TW575983B - Semiconductor laser light output control circuit and optical apparatus - Google Patents

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Description

575983 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 本發明係關於一種控制作為光碟裝置、光通信裝置、雷 射印表機的光源所廣泛使用的半導體雷射的光輸出的半 導體雷射光輸出控制電路及具備其的光裝置。 背景技術
半導體雷射極為小型且高速響應驅動電流，所以廣泛用 作光碟裝置、光通信裝置、雷射印表機的光源。 就可重寫的光碟而言，相變型光碟、磁光型光碟已廣為 人知，但全部在記錄、再生、擦除時所照射的雷射光的輸 出不同。例如再生時藉由照射雷射功率比記錄時低的雷射 束，不會破壞記錄位元而讀出資訊。
且說在光碟裝置方面，照射半導體雷射的會聚光到光碟 上，從光碟得到資訊信號、伺服信號，所以某種程度來自 光碟的反射光也回到半導體雷射側。產生此回光和照射光 的干擾所造成的泛光雜訊（scoop noise)、波型跳動雜訊 (mode hopping noise )，成為引起再生信號的C/N劣化的主要 原因。 為了減低這些雜訊，已知高頻重疊法。若利用此頻重疊 法，則再生模式在半導體雷射的直流偏壓電流重疊2 0 0兆 赫到6 0 0兆赫的高頻電流。 此外，在記錄模式方面，使用隨著高記錄密度、高轉移 化而複合脈寬調變、強度調變的如圖1 (A)所示的調變方 式。 (2)
575983 這種情況，照射的雷射束強度需要設定多數（圖i (a)之 例為P1〜P4的4)，其最短脈寬也到幾毫微秒（nsec)程度。 在圖1 (A)之例，所設定的位準設定為ρι>ρ2>ρ3>ρ4。 此4值控制的情況’ P1為峰值位準，p4為底位準，p2、 P3為峰值和底間的特定位準（中間值位準）。例如在可重寫 的光碟的擦除功率進行設定到中間值位準p3。這種情
沉，如圖1 (A)、（B)所示，力：忐炎—A 在成為兄綠標記rmK間的間隔 的部分設定P 3。 在高密度、高轉移速率的光碟方面，為了得到可記錄再 生的差錯率’在記錄'再生、擦除各模式需要充分控制雷 射束的強度。 然而，4導體雷射的驅動電流，光輸出特性的溫度特性 變化顯著，為了將半導體雷射的光輪出設定到希望的強 度，需要APC (自動功率控制）電路，所謂的半導體雷射光 輸出控制電路。 此APC電路其控制方式一般大致分為兩種。 就第一方式而言，有下述六式· n m , 令卜t万式·利用光感受元件監控半 導體雷射的光輸出’構成經常控制半導體雷射的驅動電产 的光電負反饋環路，以便產生於此光感受元件的光感受電 流(與半導體雷射的光輸出成比例)和發光指令信號相等。 就第二方式而言，有抽樣保持方式：在功率設定期間利 用光感受元件監控半導體雷射的光輸出，為了產生於此光 感受元件的光感受電流（與半導體雷射的光輸出成比例） 和發光指令信號相等，構成控制半導體雷射的驅動電流的 (3)575983
光電負反饋環路，在前述功率設定期間以外也保持此驅動 私机的I工制值，在此功率设定期間以外，以此保持的控制 值為基礎加以調變。 在記錄模式和再生模式的任一模式都最好是第一方 式，但在記錄模式的功率控制方面，由於設定多數功率， 並且共脈寬也是幾毫微秒，很小，所以因光感受元件的動 作速度或構成光電負反饋環路的動作速度極限而就此第
一方式來說，實現困難。由於這種理由，所以各模式都使 用以第二方式進行控制的A P C電路。 圖2為顯示採用第二方式的APC電路（半導體雷射光輸 出控制電路）結構例的電路圖（參考例如特開平9_63〇93號 公報、特開平9-115167號公報）。 此APC電路具有作為控制對象的半導體雷射的雷射二 極體（Laser Di0de: LD)卜雷射功率監視器用光二極體
Diode : PD) 2、電流電壓變換電（I/v) 3、 、’ 戎爰放大器4、光 功率設定電壓用開關電路5、光功率設定電壓源6 ^、 6-2.....6_n、抽樣保持電路（s/H) 7-1、7_2 壓電流變換電路（V/I) 8-1、8-2、…、 ···、7-n、電 開關電路9、
電流放大器1 0、 的控制端子T 7 1 分別設於抽樣保持電路 T72 、T7n、開關電路9的控制 端 T9。 L D 1輸出照射到光碟的雷射束。p D 2監控L D丨的光輪出 電流電壓變換電路3將PD2的輸出電流變換成電壓，供 應給誤差放大器4。誤差放大器4檢出電流電壓變換兩路$ (4) 575983
的輸出電壓和光X六至勢 α疋电壓的誤差，作為誤差電壓輸出 到抽樣保持電路7 - 1、7 - 2、 二 ··*、7-n。 6-1 、 6-2 V61、V62、···、V6n的任 光功率設定電壓用開關電路5選擇由光功率設定電壓源 、6 -η所產生的光功率（雷射功率）設定電壓 電壓而供應給誤差放大器4 抽樣保持電路7_卜7_2、···、7_n按照透過控制端子T7 i、 T72.....Τ7η所輸入的抽樣閘信號的位準將誤差放大器4 輸出的控制電壓抽樣、保持，供應保持的電壓ν卜V2.....
Vn給電壓電流變換電路8_ι、8_2.....m。 電壓電流變換電路、8-2.....8-n將抽樣保持電路 7-1 ' 7'2.....7-11的輸出從電壓信號變換成電流信號II、 12、…、In。 開關电路9按照透過控制端子τ 9所輸入的切換定時信 號SWT切換電壓電流變換電路8_1、.....8-n的輸出 電流11、12、…、In而供應給電流放大器i J。 電流放大器1 1放大以開關電路9切換的電壓電流變換電 路8-1、8-2、…、8-η的輸出的電流信號，根據放大的電 _ 流信號驅動LD1。 其次，就圖2的電路動作與圖3 (Α)〜（F)結合加以說明。 例如磁光型光碟的格式F Μ τ如圖3 (Α)所示，在為各扇區 、 sct記錄區域的資料部（DT) 114之前設有記錄扇區SCT位 、 址的位址部（ADR) 115、為了設定再生、擦除、記錄的各光 功率位準的ALPC (自動電射功率控制）部1 1 6。 位址部115在再生模式讀出位址資訊，在ALPC部1 16如 (5) (5)575983 = :(B)〜(E)所示’時間序列地依次進行各光功率位準的設 在其他區間 U間，以由抽樣保持電路Ί、..· 保持的控制佶···、7-ιι所 值vi〜Vn為基礎，利用開關電路9 流變換電路8】 、擇私壓電 8_2.....8·η輸出的電流II〜Ιτι以 電流放大器]m T/ in ’利用由 〇加以κ倍的驅動電流ILD發光 (F)顯示在此从 勒LD1。圖3 ALPC £域1 1 6所設足的光輸出波形。 將輸出到也ί e u A ’ J抽樣保持電路7-1的控制端子T81的姑接 號SMGT設定在” * 的抽樣閘信 在同位準時，用誤差放大器4比較兩、云兩 變換電路3的私山& p 較私現電壓 輸出电壓和光功率設定電壓 、、 大器4輸出的彡 以誤差放 *的技制電壓VI為基礎，驅動L]Di，治/ 率的設定。 進订雷射功 藉由以此環帶為幾兆赫程度，i微秒 射功率設定的u # u J无刀進行對於雷 樣保持電路7〗沾4、以、山 &稽由以賦與抽
乂、 1的控制端子T71的抽樣閘信號SPrT 位準，保括、A , 况^GT為，，佤” <抽樣保持電路7- 1。依次也同樣 · 功率的設定。 進仃其他光 此後’在扇區的資料部114,利用開關電路 持的這也#法丨兩廠私* 由被保 一控制电壓所產生的電壓電流控制泰 R ο η 电路 8» 1、 、......1的電流輸出。藉此，LD1的如圖 圮錄發光波形、再生、擦除的DC發光成為可能。不的 驅動此LD1時，APC電路成為開環，所以\ 」''务產味-l-y 綠模式的高速脈衝驅動電流ILD。 死 然而，此ALPC區域的幾微秒的雷射功率# ^ °又疋區間比記 -10- 575983
(6) 錄時的雷射脈衝產生周期成為相當長的期間，對ld 1 (半 導體雷射）壽命的影響存在。此外，半導體雷射在PN接合 注入正向電流，形成反轉分佈，藉由使注入電流變化，反 轉分佈變化，反轉分佈變化，伴隨此變化而感應發射的頻 率變代，雷射光強度變化。此響應高速，所以脈衝電流的 調變可能，但有光脈衝中出現弛張振盪的缺點。 半導體雷射的一般電氣等效電路如圖4所示，以RLC的 並聯電路表示，串聯電阻Rd、並聯電容Cd、引線的電感 器Lw、封裝電容Cp存在。而且，由電感器Lw、並聯電容 Cd形成低通過濾器，左右雷射的調變帶寬。 由以上，在半導體雷射的脈衝發光特性中變動因素多， 即使用一種類的半導體雷射也因批量間的偏差等而相當 的變動存在。 此外，施加階躍（step)狀驅動電流給半導體雷射時，有 下降（droop)特性：隨著半導體雷射的溫度上升，其光輸出 變化。 由這種情況，在ALPC部116設定的光功率和記錄時的脈 衝發光功率就會產生差。 再者，如前述，在記錄模式，伴隨高記錄密度、高轉移 化，就會採取如圖1 (A)、（B)所示的調變方式，這種情況， 照射的雷射束強度需要設定多數。 這些情況，就要按照時間序列依次進行功率設定，無法 取得足夠的ALPC區域 575983
J ⑺ 發明之揭示 本發明之目的在於提供一種可精度良好地控制按多數 設定值脈衝驅動的半導體雷射的光輸出的半導體雷射光 輸出控制電路及其具備其的光裝置。 為了達成上述目的，本發明的第一觀點係將半導體雷射 的光輸出按照所供應的驅動電流控制在希望強度的半導 體雷射光輸出控制電路，具有光輸出檢測機構：檢測上述 半導體雷射的光輸出；第一檢波機構：檢測上述光輸出檢 測機構檢出的上述光輸出的第一位準；第二檢波機構：檢 測上述光輸出檢測機構檢出的上述光輸出的第二位準；第 一光輸出設定機構：為了賦與上述半導體雷射的光輸出的 第一位準的第一設定值；第二光輸出設定機構：為了賦與 上述半導體雷射的光輸出的第二位準的第二設定值；第一 切換機構：切換輸出由上述第一及第二光輸出設定機構所 賦與的上述光輸出的第一及第二設定值信號；第三檢波機 構：上述光輸出設定值切換機構的輸出中，檢測第一設定 值信號；第四檢波機構：上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第二設定值信號；第一比較機構：比較上述第 一檢波機構的檢波輸出和上述第三檢波機構的檢波輸 出，輸出該比較結果；第二比較機構：比較上述第二檢波 機構的檢波輸出和上述第四檢波機構的檢波輸出，輸出該 比較結果；第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同 步，切換輸出上述第一及第二比較機構的比較結果；及， 電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出信號相應 -12- 575983
(8) 的上述驅動電流給上述半導體雷射。 最好上述第一檢波機構及第三檢波機構包含峰值檢波 電路，上述第二檢波機構及第四檢波機構包含底值檢波電 路。 此外，最好上述第一檢波機構及第三檢波機構的各峰值 檢波電路具有略相同的電路輸出特性’上述第二檢波機構 及第四檢波機構的各底值檢波電路具有略相同的電路輸 出特性。 此外，最好具備第一及第二保持電路：保持上述第一及 第二比較機構輸出的比較結果，上述第二切換機構切換上 述第一及第二保持電路保持的上述比較結果，供應上述切 換的比較結果給上述電流供應機構。 此外，上述光輸出設定機構賦與上半導體雷射的光輸出 的設定值作為基準電壓值。或者上述光輸出設定機構賦與 上述半導體雷射的光輸出的設定值作為基準電流值。 本發明的第二觀點係將半導體雷射的光輸出按照所供 應的驅動電流控制在希望強度的半導體雷射光輸出控制 電路，具有光輸出檢測機構：檢測上述半導體雷射的光輸 出；第一檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上述 光輸出的第一位準；第二檢波機構：檢測上述光輸出檢測 機構檢出的上述光輸出的第二位準；第三檢波機構：檢測 上述光輸出檢測機構撿出的上述光輸出的上述第一位準 和第二位準中間的第三位準；第一光輸出設定機構：為了 賦與上述半導體雷射的光輸出的第一位準的第一設定 -13- 575983 (9) 值；第二光輸出設定機構：為了賦與上述半導體雷射的光 輸出的第二位準的第二設定值；至少一個第三光輸出設定 機構：為了賦與上述半導體雷射的光輸出的第三位準的第 三設定值；第一切換機構：切換輸出由上述第一、第二及 第三光輸出設定機構所賦與的上述光輸出的第一、第二及 第三設定值信號；第四檢波機構：上述光輸出設定值切換 機構的輸出中，檢測第一設定值信號；第五檢波機構：上 述光輸出設定值切換機構的輸出中，檢測第二設定值信 號；至少第六檢波機構：上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第三設定值信號；第一比較機構：比較上述第 一檢波機構的檢波輸出和上述第四檢波機構的檢波輸 出，輸出該比較結果；第二比較機構：比較上述第二檢波 機構的檢波輸出和上述第五檢波機構的檢波輸出，輸出該 比較結果；至少一個第三比較機構：比較上述第三檢波機 構的檢波輸出和上述第六檢波機構的檢波輸出，輸出該比 較結果；第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同 步，切換輸出上述第一、第二及第三比較機構的比較結 果；及，電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出 信號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射。 最好上述第一檢波機構及第四檢波機構包含峰值檢波 電路，上述第二檢波機構及第五檢波機構包含底值檢波電 路，並且上述第三檢波機構及第六檢波機構包含平均值檢 波電路。 此外，最好上述第一檢波機構及第四檢波機構的各辛值 -14-
檢波電路具有略相同的 及第五檢波機構的各底值=，上述第二檢波機構 出特性，上述第三檢波機構=電：具皮：略相同的電路輸 波電路具有略相同的電路：出::檢波機構的各平均值檢 此外，上逑峰值檢波電路. 電路中，至+ + & 、底值檢波電路或平均值檢波 此外，上:：：波:路具有保持功能。 此外，具備第一、第：第二較機構具有保持功能。 第二及第^較機構輸持上述第—、 切換上述第一、第二上述第一切換機構 果，件廊上、ft#一弟三保持電路保持的上述比較結 本發明的第三覯點係/^；=述電流供應機構。 射的光輸出按照所供應::、射於光媒體的半導體雷 導體♦射.....驅動電流控制在希望強度的半 导也印射先輸出控制電路的 又]牛 出控制電路具有光 拾上述丰導體雷射光輪 光輸出檢波機構：檢lUr述半導體雷射的 上述光輸出的第n ^ #出檢測機構檢出的 檢測機構檢出的铨一檢波機構：檢測上述光輸出 機構:為了… 的第二位準;第-光輸出設定 -設定值；第二光輸出設定機構1輸出的…準的第 射的光輸出的第二位準的第了賦與上述半導體雷 換輸出由上述第—及 ：：值，第-切換機構：切 光輸出的第—及[ 輸出设定機構所賦與的上述 輸出設定值號；第三檢波機構：上述光 值切換機構的輸出中’檢測第一設定值信號；第 -15- 575983
〇i) 四檢波機構：上述光輸出設定值切換機構的輸出中，檢測 第二設定值信號；第一比較機構：比較上述第一檢波機構 的檢波輸出和上述第三檢波機構的檢波輸出，輸出該比較 結果；第二比較機構：比較上述第二檢波機構的檢波輸出 和上述第四檢波機構的檢波輸出，輸出該比較結果；第二 切換機構：和上述第一切換機構的切換同步，切換輸出上 述第一及第二比較機構的比較結果；及，電流供應機構： 供應與上述第二切換機構的輸出信號相應的上述驅動電 流給上述半導體雷射。 本發明的第四觀點係具有將照射於光媒體的半導體雷 射的光輸出按照所供應的驅動電流控制在希望強度的半 導體雷射光輸出控制電路的光裝置，上述半導體雷射光輸 出控制電路具有光輸出檢測機構：光輸出檢測機構：檢測 上述半導體雷射的光輸出；第一檢波機構：檢測上述光輸 出檢測機構檢出的上述光輸出的第一位準；第二檢波機 構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上述光輸出的第二位 準；第三檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構撿出的上述 光輸出的上述第一位準和第二位準中間的第三位準；第一 光輸出設定機構：為了賦與上述半導體雷射的光輸出的第 一位準的第一設定值；第二光輸出設定機構：為了賦與上 述半導體雷射的光輸出的第二位準的第二設定值；至少一 個第三光輸出設定機構：為了賦與上述半導體雷射的光輸 出的第三位準的第三設定值；第一切換機構：切換輸出由 上述第一、第二及第三光輸出設定機構所賦與的上述光輸 -16- (12) 575983 出的第一、第二及第三設 ，、 疋值‘唬，罘四檢波機構：上述 光輸出叹足值切換機構的輪七中 ^ 1輸出甲檢剛第一設定值信號； 第五檢波機構·上述光輪ψ#金/吉 尤輸出设疋值切換機構的輸出中，檢 測第二設定值信號；至少第六檢波機構：上述光輸出設定 值切換機構賴出中’檢測第三設定值信號；第一比較機 構：比較上述第一檢波機構的檢波輸出和上述第四檢波機 構的檢波輸出，輸出該比較結果；第二比較機構：比較上
述第二檢波機構的檢波輸出和上述第五檢波機構的檢波 輸出’輸出該比較結果；至少一個第三比較機構：比較上 述第三檢波機構的檢波輸出和上述第六檢波機構的檢波 輸出，輸出該比較結果；第二切換機構：和上述第一切換 機構的切換同步’切換輸出上述第一、第二及第三比較機 構的比較結果；及，電流供應機構：供應與上述第二切換 機構的輸出信號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射。
根據本發明，以光輸出檢波機構檢測半導體雷射的光輸 出，用第一檢波機構檢測檢出的光輸出的第一位準（例如 導值），另一方面用第三檢波機構檢測例如記錄模式的光 輪出的設定值，並且用第二檢波機構檢測檢出的光輸出的 第二位準（例如底值），另，方面用第四檢波機構檢測例如 記綠模式的光輸出的設定值° 然後，以第一比較機構比較第一及第三檢波機構的檢波 輸出，以第二比較機構比較第二及第四檢波機構的檢波輸 出，供應該比較結果給驅動半導體雷射的電流供應機構， 進行電流供應機構的半導體雷射的光輸出控制。 -17- 575983
(13) 此時’使光輸出的設定值和比較機構的比較結果同步切 換’實現記錄的半導體雷射的脈衝驅動，甚至功率設定時 的脈衝驅動’可精度良好地控制按多數設定值脈衝驅動的 半導體雷射的光輸出。 圖式之簡單說明 圖1 (A)、（B)為顯示半導體雷射的記錄發光波形、再生、 擦除的D C發光的波形圖。 圖2為顯不習知半導體雷射光輸出控制電路結構的電路 圖
〇 圖3 (A)〜（F)為磁光型光碟的格式圖和包含在ALpc區域 所設定的光輸出波形的波形圖。 圖4為顯不半導體雷射的等效電路的電路圖。 圖5為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路第 1實施形態的電路圖。
圖6 (A)〜（D)為圖5的半導體 定時信號、輸出電流I s、輸出 圖。 雷射光輸出控制電路的切換 電壓Vr及輸出電壓Vs的波形 -瓜田％ 调®控制電 2實施形態的電路目，係顯示以基準電流賦與各光功 定時的半導體雷射光輸出控制電路結構的電路圖。 圖8為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電 3實施形態的電路圖，係顯示光功率3值以上的多值= 導體雷射光輸出控制電路結構的電路圖。 · 圖9為顯示導值檢波電路、底值檢波電路及平均值 -18- 575983
(14) 器具體結構例的電路圖。 圖10 (A)〜（I)為顯示在第3實施形態的各檢波器使用抽 樣閘信號的多值控制的半導體雷射光輸出控制電路的3值 功率設定的引進動作的情況的波形圖。 圖1 1為顯示關於第3實施形態的電壓電流控制電路、開 關電路、電流放大器具體例的電路圖。 圖12 (A)〜（E)為顯示關於圖11的電路的記錄發光波形、 再生、檫除的DC發光的具體例的波形圖。 圖1 3為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第4實施形態的電路圖。 圖1 4為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第5實施形態的電路圖。 圖1 5為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第6實施形態的電路圖。 圖1 6為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第7實施形態的電路圖。 圖17為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第8實施形態的電路圖。 圖1 8為顯示採用關於本發明的半導體雷射光輸出控制 電路的光碟裝置要部的電路圖。 實施發明之最佳形態 以下，與附圖結合而說明本發明之實施形態。 第1實施形態 圖5為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路第 575983
1貝施形態的電路圖。 二中’…的對象只是記錄模式，所以在再 式的光功率設定值為2值二略。此外’在圖5係記錄模
二半(!ΓΓ輸出控制電路10。具有作為半導體雷射 幹出产=體）101、為了監_101光輸出的作為光 :二：：構的PD (光二極體）1〇2、電流電壓變換電路 ()3、光功率設定電壓用開關電路（第一切換機構）104 '光功率設定電壓源胸、105_2、辛值檢波電路(第一檢 波機構）106]、峰值檢波電路（第三檢波機構）_、底值 檢波％路（第—檢波機構）1G<M、底值檢波電路（第四檢波 機構）107·2、誤差放大器（第-比較機構、誤差放大 器（第二比較機構）1〇8-2、電壓電流變換電路（V/I)⑽]、 109-2、帛_電路（第二切換機構）11〇、冑流放大器（電流 供應機構）111及供應為了使開關電路1〇4和11〇同步驅動 的切換定時信號SWT的控制端子τ1〇〇。
LD101輸出照射於未圖示的光媒的雷射束。 PD102監控LD101的光輸出，供應監控電流1?(1給電流電 壓變換電路103。 電流電壓變換電路1〇3將PD102的監控電流Ipd變換成電 壓，供應變換的電壓#號V s給學值檢波電路1 〇6_ 1及底值 檢波電路107-1 。 光功率設定電壓用開關電路1 04係固定接點a連接於峰 值檢波電路106-2及底值檢波電路107-2的輸入，接點b連接 -20 - 575983 (16) 於光功率設定電壓源105-1，接點c連接於光功率設定電壓 源 105_2 〇 開關電路1 0 4在例如切換定時信號S W Τ為第一位準（例 如高位準）時，連接固定接點a和接點b，以光功率設定電 壓源105-1的光功率（雷射功率）設定電壓V1051為電壓信號 Vr而供應給峰值檢波電路106-2及底值檢波電路i〇7_2。另 一方面，開關電路1〇4在切換定時信號SWT為第二位準（例 如低位準）時，連接固定接點a和接點c，以光功率設定電 壓源105-2的光功率（雷射功率）設定電壓V1052 (VI 052 < V1 05 1)為電壓信號Vr而供應給峰值檢波電路106-2及檢波 電路107-2 。 其結果，由開關電路1 0 4所輸出的電壓信號V r作為如圖6 所示的峰值採取V1051、底值採取V1052的脈衝狀信號Vr 而被供應給峰值檢波電路106-2及底值檢波電路107-2。 峰值檢波電路106-1檢測電流電壓變換電路1〇3的電壓 信號Vs的峰值，作為信號Vpi輸出到誤差放大器^84。 峰值檢波電路106-2檢測開關電路1〇4的電壓信號Vr的 宰值’作為信號Vp2輸出到誤差放大器108-1。 底值檢波電路107-1檢測電流電壓變換電路1〇3的電壓 k號Vs的底值，作為信號vb 1輸出到誤差放大器log_2。 底值檢波電路107-2檢測開關電路的電壓信號…的 底值，作為信號Vp2輸出到誤差放大器108-2。 峰值檢波電路106-1和106-2及底值檢波電路107-丨和1〇7-2 分別具有相同結構。 -21 - 575983
(17) 誤差放大器108-1在非反轉輸入（+ )輸入峰值檢波電路 106- 1的輸出信號γρί，在反轉輸入（-)輸入峰值檢波電路 106_2的輸出信號vp2，比較兩峰值Vpl、Vp2，檢出誤差 而產生控制電壓V101，輸出到電壓電流變換電路109_1。 誤差故大器108-2在非反轉輸入（+ )輸入底值檢波電路 107- 1的輸出信號Vbl，在反轉輸入（_)輸入底值檢波電路 1〇7·2的輸出信號Vb2，比較兩底值Vb 1、Vb2，檢出誤差 而產生控制電壓V102，輸出到電壓電流變換電路109-2。 電壓電流變換電路109-1將誤差放大器108-1的控制電壓 V101從電壓信號變換成電流信號1101，供應給開關電路 110° 電壓電流變換電路109-2將誤差放大器108·2的控制電路 V102從電壓信號變換成電流信號Π02，供應給開關電路 110。 開關電路1 1 0係固定接點a連接於電流放大器1 1 1的輸 入，接點b連接於電壓電流變換電路i09-1的輸出，接點c 連接於電壓電流變換電路1〇9-2的輪出。 開關電路1 1 0在例如切換定時信號SWT為第一位準（例 如高位準）時，連接固定接點a和接點b，以電壓電流變換 電路109-1的電流信號1101為Is而供應給電流放大器ui。 另一方面，開關電路110在切換定時信號SWT為第二位準 (例如低位準）時，連接固定接點a和接點c，以電壓電流變 換電路109-2的電流信號Π02為Is而供應給電流放大器 111 ° -22- 575983
(18) 電流放大器1 1 1放大以開關電路1 1 0切換的電壓電流變 換電路109-1、109-2的輸出的電流信號1101、1102，根據放 大的電流信號ILD驅動LD101。 其次，與圖6 (Α)〜（D)結合而說明上述結構的動作。 根據各光功率設定電壓V1051、V1052產生控制電壓 ^101、\^102時，將圖6(八）所示的相同切換定時信號3界丁 透過控制端子Τ100賦與開關電路104及105。 此外，開關電路1 10的輸出電流Is和開關電路1〇4的輸出 電壓Vr的波形分別由圖6 (B)、（C)所顯示。 此處’設電流放大器1 1 1的增益為K 1，設對於ld 101的 PD102的光學系統效率為K2，設電流電壓變換電路ι〇3的 互跨阻抗（transimpedance)為Κ3，則此電流電壓變換電路 103的輸出電壓Vs輸出電壓Vs如圖6 (D)所示。 電流電壓變換電路103的輸出電壓^輸入到峰值檢波 電路106-1、底值檢波電路，同樣地開關電路1〇4的輸 出電壓Vr輸入到峰值檢波電路1〇6_2、底值檢波電路 107-2。而且，如上述，各個峰值檢波電路1〇6_ι和峰值檢 波電路106-2、底值檢波電路1〇7_丨和底值檢波電路1〇7_2的 電路結構相同。 因此，若電流電壓變換電路103的輸出電壓…和開關電 路104的輸出電壓Vr相同，則峰值檢波電路1〇6_丨和峰值檢 波電路1〇6-2的出電壓Vpl' Vp2、底值檢波電路⑽]和底 值檢波電路107-2的輸出電壓vb 1、vb2相等。 波電路106-2的輸出電 供應峰值檢波電路106-1和峰值檢 -23- (19) (19)575983
壓νΡι、vP2給誤差放大器108]，供應底值檢波電路ι〇7] 和屐值檢波電路107_2的輸出電壓Vbl、vb2給誤差放大器 108-2 。 從誤差放大器iOW輸出峰值控制電壓νι〇ι到電壓電流 · 又換私路109-1，從誤差放大器1〇8-2輸出底值控制電壓 、 ¥102到電壓電流變換電路1〇9-2。 在電壓電流變換電路iOti，將誤差放大器的控制 電壓v101從電壓信號變換成電流信號11〇1而供應給開關 電路110。同樣地，在電壓電流變換電路1〇9_2，將誤差放籲 大器108-2的控制電壓V102從電壓信號變成電流信號11〇2 而供應給開關電路1 1 〇。 在開關電路1 10，按照切換定時信號SWT選擇電流變換 電路109-1的電流信號π〇1或電壓電流變換電路1〇9_2的電 流信號1102，作為Is供應給電流放大器n j。 然後’在電流放大器1 1 1，用增益κ i放大以開關電路i丄〇 切換的電壓電流變換電路109-1、109-2的輸出的電流信號 1101、1102，根據放大的電流信號ILD驅動LD101， % 藉此，在PD102監控LD101的光輸出，供應監控電流Ipd 給電流電壓變換電路103。在電流電壓變換電路1〇3將 PD 102的監控電流Ip d變換成電壓’供應變換的電壓信號v s . * 給峰值檢波電路106-1及底值檢波電路107-1。 · 在此反饋環路，不是按時間序列依次設定各設定功率， 而疋控制成在設定區間同時設定電壓V1051和Kl*K2*K3 * 1101、設定電壓V1052和ΚΙ * Κ2* Κ3 * 12的值相等。 -24· (20) 575983 利用閉環對於各設 和記錄時同樣可進 間的DC發光而影響 再者，在例如圖3所示的資料部丨丨4， 定值亦可比較控制雷射功率。 根據第1實施形態，功率設定區間也 行脈衝驅動，所以沒有因功率設定區 到雷射壽命。 再者，由於功率設定區間、記錄萨 區間都脈衝驅動雷射， 所以也沒有因雷射的他張振蓋、特柯 訂注偏差而在設定雷射功 率產生差。再者，在資料部也比較柝& ^ 伐^制，所以有下述優點：
即使產生雷射的下降（droop)特性亦可 4追蹤。 # 2實施形態 圖7為顯示關於本發明的半導體兩 f把句射光輸出控制電路第 2實施形態的電路圖。 本第2實施形態和上述第丨實施形態不同之點在於構成 如下：將各光功率的設定不以電壓進行，而以基準電流源 U2-1、112-2賦與，以電流開關113切換此輸出，將電浦 開關1 1 3的輸出電流輸入到具有和電流電壓變換電路工〇:
相同電路結構的電流電壓變換電路1 1 4，以此輸出作為電 壓信號V r。 這種情況，來自PD 102的監控電流Ip d被控制成和設定電 流 11121、II122相等。 其他結構和第i實施形態同樣。 根據本第2實施形態，可得到和上述第1實施形態的效果 同樣的效杲。 星^^形態 -25- (21) 575983 圖8為顯示關於本發明的半導 3實施形態的電路圖。 田射先輸出控制電路第 本第3實施形態和上述第丨實施 的光功率不是2值，而是3值以上的;7 :點在於設定 入切換開關電路難、測;…置值：情況’可多值輸 三檢波機構均值檢波電::平均二檢：電路(第 ，並且可保持Μ值檢波電路（第機構）115-2
=(第四檢波機構〜底值檢波電路(第二： ’ 107Β-1、辰值檢波電路（第五檢波機構平 均值檢波電路115-丨、115_2的輸出。
^ =此，在圖8的電路，除了圖丨的結構之外，還設有光功 率叹疋電壓源105_n、比較平均值檢波電路US '的誤差放大器108·η及將誤差放大器（第三比較機構） 1〇8_η的輸出控制電壓vl〇n變換成電流信號11〇^的電壓電 流變換電路1〇9-η。 供應電流電壓變換電路1〇3的輸出電壓Vs給平均值檢 波電路115-1，供應開關電路i〇4B的設定電壓νΓ給平均值 檢波電路115-2 。 在本第3實施形態也是峰值檢波電路和1〇6Β·2、底 值檢波電路107Β-1和107Β-2及平均值檢波電路115]和 115-2分別具有相同結構。 圖9為顯示峰值檢波電路1〇6Β-1 (106Β-2)、底值檢波電路 107Β-1 (107Β-2)及平均值檢波電路115-1 (115-2)具體結構例 的電路圖。 -26 - 575983
(22) 峰值檢波電路106B-1 (106B-2)如圖9所示，具有npn型電 晶體Q101〜Q103、pnp型電晶體Q104、Q105、電阻元件 R101、R102、電容器C101、開關電路SW101、SW102、電流 源 1101 〜1103。 電流源1101的電流值Ial被比電流源1102的電流值Ibl十 分大地設定。
連接電晶體Q101和電晶體Q102的射極彼此，此連接點連 接於開關電路SW101的接點a，開關電路SW101的接點b連 接於電流源1101。
電晶體Q101的基極連接於電壓Vs (Vr)的供應線，集極連 接於電源電壓Vcc的供應線。電晶體Q 1 02的基極連接於輸 出級的電晶體Q103的射極和電流源1103的連接點。即，使 輸出電壓Vp反饋到電晶體Q102的基極。電晶體Q102的集 極連接於電晶體Q104的集極及連接於基極。電晶體Q104 的射極透過電阻元件Rl〇 1連接於電源電壓Vcc的供應線。 電晶體Q104的基極連接於電晶體Q105的基極，電晶體Q105 的射極透過電阻R102連接於電源電壓V c c的供應線。而 且，電晶體Q105的集極連接於開關電路SW102的接點、電 晶體Q103的基極及電容器C101的第一電極。開關電路 SW102的接點b連接於電流源1102，使電容器C101的第二電 極接地。 而且，電晶體Q103的集極連接於電源電壓Vcc的供應 線，極連接於電流源1103。 具有這種結構的峰值檢波電路106B-1 (106B-2)係透過端 -27- 575983
(23) 子T101所輸入的抽樣閘信號SPLG1為’，高”位準，連接開關 電路SW101、SW102而進行其峰值檢波，為”低”位準，斷 開開關電路SW101、SW102而保持其輸出值。 底值檢波電路107B-1 (107B-2)如圖9所示，具有χιρϋ型電 晶體Q111〜Q113、ρηρ型電晶體Q1 14、Q1 15、電阻元件 * R111〜R116、電容器C111、開關電路SW111、SW112、電流 源1111〜1113及位準反轉用運算放大器〇Ρ111。 電流源111 1的電流值Ia2被比電流源1112的電流值Ib2十 分大地設定。 0 連接電晶體Q111和電晶體Q Π 2的射極彼此，此連接點連 接於開關電路S W111的接點a，開關電路s W111的接點b連 接於電流源1111。 電晶體Q111的基極透過運算放大器〇P111的輸出及電阻 元件R116連接於運算放大器〇Pln的非反轉輸入並且 運算放大器οριιι的非反轉輸入（+)透過電阻元件反115連 接於基準電壓源Vss。運算放大器〇P111的反轉輸入㈠透 過電阻元件R113連接於電壓vs (γΓ)的供應線，並且運算放 修 大器ΟΡ111的反轉輸入（_)透過電阻元件R114連接於基準電 壓源Vss。 電晶體Q111的集極連接於電源電壓Vcc的供應線。電晶 * 體Q112的基極連接於輸出級的電晶體qU3的射極和電流 · 源11 1 3的連接點。即，使輸出電壓vb反饋到電晶體qi 12 的基極。電晶體Q112的集極連接於電晶體q114的集極及連 接於基極。電晶體Q114的射極透過電阻元件R1丨丨連接於電 -28 - 575983
(24) 源電壓Vcc的供應線。電晶體Q114的基極連接於電晶體 Q115的基極，電晶體Q115的射極透過電阻R102連接於電源 電壓Vcc的供應線。而且，電晶體Q115的集極連接於開關 電路SW1 12的接點a、電晶體Q113的基極及電容器C111的 第一電極。開關電路SW112的接點b連接於電流源1112，使 電容器C111的第二電極接地。
而且，電晶體Q113的集極連接於電源電壓Vcc的供應 線，射極連接於電流源1113。 具有這種結構的底值檢波電路107B-1 (107B-2)係透過端 子T102所輸入的抽樣閘信號SPLG2為”高”位準，連接開關 電路SW111、SW112而進行其峰值檢波，為”低”位準，斷開 開關電路SW111、SW112而保持其輸出值。 平均值檢波電路115-1 (115-2)如圖9所示，具有npn型電晶 體Q121〜Q123、pnp型電晶體Q124、Q125、電阻元件R121、 R122、電容器C121、開關電路SW121、SW122、電流源 1121〜1123。
電流源1121的電流值Ian被設定成電流源1122的電流值 I b η的兩倍。 連接電晶體Q121和電晶體Q122的射極彼此，此連接點連 接於開關電路SW121的接點a，開關電路SW121的接點b連 接於電流源1121。 電晶體Q121的基極連接於電壓Vs (V〇的供應線，集極連 接於電源電壓Vcc的供應線。電晶體Q122的基極連接於輸 出級的電晶體Q123的射極和電流源1123的連接點。即，使 -29- 575983
(25) 輸出電壓Vp反饋到電晶體Q122的基極。電晶體Q122的集 極連接於電晶體Q124的集極及連接於基極。電晶體Q124 的射極透過電阻元件R12 1連接於電源電壓V c c的供應線。 電晶體Q124的基極連接於電晶體Q125的基極，電晶體Q125 的基極，電晶體Q125的射極透過電阻R122連接於電源電壓 Vcc的供應線。而且，電晶體Q125的集極連接於開關電路 SW122的接點a、電晶體Q123的基極及電晶體C121的第一電 極。開關電路SW122的接點b連接於電流源1122，使電容器 C121的第二電極接地。 而且，電晶體Q123的集極連接於電源電壓Vcc的供應 線，射極連接於電流源1123。 具有這種結構的平均值檢波電路115-1 (115-2)係透過端 子T103所輸入的抽樣閘信號SPLGn為”高”位準，連接開關 電路SW121、SW122而進行其峰值檢波，為”低”位準，斷 開開關電路SW121、SW122而保持其輸出值。
又，2值控制的情況，如第1實施形態，只是峰值檢波電 路、底值檢波電路即可，也無需輸入抽樣閘信號。此外， 3值控制的情況也是輸入抽樣閘信號係僅平均值檢波電路 輸入成為必要，峰值檢波電路、底值檢波電路基本上不需 要。至於4值以上的控制，則需要用閘控制各個檢波區間。 在此電路例使用平均值檢波係下述部分：設想可重寫的 光碟的擦除功率設定，當圖1 (A)的P 3位準時，成為記錄 標記間的間隔。 此未必需要是平均值檢波，也可以是檢測峰和底間的特 -30- 575983
(26) 疋位準（中間值）的電路或峰值檢波電路、底值檢波電路。 Y-疋’即使此擦除區間在前述再生時進行一般高頻重叠 的情況’亦需要是平均值檢波。 圖1〇 (A)〜（I)為在作為在峰值檢波電路⑺印」、1〇6Β·2、 ‘ 底值檢波電路107-1、107Β-2及平均值檢波電路115_1、115-2 ' 的各檢波電路使用抽樣閘信號的多值控制例的圖8的電路 結構，顯示3值功率設定的引進動作情況之圖。 此例係在圖10 (Α)所示的ALPC部根據等寬標間 (mark/space)的反覆資料，同時進行各功率設定的引進。此 _ 外’圖10 (B)所不的峰值檢波電路、1〇6B_2、底值檢 波电路107_1、1〇7Β_2的抽樣閘信號spLG1、splG2以記錄的 標記信號作為輸入’圖1〇 (c)所示的平均值檢波電路 115_1、115-2的的抽樣閘信號spLGn以空間信號作為輸入。 雖然在由隨機資料構成的資料部也同樣進行比較控 制，但根據標記長度的峰值檢波電路1〇6^、1〇6B_2的變 動因誤爰放大器108-1輸入的Vpl和Vp2同步動作而其輸出 的控制電路V1〇1不變動。底值檢波電路1〇^、ι〇7β·2的標 φ 記長度的變動也同樣。又，關於平均值檢波，不受標記長 度的影響。 圖1 1為顯不電壓電流變換電路1〇9β1、1〇9_2、…、1〇9_η、-開關電路1 1 0、電流放大器i i i具體例的電路圖。此外，圖 · 12為顯示關於圖丨丨的電路的記錄發光波形、再生、擦除的 D C發光的具體例的波形圖。 開關電110如圖n所示，具有被射極結合、此連接點連 -31- 575983
(27) 接於電壓電流變換電路1〇9-1...........l〇9-n的電流輸 出 npn型電晶體 Q131-1 和 Q131-2、Q132-1 和 Q132-2、Q133-1 和 Q133-2、Q134-1 和 Q134-2、…、Q13n-1 和 Qi3n-2。 電晶體Q131-1的基極連接於定時信號的供應線，電 晶體Q132-1的基極連接於定時信號T112的供應線，電晶體 Q133-1的基極連接於定時信號Τ113的供應線，電晶體 Q134-1的基極連接於定時信號Τ114的供應線，電晶體 Q134-n的基極連接於定時信號τΐΐη的供應線。 電晶體 Q131-2、Q132-2、Q133-2、Q134-2、Q13I1-2 的基極 連接於控制電壓Vt的供應端子。 而且，電晶體 Q131-2、Q132-2、Ql33-2、Q134_2、Q13n_2 的集極在電流放大器丨丨丨共同連接於輸入端。 此外，電流放大器111具有pnp型電晶體Q141、q142及電 阻元件 R141、R141。 電晶體Q141的集極及基極連接於開關電路i丨〇的電晶體 Q131-2、Q132_2、Q133-2、Q134-2、Ql3n-2的基極。電晶體 Q141的射極透過電阻元件&141連接於電源電壓Vcc的供應 線，基極連接於電晶體Q142的基極。電晶體q142的射極透 過電阻元件R142連接於電源電壓Vcc的供應線，集極連接 於LD101的陽極。 即，電流放大器11 1係由電流鏡電路所構成。 圖1 1的電路在電壓電流控制電路丨的-丨、1〇9·2、...、 將其如圖1 1及圖 Τ114、···、τΐΐη 產生電流 1101、1102、1103、1104 …110η， 12所示，按定時信號tU1、丁112、Τ113、 -32- 575983
(28) 的定時以開關路1 1 0切換，並用電流放大器111加以K倍而 驅動LD101 。 驅動此LD 101時，APC電路成為閉環，所以可容易產生 記錄模式的高速脈衝驅動電流ILD。 根據本第3實施形態，即使設定的光功率不是2值，而是 3值以上的多值的情況，亦可得到和上述第1實施形態的效 果同樣的效果。
即，在多值的功率設定也同樣，由於功率設定區間也和 記錄時同樣可進行脈衝驅動，所以沒有因功率設定區間的 DC發光而影響雷射壽命。 再者，由於功率設定區間、記錄區間都脈衝驅動雷射， 所以也沒有因雷射的弛張振盪、特性偏差而在設定雷射功 率產生差。再者，在ALPC部1 1 6功率設定的引進動作結束 後，在資料部1 1 4也比較控制，所以即使產生雷射的下降 (droop)特性亦可追縱。
此夕卜，無需如圖3所示，在APLC部1 1 6按時間序列依序 引進各雷射功率設定，可同時動作，所以在有限的ALPC 部的多值功率設定成為有利。 第4實施形態 圖1 3為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第4實施形態的電路圖。 本第4實施形態和上述第3實施形態不同之點在於構成 如下：將各光功率的設定不以電壓進行，而以基準電流源 116-1、116-2.....116-n賦與，將此輸出以電流開關1 17切 -33 - 575983
(29) 換，將電流開關1 1 7的輸出電流輸入到具有和電流電壓變 換電路1 0 3相同電路結構的電流電壓變換電路1 1 8，以此輸 出作為電壓信號Vr。 這種情況，來自PD 102的監控電流Ip d被控制成和設定電 流 11161、11162.....1116η相等。 其他結構和第3實施形態同樣。
根據本第4實施形態，可得到和上述第3實施形態的效果 同樣的效果。 即，在多值的功率設定也同樣，由於功率設定區間也和 記錄時同樣可進行脈衝驅動，所以沒有因功率設定區間的 DC發光而影響雷射壽命。 再者，由於功率設定區間、記錄區間都脈衝驅動雷射， 所以也沒有因雷射的弛張振盪、特性偏差而在設定雷射功 率產生差。再者，在ALPC部1 1 6功率設定的引進動作結束 後，在資料部1 1 4也比較控制，所以即使產生雷射的下降 (droop)特性亦可追縱。
此外，無需如圖3所示，在APLC部1 1 6按時間序列依序 引進各雷射功率設定，可同時動作，所以在有限的ALPC 部的多值功率設定成為有利。 第5實施形態 圖14為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第5實施形態的電路圖。 本第5實施形態和上述第3實施形態不同之點在於使抽 樣閘信號SPLG1、SPLG2、SPLG3不但峰值檢波電路106B-1、 -34- 575983
(30) 106B-2、底值檢波電路107B-1、107B-2、平均值檢波電路 115-1、115-2，而且也輸入到這些檢波電路的輸出級的誤 差放大器 108D-1、108D-2、108D-I1。 其他結構和3實施形態同樣。 根據本第5實施形態，當然可得到和上述第3實施形態的 效果同樣的效果，有可防止資料等待時等的錯誤處理的優 點。 第6實施形態
圖15為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第6實施形態的電路圖。 本第6實施形態和上述第4實施形態不同之點在於使抽 樣閘信號SPLG1、SPLG2、SPLG3不但峰值檢波電路106B-1、 106B-2、底值檢波電路107B-1、107B-2、平均值檢波電路 115-1、115-2，而且也輸入到這些檢波電路的輸出級的誤 差放大器 108E-1、108E-2、108E-n。 其他結構和4實施形態同樣。 根據本第6實施形態，可得到和上述第4實施形態的效果 同樣的效果 第7實施形態 圖1 6為顯示關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第7實施形態的電路圖。 本第7實施形態和上述第3實施形態不同之點在於誤差 放大器108-1、108-2 ..... 108-n的輸出和電壓電流變換電 路109-1、109-2.....l〇9-n之間配置抽樣保持電路119-1、 -35 -
575983 (31) 119-2.....1，η。 如此構成的理由如下。 根據光碟的格式，也有不如圖3所示，在各扇區設置 ALPC^P 116 ^而雷射功率的設定除了使用者區之外，還在 設於光碟内外周的測試區（Test Zone)或製造區（Manufacture
Zone)的區域進行者° 這種情況，如圖1 6所示，除了圖8的結構之外，還藉由 追加為了保持各誤差放大器輸出的控制電壓的抽樣保持 電路119-1、Π9-2、…、119-n，不失本發明的效果而可實 現。 即，在進行雷射功率設定的測試區或製造區的區域，以 抽樣保持電路119-1、119-2.....119-n的抽樣閘信號SPLG4 為”高”位準，使各功率設定引進。對使用者區的查找（seek) 動作中’以此抽樣閘#號SPLG4為’低’·位準，保持各個發 光功率的控制電壓。在為了記錄的扇區的資料部，再以抽 樣閘信號SPLG4為，，高”位準，以保持的控制電壓作為起始 值進行比較控制。 其他結構和第3實施形態同樣。 根據本第7實施形態，可得到和上述第3實施形態的效果 同樣的效果。 即’在多值的功率設定也同樣，由於功率設定區間也和 記錄時同樣可進行脈衝驅動，所以沒有因功率也— 丁 p又疋區間的 DC發光而影響雷射壽命。 再者，由於功率設定區間、記錄區間都脈衝驅動雷射， -36- 575983 (32) 所以也沒有因雷射的弛張振盪、特性偏差而在設足雷射功 率產生差。.再者，在ALPC部1 1 6功率設定的引進動作結束 後，在資料部114也比較控制，所以即使產生雷射的下降 (droop)特性亦可追縱。 此外’播需如圖3所示，在ApLC部n 6按時間序列依序 引進各雷射功率設定，可同時動作，所以在有限的ALPC 部的多值功率設定成為有利。 又，此結然不僅多值，而且如圖5或圖7的電路，2 值的電路亦可適用。 _ 第8實施形熊 圖1為顯不關於本發明的半導體雷射光輸出控制電路 第8實施形態的電路圖。 本第8實施形知和上述第4實施形態不同之點在於根據 和第7只犯形怨同樣的理由，在誤差放大器108-1、 108-2、…、於山 J衔出和電壓電流變換電路109-卜109-2、 …、109-n之間配罟社接， 置抽樣保持電路119G-1、119G-2、···、 119G-n。 其他結構和第4實施形態同樣。 根據本第8實施形態’和第7實施形態同樣，對於不在各 扁區設APLC部116，而雷射功率的設定除了使用者區之. 外，遂在设於光碟内外周的測試區（丁⑻或製造區 (Manufacture Zone)的區域進行的光碟可適用。 JL9實施形態 圖18為顯示採用關於本發明的半導體雷射光輸出控制 •37· 575983
(33) 電路的光碟裝置要部的電路圖。 在圖18中’光碟裝置200係201顯示光碟媒體，202顯示 光拾波器、203顯示APC電路。 光拾波器202作為主構成元件具備雷射二極體⑶^:按 照驅動電流ILD的值將雷射光LO照射於光碟媒體201 :監 . 控用PD102 :感受由LD101所出射的雷射光LO而產生與受 光位準相應的監控電流Ipd ;及，光檢測器204 :感受照射 於光碟媒體201的雷射光的反射回光，產生與受光位準相 應的值的電流。 φ 此處’就光拾波器2〇2所設的LD101、PD102及APC電路 203而言’在關於上述第1〜第8實施形態的第半導體雷射 光輸出控制電路1 〇〇〜100G適用各電路及元件。 因此’根據本光碟裝置200，由於功率設定區間也和記 錄時同樣可進行脈衝驅動，所以沒有因功率設定區間的 DC發光而影響到雷射壽命。 再者’由於功率設定區間、記錄區間都脈衝燔動雷射， 所以也沒有因雷射的弛張振盪、特性偏差而在設定雷射功 鲁 產味菩 〇 雨 七 丹耆，在APLC部1 16功率設定的引進動作結束 後’在貝料部1 1 4也比較控制，所以即使產生雷射的下降 (droop)特性亦可追縱。 · 此外’典需如圖3所示，在ALPC部1 1 6按時間序列依次 4 引進各田射功率設定，可同時動作，所以可得到在有限的 ALPC部的多值功率設定成為有利這種和上述各實施形態 同樣的效果。 -38- 575983 (34) 產業上之利用可能性 如以上，根據關於本發明的半導體雷射光輸出控制電 路，實現記錄時的半導體雷射的脈衝驅動，甚至功率設定 時的脈衝驅動，可精度良好地控制按多數設定值脈衝驅動 的半導體雷射的光輸出，所以可利用作為光碟裝置、光通 信裝置、雷射印表機等光裝置的光源。 圖式代表符號說明 100、100A〜100G…半導體雷射光輸出控制電路 101…雷射二極體（LD) 102···光二極體（PD) 103…電流電壓變換電路 104···開關電路 105- 1、105-2、105-n···光功率設定電壓源 106- 1、106-2、106B-1、106B-2 …峰值檢波電路 107- 1、107-2、107B-1、107B-2 …底值檢波電路 108- 1、108-2、108-n、108D-1、108D-2、108D-n…誤差放 大器 109- 1、109-2、109-n···電壓電流變換電路 1 10…開關電路 1 1 1…電流放大器 112-1、112-2、116-1、116-2、116-n…光功率設定電流源 113、117…電流開關 1 1 4、1 1 8…電流電壓變換電路 115-1、115-2…平均值檢波電路 575983
(35) 119-1、119·2、119-n···抽樣保持電路 2 0 0…光碟裝置 201···光碟媒體 204…APC電路
-40-

Claims (1)

  1. 575983 拾、申請專利範圍 1. 一種半導體雷射光輸出控制電路，其特徵在於：係將 半導體雷射的光輸出因應所供應的驅動電流制在希望 強度，具有： 光輸出檢測機構：檢測上述半導體雷射的光輸出； 第一檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上 述光輸出的第一位準； 第二檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上 述光輸出的第二位準； 第一光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的光 輸出的第一位準的第一設定值； 第二光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的光 輸出的第二位準的第二設定值； 第一切換機構：切換由上述第一及第二光輸出設定 機構所賦與的上述光輸出的第一及第二設定值信號並 予輸出； 弟二檢波機構·自上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第一設定值信號； 第四檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第二設定值信號； 第一比較機構：比較上述第一檢波機構的檢波輸出 和上述第三檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結果； 第二比較機構：比較上述第二檢波機構的檢波輸出 和上述第四檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結果；
    575983 第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同步， 切換上述第一及第二比較機構的比較結果並予輸出； 及， . 電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出信 號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射者。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一檢波機構及第三檢波機構包含峰值 檢波電路，上述第二檢波機構及第四檢波機構包含底 φ 值檢波電路。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一檢波機構及第三檢波機構的各峰值 檢波電路具有略相同的電路輸出特性，上述第二檢波 機構及第四檢波機構的各底值檢波電路具有大致相同 的電路輸出特性。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中具備第一及第二保持電路：保持上述第一及 _ 第二比較機構輸出的比較結果， 上述第二切換機構係切換上述第一及第二保持電路 所保持的上述比較結果，並供應上述切換的比較結果 給上述電流供應機構。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述光輸出設定機構賦與上述半導體雷射的 光輸出的設定值作為基準電壓值。 6. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射光輸出控制電 -2 - 575983 路，其中上述光輸出設定機構賦與上述半導體雷射的 光輸出的設定值作為基準電流值。 7. —種半導體雷射光輸出控制電路，其特徵在於：係將 半導體雷射的光輸出因應所供應的驅動電流控制在希 望強度，具有： 光輸出檢測機構：檢測上述半導體雷射的光輸出； 第一檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上 述光輸出的第一位準； 第二檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上 述光輸出的第二位準； 第三檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的上 述光輸出的上述第一位準和第二位準之中間的第三位 準； 第一光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的光 輸出的第一位準的第一設定值； 第二光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的光 輸出的第二位準的第二設定值； 至少一個第三光輸出設定機構：供賦與上述半導體 雷射的光輸出的第三位準的第三設定值； 第一切換機構：切換由上述第一、第二及第三光輸 出設定機構所賦與的上述光輸出的第一、第二及第三 設定值信號並予輸出； 第四檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第一設定值信號；
    575983 第五檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的輸 出中，檢測第二設定值信號； 至少第六檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構 的輸出中，檢測第三設定值信號； 第一比較機構：比較上述第一檢波機構的檢波輸出 和上述第四檢波機構的檢波輸出’輸出該比較結果； 第二比較機構：比較上述第二檢波機構的檢波輸出 和上述第五檢波機構的檢波輸出，輸出該比較結果； 至少一個第三比較機構：比較上述第三檢波機構的 檢波輸出和上述第三檢波機構的檢波輸出，輸出該比 較結果； 第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同步， 切換上述第一、第二及第三比較機棬的比較結果並予 輸出；及 電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出信 號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射者。 8. 如申請專利範圍第7項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一檢波機構及第四檢波機構包含峰值 檢波電路，上述第二檢波機構及第五檢波機構包含底 值檢波電路。 9. 如申請專利範圍第8項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第三檢波機構及第六檢波機構包含平均 值檢波電路。 10.如申請專利範圍第8項之半導體雷射光輸出控制電
    575983 路，其中上述第一檢波機構及第三檢波機構的各峰值 檢波電路具有大致相同的電路輸出特性’上述弟' —檢 波機構及第四檢波機構的各底值檢波電路具有大致相 同的電路輸出特性。 11. 如申請專利範圍第9項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一檢波機構及第四檢波機構的各峰值 檢波電路具有大致相同的電路輸出特性，上述第二檢 波機構及第五檢波機構的各底值檢波電路具有大致相 同的電路輸出特性，上述第三檢波機構及第六檢波機 構的各平均值檢波電路具有大致相同的電路輸出特 性。 12. 如申請專利範圍第9項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述峰值檢波電路、底值檢波電路或平均值 檢波電路中，至少平均值檢波電路具有保持功能。 13. 如申請專利範圍第7項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一、第二及第三比較機構具有保持功 能。 14. 如申請專利範圍第1 2項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述第一、第二及第三比較機構具有保持功 能。 15. 如申請專利範圍第7項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中具備第一、第二及第三保持電路：保持上述 第一、第二及第三比較機構輸出的比較結果， 上述第二切換機構切換上述第一、第二及第三保持
    575983 電路保持的上述比較結果，供應上述切換的比較結果 給上述電流供應機構。 16. 如申請專利範圍第7項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述光輸出設定機構賦與上述半導體雷射的 光輸出的設定值作為基準電壓值。 17. 如申請專利範圍第7項之半導體雷射光輸出控制電 路，其中上述光輸出設定機構賦與上述半導體雷射的 光輸出的設定值作為基準電流值。 18. —種光裝置，其特徵在於：係具有將照射於光媒體的 半導體雷射的光輸出因應所供應的驅動電流控制在希 望強度的半導體雷射光輸出控制電路， 上述半導體雷射光輸出控制電路具有： 光輸出檢測機構：檢測上述半導體雷射的光輸出； 第一檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的 上述光輸出的第一位準； 第二檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的 上述光輸出的第二位準； 第一光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的 光輸出的第一位準的第一設定值； 第二光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的 光輸出的第二位準的第二設定值； 第一切換機構：切換輸出由上述第一及第二光輸 出設定機構所賦與的上述光輸出的第一及第二設定值 信號；
    575983 第三檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的 輸出中，檢測第一設定值信號； 第四檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的 . 輸出中，檢測第二設定值信號； 第一比較機構：比較上述第一檢波機構的檢波輸 出和上述第三檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結 果； 第二比較機構：比較上述第二檢波機構的檢波輸 φ 出和上述第四檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結 果； 第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同 步，切換輸出上述第一及第二比較機構的比較結果； 及， 電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出 信號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射者。 19. 一種光裝置，其特徵在於：係具有將照射於光媒體的 φ 半導體雷射的光輸出因應所供應的驅動電流控制在希 度的半導體雷射光輸出控制電路； 上述半導體雷射光輸出控制電路具有： 光輸出檢測機構：檢測上述半導體雷射的光輸出； 黌 第一檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的 上述光輸出的第一位準； 第二檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的 上述光輸出的第二位準；
    575983 第三檢波機構：檢測上述光輸出檢測機構檢出的 上述光輸出的上述第一位準和第二位準中間的第三位 準； 第一光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的 光輸出的第一位準的第一設定值； 第二光輸出設定機構：供賦與上述半導體雷射的 光輸出的第二位準的第二設定值； 至少一個第三光輸出設定機構：供賦與上述半導 體雷射的光輸出的第三位準的第三設定值； 第一切換機構：切換輸出由上述第一、第二及第 三光輸出設定機構所賦與的上述光輸出的第一、第二 及第三設定值信號； 第四檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的 輸出中，檢測第一設定值信號； 第五檢波機構：自上述光輸出設定值切換機構的 輸出中，檢測第二設定值信號； 至少第六檢波機構：自上述光輸出設定值切換機 構的輸出中，檢測第三設定值信號； 第一比較機構：比較上述第一檢波機構的檢波輸 出和上述第四檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結 果； 第二比較機構：比較上述第二檢波機構的檢波輸 出和上述第五檢波機構的檢波輸出，並輸出該比較結 果；
    575983 至少一個第三比較機構：比較上述第三檢波機構 的檢波輸出和上述第六檢波機構的檢波輸出，並輸出 該比較結果； 第二切換機構：和上述第一切換機構的切換同 步，切換輸出上述第一、第二及第三比較機構的比較 結果；及 電流供應機構：供應與上述第二切換機構的輸出 信號相應的上述驅動電流給上述半導體雷射者。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI226625B (en) * 2002-09-13 2005-01-11 Mediatek Inc Method for controlling output power of a pick-up head using automatic power control loop
JP2005340278A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Freescale Semiconductor Inc 発光素子駆動回路
JP2007179603A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Samsung Electronics Co Ltd 光情報記録再生装置
JP4910622B2 (ja) * 2006-10-18 2012-04-04 日本電気株式会社 発光素子駆動回路、発光素子駆動方法、及び該発光素子駆動回路を備えた映像表示装置
EP2160927B1 (de) * 2007-06-19 2021-04-14 Silicon Line GmbH Schaltungsanordnung und verfahren zur ansteuerung von lichtemittierenden bauelementen
JP2009104753A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Toshiba Corp 光ヘッド装置およびそれを用いた情報記録再生装置
WO2010040816A2 (de) 2008-10-09 2010-04-15 Silicon Line Gmbh Schaltungsanordnung und verfahren zum übertragen von tmds-kodierten signalen
JP6807811B2 (ja) 2017-07-19 2021-01-06 株式会社フジクラ レーザ装置、レーザ装置の光源の劣化度推定方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4355395A (en) * 1978-04-10 1982-10-19 British Telecommunications Injection lasers
JPH0799584B2 (ja) * 1985-12-24 1995-10-25 株式会社日立製作所 光学式情報記録再生装置
JPH07111783B2 (ja) * 1988-09-02 1995-11-29 松下電器産業株式会社 半導体レーザ制御回路
US5127015A (en) * 1990-04-17 1992-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Driving circuit of a semiconductor laser
CA2059805A1 (en) * 1991-01-31 1992-08-01 Katsumi Uesaka Semiconductor laser device driving circuit
JP3207497B2 (ja) * 1992-03-10 2001-09-10 キヤノン株式会社 画像形成装置
JPH05299738A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Ricoh Co Ltd レーザダイオード制御回路および光ディスク駆動装置
JPH063612A (ja) * 1992-06-22 1994-01-14 Canon Inc 光量制御装置
JPH06152027A (ja) * 1992-11-12 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ駆動回路
JPH07141677A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Olympus Optical Co Ltd 半導体レーザの駆動装置
JPH0963093A (ja) 1995-08-25 1997-03-07 Sony Corp レーザ光出力制御回路
JPH09115167A (ja) 1995-10-18 1997-05-02 Sony Corp レーザ光出力制御回路
JPH09115165A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Olympus Optical Co Ltd 半導体レーザ制御回路
JP2001067707A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp レーザ出力装置、及びディスクドライブ装置
US6377594B1 (en) * 1999-10-15 2002-04-23 Hewlett-Packard Company Apparatus and method for analysis and control of a train of high speed, high power, multi-level laser pulses
US6490302B1 (en) * 1999-10-28 2002-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser control circuit and laser light source
JP2001229561A (ja) * 2000-02-09 2001-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ制御装置
JP2001352125A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ａｐｃ方式レーザダイオード駆動回路
JP2003157530A (ja) * 2001-11-26 2003-05-30 Hitachi Ltd 光ディスク装置

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Publication number Publication date
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