤を加えて、各成分が均一になるまで撹拌することによって、固形分４０質量％の接着剤組成物のワニスを得た。

なお、表１及び表２中の各成分は以下のとおりである。

（Ａ）成分：エポキシ樹脂
（Ａ−１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：Ｎ−５００Ｐ−１０、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ）
（Ａ−２）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ）

（Ｂ）成分：硬化剤
（Ｂ−１）フェノールノボラック型フェノール樹脂（群栄化学工業株式会社製、商品名：レヂトップＰＳＭ−４３２６、軟化点：１２６℃、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ）

（Ｃ）成分：エラストマー
（Ｃ−１）ポリウレタン樹脂（ディーアイシーコベストロポリマー株式会社製、商品名：Ｔ−８１７５Ｎ、重量平均分子量：８万、ガラス転移点：−２３℃）
（Ｃ−２）アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＣＳＰ、重量平均分子量：８０万、ガラス転移点：−７℃）
（Ｃ−３）アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３０Ｂ、重量平均分子量：２３万、ガラス転移点：−７℃）

（Ｄ）成分：フィラー
（Ｄ−１）シリカフィラー：アドマテックス株式会社製、商品名：ＳＣ２０５０−ＨＬＧ、平均粒径：０．５００μｍ

（Ｅ）成分：硬化促進剤
（Ｅ−１）１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）

（Ｆ）成分：カップリング剤
（Ｆ−１）γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＵＣ Ａ−１８９）
（Ｆ−２）γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン（日本ユニカー株式会社製、商品名：ＮＵＣ Ａ−１１６０）

次に、得られたワニスを、基材フィルムである厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥した。このようにして、基材フィルム上に、半硬化（Ｂステージ）状態にある厚さ２０μｍのフィルム状接着剤が設けられた実施例１−１〜１−３及び比較例１−１、１−２、２−１、２−２の接着シートを得た。

＜加工性の評価＞
実施例及び比較例の各接着シートを幅２０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出し、切り出した接着シートの端部から５０ｍｍの位置に端から５ｍｍの切込みを入れたものを試験片とした。オートグラフ（株式会社島津製作所製、商品名：オートグラフＡＧＳ−Ｈ１００Ｎ）を用いて、１００ｍｍ／分の速度で引張試験を行い、破断距離を測定した。破断距離の測定においては、チャック間距離を４０ｍｍとした。破断距離が１０ｍｍ以上である場合を加工性に優れるとして「Ａ」と評価し、１０ｍｍ未満の場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。

＜低温貼付性の評価＞
実施例及び比較例の各接着シートを幅５０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出し、これを試験片とした。この試験片を、支持台上に載せたシリコンウェハ（８インチ径、厚さ４００μｍ）の支持台と反対側の面に、フィルム状接着剤がシリコンウェハ側になる向きで積層した。積層は、ロールを用いて、温度７０℃、線圧３９．２Ｎ／ｃｍ（４ｋｇｆ／ｃｍ）、送り速度０．５ｍ／分で加圧しながら行った。このときに、シリコンウェハと接着シートとの間に空隙（ボイド）の発生が観測されなかった場合を低温貼付性に優れるとして「Ａ」と評価し、空隙（ボイド）の発生が観測された場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１及び表２に示す。

＜線膨張率の測定＞
加工性又は低温貼付性のいずれかに優れていた実施例１−１〜１−３及び比較例１−１、２−１の接着シートについて、線膨張率を測定した。各接着シートをフィルム状接着剤が完全硬化（Ｃステージ）状態になるように、１７０℃で１時間熱硬化させ、熱硬化させた接着シートを幅４０ｍｍ、長さ３．５ｍｍに切り出し、これを試験片とした。熱機械分析装置（株式会社日立ハイテクノロジー製、商品名：ＴＭＡ７１００）を用いて、引張モードで試験片の線膨張率を測定した。測定には石英製の引張プローブを使用し、チャック間距離を１０ｍｍとした。測定は−６０℃から２６０℃までの温度範囲で行い、試験片におけるフィルム状接着剤の硬化物のガラス転移点以下における線膨張率（α１）を算出した。結果を表１及び表２に示す。

表１より、実施例１−１の接着シートは、比較例１−１、２−１の接着シートよりも、加工性に優れ、フィルム状接着剤の硬化物の線膨張率が低かった。また、表２より、実施例１−２、１−３の接着シートは、比較例１−２、２−２の接着シートよりも、加工性及び低温貼付性に優れていた。実施例１−２、１−３の接着シートは、フィルム状接着剤の硬化物の線膨張率も充分に低かった。これらの結果から、本発明の接着剤組成物が、フィルム状接着剤を形成したときの加工性及び低温貼付性に優れ、線膨張率を充分に低減することが可能であることが確認された。

１０…フィルム状接着剤、１４…半導体素子搭載用支持部材、２０…基材、３０…保護フィルム、４１…接着剤、４２…封止材、８４、９４…回路パターン、８８…第１のワイヤ、９０…基板、９８…第２のワイヤ、１００、１１０…接着シート、２００…半導体装置、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗａａ…第２の半導体素子。

Claims (11)

1. エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、フィラーとを含有し、
   前記エラストマーがポリウレタン樹脂を含む、接着剤組成物。
2. 前記硬化剤がフェノール樹脂を含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
3. 前記エラストマーの含有量が、接着剤組成物の総量を基準として、２〜２０質量％である、請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
4. 前記フィラーの含有量が、接着剤組成物の総量を基準として、５０〜９０質量％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
5. 硬化促進剤をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤。
7. 基材と、前記基材上に設けられた請求項６に記載のフィルム状接着剤とを備える、接着シート。
8. 前記基材がダイシングテープである、請求項７に記載の接着シート。
9. ダイシングテープと、前記ダイシングテープ上に設けられた請求項６に記載のフィルム状接着剤とを備える、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート。
10. 基板及び前記基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材上に第１の半導体素子を配置し、第１のワイヤを介して前記回路パターンと前記第１の半導体素子とを電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
    第２の半導体素子の片面に、請求項６に記載のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
    前記フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、前記フィルム状接着剤を介して圧着して、前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子、又は、前記第１のワイヤの少なくとも一部を前記フィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
11. 基板及び前記基板上に設けられた回路パターンを有する支持部材と、
    前記支持部材上に設けられた第１の半導体素子と、
    前記第１の半導体素子に、請求項６に記載のフィルム状接着剤を介して接着されている第２の半導体素子と、
    を備える、半導体装置であって、
    前記支持部材と前記第１の半導体素子とが接着剤を介して接着されており、
    前記回路パターンと前記第１の半導体素子とが第１のワイヤを介して電気的に接続されており、
    前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子、又は、前記第１のワイヤの少なくとも一部が前記フィルム状接着剤によって埋め込まれている、半導体装置。

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